2023-020677

特願２０２１－５６８０８９「ハイブリッド接合構造およびハイブリッド接合方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年１１月１９日国際公開、ＷＯ２０２０／２２７９６１、令和 ４年 ７月２１日国内公表、特表２０２２－５３３１０４〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０１９年（令和１年）５月１５日を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和３年１２月２２日 ：手続補正書の提出 令和５年 ２月１３日付け：拒絶理由通知書 令和５年 ５月１０日 ：意見書、手続補正書の提出 令和５年 ８月 ８日付け：拒絶査定（以下、「原査定」という。） 令和５年１２月 ５日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和５年１２月 ５日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和５年１２月 ５日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について （１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、本件補正後の請求項１の記載は、次のとおりである。（下線部は、手続補正書の記載のとおりである。） 「 【請求項１】 第1のチップおよび第2のチップを備えるハイブリッド接合構造であって、 前記第1のチップの表面は、第1の誘電体層および第1の金属層を含み、前記第1の誘電体層は、第1の絶縁誘電体を含み、前記第1の金属層は、第1の金属を含み、前記第1の金属の縁と前記第1の絶縁誘電体との間に第1の間隙領域があり、 前記第2のチップの表面は、第2の誘電体層および第2の金属層を含み、前記第2の誘電体層は、第2の絶縁誘電体を含み、前記第2の金属層は、第2の金属を含み、前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ、 前記第1の金属の表面は、前記第1の絶縁誘電体の表面よりも高く、 前記第2の金属の表面は、前記第2の絶縁誘電体の表面よりも低く、 金属接合は、前記第1の金属が前記第2の金属と接触した後に形成され、前記第1の金属は、前記第1の間隙領域内で縦方向および横方向に変形され、 絶縁誘電体接合は、前記第1の絶縁誘電体が前記第2の絶縁誘電体と接触した後に形成される、ハイブリッド接合構造。」 （２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、令和５年５月１０日に提出された手続補正書の、特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。 「 【請求項１】 第1のチップおよび第2のチップを備えるハイブリッド接合構造であって、 前記第1のチップの表面は、第1の誘電体層および第1の金属層を含み、前記第1の誘電体層は、第1の絶縁誘電体を含み、前記第1の金属層は、第1の金属を含み、前記第1の金属の縁と前記第1の絶縁誘電体との間に第1の間隙領域があり、 前記第2のチップの表面は、第2の誘電体層および第2の金属層を含み、前記第2の誘電体層は、第2の絶縁誘電体を含み、前記第2の金属層は、第2の金属を含み、 前記第1の金属の表面は、前記第1の絶縁誘電体の表面よりも高く、 前記第2の金属の表面は、前記第2の絶縁誘電体の表面よりも低く、 金属接合は、前記第1の金属が前記第2の金属と接触した後に形成され、前記第1の金属は、前記第1の間隙領域内で縦方向および横方向に変形され、 絶縁誘電体接合は、前記第1の絶縁誘電体が前記第2の絶縁誘電体と接触した後に形成される、ハイブリッド接合構造。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「第2の金属」及び「第2の絶縁誘電体」について、「前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ」るとの限定を付加するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１）本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 （２）引用文献１の記載、及び引用発明 ア 引用文献１の記載 原査定の拒絶の理由で引用された特開２０１６－１８８７９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【技術分野】 【０００１】 本実施形態は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。 【背景技術】 【０００２】 従来、基板に半導体素子や集積回路が形成されたチップを多段に貼合することによって、半導体装置の占有面積を低減する技術がある。貼合されるチップの各貼合面には、絶縁層が設けられ、各絶縁層の対応する位置には、チップが貼合されることによって接続される複数の電極が設けられる。かかる各チップは、貼合面が平坦になるように研磨されてから貼合される。 【０００３】 しかしながら、各チップの貼合面を研磨する工程では、絶縁層の貼合面と電極の貼合面とが面一とならない場合がある。かかる場合、チップ同士の接合部分に接合不良が生じて歩留まりが低下することがある。 ・・・（中略）・・・ 【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００５】 一つの実施形態は、歩留まりを向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【０００６】 一つの実施形態によれば、半導体装置が提供される。半導体装置は、絶縁層と、電極と、溝とを備える。絶縁層は、基板の表面に設けられる。電極は、前記絶縁層に埋設されて一方の端面が絶縁層から露出する。溝は、前記電極の外側面を一方の側面とし、前記絶縁層の表面側が開放されて前記電極を囲む。」 「【発明を実施するための形態】 【０００８】 以下に添付図面を参照して、実施形態に係る半導体装置および半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下では、半導体装置が固体撮像装置である場合を例に挙げて説明するが、実施形態に係る半導体装置は、固体撮像装置に限定されるものではない。 【０００９】 （第１の実施形態） 図１および図２は、第１の実施形態に係る半導体装置１を示す斜視による説明図であり、図２は、図１に示す半導体装置１の分解斜視図である。図１に示すように、半導体装置１は、互いに貼合される第１チップ２と、第２チップ３とを備える。 ・・・（中略）・・・ 【００１２】 図２に示すように、第２チップ３は、ロジック回路などが設けられる基板３１と、基板３１の上側表面に設けられる絶縁層３２と、絶縁層３２に埋設されて一方の端面が絶縁層３２から露出する複数の電極３３とを備える。各電極３３は、例えば、基板３１内部の配線を介してロジック回路などに接続される。 【００１３】 一方、第１チップ２は、ＣＭＯＳセンサ２０などが設けられる基板２１と、基板２１の下側表面に設けられる絶縁層２２と、絶縁層２２における第２チップ３の電極３３と対応する位置に埋設され、一方の端面が絶縁層２２から露出する複数の対応電極とを備える。各対応電極は、例えば、基板２１内部の配線を介してＣＭＯＳセンサ２０などに接続される。 【００１４】 これら第１チップ２および第２チップ３は、各貼合面が研磨されて平坦化された後、接着剤を使用せずに直接貼合される。これにより、第１チップ２と第２チップ３とは、絶縁層２１，２２間の分子間力による水素結合によって仮接合される。その後、第１チップ２および第２チップ３には、熱処理が施される。これにより、第１チップ２と第２チップ３とは、絶縁層２２，３２間の共有結合によって本接合される。 【００１５】 このように、半導体装置１では、第１チップ２が備えるＣＭＯＳイメージセンサ２０の下面に設けられる対応電極と、第２チップ３の上面に設けられる電極３３とを接続することができる。したがって、例えば、第２チップ３が備えるロジック回路によれば、ＣＭＯＳイメージセンサ２０の直下から信号の読み出しを行うことができるので、チップの占有面積を低減することが可能となる。 【００１６】 かかる半導体装置１では、第１チップ２の貼合面が研磨された場合に、絶縁層２２の貼合面と、対応電極の貼合面とが面一にならないことがある。同様に、第２チップ３でも、貼合面が研磨された場合に、絶縁層３２の貼合面と、電極３３の貼合面とが面一にならないことがある。 【００１７】 そして、第１チップ２の対応電極が絶縁層２２の接合面から突出していると、第１チップ２と第２チップ３とを貼合した際に、電極３３と対応電極との接合部分が接合面の面方向へせり出し、周囲の絶縁層２２，３２間に挟まることがある。 【００１８】 このように、電極３３や対応電極のせり出し部分が絶縁層２２，３２間に挟まった場合、絶縁層２２，３２間にボイドと呼ばれる未接合部が生じ、ボイドが原因となって第１チップ２が第２チップ３から剥がれて半導体装置１の歩留まりが低下する恐れがある。 【００１９】 そこで、半導体装置１では、第１チップ２および第２チップ３の各貼合面の形状を工夫することによって、歩留まりの向上を可能とした。かかる第１チップ２および第２チップ３における接合部分の形状について、次に、図３および図４を参照して説明する。 【００２０】 なお、第１チップ２および第２チップ３の各貼合面の構成は同様であるため、ここでは、第２チップ３における貼合面の形状について説明し、第１チップ２については、その説明を省略する。 【００２１】 図３は、実施形態に係る第２チップ３の電極３３部分を示す平面視による説明図である。また、図４は、図３に示すＡ－Ａ´線による第２チップ３の模式的な断面を示す説明図である。なお、図４には、基板３１上面の絶縁層３２が設けられる部分を選択的に図示しており、その他の部分については、図示を省略している。 【００２２】 図３および図４に示すように、第２チップ３は、絶縁層３２に埋設されて一方の端面が絶縁層３２から露出する電極３３を備える。電極３３は、外側面および底面がバリアメタル３４によって形成され、バリアメタル３４の内周面がシード膜３５によって被覆され、シード膜３５によって被覆された空間内に導電性材料によって形成されるコンタクトプラグ３６が設けられる構造である。 【００２３】 かかる電極３３は、図４に示すように、基板３１内に設けられる配線３７に接続され、配線３７を介して、例えば、ロジック回路などに接続される。なお、電極３３と配線３７との接続部を除く基板３１と絶縁層３２との間には、絶縁膜３８が設けられる。 【００２４】 また、第２チップ３は、図３および図４に示すように、電極３３の外側面を一方の側面とし、絶縁層３２の表面側が開放されて電極３３を環状に囲む溝３９を備える。これにより、半導体装置１では、仮に第１チップ２の対応電極が絶縁層２２の接合面から突出していても、第１チップ２と第２チップ３とを貼合した際に、電極３３と対応電極との接合部分が周囲の絶縁層２２，３２間に挟まることを抑制することができる。かかる点について、次に、図５および図６を参照して説明する。 【００２５】 図５は、第１の実施形態に係る貼合前の第１チップ２および第２チップ３の模式的な断面を示す説明図であり、図６は、第１の実施形態に係る貼合後の第１チップ２および第２チップ３の模式的な断面を示す説明図である。 ・・・（中略）・・・ 【００３０】 ここで、第１チップ２では、例えば、研磨に使用されるスラリーの配合などに起因して、対応電極２３が十分に研磨されず、絶縁層２２の貼合面から突出することがある。この状態から第１チップ２を第２チップ３へ貼合すると、対応電極２３が絶縁層２２から突出しているため、図６に示すように、対応電極２３と電極３３との接合部分が接合面の面方向へせり出す場合がある。 【００３１】 このような場合、絶縁層２２，３２に溝２９，３９がなければ、対応電極２３および電極３３のせり出した接合部分が絶縁層２２，３２間に挟まり、ボイドが生じて接合不良やチップ剥離の原因となる。 【００３２】 そこで、半導体装置１では、電極３３の周囲に溝３９が設けられ、対応電極２３の周囲に溝２９が設けられる。これにより、半導体装置１では、これらの溝２９，３９内の空間が、対応電極２３および電極３３のせり出した接合部分の逃げ場となる。 【００３３】 したがって、半導体装置１によれば、対応電極２３および電極３３のせり出した接合部分が絶縁層２２，３２間へ挟まることによるボイドや接合不良に起因したチップ剥離を抑制することによって、歩留まりを向上させることができる。」 「【００３８】 次に、図８および図９を参照し、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造方法について説明する。図８および図９は、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造工程を示す説明図である。ここでは、第２チップ３の電極３３部分を形成する製造工程について説明する。なお、第１チップ２の対応電極２３部分を形成する製造工程は、電極３３を形成する製造工程と同様である。 【００３９】 図８の（ａ）に示すように、第２チップ３の電極３３部分を形成する場合には、内部に配線３７やロジック回路などが形成された基板３１を用意する。なお、第１チップ２の対応電極２３部分を形成する場合には、内部に配線２７やＣＭＯＳイメージセンサ２０などが形成された基板２１を用意する。配線３７は、例えば、ダマシン法によって形成されるＣｕ（銅）配線である。 【００４０】 続いて、基板３１の表面に、例えば、窒化シリコンなどの絶縁材料によって絶縁膜３８を形成した後、絶縁膜３８の表面に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）などの絶縁材料によって絶縁層３２を形成する。 【００４１】 その後、図８の（ｂ）に示すように、絶縁層３２における電極３３の形成位置に、開口４１を形成する。ここでは、まず、絶縁層３２の表面部分に、後に形成する電極３３の貼合面と略同一開口面積の孔を形成した後、孔の底面中央から配線３７の上面まで達するビアを形成することによって、開口４１を形成する。 【００４２】 続いて、図８の（ｃ）に示すように、開口４１の内周面および絶縁層３２の上面に、例えば、Ｔａ（タンタル）、ＴａＮ（窒化タンタル）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＷ（チタンタングステン）などの導電材料によってバリアメタル３４を成膜する。 【００４３】 その後、バリアメタル３４の表面に、例えば、Ｃｕなどの導電材料によってメッキ用のシード膜３５を成膜した後、電解メッキによってシード膜３５の表面にＣｕを析出させてコンタクトプラグ３６を形成する。これにより、電極３３が形成される。なお、シード膜３５およびコンタクトプラグ３６の材料は、Ｃｕに限定されるものではなく、Ｃｕ以外の金属であってもよい。 【００４４】 続いて、図９の（ａ）に示すように、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって、絶縁層３２および電極３３上の不要なＣｕを除去する。その後、タッチアップＣＭＰによって第２チップ３の表面を研磨することにより、絶縁層３２上のバリアメタル３４を除去し、絶縁層３２および電極３３の貼合面を面一とする。 【００４５】 続いて、図９の（ｂ）に示すように、溝３９の形成位置を除く絶縁層３２の上面および電極３３の上面にレジスト５１を形成し、レジスト５１をマスクとしてドライエッチングを行う。これにより、図９の（ｃ）に示すように、溝３９が形成される。最後にレジスト５１を除去することによって、図４に示す第２チップ３が完成する。なお、絶縁層３２を選択的にエッチングする条件の場合、電極３３上にレジスト５１を形成する必要はない。 【００４６】 上述したように、第１の実施形態に係る半導体装置１は、基板３１の表面に絶縁層３２が設けられ、絶縁層３２に電極３３が埋設される。そして、絶縁層３２には、電極３３を囲むように環状の溝３９が設けられる。 【００４７】 かかる半導体装置１によれば、第２チップ３の電極３３が絶縁層３２から突出する場合や、第１チップ２の対応電極２３が絶縁層２２から突出する場合に、第１チップ２が第２チップ３から剥落することを抑制することで歩留まりを向上させることができる。」 「【００５６】 （第２の実施形態） 次に、図１１～図１３を参照し、第２の実施形態に係る半導体装置について説明する。第２の実施形態に係る半導体装置は、絶縁層の形状が図５に示す絶縁層２２，３２と異なる点を除き、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様の構成である。 【００５７】 また、第２の実施形態に係る第１チップの絶縁層および第２チップの絶縁層の形状は同一である。このため、ここでは、第２の実施形態に係る第２チップの形状について説明し、第１のチップについては、その説明を省略する。 【００５８】 図１１は、第２の実施形態に係る第２チップ３ｂの模式的な断面を示す説明図である。また、図１２は、第２の実施形態に係る第２チップ３ｂの製造工程を示す説明図である。また、図１３は、第２の実施形態に係る貼合前の第１チップ２ｂおよび第２チップ３ｂの模式的な断面を示す説明図である。 【００５９】 なお、ここでは、図１１に示す第２チップ３ｂの構成要素のうち、図４に示す第２チップ３の構成要素と同一の材料によって形成され、同一の機能を担う構成要素については、図４に示す符号と同一の符号を付することにより、その説明を省略する。 【００６０】 図１１に示すように、第２チップ３ｂは、電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出している点が、図４に示す第２チップ３とは異なる。かかる第２チップ３ｂを製造する場合には、まず、図１２（ａ）に示すように、第１の実施形態に係る第２チップ３を用意する。 【００６１】 そして、第１チップ３に設けられた電極３３の貼合面となる上面にレジスト５２を形成する。続いて、図１２の（ｂ）に示すように、レジスト５２をマスクとして、絶縁層３２に対するエッチングを行うことによって、絶縁層３２の貼合面および溝３９の底面を絶縁層３２の深さ方向へ厚さｄ分後退させる。その後、レジスト５２を除去することによって、図１１に示す第２チップ３ｂが完成する。なお、絶縁層３２を選択的にエッチングする条件の場合、電極３３上にレジスト５２を形成する必要はない。 【００６２】 かかる第２チップ３ｂによれば、電極３３や対応電極２３の貼合面が製造過程で窪んだ場合であっても、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることができる。具体的には、図１３に示すように、第１チップ２ｂは、電極２３の貼合面に窪みが生じる場合がある。 【００６３】 かかる窪みは、例えば、対応電極２３および絶縁層２２の貼合面を面一にする研磨工程において、対応電極２３が絶縁層２２に比べて過度に研磨された場合に生じることがある。このような場合であっても、図１３に示すように、第２の実施形態によれば、第１チップ２ｂの対応電極２３が絶縁層２２の表面から高さｄ分突出し、第２チップ３ｂの電極３３が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出する。 【００６４】 このため、対応電極２３の貼合面が窪んだ場合であっても、第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合することによって、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることができる。また、第１チップ２ｂには、第１の実施形態と同様に溝２９があり、第２チップ３ｂにも、第１の実施形態と同様に溝３９がある。 【００６５】 これにより、第２の実施形態によれば、電極３３と対応電極２３との接合部分が接合面の面方向へせり出したとしても、せり出した部分が絶縁層２２，３２間に挟まることを抑制することができるので、チップ剥離に起因した歩留まりの低下を抑制することができる。」 「【００７２】 上述したように、第２の実施形態によれば、電極３３の貼合面が絶縁層３２の表面から突出し、溝３９を備える第２チップ３ｃを提供することができる。第２の実施形態によれば、第２チップ３ｂ，３ｃの電極３３および第１チップ２ｂの対応電極２３の貼合面に窪みが生じる場合であっても、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることが可能となり接続不良による歩留まりの低下を抑制することができる。 【００７３】 なお、第１および第２の実施形態では、貼合される２枚のチップ双方の貼合面に溝がある場合について説明したが、溝は少なくとも一方のチップの貼合面に設けられてもよい。一方のチップに溝が設けられていれば、その溝が電極のせり出した接合部分の逃げ場となるので、電極のせり出した接合部分が比較的小さければ、第１および第２の実施形態と同様に歩留まりを向上させることができる。 【００７４】 また、第２の実施形態では、貼合される２枚のチップ双方の電極を絶縁層から突出させる場合について説明したが、電極を絶縁層から突出させるのは、少なくとも一方のチップであってもよい。かかる構成によっても、貼合される２枚のチップの電極を十分適切に接続させることが可能である。」 「【図１】 ［図：0001421059000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001421059000002.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001421059000003.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001421059000004.jpg］ 」 「【図５】 ［図：0001421059000005.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001421059000006.jpg］ 」 「【図１１】 ［図：0001421059000007.jpg］ 」 「【図１３】 ［図：0001421059000008.jpg］ 」 イ 引用発明 （ア）段落【０００９】の記載によれば、第１の実施形態に係る半導体装置１は、互いに貼合される第１チップ２と、第２チップ３とを備えており、段落【００５６】の記載によれば、第２の実施形態に係る半導体装置は、絶縁層の形状が異なる点を除き、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様の構成であり、段落【００６４】の記載によれば、第２の実施形態に係る半導体装置は、第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合したものである。 そうすると、（第２の実施形態に係る半導体装置の第１チップ２ｂ、第２チップ３ｂは、第１の実施形態に係る半導体装置の第１チップ２、第２チップ３に対応し、）第２の実施形態に係る半導体装置は、互いに貼合される第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを備えたものである。 （イ）段落【００６０】の記載によれば、第２チップ３ｂは、電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出している点が、第２チップ３とは異なっており、段落【００６４】の記載及び【図１１】によれば、第２チップ３ｂは、電極３３を囲む溝３９を備えている。 そうすると、第２チップ３ｂは、電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出しており、電極３３を囲む溝３９を備えている。 （ウ）段落【００６２】、【００６３】の記載によれば、第１チップ２ｂの対応電極２３の貼合面には窪みが生じる場合があり、かかる窪みは、例えば、対応電極２３および絶縁層２２の貼合面を面一にする研磨工程において生じることがあり、第１チップ２ｂの対応電極２３が絶縁層２２の表面から高さｄ分突出している。また、段落【００６４】の記載及び【図１３】によれば、第１チップ２ｂは、対応電極２３を囲む溝２９を備えている。 そうすると、第１チップ２ｂは、対応電極２３が絶縁層２２の表面から高さｄ分突出しており、対応電極２３の貼合面には窪みが生じる場合があり、かかる窪みは、例えば、対応電極２３および絶縁層２２の貼合面を面一にする研磨工程において生じるものであり、また、対応電極２３を囲む溝２９を備えている。 （エ）段落【００２２】の記載によれば、電極３３は、シード膜３５によって被覆された空間内に導電性材料によって形成されるコンタクトプラグ３６が設けられる構造であり、段落【００４３】の記載によれば、シード膜３５およびコンタクトプラグ３６の材料は、ＣｕやＣｕ以外の金属である。また、段落【００３８】の記載によれば、対応電極２３部分を形成する製造工程は、電極３３を形成する製造工程と同様である。 そうすると、対応電極２３と電極３３は、ＣｕやＣｕ以外の金属を含んでいる。 （オ）段落【００６４】、【００６５】の記載によれば、第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合することによって、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることができ、第１チップ２ｂの溝２９と、第２チップ３ｂの溝３９により、電極３３と対応電極２３との接合部分が接合面の面方向へせり出したとしても、せり出した部分が絶縁層２２，３２間に挟まることを抑制することができる。 （カ）段落【０００９】、【００１４】の記載によれば、第１の実施形態に係る半導体装置１が備える、第１チップ２と第２チップ３は、各貼合面が研磨されて平坦化された後、接着剤を使用せずに直接貼合されて、絶縁層２１，２２間の分子間力による水素結合によって仮接合され、その後、熱処理が施されて、第１チップ２と第２チップ３は、絶縁層２２，３２間の共有結合によって本接合される。 そして、段落【００５６】の記載によれば、第２の実施形態に係る半導体装置は、絶縁層の形状が異なる点を除き、第１の実施形態に係る半導体装置１と同様の構成であり、段落【００６１】の「絶縁層３２の貼合面」との記載及び段落【００６３】の「絶縁層２２の貼合面」との記載に基づけば、第２の実施形態に係る半導体装置において、第１チップ２ｂの絶縁層２２と第２チップ３ｂの絶縁層３２は貼合されるものであり、接着剤を使用せずに直接貼合されて仮接合され、その後、熱処理が施されて本接合されるものといえる。 （キ）段落【００６４】、【００７３】の記載によれば、第２の実施形態に係る半導体装置では、第１チップ２ｂの溝２９と第２チップ３ｂの溝３９は、少なくとも一方のチップの貼合面に設けられてもよいものである。 （ク）段落【００６３】、【００７４】の記載によれば、第２の実施形態に係る半導体装置では、絶縁層２２の表面から高さｄ分突出する第１チップ２ｂの対応電極２３と絶縁層３２の表面から高さｄ分突出する第２チップ３ｂの電極３３のうち、電極を絶縁層から突出させるのは、少なくとも一方のチップであってもよいものである。 （ケ）上記（ア）～（ク）を踏まえると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。なお、参考のため、認定の根拠となった箇所を括弧内に示す。 「互いに貼合される第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを備えた第２の実施形態に係る半導体装置であって、（ア） 第２チップ３ｂは、電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出しており、電極３３を囲む溝３９を備えており、（イ） 第１チップ２ｂは、対応電極２３が絶縁層２２の表面から高さｄ分突出しており、対応電極２３の貼合面には窪みが生じる場合があり、かかる窪みは、例えば、対応電極２３および絶縁層２２の貼合面を面一にする研磨工程において生じるものであり、また、対応電極２３を囲む溝２９を備えており、（ウ） 対応電極２３と電極３３は、ＣｕやＣｕ以外の金属を含んでおり、（エ） 第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合することによって、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることができ、第１チップ２ｂの溝２９と、第２チップ３ｂの溝３９により、電極３３と対応電極２３との接合部分が接合面の面方向へせり出したとしても、せり出した部分が絶縁層２２，３２間に挟まることを抑制することができ、（オ） 第１チップ２ｂの絶縁層２２と第２チップ３ｂの絶縁層３２は貼合されるものであり、接着剤を使用せずに直接貼合されて仮接合され、その後、熱処理が施されて本接合され、（カ） 第１チップ２ｂの溝２９と第２チップ３ｂの溝３９は、少なくとも一方のチップの貼合面に設けられてもよく、（キ） 絶縁層２２の表面から高さｄ分突出する第１チップ２ｂの対応電極２３と絶縁層３２の表面から高さｄ分突出する第２チップ３ｂの電極３３のうち、電極を絶縁層から突出させるのは、少なくとも一方のチップであってもよいもの。（ク）」 （３）対比 本件補正発明と、引用発明とを対比する。 ア 「第1のチップおよび第2のチップを備えるハイブリッド接合構造であって、」について 引用発明の「第２の実施形態に係る半導体装置」は、「互いに貼合される第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを備えた」ものである。また、引用発明は、「第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合することによって」、「第２チップ３ｂ」の「電極３３」と「第１チップ２ｂ」の「対応電極２３」を接続するものであり、「第１チップ２ｂの絶縁層２２と第２チップ３ｂの絶縁層３２は貼合されるもの」であるから、ハイブリッド接合構造であるといえる。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「第1のチップおよび第2のチップを備えるハイブリッド接合構造」である点で共通する。 イ 「前記第1のチップの表面は、第1の誘電体層および第1の金属層を含み、前記第1の誘電体層は、第1の絶縁誘電体を含み、前記第1の金属層は、第1の金属を含み、前記第1の金属の縁と前記第1の絶縁誘電体との間に第1の間隙領域があり、」について 引用発明の「第２チップ３ｂ」は、「電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出しており、電極３３を囲む溝３９を備えており」とされていることから、「第２チップ３ｂ」の表面は、「絶縁層３２」および「電極３３」を含み、「電極３３」と「絶縁層３２」との間に「溝３９」を備えているといえる。また、引用発明の「電極３３」は、「ＣｕやＣｕ以外の金属を含んでいる」。 そして、半導体装置において、誘電率の低い絶縁材料を用いて絶縁層を形成することが普通に行われていることを鑑みれば、引用発明の「絶縁層３２」が絶縁誘電体であることは自明であり、また、引用発明の「溝３９」は、「電極３３」と「絶縁層３２」との間に間隙を設けるものであるから、間隙領域であるといえる。 してみると、引用発明の「第２チップ３ｂ」と本件補正発明の「第1のチップ」とは対応するとみることができ、引用発明と本件補正発明は、「前記第1のチップの表面は、第1の誘電体層および第1の金属層を含み、前記第1の誘電体層は、第1の絶縁誘電体を含み、前記第1の金属層は、第1の金属を含み、前記第1の金属の縁と前記第1の絶縁誘電体との間に第1の間隙領域があ」る点で共通する。 ウ 「前記第2のチップの表面は、第2の誘電体層および第2の金属層を含み、前記第2の誘電体層は、第2の絶縁誘電体を含み、前記第2の金属層は、第2の金属を含み、」について 引用発明の「第１チップ２ｂ」は、「対応電極２３が絶縁層２２の表面から高さｄ分突出しており」とされていることから、「第１チップ２ｂ」の表面は、「絶縁層２２」および「対応電極２３」を含んでいるといえる。また、引用発明の「対応電極２３」は、「ＣｕやＣｕ以外の金属を含んでいる」。更に、上記イで示した「絶縁層３２」と同様に、引用発明の「絶縁層２２」が絶縁誘電体であることは自明である。 してみると、引用発明の「第１チップ２ｂ」と本件補正発明の「第2のチップ」とは対応するとみることができ、引用発明と本件補正発明は、「前記第2のチップの表面は、第2の誘電体層および第2の金属層を含み、前記第2の誘電体層は、第2の絶縁誘電体を含み、前記第2の金属層は、第2の金属を含」む点で共通する。 エ 「前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ、」について 引用発明の「第１チップ２ｂの溝２９と第２チップ３ｂの溝３９は、少なくとも一方のチップの貼合面に設けられてもよ」いものであるから、引用発明は、「第２チップ３ｂの溝３９」を設け、「第１チップ２ｂの溝２９」を設けないとする構成を含むものである。また、引用発明は、「絶縁層２２の表面から高さｄ分突出する第１チップ２ｂの対応電極２３と絶縁層３２の表面から高さｄ分突出する第２チップ３ｂの電極３３のうち、電極を絶縁層から突出させるのは、少なくとも一方のチップであってもよいもの」であるから、引用発明は、「第２チップ３ｂの電極３３」を「絶縁層３２の表面から高さｄ分突出」させ、「第１チップ２ｂの対応電極２３」を「絶縁層２２の表面から高さｄ分突出」させないとする構成を含むものである。 そして、そのような「第１チップ２ｂの溝２９」を設けず、かつ、「第１チップ２ｂの対応電極２３」を「絶縁層２２の表面から高さｄ分突出」させない構成では、「第１チップ２ｂ」の「対応電極２３」と「絶縁層２２」との間に、「溝２９」による間隙がないことから、「対応電極２３」の縁と「絶縁層２２」とは緊密に組み合わされているといえる。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ」る点で共通する。 オ 「前記第1の金属の表面は、前記第1の絶縁誘電体の表面よりも高く、」について 引用発明の「第２チップ３ｂ」は、「電極３３の貼合面となる一方の端面が絶縁層３２の表面から高さｄ分突出して」いるため、「電極３３」の表面は、「絶縁層３２の表面」よりも高いことは明らかである。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「前記第1の金属の表面は、前記第1の絶縁誘電体の表面よりも高く」構成されている点で共通する。 カ 「前記第2の金属の表面は、前記第2の絶縁誘電体の表面よりも低く、」について 上記エで示したように、引用発明は、「第２チップ３ｂの電極３３」を「絶縁層３２の表面から高さｄ分突出」させ、「第１チップ２ｂの対応電極２３」を「絶縁層２２の表面から高さｄ分突出」させないとする構成を含むものである。 また、「対応電極２３の貼合面には窪みが生じる場合があり、かかる窪みは、例えば、対応電極２３および絶縁層２２の貼合面を面一にする研磨工程において生じるもの」であるから、「対応電極２３の貼合面」は、突出させない場合には、「窪み」の分だけ「絶縁層２２」の表面より低くなる場合があることは明らかである。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「前記第2の金属の表面は、前記第2の絶縁誘電体の表面よりも低く」構成されている点で共通する。 キ 「金属接合は、前記第1の金属が前記第2の金属と接触した後に形成され、前記第1の金属は、前記第1の間隙領域内で縦方向および横方向に変形され、」について 引用発明は、「第１チップ２ｂと第２チップ３ｂとを貼合することによって、電極３３と対応電極２３とを適切に接続させることができ」るものであるから、「ＣｕやＣｕ以外の金属」を含む「電極３３と対応電極２３」を貼合して、接触させた後に、金属接合が形成されるものである。また、「第１チップ２ｂの溝２９と、第２チップ３ｂの溝３９により、電極３３と対応電極２３との接合部分が接合面の面方向へせり出したとしても、せり出した部分が絶縁層２２，３２間に挟まることを抑制することができ」るものであるところ、上記エで示したように、「第１チップ２ｂの溝２９」を設けない構成とした場合、「接合面の面方向へせり出した」「電極３３と対応電極２３との接合部分」は、本件補正発明の「第１の間隙領域」に対応する「第２チップ３ｂの溝３９」内へせり出し、その際、「ＣｕやＣｕ以外の金属を含」んでいる「電極３３」は、「溝３９」内で縦方向および横方向に変形することは明らかである。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「金属接合は、前記第1の金属が前記第2の金属と接触した後に形成され、前記第1の金属は、前記第1の間隙領域内で縦方向および横方向に変形され」る点で共通する。 ク 「絶縁誘電体接合は、前記第1の絶縁誘電体が前記第2の絶縁誘電体と接触した後に形成される、ハイブリッド接合構造。」について 引用発明の「第１チップ２ｂの絶縁層２２と第２チップ３ｂの絶縁層３２は貼合されるものであり、接着剤を使用せずに直接貼合されて仮接合され、その後、熱処理が施されて本接合され」ることから、「絶縁層３２」が「絶縁層２２」と接触した後に絶縁誘電体接合が形成されているものである。また、引用発明の「第２の実施形態に係る半導体装置」は、上記アで示したように「ハイブリッド接合構造」である。 してみると、引用発明と本件補正発明は、「絶縁誘電体接合は、前記第1の絶縁誘電体が前記第2の絶縁誘電体と接触した後に形成される、ハイブリッド接合構造」である点で共通する。 （４）判断 上記「（３）対比」で示したとおり、本件補正発明を構成している発明特定事項の全てを引用発明は備えているので、本件補正発明の発明特定事項と引用発明の発明特定事項との間に差異はない。 したがって、本件補正発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 また、本件補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 （５）審判請求書での請求人の主張について 請求人は、「本願請求項１及び１１に記載の発明は、「前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ」るという特徴を有します。当該特徴は引用文献１から３のいずれにも記載されていないものと思料いたします。 引用文献１から３のいずれも、両方の電極の周囲に変形を許容するための間隙を有します。 本願発明において、接合時に第１の金属は第１の間隙領域内で変形されます（段落［００４６］）が、第２の金属は変形が制限されます。したがって、第２の金属が変形する場合に比べてより強固に第２の金属が第１の金属に押し付けられて信頼性の高い接合が可能となります。」（審判請求書第５頁中段～第５頁下段）と主張する。 しかしながら、上記（３）エで示したとおり、引用発明は、「第１チップ２ｂ」の「対応電極２３」と「絶縁層２２」との間に、「溝２９」による間隙がない構成を含むものであり、そのような構成とした場合には、「対応電極２３」の縁と「絶縁層２２」とは緊密に組み合わされているものとなる。そうすると、「対応電極２３」と「第２チップ３ｂ」の「電極３３」とを接続する際に、「溝２９」による間隙がある場合と比較して、「対応電極２３」の変形が制限され、引用発明が本件補正発明と同様の効果を有することは明らかであるから、請求人の上記主張を採用することができない。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１～２２に係る発明は、令和５年５月１０日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１～２２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、上記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、次のとおり。 理由１．（新規性）この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 理由２．（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 引用文献１：特開２０１６－１８８７９号公報 ３ 引用文献 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１は、上記第２［理由］２（２）に記載したとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、上記第２［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記第2の金属の縁と前記第2の絶縁誘電体とは緊密に組み合わされ、」との限定事項を削除したものである。 そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記第２［理由］２（４）に記載したとおり、引用発明であり、また、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明であり、また、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。