2021-700591

特許第６８０４０５３号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６８０４０５３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６８０４０５３号の請求項１、４、５に係る特許を取り消す。 特許第６８０４０５３号の請求項２、３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６８０４０５３号の請求項１～５に係る特許についての出願は、令和２年３月２３日（優先権主張 平成３１年３月２８日）に出願され、令和２年１２月４日にその特許権の設定登録がされ、令和２年１２月２３日に特許掲載公報が発行された。その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和３年 ６月２２日 ：特許異議申立人 金 海松（以下「申立人」という。）による請求項１～５に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ８月２３日付け：取消理由通知 同年１０月１２日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 令和４年 １月 ５日付け：取消理由通知（決定の予告） 同年 ３月 ２日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 同年 ４月１８日 ：申立人による意見書の提出 同年 ５月１２日付け：審尋 同年 ６月１４日 ：特許権者による回答書の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和４年３月２日に提出された訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」といい、本件訂正の請求を「本件訂正請求」という。）の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 なお、令和３年１０月１２日にされた訂正請求は、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であることを特徴とする静電チャック。」 と記載されているのを、 「セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 前記樹脂材料は、シリコーンを含み、 ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であり、 前記伸び率α１は、１２０％以上であり、 前記伸び率α２は、１５０％以上であることを特徴とする静電チャック。」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項４、５も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１～３のいずれか１つに記載の静電チャック」と記載されているのを「請求項１記載の静電チャック」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５も同様に訂正する）。 なお、本件訂正請求は、一群の請求項〔１～５〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、訂正前の請求項１の「樹脂材料」、「伸び率α１」及び「伸び率α２」をそれぞれ限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 次に、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件特許明細書等」という。）の【００３６】には、「接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。」と記載されており、同【００４９】には、「実施形態において、－６０℃における接合層６０の伸び率α１は、例えば、１２０％以上・・・である。」と記載されており、同【００５１】には、「また、２５℃における接合層６０の伸び率α２は、例えば、１５０％以上・・・である。」と記載されているから、訂正事項１は、本件特許明細書等に記載されており、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、請求項２を削除する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、請求項３を削除する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４は、訂正前の請求項４が、請求項１～３のいずれか１つの記載を引用するとしていたのを、請求項１のみの記載を引用するとしたものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～５に係る発明（以下、「本件発明１～５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 セラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、 前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、 を備え、 前記樹脂材料は、シリコーンを含み、 ２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であり、 前記伸び率α１は、１２０％以上であり、 前記伸び率α２は、１５０％以上であることを特徴とする静電チャック。 【請求項２】（削除） 【請求項３】（削除） 【請求項４】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の静電チャック。 【請求項５】 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項４記載の静電チャック。」 第４ 取消理由の概要 令和４年１月５日付け取消理由通知で通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 １ 取消理由１（実施可能要件） 本件特許は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２ 取消理由２（サポート要件） 本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 第５ 当審の判断 １ 取消理由１（実施可能要件）について （１）判断手法 本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合するというためには、物の発明にあっては、当業者が本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載並びに出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されていることが必要であると解される。 （２）本件発明１の「接合層」は、「樹脂材料を含」み、「樹脂材料」は、「シリコーンを含」むものであるところ、その他の組成は特定されておらず、「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２は、０．８０以上であり」、「前記伸び率α１は、１２０％以上であり」、「前記伸び率α２は、１５０％以上である」という３つの特性（パラメータ）により特定されている。 （３）本件発明１の「接合層」の組成について、本件特許明細書の発明の詳細な説明（以下、単に「発明の詳細な説明」ともいう。）には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「【００３５】 接合層６０は、樹脂材料を含む。実施形態において、接合層６０は、極低温下において柔軟性を保つことが可能に構成される。例えば、接合層６０は、シリコーン系、アクリル系、変性シリコーン系、あるいはエポキシ系の高分子材料であって炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）の少なくとも１つを主成分とする高分子材料を含む。 ここで、本願明細書において、「極低温」とは、－６０℃以下の低温環境をいう。具体的には、－６０℃～－１２０℃をいう。 【００３６】 接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。 【００３７】 接合層６０において、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができる。より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましい。接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができる。」 上記【００３５】～【００３９】には、「接合層」における樹脂材料の種類、シロキサン骨格に結合する官能基の種類が例示されており、樹脂材料については、シリコーンを含むことが好ましいこと、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、さらに、シリコーンとして、シロキサン骨格に種々の官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることができること、より具体的には、シロキサン骨格に結合した官能基は、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つを含むことが好ましいこと、接合層６０にこのような官能基を含むシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることが記載されている。 そうすると、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、また、接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができることは、一応記載されているといえる。 しかし、上記【００３５】～【００３９】には、「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件、樹脂材料の分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されていない。 また、上記【００３５】～【００３９】には、「接合層」における樹脂材料の種類、シロキサン骨格に結合する官能基の種類が、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１」（以下、「伸び率α１」ともいう。）、「２５℃における前記接合層の伸び率α２」（以下、「伸び率α２」ともいう。）、及び「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する－６０℃における前記接合層の伸び率α１の比α１／α２」（以下、「伸び率の比α１／α２」ともいう。）にどのように寄与するのかについては何ら記載も示唆もされていない。 さらに、上記【００３５】～【００３９】には、「接合層」の組成、「接合層」の製造方法及び製造条件、樹脂材料の分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量が、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」にどのように寄与するかについても何ら記載も示唆もされていない。 （４）次に、発明の詳細な説明には、本件発明１の「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」について、以下の記載がある。 「【００８６】 図５及び図６は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表すグラフである。 図６は、図５のＡ部を拡大したグラフである。 図７は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例１は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。参考例１は、実施例１とは物性が異なる接合層６０を有する静電チャックの一例である。 【００８７】 図２（ａ）～図２（ｃ）及び図３に示した測定・算出方法で測定・算出した実施例１及び参考例１の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図５～図７に示す。 【００８８】 また、実施例１及び参考例１に対して、剥離／割れ試験を行った結果を図７に示す。剥離／割れ試験では、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０とを接合層６０で接合したサンプルを作製し、サンプルを－６０℃に少なくとも３０００時間放置した後、室温に戻し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離の有無、及び、セラミック誘電体基板１１の割れの有無を評価した。接合層６０の剥離の有無は、接合層６０の断面を顕微鏡で観察しクラックなどの有無を評価する直接観察と、超音波を当てて接合層６０の内部のクラックなどの有無を評価する超音波探傷と、で行った。直接観察及び超音波探傷の少なくともいずれかでクラックが見られたものを剥離「あり」、直接観察及び超音波探傷の両方でクラックが見られなかったものを剥離「なし」と評価した。また、セラミック誘電体基板１１の割れの有無は、セラミック誘電体基板１１を目視で観察し、割れが見られたものを割れ「あり」、割れが見られなかったものを割れ「なし」と評価した。 【００８９】 図５～図７に表したように、参考例１において、伸び率α１は１０７％、伸び率α２は１９５％、伸び率αの比α１／α２は０．５である。参考例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９０】 これに対し、実施例１において、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２である。実施例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９１】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９２】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、接合強度β１は２９．８ＭＰａ、接合強度β２は０．５６ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は５３．２である。参考例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９３】 これに対し、実施例１において、接合強度β１は１．４２ＭＰａ、接合強度β２は０．８３ＭＰａ、接合強度βの比β１／β２は１．７である。実施例１においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９４】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９５】 また、図５～図７に表したように、参考例１において、弾性率γ１は２８ＭＰａ、弾性率γ２は０．２９ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は９６．６である。参考例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。 【００９６】 これに対し、実施例１において、弾性率γ１は０．６３ＭＰａ、弾性率γ２は０．４４ＭＰａ、弾性率γの比γ１／γ２は１．４である。実施例１においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【００９７】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【００９８】 図８は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。 実施例２～１４は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。 実施例１及び参考例１と同様にして測定・算出した実施例２～１４の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図８に示す。また、実施例１及び参考例１と同様にして剥離／割れ試験を行った結果を図８に示す。 【００９９】 図８に表したように、実施例２～１４において、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１００】 このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０１】 図８に表したように、実施例２～１４において、接合強度β１は０．７０ＭＰａ以上１．９０ＭＰａ以下、接合強度β２は０．５１ＭＰａ以上１．６０ＭＰａ以下、接合強度βの比β１／β２は０．８以上１．９以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような接合強度β（接合強度比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０２】 このように、接合層６０の接合強度β１を０．４ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。 【０１０３】 図８に表したように、実施例２～１４において、弾性率γ１は０．３４ＭＰａ以上１．０２ＭＰａ以下、弾性率γ２は０．１９ＭＰａ以上０．８１ＭＰａ以下、弾性率γの比γ１／γ２は０．９以上２．１以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような弾性率γ（弾性率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。 【０１０４】 このように、接合層６０の弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下、または、弾性率γの比γ１／γ２を０．６以上３０以下にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。」 「【図５】 ［図：0001393057000001.jpg］ 【図６】 ［図：0001393057000002.jpg］ 【図７】 ［図：0001393057000003.jpg］ 【図８】 ［図：0001393057000004.jpg］ 」 上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、参考例１では、伸び率αの比α１／α２は０．５であるため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している（【００８９】、【図７】）のに対し、実施例１では、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【００９０】、【図７】）、実施例２～１４では、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下であるため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないこと（【００９９】、【図８】）が記載されている。 しかし、上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。 また、上記【００８６】～【０１０４】及び【図５】～【図８】には、参考例１及び実施例１～１４の「接合層」における樹脂材料が、シリコーンを含むものであること、当該シリコーンとして、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つが結合した分子構造を有するものであることは記載されていない。 そうすると、上記（３）において、上記【００３５】～【００３９】に一応記載されているとした、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと」、及び、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いることで、極低温の環境下において、接合層６０の耐寒性、強度、伸び率等を高めることができること」は、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 また、「接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むこと」又は、「接合層６０に、シロキサン骨格にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、及びヘキシル基のうち少なくとも１つの官能基が結合した分子構造を有するシリコーンを用いること」で、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率α１の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」が得られることは、いずれも上記実施例１～１４において裏付けられているとはいえない。 （５）以上によれば、発明の詳細な説明には、「接合層」における樹脂材料の種類、シロキサン骨格に結合する官能基の種類は例示されているものの、「接合層」の組成、「接合層」の製造方法及び製造条件、樹脂材料の分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の含有量は全く記載されておらず、「接合層」の組成、「接合層」の製造方法及び製造条件、樹脂材料の種類・分子量、シロキサン骨格に結合する官能基の種類・含有量が、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」にどのように寄与するのかについて、また、「伸び率α１」、「伸び率α２」及び「伸び率の比α１／α２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。 そうすると、発明の詳細な説明には、「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率α１の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。 そして、「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率α１の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造する方法が、本件特許の出願当時において、技術常識であったとはいえない（以下の（６）イ参照）。 （６）特許権者の主張について ア 特許権者の主張の概要は以下のとおりである。 （ア）令和４年３月２日付け意見書７ページ下から２行～８ページ下から１３行の主張 本件特許明細書の【００８０】、【００８２】の記載から、伸び率αと弾性率γとの関係は、γ＝１００×（β／α）との式で表され、この関係式に表されるように、シリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係があり、そして、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があることは、一般的に知られているため、乙第７号証の図６に記載の温度と弾性率との関係は、一般的に、温度と伸び率との関係と類似するといえ、つまり、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識であり、そのため、－６０℃における伸び率α１が決まれば、２５℃における伸び率α２もα１に対応した所定の範囲内の値に決まり、つまり、－６０℃における伸び率α１が１２０％以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく２５℃における伸び率α２を１５０％以上とすることができ、以上のことから、－６０℃における伸び率α１を調整することで、２５℃における伸び率α２及び比α１/α２も同様に調整されることは、本件特許の出願当時の技術常識である。 したがって、当業者であれば、本件特許明細書の記載と、本件特許の出願当時の技術常識と、に基づいて、シリコーンにおけるシロキサン骨格に結合させる官能基の種類及び量を調整することにより、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤をする必要なく、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α１」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造することができる。 （イ）令和４年６月１４日付け回答書の１１ページ下から１０～６行の主張 力が一定の場合、伸び率と弾性率との間に負の相関があり、弾性率が大きい場合には一般的に硬くなり、硬い場合には一般的に伸び率が小さいことは、十分に理解でき、多くの例において「伸び率と弾性率との間に負の相関がある」という関係を満たすことが知られており、例えば、本件特許明細書の実施例２、６～１４は、この関係を満たすものである一方で、この関係を満たさない場合もあり得、例えば、本件特許明細書の実施例１、３～５は、この例外に相当し、このように、本件特許明細書においても、数例を除く多くの実施例では、「伸び率と弾性率との間に負の相関がある」関係を満たしており、「伸び率と弾性率との間に負の相関がある」という関係は、シリコーンにおいて概ね当てはまるものであるといえる。 イ 判断 （ア）シリコーンの伸び率と弾性率との関係について ａ 発明の詳細な説明の実施例の記載について （ａ）本件発明１の実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を示す表である【図７】、【図８】（上記（４）参照）における、－６０℃及び２５℃の伸び率、接合強度、弾性率をまとめると以下の【図Ａ】のとおりである。 【図Ａ】 ［図：0001393057000005.jpg］ （ｂ）まず、発明の詳細な説明には、実施例１～１４の接合層に含まれる樹脂材料がシリコーンを含むものであることは記載されていない。 （ｃ）そして、実施例１～１４のうち、実施例２、６～１０、１２～１４では、温度が上昇すると（－６０℃から２５℃になると）、伸び率は大きくなるのに対して、弾性率は小さくなっているから、伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるといえる。 しかし、実施例１、４、１１では、温度が上昇すると（－６０℃から２５℃になると）、伸び率と弾性率とはいずれも小さくなり、逆に、実施例３では、温度が上昇すると、伸び率と弾性率とはいずれも大きくなり、また、実施例５では、温度が上昇しても（－６０℃から２５℃になっても）、伸び率と弾性率はいずれも変化しないから、伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるとはいえない。 以上によれば、上記実施例１～１４のうち、伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるとはいえない実施例は５つであるから、その割合は、５÷１４×１００＝３５．７％であり、この値は、例外といえるほど低い割合であるとはいえない。 （ｄ）そうすると、発明の詳細な説明の実施例の記載からは、シリコーンの伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるとはいえない。 ｂ 発明の詳細な説明の【００８０】、【００８２】の記載から導き出される式について 発明の詳細な説明の【００８０】、【００８２】の記載から、接合層の伸び率αと弾性率γと接合強度βとの関係は、γ＝１００×（β／α）との式（以下、「関係式」という。）で表される。 ここで、上記関係式から、伸び率αと弾性率γとの間に負の相関関係があるといえるためには、接合強度βが一定であることが必要である。 しかし、接合層の材料や測定温度が変われば、通常は、接合強度βは変化するものであり、このことは、上記（４）の【図７】、【図８】（上記ａ（ａ）の【図Ａ】）の記載から明らかである。 したがって、上記関係式からも、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。 ｃ 上記ａ及びｂによれば、発明の詳細な説明の記載からは、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。 （イ）乙第７号証の記載について ａ 乙第７号証には、以下の記載がある。 「3.4.2 耐寒性 天然ゴムや一般の合成ゴムは温度で形状が変化し, 高温では軟化, 低温では硬化しついにはぜい化してしまうが, シリコ－ンゴムはこの変化が非常に小さく, 低温側では一般のもので～50℃,フェニル系シリコ－ンゴムのような低温グレ－ドでは－90℃までも柔軟性を保持する. その様子を図6と表6に示す.」 「 ［図：0001393057000006.jpg］ 」 ｂ 上記ａにおける乙第７号証の図６には、「２：低温用シリコ－ンゴム」の弾性率は、－５０℃よりも高温側ではほぼ一定になることが示されている。 ここで、上記（ア）で検討したとおり、発明の詳細な説明の記載からは、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。 そうすると、上記図６において、「２：低温用シリコ－ンゴム」の弾性率が、－５０℃よりも高温側ではほぼ一定になるからといって、シリコーンの伸び率も－５０℃よりも高温側ではほぼ一定になるとはいえない。 ｃ したがって、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識であるとはいえない。 （ウ）特許権者の上記主張は、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があること、及び、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識であることを前提として、「－６０℃における伸び率α１が１２０％以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく２５℃における伸び率α２を１５０％以上とすることができ、以上のことから、－６０℃における伸び率α１を調整することで、２５℃における伸び率α２及び比α１/α２も同様に調整されることは、本件特許の出願当時の技術常識である」というものである。 しかし、上記（ア）で検討したとおり、発明の詳細な説明の記載からは、シリコーンの伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるとはいえないし、また、上記（イ）で検討したとおり、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識であるとはいえない。 したがって、特許権者の上記主張は、前提において誤っており、「－６０℃における伸び率α１が１２０％以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく２５℃における伸び率α２を１５０％以上とすることができ、以上のことから、－６０℃における伸び率α１を調整することで、２５℃における伸び率α２及び比α１/α２も同様に調整されることは、本件特許の出願当時の技術常識である」とはいえない。 そうすると、「シリコーン」を含み、「－６０℃における」「伸び率α１」が「１２０％以上」であり、「２５℃における」「伸び率α２」が「１５０％以上」であり、かつ、「伸び率α１の比α１／α２」が「０．８０以上」である「接合層」を製造する方法が、本件特許の出願当時において、技術常識であったとはいえない。 よって、特許権者の上記主張は採用できない。 （エ）以上のとおりであるから、本件発明１について、当業者が発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （オ）また、本件発明４、５は、いずれも本件発明１を減縮した発明であるから、上記（ア）～（エ）で検討したのと同様の理由により、本件発明４、５について、当業者が発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。 （７）まとめ 以上によれば、発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１、４、５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、請求項１、４、５に係る特許は、その発明の詳細な説明が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第６ むすび 以上のとおり、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１、４、５を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、本件請求項１、４、５に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 また、請求項２、３は、本件訂正により削除されたため、請求項２、３に対する特許異議の申立ては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。