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特許第６７７２３０８号発明「金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び不動態化剤を含む光起電力デバイス」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７７２３０８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－２４〕、〔２５－２７〕について訂正することを認める。 特許第６７７２３０８号の請求項１－７、１２及び２１－２５に係る特許を維持する。 特許第６７７２３０８号の請求項８－１１及び１３－２０、２６及び２７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続きの経緯 特許第６７７２３０８号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし２７に係る特許についての出願は、２０１４年（平成２６年）１２月１７日（優先権主張 ２０１３年１２月１７日 英国、２０１４年８月５日 英国）を国際出願日とする出願である特願２０１６－５３９９６７号の一部を２０１９年（平成３１年）１月２３日に新たな特許出願としたものであって、令和２年１０月２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人鈴木佐知子（以下「申立人」という。）により請求項１－２７に対して特許異議の申立てがされたものである。 特許異議の申立て後の手続の経緯は次のとおりである。 令和３年 ９月１７日付け ：取消理由通知 令和３年１２月２３日 ：訂正請求書・意見書（特許権者） 令和４年 ２月２１日付け ：訂正拒絶理由通知 令和４年 ４月１４日 ：手続補正書・意見書（特許権者） 令和４年 ６月 ７日 ：意見書（申立人） 令和４年 ９月３０日付け ：取消理由通知（決定の予告） 令和４年１２月２８日 ：訂正請求書（以下、これによりなされた 訂正を「本件訂正」という。）・意見書 （特許権者） なお、訂正後の請求項１及び２５（独立項であって、他の訂正後の請求項は、これらの独立項のいずれかに従属している。）は、令和４年９月３０日付け取消理由通知（決定の予告）において取消理由を通知しなかった当時の請求項１０の構成をすべて含むものであるとともに、当該当時の請求項１０に係る発明に対して申立人に意見書を提出する機会が既に与えられていることから、当審は、特許法第１２０条の５第５項ただし書の規定に基づき、申立人に対し、意見書を提出する機会を与えないこととした。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 （１）請求項１に係る訂正事項（以下「訂正事項１」という。） 請求項１に「（ｂ）有機化合物である不動態化剤を含み、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している」とあるのを、「（ｂ）ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤を含み、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合しており、 金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである、」に訂正する。 請求項１の記載を引用する各請求項も同様に訂正する。 （２）請求項２に係る訂正事項（以下「訂正事項２」という。） 請求項２に「不動態化剤の分子と金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンとの間の化学結合が、ハロゲン結合、カルコゲン－金属結合、窒素－金属結合、及びリン－金属結合から選択される」とあるのを、「不動態化剤の分子と金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンとの間の化学結合が、ハロゲン結合である」に訂正する。 請求項２の記載を引用する各請求項も同様に訂正する。 （３）請求項８に係る訂正（以下「訂正事項３」という。） 請求項８を削除する。 （４）請求項９に係る訂正（以下「訂正事項４」という。） 請求項９を削除する。 （５）請求項１０に係る訂正（以下「訂正事項５」という。） 請求項１０を削除する。 （６）請求項１１に係る訂正（以下「訂正事項６」という。） 請求項１１を削除する。 （７）請求項１２に係る訂正（以下「訂正事項７」という。） 請求項１２に「不動態化剤がハロゲン結合ドナー化合物であり、ハロゲン結合ドナー化合物の分子が、ハロゲン結合することによって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のハロゲン化物アニオンに結合しているか、又は不動態化剤が、少なくとも１個のチオール基又はスルフィド基を含む有機化合物であり、有機化合物の分子が、硫黄－金属結合によって金属ハロゲン化物ペロブスカイト中の金属カチオンに結合している、請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体。」とあるのを、「不動態化剤の分子が、ハロゲン結合することによって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のハロゲン化物アニオンに結合している、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体。」に訂正する。 請求項１２の記載を引用する各請求項も同様に訂正する。 （８）請求項１３に係る訂正（以下「訂正事項８」という。） 請求項１３を削除する。 （９）請求項１４に係る訂正（以下「訂正事項９」という。） 請求項１４を削除する。 （１０）請求項１５に係る訂正（以下「訂正事項１０」という。） 請求項１５を削除する。 （１１）請求項１６に係る訂正（以下「訂正事項１１」という。） 請求項１６を削除する。 （１２）請求項１７に係る訂正（以下「訂正事項１２」という。） 請求項１７を削除する。 （１３）請求項１８に係る訂正（以下「訂正事項１３」という。） 請求項１８を削除する。 （１４）請求項１９に係る訂正（以下「訂正事項１４」という。） 請求項１９を削除する。 （１５）請求項２０に係る訂正（以下「訂正事項１５」という。） 請求項２０を削除する。 （１６）請求項２１に係る訂正（以下「訂正事項１６」という。） 請求項２１に「請求項１から２０のいずれか一項」とあるのを、「請求項１から７及び１２のいずれか一項」に訂正する。 請求項２１の記載を引用する各請求項も同様に訂正する。 （１７）請求項２２に係る訂正（以下「訂正事項１７」という。） 請求項２２に「請求項１から２１のいずれか一項」とあるのを、「請求項１から７、１２、及び２１のいずれか一項」に訂正する。 請求項２２の記載を引用する各請求項も同様に訂正する。 （１８）請求項２５に係る訂正（以下「訂正事項１８」という。） 特許請求の範囲の請求項２５に「（ｂ）有機化合物である不動態化剤を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している半導体を製造するための方法であって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合するのに適当な有機化合物である不動態化剤で金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理する」とあるのを、「（ｂ）ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している半導体を製造するための方法であって、ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することを含み、 金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンであり、 ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することが、 ヨードペンタフルオロベンゼンを含む少なくとも１種の組成物を金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に配置すること、又は 金属ハロゲン化物ペロブスカイト固体の形成前に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの溶液にヨードペンタフルオロベンゼンを添加することを含む」に訂正する。 （１９）請求項２６に係る訂正（以下「訂正事項１９」という。） 請求項２６を削除する。 （２０）請求項２７に係る訂正（以下「訂正事項２０」という。） 請求項２７を削除する。 なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１－２４〕、〔２５－２７〕について請求されたものである。 ２ 訂正についての当審の判断 （１）訂正事項１（請求項１に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の要否 訂正事項１は、以下の内容からなる。 （ｉ）訂正前の請求項１に「有機化合物」とあったものを、「ヨードペンタフルオロベンゼン」に限定する訂正。 （ｉｉ）訂正前の請求項１の「金属ハロゲン化物ペロブスカイト」について、「金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである」と限定する訂正。 よって、訂正事項１は、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 上記（ｉ）の訂正は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の「・・・「有機化合物」という用語には、・・・ヨードペンタフルオロベンゼンなどの過ハロゲン化有機化合物などの化合物・・・が含まれる。」（【００４１】）及び実施例１（【０２４７】・【０２４８】・図１等の記載に照らして、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 上記（ｉｉ）の訂正は、本件明細書等の段落【０１４６】の「金属ハロゲン化物ペロブスカイトは、有機金属ハロゲン化物ペロブスカイトであってよい。したがって、金属ハロゲン化物ペロブスカイトは、典型的に、式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである。」との記載に照らして、本件明細書等に記載した範囲内の訂正である。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１に係る請求項１は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２（請求項２に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項２は、訂正前の請求項２の「不動態化剤の分子と金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンとの間の化学結合」について、「ハロゲン結合、カルコゲン－金属結合、窒素－金属結合、及びリン－金属結合から選択される」ものとされていたのを、選択事項を削減して、「ハロゲン結合である」ものに限定することで、特許請求の範囲を減縮するものであるから、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項２は、本件明細書等の「・・・報告されている最も強いハロゲン結合ドナーの1つは、ヨードペンタフルオロベンゼンである・・・」（【００３４】）との記載に照らして、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項２に係る請求項２は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （３）訂正事項３（請求項８に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項３は、請求項８を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項３は、請求項８を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項３に係る請求項８は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （４）訂正事項４（請求項９に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項４は、請求項９を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項４は、請求項９を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項９に係る請求項４は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （５）訂正事項５（請求項１０に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項５は、請求項１０を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項５は、請求項１０を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１０に係る請求項５は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （６）訂正事項６（請求項１１に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項６は、請求項１１を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項６は、請求項１１を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項６に係る請求項１１は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （７）訂正事項７（請求項１２に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項７は、以下の内容からなる。 （ｉ）訂正前の請求項１２に「請求項１から１１のいずれか一項」とあるのを、「請求項１から７のいずれか一項」に限定する訂正。 （ｉｉ）訂正前の請求項１２に「不動態化剤がハロゲン結合ドナー化合物であり、ハロゲン結合ドナー化合物の分子が、ハロゲン結合することによって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のハロゲン化物アニオンに結合しているか、又は不動態化剤が、少なくとも１個のチオール基又はスルフィド基を含む有機化合物であり、有機化合物の分子が、硫黄－金属結合によって金属ハロゲン化物ペロブスカイト中の金属カチオンに結合している」とあったのを、「又は」の後ろにある選択肢を削除する訂正。 （ｉｉｉ）上記（ｉｉ）の結果、請求項１２に残った選択肢である「不動態化剤がハロゲン結合ドナー化合物であり、ハロゲン結合ドナー化合物の分子が、ハロゲン結合することによって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のハロゲン化物アニオンに結合している」について、訂正事項１によって「不動態化剤」が「ヨードペンタフルオロベンゼン」に限定されたことに伴い、当該「ヨードペンタフルオロベンゼン」が「ハロゲン結合ドナー化合物」である（本件明細書等の【０２１２】）ことを踏まえると、当該残った選択肢に係る記載のうち「不動態化剤がハロゲン結合ドナー化合物であり、ハロゲン結合ドナー化合物の分子が」という記載が冗長となることから、これを「不動態化剤の分子が」という記載に整理する訂正。 上記（ｉ）及び（ｉｉ）の訂正は、特許請求の範囲を減縮するものであり、上記（ｉｉｉ）の訂正は、明瞭でない記載を釈明するものである。 よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 上記（ｉ）の訂正は、引用する請求項の数を削減するだけのものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 上記（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）の訂正は、不動態化剤である「ヨードペンタフルオロベンゼン」が「ハロゲン結合ドナー化合物」であることが、上記アのとおり、本件明細書等の【０２１２】に記載されていることから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項７に係る請求項１２は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （８）訂正事項８（請求項１３に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項８は、請求項１３を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項８は、請求項１３を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項８に係る請求項１３は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （９）訂正事項９（請求項１４に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項９は、請求項１４を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項９は、請求項１４を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項９に係る請求項１４は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１０）訂正事項１０（請求項１５に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１０は、請求項１５を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１０は、請求項１５を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１０に係る請求項１５は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１１）訂正事項１１（請求項１６に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１１は、請求項１６を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１１は、請求項１６を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１１に係る請求項１６は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１２）訂正事項１２（請求項１７に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１２は、請求項１７を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１２は、請求項１７を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１２に係る請求項１７は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１３）訂正事項１３（請求項１８に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１３は、請求項１８を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１３は、請求項１８を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１３に係る請求項１８は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１４）訂正事項１４（請求項１９に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１４は、請求項１９を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１４は、請求項１９を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１４に係る請求項１９は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１５）訂正事項１５（請求項２０に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１５は、請求項２０を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１５は、請求項２０を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１５に係る請求項２０は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１６）訂正事項１６（請求項２１に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１６は、引用する請求項の数を削減するものであって、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項１６は、引用する請求項の数を削減するだけのものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１６に係る請求項２１は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１７）訂正事項１７（請求項２２に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１７は、引用する請求項の数を削減するものであって、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項追加の有無 訂正事項１７は、引用する請求項の数を削減するだけのものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１７に係る請求項２２は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１８）訂正事項１８（請求項２５に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１８は、以下の内容からなる。 （ｉ）訂正前の請求項２５に「有機化合物」とあったのを、「ヨードペンタフルオロベンゼン」に限定する訂正。 （ｉｉ）上記（ｉ）に伴い、訂正前の請求項２５における「不動態化剤で金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理する」のを何で行うのかについて、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合するのに適当な有機化合物」で行うとあったのを、「ヨードペンタフルオロベンゼン」で行うと整合させる訂正。 （ｉｉｉ）上記（ｉｉ）の結果、なされることとなった「ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理する」ことについて、「ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理する」ことが「ヨードペンタフルオロベンゼンを含む少なくとも１種の組成物を金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に配置すること、又は金属ハロゲン化物ペロブスカイト固体の形成前に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの溶液にヨードペンタフルオロベンゼンを添加することを含む」ことであると限定する訂正。 （ｉｖ）訂正前の請求項２５の「金属ハロゲン化物ペロブスカイト」について、「金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである」と限定する訂正。 上記（ｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の訂正は、特許請求の範囲を減縮するものであり、上記（ｉｉ）の訂正は、明瞭でない記載を釈明するものである。 よって、訂正事項１８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 上記（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｖ）の訂正は、訂正事項１と同じ訂正事項であるから、上記（１）イと同様の理由により、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 上記（ｉｉｉ）の訂正は、本件明細書等の段落【０２１７】の「不動態化剤で金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することは、典型的に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に不動態化剤を配置することを含む。不動態化剤で金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することは、不動態化剤を含む少なくとも1種の組成物を金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に配置することを含むことができる。」、及び、段落【０２１８】の「不動態化剤で金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することは、金属ハロゲン化物ペロブスカイト固体の形成の前に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの溶液に不動態化剤を添加することを含むこともできる。」との記載に照らして、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 よって、訂正事項１８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１８に係る請求項２５は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （１９）訂正事項１９（請求項２６に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項１９は、請求項２６を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項１９は、請求項２６を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項１９に係る請求項２６は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２０）訂正事項２０（請求項２７に係る訂正事項）について ア 訂正の目的の適否 訂正事項２０は、請求項２７を削除することで特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無 訂正事項２０は、請求項２７を削除する訂正であるから本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記ア及びイにも照らせば、訂正事項２０は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 エ 独立特許要件の有無 訂正事項２０に係る請求項２７は、特許異議申立てがなされた請求項であるから、第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 よって、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、当該訂正を認める。 なお、請求項１ないし２７は、特許異議の申立てがなされた請求項であるから、当該各請求項についての訂正には、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 第３ 本件発明 本件訂正後の請求項１ないし２７に係る発明（以下順に「本件発明１」ないし「本件発明２７」といい、これらのうち削除されていない各発明を総称して、「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである（下線は訂正箇所を示す。）。 【本件発明１】 （ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び （ｂ）ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤 を含み、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合しており、 金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）： ［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ） のペロブスカイトであり、 式中、 ［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、 ［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、 ［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである、半導体。 【本件発明２】 不動態化剤の分子と金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンとの間の化学結合が、ハロゲン結合である、請求項１に記載の半導体。 【本件発明３】 不動態化剤の分子が結合している金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のカチオン又はアニオンが、配位不飽和である、請求項１又は２に記載の半導体。 【本件発明４】 不動態化剤の分子が結合している金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンの少なくとも一部が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面にある、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明５】 不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に自己集合層を形成する、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明６】 不動態化剤の分子が結合している金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンの少なくとも一部が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶構造のバルク中の欠陥部位にある、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明７】 不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶構造のバルク中の配位不飽和なカチオン又は配位不飽和なアニオンに結合している、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明８】 （削除） 【本件発明９】 （削除） 【本件発明１０】 （削除） 【本件発明１１】 （削除） 【本件発明１２】 不動態化剤の分子が、ハロゲン結合することによって、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のハロゲン化物アニオンに結合している、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明１１】 （削除） 【本件発明１２】 （削除） 【本件発明１３】 （削除） 【本件発明１４】 （削除） 【本件発明１５】 （削除） 【本件発明１６】 （削除） 【本件発明１７】 （削除） 【本件発明１８】 （削除） 【本件発明１９】 （削除） 【本件発明２０】 （削除） 【本件発明２１】 結晶性ドメインを含む連続的な層を含む、請求項１から７及び１２のいずれか一項に記載の半導体。 【本件発明２２】 請求項１から７、１２、及び２１のいずれか一項に記載の半導体を含む、半導体デバイス。 【本件発明２３】 光電子デバイスである、請求項２２に記載の半導体デバイス。 【本件発明２４】 光電子デバイスが発光デバイスである、請求項２３に記載の半導体デバイス。 【本件発明２５】 （ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び （ｂ）ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤 を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している半導体を製造するための方法であって、 ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することを含み、 金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、式（Ｉ）： ［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ） のペロブスカイトであり、 式中、 ［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、 ［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、 ［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンであり、 ヨードペンタフルオロベンゼンで金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することが、 ヨードペンタフルオロベンゼンを含む少なくとも１種の組成物を金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に配置すること、又は 金属ハロゲン化物ペロブスカイト固体の形成前に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの溶液にヨードペンタフルオロベンゼンを添加することを含む、方法。 【本件発明２６】 （削除） 【本件発明２７】 （削除） 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について 令和４年４月１４日付け手続補正書により補正された令和３年１２月２３日付け訂正請求書による訂正（以下「先の訂正」という。）後の請求項１－９、１１－２７に係る特許に対して、当審が令和４年９月３０日付けで特許権者に通知した取消理由通知（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。なお、請求項１０には、取消理由が通知されていない。 １ 明確性要件違反 先の訂正後の請求項１５、１７及び２６の「不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されて」いるとの記載が明確でないから、当該各請求項及びこれらのいずれかの従属項である請求項１６、１８－２４に係る発明についての特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 実施可能要件違反 （１）先の訂正後の発明の詳細な説明の記載は、当業者が、先の訂正後の請求項１－９、１１－１４、２０－２５及び２７並びに１５及び１６に記載された発明（不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している態様に係るものであって、不動態化剤がヨードペンタフルオロベンゼンに限定されていないものである。）を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえないから、当該各発明についての特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）先の訂正後の発明の詳細な説明の記載は、当業者が、先の訂正後の請求項１７－１９及び２６並びに１５及び１６に記載された発明（不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されているとともに、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない態様に係るものである。）を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえないから、当該各発明についての特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３ サポート要件違反 （１）先の訂正後の請求項１－９、１１－１４、２０－２５及び２７並びに１５及び１６に記載された発明（不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している態様に係るものであって、不動態化剤がヨードペンタフルオロベンゼンに限定されていないものである。）は、発明の詳細な説明に係る発明であるとはいえないから、当該各発明についての特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 （２）先の訂正後の請求項１７－１９及び２６並びに１５及び１６に記載された発明（不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されているとともに、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない態様に係るものである。）は、発明の詳細な説明に係る発明であるとはいえないから、当該各発明についての特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ４ 新規性欠如及び進歩性欠如 （１）先の訂正後の請求項２５に係る発明は、本件特許に係る出願の最先の優先日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内または外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲第１号証（以下「第」及び「号証」を省いて表記する。他の証拠も同様である。）に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）先の訂正後の請求項１７－１９に係る発明は、本件優先日前に日本国内または外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の甲３に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、甲３に記載された発明及び周知技術に基いて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、当該各請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）甲各号証 甲１：特開２００８－２２７３３０号公報 甲２：佐藤幹男他、「オリゴチオフェンを用いた有機－無機ナノ複合材料の構築（ＩＩ）－ハロゲン種の効果－」、Polymer Preprints, Japan, 2010年, Vol.59, No.2, 3Pa097, p.3909 甲３：J.-Y. Jeng et al, CH3NH3PbI3 Perovskite/Fullerene Planar-Heterojunction Hybrid Solar Cells, Advanced Materials, 2013年6月17日, Vol. 25, pp. 3727-3732 甲４：Kuan-Lin Wu et al, J.-Y. Jeng et al, High Efficiency and Robust Performance of Organo Lead Perovskite Solar Cells with Large Grain Absorbers Prepared in Ambient Air Conditions, Chemistry Letters, 2015年12月19日, 2015, Vol.44, No.3, p. 321-323 ５ 甲各号証に記載された事項及び甲各号証に記載された発明 （１）甲１について ア 本件優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１には、下記の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。 （ア）「【請求項１】 発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物を含み、 前記発光層と親和層とが隣接して配置され、該親和層が前記有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する化合物を含んでいることを特徴とする発光素子。」 「【請求項４】 発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物を含み、 前記発光層の有機マトリックス材料中に、有機無機層状ペロブスカイト化合物粒子が分散していることを特徴とする発光素子。」 「【技術分野】」 【０００１】 「本発明は、発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物を含んでいる発光素子に関する。」 「【００２１】 「発光体である有機無機層状ペロブスカイト化合物（ＲＮＨ３）２ＭＸ４の有機アンモニウム分子ＲＮＨ３としては、脂肪族アンモニウム分子、芳香族アンモニウム分子、脂環式アンモニウム分子、発色団を有する有機アンモニウム分子などの各種の有機アンモニウム分子が適用可能である。また、一種類の有機アンモニウム分子のみならず、二種類の有機アンモニウム分子を選択可能である。好ましい脂肪族アンモニウム分子としては、プロピルアンモニウム（Ｃ３Ｈ７ＮＨ３）、ブチルアンモニウム（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）、ペンチルアンモニウム（Ｃ５Ｈ１１ＮＨ３）、ヘキシルアンモニウム（Ｃ６Ｈ１３ＮＨ３）などが挙げられる。好ましい脂環式アンモニウム分子としては、シクロヘキセニルエチルアンモニウム（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）などが挙げられる。好ましい芳香族アンモニウム分子としては、フェネチルアンモニウム（Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）などが挙げられる。好ましい発色団を有する有機アンモニウム分子としては、チオフェン誘導体、フルオレン誘導体、フェニレン誘導体などを導入した化合物が挙げられる。」 【００２２】 「無機成分であるＭＸ４としては、Ｍとして第１４族元素および遷移金属が適用可能であり、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。また、Ｘとして第１７族元素であるハロゲンが適用可能である。」 【００２３】 「発光層４の作製には、通常の薄膜作製に用いられる各種の作製法が適用可能であり、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、インクジェット法などの塗布法および真空蒸着法などが挙げられる。塗布法では、有機無機層状ペロブスカイト化合物をアセトン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの溶媒に溶解した溶液を用いることにより、各種の塗布法が適用可能である。真空蒸着法では、有機無機層状ペロブスカイト化合物結晶を用いて成膜することができる。」 【００２４】 「親和層３を形成する物質としては、少なくとも一種類以上の有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する官能基を含む物質が適用可能であり、少なくとも一種類以上のカチオン性の官能基を有する物質が適用可能である。例えば、アンモニウムイオンなどの官能基を有する化合物が挙げられる。親和層３のカチオン性官能基と、有機無機層状ペロブスカイト化合物の無機層７の構成成分ＭＸ４２－とがプラス電荷とマイナス電荷を有することから、静電相互作用により強固に結合し、親和層３と発光層４とがより強固に結合した構造となる。その結果、基板１上に一様に発光層４を形成することが可能となる。」 【００２５】「また、親和層３を形成する物質としては、有機無機層状ペロブスカイト化合物の有機成分ＲＮＨ３の少なくとも一部の構造を有する物質が適用可能である。発光層４の有機無機層状ペロブスカイト化合物の有機成分と、親和層３の有機成分が類似の構造を有することにより、疎水性相互作用によって発光層４と親和層３との結合力が向上する。その結果、基板１上に一様に発光層４を形成することが可能となる。例えば、有機無機層状ペロブスカイト化合物の有機成分にブチルアンモニウムを用いた場合は、ブタン、ブチルアミン、ブタノール、４－アミノブタノール、ブチルジアミン、ヨウ化ブチルアルコールアンモニウム、臭化ブチルアルコールアンモニウム、塩化ブチルアルコールアンモニウムなどの物質が適用可能である。」 【００２６】 「親和層３の積層数として、単層あるいは複数層からの構成が適用可能であるが、単層であることが好ましい。親和層３を単層に成膜する方法としては、通常の単層膜形成法が適用可能であり、例えば、ＬＢ法、ディップコート法、スピンコート法などが挙げられる。」 【００２７】 「基板１上に親和層３を所定の形状にパターニングし、その上に発光層４を形成することで、所定の形状の親和層３上に発光層４を成膜することが可能となる。パターニングの方法としては、一般的に用いられる成膜方法が適用可能であり、インクジェット法やフォトリソグラフィー法などの塗布法が好ましい。」 【００６３】 「＜実施例１＞ 親和層に４－アミノフェノールハイドロブロマイド、発光層に（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、基板に石英基板を用いて、無機層と親和層とが隣接した構造の発光素子を作製した。」 【００６４】 「４－アミノフェノールに臭化水素酸を加えて、４－アミノフェノールハイドロブロマイドを合成した。４－アミノフェノール水溶液を石英基板にスピンコートすることで、基板上に親和層を形成した。この親和層の上に（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４をスピンコートすることで発光層とした。」 【００６５】 「比較として、親和層を含まずに、基板上に発光層を形成した発光素子を、石英基板上に（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４をスピンコートすることで作製した。」 【００６６】 「作製した発光素子のＰＬスペクトルを図５に示す。図５において、実線で示すスペクトルが親和層を含む発光素子であり、点線で示すスペクトルが親和層を含まない発光素子である。３５４ｎｍの波長のＵＶ光を照射すると、４０７ｎｍにＰＬ発光を示すピークが確認でき、親和層を含む発光素子ではＰＬ強度が約１．５倍増強した。」 【００６７】 「＜実施例２＞ 親和層にフェニルトリエトキシシラン、発光層に（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、基板に石英基板を用いて、無機層と親和層とが隣接した構造の発光素子を作製した。」 【００６８】 「親和層の作製にはゾルゲル法を用い、エタノールにフェニルトリエトキシシランおよび塩酸を加えて撹拌することでゾル液を作製した。このゾル液を石英基板にスピンコートして薄膜とした後、６０℃で６時間乾燥させて親和層を形成した。この親和層の上に（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４をスピンコートすることで発光層とした。」 【００６９】 「作製した発光素子の吸光スペクトルを図６に示す。図６において、吸光スペクトルからは、２７０ｎｍ付近に現れるＳｉＯ２特有の吸収は確認できず、親和層の厚みが非常に薄いことが読み取れる。３５４ｎｍの波長のＵＶ光を照射することで得たＰＬスペクトルを図７に示す。図７において、（Ｃ６Ｈ９Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４に特有の４０７ｎｍからのＰＬ発光が確認でき、親和層を含まない素子と比較して、ＰＬ強度は向上した。」 【００７３】 「＜実施例４＞ 発光層として式（Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４の有機無機層状ペロブスカイト化合物と有機マトリックス材料にポリビニルカルバゾールを用いて、図８に示したような構成の発光素子を作製した。有機無機層状ペロブスカイト化合物のエネルギーギャップは３．０ｅＶ、有機マトリックス材料のエネルギーギャップは３．５ｅＶである。」 【００７４】 「基板１１には石英基板を用いた。有機無機層状ペロブスカイト化合物粒子１５は、有機無機層状ペロブスカイト化合物結晶をボールミルで粉砕することで作製した。この有機無機層状ペロブスカイト化合物粒子１５とポリビニルカルバゾールを１，２－ジクロロエタンに加えてよく分散した後、前記基板１１にスピンコート法による成膜を行い、発光素子を得た。」 【００７５】 「比較のために、ＤＭＦに溶解した式（Ｃ６Ｈ５Ｃ２Ｈ４ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４の有機無機層状ペロブスカイト化合物をスピンコート法によって薄膜状として発光層１６を形成した発光素子を作製した。」 【００７６】 「３５４ｎｍの波長のＵＶ光を照射すると、いずれの発光素子からも、有機無機層状ペロブスカイト化合物に由来する４１２ｎｍにピークを有するＰＬ発光を得た。有機無機層状ペロブスカイト化合物粒子を分散した素子では、薄膜状の素子と比較して室温におけるＰＬ強度が向上し、粒子が均一に分散していることで発光素子全体からの均一な発光が得られた。」 ・図１は次のものである。 ［図：0001398210000001.jpg］ （イ）「有機無機層状ペロブスカイト化合物」（【請求項１】）が「半導体」として機能することは、本件優先日前に技術常識であったから、上記「有機無機層状ペロブスカイト化合物」は、「半導体」といえる。 イ 上記アによれば、甲１には、下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、甲１発明の認定に用いた甲１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある（以下同じ。）。 「発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物を含み、前記発光層と親和層とが隣接して配置され、該親和層が前記有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する化合物を含んでいる発光素子において、（【請求項１】） 前記Ｍとして第１４族元素および遷移金属が適用可能であり、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、ユウロピウム（Ｅｕ）であり、（【００２２】） 前記親和層を形成する物質が有機成分を有するものであって、（【００２５】） 前記親和層を形成する物質が、一種類以上の有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する官能基を含む物質であり、一種類以上のカチオン性の官能基であるアンモニウムイオンなどの官能基を有する化合物であって、前記親和層のカチオン性官能基と、有機無機層状ペロブスカイト化合物の無機層の構成成分ＭＸ４２－とがプラス電荷とマイナス電荷を有することから、静電相互作用により強固に結合し、親和層と発光層とがより強固に結合した構造となっているものであって、（【００２４】） 前記親和層を形成する物質として、４－アミノフェノールを用いてもよい、（【００６３】、【００６４】） 有機無機層状ペロブスカイト化合物である半導体。（上記ア（イ））」 ウ また、甲１には、甲１発明を製造方法的に表現した下記の発明（以下「甲１方法発明」という。）が記載されているとも認められる。 「発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物を含み、前記発光層と親和層とを隣接して配置し、該親和層が前記有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する化合物を含んでいる発光素子に用いる有機無機層状ペロブスカイト化合物である半導体を製造する方法において、（【請求項１】） 前記親和層を形成する物質が有機成分を有するものであって、（【００２５】） 前記親和層を形成する物質が、一種類以上の有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する官能基を含む物質であり、一種類以上のカチオン性の官能基であるアンモニウムイオンなどの官能基を有する化合物であって、前記親和層のカチオン性官能基と、有機無機層状ペロブスカイト化合物の無機層の構成成分ＭＸ４２－とがプラス電荷とマイナス電荷を有することから、静電相互作用により強固に結合し、親和層と発光層とがより強固に結合した構造となっているものであって、（【００２４】） 前記親和層を形成する物質として、４－アミノフェノールを用いてもよく、（【００６３】、【００６４】） 前記親和層を成膜する方法としては、通常の単層膜形成法が適用可能でありスピンコート法が挙げられ、（【００２６】） 前記発光層４の作製には、通常の薄膜作製に用いられる各種の作製法が適用可能であり、スピンコート法などの塗布法が挙げられ、（【００２３】） 前記親和層の上に発光層を形成した、（【００２７】） 有機無機層状ペロブスカイト化合物である半導体を製造する方法。（上記ア（イ））」 （２）甲３について ア 本件優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲３には、下記の事項が記載されている。（訳は当審が作成した。） （ア）「CH3NH3PbI3 Perovskite/Fullerene Planar-Heterojunction Hybrid Solar Cells」（タイトル） （当審訳：ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ ペロブスカイト/フラーレン プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池） （イ）「Figure 5e,f present the HR-SEM images of the film formed by spin-casting (8000 rpm) the CH3NH3PbI3 perovskite N,N-dimethylformamide (DMF) solution (equimolar CH3NH3I and PbI2) on the preheated glass/ITO/PEDOT:PSS substrate (60 ℃ for 5min). The results show distinguishing features compared to those in Figure 5a-d. In Figure 5e, the CH3NH3PbI3 perovskite film exhibits densely interconnected crystalline strips on the glass/ITO/PEDOT:PSS substrate at a magnification of 20 000x. As shown in Figure 5f at a magnification of 100 000x, the crystal sizes are approximately 150-200 nm in diameter, that is, larger than those in Figure 5d. The height AFM image (Figure 5h) exhibits a surface morphology distinct from that in Figure 5g. The CH3NH3PbI3 perovskite film has a higher contact area in the PHJ and a suitable channel to transport charge carriers configured as interconnected crystalline strips.」（３７３１頁左欄１１－２５行） （当審訳：図５ｅ，ｆは、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイトＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液（等モルのＣＨ３ＮＨ３ＩとＰｂＩ２）を予熱したガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板（６０℃、５分）にスピンキャスト（８０００ｒｐｍ）することにより形成した膜のＨＲ－ＳＥＭ画像を示している。この結果は、図５ａ－ｄのものと比較して、際立った特徴を示している。図５ｅでは、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト膜は、倍率２００００×でガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板上で密に相互接続した結晶性ストリップを示した。図５ｆに示すように、結晶の大きさは直径約１５０－２００ｎｍであり、図５ｄよりも大きい。高さ方向のＡＦＭ像（図５ｈ）は、図５ｇとは異なる表面形状を示している。ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト膜は、ＰＨＪにおける接触面積が高く、結晶ストリップが相互に接続された電荷キャリアの輸送に適したチャネルを有していることがわかる。） （ウ）「CH3NH3PbI3 was synthesized by mixing CH3NH3I and lead iodide (PbI2)(Showa Chemical Industry Co., Ltd.) at 1:1(0.8:2.3g) equimolar ratio in γ-butyrolactone(Aldrich)(15.8mL, 14.9wt% solution) or anhydrous N,N-dimethylformamide(DMF)(Aldrich)(17.2wt% solution) at 60℃, stirring for 12 h inside a nitrogen-filled glove box with oxygen and moisture levels＜1 ppm.」（３７３２頁左欄１９－２４行） （当審訳：ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３は、酸素及び湿分１ｐｐｍ未満の窒素充填されたグローブボックス内で、γ－ブチロラクトン（１５．８ｍＬ，１４．９ｗｔ％溶液）あるいは無水のＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（Ａｌｄｒｉｃｈ）（１７．２ｗｔ％溶液）中、ＣＨ３ＮＨ３Ｉ及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）（昭和化学工業株式会社）を１：１（０．８：２．３ｇ）等モルで６０℃において１２時間混合することにより合成された。） （エ）「Figure 2a illustrates the device configuration and Figure 2b shows the energy levels of the layers. Prior to the device fabrication, the ITO/glass substrates were sequentially cleaned by ultrasonic treatment in detergent, deionized water, acetone, and isopropyl alcohol. The glass/ITO/PEDOT:PSS substrates were preheated at 60 ℃ for 5 min prior to spin-casting CH3NH3PbI3 γ-butyrolactone solution (14.9 wt%) at 6000 rpm for 30 s. The preheating treatment of the substrate ensures the solvent evaporation is fast and inhibits coarsening of the crystals. The film becomes darker after annealing at 100 ℃ for 15 min.」（３７３２頁左欄３３－４２行） （当審訳：図２ａにデバイスの構成を、図２ｂに各層のエネルギー準位を示す。デバイス作製に先立ち、ＩＴＯ／ガラス基板を洗剤、脱イオン水、アセトン、イソプロピルアルコール中で超音波処理し、順次洗浄した。ガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板は、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３γ－ブチロラクトン溶液（１４．９ｗｔ％）を６０００ｒｐｍで３０秒間スピンキャストする前に６０°Ｃで５分間予熱処理した。１００℃で１５分間アニールすると、膜の色が濃くなる。） （オ）「The C60(30nm)(>99.5%, Aldrich), PCBM(25 nm) ( > 99.5%, Solenne, Netherlands), ICBA(30 nm)(>99.5%, Solenne, Netherlands), BCP(10 nm)(Aldrich), and Al(100 nm) were thermally deposited on the substrate inside a vacuum chamber (10 -6 Torr).」（３７３２頁左欄４５－４９行。なお、「PCBM)」の「)」は明らかな誤記であると認められるので、省いて摘記した。） （当審訳：Ｃ６０（３０ｎｍ）（＞９９．５％，Ａｌｄｒｉｃｈ），ＰＣＢＭ）（２５ｎｍ）（＞９９．５％，Ｓｏｌｅｎｎｅ，Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ），ＩＣＢＡ（３０ｎｍ）（＞９９．５％，Ｓｏｌｅｎｎｅ，Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ），ＢＣＰ（１０ｎｍ）（Ａｌｄｒｉｃｈ），Ａｌ（１００ｎｍ）を、真空チャンバー（１０－６Ｔｏｒｒ）内で基板上に熱蒸着した。） C （カ）Ｆｉｇｕｒｅ ２（ａ）は次のものである。 「 ［図：0001398210000002.jpg］ 」 （当審訳： ［図：0001398210000003.jpg］ ） （キ）Ｆｉｇｕｒｅ ５（ｅ）－（ｈ）は次のものである。 「 ［図：0001398210000004.jpg］ 」 （ク）「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト」が「半導体」として機能することは、原出願の最先の優先日前に技術常識であったから、上記「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト」は、「半導体」といえる。 イ 甲３に記載された技術的な事項 （ア）上記ア（カ）（Ｆｉｇｕｒｅ ２（ａ））より、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）及びＣ６０（アクセプタ）を含み、ペロブスカイト／フラーレンのヘテロ接合を備える太陽電池が、みてとれる。 また、上記ア（オ）及び同（カ）（Ｆｉｇｕｒｅ ２（ａ））から、当該図中の「Ｃ６０（アクセプタ）」は、「Ｃ６０（３０ｎｍ）、ＰＣＢＭ（２５ｎｍ）及びＩＣＢＡ（３０ｎｍ）」より構成されるもの、と理解できる。 （イ）上記ア（イ）の記載を踏まえて、上記ア（キ）の図５（ｆ）を見ると、 ａ ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）表面（ヘテロ接合界面）には、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在すること。 ｂ 当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があること。 がみてとれる。 また、上記ア（イ）によれば、当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の大きさは、直径約１５０ｎｍ－２００ｎｍであると認められる。 （ウ）上記ア（オ）より、「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」上に、「Ｃ６０（アクセプタ）」を熱蒸着する工程を、理解できる。 ウ 甲３に記載された発明 （ア）上記ア及びイより、甲３には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）及びＣ６０（アクセプタ）を含み、ペロブスカイト／フラーレンのプレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池であって、（上記ア（ア）） Ｃ６０（アクセプタ）は、Ｃ６０（３０ｎｍ）、ＰＣＢＭ（２５ｎｍ）及びＩＣＢＡ（３０ｎｍ）より構成され、（上記イ（ア）） ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）上に、Ｃ６０（アクセプタ）を熱蒸着し、（上記イ（ウ）） ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）表面（ヘテロ接合界面）には、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在し、当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があり、（上記イ（イ）） 前記結晶粒の大きさは、直径約１５０－２００ｎｍである、（上記イ（イ）） プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池。（上記イ（ア））」 （イ）また、甲３には、上記（ア）の「プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池」を製造するための次の方法の発明（以下「甲３方法発明」という。）も記載されているものと認められる。 「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）及びＣ６０（アクセプタ）を含み、ペロブスカイト／フラーレンのプレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池を製造するための方法であって、（上記ア（ア）） Ｃ６０（アクセプタ）は、Ｃ６０（３０ｎｍ）、ＰＣＢＭ（２５ｎｍ）及びＩＣＢＡ（３０ｎｍ）より構成され、（上記イ（ア）） ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）上に、Ｃ６０（アクセプタ）を熱蒸着し、（上記イ（ウ）） ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）表面（ヘテロ接合界面）には、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在し、当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があり、（上記イ（イ）） 前記結晶粒の大きさは、直径約１５０－２００ｎｍである、（上記イ（イ））方法。」 第５ 当審の判断 １ 明確性要件違反について （１）本件訂正により、明確でない記載を含む旨指摘されていた請求項１５、１７及び２６が削除され、さらに、先の訂正後において当該各請求項のいずれかに従属していた請求項１６、１８－２４のうち、請求項２１－２４は、上記の削除された請求項を引用しないようにされるとともに、その余の請求項が削除された。 よって、当該取消理由は解消した。 （２）申立人は、次のとおり主張するが、いずれも失当である。 ア 申立人は、特許登録時の請求項１（従属する請求項２－１６、２０－２４も同様。）について、「不動態化剤」という記載と、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内のアニオン又はカチオンに「化学的に結合」しているという記載の意味が曖昧である旨主張する。 しかしながら、本件発明１には「不動態化剤」が「ヨードペンタフルオロベンゼン」であることが特定されたため、「不動態化剤」の意味は明確である。また、「化学的に結合」の意味は、本件訂正後の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件訂正明細書等」という。）の【００３３】に、「「化学的に結合している」という用語は、本明細書で使用される場合、化学結合が間にある分子、原子又はイオンから選択される2つの種を指し、超分子化学結合によって結合している分子、原子又はイオンから選択される2つの種への言及が含まれる。」と記載されており、その記載中、「化学結合」との用語が技術用語として確立していることに照らせば、明確である。 本件発明１に従属する本件発明２－８、１２、２１－２４も同様である。 イ 申立人は、特許登録時の請求項１７（従属する請求項１８及び１９も同様。）について、「不動態化剤」という記載と、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに「化学的に結合していない」という記載の意味が不明確である旨主張するが、当該各請求項は、本件訂正により削除された。 ウ 申立人は、特許登録時の請求項２５及び２６（これらに従属する請求項２７も同様。）について、請求項２５に対しては上記アと同様の主張をし、請求項２６に対しては上記イと同様の主張をするが、本件発明２５には「不動態化剤」が「ヨードペンタフルオロベンゼン」であることが特定されているため、上記アと同様の議論が成り立つとともに、請求項２６及び２７は、本件訂正により削除された。 （３）よって、本件発明１－７、１２及び２１－２５は、明確である。 ２ 実施可能要件違反及びサポート要件違反について （１）本件訂正により、本件発明は、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している態様に係るものについては、不動態化剤がヨードペンタフルオロベンゼンに限定されるとともに、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されているとともに、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない態様に係るものについては、削除された。 よって、当該各取消理由は解消した。 （２）申立人は、次のとおり主張するが、いずれも失当である。 ア 申立人は、本件発明３、４及び６における「不動態化剤の分子が結合している金属ハロゲン化物ペロブスカイト」について、（ｉ）その中のアニオン又はカチオンが「配位不飽和」であること、（ｉｉ）その中のアニオン又はカチオンの少なくとも一部が「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面にある」こと、（ｉｉｉ）その中のアニオン又はカチオンの少なくとも一部が「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶構造のバルク中の欠陥部位にある」ことが、本件訂正明細書等では確認されていない旨主張し、本件発明５及び７における「不動態化剤の分子」について、（ｉｖ）「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に自己集合層を形成する」こと、（ｖ）「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶構造のバルク中の配位不飽和なカチオン又は配位不飽和なアニオンに結合している」ことが、やはり、本件訂正明細書等では確認されていない旨主張する。 しかしながら、上記（ｉ）及び（ｉｉ）の点は、本件訂正明細書等（実施例１）において、ペロブスカイト表面上に吸着されたＩＰＦＢに対して１３Ｃ ＮＭＲの化学シフトをみることにより、ＩＰＦＢが、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＸ３結晶表面に結合するハロゲンを介して吸着されていることが確認されている。上記（ｉｉｉ）－（ｖ）の点は、本件発明では、不動態化剤がヨードペンタフルオロベンゼンに限定されているところ、本件訂正明細書等の【０１０６】には、「不動態化剤の分子は、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶構造のバルクに入るほど十分小さくてよい。」と記載されるとともに、【０１０５】には、「第１の態様の不動態化剤は、しばしば、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面上に自己集合層を形成する」と記載されている。 イ 申立人は、特許登録時の請求項８－１４（従属項も同様）について、「化学的に結合している」不動態化剤のうち、実施例において具体的に効果が確認されているヨードペンタフルオロベンゼン等以外の不動態化剤については、本件訂正明細書等には、当業者が実施できる程度に記載されていない旨主張するが、本件訂正後の当該各請求項は、請求項１２以外の請求項は削除されるとともに、請求項１２も不動態化剤が「ヨードペンタフルオロベンゼン」に限定されたことになっている。 また、申立人は、当該各請求項について、「化学結合をしていない」比較例が存在しないから、優れた効果を奏することが確認されていない旨主張する。しかしながら、本件発明の技術的意義は、ペロブスカイト材料における欠陥部位及び表面状態の排除又は不動態化がデバイス効率の改善を可能にすることを見出したことにある（【０００６】）から、本件発明の作用効果を確認するためには、不動態化剤を用いた場合とそうでない場合とを比較すれば足りる。そして、そのような比較は、実施例３及び８等でなされている。 ウ 申立人は、特許登録時の請求項１５－１９（従属項も同様）について、「化学的に結合していない」不動態化剤に係る実施例が存在せず、当該不動態化剤の分子が「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置され」ていることも確認されていない旨主張するが、本件訂正により当該各請求項は削除された。 エ 申立人は、本件発明２１について、その中で特定された「結晶性ドメインを含む連続的な層を含む」ことが、本件訂正明細書等において、背景技術としてその用語が見当たるものの、本件発明２１としての説明はなされておらず、また、その層を具体的にどのように形成させたのか、さらには、その層が形成されたことを確認したと考えられる記載もない旨主張する。 しかしながら、本件訂正明細書等の【０００５】にもあるとおり、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト」を「結晶性ドメインを含む連続的な層」として製作することは技術常識と認められるところ、その層の表面にヨードペンタフルオロベンゼンを塗布等するのであれば、当該層が「結晶性ドメインを含む連続的な」ものとして維持されることが明らかである。 オ 申立人は、本件発明２５について、上記と同様の主張をするが、同様に失当である。 また、申立人は、特許登録時の請求項２７及び２８についてもるる主張するが、本件訂正により当該各請求項は削除された。 （３）よって、本件訂正明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。また、本件発明は、発明の詳細な説明に記載したものである。 ３ 新規性欠如及び進歩性欠如について （１）上記第４の４のとおり、新規性欠如及び進歩性欠如の取消理由は、先の訂正後の請求項１７－１９及び２５に係る発明に対してのみ通知されていたところ、本件訂正により、請求項１７－１９は削除されるとともに、請求項２５は、新規性欠如及び進歩性欠如の取消理由が通知されていなかった先の訂正後の請求項２７の発明特定事項を含むものとなった。 したがって、当該各取消理由は解消した。 （２）申立人は、独立項に係る本件発明１に関連する発明である特許登録時における請求項１０に係る発明に対して、甲１に記載された発明に基づく進歩性欠如を主張し、また、独立項に係る本件発明２５に関連する発明である特許登録時における請求項２７のうち請求項２５を引用する部分に係る発明に対して、甲１に記載された発明に基づく新規性欠如及び進歩性欠如を主張するが、後記第６のとおり、失当である。 なお、申立人は、特許登録時における上記請求項２７に係る発明に対して、甲１のみならず、甲３に記載された発明に基づく新規性欠如及び進歩性欠如をも主張するが、甲３は、もっぱら請求項２６を引用する部分に係る発明に対して提出されたものであり、本件訂正によりその部分は削除されている。 （３）よって、本件発明１－７、１２、２１－２４及び２５は、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第６ 新規性欠如及び進歩性欠如の取消理由について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 ア 甲１発明の「発光層」に含まれる「式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物」は、本件発明１の「金属ハロゲン化物ペロブスカイト」に相当する。 イ 甲１発明の「親和層を形成する物質」は「有機成分を有するものであ」るから、当該「親和層を形成する物質」は、本件発明１の「ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤」とは、有機化合物である点で共通する。そして、甲１発明は、「親和層を形成する物質」が備える「カチオン性官能基」が「有機無機層状ペロブスカイト化合物の無機層の構成成分ＭＸ４２－」と「静電相互作用により強固に結合」するものであるから、当該「親和層を形成する物質」は、本件発明１でいうその「分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している」ものといえる。 ウ 甲１発明の「有機無機層状ペロブスカイト化合物である半導体」は、上記ｂも踏まえると、有機化合物の分子が、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合して」いる「半導体」といえる。 エ 上記アないしウでの検討によれば、本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は以下のとおりである。 〔一致点〕 「（ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び （ｂ）有機化合物 を含み、有機化合物の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合している、半導体。」 〔相違点１〕 有機化合物が、本件発明１は、ヨードペンタフルオロベンゼンである不動態化剤であるのに対して、甲１発明は、有機成分を有する親和層を形成する物質である点。 〔相違点２〕 金属ハロゲン化物ペロブスカイトが、本件発明１は、「式（Ｉ）：［Ａ］［Ｂ］［Ｘ］３（Ｉ）のペロブスカイトであり、式中、［Ａ］は、少なくとも１つの有機カチオンであり、［Ｂ］は、少なくとも１つの金属カチオンであり、ここで［Ｂ］は、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋の少なくとも１つを含み、［Ｘ］は、少なくとも１つのハロゲン化物アニオンである」のに対して、甲１発明は、発光層が少なくとも式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される有機無機層状ペロブスカイト化合物からなる点。 （２）判断 ア 相違点１について 甲１発明の有機化合物に該当する「有機成分を有する親和層を形成する物質」は、「一種類以上の有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する官能基を含む物質」であって、その「官能基」としては「一種類以上のカチオン性の官能基であるアンモニウムイオンなどの官能基」が例示されている。 しかしながら、甲１には、上記物質として、相違点１に係る本件発明１の構成のような「ヨードペンタフルオロベンゼン」を用いることは記載も示唆もされていないし、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを用いた半導体の技術分野において、当該ペロブスカイトにヨードペンタフルオロベンゼンを含めるようにすることは、甲２－４にも記載されておらず、技術常識ともいえない。 そのため、甲１発明から出発した当業者は、「有機成分を有する親和層を形成する物質」としてヨードペンタフルオロベンゼンを採用することに容易に至るとはいえない。 イ 相違点２について 甲１発明の「有機無機層状ペロブスカイト化合物」は、「式（ＲＮＨ３）２ＭＸ４（ＲＮＨ３＝有機アンモニウム分子、Ｍ＝第１４族元素または遷移金属、Ｘ＝ハロゲン）で表される」ところ、当該「有機無機層状ペロブスカイト化合物」の結晶構造は２次元構造である一方、相違点２に係る本件発明１の金属ハロゲン化物ペロブスカイトは、３次元構造であることが知られている。 そして、甲１発明は、ガラス基板やＩＴＯなどの基板と、基板上に作製した有機無機層状ペロブスカイト化合物との間には強い相互作用が生じない（【０００７】）という課題を解決するために、有機無機層状ペロブスカイト化合物と結合力を有する化合物を含む親和層を形成するものであるから、有機無機ペロブスカイト化合物は「層状」のものであることが前提となっている。 そのため、甲１発明から出発した当業者は、有機無機ペロブスカイト化合物として相違点２に係る本件発明１の構成の３次元構造からなるものが知られていたとしても、甲１発明に係る有機無機層状ペロブスカイト化合物を３次元構造のものとすることはないというべきであり、甲２ないし甲４をみても、以上の説示が左右されることはない。 ウ 以上については、甲１に記載されたその余の技術的事項をみても左右されることはない。 したがって、本件発明１は、甲１に記載された発明及び甲２ないし甲４に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ 本件発明２－７、１２、２１－２４について 本件発明２－７、１２、２１－２４は、本件発明１に従属する請求項であるから、上記（１）で検討した理由と同じ理由により、甲１に記載された発明及び甲２ないし甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 本件発明２５について 本件発明２５は、本件発明１に係る半導体を製造する方法を更に限定したものであるから、上記１と同様の理由により、甲１に記載された発明及び甲２ないし甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１－７、１２及び２１－２５を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１－７、１２及び２１－２５を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、請求項８－１１及び１３－２０、２６及び２７は、本件訂正により削除されたので、当該各請求項についての特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。