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特許第６７５６４２３号発明「シリカ粒子とその製造方法、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第６７５６４２３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１５〕について訂正することを認める。 特許第６７５６４２３号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第６７５６４２３号の請求項１～１５に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）２月１９日（優先権主張 平成３１年２月２１日 日本国）を国際出願日とする出願であり、令和２年８月３１日にその特許権の設定登録がされ、同年９月１６日に特許掲載公報が発行され、その後、その特許について、令和３年３月１６日に特許異議申立人寺内敦子（以下、「異議申立人」という。）により、特許異議の申立てがなされ、同年６月１日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である同年８月６日に特許権者より意見書の提出及び訂正の請求があり、これに対し、同年９月１７日に異議申立人より意見書の提出がなされたものである。 第２ 訂正の適否 １ 訂正事項 上記令和３年８月６日にされた訂正の請求（以下、その訂正を「本件訂正」という。）は、本件特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを求めるものであって、その具体的な訂正事項は次のとおりである。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下である、シリカ粒子。」とあるのを、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下であり、ｃｖ値が、２６．７％以下である、シリカ粒子。」に訂正する。 （請求項１を直接または間接的に引用する請求項３～１５についても同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「前記表面に存在するシラノール基の割合が、１０％以下である、請求項１に記載のシリカ粒子。」とあるのを、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１０％以下であり、会合比が、１．８以下である、シリカ粒子。」に訂正する。 （請求項２を直接または間接的に引用する請求項３～１５についても同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項５に「ＤＬＳ法により測定した平均２次粒子径が、２０ｎｍ～１００ｎｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載のシリカ粒子。」とあるのを、「ＤＬＳ法により測定した平均２次粒子径が、６１．０ｎｍ～６３．１ｎｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載のシリカ粒子。」に訂正する。 （請求項５を直接または間接的に引用する請求項６～１５についても同様に訂正する。） ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について ア 訂正事項１は、「ｃｖ値が、２６．７％以下である」との限定を、シリカ粒子に対し、さらに付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 訂正事項１の「シリカ粒子に」に「ｃｖ値が、２６．７％以下である」との限定を付加する訂正は、本件明細書の【００３２】の「シリカ粒子のｃｖ値は、１５以上が好ましく、２０以上がより好ましく、２５以上が更に好ましく、また、５０以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３５以下が更に好ましい。」との記載、及び、同【００９７】【表１】に実施例１～３におけるシリカ粒子のｃｖ値［％］が記載されているところ、実施例１は、２６．７、実施例２は、２６．０、実施例３は、２６．７であり、実施例のシリカ粒子におけるｃｖ値の最大が２６．７であることに基づくものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正である。 ウ 訂正事項１は、シリカ粒子に対する限定をさらに付加するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について ア 訂正事項２は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項２の記載を書き下すと共に、「会合比が、１．８以下である」との限定を、シリカ粒子に対し、さらに付加するものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 訂正事項１の、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項２の記載を書き下す訂正が、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であることは明らかである。また、「シリカ粒子に」に「会合比が、１．８以下である」との限定を付加する訂正は、本件明細書の【００３４】の「シリカ粒子の会合比は、１．０以上が好ましく、１．１以上がより好ましく、また、４．０以下が好ましく、３．０以下がより好ましい。」との記載、及び、同【００９７】【表１】に実施例１～３におけるシリカ粒子の会合比が記載されているところ、実施例１は、１．６、実施例２は、１．８、実施例３は、１．６であり、実施例のシリカ粒子における会合比の最大が１．８であることに基づくものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正である。 ウ 訂正事項２は、訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項２の記載を書き下すものであると共に、シリカ粒子に対する限定をさらに付加するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について ア 訂正事項３は、ＤＬＳ法により測定したシリカ粒子の平均２次粒子径の範囲を、「２０ｎｍ～１００ｎｍ」から「６１．０ｎｍ～６３．１ｎｍ」に狭めるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 訂正事項３の、ＤＬＳ法により測定したシリカ粒子の平均２次粒子径の範囲を、「６１．０ｎｍ～６３．１ｎｍ」とする訂正は、本件明細書の【００２９】の「シリカ粒子の平均２次粒子径は、１０ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、また、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。」との記載、及び、同【００９７】【表１】に実施例１～３におけるＤＬＳ法により測定したシリカ粒子の平均２次粒子径［ｎｍ］が記載されているところ、実施例１は、６１．０、実施例２は、６１．０、実施例３は、６３．１であり、ＤＬＳ法により測定したシリカ粒子の平均２次粒子径の最小が６１．０及び最大が６３．１であることに基づくものであるから、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正である。 ウ 訂正事項３は、ＤＬＳ法により測定したシリカ粒子の平均２次粒子径の範囲をさらに狭めて限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 本件訂正は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１ないし１５〕について訂正することを求めるものであるところ、上記２のとおり、訂正事項１～３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものであるから、訂正後の請求項〔１ないし１５〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり、本件訂正は認容し得るものであるから、本件訂正後の請求項１ないし１５に係る発明（以下、各請求項に係る発明及び特許を項番に対応させて「本件発明１」、「本件特許１」などといい、併せて「本件発明」、「本件特許」ということがある。）の記載は、次のとおりである。 「【請求項１】 シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下であり、ｃｖ値が、２６．７％以下である、シリカ粒子。 【請求項２】 シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１０％以下であり、会合比が、１．８以下である、シリカ粒子。 【請求項３】 前記表面に存在するシラノール基の割合が、１％以上である、請求項１又は２に記載のシリカ粒子。 【請求項４】 ＢＥＴ法により測定した平均１次粒子径が、１０ｎｍ～６０ｎｍである、請求項１～３のいずれか１項に記載のシリカ粒子。 【請求項５】 ＤＬＳ法により測定した平均２次粒子径が、６１．０ｎｍ～６３．１ｎｍである、請求項１～４のいずれか１項に記載のシリカ粒子。 【請求項６】 金属不純物含有率が、５ｐｐｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載のシリカ粒子。 【請求項７】 テトラアルコキシシラン縮合物を主成分とする、請求項１～６のいずれか１項に記載のシリカ粒子。 【請求項８】 前記テトラアルコキシシラン縮合物が、テトラメトキシシラン縮合物を含む、請求項７に記載のシリカ粒子。 【請求項９】 シリカ粒子を加圧加熱処理して、請求項１～８のいずれか１項に記載のシリカ粒子を得る、シリカ粒子の製造方法。 【請求項１０】 請求項１～８のいずれか１項に記載のシリカ粒子を含む、シリカゾル。 【請求項１１】 シリカ粒子の含有率が、シリカゾル全量中、３質量％～５０質量％である、請求項１０に記載のシリカゾル。 【請求項１２】 請求項１０又は１１に記載のシリカゾルを含む、研磨組成物。 【請求項１３】 請求項１２に記載の研磨組成物を用いて研磨する、研磨方法。 【請求項１４】 請求項１２に記載の研磨組成物を用いて研磨する工程を含む、半導体ウェハの製造方法。 【請求項１５】 請求項１２に記載の研磨組成物を用いて研磨する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。」 第４ 令和３年６月１日付けで通知した取消理由及びこの取消理由において採用しなかった異議申立人による特許異議の申立理由の概要 １ 令和３年６月１日付けで通知した取消理由の概要 特許法第２９条第１項３号所定の規定違反（新規性欠如）（以下、「取消理由」という。） 本件訂正前の請求項１～１５に係る発明は、下記２（１）に記載の甲第１～３、５号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 取消理由において採用しなかった異議申立人による特許異議の申立理由の概要 （１）特許法第２９条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）（以下、「申立理由１」という。） 本件訂正前の請求項１～１５に係る発明は、下記甲第１～３、５号証に記載された発明及び周知事項（甲第４号証）に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 記 甲第１号証：特開２０１０－２８０８２号公報 甲第２号証：特開２０１０－３４４９８号公報 甲第３号証：国際公開２００９／１０４４６５号 甲第４号証：ＪＥＴＩ 第６１巻、３号、Ｐ５８～６１、（２０１３） 「シリカ技術の最新展望 高純度コロイダルシリカの技術と特性」 甲第５号証：特開２０１８－１０７２９３号公報 （以下、甲各号証を単に「甲１」などという。） （２）特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反）（以下、「申立理由２」という。） ア 表面に存在するシラノール基の割合について 本件発明では、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応により得られるシリカゾル中のシリカ粒子では、縮合度が低い場合、員環サイズが小さく、機械的強度に劣り、かつ、シラノール基が多く残存し、保存安定性が悪化することを課題にあげ、研磨特性、保存安定性に優れたシリカ粒子を得ることを目的としている。 しかしながら、実施例１～３を鑑みても、保存安定性の評価結果しか示されておらず、表面に存在するシラノール基の割合が１５．０％以下であることで、従来よりも機械的強度に優れたシリカ粒子を製造し得ることが、実施例より裏付けられていると認識することは、本件出願時の技術常識を参酌しても、できないというべきである。 このため、本件明細書には、特許請求の範囲に記載されたシリカ粒子の数値範囲を満たすことによって、課題の解決が可能であることを示す直接的な実施例等の記載がない。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明におけるこのような記載だけでは、本件出願時の技術常識を参酌して、数式が示す範囲内であれば、所望の効果が得られると当業者において認識できる程度に、具体例を開示して記載しているとはいえず、特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するということはできない。 イ 平均一次粒子径について （ア）本件発明１では、シリカ粒子の平均一次粒子径の範囲が規定されていないのに対して、発明の詳細な説明の実施例１～３では、平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍの範囲のシリカ粒子についての保存安定性に関する評価結果しか記載されていない。 本件明細書の段落【００２６】には、保存安定性や、シリカ粒子の沈降を抑制する観点等から所定の値の範囲の平均一次粒子径であることが好ましいことが記載されており、上記範囲を外れる範囲においても、良好な保存安定性が得られるのかについては示されていない。また、上述の通り、機械的強度についての評価結果も示されていない。 （イ）製法が同一であれば、単位面積当たりのシラノール基数は同一と考えられるため、仮に粒子径が２倍になった場合、表面シラノール基数は粒子径の２乗に比例し４倍となり、バルクシラノール基数は粒子径の３乗に比例し、８倍となり、シラノール基の割合は１／２倍になるといえる。 このため、例えば、本件明細書の比較例４では、表面シラノール基割合が１７．１％であり、一次粒径が３６．１ｎｍであることが示されているが、同様の製造条件で得られる粒径が２倍の大きなシリカ粒子があった場合、加圧加熱処理の有無にかかわらず、シラノール基の割合は１７．１％の半分の値となり、粒径を変えるだけで、容易に表面シラノール基の割合が１５％以下になり、本件発明１の要件を満たすことになる。しかしながら、所定の加圧加熱処理がなされていないと考えられるシリカ粒子においては、粒径を変えただけでは、員環形成が促進されず、本願発明の効果が得られないと考えられる。そうすると、本件発明1の効果はあくまで平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍの範囲でのみ認められるべきと考える。 （ウ）以上のことから、本件発明1について平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍを超える範囲のシリカ粒子において効果を奏することが示されておらず、本件発明１は、発明の詳細な説明において開示されている内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。よって、本件特許請求の範囲の請求項１の記載が、明細書のサポート要件に適合するということはできない。 第５ 当審の判断 １ 取消理由（特許法第２９条第１項第３号（新規性欠如））及び申立理由１（特許法第２９条第２項（進歩性欠如））について 上記取消理由及び申立理由１は、同一の主たる証拠に対する新規性欠如及び進歩性欠如の理由であるため併せて判断する。 （１）甲１～甲５に記載の事項 ア 甲１（特開２０１０－２８０８２号公報）に記載の事項 （ア）「【請求項１】 （Ａ）シリカ粒子と、 （Ｂ）有機酸と、 （Ｃ）非イオン性界面活性剤と、 を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、 前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有する、化学機械研磨用水系分散体。 ２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、２．０～３．０×１０２１個／ｇである。」 （イ）「【０００１】 本発明は、化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法に関する。」 （ウ）「【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 本発明の目的は、低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 【０００８】 前記「ファング」とは、本願発明が解決しようとする新たな課題である。以下、「ファング」について詳細に説明する。 【０００９】 本明細書において「ファング」とは、特に金属膜が銅または銅合金からなる場合において顕著に発生する現象であって、銅または銅合金の微細配線を含む領域と、銅または銅合金の微細配線を含まない領域（フィールド部分）との界面において、化学機械研磨により局所的にディッシングないしエロージョンが発生する研磨欠陥をいう。」 （エ）「【００３６】 １．化学機械研磨用水系分散体 本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、（Ｃ）非イオン性界面活性剤と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、「２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、２．０～３．０×１０２１個／ｇである。」という化学的性質を有する。まず、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体を構成する各成分について説明する。 【００３７】 １．１ （Ａ）シリカ粒子 本実施形態におけるシリカ粒子の「シラノール基」とは、シリカ粒子のケイ素原子に直接結合したヒドロキシル基をいい、立体配置または立体配位については特に限定しない。また、シラノール基の生成条件等も問わない。 【００３８】 本実施形態における「シラノール基数」とは、シリカ粒子全体における単位質量当たりのシラノール基数であり、シリカ粒子の縮合度を表す指標である。シリカ粒子の縮合度はシリカ粒子の硬度と密接に関連するため、シラノール基数からシリカ粒子の硬度を推測することができる。シラノール基数は、２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出することができる。 【００３９】 ２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数は、化学機械研磨用水系分散体中に含まれる種々の添加剤や水と接することのできるシリカ粒子表面に存在するシラノール基数と、接することのできないシリカ粒子内部に存在するシラノール基数と、を総合的に表すことのできる指標である。・・・ 【００４１】 本実施形態に用いられる（Ａ）シリカ粒子の２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数は２．０～３．０×１０２１個／ｇであり、好ましくは２．１～２．９×１０２１個／ｇである。 【００４２】 シラノール基数が前記範囲内であると、シリカ粒子全体のシラノール基が緻密であるためにシリカ粒子の機械的強度が向上し、十分な研磨速度が得られる。さらに、シリカ粒子表面に存在するシラノール基により発現する電気的特性または化学的特性は、シリカ粒子表面近傍に存在する有機酸や水溶性高分子を誘引あるいは排斥させる。その結果、化学機械研磨用水系分散体中で添加剤成分がシリカ粒子の周囲で微小な濃度勾配を生じさせ、良好な研磨特性を実現するために最適な化学機械研磨用水系分散体を形成することができるものと考えられる。これにより、上述した新たな課題である「ファング」の発生を抑制することもできる。さらに、シラノール基数が前記範囲内であると、化学機械研磨用水系分散体中においてシリカ粒子と他の添加剤との相互作用により適度に安定化され、シリカ粒子の分散安定性を確保でき、研磨の際に欠陥の原因となる凝集が発生しない。 【００４３】 シラノール基数が３．０×１０２１個／ｇを超えると、前記のようなバランスの取れた分散状態が得られないために不十分な研磨速度比や平坦化特性となるため好ましくないばかりでなく、バリアメタル膜に対する研磨速度が大きくなる傾向があり、エロージョンの発生を促進するため好ましくない。一方、シラノール基数が２．０×１０２１個／ｇ未満であると、シリカ粒子の分散安定性に劣り、シリカ粒子が凝集し保存安定性が悪化するために好ましくない。また、機械的強度が大きすぎるためにディッシングの発生を促進したり、スクラッチ等の研磨欠陥の原因となる場合があり好ましくない。」 （オ）「【００５５】 シリカ粒子のＢＥＴ法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒径は、好ましくは１０～１００ｎｍであり、より好ましくは１０～９０ｎｍであり、特に好ましくは１０～８０ｎｍである。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲内にあると、化学機械研磨用水系分散体としての保存安定性に優れ、欠陥のない平滑な研磨面を得ることができる。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲未満であると、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する研磨速度が小さくなりすぎるため実用的ではない。一方、シリカ粒子の平均粒径が前記範囲を超えると、シリカ粒子の保存安定性に劣るため好ましくない。」 （カ）「【０１２８】 シリカ粒子分散体Ｅは、下記の方法により作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、二次粒子径６６ｎｍ）３５ｋｇとイオン交換水１４０ｋｇを４０Ｌオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行った。次に、前記シリカ粒子を含有する分散体水溶液を沸点７８℃で減圧濃縮し、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨが７．５であるシリカ粒子分散体Ｅを得た。得られたシリカ粒子分散体Ｅをブルカー社製「固体測定用核磁気共鳴分光計 ＡＶＡＮＣＥ３００」を用いてＤＤ－ＭＡＳ法で２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトル測定を行い、ピーク分離ソフトＷｉｎＦｉｔを用いてピーク分離し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４状態のシリコンのシグナル面積比を求めて、上記一般式（２）にしたがってシラノール基数を算出したところ、２．９×１０２１個／ｇであった。」 イ 甲２（特開２０１０－３４４９８号公報）に記載の事項 （ア）「【請求項１】 （Ａ）シリカ粒子と、 （Ｂ）有機酸と、 （Ｃ）アニオン性界面活性剤と、 を含有する銅膜を研磨するための化学機械研磨用水系分散体であって、 前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有する、化学機械研磨用水系分散体。 ２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、２．０～３．０×１０２１個／ｇである。」 （イ）「【０００１】 本発明は、化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法に関する。」 （ウ）「【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 通常の圧力条件下においても銅膜および低誘電率絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、銅膜に対する高研磨速度および高研磨選択性を有し、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体、ならびにこれを用いた化学機械研磨方法を提供する。」 （エ）「【００２８】 １．化学機械研磨用水系分散体 本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）有機酸と、（Ｃ）アニオン性界面活性剤と、を含有する銅膜を研磨するための化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、「２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数が、２．０～３．０×１０２１個／ｇである。」という化学的性質を有する。まず、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体を構成する各成分について説明する。 【００２９】 １．１ （Ａ）シリカ粒子 本実施形態におけるシリカ粒子の「シラノール基」とは、シリカ粒子のケイ素原子に直接結合したヒドロキシル基をいい、立体配置または立体配位については特に限定しない。また、シラノール基の生成条件等も問わない。 【００３０】 本実施形態における「シラノール基数」とは、シリカ粒子全体における単位質量当たりのシラノール基数であり、シリカ粒子の縮合度を表す指標である。シリカ粒子の縮合度はシリカ粒子の硬度と密接に関連するため、シラノール基数からシリカ粒子の硬度を推測することができる。シラノール基数は、２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出することができる。 【００３１】 ２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数は、化学機械研磨用水系分散体中に含まれる種々の添加剤や水と接することのできるシリカ粒子表面に存在するシラノール基数と、接することのできないシリカ粒子内部に存在するシラノール基数と、を総合的に表すことのできる指標である。・・・ 【００３３】 本実施形態に用いられる（Ａ）シリカ粒子の２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトルのシグナル面積から算出されるシラノール基数は２．０～３．０×１０２１個／ｇであり、好ましくは２．１～２．９×１０２１個／ｇである。 【００３４】 シラノール基数が前記範囲内であると、シリカ粒子全体のシラノール基が緻密であるためにシリカ粒子の機械的強度が向上し、十分な研磨速度が得られる。さらに、シリカ粒子表面に存在するシラノール基により発現する電気的特性または化学的特性は、シリカ粒子表面近傍に存在する有機酸や水溶性高分子を誘引あるいは排斥させる。その結果、化学機械研磨用水系分散体中で添加剤成分がシリカ粒子の周囲で微小な濃度勾配を生じさせ、良好な研磨特性を実現するために最適な化学機械研磨用水系分散体を形成することができるものと考えられる。さらに、シラノール基数が前記範囲内であると、化学機械研磨用水系分散体中においてシリカ粒子と他の添加剤との相互作用により適度に安定化され、シリカ粒子の分散安定性を確保でき、研磨の際に欠陥の原因となる凝集が発生しない。 【００３５】 シラノール基数が３．０×１０２１個／ｇを超えると、前記のようなバランスの取れた分散状態が得られないために不十分な研磨速度比や平坦化特性となるため好ましくないばかりでなく、バリアメタル膜に対する研磨速度が大きくなる傾向があり、エロージョンの発生を促進するため好ましくない。一方、シラノール基数が２．０×１０２１個／ｇ未満であると、シリカ粒子の分散安定性に劣り、シリカ粒子が凝集し保存安定性が悪化するために好ましくない。また、機械的強度が大きすぎるためにディッシングの発生を促進したり、スクラッチ等の研磨欠陥の原因となる場合があり好ましくない。」 （オ）「【００４７】 シリカ粒子のＢＥＴ法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒径は、好ましくは１０～１００ｎｍであり、より好ましくは１０～９０ｎｍであり、特に好ましくは１０～８０ｎｍである。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲内にあると、化学機械研磨用水系分散体としての保存安定性に優れ、欠陥のない平滑な研磨面を得ることができる。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲未満であると、銅膜に対する研磨速度が小さくなりすぎるため実用的ではない。一方、シリカ粒子の平均粒径が前記範囲を超えると、シリカ粒子の保存安定性に劣るため好ましくない。」 （カ）「【０１１２】 シリカ粒子分散体Ｆは、以下のように作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、平均二次粒子径６６ｎｍ）３５ｋｇとイオン交換水１４０ｋｇを４０Ｌオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行った。次に、前記シリカ粒子を含有する分散体水溶液を沸点７８℃で減圧濃縮し、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、平均二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨ７．５のシリカ粒子分散体Ｆを得た。得られたシリカ粒子分散体Ａを、ブルカー社製「固体測定用核磁気共鳴分光計 ＡＶＡＮＣＥ３００」を用いてＤＤ?ＭＡＳ法により２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトル測定を行い、ピーク分離ソフトＷｉｎＦｉｔを用いてピーク分離し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４状態のシリコンのシグナル面積比を求めて、前記式（２）にしたがってシラノール基数を算出したところ、２．９×１０２１個／ｇであった。」 ウ 甲３（国際公開２００９／１０４４６５号）に記載の事項 （ア）「請求の範囲 [１] （Ａ）シリカ粒子と、 （Ｂ１）有機酸と、 を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、 前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有する、化学機械研磨用水系分散体。 ＢＥＴ法を用いて測定される比表面積および滴定により測定されるシラノール基量から算出されるシラノール基密度は、１．０～３．０個／ｎｍ２である。」 （イ）「[０００１] 本発明は、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法に関する。」 （ウ）「[００１０] 本発明の目的は、金属膜や低誘電率絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減し、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度および高平坦化特性を有し、かつ、ウエハの金属汚染が少なく、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 ［００１１］ 本発明のもう一つの目的は、通常の圧力条件下においても金属膜や低誘電率絶縁膜に欠陥を引き起こすことなく、銅膜に対する高研磨速度および高研磨選択性を有し、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体、およびこれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 ［００１２］ 前記「ファング」とは、本願発明が解決しようとする新たな課題である。以下、「ファング」について詳細に説明する。 ［００１３］ 本明細書において「ファング」とは、特に金属膜が銅または銅合金からなる場合において顕著に発生する現象であって、銅または銅合金の微細配線を含む領域と、銅または銅合金の微細配線を含まない領域（フィールド部分）との界面において、化学機械研磨により局所的にディッシングないしエロージョンが発生する研磨欠陥をいう。」 （エ）「[００６４] １．第１の化学機械研磨用水系分散体 本実施形態に係る第１の化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ１）有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、「ＢＥＴ法を用いて測定される比表面積および滴定により測定されるシラノール基量から算出されるシラノール基密度は、１．０～３．０個／ｎｍ２である。」という化学的性質を有する。まず、本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体を構成する各成分について説明する。 ［００６５］ １．１ （Ａ）シリカ粒子 本実施形態におけるシリカ粒子の「シラノール基」とは、シリカ粒子の表面のケイ素原子に直接結合したヒドロキシル基をいい、立体配置または立体配位については特に限定されない。また、シラノール基の生成条件等も問わない。 ［００６６］ 本実施形態における「シラノール基密度」とは、シリカ粒子表面における単位面積当たりのシラノール基数であり、シリカ粒子表面の電気的特性または化学的特性を表す指標となる。シラノール基は、化学機械研磨用水系分散体中ではＳｉＯＨのＨ＋がとれてＳｉＯ－の状態で安定して存在しているため、通常マイナスにチャージしている。これにより、シリカ粒子の電気的特性または化学的特性が発現する。シラノール基密度の単位は、個／ｎｍ２で表される。 ［００６７］ 本実施形態に用いられる（Ａ）シリカ粒子のシラノール基密度は、ＢＥＴ法を用いて測定されたシリカ粒子の表面積および滴定により測定されたシラノール基量から算出したものである。シリカ粒子のシラノール基量は、一般的に知られている電位差滴定や、２００５年度精密工学会春季大会学術講演会講演論文集ｐ８４７～８４８に記載されているようなシリカ粒子の水分散体、あるいはシリカ粒子が分散した化学機械研磨用水系分散体を水酸化ナトリウムのような公知の塩基で滴定することにより測定することが可能である。 ［００６８］ 本実施形態に用いられる（Ａ）シリカ粒子は、シラノール基密度が１．０～３．０個／ｎｍ２であり、より好ましくは１．１～２．８個／ｎｍ２であり、特に好ましくは１．２～２．６個／ｎｍ２である。シラノール基密度が前記範囲内であると、シリカ粒子表面の電気的特性または化学的特性により化学機械研磨用水系分散体中に含まれる有機酸や水溶性高分子等の添加剤成分を誘引または排斥する。その結果、化学機械研磨用水系分散体中で添加剤成分がシリカ粒子の周囲で微小な濃度勾配を生じさせ、良好な研磨特性を実現するために最適な化学機械研磨用水系分散体を形成することができるものと考えられる。 ［００６９］ また、銅または銅合金の微細配線を含む領域と銅または銅合金の微細配線を含まない領域（フィールド部分）との界面において、化学機械研磨用水系分散体に含まれる成分が界面近傍に局在化し過度に研磨されることによりファングが発生すると考えられるが、シラノール基密度が前記範囲内であると、（Ａ）シリカ粒子の周囲で微小な濃度勾配を生じさせるため、ファングの発生を抑制することもできる。 ［００７０］ また、シラノール基密度が前記範囲内であると、化学機械研磨用水系分散体中においてシリカ粒子と他の添加剤との相互作用により適度に安定化され、シリカ粒子が化学機械研磨用水系分散体中で安定的に分散することが可能となり、研磨の際に欠陥の原因となる凝集が発生しない。シラノール基密度が３．０個／ｎｍ２を超えると、このようなバランスの取れた分散状態が得られないために、不十分な研磨速度比や不十分な平坦化特性となるため好ましくない。一方、シラノール基密度が１．０個／ｎｍ２未満である場合、化学機械研磨用水系分散体中におけるシリカ粒子の分散安定性に劣り、シリカ粒子が凝集し、保存安定性が悪化するために好ましくない。」 （オ）「[００７６] シリカ粒子のＢＥＴ法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒径は、好ましくは１０～１００ｎｍであり、より好ましくは１０～９０ｎｍであり、特に好ましくは１０～８０ｎｍである。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲内にあると、化学機械研磨用水系分散体としての保存安定性に優れ、欠陥のない平滑な研磨面を得ることができる。シリカ粒子の平均粒径が前記範囲未満であると、ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する研磨速度が小さくなりすぎるため実用的ではない。一方、シリカ粒子の平均粒径が前記範囲を超えると、シリカ粒子の保存安定性に劣るため好ましくない。」 （カ）「[０１９５] シリカ粒子分散体Ｅは、以下のように作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、平均二次粒子径６６ｎｍ）３５ｋｇとイオン交換水１４０ｋｇを４０Ｌオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行った。次に、前記シリカ粒子を含有する分散体水溶液を沸点７８℃で減圧濃縮し、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、平均二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨ７．５のシリカ粒子分散体Ｅを得た。得られたシリカ粒子分散体Ｅを０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ｐＨ４～９の範囲で滴定し、その滴定値とＢＥＴ比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、１．５個／ｎｍ２であった。」 エ 甲４（ＪＥＴＩ 第６１巻、３号、Ｐ５８～６１、（２０１３） 「シリカ技術の最新展望 高純度コロイダルシリカの技術と特性」）に記載の事項 （ア）「１．高純度コロイダルシリカの製造方法 ・・・ 原料の珪酸アルコキシドの代表的製造方法は，金属珪素を触媒下でアルコールと直接反応させて合成する。合成した珪酸アルコキシドは蒸留精製により容易に高純度化される。 Ｓｉ＋４ＲＯＨ → Ｓｉ（ＯＲ）４＋２Ｈ２ この珪酸アルコキシドをアルカリ領域で加水分解，縮重合することにより，コロイダルシリカが得られる。」（５８頁左欄下から４行～右欄１０行） （イ）「２．高純度コロイダルシリカの特性 コロイダルシリカの粒子径は電子顕微鏡による観察，比表面積から算出する方法，レーザー散乱を利用した動的光散乱法等で測定されている。 比表面積から算出する方法は，コロイダルシリカが真球状で密度が２．２と仮定して，次の関係式から算出される。 粒子径（ｎｍ）＝ ６×１０３÷２．２÷比表面積（ｍ２／ｇ）」（５８頁右欄１６～２４行） （ウ）「粒子形状については，一次粒子径は比表面積法（ｄ１），二次粒子径は動的光散乱法（ｄ２）で評価され，その比率（ｄ２／ｄ１）は粒子形状（会合度）の目安とされている。単分散な真球状，まゆ型，会合型など様々な粒径，形状のものが合成され，用途により選別使用されている（第１表、第１図）。」（５８頁下から３行～６０頁左欄３行） （エ）「 ［図：0001382382000001.jpg］ 」 オ 甲５（特開２０１８－１０７２９３号公報）に記載の事項 （ア）「【請求項１】 シリカ粒子と、過酸化物とを含有する化学機械研磨用組成物であって、 前記シリカ粒子のシラノール基密度が３～６個／ｎｍ２であり、 前記シリカ粒子の含有量をＭａ（質量部）、前記過酸化物の含有量をＭｂ（質量部）としたときに、Ｍａ／Ｍｂの値が２００以上７００以下である、化学機械研磨用組成物。」 （イ）「【０００１】 本発明は、化学機械研磨用組成物およびそれを用いた化学機械研磨方法に関する。」 （ウ）「【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 しかしながら、従来の酸性金属膜研磨用の化学機械研磨用組成物を用いて化学機械研磨によりコバルトのような金属膜を研磨する場合、コバルト膜が容易に溶解してしまい、コバルト配線の異常酸化や腐食、断線、消失を招くという問題があった。また、従来のアルカリ性金属研磨用の化学機械研磨用組成物では、コバルト膜が化学的に安定であり硬度が高いことから、効率的に研磨することが容易ではないという問題があった。 【０００８】 そこで、本発明に係る幾つかの態様は、上記課題の少なくとも一部を解決することで、コバルト膜の腐食を抑制しながら良好な研磨特性を実現できる、半導体装置の製造に有用な化学機械研磨用組成物、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。」 （エ）「【００２０】 １．化学機械研磨用組成物 本発明の一実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、シリカ粒子と、過酸化物とを含有し、前記シリカ粒子のシラノール基密度が３～６個／ｎｍ２であり、前記シリカ粒子の含有量をＭａ（質量部）、前記過酸化物の含有量をＭｂ（質量部）としたときに、Ｍａ／Ｍｂの値が２００以上７００以下であることを特徴とする。以下、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物について詳細に説明する。 【００２１】 １．１．シリカ粒子 本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、シラノール基密度が３～６個／ｎｍ２のシリカ粒子を含有する。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ等のシリカ粒子が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば特開２００３?１０９９２１号公報等に記載されている方法で製造されたものを使用することができる。・・・ 【００２４】 本実施形態におけるシリカ粒子の「シラノール基」とは、シリカ粒子の表面のケイ素原子に直接結合したヒドロキシル基をいい、立体配置または立体配位については特に限定されない。また、シラノール基の生成条件等も問わない。 【００２５】 本実施形態における「シラノール基密度」とは、シリカ粒子表面における単位面積当たりのシラノール基数のことであり、シリカ粒子表面の電気的特性または化学的特性を表す指標となる。シラノール基は、化学機械研磨用組成物中ではＳｉＯＨのＨ＋がとれてＳｉＯ－の状態で安定して存在しているため、通常マイナスにチャージしている。これにより、シリカ粒子の電気的特性または化学的特性が発現する。シラノール基密度の単位は、個／ｎｍ２で表される。 【００２６】 シリカ粒子のシラノール基密度は、シアーズ法により求めることができる。・・・ 【００２７】 ここで、シリカ粒子のＢＥＴ比表面積は、例えば、流動式比表面積自動測定装置「ｍｉｃｒｏｍｅｔｒｉｃｓ ＦｌｏｗＳｏｒｂ ＩＩ ２３００（株式会社島津製作所製）」により、ＢＥＴ法を用いて測定した比表面積から算出される。 【００２８】 本実施形態に用いられるシリカ粒子のシラノール基密度は、３～６個／ｎｍ２であり、好ましくは３．１個～６個／ｎｍ２であり、より好ましくは４～６個／ｎｍ２であり、特に好ましくは５～６個／ｎｍ２である。シラノール基密度が前記範囲内であると、コバルトとシリカ粒子表面に存在するシラノール基との化学反応が促進され、コバルト膜表面が改質されると推測される。具体的反応機構は明らかではないが、研磨工程中に過酸化物の作用により生じたコバルト表面に生じたＣｏ－Ｏ部位と、シリカ粒子表面のシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ）が相互作用することにより、研磨されやすい改質層が生成すると考えられる。その結果、特に機械的な研磨作用によって、コバルト膜が円滑に除去されるので、良好な研磨特性が実現される。 【００２９】 また、シリカ粒子のシラノール基密度が前記範囲内であると、化学機械研磨用組成物中のシリカ粒子表面の負電荷が大きくなるので、静電反発力（ゼータ電位）によってシリカ粒子が化学機械研磨用組成物中で安定に分散することが可能となり、ＣＭＰの際に欠陥の原因となるシリカ粒子同士の凝集を防止することができる。 【００３０】 シリカ粒子のシラノール基密度が３個／ｎｍ２未満である場合、コバルトとシリカ粒子表面に存在するシラノール基との化学反応が起こりにくく、コバルト膜表面が改質され難いため、コバルト膜の研磨速度が小さくなる。また、化学機械研磨用組成物中のシリカ粒子表面の負電荷が小さくなるので、化学機械研磨用組成物中でのシリカ粒子の分散安定性が悪化しやすく、凝集したシリカ粒子によってスクラッチが発生するなど良好な研磨特性が実現できない。 【００３１】 一方、シリカ粒子のシラノール基密度が６個／ｎｍ２を超えると、コバルトとシリカ粒子表面に存在するシラノール基との化学反応が過剰となり、コバルト膜の腐食が発生しやすい。 【００３２】 シリカ粒子の平均粒子径は、動的光散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置で測定することにより求めることができる。シリカ粒子の平均粒子径は、好ましくは１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、特に好ましくは３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。シリカ粒子の平均粒子径が前記範囲であると、コバルト膜に対する実用的な研磨速度を達成できると共に、シリカ粒子の沈降・分離が発生しにくい貯蔵安定性に優れた化学機械研磨用組成物を得ることができる。動的光散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置としては、ベックマン・コールター社製のナノ粒子アナライザー「ＤｅｌｓａＮａｎｏ Ｓ」；Ｍａｌｖｅｒｎ社製の「Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ ｎａｎｏ ｚｓ」；株式会社堀場製作所製の「ＬＢ５５０」等が挙げられる。なお、動的光散乱法を用いて測定した平均粒子径は、一次粒子が複数個凝集して形成された二次粒子の平均粒子径を表している。」 （オ）「【００６６】 ＜シリカ粒子分散体Ｂ＞ シリカ粒子分散体Ｂは、以下のようにして作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－３；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、平均粒子径７５ｎｍ）３５ｋｇとイオン交換水１４０ｋｇを４０Ｌオートクレーブに投入し、１６０℃で０．５時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行った。次に、前記シリカ粒子を含有する分散体水溶液を沸点７８℃で減圧濃縮し、シリカ含有量（固形分濃度）２０質量％、平均粒子径７４ｎｍ、ｐＨ７．５のシリカ粒子分散体Ｂを得た。得られたシリカ粒子分散体Ｂを０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ｐＨ４～９の範囲で滴定し、その滴定値とＢＥＴ比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、４．５個／ｎｍ２であった。長径の平均値（Ｒｍａｘ）および短径の平均値（Ｒｍｉｎ）から、その比（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）を算出したところ１．２であった。」 （２）甲１～甲３、甲５に記載された発明 ア 甲１に記載された発明 甲１の上記（１）ア（カ）の記載によれば、シリカ粒子分散体Ｅに含まれるシリカ粒子として、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。 「扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、二次粒子径６６ｎｍ）とイオン交換水をオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行い、沸点７８℃で減圧濃縮して得られる、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨが７．５、２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトル測定から算出されるシラノール基数が、２．９×１０２１個／ｇであるシリカ粒子分散体に含まれるシリカ粒子。」 イ 甲２に記載された発明 甲２の上記（１）イ（カ）は、甲１の上記（１）ア（カ）とほぼ同じ記載であるから、甲２には、甲１発明と同じ以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されているといえる。 「扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、二次粒子径６６ｎｍ）とイオン交換水をオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行い、沸点７８℃で減圧濃縮して得られる、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨが７．５、２９Ｓｉ－ＮＭＲスペクトル測定から算出されるシラノール基数が、２．９×１０２１個／ｇであるシリカ粒子分散体に含まれるシリカ粒子。」 ウ 甲３に記載された発明 甲３の上記（１）ウ（カ）の記載によれば、シリカ粒子分散体Ｅに含まれるシリカ粒子として、以下の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されているといえる。 「扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、二次粒子径６６ｎｍ）とイオン交換水をオートクレーブに投入し、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行い、沸点７８℃で減圧濃縮して得られる、シリカ濃度が固形分濃度２０質量％、二次粒子径６２ｎｍ、ｐＨが７．５、シリカ粒子分散体を０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ｐＨ４～９の範囲で滴定し、その滴定値とＢＥＴ比表面積の値から算出されるシラノール基密度が、１．５個／ｎｍ２であるシリカ粒子分散体に含まれるシリカ粒子。」 エ 甲５に記載された発明 甲５の上記（１）オ（オ）の記載によれば、シリカ粒子分散体Ｂに含まれるシリカ粒子として、以下の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されているといえる。 「扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－３；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、平均粒子径７５ｎｍ）とイオン交換水をオートクレーブに投入し、１６０℃で０．５時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理を行い、沸点７８℃で減圧濃縮して得られる、シリカ含有量（固形分濃度）２０質量％、平均粒子径７４ｎｍ、ｐＨ７．５、シリカ粒子分散体を０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ｐＨ４～９の範囲で滴定し、その滴定値とＢＥＴ比表面積の値から算出されるシラノール基密度が、１．５個／ｎｍ２であるシリカ粒子分散体に含まれ、長径の平均値（Ｒｍａｘ）および短径の平均値（Ｒｍｉｎ）から算出される比（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）が１．２であるシリカ粒子。」 （３）本件発明１について ア 甲１発明との対比・判断 （ア）対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、両者は「シリカ粒子」である点で一致するものの、以下の点で相違している。 ＜相違点１＞ 本件発明１のシリカ粒子は、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下であ」るのに対し、甲１発明のシリカ粒子は、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合の値が明らかでない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１のシリカ粒子は、「ｃｖ値が、２６．７％以下である」のに対し、甲１発明のシリカ粒子は、ｃｖ値が明らかでない点。 （イ）判断 事案に鑑み、上記相違点２について検討する。 ａ 相違点２が実質的な相違点であるか否かについて シリカ粒子のｃｖ値とは、本件明細書の【００３３】の記載によれば、「動的光散乱粒子径測定装置を用いてシリカ粒子の平均２次粒子径を測定し、下記式（５）を用いて算出される値であり、均一な粒子径の指標となる値である。 ｃｖ値＝（標準偏差（ｎｍ）／平均２次粒子径（ｎｍ））×１００ ・・・ （５）」ところ、甲１には、甲１発明のシリカ粒子のｃｖ値に関する直接的な記載や、また、ｃｖ値を示唆する記載もないことから、上記のとおり、甲１発明のシリカ粒子は、ｃｖ値が明らかでない。 そこで、取消理由では、上記相違点１における検討の中ではあるが、本件発明１のシリカ粒子における製造方法と甲１発明のシリカ粒子における製造方法について考察し、両者の異同の観点から、相違点１に係る本件発明１のシリカ粒子の性状を甲１発明のシリカ粒子も有するものであるか否かを検討したので、ここでも上記相違点２に関して同様の検討を行うこととする。 しかしながら、この点から検討しても、上記相違点２は実施的な相違点である。その理由は以下のとおりである。 （ａ）本件発明１のシリカ粒子の製造方法 本件明細書には、表面に存在するシラノール基の割合が特定の範囲にあるシリカ粒子を製造する方法として、【００４５】等には、テトラアルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応により製造されるシリカ粒子を用いること、【００５０】には、シリカ粒子の縮合度を高めるため、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応終了後、得られたシリカ粒子に対して加圧加熱処理を行うこと、そして、シリカ粒子に対する加圧加熱処理を行う際の条件として、【００５１】には、圧力は、０．１０ＭＰａ以上２．３ＭＰａ以下が好ましく、【００５２】には、温度は、１００℃以上２２０℃以下が好ましく、【００５３】には、時間は、０．２５時間以上６時間以下が好ましく、【００５６】には、加圧加熱処理を水分散液中で行う際のｐＨは、６．０以上８．０以下が好ましいことが示されている。 ここで、上記の概略的な製造条件は、本件発明１で特定される性状を有するシリカ粒子を得るための目安となるものではあるが、これらの概略的な製造条件の範囲を満たしさえすれば本件発明１で特定される性状を有するシリカ粒子が得られると考えるべきではなく、これらの概略的な製造条件の範囲の中で、本件明細書の【００９４】～【００９８】に記載される実施例１～３、及び比較例２、３における一連の実験条件を参考にしながら、適宜各製造条件を調整することにより、本件発明１で特定される性状を有するシリカ粒子が製造されると考えるべきである。そして、特に、本件明細書の【００４５】等に記載される本件発明１のシリカ粒子の原料となるシリカ粒子に関しては、「テトラアルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応により製造されるシリカ粒子」と概略的な記載がなされる一方、実施例においては、同【００９４】に「テトラメトキシシランとメタノールとを３：１（体積比）で混合し、原料溶液を調製した。温度計、攪拌機、供給管、留出ラインを備えた反応槽に、予めメタノール、純水、アンモニアを混合した反応溶媒を仕込んだ。反応溶媒中の水の濃度は１５質量％、反応溶媒中のアンモニアの濃度は１質量％であった。反応溶媒の温度を２０℃に保持しながら、反応溶媒と原料溶液とを９．２：１（体積比）とし、原料溶液を２５分間、均等速度で反応槽へ滴下し、シリカゾルを得た。得られたシリカゾルを、シリカ粒子の含有率が約２０質量％になるように、液量を純水追加で調整しながら、温度を上げてメタノールとアンモニアの除去を行い、シリカ粒子の含有率が約２０質量％のシリカゾルを得た。」と詳細な記載がなされていることからすると、原料となるシリカ粒子については、「テトラアルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応により製造されるシリカ粒子」であれば良いと言うことはなく、他の製造条件との関係も含め、一連の条件が示されている、実施例等を参考にしながら、テトラアルコキシシランの選択や、原料となるシリカ粒子の製造条件がさらに調整されると考えるのが合理的である。 （ｂ）甲１発明のシリカ粒子の製造方法 甲１の上記（１）ア（カ）には、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２；固形分濃度２０質量％、ｐＨ７．４、平均二次粒子径６６ｎｍ）を、１６０℃で３時間、０．５ＭＰａの加圧下で水熱処理することが示されている。 そして、甲１の扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ（品番：ＰＬ－２）については、甲４の上記（１）エ（ア）等によれば、珪酸アルコキシドを加水分解、縮重合することにより得られるコロイダルシリカであることが分かる。 （ｃ）本件発明１と甲１発明のシリカ粒子における製造方法の異同 上記（ａ）、（ｂ）を踏まえると、本件発明１のシリカ粒子と甲１発明のシリカ粒子における製造方法は、特に、加圧加熱処理が行われるシリカ粒子についてみると、両者がどの様なテトラアルコキシシランを用いているのかは不明であり、また、原料となるシリカ粒子を得るまでの製造条件も一致しているとはいえない。 （ｄ）そうすると、甲１発明のシリカ粒子の製造方法は、本件発明１のシリカ粒子の製造方法と一致するものではないから、両者のシリカ粒子の製造方法における異同の観点からみて、甲１発明のシリカ粒子が、本件発明１のシリカ粒子と同じ性状を有しているということはできない。 （ｅ）さらに、特許権者より提出された令和３年８月６日付け意見書に添付された実験成績証明書には、甲１～３、５発明のシリカ粒子を実際に製造し、そのｃｖ値、会合比を測定し、それらの値が、本件発明１及び２の範囲外であることが示されている（甲１～甲３発明のシリカ粒子のｃｖ値：４１．５％、会合比：２．１０、甲５発明のシリカ粒子のｃｖ値：２９．３％、会合比：１．８３）が、これらの結果は、上記（ａ）～（ｄ）の判断と符号する。 ｂ 相違点２に係る本件発明１の事項が容易想到であるか否かについて 上述のように、甲１には、甲１発明のシリカ粒子のｃｖ値に関する直接的な記載や同ｃｖ値を示唆する記載がないことから、甲１発明は、シリカ粒子のｃｖ値に着目したものではないことは明らかであり、同ｃｖ値を、上記相違点２の範囲とする動機付けが内在するとは到底いえない。 しかも、提出されている他の証拠、甲２～甲５をみても、シリカ粒子のｃｖ値に関する記載はない。 そうすると、上記相違点２に係る本件発明１の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえない。 （ウ）小括 以上のとおり、少なくとも上記相違点２は実質的な相違点であるし、また、上記相違点２に係る本件発明１の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、他の相違点について判断するまでもなく、本件発明１は、甲１発明ではないし、甲１発明、甲１～３、５に記載の事項及び甲４に記載される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 イ 甲２、３及び５発明との対比・判断 （ア）対比 甲２発明は、甲１発明と同じ発明であり、甲３発明及び甲５発明で、甲１発明と異なる点は、本件発明１との関係では一致点となるものではないから、本件発明１と、甲２、３及び５発明とを、それぞれ対比すると、甲１発明と同様に、両者は「シリカ粒子」である点で一致するものの、以下の点で相違している。 ＜相違点３＞ 本件発明１のシリカ粒子は、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下である」のに対し、甲２、３及び５発明のシリカ粒子は、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合の値が明らかでない点。 ＜相違点４＞ 本件発明１のシリカ粒子は、「ｃｖ値が、２６．７％以下である」のに対し、甲２、３及び５発明のシリカ粒子は、ｃｖ値が明らかでない点。 （イ）判断 事案に鑑み、上記相違点４について検討する。 ａ 相違点４が実質的な相違点であるか否かについて 甲２、３及び５には、それぞれ、甲２、３及び５発明のシリカ粒子のｃｖ値に関する直接的な記載や、また、ｃｖ値を示唆する記載もないことから、甲２、３及び５発明のシリカ粒子のｃｖ値は、明らかでなく、上記相違点４は、実質的な相違点である。 なお、本件発明１のシリカ粒子における製造方法と甲２、３及び５発明のシリカ粒子におけるそれぞれの製造方法の異同の観点から、上記相違点４に係る本件発明１のシリカ粒子の性状を甲２、３及び５発明のシリカ粒子も有するか否かについては、上記ア（イ）ａで述べたのと同様に理由により、本件発明１と甲２、３及び５発明のシリカ粒子におけるそれぞれの製造方法は、一致するものではないから、甲２、３及び５発明のシリカ粒子は、それぞれ本件発明１のシリカ粒子と同じ性状を有しているということはできない。さらに、特許権者より提出された令和３年８月６日付け意見書に添付された実験成績証明書に、甲２、３及び５発明のシリカ粒子のｃｖ値が、本件発明１の範囲外であることが示されていることは、上記ア（イ）ａ（ｅ）で述べたとおりである。 ｂ 相違点４に係る本件発明１の事項が容易想到であるか否かについて 上述のように、甲２、３及び５には、それぞれ、甲２、３及び５発明のシリカ粒子のｃｖ値に関する直接的な記載や同ｃｖ値を示唆する記載もないことから、甲２、３及び５発明において同ｃｖ値を、上記相違点４の範囲とする動機付けがないことは明らかである。 この点は、甲４をみても変わりはないから、上記相違点４に係る本件発明１の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえない。 （ウ）小括 以上のとおり、少なくとも上記相違点４は実質的な相違点であるし、また、上記相違点４に係る本件発明１の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、他の相違点について判断するまでもなく、本件発明１は、甲２、３及び５発明のいずれでもないし、甲２、３及び５発明のいずれの発明を主たる発明としても、甲１～３、５に記載の事項及び甲４に記載される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）本件発明２について ア 甲１～３及び５発明との対比・判断 甲２発明は、甲１発明と同じ発明であり、甲３発明及び甲５発明で、甲１発明と異なる点は、本件発明２との関係では一致点となるものではないから、本件発明２と、甲１～３及び５発明とを、それぞれ対比すると、両者は「シリカ粒子」である点で一致するものの、以下の点で相違している。 ＜相違点５＞ 本件発明２のシリカ粒子は、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下である」のに対し、甲１～３及び５発明のシリカ粒子は、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合の値が明らかでない点。 ＜相違点６＞ 本件発明２のシリカ粒子は、「会合比が、１．８％以下である」のに対し、甲１～３及び５発明のシリカ粒子は、会合比が明らかでない点。 イ 判断 事案に鑑み、上記相違点６について検討する。 （ア）相違点６が実質的な相違点であるか否かについて 会合比とは、本件明細書【００３５】の記載によれば、平均１次粒子径と平均２次粒子径とから、平均２次粒子径／平均１次粒子径で算出されるものであるところ、甲１～３及び５には、それぞれ、甲１～３及び５発明のシリカ粒子の会合比に関する直接的な記載やこれを示唆する記載もないことから、甲１～３及び５発明のシリカ粒子の会合比が明らかでないことは上述のとおりであり、上記相違点６を両者の製造方法の異同の観点からみても、この点は、実質的な相違点であるといわざるを得ない。 すなわち、本件発明２のシリカ粒子における製造方法と甲１～３及び５発明のシリカ粒子におけるそれぞれの製造方法の異同については、上記（３）ア（イ）aで述べたとおり、両者は一致するものではないから、甲１～３及び５発明のシリカ粒子はそれぞれ、本件発明２のシリカ粒子と同じ性状を有しているということはできない。さらに、特許権者より提出された令和３年８月６日付け意見書に添付された実験成績証明書に、甲１～３及び５発明のシリカ粒子の会合比が、本件発明２の範囲外であることが示されていることは、上記（３）ア（イ）ａ（ｅ）で述べたとおりである。 （イ）相違点６に係る本件発明２の事項が容易想到であるか否かについて 上述のように、甲１～３及び５には、甲１～３及び５発明のシリカ粒子の会合比に関する直接的な記載ないし示唆は認められず、甲１～３及び５発明に、シリカ粒子の会合比を上記相違点６の範囲とする動機付けが存するものとはいえない。 さらに甲４をみても、シリカ粒子の会合比に関する記載は見当たらない。 そうすると、上記相違点６に係る本件発明２の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、少なくとも上記相違点６は実質的な相違点であるし、また、上記相違点６に係る本件発明２の事項は、当業者が容易に想到し得るものであるとはいえないから、他の相違点について判断するまでもなく、本件発明２は、甲１～３及び５発明ではないし、甲１～３及び５発明、甲１～３、５に記載の事項及び甲４に記載される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。 （５）本件発明３～１５について 本件発明３～８は、「シリカ粒子」に係る発明であり、本件発明９は、「シリカ粒子の製造方法」に係る発明であり、本件発明１０～１１は、「シリカゾル」に係る発明であり、本件発明１２は、「研磨組成物」に係る発明であり、本件発明１３は、「研磨方法」に係る発明であり、本件発明１４は、「半導体ウェハの製造方法」に係る発明であり、本件発明１５は、「半導体デバイスの製造方法」に係る発明であるが、いずれの発明も、発明特定事項に、少なくとも本件発明１又は２の「シリカ粒子」に係る事項を含むため、本件発明１又２が、それぞれ甲１～３及び５発明ではないし、甲１～３及び５発明、甲１～３、５に記載の事項及び甲４に記載される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない以上、本件発明３～１５も、甲１～３及び５に記載された発明ではないし、甲１～３及び５に記載された発明、甲１～３、５に記載の事項及び甲４に記載される周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （６）異議申立人の令和３年９月１７日付け意見書について 異議申立人は、特許権者が提出した令和３年８月６日付の意見書に添付した実験成績証明書での実験が、引用文献１（甲１）の【０１２８】に開示された条件に対し、高純度コロイダルシリカとイオン交換水のスケールを変えていることに関し、実験のスケールにより粒子の形状や性状は変わってしまうことは当業者にとって技術常識であり、当該実験は、引用文献１～４（甲１～３、５）に開示された方法と同じ実験条件により製造されたものでないと主張している。 また、実験成績証明書では、オートクレーブの装置名や、オートクレーブの容量、ｃｖ値の測定方法等の記載がなく、具体的な実験条件が不明であり、このような実験により求められたｃｖ値、会合比、平均２次粒子径の結果を根拠とするのは妥当ではないとし、本件発明１～１５が引用発明１～４（甲１～３、５発明）と同一でないことは明らかではない旨主張している。 しかしながら、本件発明１～１５が甲１～３及び５発明と同一であるとするには、異議申立人がそれを立証する必要があるところ、異議申立人の上記意見書での主張は、甲１～３及び５発明のシリカ粒子のｃｖ値又は会合比が、本件発明１又は２の範囲にあることを示すものではない。 また、上記意見書での主張を検討しても、高純度コロイダルシリカとイオン交換水のスケールについて、例えば甲１発明では、コロイダルシリカ３５ｋｇ、イオン交換水１４０ｋｇであるのに対し、実験成績証明書における実験では、それぞれ１０５ｇ、４２０ｇであるが、甲１発明に対しスケールが極端に小さいということはなく、再現実験としては妥当なスケールであるといえる。 また、オートクレーブの装置名等については、オートクレーブが特に使用頻度が少ないという装置ではないから、一般的に知られている装置を使用すれば良いと理解できるし、ｃｖ値の測定方法等も一般的な方法に従って行えばよいことも理解できる。 以上のとおりであるから、異議申立人の意見書での主張は、採用できない。 （７）取消理由及び申立理由１に関するまとめ 以上のとおり、本件発明１～１５は、特許法第２９条第１項第３号又は同法同条第２項の規定に違反してされたものではない。 したがって、取消理由及び申立理由１には理由がない。 ２ 申立理由２（特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反））について （１）サポート要件の判断基準 特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。 （２）サポート要件に関する判断 ア 本件発明の課題について 本件明細書の記載によれば、一般的に、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応により得られるシリカゾル中のシリカ粒子は、縮合度が十分に高いとは言えず、縮合度が低いシリカ粒子は、ＳｉＯ４四面体が連結してできる員環の形成が不十分で、員環サイズが小さく、歪が大きく、機械的強度に劣り、そのような縮合度が低いシリカ粒子を研磨に用いると、研磨中にシリカ粒子が破壊され、破壊されたシリカ粒子が被研磨体に付着する等、研磨において悪影響を及ぼすと共に、縮合度が低いシリカ粒子は、シラノール基が多く残存しているため、保存中に残存しているシラノール基が反応活性点となり、保存安定性を悪化させるという問題があったが（【０００７】）、従来の、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応によりシリカゾルを製造する方法では、得られたシリカゾルに対して加圧加熱処理を行う等のシリカ粒子の縮合度を高める処理を行っておらず、依然として得られたシリカ粒子は、員環の形成が不十分で歪が大きく、機械的強度に劣り、保存安定性に劣るものであった（【０００８】）。この様な従来の問題を受け、本件発明は、特に「研磨特性、保存安定性に優れたシリカ粒子」を提供すること（【０００９】）を発明の課題としている。 イ 本件発明の課題を解決することができることに関する発明の詳細な説明の記載について 本件明細書の【００１０】には、【課題を解決するための手段】として、「本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率と固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率とから算出される表面に存在するシラノール基の割合を最適化することで、シリカ粒子の研磨特性、保存安定性が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。」と記載され、同【００１４】には、表面に存在するシラノール基の割合について、「表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下である。表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下であると、ＳｉＯ４四面体の酸素を共有しながら員環の形成が促進され員環サイズが大きくなって歪が小さくなり、シリカ粒子が弾性変形しづらくなり、機械的強度に優れ、研磨組成物の研磨特性に優れる。」と記載され、同【００２５】には、表面に存在するシラノール基の割合を所望の範囲にするには、「シリカ粒子の表面シラノール基の含有率とシリカ粒子のバルクシラノール基の含有率とを制御が容易で、シリカ粒子の表面に存在するシラノール基の割合を精密に制御することが可能であることから、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応で得られたシリカゾルを加圧加熱処理する方法が好ましい。」と記載されていることから、上記アの発明の課題を解決する手段に関し、以下の点を理解することができる。 ・表面に存在するシラノール基の割合を最適化することで、シリカ粒子の研磨特性、保存安定性が向上すること。 ・具体的には、表面に存在するシラノール基の割合を、１５％以下とすること。 ・表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下であると、ＳｉＯ４四面体の酸素を共有しながら員環の形成が促進され員環サイズが大きくなって歪が小さくなり、シリカ粒子が弾性変形しづらくなり、機械的強度に優れ、研磨組成物の研磨特性に優れることになること。 ・表面に存在するシラノール基の割合は、アルコキシシランの加水分解反応及び縮合反応で得られたシリカゾルを加圧加熱処理する方法により、精密に制御することが可能であること。 そして、同【００９４】～【００９８】に記載され【表１】にまとめられている実施例及び比較例の記載によれば、表面シラノール基割合が１５％以下（本件発明の範囲内）の実施例１（８．５％）、実施例２（５．６％）、実施例３（５．０％）は、例えば、表面シラノール基割合が１５％を超える（本件発明の範囲外の）比較例４（１７．１％）に対して、平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値及び会合比の値についてそれほど差がないにもかかわらず、保存安定性が優れている結果が得られている。さらに、この実施例及び比較例の実験結果に対し、同【００９８】には、「表１から分かるように、加圧加熱処理を行わなかった比較例１や加圧加熱処理を行ったか不明な比較例４に対し、加圧加熱処理を行った実施例１～３で得られたシリカゾル中のシリカ粒子は、平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値、会合比の変化がほぼなく、表面に存在するシラノール基の割合が低減した。平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値、会合比の変化がほぼない状況での表面に存在するシラノール基の割合の低減は、大きな員環の形成を表し、ＳｉＯ４四面体の酸素を共有することによる員環の形成が促進されてシリカ粒子の欠陥が少ないことを意味する。これは４員環が少ないことを意味するので歪が少なく弾性変形し難いことからシリカ粒子の機械的強度に優れ、研磨組成物の研磨特性に優れることが期待される。また、加圧加熱処理を行っているので、アルコキシ基やシラノール基の含有量が低減していると考えられ、反応活性なサイトが少なく、シリカゾルの保存安定性にも優れることが期待される。また、表面シラノール基割合が小さいことで、沈降しにくい安定なシリカ粒子となっていることが期待される。・・・加圧加熱処理を行なわなかった比較例１では、今回の評価で沈降したシリカ粒子が肉眼で確認されなかったが、実施例１～３よりもアルコキシ基やシラノール基の含有量が多いと考えられ、反応活性なサイトが多く、更なる長期保存をした場合には、シリカ粒子の沈降が発生すると考えられる。更に、比較例１及び比較例４では、表面シラノール基割合が大きかった。表面シラノール基割合が大きいことで、大きな員環の形成が行われず、ＳｉＯ４四面体の酸素を共有することによる員環の形成が促進されず、シリカ粒子の欠陥が多いと考えられる。これは４員環が多いことを意味するので歪が多く弾性変形しやすいことからシリカ粒子の機械的強度に劣り、研磨組成物の研磨特性に劣ることが予想される。」との評価がなされ、上記アの発明の課題の「保存安定性に優れた」との点については、実施例の実験による評価で裏付けがなされていると共に、「研磨特性に優れた」との点についても同様に、同【００９８】の記載等により、裏付けがなされているといえる。 そうすると、本件明細書の記載によれば、上記アの発明の課題を解決するには、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下」であれば良いと理解するのが合理的である。 ウ 本件明細書の発明の詳細な説明に記載される本件発明の課題を解決することができると認識できる範囲と本件発明の対比 上記イで述べたように、「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下」であれば、上記アの本件発明の課題を解決することができることが理解できる。 一方、本件発明（本件発明１、２及び本件発明１、２を直接又は間接的に引用する本件発明３～１５）は、上記アの発明の課題を解決するのに必要な手段である「シアーズ法により測定した表面シラノール基の含有率をｘ質量％、固体２９Ｓｉ－ＤＤ／ＭＡＳ－ＮＭＲにより測定したバルクシラノール基の含有率をｙ質量％としたとき、（ｘ／ｙ）×１００％で表される表面に存在するシラノール基の割合が、１５％以下」であることを特定事項として含んでいる。 そうすると、本件発明は、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであって、本件明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるといえるから、特許請求の範囲の記載は、サポート要件に適合するものということができる。 したがって、特許法第３６条第６項第１号所定の規定違反（サポート要件違反）に係る申立理由２には、理由がない。 （３）異議申立人の主張に対する判断 ア 異議申立人の異議申立書での主張について 異議申立人は、異議申立書において、次の３点について主張する。 （ｉ）表面に存在するシラノール基の割合について、実施例１～３では、保存安定性の評価結果しか示されておらず、表面に存在するシラノール基の割合が１５．０％以下であることで、発明の課題である機械的強度に優れたシリカ粒子を製造し得ることが、実施例より裏付けられていると認識することができないから、本件発明がサポート要件に適合するということはできないこと。 （ｉｉ）平均一次粒子径について、本件発明１又は２では、シリカ粒子の平均一次粒子径の範囲が規定されていないのに対して、実施例１～３では、平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍの範囲のシリカ粒子についての保存安定性に関する評価結果しか記載されていないこと。 （ｉｉｉ）製法が同一であれば、シリカ粒子の単位面積当たりのシラノール基数は同一と考えられ、仮に粒子径が２倍になった場合、表面シラノール基数は粒子径の２乗に比例し４倍となり、バルクシラノール基数は粒子径の３乗に比例し、８倍となり、シラノール基の割合は１／２倍になる。例えば、比較例４は、表面シラノール基割合が１７．１％であり、一次粒径が３６．１ｎｍであるが、同様の製造条件で得られる粒径が２倍のシリカ粒子を想定した場合、加圧加熱処理の有無にかかわらず、シラノール基の割合は１７．１％の半分の値となり、粒径を変えるだけで、容易に表面シラノール基の割合が１５％以下になり本件発明の要件を満たすことになるが、所定の加圧加熱処理がなされていないと考えられるシリカ粒子においては、粒径を変えただけでは、員環形成が促進されず、本願発明の効果が得られないと考えられるため、本件発明の効果はあくまで平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍの範囲でのみ奏され、この範囲が特定されていない本件発明１はサポート要件に適合するということはできないこと。 しかしながら、本件発明に係る特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合することは、上記（２）で述べたとおりである。 念のため異議申立人の個別の主張を検討すると、表面に存在するシラノール基の割合について、実施例１～３で、保存安定性の評価結果しか示されていないとしても、上記実施例１～３により製造されるシリカ粒子が、機械的強度に優れたものであることが理解できることは、上記（２）イで述べたとおりである。 また、平均一次粒子径について、本件明細書の【００２６】には、５ｎｍ以上が好ましく１００ｎｍ以下が保存安定性等の観点から好ましい旨の記載はあるが、本件明細書には、平均一次粒子径が３４．４～３９．３ｎｍの範囲でしか、本件発明の課題を解決できない旨の記載はない。 さらに、製法を同一とし、製造される粒子の粒子径を２倍にした場合、シリカ粒子の単位面積当たりのシラノール基数が、粒子径を２倍とする前と同一なるのか明らかでないし、仮に、粒子径を２倍にし、表面シラノール基数は粒子径の２乗に比例し４倍となり、バルクシラノール基数は粒子径の３乗に比例し、８倍となったとしても、本件発明の表面シラノール基の含有率（ｘ質量％）とバルクシラノール基の含有率（ｙ質量％）との関係が明らかでなく、実際に、シリカ粒子の粒子径が２倍になった場合、ｘ／ｙ×１００で表される表面に存在するシラノール基の割合が１／２になるのかが立証されていないから、比較例４のシリカ粒子を、同様の製造条件で粒径が２倍のシリカ粒子を製造した場合、表面シラノール基の割合が１５％以下になるとの主張は、採用することができない。 したがって、異議申立人の異議申立書での主張は採用できない。 イ 異議申立人の意見書での主張について 異議申立人は、意見書で、「本件明細書等の段落【００９８】には、『表１から分かるように、加圧加熱処理を行わなかった比較例１や加圧加熱処理を行ったか不明な比較例４に対し、加圧加熱処理を行った実施例１～３で得られたシリカゾル中のシリカ粒子は、平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値、会合比の変化がほぼなく、表面に存在するシラノール基の割合が低減した。平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値、会合比の変化がほぼない状況での表面に存在するシラノール基の割合の低減は、大きな員環の形成を表し、ＳｉＯ４四面体の酸素を共有することによる員環の形成が促進されてシリカ粒子の欠陥が少ないことを意味する。・・・』と記載されていることから、実施例１～３のシリカ粒子は、ｃｖ値、会合比、平均1次粒子径がほぼ変化しない状況でのシラノール基の割合の低減により、機械的強度及び保存安定性に優れるものであり、ｃｖ値、会合比、平均１次粒子径は、実施例１～３に示されるｃｖ値、会合比、平均１次粒子径の範囲でのみ本願発明の課題が解決されるものある」と主張している。 しかしながら、本件発明が、表面に存在するシラノール基の割合が１５％以下であることで、本件発明の課題を解決できることは、上記（２）で述べたとおりである。 そして、実施例１～３が、加圧加熱処理を行わなかった比較例１や加圧加熱処理を行ったか不明な比較例４に対し、平均１次粒子径、平均２次粒子径、ｃｖ値、会合比の変化がほぼない状況のもと、表面に存在するシラノール基の割合の大小によって、機械的強度及び保存安定性の違いを示すことは、むしろ、表面に存在するシラノール基の割合の大小が、本件発明の課題の解決に直結するものであることを示すものであるといえる。 そうすると、異議申立人の意見書での主張は採用できない。 （４）小括 以上のとおり、本件発明について記載した特許請求の範囲の記載は、発明の詳細な説明に記載されたものであり、申立理由２には理由がない。 ３ 異議申立人が主張する、本件訂正に起因する新たな申立理由（特許法第３６条第４項第１号所定の規定違反（実施可能要件違反））について 異議申立人は、意見書で、実施可能要件違反として、以下の理由を主張している。 （１）本件発明１について、本件明細書の【００３３】には、「シリカ粒子のｃｖ値は、動的光散乱粒子径測定装置を用いてシリカ粒子の平均２次粒子径を測定し、下記式（５）を用いて算出される値であり、均一な粒子径の指標となる値である。 ｃｖ値＝（標準偏差（ｎｍ）／平均２次粒子径（ｎｍ）×１００・・・（５））」との記載がある。しかしながら、動的光散乱粒子径測定装置では、「標準偏差」が測定されないため、どのようにしてｃｖ値が算出されたのか不明であり、ｃｖ値を規定した本件発明１は、当業者が実施することができる程度に記載されたものではない。 （２）本件発明１について、本件明細書の【００９７】の表１では、実施例１～３において、ｃｖ値が、２６．０％～２６．７％の範囲が示されているが、２６．０％よりｃｖ値が低い範囲の結果について示されていない。 ここで、ｃｖ値は、粒子の単分散性を示す値であり、ｃｖ値が低いほど粒子径が揃っており、単分散性が高いことを意味する。通常、よりｃｖ値が低く、単分散性が高いシリカ粒子を得るには、反応器内の分散状態を高度に制御する必要があり、その製造は困難であるところ、本件明細書にはｃｖ値を制御する方法が開示されていない。このため、本件明細書の記載から、２６．０％より低い値のｃｖ値のシリカ粒子を得るためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を必要とするといえる。したがって、本件発明１は、当業者が実施することができる程度に記載されたものではない。 （３）本件発明２について、本件明細書の【００９７】の表１では、実施例１～３において、会合比が、１．６～１．８の範囲が示されているが、会合比が１．６より低い範囲について示されていない。 ここで、会合比とは、「平均２次粒子径／平均１次粒子径」で表され、会合する分子の割合（会合度）を意味する。 通常、会合比が低く、粒子同士が凝集しないような高い分散性を有するシリカ粒子得るには、反応器内の分散状態を高度に制御する必要があり、その製造は困難であるところ、本件明細書には会合比を制御する具体的な方法が開示されていない。このため、本件明細書の記載から、１．６未満の会合比のシリカ粒子を得るためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を必要とするといえる。このため、本件発明１は、当業者が実施することができる程度に記載されたものではない。 そこで検討するに、上記（１）についていうと、動的光散乱粒子径測定装置では、粒子の粒子径や粒子径の分布を測定することができるのであるから、シリカ粒子の「標準偏差」を求めることができないということはなく、ｃｖ値＝（標準偏差（ｎｍ）／平均２次粒子径（ｎｍ）×１００の式によって、ｃｖ値を算出することができるといえる。また上記（２）についていうと、ｃｖ値は、低いほど粒径が揃っており、単分散性が高いことを意味するものであるが、粒子径を揃え単分散性を高めるのに適した製造条件は知られているといえ、ｃｖ値を小さくすることを指向した場合には、適宜、２６．０％以下のｃｖ値を有するシリカ粒子を製造することができるといえる。また、本件発明１でのｃｖ値の特定が２６．０％以下であるとしても、本件明細書の【００３２】には、研磨レート等との関係で１５以上が好ましいことが記載されているし、ｃｖ値において実現が困難であるような極端な値までをその範囲とするものではないと解するのが合理的である。さらに上記（３）についてみても、会合比は、低いほど粒子同士が凝集しておらず、分散性が高いことを意味するものであるが、粒子同士が凝集しないものとし、分散性を高めるのに適した製造条件は知られているといえ、会合度を小さくすることを指向した場合には、適宜、１．６％以下の会合度を有するシリカ粒子を製造することができるといえる。また、本件発明２での会合度の特定が１．６％以下であるとしても、本件明細書の【００３４】には、研磨レート等との関係で１．０以上が好ましいことが記載されているし、会合度において実現が困難であるような極端な値までをその範囲とするものではないと解するのが合理的である。 そうすると、異議申立人の上記（１）～（３）の主張は採用することができないから、本件発明の実施に際し、特に過度の試行錯誤が必要であるということはできず、本件発明が実施可能要件に違反しているとすることはできない。 以上のとおり、本件訂正に起因する新たな申立理由は、理由がない。 第６ むすび 上記第５で検討したとおり、本件特許１～１５は、特許法第２９条第１項第３号及び同法同条第２項の規定に違反してされたものであるということはできないし、同法第３６条第４項第１号及び同法同条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということもできず、同法第１１３条第２号又は第４号に該当するものではないから、上記取消理由、上記申立理由１、２及び本件訂正に起因して新たに申立てられた申立理由では、本件特許１～１５を取り消すことはできない。 また、他に本件特許１～１５を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。