2017-700675

特許第６０５６４３２号発明「パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

【結　論】 特許第６０５６４３２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－４〕、〔５－９〕について訂正することを認める。 特許第６０５６４３２号の請求項１ないし７及び９に係る特許を維持する。 特許第６０５６４３２号の請求項８に係る特許についての本件特許異議の申立てを却下する。

【理　由】 第１　手続の経緯 特許第６０５６４３２号の請求項１ないし９に係る特許についての出願は、平成２４年１２月６日に特許出願され、平成２８年１２月１６日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、平成２９年７月１１日に特許異議申立人　飯田進により特許異議の申立てがされ、平成２９年１０月５日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２９年１２月８日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して特許異議申立人から平成３０年２月１３日付けで意見書が提出されたものである。 第２　訂正の適否についての判断 １．訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は以下（１）及び（２）のとおりである。 （１）請求項１ないし４からなる一群の請求項に係る訂正 ア．訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に酸化物層が形成されているとともに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」とあるのを、 「Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記パワーモジュール用基板の製造工程は、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とすることにより、 前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に酸化物層が形成されているとともに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」に訂正する。 イ．訂正事項２ 明細書の段落【０００９】に 「このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に酸化物層が形成されているとともに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とされていることを特徴としている。」とあるのを、 「このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、前記パワーモジュール用基板の製造工程は、前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とすることにより、前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に酸化物層が形成されているとともに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とされていることを特徴としている。」に訂正する。 （２）請求項５ないし９からなる一群の請求項に係る訂正 ア．訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項５に 「Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成するＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成するとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。」とあるのを、 「Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とするとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。」に訂正する。 イ．訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項８を削除する。 ウ．訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項９に 「前記Ａｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストは、前記酸化物形成元素の水素化物を含有していることを特徴とする請求項８に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。」とあるのを、 「前記Ａｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストは、前記酸化物形成元素の水素化物を含有していることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。」に訂正する。 エ．訂正事項６ 明細書の段落【００１４】に 「本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成するＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成するとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成することを特徴としている。」とあるのを、 「本発明のパワーモジュール用基板の製造方法は、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とするとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成することを特徴としている。」に訂正する。 オ．訂正事項７ 明細書の段落【００１８】を削除する。 ２．訂正の適否についての判断 （１）請求項１ないし４からなる一群の請求項に係る訂正について ア．一群の請求項について 訂正前の請求項１ないし４において、請求項２ないし４は、訂正する請求項１を直接又は間接的に引用しているものであるから、請求項１ないし４は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 イ．訂正事項１について （ア）訂正の目的について 訂正事項１は、訂正前の請求項１において銅板とセラミックス基板との間に「形成されている」ものとして記載されている「酸化物層」及び「Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層」に関して、それらの形成工程を特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項１のうち、 「前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程」については、願書に添付した特許請求の範囲の【請求項５】及び明細書の段落【００４３】等に記載されており、 「このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程」については、願書に添付した特許請求の範囲の【請求項５】及び明細書の段落【００４４】等に記載されており、 「積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程」については、願書に添付した特許請求の範囲の【請求項５】及び明細書の段落【００４５】、【０１００】～【０１０２】（【表４】～【表６】）等に記載されており、 「この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程」については、願書に添付した特許請求の範囲の【請求項５】及び明細書の段落【００４６】等に記載されており、 「前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とすること」については、願書に添付した特許請求の範囲の【請求項５】及び明細書の段落【００４５】、【００５１】等に記載されている。 したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項１は特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ウ．訂正事項２について （ア）訂正の目的について 訂正事項２は、上記訂正事項１に係る訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）関係する請求項について 明細書の訂正である訂正事項２に関係する一群の請求項の全て（請求項１ないし４）が訂正請求の対象とされているから、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。 （ウ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項１について上記イ（イ）で示したのと同様の理由で、訂正事項２は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （エ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）で示したとおり、訂正事項２は上記訂正事項１と整合をとるためのものであるから、上記訂正事項１と同様に、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 （２）請求項５ないし９からなる一群の請求項に係る訂正について ア．一群の請求項について 訂正前の請求項５ないし９において、請求項６ないし９は、訂正する請求項５を直接又は間接的に引用しているものであるから、請求項５ないし９は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 イ．訂正事項３について （ア）訂正の目的について 訂正事項３は、訂正前の請求項５における「Ａｇ及び酸化物形成元素層形成工程」における当該層の具体的形成手法及び厚さについて特定し、また、「加熱工程」における圧力の数値範囲を特定し、「凝固工程」の後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さの数値範囲を特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項３のうち、 「前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程」については、願書に添付した明細書の段落【００４３】等に記載されており、 「積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程」については、願書に添付した明細書の段落【００４５】、【０１００】～【０１０２】（【表４】～【表６】）等に記載されており、 「前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とするとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成すること」については、願書に添付した明細書の段落【００４５】、【００５１】等に記載されている。 したがって、訂正事項３は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項３は特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ウ．訂正事項４について （ア）訂正の目的について 訂正事項４は、請求項を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項４は、請求項を削除するものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項４は、請求項を削除するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 エ．訂正事項５について （ア）訂正の目的について 訂正事項５は、訂正事項４によって請求項８を削除するのにともない、請求項９の引用請求項数を減少するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項５は、引用請求項数を減少するものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）に示したとおり、訂正事項５は、引用請求項数を減少するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 オ．訂正事項６について （ア）訂正の目的について 訂正事項６は、上記訂正事項３に係る訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）関係する請求項について 明細書の訂正である訂正事項６に関係する一群の請求項の全て（請求項５ないし９）が訂正請求の対象とされているから、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。 （ウ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項３について上記イ（イ）で示したのと同様の理由で、訂正事項６は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （エ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）で示したとおり、訂正事項６は訂正事項３と整合をとるためのものであるから、当該訂正事項３と同様に、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 カ．訂正事項７について （ア）訂正の目的について 訂正事項７は、上記訂正事項４に係る訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 （イ）関係する請求項について 明細書の訂正である訂正事項７に関係する一群の請求項の全て（請求項５ないし９）が訂正請求の対象とされているから、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合するものである。 （ウ）願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 訂正事項７は、上記訂正事項４によって削除される請求項８の記載と対応する明細書の記載を削除するものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 （エ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて 上記（ア）で示したとおり、訂正事項７は上記訂正事項４と整合をとるためのものであるから、上記訂正事項４と同様に、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 ３．まとめ 以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合する。 また、本件特許異議の申立ては、本件訂正前の全ての請求項に対してされているので、訂正事項１及び３ないし５に関して、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 したがって、本件訂正請求は適法なものであり、訂正後の請求項〔１ないし４〕、〔５ないし９〕について訂正することを認める。 第３　特許異議の申立てについて １．本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１ないし９に係る発明（以下「本件発明１ないし９」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。（下線は訂正された箇所を示す。） 「【請求項１】 Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板であって、 前記パワーモジュール用基板の製造工程は、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とすることにより、 前記銅板と前記セラミックス基板との間において、前記セラミックス基板の表面に酸化物層が形成されているとともに、Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 【請求項２】 前記酸化物層は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素の酸化物を含有していることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板。 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板を冷却するヒートシンクと、を備えたことを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。 【請求項４】 請求項１又は請求項２に記載のパワーモジュール用基板と、該パワーモジュール用基板上に搭載される電子部品と、を備えたことを特徴とするパワーモジュール。 【請求項５】 Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の表面に銅または銅合金からなる銅板が積層されて接合されたパワーモジュール用基板の製造方法であって、 前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程と、 このＡｇ及び酸化物形成元素層を介して前記セラミックス基板と前記銅板と積層する積層工程と、 積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程と、 この溶融金属領域を凝固させることによって、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する凝固工程と、を有し、 前記加熱工程において、Ａｇを前記銅板側に拡散させることにより前記セラミックス基板と前記銅板との界面に前記溶融金属領域を形成して、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とするとともに、前記セラミックス基板の表面に酸化物層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 【請求項６】 前記酸化物形成元素は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂから選択される１種又は２種以上の元素であることを特徴とする請求項５に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。 【請求項７】 前記Ａｇ及び酸化物形成元素層形成工程では、Ａｇ及び酸化物形成元素以外に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｍｎ及びＺｎから選択される１種又は２種以上の添加元素を配設させることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。 【請求項８】（削除） 【請求項９】 前記Ａｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストは、前記酸化物形成元素の水素化物を含有していることを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。」 ２．取消理由の概要 訂正前の請求項１ないし９に係る特許に対して平成２９年１０月５日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 （１）請求項１ないし６に係る発明は、引用文献１（甲第３号証）及び引用文献２（甲第１号証）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項７及び８に係る発明は、引用文献１ないし引用文献３（甲第４号証）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項９に係る発明は、引用文献１ないし引用文献４（甲第５号証）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 ＜引用文献一覧＞ １．特開２０１２－６４８０１号公報（甲第３号証） ２．特開昭６０－２３９３７３号公報（甲第１号証） ３．特開平１１－１２０５１号公報（甲第４号証） ４．特開２００５－１１２６７７号公報（甲第５号証） （２）請求項５ないし９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。 ３．引用文献１の記載 引用文献１（甲第３号証：特開２０１２－６４８０１号公報）には、「ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。） （１）「【技術分野】 【０００１】 この発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。」 （２）「【０００２】 半導体素子の中でも電力供給のためのパワーモジュールは、発熱量が比較的高いため、これを搭載する基板としては、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミ）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）などからなるセラミックス基板の一方の面側に第一の金属板が接合されるとともに、セラミックス基板の他方の面側に第二の金属板を介してヒートシンクが接続されたヒートシンク付パワーモジュール用基板が用いられる。 このようなヒートシンク付パワーモジュール基板では、第一の金属板に回路パターンが形成され、この第一の金属板の上に、はんだ材を介してパワー素子の半導体チップが搭載される。」 （３）「【００９０】 次に、本発明の第３の実施形態について、図１６から図１８を参照して説明する。 図１６に示すパワーモジュール２０１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０の搭載面２２２Ａ上にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３（電子部品）と、を備えている。ここで、はんだ層２は、例えばＳｎ－Ａｇ系、Ｓｎ－Ｉｎ系、若しくはＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、搭載面２２２Ａとはんだ層２との間にＮｉメッキ層（図示なし）が設けられている。 【００９１】 ヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０は、セラミックス基板２２１と、このセラミックス基板２２１の一方の面（図１６において上面）に接合された第一の金属板２２２と、セラミックス基板２２１の他方の面（図１６において下面）に接合された第二の金属板２２３とを備えたパワーモジュール用基板２２０と、ヒートシンク２１１と、を備えている。 【００９２】 セラミックス基板２２１は、第一の金属板２２２と第二の金属板２２３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）で構成されている。また、セラミックス基板２２１の厚さは、０．２～１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３２ｍｍに設定されている。 【００９３】 第一の金属板２２２は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では、タフピッチ銅の圧延板とされている。また、その板厚は０．１～１．０ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６ｍｍに設定されている。 この第一の金属板２２２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図１６において上面）が、半導体チップ３が搭載される搭載面２２２Ａとされている。 （中略） 【０１０１】 以下に、前述の構成のヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０の製造方法について説明する。 【０１０２】 まず、図２０及び図２１に示すように、銅からなる第一の金属板２２２と、セラミックス基板２２１とを接合する（銅板接合工程Ｓ２０１）。ここで、Ｓｉ３Ｎ４からなるセラミックス基板２２１と第一の金属板２２２とは、いわゆる活性金属法によって接合されている。この活性金属法では、図２１に示すように、セラミックス基板２２１と第一の金属板２２２との間に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉからなるろう材２２５を配設して、セラミックス基板２２１と第一の金属板２２２とを接合するものである。 なお、本実施形態では、Ａｇ－２７．４質量％Ｃｕ－２．０質量％Ｔｉからなるろう材２２５を用いて、１０－３Ｐａの真空中にて、８５０℃で１０分加熱することによって、セラミックス基板２２１と第一の金属板２２２とを接合している。 （中略） 【０１０９】 以上のような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０によれば、上述の第１、第２の実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板と同様の作用効果を奏することになり、第一の金属板２２２の上に搭載された半導体チップ３等の発熱体からの熱を効率良く促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板２２１の割れの発生を抑制し、信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０を提供することが可能となる。 【０１１０】 また、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉのろう材２２５を用いた活性金属法によって、第一の金属板２２２とセラミックス基板２２１とを接合しているので、第一の金属板２２２及びセラミックス基板２２１に酸素を介在させることなく、パワーモジュール用基板２２０を構成することができる。」 したがって、第３の実施形態に着目して、上記（１）及び（３）並びに図面の記載を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 「Ｓｉ３Ｎ４で構成されたセラミックス基板２２１と銅又は銅合金からなる第一の金属板２２２を、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉからなるろう材２２５を用いた活性金属法によって接合する、パワーモジュール用基板の製造方法。」 ４．当審の判断 （１）取消理由通知に記載した取消理由について ア．特許法第２９条第２項について （ア）本件発明５について まず、本件発明５について検討する。 本件発明５と引用発明とを対比すると、引用発明の「パワーモジュール用基板」「セラミックス基板２２１」「銅又は銅合金からなる第一の金属板２２２」は、本件発明５の「パワーモジュール用基板」「セラミックス基板」「銅または銅合金からなる銅板」にそれぞれ相当するから、本件発明５と引用発明は以下の点で相違し、その余の点で一致する。 ＜相違点１＞ セラミックス基板が、本件発明５においては「Ａｌ２Ｏ３」からなるのに対して、引用発明においては「Ｓｉ３Ｎ４」で構成されている点。 ＜相違点２＞ セラミックス基板と銅板の接合に関して、本件発明５においては、（ａ）「前記セラミックス基板の接合面及び前記銅板の接合面のうち少なくとも一方に、Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布することにより、Ａｇと酸化物形成元素とを含有するＡｇ及び酸化物形成元素層を形成し、乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とするＡｇ及び酸化物形成元素層形成工程」及び（ｂ）「積層された前記セラミックス基板と前記銅板を積層方向に６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧するとともに加熱し、前記セラミックス基板と前記銅板との界面に溶融金属領域を形成する加熱工程」を有するとともに、（ｃ）「凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とする」のに対して、引用発明においては、「Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉからなるろう材２２５を用いた活性金属法によって接合する」ことが特定されているだけである点。 特に、引用発明においては、上記（ａ）のように「Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布すること」及び「乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とする」こと、上記（ｂ）のように加熱時に「６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力で加圧する」こと、上記（ｃ）のように「凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とする」ことは特定されていない点。 そこで、上記各相違点について検討すると、まず相違点１については、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるセラミックス基板は、パワーモジュール用基板としてごく普通に用いられている（例えば、引用文献１の上記３．（２）で摘示した記載を参照。）から、引用発明の上記セラミックス基板２２１として、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなるセラミックス基板を用いることは、当業者にとって格別の創意工夫を要することではない。 次に、相違点２について検討する。 引用文献２（甲第１号証：特開昭６０－２３９３７３号公報）には、アルミナ部材と銅板（金属部材）とを接合する方法について記載されており（［発明の概要］及び［発明の実施例］の欄を参照。）、具体的には、 前記アルミナ部材又は前記銅板に、Ａｇ－Ｔｉ又はＡｇ－Ｔｉ－Ｃｕからなる厚さ０．５～１０μｍの層を堆積することにより、前記アルミナ部材と前記銅板の接合部に前記層を介在させ（第３頁右上欄第１１行～同頁右下欄第５行）、 次いで、前記アルミナ部材と前記銅板を接合面で重ね合わせ（第３頁右下欄第６行～第７行）、 低圧（０～１ｋｇ／ｍｍ２）を加えて加熱し、この熱処理により、前記アルミナ部材と前記銅板の間に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉの合金融液が生成され（第３頁右下欄第７行～第１４行）、 この後冷却することにより前記アルミナ部材と前記銅板とが強固に接合され（第３頁右下欄第１４行～第１６行）、 上記加熱工程において、前記合金融液を前記銅板に拡散させる（第４頁左上欄第１行～第２行） ことが記載されている。 そして、引用文献２には、前記加熱（熱処理）の工程において、前記アルミナ部材の表面に酸化物層が形成されることは明記されていないが、本件発明５と同様に、前記合金融液に含まれる活性金属であるＴｉが前記アルミナ部材と反応して酸化物層を形成することは、当業者にとって自明のことであり、そうすると、前記Ｔｉは、酸化物形成元素であるということができる。 しかしながら、引用文献２には、Ａｇ－Ｔｉ又はＡｇ－Ｔｉ－Ｃｕからなる層を介在させる手法として「Ａｇ，Ｔｉ，Ｃｕの金属箔を用いて介在させる方法、或はＡｇ，Ｔｉ，Ｃｕをスパッタリング法，蒸着法，めっき法等によりアルミナ部材又は金属部材に堆積して介在させる方法」が記載されているだけで、本件発明５の上記（ａ）のように「Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペーストを塗布すること」は記載されておらず、したがって、「乾燥後のＡｇ及び酸化物形成元素層の厚さを６０μｍ以上３００μｍ以下とする」ことも記載されていない。また、引用文献２には、上記（ａ）のようにして形成したＡｇ及び酸化物形成元素層を介して、上記（ｂ）のように「６ｋｇｆ／ｃｍ２以上３５ｋｇｆ／ｃｍ２以下の圧力」で加圧することも記載されていない。さらに、上記（ａ）及び（ｂ）の工程を経た上で、上記（ｃ）のように「凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とする」ことも記載されていない。 そして、相違点２に係る上記（ａ）ないし（ｃ）の事項により、本件発明５は、「冷熱サイクル負荷時にＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板と銅板との熱膨張係数の差に起因するせん断応力が作用した場合であっても、銅板側が適度に変形することになり、Ａｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板の割れを抑制することができる。」（本件の特許明細書の【００１０】）という顕著な効果を奏するものである。 したがって、本件発明５は、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 また、取消理由通知で引用した引用文献３（甲第４号証：特開平１１－１２０５１号公報）及び引用文献４（甲第５号証：特開２００５－１１２６７７号公報）、並びに、特許異議申立人が提出した甲第２号証（化学大辞典）にも、上記（ａ）ないし（ｃ）の事項は記載されていないから、引用文献３及び引用文献４並びに甲第２号証の記載を参酌しても、本件発明５は、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （イ）本件発明６、７及び９について 本件発明６、７及び９は本件発明５の発明特定事項を全て含むものであるから、上記（ア）で述べたのと同様の理由で、本件発明６、７及び９は、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （ウ）本件発明１ないし５について 本件発明１も、上記（ア）で挙げた相違点２に係る上記（ａ）ないし（ｃ）の事項を含む「パワーモジュール用基板の製造工程」を発明特定事項として備えているから、上記（ア）で述べたのと同様の理由で、本件発明１は、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 また、本件発明２ないし４は本件発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、本件発明１と同様に、本件発明２ないし４も、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 （エ）まとめ 以上のとおりであるから、請求項１ないし７及び９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。 イ．特許法第３６条第６項第１号について 本件特許明細書に「比較例１、２、５１、５２においては、共晶組織厚さが１５μｍを超えており、少ないサイクル数でＡｌ２Ｏ３からなるセラミックス基板にクラックが発生した。」（【０１１３】）と記載されているように、比較例１、２、５１、５２は、共晶組織厚さが１５μｍを超えているため、セラミック基板の割れの発生を抑制するという課題（【０００８】）を解決することはできていない。 これに対して、本件訂正請求による訂正前の請求項５に記載の製造方法においては、共晶組織厚さについて特定されていないので、前記比較例１、２、５１、及び５２も含み得るものであったが、本件訂正請求による訂正後の請求項５（本件発明５）の製造方法においては、「凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さを１５μｍ以下とする」という発明特定事項を有しているから、凝固後のＡｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さがいずれも１５μｍを超える比較例１、２、５１、及び５２は、本件発明５の製造方法には含まれない。 したがって、上記比較例１、２、５１、及び５２の評価結果を根拠にして、訂正後の請求項５及びその従属請求項である訂正後の請求項６、７及び９の記載に課題解決手段が反映されていないということはできない。 よって、請求項５ないし７及び９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであるということはできない。 （２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 特許異議申立人は、特許異議申立書において、請求項１、２、５、及び６に記載された発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、請求項１、２、５、及び６に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、また、請求項３、４、７ないし９に記載された発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３ないし５号証に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項３、４、７ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであると主張している。 しかしながら、甲第１号証（引用文献２）には、「アルミナと金属との接合方法」について記載されてはいるが、「パワーモジュール用基板」及び「パワーモジュール用基板の製造方法」については記載されておらず、さらに、上記（１）ア（ア）で説示したように上記（ａ）ないし（ｃ）の事項も記載されていない。 したがって、請求項１、２、５、及び６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。 また、上記（１）ア．（ア）で説示したとおり、特許異議申立人が提出した他のいずれの文献にも、上記（ａ）ないし（ｃ）の事項は記載されていないから、請求項３、４、７及び９に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３ないし５号証に記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。 よって、特許異議申立人の上記主張は理由がない。 （３）特許異議申立人の意見について 特許異議申立人は、平成３０年２月１３日付け意見書において、訂正後の請求項１及び５に記載の「Ａｇ及び酸化物形成元素を含有するＡｇ及び酸化物形成元素層含有ペースト」はＣｕを含み得るものであるため、「冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できる」という課題を解決できるかが不明であるから、請求項１ないし７及び９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである旨を主張している。 しかしながら、訂正後の請求項１及び５に係る発明は、いずれも「Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とする」という発明特定事項を有しており、本件特許明細書全体の記載からみて、そのような厚みとすることによって、「冷熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制できる」という課題を解決できることは明らかであるから、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 なお、特許異議申立人は、上記意見書において、本件特許明細書に記載の比較例５１の評価結果を用いて特許法第３６条第４項第１号に規定する要件についても意見を述べている。しかしながら、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件は、特許異議申立書に記載の申立て理由に含まれておらず、かつ、上記（１）イで説示したように、訂正前の請求項５に記載の製造方法は上記比較例５１も含み得るものであったことを勘案すれば、訂正請求の内容に付随して生じた理由であるともいえないから、上記意見は実質的に新たな理由を提示するものである。 よって、特許異議申立人の上記意見を採用することはできない。仮に、上記意見が訂正請求の内容に付随して生じたものであったとしても、上述したとおり、訂正後の請求項１及び５に係る発明は、いずれも「Ａｇ－Ｃｕ共晶組織層の厚さが１５μｍ以下とする」という発明特定事項を有しており、上記比較例５１が含まれないことは明らかであるから、特許異議申立人の上記意見を採用することはできない。 第４　むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし７及び９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１ないし７及び９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件訂正によって本件請求項８は削除されたため、本件請求項８に係る特許についての本件特許異議の申立ては、対象となる請求項が存在しないから却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。