2024-012389

特願２０２３－１８９０６「太陽電池および光起電力モジュール」拒絶査定不服審判事件〔令和６年１月１５日出願公開、特開２０２４－３７４６〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、令和５年２月１０日の出願であって（パリ条約による優先権主張２０２２年６月２７日 中国）、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。 令和５年１２月２１日付け：拒絶理由通知書 令和６年 ２月 ８日 ：意見書及び手続補正書の提出 同年 ３月２８日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。） （同年 ４月 ２日 ：原査定の謄本の送達） 同年 ７月２９日 ：審判請求書及び手続補正書の提出 以下、２０２２年（令和４年）６月２７日を「優先日」という。 第２ 令和６年７月２９日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年７月２９日にされた手続補正を却下する。 ［補正の却下の決定の理由］ １ 補正の内容 令和６年７月２９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の補正をするものであって、本件補正により、次の(１)に示す本件補正前（令和６年２月８日にされた手続補正後のものをいう。以下同じ。）の特許請求の範囲の請求項１の記載は、後記(２)に示す本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載に補正された。下線は補正箇所を示す。 (１) 本件補正前 「ベースと、 前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層と、 前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層と、 隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造と、 前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層と、 前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を通過して前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極と、 を備え、 前記導電接続構造は、複数であり、複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布する、 ことを特徴とする太陽電池」 (２) 本件補正後 「ベースと、 前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層と、 前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層と、 隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造と、 前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層と、 前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから前記突出部に挿入され、前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極と、 を備え、 前記導電接続構造は、複数あり、複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布しかつ前記第１方向に沿って間隔分布する、 ことを特徴とする太陽電池」 ２ 補正の目的 本件補正のうち請求項１についてする補正は、本件補正前の請求項１に記載された事項について、次の(１)及び(２)の限定をするものである。 (１) 本件補正前の請求項１に記載された「複数のサブゲート電極」について、「前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を通過して前記突出部と接続されている」ものを「前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから前記突出部に挿入され、前記突出部と接続されている」とする限定。 (２) 本件補正前の請求項１に記載された「導電接続構造」について、「複数であり、複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布する」ものを「複数あり、複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布しかつ前記第１方向に沿って間隔分布する」とする限定。 そして、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明は、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である。 したがって、本件補正により請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。 ３ 独立特許要件の判断 本件補正は、前記２のとおり、特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当するから、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件補正発明」という。）が、同法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下検討する。 (１) 本件補正発明 ア 本件補正発明の認定と分説 本件補正発明は、前記１(２)に摘記した本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。 ここで、検討の便宜上、本件補正発明の構成を、次のとおり構成Ｘと構成Ａ～Ｆまでに分説する。また、参考として、本願の【図１】及び部材名が記載された【００２９】を掲載する。 ＜本件補正発明の分説＞ Ａ ベースと、 Ｂ 前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層と、 Ｃ 前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層と、 Ｄ－１ 隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造と、 Ｅ 前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層と、 Ｆ 前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから前記突出部に挿入され、前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極と、 を備え、 Ｄ－２ 前記導電接続構造は、複数あり、複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布しかつ前記第１方向に沿って間隔分布する、 Ｘ ことを特徴とする太陽電池 【図１】 ［図：0001436666000001.jpg］ （【００２９】 図１～図７を参照して、太陽電池は、ベース１００と、ベース１００の表面に位置するトンネル誘電体層１１０と、トンネル誘電体層１１０の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向Ｙに対して直交する第１方向Ｘに沿って配列された、第２方向Ｙに沿って延びる複数の突出部１２１を有するドープ導電層１２０と、隣り合う２つの突出部１２１の間に位置し、突出部１２１の側面に接触して接続される導電接続構造１３０と、ドープ導電層１２０および導電接続構造１３０の表面を覆うパッシベーション層１４０と、第２方向Ｙに沿って延び、パッシベーション層１４０を通過して突出部１２１と接続されている複数のサブゲート電極１５０とを備える。…（後略）…。） イ 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載 本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。 「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 本願実施例は、少なくともトンネル酸化層パッシベーションコンタクト構造電池の性能を向上させるのに有利な太陽電池および光起電力モジュールを提供する。 【課題を解決するための手段】 【０００５】 本願の幾つかの実施例によれば、本願の一態様は太陽電池が提供され、ベースと、前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層と、前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層と、隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造と、前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層と、前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を通過して前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極とを備える。」 「【発明の効果】 【００２３】 本願実施例によって提供される太陽電池は、少なくとも以下の利点を有する。すなわち、ベースの表面を介してトンネル誘電体層及びドープ導電層を形成し、前記ドープ導電層が前記トンネル誘電体層の表面に位置し、かつドープ導電層が第１方向に沿って配列された突出部をさらに有し、第１方向に沿って配列された突出部を設けることにより、ドープ導電層の寄生吸光を低減することができ、隣り合う突出部の間に、突出部に接続された導電接続構造を設けることにより、ドープ導電層の横方向輸送能力を高めることができる。」 (２) 各引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 ア 引用文献１に記載された事項及び引用発明の認定 (ア) 引用文献１に記載された事項 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開２０２２－８１３６７号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記(ウ)の引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。）。 「【００２６】 図２は、本発明の一実施例に係る太陽電池の製造方法の流れを示す図である。図３、図６～図８は、本発明の一実施例に係る太陽電池の製造方法の各ステップに対応する構成を示す図である。図４および図５は、図３に示す構成におけるフィールドパッシベーション膜の深さ－ドーピング濃度を示す図である。図２～図８を参照して、太陽電池の製造方法は、以下のステップを含む。 【００２７】 ステップ１０１：図３を参照して、フィールドパッシベーション膜２２２を含む半製品電池を提供する。 【００２８】 半製品電池は、少なくともベース２０と、ベース２０の上面に位置するエミッタ２１１と、ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１及びフィールドパッシベーション膜２２２とを含んでいる。いくつかの実施例において、半製品電池は、エミッタ２１１の表面に順に積層された第１パッシベーション膜２１２（おもて面パッシベーション膜２１２ともいう）と、反射防止層２１３とをさらに備える。ここで、エミッタ２１１は、ベース２０の表面に一定の深さまで拡散したドープ層であり、ベース２０内にＰＮ接合構造が形成されている。 【００２９】 そのうち、ベース２０の材料はシリコンを含み、太陽電池は第１領域２０ａおよび第２領域２０ｂを含み、トンネル層２２１の材料は、酸化シリコンを含み、厚さが１～２ｎｍであり、熱酸化プロセスによって形成することができる。フィールドパッシベーション膜２２２の材料は、ドープされたポリシリコンを含み、第１領域２０ａのフィールドパッシベーション膜２２２は、後に形成された第２電極と接触して接続するためのものである。 【００３０】 本実施例において、フィールドパッシベーション膜２２２は、ベース２０から離れる方向に順に積層されたイオン拡散層２２３とイオン富化層２２４とを有し、イオン富化層２２４のドーピングイオン濃度は、イオン拡散層２２３のドーピングイオン濃度よりも大きい。イオン富化層２２４は、イオン注入工程により真性半導体をイオン注入して得ることができ、イオン拡散層２２３におけるドーピングイオンは、イオン富化層２２４におけるドーピングイオンが濃度差の存在により自由拡散に遷移して得られることができる。イオン富化層２２４は、フィールドパッシベーション膜２２２と後に形成された第２電極との間で良好なオーミックコンタクトを形成できることを確保し、キャリアの効果的な輸送を確保するために設置され、また、顕著なエネルギーバンドベンディングを形成してキャリアの選択的な輸送を実現するために設置される。イオン拡散層２２３は、多数キャリアの効果的な輸送を確保するために設置される。 …（中略）…。 【００３３】 太陽電池の領域区分け方式によれば、フィールドパッシベーション膜２２２を、第１領域２０ａに位置する第１フィールドパッシベーション膜２２２ａと、第２領域２０ｂに位置する第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂとに分け、イオン富化層２２４を、第１領域２０ａに位置する第１富化層２２４ａと、第２領域２０ｂに位置する第２富化層２２４ｂとに分けることができる。 」 「【図３】 ［図：0001436666000002.jpg］ 」 「【００４０】 ステップ１０２：図６を参照して、マスク層２２５を形成し、マスク層２２５によって第２領域２０ｂのイオン富化層２２４をエッチングする。 【００４１】 本実施例において、マスク層２２５は、第１フィールドパッシベーション膜２２２ａを被覆しており（図３を参照）、マスク層２２５の材料は、有機ワックスであり、ベース２０の表面に垂直な方向において、有機ワックスの厚さは、５０μｍ～３００μｍであり、マスク層２２５におけるベース２０に向かう方向において、マスク層２２５のビューは、フィンガーラスターライン（ｇａｔｅｌｉｎｅ）型である。マスク層２２５は、スクリーン印刷プロセスまたはインクジェット印刷プロセスにより形成することができる。 【００４２】 マスク層２２５を形成した後、半製品電池を硝酸とフッ酸と水との混合溶液に置いて反応を行うことができる。有機ワックスが混合溶液と反応しないため、マスク層２２５によって保護された第１フィールドパッシベーション膜２２２ａは混合溶液によってエッチングされないが、マスク層２２５に露出される第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂ（図３を参照）はエッチングされ、これにより、第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂの厚さのみを薄くすることを実現し、すなわち、第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂが第１フィールドパッシベーション膜２２２ａと厚さの差を持たせるようになっており、残りの第１フィールドパッシベーション膜２２２ａが第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａとなり、残りの第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂが第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとなり、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａと第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとがフィールドパッシベーション層２２６を構成している。 …（中略）…。 【００４４】 エッチングした後、ベース２０の表面に垂直な方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの厚さよりも小さい。第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａにおけるベース２０に向かう表面は、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂにおけるベース２０に向かう面と面一であるため、ベース２０がフィールドパッシベーション層２２６に向かう方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの上面は、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの上面よりも低い。 【００４５】 本実施例では、エッチングの深さがイオン富化層２２４の厚さよりも大きく、すなわち、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂにおけるベース２０から離れる表面がイオン拡散層２２３内に位置しており、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂにおけるベース２０から離れる表面の表面ドーピング濃度が、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａにおけるベース２０から離れる表面の表面ドーピング濃度よりも小さい。このように、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの光吸収能力を弱め、太陽電池の変換効率を高めることに有利である。」 「【図６】 ［図：0001436666000003.jpg］ 」 「【００５１】 ステップ１０３：図７を参照して、マスク層２２５（図６を参照）を除去し、第２パッシベーション膜２２７を形成する。 【００５２】 本実施例では、第２領域２０ｂのイオン富化層２２４をエッチングした後、半製品電池を濃度０．１～１０％のアルカリ溶液で洗浄し、マスク層２２５を除去することで、上面パターンがフィンガーライターライン型のイオン富化層２２４が露出される。フィールドパッシベーション層２２６におけるベース２０から離れる表面を覆うように、第２パッシベーション膜２２７が沈積され、第２パッシベーション膜２２７には水素イオンが含まれ、高温処理において、拡散した水素イオンが、ベース２０の表面欠陥、体内欠陥及びトンネル層２２１との界面欠陥をパッシベーションする。ここで、アルカリ溶液は、希釈された水酸化カリウム溶液を含む。」 「【図７】 ［図：0001436666000004.jpg］ 」 「【００５３】 ステップ１０４：図８を参照して、第１電極２１４（おもて面電極２１４ともいう）と第２電極２２８（裏面電極２２８ともいう）を形成する。 【００５４】 本実施例では、ベース２０がフィールドパッシベーション層２２６に向かう方向において、第２電極２２８は、順に積層された銀電極２２８ａと、導電性ペースト２２８ｂと、電極膜２２８ｃと、を含んでいる。これに応じて、ベース２０が第１パッシベーション膜２１２に向かう方向において、第１電極２１４は、第２電極２２８と同じ積層構造を有している。他の実施例では、第１電極の構成と第２電極の構成が異なっている。第２電極２２８を形成する工程は、具体的には下記のことを含む。 【００５５】 第２パッシベーション膜２２７におけるベース２０から離れる表面にスクリーン印刷プロセスで薄層の銀ペーストを印刷し、銀ペーストを乾燥及び焼結して、第２パッシベーション膜２２７を貫通して第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する銀電極２２８ａを形成し、銀電極２２８ａ上に導電性ペースト２２８ｂが敷設され、導電性ペースト２２８ａの表面に電極膜２２８ｃが敷設されており、最後に、予め設定された温度および圧力条件下で、導電性ペースト２２８ｂにより銀電極２２８ａと電極膜２２８ｃとの接着が実現される。 【００５６】 銀ペーストを印刷して焼結する方法で銀電極２２８ａを製造することは、主に、第２電極２２８とフィールドパッシベーション層２２６との間に良好な引っ張り力を形成できることを確保するためである。ここで、銀電極２２８ａは、複数本の細いゲート線と、複数本の細いゲート線を接続するメインゲート線とを含み、メインゲート線の延びる方向は、通常、細線の延びる方向に対して垂直であり、メインゲート線は、後続の部品製造工程における太陽電池セル間のリンクに用いられる。 …（中略）…。 【００６１】 本実施例では、第２電極と接触する第１フィールドパッシベーションサブ層は、比較的高い導電率を有し、多数キャリアの効果的な輸送を確保し、太陽電池の短絡電流を高めることに有利である。また、第２フィールドパッシベーションサブ層の厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層の厚さよりも小さく、第２フィールドパッシベーションサブ層の光吸収能力を弱めて、太陽電池の変換効率を向上することに有利である。また、導電性ペーストで接着する電極膜は、いかなる導電性材料であってもよく、すなわち銀よりもコストが低い材料であってもよく、このようにして、太陽電池のコストの低減化に有利である。 【００６２】 これに応じて、本発明の実施例は、上記の太陽電池の製造方法で製造できる太陽電池をさらに提供する。 【００６３】 図８を参照して、太陽電池は、ベース２０と、ベース２０の上面に順に積層された第１パッシベーション膜２１２、反射防止層２１３および第１電極２１４と、ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１、フィールドパッシベーション層２２６および第２電極２２８と、を備え、フィールドパッシベーション層２２６は、第２電極２２８とベース２０との間に位置する第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａと、隣接する第２電極２２８の間に位置する第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとを含む。第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの材料の導電率は、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの材料の導電率よりも大きく、ベース２０の表面に垂直な方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの厚さよりも小さい。ベース２０が第１フィールドパッシベーション膜２１２に向かう方向において、第１電極２１４は、順に積層された銀電極、導電性ペースト及び電極膜を含み、及び／又は、ベース２０がフィールドパッシベーション層２２６に向かう方向において、第２電極２２８は、順に積層された銀電極２２８ａ、導電性ペースト２２８ｂおよび電極膜２２８ｃを含む。」 「【図８】 ［図：0001436666000005.jpg］ 」 (イ) 引用文献１に記載された事項により把握できる事項の認定 ａ 「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」のベース２０の表面に垂直な方向から見た形状（以下「上面形状」という。）は、前記(ア)に摘記した【００４１】及び【００４２】の記載によれば、マスク層２２５のビューと同じ「フィンガーラスターライン（ｇａｔｅｌｉｎｅ）型」と理解できる。 ｂ 他方、【００５５】に記載のとおり、「銀電極２２８ａ」は、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する」ものであるところ、当該「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」における「第１富化層２２４ａ」は、「フィールドパッシベーション膜２２２と後に形成された第２電極との間で良好なオーミックコンタクトを形成できることを確保［する］」（【００３０】）ものであるから、当該「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」の上面形状は、「銀電極２２８ａ」の上面形状と同じ形状であると理解することが自然といえる。この理解は、前記ａの「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」の上面形状が「フィンガーラスターライン（ｇａｔｅｌｉｎｅ）型」であるとの理解にも沿うものである。 ｃ そして、【００５６】の記載によれば、「銀電極２２８ａ」は、「複数本の細いゲート線と、複数本の細いゲート線を接続するメインゲート線とを含み、メインゲート線の延びる方向は、通常、細線の延びる方向に対して垂直であ［る］」から、前記ｂも踏まえると、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」は、複数本の細いゲート線に接触する層（以下「複数のサブ層２２６ａ－１」という。）と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触する層（以下「サブ層２２６ａ－２」という。）とを含み、サブ層２２６ａ－２の延びる方向は、サブ層２２６ａ－１の延びる方向に対して垂直であることが理解できる。 ｄ そうすると、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」について、次の事項を把握することができる。 ＜引用文献１に記載された事項により把握できる事項＞ 「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａは、複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触するサブ層２２６ａ－２とを含み、サブ層２２６ａ－２の延びる方向は、サブ層２２６ａ－１の延びる方向に対して垂直であること。」 (ウ) 引用発明の認定 前記(イ)において認定した事項及び前記(ア)に摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、実施例（【図８】）に係る太陽電池について、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。 ＜引用発明＞ 「太陽電池であって、（【００６２】） 太陽電池は、ベース２０と、ベース２０の上面に順に積層された第１パッシベーション膜２１２、反射防止層２１３および第１電極２１４と、ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１、フィールドパッシベーション層２２６および第２電極２２８と、を備え、フィールドパッシベーション層２２６は、第２電極２２８とベース２０との間に位置する第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａと、隣接する第２電極２２８の間に位置する第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとを含み、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの材料の導電率は、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの材料の導電率よりも大きく、ベース２０の表面に垂直な方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの厚さよりも小さく、ベース２０がフィールドパッシベーション層２２６に向かう方向において、第２電極２２８は、順に積層された銀電極２２８ａ、導電性ペースト２２８ｂおよび電極膜２２８ｃを含み、（【００６３】） 太陽電池の製造方法は、以下のステップを含み、（【００２６】） ステップ１０１：フィールドパッシベーション膜２２２を含む半製品電池を提供し、（【００２７】） 半製品電池は、少なくともベース２０と、ベース２０の上面に位置するエミッタ２１１と、ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１及びフィールドパッシベーション膜２２２とを含んでおり、（【００２８】） トンネル層２２１の材料は、酸化シリコンを含み、フィールドパッシベーション膜２２２の材料は、ドープされたポリシリコンを含み、（【００２９】） フィールドパッシベーション膜２２２は、ベース２０から離れる方向に順に積層されたイオン拡散層２２３とイオン富化層２２４とを有し、イオン富化層２２４のドーピングイオン濃度は、イオン拡散層２２３のドーピングイオン濃度よりも大きく、イオン富化層２２４は、フィールドパッシベーション膜２２２と後に形成された第２電極との間で良好なオーミックコンタクトを形成できることを確保し、キャリアの効果的な輸送を確保するために設置され、イオン拡散層２２３は、多数キャリアの効果的な輸送を確保するために設置され、（【００３０】） 太陽電池の領域区分け方式によれば、フィールドパッシベーション膜２２２を、第１領域２０ａに位置する第１フィールドパッシベーション膜２２２ａと、第２領域２０ｂに位置する第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂとに分け、イオン富化層２２４を、第１領域２０ａに位置する第１富化層２２４ａと、第２領域２０ｂに位置する第２富化層２２４ｂとに分けることができ、（【００３３】） ステップ１０２：マスク層２２５を形成し、マスク層２２５によって第２領域２０ｂのイオン富化層２２４をエッチングし、（【００４０】） マスク層２２５のビューは、フィンガーラスターライン（ｇａｔｅｌｉｎｅ）型であり、（【００４１】） マスク層２２５に露出される第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂはエッチングされ、これにより、第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂの厚さのみを薄くすることを実現し、残りの第１フィールドパッシベーション膜２２２ａが第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａとなり、残りの第２フィールドパッシベーション膜２２２ｂが第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとなり、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａと第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂとがフィールドパッシベーション層２２６を構成しており、（【００４２】） エッチングした後、ベース２０の表面に垂直な方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの厚さよりも小さく、（【００４４】） ステップ１０３：マスク層２２５を除去し、第２パッシベーション膜２２７を形成し、（【００５１】） フィールドパッシベーション層２２６におけるベース２０から離れる表面を覆うように、第２パッシベーション膜２２７が沈積され、（【００５２】） ステップ１０４：第１電極２１４（おもて面電極２１４ともいう）と第２電極２２８（裏面電極２２８ともいう）を形成し、（【００５３】） 第２電極２２８は、順に積層された銀電極２２８ａと、導電性ペースト２２８ｂと、電極膜２２８ｃと、を含んでおり、（【００５４】） 第２パッシベーション膜２２７におけるベース２０から離れる表面にスクリーン印刷プロセスで薄層の銀ペーストを印刷し、銀ペーストを乾燥及び焼結して、第２パッシベーション膜２２７を貫通して第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する銀電極２２８ａを形成し、銀電極２２８ａ上に導電性ペースト２２８ｂが敷設され、導電性ペースト２２８ａの表面に電極膜２２８ｃが敷設されており、最後に、予め設定された温度および圧力条件下で、導電性ペースト２２８ｂにより銀電極２２８ａと電極膜２２８ｃとの接着が実現され、（【００５５】） 銀電極２２８ａは、複数本の細いゲート線と、複数本の細いゲート線を接続するメインゲート線とを含み、メインゲート線の延びる方向は、通常、細線の延びる方向に対して垂直であり、メインゲート線は、後続の部品製造工程における太陽電池セル間のリンクに用いられ、（【００５６】） 第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａは、複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触するサブ層２２６ａ－２とを含み、サブ層２２６ａ－２の延びる方向は、サブ層２２６ａ－１の延びる方向に対して垂直である、（前記（イ）） 太陽電池」 イ 引用文献２～４に記載された事項及び周知技術１の認定 原査定の拒絶の理由において引用された、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１９－１７９８３８号公報、国際公開第２０１１／０６５５７１号及び特開２０１９－１１７９６３号公報（以下、それぞれ「引用文献２」～「引用文献４」という。）には、次の記載がある。下線は当合議体が付したものであり、以下同様である。 (ア) 引用文献２に記載された事項 「【００１７】 図１Ａは、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の受光面１１側の平面図である。図１Ｂは、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の裏面１２側の平面図である。図２は、図１ＡのＩＩ－ＩＩ線における、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の断面図である。 …（中略）…。 【００２９】 ｎ側集電電極５０ｎは、ｎ側電極３０ｎ上に設けられ、シリコン基板２０上の受光領域で発生した受光電荷（電子）を集電する電極である。ｎ側集電電極５０ｎは、例えば、配線部材（図１Ａの配線部材７０を参照）の延設方向と直交する方向に直線状に形成された複数本のフィンガー電極５１と、これらのフィンガー電極５１に接続されるとともにフィンガー電極５１に直交する方向（例えば、配線部材７０の延設する方向）に沿って直線状に形成された複数本のバスバー電極５２とを有する。複数本のバスバー電極５２のそれぞれは、配線部材７０と一対一に接続される。なお、ｎ側集電電極５０ｎは、第一集電電極の一例であり、配線部材７０は、第一の配線部材の一例である。また、フィンガー電極５１は、第一フィンガー電極の一例であり、バスバー電極５２は、第一バスバー電極の一例である。なお、本実施の形態では、ｎ側集電電極５０ｎは、バスバー電極５２を備える場合を説明するが、バスバー電極５２を備えていなくてもよい。 …（中略）…。 【００３８】 なお、フィンガー電極５１及び６１、並びに、バスバー電極５２及び６２の本数は、特に限定されない。フィンガー電極５１及び６１、並びに、バスバー電極５２及び６２はそれぞれ、１本以上設けられていればよい。例えば、バスバー電極５２及び６２の本数はそれぞれ、配線部材７０及び７１と同数であればよい。本実施の形態では、３本である。なお、配線部材７０及び７１は、太陽電池モジュールを形成する際、隣り合う２つの太陽電池セル１０同士を電気的に接続するタブ配線である。また、ｎ側集電電極５０ｎ及びｐ側集電電極６０ｐは、互いに同じ形状である場合を図示しているが、これに限定されない。」 「【図１Ａ】 ［図：0001436666000006.jpg］ 」 (イ) 引用文献３に記載された事項 「［００６７］ 図７～９は結晶系光電変換素子１の一例を示す。これらの図において、２は半導体基板、３は受光面側バスバー電極、４は受光面側フィンガー電極、５は反射防止膜、６はパッシベーション膜、７は裏面側バスバー電極、８は裏面側フィンガー電極を示す。なお、図９における２ａは半導体基板２の第１面であり、２ｂは半導体基板２の第２面である。 …（中略）…。 ［００６９］ 図７に示すように、半導体基板２の受光面には、幅１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の幅の広い受光面側バスバー電極３と、受光面側バスバー電極３に対して略垂直に交わるように設けられており、幅５０μｍ以上２００μｍ以下程度の細い受光面側フィンガー電極４とが形成されている。 「［図７］ ［図：0001436666000007.jpg］ 」 ［００７１］ 半導体基板２の裏面（非受光面）は、図８および図９に示すように、その略全面にパッシベーション膜６を形成し、裏面側バスバー電極７および裏面側フィンガー電極８が形成されている。この裏面側バスバー電極７、裏面側フィンガー電極８は、上述の受光面側バスバー電極３および受光面側フィンガー電極４と類似の形状とすることができる。」 「［図８］ ［図：0001436666000008.jpg］ 」 (ウ) 引用文献４に記載された事項 「【００４５】 以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態に係る太陽電池及びその製造方法を詳細に説明する。 …（中略）…。 【０１０９】 一例として、第１電極１５０は、図１に示すように、複数の第１フィンガー電極１５１及び複数の第１バスバー１５３を含むことができる。 【０１１０】 ここで、複数の第１フィンガー電極１５１は第１導電型半導体部１７０の後面の上に互いに離隔して第１方向（ｘ）に延びていることができ、第１導電型半導体部１７０側に移動したキャリアを収集することができる。 【０１１１】 そして、複数の第１バスバー１５３は第１導電型半導体部１７０の上で複数の第１フィンガー電極１５１と同一層に位置し、複数の第１フィンガー電極１５１を互いに電気的に接続させ、複数の第１フィンガー電極１５１と交差する第２方向（ｙ）に延びていることができる。」 「【図１】 ［図：0001436666000009.jpg］ 」 「【０１４０】 図３を参照すると、第１電極１５０は一定のピッチを有しながら互いに離隔する複数の第１フィンガー電極１５１を含むことができる。図面では第１フィンガー電極１５１が互いに平行し、半導体基板１００の縁に平行したものを例示したが、本発明はこれに限定されるものではない。 【０１４１】 また、第１バスバー１５３は１つのみ備えられることもでき、図３に示すように、第１フィンガー電極１５１のピッチより大きいピッチを有しながら複数個で備えられることもできる。」 「【図３】 ［図：0001436666000010.jpg］ 」 (エ) 周知技術１の認定 前記(ア)～(ウ)に摘記した引用文献２～４における摘記事項に例示されるとおり、次の技術事項は、当業者にとって周知技術（以下「周知技術１」という。）であったと認められる。 ＜周知技術１＞ 「太陽電池セルにおいて、互いに直交するバスバー電極及びフィンガー電極を、それぞれ３本以上設けること。」 ウ 引用文献５～８に記載された事項並びに技術常識１及び周知技術２の認定 本審決において新たに引用する、本願の優先日前に発行された文献である特開２０１６－１０３６４２号公報、特開２０１８－１２９５１１号公報、中国実用新案第２１０２７２３８４号明細書及び米国特許出願公開第２０１１／０１３９２２６号明細書（以下、それぞれ「引用文献５」～「引用文献８」という。）には、次の記載がある。なお、日本語訳は当合議体が作成したものである。 (ア) 引用文献５に記載された事項 「【０１６４】 本発明の第２実施形態に係る太陽電池は、図５及び図６に示すように、第１電極１５０の少なくとも一部は第１パッシベーション膜１９０Ａを貫通して第１導電型半導体部１７０の内部に陷入されて、第１導電型半導体部１７０と電気的に接続できる。」 「【図５】 ［図：0001436666000011.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001436666000012.jpg］ 」 「【０１６５】 具体的な一例として、第１電極１５０を形成する第１フィンガー電極１５１と第１バスバー１５３の全てが第１導電型半導体部１７０の内部に陷入されて形成できる。 …（中略）…。 【０１７０】 このように、第１電極１５０が第１導電型半導体部１７０の内部に陷入される構造は第１電極１５０を形成するための第１電極用ペーストを第１パッシベーション膜１９０Ａの後面にパターニングして形成した状態で熱処理工程を通じて第１電極ペーストが第１パッシベーション膜１９０Ａを破って第１導電型半導体部１７０の内部に侵入しながら接続する時に形成できる。 …（中略）…。 【０１７５】 したがって、本発明に従う太陽電池は、図６に示すように、第１電極１５０が第１導電型半導体部１７０の内部に陷入されて、第１導電型半導体部１７０の第１境界面ＢＳ１で第１導電型半導体部１７０と第１電極１５０とは互いに接触できる。 【０１７６】 この際、図５に示すように、第１導電型半導体部１７０のうち、第１電極１５０が形成される電極形成領域１７０Ａには前述したように、第１電極１５０から抽出された複数の金属結晶ＭＣが位置することができる。 【０１７７】 一例として、図６に示すように、第１導電型半導体部１７０のうち、第１フィンガー電極１５１が形成されるフィンガー形成領域１７０Ａ１には第１フィンガー電極１５１から抽出された複数の金属結晶ＭＣが位置することができる。 【０１７８】 図６では第１導電型半導体部１７０の電極形成領域１７０Ａのうち、電極フィンガー形成領域１７０Ａ１のみ図示したが、図５に示すように、バスバー形成領域１７０Ａ２にも同一に第１バスバー１５３から抽出された複数の金属結晶ＭＣが位置することができる。 【０１７９】 このような複数の金属結晶ＭＣは多結晶シリコンで形成される第１導電型半導体部１７０と比較して相対的に抵抗が低いので、図６に示すように、半導体基板１００からトンネル層１６０を通過して第１導電型半導体部１７０に移動したキャリア、例えば電子が金属結晶ＭＣを通じて第１電極１５０に直接移動するか、または金属結晶ＭＣと金属結晶ＭＣとの間をジャンプして第１電極１５０に移動することができる。 【０１８０】 したがって、このような複数の金属結晶ＭＣはキャリアが第１電極１５０に一層容易に移動できるように助ける役割をすることができる。 【０１８１】 したがって、このような金属結晶ＭＣは低い抵抗によって、半導体基板１００と第１電極１５０との間の実質的な距離をより狭めることができる。 【０１８２】 また、金属結晶ＭＣは第１電極１５０が第１導電型半導体部１７０に接続される時、第１電極１５０と第１導電型半導体部１７０との境界である第１境界面ＢＳ１を中心に半導体基板１００方向に形成されるため、第１電極１５０と第１導電型半導体部１７０との間の接触抵抗をより低下することができる。 【０１８３】 したがって、図６に図示された本発明のように、第１電極１５０とトンネル層１６０との間の第１導電型半導体部１７０の内部に複数の金属結晶ＭＣをさらに含む場合、太陽電池の効率がより向上できる。」 (イ) 引用文献６に記載された事項 「【００８０】 第２電極１５０は、第２導電型領域１７０の上に直接接して配置され、第２導電型領域１７０と電気的に接続することができる。 【００８１】 このような第２電極１５０は、図１及び図２に示すように、第１方向（ｘ）に長く伸びた複数の第２フィンガー電極１５１と、複数の第２フィンガー電極１５１と交差する第２方向（ｙ）に長く伸びており、複数の第２フィンガー電極１５１を互に接続する複数の第２バスバー電極１５２を含んで備えられることができる。 【００８２】 このような第２電極１５０は、太陽電池を互に接続させるインターコネクタ（図示せず）と接続され、第２電極１５０によって収集されて移動する電荷を収集し、外部装置に出力することができる。 【００８３】 第２電極１５０は、金属粒子とガラスフリットを含むことができ、具体的には、ガラスフリットより高い融点を有する金属粒子は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及びこれらの組み合わせからなる群から選択された少なくとも一つで有り得る。 【００８４】 このような第２電極１５０は、第２導電型領域１７０の後面に後面パッシベーション膜１９０が形成された状態で、第２電極用へイーストを後面パッシベーション膜１９０の後面上にパターニングして形成した後、熱処理工程を経て、第２電極用へイーストが後面パッシベーション膜１９０をファイアスルーしつつ、後面パッシベーション膜１９０を突き抜け、第２導電型領域１７０に電気的に接続された状態で焼成されることによって、形成することができる。」 「【０１０８】 以下においては次の図３、４、５を参照して、第２電極１５０のガラスフリット１５０Ｇの含有量に応じた効果をさらに具体的に説明する。 【０１０９】 図３は、第２電極１５０に含まれたガラスフリット１５０Ｇの含有量に応じたコンタクト抵抗、パッシベーション機能（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ程度）及び開放電圧（Ｖｏｃ）のレベルを実験した表である。 …（中略）…。 【０１１１】 そして、図５は、図３においてガラスフリット１５０Ｇの含有量が適正レベルである場合、太陽電池において半導体基板１１０、制御パッシベーション膜１６０、第２導電型領域１７０及び第２電極１５０が含まれた一部を拡大図示した断面図である。 …（中略）…。 【０１１６】 さらに、図３の表に記載された第２電極１５０のガラスフリット１５０Ｇの含有量は、熱処理工程の後の第２電極１５０が焼成された状態での含有量であり、熱処理工程の前に、第２電極用へイーストに含まれるガラスフリット１５０Ｇの適正レベルの含有量は、２．０ｗｔ％～４．０ｗｔ％であり、このような数値範囲は、図３の表に記載された適正レベルの含有量である２．５ｗｔ％～５．０ｗｔ％の数値範囲に対応することができる。」 「【図３】 ［図：0001436666000013.jpg］ 」 「【０１１７】 本発明は、太陽電池の構造のものなので、以下においては、熱処理工程の後、焼成された第２電極１５０のガラスフリット１５０Ｇの含有量を基準に説明する。 【０１１８】 さらに、図３の表においてコンタクト抵抗は、第２電極１５０と第２導電型領域１７０との間の抵抗を意味する。したがって、コンタクト抵抗が悪いという意味は、第２電極用へイーストがファイアスルーされる深さが薄すぎる、第２電極１５０が後面パッシベーション膜１９０を突き抜けず、第２電極１５０と第２導電型領域１７０間が正常に電気的に接続されない場合を意味し、よいという意味は、電気的接続が正常に行われた場合を意味する。 【０１１９】 さらに、パッシベーション機能（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ程度）は、制御パッシベーション膜１６０のパッシベーション機能を意味する。したがって、パッシベーション機能が良いという意味は制御パッシベーション膜１６０が損傷しないことを意味し、パッシベーション機能が悪いという意味は、第２電極１５０によって制御パッシベーション膜１６０が損傷されて、第２電極１５０の金属粒子１５０Ｍによって半導体基板１１０の後面で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）が発生している場合を意味する。 【０１２０】 また、開放電圧（Ｖｏｃ）が良いという意味は、第２導電型領域１７０が制御パッシベーション膜１６０によって、半導体基板１１０と離隔されて、太陽電池が良好なレベルの開放電圧を発生させる場合を意味し、開放電圧が悪いという意味は、第２電極１５０が第２導電型領域１７０の内部に深く浸透しながら、制御パッシベーション膜１６０が損傷され、第２電極１５０と半導体基板１１０が短絡された場合を意味する。 【０１２１】 図３に記載された表のように、第２電極１５０に含有された単位体積当たりの含有量が２．５ｗｔ％未満の場合、第２電極用へイーストがファイアスルー（ｆｉｒｅｔｈｒｏｕｇｈ）される深さが薄すぎて、第２電極１５０が第２導電型領域１７０にしっかりと接続されてないことがわかる。 【０１２２】 さらに、第２電極１５０に含有された単位体積当たりの含有量が５．０ｗｔ％を超える場合、図４のように、第２電極１５０が第２導電型領域１７０だけでなく、制御パッシベーション膜１６０まで突き抜け半導体基板１１０と短絡されることにより、制御パッシベーション膜１６０の機能が損なわれ、開放電圧（Ｖｏｃ）もまた悪くなることが確認できる。 【０１２３】 参考として，図４で１５０Ｍは、第２電極１５０に含有された金属粒子１５０Ｍを意味し、１５０Ｇは、第２電極１５０に含まれたガラスフリット１５０Ｇを意味する。 【０１２４】 さらに、第２電極１５０に含有された単位体積当たりの含有量が２．５ｗｔ％～５．０ｗｔ％の間の適正レベルを維持する場合、第２電極用へイーストがファイアスルーされる深さが適切で、これにより、コンタクト抵抗、パッシベーション機能及び開放電圧がすべて非常に良好なレベルに維持されることを確認することができる。 【０１２５】 さらに、第２電極１５０に含有された単位体積当たりの含有量が２．５ｗｔ％～５．０ｗｔ％間の適正レベルを維持する場合、図５のように、第２電極１５０が後面パッシベーション膜１９０を突き抜け、第２導電型領域１７０の内部に適正深さに浸透するようになり、この時に、第２電極１５０と第２導電型領域１７０との間の界面には、第２電極１５０の金属粒子１５０Ｍと第２導電型領域１７０のシリコンが結合した合金（ａｌｌｏｙ）乃至結晶体（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅ）［以下では、「結晶体」と称する］が形成されることがある。」 「【図５】 ［図：0001436666000014.jpg］ 」 「【０１２６】 このような金属粒子１５０Ｍ‐シリコン結晶体１５３は、第２電極１５０と第２導電型領域１７０との間のコンタクト抵抗をさらに下げることができる。 【０１２７】 これまでは第２電極１５０が後面パッシベーション膜１９０を突き抜け、第２導電型領域１７０の内部にファイアスルー（ｆｉｒｅｔｈｒｏｕｇｈ）される深さを調節するために、第２電極１５０に含まれるガラスフリット１５０Ｇの単位体積当たりの含有量の数値について説明した。」 (ウ) 引用文献７に記載された事項 「 ［図：0001436666000015.jpg］ 」 （日本語訳： ［００１９］ 図２を参照すると、図中の凡例に示すように、後工程エッチング型Ｎ型コンタクトパッシベーションセルは、Ｎ型シリコン基板２１、基板の表面側に形成された表面構造及び基板の裏面側に形成された裏面構造を含む。 ［００２０］ 表面構造は、ｐ＋拡散層２２、表面パッシベーション膜２３及び表面金属電極２４から構成され、ｐ＋拡散層２２と表面パッシベーション膜２３はＮ型シリコン基板２１から離れる方向に順次積層される。表面金属電極２４は表面パッシベーション膜２３を貫通し、その内端はｐ＋拡散層２２に接触する。 ［００２１］ 裏面構造は、トンネル酸化膜２５、ｎ＋多結晶シリコン層２６、裏面パッシベーション膜２７及び裏面金属電極２８から構成され、トンネル酸化膜２５、ｎ＋多結晶シリコン層２６、裏面パッシベーション膜２７はＮ型シリコン基板２１から離れる方向に順次積層される。ｎ＋多結晶シリコン層２６は裏面パッシベーション膜２７側に局所的な突出部を形成し、裏面パッシベーション膜２７に埋め込まれている。裏面金属電極２８は裏面パッシベーション膜２７を貫通し、その内端はｎ＋多結晶シリコン層２６の突出部に接触する。なお、ｎ＋多結晶シリコン層２６の非突出部の膜厚は１０～５０ｎｍ、突出部の膜厚は５０～２５０ｎｍである。） 「図２ ［図：0001436666000016.jpg］ 」 (エ) 引用文献８に記載された事項 「[0042] FIG. 1 is a partial perspective view of a solar cell according to a first example embodiment of the invention. FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 1, and FIG. 3 is a partial cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 1. [0043] As shown in FIGS. 1 to 3, a selective emitter solar cell according to a first example embodiment of the invention includes a substrate 110, a selective emitter layer 120 positioned on one surface of the substrate 110, an anti-reflection layer 130 positioned on the selective emitter layer 120, a plurality of first electrodes 140 electrically connected to the selective emitter layer 120, at least one first current collector 150 electrically connected to the selective emitter layer 120, a second electrode 160 that is positioned on another surface of the substrate 110 and is electrically connected to the substrate 110, and a back surface field layer 170 positioned between the substrate 110 and the second electrode 160.」 （日本語訳： ［００４２］ 図１は、本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池の部分斜視図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った部分断面図であり、図３は図１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った部分断面図である。 ［００４３］ 図１～３に示すように、本発明の第１の実施例による選択エミッタ型太陽電池は、基板１１０、基板１１０の一方の面に配置された選択エミッタ層１２０、選択エミッタ層１２０上に配置された反射防止層１３０、選択エミッタ層１２０に電気的に接続された複数の第１電極１４０、選択エミッタ層１２０に電気的に接続された少なくとも１つの第１集電体１５０、基板１１０の他方の面に配置され基板１１０に電気的に接続された第２電極１６０及び基板１１０と第２電極１６０との間に配置された裏面電界層１７０を含む。） 「図１ ［図：0001436666000017.jpg］ 」 「[0045] The selective emitter layer 120 is a portion doped with impurities (for example, n-type impurities) of a second conductive type opposite a first conductive type (i.e., p-type impurities) of the substrate 110. The selective emitter layer 120 is formed at a light incident surface, i.e., a front surface corresponding to a light receiving surface of the substrate 110. The selective emitter layer 120 includes a first emitter portion 122 and a second emitter portion 124 each having a different impurity concentration. [0046] In the first example embodiment of the invention, an impurity concentration of the second emitter portion 124 is higher than an impurity concentration of the first emitter portion 122. Further, an impurity doping thickness of the second emitter portion 124 is greater than an impurity doping thickness of the first emitter portion 122. Accordingly, a thickness of the second emitter portion 124 is greater than a thickness of the first emitter portion 122, and a lower surface of the first emitter portion 122 and a lower surface of the second emitter portion 124 are positioned on the same plane. The selective emitter layer 120 having the above-described structure may be formed using an etch back process.」 （日本語訳： ［００４５］ 選択エミッタ層１２０は基板１１０の第１導電型（ｐ型不純物）と反対の第２導電型の不純物（例えば、ｎ型不純物）がドープされた部分である。選択エミッタ層１２０は、光入射面、すなわち基板１１０の受光面に対応する表面に形成されている。選択エミッタ層１２０は互いに異なる不純物濃度を有する第１エミッタ部１２２及び第２エミッタ部１２４を備えている。 ［００４６］ 本発明の第１の実施例においては、第２エミッタ部１２４の不純物濃度は、第１エミッタ部１２２の不純物濃度よりも高い。さらに、第２エミッタ部１２４の不純物ドーピング厚さは、第１エミッタ部１２２の不純物ドーピング厚さよりも大きい。したがって、第２エミッタ部１２４の厚さは、第１エミッタ部１２２の厚さよりも大きく、第１エミッタ部１２２の下面と第２エミッタ部１２４の下面は同一平面上に位置する。上述の構造を有する選択エミッタ層１２０は、エッチバックプロセスを用いて形成することができる。） 「[0051] In the first example embodiment of the invention, the second emitter portion 124 of the selective emitter layer 120 includes a first region 124a, a second region 124b, a third region 124c, and a fourth region 124d. The first region 124a and the second region 124b are positioned under the first electrodes 140, and the third region 124c and the fourth region 124d are positioned under the first current collector 150. [0052] The first region 124a directly contacts the first electrodes 140 and thus is an overlapping region between the first electrodes 140 and the second emitter portion 124. The third region 124c directly contacts the first current collector 150 and thus is an overlapping region between the first current collector 150 and the second emitter portion 124. The second region 124b is positioned around the first region 124a and does not overlap the first electrodes 140. The fourth region 124d is positioned around the third region 124c and does not overlap the first current collector 150. Accordingly, the first electrodes 140 are positioned on the first region 124a of the second emitter portion 124 and directly contact the first region 124a, and the first current collector 150 is positioned on the third region 124c of the second emitter portion 124 and directly contacts the third region 124c. …（中略）…。 [0056] In the first example embodiment of the invention, a line width of the first region 124a is substantially equal to the line width W2 of the first electrode 140, and a line width W3 of the second region 124b is about one to eight times the line width W2 of the first electrode 140. The second region 124b may be equally dividedly positioned at both sides of the first region 124a, and thus both portions of the second region 124b have the same line width of W3/2. Alternatively, the both portions of the second region 124b that are dividedly positioned at both sides of the first region 124a may have different line widths. In embodiments of the invention, portions of the second region 124b hem in the first region 124a from opposite sides. （日本語訳： ［００５１］ 本発明の第１の実施例において、選択的エミッタ層１２０の第２エミッタ部１２４は、第１領域１２４ａ、第２領域１２４ｂ、第３領域１２４ｃ、及び第４領域１２４ｄを含む。第１領域１２４ａ及び第２領域１２４ｂは第１電極１４０の下に配置され、第３領域１２４ｃ及び第４領域１２４ｄは第１集電体１５０の下に配置される。 ［００５２］ 第１領域１２４ａは第１電極１４０と直接接触し、したがって第１電極１４０と第２エミッタ部１２４との間の重複領域である。第３領域１２４ｃは第１集電体１５０と直接接触し、したがって第１集電体１５０と第２エミッタ部１２４との間の重複領域である。第２領域１２４ｂは第１領域１２４ａの周囲に配置され、第１電極１４０と重複しない。第４領域１２４ｄは第３領域１２４ｃの周囲に配置され、第１集電体１５０と重複しない。したがって、第１電極１４０は第２エミッタ部１２４の第１領域１２４ａ上に配置され、第１領域１２４ａと直接接触し、第１集電体１５０は第２エミッタ部１２４の第３領域１２４ｃ上に配置され、第３領域１２４ｃと直接接触する。 …（中略）…。 ［００５６］ 本発明の第１の実施例では、第１の領域１２４ａの線幅は、第１電極１４０の線幅Ｗ２と略同等であり、第２の領域１２４ｂの線幅Ｗ３は、第１電極１４０の線幅Ｗ２の約１～８倍である。第２の領域１２４ｂは、第１領域１２４ａの両側に位置する分割であってもよいし、第２領域１２４ｂの両方の部分がＷ３と同一の線幅を有している。また、第１領域１２４ａの両側に位置する分割された第２の領域１２４ｂの両方の部分が、異なる線幅を有することができる。本発明の実施形態では、第２の領域１２４ｂの部分は、対向する側から第１領域１２４ａに縁取る。） 「図２ ［図：0001436666000018.jpg］ 図３ ［図：0001436666000019.jpg］ 」 「[0059] Further, as shown in FIG. 4, when the line width W3 of the second region 124b is zero, the conversion efficiency Eff is maintained at the predetermined level. However, the fact that the line width W3 of the second region 124b is zero indicates the line width (i.e., W2+W3) of the second emitter portion 124 is equal to the line width W2 of the first electrode 140. In this instance, it is very difficult to mass-produce the selective emitter solar cell in which the first electrode 140 and the second emitter portion 124 are aligned at a correct location.」 （日本語訳： ［００５９］ さらに、図４に示すように、第２領域１２４ｂのライン幅Ｗ３がゼロの場合、変換効率Ｅｆｆは所定レベルに維持される。しかし、第２領域１２４ｂのライン幅Ｗ３がゼロであるということは、第２エミッタ部１２４のライン幅（すなわちＷ２＋Ｗ３）が第１電極１４０のライン幅Ｗ２と等しいことを意味する。この場合、第１電極１４０と第２エミッタ部１２４とが正確な位置に整列した選択エミッタ型太陽電池を量産することは非常に困難である。） (オ) 技術常識１及び周知技術２の認定 ａ 技術常識１の認定 前記(ア)及び(イ)に摘記した引用文献５及び６の摘記事項に例示され、前記(ウ)に摘記した引用文献７の図２から見てとれるとおり、次の技術事項は、当業者にとって技術常識（以下「技術常識１」という。）であったと認められる。 ＜技術常識１＞ 「太陽電池における、いわゆるファイヤースルーによって形成されたバスバー及びフィンガー電極は、バスバー及びフィンガー電極と半導体層との間の接触抵抗を低減するために、バスバー及びフィンガー電極の少なくとも一部が、パッシベーション膜を貫通して半導体層の内部に陷入していること。」 ｂ 周知技術２の認定 前記(ウ)に摘記した引用文献７における図２から見てとれるとともに、前記(エ)に摘記した引用文献８の記載によれば、次の技術事項は、当業者にとって周知技術（以下「周知技術２」という。）であったと認められる。 ＜周知技術２＞ 「太陽電池における、半導体層の突出部上に配置される電極について、半導体層の突出部幅と電極の幅が等しい場合、半導体層の突出部と電極とが正確な位置に整列した太陽電池を量産することは困難であるから、電極の幅を半導体層の突出部の幅より小さくすること。」 (３) 本件補正発明と引用発明の対比 ア 対比分析 本件補正発明と引用発明を、以下に対比する。 (ア) 構成Ｘの観点（太陽電池） ａ 構成Ｘは、太陽電池の発明であることを特定するものである。 ｂ 「太陽電池」の発明である本件補正発明と「太陽電池」の発明である引用発明は、「太陽電池」の発明である点において一致する。 (イ) 構成Ａの観点（ベース） ａ 構成Ａは、「ベース」を備えることである。 ｂ 引用発明における「ベース２０」は、本件補正発明における「ベース」に相当する。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「ベース」を備える点。 (ウ) 構成Ｂの観点（トンネル誘電体層） ａ 構成Ｂは、「前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層」を備えることである。 ｂ 引用発明における「トンネル層２２１」の材料は、「酸化シリコン」を含み、誘電体層と理解できるから、当該「トンネル層２２１」は、本件補正発明における「トンネル誘電体層」に相当する。そして、引用発明は、「ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１、フィールドパッシベーション層２２６および第２電極２２８」を備えているところ、当該「トンネル層２２１」は、「ベース２０の下面」上に積層された層と理解できる。そうすると、引用発明における「トンネル層２２１」は、本件補正発明にいうところの「前記ベースの表面に位置する」との構成を満たしている。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層」を備える点。 (エ) 構成Ｃの観点（ドープ導電層） ａ 構成Ｃは、「前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層」を備え、当該「ドープ導電層」が、「第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有する」ことである。 ｂ(ａ) 以下に示すとおり、引用発明における「フィールドパッシベーション層２２６」は、本件補正発明における「ドープ導電層」に相当する。 すなわち、引用発明における「フィールドパッシベーション層２２６」は、引用発明の「ステップ１０２」によれば、「フィールドパッシベーション膜２２２」をエッチングすることにより形成された層と理解できるところ、当該「フィールドパッシベーション膜２２２」の材料は、「ドープされたポリシリコンを含［む］」ものであって、当該「フィールドパッシベーション膜２２２」は、「ベース２０から離れる方向に順に積層されたイオン拡散層２２３とイオン富化層２２４とを有し」ている。そして、当該「イオン富化層２２４のドーピングイオン濃度」は、「イオン拡散層２２３のドーピングイオン濃度よりも大きく」、当該「イオン拡散層２２３」は、「多数キャリアの効果的な輸送を確保するために設置され」ている。そうすると、引用発明における「フィールドパッシベーション層２２６」は、イオンがドープされた導電性の層であると理解することができる。 そして、引用発明は、「ベース２０の下面に順に積層されたトンネル層２２１、フィールドパッシベーション層２２６および第２電極２２８」との構成を備えており、当該「フィールドパッシベーション層２２６」は、「トンネル層２２１」上に積層された層と理解できるから、引用発明における「フィールドパッシベーション層２２６」は、本件補正発明にいうところの「前記トンネル誘電体層の表面に位置する」との構成を満たしている。 (ｂ) 以下に示すとおり、引用発明における「複数のサブ層２２６ａ－１」は、本件補正発明における「複数の突出部」に相当し、当該「複数のサブ層２２６ａ－１」は、本件補正発明にいうところの「第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる」との構成を満たしている。 すなわち、引用発明における「フィールドパッシベーション層２２６」は、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」及び「第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂ」により構成されているところ、「ベース２０の表面に垂直な方向において、第２フィールドパッシベーションサブ層２２６ｂの厚さは、第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａの厚さよりも小さ［い］」ものであるから、当該「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」は、「フィールドパッシベーション層２２６」における凸部と理解できる。そして、引用発明における「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」は、「複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触するサブ層２２６ａ－２」を含むものであるところ、前記の理解を踏まえると、引用発明における「複数のサブ層２２６ａ－１」は、本件補正発明における「複数の突出部」に相当するといえる。そして、「サブ層２２６ａ－１の延びる方向」は、本件補正発明における「第２方向」に相当するとともに、「サブ層２２６ａ－１の延びる方向に垂直」である「サブ層２２６ａ－２の延びる方向」は、本件補正発明における「第１方向」に相当する。 また、当該「複数のサブ層２２６ａ－１」のそれぞれが延びている（延伸している）ことに鑑みれば、当該「複数のサブ層２２６ａ－１」のそれぞれは平行に並んでいる、言い換えれば、当該「複数のサブ層２２６ａ－１」は、「サブ層２２６ａ－１の延びる方向に垂直」である「サブ層２２６ａ－２の延びる方向」に並んでいると理解することができる。 以上のことから、引用発明の「複数のサブ層２２６ａ－１」は、本件補正発明にいうところの「第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる」との構成を満たしている。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層」を備える点。 (オ) 構成Ｄ－１の観点（導電接続構造） ａ 構成Ｄ－１は、「隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造」を備えることである。 ｂ 引用発明における「サブ層２２６ａ－２」は、「複数のサブ層２２６ａ－１を接続［する］」ものであり、「サブ層２２６ａ－２の延びる方向は、サブ層２２６ａ－１の延びる方向に対して垂直である」から、当該「サブ層２２６ａ－２」は、「複数のサブ層２２６ａ－１」のそれぞれと交差する領域（以下「交差領域」という。）を有すると理解できるところ、当該「サブ層２２６ａ－２」から交差領域を除くと、当該「サブ層２２６ａ－２」に含まれる領域であって、「複数のサブ層２２６ａ－１」の間に、「複数のサブ層２２６ａ－１」に接して形成された領域（以下「サブ層２２６ａ－１間領域」という。）を観念することができる。そうすると、当該サブ層２２６ａ－１間領域は、本件補正発明における「導電接続構造」に相当するといえ、本件補正発明にいうところの「隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される」との構成を満たしている。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造」を備える点。 (カ) 構成Ｅの観点（パッシベーション層） ａ 構成Ｅは、「前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層」を備えることである。 ｂ 引用発明における「第２パッシベーション膜２２７」は、本件補正発明における「パッシベーション層」に相当する。そして、当該「第２パッシベーション膜２２７」は、「フィールドパッシベーション層２２６におけるベース２０から離れる表面を覆うように、」「沈積され［る］」ものであるから、本件補正発明にいうところの「前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆う」との構成を満たしている。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、次の点において一致する。 「前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層」を備える点。 (キ) 構成Ｆの観点（サブゲート電極） ａ 構成Ｆは、「前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから前記突出部に挿入され、前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極」を備えることである。 ｂ 引用発明における「第２電極２２８」は、「順に積層された銀電極２２８ａと、導電性ペースト２２８ｂと、電極膜２２８ｃ」を含むものであるから、「第２電極２２８」の上面形状は、「銀電極２２８ａ」の上面形状に倣うものと理解できるところ、当該「銀電極２２８ａ」は、「複数本の細いゲート線と、複数本の細いゲート線を接続するメインゲート線とを含［む］」ものであるから、「第２電極２２８」は、銀電極２２８ａにおける複数本の細いゲート線上に順に積層された導電性ペースト２２８及び電極膜２２８ｃからなる構造（以下「複数本の細いゲート電極２２８－１」という。）、及び、銀電極２２８ａにおけるメインゲート線上に順に積層された導電性ペースト２２８及び電極膜２２８ｃからなる構造（以下「メインゲート電極２２８－２」）を含むものと理解でき、当該複数本の細いゲート電極２２８－１は、本件補正発明における「複数のサブゲート電極」に相当するといえる。 ｃ 引用発明における「複数のサブ層２２６ａ－１」は、複数本の細いゲート電極２２８－１に含まれる「複数本の細いゲート線」に「接触し」ているから、当該複数本の細いゲート電極２２８－１は、本件補正発明でいうところの「前記突出部と接続されている」との構成を満たしている。 ｄ 引用発明における「ステップ１０４」によれば、「第２パッシベーション膜２２７におけるベース２０から離れる表面にスクリーン印刷プロセスで薄層の銀ペーストを印刷し、銀ペーストを乾燥及び焼結して、第２パッシベーション膜２２７を貫通して第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する銀電極２２８ａを形成［する］」ものであり、当該「銀電極２２８ａ」は、「第２電極２２８」に含まれるものである。そうすると、引用発明における「第２電極２２８」の複数本の細いゲート電極２２８－１についても、「第２パッシベーション膜２２７を貫通して第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する」ものと理解できるから、当該複数の細いゲート電極２２８－１は、本件補正発明でいうところの「前記パッシベーション層を貫通してから」前記突出部と接続されている（前記ｃ参照）との構成を満たしている。 ｅ 以上の検討結果を踏まえると、本件補正発明と引用発明は、構成Ｆの観点において、次の(ａ)の点において一致し、後記(ｂ)の点において相違する。 (ａ) 構成Ｆの観点での一致点 「前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから」「、前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極」を備える点。 (ｂ) 構成Ｆの観点での相違点 「サブゲート電極」について、本件補正発明においては、「前記突出部に挿入され［る］」のに対して、引用発明においては、「複数のサブ層２２６ａ－１」は、「複数本の細いゲート線に接触する」点。 (ク) 構成Ｄ－２の観点（導電接続構造について） ａ 構成Ｄ－２は、「導電接続構造」は、「複数あり」、「複数の前記導電接続構造」は、「前記第２方向に沿って間隔分布し」かつ「前記第１方向に沿って間隔分布する」ことである。 ｂ 前記(オ)ｂの検討によれば、引用発明におけるサブ層２２６ａ－１間領域（本願補正発明における「導電接続構造」に相当）の個数及び配置は、「複数のサブ層２２６ａ－１」及び「サブ層２２６ａ－２」におけるそれぞれの本数により定まることを理解できる。しかしながら、引用発明における「複数のサブ層２２６ａ－１」及び「サブ層２２６ａ－２」のそれぞれの本数は不明であるから、サブ層２２６ａ－１間領域の個数及び配置も不明である。 ｃ したがって、本件補正発明と引用発明は、構成Ｄ－２の観点において、次の点において相違する。 「導電接続構造」について、本件補正発明においては、「複数あり」、「複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布しかつ前記第１方向に沿って間隔分布する」のに対して、引用発明においては、サブ層２２６ａ－１間領域の個数及び配置は不明である点。 イ 一致点及び相違点 前記アの対比分析の結果をまとめると、本件補正発明と引用発明は、次の(ア)に示す一致点において一致し、後記(イ)に示す相違点において相違すると認められる。 (ア) 一致点 「ベースと、 前記ベースの表面に位置するトンネル誘電体層と、 前記トンネル誘電体層の表面に位置するドープ導電層であって、第２方向に対して直交する第１方向に沿って配列された、第２方向に沿って延びる複数の突出部を有するドープ導電層と、 隣り合う２つの前記突出部の間に位置し、前記突出部の側面に接触して接続される導電接続構造と、 前記ドープ導電層および前記導電接続構造の表面を覆うパッシベーション層と、 前記第２方向に沿って延び、前記パッシベーション層を貫通してから、前記突出部と接続されている複数のサブゲート電極と、 を備える太陽電池」である点。 (イ) 相違点 ａ 相違点１ 「サブゲート電極」について、本件補正発明においては、「前記突出部に挿入され［る］」のに対して、引用発明においては、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する」点。 ｂ 相違点２ 「導電接続構造」について、本件補正発明においては、「複数あり」、「複数の前記導電接続構造は、前記第２方向に沿って間隔分布しかつ前記第１方向に沿って間隔分布する」のに対して、引用発明においては、サブ層２２６ａ－１間領域の個数や配置は不明である点。 (４) 判断 ア 相違点１について (ア) まず、本件補正発明における「挿入され」の意味するところについて検討すると、本願明細書に「挿入」との文言はなく、審判請求書の記載によれば、【図２】を根拠とするものであるとされている。そして、「サブゲート電極１５０」の製造方法について、本願明細書の【００４５】には、「サブゲート電極１５０は、ファイヤースルー型スラリーが焼結されてなるものであってもよい。」と記載されている。したがって、ファイヤースルー型スラリーが焼結されて製造されたサブゲート電極１５０は、前記「挿入され」との構成を満たしていると理解することが自然であり、この理解は、前記(２)ウ(オ)ａに説示した技術常識１に照らしても明らかであるから、以下この理解のもとに検討する。 なお、【図２】を根拠とした「挿入」との文言によれば、「サブゲート電極１５０」の幅が「突出部１２１」の幅より小さいことを、黙示的に特定しているとみる余地もあるから、この場合については、後記(エ)で検討する。 (イ) 引用発明における「銀電極２２８ａ」は、「第２パッシベーション膜２２７におけるベース２０から離れる表面にスクリーン印刷プロセスで薄層の銀ペーストを印刷し、銀ペーストを乾燥及び焼結して」、「第２パッシベーション膜２２７を貫通して第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａに接触する銀電極２２８ａ」を形成しており、当該形成手段によれば、いわゆるファイヤースルー型であると理解できるところ、当該「第２電極２２８」が、太陽電池が光を吸収して発生するキャリアを収集する電極であることは明らかであるから、ファイヤースルーによる焼結によって「銀電極２２８ａ」と「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」とは合金化しオーミック接触が得られていると理解することが自然といえる。そうすると、引用発明における「銀電極２２８ａ」を含む「第２電極２２８」に含まれる複数本の細いゲート電極２２８－１（前記(３)ア(キ)ｂ参照）は、前記(ア)の理解によれば、本件補正発明にいうところの「前記突出部に挿入され［る］」との構成を満たしているといえる。したがって、相違点１は実質的な相違点ではない。 (ウ) 仮に、前記(イ)のように引用発明における複数本の細いゲート電極２２８－１が相違点１に係る本件補正発明でいうところの「前記突出部に挿入され［る］」ものとまではいえないとしても、前記(２)ウ(オ)ａで認定した技術常識１のとおり、「太陽電池における、いわゆるファイヤースルーによって形成されたバスバー及びフィンガー電極は、バスバー及びフィンガー電極と半導体層との間の接触抵抗を低減するために、バスバー及びフィンガー電極の少なくとも一部が、パッシベーション膜を貫通して半導体層の内部に陷入していること」は技術常識であるから、引用発明における「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」の「サブ層２２６ａ－１」と「第２電極２２８」に含まれる複数本の細いゲート電極２２８－１の接触抵抗を低減するために、前記技術常識１を適用し、相違点１に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者であれば容易になし得たことである。 (エ) 前記(ア)なお書きのとおり、「挿入され」との特定により、「サブゲート電極１５０」の幅が「突出部１２１」の幅より小さいことが黙示的に特定されているとしても、前記(２)ウ(オ)ｂで認定した周知技術２のとおり、「太陽電池における、半導体層の突出部上に配置される電極について、半導体層の突出部幅と電極の幅が等しい場合、半導体層の突出部と電極とが正確な位置に整列した太陽電池を量産することは困難であるから、電極の幅を半導体層の突出部の幅より小さくすること」は周知技術であり、引用発明に周知技術２を適用することにより、引用発明における「第２電極２２８」に含まれる複数本の細いゲート電極２２８－１の幅を「複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１」の幅より小さくすることは、当業者が容易になし得たことである。 (オ) 以上のとおりであるから、相違点１は実質的な相違点ではない。仮に、相違点１が実質的な相違点であるとしても、引用発明に周知技術を適用することにより、相違点１に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。 イ 相違点２について (ア) 前記(３)ア(ク)ｂに説示のとおり、引用発明におけるサブ層２２６ａ－１間領域（サブ層２２６ａ－２から、サブ層２２６ａ－２と複数のサブ層２２６ａ－１とが交差する領域（交差領域）を除いた領域、前記(３)ア(オ)ｂ参照）の個数及び配置は、「複数のサブ層２２６ａ－１」及び「サブ層２２６ａ－２」におけるそれぞれの本数により定まるから、引用発明から出発して相違点２に係る本件補正発明の構成に至るには、「複数のサブ層２２６ａ－１」の本数を３本以上とし、かつ「サブ層２２６ａ－２」の本数を２本以上とすること、換言すれば、「銀電極２２８ａ」における「複数本の細いゲート線」の本数、すなわち、複数本の細いゲート電極２２８－１の本数を３本以上とし、かつ「銀電極２２８ａ」における「メインゲート線」の本数、すなわち、メインゲート電極２２８－２の本数を２本以上とすることにより充足される。 すなわち、引用発明は、「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａは、複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触するサブ層２２６ａ－２とを含［む］」ものであることから、「銀電極２２８ａ」における各「ゲート線」の本数、すなわち、各「ゲート電極」の本数が定まれば、対応するサブ層２２６ａ－１間領域の個数及び配置が定まることを理解できる。 そこで、「第２電極２２８」に含まれる複数本の細いゲート電極２２８－１及びメインゲート電極２２８－２について、前記のように構成することが容易といえるかについて、以下に検討する。 (イ) 引用発明の「サブ層２２６ａ－２」に接触する「銀電極２２８ａ」は、「銀電極２２８ａ」における「メインゲート線」であり、当該「メインゲート線」は、「後続の部品製造工程における太陽電池セル間のリンクに用いられる」ものであるから、引用発明のメインゲート電極２２８－２は、いわゆるバスバー電極と理解でき、引用発明の複数本の細いゲート電極２２８－１は、いわゆるフィンガー電極と理解できる。 そして、前記(２)イ(エ)で認定した周知技術１のとおり、「太陽電池セルにおいて、互いに直交するバスバー電極及びフィンガー電極を、それぞれ３本以上設けること」は周知技術であり、当該構成が、太陽電池が光を吸収して発生するキャリアを効率的に収集するとともに抵抗損失を低減するための構成であることは、当業者には技術常識と理解できるところ、引用発明においても、キャリアを効率的に収集するとともに抵抗損失を低減することは、当然に求められる事項であるから、当業者が引用発明に前記周知技術１を適用する動機はあるといえる。 (ウ) したがって、太陽電池が光を吸収して発生するキャリアを効率的に収集するとともに抵抗損失を低減するために、引用発明に前記周知技術１を適用し、引用発明における「第２電極２２８」に含まれる複数本の細いゲート電極２２８－１及びメインゲート電極２２８－２をそれぞれ３本以上設けることは、当業者が容易になし得たことであり、この結果、相違点２に係る本件補正発明の構成に至ることとなる。 ウ 総合評価 前記ア及びイにおいて検討したとおり、引用発明において、前記相違点１及び２に係る本件補正発明の構成を備えるようにすることは、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。 そして、相違点１及び２を総合的に勘案しても、本件補正発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。 したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 エ 請求人の主張について (ア) 請求人の主張１について ａ 請求人の主張１の内容 請求人は、引用文献１に記載の発明では、第１方向及び第２方向の両方に間隔をあけて設置された「導電接続構造」がない旨、特に、引用文献１に記載の発明では、「導電接続構造」は第２方向に連続的に延在した状態にある旨を主張している。 ｂ 請求人の主張１についての検討 前記(２)ア(イ)に説示のとおり、引用文献１に記載された「第１フィールドパッシベーションサブ層２２６ａ」は、「複数本の細いゲート線に接触する複数のサブ層２２６ａ－１と、複数のサブ層２２６ａ－１を接続しメインゲート線に接触するサブ層２２６ａ－２とを含む」ものと理解でき、前記(３)ア(オ)ｂに説示のとおり、引用発明から、サブ層２２６ａ－２からサブ層２２６ａ－２と複数のサブ層２２６ａ－１とが交差する領域（交差領域）を除いた領域（サブ層２２６ａ－１間領域）を観念でき、当該サブ層２２６ａ－１間領域は、本件補正発明にいうところの「導電接続構造」に相当するといえる（なお、本願明細書の【００３７】に記載された「ドープ導電層１２０を同一の工程でエッチングすることにより、突出部１２１及び導電接続構造１３０を形成し」との記載からみて、本件補正発明の導電接続構造は、突出部と同一材料、同一厚さで実質的に連続的に延在する構成を含んでいる。）。そして、当該サブ層２２６ａ－１間領域を第１方向及び第２方向の両方に間隔をあけて設置された複数のものとすることは、前記イに説示のとおり、当業者が容易になし得たことである。 したがって、請求人の前記主張１は採用できない。 (イ) 請求人の主張２について ａ 請求人の主張２の内容 請求人は、引用文献１に記載された「サブゲート電極」は、パッシベーション層を貫通しておらず、パッシベーション層において突出部に接続されている旨を主張している。 ｂ 請求人の主張２についての検討 請求人の主張２は、引用文献１に記載された「フィールドパッシベーション層２２６」が、本件補正発明における「パッシベーション層」に相当する層との理解に基づくものと解されるが、前記(３)ア(エ)に説示のとおり、前記「フィールドパッシベーション層２２６」は、本件補正発明における「ドープ導電層」に相当する層であるから、請求人の主張２は引用文献１の記載を正解しないものである。 したがって、請求人の前記主張２は採用できない。 オ 独立特許要件の判断のまとめ 以上検討のとおり、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 したがって、本件補正により請求項１についてする補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合しない。 ４ 本件補正の却下の決定の理由のむすび 前記３(４)オのとおり、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するから、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明について 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（前記第２の１(１)参照）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 ２ 原査定における拒絶の理由の概要 原査定の本願発明に対する拒絶の理由（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。 本願発明は、優先日前に発行された下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 記 １．特開２０２２－８１３６７号公報 ２．特開２０１９－１７９８３８号公報（周知技術を示す文献） ３．国際公開第２０１１／０６５５７１号（周知技術を示す文献） ４．特開２０１９－１１７９６３号公報（周知技術を示す文献） ３ 各引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定 各引用文献に記載された事項及び引用発明等の認定は、前記第２の３(２)において示したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、本件補正発明から、前記第２の２(１)及び(２)に示した限定を省いたものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、その発明特定事項の一部を限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の３(４)において説示したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。 したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 よって、結論のとおり審決する。