2023-008256

特願２０２１－５１５６１７号「吸収層を後処理する方法」拒絶査定不服審判事件〔令和２年３月２６日国際公開、ＷＯ２０２０／０５７４８４号、令和４年１月６日国内公表、特表２０２２－５０１８２５号〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和元年）９月１７日（パリ条約による優先権主張 外国庁受理 ２０１８年（平成３０年）９月２２日 欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。 令和３年 ５月１９日 ：翻訳文の提出 令和４年 ５月１９日付け：拒絶理由通知書 同年 ８月２４日 ：意見書、手続補正書の提出 同年 ９月２７日付け：拒絶理由(最後の拒絶理由）通知書 同年１２月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 １月１６日付け：令和４年１２月５日にされた手続補正についての補正の却下の決定、拒絶査定 同年 ５月１９日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和５年５月１９日にされた手続補正についての補正の却下の決定［補正の却下の決定の結論］ 令和５年５月１９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正により請求項１の記載は、次のとおり補正されることになる（下線部は、補正箇所である。）。 「【請求項１】 入射光を電流に光電変換するための吸収層を後処理する方法であって、 担体上にカルコゲン含有吸収層を提供するステップ； 後処理層を前記吸収層の表面上に適用するステップ、ここで、前記後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び金属カルコゲニドの水素－酸素化合物からなる群から選択される少なくとも１つの後処理材料を含む；及び 前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ、を含み、 前記後処理材料は、表面の追加の清浄化の有無にかかわらず、１）前記吸収層のアルカリ不動態化のためのアルカリ金属の供給源としての、及び、２）前記吸収層の表面終端のための硫化物の供給源としての、後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う二重の機能を有し、 前記少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が、真空環境において行われる、 方法。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の請求項１の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 入射光を電流に光電変換するための吸収層を後処理する方法であって、 担体上にカルコゲン含有吸収層を提供するステップ； 後処理層を前記吸収層の表面上に適用するステップ、ここで、前記後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び金属カルコゲニドの水素－酸素化合物からなる群から選択される少なくとも１つの後処理材料を含む；及び 前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ、を含み、 前記後処理材料は、表面の追加の清浄化の有無にかかわらず、１）前記吸収層のアルカリ不動態化のためのアルカリ金属の供給源としての、及び、２）前記吸収層の表面終端のための硫化物の供給源としての、後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う二重の機能を有する、 方法。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ」が、「真空環境において行われる」ものに限定するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、前記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献の記載事項 ア 引用文献１ 原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先権主張の日（以下、この日を「本願の優先日」という。）前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平８－１０２５４６号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。 「【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体薄膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、エネルギー変換効率の高い太陽電池の光吸収層などに有用な半導体薄膜の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】Ｉｂ族、ＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜（カルコパイライト構造半導体薄膜）であるＣｕＩｎＳｅ２を光吸収層に用いた薄膜太陽電池は高いエネルギー変換効率を示し、光照射等による効率の劣化がないという利点を有していることが報告されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】ソーダライムガラスからのＮａの拡散は、ＣｕＩｎＳｅ２の成膜温度によって制御できると考えられる。しかしながら、制御可能な温度範囲の問題がある。結晶性の良好なＣｕＩｎＳｅ２を作製するには５００℃以上の成膜温度を必要とする。一方、ソーダライムガラスの軟化温度は５７０℃であり、６００℃以上となると亀裂が生じる場合がある。従って、制御可能な温度範囲は５００～６００℃の範囲内であることから、成膜温度によってＮａの拡散量を精密に制御することは困難である。また、太陽電池に使用する場合、ガラス上に電極（主にＭｏ膜）を形成する必要がある。この電極膜が障害となり、Ｎａの拡散量を減少させる。また、電極膜の厚みによりＮａの拡散量が異なるため、再現性や膜面内の不均一性が問題となる。以上より、ソーダライムガラス中のＮａをＣｕＩｎＳｅ２成膜中に自然拡散させる方法では、制御性が劣り、高品質で太陽電池に適した導電率を有するＣｕＩｎＳｅ２膜を再現性よく均一に作製することは困難である。 【０００４】また、６００℃以上の高温で結晶性に優れたカルコパイライト薄膜を形成し、より高い変換効率が得られる太陽電池を作製するためにはアルミナや金属フィルムを基板として用いる必要がある。また、使用範囲の広い柔軟性のある太陽電池を作製するためにはポリイミド等の有機フィルムを基板として用いる必要がある。これらの基板上に作製したカルコパイライト薄膜にＩａ族元素を注入することは、太陽電池の効率向上のためには有効である。ソーダライムガラス以外の基板を用いる場合、Ｎａ等のＩａ族元素をカルコパイライト薄膜に添加する方法としては前記したホルツ等のＮａのイオン注入以外には報告されていない。イオン注入法には膜面内の注入元素の分布やイオンによる膜の損傷等の問題がある。従って、Ｉａ族元素を有効にかつ制御良く添加する方法が必要となる。 【０００５】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため、本発明は、Ｉｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜にＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物を混入させる半導体薄膜の製造方法を提供する。 【０００６】本発明では、Ｉａ族とＶＩａ族元素からなる化合物を混入させる方法として４つの方法がある。第１の発明は、基体上にＩｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜を堆積する際に、Ｉａ族とＶＩａ族元素からなる化合物を同時に堆積する方法である。 【０００７】第２の発明は、基体上にＩｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜を堆積した後に、前記薄膜上にＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物薄膜を堆積する方法である。 【０００８】第３の発明は、基体上にＩａ族とＶＩａ族からなる化合物薄膜を堆積した後に、前記薄膜上にＩｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜を堆積する方法である。 【０００９】第４の発明は、Ｉｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜とＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物薄膜を交互に少なくとも２層以上堆積する方法である。 【００１０】また、第１～４の発明法で成膜した後に熱処理することが好ましく、さらには、ＶＩａ族元素を含む雰囲気中で熱処理することが好ましい。また、Ｉａ族とＶＩａ族元素からなる化合物としては、Ｌｉ２Ｓ、Ｌｉ２Ｓｅ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅからなる群の内の少なくとも一つから構成されることが好ましい。 【００１１】さらに、本発明では、前記の半導体薄膜を光吸収層に用いた太陽電池を提供する。 【００１２】 【作用】Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等のＩａ族元素のみからなるアルカリ金属は、水分や酸素と激しく反応するため取り扱いに注意を要する。従って、カルコパイライト構造半導体薄膜にＩａ族元素を添加する場合は、取扱が比較的簡単なＩａ族とＶＩａ族の化合物（以下Ｉａ－ＶＩａ化合物と記す）を用いることが有効である。ここで、化合物のＶＩａ族元素はカルコパイライト構造半導体薄膜の構成元素の一つであるため、膜中に混入しても格子欠陥や不純物欠陥が生じるといった問題はない。 【００１３】まず、第１の発明のような、カルコパイライト構造半導体薄膜を堆積する際に、同時にＩａ－ＶＩａ化合物を堆積する方法では、Ｉａ族元素を膜中に均一に分布させることが可能とある。この時、Ｉａ－ＶＩａ化合物の蒸発量あるいは蒸着速度により膜中のＩａ族の量を制御することができる。 【００１４】次に、第２～４の発明は、カルコパイライト構造半導体薄膜の断面方向にＩａ族元素を任意に分布させる方法である。太陽電池の光吸収層内でｐｎ接合面から離れるにつれキャリア濃度が増加する分布を与えると、キャリア濃度差による内部電界が生じる。光励起された少数キャリアはこの内部電界により移動しｐｎ接合面へと収集され外部へ取り出される。このような電界によるキャリアの移動では、拡散による移動に比べ、光吸収層内での再結合確率が大幅に減少するため多くの光電流が得られることになる。キャリア濃度の分布は、ほぼ不純物の分布に対応する。従って、カルコパイライト薄膜中に不純物であるＩａ族元素を分布させることにより、キャリア濃度分布による内部電界を誘起させることが可能となる。 【００１５】第２、第３の発明は、それぞれｐｎ接合を形成した後と形成する前に、キャリア濃度分布を与える方法として有効である。具体的には、第２の方法は、透明電極上のｎ形窓層にｐ形のカルコパイライト構造半導体薄膜を形成して構成されるスーパストレイト形太陽電池に対して有効であり、第３の発明は、基板上の金属電極上にｐ形カルコパイライト構造半導体薄膜を形成した後にｎ形窓層を形成して構成されるサブストレイト形太陽電池に対して有効である。また、第４の発明は、スーパストレイト形及びサブストレイト形に関わらずカルコパイライト構造半導体薄膜中に任意のキャリア濃度分布を形成することが可能である。 【００１６】また、第１～４までの発明において、Ｉａ－ＶＩａ化合物を含むカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積した後に熱処理することにより、カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素の欠損箇所にＩａ族元素が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになる。従って、キャリア濃度が増加する。さらに、第２と第３の発明においては、Ｉａ－ＶＩａ化合物膜のカルコパイライト構造半導体薄膜中への拡散を生じさせるために熱処理が必要となる。以上の熱処理においてカルコパイライト構造半導体薄膜からのＶＩａ族元素の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素を含む雰囲気中で行う方法が有効である。 【００１７】カルコパイライト構造半導体薄膜中に添加するＩａ族元素としては、イオン半径が小さく拡散速度が速いＬｉあるいはＮａが特に有効である。従って、本発明においてはＬｉ及びＮａの硫化物またはセレン化物であるＬｉ２Ｓ、Ｌｉ２Ｓｅ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅが適当である。特に、Ｌｉ２Ｓ及びＮａ２Ｓは毒性がなく、取り扱いが容易である。 【００１８】本発明を用いるとＩａ族元素の混入によりキャリア濃度及び分布を制御することが可能となるため、光励起されたキャリアを効率よく取り出すことができ太陽電池の変換効率が向上する。 【００１９】 【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。 （実施例１）図１は本発明の１実施例を示すカルコパイライト構造半導体薄膜の製造に用いる装置の模式図である。ここで、カルコパイライト構造半導体薄膜としてＣｕＩｎＳｅ２膜を作製した。真空容器１の中にある蒸着源２、３、４にはそれぞれＣｕＩｎＳｅ２の構成元素であるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅを入れ同時に蒸発させた。各蒸着源の典型的温度は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅに対し、それぞれ１２００℃、８７０℃、１８０℃である。また、蒸着源５にはＩａ－ＶＩａ化合物であるＮａ２Ｓｅを入れ蒸発させた。基板６としてはアルミナ板を用いた。また、蒸着中はヒータ７により基板を７５０℃に保持した。今回、Ｎａ２Ｓｅの蒸着源の温度を変えた５種類の膜を作製した。蒸着源の温度が高いほどＮａ２Ｓｅの蒸発速度が速くなり、膜中に含まれるＮａ量が増加することになる。図２にＮａ２Ｓｅの蒸着源の温度に対する導電率の変化を示す。図の左端に白丸印でＮａ２Ｓｅを蒸着せず同様な条件で作製した膜の導電率を表わす。図２からＮａ２Ｓｅの蒸着源の温度の上昇に従い導電率が増加していることがわかる。つまり、膜中のＮａ量の増加により低抵抗化することがわかる。蒸着源の温度１０００℃で作製した膜は、Ｎａが混入していない膜より約２桁導電率が上昇している。この膜の膜中のＮａの分布を２次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で測定した。結果を図３に示す。ここで、実線が本実施例で作製した膜のＮａの分布を表わしている。点線、破線、一点鎖線については後述する。参照のためＩｎの分布も示している。実線で示すＮａの結果とＩｎの分布の比較からＮａが膜中に均一に分布していることがわかる。 【００２０】以上から、本実施例の方法を用いると、Ｎａが膜中に均一に分布し、Ｎａ２Ｓｅの蒸着源の温度（蒸発速度）によりＣｕＩｎＳｅ２膜の導電率の制御が可能となる。 【００２１】なお、ここでは、カルコパイライト構造半導体薄膜であるＣｕＩｎＳｅ２を形成する方法として、構成元素であるＣｕ、Ｉｎ、Ｓｅの３元同時蒸着を用いたが、２元化合物であるＣｕ２ＳｅとＩｎ２Ｓｅ３の同時蒸着やＣｕＩｎＳｅ２化合物の蒸着を用いても同様な結果が得られている。 【００２２】（実施例２）図４は本発明の他の実施例を示すカルコパイライト構造半導体薄膜の製造工程の一部の略示断面図である。ここで、基板６としてアルカリ金属を含まないガラスを用いた。このガラス上に太陽電池のｎ形窓層８となるＣｄＳ膜を堆積した後に、カルコパイライト構造半導体薄膜９であるＣｕＩｎＳｅ２膜を形成した。その上にＩａ－ＶＩａ化合物膜１０であるＮａ２Ｓを堆積した。その後、空気中において３００℃で１時間熱処理を行い、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させた。ＣｄＳとＣｕＩｎＳｅ２膜の膜厚はそれぞれ０．０５、２．０μｍである。ここで、Ｎａ２Ｓの膜厚を０．０１～０．１０μｍまで変化させた試料を作製した。図５にＮａ２Ｓの膜厚に対するＣｕＩｎＳｅ２膜の導電率の変化を示す。図５にはＮａ２Ｓ膜を堆積していない膜の導電率を白丸印で示している。Ｎａ２Ｓの膜厚の増加に従い導電率が増加していることがわかる。Ｎａ２Ｓの膜厚が０．０５μｍの試料のＮａのＳＩＭＳ分布を図３の点線に示す。膜表面にＮａが高濃度に存在し、膜厚０．５μｍから急に減少している。これから、膜表面の導電率が膜中より高くなっていることが推測される。導電率の変化に対しキャリア濃度がほぼ対応することから、膜表面近傍と膜中とのキャリア濃度の違いによる内部電界が生じていると考えられる。 【００２３】次に、図４の試料の構成に対し、ガラスとＣｄＳ膜の間に電極となる透明導電膜ＩＴＯ／ＺｎＯ積層膜を挿入し、膜厚０．０５μｍのＮａ２Ｓ膜を前記と同様な条件で拡散した後に電極となるＡｕ膜を形成した構成のスーパーストレイト形太陽電池を作製した。比較のために同様な構成でＮａ２Ｓ膜を堆積していない太陽電池も作製した。ＡＭ１．５の１００ｍＷ／ｃｍ２の光を照射して電圧－電流特性を測定した結果、短絡光電流がＮａ２Ｓを堆積していない太陽電池では３２．２ｍＡ／ｃｍ２であったのに対し、本実施例の素子では３８．７ｍＡ／ｃｍ２であった。Ｎａ２Ｓ膜の拡散により電流が約２割増加したことがわかる。これは、ＳＩＭＳ結果から考えられるキャリア濃度の分布によって生じた内部電界によりＡｕ電極付近（ＳＩＭＳ分布ではＣｕＩｎＳｅ２表面付近）で励起された光キャリアを有効に取り出せるためと考えられる。 【００２４】以上より、本実施例はＩａ－ＶＩａ化合物の膜厚によりカルコパイライト構造半導体薄膜の導電率制御ができ、膜表面から膜中へとＩａ族元素が減少する分布を形成することが可能である。このようなＩａ族元素の分布によるキャリア濃度の変化はスーパーストレイト形太陽電池の効率向上に有効である。」 イ 引用文献１の記載から当業者が把握できる事項 実施例２に記載されたカルコパイライト半導体薄膜の製造工程は、「カルコパイライト半導体薄膜９であるＣｕＩｎＳｅ２膜」を形成した上に「Ｉａ－ＶＩａ化合物膜１０であるＮａ２Ｓ」を堆積している（【００２２】）ことから、【０００７】の「第２の発明」（基体上にＩｂ族とＩＩＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物半導体薄膜を堆積した後に、前記薄膜上にＩａ族とＶＩａ族元素からなる化合物薄膜を堆積する方法）に対応するものである。 そして、当該「第２の発明」では、（ｉ）カルコパイライト構造半導体薄膜を堆積した後に熱処理することにより、カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素の欠損箇所にＩａ族元素が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加するものであり、さらに、（ｉｉ）カルコパイライト構造半導体薄膜中への拡散を生じさせるために熱処理が必要となるが、以上の熱処理においてカルコパイライト構造半導体薄膜からのＶＩａ族元素の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素を含む雰囲気中で行う方法が有効であるとされる（【００１６】）ところ、実施例２においては、（ｉ）の「Ｉｂ族元素の欠損箇所にＩａ族元素が埋まり」は「Ｃｕの欠損箇所にＮａが埋まり」の意味と理解でき、（ｉｉ）の「ＶＩａ族元素の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素を含む雰囲気中で行う」は「Ｓｅの脱離を防ぐためにはＳを含む雰囲気中で行う」の意味と理解できる。 さらに、当該「第２の発明」では、Ｉａ族元素の混入によりキャリア濃度及び分布を制御することが可能となるため、光励起されたキャリアを効率よく取り出すことができ太陽電池の変換効率が向上するとされる（【００１８】）ところ、実施例２においては、「Ｉａ族元素の混入」は「Ｎａの混入」の意味と理解できる。 ウ 引用発明の認定 前記ア及びイからみて、引用文献１には、実施例２における、ＣｕＩｎＳｅ２膜（カルコパイライト半導体薄膜９）の上にＮａ２Ｓ（Ｉａ－ＶＩａ化合物膜１０）を堆積し、その後、熱処理を行って、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させる方法（【００２２】）について、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる（なお、参考までに引用発明の認定に用いた段落番号等を括弧内に記載してある。）。 「基板６としてアルカリ金属を含まないガラスを用い、 このガラス上に太陽電池のｎ形窓層８となるＣｄＳ膜を堆積した後に、カルコパイライト構造半導体薄膜９であるＣｕＩｎＳｅ２膜を形成し、 その上にＩａ－ＶＩａ化合物膜１０であるＮａ２Ｓを堆積し、その後、空気中において３００℃で１時間熱処理を行い、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させる方法であって、（【００２２】） Ｉａ－ＶＩａ化合物（Ｎａ２Ｓ）を含むカルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）を堆積した後に熱処理することにより、カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加し、さらに、Ｉａ－ＶＩａ化合物膜（Ｎａ２Ｓ）のカルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）中への拡散を生じさせるために熱処理が必要となるが、以上の熱処理においてカルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）からのＶＩａ族元素（Ｓｅ）の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素（Ｓ）を含む雰囲気中で行う方法が有効であり、（【００１６】、前記イ） Ｉａ族元素（Ｎａ）の混入によりキャリア濃度及び分布を制御することが可能となるため、光励起されたキャリアを効率よく取り出すことができ太陽電池の変換効率が向上する、（【００１８】、前記イ） 方法。」 （３）引用発明との対比 ア 本件補正発明と引用発明とを対比する。 （ア）本件補正発明の「入射光を電流に光電変換するための吸収層を後処理する方法であって、」との発明特定事項について 引用発明の「カルコパイライト構造半導体薄膜９であるＣｕＩｎＳｅ２膜」は、本件補正発明の「吸収層」に相当することが明らかである。そして、当該「ＣｕＩｎＳｅ２膜」が本件補正発明でいう「入射光を電流に光電変換するための」ものであることも明らかである。 また、引用発明の方法は、「ＣｕＩｎＳｅ２膜を形成し」た後、「空気中において３００℃で１時間熱処理を行い、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させる方法」であるところ、当該方法は、本件補正発明の「吸収層を後処理する方法」に相当する。 したがって、引用発明は本件補正発明の上記発明特定事項を満たしている。 （イ）本件補正発明の「担体上にカルコゲン含有吸収層を提供するステップ」との発明特定事項について 引用発明の「基板６」は、本件補正発明の「担体」に相当する。また、引用発明の「ＣｕＩｎＳｅ２膜」（本件補正発明の「光吸収層」に相当。）は、「Ｓｅ」がカルコゲンであることから、本件補正発明の「カルコゲン含有吸収層」に相当する。 そして、引用発明は、「基板６としてアルカリ金属を含まないガラスを用い、このガラス上に」「カルコパイライト構造半導体薄膜９であるＣｕＩｎＳｅ２膜を形成」しているから、本件補正発明でいう「担体上にカルコゲン含有吸収層を提供するステップ」を備えている。 したがって、引用発明は本件補正発明の上記発明特定事項を満たしている。 （ウ）本件補正発明の「後処理層を前記吸収層の表面上に適用するステップ、ここで、前記後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び金属カルコゲニドの水素－酸素化合物からなる群から選択される少なくとも１つの後処理材料を含む」との発明特定事項について 引用発明は、「ＣｕＩｎＳｅ２膜」の「上にＮａ２Ｓを堆積」するものであるところ、当該「Ｎａ２Ｓ」を「堆積し」た構造は、「層」を構成していると解される。そして、当該「Ｎａ２Ｓ」は、「ＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させ」られることから、本件補正発明の「後処理材料」に相当し、当該「Ｎａ２Ｓ」を「堆積し」た構造は、本件補正発明の「後処理層」に相当する。また、当該「Ｎａ２Ｓ」を「堆積し」た構造が、本件補正発明でいう「前記吸収層の表面上に適用するステップ」を経た後に形成されていることは、明らかである。 加えて、当該「Ｎａ２Ｓ」は、本件補正発明の「金属カルコゲニド」に含まれることから、引用発明は、本件補正発明でいう「前記後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び金属カルコゲニドの水素－酸素化合物からなる群から選択される少なくとも１つの後処理材料を含む」ものといえる。 したがって、引用発明は本件補正発明の上記発明特定事項を満たしている。 （エ）「前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ、を含み、」との発明特定事項について 引用発明の「Ｎａ２Ｓ」（本件補正発明の「後処理材料」に相当。）は、ＣｕＩｎＳｅ２膜の上に堆積された後に熱処理を行うことでＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させられることから、引用発明は、本件補正発明でいう「前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ、を含」んでいることになる。 したがって、引用発明は本件補正発明の上記発明特定事項を満たしている。 （オ）本件補正発明の「前記後処理材料は、表面の追加の清浄化の有無にかかわらず、１）前記吸収層のアルカリ不動態化のためのアルカリ金属の供給源としての、及び、２）前記吸収層の表面終端のための硫化物の供給源としての、後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う二重の機能を有し、」との発明特定事項について 引用発明の「Ｎａ２Ｓ」（本件補正発明の「後処理材料」に相当。）は、「空気中において３００℃で１時間熱処理」を行うことによって、「ＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させ」られるものであって、この「熱処理」により、「カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加」するものであり、さらに、この「熱処理」において「カルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）からのＶＩａ族元素（Ｓｅ）の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素（Ｓ）を含む雰囲気中で行う方法が有効」とされるものであるが、本件補正発明の上記発明特定事項を満たしているかは不明である。 （カ）本件補正発明の「前記少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が、真空環境において行われる、」との発明特定事項について 引用発明は、「空気中において３００℃で１時間熱処理を行い、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させる」ものであるから、本件補正発明と引用発明は、「前記少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が、」所定の「環境において行われる」点で共通するが、所定の環境が、本件補正発明は「真空環境」であるのに対し、引用発明は「空気中」の環境である。 イ 前記アによれば、本件補正発明と引用発明は、以下の点で一致し、以下の点で一応相違するか、又は相違する。 【一致点】 「入射光を電流に光電変換するための吸収層を後処理する方法であって、 担体上にカルコゲン含有吸収層を提供するステップ； 後処理層を前記吸収層の表面上に適用するステップ、ここで、前記後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び金属カルコゲニドの水素－酸素化合物からなる群から選択される少なくとも１つの後処理材料を含む；及び 前記少なくとも１つの後処理材料を前記吸収層中に熱拡散するステップ、を含み、 前記少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が、所定の環境において行われる、 方法。」 【相違点１】 「前記後処理材料」が、本件補正発明は、「表面の追加の清浄化の有無にかかわらず、１）前記吸収層のアルカリ不動態化のためのアルカリ金属の供給源としての、及び、２）前記吸収層の表面終端のための硫化物の供給源としての、後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う二重の機能を有」しているのに対し、引用発明は、「空気中において３００℃で１時間熱処理」を行うことによって、「ＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させ」られるものであって、この「熱処理」により、「カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加」するものであり、さらに、この「熱処理」において「カルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）からのＶＩａ族元素（Ｓｅ）の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素（Ｓ）を含む雰囲気中で行う方法が有効」とされるものである点。 【相違点２】 「少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が」「行われる」所定の環境が、本件補正発明は「真空環境」であるのに対して、引用発明は「空気中」の環境である点。 （４）判断 ア 相違点１について （ア）相違点１に係る本件補正発明の構成（以下「本件構成」という。）は、「前記後処理材料」が「表面の追加の清浄化の有無にかかわらず」「二重の機能」を有することを特定するものである。しかるに、本件構成は、あくまで「前記後処理材料」の機能を特定することから、本件構成が本件補正発明に特定されたことによっては、本件補正発明が対象とする「方法」について、「表面の追加の清浄化」という工程が行われることも行われないことも特定されていないと解される。 そして、本件構成における「後処理材料」が有する「二重の機能」は、「後処理材料」が「前記吸収層中に熱拡散」されることによって奏されると解されるところ、「表面の追加の清浄化」は、「吸収層の表面上に存在する後処理材料（すなわち、非拡散後処理材料）」を除去するものである（本件補正後の本願の発明の詳細な説明及び図面（以下「本件補正明細書等」という。）の【００４８】）ことから、当該「表面の追加の清浄化」によって「二重の機能」の発現に由来する「前記吸収層中に熱拡散」された物質が除去されることはないのであり、そのため、当該「表面の追加の清浄化」が行われるか否かにより、当該「二重の機能」が奏されたり奏されなかったりすることもない。換言すれば、吸収層中に熱拡散されることによって当該「二重の機能」を奏するような「後処理材料」であれば、「表面の追加の清浄化」が行われようが行われまいが、当該「二重の機能」を奏するし、その逆も成り立つ。 このように、本件構成のうち「表面の追加の清浄化の有無にかかわらず」との特定は、「表面の追加の清浄化」という工程が行われることも行われないことも特定しておらず、「前記後処理材料」が「二重の機能」を有することに対して追加的な限定を行うものともいえないことから、実質的には意味を持たないと解するのが相当である。 （イ）前記（ア）によれば、引用発明の「Ｎａ２Ｓ」（本件補正発明の「後処理材料」に相当。）が、相違点１に係る本件補正発明の構成（本件構成）を満たしているか否かは、当該「Ｎａ２Ｓ」が、「１）前記吸収層のアルカリ不動態化のためのアルカリ金属の供給源としての」「機能」（以下「本件アルカリ金属供給源機能」という。）と「２）前記吸収層の表面終端のための硫化物の供給源としての、後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う」「機能」（以下「本件硫化物供給源機能」という。）を有しているか否かによって判断すれば足りることになるので、以下検討する。 ａ 引用発明の「Ｎａ２Ｓ」が本件アルカリ金属供給源機能を有しているか 引用発明では、当該「Ｎａ２Ｓ」のうち「Ｎａ」について、「空気中において３００℃で１時間熱処理」により、「カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加」するとされている。そうすると、当該「Ｎａ２Ｓ」が、本件アルカリ金属供給源機能のうち、「アルカリ金属の供給源」としてのものに該当することは明らかである。 また、本件アルカリ金属供給源機能のうち、「前記吸収層のアルカリ不動態化のための」ものに該当するかについても、「吸収層のアルカリ不動態化」とは、アルカリ金属の添加によって生じる結晶粒界及び／又は電気的に活性な欠陥の不動態化を意味する（本件補正明細書等の【００４２】）のであり、引用発明でも、「カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋ま」るのであるから、これに該当するといえる。 したがって、引用発明の「Ｎａ２Ｓ」は、本件アルカリ金属供給源機能を有している。 ｂ 引用発明の「Ｎａ２Ｓ」が本件硫化物供給源機能を有しているか （ａ）引用発明では、当該「Ｎａ２Ｓ」のうち「Ｓ」について、「空気中において３００℃で１時間」の「熱処理」において「カルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）からのＶＩａ族元素（Ｓｅ）の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素（Ｓ）を含む雰囲気中で行う方法が有効」とされている。このように、引用発明では、「熱処理」による「ＣｕＩｎＳｅ２膜」からの「Ｓｅ」の脱離が、「Ｓ」を含む雰囲気においては、防がれるとされるところ、その際においては、「ＣｕＩｎＳｅ２膜」における「Ｓｅ」の表面欠陥を「Ｓ」が終端するという現象が生じていると解される。すなわち、表面に欠陥（表面欠陥）が存在することが技術常識に照らして当然であることから、引用発明の「ＣｕＩｎＳｅ２膜」にも、表面欠陥が存在し、それには、当然、「Ｓｅ」の表面欠陥も含まれる。そして、引用発明では、「Ｎａ２Ｓ」が、上記のとおり、「空気中において３００℃で１時間熱処理」を行うことによって、「ＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させ」られるものであるから、「Ｓ」も当該「ＣｕＩｎＳｅ２膜」中に拡散すると解するのが自然であるし、このことは、本件補正明細書等の【００４６】に「少なくとも１つの後処理材料の吸収層への拡散は、例えば、後処理層が３００℃～７００℃の範囲の温度で高温基板（吸収層を有する担体）上に適用される場合、カルコゲン含有雰囲気又はカルコゲン非含有雰囲気、特に不活性ガス中で起こる」と記載されている一方で、引用発明における「熱処理」温度も上記のとおり「３００℃」であることからも首肯できる。以上のように、引用発明では、「空気中において３００℃で１時間」の「熱処理」において、「ＣｕＩｎＳｅ２膜」における「Ｓｅ」の表面欠陥を「Ｎａ２Ｓ」に由来する「Ｓ」が終端するという現象が生じているといえることから、当該「Ｎａ２Ｓ」は、本件硫化物供給源機能のうち、「前記吸収層の表面終端のための」ものに該当するといえる。 また、本件硫化物供給源機能のうち「後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う」ものに該当するかについても、当該シグナルの増加は、吸収層の表面近傍のＳ元素の量が、Ｓを含む後処理材料の吸収層への熱拡散により増加すれば、当然に満たされることになることから、これに該当するといえる。 （ｂ）仮に、前記（ａ）のように、引用発明で「空気中において３００℃で１時間」の「熱処理」において、「ＣｕＩｎＳｅ２膜」における「Ｓｅ」の表面欠陥を「Ｎａ２Ｓ」に由来する「Ｓ」が終端するという現象が生じているとはいえないとしても、引用発明は、「熱処理」により、「カルコパイライト構造半導体薄膜中のＩｂ族元素（Ｃｕ）の欠損箇所にＩａ族元素（Ｎａ）が埋まり、格子欠陥によるキャリアの捕獲を減少させることになり、従って、キャリア濃度が増加」するものであり、さらに、この「熱処理」において「カルコパイライト構造半導体薄膜（ＣｕＩｎＳｅ２膜）からのＶＩａ族元素（Ｓｅ）の脱離を防ぐためにはＶＩａ族元素（Ｓ）を含む雰囲気中で行う方法が有効」とされるものであることから、その効果をさらに得るようにするために、堆積させる「Ｎａ２Ｓ」の量を増加させるようにすることは、当業者が適宜なし得たことであり、このようにすることにより、必然的に、「Ｎａ２Ｓ」のうちの「Ｓ」が、本件硫化物供給源機能でいう「吸収層の表面終端」を行い、「後処理後の表面Ｓ相関ラマンシグナルの増加を伴う」ものとなると考えられる。 ｃ 以上によれば、相違点１は実質的でないか、仮に実質的であるとしても、当業者が適宜至ることができる程度のものにすぎない。 イ 相違点２について 引用発明は、「３００℃で１時間熱処理を行い、Ｎａ２ＳをＣｕＩｎＳｅ２膜中に拡散させる」ことを空気中で行っている。 ここで、熱拡散処理を行う際に、外部環境からの汚染を防ぐために、真空中で行うことは周知技術であると認められる。すなわち、例えば、特開平７－１８３２４７号公報の【００５２】・【００５３】では、拡散工程あるいはアニール工程を行う際に、酸素による汚染（酸化）を防ぐために真空中で行うことが記載されているし、特開２００４－２８１５２５号公報の【０００８】・【００１０】・【００２０】・【００２２】・【００４６】では、低温拡散炉における熱処理を行う際に、大気雰囲気下での酸素による汚染（酸化）を防ぐために、同一真空雰囲気下で行うことで、大気雰囲気での作業者の介在を排除し、バリアメタル層表面が汚染したり自然酸化膜が堆積することもないと記載されている。 そして、引用発明においても、外部環境からの汚染を防ぐことは当然の課題であることから、当該課題を解決するために上記周知技術を採用して、相違点２に係る本願発明の構成に至ることは、当業者にとって容易である。 ウ 本件補正発明の効果について 本件補正発明の奏する作用効果は、本件補正発明の構成が奏するものとして、引用発明及び前記周知技術に基づいて当業者が予測することができなかった顕著なものということはできない。 （５）請求人の主張 請求人は、引用文献１には、相違点２に係る本件補正発明の構成（後処理材料の吸収層への拡散を真空環境で行うこと）が開示されておらず、そのような構成により、バッファ層への水酸化物又は追加の酸素の混入が防止されるとともに、バッファ層の堆積を、吸収層の表面Ｇａ空乏化をもたらすＣＢＤではなく、スパッタリングによって実現できるような効果を奏する旨主張する。 しかしながら、請求人が主張する効果は、いずれもバッファ層に係るものであるところ、本件補正発明には、バッファ層が特定されていないから、請求人の主張は、請求項の記載に基づくものではなく採用できない。 （６）小括 したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、前記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、前記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、令和４年８月２４日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、又は、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記少なくとも１つの後処理材料の前記吸収層への拡散が、真空環境において行われる」との限定事項を削除したものである。 そうすると、前記第２の［理由］２（４）アを踏まえると、本願発明は引用発明であるし、また、仮にそうではないとしても、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。