2025-700474

特許第７５７９９１６号発明「基板処理方法、基板処理装置及び基板処理システム」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５７９９１６号の請求項１～１２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５７９９１６号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１２に係る特許についての出願は、令和２年１２月９日（優先権主張 令和１年１２月２６日、令和２年１月２８日）を国際出願日とする特願２０２１－５６７１９６号の一部を、令和５年６月２６日に新たな出願としたものであって、令和６年７月９日付け拒絶理由通知書に対して、令和６年９月９日に手続補正がなされ、令和６年１０月３０日にその特許権の設定登録がされ、同年１１月８日に特許掲載公報が発行された。 その後、令和７年４月２５日に、特許異議申立人 奥野 宏美（以下「申立人１」という。）により、その請求項１、４～６、８、１１、１２に係る特許に対し特許異議が申し立てられ（以下、申立人１により提出された特許異議申立書を「申立書１」という。）、また、令和７年５年７日に、特許異議申立人 安達 信夫（以下「申立人２」という。）により、その請求項１～１２に係る特許に対し、特許異議が申し立てられた（以下、申立人２により提出された特許異議申立書を「申立書２」という。）。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～１２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～１２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法であって、 前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され、 前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光をパルス状に照射することと、 前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写することと、を有する、基板処理方法。 【請求項２】 前記レーザ吸収層に対して径方向外側から内側に向けて前記レーザ光を照射し、 前記第２の基板の外周端と、前記重合基板における前記第１の基板と前記第２の基板の接合端である前記レーザ吸収層の外周端との間から、前記レーザ光の照射を開始する、請求項１に記載の基板処理方法。 【請求項３】 前記重合基板を回転させることと、前記重合基板を径方向に移動させることとを交互に行い、前記レーザ吸収層に対して円環状に前記レーザ光を照射する、請求項１又は２に記載の基板処理方法。 【請求項４】 前記第２の基板が剥離された前記第１の基板を洗浄する、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 【請求項５】 前記第２の基板が剥離された前記第１の基板をエッチングする、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理方法。 【請求項６】 前記第２の基板が剥離された前記第１の基板をＣＭＰ処理する、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。 【請求項７】 前記重合基板を回転させながら前記レーザ光を照射し、 前記重合基板の回転速度は、前記レーザ光が前記レーザ吸収層の径方向外側に照射される場合に比べて内側に照射される場合の方が速く、且つ、前記レーザ吸収層の径方向外側に照射される前記レーザ光の周波数は、内側に照射される前記レーザ光の周波数よりも大きい、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板処理方法。 【請求項８】 前記第１の表面膜は酸化膜であり、 前記第２の表面膜は酸化膜である、請求項１～７のいずれか一項に記載の基板処理方法。 【請求項９】 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板の表面に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写するための基板処理装置であって、 前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され、 前記第１の基板の裏面を保持する保持部と、 前記保持部が前記第１の基板を保持した状態で、前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光をパルス状に照射するレーザ照射部と、 前記保持部を回転させる回転機構と、 前記保持部を径方向に移動させる移動機構と、 前記回転機構、前記移動機構及び前記レーザ照射部を制御する制御部と、を有し、 前記制御部は、前記保持部の回転と、前記保持部の径方向の移動を交互に行い、前記レーザ吸収層に対して円環状に前記レーザ光を照射するように、前記回転機構、前記移動機構及び前記レーザ照射部を制御する、基板処理装置。 【請求項１０】 前記制御部は、前記レーザ吸収層に対して径方向外側から内側に向けて前記レーザ光を照射し、前記第２の基板の外周端と、前記重合基板における前記第１の基板と前記第２の基板の接合端である前記レーザ吸収層の外周端との間から、前記レーザ光の照射を開始するように、前記レーザ照射部を制御する、請求項９に記載の基板処理装置。 【請求項１１】 第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板の表面に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する基板処理システムであって、 前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され、 前記第１の基板の裏面を保持する保持部と、 前記保持部が前記第１の基板を保持した状態で、前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光をパルス状に照射するレーザ照射部と、 前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写する搬送部と、を有する、基板処理システム。 【請求項１２】 前記第２の基板が剥離された前記第１の基板を洗浄する洗浄装置を有する、請求項１１に記載の基板処理システム。」 第３ 申立人１による申立ての理由の検討 １ 申立理由の概要 申立人１は、申立書１において下記の証拠（以下、申立人１が提出した甲第１号証～甲第３号証をそれぞれ甲１－１～甲１－３という。）に基づき、以下の理由を申し立てた。 甲１－１：特開２００５－２０３５０６号公報 甲１－２：特表２０１２－５３１０５２号公報 甲１－３：特開２０００－２２３６８１号公報 （１） 申立理由１－１（進歩性欠如） 本件発明１、４～６、８、１１、１２は、甲１－１に記載された発明、又は、甲１－１及び甲１－２に記載された発明、甲１－１及び甲１－３に記載された発明、甲１－１～甲１－３に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１、４～６、８、１１、１２に係る特許は、同法第１１３条第２号により取消されるべきものである。 （２） 申立理由１－２（サポート要件・明確性要件違反、実施可能要件違反） 本件発明１、４～６、８、１１、１２は、特許法第３６条第６項第１、２号に規定する要件を満たしておらず、また、本件特許の願書に添付した明細書（以下「明細書」という。）の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本件の請求項１、４～６、８、１１、１２に係る特許は、同法第１１３条第４号により取消されるべきものである。 ２ 申立理由１－１（進歩性欠如） （１） 引用発明 ア 引用発明１－１ （ア） 甲１－１の記載 甲１－１には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、実装構造体の製造方法に関し、特に、信頼性の高い実装構造体を安価に効率良く製造し得る実装構造体の製造方法に関するものである。また、本発明は、薄膜回路チップなどの薄膜層よりなる被転写体を剥離して、他の基板へ剥離転写する転写技術に関するものである。 ・・・（中略）・・・ 【発明を実施するための最良の形態】 【００３２】 以下、本発明の実施の形態の実装構造体の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。本実施形態では、第１の基板に設けられた複数の被転写体としての薄膜回路チップを第２の基板に転写する転写方法を利用して、薄膜回路チップを含む実装構造体を製造した例について説明する。 【００３３】 図１（Ａ）は、複数の第１の接続端子としての電極パッド１２０が形成された第１の基板１００の一例を示す図である。 【００３４】 第１の基板（転写元基板）１００は、基礎となる基板１１０上に、剥離層１１２、配線層１１３、薄膜トランジスタ部１０２及び薄膜トランジスタ部１０２と後述する第二の基板に形成された配線との電気的接続を図るための第１の接続端子としての電極パッド１２０が形成された構成を有する。図１（Ａ）中、１３０は転写単位としての被転写体を示す。なお、本実施形態では被転写体は薄膜回路チップである。 【００３５】 図３は、本実施形態に用いられる第１の基板１００の上面図である。図３に示すように、第１の基板１００には、複数の被転写体１３０が上下左右に形成されている。また、被転写体１３０には、一の薄膜トランジスタ部１０２と複数の電極パッド１２０が含まれている。 ・・・（中略）・・・ 【００４１】 なお、図１（Ａ）には示されないが、基板１１０及び剥離層１１２の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１１０と剥離層１１２の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。 【００４２】 また、剥離層１１２及び配線層１１３の間には、図示せぬ絶縁膜（例：酸化シリコン）が形成されている。これにより、配線層１１３の保護が図られると共に、外部との電気的絶縁を保っている。 【００４３】 図１（Ｂ）は、複数の第２の接続端子としての電極パッド２０４ａが形成された第２の基板２００の一例を示す図である。 【００４４】 第２の基板（回路基板又は転写先基板）２００は、例えばガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に、配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４ａ及び配線層２１２を保護する保護膜２１４を含み構成されている。保護膜２１４は、例えば、酸化シリコン、樹脂等で構成され、配線層２１２と外部との電気的絶縁を図る役割も担う。 ・・・（中略）・・・ 【００４６】 図１（Ｃ）は、上記のような第１の基板１００と第２の基板２００との接合工程を示す図である。図１（Ｃ）に示すように、第１の基板１００と第２の基板２００とを接着層１３１を介してアライメントしながら重ね合わせる。 【００４７】 本実施形態では、さらに具体的には、第１の基板１００の今回転写対象となる被転写体１３０に備えられた第１の接続端子としての電極パッド１２０と、第２の基板２００に備えられた第２の接続端子としての電極パッド２０４ａとを当接させることにより行われる。 【００４８】 接着層１３１に用いられる接着剤としては、導電性粒子１３２を含む異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）が用いられる。このような接着剤は、接着部位に例えばディスペンサ、インクジェット方式を利用した液滴吐出法等により供給される。 ・・・（中略）・・・ 【００５５】 図２（Ｅ）は、剥離層１１２への光照射工程を示す。図２（Ｅ）に示すように、第１の基板１００と第２の基板２００との接合体を第１の基板１００側から、転写するべき被転写体１３０に対応する剥離層２０３部分に選択的に光Ｌを照射する。これにより、転写するべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）を支持している剥離層１１２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせる。 【００５６】 剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１１２に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。 【００５７】 ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１１２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。 【００５８】 剥離層１１２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１１２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 【００５９】 照射する光Ｌとしては、剥離層１１２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線、レーザー光等が挙げられる。 【００６０】 そのなかでも、剥離層１１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好ましく、特に、波長１００ｎｍ～３５０ｎｍを有するレーザー光が好ましい。このように短波長レーザー光を用いることにより、光照射精度が高められるとともに、剥離層１１２における剥離を効果的に行うことができる。 ・・・（中略）・・・ 【００６４】 図２（Ｆ）は、転写剥離工程を示す図である。図２（Ｆ）に示すように、第１の基板（転写元基板）１００と第２の基板（転写先基板）２００に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、第２の基板２００から第１の基板１００を取り外す。前記光照射工程によって、転写すべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）の剥離層１１２が薄膜回路チップから剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップは、接着層１３１を介して第２の基板２００に接合されているので容易に転写がなされる。」 「【図１】 ［図：0001428003000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001428003000002.jpg］ 」 （イ） 引用発明１－１ 上記（ア）によると、甲１－１には次の発明（以下「引用発明１－１」という。）が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号等を示す。） 「第１の基板に設けられた複数の被転写体としての薄膜回路チップを第２の基板に転写する転写方法（段落００３２）であって、 第１の基板１００と第２の基板２００とを接着層１３１を介してアライメントしながら重ね合わせることにより接合し（段落００４６、図１Ｃ）、 第１の基板１００の今回転写対象となる被転写体１３０に備えられた第１の接続端子としての電極パッド１２０と、第２の基板２００に備えられた第２の接続端子としての電極パッド２０４ａとを当接させることにより行われ（段落００４７）、 接着層１３１に用いられる接着剤としては、導電性粒子１３２を含む異方性導電性ペースト（ＡＣＰ）が用いられ（段落００４８）、 第１の基板１００と第２の基板２００との接合体を第１の基板１００側から、転写するべき被転写体１３０に対応する剥離層２０３部分に選択的に光Ｌを照射し、これにより、転写するべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）を支持している剥離層１１２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせ（段落００５５、図２Ｅ）、 剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じることによるものであり（段落００５６）、 ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい（段落００５７）、 照射する光Ｌとしては、剥離層１１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好ましく（段落００５９、００６０）、 第１の基板（転写元基板）１００と第２の基板（転写先基板）２００に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、第２の基板２００から第１の基板１００を取り外し、前記光照射工程によって、転写すべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）の剥離層１１２が薄膜回路チップから剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップは、接着層１３１を介して第２の基板２００に接合されているので容易に転写がなされる（段落００６４、図２Ｆ） 方法であって、 第１の基板（転写元基板）１００は、基礎となる基板１１０上に、剥離層１１２、配線層１１３、薄膜トランジスタ部１０２及び薄膜トランジスタ部１０２と、第二の基板に形成された配線との電気的接続を図るための第１の接続端子としての電極パッド１２０が形成された構成を有し（段落００３４、図１Ａ）、 被転写体１３０には、一の薄膜トランジスタ部１０２と複数の電極パッド１２０が含まれ（段落００３５）、 第２の基板（回路基板又は転写先基板）２００は、ガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に、配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４ａ及び配線層２１２を保護する保護膜２１４を含み構成されている（段落００４４、図１Ｂ）、 方法。」 イ 引用発明１－２ （ア） 甲１－２の記載 甲１－２には次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体構造を加工するための方法であって、 少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる結合層を、第１の要素および第２の要素の少なくとも一方の表面上に設けるステップと、 前記結合層を、前記第１の要素と前記第２の要素との間に配置するステップと、 前記第１の要素と前記第２の要素との間に配置された前記結合層を用いて前記第１の要素と前記第２の要素とを結合界面において互いに接着するステップと、 を備える方法。 ・・・（中略）・・・ 【技術分野】 【０００２】 本発明の様々な実施形態は、半導体構造を加工するための方法および構造に関し、より詳細には、半導体構造の加工中に２つかまたはそれ以上の要素をお互いに接着するための結合層を形成するための方法および構造に関する。 ・・・（中略）・・・ 【０００６】 結合層は、例えば、導体（例えば、金属）、半導体、および、絶縁体を含む多数の材料を含んでもよい。より一般的な結合層の１つは、例えば、二酸化ケイ素のようなケイ酸塩を備え、この二酸化ケイ素表面の表面化学は、高い結合エネルギーを生成することのできるシラノール（Ｓｉ－ＯＨ）基を備えてもよい。しかしながら、絶縁結合層を使用することは、結合された要素間における電子の流れを妨げることがあり、このことは、２つかまたはそれ以上の要素間における電気伝導性を邪魔または妨害することがある。 ・・・（中略）・・・ 【発明の概要】 【０００８】 本発明の様々な実施形態は、一般的には、半導体構造を加工するための方法および構造を提供し、この方法は、少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる結合層を、第１の要素および第２の要素の少なくとも一方の表面上に設けるステップを備える。また、本発明のある特定の実施形態においては、この方法は、結合層を、第１の要素と第２の要素との間に配置するステップと、第１の要素と第２の要素との間に配置された結合層を用いて第１の要素と第２の要素とを結合界面においてお互いに接着するステップとを備える。 ・・・（中略）・・・ 【００１５】 本発明の例としての実施形態が、図１Ａ～図１Ｄを参照して、以下で説明される。図１Ａは、第１の要素１０２を備える半導体構造１００を示す。第１の要素は、多くの構造および材料を備えてもよい。例えば、第１の要素は、層構造、デバイス構造、および、結合された構造（２つかまたはそれ以上の層、デバイス、または、お互いに結合された層およびデバイスを含む構造）の少なくとも１つを備えてもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００２６】 図１Ｃは、第１の要素１０２、結合層１０６、および、第２の要素１１４を備える半導体構造１１２を示す。第２の要素１１４は、第１の要素１０２に関して上述したすべての構造、デバイス、および、材料を備えてもよい。本発明のこの実施形態においては、第２の要素１１４の表面１１６は、結合層１０６の結合表面１１０に結合されてもよい。第２の要素１１４の表面１１６と結合層１０６の結合表面１１０との間の十分な結合を助長するために、第２の要素１１４の表面１１６は、清浄されたものであってもよく、また、約１ｎｍよりも小さい二乗平均（ｒｍｓ）表面粗さを有してもよい。さらに、第２の要素１１４の表面１１６は、表面１１６の表面化学が結合層１０６の接触結合表面との分子付着を促進するように処理または形成されてもよい。 ・・・（中略）・・・ 【００３５】 以下において、本発明のさらなる実施形態が、図２Ａおよび図２Ｂを参照して説明される。図２Ａおよび図２Ｂに示される実施形態は、これまでに図１Ａ～図１Ｄにおいて簡単に説明された実施形態に類似している。しかしながら、これらのさらなる実施形態においては、結合層は、それぞれの要素の表面上に、すなわち、第１の要素の表面上および第２の要素の表面上の両方に形成され、それによって、２つの結合層間に配置された結合界面が、形成される。 ・・・（中略）・・・ 【００３７】 図２Ｂは、第１の要素２０２、結合層２０６、第２の要素２１４、および、結合層２１５を備える半導体構造２０４を示し、ここで、構造２１９および２２１は、第１の要素２０２と第２の要素２１４との間に、より詳細には、結合層２０６と結合層２１５との間に配置された結合界面２２０をもたらす結合層２０６および２１５を介して、お互いに結合される。構造２１９および２２１を結合するための方法は、図１Ａ～図１Ｄの要素１０２、１１４を結合するための上述した方法のいずれかを備えてもよい。それぞれの要素２０２および２１４上に存在する結合層を用いて要素２０２および２１４を接着することは、その後のプロセスのために所望の結合強度を備える結合界面２２０をもたらすことを支援するかもしれない。」 「【図２Ａ】 ［図：0001428003000003.jpg］ 【図２Ｂ】 ［図：0001428003000004.jpg］ 」 （イ） 引用発明１－２ ａ 上記（ア）の段落００３５、及び、段落００３７の記載によると、甲１－２には、「それぞれの第１の要素２０２および第２の要素２１４上に存在し、結合界面２２０をもたらす結合層２０６および結合層２１５を用いて、第１の要素２０２および第２の要素２１４を接着する」ことが記載されている。 ｂ 以上を踏まえると、甲１－２には次の発明（以下「引用発明１－２」という。）が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号等を示す。） 「半導体構造を加工するための方法であって、 少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる結合層を、第１の要素および第２の要素の少なくとも一方の表面上に設けるステップと、 前記結合層を、前記第１の要素と前記第２の要素との間に配置するステップと、 前記第１の要素と前記第２の要素との間に配置された前記結合層を用いて前記第１の要素と前記第２の要素とを結合界面において互いに接着するステップと、 を備える方法（請求項１）であって、 第１の要素、第２の要素は、デバイス構造を備え（段落００１５，００２６）、 それぞれの第１の要素２０２および第２の要素２１４上に存在し、結合界面２２０をもたらす結合層２０６および結合層２１５を用いて、第１の要素２０２および第２の要素２１４を接着する（上記ａ） 方法。」 （２） 甲１－１を主引用例とする進歩性欠如 ア 対比 本件発明１と引用発明１－１とを対比する。 （ア） 引用発明１－１の「第２の基板２００」、「第１の基板１００」は、それぞれ本件発明１の「第１の基板」、「第２の基板」に相当する。 そして、引用発明１－１において、「第１の基板１００と第２の基板２００とを接着層１３１を介してアライメントしながら重ね合わせることにより接合し」た「第１の基板１００と第２の基板２００との接合体」は、本件発明１の「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板」に相当する。 また、ここで、後記３（１）のとおり、本件発明１の「前記第２の基板に形成されたデバイス層」と、前記第２の基板に形成された「第２のデバイス層」とは同じものであるから、引用発明１－１の「第１の基板に設けられた複数の被転写体としての薄膜回路チップ」、「被転写体１３０」、「薄膜回路チップ（被転写体１３０）」は、いずれも、本件発明１の「前記第２の基板に形成されたデバイス層」、又は、前記第２の基板に形成された「第２のデバイス層」に相当する。 したがって、「第１の基板に設けられた複数の被転写体としての薄膜回路チップを第２の基板に転写する転写方法」に係る引用発明１－１は、「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法」といえる点で本件発明１と一致する。 （イ） 第１の基板 引用発明１－１の、「第２の基板（回路基板又は転写先基板）２００」のガラス製又は樹脂製の適度な強度を有する基板２１０上に構成された、「配線層２１２、第１の基板１００側の電極パッド１２０と接続される電極パッド２０４ａ」は、「第１のデバイス層」といえる。 そして、引用発明１－１は、第１の基板１００と第２の基板２００との接合が、「第１の基板１００の今回転写対象となる被転写体１３０に備えられた第１の接続端子としての電極パッド１２０と、第２の基板２００に備えられた第２の接続端子としての電極パッド２０４ａとを当接させることにより行われ」るものであって、引用発明１－１の、第２の基板２００の「配線層２１２を保護する保護膜２１４」は、接合に寄与するものではないから、本件発明１の、第２の表面膜とともに、第１の基板と第２の基板を接合する「第１の表面膜」には相当しない。 そうすると、引用発明１－１は、「前記第１の基板には、第１のデバイス層が形成され」といえる点で、本件発明１と共通する。 （ウ） 第２の基板 ａ レーザ吸収層 引用発明１－１は、「第１の基板１００と第２の基板２００との接合体を第１の基板１００側から、転写するべき被転写体１３０に対応する剥離層２０３部分に選択的に光Ｌを照射し、これにより、転写するべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）を支持している剥離層１１２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせ」るものであって、「剥離層１１２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１１２の構成材料にアブレーションが生じることによるものであり、 ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１１２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、 照射する光Ｌとしては、剥離層１１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好まし」いから、引用発明１－１の、第１の基板（転写元基板）１００の基板１１０上に形成された「剥離層１１２」は、レーザー光を吸収してアブレーションを生じさせる「レーザ吸収層」といえる。 ｂ 引用発明１－１において、「被転写体１３０には、一の薄膜トランジスタ部１０２と複数の電極パッド１２０が含まれ」、「転写すべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）の剥離層１１２が薄膜回路チップから剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップは、接着層１３１を介して第２の基板２００に接合されているので容易に転写がなされる」。 そうすると、引用発明１－１において、被転写体１３０に含まれる「薄膜トランジスタ部１０２」及び「電極パッド１２０」は、「剥離層１１２」の「基礎となる基板１１０」とは逆の面上に形成されていることは明らかである。 ｃ 以上によると、引用発明１－１の「第１の基板（転写元基板）１００」は、「レーザ吸収層、第２のデバイス層が表面側からこの順で形成され」といえる点で、本件発明１の「第２の基板」と共通する。 （エ） 引用発明１－１では、「第１の基板１００と第２の基板２００との接合体を第１の基板１００側から、転写するべき被転写体１３０に対応する剥離層２０３部分に選択的に光Ｌを照射し、これにより、転写するべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）を支持している剥離層１１２のみに剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じさせ」、「照射する光Ｌとしては、剥離層１１２の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザー光が好まし」いとされているから、本件発明１と引用発明１－１とは「前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光を照射すること」を有する点で共通する。 （オ） 引用発明１－１では、「第１の基板（転写元基板）１００と第２の基板（転写先基板）２００に、双方を離間させる方向に力を加えることによって、第２の基板２００から第１の基板１００を取り外し、前記光照射工程によって、転写すべき薄膜回路チップ（被転写体１３０）の剥離層１１２が薄膜回路チップから剥離しており、また転写するべき薄膜回路チップは、接着層１３１を介して第２の基板２００に接合されているので容易に転写がなされる」から、「前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層を前記第１の基板に転写すること」を有する点で本件発明１と共通する。 （カ） 一致点・相違点 以上を踏まえると、本件発明１と引用発明１－１とは次の点で、一致し、相違する。 ａ 一致点 「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法であって、 前記第１の基板には、第１のデバイス層が形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層が表面側からこの順で形成され、 前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光を照射することと、 前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層を前記第１の基板に転写することと、を有する、基板処理方法。」 ｂ 相違点Ａ 本件発明１が、「前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され」、「前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写する」ことを特定しているのに対し、引用発明１－１は、本件発明１の「第１の表面膜」及び「第２の表面膜」に相当する構成がなく、「第１の基板１００と第２の基板２００とを接着層１３１を介して」接合し、転写すべき薄膜回路チップが接着層１３１を介して転写される点。（以下「相違点Ａ」という。） ｃ 相違点Ｂ 本件発明１がレーザ光を「パルス状に」照射することを特定しているのに対し、引用発明１－１のレーザー光が、「パルス状に」照射されると特定されていない点。（以下「相違点Ｂ」という。） イ 申立人１の主張の検討 （ア） 相違点Ａの認定について ａ 申立人１は、申立書１（ウー２）２６ページ下から７行～末行にて、甲１－１発明の「保護膜２１４」が、本件発明１の「第１の表面膜」に相当する旨主張する。 しかしながら、甲１－１発明の「保護膜２１４」は、単に配線層２１２を保護するものであって、第１の基板１００と第２の基板２００を接合することと無関係の構成であって、第２の表面膜とともに第１の基板と第２の基板を接合する機能を有する本件発明１の「第１の表面膜」に相当しないから、申立人１の上記主張は採用できない。 ｂ 申立人１は、申立書１（ウー９）３０ページ１１～２２行にて、「甲第１号証において、第２の基板２００の電極パッド２０４ａ及びこれを覆う接着層１３１、並びに、第１の基板１００の電極パッド１２０及びこれを覆う接着層１３１は、本件特許発明１の要素（Ｂ）の「前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成されること」、本件特許発明１の要素（Ｃ）の「前記第２の基板には、第２のデバイス層と第２の表面膜が表面側からこの順で形成されること」、本件特許発明１の要素（Ｄ）の「前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合されること」に対応しています。甲第１号証は、第１の基板１００の電極パッド１２０と第２の基板２００の電極パッド２０４ａを導電性接着剤で接着するものであり、この当てはめによれば、本件特許発明１と甲第１号証に相違点はありません。」と主張する。 しかしながら、上記ア（イ）のとおり、引用発明１－１は、本件発明１の「第１の表面膜」に相当する構成がなく、上記ア（カ）ｂのとおり、「前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合される」ものではないから、申立人１の上記主張は採用できない。 （イ） 第２の表面膜について ａ 申立人１は、申立書１（２７ページ１３～１８行）にて、「甲第１号証において、第２の基板２００の保護膜２１４と同様に、第１の基板１００にも保護膜を形成して、本件特許発明１の要素（Ｃ）のように 「前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成される」ようにすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります。」、また、申立書１（２９ページ９～１４行）にて「第２の基板２００の保護膜２１４と同様に、第１の基板１００にも保護膜を形成して、第１の基板１００と第２の基板２００の保護膜どうしを接合すること、すなわち、本件特許発明１の要素（Ｄ）のように 「前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合される」ようにすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります。」と主張する。 しかしながら、甲１－１発明において、第２の基板２００の保護膜２１４と同様に、第１の基板１００の配線層１１３を保護する「新たな保護膜」を形成したとしても、甲１－１発明は、電極パッド１２０と電極パッド２０４ａを当接させて、第１の基板１００と第２の基板２００を接合するものであって、保護膜２１４と「新たな保護膜」との間には間隔が存在することになるから、第１の基板１００と第２の基板２００を接合する構成にならない。 したがって、申立人１の上記主張は採用できない。 ｂ 申立人１は、申立書１（２７ページ１８～末行）にて、「甲第１号証の段落００４１には、基板１１０及び剥離層１１２の間に中間層（保護層、絶縁層、バリア層、反射層）を設けてもよいことが記載されており、甲第１号証の段落００４２には、剥離層１１２及び配線層１１３の間に絶縁膜（例:酸化シリコン）を形成してもよいことが記載されています。これらの中間層や絶縁膜の配置順序を入れ替えて、本件特許発明１の要素（Ｃ）のように 「前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成される」ようにすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります。」と主張する。 しかしながら、甲１－１発明において、中間層と絶縁膜の配置順序を入れ替えることは、何ら示唆されておらず、また、中間層及び絶縁膜の機能を踏まえれば、その配置順序を入れ替えることは、当業者が容易になし得ることとはいえない。 また、仮に、配置順序を入れ替えることが容易であったとしても、中間層又は絶縁膜が、甲１－１発明において、電極パッド１２０と電極パッド２０４ａと接続する際に、第１の基板１００と第２の基板２００を接合する構成にならない。 したがって、申立人１の上記主張は採用できない。 ｃ 申立人１は、申立書１（２８ページ２～１２行）にて「甲第１号証において、第１の基板１００と第２の基板２００は、接着層（接着剤）１３１によって接着（結合）されるところ、この接着層１３１を第１の基板１００と第２の基板２００のそれぞれの接着部位に予め供給して、第２の基板２００の側の接着層１３１を本件特許発明１の要素（Ｂ）の「第１の基板の第１の表面膜」として、第１の基板１００の側の接着層１３１を本件特許発明１の要素（Ｃ）の「第２の基板の第２の表面膜」とすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります。例えば、本件特許において、明細書の発明の詳細な説明の段落００１６には、第１のウェハＷ１（第１の基板）の表面膜（第１の表面膜）Ｆ１としては、酸化膜（ＳｉＯ２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などを使用してもよいことが記載されています。」、また、申立書１（２９ページ１６～２２行）にて「甲第１号証において、第１の基板１００と第２の基板２００は、接着層（接着剤）１３１によって接着（結合）されるところ、この接着層１３１を第１の基板１００と第２の基板２００のそれぞれの接着部位に予め供給して、第２の基板２００の側の接着層１３１を本件特許発明１の要素（Ｄ）の「第１の基板の第１の表面膜」として、第１の基板１００の側の接着層１３１を本件特許発明１の要素（Ｄ）の「第２の基板の第２の表面膜」とすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります。」と主張する。 しかしながら、甲１－１発明の、第１の基板１００と第２の基板２００とを接合する接着層１３１を、第１の基板１００と第２の基板２００のそれぞれの接着部位に予め供給することは、甲１－１には記載も示唆もされていないから、申立人１の上記主張は採用できない。 ｄ 甲１－３について 申立人１は申立書１（２８ページ１２～末行）にて、「周知文献としての甲第３号証には、「図１（ｃ）に示す工程では、単結晶Ｓｉの第２の基板２０を準備し、第１の基板１０と第２の基板２０とを、第２の基板と絶縁層１４とが面するように室温で密着させる。その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた処理により第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせる。この処理により、第２の基板２０と絶縁層１４が強固に結合される。なお、絶縁層１４は、上記のように単結晶Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、第１の基板と第２の基板を密着させた際に 図１（ｃ）に示す状態になれば良い。（段落００９９）」と記載されており、接着層（接着剤）を、一方の基板ではなく、両方の基板のそれぞれに形成・供給することが記載されています。してみれば、本件特許発明１の要素（Ｂ）の「前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成されること」、本件特許発明１の要素（Ｃ）の「前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成されること」は、甲第１号証に基づいて当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります（周知文献としての甲第３号証を適宜に参照することができます）。」、また、申立書１（２９ページ２２行～３０ページ１０行）にて、甲１－３の段落００９９には、「接着層（接着剤）を、一方の基板ではなく、両方の基板のそれぞれに形成・供給することが記載されています。してみれば、本件特許発明１の要素（Ｄ）のように「前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合される」ようにすることは、当業者が容易に想到できる事項であり、甲第１号証に記載されたに等しい事項であります（周知文献としての甲第３号証を適宜に参照することができます）。」と主張する。 しかしながら、引用発明１－１において、第１の基板１００と第２の基板２００を接合することは、電極パッド１２０と電極パッド２０４ａを接続することを伴うところ、第１の基板１００と第２の基板２００を接合する構成として、甲１－３に記載された「絶縁層１４」を採用するは、電極パッド１２０と電極パッド２０４ａの接続を妨げることになるから、甲１－３は、引用発明１－１が属する技術分野における周知事項を示すものとはいえない。 したがって、申立人１の上記主張も採用できない。 ｅ 小括 以上のとおり、引用発明１－１において、相違点Ａに係る本件発明１の構成を採用することは、引用発明１－１に基づいて、又は、引用発明１－１及び甲１－３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得る事項ではない。 したがって、他の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明１－１に基づいて、又は、引用発明１－１及び甲１－３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （ウ） 甲１－２との組み合わせについて 申立人１は、申立書１（３４ページ１～１７行）にて「（ウ－１７） 例えば、甲第２号証の図２Ａ、図２Ｂにおいて、第１の要素２０２は、本件特許発明１の「第１の基板と第１のデバイス層」に相当し、結合層２０６は、本件特許発明１の「第１の表面膜」に相当し、第２の要素２１４は、本件特許発明１の「第２の基板と第２のデバイス層」に相当し、結合層２１５は、本件特許発明１の「第２の表面膜」に相当します。 （ウ－１８） そうしますと、本件特許発明１の第１、第２の基板の層構造として、甲第１号証に甲第２号証を組み合わせて採用することにより、本件特許発明１の要素（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の「前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合される」ことが導かれ、且つ、本件特許発明１の要素（Ｆ）の「前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写する」ことが導かれます。」と主張する。 しかしながら、物と物とを接合する方法は、接合される物の性質や、接合面の態様などに応じて選択されるものであるところ、引用発明１－１は、第１の基板１００と第２の基板２００とを、電極パッド１２０と電極パッド２０４ａとを当接させることにより接合するものであって、第１の基板１００と第２の基板２００の接合面は、甲１－１の図１、２に示されるように、それぞれ凹凸がある。 そして、第１の基板１００と第２の基板２００と接合する手段として、接合面の凹凸を吸収し得る接着剤に替えて、少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる、結合界面２２０をもたらす結合層２０６および結合層２１５を採用することは、いずれの証拠にも、記載も示唆もされていない。 したがって、引用発明１－１において、相違点Ａに係る本件発明１の構成を採用することは、甲１－１及び甲１－２に基づいて当業者が容易に想到し得る事項ではない。 したがって、他の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、甲１－１及び甲１－２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 甲１－２を主引用例とする進歩性欠如 ア 申立人１は、申立書１（３４ページ下から３行～３８ページ１３行）において、本件特許の親出願（特願２０２１－５６７１９６号）の出願時の請求項１の記載、甲１－１の記載、及び、本件特許についての令和６年９月９日提出の意見書の記載に基づいて、「甲第２号証は、積層構造を開示しているのみであり、剥離層を設けてレーザで転写することは開示していませんが、剥離層を設けてレーザで転写することは、甲第１号証に開示されているように周知技術です。そして、上述したように、甲第２号証の積層構造と、甲第１号証の剥離層を設けてレーザで転写することとによる特段の作用効果はありません。そうしますと、主引例としての甲第２号証に副引例としての甲第１号証を組み合わせて本件特許発明１とすることも、当業者が容易に想到できた事項であります。」と主張する。 イ 対比 本件発明１と引用発明１－２とを対比する。 （ア） 引用発明１－２の「第１の要素」、「第２の要素」は、それぞれ「第１の基板」、「第２の基板」といえる。 （イ） 引用発明１－２の「第１の要素」、「第２の要素」がそれぞれ備える「デバイス構造」は、第１の基板に形成された「第１のデバイス層」、第２の基板に形成された「第２のデバイス層」といえる。 （ウ） 引用発明１－２の、それぞれの第１の要素２０２および第２の要素２１４上に存在し、結合界面２２０をもたらす「結合層２０６」、「結合層２１５」は、第１の基板に形成された「第１の表面膜」、第２の基板に形成された「第２の表面膜」といえる。 （エ） 引用発明１－２は、「前記第１の要素と前記第２の要素との間に配置された前記結合層を用いて前記第１の要素と前記第２の要素とを結合界面において互いに接着する」から、「前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され」といえ、接着された第１の要素と第２の要素は、「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板」といえる。 （オ） 相違点Ｃ 以上を踏まえると、本件発明１と引用発明１－２とは、少なくとも、本件発明１が、「前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法であって」、「前記第２の基板には、レーザ吸収層」が「形成され」、「前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光をパルス状に照射することと、 前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写することと、を有する」のに対し、引用発明１－２がこれらの事項を特定していない点（以下「相違点Ｃ」という。）で相違する。 （カ） 相違点Ｃの検討 引用発明１－２において、第２の要素２１４のデバイス構造の、結合層２１５とは逆の面に、レーザ吸収層を形成し、第２の要素が備えるデバイス構造を、第１の要素に転写することは、いずれの証拠にも、記載も示唆もされていないから、甲１－１に開示された、剥離層を設けてレーザで転写することが、周知技術であったとしても、引用発明１－２において、相違点Ｃに係る本件発明１に係る構成を採用する動機付けがあるとはいえない。 したがって、他の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明１－２、及び甲１－１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４） 申立理由１－１についてのまとめ 以上のとおり、本件発明１は、甲１－１に記載された発明、又は、甲１－１及び甲１－２に記載された発明、甲１－１及び甲１－３に記載された発明、甲１－１～甲１－３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 本件発明１と同様の技術事項を物のカテゴリーで表現した本件発明１１、及び、本件発明１、又は１１の構成をすべて含む本件発明４～６、８、１２についても同様である。 ３ 申立理由１－２（サポート要件・明確性要件・実施可能要件違反） （１） 「デバイス層」と「第２のデバイス層」と「第１のデバイス層」の関係について 申立人１は、申立書１（４２ページ７～末行）にて 「（エ－３） しかしながら、本件特許発明１は、プリアンブルのフレーズにある「第２の基板に形成されたデバイス層」と、プリアンブル後のフレーズにある「第２の基板に形成された第２のデバイス層」 との関係が不明確であり、両者が同一のデバイス層なのか、異なる別々のデバイス層なのか、理解することができません。本件特許発明１について、この点を明確にする訂正が必須であると考えます。 （エ－４） さらに、「第２の基板に形成されたデバイス層」と「第２の基板に形成された第２のデバイス層」が同一のデバイス層なのか、異なる別々のデバイス層なのか、いずれの解釈をとったとしても、「第１の基板に形成された第１のデバイス層」との関係が不明確と言わざるを得ません。本件特許発明１について、この点を明確にする訂正が必須であると考えます。 （エ－５） 明細書の発明の詳細な説明を精査しても、「第１のウェハＷ１側のデバイス層Ｄ１が第２のウェハＷ２側に転写される（段落００１７）」、「デバイス層Ｄ２を第１のウェハＷ１に転写することができる（段落００４５）」という曖昧で具体性のない記載が漫然と繰り返されるのみであり、「第２の基板に形成されたデバイス層」と「第２の基板に形成された第２のデバイス層」と「第１の基板に形成された第１のデバイス層」の関係性を理解することができません。本件特許発明１について、この点を明確にする訂正が必須であると考えます。」と主張する。 しかしながら、本件特許の請求項１には、「前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され」と記載され、当該記載における「第２のデバイス層」以外に、デバイス層とみなし得る構成を第２の基板に設けることは記載されていない。したがって、本件発明１において、「前記第２の基板に形成されたデバイス層」と前記第２の基板に形成された「第２のデバイス層」とは同じものであって、第２の表面膜を介して、第１の表面膜が形成された第１のデバイス層と接合されるものであることは明らかであるから、申立人１の前記主張は採用できない。 （２） 「第１のデバイス層」の作用について ア 申立人１は、申立書１（４３ページ１～１１行）で、 「（エ－６） 例えば、「第２の基板に形成されたデバイス層」及び／又は「第２の基板に形成された第２のデバイス層」を第１の基板に転写したときに、「第１の基板に形成された第１のデバイス層」がどのように作用するのか、明細書の発明の詳細な説明から把握することができません。例えば、転写に伴って、第１の基板において、「第２の基板に形成されたデバイス層」及び／又は「第２の基板に形成された第２のデバイス層」と「第１の基板に形成された第１のデバイス層」を接続するのか、それぞれ別々のデバイス層として機能するのか、第１の基板（同一、単一、共通の基板）に接続する技術的意味を理解することができません（たとえ当業者であっても、実装時の構成を予想、想定することができません）。本件特許発明１について、この点を明確にする訂正が必須であると考えます。」と主張する。 しかしながら、本件発明１において、第１のデバイス層が、「第２の基板に形成されたデバイス層」及び／又は「第２の基板に形成された第２のデバイス層」と接続されても、接続されなくてもよいことは明らかであるから、申立人１の上記主張は採用できない。 イ また、申立人１は、申立書１（４３ページ１２～２０行）で、 「（エ－７） さらに、明細書の発明の詳細な説明には、「なお、表面Ｗ１ａには、デバイス層Ｄ１と表面膜Ｆ１が形成されていない場合もある（段落００１６）」、「また、表面Ｗ２ａには、デバイス層Ｄ２と表面膜Ｆ２が形成されていない場合もある （段落００１７）」 といった記載まであります。この場合、「第１の基板に形成された第１のデバイス層」と「第２の基板に形成されたデバイス層」と「第２の基板に形成された第２のデバイス層」の関係性ないし技術的意味を理解することができません（たとえ当業者であっても、実装時の構成を予想、想定することができません）。」と主張する。 しかしながら、明細書の上記記載は、本件発明１と対応しないことが明らかであり、本件発明１の技術的範囲に影響しないから、申立人１の上記主張は採用できない。 （３） 申立人１は、申立書１（４３ページ下から５行～４４ページ５行）で、 「（エ－８） したがって、本件特許発明１は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとの要件を満たしていないと考えます。 （エ－９） 同様の理由により、本件特許発明１は、特許を受けようとする発明が明確であるとの要件を満たしていないと考えます。 （エ－１０） 同様の理由により、本件特許発明１は、当業者が本件特許発明を実施できる程度に、明細書等が明確かつ十分に記載されたものであるとの要件を満たしていないと考えます。」と主張する。 しかしながら、上記（１）～（２）のとおり、本件発明１が明確でないとはいえない。 また、本件発明１が、本件明細書の段落０００４に記載された「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、第２の基板の表面に形成されたデバイス層を第１の基板に適切に転写する」との課題を解決できると認識できる範囲外のものとはいえず、加えて、本件発明１がその方法を使用できないともいえないから、申立人１の上記主張は採用できない。 本件発明１と同様の技術事項を物のカテゴリーで表現した本件発明１１、及び、本件発明１、又は１１の構成をすべて含む本件発明４～６、８、１２についても同様である。 ４ 申立人１の申立理由についての結論 以上のとおりであるから、申立人１による特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、４～６、８、１１、１２に係る特許を取り消すことはできない。 第４ 申立人２による申立ての理由の検討 １ 申立理由の概要 申立人２は、申立書２において、下記の証拠（以下、申立人２が提出した甲第１号証～甲第６号証をそれぞれ甲２－１～甲２－６という。）を提出し、以下の理由を申し立てた。 甲２－２：国際公開第２０２１／１３１７１１号 甲２－２：特開平１０－１２５９３１号公報 甲２－３：特表２０１２－５３１０５２号公報 甲２－４：特開２０１９－００４０６３号公報 甲２－５：特表２０１６－５２５８０１号公報 甲２－６：特開２０００－２２３６８１号公報 （１） 申立理由２－１（新規事項） 本件発明２～８、１０について令和６年９月９日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本件の請求項２～８、１０に係る特許は、同法第１１３条第１号により取消されるべきものである。 （２） 申立理由２－２（実施可能要件違反） 明細書の発明の詳細な説明は、本件発明２～８、１０について、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本件特許は、同法第１１３条第４号により取消されるべきものである。 （３） 申立理由２－３（明確性要件違反） 本件発明７、８は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本件の請求項７、８に係る特許は、同法第１１３条第４号により取消されるべきものである。 （４） 申立理由２－４（新規性・進歩性欠如） ア 本件発明１、３～９、１１～１２は、甲２－１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件発明１～１２は、甲第２－１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１～１２に係る特許は、同法第１１３条第２号により取消されるべきものである。 イ 本件発明１～１２は、甲第２－２～甲２－６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１～１２に係る特許は、同法第１１３条第２号により取消されるべきものである。 ２ 申立理由２－１（新規事項） （１） 申立理由２－１ 申立理由２－１について、申立人２は、申立書２（４－１－２）（２０ページ１２行～２２ページ末行）において、本件補正の根拠として提示された、出願当初の明細書の段落００３６の「レーザ光Ｌの照射開始位置は、第２のウェハＷ２の外周端Ｅａと、重合ウェハＴにおける第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合端Ｅｂとの間であるのが好ましい。かかる場合、例えば重合ウェハＴにおいて、第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心している場合でも、その偏心分を吸収して、レーザ吸収層Ｐにレーザ光Ｌを適切に照射することができる。」との記載に基づき、第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心とが水平方向にずれている場合に、「「重合ウェハＴにおける第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合端Ｅｂ」と、「レーザ吸収層の外周端」とは一致しない。 以上からみて、「重合ウェハＴにおける第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合端Ｅｂ」と「レーザ吸収層の外周端」とは、概念的に全く異なるものである。」から、「本件特許の当初明細書等には、「レーザ光Ｌの照射開始位置」の範囲を規定する基準の一方として「重合基板における第１の基板と第２の基板の接合端」を基準とすることしか開示されていないのであり、「レーザ光Ｌの照射開始位置」の範囲を規定する基準の一方について「前記重合基板における前記第１の基板と前記第２の基板の接合端」としていたものを、「前記レーサ吸収層の外周端」と実質的に変更する補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではなく、新規事項の追加であることが明らかである。」と主張する。 （２） 当審の判断 本件発明２は、レーザ光の照射を開始する範囲の一端を「前記重合基板における前記第１の基板と前記第２の基板の接合端である前記レーザ吸収層の外周端」と特定するものである。 ここで、段落００３６に記載された「第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心している場合」、「重合基板における第１の基板と第２の基板の接合端」と「レーザ吸収層の外周端」とは一致せず、本件発明２の発明特定事項である「前記重合基板における前記第１の基板と前記第２の基板の接合端である前記レーザ吸収層の外周端」は特定できなくなるから、本件発明２は、「第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心している場合」を含むものでないことは明らかである。 そして、第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心していない場合、「重合ウェハＴにおける第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合端Ｅｂ」と「レーザ吸収層の外周端」とは一致するから、「重合ウェハＴにおける第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の接合端Ｅｂ」と「レーザ吸収層の外周端」とが、概念的に全く異なるものとはいえないから、申立人２の上記主張は採用できない。 また、本件発明１０についても同様である。 したがって、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではないから、申立理由２－１は理由がない。 ３ 申立理由２－２（実施可能要件違反） （１） 申立理由２－２ 申立理由２－２（申立書２（２３ページ１４行～２４ページ６行））は次のとおりである。 「より具体的にいえば、当該段落に記載の技術では、「重合ウェハＴにおいて、第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心」することを前提としているものの、重合ウェハＴをチャック１００に載置して保持する際に、チャック１００の中心に対し、第１のウェハＷ１の中心を一致させ保持するのか、第２のウェハＷ２の中心を一致させて保持するのか、あるいは他の位置を基準としてチャック１００の保持させるのかについて全く記載がない。 仮に「重合ウェハＴにおいて、第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心」している場合に、「第２の基板の外周端と、重合基板における第１の基板と第２の基板の接合端」又は「レーザ吸収層の外周端」のいずれかを基準としてレーザ光の照射を開始するとしても、どのような条件でチャック１００に重合ウェハＴを載置し保持するのかが不明である以上、重合ウェハＴにおいてレーザ光線Ｌが照射される領域は特定不可能である。その結果、本件特許の明細書等を参照しても、具体的に、どのようにして上記の請求項２、請求項２を引用する請求項３～８、及び請求項１０に記載された発明を実施することができるのかが全く理解することができない。 よって、本件特許の明細書および図面には、請求項２、請求項２を引用する請求項３～８、及び請求項１０に係る発明を当業者が容易に実施できる程度に明確にかつ十分に記載されているとは言えない。」 （２） 当審の判断 上記２（２）のとおり、本件発明２、１０は、「第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心している場合」を含むものでないから、申立人２の「第１のウェハＷ１の中心と第２のウェハＷ２の中心がずれて偏心している場合」を前提とした主張は採用できない。 したがって、申立理由２－２は理由がない。 ４ 申立理由２－３（明確性要件違反） （１） 申立理由２－３ 申立理由２－３（申立書２（２４ページ下から４行～２５ページ８行））は次のとおりである。 「しかし、請求項７において、重合基板の回転速度に関し、レーザ光がレーザ吸収層の径方向外側に照射される場合に比べて内側に照射される場合の方を速くするとしても、具体的にどの程度速くするのかについて全く特定されていない。同様に レーザ光の周波数に関し、レーザ吸収層の径方向外側に照射されるレーザ光の周波数を内側に照射されるレーザ光の周波数よりも大きくするにしても、具体的にどの程度大きくするのかについて全く特定されていない。そして、請求項７に特定しているように、重合基板の回転速度とレーザ光の周波数を制御したとしても、適切にレーザ光が照射されるか否かは、レーザ光によるスキャン速度と周波数の相対関係によるはずであるから、請求項７に係る発明では、レーザ光の照射間隔が適切に調整されるか不明であり、レーザ光の照射間隔が不適切に制御される構成、すなわち加工結果が悪化する構成も当然に含まれている。」 （２） 当審の判断 本件発明７において、レーザ光の照射される位置（レーザ吸収層の経方向において外側であるか内側であるか）と、「重合基板の回転速度」及び「レーザ光の周波数」との関係は、その技術的範囲に属するか否かの判断が困難となることにより第三者の利益が不当に害されるほどに不明確とはいえないから、加工結果が悪化する構成を含むとしても、本件発明７は明確である。 したがって、申立理由２－３は理由がない。 ５ 申立理由２－４（新規性・進歩性欠如） （１） 甲２－１を主引用例とする新規性・進歩性欠如 申立人２は、申立書２（２５ページ１５～２１行）で「本件特許は、出願日が令和２年１２月９日の特願２０２１５６７１９６号を原出願とする分割出願として出願されている。 しかし、上記したよう本件特許の審査における手続きにおいて、令和６年９月９日付けでした手続補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものではないことが明らかであるから、分割出願の要件を満たしていない。よって、本件特許の新規性、進歩性等の判断基準日は、本件特許の現実の出願日、すなわち令和５年６月２６日（２０２３年６月２６日）である。」と主張するが、上記２（２）のとおり、令和６年９月９日になされた手続補正は適法であるから、分割要件を満たしていないとはいえず、本件特許に係る出願の出願日は、その親出願の国際出願日である令和２年１２月９日に遡及する。 そして、甲２－１の国際公開日は２０２１年（令和３年）７月１日であり、甲２－１に記載された発明は、「特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となつた発明」といえないから、甲２－１を主引用例とする申立理由２－４は、理由がない。 （２） 甲２－２を主引用例とする進歩性欠如 ア 甲２－２発明 （ア） 甲２－２の記載 甲２－２（特開平１０－１２５９３１号公報）には次の記載がある。（下線は引用箇所を示すために、当審において付加した。） 「【請求項１】 基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法であって、 前記基板上に分離層を形成する工程と、 前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、 前記薄膜素子を含む被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する工程と、 前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および／または界面において剥離を生じせしめる工程と、 前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法。 ・・・（中略）・・・ 【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜素子の転写方法，薄膜素子，薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板および液晶表示装置に関する。 ・・・（中略）・・・ 【００１３】また、薄膜素子の転写体への接合に用いられる接着層として、例えば、平坦化作用をもつ物質（例えば、熱硬化性樹脂）を用いれば、薄膜素子を含む被転写層の表面に多少の段差が生じていたとしても、その段差は平坦化されて無視できるようになり、よって常に良好な転写体への接合が可能となり、便利である。 ・・・（中略）・・・ 【０１０６】前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被転写層（薄膜デバイス層）１４０上に硬化型接着剤を塗布し、その上に転写体１８０を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層（薄膜デバイス層）１４０と転写体１８０とを接着し、固定する。 【０１０７】接着剤が光硬化型の場合、光透過性の基板１００または光透過性の転写体１８０の一方の外側から（あるいは光透過性の基板及び転写体の両外側から）光を照射する。接着剤としては、薄膜デバイス層に影響を与えにくい紫外線硬化型などの光硬化型接着剤が好ましい。 【０１０８】なお、図示と異なり、転写体１８０側に接着層１６０を形成し、その上に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を接着してもよい。なお、例えば転写体１８０自体が接着機能を有する場合等には、接着層１６０の形成を省略してもよい。 【０１０９】転写体１８０としては、特に限定されないが、基板（板材）、特に透明基板が挙げられる。なお、このような基板は平板であっても、湾曲板であってもよい。また、転写体１８０は、前記基板１００に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。その理由は、本発明では、基板１００側に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を形成し、その後、被転写層（薄膜デバイス層）１４０を転写体１８０に転写するため、転写体１８０に要求される特性、特に耐熱性は、被転写層（薄膜デバイス層）１４０の形成の際の温度条件等に依存しないからである。 ・・・（中略）・・・ 【０１１６】なお、転写体１８０は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。 【０１１７】さらに、転写体１８０は、金属、セラミックス、石材、木材紙等の物質であってもよいし、ある品物を構成する任意の面上（時計の面上、エアコンの表面上、プリント基板の上等）、さらには壁、柱、天井、窓ガラス等の構造物の表面上であってもよい。 【０１１８】[工程４]次に、図４に示すように、基板１００の裏面側から光を照射する。 【０１１９】この光は、基板１００を透過した後に分離層１２０に照射される。これにより、分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅する。 【０１２０】分離層１２０の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、分離層１２０の構成材料にアブレーションが生じること、また、分離層１２０に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。 【０１２１】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（分離層１２０の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、分離層１２０の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、前記相変化によって微小な発砲状態となり、結合力が低下することもある。 【０１２２】分離層１２０が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、分離層１２０の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。 【０１２３】照射する光としては、分離層１２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、分離層１２０の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。」 「【図４】 ［図：0001428003000005.jpg］ 」 （イ） 甲２－２発明 上記（ア）によると、甲２－２には次の発明（以下「甲２－２発明」という。）が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号等を示す。） 「基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法であって、 前記基板上に分離層を形成する工程と、 前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する工程と、 前記薄膜素子を含む被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する工程と、 前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および／または界面において剥離を生じせしめる工程と、 前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有することを特徴とする薄膜素子の転写方法（請求項１）であって、 被転写層（薄膜デバイス層）１４０上に硬化型接着剤を塗布し、その上に転写体１８０を接合した後、硬化型接着剤の特性に応じた硬化方法により前記硬化型接着剤を硬化させて、被転写層（薄膜デバイス層）１４０と転写体１８０とを接着し、固定し（段落０１０６）、 転写体１８０としては、基板（板材）、特に透明基板が挙げられ（段落０１０９）、 転写体１８０は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよく（段落０１１６）、 基板１００の裏面側から光を照射し（段落０１１８）、 照射する光としては、分離層１２０の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましく（段落０１２３） アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（分離層１２０の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することである（段落０１２１）、 方法。」 イ 甲２－３発明 甲２－３は甲１－２と同じ文献であるから、甲２－３の記載は上記第３の２（１）イ（ア）のとおり、甲２－３に記載された発明（以下「甲２－３発明」という。）は上記第３の２（１）イ（イ）のとおりである。 ウ 対比・判断 本件発明１と甲２－２発明とを対比する。 （ア） 第１の基板 甲２－２発明の「基板（板材）」が挙げられる「転写体」は、本件発明１の「第１の基板」に相当する。 そして、甲２－２発明の「転写体」は、「例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するもの」であってもよいから、第１のデバイス層が形成されているといえる。 そうすると、甲２－２発明の「転写体」は、「第１のデバイス層が形成され」といえる点で本件発明１の「第１の基板」と共通する。 （イ） 第２の基板 甲２－２発明の「基板」は、本件発明１の「第２の基板」に相当する。 また、甲２－２発明の「分離層」は、レーザ光を照射することによって、「層内および／または界面において剥離を生じせしめる」ものであって、剥離（アブレーション）を生じさせるために、レーザ光を吸収するものといえるから、本件発明１の「レーザ吸収層」に相当し、甲２－２発明の「薄膜素子を含む被転写層」は、本件発明１の「第２のデバイス層」に相当する。 しかし、引用発明２－２の「前記薄膜素子を含む被転写層」と「前記転写体」とを接合する「接着層」は、分離層及び被転写層が形成された基板上に形成されるものであるが、転写体１８０上に形成された表面膜とともに、分離層及び被転写層が形成された基板と、転写体とを接合するものではないから、本件発明１の、第１の表面膜とともに、第１の基板と第２の基板を接合する「第２の表面膜」には相当しない。 そして、甲２－２発明は「前記基板上に分離層を形成」し、「前記分離層上に薄膜素子を含む被転写層を形成する」ものであるから、甲２－２発明の「基板」は、本件発明１の「レーザ吸収層、第２のデバイス層が表面側からこの順で形成され」たといえる点で本件発明１の「第２の基板」と共通する。 （ウ） 甲２－２発明において、「接着層」を介して接合された「転写体」と、「分離層」及び「薄膜素子を含む被転写層」が形成された「基板」とは、「重合基板」といえる。 そうすると、「基板上の薄膜素子を転写体に転写する方法」に係る甲２－２発明は、「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法」といえる点で、本件発明１と共通する。 （エ） 甲２－２発明は、「分離層」に対して、「基板１００の裏面側から光を照射」するから、「前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光を照射すること」を有する点で、本件発明１と共通する。 （オ） 甲２－２発明は、「前記分離層に光を照射し、前記分離層の層内および／または界面において剥離を生じせしめる工程と、 前記基板を前記分離層から離脱させる工程と、を有する」から、「前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層を前記第１の基板に転写すること」を有する点で、本件発明１と共通する。 （カ） 一致点・相違点 以上を踏まえると、本件発明１と甲２－２発明とは次の点で一致し、相違する。 ａ 一致点 「第１の基板と第２の基板が接合された重合基板において、前記第２の基板に形成されたデバイス層を前記第１の基板に転写する方法であって、 前記第１の基板には、第１のデバイス層が形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層が表面側からこの順で形成され、 前記レーザ吸収層に対して、前記第２の基板の裏面側からレーザ光を照射することと、 前記レーザ吸収層と前記第２の基板との界面において、前記第２の基板を前記第１の基板から剥離して、前記第２のデバイス層を前記第１の基板に転写することと、を有する、基板処理方法。」 ｂ 相違点Ｄ 本件発明１が「前記第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第２の基板には、レーザ吸収層、第２のデバイス層及び第２の表面膜が表面側からこの順で形成され、 前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の表面膜と前記第２の表面膜が接合され」、「前記第２のデバイス層と前記第２の表面膜を前記第１の基板に転写する」ことを特定しているのに対し、甲２－２発明は、本件発明１の「第１の表面膜」及び「第２の表面膜」に相当する構成がなく、分離層及び被転写層が形成された基板と、転写体とが「接着層を介して」接合され、被転写層１４０と接着層を転写体に転写する点。（以下「相違点Ｄ」という。） ｃ 相違点Ｅ 本件発明１がレーザ光を「パルス状に」照射することを特定しているのに対し、甲２－２発明のレーザ光が「パルス状に」との特定がない点。（以下「相違点Ｅ」という。） （キ） 申立人２の主張の検討 ａ 申立人２は、相違点Ｄに含まれる申立書２（４５ページ下から４～末行）において、 「・相違点３ 本件特許発明１では、「第１の基板には、第１のデバイス層と第１の表面膜が表面側からこの順で形成」されているのに対し、甲２発明の転写体１８０は、そのような構成を備えているか不明である点（以下「相違点３」という。）。」との相違点について、申立書２（５１ページ１９～５２ページ２行）で、「甲２発明は、「前記硬化型接着剤を用いる場合、例えば被転写層（薄膜デバイス層）１４０上に硬化型接着剤を塗布し・・・」なる技術事項を開示している一方、「転写体１８０側に接着層１６０を形成し、その上に被転写層（薄膜デバイス層）１４０を接着してもよい」ことも開示している。 そして、上記した甲２発明及び甲３発明に加え、甲２発明が記載された甲第２号証の段落［０１０４］に「図３に示すように、薄膜デバイス層１４０を、接着層１６０を介して転写体１８０に接合（接着）する」 なる記載があることを合わせて考えると、 甲２発明における転写体１８０に関し、 基板上においてデバイス層と接着層として機能する表面膜とが、表面側からこの順で形成されるようにすること（相違点３）は、甲２発明及び甲３発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。」と主張する。 しかしながら、甲２－２の段落０１０６、０１０８には、被転写層（薄膜デバイス層）１４０上、又は、転写体１８０側のいずれか一方に接着層を形成することが記載されているが、その両方に接着層を形成することを示唆するものではなく、また、物と物とを接合する方法は、接合される物の性質や、接合面の態様などに応じて選択されるものである。 そして、引用発明２－２の接着層について、「薄膜素子を含む被転写層の表面に多少の段差が生じていたとしても、その段差は平坦化されて無視できるようになり、よって常に良好な転写体への接合が可能となり、便利である。」（甲２－２段落００１３）との作用効果を有する平坦化作用をもつ物質（例えば、熱硬化性樹脂）に替えて、甲２－３発明の、少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる、結合界面２２０をもたらす結合層２０６および結合層２１５を採用することは、いずれの証拠にも記載も示唆もされていないから、引用発明２－２の、接着層を介して接合される接合される転写層と被転写層を、それぞれ転写層と被転写層上に存在する、少なくとも実質的に亜鉛、シリコン、および、酸素からなる、結合界面をもたらす結合層により接着することに動機付けがあるとはいえない。 そうすると、甲２発明における転写体１８０に関し、基板上においてデバイス層と接着層として機能する表面膜とが、表面側からこの順で形成されるようにすることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえないから、申立人２の主張は採用できない。 したがって、他の相違点を検討するまでもなく、本件発明１は、甲２－２、甲２－３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、同様の技術事項を発明特定事項とする、本件発明９、１１、及び本件発明１、９、１１のいずれかの構成をすべて含む、本件発明２～８、１０、１２についても同様である。 ｂ 申立人２は、申立書２（５２ページ３～７行）で「なお、本件特許の明細書の段落［００１６］には、「表面Ｗ１ａには、デバイス層Ｄ１と表面膜Ｆ１が形成されていない場合もある」と記載されており、本件特許の第1のウェハＷの表面に形成される第１の表面膜Ｆ１は、本件特許発明１にとって必須の構成ではなく、格別な作用効果を奏するものでないことが明らかである。」と主張する。 しかしながら、本件明細書の段落００１６の上記記載は、本件発明１と対応する記載ではないから、申立人２の上記主張は採用できない。 ６ 申立人２の申立理由についての結論 以上のとおりであるから、申立人２による特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～１２に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 上記第３のとおり、申立人１による特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、４～６、８、１１、１２に係る特許を取り消すことはできない。 また、上記第４のとおり、申立人２による特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～１２に係る特許を取り消すことはできない。 そして、他に請求項１～１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。