2024-700183

特許第７３３４６２４号発明「積層体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３３４６２４号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～８〕について訂正することを認める。 特許第７３３４６２４号の請求項２～８に係る特許を維持する。 特許第７３３４６２４号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３３４６２４号（以下「本件特許」という。）の請求項１～８に係る特許についての出願は、令和元年１０月４日（優先権主張 平成３０年１０月１８日、平成３１年３月５日）を国際出願日とするものであって、令和５年８月２１日にその特許権の設定登録がされ、同年８月２９日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての手続きの経緯の概略は、次のとおりである。 令和６年 ２月２８日 ：特許異議申立人赤松智信（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和６年１０月３１日付け：取消理由通知書 令和６年１２月１１日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（以下、この訂正請求書による訂正の請求を「本件訂正請求」といい、訂正自体を「本件訂正」という。） 令和７年 １月２４日 ：申立人による意見書（以下「意見書」という。）の提出 第２ 本件訂正の適否 １．訂正の内容 本件訂正請求は、「特許第７３３４６２４号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～８について訂正することを求める。」ものであり、その訂正の内容は、次の訂正事項を含むものである。なお、下線は、当審が訂正箇所に付したものである。 （１）訂正事項１ 請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 本件訂正前の請求項２に記載された 「前記Ａ層は、Ｘ線光電子分光により測定される酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下である請求項１に記載の積層体。」を、 「 基材の少なくとも片側に、非晶質膜であるＡ層とアンカーコート層を有し、 前記アンカーコート層は基材とＡ層の中間に存在しており、 前記Ａ層は、マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含み、 前記Ａ層は、陽電子ビーム法により測定される平均寿命が０．９３５ｎｓ以下であり、 水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、 前記Ａ層は、Ｘ線光電子分光により測定される酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下である積層体。」に訂正する（請求項２の記載を引用する請求項３、５～８も同様に訂正する。）。 （３）訂正事項３ 本件訂正前の請求項３に記載された 「請求項１または２に記載の積層体。」を、 「請求項２に記載の積層体。」に訂正する（請求項３の記載を引用する請求項５～８も同様に訂正する。）。 （４）訂正事項４ 本件訂正前の請求項４に記載された 「前記Ａ層は、シリケート結合を有する、請求項１～３のいずれかに記載の積層体。」を、 「 基材の少なくとも片側に、非晶質膜であるＡ層とアンカーコート層を有し、 前記アンカーコート層は基材とＡ層の中間に存在しており、 前記Ａ層は、マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含み、 前記Ａ層は、陽電子ビーム法により測定される平均寿命が０．９３５ｎｓ以下であり、 水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、 前記Ａ層は、シリケート結合を有する積層体。」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５～８も同様に訂正する。）。 （５）訂正事項５ 本件訂正前の請求項５に記載された 「請求項１～４のいずれかに記載の積層体。」を、 「請求項２～４のいずれかに記載の積層体。」に訂正する（請求項５の記載を引用する請求項６～８も同様に訂正する。）。 （６）訂正事項６ 本件訂正前の請求項６に記載された 「請求項１～５のいずれかに記載の積層体。」を、 「請求項２～５のいずれかに記載の積層体。」に訂正する（請求項６の記載を引用する請求項７、８も同様に訂正する。）。 （７）訂正事項７ 本件訂正前の請求項８に記載された 「請求項１～７のいずれかに記載の積層体。」を、 「請求項２～７のいずれかに記載の積層体。」に訂正する。 （８）一群の請求項について 本件訂正前の請求項１～８は、請求項２～８が、本件訂正前の請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する関係にあるから、本件訂正請求は、一群の請求項〔１～８〕について請求されたものである。 ２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、本件訂正前の請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２が請求項１を引用する記載であったものを、請求項１の発明特定事項の全てを変更することなく、請求項１の記載を引用しない独立形式請求項へ改めるものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 また、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （３）訂正事項３、５～７について 訂正事項３、５～７は、それぞれ、本件訂正前の請求項３、５、６、８について、訂正事項１によって請求項１が削除されたことに伴い、引用する請求項の数を減少させ、また、訂正事項１によって削除された請求項１を引用しているという不明瞭な状態を解消させるものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 また、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４は、訂正前の請求項４が請求項１～３のいずれかの記載を引用するものであったのを、請求項２、３を引用しないものとして特許請求の範囲を減縮するとともに、請求項１を引用するものについて、請求項１の発明特定事項の全てを変更することなく、請求項１の記載を引用しない独立形式請求項へ改めるものであるから、特許請求の範囲の減縮及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 また、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 ３．訂正についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、本件訂正後の請求項〔１～８〕について訂正を認める。 第３ 本件特許発明 上記第２のとおり本件訂正が認められたから、本件特許の請求項２～８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２」～「本件発明８」という。）は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項２～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項２】 基材の少なくとも片側に、非晶質膜であるＡ層とアンカーコート層を有し、 前記アンカーコート層は基材とＡ層の中間に存在しており、 前記Ａ層は、マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含み、 前記Ａ層は、陽電子ビーム法により測定される平均寿命が０．９３５ｎｓ以下であり、 水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、 前記Ａ層は、Ｘ線光電子分光により測定される酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下である積層体。 【請求項３】 前記Ａ層は、マグネシウム、ケイ素及び酸素を含む、請求項２に記載の積層体。 【請求項４】 基材の少なくとも片側に、非晶質膜であるＡ層とアンカーコート層を有し、 前記アンカーコート層は基材とＡ層の中間に存在しており、 前記Ａ層は、マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含み、 前記Ａ層は、陽電子ビーム法により測定される平均寿命が０．９３５ｎｓ以下であり、 水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であり、 前記Ａ層は、シリケート結合を有する積層体。 【請求項５】 前記アンカーコート層は、一方の面が前記基材と接し、他方の面が前記Ａ層と接している、請求項２～４のいずれかに記載の積層体。 【請求項６】 前記Ａ層は、マグネシウム、ケイ素及び酸素を含み、Ｘ線光電子分光により測定されるマグネシウム（Ｍｇ）原子濃度が５～５０ａｔｍ％、ケイ素（Ｓｉ）原子濃度が２～３０ａｔｍ％、及び酸素（Ｏ）原子濃度が４５～７０ａｔｍ％である、請求項２～５のいずれかに記載の積層体。 【請求項７】 前記Ａ層は、マグネシウム（Ｍｇ）原子とケイ素（Ｓｉ）原子の原子濃度（ａｔｍ％）の比率Ｍｇ／Ｓｉが、０．３０～１１．００である、請求項６に記載の積層体。 【請求項８】 前記Ａ層が真空蒸着法により形成される層である、請求項２～７のいずれかに記載の積層体。」 第４ 取消理由の概要 当審が通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 １ 取消理由１（実施可能要件） 本件特許は、発明の詳細な説明の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 実施例１～６の原子濃度は、技術常識から想定されるＡ層中の原子濃度と異なるものであり、本件特許明細書のＡ層の形成方法に係る記載のみからでは、実施例１～６のＡ層を形成できるとは直ちにはいえないから、発明の詳細な説明は、本件発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 ２ 取消理由２（明確性要件） 本件の請求項６～８に係る特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 本件発明６が特定する（Ｍｇ、Ｓｉ、Ｏ）の各含有割合には、技術常識から想定される酸素（Ｏ）の含有割合よりも多くの酸素を含有する場合を含み得るものとなっているから、請求項６～８に係る発明は明確でない。 ３ 取消理由３（進歩性） 本件特許の請求項１、３、５及び８に係る発明は、以下の甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜引用刊行物＞ 甲第１号証：特開２０１２－１３２０８５号公報 甲第２号証：特開２０１５－４２４８７号公報 以下、甲第１号証を「甲１」といい、他も同様にいう。 第５ 取消理由通知に記載した取消理由についての当審の判断 １ 取消理由１（実施可能要件）について 物の発明について実施可能要件を満たすためには、明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者において、その記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、当該発明に係る物を作り、使用することができる程度のものでなければならない。 （１）実施可能要件を満たすか否かについて 本件発明は、本件特許の請求項１に記載のとおりのものであるところ、Ａ層に関して、段落【００８４】、【００８５】において、作成方法が記載され、実施例として【表１】において結果が記載されており、本件発明の発明特定事項を有する実施例が把握できる。 なお、当該各実施例において、Ａ層中のＭｇ、Ｓｉ、Ｏの原子比率が示されているところ、ＭｇＯとＳｉＯ２の蒸着材料の面積比率とのずれが見られるが、この点については、蒸着工程において金属原子が基材以外にも付着したり、蒸着機内の雰囲気中などに含まれる酸素原子が基材に付着したりすることなどにより、Ｏが多くなるように変動しうるものであることを踏まえれば、実施例が作成できないとまではいえない。 そうすると、これらの記載を参照することにより、当業者が、その記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明を実施できるものである。 （２）申立人の主張について 申立人は、特許異議申立書において、「実施例１～６、１１、１２はいずれも、化学の常識に照らして実際にとり得ない組成であるから、・・・請求項に係る発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかを理解できない」（１７ページ）旨を主張する。また、意見書において、「本件特許明細書の記載からは、どのようにしてＯＨとの結合の量等を制御して酸素過多の状態を形成すればよいのか、当業者は理解することができない」（２ページ）旨を主張する。 しかし、上記（１）で検討したように、蒸着工程において金属原子が基材以外にも付着したり、蒸着機内の雰囲気中などに含まれる酸素原子が基材に付着したりすることなどにより、Ａ層中のＭｇ、Ｓｉ、Ｏの原子比率はＯが多くなるように変動しうるものであることを踏まえれば、当業者であれば、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明を実施できるものであるから、申立人の主張は採用できない。 ２ 取消理由２（明確性要件）について 特許を受けようとする発明が明確であるか否かは、特許請求の範囲の記載のみならず、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。 （１）明確性要件を満たすか否かについて 本件発明６において、「前記Ａ層は、マグネシウム、ケイ素及び酸素を含み、Ｘ線光電子分光により測定されるマグネシウム（Ｍｇ）原子濃度が５～５０ａｔｍ％、ケイ素（Ｓｉ）原子濃度が２～３０ａｔｍ％、及び酸素（Ｏ）原子濃度が４５～７０ａｔｍ％である」と特定している。この点について、上記１（１）で検討したように、蒸着工程において金属原子が基材以外にも付着したり、蒸着機内の雰囲気中などに含まれる酸素原子が基材に付着したりすることなどにより、Ａ層中のＭｇ、Ｓｉ、Ｏの原子比率はＯが多くなるように変動しうるものであることを踏まえれば、上記記載の原子濃度とすることは可能であり、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとまではいえない。 （２）申立人の主張について 申立人は、特許異議申立書において、「請求項６の「マグネシウム（Ｍｇ）原子濃度が５～５０ａｔｍ％、ケイ素（Ｓｉ）原子濃度が２～３０ａｔｍ％、及び酸素（Ｏ）原子濃度が４５～７０ａｔｍ％である」（６Ｂ）という発明特定事項は、実際にとり得ない組成を含むものであり、発明特定事項の内容に技術的な欠陥があるため、発明が不明確となっている」（１５ページ）旨を主張する。 しかし、上記（１）で検討したとおりであり、実際にとり得ない組成を含むものとはいえないから、申立人の主張は採用できない。 ３ 取消理由３（進歩性）について 請求項１が削除されたことにより、請求項１及びこれを引用する請求項３、５及び８に対する取消理由は解消された。 第６ 取消理由通知に採用しなかった特許異議申立書に記載の申立理由について １ 取消理由通知で採用しなかった申立理由の概要について 取消理由通知で採用しなかった特許異議申立理由の概要は次のとおりである。 （１） 申立理由（甲１を主引用例とする進歩性） 本件特許の請求項２～８に係る発明は、以下の甲１に記載された発明及び周知技術に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜引用刊行物＞ 甲１：特開２０１２－１３２０８５号公報 甲２：特開２０１５－４２４８７号公報 甲３：特開２００２－２３４１００号公報 甲４：特開２０１８－１５２１号公報 ２ 当審の判断 （１）引用文献の記載事項、引用発明 ア 甲１ （ア）甲１の記載 甲１には、以下の記載がある。（下線は当審で付した。「・・・」は省略を示す。以下同様。） 「【００４０】 続いて、本発明の薄膜シート及び積層シートについて、その製造方法とともに説明する。図１に示すように、本発明の薄膜シート１０は、第１基材フィルム１１と、好ましくは上記蒸着材を用いて形成された本発明の薄膜１２を有する。そして、本発明の積層シート２０は、上記本発明の薄膜シート１０と、この薄膜シート１０の薄膜形成側に接着層１３を介して接着された第２基材フィルム１４とを有する。 【００４１】 第１基材フィルム１１及び第２基材フィルム１４は、長時間の高温高湿度環境試験に耐え得る機械的強度や耐候性等を有するものが好ましい。例えば、ポリエチレンテレフテレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、環状オレフィン（コ）ポリマー等の樹脂フィルムが挙げられる。これらの樹脂フィルムは、必要に応じて難燃剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤等が配合されていても構わない。第１基材フィルム１１及び第２基材フィルム１４の厚さは、好ましくは５～３００μｍ、更に好ましくは１０～１５０μｍである。 【００４２】 この第１基材フィルム１１上に、好ましくは上述した本発明の蒸着材を用いて、ガスバリア材としての薄膜１２が形成される。蒸着材中の第１酸化物に含まれる金属元素をＡ、第２酸化物に含まれる金属元素をＢとすると、薄膜１２中の金属元素Ａと金属元素Ｂとのモル比が５～８５：９５～１５である。薄膜１２中の金属元素Ａ，Ｂの含有割合が上記範囲外になると、それぞれ各酸化物の結晶状態が優先となり、アモルファス状で緻密で微細な構造を得られないといった不具合を生じる。薄膜１２の厚さは１０～２００ｎｍの範囲内が好ましい。下限値未満では、ガスバリア材としての十分なガスバリア性が得られ難く、また、膜の耐久性が低下し易い。一方、上限値を越えると材料が無駄になり、また、厚み効果により、折り曲げ等の外力によるクラックが生じ易くなる。このうち、薄膜１２の厚さは、２０～１００ｎｍの範囲内が特に好ましい。蒸着材を用いた薄膜１２の形成方法としては、電子ビーム蒸着法（Electron Beam Evaporation Method 以下、ＥＢ法という）、イオンプレーティング法、反応性プラズマ蒸着法（Reactive Plasma Deposition Method 以下、ＲＰＤ法という）、抵抗加熱法又は誘導加熱法等の真空成膜法が好ましい。」 「【００６１】 ＜実施例１１＞ 第２酸化物粉末として平均粒径が０．９μｍ、純度が９９．７％の高純度ＭｇＯ粉末を用いたこと以外は、実施例１と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるＳｉＯ粒子及びＭｇＯ粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるＳｉＯ、ＭｇＯの含有量、ペレットの塩基度を以下の表１に示す。 ・・・ 【００６３】 ＜実施例１３＞ ＳｉＯ粉末並びにＭｇＯ粉末の混合量を、形成後の蒸着材に含まれるＳｉＯが５０モル％、ＭｇＯが５０モル％となるように調整したこと以外は、実施例１１と同様に、蒸着材を得た。得られた蒸着材に含まれるＳｉＯ粒子及びＭｇＯ粒子の平均粒径、また、蒸着材に含まれるＳｉＯ、ＭｇＯの含有量、ペレットの塩基度を以下の表１に示す。」 「【０１１２】 【表１】 ［図：0001431099000001.jpg］ 」 「【０１１５】 ・・・ ＜比較試験及び評価１＞ 実施例１～４１及び比較例１～２０で得られた蒸着材を用いて、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム上に、以下の表５～表７に示す方法により蒸着を行って薄膜を成膜し、薄膜シートを形成した。これらの薄膜シートについて、水蒸気透過度を測定し、ガスバリア性を評価した。また、上記ガスバリア性評価における条件よりも高温、高湿度条件下で長時間放置した後の水蒸気透過度及びその変化率から耐久性を評価した。更に、これらの薄膜シートについて、光透過率を測定し、透明性を評価した。これらの結果を以下の表５～表７に示す。」 「【０１１９】 【表５】 ［図：0001431099000002.jpg］ 」 （イ）甲１に記載された発明 上記（ア）より、甲１には、特に実施例１３の蒸着材から得られた積層体に着目すると、以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＳｉＯ５０モル％、ＭｇＯ５０モル％含有する蒸着材を用いて、ＰＥＴフィルム上にＲＰＤ法（反応性プラズマ蒸着法（Reactive Plasma Deposition Method））により蒸着を行って薄膜を成膜し、水蒸気透過度が０．０２ｇ／ｍ２・ｄａｙである、薄膜シート。」 イ 甲２ 甲２には、以下の記載がある。 「【０００１】 本発明は、ガスバリア性に優れた食品、医薬品、電子部品等の気密性を要求される包装材料、または、ガス遮断材料として使用される透明バリアフィルムに関するものである。 【背景技術】 【０００２】 ガスバリア性のすぐれたフィルムとしては、プラスチックフィルム上にアルミニウムを積層したもの、塩化ビニリデンやエチレンビニールアルコール共重合体をコーティングしたものが知られている。また、無機薄膜を利用したものとしては、酸化珪素、酸化アルミニウム薄膜等を積層したものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。 これら、無機薄膜を利用した透明バリアフィルムは、酸素透過量、水蒸気透過量を測定することで評価されてきた。 無機薄膜を利用した透明バリアフィルムを透過してくる気体は基板フィルムの自由体積（空孔）を通過し、無機薄膜の割れ目等の欠陥部分あるいは無機薄膜層にある空孔を透過してくる。 無機層の割れ目などの欠陥は透明バリアフィルムを扱う時に発生したり、基板となるプラスチックフィルム上の突起、ゴミにより発生したりする。 一方、無機薄膜層にある空孔は、物質自身の性質や膜形成条件に起因する。 バリアの向上を検討するに当たり透過量のみで評価しても対策がうまく取れない。 また、有機層と無機層とを積層することによりバリア性能を向上させる方法が知られているが、無機層に空孔が多い膜では積層による効果がない。 【０００３】 高分子フィルムの自由体積を測定する方法として対象となるフィルム内に打ち込んだ陽電子が空孔内で消滅するまでの時間により評価する陽電子消滅寿命測定法が知られている。（たとえば、非特許文献１参照） 無機材料内の欠陥を評価する方法としても陽電子消滅法が使われる。陽電子消滅を利用した評価法としては寿命を測定する方法以外にも、陽電子の消滅時に発生するγ線のエネルギー分布を評価するドップラー広がり評価法がある。（たとえば、非特許文献２参照）」 ウ 甲３ 甲３には、以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、食品や医薬品等の包装、収納、保存等に好適に使用されるガスバリヤー性に優れたフィルム、およびその製造方法に関する。」 「【００１３】シリコン酸化物薄膜層 ガスバリヤー層として機能するシリコン酸化物薄膜層は、シリコン酸化物から形成されており、層は次の状態をとっている。まず、薄膜をＸ線光電子分光スペクトル（以降、ＸＰＳスペクトルと呼ぶ）法によって酸素１ｓのスペクトルを測定し、縦軸に強度（Intensity）および横軸に結合エネルギー（Binding Energy）の関係で表す。次に、半値幅を１．６０～１．０ｅＶ、好ましくは１．３～１．１ｅＶ、より好ましくは１．２ｅＶの条件に設定して波形分離を行う。そこで得られたピークの内でピーク面積の大きい３つのピークに関して、一番ピーク面積が大きいピークをピーク１、ピーク１よりも低エネルギー側のピークをピーク２、ピーク１よりも高エネルギー側のピークをピーク３と名つけた時に、ピーク３の面積に対するピーク２の面積の比（ピーク２／ピーク３）は、１．１０より大きい。このような面積比の関係にあるシリコン酸化物薄膜層は、優れたガスバリヤー性能を有している。」 エ 甲４ 甲４には、以下の記載がある。 「【０００６】 本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、多層積層をせずとも高度なガスバリア性の発現が可能であり、フィルム搬送や後工程における加工に対しても高度なガスバリア性を維持することができるガスバリア性フィルムを提供せんとするものである。」 「【００１２】 また、本発明はＸ線光電子分光法により第２層表面側から原子濃度を測定した場合に、前記酸化亜鉛を含む第１層における亜鉛の原子濃度が、少なくとも１個のピークを有することが好ましい。第１層における亜鉛の原子濃度が、第１層の表面側でピークを有する場合、第１層表面の原子欠陥に第２層に含まれるケイ素原子が充填されて欠陥が減少することに加えて、第１層に含まれる亜鉛原子と第２層に含まれるケイ素原子が化学結合してＺｎ-Ｏ-Ｓｉのシリケートを形成しやすくなり、第１層と第２層間の密着性が向上して第２層が緻密化するため、高度なガスバリア性をより安定して発現するものとなる。・・・」 （２）本件発明２について ア 本件発明２と甲１発明を対比する。 甲１発明の「ＰＥＴフィルム」は、本件発明２の「基材」に相当する。 甲１発明の「薄膜」は、ＳｉとＭｇとＯを含むものであり、本件発明２の「マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含」む「Ａ層」に相当する。 甲１発明の「水蒸気透過度が０．０２ｇ／ｍ２・ｄａｙ」であることは、本件発明２の「水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である」ことに相当する。 甲１発明の「薄膜シート」は、ＰＥＴフィルムと薄膜を積層したものであるから、本件発明２の「積層体」に相当する。 以上より、本件発明２と甲１発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 《一致点》 「基材の少なくとも片側に、Ａ層を有し、 前記Ａ層は、マグネシウム及び／またはカルシウムを含み、且つ、前記Ａ層はケイ素及び酸素を含み、水蒸気透過度が２．４×１０-2ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下である積層体。」 《相違点１》 本件発明２の「Ａ層」が「非晶質膜」であるのに対し、甲１発明の薄膜がそうであるか特定されていない点。 《相違点２》 本件発明２は、「アンカーコート層を有し、前記アンカーコート層は基材とＡ層の中間に存在」しているのに対し、甲１発明ではそのように特定されていない点。 《相違点３》 本件発明２の「Ａ層は、陽電子ビーム法により測定される平均寿命が０．９３５ｎｓ以下であ」るのに対し、甲１発明の薄膜がそうであるか特定されていない点。 《相違点４》 本件発明２の「Ａ層は、Ｘ線光電子分光により測定される酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下である」のに対し、甲１発明の薄膜がそうであるか特定されていない点。 イ 判断 事案に鑑み《相違点４》から検討する。 《相違点４》について 上記（１）ウのとおり、甲３には、シリコン酸化物薄膜層について、Ｘ線光電子分光スペクトル法によって酸素１ｓのスペクトルを測定し、半値幅を１．６０～１．０ｅＶ、好ましくは１．３～１．１ｅＶ、より好ましくは１．２ｅＶの条件に設定して波形分離を行い、ピーク３の面積に対するピーク２の面積の比（ピーク２／ピーク３）が１．１０より大きいような面積比の関係にあるシリコン酸化物薄膜層は優れたガスバリヤー性能を有していることが示されている。 ここでは、半値幅の数値を条件に設定して波形分離を行った場合のことは記載されているものの、酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下であることを示しているものではない。また、酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅を３．２５ｅＶ以下とする技術思想は、提出された他の証拠にも記載されていない。そうすると、相違点４に係る本件発明２の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 なお、申立人は意見書において、本件特許の前記試料の方が甲１の試料よりも結合の種類が多いことから甲１には酸素原子（Ｏ１ｓ）のピークの半値幅が３．２５ｅＶ以下である構成が開示されていた旨（９ページ）を主張するが、ピークの半値幅が結合の種類に影響を受けるとしても、結合の種類の多少だけからピークの半値幅が決定されるわけではないものと認められるから、当該意見を採用することはできない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件発明３について 本件発明３は、本件発明２の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものであるところ、上記（２）で検討したとの同様に、本件発明３は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本件発明４について 本件発明４と甲１発明を対比すると、上記（２）で示した《相違点１》～《相違点３》の他に、次の相違点を有する。 《相違点５》 本件発明２の「Ａ層」が「シリケート結合を有する」ものであるのに対し、甲１発明の薄膜がそうであるか特定されていない点。 事案に鑑み《相違点５》から検討する。 《相違点５》について 上記（１）エのとおり、甲４には、「第１層に含まれる亜鉛原子と第２層に含まれるケイ素原子が化学結合してＺｎ-Ｏ-Ｓｉのシリケートを形成しやすくなり、第１層と第２層間の密着性が向上して第２層が緻密化するため、高度なガスバリア性をより安定して発現するものとなる」ことが記載されている。 一方で、本件明細書の【００３１】には、「前記Ａ層は、シリケート結合を有することが好ましい。・・・Ａ層中にシリケート結合を有することで、緻密な構造となり、高いガスバリア性が得られる。」と記載されているように、本件発明４はＡ層中にシリケート結合を有するものである。つまり、第１層に含まれる原子と第２層に含まれる原子が化学結合してシリケートを形成するものではない。また、緻密な構造とする機序の観点からみても、甲４においては、第１層と第２層間の密着性が向上することで第２層が緻密化するものであるから、本件発明４のようにＡ層中にシリケート結合を有することで緻密な構造となるものとは一定程度相違するものと認められる。また、Ａ層中にシリケート結合を有する構成は、提出された他の証拠にも記載されていない。そうすると、相違点５に係る本件発明４の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。 したがって、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明４は、甲１発明及び甲２、甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本件発明５について 本件発明５は、本件発明２～４の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものであるところ、上記（２）～（４）で検討したとの同様に、本件発明５は、甲１発明及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （６）本件発明６について 本件発明６は、本件発明２～５の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものであるところ、上記（２）～（５）で検討したとの同様に、本件発明６は、甲１発明及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （７）本件発明７について 本件発明７は、本件発明６の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものであるところ、上記（６）で検討したとの同様に、本件発明７は、甲１発明及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （８）本件発明８について 本件発明８は、本件発明２～７の発明特定事項をすべて含み、さらに限定を付加したものであるところ、上記（２）～（７）で検討したとの同様に、本件発明８は、甲１発明及び甲２～甲４に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第７ むすび 以上のとおり、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議の申立ての理由によっては、請求項２～８に係る特許を取り消すことはできない。また、他に請求項２～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、本件特許の請求項１は、本件訂正により削除されたため、請求項１に係る特許についての本件特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。