2025-700067

特許第７５１９４９７号発明「セラミック板、半導体装置および半導体モジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５１９４９７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３～１１〕、２について訂正することを認める。 特許第７５１９４９７号の請求項１、３～１１に係る特許を維持する。 特許第７５１９４９７号の請求項２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５１９４９７号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１１に係る特許についての出願は、令和５年４月１３日（遡及出願日平成３０年１１月２９日、優先権主張平成２９年１２月２１日）の出願であって、令和６年７月１０日にその特許権の設定登録がされ、同年７月１９日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和７年 １月１５日 ：特許異議申立人 小松 茂夫（以下「申立人」という。）による請求項１～１１に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ３月２８日付け：取消理由通知 同年 ６月 ２日 ：特許権者よる意見書、訂正請求書の提出 なお、令和７年６月２３日付けで申立人に対して訂正請求があった旨を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人から応答はなかった。 第２ 訂正の適否について １ 訂正の内容 令和７年６月２日にされた訂正（以下「本件訂正」という。）の請求の内容は、以下のとおりである。（下線は訂正箇所を示すため合議体が付与した。） （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい、セラミック板。」と記載されているのを、「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり、前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい、セラミック板。」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２～１１も同様に訂正する。）。 （２） 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （３） 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「請求項１または２に記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１に記載のセラミック板。」に訂正する。 （４） 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１～３のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１又は３に記載のセラミック板。」に訂正する。 （５） 訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１～４のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１、３、４のいずれかに記載のセラミック板。」に訂正する。 （６） 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１、３、４、５のいずれかにセラミック板。」に訂正する。 （７） 訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項１～６のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１、３、４、５、６のいずれかに記載のセラミック板。」に訂正する。 （８） 訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項８に「請求項１～７のいずれかに記載のセラミック板。」と記載されているのを、「請求項１、３、４、５、６、７のいずれかに記載のセラミック板。」に訂正する。 （９） 訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれかに記載のセラミック板」と記載されているのを、「請求項１、３、４、５、６、７、８のいずれかに記載のセラミック板」に訂正する。 （１０） 訂正事項１０ 願書に添付した明細書の段落【０００６】に「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい」と記載されているのを、「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり、前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい」に訂正する。 （１１） 一群の請求項について 訂正前の請求項１～１１について、請求項２～１１は、請求項１を直接又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～１１に対応する訂正後の請求項１～１１は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 なお、特許権者は、請求項２についての訂正が認められる場合には、前記一群の請求項のうちの訂正後の請求項２が別の請求単位として扱われるように求めている。 ２ 訂正の適否についての判断 以下、訂正事項１～１０の適否について検討する。 なお、特許異議の申立ては、上記第１のとおり、訂正前の請求項１～１１に対してされているから、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 （１） 訂正事項１について ア 訂正の目的 訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「第１結晶」及び「第２結晶」について、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり」との限定を付加し、それにより「第１結晶」及び「第２結晶」の区別を明瞭にするものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか 訂正事項１により付加される記載は、訂正前の特許請求の範囲の請求項２の「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍである、請求項１に記載のセラミック板。」との記載に基づくものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか 訂正事項１は、「第１結晶」及び「第２結晶」について、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり」との限定を付加するものであって、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。 （２） 訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、請求項２を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 イ 本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるか 訂正事項２は、上記アのとおり、請求項２を削除するものであって、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか 訂正事項２は、上記アのとおり、請求項２を削除するものであって、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。 （３） 訂正事項３～９について ア 訂正の目的 訂正事項３～９は、それぞれ訂正前に引用請求項として請求項２を含んでいた請求項３～９を対象とする訂正であって、訂正事項２による請求項２の削除と整合するために、請求項３～９の引用請求項から請求項２を削除して引用請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ 本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるか 訂正事項３～９は、上記アのとおり、訂正事項２による請求項２の削除と整合するためのものであって、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 したがって、訂正事項３～９は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか 訂正事項３～９は、上記アのとおり、訂正事項２による請求項２の削除と整合するためのものであって、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。 （４） 訂正事項１０について ア 訂正の目的 訂正事項１０は、訂正事項１により請求項１に付加される記載と同じ記載を明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】に付加することで、特許請求の範囲の記載と明細書の記載を整合させるためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 イ 本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるか 訂正事項１０は、上記アのとおり、訂正事項１により請求項１に付加される記載と同じ記載を明細書の段落【０００６】に付加するものであって、訂正事項１についての上記（１）イの検討と同様に、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか 訂正事項１０は、上記アのとおり、訂正事項１により請求項１に付加される記載と同じ記載を明細書の段落【０００６】に付加するものであって、上記（１）ウの検討と同様に、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合する。 エ 訂正事項１０と関係する請求項について 訂正事項１０は、訂正事項１により請求項１に付加される記載と同じ記載を明細書の段落【０００６】に付加するものであるから、一群の請求項１～１１の全てについてするものである。 したがって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第４項に適合する。 （５） 小括 以上のとおり、本件訂正の請求は、適法にされたものであるから、明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３～１１〕、２について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正の請求は認められるから、本件特許の請求項１～１１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１１」といい、まとめて「本件発明」という。）は、それぞれ訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「 【請求項１】 窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、 前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えており、 前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり、 前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、 前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい、セラミック板。 【請求項２】（削除） 【請求項３】 前記第２結晶は、単結晶である、請求項１に記載のセラミック板。 【請求項４】 前記第１相は、多結晶である、請求項１又は３に記載のセラミック板。 【請求項５】 前記第２結晶の平均粒径は、前記第１結晶の平均粒径の３～５０倍である、請求項１、３、４のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項６】 断面視における前記第１相の面積の割合が４０～８０％である、請求項１、３、４、５のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項７】 前記第１相および前記第２相の間に存在している粒界相をさらに備える、請求項１、３、４、５、６のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項８】 前記複数の第２結晶は柱状であり、前記第２結晶同士が互いに接している、請求項１、３、４、５、６、７のいずれかに記載のセラミック板。 【請求項９】 請求項１、３、４、５、６、７、８のいずれかに記載のセラミック板と、 前記セラミック板の表面に配置された半導体素子と、を備える半導体装置。 【請求項１０】 請求項９に記載の半導体装置と、 前記半導体素子と接している放熱体と、を備える半導体モジュール。 【請求項１１】 前記半導体素子と電気的に接続された外部接続導体、をさらに備える請求項１０に記載の半導体モジュール。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 訂正前の特許請求の範囲に対して、令和７年３月２８日付けで通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 （１） 取消理由１（明確性要件） 本件特許の請求項１、３～１１に係る発明は、第１結晶と第２結晶とを区別するための基準となる大きさが明確でないから、請求項１、３～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定に違反する特許出願に対してされたものである。 （２） 取消理由２（サポート要件） 本件特許の請求項１、３～１１に係る発明は、第１結晶と第２結晶の大きさが不明であって、発明の詳細な説明に記載した課題を解決できないものを含んでいるから、請求項１、３～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定に違反する特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由についての判断 本件発明１は、訂正により「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍ」であることが特定され、第１結晶と第２結晶とを区別することができるから、本件発明１は明確である。また、当該特定により、本件発明１は発明の詳細な説明に記載した課題を解決できるものに限定された。 さらに、本件発明３～１１は本件発明１の訂正に連動して、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍ」であることが特定され、第１結晶と第２結晶とを区別することができるから、本件発明３～１１は明確である。また、当該特定により、本件発明３～１１は発明の詳細な説明に記載した課題を解決できるものに限定された。 よって、取消理由１及び取消理由２は解消した。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立人は、特許異議申立書及び甲第１号証～甲第６号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲６」という。）を提出したところ、特許異議申立書に記載した申立理由のうち、取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要は、次のとおりである。 （１） 申立理由１（進歩性欠如） 訂正前の本件特許の請求項１～１１に係る発明は、甲１発明、甲２技術、甲３技術、甲４発明、甲５技術、及び甲６発明に基づいて、その発明の技術分野に属する通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項に違反してされたものである。 （２） 申立理由２（実施可能要件） 訂正前の本件特許の請求項３、４に係る特許は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、明細書の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：特開２０１４－５８４４５号公報 甲２：三友護，「窒化ケイ素セラミックスの微構造と粉体特性の関係」，粉体工学会誌，2004年，Vol.41 No.2(2004)，p.24-31 甲３：CHANNING C.AHN 他１名，“Microstructure and Grain-Boundary Composition of Hot-Pressed Silicon Nitride With Yttria and Alumina”，Journal of the American Ceramic Society，1983年1月，Vol,66，No.1，p.14-17 甲４：特開平９－３２８３６５号公報 甲５：You Zhou 他５名，“Development of high-thermal-conductivity silicon nitride ceramics”，Journal of Asian Ceramic Societies，Vol.3，2015年，p.221-229 甲６：特開平５－１０５５２２号公報 ２ 申立理由１（進歩性）についての判断 （１） 甲号証の記載及び甲１発明等 ア 甲１の記載と甲１発明 （ア） 甲１の記載 甲１には以下の記載がある。（引用箇所を示すため、当審において下線を付した。） 「【０００４】 そこで、下記特許文献１には、窒化珪素基板の例が開示されており、粒界相の２０％以上を結晶化させることにより、熱伝導率の低いガラス相の比率を低減し窒化珪素基板の熱伝導率を高めている。・・・」 「【００１８】 一般に、窒化珪素焼結体は、β型窒化珪素の結晶粒子と焼結助剤成分を含有する粒界相とからなり、また粒界相は非晶質相あるいは結晶相で構成される。・・・ 【００１９】 上述のように窒化珪素基板は窒化珪素粒子と焼結助剤として添加した成分を主とする粒界相から構成されている。添加した焼結助剤を主成分として生成される粒界相は窒化珪素粒子間の結合を保ち、また、粒子間の欠陥を抑制する役割を担っている。特に、窒化珪素基板の粒界相の結合力が不十分で表面に粗大な欠陥がある場合、窒化珪素基板に応力が加わったとき、その欠陥が破壊の起点となり容易に破壊が起こるため、粒界相が均一に分散されて存在して粒子間を結合し粗大な欠陥の生成が抑制される必要がある。 【００２０】 窒化珪素基板において焼結助剤として添加したＭｇＯおよびＲＥ２Ｏ３はＳｉ３Ｎ４やＳｉ３Ｎ４中に含まれるＳｉＯ２と反応して焼結工程で液相を形成する。これらの液相は焼結後には粒界相として、非晶質相もしくは結晶相として存在する。本発明の窒化珪素質焼結体の窒化珪素粒子及び粒界相の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像を図１に、その模式図を図２にそれぞれ示す（後出に実施例４）。また、図６はＴＥＭ－ＥＤＸ（（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｃｒｏｓｃｏｐ－Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）によるＳｉ，Ｍｇ，Ｙ，Ｏ成分に対する面分析結果を示す。ここで、Ｏ成分の濃度が高いことは粒界相の場合は非晶質相であることを示唆している。・・・（中略）・・・一方、結晶相１３以外の粒界相部１２については、Ｓｉ成分の濃度が低く、Ｍｇ，ＹおよびＯ成分からなる。また、Ｘ線回折からはＭｇＳｉＮ２以外の回折ピークは検出されなかった。したがって、Ｙ，ＭｇおよびＯを主成分とした非晶質相である。非晶質相１２と粒界結晶相１３とからなる粒界相は窒化珪素粒子１１間を結合し、両者の存在比率は窒化珪素質焼結体の機械的強度と熱伝導率に影響を与える。・・・」 「【００２９】 本発明で用いる原料粉末として窒化珪素粉末は、平均粒子径を１．０μｍ以下、比表面積を１５ｍ２／ｇ以下の範囲とする。また、窒化珪素焼結体の高熱伝導化には、含有酸素量を１．５ｗｔ．％以下、特にＦｅ成分およびＡｌ成分はそれぞれ１０００ｐｐｍ以下とする。 また、焼結助剤として添加するＭｇＯ粉末およびＹ２Ｏ３粉末は、それぞれ、平均粒子径を１．０μｍ以下、比表面積を３０ｍ２／ｇ以下の範囲とする。また、不純物量は窒化珪素粉末と同様にＦｅ成分およびＡｌ成分は、それぞれ１０００ｐｐｍ以下とする。・・・」 「【００３６】 また、比較例として、上記製造条件を変更して製造した窒化珪素基板についても同様に物性を測定し、判定を行った。その結果が表３、４に示される（比較例１～１５）。」 「【００４８】 【表３】 ［図：0001430011000001.jpg］ 」 「【００５４】 また、比較例３として、ＭｇＯ添加量を９．８ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３添加量を１．２ｍｏｌ％とし、焼結工程における焼結温度を１８５０℃、昇温速度を４００℃／ｈ、冷却速度を６００℃／ｈ、焼結時間を３ｈ、基板の総厚みを８ｍｍとした条件で製造した窒化珪素基板ではＭｇＳｉＮ２結晶相が検出されず、熱伝導率が７７Ｗ／ｍ・Ｋと低くなった。これは、焼結工程における昇温速度が速いため、ＭｇＳｉＮ２結晶相の生成が抑制され、窒化珪素基板の熱伝導率が低下している。なお、比較例３との相違点として、Ｙ２Ｏ３添加量を１．８ｍｏｌ％とし、昇温速度を６００℃／ｈ、焼結時間を５ｈ、基板の総厚みを４ｍｍとしたとした比較例４も、昇温速度が速いため、ＭｇＳｉＮ２結晶相の生成が抑制され、熱伝導率が７３Ｗ／ｍ・Ｋと低くなった。」 「【図１】 ［図：0001430011000002.jpg］ 【図２】 ［図：0001430011000003.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001430011000004.jpg］ 」 （イ） 甲１発明 上記（ア）の記載によれば、甲１には以下の事項が記載されている。 ａ 段落００１９の記載から、甲１には、窒化珪素粒子と焼結助剤として添加した成分を主とする粒界相から構成されている窒化珪素基板が記載されている。 段落００１８の記載から、窒化珪素粒子は、β型窒化珪素の結晶粒子である。 そして、図１、図２及び図５から、窒化珪素基板は、大きさが相対的に小さい複数の窒化珪素粒子と、大きさが相対的に大きい複数の窒化珪素粒子とを備えること、大きさが相対的に大きい窒化珪素粒子同士が接していることが見て取れる。 ｂ 粒界相は、段落００１９の記載から、窒化珪素粒子間の結合を保ち、段落００２０の記載から、非晶質相もしくは結晶相として存在するものである。 また、段落０００４の「粒界相の２０％以上を結晶化させることにより、熱伝導率の低いガラス相の比率を低減し窒化珪素基板の熱伝導率を高めている。」との記載によれば、非晶質相はガラス相といえる。 ｃ 段落００２９、段落００５４及び段落００４８の表３の記載によれば、比較例４の窒化珪素基板は、原料粉末として窒化珪素粉末、焼結助剤として添加するＭｇＯ粉末とＹ２Ｏ３を含み、ＭｇＯ添加量を９．８ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３添加量を１．８ｍｏｌ％とし、焼結工程における焼結温度を１８５０℃、昇温速度を６００℃／ｈ、冷却速度を６００℃／ｈ、焼結時間を５ｈ、基板の総厚みを４ｍｍとして製造したものであって、曲げ強度が８４２Ｍｐａ、熱伝導率が７３Ｗ／ｍ・Ｋである。 ｄ 以上によれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 ［甲１発明］ β型窒化珪素の結晶粒子である窒化珪素粒子と焼結助剤として添加した成分を主とする粒界相から構成されている窒化珪素基板であって、 窒化珪素粒子は、大きさが相対的に小さい複数の窒化珪素粒子と、大きさが相対的に大きい複数の窒化珪素粒子を備え、大きさが相対的に大きい窒化珪素粒子同士が接しており、 粒界相は、窒化珪素粒子間の結合を保ち、ガラス相である非晶質相もしくは結晶相として存在するものであって、 原料粉末として窒化珪素粉末、焼結助剤として添加するＭｇＯ粉末とＹ２Ｏ３を含み、ＭｇＯ添加量を９．８ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３添加量を１．８ｍｏｌ％とし、焼結工程における焼結温度を１８５０℃、昇温速度を６００℃／ｈ、冷却速度を６００℃／ｈ、焼結時間を５ｈ、基板の総厚みを４ｍｍとして製造したものは、曲げ強度が８４２Ｍｐａ、熱伝導率が７３Ｗ／ｍ・Ｋである、 窒化珪素基板。 イ 甲２の記載 甲２は、「窒化ケイ素セラミックスの微構造と粉体特性の関係」と題する論文であり、以下の記載がある。 「焼結原料として用いられる窒化珪素は，高純度でα型である。粒径は０．１－１μｍに分布し，平均粒径は０．５－０．６μｍであり，サブミクロン粉末と言われる。粒子は細かい方が焼結には有利であるが，粒子充填性や酸素に対する反応性の点で，この範囲の方が実際の部品の製造には適当である。焼結にはイットリアやアルミナ等の酸化物を少量焼結助剤として添加する。 助剤は高温で液相を生成し，界面拡散を促進することにより焼結が進行するので，液相焼結と呼ばれる。焼結とともにα－βの相転移が起こり，図２のような微構造が得られる。この図はセラミックを切断・研磨後，ＣＦ４プラズマで粒子を薄くエッチングしてＳＥＭで観察し，画像処理によって大きな粒子（異常成長粒子）を灰色に，小さなもの（マトリックス粒子）を黒色に分けて表示したものである。液相が固化した粒界のガラス相は白く写っている。」（２４頁右欄最終行～２５頁左欄１６行） 「 ［図：0001430011000005.jpg］ 」（２５頁左欄） ウ 甲３の記載 甲３は「Microstructure and Grain-Boundary Composition of Hot-Pressed Silicon Nitride With Yttria and Alumina」（当審訳：イットリア及びアルミナを添加したホットプレス窒化ケイ素の微細構造と粒界組成）と題する論文であって、１５頁右欄の記載を以下の訳文で示す。 「（2）アモルファス相 (A)サンプルＡ：５ｗｔ％Ｙ２Ｏ３＋２ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３材料は粒界相が結晶化していると報告されていたが、高分解能暗視野イメージングにより、事実上すべてのβ’－β’ β’－メリライト境界で非晶質の存在が明らかになった（図２）。 暗視野イメージングの結果は図４に示すように、格子イメージングによってチェックされた。このように多くの手順から得られたデータは、アモルファス相が２ｎｍと薄いことを示していた。Ａｌ２Ｏ３を用いないＹ２Ｏ３添加窒化珪素の以前の研究でも、窒化ケイ素と酸窒化ケイ素の結晶粒にアモルファス相が存在することが示された。以下のサンプルＢで見られるようにＹ２Ｏ３またはＹ２Ｏ３／Ａｌ２Ｏ３の添加では、完全な結晶性の窒化ケイ素が得られないことは明らかである。」 エ 甲４の記載 甲４には以下の記載がある。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、自動車、機械装置、回路基板等の幅広い分野で使用できる高強度、高靱性の窒化珪素焼結体と前記窒化珪素焼結体を容易に得ることができる窒化珪素粉末、更に前記窒化珪素焼結体を用いた回路基板に関する。」 「【００１１】又、本発明は、焼結体の切断面の観察において中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子を含有する窒化珪素焼結体であって、前記中心部の短軸径が０．５μｍ以下の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の８０個数％以上含有することを特徴とする窒化珪素焼結体であり、焼結体の切断面の観察において中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子を含有する窒化珪素焼結体であって、前記中心部の短軸径が０．５μｍ以下の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の７０～９５個数％含有し、しかも短軸径が１．０μｍ以上の窒化珪素粒子を前記中心部と周辺部が識別できる窒化珪素粒子全体の５～３０個数％含有することを特徴とする窒化珪素焼結体である。」 「【図１】 ［図：0001430011000006.jpg］ 」 オ 甲５の記載 甲５には以下の記載がある。 「 ［図：0001430011000007.jpg］ 」（当審訳：図２ 様々な時間で焼結したSRBSNの破面のSEM画像 (a)3時間、(b)6時間、(c)12時間、及び(d)24時間） 「 ［図：0001430011000008.jpg］ 」（当審訳：図７ 1900℃で24時間焼結したSRBSN材料内の亀裂経路（左から右に伝播）の走査型電子顕微鏡写真」） 「 ［図：0001430011000009.jpg］ 」（当審訳：図８ さまざまな量のFeを添加したSRBSN材料の研磨およびプラズマエッチングされた表面のSEM画像：(a)F0、(b)F0.1、(c)F1、(d)F5） 「 ［図：0001430011000010.jpg］ 」（当審訳：図９ 様々な量のAlを添加したSRBSN材料の研磨およびプラズマエッチングされた表面のSEM画像：(a)Al-0、(b)Al-1、(c)Al-2、(d)Al-3） カ 甲６の記載 甲６には以下の記載がある。 「【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明は、Ｘ線回折により実質的に固定される窒化ケイ素系結晶相として、β－窒化ケイ素（β’－サイアロンを含む）からなる窒化ケイ素焼結体であって、焼結体中の任意の２次元断面に観察される平均長軸粒径が２．０～５．０μｍの柱状型の窒化ケイ素結晶粒の占める割合が面積率で５％以上３０％以下であり、残部が平均粒径１．０μｍ以下の六角状もしくは粒状の窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなる窒化ケイ素結晶粒および粒界相よりなることを特徴とする窒化ケイ素系焼結体である。・・・」 （２） 本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア） 甲１発明の「β型窒化珪素の結晶粒子である」「大きさが相対的に小さい」「窒化珪素粒子」及び「β型窒化珪素の結晶粒子である」「大きさが相対的に大きい」「窒化珪素粒子」は、大きさの関係を含めて、それぞれ本件発明１の「窒化ケイ素の第１結晶」及び「前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶」に相当する。 甲１発明は、粒界相が窒化珪素粒子間の結合を保つものであるところ、「大きさが相対的に小さい複数の窒化珪素粒子」が粒界相を介して結合した構造は、本件発明１の「窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相」に相当する。 甲１発明の「大きさが相対的に大きい窒化珪素粒子同士が接して」いる構造は、本件発明１の「前記複数の第２結晶同士が接している第２相」に相当する。 甲１発明の「窒化珪素基板」は、セラミック基板であり、上記第１相及び第２相を備える点で本件発明１の「セラミック板」に相当する。 （イ） 上記（ア）によれば、本件発明１と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ 窒化ケイ素の第１結晶を複数含む第１相と、 前記第１結晶よりも大きい窒化ケイ素の第２結晶を複数含み、前記複数の第２結晶同士が接している第２相と、を備えている、 セラミック板。 ［相違点］ 本件発明１は、 「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり、 前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し、 前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい」 という構成を備えるのに対し、甲１発明は、このような構成を備えることが特定されていない点。 イ 判断 本件発明１は、相違点に係る構成について、「前記第１結晶は長軸長さが０．１～１．０μｍであり、前記第２結晶は長軸長さが２～６μｍであり」との構成（以下「構成Ａ」という。）によりそれぞれ長軸の長さが特定された第１結晶及び第２結晶を前提として、「前記第２結晶同士の接触部位にはガラス層が介在しており、前記第２結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に、厚みが５ｎｍ以下の前記ガラス層が存在し」との構成（以下「構成Ｂ」という。）及び「前記第２結晶同士の接触部位に介在している前記ガラス層は、前記第１結晶同士が互いに接している部分の両端からの距離が同じ中央部に存在しているガラス層よりも厚みが小さい」との構成（以下「構成Ｃ」という。）を備えるものであるから、構成Ａ～Ｃは不可分の構成といえる。 そうすると、甲２～甲６のいずれにも、構成Ａ～Ｃをともに備える構成は記載されていないから、甲１発明に甲２～甲６に記載された事項を適用しても、構成Ａ～Ｃをともに備える構成を得ることはできない。 そして、本件発明１は、構成Ａ～Ｃを備えることで、本件特許に係る明細書（段落０００９）に記載された「本発明の実施形態に係るセラミック板によれば、」「優れた熱伝導性および優れた機械的強度を兼ね備えることが可能となる」という効果を奏するものである。 したがって、甲２～甲６を参照しても、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 申立人の主張について （ア） 申立人は、特許異議申立書（１４頁１７行～１５頁５行）において、本件訂正前の本件発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。 前記主張について検討すると、甲１発明の窒化珪素基板は、焼結工程における焼結温度を１８５０℃とし、曲げ強度が８４２Ｍｐａ、熱伝導率が７３Ｗ／ｍ・Ｋである点は本件特許に係る図５(b)に記載された実施例１～５と類似するものの、焼結時間が５時間であることは、ガラス相の厚みが７ｎｍである比較例７と類似するから、構成Ｂにおけるガラス相の厚みが５ｎｍであるとはいえず、構成Ｂは実質的な相違点である。 また、甲１発明は、窒化珪素粒子間に非晶質相が存在するとしても、甲１には、甲１発明が構成Ｃを備えることの記載はない。 よって、申立人の前記主張は採用できない。 （イ） 申立人は、特許異議申立書（１５頁６行～２５行）において、本件訂正前の本件発明１は、甲１発明及び甲２技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。 前記主張について検討すると、甲２には上記（１）イの記載があるところ、申立人が構成Ｂ及び構成Ｃの根拠とする甲２の図２には「５μｍ」の寸法を表す表示があるから、図２から窒化ケイ素粒子が互いに接している部分に上記寸法よりも３桁小さい５ｎｍ以下のガラス相を確認することはできない。 よって、甲２に、構成Ｂ及び構成Ｃが記載されているとはいえないから、上記主張は採用できない。 （ウ） 申立人は、特許異議申立書（１５頁２６行～１６頁１０行）において、本件訂正前の本件発明１は、甲１発明、甲２技術及び甲３技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。 前記主張について検討すると、上記（１）ウの甲３の記載によれば、窒化ケイ素粒子同士の粒界に２ｎｍのアモルファス相が存在するといえるところ、甲１発明の窒化珪素基板は、材料粉末を含む製造条件が特定されており、甲１発明と製造条件が同じであるとはいえない甲３に記載のアモルファス相の厚さのみを甲１発明に適用する動機付けはないから、上記主張は採用できない。 （３） 本件発明３～１１について 訂正後の請求項３～１１は、直接又は間接的に請求項１を引用するものでのある。そうすると、本件発明３～１１は、上記（２）アの相違点に係る構成を備えているから、同イで判断した理由と同じ理由により、甲２～甲６を参照しても、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４） 小括 以上のとおり、本件発明１、３～１１は、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件特許の請求項１、３～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 ３ 申立理由２（実施可能要件）についての判断 （１） 申立人の主張 申立人は、特許異議申立書（９頁１４行～２６行）において、請求項３は、「前記第２結晶は、単結晶である」ものであり、請求項４は「前記第１相は、多結晶である」ものであるところ、どのようにして単結晶と多結晶を識別するのか、どのようにして単結晶および／または多結晶を含む構成を実現することができるのかが、発明の詳細な説明からは不明であり、本件特許の発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件発明３、４の実施をすることができる程度に、明確かつ十分に記載したものでない旨主張する。 （２） 判断 申立人の主張について検討する。 本件特許に係る明細書の発明の詳細な説明（以下「発明の詳細な説明」という。）の段落００１６に「本実施形態に係るセラミック板１０は、主として大きさの異なる第１結晶１と第２結晶２とによって構成されるものであって、第１結晶１の大きさは、例えば０．１～１．０μｍ程度であり、第２結晶２の大きさは、例えば２～６μｍ程度である。第１結晶１および第２結晶２は、例えば、六角柱等の柱状または長球状（長軸を回転軸とした回転楕円体状）等の形状である。このような第１結晶１および第２結晶２の大きさは、例えば、柱状のものの長さまたは長球状のものの長軸の長さ（本明細書において両者を区別せずに長軸長さともいう。）によって特定する。これらの長軸長さは、例えば図１に示すような、セラミック板１０の断面をＳＥＭなどの電子顕微鏡を用いた観察によって測定することができる。」と記載されており、セラミック板の断面をＳＥＭなどの電子顕微鏡を用いた観察により、大きさと形状から単結晶である第１結晶及び第２結晶を識別することができ、また、複数の第１結晶を含む、すなわち多結晶の第１相を識別することができる。 また、発明の詳細な説明の段落００４０～００４４には、第１結晶及び第２結晶を有するセラミック板の製造方法が記載されているから、当業者は、当該記載に基づいて多結晶である第１相と、単結晶である第２結晶を含むセラミック板を製造することができる。 したがって、発明の詳細な説明には、当業者が本件発明３及び４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから、申立人の主張を採用することはできない。 第６ むすび 以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、本件特許の請求項１、３～１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、請求項２は、本件訂正により削除されたため、請求項２に対する特許異議の申立ては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。