2017-700630

特許第６０４８５４１号発明「パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法、並びに、銅部材接合用ペースト」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６０４８５４１号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６０４８５４１号の請求項１～８に係る特許についての出願は、平成２４年１２月６日（優先権主張　平成２４年２月１日）に出願した特願２０１２－２６７２９８号の一部を平成２６年７月１１日に新たな特許出願した特願２０１４－１４３５２２号の一部を、さらに平成２７年６月２５日に特許出願したもので、平成２８年１２月２日に特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人飯田進（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２　本件特許発明 特許第６０４８５４１号の請求項１～８の特許に係る発明（以下「本件特許発明１」～「本件特許発明８」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定されるとおりのものである。そのうち、本件特許発明１（パワーモジュール用基板の発明）及びその本件特許発明１を引用した本件特許発明４（パワーモジュール用基板の製造方法の発明）は以下のとおりのものである。 「【請求項１】 セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記セラミックス基板は、Ｓｉ３Ｎ４で構成されており、 前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているとともに、前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層が形成され、 前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満とされており、 前記窒化物層は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の窒化物を含有していることを特徴とするパワーモジュール用基板。」 「【請求項４】 請求項１に記載のパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇと窒化物形成元素とを含有するＡｇ及び窒化物形成元素層を形成するＡｇ及び窒化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び窒化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記窒化物形成元素は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素であり、 前記加熱工程において、加熱温度を７９０℃以上８５０℃以下の範囲内とし、前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に１～３５ｋｇｆ／ｃｍ２で加圧し、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成するとともに、前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層を形成し、 前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められる前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１μｍ未満とすることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。」 第３　申立理由の概要 申立人は、証拠として、次の甲第１号証～甲第４号証（以下「甲１」～「甲４」という。）を提出し、特許異議申立書（以下「申立書」という。）に「（３）申立ての根拠」として、 「全請求項 条文　特許法第２９条第１項第３号（同法第１１３条第２号） 証拠　甲第１号証ないし甲第３号証 条文　特許法第２９条第２項（同法第１１３条第２号） 証拠　甲第１号証ないし甲第４号証」（１０頁２～７行） と記載した上で、その具体的理由として、 特許法第２９条第１項第３号について（以下「理由１」という。）は、本件特許発明１～６及び８は、甲１又は２に記載された発明であり、本件特許発明１～３は、甲３に記載された発明であると主張し、 特許法第２９条第２項について（以下「理由２」という。）は、本件特許発明３は、甲１及び甲３に基づいて、本件特許発明４は、甲１又は甲２と、甲３に基づいて、本件特許発明５及び７は、甲１又は甲２と、甲４に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１～８に係る特許は、特許法第１１３条第２号の規定に該当し、取り消すべきものであると主張している。 甲１：特開２００３－５５０５８号公報 甲２：特開２００３－５５０５９号公報 甲３：特開２００３－１９２４６２号公報 甲４：特開２００５－１１２６７７号公報 第４　甲号証の記載事項 １　甲１について （１）甲１には、以下の事項が記載されている。なお、（２）の甲１発明の認定に関係する部分に当審において下線を付した。 （甲１ア）「【請求項１】窒化アルミニウム又は窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板とを、金属成分として、銀５０～８９％、銅１～３０％、ビスマス０．０５～０．７％、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれた少なくとも１種の活性金属１０～３０％を含んでなるろう材を介して積層し、それを１．０ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら、酸素濃度１００～１０００ｐｐｍの窒素雰囲気下、昇温速度及び降温速度を５．５℃／分以上にして接合することを特徴とするセラミック体と銅板の接合方法。 （甲１イ）「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、パワーモジュールに使用される回路基板の製造に好適なセラミック体と銅板との接合方法に関する。」 （甲１ウ）「【００１１】本発明において、活性金属はセラミック体に拡散し、ビスマスは、他の金属成分に比較して蒸気圧が高いので、蒸気化したビスマスは回路基板縁部まで行き渡り、活性金属とセラミックスの接合を阻害する雰囲気中の微量な酸素と結びつき、回路基板縁部の接合不良を改善する。」 （甲１エ）「【００１６】接合は、例えば温度７５０～９００℃で０．５～２時間保持して行われる。７５０℃未満では接合が十分でなく、また９００℃を超えると、銀や錫の銅板への拡散が過度となり、接合層が脆弱なものとなる。この温度範囲における保持時間が０．５時間よりも短いと接合が不十分となり、また２時間よりも長くなると、同様に銀や錫の銅板への拡散が過度となり、接合層が脆弱なものとなる。 【００１７】本発明においては、昇温開始から７５０℃までの昇温速度と、７５０℃から室温等の取り出し温度までの冷却速度が、いずれも５．５℃／分以上にして行われる。昇温速度が５．５℃／分未満であると、ろう材が酸化されてしまい、接合が不十分となる。また、冷却速度が５．５℃／分未満であると、６００℃以上の温度範囲において、ろう材のＡｇやＳｎ等の成分が銅板側へ拡散してしまうため、基板としての信頼性が低下する。また、６００℃よりも低温域において冷却速度が遅いことは生産性の向上につながらない。」 （甲１オ）【００２０】本発明によって製造される接合体は、接合層の厚みが８～１３μｍであることが好ましい。接合層の厚み８μｍ未満であると接合が不十分となり、また１３μｍを超えると、銅と錫の金属間化合物の生成量が増大し、接合層が脆弱なものとなる。接合層の厚みは、ろう材厚みによって容易に調節することができる。」 （２）甲１発明について 甲１には、上記摘記事項（下線部参照）から、以下の発明が記載されていると認められる。 「窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板とを接合したパワーモジュールに使用される回路基板であって、 窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板とを、金属成分として、銀５０～８９％、銅１～３０％、ビスマス０．０５～０．７％、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれた少なくとも１種の活性金属１０～３０％を含んでなるろう材を介して積層し、それを１．０ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら、酸素濃度１００～１０００ｐｐｍの窒素雰囲気下、温度７５０～９００℃、昇温速度及び降温速度を５．５℃／分以上にして接合し、　接合層の厚みが８～１３μｍである、 パワーモジュールに使用される回路基板。」（以下「甲１発明」という。） ２　甲２について （１）甲２には、以下の事項が記載されている。なお、（２）の甲２発明の認定に関係する部分に当審において下線を付した。 （甲２ア）「【０００３】 【発明が解決しょうとする課題】しかしながら、上記活性金属法又はＤＢＣ法は、セラミックス基板と金属板との積層体を１ユニットとして加熱接合されるものであるため生産性が劣った。この欠点を解決するには、２以上のユニットを積層し加熱処理すればよいが、この場合には、金属同士が融着し剥離が困難となる。」 （甲２イ）「【００３１】 【実施例】以下、実施例と比較例をあげて更に具体的に説明する。 【００３２】実施例１ 窒化アルミニウム基板（７０ｍｍ×３０ｍｍ×厚み０．６３５ｍｍ）の表裏両面に、銀粉末７２部、銅粉末２８部、ジルコニウム粉末２５部、テレピネオール１５部及び有機結合剤としてエチルセルロースのトルエン溶液を固形分で１部混合して得られたろう材ペーストを７ｍｇ／ｃｍ２（乾燥後）塗布し乾燥後、銅板（７０ｍｍ×３０ｍｍ×厚み０．２５ｍｍ）を表裏両面に積層した。 【００３３】 得られた積層体を１ユニットとする２５ユニットを各ユニット間にスペーサーを介在させて積層し、所定の圧力で加圧し、高真空中、９００℃、３０分加熱して接合体を製造した。スペーサーは、２枚の窒化ケイ素板（１枚の厚みを表１に記載）の間に黒鉛シート（東洋炭素社製：加重２５ＭＰａにおける圧縮率と厚みを表１に記載）を挟んだものを使用した。 【００３４】 得られた接合体の銅板上に紫外線硬化型のエッチングレジストをスクリーン印刷にて回路パターンに塗布後、塩化第２銅溶液を用いてエッチング処理を行って銅箔不要部分を溶解除去し、銅回路を形成した。更に、銅回路間に残留した不要ろう材及び活性金属成分と窒化アルミニウム基板の反応物を６０℃の１０％フッ化アンモニウム溶液に１０分間浸漬して除去した後、エッチングレジストを剥離し、銅回路を有する接合体を製造した。 【００３５】 得られた２５枚の銅回路を有する接合体について、銅回路の表面状態、銅回路の接合状態を観察した。それらの結果を表１に示す。 【００３６】 実施例２～１０　比較例１～６ 窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板（７０ｍｍ×３０ｍｍ×厚み０．６３５ｍｍ）の表裏両面に、表１に示される回路材質の金属板を接合した。回路材質が銅である場合は、実施例１に準じて銅回路を有する接合体を製造した。それらの結果を表１に示す。」 （甲２ウ）「【００４０】 表１から、次のことがわかる。本発明の実施例１～１０と比較例１～６の対比から、構成材料が同じスペーサーであってもそれらの構成比が違うと、金属の表面状態、金属とセラミックスの接合状態が異なり、本発明の実施例が優れている。特に、セラミックスペーサーの厚みが薄く、黒鉛スペーサーの圧縮率が大きいものを用いると、接合性の効果が顕著となる（実施例４、９）。一方、スペーサーの構成材料を本発明と違えると、追従性が十分に確保できないため、接合不良が生じ（比較例７～９）、スペーサー厚みが薄いと加圧時に破損が生じた（比較例７、８）。カーボンスプレーを用いた比較例１０では、良好な接合状態は得られたが、Ａｌ表面にカーボンの付着が認められ、Ａｌ表面の研削を行う必要があった。」 （２）甲２発明について 甲２には、上記摘記事項（下線部参照）から、以下の発明が記載されていると認められる。 「窒化ケイ素基板と銅回路を有する接合体であって、 窒化ケイ素基板の表裏両面に、銀粉末７２部、銅粉末２８部、ジルコニウム粉末２５部、テレピネオール１５部及び有機結合剤としてエチルセルロースのトルエン溶液を固形分で１部混合して得られたろう材ペーストを塗布し乾燥後、銅板を表裏両面に積層し、 得られた積層体を１ユニットとする２５ユニットを各ユニット間にスペーサーを介在させて積層し、所定の圧力で加圧し、高真空中、９００℃、３０分加熱して製造した、 接合体。」（以下「甲２発明」という。） ３　甲３について （１）甲３には、以下の事項が記載されている。なお、（２）の甲３発明の認定に関係する部分に当審において下線を付した。 （甲３ア）「【請求項１】窒化珪素基板の少なくとも一方の面に厚さ０．５ｍｍ以上の銅板が接合された窒化珪素回路基板において、前記銅板と窒化珪素基板とがＡｇ、Ｃｕおよび活性金属を含む接合層により接合されていることを特徴とする窒化珪素回路基板。」 （甲３イ）「【０００２】 【従来の技術】近年、パワートランジスタモジュールやスイッチング電源用モジュール等の比較的高電力を扱う半導体モジュールにおいて、セラミックス基板の表裏に銅板等の金属板または金属回路板を接合したセラミックス回路基板が使用されている。」 （甲３ウ）「【００１８】図１は本発明の窒化珪素回路基板を示した断面図である。本発明の窒化珪素回路基板１は、窒化珪素基板２の少なくとも一方の面に、接合層３により銅板４が接合されてなるものである。銅板４は、例えば回路板等として使用されるものであり、その厚さは少なくとも０．５ｍｍ以上である。本発明では、このような厚めの銅板４を使用することで、高い放熱性、電流容量を得ることができ、レーザーダイオードやパワートランジスタ等の比較的大電力を必要とするものを搭載することができる。」 （甲３エ）図１として、以下の図面が記載されている。 【図１】 （甲３オ）「【００２０】本発明の窒化珪素回路基板１においては、窒化珪素基板２と銅板４とは接合層３を介して接合されている。この接合層３は、Ａｇ、Ｃｕおよび活性金属等からなるものである。活性金属としては、Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種であることが好ましい。 【００２１】この接合層３はより具体的には、Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５と活性金属窒化物層６（ＴｉＮ等）とからなるものである。活性金属窒化物層６は、接合層３のうち窒化珪素基板２側に形成されるものであり、窒化珪素基板２と銅板４とを接合する際に使用した活性金属ろう材等に含まれていた活性金属と窒化珪素基板の窒素とが反応して形成されたものである。このようなＴｉＮ層等を形成することで、比較的高い接合強度を得ることができる。 【００２２】また、窒化珪素基板２に接合層３を介して接合される銅板４は、より具体的には、Ａｇ成分が拡散したことにより形成されたＡｇ拡散層７と、Ａｇ成分が拡散していない非拡散層８とからなるものであることが好ましい。このＡｇ拡散層７は、窒化珪素基板２と銅板４とを接合する際に、活性金属ろう材等に含まれていたＡｇ成分の拡散により、あるいは窒化珪素基板２と銅板４とを接合した後に、熱処理により接合層３に含まれていたＡｇ成分を拡散させることにより形成されたものである。 【００２３】このＡｇ成分が拡散されたＡｇ拡散層７は、銅板（Ａｇ成分が拡散されていない部分）の熱膨張率と窒化珪素基板の熱膨張率の間の熱膨張率を有するものである。このようなＡｇ拡散層７を銅板４に形成することで、例えば窒化珪素回路基板の構成を、銅板から窒化珪素基板へ向かって順に、銅板、銅板＋Ａｇ、Ａｇ＋Ｃｕ、ＴｉＮ、ＳｉＮのようにすることが可能となる。このように、徐々に熱膨張率を変化させていくことで、銅板と窒化珪素基板との熱膨張率の差に起因する熱応力の発生を緩和させることができ、窒化珪素基板へのクラックの発生や、銅板の剥離等を有効に抑制することが可能となる。また、板厚０．５ｍｍ以上と厚い銅板を接合しているにも関わらず熱応力の発生が緩和されるために、窒化珪素基板の板厚をこれまでよりも薄くすることが可能となる。このため、回路板として接合された板厚０．５ｍｍ以上の厚い銅板がヒートシンクの役割も果たし、さらに窒化珪素基板の板厚を薄くできるので回路基板としての熱抵抗を大幅に改善できる。 【００２４】Ａｇ成分の銅板への拡散は、銅板４の厚さをｔ１とし、Ａｇ成分が拡散した層の厚さ、すなわちＡｇ拡散層７の厚さをｔ２とした場合、以下の式で示されるような範囲となるようにすることが好ましい。なお、銅板４の厚さｔ１とは、Ａｇ拡散層７および非拡散層８の厚さを合わせたものである。 ０．５ ≧ ｔ２／ｔ１ ＞ ０．０１」 （甲３カ）「【００３６】本発明に用いられる活性金属ろう材としては、一般的な活性金属ろう材に比べてＣｕの含有量を少なめとし、Ａｇ成分を多めにすることが好ましく、例えば上記活性金属を１～１０質量％、Ｃｕを１０～２０質量％、残部が実質的にＡｇから成るろう材組成物が好適である。 【００３７】 本発明では、一般的な活性金属ろう材に比べてＣｕの含有量を若干少なめとし、Ａｇ成分を多めにすることで、次に行われる銅板へのＡｇ成分の拡散を適切かつ容易に行うことができる。特にＡｇとＣｕは約７２：２８の割合で所定温度に加熱すると共晶合金を形成する。そのため、従来はろう材中のＡｇとＣｕの割合を７２：２８の近傍となるようにしていた。そこで本発明ではろう材中のＣｕ量を若干少なめにすることにより余ったＡｇが共晶合金を作ろうと銅板中に拡散していく性質を利用したのである。」 （２）甲３発明について 甲３には、上記摘記事項（下線部参照）から、以下の発明が記載されていると認められる。 「窒化珪素基板の少なくとも一方の面に銅板が接合されたパワートランジスタモジュールに使用される窒化珪素回路基板であって、 前記銅板と窒化珪素基板とがＡｇ、Ｃｕおよび活性金属を含む接合層により接合されているもので、前記活性金属はＴｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種であり、 前記接合層は、Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５と活性金属窒化物層６（ＴｉＮ等）とからなり、活性金属窒化物層６は、接合層３のうち窒化珪素基板２側に形成されるものであり、 ＡｇとＣｕは約７２：２８の割合で所定温度に加熱すると共晶合金を形成する割合よりＣｕ量を若干少なめにすることにより余ったＡｇが共晶合金を作ろうと銅板中に拡散していくようにして、銅板から窒化珪素基板へ向かって順に、銅板、銅板＋Ａｇ、Ａｇ＋Ｃｕ、ＴｉＮ、ＳｉＮのようにした、 窒化珪素回路基板。」 ４　甲４について 甲４には、以下の事項が記載されている （甲４ア）「【請求項１】 セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材層を介して、予め所定の回路パターンを形成した金属板を接合してなるセラミックス回路基板に用いられるろう材であって、Ｃｕ：２５～５５質量％、Ｉｎ：５～２５質量％、Ｔｉ：０．２～２．０質量％、残部Ａｇ及び不可避不純物からなる平均粒子径１５～４０μｍの合金粉末に、さらに平均粒子径１～１５μｍのＣｕ粉末粒子を５～３０質量％添加したことを特徴とするセラミックス基板用ろう材。」 （甲４イ）「【００２３】 活性金属としては、周期律表第ＩＶａ族に属する元素を用いることができ、一般にはチタン、ジルコニウム、ハフニウムが用いられる。この中でも特にチタンは窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板との反応性が高く、接合強度を非常に高くすることができるため本発明ではチタン（Ｔｉ）を用いている。さらにチタンの水素化物、即ち水素化チタンを用いれば、接合工程中における酸素の影響による酸化が起こり難くなり、より好適な接合状態が得られる。これは水素化チタンは接合工程での加熱処理によって初めて水素を放出して活性な金属チタンとなり、これが窒化アルミニウム基板や窒化ケイ素基板と反応するためである。更に、これら活性金属成分を予め合金粉末中に含有させると、Ａｇ－Ｃｕ―Ｉｎ－Ｔｉの比が均一となり、加熱昇温時において、基板あるいは金属板に印刷されたろう材粉末の局所的な溶融むらが抑制でき、しいてはろう材融液中を拡散するＴｉを容易に制御することができるため、望ましい。ＡｇとＣｕおよびＩｎの合計量１００質量％に対する活性金属粉末の添加量は、活性金属粉末による窒化アルミニウム基板／窒化ケイ素基板－ろう材－銅板の間の接合強度を十分に保つためには、０．２～２．０質量％が好ましい。より好ましくは０．６～１．５質量％である。」 第５　申立理由についての判断 １　申立理由１について （１）本件特許発明１について ア　甲１発明に対して （ア）対比 本件特許発明１と甲１発明とを対比する。 ａ　甲１発明の「窒化珪素を主体とするセラミック体と銅板とを接合したパワーモジュールに使用される回路基板」は、本件特許発明１の「Ｓｉ３Ｎ４で構成されて」いる「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板」に相当する。 ｂ　本件特許発明１と甲１発明とは、 （一致点） 「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記セラミックス基板は、Ｓｉ３Ｎ４で構成されている。 パワーモジュール用基板。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点） 銅板とセラミックス基板との間について、本件特許発明１は「前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているとともに、前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層が形成され、前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満とされており、前記窒化物層は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の窒化物を含有している」のに対し、甲１発明は、「金属成分として、銀５０～８９％、銅１～３０％、ビスマス０．０５～０．７％、チタン、ジルコニウム及びハフニウムから選ばれた少なくとも１種の活性金属１０～３０％を含んでなるろう材を介して積層し、それを１．０ＭＰａ以上の圧力で加圧しながら、酸素濃度１００～１０００ｐｐｍの窒素雰囲気下、温度７５０～９００℃、昇温速度及び降温速度を５．５℃／分以上にして接合し、接合層の厚みが８～１３μｍである」点。 （イ）相違点についての判断 甲１発明の「接合層」について、摘記（甲１ウ）の「活性金属はセラミック体に拡散」するとの記載から、活性金属はセラミック体に拡散してしまうこと、摘記（甲１エ）の「９００℃を超えると、銀や錫の銅板への拡散が過度となり、接合層が脆弱なものとなる。この温度範囲における保持時間が０．５時間よりも短いと接合が不十分となり、また２時間よりも長くなると、同様に銀や錫の銅板への拡散が過度となり、接合層が脆弱なものとなる」との記載から、ろう材である金属を銅板の方へ拡散させるのではなく、接合層として存在させるものであることに鑑みると、甲１発明の「接合層」は、ろう材である主に銀及び銅からなるものといえる。そして、銀及び銅が「Ａｇ－Ｃｕ共晶組織」を形成することは（Ａｇ－Ｃｕ状態図から）技術常識であるから、甲１発明の「厚みが８～１３μｍ」の「接合層」は主に「Ａｇ－Ｃｕ共晶組織」を含むものといえる。 してみれば、甲１発明の「この接合層の厚みが８～１３μｍである」ことと、本件特許発明１の「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」であることとが同じことであるとは判断できない。 よって、上記相違点は実質的な相違点である。 なお、申立人は、申立書で「本件特許発明１は、本件特許発明４に係る方法で製造されたものである。（ア）で述べた通り、本件特許発明４は甲１発明に該当するので、本件特許発明１は甲１号証に記載された発明であり、特許法第２９条の規定に違反してなされたものである。」（申立書２６頁１６～１９行）と主張しているが、本件特許明細書の【表１】～【表１２】に記載されているように、共晶組織層の厚さが１μｍ未満である本件特許発明１は、本件特許発明４が特定する製造工程において、接合用ペーストの合金粉配合比（Ｃｕが含有されていない点に留意されたい。）、合金粉末中の最大粒径、ペースト中の粉末成分割合、接合条件（温度、荷重）、ペーストの膜厚等を調整することにより実現されているものであり、甲１発明の製造工程が本件特許発明４の製造工程を満たしても、当該調整をしていると認められない以上、甲１発明が上記相違点の構成を有するとはいえない。 （ウ）小括 したがって、本件特許発明１は、甲１に記載された発明とはいえない。 イ　甲２発明に対して （ア）対比 本件特許発明１と甲２発明とを対比する。 ａ　甲２発明の「窒化ケイ素基板の表裏両面に」「銅板を」「積層し」「接合」させた「窒化ケイ素基板と銅回路を有する接合体」と、本件特許発明１の「Ｓｉ３Ｎ４で構成されて」いる「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板」とは、「Ｓｉ３Ｎ４で構成されて」いる「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合された基板」の点で共通する。 ｂ　本件特許発明１と甲２発明とは、 （一致点） 「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合された基板であって、 前記セラミックス基板は、Ｓｉ３Ｎ４で構成されている、 基板。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 銅板とセラミックス基板との間について、本件特許発明１は「前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているとともに、前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層が形成され、前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満とされており、前記窒化物層は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の窒化物を含有している」のに対し、甲２発明では、「銀粉末７２部、銅粉末２８部、ジルコニウム粉末２５部、テレピネオール１５部及び有機結合剤としてエチルセルロースのトルエン溶液を固形分で１部混合して得られたろう材ペースト」を「所定の圧力で加圧し、高真空中、９００℃、３０分加熱して」接合している点。 （相違点２） 基板が、本件特許発明１では「パワーモジュール用」基板であるのに対し、甲２発明ではパワーモジュール用かどうか不明である点。 （イ）相違点についての判断 相違点１について検討するに、甲２発明は、摘記（甲２ア）に記載されているとおり、セラミックス基板と金属板との積層体を１ユニットとして加熱接合すると生産性が劣ることから、「得られた積層体を１ユニットとする２５ユニットを各ユニット間にスペーサーを介在させて積層し」て加熱接合するものであり、甲２に記載されている事項から理解できることは、摘記（甲２ウ）に記載されているとおり、スペーサーの構成材料及び構成比、スペーサーの厚み、スペーサーの圧縮率によって、金属とセラミックスの接合状態が異なってくるということである。 甲２発明においては「銀粉末７２部、銅粉末２８部、ジルコニウム粉末２５部、テレピネオール１５部及び有機結合剤としてエチルセルロースのトルエン溶液を固形分で１部混合して得られたろう材ペースト」を用いていることから、上記甲１発明と同様に、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層が生成するものと想定されるところではあるが、上記のとおり、甲２の記載から理解できることは、窒化ケイ素基板と銅板を加圧しながら加熱して接合しても、スペーサーの構成材料及び構成比、スペーサーの厚み、スペーサーの圧縮率によって、金属とセラミックスの接合状態が異なってくるということであり、甲２の記載事項から、甲２発明の接合体が「セラミックス基板と金属板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」であるとはいえない。 してみれば、本件特許発明１の「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」であることを含む上記相違点の構成を甲２発明が有しているとすることはできない。 よって、上記相違点は実質的な相違点である。 なお、申立人は、申立書で上記甲１発明と同様に、「本件特許発明１は、本件特許発明４に係る方法で製造されたものである。（キ）で述べた通り、本件特許発明４は甲２発明と同じであるので、本件特許発明１は甲２号証に記載された発明であり、特許法第２９条の規定に違反してなされたものである。」（申立書３１頁７～１０行）と主張しているが、本件特許明細書の【表１】～【表１２】に記載されているように、共晶組織層の厚さが１μｍ未満である本件特許発明１は、本件特許発明４が特定する製造工程において、接合用ペーストの合金粉配合比（Ｃｕが含有されていない点に留意されたい。）、合金粉末中の最大粒径、ペースト中の粉末成分割合、接合条件（温度、荷重）、ペーストの膜厚等を調整することにより実現されているものであり、甲２発明の製造工程が本件特許発明４の製造工程を満たしても、当該調整をしていると認められない以上、甲２発明が上記相違点の構成を有するとはいえないことは、上記ア（イ）でも述べたとおりである。 （ウ）小括 したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲２に記載された発明とはいえない。 ウ　甲３発明に対して （ア）対比 本件特許発明１と甲３発明とを対比する。 ａ　甲３発明の「窒化珪素基板の少なくとも一方の面に銅板が接合されたパワートランジスタモジュールに使用される窒化珪素回路基板」は、本件特許発明１の「Ｓｉ３Ｎ４で構成されて」いる「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板」に相当する。 ｂ　甲３発明の「窒化珪素基板２側に形成される」「活性金属窒化物層６（ＴｉＮ等）」は、本件特許発明１の「前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に」「形成されている」「窒化物層」に相当する。 そして、甲３発明の「活性金属窒化物層６（ＴｉＮ等）」は、「活性金属」が「Ｔｉ、Ｚｒ、ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種」であるから、本件特許発明１の「Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の窒化物を含有している」「前記窒化物層」に相当する ｃ　甲３発明の「ＡｇとＣｕは約７２：２８の割合で所定温度に加熱すると共晶合金を形成する割合よりＣｕ量を若干少なめにすることにより余ったＡｇが共晶合金を作ろうと銅板中に拡散していくようにして、銅板から窒化珪素基板へ向かって順に、銅板、銅板＋Ａｇ、Ａｇ＋Ｃｕ、ＴｉＮ、ＳｉＮのようにした」ところの「Ａｇ＋Ｃｕ」すなわち「Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５」は、ＡｇとＣｕの共晶合金を形成していることから、本件特許発明１の「前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層」に相当する。 ｄ　本件特許発明１と甲３発明とは、 （一致点） 「セラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記セラミックス基板は、Ｓｉ３Ｎ４で構成されており、 前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に窒化物層が形成されているとともに、前記窒化物層に積層するようにＡｇ－Ｃｕ共晶組織層が形成され、 前記窒化物層は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の窒化物を含有しているパワーモジュール用基板。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点） Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが、本件特許発明１では「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」であるのに対し、甲３発明では不明である。 （イ）相違点についての判断 甲３発明における「Ａｇ＋Ｃｕ」すなわち「Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５」は、「 前記銅板と窒化珪素基板とがＡｇ、Ｃｕおよび活性金属を含む接合層により接合されている」ものであるから接合層としての役割を担い、そして、摘記（甲３オ）に「銅板から窒化珪素基板へ向かって順に、銅板、銅板＋Ａｇ、Ａｇ＋Ｃｕ、ＴｉＮ、ＳｉＮのようにすることが可能となる。このように、徐々に熱膨張率を変化させていくことで、銅板と窒化珪素基板との熱膨張率の差に起因する熱応力の発生を緩和させることができ、窒化珪素基板へのクラックの発生や、銅板の剥離等を有効に抑制する」と記載されているように甲３発明の課題を解決するためになくてはならない層である。 また、摘記（甲３オ）に記載の式（０．５ ≧ ｔ２／ｔ１ ＞ ０．０１）から計算されるＡｇ拡散層７の厚さであるｔ２は、銅板４の厚さをｔ１を最小の０．５ｍｍとしても、５μｍより大きいことになり、上記図１は模式図であるが、Ａｇ拡散層７より大きく描かれている「Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５」を「１μｍ未満」であるとは推認できない。 よって、上記相違点である「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」であることは、実質的な相違点である。 （ウ）小括 したがって、本件特許発明１は、甲３に記載された発明とはいえない。 ウ　まとめ 以上のことより、本件特許発明１は、甲１～３のいずれに記載された発明ともいえないことから、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 （２）本件特許発明２～８について 本件特許発明２は本件特許発明１を引用するヒートシンク付パワーモジュール用基板の発明、本件特許発明３は本件特許発明１を引用するパワーモジュールの発明、本件特許発明４は本件特許発明１を引用するパワーモジュール用基板の製造方法の発明、本件特許発明５～７は本件特許発明４を直接又は間接的に引用するパワーモジュール用基板の製造方法の発明、本件特許発明８は本件特許発明６又は７を引用するパワーモジュール用基板の製造方法で使用される銅部材接合用ペーストの発明であり、本件特許発明２～８のいずれも本件特許発明１を直接又は間接的に引用する発明である。その本件特許発明１が、甲１～３のいずれに記載された発明ともいえないことから、本件特許発明２～８のいずれも、甲１～３のいずれに記載された発明ともいえない。すなわち、申立人が具体的理由として主張している、本件特許発明１～６及び８は、甲１又は２に記載された発明でもなく、本件特許発明１～３は、甲３に記載された発明でもない。 よって、本件特許発明２～８は、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。 ２　申立理由２について （１）本件特許発明１について ア　本件特許発明１は、本件特許明細書に記載されている「このＡｇ－Ｃｕ共晶組織層は非常に硬いことから、上述のパワーモジュール用基板に冷熱サイクルが負荷された際に、セラミックス基板と銅板との熱膨張係数の差に起因するせん断応力が作用したときに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層が変形せずに、セラミックス基板に割れ等が発生する」（【０００７】）という問題を解決するために、「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」と特定したものであり、本件特許明細書の【表１０】～【表１２】には本発明例である共晶厚さが＜１μｍであるものが、「セラミックス割れ」について「冷熱サイクル（－４５℃←→１２５℃）を５００回繰り返す毎にクラックの発生の有無を確認し、クラックが確認された回数で評価」（【０００７】）したところ、いずれも４０００回を上回るという格別顕著な効果も記載されている。 一方、「申立理由１について」で述べたように、甲１発明～甲３発明はいずれも「前記銅板と前記セラミックス基板の界面のＥＰＭＡによる反射電子像から、倍率２０００倍の視野において接合界面に連続的に形成された前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の面積を測定して測定視野の幅の寸法で除し、得られた値の５つの視野の平均値から求められた前記Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１μｍ未満」（上記１のア（ア）、イ（ア）及びウ（ア）の（相違点）参照）とする事項を有しないところ、上記甲１～甲４のいずれにも、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層は非常に硬いことから、当該層の厚さをできるだけ薄くする（１μｍ未満）ことによりセラミックス割れを抑えるという技術思想について記載も示唆もない。 してみれば、甲１発明における「接合層」であるＡｇ－Ｃｕ共晶組織層、甲２発明における「銀粉末７２部、銅粉末２８部」を「混合して得られたろう材ペースト」から生成されるＡｇ－Ｃｕ共晶組織層、甲３発明における「Ａｇ－Ｃｕ－活性金属の混在層５」であるＡｇ－Ｃｕ共晶組織層をできるだけ薄くするとの動機付けはないことから、甲１発明～甲３発明において上記事項に係る相違点を解消することは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 イ　小括 よって、本件特許発明１は、甲１～甲４の記載に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえないことから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。 （２）本件特許発明２～８について 本件特許発明２は本件特許発明１を引用するヒートシンク付パワーモジュール用基板の発明、本件特許発明３は本件特許発明１を引用するパワーモジュールの発明、本件特許発明４は本件特許発明１を引用するパワーモジュール用基板の製造方法の発明、本件特許発明５～７は本件特許発明４を直接又は間接的に引用するパワーモジュール用基板の製造方法の発明、本件特許発明８は本件特許発明６又は７を引用するパワーモジュール用基板の製造方法で使用される銅部材接合用ペーストの発明であり、本件特許発明２～８のいずれも本件特許発明１を直接又は間接的に引用する発明である。その本件特許発明１が、上記（１）のとおり、甲１～４の記載に基づいて当業者が容易に発明することができたものといえないことから、本件特許発明２～８のいずれも、甲１～甲４の記載に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。すなわち、申立人が具体的理由として主張している、本件特許発明３は、甲１及び甲３に基づいて、本件特許発明４は、甲１又は甲２と、甲３に基づいて、本件特許発明５及び７は、甲１又は甲２と、甲４に基づいて、いずれも当業者が容易に発明することができたものとはいえない。 よって、本件特許発明２～８は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものではない。 第６　むすび 以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～８に係る特許が、特許法第１１３条第２号の規定に該当するものとして取り消すことはできない。 また、他に請求項１～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。