2026-700117

特許第７７２２８５４号発明「Ｃ／Ｃコンポジット及びＳｉ単結晶引き上げ炉用部材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７２２８５４号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７７２２８５４号に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和３年６月３０日を出願日とするものであって、令和７年８月４日に特許権の設定登録がされ、令和７年８月１３日に特許掲載公報が発行された。 その後、令和８年２月９日に、請求項１～６に係る特許について、特許異議申立人 米田 耕一郎（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがなされた。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」といい、これらをまとめて「本件発明」という場合がある。）は、特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジットであって、 Ｘ線回折法により測定した前記Ｃ／Ｃコンポジットの００２面における回折ピークにおいて、ピーク高さの２／３の高さにおけるピーク中心の２θをｄ０とし、ピーク高さの１／３の高さにおける低角度側の２θをｄ１とし、ピーク高さの１／３の高さにおける高角度側の２θをｄ２としたときに、下記式（１）で表される非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下であり、 かさ密度が、１．７０ｇ／ｃｍ３以上、２．００ｇ／ｃｍ３以下であり、 開気孔率が、１６．５％以下である、Ｃ／Ｃコンポジット。 Ｐ＝（ｄ０－ｄ１）／（ｄ２－ｄ０） …式（１） 【請求項２】 真密度が、２．０５ｇ／ｃｍ３以上、２．２０ｇ／ｃｍ３以下である、請求項１に記載のＣ／Ｃコンポジット。 【請求項３】 前記炭素繊維の真密度が、２．００ｇ／ｃｍ３以上、２．２０ｇ／ｃｍ３以下である、請求項１又は２に記載のＣ／Ｃコンポジット。 【請求項４】 前記炭素繊維が、長さ１ｍｍ以上、５０ｍｍ以下の短繊維である、請求項１～３のいずれか１項に記載のＣ／Ｃコンポジット。 【請求項５】 フィラメントワインディング成形法により成形された成形体により構成されている、請求項１～３のいずれか１項に記載のＣ／Ｃコンポジット。 【請求項６】 炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジットを含む、Ｓｉ単結晶引き上げ炉用部材であって、 Ｘ線回折法により測定した前記Ｃ／Ｃコンポジットの００２面における回折ピークにおいて、ピーク高さの２／３の高さにおけるピーク中心の２θをｄ０とし、ピーク高さの１／３の高さにおける低角度側の２θをｄ１とし、ピーク高さの１／３の高さにおける高角度側の２θをｄ２としたときに、下記式（１）で表される非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下であり、 前記Ｃ／Ｃコンポジットのかさ密度が、１．７０ｇ／ｃｍ３以上、２．００ｇ／ｃｍ３以下であり、 前記Ｃ／Ｃコンポジットにより構成されている、ルツボである、Ｓｉ単結晶引き上げ炉用部材。 Ｐ＝（ｄ０－ｄ１）／（ｄ２－ｄ０） …式（１）」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第４号証を提出し、以下の理由により、請求項１～６に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（新規性） 本件発明１～５は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１～５は、甲第１号証に記載された発明、又は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証～甲第４号証の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明６は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証～甲第４号証の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ここで、申立人が提出した証拠方法は、次のものである。 甲第１号証 特開２００９－２６９７７４号公報 甲第２号証 特開２００２－１７３３９２号公報 甲第３号証 特開平１０－１６７８７９号公報 甲第４号証 特開２００２－３２６８９０号公報 （以下、「甲第１号証」などを「甲１」などという。） 第４ 甲号証の記載事項 １ 甲１の記載事項 甲１には、以下の記載がある（下線は当審が付した。以下同様である。）。 （１）「【請求項１】 結晶性炭素系粉末およびガラス状炭素を含むマトリックスと、炭素繊維と、を含み、 硫黄の含有量が５質量ｐｐｍ以下である、半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。 【請求項２】 ヘリウムガスを用いたピクノメータによる真密度が２．０～２．２６５ｇ／ｃｍ３、かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３、Ｘ線回折測定における００２面の半値幅が０．５°以下、繊維配向方向の引張強度が５０ＭＰａ以上である、請求項１に記載の半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。 【請求項３】 水銀圧入法による気孔率が１０～３５％である、請求項１または２に記載の半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。」 （２）「【技術分野】 【０００１】 本発明は、シリコンやＳｉＣ、化合物などの半導体製造装置に使用する高純度の炭素繊維強化炭素複合材（Ｃ／Ｃコンポジット）に関する。 【背景技術】 【０００２】 炭素繊維強化炭素複合材（以下、Ｃ／Ｃコンポジットとも言う）は、軽く、強度が強い上、大型化し易いといった長所を持っているため、シリコン単結晶引上装置、シリコン多結晶製造装置、半導体製造装置等に広く使われている。 このような用途においては、シリコン単結晶等に金属等の不純物が混入することを防止するため、ハロゲンガスを用いて純化した高純度のＣ／Ｃコンポジットが用いられてきた。 ・・・ 【０００３】 しかし、上記従来の製造方法では、一回の含浸では十分な強度を得ることが出来ないため、含浸、硬化、焼成工程を何度も繰り返すことで、強度を得ている。 また、上記従来のＣ／Ｃコンポジットは、マトリックスが主に非晶質のガラス状炭素で構成されているため、気体の浸透性が低い。これは、ガラス状炭素が気体不浸透の性質を備えている上、繰り返し数回の含浸を繰り返しているため、表層から内部につながる連続気孔が、非常に細くなったり、気孔の一部が、外部へ繋がることのない閉気孔となってしまうためと考えられる。このため、ハロゲンガス中で加熱する従来の純化方法では、Ｃ／Ｃコンポジット材内部に含まれる、主に金属元素からなる不純物を除去することは困難であった。 ・・・ 【０００５】 表１に、三成分系Ｃ／Ｃコンポジットの一例と二成分系Ｃ／Ｃコンポジットの一例の物理性状を示す。また、図１にサーモ フィニガン社製水銀ポロシメータを用い、水銀圧入法により測定した三成分系Ｃ／Ｃコンポジット材の気孔分布のグラフを、図２に二成分系Ｃ／Ｃコンポジット材の気孔分布のグラフを、図３に三成分系Ｃ／Ｃコンポジット材および従来の二成分系Ｃ／Ｃコンポジット材の積算気孔分布のグラフを、図４に三成分系Ｃ／Ｃコンポジット材のＸ線回折測定のグラフを、図５に二成分系Ｃ／Ｃコンポジット材のＸ線回折測定のグラフを示す。 【０００６】 【表１】 ［図：0001437416000001.jpg］ 【０００７】 図１～３から、図１では、三成分系は、半径１０μｍ前後の気孔が集中していることが分かり、図２では、二成分系では主に０．１～１０μｍまでの間に気孔が広く分布していることが分かり、図３では、三成分系は二成分系に比べ気孔が多いことが分かる。また、表１より、三成分系と二成分系はかさ密度がほぼ同等レベルであるにも関わらず、三成分系の方は、真密度が高いため、気孔率は大きくなっていることが分かる。 図４～５、表１から二成分系Ｃ／Ｃコンポジット材に比べ三成分系Ｃ／Ｃコンポジット材では、（００２）面のピーク強度がシャープであるため、結晶化度が高いことがわかり、言い換えれば三成分系Ｃ／Ｃコンポジットの真密度の方が高いといえる。 表１から、繊維配向方向の引張強度は三成分系であっても５０ＭＰａを超えており、半導体製造装置の部材として使用出来るだけの十分な強度を備えていることがわかる。」 （３）「【課題を解決するための手段】 【００１１】 本発明者らは鋭意検討した結果、このような問題点は、三成分系のＣ／Ｃコンポジット中に含まれる硫黄が原因であることを見出した。 すなわち本発明は以下の高純度炭素繊維強化炭素複合材およびその製造方法を提供する。 ［１］結晶性炭素系粉末およびガラス状炭素を含むマトリックスと、炭素繊維と、を含み、 硫黄の含有量が５質量ｐｐｍ以下である、半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。 ［２］ヘリウムガスを用いたピクノメータによる真密度が２．０～２．２６５ｇ／ｃｍ３、かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３、Ｘ線回折測定における００２面の半値幅が０．５°以下、繊維配向方向の引張強度が５０ＭＰａ以上である、上記［１］に記載の半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。 ［３］水銀圧入法による気孔率が１０～３５％である、上記［１］または［２］に記載の半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。 ［４］結晶性炭素系粉末およびガラス状炭素を含むマトリックスと、炭素繊維と、を含む炭素繊維強化炭素複合材を、純化炉中で真空引きした後、１８００～２４００℃に加熱し、次にハロゲン系ガスを５０ｋＰａ以上になるまで導入する第１工程と、続いて２０ｋＰａ以下になるまで真空引きを行う第２工程とを交互に繰り返す純化処理工程を含む、半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材の製造方法。 【発明の効果】 【００１２】 本発明によれば、金属元素が除去しやすく製造工程の少ない三成分系のＣ／Ｃコンポジットであっても、シリコン単結晶引き上げ装置でのシリコンの汚染や、接触する銀や銅合金の腐食を低減することができる。」 （４）「【００１８】 本発明の炭素繊維強化炭素複合材は、真密度が好ましくは２．０～２．２６５ｇ／ｃｍ３であり、より好ましくは２．０５～２．２６５ｇ／ｃｍ３である。真密度が上記範囲であれば材料外部に接続した連続気孔が出来やすくＣ／Ｃコンポジット中に存在する不純物を純化ガスで除去し易い。バインダー樹脂を炭化したガラス状炭素の真密度は概ね１．４～１．６ｇ／ｃｍ３、炭素繊維の真密度は１．５～２．０ｇ／ｃｍ３であるため、これらより得られる従来の二成分系のＣ／Ｃコンポジットの真密度はせいぜい１．４～２．０ｇ／ｃｍ３であると概算される。これに対し、本発明の三成分系のＣ／Ｃコンポジットは、熱処理後の真密度が２．１０～２．２６５ｇ／ｃｍ３となるコークス、黒鉛等の易結晶性炭素系材料を使用し、その分熱処理後の真密度の低いバインダー樹脂等の含有量が少ないため、Ｃ／Ｃコンポジット全体の真密度が上記２．０～２．２６５ｇ／ｃｍ３と高い値を示すと考えられる。 真密度は、例えば市販の真比重計、（ユアサアイオニクス社製ペンタピクノメータ）等によって測定することができる。 【００１９】 本発明の炭素繊維強化炭素複合材は、かさ密度が好ましくは１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３であり、より好ましくは１．４５～１．７０ｇ／ｃｍ３である。かさ密度が上記範囲であれば十分な強度を得ることが出来、材料外部に接続した連続気孔が出来やすくＣ／Ｃコンポジット中に存在する不純物を純化ガスで除去し易い。 かさ密度は、例えば質量を寸法測定で得られた体積で除することによって測定することができる。 【００２０】 また、本発明の高純度炭素繊維強化炭素複合材は、Ｘ線回折測定における００２面（２６．０度）の半値幅が好ましくは０．５°以下、より好ましくは０．４°以下である。Ｘ線回折測定によって炭素材料の結晶化度を測定することができる。また、図６に示すように半値幅とは、バックグラウンドを基準としたピーク高さの１／２の高さにおける強度の幅を意味し、半値幅が低いほど、結晶面の広がりが大きく結晶化度が高いことを意味する。Ｘ線回折測定は、炭素繊維強化炭素複合材を粉砕した粉末を試料とし、たとえばＣｕ、Ｋα線のＸ線回折装置を用いて行うことができる。 【００２１】 炭素繊維や、バインダー樹脂等を熱処理等により炭素化して得られるガラス状炭素の結晶化度は低く、易結晶性の炭素系材料であるコークス、黒鉛等を熱処理した結晶性炭素系粉末の結晶化度は高い。本発明のＣ／Ｃコンポジットは、結晶性炭素系粉末を多量に含有し、その分炭素繊維、ガラス状炭素の含有量が少ないため、００２面の半価幅は上記範囲となる。一方、易結晶性炭素系材料を使用せず、炭素繊維とフェノール樹脂等を主原料とする従来の二成分系のＣ／Ｃコンポジットは００２面の半値幅が０．５以上となると推測される。 【００２２】 真密度が２．０～２．２６５ｇ／ｃｍ３であり、かつ、かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３であるということは、気孔率の理論値が約１０～３８％であるので、Ｃ／Ｃコンポジットは使用に耐え得る充分な強度を有する。さらに、Ｘ線回折測定における００２面（２６度）の半値幅が０．５°以下であるということは、結晶化度が高いということであるので、Ｃ／Ｃコンポジットは連続気孔が形成されやすく、高純度化のためのガスが透過しやすい。従って、Ｃ／Ｃコンポジットの強度を充分に確保しつつ、Ｃ／Ｃコンポジット中に存在する不純物を純化ガスで除去することができる。 【００２３】 そして、本発明の高純度炭素繊維強化炭素複合材は、気孔率が好ましくは１０～３５％、より好ましくは２０～３５％である。気孔率は、水銀圧入法、例えばサーモ フィニガン社製水銀ポロシメータによって測定することができる。水銀圧入法による気孔率がこの様な範囲にある場合には、充分な数の連続気孔が形成される。」 （５）「【実施例】 【００３３】 ＜高純度炭素繊維強化炭素複合材の製造＞ （実施例１） 易結晶性炭素系材料として、平均粒子径2μｍの石炭系生コークスを用い、炭素繊維としてＰＡＮ系の平均径７μｍ、平均長さ５ｍｍのチョップを使用し、バインダー樹脂としてレゾール系のフェノール樹脂を使用した。次に易結晶性炭素系材料３０質量％、炭素繊維４５質量％、バインダー樹脂２５質量％の比率でミキサーを用いて混合し、１００×１００のキャビティを持った金型を用い２０ＭＰａ、９０℃で１５分間プレスし硬化させた。 得られた成形体をさらに１５０℃で３０分処理し完全硬化させた後、還元性雰囲気（炭化水素ガス）下で４℃／時間の昇温速度で９００℃まで焼成したのち、次の高温処理炉で窒素雰囲気下５０℃／時間の昇温速度で２０００℃まで焼成した。こうして得られたＣ／Ｃコンポジットを７０×７０×２０ｍｍのサイズに加工した。尚、繊維は、７０×７０の方向に２軸配向している。 前記、Ｃ／Ｃコンポジットを純化炉に入れ、２０ｋＰａまで真空引きを行い、加熱した。２１００℃になったところで塩素ガスを導入し、６０ｋＰａ以上に達するまで導入し、１分間保持（第１工程）再び２０ｋＰａに達するまで真空引きを行い（第２工程）２０ｋＰａに達し他時点で前記（第１工程）へ戻るように高純度化を行い、交互に（第１工程）、（第２工程）を３回ずつ実施した。高純度化の終了したＣ／Ｃコンポジット材は、冷却した後、窒素ガスで復圧し、大気解放した。」 （６）「【図４】 ［図：0001437416000002.jpg］ 【図５】 ［図：0001437416000003.jpg］ 」 ２ 甲２の記載事項 甲２には、以下の記載がある。 （１）「【請求項１】 嵩密度（ＡＤ）が１．５ g/cm3以上、３点曲げ強度（Ｓt ）が１２０ＭＰa 以上で、比強度（Ｓt ／ＡＤ）の値が８０（ MPa／ g/cm3）以上の特性を有し、更に気孔率が１０％以下、層間剪断強度が１０ＭＰａ以上の特性を備えた炭素繊維強化炭素材からなることを特徴とする単結晶引上げ装置用Ｃ／Ｃ部材。」 （２）「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、炭素繊維強化炭素材（Ｃ／Ｃ材）からなり、チョコラルスキー法（以下「ＣＺ法」という）によるシリコンなどの単結晶引上げ装置に使用される高温部材、例えば、ルツボなどとして好適なＣ／Ｃ部材に関する。」 （３）「【００２７】 【表１】 ［図：0001437416000004.jpg］ 」 ３ 甲３の記載事項 甲３には、以下の記載がある。 （１）「【請求項１】 直胴部と、Ｒ部を含む底部とによって構成され、少なくとも前記Ｒ部が炭素繊維強化炭素複合材料を含んで形成される単結晶引き上げ用ルツボであって、 前記Ｒ部をピッチ系炭素繊維からなる炭素繊維強化炭素複合材料により形成することを特徴とする単結晶引き上げ用ルツボ。」 （２）「【００３０】（１）ピッチ系Ｃ／Ｃ材の作製 試料１としてピッチ系Ｃ／Ｃ材を作製した。その具体的な製造条件と、製造されたもののかさ密度等は以下のとおりである。市販のピッチ系炭素繊維の長さ３ｍｍからなるチョップドファイバー（三菱化学株式会社製ダイヤリードＫ－３２１）１００部と、軟化点１６０℃のピッチ（アドケムコ製）２００部とを加え、十分に混合した後に前記で説明したような金型に充填した。そして、成形圧１００kg／cm2 、成形温度２００℃により成形を行い、かさ密度１．３５の成形体を得た。この成形体を１０００℃まで焼成し、ピッチ含浸、焼成を１回行った後に２０００℃処理を行い、かさ密度１．５５のＣ／Ｃ材を得た。」 ４ 甲４の記載事項 甲４には、以下の記載がある。 （１）「【請求項１】 単結晶引き上げに用いられる炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボであって、 前記ルツボが側筒部及び底部とで構成され、フィラメントワインディング法で多層に巻かれて一体に形成されており、 前記多層のうちルツボ最内層の第１層は、炭素繊維が前記底部の極点を通る軌道となるように巻かれ、 前記第１層の外表面に巻かれる第２層は、前記第１層の炭素繊維が前記極点に集中し盛り上がった部分の略中腹部から外側に広がる第１外輪底部を形成する軌道で巻かれ、 前記第２層の外表面に巻かれる第３層以降の各層は、夫々の層の内側の各層の外表面の略中腹部から外側に夫々段階的に広がる外輪底部を形成する軌道で巻かれ、 前記多層に巻かれた炭素繊維の前記底部における前記第１層の盛り上がり部分の頂部及び各外輪底部の頂部が略同じ高さであることを特徴とする単結晶引き上げ用炭素繊維強化炭素複合材料製ルツボ。」 （２）「【０００７】一つは、フィラメントワインディング法と呼ばれる方法である。この方法は、通常炭素繊維を束ねた炭素繊維束を熱硬化性樹脂、溶剤等からなる低粘度の結合材に浸漬した後、結合材の付着した炭素繊維束をルツボ形状を有するマンドレルに巻付けて必要なルツボ形状に成形する。その後、例えば、１００～３００℃程度の温度で熱硬化を行ない、得られる成形体をＮ2ガス等の不活性ガス中でたとえば約１０００℃の温度で炭素化させる。この炭素化の後、必要に応じてフェノール樹脂、タールピッチ等を含浸させ、さらに１５００℃以上の温度で加熱して炭素化（黒鉛化）を行なう。以上の工程により得られたルツボを、たとえばハロゲンガス雰囲気中で、１５００～２５００℃程度の温度において加熱し、高純度化処理を施し、Ｃ／Ｃ材からなるルツボを得る。」 第５ 申立理由（新規性、進歩性欠如）に対する判断 １ 本件発明１について （１）甲１に記載された発明 上記第４ １（１）によれば、甲１には、結晶性炭素系粉末及びガラス状炭素を含むマトリックスと、炭素繊維と、を含み、硫黄の含有量が５質量ｐｐｍ以下である、半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材が記載され（【請求項１】）、さらに、この高純度炭素繊維強化炭素複合材について、かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３であること（【請求項２】）、水銀圧入法による気孔率が１０～３５％であること（【請求項３】）が記載されている。 したがって、これらの記載を整理すると、甲１には、以下の発明が記載されていると認められる（以下、「甲１発明」という。）。 「結晶性炭素系粉末及びガラス状炭素を含むマトリックスと、炭素繊維と、を含み、硫黄の含有量が５質量ｐｐｍ以下であり、かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３、水銀圧入法による気孔率が１０～３５％である、半導体製造装置用の高純度炭素繊維強化炭素複合材。」 （２）本件発明１と甲１発明の対比 甲１発明の「高純度炭素繊維強化炭素複合材」は、第４ １（２）で示した【０００２】に「炭素繊維強化炭素複合材（以下、Ｃ／Ｃコンポジットとも言う）」と記載されているように、「Ｃ／Ｃコンポジット」とも呼ばれるものであるから、甲１発明の「炭素繊維と、を含」む「高純度炭素繊維強化炭素複合材」は、本件発明１の「炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジット」に相当する。 そうすると、本件発明１と、甲１発明は、「炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジット」である点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 本件発明１は「Ｘ線回折法により測定した前記Ｃ／Ｃコンポジットの００２面における回折ピークにおいて、ピーク高さの２／３の高さにおけるピーク中心の２θをｄ０とし、ピーク高さの１／３の高さにおける低角度側の２θをｄ１とし、ピーク高さの１／３の高さにおける高角度側の２θをｄ２としたときに、下記式（１）で表される非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下」、「Ｐ＝（ｄ０－ｄ１）／（ｄ２－ｄ０） …式（１）」であるのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 （相違点２） 本件発明１は「かさ密度が、１．７０ｇ／ｃｍ３以上、２．００ｇ／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明は「かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３」である点。 （相違点３） 本件発明１は「開気孔率が、１６．５％以下」であるのに対し、甲１発明は「水銀圧入法による気孔率が１０～３５％」である点。 （３）相違点の検討 ア 新規性欠如について （ア）相違点１について検討すると、甲１には、本件発明１における「非対称性パラメータＰ」に相当するパラメータが「１．０以上、２．０以下」であることについて、記載も示唆もされていないし、甲１発明がそのような特性を有することが技術常識から合理的に推認できるともいえないから、相違点１は実質的な相違点である。したがって、相違点２、３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明であるとはいえない。 （イ）申立人は、上記相違点１に関して、甲１の図４（上記第４ １（６）参照）に補助線を引くことにより「非対称性パラメータＰ」を実測すると、Ｐ＝１．５０であったこと、同様に図５（上記第４ １（６）参照）についてはＰ＝１．７５であったことを論拠として、甲１発明は、本件発明１の「非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下であ」ることを満足する旨主張する（特許異議申立書第２２頁～２３頁）。 しかしながら、上記第４ １（２）によれば、甲１の図４、図５は背景技術の説明としてのＣ／Ｃコンポジット材のＸ線回折測定のグラフと解され、甲１発明の高純度炭素繊維強化炭素複合材のＸ線回折測定の結果を示すものではない。そして、甲１のその他の記載をみても、甲１発明の高純度炭素繊維強化炭素複合材についてＸ線回折測定の結果を示したグラフが甲１に開示されているとはいえない。そのため、甲１発明の、本件発明における「非対称性パラメータＰ」は不明であり、「１．０以上、２．０以下」ということはできない。 したがって、申立人の主張は採用できない。 イ 進歩性欠如について （ア）本件発明１のＣ／Ｃコンポジットは、本件明細書の段落【００３３】で示されるように、「大きく低角度側にテーリングした複合プロファイルをもつＣ／Ｃコンポジットにおいても、炭素繊維及び炭素マトリクスの平均的な黒鉛化度と相関性の高い非対称性パラメータＰが得られることを見出した」ものであって、「非対称性パラメータＰとＣ／Ｃコンポジットの特性の相関を検討したこところ、非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下と非対称性が小さいＣ／Ｃコンポジットは、ＳｉＯガスのようなガスとの反応性を効果的に低減し得ることを見出した」（【００３４】）ものである。 一方、上記第４ １（４）によれば、甲１には【００２０】「また、本発明の高純度炭素繊維強化炭素複合材は、Ｘ線回折測定における００２面（２６．０度）の半値幅が好ましくは０．５°以下、より好ましくは０．４°以下である。Ｘ線回折測定によって炭素材料の結晶化度を測定することができる。また、図６に示すように半値幅とは、バックグラウンドを基準としたピーク高さの１／２の高さにおける強度の幅を意味し、半値幅が低いほど、結晶面の広がりが大きく結晶化度が高いことを意味する。」との記載があり、甲１発明は、半値幅で測定される結晶化度を上げることを課題としているといえる。他方で、甲１には、本件発明１のように黒鉛化度と相関性の高い「非対称パラメータ性Ｐ」を設定し、その値を「１．０以上、２．０以下」とすることで、ＳｉＯガスのようなガスとの反応性を効果的に低減し得ることについては記載も示唆もない。そうすると、そのような甲１発明において、「非対称パラメータ性Ｐ」を調整して特定の値とする動機付けがあるとはいえない。 また、甲３～甲４のいずれにも、相違点１に係る本件発明１の構成は、何ら記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明において、相違点１に係る本件発明１の構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得るとはいえない。 よって、相違点２、３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明、又は、甲１発明及び甲３～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 （イ）申立人は、「甲第１号証には、１．７０ｇ／ｃｍ３以上２．００ｇ／ｃｍ３以下のかさ密度を有し、１６．５％以下の開気孔率を有するＣ／Ｃコンポジットが図４及び／または図５のようなＸ線回折測定のプロファイルを示さないとは記載されていない。つまり、甲第１号証には、構成要件Ｃ及びＤを満たすＣ／Ｃコンポジットの場合に、構成要件Ｂ（非対称性パラメータ）を満たすようなＸ線回折測定のプロファイルを示さないとは記載されていない。 また、甲１発明は、炭素繊維を必然的に含んでいるので、本件特許発明の明細書【００３１】の「炭素繊維は、炭素マトリクスより黒鉛化度が低いことが多いため、ＸＲＤにおいて炭素繊維のピークは、炭素マトリクスのピークより低角度側に位置することが多い。このことから、複合プロファイルは、低角度側にテーリングした非対称のピークとなることが多い。」との記載のように、甲１発明のＸ線回折測定のプロファイルも低角度側にテーリングした非対称のピークとなるものと認められる。 そして、甲第１号証の【０００７】及び【００２０】の記載のように、甲１発明は、結晶化度が高くなって、ピーク強度がシャープになり回折ピークの半値幅が小さくなる場合がある。よって、甲１発明のＸ線回折測定のプロファイルにおいて、低角度側のテーリングの幅は、高角度側のテーリングと同じ幅にはならないものの、高角度側のテーリングと同じ幅に近づくものと認められる。 このように、甲第１号証には、甲１発明が炭素繊維を含む点、及び、結晶化度が高くなって回折ピークの半値幅が小さくなる点が開示されている。炭素繊維を含む点は、炭素繊維により出現する低角度側テーリングに対応する。結晶化度が高くなって回折ピークの半値幅が小さくなる点は、半値幅の縮小による低角度側テーリングの縮小に対応する。したがって、炭素繊維により出現する低角度側テーリング、及び、半値幅の縮小による低角度側テーリングの縮小から、甲１発明は、構成要件Ｂ（非対称性パラメータ）を満たすようなＸ線回折測定のプロファイルを有するようになる。 よって、甲１発明の構成要件Ｃ及びＤを満たすＣ／Ｃコンポジットにおいて、Ｘ線回折測定のプロファイルにおける式（１）で表される非対称性パラメータＰを１．０以上、２．０以下にすることは、当業者が容易に想到しうるものである。」と主張する（特許異議申立書第２７～２８頁）。 上記主張について検討すると、確かに、甲１には、甲１発明が炭素繊維を含む点、及び、結晶化度が高くなって回折ピークの半値幅が小さくなる点が開示されている。しかしながら、上記（ア）で検討したとおり、甲１、３、４には、本件発明１の「非対称パラメータＰ」を「１．０以上、２．０以下」とすることで、ＳｉＯガスのようなガスとの反応性を効果的に低減し得ることについては記載も示唆もなく、甲１発明において、「非対称パラメータＰ」を調整して特定の値とする動機付けがあるとはいえない。 よって、申立人の主張は採用できない。 （４）小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１発明ではないし、甲１発明、又は、甲１発明及び甲３～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 ２ 本件発明２～５について 本件発明２～５は、いずれも本件発明１の全ての構成を有するものであるから、上記１で検討したのと同様の理由により、本件発明２～５は甲１発明ではなく、甲１発明、又は、甲１発明及び甲３～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 ３ 本件発明６について （１）本件発明６と甲１発明との対比 ア 本件発明６と甲１発明の対応関係は上記１（２）と同様であるから、本件発明６と、甲１発明は、「炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジット」である点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点４） 本件発明６は「Ｘ線回折法により測定した前記Ｃ／Ｃコンポジットの００２面における回折ピークにおいて、ピーク高さの２／３の高さにおけるピーク中心の２θをｄ０とし、ピーク高さの１／３の高さにおける低角度側の２θをｄ１とし、ピーク高さの１／３の高さにおける高角度側の２θをｄ２としたときに、下記式（１）で表される非対称性パラメータＰが、１．０以上、２．０以下」、「Ｐ＝（ｄ０－ｄ１）／（ｄ２－ｄ０） …式（１）」であるのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 （相違点５） 本件発明６は「かさ密度が、１．７０ｇ／ｃｍ３以上、２．００ｇ／ｃｍ３以下」であるのに対し、甲１発明は「かさ密度が１．４０～１．８０ｇ／ｃｍ３」である点。 （相違点６） 本件発明６は、炭素繊維を含む、Ｃ／Ｃコンポジットを含む、「Ｓｉ単結晶引き上げ炉用部材」であるのに対し、甲１発明は「半導体製造装置用」である点。 （２）相違点の検討 ア 上記１（３）で検討したのと同様に、甲１には、相違点４に係る本件発明６の構成は、記載も示唆もされていない。また、甲２～甲４のいずれにも、相違点４に係る本件発明６の構成は、記載も示唆もされていない。そして、甲１発明において、相違点４に係る本件発明６の構成を備えるようにする動機付けがあるとはいえない。 したがって、その余の相違点について判断するまでもなく、本件発明６は、甲１発明及び甲２～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 イ 申立人は、本件発明６と甲１発明との相違点を「相違点１：本件特許発明６では「Ｌ：前記Ｃ／Ｃコンポジットにより構成されている、ルツボである、Ｓｉ単結晶引き上げ炉用部材。」を特定しているが、甲１発明では「シリコン単結晶引き上げ装置（【０００１】）」との記載はあるが、「ルツボである」点については言及していない点。」とした上で、相違点１の内容は甲２～４に開示されており、甲１発明と、甲２～甲４とを組み合わせ、甲１発明に甲２～甲４の記載事項を適用することは、当業者が適宜なし得ることである旨を主張する（特許異議申立書第３１頁～第３２頁）。 しかしながら、上記（１）で検討したとおり、本件発明６と甲１発明とは、申立人が主張する相違点以外にも相違点４、５で相違している。そして、上記アで検討したとおり、甲１発明において、相違点４に係る本件発明６の構成を備えるようにする動機付けがあるとはいえないから、その余の相違点について判断するまでもなく、本件発明６は、甲１発明及び甲２～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 したがって、申立人の主張は採用できない。 （４）小括 以上の検討のとおり、本件発明６は、甲１発明及び甲２～甲４の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議申立人による特許異議の申立ての申立理由１（新規性欠如）及び申立理由２（進歩性欠如）によって、本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。