2025-700643

特許第７６０６６５０号発明「接合体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６０６６５０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕、〔１２～１８〕について訂正することを認める。 特許第７６０６６５０号の請求項１～５、７～１１に係る特許を維持する。 特許第７６０６６５０号の請求項６、１２～１８に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６０６６５０号の請求項１～１８に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、２０２３年（令和５年）１１月２０日を国際出願日とするものであり、令和６年１２月１７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２５日に特許掲載公報が発行された。 その後、令和７年６月１９日に、特許異議申立人 小澤 佳郎（以下「申立人」という。）による請求項１～１８に係る特許に対する特許異議の申立てがされた。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和７年 ６月１９日 ：申立人による特許異議の申立て 同年 ９月１０日付け：取消理由通知 同年１１月 ４日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年１１月１８日付け：訂正請求があった旨の通知 同年１２月１８日 ：申立人による意見書の提出 以下、令和７年１１月４日にされた訂正請求を「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。 第２ 本件訂正の適否について １ 本件訂正の内容 本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１～１１〕、〔１２～１８〕を訂正の単位として訂正することを求めるものであり、その内容（訂正事項）は、次のとおりである（訂正箇所に下線を付した。）。 （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含む、接合体」と記載されているのを「前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含み、かつ、前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である、接合体」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～５、７～１１も同様に訂正する）。 （２） 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （３） 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項６に記載の接合体」と記載されているのを「請求項１に記載の接合体」に訂正する。 （４） 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１２を削除する。 （５） 訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項１３を削除する。 （６） 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項１４を削除する。 （７） 訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項１５を削除する。 （８） 訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項１６を削除する。 （９） 訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項１７を削除する。 （１０） 訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１８を削除する。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断 （１） 訂正事項１について 訂正事項１は「ＭＭＣプレート」について「前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である」と、さらに限定するものであるから、訂正事項１は「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 そして、訂正事項１は、明細書の【００１１】の「本発明の第二の態様においては、図２により具体的に示されるように、ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さＤＡｌにわたって接合層１６に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層２６を有する。Ａｌ拡散層の深さＤＡｌは４０μｍ以上であるのが好ましい。」との記載に基づくものであり、本件特許の願書に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、それぞれ「本件特許明細書」などといい、まとめて「本件特許明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものである。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２） 訂正事項２について 訂正事項２は、請求項６を削除するものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３） 訂正事項３について 訂正事項３は、訂正事項２により請求項６が削除されたこと、そして、訂正事項１により、訂正前の請求項６に記載されていた「前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有して」いる点が請求項１に追加されたことに伴い、請求項１を引用する請求項６を引用していた請求項７について、請求項１を引用するように変更するものである。したがって、訂正事項３は「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４） 訂正事項４～１０について 訂正事項４～１０は、それぞれ請求項１２～１８を削除するものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５） 独立特許要件について 本件訂正は、請求項１～１８について「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正を含むが、本件特許の請求項１～１８の全ての請求項に係る特許について特許異議の申立てがされたので、本件訂正後における、削除されていない請求項１～５、７～１１に係る発明について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する要件（独立特許要件）は適用されない。 ３ 訂正の適否についての結論 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕、〔１２～１８〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり、本件訂正は適法になされたものであるから、本件特許異議の申立てに係る請求項１～１８のうち、本件訂正により削除されなかった本件訂正後の請求項１～５、７～１１に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」などといい、これらをまとめて「本件発明」という。）は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項１～５、７～１１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 酸化アルミニウムを含むセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの一方の側と対向して設けられ、Ｓｉ、Ｃ及びＴｉを含む金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるＭＭＣプレートと、 前記セラミックプレートと前記ＭＭＣプレートとの間に設けられ、前記セラミックプレート及び前記ＭＭＣプレートを接合する接合層であって、Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む接合層と、 を備え、前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含み、かつ、前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である、接合体。 【請求項２】 前記Ｍｇ含有層が、Ａｌ及びＯをさらに含む、請求項１に記載の接合体。 【請求項３】 前記Ｍｇ含有層における、Ａｌ：Ｍｇ：Ｏの重量比が１：０．０１～０．５０：０．００１～０．１００である、請求項２に記載の接合体。 【請求項４】 前記Ｍｇ含有層の厚さが、１～１０μｍである、請求項１又は２に記載の接合体。 【請求項５】 前記セラミックプレート、前記接合層及び前記ＭＭＣプレートの接合を、熱圧接により行うことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合体の製造方法。 【請求項７】 前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＭｇにわたって前記接合層に由来するＭｇが拡散されたＭｇ拡散層を有している、請求項１に記載の接合体。 【請求項８】 前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが前記Ｍｇ拡散層の深さＤＭｇよりも大きい、すなわちＤＡｌ＞ＤＭｇを満たす、請求項７に記載の接合体。 【請求項９】 前記ＭＭＣプレートの接合界面側の表面が、０．０１～１．０μｍの算術平均粗さＲａを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合体。 【請求項１０】 ４点曲げ試験において２００ＭＰａ以上の接合強度を呈する、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合体。 【請求項１１】 前記セラミックプレートが、内部電極が埋設されたものである、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合体。」 第４ 当審の取消理由及び申立人による特許異議の申立理由の概要 １ 当審が通知した取消理由の概要 （１） 新規性欠如 設定登録時の請求項１、２、４、５、１１に係る発明は、下記３に記載の甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、それらの特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである（以下「取消理由１」という。）。 （２） サポート要件違反 設定登録時の請求項１～１８に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記（３）の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（以下「取消理由２」という。）。 （３） 取消理由２の内容 本件特許明細書の発明の詳細な説明には、【００１１】に「接合体１０は、セラミックプレート１２と、ＭＭＣプレート１４と、接合層１６とを含む」こと「セラミックプレート１２は酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムを含み、内部電極１８が埋設されている」こと「ＭＭＣプレート１４は、金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるプレートであり、セラミックプレート１２の一方の側と対向して設けられ」、「金属基複合材料（ＭＭＣ）はＳｉ、Ｃ及びＴｉを含むのが好ましい」こと「接合層１６は、セラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４を接合する層であって、セラミックプレート１２とＭＭＣプレート１４との間に設けられ」、「接合層１６は、Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む」こと、そして「本発明の第一の態様においては、セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含む」こと、一方「本発明の第二の態様においては、・・・ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さＤＡｌにわたって接合層１６に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層２６を有」し「Ａｌ拡散層の深さＤＡｌは４０μｍ以上であるのが好ましい」こと、また「第一の態様は第二の態様の特徴を含んでいてもよく、その逆もまた然りである」こと、が記載されている。 しかしながら、前記「第一の態様」の特徴（以下「特徴Ａ」という。）及び／又は前記「第二の態様」の特徴（以下「特徴Ｂ」という。）を有するようにすることで、高い接合強度を有するセラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４の接合体１０を提供することができる旨記載されてはいるものの、実際に接合体の特徴と接合強度の高さとの相関については「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」をいずれも有する接合体が、いずれの特徴も有しない接合体よりも、接合強度が高かったことが示されているだけである。 本件発明のように３つの層からなる接合体には、直接接合する２つの層の接合界面が２つあるところ、２つの接合界面のいずれか一方の接合強度が高かったとしても、他方の接合界面の接合強度が低ければ、接合強度が低い界面近傍から破壊が起こり、全体としては接合強度が高くならないのが技術常識であるから、発明の詳細な説明の記載から理解できるのは「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」をいずれも有する接合体であれば接合強度が高く、本件発明の課題を解決することができることにとどまるというべきである。 設定登録時の本件特許請求の範囲の請求項１では「特徴Ａ」のみが特定されており、また、請求項１２では「特徴Ｂ」のみが特定されている。そして、請求項１又は１２に従属する他の請求項でも「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」をいずれも特定した請求項はない。 そうすると、設定登録時の請求項１～１８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された本件課題を解決できる態様以外の「特徴Ａ」又は「特徴Ｂ」のいずれか一方の特徴のみを有する態様をも広く包含しており、当業者において、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に照らして、本件課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえない。 ２ 申立人による特許異議の申立理由の概要 （１） 進歩性欠如 設定登録時の請求項１～１８に係る発明は、下記３に記載の甲第１号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（以下「申立理由１」という。）。 （２） 実施可能要件違反 本件特許は、設定登録時の請求項１～１８に対応する本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が下記（３）の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（以下「申立理由２」という。）。 （３） 申立理由２の内容 本件特許の発明の詳細な説明には、接合体の製造時に、セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び、接合層を超音波洗浄するときの時間を制御することでＭｇ含有層の形成／非形成を制御し、かつ、Ａｌ拡散層の深さ及びＭｇ拡散層の深さを変化させることができることが記載されている。しかし、本件発明の「接合体」が備える「Ｍｇ含有層」、「Ａｌ拡散層」及び「Ｍｇ拡散層」の少なくとも１つについて、本件特許の設定登録時の請求項３、４、６～８、１２～１４に記載されているような構造又は組成を有する接合体を具体的に製造する方法は記載も示唆もされていない。 本件特許の発明の詳細な説明に記載されている内容では、設定登録時の．請求項３、４、６～８、１２～１４のそれぞれに係る発明である接合体を作るために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等をする必要があるから、本件特許の発明の詳細な説明は、当業者が設定登録時の請求項３、４、６～８、１２～１４のそれぞれに係る発明の接合体を作れるように記載されていない。 （４） サポート要件違反 設定登録時の請求項１～１８に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記（５）の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（以下「申立理由３」という。）。 （５） 申立理由３の内容 設定登録時の本件特許の請求項１には「前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含む」ことが記載されており、請求項１２には「前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である」ことが記載されている。 一方、本件特許の発明の詳細な説明には、本件特許発明の接合体の製造時に、有機溶媒での超音波洗浄を行うことなく、本件特許の請求項１に対応するように、接合体のセラミックプレートと接合層との間の接合界面に、Ｍｇ含有層が形成されること、及び、請求項１２に対応するように、ＭＭＣプレートがＡｌ拡散層を有しており、Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上となることは、記載も示唆もされていない。 よって、超音波洗浄処理を施されていない部材を用いて製造される接合体も含まれる設定登録時の本件特許の請求項１、１２に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるといえない。 また、本件特許の発明の詳細な説明には、設定登録時の本件特許の請求項１２に関し「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層」がない場合であって「ＭＭＣプレートのＡｌ拡散層の深さＤＡｌ」が４０μｍ以上となっている実施例は記載も示唆もされていないし「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層」がない接合体の接合強度が、例えば、設定登録時の本件特許の請求項１８に記載されているように「４点曲げ試験において２００ＭＰａ以上の接合強度を呈する」こととなるか否かは読み取れない。 よって、設定登録時の本件特許の請求項１２において、発明の詳細な説明に記載された発明の課題を解決する手段が反映されていないため、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求することになる。 ３ 証拠方法 甲第１号証：特開２０２３－１０９６７１号公報 甲第２号証：特開平６－２４８５５号公報 甲第３号証：特開２０１８－３２７３２号公報 甲第４号証：特開２０１２－１６４７１０号公報 甲第５号証：特開２００３－２８６０８７号公報 甲第６号証：特開２０２２－７５０２５号公報 以下、上記甲第１号証等を、それぞれ「甲１」等という。 第５ 当審の判断 １ 取消理由１及び申立理由１について （１） 各甲号証に記載された事項 ア 甲１に記載された事項 甲１には、以下の事項が記載されている。下線は当審で付した。以下同様である。 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、 前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、 前記冷却基材の下面に開口するように前記冷却基材に設けられた冷媒流路溝と、 を備えたウエハ載置台。 【請求項２】 前記冷却基材は、金属とセラミックとの複合材料で形成されている、 請求項１に記載のウエハ載置台。 【請求項３】 前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されている、 請求項１又は２に記載のウエハ載置台。」 （イ）「【発明を実施するための形態】 【００２２】 本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。・・・ 【００２３】 ・・・ウエハ載置台１０は、セラミック基材２０と、冷却基材３０と、金属接合層４０とを備えている。 【００２４】 ・・・セラミック基材２０は、アルミナ、窒化アルミニウムなどに代表されるセラミック材料で形成されている。・・・ 【００２５】 セラミック基材２０の中央部２２は、ウエハ載置面２２ａに近い側に、ウエハ吸着用電極２６を内蔵している。・・・ 【００２６】 ・・・冷却基材３０の材料としては、金属とセラミックとの複合材料などが好ましい。こうした複合材料としては、金属マトリックス複合材料（メタル・マトリックス・コンポジット、ＭＭＣ）やセラミックマトリックス複合材料（セラミック・マトリックス・コンポジット、ＣＭＣ）などが挙げられる。こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの複合材料などが挙げられる。Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料をＳｉＳｉＣＴｉといい、ＳｉＣ多孔質体にＡｌを含浸させた材料をＡｌＳｉＣといい、ＳｉＣ多孔質体にＳｉを含浸させた材料をＳｉＳｉＣという。セラミック基材２０がアルミナ基材の場合、冷却基材３０に用いる複合材料としてはＣＴＥがアルミナに近いＡｌＳｉＣやＳｉＳｉＣＴｉなどが好ましい。・・・ 【００２７】 金属接合層４０は、セラミック基材２０の下面と冷却基材３０の上面とを接合する。金属接合層４０は、例えば、はんだや金属ロウ材で形成された層であってもよい。金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。」 （ウ）「【００３７】 ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。金属接合材の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材は金属接合層になる。このときの金属接合材としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。金属接合材は、厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。」 イ 甲１に記載された発明 （ア） 甲１には、前記ア（ア）には「上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、・・・を備えたウエハ載置台。」（【請求項１】）が記載されており「前記冷却基材は、金属とセラミックとの複合材料で形成されている」（【請求項２】）こと「前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されている」（【請求項３】）ことが記載されている。 （イ） そして、前記ア（イ）には「セラミック基材２０は、アルミナ・・・などに代表されるセラミック材料で形成されている」（【００２４】）こと、また「冷却基材３０の材料としては、・・・金属マトリックス複合材料（メタル・マトリックス・コンポジット、ＭＭＣ）・・・などが挙げられ・・・こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料・・・などが挙げられ・・・Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料をＳｉＳｉＣＴｉ・・・とい」（【００２６】）うこと「セラミック基材２０がアルミナ基材の場合、冷却基材３０に用いる複合材料としてはＣＴＥがアルミナに近い・・・ＳｉＳｉＣＴｉなどが好ましい」（【００２６】）ことが記載されている。これらの記載事項から、セラミック基材がアルミナ基材の場合、冷却基材はＳｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）が好ましいことが記載されているといえる。 （ウ） また、前記ア（イ）には「金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。」（【００２７】）と記載され、前記ア（ウ）には「ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。金属接合材の固相線温度以下（・・・）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材は金属接合層になる。このときの金属接合材としては、・・・Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。」（【００３７】）と記載されている。これらの記載事項から、前記金属接合層は、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法であるＴＣＢにより形成され、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用したＴＣＢにより、この接合材が接合層になることが記載されているといえる。 （エ） これらの記載事項を「ウエハ載置台」に着目して整理すると、甲１には、次の発明が記載されている。 （甲１発明１） 「上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、を備えたウエハ載置台であって、 前記冷却基材は、金属とセラミックとの複合材料で形成されており、 前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されており、 セラミック基材がアルミナ基材の場合、冷却基材はＳｉ、ＳｉＣ及びＴｉを含む金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）が好ましく、 前記金属接合層は、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法であるＴＣＢにより形成され、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用したＴＣＢにより、この接合材が接合層になる ウエハ載置台。」 （オ） また「ウエハ載置台の製造方法」に着目して整理すると、甲１には、次の発明も記載されている。 （甲１発明２） 「上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、を備えたウエハ載置台の製造方法であって、 前記冷却基材は、金属とセラミックとの複合材料で形成されており、 前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されており、 セラミック基材がアルミナ基材の場合、冷却基材はＳｉ、ＳｉＣ及びＴｉを含む金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）が好ましく、 前記金属接合層を、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法であるＴＣＢにより形成し、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用したＴＣＢにより、この接合材が接合層になる、 ウエハ載置台の製造方法。」 ウ 甲２に記載された事項 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 アルミナ製部材と金属製部材の接合体において、金属製部材とアルミナ製部材の間に、スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）と、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＡｌならびにＯよりなる群から選ばれた少なくとも一種以上の物質とからなる反応層が存在することを特徴とする金属・セラミックス接合体。 【請求項２】 前記金属製部材が、Ｍｇを含有する合金であることを特徴とする金属・セラミックス接合体。 【請求項３】 前記金属製部材の少なくともアルミナとの被接合面が、Ｍｇを含有するＡｌ合金層で形成されていることを特徴とする金属・セラミックス接合体。 【請求項４】 前記金属製部材が、純Ａｌからなる芯材の少なくともアルミナとの被接合側表面にＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系合金を配置した３層構造体であることを特徴とする請求項１記載の金属・セラミックス接合体。 【請求項５】 アルミナ製部材の表面に、少なくとも該アルミナとの被接合面がＭｇを含有する合金層からなる金属製部材を接触させた状態で、該合金層の固相線以下の温度に加熱した後加圧し、該合金層とアルミナ製部材との接合界面にスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）と、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＡｌならびにＯよりなる群から選ばれた少なくとも一種以上の物質からなる反応層を形成させることを特徴とする金属・セラミックス接合体の製造方法。」 （イ）「【０００５】本発明の目的は、強度が高く、気密性に優れた接合界面を有する金属・セラミックス接合体とその簡単な接合方法、特にアルミナと金属の接合体とその接合方法並びに、この金属・アルミナ接合体をさらに他の金属体に接合した金属セラミックス複合構造体を提供することである。」 （ウ）「【０００６】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するための本発明による金属・セラミックス接合体は、アルミナと金属の接合を例にとって説明すると、アルミナ製部材と金属製部材の接合界面に、 （１）スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3） または、 （２）スピネルと、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＡｌならびにＯよりなる群から選ばれた少なくとも一種以上の物質からなる反応層を存在させる。この場合には、金属製部材の少なくともアルミナとの被接合面をＭｇを含有する合金で構成する。 【０００７】また、本発明による金属・セラミックス接合体の製造方法は、アルミナ製部材の表面に、少なくとも該アルミナとの被接合面がＭｇを含有する合金層からなる金属製部材を接触させた状態で該合金層の固相線以下の温度に加熱保持した後加圧し、該合金層とアルミナ製部材との接合界面にスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）またはスピネル、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＡｌならびにＯよりなる群から選ばれた少なくとも一種以上の物質からなる反応層を形成させる。 ・・・ 【００１０】本発明の金属・セラミックス接合体のアルミナ製部材と金属製部材の間の接合界面に形成される反応層を構成するスピネルは、ＭｇＡｌ2Ｏ4なる化学式を有する複酸化物であるが、該化学式の組成を有する酸化物ばかりでなく、Ｍｇ、ＡｌならびにＯの比率がこの組成からはずれたもの、あるいはこの化合物に、Ｍｇ、Ａｌならびに不可避の不純物の１つ以上が固溶した固溶体も含むものでも良い。 【００１１】上記スピネルは、アルミナ製部材と金属製部材の間にＭｇ含有合金を介在させて接合温度まで昇温すると、昇温過程で該合金中のＭｇが表面に拡散して、該合金の表面にＭｇが濃縮するので、該合金の融点以下の温度でアルミナ製部材と該合金表面層中のＭｇを反応させて形成させる。この場合、該合金とアルミナの接合界面全面にわたってスピネルを形成するのが望ましいが該スピネルにＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、並びにＡｌが混在しても良い。」 （エ）「【００１６】 【作用】本発明の金属・セラミックス接合体では、アルミナを例に挙げて説明すると、接合界面にＡｌ2Ｏ3とＭｇＯの化学反応で生ずるスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）を形成させることでアルミナと金属を化学的に接合させる。このスピネルを構成するＡｌ2Ｏ3は、被接合体であるアルミナ自身の構成成分を利用する。もう一方のスピネル構成成分であるＭｇＯは、合金中のＭｇによる上記アルミナの還元反応で生成するＭｇＯを利用する。この反応を促進するため、Ｍｇ含有合金中のＭｇを非酸化性雰囲気中での加熱により表面に濃縮させる。かかるＡｌ2Ｏ3とＭｇおよびＭｇＯとの反応は、アルミナ表面にＭｇが濃縮した該合金表面を高温で加圧・接触させて行なう。この場合の非酸化性雰囲気としては、真空、窒素、不活性ガス等が利用できる。 【００１７】この場合の接合は、Ｍｇ含有合金が溶融しない温度で、出来るだけ高温で行なうのが好ましい。Ｍｇ含有合金が溶融する温度では、該合金表面に濃縮したＭｇが合金中へ再溶解したり、蒸発したりして表面のＭｇ濃度が減少し、アルミナとの反応性が低下する。また、溶融合金中のＡｌやＳｉがアルミナ表面に接触して、アルミナとＭｇの直接的接触を妨げるので好ましくない。 【００１８】本発明において、アルミナ製部材とＭｇ含有合金からなる金属製部材の接合界面にスピネルを主体とする反応層を形成して、アルミナと該Ｍｇ含有合金の接合を行なうのは、スピネルが化学的に安定で、耐食性に優れているばかりでなく、表１に示す如く、熱膨張係数がアルミナの熱膨張係数に近いからである。また、スピネルは、図１に示す如く、比較的広い組成範囲で固溶体を形成するからである。 【００１９】 【表１】 ［図：0001435198000001.jpg］ アルミナと金属製部材の接合界面に形成される反応層の熱膨張係数がアルミナのそれに近いことは、反応層とアルミナの界面に発生する熱応力が小さくなり、良好な接合界面が形成されることを意味するので、好ましいものである。また、反応層が広い組成域の固溶体を形成することは、反応するＭｇＯとＡｌ2Ｏ3の割合がずれても、目標とする反応層が容易に形成されることを意味するので、好ましいものである。 【００２０】本発明の金属・セラミックス接合体の製造に使用する金属製部材または金属製部材表面の少なくともアルミナとの被接合面層の基材となる金属は、使用目的、被接合金属部材とセラミックス部材の熱膨張係数の差、使用温度や使用雰囲気等の環境条件等に応じて、融点、硬さ並びに耐食性等を考慮して、選択すれば良いが、酸化物の標準生成自由エネルギーがＭｇＯの標準生成自由エネルギーより大きい金属が好ましい。・・・ 【００２１】例えば、アルミナ製部材とＡｌ合金製金属体の間にＡｌ合金製金属部材を介在させて同時に接合して、アルミナ製部材とＡｌ合金製金属体からなる複合構造体を作製する場合には、接合温度がＡｌ合金製金属体の融点で規制されるので、金属製部材または該金属製部材の表面層を構成する合金は、Ａｌ合金製金属体の融点以下の融点を有するＡｌ基合金が好ましい。かかるＡｌ基合金に添加するＭｇ以外の金属成分としては、Ａｌ基合金の融点を低下させたり、Ｍｇの拡散に好影響を与える元素が好ましい。ＳｉはＡｌ基合金の融点を低下させたり、Ｍｇ2Ｓｉなる金属間化合物を形成して、合金表面へのＭｇの拡散に好影響を与えるのでＡｌ－Ｍｇ合金への添加成分として好ましいものである。Ｓｉ以外の金属元素でもＡｌ－Ｍｇ合金中でＳｉと同じ作用を有するものは、もちろん添加成分として有効である。」 （オ）「【００２３】 【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。まず、αアルミナ製部材とＭｇ含有Ａｌ合金からなる金属製部材の接合界面近傍の断面について、成分分析を実施したところ、予想通り接合界面に反応層が形成されていることが確認された。得られた結果から接合界面に形成されている反応層の構成物質を推定して、作成した模式図を図２に示す。 【００２４】本発明の金属・セラミックス接合体では、図２に示す如く、αアルミナ製セラミックス部材３１とＭｇ含有Ａｌ合金からなる金属製部材３３との間に、反応層３２が存在する。この反応層は、スピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3並びにＡｌで構成されていると考えられる。反応層中のＡｌ濃度は、金属製部材表面からアルミナ表面に向かって連続的に減少する。Ａｌ2Ｏ3の濃度はアルミナ表面から金属製部材表面に向かって連続的に減少し、スピネルとＭｇＯは反応層中で一様な濃度分布をしている。 【００２５】次に、実験例１および実験例２として、アルミナ製部材と金属製部材の接合界面に前記の反応層が存在することを示す根拠を述べる。 実験例１（加熱による金属製部材表面へのＭｇＯ濃縮層形成の証明） 実験例１は、Ａｌ－１０ｗｔ％Ｓｉ－１．５ｗｔ％Ｍｇ合金からなる金属製部材を１０-3Ｐａの真空雰囲気中で、該合金の固相線より約１０℃低温の５５０℃に加熱した後、該合金表面層の組成をＸ線光電子分析法（ＸＰＳ）により分析し、加熱前の表面層の組成と比較した例である。得られた結果を表２、図３並びに図４に示す。測定は、島津製作所製のＸ線光電子分析装置（ＥＳＣＡ－１０００）を使用、スポット寸法：０．６ｍｍφの部分について８ＫＶ－３０ｍＡで行なった。深さ方向の分析は、５０ｎｍずつ表面をイオンエッチングで削るごとに測定を繰り返して行なった。 【００２６】表２は上記合金の加熱前後の表面組成を測定した結果を示したものである。この表に示す如く、加熱前の合金表面からは、Ａｌ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉが検出された。一方、加熱後の合金表面からは、ＭｇＯのみが検出された。 【００２７】 【表２】 ［図：0001435198000002.jpg］ 図３は、加熱前の合金について、表面から深さ方向のＡｌ、Ｓｉ、Ｍｇ並びにＯの濃度を測定した結果である。図中のエッチング時間は、試料表面を１０ｎｍ／ｍｉｎの速度で削った時間を意味する。図３には、５分間ずつイオンエッチングで試料表面を削りながら、測定を繰り返し、表面から２００ｍｎ（０．２μｍ）の深さまでの結果が示されている。また、図４は、同じ合金を１０-3Ｐａの真空雰囲気中で、該合金の固相線より約１０℃低温の５５０℃まで昇温して冷却した試料について同じ測定をした結果が示されている。図４の結果は、本発明の金属・セラミックス接合体の接合に際し、所定の接合温度で加圧する直前の金属製部材表面の状態を示していることになる。 【００２８】図３と図４の対比から明らかな如く、加熱前の合金表面ではＡｌ2Ｏ3（図３：ＡおよびＤ参照）およびＳｉ（図３：Ｂ）のピークが観察される。表面から５０ｎｍ削った位置では、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ2Ｓｉ（図３：Ｃ）およびＳｉのピークが観察されるようになる。ＡｌとＭｇ2ＳｉとＳｉのピークは、表面から深く削ることによって強くなる傾向がある。一方、加熱後の合金表面では、ＭｇＯ（図４：ＣおよびＤ）のピークのみが観察され、Ａｌ2Ｏ3のピークは消失している。表面から５０ｎｍ削った位置では、Ａｌ（図４：Ａ）、ＭｇＯ、Ｍｇ2Ｓｉのピークが観察される。Ａｌのピークは、表面から深く削ることによって強くなる傾向があるが、ＭｇＯのピークは、表面のピークが一番強い。このことは、加熱前に合金表面に存在したＡｌ2Ｏ3層の外側に、加熱によってＭｇが拡散、Ａｌ2Ｏ3を還元し、ＭｇＯ層を形成していることを意味していると考えられる。加熱後の合金表面では、Ｓｉ（図４：Ｂ）は、表面から２００ｎｍ削っても未だ検出されない。 【００２９】以上述べたことから、Ａｌ－１０ｗｔ％Ｓｉ－１．５ｗｔ％Ｍｇ合金からなる金属製部材を１０-3Ｐａの真空雰囲気中で、該合金の固相線以下の５５０℃に加熱すると、該合金の表面にＭｇＯの濃縮層が形成されることが明らかである。従って、金属製部材表面のＭｇＯ濃縮層とアルミナ製部材とを接触させて、高温で加圧し、Ｍｇとアルミナの反応を生じさせれば、本発明の金属・セラミックス接合体とすることができる。・・・ 【００３０】実験例２（アルミナとＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金接合界面の反応層の組成） 実験例２は、直径１２ｍｍφ、長さ２５ｍｍのアルミナ丸棒と直径１２ｍｍφ、厚さ１０ｍｍのＡｌ－Ｍｎ合金円柱の間に、厚さ：０．５ｍｍのＡｌ－１０ｗｔ％Ｓｉ－１．５ｗｔ％Ｍｇ合金板を挟み、１０-3Ｐａの真空雰囲気中で、該合金板の固相線より約１０℃低温の５５０℃で、４０ＭＰａの加圧を行なって接合した接合体について、アルミナと該合金板の接合界面に形成される反応層が、本発明の如き組成を有するかを検討した実験例である。この実験例のアルミナ丸棒、Ａｌ－Ｍｎ合金円柱、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金板がそれぞれ本発明のセラミックス製部材、金属体、金属製部材、接合体が金属セラミックス複合構造体に相当する。 【００３１】この実験では、上記条件で接合した接合体の接合界面と平行にＡｌ－１０ｗｔ％Ｓｉ－１．５ｗｔ％Ｍｇ合金層の部分とアルミナの部分で切断した厚さ約１０ｍｍの円板を、合金層側から該合金層の厚さが約５μｍ程度になるまで機械的に研磨して試料とした。この試料の研磨面表面から約１０μｍの深さまで、アルミナ表面の方向へ、Ｘ線光電子分析法により組成を分析した。測定は、１回の測定毎のイオンエッチングによる削り量を約２５０ｎｍとした他は、実験例１と同条件で行なった。得られた結果を図５に示す。 【００３２】図５に示す如く、接合界面近傍は、以下の３つの組成域に分けられる。 （Ａ）試料表面から約２．５μｍ深さまでの部分 この部分は、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金の構成成分である、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇが検出されるので、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金層と考えられる。 （Ｂ）試料表面から約２．５～約５μｍまでの深さの部分 この部分は、Ａｌ2Ｏ3、Ａｌ、Ｍｇ、Ｏが検出されるので、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金層とアルミナの反応層と考えられる。この部分で検出されたＭｇは、測定部の深さが増すにつれて、エネルギーのピーク位置が金属Ｍｇの位置からＭｇＯの位置に近い高エネルギー側へシフトしている。このピークが金属Ｍｇによるものでないことを示唆している。 【００３３】（Ｃ）試料表面から約５μｍ以上深い部分この部分は、Ａｌ2Ｏ3とＯのみで構成されているので、アルミナ層と考えられる。なお、比較例として、スピネルの焼結体について、同じ方法でエネルギーのピーク位置を測定したところ、Ａｌ2Ｏ3とＭｇＯのそれぞれとほぼ同じエネルギーレベルの位置にピークを示した。従って、上記（Ｂ）の領域で、測定されたＡｌ2Ｏ3と高エネルギー側にシフトしたＭｇのピークの両方にスピネルのピークが重なっている可能性がある。 【００３４】以上の結果に示されるごとく、アルミナとＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金層との接合界面にはスピネル（ＭｇＯ・Ａｌ2Ｏ3）またはスピネルおよびＡｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ａｌ並びにＯよりなる群から選ばれた少なくとも一種以上の物質からなる反応層が形成されていることが確かめられた。次に、実験例３として、本発明の製造方法で作られた接合体の接合界面が、接合強度及び耐食性に優れることを示す。 【００３５】 実験例３（複合体の接合強度向上への効果） 実験例３は、本発明の方法（固相接合）で製造された金属・セラミックス接合体の接合界面の接合強度と耐食性を従来の方法により接合体と比較した例である。直径１２ｍｍφ、厚さ５ｍｍのＡｌ－Ｍｎ合金円柱の両側に、直径１２ｍｍφ、厚さ１ｍｍの純Ａｌ板の両面に厚さ０．１ｍｍのＡｌ－１０ｗｔ％Ｓｉ－１．５ｗｔ％Ｍｇ合金の箔を配置した３層構造の金属製部材を介して、直径１２ｍｍφ、長さ２５ｍｍのアルミナ丸棒を配置した組立体を作り、該組立体を真空プレス中にセットして、１０-3Ｐａの真空雰囲気中で、上記Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ合金箔の固相線より約１０℃低温の５５０℃で、４０ＭＰａの加圧を行なって接合した中心部がＡｌ－Ｍｎ合金、両端がアルミナからなる直径１２ｍｍφ、長さ５６ｍｍの接合体（固相接合体：実施例）と接合温度のみ６００℃とし、その他の条件は同一とした接合体（液相接合体：比較例１）および金属製部材を純Ａｌ製、接合温度を６００℃とし、その他の条件は実施例と同一とした接合体（固相接合体：比較例２）を作製した。次にこれらの接合体から、中心部がＡｌ－Ｍｎ合金、両端がアルミナからなる３×３×４０ｍｍの試験片を切り出して、４点曲げ試験片とした。なお、この実験のアルミナ丸棒、Ａｌ－Ｍｎ合金円柱、３層構造の金属部材が、それぞれ本発明のセラミックス製部材、金属体、金属製部材に相当し、接合体が金属セラミックス複合構造体に相当する。 【００３６】 【表３】 ［図：0001435198000003.jpg］ これらの試験片について、４点曲げ強度を測定した結果を表３に示す。接合したままの試験片では、実施例と比較例のいずれにおいても、破断が接合界面近傍のアルミナ部分で生じたため、アルミナと金属製部材との接合界面の真の接合強度は求められなかった。しかし、いずれの接合体においても、接合強度がアルミナの曲げ強度以上であることが解る。・・・」 （カ）「【図２】 ［図：0001435198000004.jpg］ 」 （キ）「【図５】 ［図：0001435198000005.jpg］ 」 エ 甲３に記載された事項 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 セラミックス部材と、ＳｉＣからなる多孔質体及びこの多孔質体に含浸されたケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ－Ｓｉ合金からなるアルミニウム材を有するＡｌ－ＳｉＣ複合材料とを接合するセラミックス／Ａｌ－ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法であって、 前記セラミックス部材および前記Ａｌ－ＳｉＣ複合材料のうちの少なくとも一方の表面に、厚さが０．１μｍ以上１０μｍ以下のマグネシウム層を形成する工程と、 前記セラミックス部材と前記Ａｌ－ＳｉＣ複合材料とを、前記マグネシウム層を介して積層して、積層体を得る工程と、 前記積層体を５５０℃以上５７５℃以下の温度範囲で加熱することによって、前記セラミックス部材と前記Ａｌ－ＳｉＣ複合材料とを接合する工程と、 を備えていることを特徴とするセラミックス／Ａｌ－ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法。」 （イ）「【発明が解決しようとする課題】 ・・・ 【０００７】 この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料とを、比較的低温での加熱によって、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料中のアルミニウム材を溶出させずに、かつ高強度で接合することができるセラミックス／Ａｌ－ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。」 （ウ）「【課題を解決するための手段】 ・・・ 【０００９】 この構成のセラミックス／Ａｌ－ＳｉＣ複合材料接合体の製造方法によれば、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材が、ケイ素含有量が０．１原子％以上であるＡｌ－Ｓｉ合金で構成されていて、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料との間に配置されたマグネシウム層がＡｌ－Ｓｉ合金と接触しているので、５５０℃以上５７５℃以下と比較的低温での加熱によって、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料を接合することができる。 即ち、マグネシウム層のマグネシウムがセラミックス部材やＡｌ－ＳｉＣ複合材料の表面の酸化被膜を除去するとともに、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材へ拡散して、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料との間に、アルミニウムと、マグネシウムと、ケイ素と、拡散してきたマグネシウムとケイ素との反応によって形成されたＭｇ２Ｓｉとによって、固相と液相が混在した固液共存領域が形成される。そして、この固液共存領域が凝固することによって、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料とが、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む接合部を介して接合される。また、これらの酸化被膜とマグネシウムの反応によってマグネシウム酸化物が生じる。 そして、この液相が凝固した部分（接合部）によって、セラミックス部材とＡｌ－ＳｉＣ複合材料とを高強度で接合することができる。」 （エ）「【発明を実施するための形態】 ・・・ 【００２６】 ここで、セラミックス基板１１とヒートシンク２０との接合部分の構造について、図２を用いて説明する。 【００２７】 図２において、セラミックス基板１１とヒートシンク２０であるＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０とは、接合部４０を介して接合されている。図２の（ａ）は、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有する場合であり、接合部４０は、スキン層３３内に形成されている。（ｂ）は、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料３０がスキン層３３を有しない場合であり、接合部４０は、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料３０のアルミニウム材３２内に形成されている。 【００２８】 接合部４０は、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む。接合部４０は、後述するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法において、セラミックス基板１１とＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０とを、マグネシウム層を介して積層した積層体を加熱することによって生成した、アルミニウムとマグネシウムとケイ素を含む固液共存領域が凝固して形成された層である。 【００２９】 接合部４０には、マグネシウム酸化物４１が析出している。マグネシウム酸化物４１は、セラミックス基板１１と接合部４０との接合界面近傍に析出している。マグネシウム酸化物４１は、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）およびこれらの複合物である。マグネシウム酸化物４１は、後述するヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法において、セラミックス基板１１の表面と、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料３０の表面とにそれぞれ存在していた酸化被膜と、マグネシウム層中のマグネシウムが反応することによって生成した生成物である。接合部４０にはさらに、Ｍｇ２Ｓｉが析出している場合もある。」 （オ）「【００３２】 （ヒートシンク接合工程Ｓ０２） 次に、パワーモジュール用基板１０のセラミックス基板１１と、ヒートシンク２０となるＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０とを接合して、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１を製造する。このヒートシンク接合工程Ｓ０２は、図３に示すように、マグネシウム層形成工程Ｓ２１と積層工程Ｓ２２と接合工程Ｓ２３とを有する。 【００３３】 マグネシウム層形成工程Ｓ２１において、図４に示すように、セラミックス基板１１およびＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０のうちの少なくとも一方の表面にマグネシウム層５３を形成する。本実施形態では、マグネシウム層５３はＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０の表面に形成されている。 【００３４】 マグネシウム層５３は、マグネシウム濃度が８０原子％以上であることが好ましく、９０原子％以上であることが特に好ましい。マグネシウム層５３のマグネシウム濃度が８０原子％以上であると、後述の接合工程Ｓ２３において、固液共存領域が生成し易くなり、また固液共存領域中にＭｇ２Ｓｉが生成し易くなる。 【００３５】 マグネシウム層５３の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下（セラミックス基板１１およびＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０の両方に形成される場合は、合計の厚さ）の範囲とされている。マグネシウム層５３の厚さが薄くなりすぎると、後述の接合工程Ｓ２３において、生成するＭｇ２Ｓｉの量が少なくなり、セラミックス基板１１とＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０との接合強度が低下する。一方、マグネシウム層５３の厚さが厚くなりすぎると、後述の接合工程Ｓ２３において、固液共存領域中に液相が過剰に生成して、セラミックス基板１１とＡｌ－ＳｉＣ複合材料３０との接合性が低下するおそれがある。 【００３６】 マグネシウム層５３の形成方法としては、スパッタ法、蒸着法、マグネシウム粉末のペーストを塗布して乾燥する方法を用いることができる。」 （カ）「【実施例】 【００４６】 本発明の有効性を確認するために行った確認実験について説明する。 【００４７】 ［本発明例１～１６、比較例１～５］ 表１に示すように、回路層形成用金属板と、セラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ、ＡｌＮ及びＡｌ２Ｏ３の場合：厚さ０．６３５ｍｍ、ＳｉＮの場合：０．３２ｍｍ）と、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料（ＡｌＳｉＣ）の板材（５０ｍｍ×６０ｍｍ×厚さ５ｍｍ（スキン層が有る場合：スキン層は両面、片面の厚さは０．２ｍｍ））と、ろう材とを準備した。 なお、Ａｌ－ＳｉＣ複合材料のアルミニウム材の融点は、ＡＤＣ１２が５７０℃、４Ｎアルミニウムが６６０℃、３Ｎアルミニウムが６５５℃、２Ｎアルミニウムが６５０℃である。 ・・・ 【００５７】 【表１】 ［図：0001435198000006.jpg］ 」 オ 甲４に記載された事項 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層が形成されたパワーモジュール用基板を製造する方法であって、 前記セラミックス基板の一方の面のうち少なくとも前記アルミニウム層が形成される領域に、Ｍｇ，Ｃａ及びＮｉから選択される１種又は２種以上の添加元素を固着し、前記添加元素を含有する固着層を形成する固着工程と、 前記固着層が形成された前記セラミックス基板を鋳型内に配置し、この鋳型内に溶融アルミニウムを充填し、前記セラミックス基板と前記溶融アルミニウムとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、 前記セラミックス基板と接触した状態で前記溶融アルミニウムを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 ・・・ 【請求項４】 前記固着工程においては、めっき、蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング、コールドスプレー、又は、粉末が分散しているペースト及びインクの塗布によって、前記添加元素を固着させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。 ・・・ 【請求項６】 請求項１から請求項７のいずれか一項に記載されたパワーモジュール用基板の製造方法によって製造されたパワーモジュール用基板であって、 前記アルミニウム層において、前記セラミックス基板との界面から５０μｍの位置における前記添加元素濃度と、前記セラミックス基板との界面から１００μｍの位置における前記添加元素濃度との濃度差が０．１質量％以下とされており、 前記セラミックス基板と前記アルミニウム層との界面には、前記添加元素濃度が前記アルミニウム層中の前記添加元素濃度の２倍以上とされた添加元素高濃度部が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 ・・・ 【請求項９】 前記セラミックス基板がＡｌ２Ｏ３で構成されており、前記セラミックス基板と前記アルミニウム層との界面をエネルギー分散型Ｘ線分析法で分析したＡｌ、前記添加元素、Ｏの質量比が、Ａｌ：添加元素：Ｏ＝５０～９０質量％：１～３０質量％：０～４５質量％とされていることを特徴とする請求項６の記載のパワーモジュール用基板。」 （イ）「【００６５】 本実施形態であるパワーモジュール用基板２１０は、セラミックス基板２１１と、このセラミックス基板２１１の一方の面に配設された回路層２１２と、他方の面に配設された金属層２１３とを備えている。 セラミックス基板２１１は、その一方の面側と他方の面側との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３（アルミナ）で構成されている。また、セラミックス基板２１１の厚さは、０．２～１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。 【００６６】 回路層２１２は、セラミックス基板２１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる溶融アルミニウムを接触して凝固することにより形成されたものである。本実施形態においては、回路層２１２は、純度が９９．９９質量％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）で構成されている。 ・・・ 【００６９】 そして、セラミックス基板２１１と回路層２１２との界面２３０を透過電子顕微鏡において観察した場合には、図１２に示すように、界面２３０に、Ｍｇ，Ｃａ及びＮｉから選択される１種又は２種以上の添加元素が濃縮した添加元素高濃度部２３２が形成されている。なお、本実施形態では、添加元素としてＭｇが濃縮している。この添加元素高濃度部２３２においては、添加元素濃度（Ｍｇ濃度）が、回路層２１２中の添加元素濃度（Ｍｇ濃度）よりも高くなっており、具体的には、界面２３０における添加元素濃度（Ｍｇ濃度）が、回路層２１２中の添加元素濃度（Ｍｇ濃度）の２倍以上とされている。ここで、本実施形態では、添加元素高濃度部２３２の厚さＨは４ｎｍ以下とされている。 ・・・ 【００７１】 また、この界面２３０をエネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＳ）で分析した際のＡｌ、添加元素（Ｍｇ）、Ｏの質量比が、Ａｌ：添加元素（Ｍｇ）：Ｏ＝５０～９０質量％：１～３０質量％：０～４５質量％の範囲内に設定されている。なお、ＥＤＳによる分析を行う際のスポット径は１～４ｎｍとされており、界面２３０を複数点（例えば、本実施形態では１００点）で測定し、その平均値を算出している。また、回路層２１２の結晶粒界とセラミックス基板２１１との界面２３０は測定対象とせず、回路層２１２の結晶粒とセラミックス基板２１１との界面２３０のみを測定対象としている。 ・・・ 【００８５】 また、本実施形態であるパワーモジュール用基板２１０では、回路層２１２において厚さ方向に添加元素（Ｍｇ）の濃度分布が認められず、金属層２１３において厚さ方向に添加元素（Ｍｇ）の濃度分布が認められている。これは、回路層２１２が溶融アルミニウムＭをセラミックス基板２１１に接触させて形成していることから、添加元素（Ｍｇ）が溶融アルミニウムＭ内に容易に拡散するためである。一方、金属層２１３は、セラミックス基板２１１との接合界面２３６近傍のみに溶融金属領域２２７が形成されることから、添加元素（Ｍｇ）が金属板２２３の内部を拡散することになるため、添加元素（Ｍｇ）の濃度勾配が形成されるのである。」 カ 甲５に記載された事項 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 以下の工程１～３を経由することを特徴とする接合体の製造方法。 工程１：金属箔とろう材合金箔からなる帯状積層物のろう材合金箔面に、セラミックス基板の適宜数を配列してから、金属箔とろう材合金箔からなる別の積層物でセラミックス基板の表面を覆い帯状構造体とする工程。 工程２：この帯状構造体を、非酸化性雰囲気の高温下に保持された、予熱部、仮接合部、拡散部を有する接合炉を通過させて帯状接合体とする工程。 工程３：この帯状接合体を個々の単位接合体に切断する工程。ここで、予熱部とは、ろう材合金箔の融点よりも低い温度に保持された領域であり、仮接合部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体を加圧しながらろう材成分とセラミックス基板とを反応させる領域であり、拡散部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体の加圧を解いて、ろう材成分を金属箔へ拡散させる領域である、と定義される。」 （イ）「【０００５】本発明の目的は、上記に鑑み、生産性の極めて高いセラミックス基板と金属箔からなる接合体の製造方法を提供することである。本発明の目的は、非酸化性雰囲気の高温下に保持された接合炉に帯状構造体を搬入し、予熱部、仮接合部、拡散部を経由させることによって帯状接合体となし、それを接合炉から搬出し、個々の単位接合体に切断することによって達成することができる。 【０００６】 【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、以下の工程１～３を経由することを特徴とする接合体の製造方法。 工程１：金属箔とろう材合金箔からなる帯状積層物のろう材合金箔面に、セラミックス基板の適宜数を配列してから、金属箔とろう材合金箔からなる別の帯状積層物でセラミックス基板の表面を覆い帯状構造体とする工程。 工程２：この帯状構造体を、非酸化性雰囲気の高温下に保持された、予熱部、仮接合部、拡散部を有する接合炉を通過させて帯状接合体とする工程。 工程３：この帯状接合体を個々の単位接合体に切断する工程。ここで、予熱部とは、ろう材合金箔の融点よりも低い温度に保持された領域であり、仮接合部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体を加圧しながらろう材成分とセラミックス基板とを反応させる領域であり、拡散部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体の加圧を解いて、ろう材成分を金属箔へ拡散させる領域である、と定義される。 【０００７】この場合において、セラミックス基板が窒化アルミニウム製又は窒化ケイ素製であり、金属箔がＡｌ製又はＡｌ合金製であり、ろう材合金箔がＡｌとＣｕを主成分とするものであることが好ましい。また、仮接合部の雰囲気温度が６２０～６５０℃であり、帯状構造体に圧力２ＭＰａ以上のロール加圧を行いながら仮接合部の通過速度を０．１～１０ｍｍ／ｓｅｃとすることが更に好ましい。 ・・・ 【００１１】本発明で用いられるろう材合金箔は帯状物である。成分はＡｌとＣｕを主成分とするものが好ましく、例示すればＣｕ１～６％、特に１．５～５％のＡｌ－Ｃｕ合金箔、４％Ｃｕと０．５％Ｍｇとを含む２０１８合金箔、０．５％のＭｎを含む２０１７合金箔、更にはＪＩＳ合金の２００１、２００３、２００５、２００７、２０１１、２０１４、２０２４、２０２５、２０３０、２０３４、２０３６、２０４８、２０９０、２１１７、２１２４、２２１８、２２２４、２３２４、７０５０等の合金箔である。Ｍｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂｉ等の第三成分は合計で５％まで含ませることができる。 ・・・ 【００２４】拡散部では、金属箔とセラミックス基板間の十分な接合強度を確保するため、ろう材成分の一部の金属成分を金属箔中に拡散させることが必要である。たとえば、金属箔がＡｌで、ろう材合金箔成分がＡｌ－Ｃｕ系である場合には、Ａｌ中にＣｕを拡散させる。拡散距離は５０～１００μｍ程度であることが好ましい。」 （ウ）「【００２７】 【実施例】以下、実施例と参考例をあげて更に具体的に本発明を説明する。 【００２８】実施例１～３ セラミックス基板として、表面研削や反り直し等の後加工のない焼成されたままの窒化アルミニウム基板を準備した。厚みは０．６３５ｍｍ、大きさは２インチ角、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍＫ、曲げ強さは４００ＭＰａである。また、金属箔とろう材合金箔の帯状物の巻物（表１）を用意した。 【００２９】金属箔とろう材合金箔の巻物から帯状物をベルトコンベヤーに引き出し両者を積層して帯状積層物とした。この帯状積層物のろう材合金箔面に、上記セラミックス基板の複数個を適宜間隔（約１０ｍｍ）を設けて配列すると共に、その上面を更に上記と同じ帯状積層物で覆って図１に示される帯状構造体とした。この帯状構造体を、酸素濃度２０ｐｐｍの高温窒素雰囲気に保持され、予熱部、仮接合部、拡散部（各部の条件は表２）を有する、ベルト搬送方式のステンレス製筒状構造の接合炉（寸法：開口部幅３００ｍｍ、高さ５０ｍｍ、長さ８ｍ、断熱材：アルミナ繊維）に搬入し、熱処理を行って帯状構造体を帯状接合体となし、それを接合炉から搬出させ、個々の単位接合体に切断（切断方法は表２）して接合体を製造した。 【００３０】実施例４ 窒化アルミニウム基板の代わりに窒化ケイ素基板（厚み０．６３５ｍｍ、大きさは２インチ角、熱伝導率７０Ｗ／ｍＫ、曲げ強さ８００ＭＰａ）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして回路基板を製造した。」 キ 甲６に記載された事項 （ア）「【特許請求の範囲】 【請求項１】 セラミックスからなる静電チャック部材と、金属からなる温度調整用ベース部材と、接着剤層と、を備える静電チャック装置であって、 前記静電チャック部材と前記温度調整用ベース部材とが接合する接合面において、前記静電チャック部材と前記温度調整用ベース部材のいずれか一方に粗面を有し、 前記接着剤層を介して、前記静電チャック部材と前記温度調整用ベース部材が接合されていることを特徴とする静電チャック装置。 ・・・ 【請求項４】 前記粗面において、前記接合面の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．０１μｍ以上２．０μｍ以下とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の静電チャック装置。」 （イ）「【背景技術】 ・・・ 【０００３】 静電チャック部材は、接着剤層を介して温度調整用ベース部材と接合・一体化され、温度調整用ベース部材によって温度が一定に保たれる。 従来、接着剤層の厚さを一定に保つために、接着剤層内には、スペーサが設けられている（例えば、特許文献１、２参照）。 ・・・ 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 しかしながら、接着剤層内に、接着剤層とは組成が異なるスペーサを設けると、使用時の熱応力によって、スペーサが静電チャック部材もしくは温度調整用ベース部材がから剥離し、それに起因して、静電チャック部材の載置面の温度の均一性が損なわれたり、静電チャック部材に電圧を印加した際に放電が生じたりするという課題があった。 【０００６】 本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、静電チャック部材の載置面の温度の均一性を長期間確保し、静電チャック部材に電圧を印加した際に放電が生じることを抑制する静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法を提供することを目的とする。」 （ウ）「【００１７】 「静電チャック部材」 静電チャック部材２は、上面が半導体ウエハ等の板状試料を載置する載置面１１ａとされたセラミックスからなる載置板１１と、載置板１１の載置面１１ａとは反対の面側に設けられた支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に挟持された静電吸着用電極１３と、載置板１１と支持板１２とに挟持され静電吸着用電極１３の周囲を囲む環状の絶縁材１４と、静電吸着用電極１３に接するように支持板１２の貫通孔１５内に設けられた給電端子１６と、温度調節用ベース部材３の固定孔１７内に設けられた電極ピン１８と、を有している。 ・・・ 【００２０】 「支持板」 支持板１２は、載置板１１と静電吸着用電極１３を下側から支持している。 【００２１】 支持板１２の材料は、載置板１１の材料と同一である。 【００２２】 支持板１２は、温度調節用ベース部材３と接合する面（接合面）１２ａが粗面となっている。具体的には、支持板１２は、温度調節用ベース部材３と接合する面（接合面）１２ａの粗面は、突起１９であることが好ましい。 突起１９は、接着剤層４の厚さを均一にするために設けられたものである。 ・・・ 【００２６】 接合面１２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）は０．０１μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１．５μｍ以下であることがより好ましい。接合面１２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が前記下限値以上であれば、接着剤層４の厚さを均一にすることができる。接合面１２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が前記上限値以下であれば、アンカー効果による接着性の向上が得られ、さらに接着剤層４と接合面に気泡が残らないので好ましい。接合面１２ａの算術平均粗さ（Ｒａ）が前記範囲内であれば、静電チャック部材２の載置面（載置板１１の載置面１１ａ）の温度の均一性を確保することができる。また、静電チャック部材２に電圧を印加した際に放電が生じることを抑制することができる。 ・・・ 【００４３】 「接着剤層」 接着剤層４は、静電チャック部材２と、温度調整用ベース部材３とを接着一体化するものである。 【００４４】 接着剤層４は、例えば、シリコーン系樹脂組成物を加熱硬化した硬化体、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等で形成されている。 シリコーン系樹脂組成物は、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有するケイ素化合物であり、耐熱性、弾性に優れた樹脂であるので、より好ましい。」 （２） 本件発明１について ア 対比 （ア） 本件発明１と甲１発明１とを対比すると、甲１発明１の「セラミック基材」は、本件発明１の「セラミックプレート」に相当し、甲１発明１の「セラミック基材がアルミナ基材の場合」は、本件発明１のセラミックプレートが「酸化アルミニウムを含むセラミックプレート」であることに相当する。 （イ） そして、甲１発明１の「冷却基材」は、本件発明１の「ＭＭＣプレート」と「プレート」である点で共通し、甲１発明１の冷却基材が「Ｓｉ、ＳｉＣ及びＴｉを含む金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）」であることは、本件発明１の「Ｓｉ、Ｃ及びＴｉを含む金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるＭＭＣプレート」に相当する。 （ウ） また、甲１発明１の「前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されて」いる点は、本件発明１のＭＭＣプレートが「前記セラミックプレートの一方の側と対向して設けられ」ている点に相当する。 （エ） さらに、甲１発明１の「前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されて」いる点は、本件発明１の「前記セラミックプレートと前記ＭＭＣプレートとの間に設けられ、前記セラミックプレート及び前記ＭＭＣプレートを接合する接合層」を備える点に相当する。そして、甲１発明１の「Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用したＴＣＢにより、この接合材が接合層になる」点は、一般に「Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系」とはＭｇとＳｉを添加したＡｌ基合金を指す用語として慣用される表現であるから、本件発明１の「Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む接合層」を備える点に相当する。 （オ） そうすると、本件発明１と甲１発明１とは、 「酸化アルミニウムを含むセラミックプレートと、 前記セラミックプレートの一方の側と対向して設けられ、Ｓｉ、Ｃ及びＴｉを含む金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるＭＭＣプレートと、 前記セラミックプレートと前記ＭＭＣプレートとの間に設けられ、前記セラミックプレート及び前記ＭＭＣプレートを接合する接合層であって、Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む接合層と、 を備える接合体。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１では「前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含む」のに対し、甲１発明１では、このＭｇ含有層を含むか否か明らかでない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１では「前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である」のに対し、甲１発明１では、この所定の深さのＡｌ拡散層を含むか否か明らかでない点。 イ 相違点に対する判断 事案に鑑み、まず相違点２について検討する。 （ア） 甲５には、【請求項１】に「以下の工程１～３を経由することを特徴とする接合体の製造方法。 工程１：金属箔とろう材合金箔からなる帯状積層物のろう材合金箔面に、セラミックス基板の適宜数を配列してから、金属箔とろう材合金箔からなる別の帯状積層物でセラミックス基板の表面を覆い帯状構造体とする工程。 工程２：この帯状構造体を、非酸化性雰囲気の高温下に保持された、予熱部、仮接合部、拡散部を有する接合炉を通過させて帯状接合体とする工程。 工程３：この帯状接合体を個々の単位接合体に切断する工程。ここで、予熱部とは、ろう材合金箔の融点よりも低い温度に保持された領域であり、仮接合部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体を加圧しながらろう材成分とセラミックス基板とを反応させる領域であり、拡散部とは、ろう材合金箔の融点以上の温度領域で帯状構造体の加圧を解いて、ろう材成分を金属箔へ拡散させる領域である、と定義される」と記載され、【００２４】には「拡散部では、金属箔とセラミックス基板間の十分な接合強度を確保するため、ろう材成分の一部の金属成分を金属箔中に拡散させることが必要である。たとえば、金属箔がＡｌで、ろう材合金箔成分がＡｌ－Ｃｕ系である場合には、Ａｌ中にＣｕを拡散させる。拡散距離は５０～１００μｍ程度であることが好ましい」と記載されている。これらの記載から、甲５には、金属箔とろう材合金箔との接合に関し、前記工程２において接合炉の「予熱部」、「仮接合部」、「拡散部」を通過させることで、ろう材成分の一部の金属成分を金属箔中に拡散させ、十分な接合強度を確保することが記載されているといえる。 （イ） しかしながら、上記のように接合する材料については、【０００７】に「金属箔がＡｌ製又はＡｌ合金製であり、ろう材合金箔がＡｌとＣｕを主成分とするものであることが好ましい。」との記載、【００１１】に「本発明で用いられるろう材合金箔は帯状物である。成分はＡｌとＣｕを主成分とするものが好ましく、例示すればＣｕ１～６％、特に１．５～５％のＡｌ－Ｃｕ合金箔、４％Ｃｕと０．５％Ｍｇとを含む２０１８合金箔、０．５％のＭｎを含む２０１７合金箔、更にはＪＩＳ合金の２００１、２００３、２００５、２００７、２０１１、２０１４、２０２４、２０２５、２０３０、２０３４、２０３６、２０４８、２０９０、２１１７、２１２４、２２１８、２２２４、２３２４、７０５０等の合金箔である。Ｍｇ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂｉ等の第三成分は合計で５％まで含ませることができる。」との記載があるとおり、金属箔が「Ａｌ又はＡｌ合金」で、ろう材合金箔成分が「ＡｌとＣｕを主成分とするもの」であり、それらの材料に対して上記工程２のような加熱加圧を行った場合に「Ａｌ中にＣｕを拡散させ・・・拡散距離は５０～１００μｍ程度である」ということが記載されているにとどまる。 （ウ） 一方、甲１発明１の「Ｓｉ、ＳｉＣ及びＴｉを含む金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）」の接合に用いられる「金属接合層」は「Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用したＴＣＢにより、この接合材が接合層になる」ものであって、甲５に記載されるろう材合金のようにＣｕを含むものではなく、Ａｌ中にＣｕを拡散させることは想定されない。そして、甲１発明１における接合は「金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法であるＴＣＢ」により形成されるものであり、甲５に記載されたろう材金属箔の融点以上の温度領域で加圧する方法とは熱処理条件が異なる。すなわち、甲１発明１の接合と甲５に記載された接合は、接合対象の成分組成も接合方法も異なるものである。そうすると、甲１発明１のＭＭＣと金属接合層との接合において、どのような成分の拡散がどの程度の深さまで起こり、実際に十分な接合強度が得られるのか、当業者が予測し得るほどの事項が甲５に記載されているとはいえない。 （エ） したがって、甲５の記載事項を考慮しても、甲１発明１が相違点２に係る本件発明１の構成を有しているとはいえないから、相違点２は実質的な相違点である。 （オ） 次に、相違点２に係る本件発明１の構成が容易に想到し得るものか否かについて検討する。 （カ） 甲５には上記（ア）～（イ）の事項が記載されているが、上記（ウ）で検討したとおり、甲５の記載を参照しても、接合条件も接合対象の成分組成も異なる甲１発明１のＭＭＣと金属接合層との接合において、どのような成分の拡散がどの程度の深さまで起こり、実際に十分な接合強度が得られるのか不明と言わざるを得ないから、甲１発明１において、ＭＭＣが金属接合層との間の接合界面から深さ４０μｍ以上にわたって金属接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有するようにすることを当業者が容易に想到し得たとはいえない。また、甲１発明１において、当該発明にとって重要な接合方法を、金属接合材の固相線温度以下で行うＴＣＢから、甲５に記載されたろう材の融点以上に加熱する方法に変更し、甲５に記載されたような成分の拡散が起こるようにする動機付けもない。 （キ） さらに、甲２～４、６の記載事項を参照しても、ＭＭＣと金属接合層との接合界面に関し、接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有している点について、記載も示唆もされていない。 （ク） そうすると、甲１発明１において、ＭＭＣプレートが、金属接合層とＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記金属接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有し、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上となるようにし、相違点２に係る本件発明１の構成を備えたものとすることが当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ウ 申立人の主張について （ア） 申立人は、特許異議申立書の５３ページ下から３行～５５ページ１６行において、甲５の記載事項を摘示しつつ、以下のように主張している。 「したがって、甲第５号証に記載の「金属箔」を本件特許発明６の「ＭＭＣ材料」とし、甲第５号証に記載の「ろう材合金箔成分」を本件特許発明６の「Ａｌを含む接合材」とすると、ＭＭＣ材料側に融点の低いＡｌが拡散していることが、甲第５号証に記載されていると言える。すなわち、甲第５号証には、ろう材合金箔に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有する接合体が記載されている。」 （イ） また、申立人は、令和７年１２月１８日に提出された意見書の３ページ３行～４ページ下から７行において、以下のように主張している。 「甲第５号証に記載されている、金属からなる部材とセラミックスからなる部材とを接合する接合層に含まれる成分のうちの金属成分を金属からなる部材中に拡散させることは、特定の元素に限定されるものではなく、「金属接合において十分な接合強度を得るためには、接合界面近傍の反応のみならず、金属からなる部材の内部、例えば、５０～１００μｍのオーダーの深さまで及ぶ拡散領域（相互作用領域）を形成し、物理的な一体化を図るべきである」という、金属接合のメカニズムに基づく一般的な設計指針を示している。・・・訂正請求項１に係る発明において、セラミックプレートとＭＭＣプレートが「Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む」接合層により接合するとき、金属をマトリックスとするＭＭＣプレートにおいて、接合層に含まれるアルミニウムを拡散させて「接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層」を形成することにより、セラミックプレートとＭＭＣプレート間の十分な接合強度を確保することは、当業者は、甲第５号証を参酌すれば、容易に想到することができる。なお、接触する一対の部材のうちの一方の部材に含まれる成分が他方の部材内に拡散する深さは、温度と時間の関数によって表すことが可能である。したがって、訂正請求項１に係る発明において、拡散層の厚さ（成分が拡散する深さ）を制御することは、材料系が多少異なったとしても、当業者が予備実験を通じて日常的に行うプロセス条件の最適化（設計事項）の範疇に過ぎない。・・・このように、訂正請求項１に係る発明の構成（Ｆ）は、甲第５号証に基づいて、使用する材料の組み合わせに合わせて拡散条件を最適化した結果であり、一定の課題を解決するための技術の具体的適用に伴う設計変更や設計的事項の採用に過ぎない・・・また、訂正請求項１に係る発明において、上記のような公知の技術手段を組み合わせた結果により得られる効果も、公知の技術手段のそれぞれが本来有する効果の総和に過ぎず、予測される範囲内の強度向上に留まり、格別な相乗効果は見出せない。・・・４０μｍを境界とする臨界的意義は全く認められない。」 （ウ） しかしながら、前記イ（イ）～（ウ）で検討したとおり、甲５には、金属箔が「Ａｌ又はＡｌ合金」で、ろう材合金箔成分が「ＡｌとＣｕを主成分とするもの」であり、それらの材料に対して前記工程２のようなろう材の融点以上に加熱する加熱加圧を行った場合に「Ａｌ中にＣｕを拡散させ・・・拡散距離は５０～１００μｍ程度である」という技術的事項、すなわち、甲１発明１とは接合方法も接合対象の成分組成も異なる技術が記載されているにとどまるというべきである。申立人は、甲５に記載された技術的事項を拡大解釈しつつ、本件発明１の構成との比較において本件発明１の進歩性欠如を主張しているが、いずれも本件発明１の構成を見た上で一般論から推論を述べるのみで、甲５以上の具体的な証拠は示されていない。そして、甲１を主たる証拠として認定した甲１発明１を出発点として本件発明１が容易に発明をすることができるか否かについて検討すれば、前記イ（カ）～（ク）で検討したとおり、甲１発明１のＭＭＣと金属接合材との接合において、どのような成分の拡散がどの程度の深さまで起こり、実際に十分な接合強度が得られるのか、当業者が予測し得るほどの事項が甲５に記載されているとはいえないし、甲１発明１にとって重要なＴＣＢによる接合に替えて、加熱条件のみならず具体的に想定される接合対象の成分組成も異なる甲５に記載された接合方法を適用して、甲５に記載されたような成分の拡散を起こさせる動機付けもないから、前記イの判断が上記申立人の主張によって左右されることはない。 エ 本件発明１についてのまとめ 以上のとおり、本件発明１は甲１発明１ではないし、相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明１及び甲２～６に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明１及び甲２～甲６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３） 本件発明２～４、７～１１について 本件発明２～４、７～１１は、本件発明１を引用し、これを、さらに限定するものであるところ、本件発明１が、甲１発明１ではなく、甲１発明１及び甲２～６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない以上、本件発明２～４、７～１１も、甲１発明１ではないし、甲１発明１及び甲２～６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４） 本件発明５について 本件発明５は「前記セラミックプレート、前記接合層及び前記ＭＭＣプレートの接合を、熱圧接により行うことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の接合体の製造方法」であり、本件発明１の特徴を全て備える接合体の製造方法について「前記セラミックプレート、前記接合層及び前記ＭＭＣプレートの接合を、熱圧接により行う」点を特定したものである。 前記（１）イ（オ）で認定した接合体の製造方法の発明である甲１発明２と本件発明５とを対比すると、少なくとも実質的に相違点１及び２と同じ点で相違する。 そして、前記（２）で検討したとおり、本件発明１が甲１発明１ではなく、甲１発明１及び甲２～６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないところ、本件発明１の特徴を有する接合体の製造方法である本件発明５は甲１発明２であるとはいえないし、甲１発明２と甲２～６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （５） 小括 以上のとおりであるから、取消理由１及び申立理由１には理由がない。 ２ 取消理由２及び申立理由３について （１） サポート要件の判断手法について 特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を対比し、特許請求の範囲で特定された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。 以下、この観点に立って検討する。 （２） 本件発明の課題について 本件発明の課題は「高い接合強度を有するセラミックプレート及びＭＭＣプレートの接合体を提供すること」（【０００８】）である。 （３） 発明の詳細な説明の記載について ア 発明の詳細な説明には、以下の記載がある。 （ア）「【発明を実施するための形態】 【００１１】 接合体 図１に本発明による接合体の一例を示す。図１に示される接合体１０は、セラミックプレート１２と、ＭＭＣプレート１４と、接合層１６とを含む。好ましくは、セラミックプレート１２は酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムを含み、内部電極１８が埋設されている。ＭＭＣプレート１４は、金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるプレートであり、セラミックプレート１２の一方の側と対向して設けられる。金属基複合材料（ＭＭＣ）はＳｉ、Ｃ及びＴｉを含むのが好ましい。接合層１６は、セラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４を接合する層であって、セラミックプレート１２とＭＭＣプレート１４との間に設けられる。接合層１６は、Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む。本発明の第一の態様においては、セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含む。一方、本発明の第二の態様においては、図２により具体的に示されるように、ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さＤＡｌにわたって接合層１６に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層２６を有する。Ａｌ拡散層の深さＤＡｌは４０μｍ以上であるのが好ましい。第一の態様は第二の態様の特徴を含んでいてもよく、その逆もまた然りである。このように、（１）ＭＭＣプレート１４とセラミックプレート１２との間に所定の接合層１６を設け、かつ、（２ａ）セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含むようにすることで、及び／又は（２ｂ）ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さ（厚さ）にわたってＡｌ拡散層２６を有するようにすることで、高い接合強度を有するセラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４の接合体１０を提供することができる。すなわち、所定の接合層１６の採用のみならず、Ｍｇ含有層２４及び／又はＡｌ拡散層２６を設けることで、ＭＭＣプレート１４とセラミックプレート１２との間で高い接合強度を実現することができる。」 （イ）「【００２３】 接合体の製造方法 本発明の接合体は、所定の層構成の接合体が得られるかぎり、いかなる方法により製造されたものであってもよいが、以下に好ましい製造方法を説明する。 【００２４】 まず、内部電極が埋設されたセラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層を用意する。各部材の詳細については上述したとおりである。セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層はいずれも、公知のものを使用することができるが、公知の方法に基づき適宜製造してもよい。 【００２５】 次に、セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層の各々に対して、有機溶剤を用いて超音波洗浄を行う。超音波洗浄により各部材の表面に付着した汚れを除去することができ、各部材と接合層との接合性が向上し、結果として高い接合強度を実現ことができる。有機溶剤の好ましい例としては、アセトンやイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が挙げられる。超音波洗浄時間を長くすることで汚れをより一層除去することができ、熱圧接時にＭｇやＡｌといった元素の移動や拡散を促進することができる。したがって、超音波洗浄時間を制御することで、後続の熱圧接において、Ｍｇ含有層の形成／非形成を制御し、かつ、Ａｌ拡散層の深さ（厚さ）及びＭｇ含有層の深さ（厚さ）を変化させることができる。例えば、超音波洗浄時間を長くすることで、Ｍｇ含有層を形成させ、かつ、Ａｌ拡散層の深さ及びＭｇ含有層の深さを大きくすることができる。各部材の表面に付着した汚れをより効果的に除去する観点から、アセトンを用いた超音波洗浄と、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄の両方を行うのが望ましい。超音波洗浄が施されたセラミックプレート及びＭＭＣプレートは、純水を用いた流水洗浄、Ｎ２ガスでのブロー、有機溶媒（ＩＰＡ等）を含浸させたワイプシートでの拭き取り、及び乾燥を施すことで更に清浄化されるのが好ましい。また、超音波洗浄が施された接合層は、Ｎ２ガスでのブローを施すことで更に清浄化されるのが好ましい。」 （ウ）「【実施例】 【００２７】 本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。ただし、本発明は以下の例に限定されるものではない。 ・・・ 【００３２】 （４）清浄化工程 セラミックプレート及びＭＭＣプレートの各々に対して以下の清浄化工程（ｉ）～（ｖ）を順に行う一方、Ｓｉ及びＭｇ含有Ａｌ合金シートに対して以下の清浄化工程（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｖ）のみを順に行った。 ＜清浄化工程＞ （ｉ）アセトンを用いた超音波洗浄（例９では実施せず） （ｉｉ）イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄（例９では実施せず） （ｉｉｉ）純水を用いた流水洗浄 （ｉｖ）Ｎ２ガスでのブロー （ｖ）１２０℃で１０分間の乾燥 【００３３】 このとき、（ｉ）アセトンを用いた超音波洗浄と（ｉｉ）イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄との合計洗浄時間、すなわち有機溶剤での超音波洗浄時間を表１に示されるように実験例ごとに変化させた。したがって、上述のとおり、例９については上記（ｉ）及び（ｉｉ）の超音波洗浄は行わなかった。 ・・・ 【００４１】 【表１】 ［図：0001435198000007.jpg］ 」 イ 前記ア（ア）から、「接合体１０は、セラミックプレート１２と、ＭＭＣプレート１４と、接合層１６とを含む」こと、「セラミックプレート１２は酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウムを含み、内部電極１８が埋設されている」こと、「ＭＭＣプレート１４は、金属基複合材料（ＭＭＣ）で構成されるプレートであり、セラミックプレート１２の一方の側と対向して設けられ」、「金属基複合材料（ＭＭＣ）はＳｉ、Ｃ及びＴｉを含むのが好ましい」こと、「接合層１６は、セラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４を接合する層であって、セラミックプレート１２とＭＭＣプレート１４との間に設けられ」、「接合層１６は、Ａｌを主成分として含み、かつ、Ｓｉ及びＭｇを副成分として含む」こと、そして「本発明の第一の態様においては、セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含む」こと、一方「本発明の第二の態様においては、・・・ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さＤＡｌにわたって接合層１６に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層２６を有」し「Ａｌ拡散層の深さＤＡｌは４０μｍ以上であるのが好ましい」こと、また「第一の態様は第二の態様の特徴を含んでいてもよく、その逆もまた然りである」こと、が記載されており、「（１）ＭＭＣプレート１４とセラミックプレート１２との間に所定の接合層１６を設け、かつ、（２ａ）セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含むようにすることで、及び／又は（２ｂ）ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さ（厚さ）にわたってＡｌ拡散層２６を有するようにすることで、高い接合強度を有するセラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４の接合体１０を提供することができる」ことが記載されている。 ウ そして、上記の特徴を有する接合体を製造するには、前記ア（イ）に「セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層を用意」し（【００２４】）「次に、セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層の各々に対して、有機溶剤を用いて超音波洗浄を行う」方法が記載され「超音波洗浄時間を長くすることで汚れをより一層除去することができ、熱圧接時にＭｇやＡｌといった元素の移動や拡散を促進することができ」、「超音波洗浄時間を制御することで、後続の熱圧接において、Ｍｇ含有層の形成／非形成を制御し、かつ、Ａｌ拡散層の深さ（厚さ）及びＭｇ含有層の深さ（厚さ）を変化させることができる」こと（【００２５】）が説明されている。 エ さらに、前記ア（ウ）に、実施例として「セラミックプレート及びＭＭＣプレートの各々に対して以下の清浄化工程（ｉ）～（ｖ）を順に行う一方、Ｓｉ及びＭｇ含有Ａｌ合金シートに対して以下の清浄化工程（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｖ）のみを順に行った」こと（【００３２】）、「このとき、（ｉ）アセトンを用いた超音波洗浄と（ｉｉ）イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を用いた超音波洗浄との合計洗浄時間、すなわち有機溶剤での超音波洗浄時間を表１に示されるように実験例ごとに変化させた。したがって、上述のとおり、例９については上記（ｉ）及び（ｉｉ）の超音波洗浄は行わなかった」こと（【００３３】）が記載され、【表１】にその結果得られた接合体が示されている。 オ ここで、【表１】には、前記超音波洗浄処理の時間が２．５～８ｍｉｎである「例１」～「例７」は「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層の有無」が「有り」であり「ＭＭＣプレート内のＡｌ拡散層の深さＤＡｌ」が５０～５００ｎｍであったことが示されている。反面、前記超音波洗浄処理の時間が１ｍｉｎである「例８」及び０ｍｉｎである「例９」では「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層の有無」が「無し」であり「ＭＭＣプレート内のＡｌ拡散層の深さＤＡｌ」が３０ｎｍ及び２０ｎｍであったことが示されており、セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層に対して前記超音波洗浄処理を所定時間以上行った場合に、前記「第一の態様」の特徴（以下「特徴Ａ」という。）及び「第二の態様」におけるＤＡｌが４０ｎｍ以上という好ましい特徴（以下「特徴Ｂ」という。）をいずれも有する接合体を得ることができ、これら両方の特徴を有する「例１」～「例７」の接合体は、いずれの特徴も有しない「例８」、「例９」の接合体よりも接合強度が高かったことが示されている。 カ そうすると、前記イのとおり、「（２ａ）セラミックプレート１２と接合層１６との間の接合界面２０がＭｇ含有層２４を含むようにすることで、及び／又は（２ｂ）ＭＭＣプレート１４が、接合層１６とＭＭＣプレート１４との間の接合界面２２から所定の深さ（厚さ）にわたってＡｌ拡散層２６を有するようにすることで、高い接合強度を有するセラミックプレート１２及びＭＭＣプレート１４の接合体１０を提供することができる」と記載され、「特徴Ａ」及び／又は「特徴Ｂ」を有するようにすることで高い接合強度が得られる旨の記載はあるものの、前記オのとおり、実際に接合体の特徴と接合強度の高さとの相関については「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」をいずれも有する接合体が、いずれの特徴も有しない接合体よりも、接合強度が高かったことが示されているにとどまる。 キ そして、本件発明のように３つの層からなる接合体には、直接接合する２つの層の接合界面が２つあるところ、２つの接合界面のいずれか一方の接合強度が高かったとしても、他方の接合界面の接合強度が低ければ、接合強度が低い界面近傍から破壊が起こり、全体としては接合強度が高くならないのが技術常識であるから、接合体が「特徴Ａ」又は「特徴Ｂ」のいずれか一方しか有さない場合は、高い強度を有するとはいえない。したがって、当業者は、発明の詳細な説明の記載から、上記カで述べたとおり「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」をいずれも有する接合体であれば接合強度が高く、本件発明の課題を解決することができることを理解できるといえる。 （４） 特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との対比、検討 ア 本件特許請求の範囲の請求項１では「前記セラミックプレートと前記接合層との間の接合界面がＭｇ含有層を含む」という、上記（３）で理解した「特徴Ａ」と「前記ＭＭＣプレートが、前記接合層と前記ＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって前記接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層を有しており、前記Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上である」という「特徴Ｂ」がいずれも特定されている。すなわち、本件発明１は、上記（３）で理解した、発明の詳細な説明に記載された本件課題を解決できる態様が全て特定されている。 イ したがって、本件発明１は、当業者において、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に照らして、本件課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえるから、前記（１）の判断手法に照らせば、本件特許請求の範囲の請求項１の記載は明細書のサポート要件に適合する。 ウ 本件発明１を引用する本件発明２～５、７～１１についても事情は同じである。 （５） 申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書の７２ページ５行～７６ページ８行において、本件特許の発明の詳細な説明には、接合体の製造時に、有機溶媒での超音波洗浄を行うことなく、接合体のセラミックプレートと接合層との間の接合界面に、Ｍｇ含有層が形成されること、及び、ＭＭＣプレートがＡｌ拡散層を有しており、Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが４０μｍ以上となることは、記載も示唆もされていないから、超音波洗浄処理を施されていない部材を用いて製造される接合体も含まれる範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるといえない旨主張している。 イ しかしながら、上記（４）で検討したとおり、発明の詳細な説明には、超音波洗浄を適度に行うという工夫によって得られた接合強度に優れた接合体の「物」としての特徴に着目して「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層」を有するという「特徴Ａ」、及び「ＭＭＣプレートが、接合層とＭＭＣプレートとの間の接合界面から所定の深さＤＡｌにわたって接合層に由来するＡｌが拡散されたＡｌ拡散層」を有し「Ａｌ拡散層の深さＤＡｌは４０μｍ以上である」という「特徴Ｂ」の両方を有することで、本件課題が解決できる事が理解できるように記載されている。すなわち、超音波洗浄を施すことにより製造された物か否かに関わらず、接合体が「物」として、上記の「特徴Ａ」及び「特徴Ｂ」を有することが肝要であることを当業者は理解できるといえる。したがって、上記申立人の主張は採用できない。 （６） 小括 以上のとおり、本件特許の請求項１～５、７～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合するから、取消理由２及び申立理由３には理由がない。 ３ 申立理由２について （１） 物の発明又は物の製造方法の発明について実施可能要件を充足するためには、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を製造し、使用することができる程度の記載があることを要する。 以下、この観点に立って検討する。 （２） 実施可能要件についての判断 ア 本件発明の接合体を製造する方法について、前記２（３）ア（イ）には「セラミックプレート、ＭＭＣプレート、及び接合層の各々に対して、有機溶剤を用いて超音波洗浄を行う。超音波洗浄により各部材の表面に付着した汚れを除去することができ、各部材と接合層との接合性が向上し、結果として高い接合強度を実現ことができる。・・・超音波洗浄時間を長くすることで汚れをより一層除去することができ、熱圧接時にＭｇやＡｌといった元素の移動や拡散を促進することができる。したがって、超音波洗浄時間を制御することで、後続の熱圧接において、Ｍｇ含有層の形成／非形成を制御し、かつ、Ａｌ拡散層の深さ（厚さ）及びＭｇ含有層の深さ（厚さ）を変化させることができる。例えば、超音波洗浄時間を長くすることで、Ｍｇ含有層を形成させ、かつ、Ａｌ拡散層の深さ及びＭｇ含有層の深さを大きくすることができる。」（【００２５】）と記載されており、超音波洗浄処理を行うことにより、ＭｇやＡｌの拡散を促進することができることが説明されている。 イ そして、前記２（３）ア（ウ）には、実施例として、セラミックプレート及びＭＭＣプレートの各々に対して清浄化工程（ｉ）～（ｖ）を施し、有機溶剤での超音波洗浄時間を表１に示されるように実験例ごとに変化させた結果が示されており、超音波洗浄時間が「０ｍｉｎ」の例９と「１ｍｉｎ」の例８は「セラミックプレートと接合層との間の接合界面におけるＭｇ含有層」が「無し」であったこと、「ＭＭＣプレート内のＡｌ拡散層の深さＤＡｌ」及び「ＭＭＣプレート内のＭｇ拡散層の深さＤＭｇ」がいずれも浅かったことが示され、一定時間以上の超音波洗浄を行った例１～７では、本件発明の特徴を有する接合体が得られたことが具体的に示されている。 ウ 以上のとおり、発明の詳細な説明には、本件発明の接合体を製造するための工夫がその作用とともに説明され、その方法により具体的に本件発明の接合体を製造した実施例も記載されていることから、当業者は、超音波処理に限らず、接合面に付着した汚れを除去する処理を行うことでＭｇやＡｌの拡散が起こりやすくなり、Ｍｇ含有層やＡｌ拡散層が形成されて接合強度が向上することを理解できる。そうすると、当業者は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を製造し、使用することができるといえる。 エ そうすると、前記（１）の観点に立って検討すれば、本件発明は実施可能要件に適合する。 （３） 申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書の、６８ページ１１行～７２ページ４行において、本件明細書の表１を参照しつつ、「例えば、「例２」の接合体と「例４」の接合体は、超音波洗浄の時間が同じであるものの、Ｍｇ含有層におけるＡｌ：Ｍｇ：Ｏの重量比や、Ａｌ拡散層の深さＤＡｌが異なっている。また、・・・超音波洗浄時間と、Ｍｇ含有層におけるＡｌ：Ｍｇ：Ｏの重量比、Ａｌ拡散層の深さＤＡｌ、および、Ｍｇ拡散層の深さＤＭｇとの間に何らかの関係があるようには認められない。」と主張し、設定登録時の本件特許の請求項３、４、６～８、１２～１４に記載されているような構造又は組成を有する接合体を具体的に製造する方法は記載も示唆もされていないから、本件発明の接合体を作るために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等をする必要がある旨主張している。 イ しかしながら、上記（２）で検討したとおり、発明の詳細な説明には、本件発明の接合体を製造するための超音波洗浄の工夫がその作用とともに説明され、超音波洗浄を行って具体的に製造した実施例とともに、不十分であった比較例も記載されており、接合面に付着した汚れを除去してＭｇやＡｌの拡散が起こりやすくすることが肝要であることを理解できる。そして、本件発明１～５、７～１１の特定事項を満足する接合体を具体的に作製した実施例も記載されているから、当業者は、実施例、比較例の実験結果を参考にしつつ、必要に応じて汚れをどの程度丁寧に除去するかを検討し、超音波洗浄の時間等を調整して、ＭｇやＡｌの拡散を適度に促進することで、過度の試行錯誤を要することなく本件発明の構成を有する接合体を製造することができるといえるから、申立人の主張は採用できない。 （４） 小括 以上のとおり、本件特許の請求項１～５、７～１１に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件に適合するから、申立理由２には理由がない。 第６ むすび 上記第５で検討したとおり、本件特許の請求項１～５、７～１１に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものであるとも、同法第３６条第４項第１号並びに同条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということもできず、同法第１１３条第２号又は第４号に該当するものではないから、前記取消理由１、２及び前記申立理由１～３では、本件特許１～５、７～１１を取り消すことはできない。 また、他に本件特許１～５、７～１１を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項６、１２～１８に係る特許に対する特許異議の申立てについては、請求項６、１２～１８は本件訂正により削除され、当該申立てに係る特許が存在しないこととなったため、特許法１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定により却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。