2024-701154

特許第７４９４９７３号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４９４９７３号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 特許第７４９４９７３号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７４９４９７３号の請求項１～３に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、令和５年３月２７日に出願され、令和６年５月２７日にその特許権の設定登録がされ、同年６月４日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は次のとおりである。 令和６年１１月２８日 ：特許異議申立人 金 海松（以下「申立人」という。）による請求項１～３に係る特許についての特許異議の申立て 令和７年 ２月２１日付け：取消理由通知 同年 ４月１１日 ：意見書、訂正請求書の提出（特許権者） 同年 ４月２３日付け：訂正請求があった旨の通知 なお、申立人は、訂正請求があった旨の通知に対して、指定期間内に意見書を提出しなかった。 第２ 訂正の適否について １ 訂正の内容 特許権者が令和７年４月１１日に提出した訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。（訂正箇所を示すため、当審において下線を付与した。） （１） 訂正事項１ 訂正前の特許請求の範囲の請求項１の、 「被吸着物が載置される載置面を有し、当該載置面に対し垂直に貫通穴が形成された誘電体基板と、 前記誘電体基板の内部に埋め込まれた吸着電極と、 前記吸着電極とは異なる位置において、前記誘電体基板の内部に埋め込まれたＲＦ電極と、を備え、 前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する円形の開口が形成されており、 前記開口の半径が１．７５ｍｍ以上であることを特徴とする静電チャック。」 との記載を、 「被吸着物が載置される載置面を有し、当該載置面に対し垂直に貫通穴が形成された誘電体基板と、 前記誘電体基板の内部に埋め込まれた吸着電極と、 前記吸着電極とは異なる位置において、前記誘電体基板の内部に埋め込まれたＲＦ電極と、を備え、 前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する円形の開口が形成されており、 前記開口の半径が１．７５ｍｍ以上であり、 前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下であることを特徴とする静電チャック。」 に訂正する。（請求項１を引用する請求項２、３も同様に訂正する。） （２） 一群の請求項 本件訂正前の請求項１～３について、請求項２、３は、それぞれ請求項１を引用しているものであって、訂正事項１による請求項１の訂正に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１～３に対応する訂正後の請求項１～３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ２ 訂正の適否についての判断 以下、訂正事項１の訂正の適否について判断する。 なお、特許異議の申立ては、上記第１のとおり、訂正前の請求項１～３に対してされているから、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 （１） 訂正の目的 訂正事項１は、訂正前の請求項１に「前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下である」との事項を付加して限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 （２） 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか 訂正事項１によって限定される「前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下である」との事項は、願書に添付した明細書の「貫通穴１５１は、貫通穴であるガス穴１５０のうち最も面１１０側の部分、すなわち、ガスの出口部分ということもできる。」（段落００３９）との記載、「尚、貫通穴１５１の半径Ｒ０は、例えば０．１５ｍｍもしくはそれ以下である。」（段落００４２）との記載、及び図２の記載に基づくものである。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合する。 （３） 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「貫通穴」について、上記（１）のとおり、「前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下である」との事項を付加して限定するものであって、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６号に適合する。 ３ 小括 以上のとおり、本件訂正は適法にされたものであるから、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明３」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 【請求項１】 被吸着物が載置される載置面を有し、当該載置面に対し垂直に貫通穴が形成された誘電体基板と、 前記誘電体基板の内部に埋め込まれた吸着電極と、 前記吸着電極とは異なる位置において、前記誘電体基板の内部に埋め込まれたＲＦ電極と、を備え、 前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する円形の開口が形成されており、 前記開口の半径が１．７５ｍｍ以上であり、 前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下であることを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記開口の半径は５．３５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】 前記貫通穴がガス供給用の穴であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の静電チャック。 第４ 申立理由と取消理由の概要 １ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第５号証（以下、それぞれを「甲１」～「甲５」という。）を提出し、特許異議申立書に記載した申立理由により、本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 申立理由の概要は、以下のとおりである。 （１） 申立理由１（進歩性） 本件特許の請求項１～３に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２の記載に基づいて、又は甲１に記載された発明及び甲３の記載に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２） 申立理由２（サポート要件） 本件特許の請求項１～３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：特開２０２１－４０１０９号公報 甲２：特開２０２０－７２２６２号公報 甲３：特許第３９６５２５８号公報 甲４：特開２０１７－３１０３９号公報 甲５：特開２０００－１１４２３９号公報 ２ 取消理由の概要 当審において通知した令和７年２月２１日付け取消理由通知書に記載した取消理由の概要は、以下のとおりである。 （１） 取消理由１（進歩性） 本件特許の請求項１～３に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２、甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２） 取消理由２（サポート要件） 本件特許の請求項１～３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１～３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 第５ 当審の判断 １ 進歩性（特許法第２９条第２項）について いずれも甲１を主引例とする取消理由１（進歩性）及び申立理由１（進歩性）について、まとめて検討する。 （１） 甲号証について ア 甲１の記載と甲１に記載された発明 （ア） 甲１の記載 甲１には以下の記載がある。（引用箇所を示すため、当審において下線を付与した。） 「【００３９】 図１は、実施形態に係る静電チャックを模式的に表す断面図である。 図１に表したように、静電チャック１００は、セラミック誘電体基板１０と、第１電極層１１と、第２電極層１２と、ベースプレート５０と、を備える。」 「【００４１】 セラミック誘電体基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第１主面１０ａは、吸着の対象物Ｗが載置される面である。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。吸着の対象物Ｗは、例えば、シリコンウェーハなどの半導体基板である。 【００４２】 なお、本願明細書において、ベースプレート５０からセラミック誘電体基板１０に向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、例えば、各図に例示する通り、第１主面１０ａと第２主面１０ｂとを結ぶ方向である。Ｚ軸方向は、例えば、第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂに対して略垂直な方向である。Ｚ軸方向と直交する方向の１つをＸ軸方向、Ｚ軸方向及びＸ軸方向に直交する方向をＹ軸方向ということにする。本願明細書において、「面内」とは、例えばＸ－Ｙ平面内である。 【００４３】 セラミック誘電体基板１０の内部には、第１電極層１１及び第２電極層１２が設けられる。第１電極層１１及び第２電極層１２は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、の間に設けられる。すなわち、第１電極層１１及び第２電極層１２は、セラミック誘電体基板１０の中に挿入されるように設けられる。第１電極層１１及び第２電極層１２は、例えば、セラミック誘電体基板１０に一体焼結されることで内蔵されてもよい。 【００４４】 第１電極層１１は、Ｚ軸方向において、第１主面１０ａと第２主面１０ｂとの間に位置する。第２電極層１２は、Ｚ軸方向において、第１主面１０ａと第１電極層１１との間に位置する。換言すれば、第１電極層１１は、Ｚ軸方向において、第２電極層１２と第２主面１０ｂとの間に位置する。」 「【００４７】 第１電極層１１は、高周波電源（図１０の高周波電源５０４）と接続される。上部電極（図１０の上部電極５１０）及び第１電極層１１に高周波電源から電圧（高周波電圧）が印加されることで、処理容器５０１内部においてプラズマが発生する。第１電極層１１は、換言すれば、プラズマを発生させるための下部電極である。高周波電源は、高周波のＡＣ（交流）電流を第１電極層１１に供給する。ここでいう「高周波」は、例えば、２００ｋＨｚ以上である。」 「【００４９】 第２電極層１２は、吸着用電源（図１０の吸着用電源５０５）と接続される。静電チャック１００は、吸着用電源から第２電極層１２に電圧（吸着用電圧）を印加することによって、第２電極層１２の第１主面１０ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持する。換言すれば、第２電極層１２は、対象物Ｗを吸着させるための吸着電極である。吸着用電源は、直流（ＤＣ）電流またはＡＣ電流を第２電極層１２に供給する。吸着用電源は、例えば、ＤＣ電源である。吸着用電源は、例えば、ＡＣ電源であってもよい。」 「【００５１】 第２電極層１２には、セラミック誘電体基板１０の第２主面１０ｂ側に延びる接続部２０が設けられている。接続部２０は、例えば、第２電極層１２と導通するビア（中実型）やビアホール（中空型）である。接続部２０は、ロウ付けなどの適切な方法によって接続された金属端子でもよい。」 「【００５６】 セラミック誘電体基板１０は、溝１４と接続された貫通孔１５を有する。貫通孔１５は、第２主面１０ｂから第１主面１０ａにかけて設けられる。すなわち、貫通孔１５は、第２主面１０ｂから第１主面１０ａまでＺ軸方向に延び、セラミック誘電体基板１０を貫通する。」 「【００５８】 ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられる。ガス導入路５３は、例えば、ベースプレート５０を貫通するように設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通せず、他のガス導入路５３の途中から分岐してセラミック誘電体基板１０側まで設けられていてもよい。また、ガス導入路５３は、ベースプレート５０の複数箇所に設けられてもよい。 【００５９】 ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。すなわち、ガス導入路５３に流入した伝達ガス（ヘリウム（Ｈｅ）等）は、ガス導入路５３を通過した後に、貫通孔１５に流入する。 【００６０】 貫通孔１５に流入した伝達ガスは、貫通孔１５を通過した後に、対象物Ｗと溝１４との間に設けられた空間に流入する。これにより、対象物Ｗを伝達ガスによって直接冷却することができる。 【００６１】 図２は、実施形態に係る静電チャックの一部を拡大して模式的に表す断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの第１電極層の一例を模式的に表す平面図及び断面図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの第１電極層の別の一例を模式的に表す平面図及び断面図である。 図５（ａ）及び図５（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックの第１電極層の別の一例を模式的に表す平面図及び断面図である。 図２は、図１に示す領域Ｒ１を拡大して示す。 図３（ｂ）は、図３（ａ）に示したＡ１－Ａ２線による断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）に示したＢ１－Ｂ２線による断面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示したＣ１－Ｃ２線による断面図である。 なお、図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）、及び図５（ｂ）においては、ガス導入路５３及び接続部２０を挿通させる孔部を省略している。」 「【図１】 ［図：0001427977000001.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001427977000002.jpg］ 」 （イ） 甲１に記載された発明 ａ 上記（ア）の記載について、【００６１】の「図３（３ａ）、図３（３ｂ）・・・においては、ガス導入路５３及び接続部２０を挿通させる孔部を省略している。」との記載によれば、図３に示されている第１電極層１１は、ガス導入路５３及び接続部２０を挿通させる孔部を備えているといえる。さらに、【００５９】の「ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。」との記載、及び図１によれば、第１電極層１１には、ガス導入路５３と連通する貫通孔１５を中心とし、該貫通穴１５及び接続部２０を挿通させる形状の孔部が形成されているといえる。 ｂ 以上を踏まえると、甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているといえる。（括弧内は、引用箇所を示す。） ［甲１発明］ 「吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１０ａと、第１主面１０ａとは反対側の面である第２主面１０ｂを有し、第１主面１０ａに対して略垂直な方向であるＺ軸方向に伸びる貫通孔１５を有するセラミック誘電体基板１０と、（【００４１】、【００４２】、【００５６】） セラミック誘電体基板１０の内部に設けられ、対象物Ｗを吸着させるための吸着電極であり、第２主面１０ｂ側に伸びる接続部２０が設けられた第２電極層１２と、（【００４３】、【００４９】、【００５１】） セラミック誘電体基板１０の内部に設けられ、Ｚ軸方向において、第２電極層１２と第２主面１０ｂとの間に位置し、高周波電源から電圧（高周波電圧）が印加される第１電極層１１と、（【００４３】、【００４４】、【００４７】） を備え、 第１電極層１１には、ガス導入路５３と連通する貫通孔１５を中心とし、該貫通孔１５及び接続部２０を挿通させる形状の孔部が形成されている（上記ａ） 静電チャック１００。（【００３９】、【図１】）」 イ 甲２の記載 甲２には以下の記載がある。 「【００４５】 （第１の実施形態） 図１は、第１の実施形態に係る静電チャックを例示する模式的断面図である。 図１に表したように、本実施形態に係る静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、第１多孔質部９０と、を備える。」 「【００５４】 また、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａ側には、必要に応じてドット１３が設けられており、ドット１３の間に溝１４が設けられている。すなわち、第１主面１１ａは凹凸面であり、凹部と凸部とを有する。第１主面１１ａの凸部がドット１３に相当し、第１主面１１ａの凹部が溝１４に相当する。溝１４は、ＸＹ平面内において連続して延びている。静電チャック１１０に載置された対象物Ｗの裏面と溝１４を含む第１主面１１ａとの間に空間が形成される。 【００５５】 セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有する。貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられる。すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通する。」 「【００５７】 ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を例えば貫通するように設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通せず、他のガス導入路５３の途中から分岐してセラミック誘電体基板１１側まで設けられていてもよい。また、ガス導入路５３は、ベースプレート５０の複数箇所に設けられてもよい。 【００５８】 ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。すなわち、ガス導入路５３に流入したガス（ヘリウム（Ｈｅ）等）は、ガス導入路５３を通過した後に、貫通孔１５に流入する。 【００５９】 貫通孔１５に流入したガスは、貫通孔１５を通過した後に、対象物Ｗと溝１４を含む第１主面１１ａとの間に設けられた空間に流入する。これにより、対象物Ｗをガスによって直接冷却することができる。」 「【００６２】 この例では、貫通孔１５は、孔部１５ａと、孔部１５ｂ（第１孔部の一例に相当する）と、を有する。孔部１５ａの一端は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂに位置する。」 「【００６４】 孔部１５ｂの径は、例えば０．０５ミリメートル（ｍｍ）以上０．５ｍｍ以下である。孔部１５ａの径は、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。なお、孔部１５ｂは、孔部１５ａと間接的に連通していてもよい。すなわち、孔部１５ａと孔部１５ｂとを接続する孔部１５ｃ（第２孔部の一例に相当する）が設けられてもよい。図２（ａ）に表したように、孔部１５ｃは、セラミック誘電体基板１１に設けることができる。孔部１５ｃは、第１多孔質部９０に設けることもできる。孔部１５ｃは、セラミック誘電体基板１１および第１多孔質部９０に設けることもできる。すなわち、セラミック誘電体基板１１および第１多孔質部９０の少なくともいずれかは、孔部１５ｂと第１多孔質部９０との間に位置する孔部１５ｃを有することができる。この場合、孔部１５ｃがセラミック誘電体基板１１に設けられていれば、孔部１５ｃの周囲における強度を高くすることができ、孔部１５ｃの周辺におけるチッピングなどの発生を抑制できる。そのため、アーク放電の発生をより効果的に抑制することができる。孔部１５ｃが第１多孔質部９０に設けられていれば、孔部１５ｃと第１多孔質部９０との位置合わせが容易となる。そのため、アーク放電の低減とガスの流れの円滑化との両立がより容易となる。孔部１５ａ、孔部１５ｂ及び孔部１５ｃのそれぞれは、例えば、Ｚ方向に延びる円筒状である。」 「【図２】 ［図：0001427977000003.jpg］ 」 ウ 甲３の記載 甲３には以下の記載がある。 「【００１７】 半導体ウエハーを静電チャックによって保持し、赤外線等によって加熱する場合や、静電チャック自体を発熱させて半導体ウエハーを加熱することにより、半導体ウエハーの表面に半導体膜を形成するような場合には、半導体ウエハーの表面の温度を均一に保持する必要がある。この表面温度が不均一であると、ウエハーの表面に堆積する半導体膜の厚さが不均一となり、半導体不良の原因となるからである。このため、静電チャックの供給面と半導体ウエハーとの間にバックサイドガスを流すことによって、半導体ウエハーの温度分布を小さくする方法が知られている。」 「【００２６】 静電チャックの基体３には、背面３ｂに向かって開口する空隙部１０が所定箇所に形成されている。空隙部１０と供給面３ａとの間には薄肉部１５が形成されており、薄肉部１５には複数のガス供給孔１４が形成されている。各ガス供給孔１４の一方の開口１４ａが設置面３ａに設けられており、他方の開口１４ｂが凹部１０に面している。 【００２７】 半導体ウエハーをプラズマエッチングあるいは成膜する際には、チャンバー内を真空にし、半導体ウエハー１を供給面３ａ上に設置し、電極６に直流電圧を供給して半導体ウエハー１を静電吸着し、次いでバックサイドガスを基体３の背面３ｂ側に導入する。このガスは、空隙部１０を通り、各ガス供給孔１４内を矢印Ｄのように流れ、空間７へと吹き出す。そして、空間７から、各エンボス部の間のガス通路８内へと流出する。半導体ウエハー１と供給面６との間にバックサイドガスを供給した後に、チャンバー内へと成膜ガスあるいはエッチングガスを導入し、電極６へと、直流電圧に加えて高周波電圧を供給し、半導体ウエハー１上の空間にプラズマを発生させる。」 「【００４１】 ガス供給孔の直径ａは、本発明の作用効果を達成する上で、１５０μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下が更に好ましい。もっとも外側のガス供給孔とエンボス部との間隔ｆは、３ｍｍ以上が好ましい。エンボス部の高さｇは０．００５－０．０５ｍｍが好ましい。各薄肉部の厚さｂは、ガス供給孔の内壁面のテーパーや段差を防止するために、１ｍｍ以下とすることが好ましい。空隙部１０の直径ｅは３－５ｍｍが好ましく、厚さｄは３－２５ｍｍが好ましい。」 「【図３】 ［図：0001427977000004.jpg］ 」 エ 甲４の記載 甲４には以下の記載がある。 「【００１８】 本発明の一実施例による静電チャック用セラミック組成物は、主成分のセラミック粉末と、導電性粉末と、を含む。」 「【００２２】 上記導電性粉末の含量が２重量％未満であるとセラミック組成物で形成されたセラミック層の比抵抗値が高くなる可能性があり、上記導電性粉末の含量が６重量％を超過すると静電チャックの絶縁破壊電圧が減少して信頼性が低くなるおそれがある。」 オ 甲５の記載 甲５には以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板を用いた電子デバイスの製造に利用されるドライエッチング方法に関し、特にガラス基板上に形成した絶縁膜上の導電性膜のエッチング処理に関するものである。」 「【０００７】この絶縁破壊を回避するには、供給する高周波電力を小さくしてプラズマ密度をコントロールするととともに、電極の自己バイアス電圧をコントロールすることにより、基板に入射するイオン及び電子を減らし、基板に帯電される電荷量を少なくすることが最も有効であり、そのため供給する電力の大きさを調整することによって対応していた。」 （２） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア） 甲１発明の「静電チャック１００」は、後述の相違点を除き、本件発明１の「静電チャック」に相当する。 （イ） 甲１発明の「セラミック誘電体基板１０」は、本件発明１の「誘電体基板」に相当する。また、甲１発明の「セラミック誘電体基板１０」は、「吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１０ａと、」「第１主面１０ａに対して略垂直な方向であるＺ軸方向に伸びる貫通孔１５を有する」ところ、「吸着の対象物Ｗ」及び「第１主面１０ａ」は、それぞれ本件発明１の「被吸着物」及び「載置面」に相当し、さらに、甲１発明の「第１主面１０ａに対して略垂直な方向であるＺ軸方向に伸びる貫通孔１５」は、本件発明１の「当該載置面に対し垂直に」「形成された」「貫通穴」に相当する。したがって、甲１発明の「セラミック誘電体基板１０」は、本件発明１の「被吸着物が載置される載置面を有し、当該載置面に対し垂直に貫通穴が形成された誘電体基板」に相当する。 （ウ） 甲１発明の「第２電極層１２」は、「セラミック誘電体基板１０の内部に設けられ」たものであり、「対象物Ｗを吸着させるための吸着電極」であるから、本件発明１の「前記誘電体基板の内部に埋め込まれた吸着電極」に相当する。 （エ） 甲１発明の「第１電極層１１」は、「セラミック誘電体基板１０の内部に設けられ、Ｚ軸方向において、第２電極層１２と第２主面１０ｂとの間に位置」するから、第２電極層１２とは異なる位置で、セラミック誘電体基板１０の内部に設けられたものである。さらに、甲１発明の「第１電極層１１」は、「高周波電源から電圧（高周波電圧）が印加される」ものであるから、ＲＦ電極といえる。したがって、甲１発明の「第１電極層１１」は、本件発明１の「前記吸着電極とは異なる位置において、前記誘電体基板の内部に埋め込まれたＲＦ電極」に相当する。 （オ） 甲１発明の「第１電極層１１」に形成された「孔部」は、「貫通孔１５及び接続部２０を挿通させる」から、「貫通孔１５」を包含する形状の開口といえ、該開口の中心は、貫通孔１５の中心と同じであるといえる。そうすると、甲１発明の「第１電極層１１には、ガス導入路５３と連通する貫通孔１５を中心とし、該貫通孔１５及び接続部２０を挿通させる形状の孔部が形成されている」ことと、本件発明１の「前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する円形の開口が形成され」ていることとは、「前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する」形状の「開口が形成され」ている点で共通する。 （カ） 以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 被吸着物が載置される載置面を有し、当該載置面に対し垂直に貫通穴が形成された誘電体基板と、 前記誘電体基板の内部に埋め込まれた吸着電極と、 前記吸着電極とは異なる位置において、前記誘電体基板の内部に埋め込まれたＲＦ電極と、を備え、 前記ＲＦ電極には、前記貫通穴と同心であり且つ前記貫通穴を包含する形状の開口が形成された 静電チャック。 ［相違点］ ＜相違点１＞ ＲＦ電極に形成された貫通穴を包含する開口について、本件発明１では、前記貫通穴と同心の「円形」であり、「半径が１．７５ｍｍ以上である」と特定されているのに対し、甲１発明では、これらの点が特定されていない点。 ＜相違点２＞ 貫通穴について、本件発明１では、「前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下である」と特定されているのに対し、甲１発明では、この点が特定されていない点。 イ 判断 相違点１及び相違点２について、合わせて検討する。 甲２及び甲３の記載はそれぞれ上記（１）イ及びウのとおりであるところ、甲２及び甲３には、相違点２に係る貫通穴のうち最も載置面側の部分の半径を０．１５ｍｍ以下とする構成とともに、相違点１に係るＲＦ電極に形成された開口の半径を１．７５ｍｍ以上とする構成を備えることについて、記載も示唆もされていない。 そうすると、本件発明１において、相違点１及び２の構成を採用することは、当業者であっても容易に想到するものではない。 そして、本件発明１は、相違点１及び相違点２に係る構成を備えることにより、後記２（３）で述べる作用効果を奏するものである。 したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 本件発明２及び３について 請求項２及び３は請求項１を引用する請求項であるから、本件発明２及び３は、本件発明１の構成を全て備えるものである。 そうすると、本件発明２及び３は、上記（２）アの相違点１及び相違点２に係る構成を備えている。 したがって、本件発明２及び３は、本件発明１についての上記（２）イの判断と同様に、甲１発明及び甲２、甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ サポート要件（特許法第３６条第６項第１号）について （１） 取消理由２（サポート要件）の概要 請求項１には、貫通穴の半径を特定するための構成が記載されていないから、本件特許の請求項１～３に係る発明は、「開口の縁が貫通穴の内面から十分に遠い位置である」とはいえないものを含んでいる。そうすると、課題を解決できないものを含む請求項１～３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 （２） 申立理由２（サポート要件）の概要（特許異議申立書２６頁３行～２９頁７行） 貫通穴の大きさが特定されておらず、誘電体基板の材料が具体的に特定されておらず、かつＲＦ電極に印可される電力の大きさが具体的に特定されていない請求項１に係る発明は、静電チャックにおいて、絶縁破壊が生じる可能性を抑制することができない形態を含む。 したがって、貫通穴を通じて絶縁破壊が生じる可能性を従来よりも低く抑えるとする発明の課題を解決するための手段が反映されていない本件特許の請求項１～３に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない。 （３） 判断 特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを比較し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できる範囲のものであるか否か、また、発明の詳細な説明に記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らして当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断するのが相当である。 そこで、以下、この判断基準に基づいて検討する。 本件特許についての出願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、本件発明が解決しようとする課題について、基板の処理中においては、吸着電極は高電位となる一方で、ＲＦ電極は所定の低い電位に保たれ、このとき、貫通穴においては、吸着電極からＲＦ電極の開口の縁に向かって、強い電界が生じ、このような電界の方向は貫通穴の伸びる方向と概ね同じであるから、貫通穴を通じた経路で絶縁破壊が起こってしまう可能性があること（【０００６】）が記載されている。 そして、発明の詳細な説明には、本件発明と同様、ＲＦ電極には、貫通穴と同心であり且つ貫通穴を包含する円形の開口が形成されており、開口の半径が１．７５ｍｍ以上であること（【０００８】）、及び、貫通穴の半径を０．１５ｍｍ以下（【００４２】）とするにより、開口の縁は貫通穴の内面から十分に遠い位置にあり、貫通穴においては、高電位の部分から開口の縁に向かう電界のうち、貫通穴の伸びる方向に沿った成分が小さくなり、これにより、貫通穴を通じて絶縁破壊が生じる可能性を従来よりも低く抑えることができる（【０００９】）という作用効果を奏するものであることが記載されている。 したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が発明の前記課題を解決できると認識できる範囲のものであるから、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしている。 （４） 申立人の主張について 申立人は、上記（２）のとおり、本件発明では、貫通穴の大きさに加え、誘電体基板の材料やＲＦ電極に印可される電力の大きさも具体的に特定されておらず、絶縁破壊が生じる可能性を抑制することができない形態を含んでいるから、本件発明は、発明の課題を解決するための手段が反映されていない旨主張する。 しかしながら、上記（３）のとおり、本件発明は、貫通穴の半径、すなわち、貫通穴の大きさに着目し、「前記貫通穴のうち最も前記載置面側の部分、の半径が０．１５ｍｍ以下である」と特定することによって、発明の課題を解決することができるから、本件発明は、発明の課題を解決するための手段が反映されたものであるということができる。 したがって、申立人の主張は、上記（３）の判断を左右するものではない。 第６ むすび 以上の次第であるから、取消理由通知に記載した理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、特許第７４９４９７３号の請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。 よって、結論のとおり決定する。