2022-700159

特許第６９２７３１９号発明「架橋性エラストマー組成物及びフッ素ゴム成形品」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６９２７３１９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第６９２７３１９号の請求項２ないし５に係る特許を維持する。 特許第６９２７３１９号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 １ 特許異議の申立ての経緯 特許第６９２７３１９号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし５に係る特許についての出願は、平成３０年１０月１７日を国際出願日とする特許出願（優先権主張：平成２９年１０月１８日、特願２０１９－５４９３１２号）であって、令和３年８月１０日にその特許権の設定登録（請求項の数５）がされ、同年同月２５日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許に対し、令和４年２月２４日に特許異議申立人である本間 賢一（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。 その後の経緯は、以下のとおりである。 令和４年 ６月２３日付け： 取消理由通知 同年 ８月２５日 ： 特許権者による意見書及び訂正請求書の提 出 同年１０月１１日 ： 訂正請求があった旨の申立人への通知 同年１１月１５日 ： 申立人による意見書の提出 令和５年 １月２０日付け： 申立人への審尋 同年 ２月１３日 ： 申立人による回答書の提出 同年 ３月 ２日付け： 取消理由通知（決定の予告） 同年 ５月 １日 ： 特許権者による意見書及び訂正請求書の提 出 なお、令和４年８月２５日に提出された訂正請求書は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたとみなす。 ２ 証拠方法 （１）申立人が提出した証拠方法 申立人が提出した証拠方法は、以下のとおりである。 ア 申立書に添付したもの 甲第１号証：特許第５４８７５８４号公報 甲第２号証：特開２０１２－１０６８８８号公報 甲第３号証：特開２０１１－２１３５４０号公報 イ 意見書に添付したもの 甲第４号証：ＳｉＣのＥＳＣＡによる分析・試験報告書、（株）東ソー分析センター作成（２０２２年２月発行） ウ 回答書に添付したもの 甲第５号証：甲第４号証に記載の試料の納品書（２０１７年５月発行） 甲第６号証：Ｎａｎｏｍａｋｅｒｓ社ＨＰのＮＭ ＳｉＣ９９に関する頁のプリントアウト（２０２３年２月） なお、各甲号証の番号に応じて、甲第１号証を「甲１」などという。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和５年５月１日付けの訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（下線は、訂正箇所を表し、当審が付した。）。また、本件特許の願書に添付した明細書を「本件特許明細書」という。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、「非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素である請求項１記載の架橋性エラストマー組成物。」とあるのを、「架橋性エラストマー、および、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有し、非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である架橋性エラストマー組成物。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３が引用する請求項から請求項１を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４が引用する請求項から請求項１を削除する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５が引用する請求項から請求項１を削除する。 （６）一群の請求項について 訂正前の請求項２～５は、訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあるから、訂正事項１～５に係る訂正は、一群の請求項〔１～５〕について請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否の存否 （１）訂正事項１ 訂正事項１による請求項１についての訂正は、請求項の削除であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そうすると、本件特許明細書及び特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で訂正されたことが明らかであって、訂正によって本件訂正の前後で実質上特許請求の範囲が拡張又は変更されたものでないことも明らかである。 （２）訂正事項２ 訂正事項２による請求項２についての訂正は、旧請求項１との引用関係を解消し、旧請求項１の記載を引用しないものとしたものであり、さらに、炭化ケイ素について、「ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である」ものにすることを限定したが、この炭化ケイ素についての訂正は、本件特許明細書の段落【００１４】に記載されている。 そうすると、訂正事項２による請求項２についての訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。また、訂正事項２は本件特許明細書及び特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で訂正されたことが明らかであって、新たな技術的事項を導入するものでもないから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３～５ 訂正事項３～５についての訂正は、それぞれ、上記の訂正事項１による訂正前の請求項１の削除に合わせて、引用請求項の一部を削除するものであるから、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項３～５についての訂正は、単に訂正前の請求項１を引用しないものとするものであるから、本件明細書及び特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で訂正されたことが明らかであって、また、各訂正によって本件訂正の前後で実質上特許請求の範囲が拡張又は変更されたものでないことも明らかである。 ３ 小括 以上のとおり、請求項１ないし５についての訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、また、同法同条第９項において準用する同法第１２６条第５及び６項の規定に適合する。 そして、本件の特許異議の申立ては、訂正前の請求項１ないし５に対してされているので、訂正を認める要件として、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定する独立特許要件は課されない。 したがって、本件訂正は適法なものであり、本件特許の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の特許請求の範囲の記載 本件訂正請求により訂正された請求項１～５に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１～５に記載された事項により特定されるとおりのものである。以下、請求項１～５に係る発明を「本件発明１」～「本件発明５」といい、まとめて「本件発明」ということもある。また、本件特許の願書に添付した明細書を「本件明細書」という。 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 架橋性エラストマー、および、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有し、 非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である架橋性エラストマー組成物。 【請求項３】 非酸化物系セラミックスフィラーの平均粒子径が０．１μｍ以下である請求項２に記載の架橋性エラストマー組成物。 【請求項４】 前記架橋性エラストマーが、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合体である請求項２または３に記載の架橋性エラストマー組成物。 【請求項５】 請求項２～４のいずれかに記載の架橋性エラストマー組成物から作製され、 下記条件でのＯ２プラズマ照射後の重量減少率が２．５質量％以下で、パーティクル発生量が０．０５質量％以下であり、 ＮＦ３プラズマ照射後の重量減少率が１．８質量％以下で、パーティクル発生量が０．０５質量％以下であり、 ３００℃、７０時間での圧縮永久歪が５０％以下であるフッ素ゴム成形品。 記 サンプル：Ｏ－リング（ＡＳ－５６８Ａ－２１４） 測定方法： （１） Ｏ２プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：２．６６Ｐａ エッチング時間 ：３０分間 温度 ：１００℃ パーフロエラストマー（ノンフィラー）のエッチング速度が１２０００Å／分に相当する条件。 （２） ＮＦ３プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：１０Ｐａ エッチング時間 ：４時間 温度 ：２００℃ シリコンウェハー熱酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチング速度が９０Å／分に相当する条件。」 第４ 特許異議申立書に記載した申立ての理由、証拠方法及び取消理由の概要 １ 申立人が提出した特許異議申立書に記載した申立ての理由の概要 申立人が特許異議申立書に記載した申立理由の概要は、以下に示すとおりである。 （１）申立理由１（甲第１号証を根拠とする新規性欠如） 本件特許発明１ないし５は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 （２）申立理由２（甲第１号証を主引用例とする進歩性欠如） 本件特許発明１ないし５は、甲第１号証に記載された発明を主たる引用発明とし、それに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。 （３）申立理由３（サポート要件違反）及び、申立理由４（実施可能要件違反） 本件特許発明１ないし５についての特許は、以下の理由で特許法第３６条第６項第１号及び同法同条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願についてされたものであるから、特許法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 申立理由３、４の具体的理由は、概略、次のとおりである。 記 ア (ａ－１)「表面が酸化されている」について 本件特許発明１は、例えば０．０１％等の極僅かでも表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを文言上包含する。 しかしながら、非酸化物系セラミックスフィラーの表面の酸化割合が小さすぎる場合、または、大きすぎる場合は、本件特許発明の課題を解決できないことは明らかである。 また、表面酸化処理をしていない(自然酸化被膜を形成している)比較例１～比較例６では、課題を解決していないことは明らかである。 そうすると、表面の酸化割合が特定されていない本件特許発明１の「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」との記載では、本件特許発明１が解決しようとする課題を達成できない範囲を包含していることは明らかである。 イ (ａ－２) 配合割合について 本件特許発明１には、「架橋性エラストマー組成物」に占める「架橋性エラストマー」および「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」の割合が何ら特定されていない。したがって、本件特許発明１は、例えば、「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」が０．０１％等の極僅か含まれる架橘性エラストマー組成物や、「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」が９９．９％等を占める架橋性エラストマー組成物も文言上包含する。 しかしながら、表１から明らかなように、架橋性エラストマーに対するフィラーの割合が大きくなるほど圧縮永久歪(７０ｈｒ／３００℃)(％)の値は大きくなっており、実施例５ (架橘性エラストマーに対するフィラーの割合は２０％)では圧縮永久歪は４７％である。また、フィラーを添加していない比較例１０では、耐プラズマ性は非常に悪い値になっている。 したがって、本件特許発明の課題を解決するためには、「架橋性エラストマー組成物」に占めるフィラーの範囲を特定の割合にすることは必須であることは明らかである。 そうすると、「架橋性エラストマー組成物」に占める「架橋性エラストマーおよび「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」の割合が何ら特定されていない本件特許発明１は、解決しようとする課題を達成できない範囲を包含していることは明らかである。 ウ （ａ－３）「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」のサイズ、種類および形状について 本件特許発明１の「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」には、 ・いかなるサイズのフィラー、 ・非酸化物系セラミックスであれば、いかなる種類のフィラー、 ・繊維状、ウィスカー状等の粒子形状以外のフィラー、 も包含される。 しかしながら、フィラーのサイズ、種類、形状等が架橋性エラストマー組成物から形成した成形品の特性に大きな影響を与えることは明らかであるし、当該技術分野において周知である。 例えば、表１において、比較例３および比較例６は、何れも表面を酸化処理していない炭化ケイ素粒子であるが、平均粒子径が比較例３の０．０３μｍから比較例６の０．１３μｍに大きくなると、表面パーティクル量が増加している。 一方、実施例１～５および比較例１～５は、炭化ケイ素の粒径が同じ(０．０３μｍ)で、表面の酸化処理の有無による効果の違いを確認したものであるが、炭化ケイ素の粒径が同じであれば表面の酸化処理の有無による耐プラズマ性(重量減少率および表面パーティクル量)に大きな差異はない。 そうすると、表面を酸化処理した炭化ケイ素であっても、平均粒子径を大きくすればするほど、耐プラズマ性が悪化し、課題を解決できなくなることは本件明細書の記載から明らかである。 また、実施例で具体的に効果を確認しているのは、平均粒子径が０．０３μｍの炭化ケイ素粒子表面の４０％を酸化処理したフィラーのみである。本件明細書の実施例では、炭化ケイ素以外の種類、および、繊維状等の粒子形状以外のフィラーを用いた場合でも課題が解決できることは示されておらず、且つ、本件明細書のその他の記載を参酌しても、課題が解決できるとは把握できない。 そうすると、「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」のサイズ、種類および形状が何ら特定されていない本件特許発明１は、解決しようとする課題を達成できない範囲を包含していることは明らかである。 エ (ａ－４) 「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する」について 表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する」との記載は、「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」および「表面が酸化されていない非酸化物系セラミックスフィラー」をブレンドして含有する実施形態を包含する。 しかしながら、ブレンド中の「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」の割合が、「表面が酸化されていない非酸化物系セラミックスフィラー」の割合より極端に小さい場合、本件特許発明の課題を解決できないことは、上記「(ａ－１)「表面が酸化されている」について」に記載と同様の理由により明らかである。 また、本件特許発明１の「非酸化物系セラミックスフィラー」の表面の酸化割合が５０％であると仮定した場合、 (ｉ)非酸化物系セラミックスフィラーの各々の表面を５０％酸化処理したもの、 (ｉｉ)非酸化物系セラミックスフィラーの各々の表面を１００％酸化処理したものと、非酸化物系セラミックスフィラーの表面を酸化処理していないものとを、１：１でブレンドしたもの、 の何れの実施形態も本件特許発明１に含まれる。 しかしながら、本件明細書には、上記(ｉ)および(ｉｉ)の何れの実施形態であっても、同様の効果を奏することは記載されていない。 したがって、本件特許発明１は、解決しようとする課題を達成できない範囲を包含していることは明らかである。 （４）申立理由５（明確性要件違反） 本件特許の請求項１ないし５に係る特許は、以下の理由で特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 申立理由５の具体的理由は、概略、次のとおりである。 記 「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する」との発明特定事項について、当該記載では、 (ｉ)架橋性エラストマー組成物に含有される「非酸化物系セラミックスフィラー」各々の全ての表面が酸化されていることを意味するのか、 (ｉｉ)「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」が含まれれば、「表面が酸化されていない非酸化物系セラミックスフィラー」とブレンドしてもよいことを意味するのか、或いは、 (ｉｉｉ)上記(ｉ)および(ｉｉ)の両方を包含することを意味するのか、 不明確である。 ２ 取消理由の概要 令和５年３月２日付けで通知した取消理由通知（決定の予告）の取消理由（以下、単に「取消理由」という。）の概要は次のとおりである。 （１）取消理由１（サポート要件違反） 本件特許の請求項２ないし５に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 具体的理由は以下のとおりである。 本件明細書において、「炭化ケイ素（Ｎａｎｏｍａｋｅｒｓ株式会社製ＮＭ－ＳｉＣ、平均粒子径３０ｎｍ）」を用いた比較例１～５では、表面を酸化処理はされていないが、表面に自然酸化膜を有し、Ｘ線源Ｍｇ、８ｋｖ－１０ｍＡの条件で測定したＥＳＣＡ分析した結果として、ＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比は１：９であり、Ｏ２プラズマ照射後の重量減少率、パーティクル発生量、ＮＦ３プラズマ照射後の重量減少率、パーティクル発生量、３００℃、７０時間での圧縮永久歪が所定割合を超えており、上記課題を解決できないものと解される。 したがって、本件特許発明２ないし５は、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件特許発明の課題を解決できると認識できる範囲のものではなく、また、その記載や示唆がなくとも当業者が本件特許の出願時の技術常識に照らし、本件特許発明の課題を解決できると認識できる範囲のものとはいえないので、発明の詳細な説明に記載された発明であるとはいえない。 第５ 取消理由についての当審の判断 以下に述べるように、当審が通知した取消理由（決定の予告）、及び、特許異議申立書の申立理由によっては、本件発明２ないし５に係る特許は取り消すことはできない。 そして、第２及び第３で示したとおり、本件特許の請求項１は本件訂正により削除され、この特許に対する申立ては、申立ての対象を欠くこととなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により決定をもって却下すべきものである。 １ 取消理由１及び申立理由３（サポート要件違反）について （１）サポート要件の判断基準 特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 （２）検討 ア 特許請求の範囲の記載 本件特許の訂正後の特許請求の範囲の記載は、上記第３のとおりである。 イ 発明の詳細な説明の記載 「【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本発明は、特定条件下でのプラズマ照射後の重量減少率とパーティクル発生量、および、高温での圧縮永久歪が小さい架橋性エラストマー組成物を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００５】 本発明者らは、特定条件下でのプラズマ照射後の重量減少率とパーティクル発生量、および、高温での圧縮永久歪について種々検討したところ、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを使用することによって改善できることを見出し、本発明を完成した。 【０００６】 すなわち、本発明は、架橋性エラストマー、および、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する架橋性エラストマー組成物に関する。 【０００７】 非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であることが好ましい。 【０００８】 非酸化物系セラミックスフィラーの平均粒子径が０．１μｍ以下であることが好ましい。 【０００９】 前記架橋性エラストマーが、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）との共重合体であることが好ましい。 【００１０】 また、本発明は、下記条件でのＯ２プラズマ照射後の重量減少率が２．５質量％以下で、パーティクル発生量が０．０５質量％以下であり、ＮＦ３プラズマ照射後の重量減少率が１．８質量％以下で、パーティクル発生量が０．０５質量％以下であり、３００℃、７０時間での圧縮永久歪が５０％以下であるフッ素 記 サンプル：Ｏ－リング（ＡＳ－５６８Ａ－２１４） 測定方法： （１）Ｏ２プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：２．６６Ｐａ エッチング時間：３０分間 温度 ：１００℃ パーフロエラストマー（ノンフィラー）のエッチング速度が１２０００Å／分に 相当する条件。 （２）ＮＦ３プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：１０Ｐａ エッチング時間：４時間 温度 ：２００℃ シリコンウェハー熱酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチング速度が９０Å／分に相当する条件。」 「【００１３】 非酸化物系セラミックスフィラーとしては特に限定されないが、炭化物、ケイ化物、硫化物、フッ化物などが挙げられる。炭化物としては、炭化チタン、炭化ホウ素、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化タンタル、炭化タングステン、炭化ニオビウム、炭化ケイ素などが挙げられる。ケイ化物としては、ケイ化チタン、ケイ化モリブデン、ケイ化ジルコニウムなどが挙げられる。硫化物としては、硫化タングステン、二硫化モリブテンなどが挙げられる。フッ化物としては、フッ化アルミニウム、フッ化イットリウム、フッ化バリウムなどがあげられる。なかでも、プラズマ照射後の重量減少率もパーティクル発生量も少なく（耐プラズマ性）、高温での圧縮永久歪が小さい（耐熱性）ことを両立できる点で、炭化ケイ素が好ましい。 【００１４】 たとえば炭化ケイ素の場合、表面が酸化されてＳｉＯ２に変化するが、ＥＳＣＡで測定すると、ＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークが観察できるが、ＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比は、ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９～９：１が好ましく、３：７～６：４がより好ましい。ピーク比が１：９未満では、表面の酸化が不十分であって、充分な改善効果が発現せず、９：１を超えると、酸化され過ぎ、同様に充分な改善効果が発現しない傾向がある。」 「【実施例】 【０１５３】 つぎに本発明を実施例をあげて説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。 【０１５４】 製造例１（熱処理） 炭化ケイ素（Ｎａｎｏｍａｋｅｒｓ株式会社製ＮＭ－ＳｉＣ、平均粒子径３０ｎｍ）を、マッフル炉を用い、大気中、８００℃で１時間、熱処理し、表面が酸化されている炭化ケイ素を得た。 【０１５５】 ＜表面酸化状態の測定＞ 表面酸化処理して得られた非酸化物系セラミックスを、ＥＳＣＡにて、Ｘ線源Ｍｇ、８ｋｖ－１０ｍＡの条件で測定した。なお、製造例１で作製した炭化ケイ素では、表面層３～５ｎｍのＳｉＣが４０％減少しＳｉＯ２への移行し、６０％がＳｉＣとして残存することが確認された（ＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来の ピークの比は２：３）。 【０１５６】 実施例１～５、比較例１～１０ 表１に記載した配合組成にしたがって、含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／ＰＭＶＥ／ＣＮＶＥ（ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＮ）＝５９．４／４０．１／０．５（モル比））に、非酸化物系セラミックス、架橋剤を添加し、オープンロールにて混練して架橋可能なフッ素ゴム組成物を調製した。 ＮｐｈＡＦは２，２－ビス［３－アミノ－４－（Ｎ－フェニルアミノ）フェニル］ヘキサフルオロプロパンを使用した。なお、熱処理炭化ケイ素としては製造例１で熱処理したものを使用した。比較例７で使用した酸化ケイ素としては日本アエロジル社製５０を、比較例８及び９の表面処理酸化ケイ素としては日本アエロジル社製ＲＸ５０を使用した。 【０１５７】 実施例１、３、比較例１、３、６～８、１０で得られたフッ素ゴム組成物を１８０℃で３０分間プレスして架橋を行ったのち、さらにオーブン中で２９０℃で１８時間オーブン架橋を施し、厚さ２ｍｍの架橋物の成形品およびＯ－ｒｉｎｇ（ＡＳ－５６８Ａ－２１４サイズ）の成形品を作製した。また、実施例２、４、５、比較例２、４、５、９で得られたフッ素ゴム組成物を１８０℃で３０分間プレスして架橋を行ったのち、さらにオーブン中で２００～２９０℃で１８時間オーブン架橋を施し、厚さ２ｍｍの架橋物の成形品およびＯ－ｒｉｎｇ（ＡＳ－５６８Ａ－２１４サイズ）の成形品を作製した。 得られた成形品を用い、以下に示す方法に従って、硬度、圧縮永久歪、プラズマ照射後の重量減少率とパーティクル発生量を測定した。その結果を表１に示す。 【０１５８】 ＜硬度＞ ＪＩＳ Ｋ ６３０１に準じて、硬度を測定した。 【０１５９】 ＜圧縮永久歪＞ Ｏ－リング（ＡＳ－５６８Ａ－２１４）を成形し、ＪＩＳ Ｋ６２６２に準じて、３００℃で７０時間後および１６８時間後の圧縮永久歪を測定した。 【０１６０】 ＜耐プラズマ性＞ Ｏ－リング（Ｐ－２４サイズ）の成形品に対して、以下の条件下でプラズマ照射処理を施し、照射前後の重量変化を測定した。 【０１６１】 （１）Ｏ２プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：２．６６Ｐａ エッチング時間：３０分間 温度 ：１００℃ パーフロエラストマー（ノンフィラー）のエッチング速度が１２０００Å／分に相当する条件。 【０１６２】 （２）ＮＦ３プラズマ プラズマ照射装置：ＩＣＰ高密度プラズマ装置（サムコ株式会社製ＭＯＤＥＬ ＲＩＥ－１０１ｉＰＨ） 照射条件 ガス流量 ：１６ＳＣＣＭ ＲＦ出力 ：４００Ｗｈ 圧力 ：１０Ｐａ エッチング時間：４時間 温度 ：２００℃ シリコンウェハー熱酸化膜（ＳｉＯ２）のエッチング速度が９０Å／分に相当する条件。 【０１６３】 電子分析天秤を使用し、０．０１ｍｇまで測定し０．０１ｍｇの桁を四捨五入する。サンプルは１種類につき３個使用し、重量減少率の平均値を算出した。 【０１６４】 プラズマ照射後のＯ－リングにフィルムを押付けて、フィルムへの転写有無を目視確認した。 【０１６５】 【表１】 ［図：0001404729000001.jpg］ 」 ウ 本件発明が解決しようとする課題 本件特許発明の課題は、本件特許明細書の段落【０００４】等からみて、「特定条件下でのプラズマ照射後の重量減少率とパーティクル発生量、および、高温での圧縮永久歪が小さい架橋性エラストマー組成物を提供すること」である。 エ 判断 本件訂正により、本件特許発明２は「架橋性エラストマー、および、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有し、非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である架橋性エラストマー組成物。」と特定された。 上記第４ ２で述べた通り、本件特許明細書の「炭化ケイ素（Ｎａｎｏｍａｋｅｒｓ株式会社製ＮＭ－ＳｉＣ、平均粒子径３０ｎｍ）」を用いた比較例１～５では、ＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比は１：９であり、Ｏ２プラズマ照射後の重量減少率、パーティクル発生量、ＮＦ３プラズマ照射後の重量減少率の量減少率、パーティクル発生量、３００℃、７０時間での圧縮永久歪が所定割合を超えており、上記課題を解決できないものと認められるところ、本件訂正により、本件特許発明２は、ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９である比較例１～５の態様、すなわち、表面に自然酸化膜を有する程度の「表面が酸化されている」態様を含まないことになった。 そして、本件特許発明２は、上記特定事項を有するものであるから、発明の詳細な説明に記載された発明であって、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 オ 申立人の主張に対する反論 （ア） (ａ－１)「表面が酸化されている」について 上記エで述べた通り、本件訂正により、本件特許発明２は、ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９である比較例１～５の態様、すなわち、表面に自然酸化膜を有する程度の「表面が酸化されている」態様を含まないことになった。よって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載された発明であって、発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるから、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 （イ） (ａ－２) 配合割合について 本件特許明細書の【００１３】には、「なかでも、プラズマ照射後の重量減少率もパーティクル発生量も少なく（耐プラズマ性）、高温での圧縮永久歪が小さい（耐熱性）ことを両立できる点で、炭化ケイ素が好ましい。」と記載されており、炭化ケイ素を含有することにより、耐熱性及び耐プラズマ性が両立することが記載されている。また、実施例５における圧縮永久歪、重量減少率、パーティクル発生量の値も、耐熱性及び耐プラズマ性が両立しているものである。 よって、「架橋性エラストマー組成物」に占める「架橋性エラストマー」および「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」の割合を限定しなくても、本件特許発明２に特定された「非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である」により、上記課題が解決できるものであり、配合割合を特定しなければ上記課題が解決できないとする理由も見当たらない。 したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 （ウ） （ａ－３）「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」のサイズ、種類および形状について フィラーの「種類」については、本件訂正により、本件特許発明２は「非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり」と特定された。 また、フィラーの「サイズ」及び「形状」については、本件特許明細書の【００１６】に、「非酸化物系セラミックスフィラーの形状は、特に限定されるものでなく、粉体状、粒子状、繊維状、ウィスカー状などが使用できる。加工性の点において、粒子状であることが好ましく、その平均粒子径は１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることがより好ましい。１０μｍを超える平均粒子径の場合、補強性に乏しく、コンパウンドへの配合量を増す必要が生じ、成形体のシール材としての性能を低下させるためである。さらに、半導体装置用シール材として使用する場合は、平均粒子径は０．１μｍ以下、好ましくは０．０１～０．１μｍのものが、パーティクルの発生が少ない点から好ましい。平均粒子径の下限は特に限定されない。」とあるように、好ましい範囲のサイズや好ましい形状が記載されているに過ぎず、平均粒子径や形状を限定するものでもない。また、「炭化ケイ素以外の種類、および、繊維状等の粒子形状以外のフィラーを用いた場合でも課題が解決できることは示されておらず、且つ、本件明細書のその他の記載を参酌しても、課題が解決できるとは把握できない。」と主張するのみで、フィラーの「サイズ」及び「形状」を特定しなければ上記課題が解決できないとする理由も見当たらない。 （エ） (ａ－４) 「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する」について 上記 イ (ａ－２)と同様、本件特許明細書の【００１３】には、「なかでも、プラズマ照射後の重量減少率もパーティクル発生量も少なく（耐プラズマ性）、高温での圧縮永久歪が小さい（耐熱性）ことを両立できる点で、炭化ケイ素が好ましい。」と記載されており、炭化ケイ素を含有することにより、耐熱性及び耐プラズマ性が両立することが記載されている。 また、実施例１～５においては、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有することで、耐熱性及び耐プラズマ性が両立することが示されている。 そうすると、「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」と「表面が酸化されていない非酸化物系セラミックスフィラー」との割合を限定しなくても、本件特許発明２に特定された「非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である」により、上記課題が解決できるものであり、配合割合を特定しなければ上記課題が解決できないとする理由も見当たらない。 したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 本件特許発明２を直接又は間接的に引用する本件特許発明３ないし５についても同様である。 （３）取消理由３及び申立理由３についてのむすび したがって、本件特許の請求項２ないし５に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、取消理由３及び申立理由４によっては取り消すことはできない。 第６ 取消理由（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立書に記載した申立ての理由について 取消理由（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立書に記載した申立ての理由は、申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）、申立理由４（実施可能要件違反）、申立理由５（明確性要件違反）であるため、これらについて以下検討する。 １ 申立理由１ないし２について （１）証拠に記載された事項等 ア 甲１に記載された事項及び甲１発明 （ア）甲１に記載された事項 甲１には、「架橋性エラストマー組成物」に関し、以下の事項が記載されている。 なお、下線については当審において付与したものである。以下、同様。 「【０１４６】 非酸化物セラミックス粉末の形状は、特に限定されるものでなく、粉体状、粒子状、繊維状、ウィスロー状などが使用できる。加工性の点において、粒子状であることが好ましく、その粒子径は１０μｍ以下であることが好ましい。１０μｍ以上の粒子径の場合、補強性に乏しく、コンパウンドへの配合量を増す必要が生じ、成形体のシール材としての性能を低下させるためである。さらに、半導体装置用シール材として使用する場合は、粒子径は１μｍ以下、好ましくは０．０１～０．５μｍのものが、パーティクルの発生が少ない点から好ましい。粒子径の下限は特に限定されない。」 「【０２０５】 実験例９ １００重量部の含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／パーフルオロアルキルビニルエーテル／ニトリル基含有単量体＝５９．４／４０．１／０．５（モル比）、ダイキン工業（株）製）に対し、硬化剤６，６’－ジアニリノ－３，３’－［２，２，２－トリフルオロ－1－（トリフルオロメチル）エチリデン］ジアニリンを１．２重量部、チッ化アルミニウムＭＡＮ－１０（（株）トクヤマ製、粒子径２００ｎｍ）を１５重量部添加し、オープンロールにて混練して架橋可能なフッ素ゴム組成物を調製した。」 「【０２１７】 実験例１１ 非酸化物セラミックス粉末として、チッ化アルミニウムＭＡＮ－１０のかわりに炭化珪素ＤＵ Ａ－１（昭和電工（株）製、４５０ｎｍ）１５重量部を添加した以外は、実験例９と同様に混練して架橋可能なフッ素ゴム組成物を調製し、厚さ２ｍｍの架橋物、Ｏ－リング（ＡＳ－５６８Ａ－２１４サイズ）の被験サンプルを作製した。」 （イ）甲１発明 甲１に記載された事項について、特に非酸化物セラミックス粉末として、炭化珪素ＤＵ Ａ－１（昭和電工（株）製、４５０ｎｍ）を用いて実施例１１に着目して整理すると、甲１には、以下の発明が記載されているといえる。 「１００重量部の含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／パーフルオロアルキルビニルエーテル／ニトリル基含有単量体＝５９．４／４０．１／０．５（モル比）、ダイキン工業（株）製）に対し、硬化剤６，６’－ジアニリノ－３，３’－［２，２，２－トリフルオロ－1－（トリフルオロメチル）エチリデン］ジアニリンを１．２重量部、炭化珪素ＤＵ Ａ－１（昭和電工（株）製、４５０ｎｍ）を１５重量部添加し、オープンロールにて混練して調製した架橋可能なフッ素ゴム組成物」（以下、「甲１発明」という。） イ 甲２に記載された事項 甲２には、「炭化ケイ素」について、以下の事項が記載されている。 「【００１８】 室温で保存して表面を自然酸化させた、平均粒径４μmの炭化ケイ素粉体（純度９８．５％）を電気炉に入れ、通気下、８００℃で２時間加熱した後、冷却して炉外に取り出し、凝集した粒子を乳鉢で解砕した。」 ウ 甲３に記載された事項 甲３には、「α－ＳｉＣ」について、以下の事項が記載されている。 「【００３３】 なお、原料であるα－ＳｉＣ粉末の表面に生成した自然酸化膜を、スラリー調製時に予め除去しておくことにより、焼結時における前記酸素分圧を上記範囲内に抑制することも可能である。 具体的には、フッ酸、又は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリで、α－ＳｉＣ粉末を十分に洗浄し、不活性ガス雰囲気で乾燥、保持することにより、該α－ＳｉＣ粉末に含まれる二酸化ケイ素を０．２重量％以下にすることができ、焼結時における酸素分圧を１０－１Ｐａ以下にすることができる。」 （２）対比・判断 ア 本件特許発明２について 本件特許発明２と甲１発明を対比する。 甲１発明における「含フッ素エラストマー（ＴＦＥ／パーフルオロアルキルビニルエーテル／ニトリル基含有単量体＝５９．４／４０．１／０．５（モル比）、ダイキン工業（株）製）」は、本件特許発明２における「架橋性エラストマー」に相当する。また、甲１発明における「炭化珪素ＤＵ Ａ－１（昭和電工（株）製、４５０ｎｍ）」は、本件特許発明２における「非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素」に相当する。そして、甲１発明における「架橋可能なフッ素ゴム組成物」は、本件特許発明２における「架橋性エラストマー組成物」に相当する。 そうすると、両者は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞で相違する。 ＜一致点＞ 架橋性エラストマー、および、非酸化物系セラミックスフィラーを含有し、非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素である、架橋性エラストマー組成物 ＜相違点１＞ 非酸化物系セラミックスフィラーについて、本件特許発明２は、「表面が酸化されている」、「ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である」と特定されているのに対し、甲１発明ではそのような特定がされていない点 そこで、上記相違点について検討する。 ＜相違点１＞について 甲１発明には、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である炭化ケイ素は記載も示唆もされていないし、炭化ケイ素の表面を自然酸化よりも更に酸化させるという思想自体も一切記載されていない。そうすると、甲１発明において、ピーク比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４に調整することは、当業者であっても容易ではない。加えて、ピーク比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である炭化ケイ素を用いることで奏される、耐プラズマ性と耐熱性の両立という本件特許発明２の効果は、炭化ケイ素の表面を自然酸化よりも更に酸化させるという思想自体が一切記載されていない甲１から到底予測し得ないものである。 したがって、本件特許発明２は、甲１発明、すなわち甲１に記載された発明でもないし、また、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件特許発明３ないし５について 本件特許発明３ないし５は、請求項２を直接又は間接的に引用するものであり、本件特許発明２の発明特定事項を全て有するものであるから、本件特許発明２と同様の理由で、本件特許発明３ないし５は、甲１に記載された発明ではないし、また、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）申立人の主張について 申立人は、令和４年１１月１５日付けの意見書において、「・・・甲１発明の「炭化珪素ＤＵ Ａ－１」のＥＳＣＡの測定結果が「ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：１０」であるとの主張は客観的データではないことから、依然として本件訂正発明２の範囲に含まれる蓋然性が高いと思料する。仮に、甲1発明の「炭化珪素ＤＵ Ａ－１」が本件訂正発明２の「ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９～９：１」の範囲から外れていたとしても、上記のとおり「ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９～９：１」は臨界的意義を有しないことから、本件訂正発明２は甲１発明から単なる設計事項に過ぎないというべきである。」（第５ページ）と主張する。 しかしながら、上記（２）でも説示したように、本件特許発明１は、「非酸化物系セラミックスフィラー」である「炭化ケイ素」の「ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４」に特定されているところ、甲１発明は、本件特許発明２の当該特定事項を満たす蓋然性が高いとはいえない。また、申立人は、実験成績証明書等の具体的な証拠をもって、甲１に記載された発明が、本件特許発明２の当該特定事項を満たすことを主張するものではない。 そして、当該特定事項については、甲１～甲６のいずれの証拠にも、記載も示唆もされていないし、当該特定事項を設計的事項とする理由もない。 よって、当該「「ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４」は実質的な相違点となる。 したがって、申立人の主張は首肯できない。 （４）申立理由１ないし２についてのむすび したがって、本件特許発明２ないし５は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるとはいえず、また、本件特許発明２ないし５は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとはいえないから、本件特許の請求項２～５に係る特許は、申立理由１ないし２によっては取り消すことはできない。 ２ 申立理由４（実施可能要件違反）について 申立理由４は、本件明細書は、本件特許発明２ないし５について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは言えない、というものである。 本件訂正により、請求項２は「架橋性エラストマー、および、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有し、非酸化物系セラミックスフィラーが炭化ケイ素であり、かつ、ＥＳＣＡで測定した際に観察されるＳｉＯ２由来のピークとＳｉＣ由来のピークの比がＳｉＯ２：ＳｉＣ＝３：７～６：４である架橋性エラストマー組成物。」と特定された。 これにより、本件特許発明２は、ＳｉＯ２：ＳｉＣ＝１：９である比較例１～５の態様、すなわち、表面に自然酸化膜を有する程度の「表面が酸化されている」態様を含まないことになった。そして、本件特許明細書の実施例１～５のフッ素ゴム組成物は、本件特許発明２の構成を有するものであり、表１より、耐プラズマ性及び耐熱性を両立するものであることを具体的に確認できるから、本件の発明の詳細な説明には、具体的な実施例が記載されていると認められ、当該記載に基づき当業者は本件特許発明２を実施できるといえる。本件特許発明２を直接ないし間接的に引用している本件特許発明３ないし５についても同様である。 そうすると、本件特許発明２ないし５に係る特許は、明細書が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものではないから、取り消すことはできない。 ３ 申立理由５（明確性要件違反）について （１）明確性要件の判断基準 特許を受けようとする発明が明確であるか否かは、特許請求の範囲の記載だけではなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきものである。 （２）申立人の主張及び検討 申立人の主張は、上記第４ １（４）で述べた通りである。 そこで、上記（１）の判断基準に従って、以下検討する。 「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーを含有する」とは、技術常識からみて、表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラーが少なくとも含まれていることを意味するものである。そうすると、当該発明特定事項は、(ｉ)架橋性エラストマー組成物に含有される「非酸化物系セラミックスフィラー」各々の全ての表面が酸化されていること、及び、(ｉｉ)「表面が酸化されている非酸化物系セラミックスフィラー」が含まれれば、「表面が酸化されていない非酸化物系セラミックスフィラー」とブレンドしてもよいことと認められるから、「(ｉｉｉ)上記(ｉ)および(ｉｉ)の両方を包含すること」と解するのが自然である。 よって、本件特許の特許請求の範囲の請求項２の記載及びこれを引用する請求項３ないし５の記載は不明確ではない。 したがって、申立人の主張は首肯できない。 （３）申立理由５についてのむすび したがって、本件特許の請求項２ないし５に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえないから、申立理由５によっては取り消すことはできない。 第７ むすび 上記第５及び第６のとおり、本件特許の請求項２ないし５に係る特許は、当審が通知した取消理由（決定の予告）及び特許異議申立書に記載した申立ての理由によっては取り消すことはできない。また、他に本件特許の請求項２ないし５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 本件特許の請求項１は、本件訂正により削除され、請求項１に係る特許についての申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。