2020-004007

第２　令和２年３月２５日付け手続補正についての補正の却下の決定

［補正の却下の決定の結論］

令和２年３月２５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。

［補正の却下の決定の理由］

１　補正内容

本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項４（平成３０年１２月３日付け手続補正後のもの）に、

「【【請求項１】

基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

続きを表示（全15行）

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

を備え、

前記基板と垂直方向の第１方向視において、

前記コンタクト層若しくは前記ウィンドウ層の表面は、

前記表面電極層を囲むように相対的に粗い凹凸が形成されるとともに、前記相対的に粗い凹凸面上に相対的に微細な凹凸がさらに形成されたダブルフロスト処理層と、

前記表面電極層と前記ダブルフロスト処理層とに囲まれて前記ダブルフロスト処理層よりも平坦な凹凸非形成領域とを有していることを特徴とする半導体発光素子。

【請求項４】

前記第１クラッド層と前記基板との間に、パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。」とあったものを、

本件補正後に、独立形式に書き改めて、

「【請求項１】

基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

続きを表示（全17行）

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

前記第１クラッド層と前記基板との間に形成された、パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層と、

を備え、

前記基板と垂直方向の第１方向視において、

前記コンタクト層若しくは前記ウィンドウ層の表面は、

前記表面電極層を囲むように相対的に粗い凹凸が形成されるとともに、前記相対的に粗い凹凸面上に相対的に微細な凹凸がさらに形成されたダブルフロスト処理層と、

前記表面電極層と前記ダブルフロスト処理層とに囲まれて前記ダブルフロスト処理層よりも平坦な凹凸非形成領域とを有し、

前記表面電極層は、前記第１方向視で前記基板の中央部に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層から外方に延伸する複数の第２の電極層とを含み、

前記複数の第２の電極層の各々は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる第２の線状部分とを含み、

前記金属コンタクト層は、前記第１方向視で前記基板の表面の全体の領域にわたって配置された分散的パターンまたは周期的パターンを有し、前記絶縁層により取り囲まれるように形成されていることを特徴とする半導体発光素子。」と補正する内容を含むものである（なお、下線は、請求人が手続補正書において付したものである。）。

２　補正目的

(１)本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項４に係る発明を特定するために必要な「表面電極層」及び「金属コンタクト層」について、

ア　「表面電極層は、第１方向視で基板の中央部に形成される第１の電極層と、第１の電極層から外方に延伸する複数の第２の電極層とを含み、前記複数の第２の電極層の各々は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる第２の線状部分とを含み、」と特定し、

イ　「金属コンタクト層は、第１方向視で基板の表面の全体の領域にわたって配置された分散的パターンまたは周期的パターンを有し、前記絶縁層により取り囲まれるように形成されている」と特定するものであり、

その補正前後で、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。

(２)よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認められることから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、これが特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）を、以下に検討する。

３　独立特許要件

(１)本願補正発明

本願補正発明は、上記「第２　１」に、本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。

(２)引用文献及び引用発明

ア　原査定の拒絶の理由において、引用文献１として引用された特開２０１２－１２９２３４号公報(平成２４年７月５日公開　以下、「引用文献１」という。)には、図面とともに、以下の記載がある(なお、下線は、当審で付した。以下同様。)。

(ア)「【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【０００１】

本発明の実施形態は、半導体発光素子に関する。

続きを表示（全17行）

【背景技術】

【０００２】

照明装置、表示装置、信号機などに用いる半導体発光素子には、高い光取り出し効率（発光層で放出された光を半導体発光素子の外部へ取り出す効率）が要求される。

【０００３】

積層構造からなる半導体発光素子の発光層の下方に反射層を設けると、半導体発光素子の光取り出し効率を高めることができる。さらに、発光層を挟んで反射層の反対の側に設けられた光取り出し面に微小凹凸を設けると、光取り出し効率をさらに高めることができる。しかしながら、十分に光取り出し効率を高めることが困難な凹凸形状も多い。

【先行技術文献】

【特許文献】

【０００４】

【特許文献１】特開２００９－２０６２６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【０００５】

半導体発光素子の光取り出し面に設けられた凸部の形状を制御することにより、光取り出し効率が改善された半導体発光素子を提供する。」

(イ)「【発明を実施するための形態】

【０００８】

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図である。

続きを表示（全34行）

半導体発光素子は、パッド電極４２、半導体からなる第１の積層体３０、発光層４０、半導体からなるなる第２の積層体２０、および支持体１０、を備えている。

【０００９】

……

【００１０】

第１の積層体３０は、第１の導電形を有しており、Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐからなるクラッド層３１、電流拡散層３２、およびＧａＡｓからなるコンタクト層３９、を有している。なお、第１導電形をｎとするが本発明はこれに限定されない。

【００１１】

……

【００１２】

第２の積層体２０は、第２の導電形を有しており、発光層４０と支持体１０とけられる。第２の積層体２０は、支持体１０の側から、ＧａＰまたはＡｌＧａＡｓなどからなるコンタクト層２１、ＩｎＧａＡｌＰなどからなる中間層２４、およびＩｎ０．５Ａｌ０．５Ｐなどからなるクラッド層２５、を有している。

【００１３】

……

【００１４】

なお、第１の積層体３０、発光層４０、第２の積層体２０は、例えばＧａＡｓ基板の上に、結晶成長される。続いてコンタクト層２１の表面にＳｉＯ２などの絶縁膜を成膜し、さらにパターニングにより、パッド電極４２の下方領域や電流を狭窄する部分に電流ブロック層１５として残す。パターニングされた誘電体膜の上からＩＴＯ膜１４およびＡｕなどの金属膜１２ａが形成される。金属膜１２ａを表面に有するＧａＡｓ基板側と、Ａｕなどを含む金属膜１２ｂを表面に有する基板１１と、の２つの表面を重ね合わせ加熱しウェーハ接合をすることにより、接合金属層１２が形成される。なお、破線は接合界面を表す。

【００１５】

電流拡散層３２は、第１の面３２ａおよび第２の面を含み、第１導電形を有する。発光層４０は、電流拡散層３２の第１の面３２ａの側に配置される。また、第２の面には、複数の凸部を有する光取り出し面３２ｄと、結晶成長面を表面とする平坦面３２ｂと、を含む。なお、パッド電極４２は、電流拡散層３２の平坦面３２ｂの上に、例えばコンタクト層３９を介して設けられる。

【００１６】

……

【００１８】

図４は（ａ）は底角が２つとも鋭角の場合の光取り出しの方向、図４（ｂ）は第１の実施形態の場合の光取り出しの方向、を説明する模式図である。

図４（ａ）において、発光層からの放出光ｇ１は、凸部１３２の第２の側面１３２ｂに入射角θｉ１で入射する。入射角θｉ１が臨界角θｃよりも小さい場合、透過光ｇ１ｔおよび反射光ｇ１ｒを生じる。なお、入射角θｉ１が臨界角θｃよりも大きい場合、全反射を生じる。反射光ｇ１ｒが第１の側面１３２ａに入射し、入射角θｉ２が臨界角θｃよりも小さい場合、透過光ｇ１ｒｔおよび反射光ｇ１ｒｒを生じる。入射角θｉ２が臨界角θｃよりも大きい場合、全反射により放出光をこれ以上取り出すことが困難となる。凸部がない場合の光取り出し効率を１００％とすると図４（ａ）の凸部が設けられた場合の光取り出し効率は１３０％であった。なお、電流拡散層３２の屈折率を３．２、チップ表面を覆う封止層の屈折率を１．４、とすると、臨界角θｃは、略２６度となる。

【００１９】

図４（ｂ）において、発光層からの放出光Ｇ１は、凸部３２ｃの第１の側面３２ｄに入射し入射角θｉ１が臨界角θｃよりも小さい場合、透過光Ｇ１ｔおよび反射光Ｇ１ｒを生じる。なお、入射角θｉ１が臨界角θｃよりも大きい場合、全反射を生じる。反射光Ｇ１ｒが第２の側面３２ｅに入射し入射角θｉ２が臨界角θｃよりも小さい場合、透過光Ｇ１ｒｔおよび反射光Ｇ１ｒｒを生じる。さらに、反射光Ｇ１ｒｒが、第１の側面３２ｄに入射し入射角θｉ３が臨界角θよりも小さい場合、透過する。

【００２０】

第１の実施形態では、凸部３２ｃの表面積を大きくできるため、凸部３２ｃ内における光の反射回数が図４（ａ）に示す形状よりも多くなり、より多くの光を取り出すことが可能となる。このため、光取り出し効率を高めることが可能である。図４（ｂ）のような凸部３２ｃを有する半導体発光素子の光取り出し効率は１４５％であった。さらに、発明者らの実験によれば、第１の側面３２ｄの底角αの範囲を３５度以上、４５度以下の範囲とすると、凸部が設けられない平坦な光取り出し面を有する発光素子の光取り出し効率と比較して１５０％とできることが判明した。

【００２１】

……

【００２３】

電流拡散層３２は、パッド電極４２から注入されたキャリアを発光層４０の面内に広げ放出光の出力を高めることができる。電流拡散層３２とパッド電極４２との間に設けられたコンタクト層３９がＧａＡｓからなるものとする。電流拡散層３２の第２の面のうち、凸部３２ｃが設けられ、光取り出し面３２ｄとしたい領域のみコンタクト層３９を除去することができる。すなわち、コンタクト層３９をフロストマスクとして、電流拡散層３２をエッチングし凸部３２ｃを有するフロスト凹凸面を形成する。図１では、パッド電極４２の下方にコンタクト層３９が残っているが、ＧａＡｓ層を除去して平坦な電流拡散層３２にパッド電極４２を設けてもよい。

【００２４】

また、パッド電極４２の周囲に、例えば１０μｍ以下の幅の細線電極を設ける場合には、残したＧａＡｓ層の上に細線電極を設けることができる。または、ＧａＡｓ層の上に細線電極をパターニングしたのち、細線電極をマスクにＧａＡｓをエッチングしたセルフアライン構造としてもよい。このようにすると、細線電極の近傍まで均一に同一形状のフロスト凹凸面を形成でき、光取り出し効率をより高めることができる。」

(ウ) 第１の実施形態に関する図１は、以下のものである。

(エ)図４(ａ)及び図４(ｂ)は、以下のものである。

(オ)引用文献１に記載された発明

ａ　上記ア(ア)の記載からして、引用文献１には、

「光取り出し面に微小凹凸を設けた、光取り出し効率が改善された半導体発光素子」が記載されているものと認められる。

ｂ　上記ア(イ)の記載を踏まえて、第１の実施形態に関する図１を見ると、以下のことが理解できる。

(ａ)上記アの「半導体発光素子」は、図１に示された、具体的には、

基板１１と、基板１１上に積層された、接合金属層１２、ＩＴＯ膜１４、電流ブロック層１５、コンタクト層２１、中間層２４、クラッド層２５、発光層４０、クラッド層３１、電流拡散層３２、コンタクト層３９、パッド電極４２を備えていること。

(ｂ)「電流ブロック層１５」は、パターニングされたＳｉＯ２などの絶縁膜からなること(【００１４】)。

(ｃ)「接合金属層１２」は、「Ａｕなどの金属膜１２ａ」と「Ａｕなどを含む金属膜１２ｂ」を接合することにより形成されること(【００１４】)。

(ｄ)第１の積層体３０の第１導電形はｎ形である(【００１０】)から、発光層４０の上側がｎ形、下側がp形となること。

以下、第１導電形を「ｎ型」、第２導電形を「ｐ型」と表記する。

(ｅ)電流拡散層３２の表面の一部に、電流拡散層３２をエッチングしてフロスト凹凸面が形成されていること(【００２３】)。

(ｆ)パッド電極４２の周囲には、例えば、１０μｍ以下の幅の細線電極を設けてもよいこと(【００２４】)。

ｃ　また、ア(イ)の記載を踏まえて、図４(ａ)及び図４(ｃ)を見ると、以下のことが理解できる。

(ア)図４(ａ)と図４(ｃ)とは、図１に示された「半導体発光素子」のうち、「電流拡散層３２」をエッチングして形成したフロスト凹凸面の形状のみが異なること。

(イ)凸部がない場合の光取り出し効率を１００％とした場合、図４(ａ)の形状では１３０％であり、図４(ｃ)の形状では１４５％であること。

d　上記ａないしcの検討からして、引用文献１には、次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されているものと認められる。

「基板１１と、

基板１１上に積層された、接合金属層１２、ＩＴＯ膜１４、電流ブロック層１５、ｐ型コンタクト層２１、中間層２４、ｐ型クラッド層２５、発光層４０、ｎ型クラッド層３１、ｎ型電流拡散層３２、ｎ型コンタクト層３９及びパッド電極４２を備え、

前記電流ブロック層１５は、パターニングされた絶縁膜からなり、

前記接合金属層１２は、Ａｕなどの金属膜１２ａとＡｕなどを含む金属膜１２ｂを接合することにより形成され、

前記電流拡散層３２の表面の一部に、電流拡散層３２をエッチングしてフロスト凹凸面が形成され、

前記パッド電極４２の周囲には、例えば、１０μｍ以下の幅の細線電極が設けられた、半導体発光素子。」

イ　原査定の拒絶の理由において、引用文献２として引用された特開平６－３３４２１８号公報(平成６年１２月２日公開　以下、「引用文献２」という。)には、図面とともに、以下の記載がある(なお、下線は、当審で付した。以下同様。)。

(ア)「【請求項１】 ＧａＰ基板上に液相エピタキシャル結晶成長法を用いてＮ型エピタキシャル結晶層及びＰ型エピタキシャル結晶層を成長させＰＮ接合を形成した発光ダイオード素子において、同発光ダイオード素子の天面電極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定幅の非粗化領域を配置したことを特徴とする発光ダイオード素子。」

(イ)「【０００９】次に、詳細にＰ電極端部の構造を説明する。図２は本発明の一実施例に係るＰ電極端部の拡大断面図である。図２ではＰ電極５の下端に０．５μｍ以下のサイドエッチング量８に相当する構造が見られるが、これは電極エッチングによるものであり、クラック発生の現象からみると、実用上ほとんど問題にならない。こうして発光ダイオード素子天面のエッチング部６は非エッチング部７があるためにＰ電極５に達することがない。この結果、実際に同一組立条件のもとで、従来の発光ダイオード素子と本発明の発光ダイオード素子のクラック発生率を比較したところ、従来構造の発光ダイオード素子において数百ｐｐｍのクラック発生率が本発明の発光ダイオード素子ではゼロであることが確認された。

【００１０】

【発明の効果】本発明によれば、発光ダイオード素子天面のエッチングによる粗化が電極下部まで進行することがなく、発光ダイオードの組立て（特にダイスボンディング及びワイヤーボンディング）時に電極下部にクラックが発生することがない。したがって、発光ダイオードの高輝度化と高信頼性化に大きく寄与することができる。」

(ウ)図２は、以下のものである。

３ Ｐ型エピタキシャル結晶層

５ Ｐ電極

６ エッチング部

７ 非エッチング部

８、８’ サイドエッチング量

(エ)引用文献２に記載された技術事項

上記(ア)ないし(ウ)の記載からして、引用文献２には、以下の技術事項(以下「技術事項１」という。)が記載されている。

「発光ダイオード素子の天面電極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定幅の非粗化領域を配置することにより、電極下部にクラックが発生することを防止すること。」

(３)対比

ア　本願補正発明と引用発明とを対比すると、以下のことがいえる。

(ア)引用発明の「基板１１」は、本願補正発明の「基板」に相当する。

以下、同様に、

「ｐ型クラッド層２５」は、「基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層」に、

「発光層４０」は、「第１クラッド層上に形成された発光層」に、

「ｎ型クラッド層３１」は、「発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層」に、

「ｎ型電流拡散層３２」は、「第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層」に、

「ｎ型コンタクト層３９」は、「ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層」に、

「パッド電極４２」は、「コンタクト層上に形成された表面電極層」に、

「半導体発光素子」は、「半導体発光素子」に、それぞれ、相当する。

(イ)引用発明の「『パターニングされた絶縁膜』からなる『電流ブロック層１５』」は、「基板１１」と「ｐ型クラッド層２５」との間に位置し、引用文献の図１からして、「ＩＴＯ膜１４」は、「『パターニングされた絶縁膜』の開口部等」を介して「発光層４０」に電流を供給する役割を果たしていることは明らかである。

よって、本願補正発明と引用発明とは、「第１クラッド層と基板との間に形成された、パターニングされた導電層および絶縁層と、を備える」点で一致する。

(ウ)ここで、上記(ア)及び(イ)を整理すると、本願補正発明と引用発明とは、

「基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

前記第１クラッド層と前記基板との間に形成された、パターニングされた導電層および絶縁層と、を備えた、半導体発光素子。」で一致する。

(エ)引用発明の「電流拡散層３２の表面の一部」には、「電流拡散層３２をエッチングしてフロスト凹凸面が形成され」ていることから、

本願補正発明と引用発明とは、「基板と垂直方向の第１方向視において、コンタクト層若しくはウィンドウ層の表面は、粗い凹凸が形成されたフロスト処理層を有する」点で一致する。

(オ)引用発明の「パッド電極４２」の周囲には、「例えば、１０μｍ以下の幅の細線電極が設けられた」ものであるから、本願補正発明と引用発明とは、

「表面電極層は、第１方向視で基板の所定領域に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層から外方に延伸する第２の電極層とを含み、前記第２の電極層は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分を含む」点で一致する。

(カ)上記(イ)で検討したように、引用発明の「ＩＴＯ膜１４」は、「『パターニングされた絶縁膜』の開口部等」を介して「発光層４０」に電流を供給する役割を果たしているから、「ＩＴＯ膜１４」は、基板と垂直方向の第１方向視(上面から見て)で所定領域にわたって配置されたパターンを有することは、明らかである。

よって、本願補正発明と引用発明とは、

「導電層は、第１方向視で前記基板の表面の所定領域にわたって配置されたパターンを有し、前記絶縁層により取り囲まれるように形成されている」点で一致する。

(キ)以上のことから、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致する。

〈一致点〉

「基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

続きを表示（全13行）

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

前記第１クラッド層と前記基板との間に形成された、パターニングされた導電層および絶縁層と、

を備え、

前記基板と垂直方向の第１方向視において、

前記コンタクト層若しくは前記ウィンドウ層の表面は、粗い凹凸が形成されたフロスト処理層を有し、

前記表面電極層は、前記第１方向視で前記基板の所定領域に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層から外方に延伸する第２の電極層とを含み、前記第２の電極層は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分を含み、

前記導電層は、前記第１方向視で前記基板の所定領域にわたって配置されたパターンを有し、前記絶縁層により取り囲まれるように形成されている、半導体発光素子。」

(ク)一方で、両者は、以下の点で相違する。

〈相違点１〉

フロスト処理層に関して、

本願補正発明は、「表面電極層を囲むように相対的に粗い凹凸が形成されるとともに、前記相対的に粗い凹凸面上に相対的に微細な凹凸がさらに形成されたダブルフロスト処理層と、前記表面電極層と前記ダブルフロスト処理層とに囲まれて前記ダブルフロスト処理層よりも平坦な凹凸非形成領域とを有し」ているのに対して、

引用発明は、そのような構造ではない点。

〈相違点２〉

表面電極層に関して、

本願補正発明は、「第１方向視で前記基板の中央部に形成される第１の電極層と、前記第１の電極層から外方に延伸する複数の第２の電極層とを含み、前記複数の第２の電極層の各々は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる第２の線状部分とを含」むのに対して、

引用発明は、そのような構造ではない点。

〈相違点３〉

導電層に関して、

本願補正発明は、「金属コンタクト層」であって、「第１方向視で基板の表面の全体の領域にわたって配置された分散的パターンまたは周期的パターンを有し」ているのに対して、

引用発明は、金属ではなく、そのようなパターンであるか否か不明である点。

(４)判断

ア　上記〈相違点１〉について検討する。

(ア)光取出効率を高めるために、パッド電極を囲むようにダブルフロスト処理層を設けることは、原査定の拒絶の理由で引用された引用文献４(特開２０１０－５０１５７号公報の図１及び図２を参照。)以外にも、下記の文献に記載されているように、当該技術分野においてよく知られていることである(以下「周知技術１」という。)。

必要ならば、下記の文献を参照。

ａ　特開２００３－２０９２８３号公報(図１を参照。)

ｂ　特開２００８－４７８６１号公報(図３を参照。)

ｃ　特開２０１０－２５８０３９号公報(【００１３】、【００１４】、図１及び図６を参照。)

ちなみに、上記引用文献４の図１及び図２は、以下のものである。

(イ)また、引用文献２には、上記３（２）イ（エ）で示した「技術事項１」が記載されている。

(ウ)そして、引用発明は光取出効率を高めることを課題にしており（上記３（２）ア（ア））、また、引用発明においても電極下部にクラックが発生することを防止することは自明の課題であるといえるから、引用発明において、「パッド電極４２」を囲むようにダブルフロスト処理層を形成するとともに、「パッド電極４２」の近傍に凹凸を設けないようにすることは、当業者が容易になし得ることである。

(エ)よって、引用発明において、上記〈相違点１〉に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術１及び技術事項１に基づいて容易になし得ることである。

イ　上記〈相違点２〉について検討する。

(ア)引用発明の「『パッド電極４２の周囲に』に設けられた『１０μｍ以下の幅の細線電極』」は、局所的な電流集中を防止するためのものであることは当業者にとって明らかであるところ、該「細線電極」から両側方に直角に屈曲するように延びる細線電極を設けることは、原査定の拒絶の理由で引用された引用文献３(特開２０１０－２５１５３１号公報の図１１を参照。)以外にも、下記の文献に記載されているように、当該技術分野においてよく知られていることである(以下「周知技術２」という。)。

文献ｄ　特開平６－５９２１号公報(図４(ａ))

文献ｅ　特開平８－１１１５４４号公報(図１０(ａ))

文献ｆ　特開平８－３３５７１７号公報(図２)

文献ｇ　特開２０１２－２３１０１４号公報(図１(ａ))

文献ｈ　特開２０１２－３３８００号公報(【要約】、図１及び図２)

ちなみに、上記文献ｈの特開２０１２－３３８００号公報の図１は、以下のものである。

(イ)してみると、引用発明の「『パッド電極４２の周囲に』設けられた『１０μｍ以下の幅の細線電極』」の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる細線電極(第２の線状部分)を設けることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。

(ウ)よって、引用発明において、上記〈相違点２〉に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得ることである。

ウ　上記〈相違点３〉について検討する。

(ア)引用発明の「ＩＴＯ膜１４」は、「『パッド電極４２の周囲』に設けられた『１０μｍ以下の幅の細線電極』」とともに、局所的な電流集中を防止するためのものであることは当業者にとって明らかであるところ、より広い範囲にわたって局所的な電流集中を防止できるように、「ＩＴＯ膜１４」を「『基板１１の表面の全体の領域にわたって配置された分散的パターンまたは周期的パターン』を有する『金属コンタクト層』」とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。

必要ならば、例えば、引用文献１の【０００４】に記載された「【特許文献１】特開２００９－２０６２６５号公報」の図１を参照。

(イ)よって、引用発明において、上記〈相違点３〉に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである

エ　効果

本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明、技術事項１、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

オ　まとめ

本件補正発明は、当業者が引用発明、技術事項１、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。

(５)審判請求書における主張について

ア　請求人は、本願の図１５に示したように内部のＯＤＲ金属層(11)と表面側の表面電極層(20・20a)との間に電流を導通させることは、引用文献３に開示の表面電極のパターンからは期待することができず、上記の本願構成にとって顕著な作用効果であり、単なる設計事項ではない旨主張する(「３．本願発明が特許されるべき理由（ｃ）進歩性（第２９条第２項）について」を参照。)。

(ア)しかしながら、本願補正発明の「表面電極層」は、本願の図１５に示された形状のものに限定されるものではなく、本願の図４０や引用文献３の図１１に示された形状の表面電極層を包含する。また、本願明細書には、図１５に示された形状を採用することにより、図４０等の形状を採用した場合と比較して格別顕著な効果を奏することは記載されていない。

本願の図１５

本願の図４０

引用文献３の図１１

(イ)そして、引用発明の「１０μｍ以下の幅の細線電極」の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる細線電極(第２の線状部分)を採用すれば、より広い範囲において局所的な電流集中が生じなくなることは予測し得ることである。

(エ)よって、請求人の主張は、採用できない。

４　本件補正についてのむすび

よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。

よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。

第３　本願発明

１　本願発明

(１)本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１を引用する請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　２　補正目的」の検討によれば、下記ア及びイの限定を省いたものに相当する。

ア　「表面電極層は、第１方向視で基板の中央部に形成される第１の電極層と、第１の電極層から外方に延伸する複数の第２の電極層とを含み、前記複数の第２の電極層の各々は、前記第１の電極層から外方に延びる第１の線状部分と、前記第１の線状部分の端部から両側方に直角に屈曲するように延びる第２の線状部分とを含み、」

イ　「金属コンタクト層は、第１方向視で基板の表面の全体の領域にわたって配置された分散的パターンまたは周期的パターンを有し、前記絶縁層により取り囲まれるように形成されている」

(２)念のため、本願発明を再掲すると、以下のとおりのものである。

「【【請求項１】

基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

続きを表示（全15行）

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

を備え、

前記基板と垂直方向の第１方向視において、

前記コンタクト層若しくは前記ウィンドウ層の表面は、

前記表面電極層を囲むように相対的に粗い凹凸が形成されるとともに、前記相対的に粗い凹凸面上に相対的に微細な凹凸がさらに形成されたダブルフロスト処理層と、

前記表面電極層と前記ダブルフロスト処理層とに囲まれて前記ダブルフロスト処理層よりも平坦な凹凸非形成領域とを有していることを特徴とする半導体発光素子。

【請求項４】

前記第１クラッド層と前記基板との間に、パターニングされた金属コンタクト層および絶縁層を備えたことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。」

２　引用文献及び引用発明

(１)引用文献１(特開２０１２－１２９２３４号公報)

引用文献１の記載事項及び引用発明については、上記「第２　３(２)引用文献及び引用発明」を参照。

(２)引用文献２(特開平６－３３４２１８号公報)

引用文献２の記載事項及び技術事項１については、上記「第２　３(２)引用文献及び引用発明」を参照。

(３)原査定の拒絶の理由において、引用文献４として引用された特開２０１０－５０１５７号公報(平成２２年３月４日　公開)には、図面とともに、以下の記載がある。

ア　「【０００３】

化合物半導体からなる発光素子においては、素子内部から素子の表面（光取出領域）に向かう光のうち、臨界角度よりも大角度で光取出領域に入射する光（入射角は、光束入射方向と領域面法線とのなす角度）が全反射により素子内部に戻るので、その全てを取り出せるわけではない。そこで、特許文献１あるいは特許文献２には、光取出層の第一主表面を適当なエッチング液により面粗し処理（フロスト処理とも称される）して微細な凹凸を形成し、発光光束が大角度入射する確率を減じて光取出し効率を高める技術が開示されている。

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

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【０００４】

しかしながら、上記特許文献１，２に開示された異方性エッチングによる面粗し処理では、面粗し突起の形成密度の増大ひいてはそれによる光取出面積の拡大に限界があり、発光素子の光取出効率をさらに向上させる方法が求められている。

【０００５】

本発明の課題は、素子の光取出面積をより拡大することができ、ひいては光取出効率の更なる向上を図ることができる発光素子と、その製造方法とを提供することにある。

【課題を解決するための手段及び発明の効果】

【０００６】

上記の課題を解決するために、本発明の発光素子は、一方の主表面に光取出面が形成される化合物半導体の積層体からなり、該光取出面をなす化合物半導体層がＧａＰ光取出層であり、かつ、該ＧａＰ光取出層の光取出面はＧａＰの（１００）面を基面とする形で異方性エッチング処理による面粗し突起部が分散形成されるとともに、該面粗し突起部の頂部が基面の向きに平坦化され、該平坦化された頂面に該面粗し突起部よりも小さい微小突起がさらに分散形成されてなることを特徴とする。」

【０００７】

ＧａＰ光取出層の（１００）主表面を異方性エッチングして面粗し突起部を分散形成し、さらに、その頂面を平坦化して、該面粗し突起部よりも小さい微小突起をさらに分散形成することで、面粗し突起部の頂面の総評面積が微小突起により拡大し、光取出効率を大幅に向上することができる。」

イ　「【００５９】

第一のエッチング液はＧａＰの｛１１１｝面に対する優先エッチング性が顕著であり、面粗し突起部Ｆを効率よく安価に形成できる。該第一のエッチング工程が終了した時点では、図６Ａ～図６Ｆに破線で示すように、面粗し突起部Ｆの頂部は平坦化されていない。そこで、上記のような面粗し突起部Ｆを第一のエッチング工程で形成した後、有機酸、無機酸又はそれらの混合物の水溶液からなる第二のエッチング液を接触させる第二のエッチング工程を行なう。このような酸水溶液からなる第二のエッチング液は、ＧａＰの｛１００｝面に対する優先エッチング性を有しており、エッチング電位の集中しやすい面粗し突起部Ｆの頂点に顕著なエッチング効果を発揮して、ＧａＰ光取出層２０の主表面と同じ（１００）面を出す形でこれを平坦化する。さらに、酸水溶液なのでＧａＰを酸化物に転換しながらエッチング反応が進み、生成した酸化物の介在によりエッチング進行の面内不均

一化等も要因となって、平坦化された面粗し突起部Ｆの頂面に微小突起ＳＦが効果的に分散形成される。」

ウ　図２及び図６Ａは、以下のものである。

２０ｐ　光取出面

ＳＳ　側面部

Ｆ　面粗し突起部

ＳＦ　微小突起

ＬＰ　孔（凹部）

ウ　上記ア及びイからして、引用文献４には、次の技術事項(以下「技術事項２」という。)が記載されているものと認められる。

「発光素子の光取出面に、第一のエッチング工程により面粗し突起部Ｆを形成した後、第二のエッチング液を接触させる第二のエッチング工程により微小突起ＳＦを形成することにより、光取出効率を大幅に向上することができること。」

３　対比・判断

(１)対比

ア　本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点で一致する。

〈一致点〉

「基板と、

前記基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、

前記第１クラッド層上に形成された発光層と、

前記発光層上に形成された第２導電型層の第２クラッド層と、

続きを表示（全11行）

前記第２クラッド層上に形成されたウィンドウ層と、

前記ウィンドウ層上に形成された第２導電型のコンタクト層と、

前記コンタクト層上に形成された表面電極層と、

前記第１クラッド層と前記基板との間に、パターニングされた導電層および絶縁層と、

を備え、

前記基板と垂直方向の第１方向視において、

前記コンタクト層若しくは前記ウィンドウ層の表面は、粗い凹凸が形成されたフロスト処理層を有している、半導体発光素子。」

イ　一方、両者は、以下の点で相違する。

〈相違点４〉

フロスト処理層に関して、

本願発明は、「表面電極層を囲むように相対的に粗い凹凸が形成されるとともに、前記相対的に粗い凹凸面上に相対的に微細な凹凸がさらに形成されたダブルフロスト処理層と、前記表面電極層と前記ダブルフロスト処理層とに囲まれて前記ダブルフロスト処理層よりも平坦な凹凸非形成領域とを有し」ているのに対して、

引用発明は、そのような構造ではない点。

〈相違点５〉

本願発明は、「金属コンタクト層」であるのに対して、

引用発明は、「ＩＴＯ膜１４」である点。

(２)判断

ア　上記〈相違点４〉について検討する。

(ア)引用文献２及び引用文献４には、以下の技術事項が記載されている。

ａ　技術事項１

「発光ダイオード素子の天面電極外周に、同天面のエッチング粗化部から分離する所定幅の非粗化領域を配置することにより、電極下部にクラックが発生することを防止すること。」

ｂ　技術事項２

「発光素子の光取出面に、第一のエッチング工程により面粗し突起部Ｆを形成した後、第二のエッチング液を接触させる第二のエッチング工程により微小突起ＳＦを形成することにより、光取出効率を大幅に向上することができること。」

(イ)してみると、引用発明において、「パッド電極４２」を囲むようにダブルフロスト処理層を形成するとともに、「パッド電極４２」の近傍に凹凸を設けないようにすることは、当業者が上記二つの技術事項に基づいて容易になし得ることである。

イ　上記〈相違点５〉について検討する。

引用発明の「ＩＴＯ膜１４」を「金属コンタクト層」とすることに何ら困難性は認められない。

ウ　効果

本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明の奏する効果、及び上記二つの技術事項から予測し得る範囲内のものである。

４　まとめ

本願発明は、当業者が引用発明、上記技術事項１及び上記技術事項２に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

【付言】

令和２年８月６日提出の上申書における補正案について

請求人は、「４．特許請求の範囲の補正案」において、本願補正発明に対して、「前記基板は、前記第１方向視で矩形状を有し、前記第２の電極層は、前記第１方向視で前記基板の４辺方向に延伸しており、前記金属コンタクト層は、前記第１の電極層と、第２の電極層の前記第１の線状部分と前記第２の線状部分とによって、すべて囲まれて配置されている」との発明特定事項を追加する補正案を提示している。

しかしながら、補正案のとおり補正したとしても、下記の理由により、進歩性は認められない。

理由

(１)引用文献１には、引用発明の「基板１１」の具体的な形状については明記されていないものの、第１方向視で矩形とすることに何ら困難性は認められない。

(２)引用発明の「『パッド電極４２の周囲に』に設けられた『１０μｍ以下の幅の細線電極』」は、局所的な電流集中を防止するためのものであることは当業者にとって明らかであるところ、該「パッド電極４２」の周囲に、例えば、特開２０１２－３３８００号公報の図１に示された細線電極(下記の図を参照。)を配置することに何ら困難性は認められない。

(３)また、本願明細書には、図１５に示された形状を採用することにより、図４０等の形状を採用した場合と比較して格別顕著な効果を奏することは記載されていない。

(４)よって、補正案のとおり補正されたとしても、進歩性は認められない。

第４　むすび

以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。

よって、結論のとおり審決する。