2021-700132

第２ 訂正の適否

１ 訂正の内容

令和４年１２月２８日にされた訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、次のとおりである（下線は、訂正箇所として特許権者が付したものである。）。

なお、本件訂正は、一群の請求項である訂正後の請求項〔１～１５〕に対して請求されたものと解され、また、訂正後の請求項１１～１５について別の訂正単位とする求めがなされたものと解される。

（１）訂正事項１（請求項１について）

ア 訂正事項１－１

特許請求の範囲の請求項１に「有機化合物である不動態化剤」と記載されているのを「多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子」に訂正する。

イ 訂正事項１－２

特許請求の範囲の請求項１に「不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されている」と記載されているのを、「不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており、粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である」に訂正する。

（２）訂正事項２（請求項３について）

特許請求の範囲の請求項３を削除する。

（３）訂正事項３（請求項４について）

特許請求の範囲の請求項４を削除する。

（４）訂正事項４（請求項５について）

特許請求の範囲の請求項５に「不動態化剤が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンから選択される化合物を含む」と記載されているのを、「不動態化剤の分子が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンから選択される化合物の分子である」に訂正するとともに、「請求項４に記載の光起電力デバイス」と記載されているのを、「請求項１又は２に記載の光起電力デバイス」に訂正するものと解される。

（５）訂正事項５（請求項６について）

特許請求の範囲の請求項６を削除する。

（６）訂正事項６（請求項７について）

特許請求の範囲の請求項７を削除する。

（７）訂正事項７（請求項８について）

特許請求の範囲の請求項８に「請求項１から７のいずれか一項に記載の光起電力デバイス」と記載されているのを、「請求項１、２、及び５のいずれか一項に記載の光起電力デバイス」に訂正する。

（８）訂正事項８（請求項１１について）

ア 訂正事項８－１

特許請求の範囲の請求項１１に「有機化合物である不動態化剤」と記載されているのを「多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子」に訂正する。

イ 訂正事項８－２

特許請求の範囲の請求項１１に「不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されている」と記載されているのを、「不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており、粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である」に訂正する。

ウ 訂正事項８－３

特許請求の範囲の請求項１１に「有機化合物である不動態化剤で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することを含む」と記載されているのを、「多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することを含み、不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することが、(i)溶媒中に溶解させた前記金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び不動態化剤を含む前駆体溶液を基板上に配置すること、並びに(ii)溶媒を除去して、不動態化金属ハロゲン化物ペロブスカイトの固体層を生成することを含む、」に訂正する。

（９）訂正事項９（請求項１２について）

特許請求の範囲の請求項１２に「不動態化剤が、請求項２から５のいずれか一項に定義されている通りである、」とあると記載されているのを、訂正前の請求項２に記載された「不動態化剤の分子が、粒界で金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオンとカチオンとの間の相互作用を遮断する、」に訂正するとともに、「請求項２から５のいずれか一項」のうち、請求項５を引用するものについて、独立形式に改め、「不動態化剤の分子が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンから選択される化合物を含む、請求項１１に記載の方法。」と記載し、新たに請求項１５とする。

（１０）訂正事項１０（請求項１３について）

特許請求の範囲の請求項１３を削除する。

（１１）訂正事項１１（請求項１４について）

特許請求の範囲の請求項１４を削除する。

２ 訂正要件の判断

（１）訂正事項１

ア 訂正の目的

（ア）訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に対して、次の内容からなるものである。

（ｉ）「不動態化剤」及び「不動態化剤の分子」との記載があり、一貫していなかったのを、「不動態化剤の分子」と明瞭とする訂正

（ｉｉ）「有機化合物」を「多環式芳香族炭化水素」に限定する訂正

（ｉｉｉ）上記（ｉ）に伴い、「有機化合物」を、「多環式芳香族炭化水素の分子」であると平仄を合わせ明瞭とする訂正

（ｉｖ）「不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されて」いるとの記載が、「不動態化剤の分子」の配置されている「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界」が、ペロブスカイトの表面に開放されていない場所に存在する態様に限定されているのか、それとも、ペロブスカイトの表面に開放されている孔の中に係る態様であってもよいのか、それ以外なのかが明らかでなかったものを、「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない」金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「内部における」「粒界」として明瞭にする訂正

（ｖ）「粒界」を「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥」に限定する訂正

（イ）したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

（ア）上記（ｉ）～（ｉｉｉ）について、本件特許の特許登録時の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には、「不動態化剤は、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されるとともに金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合しない有機化合物である。好ましくは、こうした有機不動態化剤は、多環式芳香族炭化水素などの非極性有機分子を含む」（【００１３】）と記載されている。

（イ）上記（ｉｖ）及び（ｖ）について、本件明細書等の【００４０】には、「「粒界」という用語は、本明細書で使用される場合、結晶性固体内の異なる結晶配向の領域（即ち、結晶粒）を分離させる平面欠陥を指す。」と記載されており、当該「粒界」は、「結晶性固体内の」「平面欠陥」であるから、結晶性固体の「内部」にあるものと理解できる。また、当該「粒界」が、結晶性固体の「表面に開放されていない」との事項は、本件明細書等の上記記載からみて、自明なことである。

（ウ）これに対し、申立人は、上記（ｉｖ）及び（ｖ）に係る技術的事項は、本件明細書等に明確性をもって具体的に記載されているものではないから、新規事項を含むものである旨を主張するが、上記（イ）に説示のとおりである。

（エ）よって、訂正事項１は、新規事項を追加するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイにも照らせば、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項１の小括

よって、訂正事項１は、訂正要件を満たす。

（２）訂正事項２

ア 訂正の目的

訂正事項２は、本件訂正前の請求項３を削除するものである。

そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項２は、本件訂正前の請求項３を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項２の小括

よって、訂正事項２は、訂正要件を満たす。

（３）訂正事項３

ア 訂正の目的

訂正事項３は、本件訂正前の請求項４を削除するものである。

そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項３は、本件訂正前の請求項４を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項３の小括

よって、訂正事項３は、訂正要件を満たす。

（４）訂正事項４

ア 訂正の目的

（ア）訂正事項４は、本件訂正前の請求項５に対して、次の内容からなるものである。

（ｉ）「不動態化剤」の記載を、訂正事項１の（ｉ）と同様の理由で、「不動態化剤の分子」と明瞭にする訂正

（ｉｉ）「請求項４に記載の光起電力デバイス」の記載を、請求項４が削除されて引用できなくなったことに伴い、訂正前の請求項４に記載された「不動態化剤が多環式芳香族炭化水素を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の光起電力デバイス」として明瞭にする訂正

（ｉｉｉ）上記（ｉｉ）に加えて、訂正前の請求項４に記載された「不動態化剤が多環式芳香族炭化水素を含む」の部分は、当該請求項５が引用する請求項１に既に特定されていることから、重複を排除するために、これを削除して明瞭にする訂正

（ｉｖ）上記（ｉｉ）に加えて、「請求項１から３のいずれか一項」の記載を「請求項１又は２」に限定する訂正

（イ）したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

上記アによれば、訂正事項４は、新規事項を追加するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイにも照らせば、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項４の小括

よって、訂正事項４は、訂正要件を満たす。

（５）訂正事項５

ア 訂正の目的

訂正事項５は、本件訂正前の請求項６を削除するものである。

そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項５は、本件訂正前の請求項６を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項５の小括

よって、訂正事項５は、訂正要件を満たす。

（６）訂正事項６

ア 訂正の目的

訂正事項６は、本件訂正前の請求項７を削除するものである。

そうすると、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項６は、本件訂正前の請求項７を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項６の小括

よって、訂正事項６は、訂正要件を満たす。

（７）訂正事項７

ア 訂正の目的

訂正事項７は、本件訂正前の請求項８が引用していた請求項のうち、請求項３、４、６及び７を削除するものである。

そうすると、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項７は、本件訂正前の請求項８が引用していた請求項のうち、請求項３、４、６及び７を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイにも照らせば、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項７の小括

よって、訂正事項７は、訂正要件を満たす。

（８）訂正事項８

ア 訂正の目的

（ア）訂正事項８は、本件訂正前の請求項１１に対して、次の内容からなるものである。

（ｉ）訂正事項１の（ｉ）～（ｖ）と同様の訂正

（ｉｉ）「有機化合物である不動態化剤で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理すること」を、上記（ｉ）の訂正と整合させて、「多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理すること」とする訂正

（ｉｉｉ）上記（ｉｉ）に加えて、「不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理すること」が、「(ｉ)溶媒中に溶解させた前記金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び不動態化剤を含む前駆体溶液を基板上に配置すること、並びに(ii)溶媒を除去して、不動態化金属ハロゲン化物ペロブスカイトの固体層を生成することを含む」と限定する訂正

（イ）したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び同第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

上記（ｉ）～（ｉｉ）については、上記（１）イと同様である。

上記（ｉｉｉ）については、訂正前の請求項１４に記載されている。

よって、訂正事項８は、新規事項を追加するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイにも照らせば、訂正事項８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項８の小括

よって、訂正事項８は、訂正要件を満たす。

（９）訂正事項９

ア 訂正の目的

訂正事項９は、訂正前の請求項１２の記載が訂正前の請求項２～５の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項２～５の記載を引用しないものとし、請求項２の記載を引用するものを訂正後の請求項１２とし、請求項３及び４の記載を引用するものを削除し、請求項５の記載を引用するものを訂正後の請求項１５とする訂正である。

そうすると、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮、及び、同第４号に規定する他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とする訂正である。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項９は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするとともに、引用する請求項を削減するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項９は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項９は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項９の小括

よって、訂正事項９は、訂正要件を満たす。

（１０）訂正事項１０

ア 訂正の目的

訂正事項１０は、本件訂正前の請求項１３を削除するものである。

そうすると、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項１０は、本件訂正前の請求項１３を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項１０は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項１０の小括

よって、訂正事項１０は、訂正要件を満たす。

（１１）訂正事項１１

ア 訂正の目的

訂正事項１１は、本件訂正前の請求項１４を削除するものである。

そうすると、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。

イ 新規事項追加の有無

訂正事項１１は、本件訂正前の請求項１４を削除するものであるから、新規事項を追加するものではない。

そうすると、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。

ウ 特許請求の範囲の実質拡張変更の有無

上記ア及びイに照らせば、訂正事項１１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。

したがって、訂正事項１１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。

エ 訂正事項１１の小括

よって、訂正事項１１は、訂正要件を満たす。

第３ 本件訂正後の請求項

本件訂正は上記第２のとおり認められたので、本件訂正後の請求項１～１５に係る発明（以下「本件訂正発明１」～「本件訂正発明１５」といい、これらを総称して「本件訂正発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された次のとおりのものである。

【本件訂正発明１】

（ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び

（ｂ）多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子

を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており、粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である半導体を含み、

不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない、光起電力デバイス。

【本件訂正発明２】

不動態化剤の分子が、粒界で金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオンとカチオンとの間の相互作用を遮断する、請求項１に記載の光起電力デバイス。

【本件訂正発明３】

（削除）

【本件訂正発明４】

（削除）

【本件訂正発明５】

不動態化剤が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンから選択される化合物を含む、請求項１又は２に記載の光起電力デバイス。

【本件訂正発明６】

（削除）

【本件訂正発明７】

（削除）

【本件訂正発明８】

前記半導体の層を含む、請求項１、２、及び５のいずれか一項に記載の光起電力デバイス。

【本件訂正発明９】

半導体の層に開放多孔性がない、請求項８に記載の光起電力デバイス。

【本件訂正発明１０】

半導体の層が、少なくとも１００ｎｍの厚さを有する、請求項８又は９に記載の光起電力デバイス。

【本件訂正発明１１】

（ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び

（ｂ）多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子

を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており、粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である半導体を含み、不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない、光起電力デバイスを製造するための方法であって、

多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することを含み、

不動態化剤の分子で、金属ハロゲン化物ペロブスカイトを処理することが、

（ｉ）溶媒中に溶解させた前記金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び不動態化剤を含む前駆体溶液を基板上に配置すること、並びに

（ｉｉ）溶媒を除去して、不動態化金属ハロゲン化物ペロブスカイトの固体層を生成することを含む、方法。

【本件訂正発明１２】

不動態化剤の分子が、粒界で金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオンとカチオンとの間の相互作用を遮断する、請求項１１に記載の方法。

【本件訂正発明１３】

（削除）

【本件訂正発明１４】

（削除）

【本件訂正発明１５】

不動態化剤の分子が、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンから選択される化合物を含む、請求項１１に記載の方法。

第４ 令和４年９月３０日付け取消理由通知書（決定の予告）で通知した取消理由の概要

令和３年９月２１日付け訂正請求書（令和４年１月１２日付け手続補正書によって補正されたもの）による訂正（以下「先の訂正」という。）後の請求項１～５、８～１２及び１５～１７に係る特許に対して、当審が令和４年９月３０日付け取消理由通知書（決定の予告。以下、単に「決定の予告」という。）により特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。

１（明確性要件違反） 先の訂正後の請求項１～５、８～１２及び１５～１７は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。

２（実施可能要件違反） 先の訂正後の請求項１～５、８～１２及び１５～１７に記載された発明は、発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。

３（サポート要件違反） 先の訂正後の請求項１～５、８～１２及び１５～１７に記載された発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。

４（新規性欠如及び進歩性欠如） 先の訂正後の請求項１～５、８～１２及び１５～１７に係る発明は、本件特許出願の最先の優先日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の文献に記載された発明であるか、当該文献に記載された発明に基いて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。

第５ 当審の判断

１ 特許法第３６条第６項第２号（明確性要件違反）について

決定の予告は、訂正前の請求項のうち、独立項に係る請求項１及び請求項１１には、「不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されている」と記載されているところ、当該記載では、「不動態化剤の分子」の配置されている「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界」が、どこになるのか明らかではない旨説示した。

これに対し、本件訂正により、請求項１及び１１につき、「不動態化剤の分子」の配置されている「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界」は、「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されて」おらず、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部に」「配置されており」、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥」となり、どこになるのか明らかとなった。

よって、上記取消理由は解消した。

２ 特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件違反）について

決定の予告は、先の訂正後の明細書、特許請求の範囲又は図面の発明の詳細な説明の記載が、実施可能要件を充足していない旨説示し、その根拠として、（ｉ）不動態化剤とされる「有機化合物」の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」とともに、当該分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない構造を製造することができるとはいえないこと、（ｉｉ）「有機化合物」を「不動態化剤」として使用することができるとはいえないことを挙げたところである。

これに対し、特許権者は、本件訂正後の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件訂正明細書等」）の発明の詳細な説明が実施可能要件を充足する旨主張するので、以下検討する。

（１）不動態化剤とされる「多環式芳香族炭化水素」の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」とともに、当該分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない構造を製造することができるかについて

ア 本件訂正により、「有機化合物」は「多環式芳香族炭化水素の分子」に訂正されたところ、当該「多環式芳香族炭化水素の分子」について、本件訂正明細書等の【０１３９】には、「不動態化剤は、多環式芳香族炭化水素などの非極性有機化合物であってよい。例として、不動態化剤は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン及びフルオランテンのいずれかを含むことができる。」と記載されていることから、本件訂正発明の「多環式芳香族炭化水素」とは、ヘテロ原子や置換基を含まない芳香環が縮合した炭化水素を意味していると解される（なお、特許権者も、「多環式芳香族炭化水素」が、分子形状が実質的に平面であり、厚さが１原子分であり、非極性有機分子であり、比局在化電子構造を有しており、全体での電荷量はゼロであり中性である旨主張している。）。

「多環式芳香族炭化水素の分子」（以下「本件分子」という。）の意味は上記のとおりであることから、本件分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイトのアニオン又はカチオンに化学的に結合しないことの意味を当業者は理解できる。また、本件分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」ことのメカニズムも当業者は理解できるのであり、このことは、（ｉ）本件訂正明細書等の【０２１８】及び【０２３３】には、金属ハロゲン化物ペロブスカイト固体の形成の前に、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの溶液に不動態化剤を添加することが記載されていること、（ｉｉ）一般に物質が結晶化するプロセスが、エネルギー的に安定な状態が形成されながら進んでいくプロセスであるのが技術常識であり、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの結晶化のプロセスであっても、不動態化剤をそれに取り込むよりは排出した方が有利であると考えられること、（ｉｉｉ）本件分子は、その分子形状が実質的に平面であって、厚さが１原子分であるため、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの隣接する粒子間の粒界に容易に入り込めると考えられること、（ｉｖ）参考資料１（P. de Mierry et al. , "Yellow Luminescence and Hydrocarbon Contamination in MOVPE Grown GaN", Phys. Stat. Sol. (a) 158, 587 (1996)）には、金属ハロゲン化物ペロブスカイトとは異なるものの、結晶性無機固体の一種であるＧａＮ半導体において、当該半導体の前駆体に含まれる炭化水素が当該半導体内の粒界に配置されるのが記載されていることからみて、そのようにいえる。そして、上記メカニズムが、本件分子と金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界との関係において妥当しないことを裏付ける証拠はない。よって、上記メカニズムは実現可能とみるのが相当である。

このように、本件分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイトのアニオン又はカチオンに化学的に結合しないことの意味を当業者が理解でき、しかも、本件分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」ことのメカニズムも当業者が理解できるとともに実現可能であることに照らせば、当業者は、これを指針として、金属ハロゲン化物ペロブスカイト及び多環式芳香族炭化水素の分子を具体的に選択して、製造条件等も具体的に選択することができると認められる。よって、当業者であれば、「多環式芳香族炭化水素」の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」とともに、当該分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない構造を、過度の試行錯誤を有することなく製造することができるといえる。

イ これに対し、申立人は、本件訂正発明を実施することができない旨主張し、その根拠として、（ｉ）製造する際の因子が多数存在し、日常的な実験によって簡単に決定できるものではないこと、（ｉｉ）本件訂正明細書等には実施例が存在しないこと、（ｉｉｉ）上記参考資料は、ＧａＮという２種類のイオン性の低い元素からなる無機化合物であって、金属ハロゲン化物ペロブスカイトのようなイオンを含むものとは基本的に異なること、（ｉｖ）本件訂正発明の「多環式芳香族炭化水素」は、実質的に平面であり、１原子分の厚さしか有していないとは解することができないこと、を挙げる。

しかしながら、上記（ｉｖ）については、上記アで説示したとおりである（なお、申立人が主張するアセトナフテンは、それが粒界に配置できないのであれば、それらは単に本件訂正発明を実施するものではないということにとどまり、それによって、本件訂正発明の実施可能性が否定されるわけではない。）。また、上記（ｉｉｉ）については、物質系として異なるとしても、結晶化の過程の中で粒界に不純物が取り込まれるという現象としては共通しているのであり、申立人が主張するイオン性の高低という事情によって、上記の現象に相違が生じることを裏付ける証拠はない。そして、上記（ｉ）及び（ｉｉ）は、上記アで説示したとおり、本件分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」ことのメカニズムを、当業者が理解できるとともにこれが実現可能である以上、失当である。

（２）「多環式芳香族炭化水素」を「不動態化剤」として使用することができるかについて

本件訂正により、「粒界」は、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥」に訂正されたところ、当該「平面欠陥」に隣接するそれぞれの結晶（結晶粒）は、異なる結晶配向で隣接しているところ、平面欠陥であることを踏まえると、それぞれの結晶（結晶粒）の隣接する表面には、金属ハロゲン化物ペロブスカイトのアニオン又はカチオンが、無秩序に存在しているものと理解できるから、当該平面欠陥には、結晶配向の乱れとアニオン又はカチオンの存在による斥力又は引力が生じており、当該斥力又は引力に起因した欠陥部位の誘発が生じることは、技術常識に照らして理解できるところといえる。

また、本件訂正により、「有機化合物」は「多環式芳香族炭化水素の分子」に訂正され、当該多環式芳香族炭化水素の分子は、分子形状が実質的に平面であり、非極性有機分子であることが技術常識であることを踏まえると、上記のとおり、粒界に配置された多環式芳香族炭化水素の分子が、それぞれの表面に存在するアニオン又はカチオンの間に配置され、上記斥力又は引力を遮断する状態となることも、当業者にとって理解できる。そして、多環式芳香族炭化水素の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されていない構造に比すれば、多環式芳香族炭化水素の分子が粒界に配置されることにより、上記の効果は、その程度はあるとしても生じるものといえるのであり、この現象が生じないことを裏付ける証拠はない。

よって、当業者であれば、「多環式芳香族炭化水素」を「不動態化剤」として使用することができるといえる。

（３）小括

よって、上記取消理由は成り立たない。

３ 特許法第３６条第６項第１号（サポート要件違反）について

決定の予告は、先の訂正後の特許請求の範囲の記載が、サポート要件を充足していない旨説示し、その根拠として、（ｉ）不動態化剤とされる「有機化合物」の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の「粒界に配置される」とともに、当該分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない構造を製造することができるとはいえないこと、（ｉｉ）「有機化合物」を「不動態化剤」として使用することができるとはいえないことを挙げたところであるが、上記２（１）及び（２）で説示したとおりであるから、この取消理由は成り立たない。

４ 特許法第２９条第１項第３号及び特許法第２９条第２項（新規性欠如及び進歩性欠如）について

（１）本件訂正発明の認定

本件訂正発明は、上記第３で認定したとおりである。

（２）甲号証

甲第１号証：Jun-Yuan Jeng, et al., “CH3NH3PbI3 Perovskite/Fullerene Planar-Heterojunction Hybrid Solar Cells”, Advanced Materials, 2013年6月17日, Vol. 25, pp. 3727-3732（以下「甲１という。」）

（３）甲１に記載された事項及び甲１に記載された発明

本件優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１には、図面と共に、以下の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。

ア（ア）「CH3NH3PbI3 Perovskite/Fullerene Planar-Heterojunction Hybrid Solar Cells」（タイトル）

（当審訳：ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ ペロブスカイト/フラーレン プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池）」

（イ）「Figure 5e,f present the HR-SEM images of the film formed by spin-casting (8000 rpm) the CH3NH3PbI3 perovskite N, N-dimethylformamide (DMF) solution (equimolar CH3NH3I and PbI2) on the preheated glass/ITO/PEDOT:PSS substrate (60 ° C for 5min). The results show distinguishing features compared to those in Figure 5a-d. In Figure 5e, the CH3NH3PbI3 perovskite film exhibits densely interconnected crystalline strips on the glass/ITO/PEDOT:PSS substrate at a magnification of 20 000 × . As shown in Figure 5f at a magnification of 100 000 × , the crystal sizes are approximately 150～200 nm in diameter, that is, larger than those in Figure 5d. The height AFM image (Figure 5h) exhibits a surface morphology distinct from that in Figure 5g. The CH3NH3PbI3 perovskite film has a higher contact area in the PHJ and a suitable channel to transport charge carriers configured as interconnected crystalline strips.」（第３７３１頁左欄第１１行～第２５行）

（当審訳：図５ｅ，ｆは、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイトＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液（等モルのＣＨ３ＮＨ３ＩとＰｂＩ２）を予熱したガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板（６０℃、５分）にスピンキャスト（８０００ｒｐｍ）することにより形成した膜のＨＲ－ＳＥＭ画像を示している。この結果は、図５ａ－ｄのものと比較して、際立った特徴を示している。図５ｅでは、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト膜は、倍率２００００×でガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板上で密に相互接続した結晶性ストリップを示した。図５ｆに示すように、結晶の大きさは直径約１５０～２００ｎｍであり、図５ｄよりも大きい。高さ方向のＡＦＭ像（図５ｈ）は、図５ｇとは異なる表面形状を示している。ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト膜は、ＰＨＪにおける接触面積が高く、結晶ストリップが相互に接続された電荷キャリアの輸送に適したチャネルを有していることがわかる。)

（ウ）「CH3NH3PbI3 was synthesized by mixing CH3NH3I and lead iodide (PbI2)(Showa Chemical Industry Co. , Ltd.) at 1:1(0.8:2.3g) equimolar ratio in γ-butyrolactone(Aldrich)(15.8mL, 14.9wt% solution) or anhydrous N,N-dimethylformamide(DMF)(Aldrich)(17.2wt% solution) at 60℃, stirring for 12h inside a nitrogen-filled glove box with oxygen and moisture levels＜1 ppm.」（３７３２頁左欄１９～２４行）

（当審訳：ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３は、酸素及び湿分１ｐｐｍ未満の窒素充填されたグローブボックス内で、γ－ブチロラクトン（１５．８ｍＬ，１４．９ｗｔ％溶液）あるいは無水のＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（Ａｌｄｒｉｃｈ）（１７．２ｗｔ％溶液）中、ＣＨ３ＮＨ３Ｉ及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）（昭和化学工業株式会社）を１：１（０．８：２．３ｇ）等モルで６０℃において１２時間混合することにより合成された。）

（エ）「Figure 2 a illustrates the device configuration and Figure 2 b shows the energy levels of the layers. Prior to the device fabrication, the ITO/glass substrates were sequentially cleaned by ultrasonic treatment in detergent, deionized water, acetone, and isopropyl alcohol. The glass/ITO/PEDOT:PSS substrates were preheated at 60 ° C for 5 min prior to spin-casting CH3NH3PbI3 γ-butyrolactone solution (14.9 wt%) at 6000 rpm for 30 s. The preheating treatment of the substrate ensures the solvent evaporation is fast and inhibits coarsening of the crystals. The film becomes darker after annealing at 100 ° C for 15 min.」（第３７３２頁左欄第３３行～第４２行）

（当審訳：図２ａにデバイスの構成を、図２ｂに各層のエネルギー準位を示す。デバイス作製に先立ち、ＩＴＯ／ガラス基板を洗剤、脱イオン水、アセトン、イソプロピルアルコール中で超音波処理し、順次洗浄した。ガラス／ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ基板は、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３γ－ブチロラクトン溶液（１４．９ｗｔ％）を６０００ｒｐｍで３０秒間スピンキャストする前に６０°Ｃで５分間予熱処理した。１００℃で１５分間アニールすると、膜の色が濃くなる。

（オ）「The C60 (30 nm) ( > 99.5%, Aldrich), PCBM (25 nm) ( > 99.5%, Solenne, Netherlands), ICBA (30 nm) ( > 99.5%, Solenne, Netherlands), BCP (10 nm) (Aldrich), and Al (100 nm) were thermally deposited on the substrate inside a vacuum chamber (10-6 Torr).」 （第３７３２頁左欄第４５行～第４９行。なお、「ＰＣＢＭ）」の「)」は明らかな誤記であると認められるので、省いて摘記した。）

（当審訳：Ｃ６０（３０ｎｍ）（＞９９．５％，Ａｌｄｒｉｃｈ），ＰＣＢＭ）（２５ｎｍ）（＞９９．５％，Ｓｏｌｅｎｎｅ，Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ），ＩＣＢＡ（３０ｎｍ）（＞９９．５％，Ｓｏｌｅｎｎｅ，Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ），ＢＣＰ（１０ｎｍ）（Ａｌｄｒｉｃｈ），Ａｌ（１００ｎｍ）を、真空チャンバー（１０－６Ｔｏｒｒ）内で基板上に熱蒸着した。）

（カ）「図２（ａ）

［図：0001399309000001.jpg］

」

（キ）「図５（ｅ）～（ｈ）

［図：0001399309000002.jpg］

」

（ク）「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト」が「半導体」として機能することは、原出願の最先の優先日前に技術常識であったから、上記「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３ペロブスカイト」は、「半導体」といえる。

イ 甲１に記載された技術的事項

（ア）上記ア（カ）（図２（ａ））より、（ドナー）及びＣ６０（アクセプタ）を含み、ペロブスカイト／フラーレンのプレーナーヘテロ接合を備える太陽電池が、みてとれる。

また、上記ア（オ）及び（カ）（図２（ａ））から、当該図中の「Ｃ６０（アクセプタ）」は、「Ｃ６０（３０ｎｍ）、ＰＣＢＭ（２５ｎｍ）及びＩＣＢＡ（３０ｎｍ）」より構成されるもの、と理解できる。

（イ）上記ア（イ）の記載を踏まえて、上記ア（キ）の図５（ｆ）を見ると、

ａ ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）の表面（ヘテロ接合界面）及び内部には、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在すること。

ｂ 当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があること。

がみてとれる。

また、上記ア（イ）によれば、当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の大きさは、直径約１５０ｎｍ～２００ｎｍであると認められる。

（ウ）上記ア（オ）より、「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」上に、「Ｃ６０（アクセプタ）」を熱蒸着する工程を、理解できる。

ウ 甲１に記載された発明

上記ア及びイより、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」及び「甲1方法発明」という。）が記載されていると認められる。なお、参考までに、甲１発明の認定に用いた甲１の記載等に係る段落番号等を括弧内に付してある。

＜甲１発明＞

「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）及びＣ６０（アクセプタ）を含み、ペロブスカイト／フラーレンのプレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池であって、（上記ア（ア））

ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３は、酸素及び湿分１ｐｐｍ未満の窒素充填されたグローブボックス内で、γ－ブチロラクトン（１５．８ｍＬ，１４．９ｗｔ％溶液）中、ＣＨ３ＮＨ３Ｉ及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）を１：１（０．８：２．３ｇ）等モルで６０℃において１２時間混合することにより合成され、（上記ア（エ））

Ｃ６０（アクセプタ）は、Ｃ６０（３０ｎｍ）、ＰＣＢＭ（２５ｎｍ）及びＩＣＢＡ（３０ｎｍ）より構成され、（上記イ（ア））

ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３γ－ブチロラクトン溶液（１４．９ｗｔ％）を６０００ｒｐｍで３０秒間スピンキャストし、（上記ア（エ））

ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）上に、Ｃ６０（アクセプタ）を熱蒸着し、（上記イ（エ））

ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）の表面（ヘテロ接合界面）及び内部には、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在し、当該ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があり、（上記イ（イ））

前記結晶粒の大きさは、直径約１５０～２００ｎｍである、（上記イ（ウ））

プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池。（上記イ（ア））」

（４）対比・判断

ア 本件訂正発明１について

（ア）本件訂正発明１と甲１発明との対比

ａ 「（ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト、及び（ｂ）多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子を含み、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており、粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である半導体を含み、」との特定事項について

（ａ）甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」は、金属ハロゲン化物ペロブスカイト材料であり、有機半導体材料であるから、本件訂正発明１の「（ａ）金属ハロゲン化物ペロブスカイト」を含む「半導体」に相当する。

（ｂ）甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」は、「内部に」「結晶の結晶粒が多数存在し」、「結晶粒の間に隙間」があるから、甲１発明の「結晶粒の間」の「隙間」は、本件訂正発明１の「粒界」に相当する。また、技術常識に照らしてみれば、甲１発明の「結晶粒の間」の「隙間」は、本件訂正発明１の「金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である」との事項を満たすといえる。

ｂ 甲１発明は、「プレーナーヘテロ接合ハイブリッド太陽電池」であるから、本件訂正発明１の「光起電力デバイス」に相当する。

ｃ 上記ａ及びｂのとおりであるから、本件訂正発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。

＜一致点＞

「金属ハロゲン化物ペロブスカイト、を含み、

粒界が、金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の異なる結晶配向の領域を分離させる平面欠陥である半導体を含む、

光起電力デバイス。」

＜相違点＞

本件訂正発明１は、「半導体」が、「多環式芳香族炭化水素の分子である不動態化剤の分子」を含み、当該「不動態化剤の分子」は、「金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されていない金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の内部における粒界に配置されており」、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない」のに対し、甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」は、そのような構成を満たしているか不明である点。

（イ）判断

甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」は、その「表面（ヘテロ接合界面）及び内部」に、「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒が多数存在し、「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）結晶の結晶粒の間に隙間があ」るところ、当該「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３」は、「γ－ブチロラクトン（１５．８ｍＬ，１４．９ｗｔ％溶液）中、ＣＨ３ＮＨ３Ｉ及びヨウ化鉛（ＰｂＩ２）を１：１（０．８：２．３ｇ）等モルで６０℃において１２時間混合することにより合成され」、「スピンキャスト」されたものであることを踏まえると、「多環式芳香族炭化水素の分子」をその内部に含むものではないと解することが自然である。

このように、甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」はその内部に「多環式芳香族炭化水素の分子」を含まないのであるから、その結晶の内部にある結晶粒の間の隙間にも、「多環式芳香族炭化水素の分子」は存在しないといえる。そして、甲１発明の「ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３（ドナー）」の内部に「多環式芳香族炭化水素の分子」を添加する特段の動機もない。

よって、甲１発明から出発した当業者は、相違点に係る構成に至らない。

これに対し申立人は、本件訂正発明１の効果は、不動態化剤の分子が、金属ハロゲン化物ペロブスカイトの表面に開放されている粒界に配置されていても同様の効果が得られるのであり、顕著な効果が得られるというものではない旨主張するが、上記のとおり、相違点に係る構成に至らない以上、採用できない。

したがって、本件訂正発明１は、甲１発明ではなく、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。

イ 本件訂正発明２、５、８～１０について

本件訂正発明２、５、８～１０は、本件訂正発明１の構成を全て具備するものであるから、本件訂正発明２、５、８～１０も本件訂正発明１と同じ理由により、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。

ウ 本件訂正発明１１について

本件訂正発明１１は、本件訂正発明１の構成を全て具備する光起電力デバイスを製造するための方法であるから、本件訂正発明１１も本件訂正発明１と同じ理由により、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。

エ 本件訂正発明１２及び１５について

本件訂正発明１２及び１５は、本件訂正発明１１の構成を全て具備するものであるから、本件訂正発明１２及び１５も本件訂正発明１１と同じ理由により、甲１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。

（５）小括

以上より、当該理由は解消した。

第６ 決定の予告において採用しなかった特許異議申立理由について

１ 特許法第３６条第６項第２号（明確性要件違反）について

（１）申立人は、請求項１の「不動態化剤」の定義が明確でない旨主張する。

しかしながら、請求項１の記載には、当該「不動態化剤」が「多環式芳香族炭化水素」であって、「金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに化学的に結合していない」ものであることが特定されているし、また、上記第５の２（２）のとおり、多環式芳香族炭化水素の分子が粒界に配置されることにより、多環式芳香族炭化水素の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト内の粒界に配置されていない構造に比すれば、斥力等の遮断効果がその程度はあるとしても生じるものといえる。

よって、「不動態化剤」の記載は明確である。

（２）申立人は、請求項１の不動態化剤の分子が金属ハロゲン化物ペロブスカイト中のアニオン又はカチオンに「化学的に結合」していないときの「化学的な結合」がどのようなものであるかが明確でない旨主張するが、当該請求項１には「不動態化剤」が「多環式芳香族炭化水素」であることが特定されていることから、その意味は当業者にとって理解できる。

（３）申立人は、特許登録時の請求項７の引用する請求項に不備がある旨主張するが、本件訂正によって解消した。

２ 小括

よって、決定の予告において採用しなかった特許異議申立理由は、理由がない。

第７ むすび

以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、２、５、８～１２及び１５に係る特許を取り消すことはできない。また、他に本件請求項１、２、５、８～１２及び１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。

請求項３、４、６、７、１３及び１４に係る特許は、上記のとおり、訂正により削除された。これにより、請求項３、４、６、７、１３及び１４に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。

よって、結論のとおり決定する。