2023-701068

特許第７２５５７１１号発明「分散剤及び研磨剤組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２５５７１１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。 特許第７２５５７１１号の請求項２～４、８～１１に係る特許を維持する。 特許第７２５５７１１号の請求項１、５～７に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２５５７１１号の請求項１～１１に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）９月２８日（優先権主張 令和１年１２月２７日、令和１年１２月２７日、令和１年１２月２７日 ）を国際出願日とする出願であって、令和５年４月３日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１１日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年１０月 ５日 ：特許異議申立人高橋和枝（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ６年 ２月 ６日付け ：取消理由通知書 令和 ６年 ４月 ５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」といい、「本件訂正請求後」を「訂正後」といい、「本件訂正請求前」を「訂正前」という。）の提出（これに対する申立人による意見書の提出はなかった。） 第２ 訂正の適否についての判断 １ 本件訂正の内容 特許権者は、特許請求の範囲の請求項１～１１を、以下の事項により特定されるとおりに訂正することを請求する（下線は訂正箇所を示すため当審が付した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に、「前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、請求項１に記載の分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。）」と記載されているのを、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、 前記重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し、 前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であり、 前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、 前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。）」に訂正する。 また、請求項２の記載を引用する請求項８～１１についても同様に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、 前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体である、分散剤。 条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なる。 条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる。」と記載されているのを、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、 前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体であり、 前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である、分散剤。 条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。 条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる。」に訂正する。 また、請求項３の記載を引用する請求項８～１１についても同様に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。）」と記載されているのを、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有し、 前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、 前記重合体ブロックＢは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。）」に訂正する。 また、請求項４の記載を引用する請求項８～１１についても同様に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７を削除する。 （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項８に、「前記ブロック共重合体（Ｐ）における前記重合体ブロックＡと前記重合体ブロックＢとの比率（Ａ／Ｂ）が、質量比で１０／９０～９０／１０である、請求項１～７のいずれか一項に記載の分散剤。」とあるうち、請求項１、５～７を引用するものについては除外し、「前記ブロック共重合体（Ｐ）における前記重合体ブロックＡと前記重合体ブロックＢとの比率（Ａ／Ｂ）が、質量比で１０／９０～９０／１０である、請求項２～４のいずれか一項に記載の分散剤。」に訂正する。 また、請求項８の記載を引用する請求項９～１１についても同様に訂正する。 （９）訂正事項９ 特許請求の範囲の請求項９に、「前記重合体ブロックＢは、炭素数１～１０のアルキル基を側鎖部分に有する構造単位をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の分散剤。」とあるうち、請求項１、５～７を引用するものについては除外し、「前記重合体ブロックＢは、炭素数１～１０のアルキル基を側鎖部分に有する構造単位をさらに含む、請求項２～４、８のいずれか一項に記載の分散剤。」に訂正する。 また、請求項９の記載を引用する請求項１０、１１についても同様に訂正する。 （１０）訂正事項１０ 特許請求の範囲の請求項１０に、「前記ブロック共重合体（Ｐ）の数平均分子量Ｍｎと重量平均分子量Ｍｗとの比で表される分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．０以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載の分散剤。」とあるうち、請求項１、５～７を引用するものについては除外し、「前記ブロック共重合体（Ｐ）の数平均分子量Ｍｎと重量平均分子量Ｍｗとの比で表される分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．０以下である、請求項２～４、８、９のいずれか一項に記載の分散剤。」に訂正する。 また、請求項１０の記載を引用する請求項１１についても同様に訂正する。 （１１）訂正事項１１ 特許請求の範囲の請求項１１に、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の研磨剤組成物であって、 請求項１～１０のいずれか一項に記載の分散剤と、酸化セリウムとを含有する、研磨剤組成物。」とあるうち、請求項１、５～７を引用するものについては除外し、「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の研磨剤組成物であって、 請求項２～４、８～１０のいずれか一項に記載の分散剤と、酸化セリウムとを含有する、研磨剤組成物。」に訂正する。 なお、本件訂正は、一群の請求項１～１１について請求されている。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無、独立特許要件 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正事項１は、請求項１を削除するというものであるから、当該訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項１は、請求項１を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記アに記載したとおり、訂正事項１は、請求項１を削除するというものであるから、願書に添付した明細書（以下、単に「明細書」ともいう。）、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項１に係る訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正事項２は、訂正前の請求項２の記載が請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。 さらに前記目的に加え、訂正事項２は、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢという発明特定事項につき、重合体ブロックＡの構造単位の限定を加えるとともに重合体ブロックＢのイオン性官能基の限定を加えることで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項２は、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改め、さらに、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢという発明特定事項につき、重合体ブロックＡの構造単位の限定を加えるとともに重合体ブロックＢのイオン性官能基の限定を加えることで、概念的により下位概念にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項２のうち、「前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、」との訂正事項は、訂正前請求項１に択一的に記載されていたエステル基含有ビニル単量体を削除したことで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 また、「前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であり、」との訂正事項は、明細書の段落【００３１】の記載に基づいて導き出される構成である。 「前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、」との訂正事項は、明細書の段落【００４５】の記載に基づいて導き出される構成である。 「Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。」との訂正事項は、明細書の段落【００２３】の記載に基づいて導き出される構成である。 したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項２に係る訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について 訂正事項３のうち、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」とする訂正事項は、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢに限定を加えることで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 また、訂正事項３のうち、「り、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。」とする訂正事項は、条件Ｉに限定を加えることで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項３のうち、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」との訂正事項は、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢという発明特定事項につき、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢのイオン性官能基の限定を加えることで、概念的により下位概念にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 また、訂正事項３のうち、「り、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。」との訂正事項は、条件Ｉという発明特定事項につき、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢのイオン性官能基の限定を加えることで、概念的により下位概念にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項３のうち、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」との訂正事項は、明細書の段落【００８９】、段落【０１００】の記載に基づいて導き出される構成である。 また、訂正事項３のうち、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。」との訂正事項は、明細書の段落【０１０２】の記載に基づいて導き出される構成である。 したがって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項３に係る訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について 訂正事項４は、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢという発明特定事項につき、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢの構造単位の限定を加えることで、特許請求の範囲を減縮しようとするものである。したがって、訂正事項４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項４は、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢという発明特定事項につき、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢの構造単位の限定を加えることで、概念的により下位概念にするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。 したがって、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項４のうち、「前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、」及び「前記重合体ブロックＢは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む」との訂正事項は、訂正前の請求項５、６に記載される構成要件の全てを訂正前の請求項４に組み込むものである。 また、訂正事項４のうち、「Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。」との訂正事項は、明細書の段落【００２３】の記載に基づいて導き出される構成である。 したがって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項４に係る訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （５）訂正事項５ ア 訂正の目的について 訂正事項５は、請求項５を削除するというものであるから、当該訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項５は、請求項５を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記アに記載したとおり、訂正事項５は、請求項５を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項５に係る訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （６）訂正事項６ ア 訂正の目的について 訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、当該訂正事項６は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記アに記載したとおり、訂正事項６は、請求項６を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項６に係る訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （７）訂正事項７ ア 訂正の目的について 訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、当該訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 上記アに記載したとおり、訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 上記アに記載したとおり、訂正事項７は、請求項７を削除するというものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項７に係る訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （８）訂正事項８～１１について 訂正事項８～１１は、訂正事項１、５～７に伴い、請求項８～１１について、請求項１、５～７を引用するものについては除外するものであるところ、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、及び、同法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当するから、同法第１２０条の５第２項の規定に適合する。 また、訂正事項８～１１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合する。 また、本件においては、訂正前の全ての請求項１～１１について特許異議申立てがされているので、訂正前の請求項７に係る訂正事項７に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 上記のとおり、訂正事項１～１１にかかる本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、同法第１２０条の５第２項の規定に適合し、かつ、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、令和６年４月５日に提出された訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～１１に係る発明（以下、順にそれぞれ「本件訂正発明１」～「本件訂正発明１１」という。また、訂正後の請求項１～１１に係る発明をまとめて「本件訂正発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】（削除） 【請求項２】 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、 前記重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し、 前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であり、 前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、 前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。） 【請求項３】 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、 前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体であり、 前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である、分散剤。 条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。 条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる。 【請求項４】 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有し、 前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、 前記重合体ブロックＢは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。） 【請求項５】（削除） 【請求項６】（削除） 【請求項７】（削除） 【請求項８】 前記ブロック共重合体（Ｐ）における前記重合体ブロックＡと前記重合体ブロックＢとの比率（Ａ／Ｂ）が、質量比で１０／９０～９０／１０である、請求項２～４のいずれか一項に記載の分散剤。 【請求項９】 前記重合体ブロックＢは、炭素数１～１０のアルキル基を側鎖部分に有する構造単位をさらに含む、請求項２～４、８のいずれか一項に記載の分散剤。 【請求項１０】 前記ブロック共重合体（Ｐ）の数平均分子量Ｍｎと重量平均分子量Ｍｗとの比で表される分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．０以下である、請求項２～４、８、９のいずれか一項に記載の分散剤。 【請求項１１】 絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の研磨剤組成物であって、 請求項２～４、８～１０のいずれか一項に記載の分散剤と、酸化セリウムとを含有する、研磨剤組成物。」 第４ 令和６年２月６日付け取消理由通知書に記載した取消理由について １ 取消理由通知書に記載した取消理由の概要 当審が令和６年２月６日付けで特許権者に通知した取消理由（以下「取消理由」という。）の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由１（サポート要件） 本件の請求項１～１１に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 （２）取消理由２（明確性要件） 本件の請求項１、２、８～１１に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 （３）取消理由３（新規性） 本件特許の請求項１～５、８、１０、１１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、本件特許の請求項１に発明は、甲第２号証に記載された発明であり、本件特許の請求項１、１１に発明は、甲第５号証に記載された発明であり、本件特許の請求項３、１１に発明は、甲第６号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５、８、１０、１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 （４）取消理由４（進歩性） 本件特許の請求項１～１１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて、本件特許の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、本件特許の請求項１、８、９、１１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明に基いて、優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件特許の請求項１、１１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明に基いて、優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件特許の請求項３、９、１１に係る発明は、甲第６号証に記載された発明に基いて、優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。 ＜引用文献等一覧＞ １．甲第１号証：特表２０１２－５０３８８０号公報 ２．甲第２号証：特開２０１５－１５１５０９号公報 ３．甲第３号証：再公表特許ＷＯ２０１３／１３７２１２号 ４．甲第４号証：特開２００６－３０３３４８号公報 ５．甲第５号証：国際公開第２０１９／１７７８０２号 ６．甲第６号証：特開２０１７－１８３２９７号公報 ２ 取消理由１（サポート要件）について （１）本件訂正発明２について ア 本件訂正発明２の「化学機械研磨用の分散剤」は、「前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し」、「前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず」、「前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、分散剤」であって、「前記重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であ」るものである。 イ 本件訂正発明が解決しようとする課題は、本件特許明細書の段落【０００７】の記載から、「砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができる分散剤を提供すること」である。 ウ 本件特許明細書の段落【００２２】には、「重合体ブロックＡは、構造単位ＵＡとして少なくともアミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位を有することが好ましい。重合体ブロックＡがアミド基含有単量体に由来する構造単位を有することで、砥粒（特に酸化セリウム）に良好な分散安定性を付与でき、せん断力による砥粒凝集の抑制効果を高めることができる点で好ましい。中でも、構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるアミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位を含むことが好ましい。」と記載されており、また、同段落【００３１】には、重合体ブロックＢが有するイオン性官能基について、砥粒（特に酸化セリウム）に対し適度な吸着性を示し、砥粒に良好な分散安定性を付与できる点で、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であることがあることが特に好ましい」と記載されている。 エ そして、本件特許明細書には、実施例について、重合体ブロックＡを構成するモノマーとして、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、式（１）（式（１）中、Ｒ１は水素原子であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。）で表されるビニル単量体に由来する構造単位であるアクリルアミド（ＡＡｍ）、アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）を用い、かつ、重合体ブロックＢを構成するモノマーとして、カルボキシル基又はスルホン酸基を有する構造単位ＵＢであるアクリル酸（ＡＡ）、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸（ＡＴＢＳ）を用いて得たブロック共重合体について記載されている。 さらに、第１実施形態の実施例１Ａ、３Ａ～６Ａ、９Ａ、１０Ａ、第３実施形態の実施例２Ｃが記載されており、砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができることが、重合体ブロックＢを有さず重合体ブロックＡのみを有する比較例１Ａ～４Ａ、１Ｃ、２Ｃ、及び、重合体ブロックＡが有する構造単位ＵＡ（ＶＰ）が式（１）で表されるものではなく、かつ、重合体ブロックＢが有する構造単位ＵＢ（ＡＡｍ）が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さない比較例３Ｃとの対比により具体的に確認されている（段落【００８３】の【表２】、段落【００８５】、段落【００８６】、段落【０１７８】の【表６】）。 オ したがって、本件特許明細書を見た当業者であれば、重合体ブロックＡ、重合体ブロックＢを構成するモノマーとして、重合体ブロックＡとして、式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含み、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さないブロックを有し、重合体ブロックＢとしてカルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有するブロックを有するブロック共重合体を含有する分散剤において、本件訂正発明の課題を解決できることを認識できるといえる。 （２）本件訂正発明３について ア 本件訂正発明３の「化学機械研磨用の分散剤」は、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体であり、 前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である、分散剤。 条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。 条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる」ものである。 イ 上述したとおり、本件訂正発明が解決しようとする課題は、本件特許明細書の段落【０００７】の記載から、「砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができる分散剤を提供すること」である。 ウ 本件特許明細書の段落【００４２】や段落【０１０１】、段落【０１０２】、段落【０１０４】の記載によると、本件訂正発明３は、条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たすブロック共重合体（Ｐ）を含有することによって、砥粒の分散安定性を高め、せん断力による砥粒の凝集を抑制しようとするものであると理解できる。 さらに、本件特許明細書には、［第２実施形態］について、段落【００８９】には、重合体ブロックＡが有するイオン性官能基について、砥粒（特に酸化セリウム）に対し適度な吸着性を示し、砥粒に良好な分散安定性を付与できる点で、「カルボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩であることが特に好ましい。」と記載されており、同段落【０１００】には、重合体ブロックＢが有するイオン性官能基について、「カルボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩であることが特に好ましい。」と記載されている。 エ そして、本件特許明細書には、実施例として、重合体ブロックＡのイオン性官能基及び重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基又はスルホン酸基であり、かつ、条件Ｉ：重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有することを満たすブロック共重合体を用いた第１実施形態の実施例２Ａ、８Ａ、第２実施形態の実施例１Ｂ、２Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、及び、重合体ブロックＡのイオン性官能基及び重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基又はスルホン酸基であり、かつ、条件ＩＩ：重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なることを満たすブロック共重合体を用いた第２実施形態の実施例２Ｂ～５Ｂ、８Ｂ、９Ｂが記載されており、砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができることが、重合体ブロックＢを有さず重合体ブロックＡのみを有する比較例１Ａ～４Ａ、１Ｂ、２Ｂとの対比により具体的に確認されている（段落【００８３】の【表２】、段落【０１３３】の【表４】、段落【０１３５】、段落【０１３６】）。 オ したがって、本件特許明細書を見た当業者であれば、重合体ブロックＡのイオン性官能基及び重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はそれらの塩であり、かつ重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なるか、又は、重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、重合体ブロックＡ及び重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有するブロック共重合体を含有する分散剤によれば、本件訂正発明の課題を解決できることを認識できるといえる。 （３）本件訂正発明４について ア 本件訂正発明４の「化学機械研磨用分散剤」は、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有し、前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、前記重合体ブロックＢは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、分散剤」であって、「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。）」である。 イ 本件訂正発明が解決しようとする課題は、本件特許明細書の段落【０００７】の記載から、「砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができる分散剤を提供すること」である。 ウ 本件特許明細書には、［第３実施形態］について、段落【０１３７】に、「《分散剤》本開示の第３実施形態における分散剤は、水溶性重合体として、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する重合体ブロックＡと、単量体組成が重合体ブロックＡと異なるセグメントであって下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有する重合体ブロックＢと、を有するブロック共重合体（Ｐ）を含有する。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。）」と記載されており、同【０１３８】に、重合体ブロックＡが有する式（１）で表されるビニル単量体（特定ビニル単量体）について、「特定ビニル単量体は、１級アミド基（－ＣＯＮＨ２）、２級アミド基（－ＣＯＮＨＲ２、－ＣＯＮＨＲ３）又は３級アミド基（－ＣＯＮＲ２Ｒ３）を有するビニル単量体である。上記式（１）において、Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の炭化水素基としては、・・・ヒドロキシアルキル基等が挙げられる。」と記載されており、同段落【０１４０】に、「構造単位ＵＡ－３を構成する特定ビニル単量体としては、水系への溶解性が高い重合体を得る観点から水溶性モノマーが好ましい。構造単位ＵＡ－３を構成する特定ビニル単量体は、中でも、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有するビニル単量体が好ましく、（メタ）アクリルアミド及び２－ヒドロキシエチルアクリルアミドよりなる群から選択される少なくとも１種が特に好ましい。」と記載されており、同段落【０１４９】に、「構造単位ＵＢ－３を構成する特定ビニル単量体は、水系への溶解性が高い重合体を得る観点から水溶性モノマーが好ましく、中でも、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有するビニル単量体が好ましい。具体的には、構造単位ＵＢ－３を構成する特定ビニル単量体は、Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－エチル－Ｎ－メチル（メタ）アクリルアミド、２－ヒドロキシエチルアクリルアミド、及び４－（メタ）アクリロイルモルホリンよりなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。特に、構造単位ＵＡ－３が１級アミド基及び水酸基の少なくともいずれかを有し、構造単位ＵＢ－３が２級アミド基及び３級アミド基の少なくともいずれかを有する場合、砥粒及び研磨対象物への吸着性の相違をセグメント間でより大きくでき、せん断力による砥粒の凝集構造の形成を抑制する効果を高くできるため好ましい。」と記載されている。 エ そして、本件特許明細書には、実施例として、重合体ブロックＡを構成するモノマーとして、式（１）（式（１）中、Ｒ１は水素原子であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換の１価の炭化水素基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を構成するモノマーとして２－ヒドロキシエチルアクリルアミド（ＨＥＡＡ）又はアクリルアミド（ＡＡｍ）を用い、重合体ブロックＢを構成するモノマーとして、式（１）（式（１）中、Ｒ１は水素原子であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を構成するモノマーとしてＮ，Ｎ－ジエチルアクリルアミド（ＤＥＡＡ）、４－アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）又は２－ヒドロキシエチルアクリルアミド（ＨＥＡＡ）を用いたブロック共重合体を用いた第３実施形態の実施例１Ｃ～６Ｃが記載されており、砥粒の分散安定性が高く、せん断力による砥粒の凝集を抑制することができることが、重合体ブロックＢを有さず重合体ブロックＡのみを有する比較例１Ｃ、２Ｃ、及び、重合体ブロックＡが有する構造単位ＵＡ（ＶＰ）が式（１）で表されるものではなく、かつ、重合体ブロックＢが有する構造単位ＵＢ（ＡＡｍ）が、２級アミド基及び３級アミド基のいずれも有するものではない比較例３Ｃとの対比により具体的に確認されている（段落【０１７８】の【表６】、段落【０１８０】、段落【０１８１】）。 オ したがって、本件特許明細書を見た当業者であれば、重合体ブロックＡが、式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、重合体ブロックＢが、式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含むブロック共重合体を含有する分散剤によれば、本件訂正発明の課題を解決できることを認識できるといえる。 （４）本件訂正発明８～１１について 本件訂正発明８～１１は、本件訂正発明２～４のいずれかの構成を有するものであるから、本件訂正発明２～４と同様に、本件訂正発明の課題を解決できることを認識できるといえる。 （５）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明２～４、８～１１は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしており、請求項２～４、８～１１に係る特許を、取消理由１によって取り消すことはできない。 ３ 取消理由２（明確性要件）について （１）本件訂正発明２において、「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、前記重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し」、「前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であり、前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む」と特定されている。 （２）そうすると、例えば、アミド基を含有し、かつ、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩でイオン性官能基を有する構造単位を有する重合体ブロックは、本件訂正発明２の重合体ブロックＢに該当するといえることが明確であり、また、アミド基を含有し、かつ、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩でイオン性官能基を有さない重合体ブロックは、本件訂正発明２の重合体ブロックＡに該当するといえる。 （３）また、アクリルアミド（ＡＡｍ）は、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩でイオン性官能基を有さず、構造単位ＵＡは、式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む。また、２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸（ＡＴＢＳ）は、スルホン酸基であるイオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有する。 したがって、例えば、ＡＡｍからなる重合体ブロックと、ＡＴＢＳからなる重合体ブロックを有するブロック共重合体は、ＡＡｍからなる重合体ブロックが、本件訂正発明２の重合体ブロックＡに該当し、ＡＴＢＳからなる重合体ブロックが、本件訂正発明２の重合体ブロックＢに該当するといえるから、本件訂正発明２のブロック共重合体（Ｐ）に相当するといえる。 （４）したがって、本件訂正発明２において、ブロック共重合体（Ｐ）の重合体ブロックＡと重合体ブロックＢの構成は明確である。 よって、本件訂正発明２及び請求項２の記載を引用する本件訂正発明８～１１は、明確である。 （５）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明２、８～１１は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしており、請求項２、８～１１に係る特許を、取消理由２によって取り消すことはできない。 ４ 甲号証の記載と甲号証に記載された発明 （１）甲第１号証の記載と甲第１号証に記載された発明について ア 甲第１号証の記載 甲第１号証には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】 化学機械研磨用の安定なコロイド分散液であって： （ａ）研磨剤成分、並びに （ｂ）研磨剤成分の約０．０５％～約１０重量％の： （ｉ）１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ、及び （ｉｉ）１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡ を含む水溶性ポリマー を含み、約１．５～約６のｐＨを有する、分散液。」 「【請求項６】 前記研磨剤成分が： （ａ）セリウム、チタン、ケイ素、ジルコニウム、マンガン、アルミニウム又は鉄の酸化物、水酸化物又はオキシ水酸化物、 （ｂ）セリウムの酸化物、水酸化物又はオキシ水酸化物と、希土類金属又はスズから選択される少なくとも１つの他の元素との混合物、及び （ｃ）ジルコニウムの酸化物、水酸化物又はオキシ水酸化物と、三価希土類金属の酸化物、水酸化物又はオキシ水酸化物との混合物 からなる群から選択される粒子を含む、請求項１に記載の分散液。」 「【技術分野】 ・・・ 【０００２】 本発明は、研磨用途で使用される研磨剤組成物及び方法、さらに詳細には基材の化学機械研磨処理において使用される研磨剤組成物及び方法に関する。 【背景技術】 【０００３】 ＣＭＰ（「化学機械平坦化」又は「化学機械研磨」）プロセスは当該技術分野で公知である。ＣＭＰプロセスは、一般的に、基材表面、典型的には半導体に関連する基材上の平坦でない形状から平坦化された（すなわち平坦な）表面が形成されるまで物質を除去することを含む。ＣＭＰプロセスは、研磨組成物（又は別名ゾル若しくはスラリーとして知られる）及び研磨パッドと関連して用いられる。研磨組成物は、典型的にはアルカリ性溶液又は他の液体担体中に分散された研磨剤粒子を含有する。研磨組成物を、（多くの場合は研磨組成物で飽和させた）研磨パッドを用いて基材表面に塗布する。回転ヘッドは回転する基材を研磨パッドに押しつけて、基材表面を平坦化又は研磨する。 【０００４】 このＣＭＰプロセスは、研磨剤粒子を用いた平滑化の「機械的」効果と、酸性又は塩基性溶液を用いたエッチングの「化学的」効果とを兼ね備える。これによって、たとえばフォトリソグラフィーにおいては、より高い精密度が得られ、層に対して最小及び／又は許容できる高さ変動がもたらされる。 【０００５】 伝統的なＣＭＰプロセスでは、窒化物フィルムの損失を最小限に抑えるためには、高い二酸化ケイ素除去速度と低い窒化ケイ素除去速度が望ましい。窒化ケイ素の除去速度に対する二酸化ケイ素の除去速度の比は、「選択性」又は「選択比」と定義される。その一方、逆の、すなわち高い窒化物除去速度と低い酸化物除去速度が望ましい新規用途が存在する。しかし、このような逆の用途を達成するのは困難であった。（窒化ケイ素除去速度の二酸化ケイ素除去速度に対する比は、「逆選択性」又は「逆選択比」として定義される。）」 「【００２３】 本発明は、無機粒子及びポリマーの液相中コロイド分散液、並びにこのような分散液を研磨プロセスにおいて使用する方法に関する。一実施形態において、本発明は、溶媒又は水中に分散された研磨成分及び両性ポリマーを含む。本発明は、研磨における逆選択性を改善することができ、逆選択性とは、窒化ケイ素の除去速度の酸化ケイ素の除去速度に対する比である。本明細書においては基材の「研磨」という用語と、基材の「平坦化」という用語とは、これらの用語が当該技術分野で知られるように交換可能に用いられると解釈される。 【００２４】 このようなコロイド分散液に関する従来の問題の１つは、それらの安定性、特にｐＨの関数としてのそれらの安定性である。安定性を有する分散液とは、これらを構成するコロイド状粒子が、最適な使用に十分な期間にわたって起こる沈降によって分離することなく液相中懸濁液の状態である必要があることを意味すると解釈される。加えて、可能な限り多様な用途及び条件下でこれらを有効に使用することを可能にするかなりのｐＨ範囲にわたって安定である分散液が望ましい。理論によって拘束されないが、分散液中の粒子は、粒子間のファン・デル・ワールス力に対抗する反発力プロファイルを示すと考えられる。これは、固液界面で生じる電荷（静電的安定化）及び／又は粒子表面上の吸収されたポリマー（立体安定化）又は両者によって得られる。 【００２５】 従って、本発明は、改善された安定性を有する分散液を含む。本発明の研磨組成物の改善された安定性は、本発明と従来技術との間のゼータ電位の比較からわかる。本明細書において記載するように、ゼータ電位は、分散液中の互いに隣接する同じ荷電粒子間の反発力の程度を示す。高いゼータ電位、一般的には±１５ｍＶよりも高いゼータ電位が測定されるコロイド分散液は、安定性に対する傾向を示す。すなわち、分散液は凝集に対して抵抗する傾向がある。低いゼータ電位は、不安定性に対する傾向を示す。すなわち、分散された粒子間で引力が反発力を上回る場合、分散液は壊れて凝集する傾向がある。」 「【００２７】 一実施形態において、本発明は、半導体基板を研磨する方法を包含する。半導体基板は、少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む。酸化ケイ素又は酸化ケイ素層を、たとえば化学気相堆積をはじめとする公知方法によって下部の基板上に堆積させることができる。他の物質層がさらに基板上に存在してもよい。この実施形態において、研磨が酸化ケイ素層に達するまで窒化ケイ素層を研磨し、窒化ケイ素の層と酸化ケイ素との両方が共存する面が露出したら、窒化ケイ素層の研磨を終了するか、または実質的に終了する。窒化ケイ素が研磨停止層である従来法と異なり、この場合は酸化ケイ素層が研磨停止層になる。ダマシン金属ゲート処理、シャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）処理などを包含するが、これらに限定されるものではない、半導体装置の製造における任意の好適な処理段階においてＣＭＰプロセスを利用することができる。本発明の研磨組成物（すなわち、ＣＭＰ用コロイド分散液）を使用する際、逆選択性は、少なくとも２０、さらに典型的には少なくとも２７、なお一層典型的には少なくとも５０であり得る。」 「【００３２】 粒子は、一実施形態においては無機酸化物、別の実施形態においては無機水酸化物、別の実施形態においては無機オキシ水酸化物、またはさらに別の実施形態においてはそれらの任意の組み合わせから構成され得る。好適な粒子としては、これらに限定されるものではないが、セリウム、チタン、ジルコニウム、ケイ素、アルミニウム、マンガン、スズ、鉄、シリカをはじめとする単一元素の酸化物、水酸化物及び／又はオキシ水酸化物、及びそれらの混合物、並びにこのような元素の混合物の酸化物、水酸化物及び／又はオキシ水酸化物（たとえば、セリウム－ジルコニウム酸化物）が挙げられる。典型的には、粒子は、セリウム又はジルコニウムの酸化物、水酸化物又はオキシ水酸化物、さらに典型的にはセリウムの酸化物から構成される。」 「【００９２】 一実施形態において、コポリマーは、１又は２つの高分子鎖Ｂを示し得、高分子鎖Ｂは高分子鎖Ａに、後者の一端又は両端で結合する。高分子鎖Ｂは「ブロックＢ」と結合することができ、高分子鎖Ａは「ブロックＡ」と結合することができる。両性コポリマーは両性「ブロックコポリマー」と呼ぶことができる。典型的には、高分子鎖Ａ及びＢは、炭素－炭素結合により互いに結合する。両性コポリマーは、特に次のコポリマー：（ｉ）（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマー（パートＡはブロックＡを構成し、高分子鎖ＢはブロックＢを構成する）、及び（ｉｉ）（ブロックＢ）－（ブロックＡ）－（ブロックＢ）トリブロックコポリマー（パートＡはブロックＡを構成し、高分子鎖ＢはブロックＢを構成する）から選択することができる。別の実施形態において、コポリマーは直線状ジブロック又はトリブロックコポリマーであり、そのブロックＡ及び／又はブロックＢは、エチレン性不飽和モノマー由来であり、典型的にはモノ－α－エチレン性不飽和モノマー及び／又は共重合性ジアリルタイプのモノマー、たとえばＮ，Ｎ－ジメチルジアリルアンモニウムクロリド（ＤＡＤＭＡＣ）由来である。」 「【００９７】 カチオン性モノマーの具体例としては：ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、エチレンイミン、・・・のモノマーが挙げられる。」 「【００９９】 一実施形態において、ポリマーのアニオン性モノマー単位は、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸の塩、メタクリル酸の塩、ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸の塩、ビニルベンゼンスルホン酸、ビニルベンゼンスルホン酸の塩、アルファ－アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、アルファ－アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸の塩、２－スルホエチルメタクリレート、２－スルホエチルメタクリレートの塩、アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸（ＡＭＰＳ）、アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸の塩、並びにスチレンスルホネート（ＳＳ）及びＳＳの塩から選択される１以上のアニオン性モノマーから誘導される。 【０１００】 高分子鎖Ａ又は高分子鎖Ｂは、アニオン性又はカチオン性基由来以外のモノマー単位を含み得る。これらは特に配合物のｐＨ条件で中性であり、どんなｐＨでも中性のままである中性モノマー由来のモノマー単位を含む。好適な中性モノマーとしては、たとえば、エチレンオキシド、及びプロピレンオキシドなどのアルキルオキシド、 【０１０１】 アクリルアミド、メタクリルアミド、 【０１０２】 アルファ－エチレン性不飽和、典型的にはモノ－アルファ－エチレン性不飽和モノカルボン酸のアミド、 【０１０３】 アルファ－エチレン性不飽和、典型的にはモノ－アルファ－エチレン性不飽和モノカルボン酸のエステル、たとえばメチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ－プロピルアクリレート、ｎ－ブチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ－プロピルメタクリレート、ｎ－ブチルメタクリレート、２－エチルヘキシルアクリレートなどのアルキルエステル、又は２－ヒドロキシエチルアクリレートなどのヒドロキシアルキルエステル、 ・・・ 【０１１２】 スチレンなどのビニル芳香族化合物、並びにこれらの混合物が挙げられる。」 「【０１１４】 一実施形態において、ポリマーは、アニオン性ブロック及び中性ブロックを有するブロックコポリマー、たとえばポリ（スチレンスルホネート）－ｂ－ポリアクリルアミド）ブロックコポリマーである。一実施形態において、本発明のコポリマーは、ジブロッックコポリマーであり、この場合、ブロックＡはアクリル酸由来であり、ブロックＢはＤＡＤＭＡＣ、ＭＡＰＴＡＣ及びＡＰＴＡＣから選択されるカチオン性モノマー、さらに典型的にはＤＡＤＭＡＣ由来である。」 「【０１１９】 一実施形態において、コポリマーは、Ｑｕｉｒｋ及びＬｅｅ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ２７， ３５９（１９９２））により定義されるリビング重合又は制御重合によって調製される。実際、この特定の方法は、分散度が狭く、パートの長さ及び組成が化学量論及び変換度によって制御されるポリマーを調製することを可能にする。この種類の重合に関して、任意のいわゆるリビング重合又は制御重合法、たとえば：出願ＷＯ９８／５８９７４及び米国特許第６，１５３，７０５号の教示にしたがってキサントゲン酸エステルによって制御されるフリーラジカル重合、又は出願ＷＯ９８／０１４７８の教示にしたがってジチオエステルによって制御されるフリーラジカル重合によって得ることができるポリマーがさらに詳細には推奨される。」 「【０１２７】 本発明の範囲から逸脱することなく、ブロックコポリマーを得る製造プロセスを用い、適合させ、適切ならば、その後に修飾して（たとえば、特定の段階中あるいは分解及び／又は不活性化及び／又は精製段階中）、ジブロックコポリマーを得る。特に、いくつかの移動基（たとえば、トリチオカーボネートＺ－Ｓ－ＣＳ－Ｓ－Ｚ）を含む移動剤を用いて、Ｒ－［（ブロックＢ）－（ブロックＡ）］w型のテレキーレックコポリマー、たとえば（コア）－［（ブロックＡ）－（ブロックＢ）］x型のトリブロック（たとえば、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）－Ｒ－（ブロックＢ）－（ブロックＡ）、たとえばトリブロック（ブロックＡ）－（ブロックＢ）－（コア）－（ブロックＢ）－（ブロックＡ））を得、次いでテレキーレックコポリマーをコアで破断（分割、「切断」）して、ジブロックコポリマー（ブロックＡ）－（ブロックＢ）を得ることが想定できる。分割は、加水分解中に起こり得る。」 「【０１３７】 実施例２ この実施例は、Ｐ（アクリル酸－ブロック－ジアリルジメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー：Ｐ（ＡＡ－ＤＡＤＭＡＣ）の合成に関する。 【０１３８】 実施例１で記載するように、第１ブロックの合成の最後に、温度を６５℃まで下げる。この温度が安定した時点で、７０６ｇのジアリルジメチルアンモニウムクロリド（ＤＡＤＭＡＣ）の６５重量％水中溶液、及び４ｇのＷａｋｏにより販売されているＶ５０開始剤固体（２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジンン）二塩酸塩）を導入する。反応を次にこの温度で１２時間維持する。４時間反応させ、８時間反応させた後、４ｇのＶ５０開始剤をそのたびごとに反応媒体に添加する。反応の最後に、試料を採取する。1Ｈ ＮＭＲ分析により、９８．２％のＤＡＤＭＡＣ変換率を得る。Ｍn及びＭw／Ｍnは、水中ＳＥＣにより、ポリ（エチレンオキシド）較正曲線を用いて測定する：Ｍn＝２５００、Ｍw／Ｍn＝１．５０。実施例１及び実施例２から得られる生成物の２つのクロマトグラムを重ね合わせることによって、形成されたコポリマーがジブロック性であると結論づけることができる。これは、実施例１から得られる生成物のＳＥＣクロマトグラムが、実施例２から得られる生成物の合成の最後で高分子量範囲へと完全にシフトするからである。」 「【０１４２】 実施例４ この実施例は、Ｐ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー：Ｐ（ＡＡ－ＡＰＴＡＣ）の合成に関する。」 「【０１４７】 実施例６ この実施例は、Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー：Ｐ（ＡＭ－ＡＰＴＡＣ）の合成に関する。」 「【０１５２】 実施例８ この実施例は、Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー：Ｐ（ＡＭ－ＡＰＴＡＣ）の合成に関する。」 イ 甲１発明（１） 甲第１号証の上記箇所の記載（特に、【請求項１】、段落【０００３】、【００２７】を参照。）から、甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明（１）」という。）が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれる水溶性ポリマーであって、 （ｉ）１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ、及び （ｉｉ）１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡを含む水溶性ポリマー。」 ウ 甲１Ａ発明（１） 甲第１号証の上記箇所の記載（特に、段落【０００３】、【００２７】、【０１４２】を参照。）から、甲第１号証には、実施例４について、以下の発明（以下「甲１Ａ発明（１）」という。)が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれ、 Ｐ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマーを含有する、水溶性ポリマー。」 エ 甲１Ｂ発明（１） 甲第１号証の上記箇所の記載（特に、【請求項１】、段落【０００３】、【００２７】、【０１４７】、【０１５２】を参照。）から、甲第１号証には、実施例６、８について、以下の発明（以下「甲１Ｂ発明（１）」という。)が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれ、 Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマーを含有する、水溶性ポリマー。」 オ 甲１発明（２） 甲第１号証の上記箇所の記載（特に、【請求項１】、【請求項６】、段落【０００３】、【００２７】を参照。）から、甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明（２）」という。)が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液であって、 （ａ）研磨剤成分と、 （ｂ）（ｉ）１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ、及び （ｉｉ）１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡ を含む水溶性ポリマーを含み、 前記研磨剤成分がセリウムの酸化物の粒子を含む、分散液。」 カ 甲１Ａ発明（２） 甲第１号証の上記箇所の記載（特に、【請求項１】、【請求項６】、段落【０００３】、【００２７】、【０１４２】を参照。）から、甲第１号証には、実施例４について、以下の発明（以下「甲１Ａ発明（２）」という。）が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液であって、 （ａ）研磨剤成分と、 （ｂ）水溶性ポリマーを含み、 前記研磨剤成分がセリウムの酸化物の粒子を含み、 前記水溶性ポリマーがＰ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマーを含有する、分散液。」 キ 甲１Ｂ発明（２） 甲第１号証の上記箇所（特に、【請求項１】、【請求項６】、段落【０００３】、【００２７】、【０１４７】、【０１５２】を参照。）の記載から、甲第１号証には、実施例６、８について、以下の発明（以下「甲１Ｂ発明（２）」という。)が記載されている。 「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液であって、 （ａ）研磨剤成分と、 （ｂ）水溶性ポリマーを含み、 前記研磨剤成分がセリウムの酸化物の粒子を含み、 前記水溶性ポリマーがＰ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマーを含有する、分散液。」 （２）甲第３号証の記載 甲第３号証は、【請求項１】、段落【００２６】、【００２８】、【００２９】等を参照されたい。 甲第３号証には、「砥粒及び水溶性高分子を含有する研磨用組成物において、砥粒の例として、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物が挙げられること。」が記載されている。 （３）甲第４号証の記載 甲第４号証は、【請求項１】、段落【００１１】等を参照されたい。 甲第４号証には、「化学的機械的研磨用研磨剤であって、当該研磨剤が、酸化セリウム粒子、水および添加剤を含んでなり、当該添加剤が、水溶性有機高分子化合物およびアニオン界面活性剤からなる群から選択される１種類以上を含む」ものが記載されている。 （４）甲第６号証の記載と甲６発明（１）、甲６発明（２）について ア 甲第６号証の記載 甲第６号証には、以下の事項が記載されている。 「【請求項１】 砥粒と、過酸化水素と、ケイモリブデン酸化合物と、水溶性高分子と、を含有する、タングステン用研磨剤。 ・・・ 【請求項３】 前記水溶性高分子が、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を重合させて得られる構造を有する重合体を含む、請求項１又は２に記載の研磨剤。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、タングステン用研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法に関する。特に、本発明は、化学機械研磨（以下、「ＣＭＰ」という。）に使用されるタングステン用研磨剤、研磨剤用貯蔵液及び研磨方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、半導体集積回路（以下、「ＬＳＩ」という。）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。ＣＭＰはその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁材料の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成等において頻繁に利用される技術である。 【０００３】 ＣＭＰを用いた埋め込み配線形成としては、ダマシン法が知られている。例えば、酸化珪素等の絶縁材料の表面にあらかじめ溝を形成した後、絶縁材料の表面に追従する形状のバリア材料（例えばバリア膜）を形成し、更に、溝を埋め込むようにバリア材料全体の上に配線金属を堆積する。次に、溝に埋め込まれた配線金属以外の不要な配線金属を除去した後、配線金属の下層のバリア材料の一部をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する。 【０００４】 ＬＳＩでは、多種多様な物質が用いられる。また、ＬＳＩは、複数の層構造を有しており、それぞれの層構造を得るために各段階でＣＭＰが行われる。そのため、ＣＭＰに用いられる研磨剤としては、どの材料を除去するか、又は、どの材料を除去しないかに応じて構成成分が調整されることから、多種多様な研磨剤がある。 【０００５】 近年、ＬＳＩには、配線金属又はバリア材料としてタングステン材料が用いられており、タングステン材料を除去するための研磨剤が必要とされている。タングステン用研磨剤としては、例えば、下記特許文献１～４に記載されている研磨剤が挙げられる。」 「【００１１】 本発明は、タングステン材料を高い研磨速度で研磨できると共に、タングステン材料に対するエッチング速度を抑制できる研磨剤を提供することを目的とする。また、本発明は、前記研磨剤を得るための研磨剤用貯蔵液、及び、前記研磨剤を用いる研磨方法を提供することを目的とする。」 「【００３６】 （砥粒） 本実施形態に係る研磨剤は、砥粒を含有する。砥粒の構成材料としては、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニア等の酸化物、セリウム等の水酸化物、樹脂などが挙げられる。これらは、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。中でも、砥粒の構成材料としては、他の種類の砥粒と比較してタングステン材料との親和性が高く、タングステン材料との接触頻度が増加し、タングステン材料に対する良好な研磨速度が得られ易い観点から、酸化物が好ましく、シリカ及びアルミナからなる群より選択される少なくとも一種がより好ましく、シリカが更に好ましい。」 「【００５２】 （水溶性高分子） 本実施形態に係る研磨剤は、水溶性高分子を含有する。研磨剤が水溶性高分子を含有することにより、タングステン材料に対するエッチング速度が抑制される。このような作用機序が得られ易い観点から、水溶性高分子は、カルボキシル基を有する重合体を含むことが好ましく、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を重合させて得られる構造を有する重合体を含むことがより好ましい。アクリル酸及びメタクリル酸に由来するカルボキシル基が、酸化されたタングステン材料（例えばＨ２ＷＯ４）の水酸基と相互作用して新たな反応層が形成され易いと考えられる。 【００５３】 水溶性高分子としては、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する共重合体（以下「（メタ）アクリル酸系重合体」という）、アクリル酸及び２－アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する共重合体等が挙げられ、（メタ）アクリル酸系重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸系重合体は、アクリル酸の単独重合体（ポリアクリル酸）、メタクリル酸の単独重合体（ポリメタクリル酸）であってもよい。水溶性高分子は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。（メタ）アクリル酸系重合体を得るための組成物は、アクリル酸及びメタクリル酸以外の単量体成分（例えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル等の（メタ）アクリル酸アルキル）を含んでいてもよい。なお、（メタ）アクリル酸系重合体としては、アクリル酸及びメタクリル酸からなる単量体成分を重合させて得られる構造を有する共重合体（アクリル酸／メタクリル酸共重合体）が好ましい。 【００５４】 （メタ）アクリル酸系重合体は、アクリル酸及びメタクリル酸以外の前記単量体成分を用いることにより、アミド基、水酸基、ウレア基、カルボキシル基、アルキル基（メチル基等）、スルホ基等の側鎖を有していてもよい。（メタ）アクリル酸系重合体の重合形態としては、特に制限はないが、ブロック共重合、ランダム共重合等が挙げられる。 【００５５】 （メタ）アクリル酸系重合体における、アクリル酸及びメタクリル酸の共重合比（モル比）は特に制限はないが、メタクリル酸に対するアクリル酸の共重合比（アクリル酸／メタクリル酸）は、タングステン材料に対する高い研磨速度と、タングステン材料に対する低いエッチング速度を更に高度に両立する観点、及び、溶解性に優れる観点から、１／９９～９５／５が好ましい。 【００５６】 水溶性高分子の重量平均分子量の下限は、タングステン材料に対するエッチング速度が抑制され易い観点から、１０００以上が好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量の下限は、高い研磨速度が発現し易い観点から、３０００以上がより好ましく、４０００以上が更に好ましく、５０００以上が特に好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量の上限は、特に制限はないが、研磨剤への溶解性及び研磨剤の保存安定性に優れる観点から、５００万以下が好ましく、１００万以下がより好ましく、５０万以下が更に好ましく、１０万以下が特に好ましく、５万以下が極めて好ましく、３万以下が非常に好ましく、１万以下がより一層好ましい。前記観点から、水溶性高分子の重量平均分子量は、１０００以上５００万以下が好ましい。」 「【００５９】 （液状媒体） 本実施形態に係る研磨剤は、他の成分の分散媒又は溶媒として作用する液状媒体を含有することが好ましい。液状媒体としては、純水、超純水、蒸留水等の水；アルコール類、エーテル類、エステル類等の有機溶媒（例えば、水に対して溶解性を有する有機溶媒）が挙げられる。液状媒体は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用できる。」 「【００６５】 （研磨剤のｐＨ） 本実施形態に係る研磨剤のｐＨの下限は、１．０以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、２．０以上が更に好ましく、２．２以上が特に好ましく、２．３以上が極めて好ましい。研磨剤のｐＨがこのような範囲であると、タングステン材料の表面が負のゼータ電位を有し、かつ、当該ゼータ電位の絶対値が充分に大きくなる。これにより、タングステン材料に吸着する砥粒の量を充分に確保し易いため、充分な機械的研磨力が得られ易い。本実施形態に係る研磨剤のｐＨの上限は、砥粒の分散安定性が良好な観点から、６．０以下が好ましく、５．０以下がより好ましく、４．５以下が更に好ましく、４．０以下が特に好ましい。これらの効果を両立する観点から、研磨剤のｐＨは、１．０～６．０が好ましい。研磨剤のｐＨは、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドリド）等の塩基成分、前記酸成分などにより調整してもよい。なお、研磨剤のｐＨは、液温２５℃におけるｐＨと定義する。」 「【実施例】 【００７９】 以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例においてｐＨの調整には、必要に応じてアンモニア又はリンゴ酸を用いた。 【００８０】 ＜研磨剤の調製＞ （実施例１） ケイモリブデン酸０．４０質量部と、水溶性高分子（アクリル酸／メタクリル酸共重合体１（ＡＡ／ＭＡ共重合体）、ブロック共重合体、共重合比：１／９９、Ｍｗ：７０００）０．０５質量部とを容器に入れた。そして、超純水Ｘ質量部を容器に注いだ後、攪拌して各成分を溶解させた。次に、シリカ粒子の含有量として２．００質量部に相当する量のコロイダルシリカ（シリカ含有液）を添加した。最後に、過酸化水素の含有量として３．００質量部に相当する量の過酸化水素水を添加して研磨剤を得た。超純水の前記含有量Ｘとしては、研磨剤が１００質量部となるように調整される含有量を用いた。 【００８１】 （実施例２） ケイモリブデン酸の含有量を０．４０質量部から０．１０質量部に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。 【００８２】 （実施例３） 砥粒の含有量を２．００質量部から０．５０質量部に変えたこと、及び、ｐＨを２．６から２．５に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。 【００８３】 （実施例４） 過酸化水素の含有量を３．００質量部から０．５０質量部に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。 【００８４】 （実施例５） ケイモリブデン酸の含有量を０．４０質量部から２．５０質量部に変えたこと、及び、ｐＨを２．６から２．４に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。 【００８５】 （実施例６） 研磨剤のｐＨを２．６から３．５に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。 【００８６】 （実施例７） アクリル酸／メタクリル酸共重合体１をアクリル酸／メタクリル酸共重合体２（ブロック共重合体、共重合比：６０／４０、Ｍｗ：８０００）に変えたこと、及び、ｐＨを２．６から２．４に変えたこと以外は実施例１と同様にして研磨剤を得た。」 イ 甲６発明（１） 甲第６号証の上記記載から、甲第６号証には、以下の発明（以下「甲６発明（１）」という。）が記載されている。 「配線金属又はバリア材料として用いられるタングステン材料用の化学機械研磨剤に含有される水溶性高分子であるブロック共重合体であって、 アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する、ブロック共重合体。」 ウ 甲６発明（２） 甲第６号証の上記記載から、甲第６号証には、以下の発明（以下「甲６発明（２）」という。）が記載されている。 「配線金属又はバリア材料として用いられるタングステン材料用の化学機械研磨剤であって、 砥粒と、過酸化水素と、ケイモリブデン酸化合物と、水溶性高分子と、を含有し、 前記水溶性高分子が、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有するブロック共重合体であり、 砥粒として、セリアの酸化物を含有する、タングステン用の化学機械研磨剤。」 ５ 取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その１：主引例は甲第１号証） （１）本件訂正発明２について ア 本件訂正発明２と甲１発明（１）との対比・判断 （ア）ａ 甲１発明（１）の「窒化ケイ素層」、「化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれる水溶性ポリマー」は、それぞれ本件訂正発明２の「絶縁層」、「化学機械研磨用の分散剤」に相当する。そして、甲１発明（１）の「化学機械研磨」プロセスは、典型的には半導体に関する基材上の平坦でない形状から平坦化された表面が形成されるまで物質を除去することを含むから（段落【０００３】）、本件訂正発明２の「絶縁層及び配線層のうち少なくともいずれかの表面平坦化に用いられる化学機械研磨用」に相当する。 よって、甲１発明（１）の「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれる水溶性ポリマー」は、本件訂正発明２の「絶縁層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤」に相当する。 ｂ また、甲１発明（１）の「１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ」及び「１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡ」は、いずれも本件訂正発明２の重合体ブロックに対応するといえる。 したがって、本件訂正発明２と甲１発明（１）とは、「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を有する」点で一致する。 （イ）したがって、本件訂正発明２と甲１発明（１）との一致点と相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「絶縁層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨剤用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有する、分散剤。」 ＜相違点１＞ 本件訂正発明２は、「前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し」（以下、「相違点１－１」という。）、「前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず」（以下、「相違点１－２」という。）、「前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む」 「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１） （式（１）中、Ｒ１は水素原子又はメチル基であり、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立して水素原子又は置換若しくは無置換の１価の炭化水素基であるか、又はＲ２とＲ３とが互いに結合してＲ２及びＲ３が結合する窒素原子と共に環を形成する基である。Ｒ２及びＲ３のうち少なくとも一方が、置換された１価の炭化水素基である場合、該置換された１価の基はヒドロキシアルキル基である。）」（以下、単に「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」と記載する。）（以下、「相違点１－３」という。）のに対し、甲１発明（１）では、パートＢ及びパートＡについて、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点２＞ 本件訂正発明２は、「前記重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し」、「前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩であ」るのに対し、甲１発明（１）では、パートＢ及びパートＡについて、そのような特定はなされていない点。 （ウ）ａ まず、上記相違点１について検討する。 甲１発明（１）の「パートＢ」の「カチオン性モノマー」として、甲第１号証の段落【００９７】には、「ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド」が記載されている。 ここで、「ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド」、「ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド」は、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位を有し、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さないから、甲１発明（１）のカチオン性モノマー単位は、本件訂正発明２の「重合体ブロックＡ」に対応するといえる。 ｂ しかしながら、「ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド」、「ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド」は、Ｎ原子を２つ含むので、本件訂正発明２の「下記式（１）で表されるビニル単量体」には該当しない。 そうすると、甲第１号証には、本件訂正発明２の「前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む」、「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」について、記載も示唆もされていないといえる。 ｃ したがって、甲第１号証の段落【００９７】等の記載を参照した当業者であっても、甲１発明（１）において、「パートＢ」が含む「カチオン性モノマー単位」として、相違点１－３に係る本件訂正発明２の「式（１）（ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３…（１） ）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む」ものを採用することは容易になし得たとはいえない。 よって、相違点１（相違点１－１、相違点１－２、及び相違点１－３）に係る本件訂正発明２の重合体ブロックＡを採用することは、当業者が容易になし得たとはいえない。 以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本件訂正発明２は、甲１発明（１）及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件訂正発明２と甲１Ｂ発明（１）との対比・判断 （ア）ａ 上記ア（ア）ａの検討を参照すると、甲１Ｂ発明（１）の「少なくとも酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を含む半導体基板の窒化ケイ素層を研磨する際に使用する化学機械研磨用のコロイド分散液に含まれ」る、「水溶性ポリマー」は、本件訂正発明２の「絶縁層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤」に相当する。 ｂ 甲１Ｂ発明（１）の「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」について、アクリルアミドは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位を有し、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリドは、イオン性官能基を有する構造単位を有するといえるから、本件訂正発明２の「アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有」する重合体ブロックＡと、「イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有する」重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）に相当する。 ｃ 甲１Ｂ発明（１）の「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」のアクリルアミドは、本件特許発明２の「下記式（１）で表されるビニル単量体」に相当する。 （イ）したがって、本件訂正発明２と甲１Ｂ発明（１）との一致点と相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「絶縁層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の分散剤であって、 重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を有し、 前記重合体ブロックＡは、アミド基含有ビニル単量体に由来する構造単位ＵＡを有し、 重合体ブロックＢは、イオン性官能基を有する構造単位ＵＢを有し、 前記重合体ブロックＡは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩を有さず、 前記構造単位ＵＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」 ＜相違点３＞ 本件訂正発明２では、「前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」であるのに対し、甲１（Ｂ）発明（１）では、「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」における「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」のイオン性官能基は、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩ではない点。 （ウ）以下、上記相違点３について検討する。 甲第１号証の段落【００９２】には、両性ブロックコポリマーとして、「（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマー（パートＡはブロックＡを構成し、高分子鎖ＢはブロックＢを構成する）」を選択することができる旨が記載されているものの、甲第１号証には、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーを構成するブロックＢとして、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」を選択することは記載も示唆もされていない。 また、甲第１号証に開示された実施例のうち、ポリマーが、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーであって、アクリルアミドがブロックＡを構成するものは実施例６、８のみであり、実施例６、８において、ブロックＢは、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリドで構成されており、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド以外のブロックＢを構成するイオン性官能基を有する実施例は記載されていない。 そうすると、実施例６、８についての発明である甲１（Ｂ）発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」の「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」のイオン性官能基を、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」に代える動機付けは、当業者にはない。 したがって、甲１Ｂ発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する上記ジブロックコポリマーの「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」が有するイオン性官能基を、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」に代えることで、相違点３に係る本件訂正発明２とすることは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明２は、甲１Ｂ発明（１）ではなく、また、甲１Ｂ発明（１）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件訂正発明３について ア 本件訂正発明３と甲１発明（１）との対比・判断 （ア）本件訂正発明３は、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」との構成を有するところ、上記（１）ア（ア）ｂにおける検討と同様に、甲１発明（１）の「１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ」及び「１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡ」は、いずれも本件訂正発明３の重合体ブロックに対応するといえる。 （イ）一方、甲１発明（１）における「パートＢ」の「カチオン性モノマー」として、甲第１号証の段落【００９７】には、「ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリレート、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド、エチレンイミン」等のモノマーが記載されているものの、これらのカチオン性モノマーは、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である構造単位を有するものではない。 したがって、甲第１号証の段落【００９７】等の記載を参照した当業者であっても、甲１発明（１）において、「パートＢ」が含む「カチオン性モノマー単位」として、本件訂正発明３の「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」ものを採用することは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明３は、甲１発明（１）ではなく、また、甲１発明（１）及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件訂正発明３と甲１Ａ発明（１）との対比・判断 （ア）本件訂正発明３は、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」との構成を有するところ、アクリル酸はイオン性官能基であるカルボキシル基を有するから、上記（１）イ（ア）ｂにおける検討と同様に、甲１Ａ発明（１）の 「Ｐ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」は、本件訂正発明３の「それぞれ、イオン性官能基を有する構造単位」を有する「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）」に相当する。 また、本件訂正発明３と甲１Ａ発明（１）とは、「前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ」を「満たす重合体であり」、「条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異な」るものである点で一致する。 （イ）しかしながら、甲１Ａ発明（１）の「Ｐ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」の「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」（本件訂正発明３の「重合体ブロックＢ」に相当）は、「イオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」ものではないので、甲１Ａ発明（１）は、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」ものではない点で、少なくとも本件訂正発明３と相違する。 甲第１号証の段落【００９２】には、両性ブロックコポリマーとして、「（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマー（パートＡはブロックＡを構成し、高分子鎖ＢはブロックＢを構成する）」を選択することができる旨が記載されているものの、甲第１号証には、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーを構成するブロックＢとして、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」を選択することは記載も示唆もされていない。 また、甲第１号証に開示された実施例のうち、ポリマーが、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーであって、アクリル酸がブロックＡを構成するものは実施例４のみであり、実施例４において、ブロックＢは、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリドで構成されており、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド以外のブロックＢを構成するイオン性官能基を有する実施例は記載されていない。 そうすると、実施例４についての発明である甲１Ａ発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する「Ｐ（アクリル酸－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」の「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」のイオン性官能基を、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」に代える動機付けは、当業者にはない。 したがって、甲１Ａ発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する上記ジブロックコポリマーの「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」が有するイオン性官能基を、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」に代えることで、本件訂正発明３の「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」ものとすることは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明３は、甲１Ａ発明（１）ではなく、また、甲１Ａ発明（１）及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件訂正発明４について ア 本件訂正発明４と甲１発明（１）との対比・判断 （ア）本件訂正発明４は、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有」する、「分散剤」、「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」との構成を有するところ、上記（１）ア（ア）ｂにおける検討のとおり、甲１発明（１）の「１以上のカチオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＢ」及び「１以上のアニオン性モノマー単位を含む少なくとも１つのパートＡ」は、いずれも本件訂正発明４の重合体ブロックに対応するといえる。 （イ）一方、甲１発明（１）における「パートＢ」の「カチオン性モノマー」（本件訂正発明４の「重合体ブロックＡに相当）として、甲第１号証の段落【００９７】に記載されている「ジメチルアミノメチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド」は、上記（１）ア（ウ）ｂにおける検討を参酌すると、本件訂正発明４の「下記式（１）で表されるビニル単量体」には相当しない。 したがって、甲第１号証の段落【００９７】等の記載を参照した当業者であっても、甲１発明（１）において、「パートＢ」が含む「カチオン性モノマー単位」として、本件訂正発明４の「下記式（１）で表されるビニル単量体」、「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」を採用することは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明４は、甲１発明（１）ではなく、また、甲１発明（１）及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件訂正発明４と甲１Ｂ発明（１）との対比・判断 （ア）本件訂正発明４は、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有し」、「前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み」、「ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」との構成を有するところ、アクリルアミド（ＡＡｍ）は、式（１）を満たし、かつ１級アミド基を有するから、上記（１）イ（ア）ｃにおける検討のとおり、甲１Ｂ発明（１）の「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」は、本件訂正発明４の「下記式（１）で表されるビニル単量体」に相当する。 したがって、本件訂正発明４と甲１Ｂ発明とは、「前記重合体ブロックＡ」は「下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有」する点で共通し、「前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基を有する構造単位を含」む点で一致する。 （イ）しかしながら、甲１Ｂ発明（１）の「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」の「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」（本件訂正発明４の「重合体ブロックＢ」に相当）は、式（１）を満たさないので、甲１Ｂ発明（１）は、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有」するものではない点で、少なくとも本件訂正発明４と相違する。 甲第１号証の段落【００９２】には、両性ブロックコポリマーとして、「（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマー（パートＡはブロックＡを構成し、高分子鎖ＢはブロックＢを構成する）」を選択することができる旨が記載されているものの、甲第１号証には、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーを構成するブロックＢとして、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」を選択することは記載も示唆もされていない。 また、甲第１号証に開示された実施例のうち、ポリマーが、（ブロックＡ）－（ブロックＢ）ジブロックコポリマーであって、アクリルアミドがブロックＡを構成するものは実施例６、８のみであり、実施例６、８において、ブロックＢは、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリドで構成されており、（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド以外のブロックＢを構成するイオン性官能基を有する実施例は記載されていない。 そうすると、実施例６、８についての発明である甲１Ｂ発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する「Ｐ（アクリルアミド－ブロック－（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー」の「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」を、「下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位」を有するものに代える動機付けは、当業者にはない。 したがって、甲１Ｂ発明（１）において、「水溶性ポリマー」が含有する上記ジブロックコポリマーの「（３－アクリルアミドプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド）」を、「下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位」を有するものに代えることで、本件訂正発明４の「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有」するものとすることは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明４は、甲１Ｂ発明（１）ではなく、また、甲１Ｂ発明（１）及び甲第１号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件訂正発明８～１０について 本件訂正発明８～１０は、いずれも、本件訂正発明２～４のいずれかについて、更に技術的事項を追加したものを含む、分散剤に係る発明である。 よって、上記（１）～（３）で示した理由と同様の理由により、本件訂正発明８、１０は、甲第１号証に記載された発明（甲１発明（１）、甲１Ａ発明（１）、甲１Ｂ発明（１））であるということはできず、また、本件訂正発明８～１０は、甲第１号証に記載された発明（甲１発明（１）、甲１Ａ発明（１）、甲１Ｂ発明（１））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件訂正発明１１について 本件訂正発明１１は、本件訂正発明２～４、８～１１のいずれかに係る分散剤を含有し、更に技術的事項を追加した、研磨剤組成物に係る発明である。 よって、上記（１）～（４）で示した理由と同様の理由により、本件訂正発明１１は、甲第１号証に記載された発明（甲１発明（２）、甲１Ａ発明（２）、甲１Ｂ発明（２））であるということはできず、また、本件訂正発明１１は、甲第１号証に記載された発明（甲１発明（２）、甲１Ａ発明（２）、甲１Ｂ発明（２））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明２～４、８～１１は、特許法第２９条第１項、第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、請求項２～４、８～１１に係る特許を、取消理由３、４（その１）によって取り消すことはできない。 ６ 取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その２：主引例は甲第２号証） （１）本件訂正発明８、９、１１について ア 取消理由において、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明（甲２発明（１））であり、また、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明（甲２発明（１））に基づいて、訂正前の請求項８、９に係る発明は、甲第２号証に記載された発明（甲２発明（１））及び甲第２号証に記載された事項に基づいて、訂正前の請求項１１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明（甲２発明（２））及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとされた。 そして、取消理由の「●取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その２：主引例は甲第２号証）」では、「（５）本件特許発明８について」及び「（６）本件特許発明９について」の「・甲２発明（１）との対比・判断」、並びに「（７）本件特許発明（１１）について」の「・甲２発明（２）との対比・判断」のそれぞれにおいて、「上記（４）本件特許発明１について」を参照している。 したがって、訂正前の請求項８、９、１１に対する取消理由４（その２）は、訂正前の請求項１に係る発明の構成が、甲第２号証に記載されているといえることに基づき、対比・判断をしている。 また、取消理由４（その２）は、訂正前の請求項１、８、９、１１に対してのみ通知されている。 イ 一方、本件訂正請求によって、訂正前の請求項１は削除され、訂正後の請求項８、９、１１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明の構成を有するものではなくなった。 したがって、本件訂正発明８、９、１１は、甲第２号証に記載された発明（甲２発明（１）、甲２発明（２））及び甲第２号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明８、９、１１は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、請求項８、９、１１に係る特許を、取消理由４（その２）によって取り消すことはできない。 ７ 取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その３：主引例は甲第５号証） （１）本件訂正発明１１について ア 取消理由において、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明（甲５発明（１））であり、訂正前の請求項１１係る発明は甲第５号証に記載された発明（甲５発明（２））であり、また、訂正前の請求項１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明（甲５発明（１））に基づいて、訂正前の請求項１１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明（甲５発明（１））に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとされた。 そして、取消理由の「●取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その３：主引例は甲第５号証）」では、「（３）本件特許発明１１について」の「・本件特許発明１１と甲５発明（２）との対比・判断」において、「上記（２）本件特許発明１について」を参照している。 したがって、訂正前の請求項１１に対する取消理由３、４（その３）は、訂正前の請求項１に係る発明の構成が、甲第５号証に記載されているといえることに基づき、対比・判断をしている。 また、取消理由４（その３）は、訂正前の請求項１、１１に対してのみ通知されている。 イ 一方、本件訂正請求によって、訂正前の請求項１は削除され、訂正後の請求項１１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明の構成を有するものではなくなった。 したがって、本件訂正発明１１は、甲第５号証に記載された発明（甲５発明（１））ではなく、また、甲第５号証に記載された発明（甲５発明（２））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明１１は、特許法第２９条第１項、第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、請求項１１に係る特許を、取消理由３、４（その３）によって取り消すことはできない。 ８ 取消理由３（新規性）、取消理由４（進歩性）について（その４：主引例は甲第６号証） （１）本件訂正発明３について ア 本件訂正発明３と甲６発明（１）との対比・判断 （ア）ａ 甲６発明（１）の「ブロック共重合体」は、「配線金属又はバリア材料として用いられるタングステン材料用の化学機械研磨剤に含有される」ものであるから、「配線金属又はバリア材料として用いられるタングステン材料用の化学機械研磨剤に含有される」は、本件訂正発明３の「配線層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨用の」であることに相当する。 ｂ 甲６発明（１）の「ブロック共重合体」は、「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する」ものであるところ、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」はいずれもイオン性官能基を有するから、甲６発明（１）の「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する、ブロック共重合体」は、本件訂正発明３の「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）を含有し、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有」するに相当する。 （イ）したがって、本件訂正発明３と甲６発明（１）との一致点と相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「配線層の表面平坦化に用いられる化学機械研磨剤に使用されるブロック共重合体（Ｐ）であって、 前記ブロック共重合体（Ｐ）は、重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有し、 前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有する、ブロック共重合体（Ｐ）。」 ＜相違点４＞ 本件訂正発明３のブロック共重合体（Ｐ）は、分散剤であるのに対し、甲６発明（１）の「ブロック共重合体」は、分散剤であるのかが不明である点。 ＜相違点５＞ 本件訂正発明３では、「前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体であり」、「条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する」、「条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる」のに対し、甲６発明（１）では、その点が不明である点。 ＜相違点６＞ 本件訂正発明３では、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」のに対し、甲６発明（１）では、その点が不明である点。 （ウ）ａ 上記相違点５、６は、いずれも、「ブロック共重合体（Ｐ）」が有する「重合体ブロックＡ」及び「重合体ブロックＢ」に関するものであるから、まず、上記相違点５、６について、まとめて検討する。 甲６発明（１）の「ブロック共重合体」は、「アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選択される少なくとも一種を単量体成分として含む組成物を重合させて得られる構造を有する」ものであるところ、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」はいずれもスルホン酸基又はスルホン酸基の塩を有するものではないから、本件訂正発明３の「条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する」のうちの「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する」を満たすものではない。 また、甲第６号証には、（メタ）アクリル酸系重合体のアクリル酸のイオン性官能基であるカルボキシル基と、メタクリル酸のイオン性官能基であるカルボキシル基の含有量とが異なることについては記載されていないから、甲第６号証に、本件訂正発明３の「条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる」を満たすものが開示されているということもできない。 したがって、甲６発明（１）において、相違点５、６に係る本件訂正発明３の「条件Ｉ及び条件ＩＩのうちの少なくとも一方を満たす重合体であり」、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」との構成を採用することは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、本件訂正発明３は、甲６発明（１）であるということはできず、また、相違点４について検討するまでもなく、甲６発明（１）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件訂正発明９について 本件訂正発明９は、本件訂正発明２～４のいずれかに対して、更に技術的事項を追加したものを含む、分散剤に係る発明である。 よって、上記（１）で示した理由と同様の理由により、本件訂正発明９は、甲第６号証に記載された発明（甲６発明（１））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件訂正発明１１について 本件訂正発明１１は、本件訂正発明２～４のいずれかに係る分散剤を含有し、更に技術的事項を追加した、研磨剤組成物に係る発明である。 よって、上記（１）で示した理由と同様の理由により、本件訂正発明１１は、甲第６号証に記載された発明（甲６発明（２））であるということはできず、また、本件訂正発明１１は、甲第６号証に記載された発明（甲６発明（２））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）小括 以上のとおりであるから、本件訂正発明３、９、１１は、特許法第２９条第１項、第２項の規定に違反してされたものであるとはいえず、請求項３、９、１１に係る特許を、取消理由３、４（その４）によって取り消すことはできない。 第５ 取消理由通知書において採用しなかった特許異議申立理由について １ 特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）違反について （１）ア 申立人は、特許異議申立書１７～１８ページの「イ）」において、「本件特許発明３には、あらゆる種類のイオン性官能基を有する構造単位が包含されるところ、本件特許発明３の実施例には、イオン性官能基を有する構造単位は、アクリル酸（ＡＡ）、アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸（ＡＴＢＳ）の２種類に過ぎない（段落０１３３、表４）。イオン性官能基を有する構造単位として、上記以外のあらゆる種類の単量体を選択したブロック共重合体について、本件発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは言えない。 本件特許請求項３に従属する請求項８～１１についても同様に当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは言えない。」と主張する。 イ しかしながら、本件特許明細書の段落【０１３３】の【表４】には、「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）」であって、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、イオン性官能基を有する構造単位を有し、前記ブロック共重合体（Ｐ）は、下記の条件Ｉ及び条件ＩＩのうち少なくとも一方を満たす重合体であり、前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基」「である、分散剤。 条件Ｉ：前記重合体ブロックＡが有するイオン性官能基と、前記重合体ブロックＢが有するイオン性官能基とが異なり、前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢのうち一方がスルホン酸基を有し、他方がカルボキシル基を有する。 条件ＩＩ：前記重合体ブロックＡのイオン性官能基の含有量と、前記重合体ブロックＢのイオン性官能基の含有量とが異なる。」として、イオン性官能基がカルボキシル基であるＡＡと、イオン性官能基がスルホン酸基であるＡＴＢＳを、重合体ブロックＡまたは重合体ブロックＢに含み、条件Ｉを満たす実施例１Ｂ、２Ｂ、６Ｂ、７Ｂ、条件ＩＩを満たす実施例２Ｂ～９Ｂの重合体Ａ２～Ｉ２が記載されており、段落【０１２０】～【０１２９】には、重合体Ａ２～Ｉ２の合成について、当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されている。 したがって、発明の詳細な説明は、当業者が本件訂正発明３、８～１１を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 （２）ア 申立人は、特許異議申立書１８ページの「ウ）」において、「本件特許発明４には、あらゆる種類の式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位が包含されるところ、本件特許発明４の実施例には、式（１）で表されるビニル単量体として、・・・（ＨＥＡＡ）、・・・（ＤＥＡＡ）、・・・（ＡＡｍ）、・・・（ＡＣＭＯ）のわずか４種類に過ぎない（段落０１７８、表６）。式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、上記以外のあらゆる種類の単量体を選択したブロック共重合体について、本件発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは言えない。 本件特許請求項４に従属する請求項５～１１についても同様に当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは言えない。」と主張する。 イ しかしながら、本件特許明細書の段落【０１７８】の【表６】には、「重合体ブロックＡと重合体ブロックＢとを有するブロック共重合体（Ｐ）」であって、「前記重合体ブロックＡ及び前記重合体ブロックＢはそれぞれ、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有し、前記重合体ブロックＡは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含み、前記重合体ブロックＢは、下記式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有する構造単位を含む、分散剤。 ＣＨ２＝ＣＲ１－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＲ２－Ｒ３ …（１）」として、式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位として、１級アミド基及び水酸基のうち少なくともいずれかを有するＡＡｍ、ＨＥＡＡを有する構造単位を含む重合体ブロックＡと、２級アミド基及び３級アミド基のうち少なくともいずれかを有するＨＥＡＡ、ＡＣＭＯを有する構造単位を含む重合ブロックＢとを有する、実施例２Ｃ～６Ｃの重合体Ｂ３～Ｆ３が記載されており、段落【０１６７】～【０１７４】には、重合体Ｂ３～Ｆ３の合成について、当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されている。 したがって、発明の詳細な説明は、当業者が本件訂正発明４、８～１１を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 ２ 特許法第２９条第１項第３号（新規性）、同法同条第２項（進歩性）について（その１：主引例は甲第１号証） （１）本件訂正発明９について ア 申立人は、特許異議申立書３３～３４ページにおいて、本件特許請求項９に係る発明について、甲第１号証に記載された発明である旨主張する。 イ しかしながら、上記第４の５（４）のとおり、本件訂正発明９は、本件訂正発明２～４のいずれかに対して、更に技術的事項を追加したものを含む、分散剤に係る発明であり、そして、上記第４の５（１）～（３）によると、本件訂正発明２～４は、甲第１号証に記載された発明と相違点を有するといえる。 したがって、本件訂正発明９は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 （２）本件訂正発明８、１０について ア 申立人は、特許異議申立書の３３～３５ページにおいて、甲第１号証の実施例２についての記載（段落【０１３７】～【０１３８】）に基づき、本件特許請求項８、１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。 イ しかしながら、実施例２で合成された「Ｐ（アクリル酸－ブロック－ジアリルジメチルアンモニウムクロリド）ジブロックコポリマー：Ｐ（ＡＡ－ＤＡＤＭＡＣ）」について、アクリル酸（ＡＡ）、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド（ＤＡＤＭＡＣ）は、本件訂正発明２、本件訂正発明４における式（１）で表されるビニル単量体に由来する構造単位を有するブロックではない。 また、本件訂正発明３は、「前記重合体ブロックＡのイオン性官能基及び前記重合体ブロックＢのイオン性官能基が、カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩である」ものの、実施例２における、ＡＡは、カルボキシル基を有するものの、ＤＡＤＭＡＣは、「カルボキシル基、スルホン酸基又はカルボキシル基若しくはスルホン酸基の塩」を有さない。 したがって、本件訂正発明８、１０は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 ３ 特許法第２９条第２項（進歩性）について（その２：主引例は甲第２号証） （１）本件訂正発明８～１１について ア 申立人は、特許異議申立書の４３～４８ページにおいて、訂正前の請求項１に係る発明、訂正前の請求項１の記載を引用する訂正前の請求項８～１１に係る発明について、甲第２号証～甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。 イ しかしながら、上記第４の６（１）ア、イのとおり、訂正前の請求項８、９、１１に対する取消理由の取消理由４（その２）は、訂正前の請求項１に係る発明の構成が、甲第２号証に記載されているといえることに基づき、対比・判断をしており、本件訂正請求によって、訂正前の請求項１は削除され、訂正後の請求項８、９、１１に係る発明は、訂正前の請求項１に係る発明の構成を有するものではなくなった。 また、甲第３号証、甲第４号証には、訂正前の請求項１に係る発明の構成は記載されていない。 したがって、本件訂正発明８～１１は、甲第２号証～甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 よって、申立人の上記主張を採用することはできない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項２～４、８～１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項２～４、８～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件請求項１、５～７は上記のとおり、本件訂正請求により削除された。これにより、本件特許の請求項１、５～７に対して、申立人がした特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。