2025-701018

特許第７６６８８４９号発明「窒化ケイ素焼結体、回路基板、および窒化ケイ素焼結体の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６６８８４９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７、１２〕について訂正することを認める。 特許第７６６８８４９号の請求項１～４、６及び１２に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６６８８４９号（請求項の数１２。以下、それぞれ「本件特許１」などといい、まとめて「本件特許」という。）は、令和５年６月２１日を出願日とする特許出願（特願２０２３－１０１４０２号）に係るものであって、令和７年４月１７日に設定登録され、同年４月２５日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後、同年１０月２２日提出の特許異議申立書（以下、「申立書」という。）により、その請求項１～４、６及び１２に係る特許に対し、特許異議申立人である金田綾香（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされ、令和８年１月１４日付けで取消理由が通知され、同年２月２４日に特許権者により意見書及び訂正請求書の提出がされた。 なお、令和８年２月２４日提出の訂正請求書に対して、申立人に期間を指定して意見書を提出する機会を設けたが、指定期間内に意見書は提出されなかった。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和８年２月２４日に提出された訂正請求書における訂正の請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１～７、１２〕を訂正の単位として訂正することを求めるものであり、その内容（訂正事項）は、次のとおりである（訂正箇所に下線を付した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相と有する窒化ケイ素焼結体であって、 前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 と記載されているのを、 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、フッ素元素が所定割合残留している窒化ケイ素焼結体であって、 前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 に訂正する（請求項１を直接又は間接的に引用する場合の請求項２、４～７、１２も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３に 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有する窒化ケイ素焼結体であって、 前記粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなり、 所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 と記載されているのを、 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、フッ素元素が所定割合残留している窒化ケイ素焼結体であって、 前記粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなり、 所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」 に訂正する（請求項３を直接引用する場合の請求項４～７、１２も同様に訂正する）。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件の適否について）の判断 （１）訂正事項１について ア 訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１記載の「窒化ケイ素焼結体」に対し、「フッ素元素が所定割合残留している」との限定を加え、「窒化ケイ素焼結体」の範囲を狭めるものであるから、本件特許の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 次に、訂正事項１が、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。また、当審が注目した記載箇所に下線を付した（以下、同じ。）。）に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて検討する。 （ア）本件明細書等においては、 【００３５】に、 「本発明の窒化ケイ素焼結体は、その原料に添加剤として第２族元素フッ化物を添加することで、窒化ケイ素粉末のフッ素量（不純物量）によらず、基板表面のエッチングむらを抑えるために、焼結体の粒界相の結晶化を効果的に制御することを可能とした。すなわち、窒化ケイ素焼結体は、エッチングむらの軽減とともに、エッチング処理後の窒化ケイ素焼結体の基板表面における絶縁耐圧性能や耐エッチング性を改善したものである。ここで、第２族元素フッ化物は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのフッ化物からなる群から選択された１つ以上である。特に、第２族元素フッ化物は、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはそれらの組み合わせであることが好ましい。第２族元素フッ化物がＣａＦ２を含む場合、焼成時の液相中に導入されたＣａイオンとＦイオンが焼結後も粒界相に残留し、粒界相の凝固温度を低下させ、粒界結晶化抑制を容易にすることが考えられる。一方、第２族元素フッ化物がＭｇＦ２を含む場合、ＭｇイオンがＭｇＯと同様に焼結体の緻密化を促進する。本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、好ましくは、０．０５～０．２重量％のフッ素元素を含むように構成された。」と記載され、 【００４４】に、 「次に、第２族元素フッ化物（ＣａＦ２）の添加による窒化ケイ素焼結体の特性の変化について考察する。添加剤としてのＣａＦ２粉末を所定の添加量で添加した混合体（そのシート成形体）の焼結過程では、酸窒化ガラスの液相組成へＣａイオンおよびＦイオンが加わる。ＣａイオンはＳｉとＭｇを含む酸窒化ガラスと共晶化合物を形成することでガラスの融点を下げる効果がある。また、Ｆイオンを酸窒化ガラスへ導入することでも液相中への窒素溶解度を増加させてガラス融点を低下させるとともに、２つのＦイオンが１つのＯイオンを置換することでガラス分子の重合度が低下し、液相の粘度を低下させることができる。これらの効果によって液相の焼結初期の緻密化の開始温度が低下させるとともに、粒界ガラス層の均一性を向上させ、焼結初期における緻密化を促進させる効果がある。焼結初期段階で緻密化を進めておくと、焼結初期から焼結後期までの全焼結過程で観察される成形体からの収縮割合に対する、焼結中期から焼結後期までの加熱過程で観測される収縮割合が小さくなる。焼結中期から焼結後期の加熱工程では、ＭｇＯやＳｉＯ２の揮発による影響により、液相量の減少や粘度増加が起こりやすく、焼結初期段階における緻密化を進めておくことは、焼結体の微細構造化、基板表裏面や基板面内での均一性や特性改善に有効である。」 と記載され、 【００７４】に、 「表１に示すとおり、焼成前の原料粉末の混合体のフッ素量は、実施例１～７では６００ｐｐｍ 以上であるのに対し、比較例１～３では６００ｐｐｍ未満である。比較例１～３のフッ素量は、主に、窒化ケイ素の原料粉末の不純物に起因しているが、この原料粉末起因のフッ素量は８００ｐｐｍ以下である。また、焼結体の特性について、焼結体基板中に含有されるフッ素量（フッ素元素）は、実施例１～７では０．０５重量％以上であるのに対し、比較例１～３では検出されなかった（つまり０重量％）。すなわち、フッ素を適量の第２族元素フッ化物として添加したことにより、フッ素元素が焼結体中に効果的に残留したことが考えられる。」と記載されている。 このように、本件明細書等【００３５】、【００４４】及び【００７４】によれば、窒化ケイ素焼結体に、「フッ素元素が所定割合残留している」ことが記載されている。 （イ）したがって、訂正事項１は、本件明細書等に記載した事項から導くことができるものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 ウ 訂正事項１は、請求項１を直接又は間接的に引用する場合の請求項２、４～７及び１２についても同様に訂正するものであるが、そのうちの請求項５及び７については特許異議の申立てがされていない請求項であるから、特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて検討する。 後記第９で述べるように、訂正後の請求項５及び７（後記第３参照）が直接又は間接的に引用する訂正後の請求項１に係る特許を取り消すべき理由は発見されず、また他に訂正後の請求項５及び７に係る特許を取り消すべき理由も発見しないから、訂正後の請求項５及び７に係る発明は、独立して特許を受けることができるものである。 （２）訂正事項２について ア 訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項３記載の「窒化ケイ素焼結体」に対し、「フッ素元素が所定割合残留している」との限定を加え、「窒化ケイ素焼結体」の範囲を狭めるものであるから、本件特許の特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 次に、訂正事項２が、本願明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるかについて検討する。 （ア）上記（１）イ（ア）で検討したとおり、本件明細書等【００３５】、【００４４】及び【００７４】には、窒化ケイ素焼結体に、「フッ素元素が所定割合残留している」ことが記載されている。 （イ）したがって、訂正事項２は、本件明細書等に記載した事項から導くことができるものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 ウ 訂正事項２は、請求項３を直接引用する場合の請求項４～７及び１２についても同様に訂正するものであるが、そのうちの請求項５及び７については特許異議の申立てがされていない請求項であるから、特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて検討する。 後記第９で述べるように、訂正後の請求項５及び７（後記第３参照）が直接引用する訂正後の請求項３に係る特許を取り消すべき理由は発見されず、また他に訂正後の請求項５及び７に係る特許を取り消すべき理由も発見しないから、訂正後の請求項５及び７に係る発明は、独立して特許を受けることができるものである。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項～第７項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７、１２〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 前記第２のとおり、本件訂正請求は適法にされたものであるから、本件特許の請求項１～７及び１２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」などという。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～７及び１２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 【請求項１】 窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、フッ素元素が所定割合残留している窒化ケイ素焼結体であって、 前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。 【請求項２】 所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られることを特徴とする請求項１に記載の窒化ケイ素焼結体。 【請求項３】 窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、フッ素元素が所定割合残留している窒化ケイ素焼結体であって、 前記粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなり、 所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。 【請求項４】 ０．０２～０．２重量％のカルシウム元素を含有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化ケイ素焼結体。 【請求項５】 ０．０５～０．２重量％のフッ素元素を含有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化ケイ素焼結体。 【請求項６】 前記エッチング処理後の基板のＳＥＭの断面画像において、基板表層から４０μｍ未満の深さの粒界相が除去されており、前記粒界相が除去された領域には、粒界結晶相が残っていないことを特徴とする請求項１または３に記載の窒化ケイ素焼結体。 【請求項７】 １～５重量％の酸化イットリウムと、１．５～３．５重量％の酸化マグネシウムと、０．０５～０．３重量％の第２族元素フッ化物とから構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の窒化ケイ素焼結体。 【請求項１２】 請求項１から３のいずれか一項に記載の前記窒化ケイ素焼結体の基板と、前記基板の表面上に接合され、所定の回路状に形成された金属板と、を備える回路基板。 第４ 特許異議申立理由、取消理由の概要 １ 特許異議申立理由の概要 申立人が主張する特許異議申立理由は、概略、以下の（１）～（３）のとおりである。 ここで、申立人が提出した証拠方法は、次のものである。 ・甲第１号証 特開２０２２－１６６４４５号公報 ・甲第２号証 特開平７－２６７７３５号公報 （以下、「甲第１号証」等を「甲１」等という。） （１）申立理由１（新規性、進歩性） 本件特許の設定登録時の請求項１～３、６及び１２に係る発明（以下、それぞれ「設定登録時の本件発明１」などという。）は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。また、設定登録時の本件発明１～３、６及び１２は、甲１に記載された発明に基いて、その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 したがって、設定登録時の本件発明１～３、６及び１２に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し取り消されるべきものである。 （２）申立理由２（サポート要件違反） 特許請求の範囲の記載は、設定登録時の本件発明１～４、６及び１２について、窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有するという課題解決手段が反映されていないため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 したがって、設定登録時の本件発明１～４、６及び１２に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当し取り消されるべきものである。 （３）申立理由３（実施可能要件） 窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有することが特定されておらず、かつ、焼結助剤及びその量についても特定されていない設定登録時の本件発明１～４、６及び１２の実施には、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤または複雑高度な実験が必要な場合が含まれるから、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 したがって、設定登録時の本件発明１～４、６及び１２に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当し取り消されるべきものである。 ２ 取消理由の概要 令和８年１月１４日付けで通知した取消理由は、概略、以下のとおりである。 ●取消理由（サポート要件違反） 特許請求の範囲の記載は、設定登録時の本件発明１～４、６及び１２について、窒化ケイ素焼結体にＦイオンが所定割合残留しているとの課題解決手段が反映されていないため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 したがって、設定登録時の本件発明１～４、６及び１２に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当し取り消されるべきものである。 第５ 各証拠について １ 甲１（特開２０２２－１６６４４５号公報）について 甲１には、「窒化ケイ素焼結体」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている（なお、「・・・」は記載の省略を表す。）。 （１）特許請求の範囲 「【請求項１】 窒化ケイ素焼結体の表面を５０μｍ以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの６４μｍ×４８μｍのエリアにおいて、ボイドの輪郭線内の面積をボイドの包絡線内の面積で除して算出される凹凸度が０．９以上であるボイドの個数が、ボイドの全個数の１０％以上を占めている窒化ケイ素焼結体。」 （２）技術分野 「【０００１】 本発明は、回路基板、放熱部材等として使用される窒化ケイ素焼結体に関するものである。」 （３）背景技術 「【０００２】 回路基板、放熱部材等として使用される絶縁性セラミックス（焼結体）の材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）が挙げられる。 窒化アルミニウムは、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上と高いが、機械的強度が低いため、クラックが生じやすく使いづらい。 窒化ケイ素は、熱伝導率が窒化アルミニウムほどではないが５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上はあるうえ、機械的強度が高いため、クラックが生じにくく薄型化ができる等の利点を有する。そのため、近年、窒化ケイ素焼結体の開発及び採用が進んでいる。」 （４）発明が解決しようとする課題 「【００１１】 ・・・本発明者の検討によると、気孔率と、ポア最大直径の制御だけでは、絶縁耐力の向上に限界があること、そして、凹凸度が１に近いボイドが一定以上を占めていることにより、窒化ケイ素焼結体の反りが小さくなり、絶縁破壊電圧がより高くなることが分かってきた。本発明は、この検討をさらに鋭意進めてなされたものである。」 （５）作用・効果 「【００１３】 凹凸度が０．９以上のボイドが１０％以上を占めていることにより、又は、凹凸度が０．８以上のボイドが３０％以上を占めていることにより、電圧印加時にボイド形状の凹凸部において発生する部分放電が、凹凸が小さいために発生しにくくなって減少し、絶縁破壊電圧が高くなる。 また、ボイドの平面投影面積率が１．０％以下であることにより、窒化ケイ素焼結体の反りが小さくなる。」 「【００１４】 本発明によれば、窒化ケイ素焼結体の絶縁破壊電圧が高くなる。」 （６）発明を実施するための形態 「【００１７】 １．製造方法 窒化ケイ素焼結体の製造方法において、窒化ケイ素粉末と焼結助剤との混合物を焼結する焼結工程は、１９３０≦焼成温度（℃）＋焼成時間（ｈｒ）×５０≦２２００とし、焼結助剤で形成される粒界相をアモルファス構造とすることが好ましい。 半導体検出器を備えたＸ線回折装置を使用して得られたＸ線回折パターンにおいて粒界相に由来するピークが検出されないことが好ましい。 前記焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体を配置することが好ましい。 前記焼結助剤として少なくともＭｇＯ又はＭｇＳｉＮ2を含有し、ＳｒＯを含有しないことが好ましい。 【００１８】 １９３０≦焼成温度（℃）＋焼成時間（ｈｒ）×５０≦２２００とすることにより、焼結が実現されるとともに、焼結中のＳｉＯ2の揮発が抑制されて、粒界相の結晶化が抑制される。焼結助剤で形成される粒界相をアモルファス構造とすることにより、焼結後の冷却時に、体積収縮が小さくなるとともに、焼結助剤がより低温まで液相として存在して窒化ケイ素結晶粒間の狭い部分まで行き渡るため、窒化ケイ素焼結体中のボイドが少なくなり、窒化ケイ素焼結体の内部応力が減少して反りが小さくなる。また、ボイド形状の凹凸が小さくなる。 また、焼結工程において、焼成用の閉鎖状態の筐体内に、製造する窒化ケイ素焼結体とは別体の予め焼結した板状の窒化ケイ素焼結体（以下「ダミー窒化ケイ素焼結体」という。）を配置すると、焼成時にダミー窒化ケイ素焼結体のＳｉＯ2が揮発することにより、製造する窒化ケイ素焼結体のＳｉＯ2の揮発が抑制されるので、これによっても結晶化が抑制され、また、焼結密度の低下が防止される。ダミー窒化ケイ素焼結体は、製造する窒化ケイ素焼結体と、同一組成である必要はないが、同一助剤系であることが好ましい。 また、焼結助剤としてアルカリ土類金属を添加することにより、液相の融点を下げる効果がある。しかしながら、アルカリ土類金属であってもＳｒＯは、ＭｇＯ又はＭｇＳｉＮ2よりも揮発しにくいことから焼成後に残存してしまい、熱伝導を阻害する要因になってしまうため、少なくともＭｇＯ又はＭｇＳｉＮ2を含有し、ＳｒＯを含有しないことにより、高熱伝導率の窒化ケイ素焼結体を得ることができる。 また、窒化ケイ素焼結体が相対密度９８％以上に緻密化することにより、曲げ強度が高くなり、絶縁破壊電圧も高くなる。 【００１９】 ２．粒界相 窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなり、前記粒界相がアモルファス構造であることが好ましい。 前記粒界相は、少なくともＭｇＯ又はＭｇＳｉＮ2を含有し、ＳｒＯを含有しないことが好ましい。 前記粒界相は、少なくともＭｇ、稀土類元素（ＲＥ）、Ｓｉを含むアモルファス構造であることが好ましい。 半導体検出器を備えたＸ線回折装置を使用して得られたＸ線回折パターンにおいて回折角２θが２８°～３２°の範囲に存在する粒界相における結晶化合物のピークのうち、最も大きい積分強度が、窒化ケイ素（１０１）面の積分強度に対して５％以下であるものを、アモルファス構造と定義する。 窒化ケイ素焼結体の表面を５０μｍ以上研磨した研磨面の任意の少なくとも一つの６４μｍ×４８μｍのエリアにおいて、ボイドの平面投影面積率が１．０％以下であることが好ましい。 窒化ケイ素焼結体の熱伝導率が８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。 【００２０】 粒界相がアモルファス構造であることにより、焼結後の冷却時に、体積収縮が小さくなるとともに、焼結助剤がより低温まで液相として存在して窒化ケイ素結晶粒間の狭い部分まで行き渡るため、窒化ケイ素焼結体中のボイドが少なくなり、窒化ケイ素焼結体の内部応力が減少して反りが小さくなる。また、ボイド形状の凹凸が小さくなる。」 「【００２５】 ５．用途 窒化ケイ素焼結体の用途としては、特に限定されないが、次の用途を例示できる。 図５（ａ）に示すような、半導体モジュール、ＬＥＤパッケージ、ペルチェモジュール、プリンタ、複合機、半導体レーザー、光通信、高周波などで使用される回路基板。 ・・・」 （７）実施例 「【００２７】 表１及び表２に示す実施例１～２１に示す窒化ケイ素焼結体と、表３に示す比較例１～８の窒化ケイ素焼結体を作製した。以下「各例」というときは、実施例１～２１及び比較例１～８の各々を指すものとする。 【００２８】 【表１】 ［図：0001438300000001.jpg］ 【００２９】 【表２】 ［図：0001438300000002.jpg］ 」 「【００３１】 ［１］材料 主原料である窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）として、イミド熱分解法、もしくは、直接窒化法によって製造された、平均粒子径（Ｄ５０）が約１．０μｍの窒化ケイ素粉末を各例に用いた。 【００３２】 焼結助剤として、表１～３に示すように、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＮ2、Ｙ2Ｏ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3の各粉末から選んだ２種を、各例に用いた。実施例１～２１では、少なくともＭｇＯ又はＭｇＳｉＮ2を用いており、ＳｒＯを用いていない。 【００３３】 ［２］製造方法 （ｉ）材料の混合工程 各例について、窒化ケイ素粉末に対して表１～３に示す質量％の焼結助剤粉末を配合した（窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末との計が１００質量％）。この配合粉末１００重量部に対して、界面活性型分散剤を０．３重量部と、トルエンとエタノールの混合溶媒を約５０重量部添加して、樹脂製容器と窒化ケイ素玉石を用いたボールミルによって粉砕混合を行った。」 「【００４５】 図１（ａ）に実施例１のＸ線回折パターンを示す。焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出されず、表１のとおり、積分強度比は０であった。これは、粒界結晶相が存在せず、粒界相が実質的にアモルファス構造であることを示している。 実施例２～１９も実施例１と同様であった。 実施例２０，２１では焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出されたが、表１のとおり、積分強度比は２．４％、３．８％であった。このように、粒界相に結晶相は存在するがその積分強度比が５％以下と僅かであるものを、アモルファス構造と定義する。」 「【図１】 ［図：0001438300000003.jpg］ 」 ２ 甲２（特開平７－２６７７３５号公報）について 甲２には、「窒化ケイ素セラミツクス材料及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている。 「【００１８】 【実施例】 実施例１ Ｓｉ3 Ｎ4 粉末（平均粒径０．３μｍ、α相含有量９５％）と、ＭｇＯ（平均粒径０．３μｍ）、ＣｅＯ2 （平均粒径０．５μｍ）をアセトン中で混合し乾燥したものをホットプレスにより、焼成温度１７００℃、保持時間１ｈ、圧力４０MPa の条件で窒素雰囲気中で焼成し、６０×９０×７mmのサイズの焼結体を作製した。組成は、表１に示す通りであり、本発明の組成のものと比較例として本発明の組成範囲外のものについて、同様の条件で行なうとともに、焼結温度１８２５℃で焼成したもの及び圧力を１０MPa で焼成したものを作製し、試験を行なった。 【００１９】得られた焼結体を３×４×４０mmのサイズに加工した後、アルキメデス法による密度測定、荷重１kgｆでのビッカース硬度測定、三点曲げ強度測定（ＪＩＳＲ１６０１）、ＳＥＰＢ法による破壊靭性試験（ＪＩＳ Ｒ１６０７）を行なった。 【００２０】その結果、本発明によるものは、室温での三点曲げ試験で１４００MPa 以上の高強度を示したのに対して、比較例７～１２で行なった本発明の範囲外の組成では、１２００MPa 以下の強度のものしか得られず、本発明の組成範囲が有効であることが明らかである。焼結体のＸ線回折の結果、本発明によるものは、いずれもＳｉ3 Ｎ4 のピークしか見られず、粒界相が非晶質であるのに対して、比較例７～１２の焼結体は、Ｓｉ3 Ｎ4 以外のピークが見られ粒界相が結晶化していることがわかった。また、焼結温度が１８２５℃でホットプレスした焼結体（比較例１３）では、本発明の組成範囲内でも本発明の温度範囲で焼成したものに比べて粒成長が進み、大幅に強度が低下した。一方、圧力１０MPa で焼成した焼結体（比較例１４）でも強度が得られず、高強度を発現するためには、十分な圧力が必要であることが証明された。これらの結果から、室温での強度が１４００MPa以上の高強度材料を得るために、本発明の有効性が証明された。 【００２１】 【表１】 ［図：0001438300000004.jpg］ 」 第６ 新規性・進歩性（申立理由１）についての当審の判断 １ 甲１に記載された発明 （１）前記第５の１（６）における甲１の実施例２０に関する記載に着目すると、 ア 【００１９】には、「窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなり、前記粒界相がアモルファス構造であることが好ましい。」との記載がある。 イ 【００２７】に記載されるような「窒化ケイ素焼結体」を示す「実施例２０」に関し、【００４５】には、「焼結助剤で形成される粒界相に由来するピークが検出され」、「積分強度比は２．４％」であることが記載されており、これに対して、【００２９】の表２の記載を確認すると、確かに実施例２０における積分強度比の値は「２．４」となっている。そして、【００４５】には、「このように、粒界相に結晶相は存在するがその積分強度比が５％以下と僅かであるものを、アモルファス構造と定義する」とも記載されている。 ウ また、【００２９】の表２によれば、実施例２０における「窒化ケイ素焼結体」を１００μｍに研磨して測定した絶縁破壊電圧が５．２ｋＶとなっている。 （２）そうすると、甲１には実施例２０に関し、次の発明が記載されているといえる。 ＜甲１発明＞ 窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなる、窒化ケイ素焼結体であって、 前記粒界相は結晶相が存在するアモルファス構造となっており、１００μｍに研磨して測定した絶縁破壊電圧が５．２ｋＶである窒化ケイ素焼結体。 ２ 新規性・進歩性に関する検討 （１）本件発明１について ア 本件発明１と甲１発明との対比 甲１発明の「窒化ケイ素焼結体」を構成する「窒化ケイ素」は、かかる「窒化ケイ素」とともに「窒化ケイ素焼結体」を構成する「焼結助剤で形成される粒界相」が、そもそも「粒界」の相である旨の表現ぶりになっていること、また、甲１の【００２０】における、 「粒界相がアモルファス構造であることにより、焼結後の冷却時に、体積収縮が小さくなるとともに、焼結助剤がより低温まで液相として存在して窒化ケイ素結晶粒間の狭い部分まで行き渡るため、窒化ケイ素焼結体中のボイドが少なくなり、窒化ケイ素焼結体の内部応力が減少して反りが小さくなる。また、ボイド形状の凹凸が小さくなる。」 との記載において、「窒化ケイ素結晶粒」との用語が使われていることからも、「粒子」の形態をとっていることが理解できる。 そうすると、甲１発明の「窒化ケイ素焼結体」を構成する「窒化ケイ素」は、本件発明１の「窒化ケイ素粒子」に相当し、また、甲１発明の「焼結助剤で形成される粒界相」は、本件発明１の「窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相」に相当するといえるから、甲１発明の「窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなる、窒化ケイ素焼結体」は、本件発明１の「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有する」「窒化ケイ素焼結体」に相当する。 イ 一致点・相違点 以上により、本件発明１と甲１発明とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有する窒化ケイ素焼結体」 ＜相違点１＞ 本件発明１の「窒化ケイ素焼結体」は、「フッ素元素が所定割合残留し」、「窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上である」のに対し、甲１発明の「窒化ケイ素焼結体」は、「粒界相は結晶相が存在するアモルファス構造となっており、１００μｍに研磨して測定した絶縁破壊電圧が５．２ｋＶである」とされている点。 ウ 相違点１についての検討 上記相違点１について検討する。 （ア）前記第２の２（１）アに示した本件明細書等【００３５】、【００４４】及び【００７４】の記載によれば、窒化ケイ素焼結体に、「フッ素元素が所定割合残留している」ことで、液相の焼結初期の緻密化の開始温度を低下させるとともに、粒界結晶化抑制を容易にし、粒界ガラス層の均一性を向上させ、焼結初期における緻密化を促進させる作用が奏されることが理解できる。 （イ）また、本件明細書等には、 【０００７】に、 「しかしながら、従来の窒化ケイ素焼結体基板では、（特許文献１のような希土類元素を含む窒化ケイ素焼結体においても）粒界相中の粒界結晶相がある程度存在することによって、エッチング処理後の基板表面の外観不良の要因となり得る、窒化ケイ素焼結体の粒界結晶相部分にエッチングのむら（またはエッチング残り）が起こり得る。特に、特許文献２のように、耐エッチング性を高くするために粒界結晶相の割合を増加させると、このエッチングのむらはより一層顕著になる。このような、粒界結晶相部分のエッチングのむらが、基板内の粒子分布に不均一性を生じさせ、基板表面に局所的な絶縁耐圧の低下を引き起こすことが問題として挙げられる。特に、回路基板では、配線パターン端部における電界集中が発生し、絶縁基板表面に沿った放電路が形成されることで絶縁破壊につながることが知られている。この絶縁破壊現象は沿面放電と呼ばれ、機器の破損を引き起こし得ることから、このような電界集中を緩和させるべく、窒化ケイ素焼結体の基板表面の絶縁耐圧を向上させることが求められる。」と記載され、 【０００８】に、 「発明者らは、従来の窒化ケイ素焼結体に対し、その製造方法を見直すとともに、粒界相の結晶化の制御に着目して、窒化ケイ素焼結体の基板特性をより一層改善することを課題とした。」と記載され、 【０００９】に、 「本発明は、上記課題を解決するために、その目的は、エッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減し、絶縁耐圧性能が改善された窒化ケイ素焼結体、および、その製造方法を提供することにある。」 と記載され、 【００３８】に、 「窒化ケイ素焼結体は、耐エッチング性を評価するために、特定のエッチング処理条件（５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬）でエッチング処理された。窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下である。重量減少量ｗｄは、窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる。後述するとおり、エッチング量を示す重量減少量ｗｄは、第２族元素フッ化物を含有しない従来の窒化ケイ素焼結体と比べて低減されている。つまり、本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、より高い耐エッチング性を有している。」とも記載され 【００４３】に、 「そして、窒化ケイ素焼結体は、エッチング処理後の基板において、常温または室温（２５℃の測定環境下）における基板表面の絶縁破壊電界Ｖｉが８ｋＶ／ｍｍ以上である。一方で、図３に示すような、第２族元素フッ化物を含有しない従来の窒化ケイ素焼結体では、常温または室温（２５℃の測定環境下）の基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが８ｋＶ／ｍｍ未満となることが分かっている。すなわち、本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、従来より改善された絶縁耐圧性能を有している。ここで、絶縁破壊電界Ｖｉ（Ｖ／ｍｍ）は、以下のように評価された。エッチング処理後の窒化ケイ素焼結体の基板表面に、２つの独立した銅板の電極Ａ、Ｂを最小距離で離間させるようにスパッタ法で印刷した（図５参照）。そして、２５℃のフッ素系不活性液体（フロリナート）中で電極に交流電流を印加し、その絶縁が破壊される電圧を測定し、その測定値を最小距離で除算することによって絶縁破壊電界Ｖｉ（Ｖ／ｍｍ）が得られた。」 と記載されている。 （ウ）そうすると、特許請求の範囲の請求項１に記載された、 「前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上である」 との状態が、主には上記（ア）に挙げたように、フッ素元素が焼結体中に残留したことによる粒界結晶化抑制の作用により実現すると理解できるから、本件発明１の「窒化ケイ素焼結体」において、「フッ素元素が所定割合残留している」ことは、 「窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上である」 状態を実現するための必要条件と解される。 （エ）それに対して、甲１発明には、フッ素元素が所定割合残留することで、本件発明１のようなエッチング処理後の絶縁破壊電圧特性が実現している窒化ケイ素焼結体は示されていないから、上記相違点１は実質的相違点である。 また、甲１には、フッ素元素が所定割合残留することで、エッチング処理後の絶縁破壊電圧特性が向上することについて記載も示唆もなされておらず、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、相違点１に係る本件発明１の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 エ 小括 よって、本件発明１は、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）請求項１を直接又は間接的に引用する場合の本件発明４、６及び１２について 請求項１を直接又は間接的に引用する場合の本件発明４、６及び１２は、本件発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、上記（１）と事情は同じである。 よって、請求項１を直接又は間接的に引用する場合の本件発明４、６及び１２は、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明３について ア 本件発明３と甲１発明との対比 （ア）上記（１）アで検討したのと同様、甲１発明の「窒化ケイ素と、焼結助剤で形成される粒界相とからなる、窒化ケイ素焼結体」は、本件発明３の「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有する」「窒化ケイ素焼結体」に相当する。 （イ）甲１発明の「粒界相は結晶相が存在するアモルファス構造となって」いる旨の特定は、上記（１）ア（イ）のとおり、「粒界相に結晶相は存在するがその積分強度比が５％以下と僅かである」（【００４５】）ことを意味するものであって、甲１発明の粒界相の大部分はアモルファス相であるが、僅かに結晶相も含んでいるものと理解されるから、かかる甲１発明の特定は、本件発明３の「粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなり」との特定に相当する。 イ 一致点・相違点 以上により、本件発明３と甲１発明とは、次の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、前記粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなる、窒化ケイ素焼結体」 ＜相違点２＞ 本件発明１の「窒化ケイ素焼結体」は、「フッ素元素が所定割合残留し」、「所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる」のに対し、甲１発明の「窒化ケイ素焼結体」は、「粒界相は結晶相が存在するアモルファス構造となっており、１００μｍに研磨して測定した絶縁破壊電圧が５．２ｋＶである」とされている点。 ウ 相違点２についての検討 上記相違点２について検討する。 （ア）前記（１）ウ（イ）に示した本件明細書等における【０００７】～【０００９】、【００３８】の記載からは、特許請求の範囲の請求項３に記載された、 「所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる」 との状態が、主には上記（１）ウ（ア）に挙げたように、フッ素元素が焼結体中に残留したことによる粒界結晶化抑制の作用により実現すると理解できるから、本件発明３の「窒化ケイ素焼結体」において、「フッ素元素が所定割合残留している」ことは、 「所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる」 状態を実現するための必要条件と解される。 （イ）それに対して、甲１発明には、フッ素元素が所定割合残留することで、本件発明３のようにエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄを抑えた窒化ケイ素焼結体は示されていないから、上記相違点２は実質的相違点である。 また、甲１には、フッ素元素が所定割合残留することで、エッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄを抑えることについて記載も示唆もなされておらず、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、相違点２に係る本件発明３の構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たものであるとはいえない。 エ 小括 よって、本件発明３は、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）請求項３を直接引用する場合の本件発明４、６及び１２について 請求項３を直接引用する場合の本件発明４、６及び１２は、本件発明３の発明特定事項を全て含むものであるから、上記（３）と事情は同じである。 よって、請求項３を直接引用する場合の本件発明４、６及び１２は、甲１発明及び甲１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 新規性・進歩性（申立理由１）についての当審の判断のまとめ 以上のとおりであるから、第４の１（１）に挙げた新規性・進歩性に関する申立理由１に理由はない。 第７ サポート要件違反（申立理由２、取消理由）についての当審の判断 １ サポート要件の判断手法 特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否か、また、発明の詳細な説明に記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識し得る範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。 ２ 特許請求の範囲の記載 特許請求の範囲の記載は、前記第３のとおりである。 ３ 発明の詳細な説明の記載 発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 （１）「このような高熱伝導率および高機械的強度を併せ持つ窒化ケイ素焼結体の基板表面に、回路形成のために各種金属板が接合される。窒化ケイ素焼結体の基板表面へ各種金属板（主に銅板）を接合する方法には、直接接合法や活性金属法などが使用されている。直接接合法は、基板上へ銅板などを接触させた状態で加熱し、基板と銅板とを直接接合するものである。活性金属法は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆなどの活性金属を含有するろう剤を介してセラミック基板と銅板とを接合するものである。そして、接合後の銅板表面には、回路パターン状にエッチングマスクが形成され、塩化銅溶液や塩酸溶液などのエッチング液に基板全体が浸漬され、銅板の（エッチングマスクが形成されていない）不要部分がエッチングされる。窒化ケイ素焼結体の基板表面がエッチング液に暴露されることにより、その基板表面の特性が変質し得ることから、窒化ケイ素焼結体はより高い耐エッチング性を有することが望ましい。」（【０００４】） （２）「しかしながら、従来の窒化ケイ素焼結体基板では、（特許文献１のような希土類元素を含む窒化ケイ素焼結体においても）粒界相中の粒界結晶相がある程度存在することによって、エッチング処理後の基板表面の外観不良の要因となり得る、窒化ケイ素焼結体の粒界結晶相部分にエッチングのむら（またはエッチング残り）が起こり得る。特に、特許文献２のように、耐エッチング性を高くするために粒界結晶相の割合を増加させると、このエッチングのむらはより一層顕著になる。このような、粒界結晶相部分のエッチングのむらが、基板内の粒子分布に不均一性を生じさせ、基板表面に局所的な絶縁耐圧の低下を引き起こすことが問題として挙げられる。特に、回路基板では、配線パターン端部における電界集中が発生し、絶縁基板表面に沿った放電路が形成されることで絶縁破壊につながることが知られている。この絶縁破壊現象は沿面放電と呼ばれ、機器の破損を引き起こし得ることから、このような電界集中を緩和させるべく、窒化ケイ素焼結体の基板表面の絶縁耐圧を向上させることが求められる。」（【０００７】） （３）「発明者らは、従来の窒化ケイ素焼結体に対し、その製造方法を見直すとともに、粒界相の結晶化の制御に着目して、窒化ケイ素焼結体の基板特性をより一層改善することを課題とした。」（【０００８】） （４）「本発明は、上記課題を解決するために、その目的は、エッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減し、絶縁耐圧性能が改善された窒化ケイ素焼結体、および、その製造方法を提供することにある。」（【０００９】） （５）「・・・窒化ケイ素焼結体を緻密化し、その結果、比較的高い熱伝導性と機械的強度を両立することができることが過去の知見として分かっている。・・・」（【００３３】） （６）「本発明は、その原料に添加剤として第２族元素フッ化物を添加することで、窒化ケイ素粉末のフッ素量（不純物量）によらず、基板表面のエッチングむらを抑えるために、焼結体の粒界相の結晶化を効果的に制御することを可能とした。すなわち、窒化ケイ素焼結体は、エッチングむらの軽減とともに、エッチング処理後の窒化ケイ素焼結体の基板表面における絶縁耐圧性能や耐エッチング性を改善したものである。ここで、第２族元素フッ化物は、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａのフッ化物からなる群から選択された１つ以上である。特に、第２族元素フッ化物は、ＣａＦ２、ＭｇＦ２、またはそれらの組み合わせであることが好ましい。第２族元素フッ化物がＣａＦ２を含む場合、焼成時の液相中に導入されたＣａイオンとＦイオンが焼結後も粒界相に残留し、粒界相の凝固温度を低下させ、粒界結晶化抑制を容易にすることが考えられる。一方、第２族元素フッ化物がＭｇＦ２を含む場合、ＭｇイオンがＭｇＯと同様に焼結体の緻密化を促進する。本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、好ましくは、０．０５～０．２重量％のフッ素元素を含むように構成された。また、本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、より好ましくは、０．０２～０．２重量％のカルシウム元素を含有する。カルシウム元素の含有量は、ＣａＦ２の配合量に基づいて算出され得る。」（【００３５】） （７）「次に、第２族元素フッ化物（ＣａＦ２）の添加による窒化ケイ素焼結体の特性の変化について考察する。添加剤としてのＣａＦ２粉末を所定の添加量で添加した混合体（そのシート成形体）の焼結過程では、酸窒化ガラスの液相組成へＣａイオンおよびＦイオンが加わる。ＣａイオンはＳｉとＭｇを含む酸窒化ガラスと共晶化合物を形成することでガラスの融点を下げる効果がある。また、Ｆイオンを酸窒化ガラスへ導入することでも液相中への窒素溶解度を増加させてガラス融点を低下させるとともに、２つのＦイオンが１つのＯイオンを置換することでガラス分子の重合度が低下し、液相の粘度を低下させることができる。これらの効果によって液相の焼結初期の緻密化の開始温度が低下させるとともに、粒界ガラス層の均一性を向上させ、焼結初期における緻密化を促進させる効果がある。焼結初期段階で緻密化を進めておくと、焼結初期から焼結後期までの全焼結過程で観察される成形体からの収縮割合に対する、焼結中期から焼結後期までの加熱過程で観測される収縮割合が小さくなる。焼結中期から焼結後期の加熱工程では、ＭｇＯやＳｉＯ２の揮発による影響により、液相量の減少や粘度増加が起こりやすく、焼結初期段階における緻密化を進めておくことは、焼結体の微細構造化、基板表裏面や基板面内での均一性や特性改善に有効である。」（【００４４】） （８）「【表１】 ［図：0001438300000005.jpg］ 」（【００７１】） （９）「【表２】 ［図：0001438300000006.jpg］ 」（【００７２】） （１０）「表１に示すとおり、焼成前の原料粉末の混合体のフッ素量は、実施例１～７では６００ｐｐｍ 以上であるのに対し、比較例１～３では６００ｐｐｍ未満である。比較例１～３のフッ素量は、主に、窒化ケイ素の原料粉末の不純物に起因しているが、この原料粉末起因のフッ素量は８００ｐｐｍ以下である。また、焼結体の特性について、焼結体基板中に含有されるフッ素量（フッ素元素）は、実施例１～７では０．０５重量％以上であるのに対し、比較例１～３では検出されなかった（つまり０重量％）。すなわち、フッ素を適量の第２族元素フッ化物として添加したことにより、フッ素元素が焼結体中に効果的に残留したことが考えられる。」（【００７４】） ４ 発明が解決しようとする課題 上記３（１）～（４）によると、発明の詳細な説明の記載から把握される発明が解決しようとする課題は、「高熱伝導率および高機械的強度を併せ持つ」「窒化ケイ素焼結体に対し、その製造方法を見直すとともに、粒界相の結晶化の制御に着目」することで、「粒界相中の粒界結晶相がある程度存在すること」に起因した「回路形成」のための「エッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減」し、「絶縁基板表面」における「絶縁耐圧性能が改善された窒化ケイ素焼結体、および、その製造方法を提供すること」と把握される。 ５ 課題を解決するための手段 上記４の課題を解決する手段に関しては、発明の詳細な説明の記載をもとにして、以下のように把握をすることができる。 （１）上記３（７）によれば、窒化ケイ素焼結体の焼結過程において、Ｆイオンを酸窒化ガラスへ導入することで、液相中への窒素溶解度を増加させてガラス融点を低下させるとともに、２つのＦイオンが１つのＯイオンを置換することでガラス分子の重合度が低下し、液相の粘度を低下させることにより、液相の焼結初期の緻密化の開始温度を低下させるとともに、粒界ガラス層の均一性を向上させ、焼結初期における緻密化を促進させる効果があり、その結果、焼結初期から焼結後期までの全焼結過程で観察される成形体からの収縮割合に対し、焼結中期から焼結後期までの、ＭｇＯやＳｉＯ２の揮発による液相量の減少や粘度増加が起こりやすい加熱過程で観測される収縮割合が小さくなり、焼結体の微細構造化、基板表裏面や基板面内での均一性や特性改善に有効となることが示されている。そして、上記３（５）を参酌すると、このような窒化ケイ素焼結体を緻密化は、比較的高い熱伝導性と機械的強度との両立をもたらすことを理解できる。 （２）また、上記３（６）には、窒化ケイ素焼結体における好ましいフッ素元素の含有割合範囲が示されるとともに、Ｆイオンが焼結後も残留する粒界相の凝固温度が低下することにより、粒界結晶化が抑制され、基板表面のエッチングむらが軽減され、エッチング処理後の窒化ケイ素焼結体の基板表面における絶縁耐圧性能や耐エッチング性が改善したことも示されている。 （３）このように、上記（２）によれば、焼結後の窒化ケイ素焼結体に所定割合残留するＦイオンの働きにより、上記４の課題が解決されるものであることが把握できる。また、上記（１）によると、その際には、上記４の課題の前提たる「高熱伝導率および高機械的強度を併せ持つ」窒化ケイ素焼結体の特性も、Ｆイオンの働きによる緻密化促進で担保されると理解できる。 （４）そして、上記３（８）及び（９）に示されている実施例・比較例も、上記（３）で述べた機序のとおりに説明できる結果となっている。 （５）そうすると、発明の詳細な説明の記載から把握される上記４の課題を解決する手段は、窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有するとともに、Ｆイオンが所定割合残留していることにより、絶縁耐圧性能又は耐エッチング性（当審注：上記３（４）及び（６）によれば、耐エッチング性を備えることでエッチングのむらが低減されるので、結局のところ、絶縁耐圧性能が改善されることに帰結すると解される。）が改善した窒化ケイ素焼結体として把握することができる。 ６ 本件発明１～４、６及び１２と発明の詳細な説明における記載との対応関係 （１）本件発明１～４、６及び１２の窒化ケイ素焼結体（前記第３参照）は、いずれも「窒化ケイ素粒子と、前記窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを有する」とともに「フッ素元素が所定割合残留している窒化ケイ素焼結体」であって、 （ｉ）これら発明のうち、本件発明１の発明特定事項を含む場合のフッ素元素の残留に係る上記「所定割合」とは、 「前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上である」 との絶縁耐圧性能が改善された状態を実現するために必要な割合を意味しており、 （ｉｉ）これら発明のうち、本件発明３の発明特定事項を含む場合のフッ素元素の残留に係る上記「所定割合」とは、 「所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる」 との耐エッチング性が改善された状態を実現するために必要な割合を意味していると解される。 （２）そして、上記３（６）を参酌すると、発明の詳細な説明には、「Ｆイオンが焼結後も粒界相に残留し、粒界相の凝固温度を低下させ、粒界結晶化抑制を容易にする」との記載がなされていると同時に、「本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、好ましくは、０．０５～０．２重量％のフッ素元素を含むように構成された」との記載がなされていることから、窒化ケイ素焼結体にＦイオンが残留することと、フッ素元素が残留することとに、技術的意義の違いがあるものとも解されない。 （３）そうすると、上記（１）の発明特定事項を備える本件発明１～４、６及び１２は、上記３（５）の課題を解決する手段同様、課題を解決すると認識できる範囲のものである。 したがって、本件発明１～４、６及び１２は、発明の詳細な説明に記載したものである。 ７ 申立人の主張について （１）申立人の主張 申立人は、異議申立書の３（４）（４－４）アにおける「サポート要件について」の記載不備理由として、以下のとおり主張する。 「本件明細書の【０００８】および【０００９】には、発明の課題として、粒界相の結晶化を制御することにより、エッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減し、窒化ケイ素焼結体の絶縁耐圧性能を改善することが示されている。 本件明細書の【００３２】、【００３４】および【００３５】から、窒化ケイ素焼結体の原料に添加剤として第２族元素フッ化物を添加することで発明の課題を解決できることが理解できる。 本件明細書の【００３２】には、以下の記載がある。 「本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、１～５重量％の希土類酸化物（第１の焼結助剤）と、１．５～３．５重量％の酸化マグネシウム（第２の焼結助剤）と、０．０５～０．３重量％の第２族元素フッ化物と、残部を構成するＳｉ３Ｎ４とを含有する窒化ケイ素焼結体からなる。換言すると、本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、窒化ケイ素粉末、希土類酸化物粉末、酸化マグネシウム粉末および第２族元素フッ化物粉末を所定の配合比で混合した原料粉末のスラリー化した混合体を焼成したものである。」 本件明細書の実施例１～７の窒化ケイ素焼結体は、原料として２．５～４．０重量％のＹ２Ｏ３と、２．０～３．０重量％のＭｇＯと０．０５～０．３０重量％の第２族元素フッ化物と、残部を構成するＳｉ３Ｎ４とを含有する。 本件明細書の【００３９】および実施例１～３（図２～４）の対比からも、窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有することによって、発明の課題を解決できることが理解できる。 一方、本件発明１～４、６および１２はいずれも第２族元素フッ化物を含有することが特定されていない。 以上より、発明の課題を解決するための手段が反映されていないため、本件発明１～４、６および１２は発明の詳細な説明に記載された範囲を超えるものであることは明らかである。」 （２）申立人の主張についての検討 ア 上記（１）の申立人の主張は、本件発明１～４、６及び１２は、いずれも窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有することが特定されていないものであるから、発明の詳細な説明に記載された課題を解決していない旨の主張といえる。 イ しかしながら、本件明細書等には、申立人が述べるとおり、窒化ケイ素焼結体の原料に対し、添加剤として第２族元素フッ化物を添加することは記載されている一方、それを焼成した後の窒化ケイ素焼結体にも「第２族元素フッ化物」そのものが含有されていることについては、記載も示唆もされていない。 また、本件特許に係る願書に最初に添付した願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項との関係について確認しても、焼成後の窒化ケイ素焼結体にも「第２族元素フッ化物」そのものが含有されることについては、記載も示唆もされていないから、そもそも申立人が上記主張で特定すべきとしている技術的事項を特許請求の範囲の発明特定事項として導入できる根拠もなく、かかる主張は失当である。 ウ さらに、上記（１）の申立人の主張が、本件発明１～４、６及び１２が上記課題を解決するためには、焼結体中に第２族元素フッ化物に由来する第２族元素の存在が不可欠であるとの前提に立つものであると仮定した上において、以下検討する。 （ア）上記４によれば、発明が解決しようとする課題に関し、発明の詳細な説明の記載からは、「エッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減」し、「絶縁基板表面」における「絶縁耐圧性能が改善された窒化ケイ素焼結体、および、その製造方法を提供する」ことが読み取れる。 （イ）また、上記３によれば、発明の詳細な説明には、以下の記載がなされている。 ａ 上記３（６）の【００３５】には、「本発明は、その原料に添加剤として第２族元素フッ化物を添加することで、窒化ケイ素粉末のフッ素量（不純物量）によらず、基板表面のエッチングむらを抑えるために、焼結体の粒界相の結晶化を効果的に制御することを可能とした」と記載されている。 ｂ 上記３（６）の【００３５】には、「第２族元素フッ化物がＣａＦ２を含む場合、焼成時の液相中に導入されたＣａイオンとＦイオンが焼結後も粒界相に残留し、粒界相の凝固温度を低下させ、粒界結晶化抑制を容易にすることが考えられる」と記載されている。 ｃ 上記３（７）の【００４４】には、「添加剤としてのＣａＦ２粉末を所定の添加量で添加した混合体（そのシート成形体）の焼結過程では、酸窒化ガラスの液相組成へＣａイオンおよびＦイオンが加わる」前提において、 （ａ）「ＣａイオンはＳｉとＭｇを含む酸窒化ガラスと共晶化合物を形成することでガラスの融点を下げる効果がある」とも、 （ｂ）「Ｆイオンを酸窒化ガラスへ導入することでも液相中への窒素溶解度を増加させてガラス融点を低下させるとともに、２つのＦイオンが１つのＯイオンを置換することでガラス分子の重合度が低下し、液相の粘度を低下させることができる」とも述べられた上で、 （ｃ）「これらの効果によって液相の焼結初期の緻密化の開始温度が低下させるとともに、粒界ガラス層の均一性を向上させ、焼結初期における緻密化を促進させる効果がある」（当審注：「開始温度が低下させる」は、「開始温度を低下させる」の誤記と認める。）と記載されている。 ｄ 上記３（１０）の【００７４】には、「フッ素を適量の第２族元素フッ化物として添加したことにより、フッ素元素が焼結体中に効果的に残留したことが考えられる」と記載され、また、上記３（８）の表１及び上記３（９）の表２に示される実施例１～７及び比較例１～３の各試料についての条件及び各種測定結果では、「焼結体のフッ素含有量（ｐｐｍ）」の測定結果が示されている一方で、「焼結体の第２族元素含有量」は示されていない。 （ウ）以上のとおり、発明の詳細な説明においては、上記（イ）ｄのように、【００７４】に、第２族元素フッ化物の添加がフッ素元素の焼結体中への効果的な残留をもたらすことに着目した記載がなされ、かつ、表１及び表２では、第２族元素フッ化物を構成する元素に関し、実施例１～７及び比較例１～３における「焼結体の第２族元素含有量」が何ら示されないまま、専ら「焼結体のフッ素含有量（ｐｐｍ）」の測定結果のみ示されていることからしても、第２族元素フッ化物を構成する元素のうち、焼結体中で主に課題解決に寄与する元素はフッ素であると理解される一方、焼結体中に第２族元素が含有されることに関しては、課題解決のための必須要件であるとまでは解されない。 （エ）また、上記（イ）ｃ（ａ）のように、【００４４】には、「ＣａイオンはＳｉとＭｇを含む酸窒化ガラスと共晶化合物を形成することでガラスの融点を下げる効果がある」との、第２族元素イオンであるＣａイオンが焼結体に残留することで奏される効果についての記載があるとは認められる一方、同段落には、焼結体へのＦイオンの導入によるガラス融点低下、分子構造の低重合化及び粘度低下の効果についても記載されている。 そうすると、仮に、かかるガラスの融点を下げる効果が課題解決に結びつくものだとしたところで、同効果は、フッ素元素が焼結体中に所定割合残留するのみでも期待ができる効果であり、第２族元素が焼結体中に同時に存在しないと奏し得ない効果であるとも解されない。 （オ）さらには、発明の詳細な説明におけるその余の記載を参酌しても、焼結体中の第２族元素の存在が課題解決のために不可欠とまで理解できるものではない。 （カ）よって、仮に上記（１）の申立人の主張が、本件発明１～４、６及び１２が上記課題を解決するためには、焼結体中に第２族元素フッ化物に由来する第２族元素の存在が不可欠であるとの前提に立つものであったとしても、上記４～６の判断を左右するものではない。 ８ サポート要件違反（申立理由２、取消理由）についての当審の判断のまとめ 以上のとおりであるから、前記第４の１（２）に挙げたサポート要件違反に関する申立理由１に理由はなく、また、前記第４の２に挙げたサポート要件違反に関する取消理由も解消している。 第８ 実施可能要件違反（申立理由３）についての当審の判断 １ 実施可能要件の判断手法 物の発明における発明の実施とは、その物の生産、使用等をする行為をいうから、物の発明について、発明の詳細な説明の記載が、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである（実施可能要件を満たす）というためには、発明の詳細な説明には、当業者がその物を製造することができ、かつ、その物を使用することができる程度に明確かつ十分に記載されている必要がある。 ２ 特許請求の範囲の記載 特許請求の範囲の記載は、前記第３のとおりである。 ３ 発明の詳細な説明の記載 発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 （１）「実施例１～７、比較例１～３に係る窒化ケイ素焼結体は以下の条件および手順によって作製された。まず、直接窒化法によって製造された高純度の窒化ケイ素粉末を準備した。窒化ケイ素粉末は、平均粒子径（Ｄ５０）が約０．８μｍであり、酸素含有量が約０．８重量％である。各粉末の配合組成比に合わせて、窒化ケイ素粉末に対してＭｇＯ粉末及びＹ２Ｏ３粉末を適量添加し（実施例１～７、比較例１～３）、さらに、ＣａＦ２粉末および／またはＭｇＦ２粉末（実施例１～７、比較例２）を適量添加した。この混合体１００重量部に対して、ポリカルボン酸系の界面活性型分散剤を０．３ｍｇ／ｍ２と、トルエンとエタノールの混合溶媒を約５０重量部添加して、窒化ケイ素玉石を用いて粉砕混合を行った。その後、バインダーとしてポリビニルブチラールを１８重量部と、可塑剤としてアジピン酸ジオクチルを６重量部と、トルエンとエタノールの混合溶媒を約２０重量部加え、バインダーが完全に溶解・混合されるまで、ボールミルによって攪拌混合した後、スラリーを作製した。そして、スラリーを真空中で放置し、脱泡及び揮発させることで、粘度調整を行った。次いで、作製したスラリーからドクターブレード法によってシート成形体を得た。得られたシート成形体を金型プレス加工により２６０ｍｍ×２００ｍｍの形状に型抜きした。その後、型抜きしたシート表面に離型剤としての窒化ホウ素粉末のスプレーを行い、１ブロックあたり２５枚の積層体を準備し、窒化ホウ素製のさや内へ配置し、乾燥空気中、５００℃に約４時間加熱し、バインダーなどの有機成分を除去した。そして、シート成形体を９気圧の窒素雰囲気中、１８６０℃で４時間加熱することで、窒化ケイ素基板の積層体を得た。窒化ケイ素積層体の基板を分離し、最上段と最下段の基板を取り除き、残り２３枚の基板外周をレーザーによってブレーク処理を行い、基板表面に残留した窒化ホウ素粉末とレーザー加工によって付着した飛沫をホーニング処理によって除去することで、１９０ｍｍ×１４０ｍｍ×０．３２ｍｍの窒化ケイ素焼結体の基板を得た。」（【００５７】） （２）「・エッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量 作製した窒化ケイ素焼結体の４０ｍｍ四方の基板の重量を測定し、その後、５０℃に加熱した質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して水洗と乾燥を行った後、再度、基板の重量を測定した。エッチング処理前の重量からエッチング処理後の重量を差し引いた値を、表面積（３２００ｍｍ２）で除算することによって、単位表面積当たりの重量減少量を算出した。ここで、側面（厚み０．３２ｍｍ）が占める表面積の割合は、表面および裏面の面積に対して極めて小さいので、計算式において厚みを無視した。」（【００６６】） （３）「・エッチング処理後の基板表面の絶縁破壊電界 作製した窒化ケイ素焼結体を５０℃に加熱した質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して水洗と乾燥を行った後、基板表面上に幅１ｍｍ、間隔（最小距離）２ｍｍであるＬ／Ｓパターンをスパッタにより形成し（図5参照）、２５℃（常温）のフロリナート中で交流電圧を印加し、絶縁破壊電圧の測定を行った。図5の電極Ａと電極Ｂに測定端子を取り付け、部分放電測定装置（フジクラ・ダイヤケーブル製 部分放電測定装置Ａ００６）を使用して絶縁破壊電圧を測定した。ＡとＢの電極は５箇所において最小距離を形成しているが、いずれか１箇所に絶縁破壊が生じた時点の電圧値が絶縁破壊電圧として測定される。そして、絶縁破壊電圧値をパターン間距離（２ｍｍ）で除することで絶縁破壊電界が導出された。」（【００６７】） （４）「【表１】 ［図：0001438300000007.jpg］ 」（【００７１】） （５）「【表２】 ［図：0001438300000008.jpg］ 」（【００７２】） （６）「本実施形態の窒化ケイ素焼結体は、多数の窒化ケイ素粒子と、窒化ケイ素粒子の間に存在する粒界相とを含む。また、窒化ケイ素焼結体は、Ｘ線回折パターンにおいて、β－Ｓｉ３Ｎ４のＸ線回折ピークを有する。粒界相は、アモルファス相と粒界結晶相とからなる。粒界相における粒界結晶相の割合（つまり、結晶化の度合い）を示す指標として、粒界結晶相の積分強度比Ｒが３％以下である。積分強度比Ｒは、以下の式：Ｒ＝（１－Ｉｇ／Ｉａ）×１００（％）で表される。Ｉｇがβ－Ｓｉ３Ｎ４に指数付けされた全てのＸ線回折ピークの積分強度の総和であり、Ｉａが観察された全てのＸ線回折ピークの積分強度の総和である。粒界結晶相の積分強度比Ｒは、好ましくは、０．３～３％である。」（【００３６】） （７）「図２～図４は、エッチング処理後の焼結体基板断面のＳＥＭ画像（倍率２５０倍のＢＳＥ像）であり、白い箇所が粒界結晶相を示し、それ以外の箇所には粒界結晶相が存在していない。エッチングされていない基板深部では、白い箇所が一様に存在し、粒界結晶相がエッチングされていないことが分かる。一方で、基板表層から所定の深さの表層領域では、エッチング処理によって白い箇所が除去されていることが分かる。そして、表２および図２～図４によれば、実施例のエッチング深さＤよりも、比較例のエッチング深さＤの方が有意に大きく、さらには、比較例の基板表裏面におけるエッチング深さ比ＲＤには有意な差が生じている。より具体的には、実施例１～７の窒化ケイ素焼結体のエッチング深さＤが４０μｍ未満（約３２～３６μｍ）であり、且つ、基板表裏面のエッチング深さ比ＲＤが１０％以下であるのに対し、比較例１～３では、エッチング深さＤが４０μｍよりも大きく（約４３～４６μｍ）、且つ、基板表裏面のエッチング深さ比ＲＤが１０％よりも大きい。また、境界線長さ比ＲＬについて、実施例１～７の窒化ケイ素焼結体の境界線長さ比ＲＬが２．０未満（約１．５～１．６）であるのに対し、比較例１～３では、境界線長さ比ＲＬが２．０以上（約２．０～２．１）である。さらに、実施例１～７では、表層深さＤ／２未満の表層領域には、粒界結晶相が残っていないのに対し、比較例１～３では粒界結晶相がエッチングされずに残っていることが確認された。これらのＳＥＭ観察および解析結果もまた、本発明の窒化ケイ素焼結体における耐エッチング性の改善、および基板表面の絶縁破壊電界Ｖｉの改善を裏付けている。」 （８）「上記説明したスラリー形成工程から焼成工程を経ることによって、高い耐エッチング性を有する窒化ケイ素焼結体の基板を得ることができる。このようにして作製した窒化ケイ素焼結体の基板表面に銅板などの金属板がろう接（ろう付け又は半田付け）され、接合後の銅板表面に回路パターン状のエッチングマスクが形成され、塩化銅溶液や塩酸溶液などのエッチング液によって、銅板の不要部分がエッチングされることによって、回路基板が製造され得る。すなわち、回路基板は、（銅板のエッチング条件で）エッチング処理された窒化ケイ素焼結体からなる基板と、基板の表面上に接合され、エッチング処理によって所定の回路状に形成された金属板と、を備えるように構成され得る。換言すると、回路基板の基板は、本実施形態の窒化ケイ素焼結体が回路形成時にエッチング処理を経たものである。」（【００５９】） ４ 実施可能要件に関する検討 発明の詳細な説明における上記３の記載内容に照らし、上記２の特許請求の範囲から把握される本件発明１～４及び６に係る「窒化ケイ素焼結体」は、実施例１～７のとおりに製造することができ、かつ、本件発明１２に係る「回路基板」は、実施例１～７のように製造される「窒化ケイ素焼結体」を用い、【００５９】に記載されるとおりの方法により製造することができること、また、本件発明１～４及び６に係る「窒化ケイ素焼結体」、及び本件発明１２に係る「回路基板」は、いずれも基板表面における絶縁破壊電圧が高い回路基板として使用することができることを、それぞれ理解することができる。 そうすると、発明の詳細な説明の記載は、本件発明１～４、６及び１２について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものといえる。 ５ 申立人の主張について （１）申立人の主張 申立人は、異議申立書の３（４）（４－４）イにおける「実施可能要件について」の記載不備理由として、以下のとおり主張する。 ア 「「ア． サポート要件について」で説明したとおり、本件発明１～４、６および１２は窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有することによって、発明の課題を解決できることが理解でき、第２族元素フッ化物の含有が重要であると認められる。一方、本件発明１～４、６および１２はいずれも第２族元素フッ化物を含有することが特定されていない。 第２族元素フッ化物を含有させない場合、どのように調製すればエッチング処理後の基板表面におけるエッチングのむらを低減し、絶縁耐圧性能が改善させることができるのかが、発明の詳細な説明からは不明であり、その実施には当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤または複雑高度な実験が必要である。 よって、発明の詳細な説明は、第２族元素フッ化物を含有することが特定されていない本件発明１～４、６および１２を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。」 イ 「また、本件発明１～４、６および１２はいずれも焼結助剤およびその量については特定されていない。窒化ケイ素焼結体においては、焼結助剤およびその量によって、焼結体の粒界層の結晶化に影響を与えることは、本件特許出願時の技術常識である。甲２の【００２０】には、実施例１～６の焼結体の粒界相が非晶質であるのに対して、焼結助剤の組成のみが実施例１～６と相違する比較例７～１２の焼結体の粒界相が結晶質であったことが記載されている。甲２から、焼結助剤およびその量によって、焼結体の粒界層の結晶化に影響を与えることは、自明である。 したがって、本件明細書の実施例の窒化ケイ素焼結体の原料組成と大きく異なる窒化ケイ素焼結体であって、所定のエッチング処理後の基板表面における絶縁破壊電圧Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍである窒化ケイ素焼結体、または、所定のエッチングの条件下で窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下である窒化ケイ素焼結体を製造するためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤または複雑高度な実験などを行う必要があると認められる。 上記の点からも、発明の詳細な説明は、窒化ケイ素焼結体の原料組成が何ら特定されていない本件発明１～４、６および１２を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていない。」 （２）申立人の主張についての検討 ア 上記（１）の申立人の主張は、前記第４の１（３）にまとめたとおり、窒化ケイ素焼結体中に第２族元素フッ化物を含有することが特定されておらず、かつ、焼結助剤及びその量についても特定されていない本件発明１～４、６及び１２の実施には、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤または複雑高度な実験が必要な場合が含まれるから、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない旨を主張するものと解される。 イ しかしながら、実施可能要件の判断は、上記１の判断手法に則って行うべきであり、上記申立人の主張は、上記４の判断を左右するものではない。 ウ また、仮に何らか考慮すべき事情があるとしても、発明の詳細な説明における実施例１～７における窒化ケイ素焼結体の製造条件の記載内容、及び、窒化ケイ素焼結体中にフッ素元素の残留割合が重要であることを示唆する前記第７の検討結果を踏まえるに、 （ｉ）本件発明１において特定された 「前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板において、基板表面における絶縁破壊電界Ｖｉが常温で８ｋＶ／ｍｍ以上である」 との絶縁耐圧性能が改善された状態、又は、 （ｉｉ）本件発明３において特定された 「所定のエッチング条件下で前記窒化ケイ素焼結体のエッチング処理後の単位表面積当たりの重量減少量ｗｄが１２μｇ／ｍｍ２以下であり、 前記重量減少量ｗｄは、前記窒化ケイ素焼結体の基板を、５０℃および質量分率７．８％の塩酸溶液中で３０分間浸漬して得られるエッチング処理後の基板の重量と、エッチング処理前の基板の重量との差分を、基板の表面積で除算することによって得られる」 との耐エッチング性が改善された状態を実現するにあたり、 たとえば窒化ケイ素焼結体中におけるフッ素元素の残留割合を適宜調製することで、本件発明１～４、６及び１２に包含された実施例１～７には直接対応しない態様を実施することも、当業者が通常なし得る範囲で十分可能なものであって、申立人が主張するように、過度の試行錯誤を要するとはいえない。 ６ 実施可能要件違反（申立理由３）についての当審の判断のまとめ 以上のとおりであるから、前記第４の１（３）に挙げた実施可能要件違反に関する申立理由３に理由はない。 第９ 結言 以上のとおりであるから、本件特許１～４、６及び１２は、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由、及び、取消理由通知書に記載した取消理由によっては、取り消すことができない。 また、他に本件特許１～４、６及び１２を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。