2025-700211

特許第７５３７５８５号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５３７５８５号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 特許第７５３７５８５号の請求項１～３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５３７５８５号（以下「本件特許」という。）の請求項１～３に係る特許についての出願は、令和５年１０月１０日に出願され、令和６年８月１３日にその特許権の設定登録がされ、同年８月２１日に特許掲載公報が発行されたものである。 本件特許についての特許異議申立人金海松（以下「申立人」という。）による特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和７年 ２月１９日 ：特許異議の申立て（全請求項） 同年 ４月３０日付け：取消理由通知書 同年 ６月２６日 ：特許権者による訂正請求書、意見書の提出 同年 ７月１１日 ：特許権者による手続補正書（方式）の提出 同年 ８月２０日 ：申立人による意見書の提出 同年１０月 ６日付け：取消理由通知書（決定の予告） 同年１２月 ８日 ：特許権者による訂正請求書、意見書の提出 令和８年 １月 ９日 ：申立人による意見書の提出 なお、特許権者が令和７年６月２６日にした訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否について １ 訂正の内容 特許権者が令和７年１２月８日に提出した訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の請求の内容は以下のとおりである。（訂正箇所を示すため、当審が下線を付した。） （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板と、 金属材料により形成されたベースプレートと、 前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備え、 前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つことを特徴とする静電チャック。」 と記載されているのを、 「セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板と、 金属材料により形成されたベースプレートと、 前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備え、 前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つ（ただし、前記接合層の厚さがＴ（μｍ）とし、－１００℃における前記接合層のヤング率をＥ’（ＭＰａ）としたときに、 Ｅ’≦０．０４×Ｔ－０．０４ の条件を満たす場合を除く）ことを特徴とする静電チャック。」 に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 （２） 一群の請求項について 訂正前の請求項２、３は、請求項１を引用するものであるから、訂正事項１により訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～３に対応する訂正後の請求項１～３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ２ 訂正の適否についての判断 以下、訂正事項１について、訂正の目的の適否、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてした訂正であるか否か、及び実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正に該当するか否かについて検討する。 なお、特許異議の申立ては、上記第１のとおり全請求項に対してされているから、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１） 訂正の目的の適否について 訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項１に「（ただし、前記接合層の厚さがＴ（μｍ）とし、－１００℃における前記接合層のヤング率をＥ’（ＭＰａ）としたときに、 Ｅ’≦０．０４×Ｔ－０．０４ の条件を満たす場合を除く）」との限定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 （２） 本件明細書等に記載した事項の範囲内においてした訂正であること ア 訂正が、当業者によって、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものということができるというべきである。 イ 本件訂正前の本件明細書等から導かれる技術的事項 （ア） 本件訂正前の本件明細書等の記載 本件訂正前の請求項１、明細書の記載はそれぞれ次のａ、ｂのとおりである。（下線は参照箇所を示すために当審において付加した。） ａ 「【請求項１】 セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板と、 金属材料により形成されたベースプレートと、 前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備え、 前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つことを特徴とする静電チャック。」 ｂ 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は静電チャックに関する。 【背景技術】 【０００２】 例えばエッチング装置等の半導体製造装置には、処理の対象となるシリコンウェハ等の基板を吸着し保持するための装置として、静電チャックが設けられる。静電チャックは、吸着電極が設けられた誘電体基板と、誘電体基板を支持するベースプレートと、を備え、これらが互いに接合された構成を有する。吸着電極に電圧が印加されると静電力が生じ、誘電体基板上に載置された基板が吸着され保持される。 【０００３】 処理中においては、プラズマに曝されることにより基板の温度は上昇し、誘電体基板の温度も上昇する。一方、ベースプレートには低温の冷媒が供給されるため、ベースプレートの温度は－６０℃もしくはそれ以下の温度まで低下することもある。基板の処理に伴う各部の温度変化や、誘電体基板とベースプレートとの間の温度差等に起因して、誘電体基板には大きな熱応力が加わる。 【０００４】 熱応力による誘電体基板の破損を防止するためには、誘電体基板とベースプレートとの間を繋ぐ接合層の材料として、適切な物性を有する材料を選定する必要がある。例えば下記特許文献１では、－６０℃における接合層（接着部材）の貯蔵弾性率を１００ＭＰａ以下とすること、等が提案されている。 ・・・（中略）・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００６】 接合層の材料として、可能な限りヤング率の小さな材料を用いれば、誘電体基板に加わる熱応力を小さく抑えることができる。しかしながら、接合層に求められる伝熱性能等に鑑みれば、接合層のヤング率をいくらでも小さくできるわけではない。接合層の材料は、ヤング率が所定の上限値以下であるという条件の下で、求められる伝熱性能等を考慮して適宜選定する必要がある。 【０００７】 ところで、誘電体基板には、冷却用のガスの供給等を目的とした貫通穴が形成されている。本発明者らが行った実験等によれば、誘電体基板に加わる熱応力は、貫通穴の部分において特に大きくなり、その大きさは貫通穴の位置に応じて変化する、という知見が得られている。具体的には、誘電体基板の中心軸と貫通穴の中心軸との間の距離をＸとしたときに、Ｘの値が大きくなるほど、当該貫通穴の部分に加わる熱応力は大きくなる。つまり、Ｘの値が大きくなるほど、接合層のヤング率について許容し得る範囲の上限値は狭くなる。 【０００８】 このため、伝熱性能等の要求仕様を満たしつつ、誘電体基板に加わる熱応力を抑えるためには、「誘電体基板の中心軸と貫通穴の中心軸との間の距離」と、「接合層のヤング率の上限値」と、の相関を考慮しながら、それぞれのパラメータを適切に設定する必要がある。しかしながら、これらの相関をどのように考慮すべきか等について、これまでに具体的な検討は行われていなかった。 【０００９】 本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接合層のヤング率の値を適切なものとし、誘電体基板に加わる熱応力を低減することのできる静電チャック、を提供することにある。 【課題を解決するための手段】 【００１０】 上記課題を解決するために、本発明に係る静電チャックは、貫通穴が形成された誘電体基板と、金属材料により形成されたベースプレートと、誘電体基板とベースプレートとの間を接合する接合層と、を備える。この静電チャックでは、接合層のヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、誘電体基板の中心軸と貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある貫通穴について、Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つ。 【００１１】 誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある貫通穴は、多くの場合、誘電体基板のうち最も大きな熱応力が加わる部分である。本発明者らが行った実験等によれば、Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ の条件を満たすように、貫通穴の位置（Ｘ）及び接合層のヤング率（Ｅ）をそれぞれ設定しておけば、誘電体基板の当該貫通穴部分における熱応力を十分に低減できるという知見が得られている。静電チャックを上記構成とすることで、接合層のヤング率の値等を適切なものとしながら、誘電体基板に加わる熱応力を低減することが可能となる。 【００１２】 接合層のヤング率に関する上記の式は、誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある貫通穴のみならず、誘電体基板に形成された全ての貫通穴について成立してもよい。 【発明の効果】 【００１３】 本発明によれば、接合層のヤング率の値を適切なものとし、誘電体基板に加わる熱応力を低減することのできる静電チャック、を提供することができる。 ・・・（中略）・・・ 【００６０】 従って、接合層３００のヤング率であるＥと、最外周にある貫通穴１４０の距離Ｘとが、以下の式（２）で示される条件を満たすのであれば、誘電体基板１００で生じる最大応力の値は図４の「閾値」以下に収まり、誘電体基板１００の破損は確実に防止されることとなる。 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５・・・（２） ・・・（中略）・・・ 【００６７】 上記のように、貫通穴１４０の距離Ｘが大きくなるほど、当該貫通穴１４０の部分に加わる熱応力は大きくなる。少なくとも一つの貫通穴１４０が、Ｘ≧７５ｍｍとなるような外周側部分に形成されている誘電体基板１００においては、当該貫通穴１４０の部分に加わる熱応力は、無視できない程度に大きくなることが多い。しかしながら、上記の式（２）の条件を満たすように接合層３００の材料を選定しておけば、誘電体基板１００の破損が生じない程度に熱応力を抑制することができる。 ・・・（略）・・・」 （イ） 本件訂正前の請求項１に係る発明に関する技術的事項 上記（ア）ａ、ｂの記載によると、本件訂正前の請求項１に係る発明は、誘電体基板とベースプレートとの間を接合する接合層を備える静電チャックについて、 「前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つこと」を特徴とし、前記条件が成り立つことにより誘電体基板に加わる熱応力を抑制し、誘電体基板の破損を防止するという効果を奏する発明であるといえ、本件明細書等にはこのような技術的事項により特徴付けられる技術的思想が開示されているといえる。 ウ 訂正事項１について 本件訂正後の請求項１に係る発明についても、誘電体基板とベースプレートとの間を接合する接合層を備える静電チャックについて、「前記接合層の厚さがＴ（μｍ）とし、－１００℃における前記接合層のヤング率をＥ’（ＭＰａ）としたときに、 Ｅ’≦０．０４×Ｔ－０．０４ の条件を満たす場合」以外の場合において、 「前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つこと」により誘電体基板に加わる熱応力を抑制し、誘電体基板の破損を防止するという効果を奏する発明であるといえ、後記第５の１（２）クの引用発明の内容となっている特定の条件を除外することによって、本件明細書等に記載された本件訂正前の発明に関する技術的事項に何らかの変更を生じさせているものとはいえないから、訂正事項１が本件明細書等に開示された技術的事項に新たな技術的事項を付加したものでないことは明らかであり、訂正事項１は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであることが明らかである。 したがって、訂正事項１による訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものということができ、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項に適合する。 エ 申立人の主張 （ア） 申立人は、令和８年１月９日に提出した意見書「４．（１）（ａ）」において、本件明細書等には、－１００℃における接合層の厚さとヤング率との関係に関する記載は一切されていないから、訂正事項１の内容は、本件明細書等に記載も示唆も一切されておらず、「発明の詳細な説明中に数値限定が明示的に記載されている場合」とはいえず、「明細書等の記載全体からみて特定の範囲についての言及があったものと認められる場合」とも言えないから、特許法第１２０条の５第９項において規定されている、特許法第１２０条の５の第２項の場合に準用する特許法第１２６条第５項に規定する要件を満たしていない旨主張する。 （イ） しかしながら、上記ウで検討したとおり、訂正事項１による訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものということができるから、申立人の主張は採用できない。 （３） 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項１による訂正は、上記（１）のとおり、訂正前の請求項１に限定事項を付加するものであって、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正には該当しない。 よって、許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項に適合する。 ３ 訂正の適否についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正は適法にされたものであるから、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明３」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～３に記載された以下のとおりのものである。 「【請求項１】 セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板と、 金属材料により形成されたベースプレートと、 前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備え、 前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つ（ただし、前記接合層の厚さがＴ（μｍ）とし、－１００℃における前記接合層のヤング率をＥ’（ＭＰａ）としたときに、 Ｅ’≦０．０４×Ｔ－０．０４ の条件を満たす場合を除く）ことを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴のうち、前記接合層とは反対側の端部における直径が０．２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】 前記接合層はシリコーン接着剤を硬化させたものであることを特徴とする、請求項１に記載の静電チャック。」 第４ 申立理由と取消理由について 申立人が提出した特許異議申立書に記載した申立理由、及び当審における令和７年１０月６日付け取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由の概要は、以下のとおりである。 １ 申立理由 本件特許の請求項１～３に係る発明は、甲第１号証を主引例として、甲第２号証～甲第６号証に記載されている事項に基づいて、本件特許についての出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。以下、甲第１号証～甲第６号証を、それぞれ「甲１」～「甲６」という。 ［証拠方法］ 甲１：特許第７３４７７０９号公報 甲２：特開２０２０－１６７４０４号公報 甲３：特開２００７－１９４３２０号公報 甲４：特開２００５－１３６１０４号公報 甲５：登録実用新案第３１５７０７０号公報 甲６：特開２０１４－２０９６１５号公報 ２ 取消理由 訂正前の請求項１～３に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された周知技術に基づいて、本件特許についての出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 引用文献１：特許第７３４７７０９号公報（甲１） 引用文献２：登録実用新案第３１５７０７０号公報（甲５） 第５ 甲号証の記載と甲号証に記載された発明等 １ 引用文献１（甲１） （１） 引用文献１（甲１）の記載 取消理由で引用した引用文献１には、次の記載がある。（引用箇所を示すため、当審において下線を付与した。以下同様。） 「【００２３】 本実施形態に係る静電チャック１０は、例えばＣＶＤ成膜装置のような不図示の半導体製造装置の内部において、処理対象となる基板Ｗを静電力によって吸着し保持するものである。基板Ｗは、例えばシリコンウェハである。静電チャック１０は、半導体製造装置以外の装置に用いられてもよい。 【００２４】 図１には、基板Ｗを吸着保持した状態の静電チャック１０の構成が、模式的な断面図として示されている。静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える。 【００２５】 誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる略円盤状の部材である。誘電体基板１００は、例えば高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含むが、他の材料を含んでもよい。誘電体基板１００におけるセラミックスの純度や種類、添加物等は、半導体製造装置において誘電体基板１００に求められる耐プラズマ性等を考慮して、適宜設定することができる。」 「【００２９】 図１に示されるように、誘電体基板１００と基板Ｗとの間には空間ＳＰが形成されている。半導体製造装置において成膜等の処理が行われる際には、空間ＳＰには、後述のガス穴１４０等を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される。誘電体基板１００と基板Ｗとの間にヘリウムガスを介在させることで、両者間の熱抵抗が調整され、これにより基板Ｗの温度が適温に保たれる。尚、空間ＳＰに供給される温度調整用のガスは、ヘリウムとは異なる種類のガスであってもよい。」 「【００３５】 誘電体基板１００には、面１２０から面１１０側に向かって垂直に伸びるガス穴１４０が形成されている。図２に示されるように、ガス穴１４０のうち面１１０側の端部は、溝１１３の底面において開口している。誘電体基板１００において、ガス穴１４０は複数形成されており、これらが溝１１３に沿って並んでいる。本実施形態では、４つに区分された空間ＳＰのそれぞれに対して、ガス穴１４０が複数個ずつ繋がっている。」 「【００３９】 ベースプレート２００は、誘電体基板１００を支持する略円盤状の部材である。ベースプレート２００は、例えばアルミニウムのような金属材料により形成されている。ベースプレート２００のうち、図１における上方側の面２１０は、接合層３００を介して誘電体基板１００に接合される「被接合面」となっている。」 「【００４６】 接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している。接合層３００は、絶縁性の材料からなる接着材を硬化させたものである。本実施形態では、上記接着剤としてシリコーン接着剤を用いている。ただし、接合層３００は、他の種類の接着剤を硬化させたものであってもよい。いずれの場合であっても、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の熱抵抗が小さくなるように、接合層３００の材料としては、可能な限り熱伝導率が高い材料を用いるのが好ましい。 【００４７】 誘電体基板１００は、面１２０がベースプレート２００の面２１０に対し平行となっている状態で、ベースプレート２００に接合される。このため、接合層３００の厚さは全体で均等となっている。接合層３００の厚さを「μｍ」の単位で表した数値のことを、以下では「Ｔ」と表記する。例えば、接合層３００の厚さが０．１ｍｍである場合には、Ｔ＝１００である。」 「【００５０】 接合層３００のヤング率は、接合層３００の温度に応じて変化する。接合層３００の温度が－１００℃となっているときにおける接合層３００のヤング率を、「ＭＰａ」の単位で表した数値のことを、以下では「Ｅ」と表記する。例えば、－１００℃における接合層３００のヤング率が０．０１ＧＰａである場合には、Ｅ＝１０である。尚、上記における「－１００℃」という温度は、接合層３００の物性（ヤング率）を特定するための便宜上の基準に過ぎず、冷媒流路２５０に実際に供給される冷媒の温度について何ら限定するものではない。 【００５１】 近年では、処理中において基板Ｗに入射するエネルギーの増大等に伴って、ベースプレート２００には従来よりも高い冷却性能が求められる傾向がある。例えば、ベースプレート２００の冷媒流路２５０には、－６０℃もしくはそれ以下の温度の冷媒が供給されることもある。プラズマの高出力化等に伴って冷媒の温度は更に低くなるので、将来的には－１００℃程度の冷媒が供給されるようになる可能性もある。 【００５２】 基板Ｗの処理の開始に伴う各部の温度変化や、誘電体基板１００とベースプレート２００との間の温度差等に起因して、誘電体基板１００には大きな熱応力が加わる。特に、誘電体基板１００のうちガス穴１４０の出口部分においては熱応力が集中しやすく、当該部分を起点として誘電体基板１００の破損が生じる可能性がある。 【００５３】 接合層３００の材料として、可能な限りヤング率の小さな材料を用いれば、誘電体基板１００に加わる熱応力を小さくすることができる。しかしながら、接合層３００に求められる伝熱性能等に鑑みれば、接合層３００のヤング率をいくらでも小さくできるわけではない。接合層３００の材料は、ヤング率が所定の上限値以下であるという条件の下で、求められる伝熱性能等を考慮して適宜選定する必要がある。」 「【００５６】 図３のそれぞれのグラフは、接合層３００のヤング率（具体的には、－１００℃におけるヤング率）の値を変化させながら都度解析を行い、低温時において誘電体基板１００で生じる応力の最大値をプロットして行くことにより得られたものである。上記の「低温時」とは、具体的には、静電チャック１０全体の温度が４０℃の状態で接合層３００を硬化させた後に、静電チャック１０全体の温度を－１００℃まで低下させた時のことである。いずれの解析においても、誘電体基板１００のうち最も熱応力が高くなると算出された部分は、最外周に配置されたガス穴１４０の、面１１０側の端部近傍の部分であった。 【００５７】 各グラフの右側に付された「Ｔ１」や「Ｔ２」等の文字列は、接合層３００の厚さを表している。これらのうち、Ｔ１が最も薄く、Ｔ５が最も厚くなっている。 【００５８】 図３に示されるように、接合層３００のヤング率が大きくなるに従って、低温時に誘電体基板１００で生じる最大応力は大きくなることがわかる。また、接合層３００のヤング率を同一とした条件の下で比較すると、接合層３００の厚さが薄くなるほど、低温時に誘電体基板１００で生じる最大応力は大きくなることがわかる。 【００５９】 図３の縦軸に示される「閾値」は、誘電体基板１００において破損が生じることの無い最大応力の範囲、の上限値のことである。 【００６０】 同図の「Ｅ１」は、接合層３００の厚さが「Ｔ１」の静電チャック１０において、最大応力の値が上記閾値となるようなヤング率（Ｅ）の値である。「Ｅ２」は、接合層３００の厚さが「Ｔ２」の静電チャック１０において、最大応力の値が上記閾値となるようなヤング率（Ｅ）の値である。「Ｅ３」、「Ｅ４」、「Ｅ５」についてもこれらと同様である。Ｅ１乃至Ｅ５のそれぞれは、誘電体基板１００の破損を生じさせないために、「－１００℃におけるヤング率」の値として許容し得る範囲の上限値、ということができる。このようなヤング率の上限値のことを、以下では「許容ヤング率」とも称する。図３から明らかなように、許容ヤング率（Ｅ１乃至Ｅ５）は、接合層３００の厚さ（Ｔ１乃至Ｔ５）に応じて異なる値となる。 【００６１】 図４には、接合層３００の厚さであるＴ１乃至Ｔ５（横軸）と、許容ヤング率であるＥ１乃至Ｅ５（縦軸）との対応関係が示されている。同図に示されるように、両者の間には概ね一次の相関があることがわかる。図４に示される一次の相関は、以下の式（１）で表すことができる。 （許容ヤング率）＝０．０４×（接合層３００の厚さ）－０．０４・・・（１） 【００６２】 従って、－１００℃における接合層３００のヤング率であるＥと、接合層３００の厚さあるＴとが、以下の式（２）で示される条件を満たすのであれば、誘電体基板１００で生じる最大応力の値は図３の「閾値」以下に収まり、誘電体基板１００の破損は確実に防止されることとなる。 Ｅ≦０．０４×Ｔ－０．０４・・・（２）」 「【００６４】 上記の知見は、本実施形態のように、誘電体基板１００にガス穴１４０のような貫通穴が形成されている場合において特に有用である。このような構成においては、貫通穴のうち特に基板Ｗ側の端部近傍の部分で熱応力が大きくなる傾向がある。しかしながら、上記の式（２）の条件を満たすように接合層３００の厚さ及びヤング率を設定しておけば、誘電体基板１００に貫通穴が形成されている場合であっても、誘電体基板１００の破損が生じない程度に熱応力を抑制できることが、解析等により確認されている。 【００６５】 尚、ガス穴１４０等の貫通穴のうち、接合層３００とは反対側の端部（つまり面１１０側の端部）における直径が小さくなる程、誘電体基板１００で生じる熱応力は大きくなることが判明している。ガス穴１４０のように、不活性ガスの供給を目的とする貫通穴は、絶縁破壊を防止するために、直径が０．２ｍｍ以下の小さな穴とされることが多い。上記の式（２）の条件を満たすように接合層３００の厚さ及びヤング率を設定しておけば、貫通穴の直径が０．２ｍｍ以下となっている場合であっても、誘電体基板１００の破損が生じない程度に熱応力を抑制できることが、解析等により確認されている。尚、上記の記載は、貫通穴の直径を０．２ｍｍ以上とすることについて何ら否定するものではない。 【００６６】 接合層３００の厚さが薄くなるほど、誘電体基板１００に加わる熱応力は大きくなる。しかしながら、接合層３００の厚さを１００μｍ以下まで薄くした場合であっても、上記の式（２）の条件を満たすように接合層３００の材料を選定しておけば、誘電体基板１００の破損が生じない程度に熱応力を抑制することができる。つまり、本発明者らによって得られた上記知見によれば、接合層３００の厚さを、従来よりも薄い１００μｍ以下まで抑え、これにより接合層３００における伝熱性能を十分に高めながらも、熱応力による誘電体基板１００の破損を防止することが可能となる。尚、上記の記載は、接合層３００の厚さを１００μｍ以上とすることについて何ら否定するものではない。」 「【図３】 ［図：0001436167000001.jpg］ 」 （２） 引用発明 上記（１）によれば、引用文献１には、「静電チャック１０」について、以下の事項が記載されている。 ア 静電チャック１０は、誘電体基板１００と、ベースプレート２００と、接合層３００と、を備える（【００２４】）。 イ 誘電体基板１００は、セラミック焼結体からなる部材であり（【００２５】）、誘電体基板１００には、ガス穴１４０のような貫通孔が形成され（【００６４】）、ガス穴１４０を介して外部から温度調整用のヘリウムガスが供給され（【００２９】）、ガス穴１４０は複数形成されている（【００３５】）。 ウ ベースプレート２００は、金属材料により形成されている（【００３９】）。 エ 接合層３００は、誘電体基板１００とベースプレート２００との間に設けられた層であって、両者を接合している（【００４６】）。 オ 引用文献１には、接合層３００の厚さをＴ「μｍ」（【００４７】）、接合層３００の温度が－１００℃となっているときにおける接合層３００のヤング率をＥ「ＭＰａ」（【００５０】）としたときに、以下の式（２）で示される条件を満たすのであれば、誘電体基板１００の破損は確実に防止されることが記載されている。 Ｅ≦０．０４×Ｔ－０．０４・・・（２）（【００６２】） カ 上記オに関して、引用文献１には、「誘電体基板１００のうちガス穴１４０の出口部分においては熱応力が集中しやすく、当該部分を起点として誘電体基板１００の破損が生じる可能性がある」（【００５２】）こと、及び「誘電体基板１００のうち最も熱応力が高くなると算出された部分は、最外周に配置されたガス穴１４０の、面１１０側の端部近傍の部分であった」（【００５６】）こと、「式（２）で示される条件を満たすのであれば、誘電体基板１００で生じる最大応力の値は図３の「閾値」以下に収まり、誘電体基板１００の破損は確実に防止されること」（【００６２】）が記載されている。 そうすると、式（２）で示される条件を満たすヤング率は、接合層３００において、誘電体基板１００のうち最も熱応力が高くなる、最外周に配置されたガス穴１４０の、面１１０側の端部近傍の部分に破損が生じることのない値であるといえる。 キ 引用文献１には、上記イのガス穴１４０について、接合層３００とは反対側の端部における直径が０．２ｍｍ以下であること（【００６５】）が記載されている。 ク 以上によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 ［引用発明］ セラミック焼結体からなる部材であり、外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される貫通孔である複数のガス穴１４０が形成された誘電体基板１００と、 金属材料により形成されているベースプレート２００と、 誘電体基板１００とベースプレート２００とを接合する接合層３００と、を備え、 接合層３００の厚さをＴ「μｍ」、接合層３００の温度が－１００℃となっているときにおける接合層３００のヤング率をＥ「ＭＰａ」としたときに、以下の式（２）で示される条件を満たすものであり、 Ｅ≦０．０４×Ｔ－０．０４・・・（２） 式（２）で示される条件を満たすヤング率Ｅは、接合層３００において、誘電体基板１００のうち最も熱応力が高くなる、最外周に配置されたガス穴１４０の、面１１０側の端部近傍の部分に破損が生じることのない値であり、 さらに、ガス穴１４０は、接合層３００とは反対側の端部における直径が０．２ｍｍ以下である、 静電チャック１０。 ２ 引用文献２（甲５） （１） 引用文献２（甲５）の記載 取消理由で引用した引用文献２には、次の記載がある。 「【００２２】 以上詳述した本実施形態のセラミックスヒーター１０によれば、ガス供給孔１４ａが抵抗発熱体３０の回路３３の穴３３ｃを貫通し且つセラミックスプレート１１を貫通しているので、ガス供給孔１４ａを避けて抵抗発熱体３０が埋設されている場合に比べて、抵抗発熱体３０が形成されていない領域を小さくすることができる。（以下省略）」 「【００３１】 続いて、第１中間体とは別に誘電体層１１ａと同様の材料により、下層１１ｃとなる外径３５０ｍｍ，厚さ２ｍｍの円盤状の酸化アルミニウム焼結体を用意しておき、これに導電層と同じ印刷ペーストを用いて図３に示すパターンの抵抗発熱体３０を印刷した。抵抗発熱体３０の印刷厚みは２０μｍであった。なお、抵抗発熱体３０のうち回路３１は、酸化アルミニウム焼結体の中心と同心で内径２８３ｍｍ，外径３０２ｍｍの円環状の第１ゾーン内に位置しており、幅２．７ｍｍで、隣り合う帯の間隔は２．１ｍｍであった。同様に、回路３２は内径２５４ｍｍ，外径２８３ｍｍの第２ゾーン内に位置し幅２．７ｍｍで隣り合う帯の間隔は２．１ｍｍであった。回路３３は内径１８３ｍｍ，外径２５４ｍｍの第３ゾーン内に位置し幅４．４ｍｍで隣り合う帯の間隔は２．７ｍｍであった。回路３４は酸化アルミニウム焼結体の中心と同心で直径１８３ｍｍの第４ゾーン内に位置し幅４．７ｍｍで隣り合う帯の間隔は２．１ｍｍであった。なお、回路３３の所定の８箇所に開けられた穴３３ｃは直径３ｍｍであり、穴３３ｃの開けられた箇所は幅が４．４ｍｍよりも広い７．３ｍｍとなっている。（以下省略）」 「【図２】 ［図：0001436167000002.jpg］ 」 （２） 引用文献２記載事項 上記（１）によれば、引用文献２には、ガス供給孔１４ａをセラミックスプレート１１の内径１８３ｍｍ、外径２５４ｍｍの第３ゾーン内に位置する回路３３内に設けること、すなわちセラミックスプレート１１の中心軸からガス供給孔１４ａの中心軸との間の距離Ｘを９１．５ｍｍと１２７ｍｍの間の距離とすること（以下「引用文献２記載事項」という。）が記載されている。 第６ 申立理由及び取消理由についての判断 １ 本件発明１について （１） 対比 本件発明１と引用発明とを対比する。 ア 本件発明１の「誘電体基板」と引用発明の「誘電体基板１００」を対比すると、引用発明の「セラミック焼結体からなる部材」であることは、本件発明１の「セラミックにより形成された部材」であることに相当する。また、引用発明の誘電体基板１００に形成された「外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される貫通孔である複数のガス穴１４０」は、本件発明１の誘電体基板に形成された「温度調整用のガスを供給するための複数の貫通孔」に相当する。 したがって、引用発明の「セラミック焼結体からなる部材であり、外部から温度調整用のヘリウムガスが供給される貫通孔である複数のガス穴１４０が形成された誘電体基板１００」は、本件発明１の「セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板」に相当する。 イ 引用発明の「金属材料により形成されているベースプレート２００」は、本件発明１の「金属材料により形成されたベースプレート」に相当する。 ウ 上記ア、イを踏まえると、引用発明の「誘電体基板１００とベースプレート２００とを接合する接合層３００」は、本件発明１の「前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層」に相当する。 エ 引用発明の「静電チャック１０」は、誘電体基板１００、ベースプレート２００及び接合層３００を備える点で、本件発明１の「静電チャック」に相当する。 オ 以上によれば、本件発明１と引用発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。 ［一致点］ セラミックにより形成された部材であって、温度調整用のガスを供給するための複数の貫通穴が形成された誘電体基板と、 金属材料により形成されたベースプレートと、 前記誘電体基板と前記ベースプレートとの間を接合する接合層と、を備える 静電チャック。 ［相違点］ 本件発明１は、 「前記接合層の－６０℃におけるヤング率をＥ（ＭＰａ）とし、 前記誘電体基板の中心軸と前記貫通穴の中心軸との間の距離をＸ（ｍｍ）としたときに、 複数の前記貫通穴のうち、前記誘電体基板の中心軸から最も遠い位置にある前記貫通穴について、 Ｘ≧７５ｍｍであり、且つ、 Ｅ≦０．２０６３×Ｘ２－５９．３８８７×Ｘ＋４２７８．８０６５ が成り立つ（ただし、前記接合層の厚さがＴ（μｍ）とし、－１００℃における前記接合層のヤング率をＥ’（ＭＰａ）としたときに、 Ｅ’≦０．０４×Ｔ－０．０４ の条件を満たす場合を除く）」 と特定されているのに対し、引用発明は、 「接合層３００の厚さをＴ「μｍ」、接合層３００の温度が－１００℃となっているときにおける接合層３００のヤング率をＥ「ＭＰａ」としたときに、以下の式（２）で示される条件を満たし、 Ｅ≦０．０４×Ｔ－０．０４・・・（２） 式（２）で示される条件を満たすヤング率Ｅは、接合層３００において、誘電体基板１００のうち最も熱応力が高くなる、最外周に配置されたガス穴１４０の、面１１０側の端部近傍の部分に破損が生じることのない値であり」 というものである点。 （２） 判断 相違点について検討する。 引用文献１（上記第５の１（１）の【００５９】、【００６２】）の記載によれば、引用発明は、相違点に係る引用発明の構成を有することで、－１００℃における接合層３００のヤング率であるＥと、接合層３００の厚さであるＴとが、「Ｅ≦０．０４×Ｔ－０．０４・・・（２）」で示される条件を満たすのであれば、誘電体基板１００で生じる最大応力の値は、「閾値」、すなわち誘電体基板１００において破損が生じることのない最大応力の範囲の上限値以下に収まり、誘電体基板１００の破損は確実に防止されるというものであるといえるから、引用発明において、接合層３００の－１００℃におけるヤング率を、式（２）で示される条件の範囲外とすることは、想定していない事項である。 そうすると、引用発明の前記条件のものを除いたものに相当する相違点に係る本件発明１の構成は、当業者であっても、引用発明に基づいて容易に想到し得たものということはできない。 さらに、引用文献２を含む甲２～甲６にも、相違点に係る本件発明１の構成は記載も示唆もされていない。 したがって、本件発明１は、引用文献２を含む甲２～甲６の記載を参照しても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３） 申立人の主張 ア 申立人は、令和８年１月９日に提出した意見書「４．（１）（ｂ）」において、令和７年１０月６日付け取消理由通知書（決定の予告）「第５の２イ（ウ）」に「本件発明１のヤング率Ｅの不等式と、引用発明の式（２）は、表現が違うものの、引用発明の式（２）を満たす接合層３００は、同じ技術思想に基づく本件発明１のヤング率Ｅの不等式を満たすといえるから、本件発明１と引用発明における接合層のヤング率についての相違は実質的なものではない。」と記載されていることを踏まえれば、引用発明を除外した本件発明１も、引用発明と同じ技術的思想に基づくものであることに変わりないから、本件発明１は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張する。 イ しかしながら、上記（２）のとおり、本件発明１は、引用文献２を含む甲２～甲６の記載を参照しても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、申立人の主張は採用できない。 ２ 本件発明２、３について 本件発明２、３は、本件発明１の構成を全て備えたものであって、上記１（１）の相違点に係る本件発明１の構成を備えるから、上記１（２）で検討した理由と同様の理由により、引用文献２を含む甲２～甲６の記載を参照しても、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した申立理由によっては、本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。