2025-700642

特許第７６０４８６１号発明「炭素材料およびそれを用いてなる導電性組成物、導電膜」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６０４８６１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１６〕について訂正することを認める。 特許第７６０４８６１号の請求項４～１６に係る特許を維持する。 特許第７６０４８６１号の請求項１～３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６０４８６１号の請求項１～７に係る特許についての出願は、令和２年１２月３日に出願したものであって、令和６年１２月１６日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２４日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、概略、次のとおりである。 令和７年 ６月１９日 ：特許異議申立人関誠之（以下「申立人関」という。）による請求項１～７に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ６月２４日 ：特許異議申立人山内憲之（以下「申立人山内」という。）による請求項１～７に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ７月２５日 ：申立人山内による特許異議申立書に対する手続補正書（方式）の提出 同年 ８月 ６日 ：申立人関による特許異議申立書に対する手続補正書（方式）の提出 同年１０月 ９日付け：取消理由通知書 同年１２月１２日 ：特許権者による訂正請求書及び意見書の提出 同年 同月１９日付け：訂正請求があった旨の通知 令和８年 １月２１日 ：申立人山内による意見書の提出 なお、訂正請求があった旨を通知して意見を求めたが、申立人関からは意見書の提出はなかった。 申立人関が提出した手続補正書（方式）により補正された特許異議申立書を以下「関申立書」といい、申立人山内が提出した手続補正書（方式）により補正された特許異議申立書を以下「山内申立書」という。また、本件訂正請求書による訂正を以下「本件訂正」又は単に「訂正」という。 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 本件訂正請求書による請求の趣旨は、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～１６について訂正することを求めるものであり、その内容は以下のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （４）訂正事項４ ア 訂正事項４－１ 特許請求の範囲の請求項４に「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２） が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３いずれか記載の炭素材料。」と記載されているのを、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５、６、７も同様に訂正する。）。 イ 訂正事項４－２ 特許請求の範囲の請求項４に「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２） が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３いずれか記載の炭素材料。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」と記載し、新たに請求項８とする。 ウ 訂正事項４－３ 特許請求の範囲の請求項４に「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２） が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３いずれか記載の炭素材料。」とあるうち、請求項１を引用する請求項３を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」と記載し、新たに請求項９とする。 エ 訂正事項４－４ 特許請求の範囲の請求項４に「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２） が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３いずれか記載の炭素材料。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２をさらに引用する請求項３を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」と記載し、新たに請求項１０とする。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１～４いずれか記載の炭素材料。」と記載されているのを、「請求項４記載の炭素材料。」に訂正する（請求項５の記載を引用する請求項６、７も同様に訂正する）。 （６）訂正事項６ ア 訂正事項６－１ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５いずれかに記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。」と記載されているのを、「請求項４または５に記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。」に訂正する（請求項６の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。）。 イ 訂正事項６－２ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５いずれかに記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２をさらに引用する請求項４を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。」と記載し、新たに請求項１１とする。 ウ 訂正事項６－３ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５いずれかに記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。」とあるうち、請求項１を引用する請求項３をさらに引用する請求項４を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。」と記載し、新たに請求項１２とする。 エ 訂正事項６－４ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５いずれかに記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３をさらに引用する請求項４を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。」と記載し、新たに請求項１３とする。 （７）訂正事項７ ア 訂正事項７－１ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項６記載の導電性組成物を用いて得られる導電膜。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項４をさらに引用する請求項６を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。」と記載し、新たに請求項１４とする。 イ 訂正事項７－２ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項６記載の導電性組成物を用いて得られる導電膜。」とあるうち、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項４をさらに引用する請求項６を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。」と記載し、新たに請求項１５とする。 ウ 訂正事項７－３ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項６記載の導電性組成物を用いて得られる導電膜。」とあるうち、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４をさらに引用する請求項６を引用するものについて、独立形式に改め、 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。」と記載し、新たに請求項１６とする。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無 （１）訂正事項１～３について 訂正事項１～３は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲（以下「本件特許明細書等」という。なお、本件特許出願には図面はない。）に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （２）訂正事項４－１について 訂正事項４－１は、請求項１～３を引用する請求項４のうち、請求項１を引用する請求項４について書き下し、独立形式にしたものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とすると同時に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。 このように、他の請求項を引用する請求項の記載について、書き下して独立形式にすることは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （３）訂正事項４－２～４－４について 訂正事項４－２～４－４は、請求項１～３を引用する請求項４のうち、順に、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項４について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項４について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４について書き下して独立形式にしたものであるから、上記訂正事項４－１と同様に、特許請求の範囲の減縮を目的とすると同時に「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （４）訂正事項５及び６－１について 訂正事項５及び６－１は、訂正事項１～３により請求項１～３が削除されたことに伴い、引用する請求項から請求項１～３を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （５）訂正事項６－２～６－４について 訂正事項６－２～６－４は、請求項１～５を引用する請求項６のうち、順に、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項４を引用する請求項６について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項６について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項６について書き下して独立形式にしたものであるから、上記訂正事項４－１と同様に、特許請求の範囲の減縮を目的とすると同時に「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 （６）訂正事項７－１～７－３について 訂正事項７－１～７－３は、請求項１～５を引用する請求項６を引用する請求項７のうち、順に、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項４を引用する請求項６を引用する請求項７について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項６を引用する請求項７について書き下して独立形式にしたもの、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を引用する請求項４を引用する請求項６を引用する請求項７について書き下して独立形式にしたものであるから、上記訂正事項４－１と同様に、特許請求の範囲の減縮を目的とすると同時に「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。 ３ 一群の請求項について 訂正前の請求項２～７は、請求項１を直接的又は間接的に引用するものであるから、請求項１～７は一群の請求項であり、上記訂正事項１～７（枝番を含む）は、当該一群の請求項に請求されているものである。 なお、特許権者は、訂正請求書において「別の訂正単位とする求め」（すなわち、訂正が認められる場合には一群の請求項の他の請求項とは別途訂正することを求めること）について記載しておらず、「訂正後の請求項１～１６は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。」（１１頁下から２行～最下行）と記載していることから、訂正後の請求項１～１６は一群の請求項である。 ４ 訂正の適否についてのまとめ 以上のとおり、訂正事項１～７（枝番を含む）に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。 よって、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－１６〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明及び本件明細書 １ 本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項４～１６に係る発明（以下「本件発明４」～「本件発明１６」といい、まとめて「本件発明」ともいう。なお、請求項１～３は、訂正により削除された。）は、訂正特許請求の範囲の請求項４～１６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項４】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。 【請求項５】 ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有し、該ピークの半値幅が８°以下であることを特徴とする請求項４記載の炭素材料。 【請求項６】 請求項４または５に記載の炭素材料と、バインダーとを含む導電性組成物。 【請求項７】 請求項６記載の導電性組成物を用いて得られる導電膜。 【請求項８】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。 【請求項９】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。 【請求項１０】 窒素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。 【請求項１１】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。 【請求項１２】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。 【請求項１３】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物。 【請求項１４】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。 【請求項１５】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。 【請求項１６】 窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ１＋Ｎ２）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ１＋Ｎ２）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％ 以下であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％であり、 窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）と、 バインダーと、を含む導電性組成物を用いて得られる導電膜。」 ２ 本件明細書 本件特許明細書に対する訂正はないことから、以下本件特許明細書を「本件明細書」といい、そして、本件明細書には、以下の事項が記載されている。 （本ａ）「【０００３】 また、導電性のカーボン材料としては、グラファイトやカーボンナノチューブ等の高導電性カーボンも検討されてきた。これら高導電性カーボンの体積抵抗率は、１０－２Ω・ｃｍ未満と優れた導電性を有しており、従来に比べ導電性の課題を改善できることが報告されている（特許文献１、２）。しかし、体積抵抗率１０－４Ω・ｃｍ未満の非常に高い導電性を示す金属フィラーと比較すると大幅に体積抵抗率が高く、導電性の改善が大きな課題であった。」 「【０００５】 したがって、炭素材料にホウ素元素や窒素元素等のヘテロ元素をドープすることで、電子またはホールの導入によるキャリア密度の向上が期待できる。これまでにホウ素ドープによる炭素材料の高導電化（特許文献３）が報告されているが、製造時に２０００℃以上の高温を必要とするため、エネルギー消費量やコストの面で課題があった。一方、窒素ドープについては、触媒活性に関する報告（特許文献４）はあるものの、導電性に着目した研究は不足しており、炭素材料中の窒素の含有量や結合状態と導電性との関係性はいまだ明らかとなっていない。」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 本発明は前記問題点に鑑み、導電性に優れる炭素材料を提供することを目的とする。」 （本ｂ）「【００１８】 本発明の窒素ドープ炭素材料は、炭素材料中の炭素元素の含有量に対する窒素元素の含有量の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、好ましくは０．１～５ｍｏｌ％、より好ましくは０．１～２ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．１～１ｍｏｌ％、特に好ましくは０．１５～０．５ｍｏｌ％である。Ｎ／Ｃが０．０１ｍｏｌ％以上であると、キャリア密度が向上するため、導電性が改善する。Ｎ／Ｃが２０ｍｏｌ％以下であると、炭素材料の結晶性が高いため、キャリア移動度が良好である。窒素ドープ炭素材料中の炭素元素および窒素元素の含有量は、ＣＨＮ元素分析などにより求めることができる。また、窒素ドープ炭素材料中の窒素の含有量は、表面および内部に含有される全窒素量を示すものであり、窒素化合物や炭素元素と置換するようにドープされている窒素を含む。 【００１９】 本発明の窒素ドープ炭素材料は、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上である。Ｎ３型窒素原子とは、後述する、３つの炭素原子と結合している４級の窒素原子のことであり、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができ、窒素のＮ１ｓスペクトル面積に対するＮ３型窒素原子のピーク面積の割合から求めることができる。」 「【００２２】 本発明の窒素ドープ炭素材料において、材料表面の全窒素量に対するＮ３型窒素原子量の割合（表面Ｎ３）は、好ましくは２０ｍｏｌ％以上、より好ましくは３０～９０ｍｏｌ％、さらに好ましくは５０～８０ｍｏｌ％である。Ｎ３型窒素原子は非共有電子対を炭素との結合に使用するため、炭素材料への電子供与により炭素材料のキャリア密度を向上することができる。一方、Ｎ１型窒素原子およびＮ２型窒素原子は非共有電子対を有しているため、炭素材料への電子供与効果は著しく小さい。また、Ｎ４型窒素原子は酸素等の異種元素と結合しているため、炭素材料への電子供与効果は小さい。したがって、Ｎ３型窒素原子量の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％であると、その他の窒素原子による結晶性の低下や電子伝導の阻害を抑制できる。」 【００２３】 また、ＸＰＳによって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合（表面末端窒素量）が１ｍｏｌ％以下であることで、炭素材料の結晶性や炭素六角網面におけるπ結合の連続性を維持し、キャリア移動度を高く保つことができる。なお、炭素材料表面における各元素の割合は、全元素のスペクトル面積に対する各元素のスペクトル面積の割合から算出できる。 【００２４】 また、ＸＰＳによって測定した、炭素材料表面の炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．１～５．０ｍｏｌ％であることが好ましく、０．２～１．３ｍｏｌ％であることがより好ましい。炭素材料表面の炭素元素に対する窒素元素の割合が０．１ｍｏｌ％以上であるとキャリアドープ効果により導電性が改善し、５．０ｍｏｌ％以下であると、表面の炭素六角網面構造が維持されるため、粒子間の導電性が向上する。」 「【００２６】 また、本発明の窒素ドープ炭素材料は、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることが好ましく、より好ましくは０．１～２０ｍ２／ｇ、さらに好ましくは１～１０ｍ２／ｇである。ＢＥＴＮ２が１００ｍ２／ｇ以下であると、重量および体積当たりの粒子数が少ないため、粒子間の接触抵抗が低減され、良好な導電性が得られる。ＢＥＴＮ２が０．０１ｍ２／ｇ以上であると、窒素ドープ反応が容易に進行する。」 「【００２９】 上記ピークの半値幅（半値全幅）が８°以下である場合には、炭素材料の結晶性が高く、電子伝導性が高く、好ましい。また、上記ピークの半値幅が４°以下であることはより好ましく、１°以下であることは、さらに好ましい。なお、近傍のピークと重なっている場合には、フィッティングによりピークを分離し、半値幅を算出する。」 （本ｃ）「【００３１】 また、本発明の窒素ドープ炭素材料の構造（形状）は、上述の条件を満たす炭素材料であれば、特に限定されないが、例えば、カーボンブラック（アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、ミディアムサーマルカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック）、黒鉛、グラフェンナノプレートレット、グラフェン、炭素繊維、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンナノホーン、カーボンナノブラシ、活性炭、多孔質炭素、ナノポーラスカーボン等に分類されるものであり、好ましくは黒鉛化カーボンブラック、黒鉛、グラフェンナノプレートレット、グラフェン、炭素繊維、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、さらに好ましくは、黒鉛、グラフェンナノプレートレット、グラフェン、カーボンナノチューブである。 【００３２】 また、本発明の窒素ドープ炭素材料は、体積抵抗率が２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。」 （本ｄ）「【実施例】 【００７１】 以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、部は、特に断らない限り、質量部を表す。 【００７２】 ＜窒素ドープ炭素材料＞ ［実施例１］ 炭素源である球状天然黒鉛（日本黒鉛工業社製 ＣＧＢ―５０、平均粒径５０μｍ）８０部と、窒素源であるコバルトフタロシアニン（東京化成工業社製）２０部とを自転公転ミキサーで乾式混合して混合物を得た。上記混合物をアルミナ製るつぼに充填し、窒素雰囲気下、１０００℃で１時間熱処理を行い、窒素ドープ炭素材料（１）を得た。 【００７３】 ［実施例２］ 炭素源である球状天然黒鉛（日本黒鉛工業社製 ＣＧＢ―５０、平均粒径５０μｍ）８０部と、窒素源である鉄フタロシアニン（山陽色素社製）２０部と、溶媒であるエタノール３００部をビーズミルで湿式混合し、大気下７０℃のオーブンで乾燥させて混合物を得た。上記混合物をアルミナ製るつぼに充填し、窒素雰囲気下、１０００℃で１時間熱処理を行い、窒素ドープ炭素材料（２）を得た。 【００７４】 ［実施例３～２３、比較例１～１０］ 表１～４に示す原料、条件を用いて、原料を乾式混合した場合は実施例１と同様にして、原料を湿式混合した場合は実施例２と同様にして、窒素ドープ炭素材料（３）～（３３）を作製した。 【００７５】 【表１】～【表４】（略） 【００７６】 実施例および比較例で得られた窒素ドープ炭素材料について、以下の測定を行った。その結果を表５～８に示す。 【００７７】 ＜炭素材料中の窒素元素の含有量＞ ＣＨＮ元素分析装置（パーキンエルマー社製 ２４００型）を用いて、炭素材料中の炭素元素および窒素元素の含有量を測定し、炭素元素の含有量に対する窒素元素の含有量の割合（Ｎ／Ｃ）を算出した。 【００７８】 ＜炭素材料表面の元素及び化学状態の分析＞ Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）（ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製 Ｋ－Ａｌｐｈａ）を用いて、全窒素量に対するＮ３型窒素原子量の割合（表面Ｎ３）、炭素量に対する窒素量の割合（表面Ｎ／Ｃ）、表面末端窒素量、および表面金属量を評価した。 【００７９】 ＜炭素六角網面の基本骨格＞ Ｘ線回折装置（リガク社製 Ｓｍａｒｔｌａｂ）を用いて、ＣｕＫα線をＸ線源として測定し、２θ＝２４．０～２７．０°付近に現れる黒鉛骨格由来の（００２）面のピーク半値幅を求めた。 【００８０】 ＜比表面積＞ ガス吸着量測定装置（マイクロトラック・ベル社製 ＢＥＬＳＯＲＰ－ｍｉｎｉ）を用いて、窒素吸着量測定を行い、ＢＥＴ法により比表面積を算出した。 【００８１】 実施例および比較例で得られた炭素材料について、以下の評価を行った。その結果を表５～８に示す。 【００８２】 ＜粉体抵抗＞ 粉体抵抗測定システム（日東精工アナリテック社製 ＭＣＰ－ＰＤ５１型）を用いて、炭素材料の体積抵抗率を測定した。体積抵抗率は、測定セルの中に炭素材料を加えた後、２０ｋＮの荷重を加えた際の値を算出した。 【００８３】 【表５】 ［図：0001437382000001.jpg］ 【表６】 ［図：0001437382000002.jpg］ 【表７】 ［図：0001437382000003.jpg］ 【表８】 ［図：0001437382000004.jpg］ 」 第４ 取消理由の概要 １ 令和７年１０月９日付けで通知した取消理由は、以下のとおりである。 なお、ここで、請求項についての記載は、訂正前のものである。また、申立人関が提出した甲第○号証を以下「関甲○」といい、申立人山内が提出した甲第○号証を以下「山甲○」といい、＜甲号証一覧＞にまとめて記載する。 取消理由１（明確性） 本件特許は、特許請求の範囲の下記の請求項に係る記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 取消理由２（サポート要件） 本件特許は、特許請求の範囲の下記の請求項に係る記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定にする要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 取消理由３（新規性） 本件特許の下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された、又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 取消理由４（進歩性） 本件特許の下記の請求項に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された、又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ そして、上記取消理由の概要は、以下のとおりである。 （１）取消理由１（明確性） ・請求項１～７ ア （Ｎ／Ｃ）について 一般に、ＣＨＮ元素分析とは、試料を高温で完全に燃焼分解し、生成する二酸化炭素、水、窒素ガスを熱伝導度検出器で分離・検出することで、試料中の炭素、水素、窒素の含有量を定量する分析法であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）とは、試料表面にＸ線を照射することによって放出される光電子の運動エネルギーを測定して、対象物の表面の元素分析や非破壊での化学結合状態を解析する表面分析法であり、ＸＰＳで分析できる深さは通常、表面から数ナノメートル（ｎｍ）程度と非常に浅いものとされている。 そうすると、測定する材料の厚さが数ｎｍと薄い場合には、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した値から「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」を求めたものともいえ、その場合、ＣＨＮ元素分析とＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）とはそれらの測定原理が全く異なるものであるから、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）により測定した値から算出した（Ｎ／Ｃ）と、ＣＨＮ元素分析により測定した値から算出した（Ｎ／Ｃ）とが一致するとはいえない。 したがって、測定手段が特定されていない請求項１に係る発明の「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」は一義的に定まるものとはいえないことから、請求項１に係る発明は不明確である。また、請求項１を引用する請求項２～７に係る発明についても事情は同じである。 イ 半値幅について 請求項５に係る発明では「ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有し、該ピークの半値幅が８°以下であること」が特定されているが、本件明細書には半値幅を求めるためのＸ線回折図を得るＸ線に関する条件が開示されていない。そうすると、どのようなＸ線に関する条件のもと得られたＸ線回折図において求めた半値幅であるのか明確でないことから、請求項５に係る発明の「ピークの半値幅」の角度の数値が一義的に定まるものとはいえない。 よって、請求項５に係る発明は不明確であり、それを引用する請求項６及び７に係る発明についても事情は同じである。 （２）取消理由２（サポート要件） ・請求項１～７ 本件明細書の（本ａ）で摘記した【発明が解決しようとする課題】である【０００７】には「本発明は前記問題点に鑑み、導電性に優れる炭素材料を提供することを目的とする。」とのみ記載され、その具体的な数値については記載されていないが、【００３２】に「また、本発明の窒素ドープ炭素材料は、体積抵抗率が２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。」と記載されていることから、本件発明の課題は、体積抵抗率が２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下である導電性に優れる炭素材料を得ることであるともといえる。 一方、実施例１８～２０、２１、２２及び２３（順に炭素材料２３～２５、２８、３０及び３２）の体積抵抗率は順に１６×１０-３Ω・ｃｍ、１９×１０-３Ω・ｃｍ、１８×１０-３Ω・ｃｍ、２．５×１０-３Ω・ｃｍ、３５×１０-３Ω・ｃｍ及び４．８×１０-３Ω・ｃｍでいずれも２．０×１０-３Ω・ｃｍを超えるものであり、特に、実施例２３（炭素材料３２）は、請求項１～５に係る発明の発明特定事項全てを満たしているにもかかわらず、２．０×１０-３Ω・ｃｍを超えるものである。 そうすると、請求項１～５に係る発明の発明特定事項を満たしても、体積抵抗率が２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下である導電性に優れる炭素材料を得ることができるとはいえないことから、請求項１～５に係る発明は、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものとはいえない。さらに、本件発明１～５の炭素材料とバインダーとを含む導電性組成物の発明である請求項６に係る発明、請求項６の導電性組成物を用いて得られる導電膜である請求項７に係るについても事情は同じである。 （３）取消理由３（新規性）・取消理由４（進歩性） ・請求項１～７ 請求項１～３及び５に係る発明は、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８に記載された発明であり、 請求項４に係る発明は、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８に記載された発明、並びに関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、 請求項６及び７に係る発明は、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８に記載された発明、並びに関甲１、関甲１２及び関甲１３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとし、 「まとめ」として、請求項１～７に係る発明は、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８に記載された発明であるか、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとしている。 なお、下線を付記した請求項４に係る発明は「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１～３いずれか記載の炭素材料。」であり、上記第２の１で記載した訂正によって、請求項１を引用する請求項４に係る発明の発明特定事項が、上記第３の１で記載した本件発明４～１６において、必須の発明特定事項となっている。 ＜甲 号 証 一 覧＞ 関甲１：平成２１年度成果報告書 09008052-0(契約管理番号)、「平成２１年度エコイノベーション推進事業「レアメタル代替材料となる燃料電池用炭素触媒の探索研究」調査委託成果報告書（公開用）」、平成２２年２月、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 委託先 国立大学法人信州大学 関甲２：白石壮志、他、「電気二重層キャパシタ用電極主材としての賦活ケッチェンブラックの容量特性」、炭素、2019[No.289]、２０１９年、pp.139-147 関甲４：白石壮志、他、「炭素化ポリアニリンの電気化学容量」、炭素、2008[No.232]、２００８年、pp.61-66 関甲１２：特開２０１９－２１６０８２号公報 関甲１３：特開２０２０－９８７２５号公報 関甲１６：特開２０１８－１７００９２号公報 関甲１７：特開２０２０－９６５９号公報 山甲１：Kazunori Fujisawa,et al.「Enhanced electrical conductivities of N-doped carbon nanotubes by controlled heat treatment」,Nanoscale,2011,3, ２０１１年９月１２日, pp.4359-4364 山甲３：Hideharu Niwa, et al.「X-ray photoemission spectroscopy analysis of N-containing carbon-based cathode catalysts for polymer electrolyte fuel cells」,Journal of Power Sources, 196(2011),２０１１年, pp.1006-1011 山甲５：国際公開２０１９／０６６０１３号 山甲６：特開２０１６－１１３３６４号公報 山甲８：特表２０１４－５２２０７６号公報 山甲９：特許第５２３３３１４号公報 第５ 甲号証の記載 甲号証の記載を摘記するにあたっては、まず、上記第４で記載した取消理由３（新規性）・取消理由４（進歩性）において、主たる引用例となる関甲１、関甲２、山甲３、山甲８について摘記し、次に、比表面積についての周知技術を示す関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７、山甲９について摘記し、そして、取消理由において提示したその余の甲号証について摘記する。 その後、取消理由において提示しなかった甲号証について摘記することとするが、訂正された本件発明４～１６について、申立人関においては意見がなく、そして、申立人山内においても、下記の第６の３（１）イ（エ）ａで記載するとおり、周知技術として提示した山甲９が主引例となることを主張している以外に、取消理由において提示した甲号証以外の甲号証については、もはや特段の主張もしていないという事情を鑑みて、取消理由において提示しなかった甲号証については、開示されている技術事項が理解できる程度に摘記することとする。 なお、文章が外国語である甲号証の文章については、タイトル、図、表などを除き、訳文のみを記載することとする。 １ 主たる引用例となる甲号証 （ア）関甲１について ａ 記載事項 関甲１には、以下の事項が記載されている。 （関甲１ａ）「シルク活性炭の炭素ネットワーク中に取り込まれた窒素の酸化状態と酸素還元反応との関係については論文誌上で議論が分かれている。すなわち、窒素Ｎ１ｓのＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）スペクトルによると、低結合エネルギー側からピリジン型、ピロール型、グラファイト型、酸化型の４種が観察され、酸素還元活性との関係では、ピロール型窒素種が重要とする見解とグラファイト型窒素種が重要とする見解、さらにはこれら窒素種が抜けたサイトが活性部位になるとの考えもある。図3-9および表3-4に見られるように、本実験では水蒸気賦活温度が高くなるとグラファイト型及酸化型窒素種が残存し易い傾向がみられるが、賦活時間については３ｈと７ｈとの間に有意の差異は認められない。また、表3-4に掲げたＸＰＳスペクトルで評価した表面層に残存する窒素と酸素の比、表3-5に掲げた、元素分析による窒素と酸素の比についても、賦活時間による大きな違いは認められなかつた。」（２４頁下から１１行～最下行） （関甲１ｂ）表3-4、表3-5、表3-6、図3-8として、以下の表及び図面が記載されている。 「 ［図：0001437382000005.jpg］ ［図：0001437382000006.jpg］ ［図：0001437382000007.jpg］ ［図：0001437382000008.jpg］ 」 （関甲１ｃ）種々の炭素材料のＢＥＴ比表面積が以下の表3-3に示されている。 「 ［図：0001437382000009.jpg］ 」 （関甲１ｄ）「４ シルク活性炭触媒をカソードに用いた燃料電池の高性能化 シルク活性炭触媒をカソードに用いた燃料電池は以下のように作製した。シルク活性炭触媒を酢酸ブチル中に投入し、超音波で分散させながらNafion 5wt%溶液を少量ずつ滴下しペーストを調製した。次にこのペーストを撥水処理されたカーボンペーパー上にスポイトを用いて、塗布と乾燥を繰り返して電極を作製した。また、製造後電極表面にメタノールとNafion 5 wt.%溶液の体積比１：１の混合溶液を噴霧した。アノードとしては、ElectrochemのPt/Cを用いて、同様の作製手順で行なった。アノードとカノードを既定の大きさに切断し、それぞれの電極を前処理したNafion膜(Nafion(R)117)の対面に並べ、ホットプレス器により熱圧着してMEAとした。熱圧着は130℃、180秒にて、圧力を0.70MPaで行なった。発電試験は、カソードに酸素をアノードに水素を供給して行った。両方のガスともに加湿器を用い、水蒸気を供給して行った。」（３２頁１～１１行） ｂ 記載事項の整理 上記（関甲１ｂ）の表3-4、表3-5、表3-6及び図3-8、（関甲１ｃ）の表3-3において、一例として、炭素材料CS1200-AC3に着目すると、以下のとおりである。 （ａ）表3-6は「元素分析法で評価した種々の炭素材料のC/N比」（モル比）を示したものであり、元素分析法はＣＨＮ元素分析法と同様に、炭素材料中のＣ及びＮの含有量が測定できるものであるから、CS1200-AC3に着目してみると、Ｃが89.2でＮが0.9でＮ／Ｃは0.01と計算され、これを（Ｎ／Ｃ）ｍｏｌ％に換算すると１ｍｏｌ％となる。そして、炭素材料中に窒素が含まれていることから、CS1200-AC3は窒素元素が含まれる炭素原料である。 したがって、炭素材料CS1200-AC3は、「窒素元素が含まれている炭素原料」であって「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が１ｍｏｌ％」である。 （ｂ）表3-4は「Ｘ線光電子分光法(N1s)で評価した各種炭素材料の表面窒素種の分類」を示したものであり、「Pyridinic」、「Pyrollic」、「Quarternary」及び「Pyridinic N+ -O-」は、順に（関甲１ａ）に記載されている「ピリジン型」、「ピロール型」、「グラファイト型」及び「酸化型」の表面窒素種であり、いわゆるＮ１型窒素原子、Ｎ２型窒素原子、Ｎ３型窒素原子及びＮ４型窒素原子と呼称されるものである。 なお、本件明細書でも、【００２０】に「ＸＰＳ測定で得られる窒素のＮ１ｓスペクトルとは、窒素元素のＮ１ｓ電子の結合エネルギー範囲（３９０～４１０ｅＶ付近）に現れ、下記構造式に示す４つの成分からなることが知られている。各成分の結合エネルギーの値（ピークトップ）は、ピリジン類似の構造をしているＮ１型窒素原子が３９８.５±０．５ｅＶ、ピロール類似の構造をしているＮ２型窒素原子が４００±０．５ｅＶ、３つの炭素原子と結合している４級のＮ３型窒素原子が４０１±０．５ｅＶ、酸化された状態で酸素のような異種元素が結合しているＮ４型窒素原子が４０４．０±０．５ｅＶに現れる。」と記載されている。 表3-4において、CS1200-AC3の「Pyridinic」、「Pyrollic」、「Quarternary」及び「Pyridinic N+ -O-」の合計は0.007（0.006+0.001）であり、「Quarternary」は0.006であるから、炭素材料表面における全窒素に対する「Quarternary」の割合は、0.006/0.007＝0.86であり、これをｍｏｌ％に換算すると８６ｍｏｌ％となる。 したがって、炭素材料CS1200-AC3は、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が８６ｍｏｌ％」である。 （ｃ）表3-4において、CS1200-AC3の「Pyridinic」（Ｎ１）及び「Pyrollic」（Ｎ２）はともに０であるから、Ｎ１＋Ｎ２は０となり、Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝は０と計算される。 したがって、炭素材料CS1200-AC3は、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０ｍｏｌ％」である。 （ｄ）表3-5は「Ｘ線光電子分光法で評価した各種炭素材料の表面の炭素、酸素、窒素残存量とその比率」を示したものであり、CS1200-AC3のN/Cは0.007であるから、これをｍｏｌ％に換算すると０．７ｍｏｌ％となる。 したがって、炭素材料CS1200-AC3は、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．７ｍｏｌ％」である。 （ｅ）表3-3において、炭素材料CS1200-AC3の比表面積は、２７７ｍ２／ｇである。 （ｆ）図3-8において、下から４番目のＸ線回折パターンが(d) CS1200-AC3に対応するものであり、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有していることが見て取れる。それを拡大して作図（申立人関提出の特許異議申立書（以下「関申立書」という。）の３７頁下図には以下の図面が記載されている）によりピークの半値幅を求めると６．６５°となる。そして、Ｘ線回折(ＸＲＤ)のＸ線源としてＣｕＫα線を用いることはごく通常のことであり、それ以外のＸ線源を使用することが記載されていない以上、図3-8のＸ線回折パターンを得るためのＸ線源はＣｕＫα線であるといえる。 「 ［図：0001437382000010.jpg］ 」 したがって、炭素材料CS1200-AC3は、「ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有し、該ピークの半値幅が６．６５°」である。 ｃ 関甲１に記載されている発明 上記ｂを踏まえると、関甲１には、以下の発明が記載されていると認められる。なお、他の「Sample」に着目しても同様である。 「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が１ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が８６ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．７ｍｏｌ％であり、 比表面積は、２７７ｍ２／ｇであり、 ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有し、該ピークの半値幅が６．６５°である、 窒素元素が含まれている炭素材料。」（以下「関甲１発明」という。） （イ）関甲２について ａ 記載事項 関甲２には、以下の事項が記載されている。 （関甲２ａ）「ケッチェンブラツク(Ketjenblack,KB)は一次粒子が中空シェル構造をもつカーボンブラックであり,メソ孔が発達したカーボンナノ粒子とみなすことができる1)-3)。電子伝導性に優れることから,ＫＢは樹脂コンパウンド,電池・電気化学キャパシタの電極の導電補助材として広く使われている1)。」（１３９頁左欄１～６行） （関甲２ｂ）Table4として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000011.jpg］ 」 ｂ 記載事項の整理 Table4について整理すると以下のとおりである。 （ａ）Table4の「NK-KB600」は、ＮＯ処理したケッチェンブラックであるから、窒素元素が含まれている炭素材料である。 （ｂ）「N/Ccom」の「com」は「combustion elemental analysis」（上記Table4の「combution」は「combustion」の誤記である）であり、燃焼法で元素分析したＮ／Ｃ（炭素）であるから、「N/Ccom」は炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）である。そして、その値0.009をｍｏｌ％に換算すると０．９ｍｏｌ％となる。 （ｃ）「N/Cxps」はＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）であり、その値0.008をｍｏｌ％に換算すると０．８ｍｏｌ％となる。 （ｄ）「N-6」はpylidine-likeであるからＮ１型窒素原子、「N-5」はpyrroleであるからＮ２型窒素原子、「N-Q」はquaternary-likeであるからＮ３型窒素原子であり、それぞれ原子濃度[％]であり、それらは分子として存在するものではないからｍｏｌ％と同等である。 そして、それらはＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定したものであるから、「N-Q」が19ということは、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１９ｍｏｌ％である。 （ｅ）同様に、「N-6」が52及び「N-5」が21ということは、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合Ｎ１は、５２ｍｏｌ％と２１ｍｏｌ％であり、その合計は７３ｍｏｌ％である。また、(ｃ)で述べたように炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合は０．８ｍｏｌ％であるから、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（Ｎ）は少なくとも０．８ｍｏｌ％より小さくなることから、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝は０．５８４ｍｏｌ％より小さい値である。 したがって、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合は０．５８４ｍｏｌ％より小さい値となる。 ｃ 関甲２に記載されている発明 上記ｂを踏まえると、関甲１には、以下の発明が記載されていると認められる。 「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．９ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１９ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０．５８４ｍｏｌ％より小さい値であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．８ｍｏｌ％である、 窒素元素が含まれている炭素材料。」（以下「関甲２発明」という。） （ウ）山甲３について ａ 記載事項 山甲３には、以下の事項が記載されている。なお、山甲３は、英文の刊行物であることから、表以外の文章は訳文のみを記載する。 （山甲３ａ）「硬Ｘ線光電子分光分析で観察された高分子電解質燃料電池用の三つの異なるタイプの窒素含有炭素基正極触媒の電子構造について報告する。」（１００６頁ABSTRACTの１～２行） （山甲３ｂ）「3.2 HXPES分析 3.2.1 CACsとCo2PのHXPESによる組成比 HXPESデータから計算されたCACsの組成比を表2に載せる。光イオン化断面積[23]とIMEP[22]も計算に入れてある。プローブ深度10nm(ナノシェルの全域をカバーするに十分な深さである)では、Co1000aw中のCo組成比は、0.03原子%にすぎない。」（１００７頁右欄１１～１７行） （山甲３ｃ）「ナノシェルカーボン(Co1000およびCo1000aw)のような高活性のORR触媒は、4つの窒素成分中、NP3(グラフアイト型窒素)の相対量が最も大きいことがわかった。この結果は、先のXASによる研究結果[35]と整合的である。原子組成比(表2)と対比すると、ナノシェルカーボンは、A050、A090、N2などのORR活性が低い他の触媒よりも窒素の量が少なく、全窒素量は、必ずしもCACsのORR活性に関係しないことを示している。NP3の相対組成は、N1とN2の方がA050やA090より大きいが、N1とN2のORR活性は他のCACsより小さい。」（１００９頁左欄１５～２５行） （山甲３ｄ）Table2（表２）、Table4（表４）として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000012.jpg］ ［図：0001437382000013.jpg］ 」 ｂ 記載事項の整理 表２及び表４について整理すると以下のとおりである。 （ａ）表２及び表４に記載されているSampleは、窒素を含有するナノシェルカーボンであるから、窒素元素が含まれている炭素材料である。 （ｂ）表２及び表４は、いずれも「ＨＸＰＥＳ」により測定したものであり、（山甲３ｂ）の「3.2 HXPES分析」において「プローブ深度10nm(ナノシェルの全域をカバーするに十分な深さである)」と記載されているものである。一般に、「ＨＸＰＥＳ」（Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy）とは、硬Ｘ線を用いることで従来のＸＰＳよりも深い位置の情報を非破壊で取得できる光電子分光法（ＸＰＳ）のことであり、試料表面の浅い層だけでなく、数nm～数十nm程度のバルク（材料内部）の電子状態や化学結合状態を解析できるものである。 そうすると、例えば、Co1000に着目してみると、表２には、Ｃが96.33、Ｎが0.37であることが記載されているからＮ／Ｃは0.0038であり、これをｍｏｌ％に換算すると０．３８ｍｏｌ％となるところ、これは「ＸＰＳ」の１種であるＨＸＰＥＳにより測定したものだから、本件発明３で特定される「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）」であると同時に、上述のとおり、「ＨＸＰＥＳ」により測定したものはナノシェルの全域をカバーするに十分な深さで求めたものであるから、本件発明１で特定される「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」であるともいえる。 （ｃ）表４における「NP1」、「NP2」、「NP3」及び「NP4」は、結合エネルギーの値から、順にＮ１型窒素原子、Ｎ２型窒素原子、Ｎ３型窒素原子及びＮ４型窒素原子を示しており、表４のCo1000に着目してみると、「NP3」は41.5%と記載されており、窒素は原子として存在するから、その数値はそのまま４１．５ｍｏｌ％となる。 そうすると、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）は４１．５ｍｏｌ％である。 （ｄ）同様に、表４のCo1000に着目してみると、「NP1」は21.2%及び「NP2」は26.7%と記載されているから、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合（ｍｏｌ％）は２１．２ｍｏｌ％と２６．７ｍｏｌ％である。そして、表２のCo1000のＮは0.37at%であり、窒素は原子として存在するから、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合は０．３７ｍｏｌ％となる。 そうすると、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝は０．１８ｍｏｌ％と計算されるから、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０．１８ｍｏｌ％となる。 ｃ 山甲３に記載されている発明 上記ｂを踏まえると、山甲３には、以下の発明が記載されていると認められる。なお、他の「Sample」に着目しても同様である。 「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．３８ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が４１．５ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０．１８ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．３８ｍｏｌ％である、 窒素元素が含まれている炭素材料。」（以下「山甲３発明」という。） （エ）山甲８について ａ 記載事項 山甲８には、以下の事項が記載されている。 （山甲８ａ）「【請求項１】 シルク由来の窒素を含有し、粉状に成型されたシルク由来活性炭よりなる炭素系電極触媒を多孔性導電性基体の表面に担持させたことを特徴とするアルカリ水溶液において使用するアルカリ型燃料電池用、金属空気電池用または食塩電解用の酸素ガス拡散電極。 【請求項２】 前記炭素系電極触媒中のＮ／Ｃ（アトミック比）が０．００４～０．０７であることを特徴とする請求項１に記載の酸素ガス拡散電極。」 （山甲８ｂ）「【発明を実施するための形態】 【００２７】 以下図面とともに、本発明に係る酸素ガス拡散電極の構成部材をより詳細に説明する。 ［シルク由来活性炭よりなる炭素系電極触媒］ 特許文献１１に、シルクフィブロイン由来炭素系電極触媒の作製方法が開示されている。本発明のシルク由来活性炭よりなる炭素系電極触媒の製法もこれにほぼ準ずる。 （１）炭化処理 原料シルク材料を窒素などの不活性ガス雰囲気中で、５００℃程度で数時間保持して焼成する。常温にまで冷却した後、ボールミル等を用いて粉状にする。粒度は特に限定されないが、１０μｍ程度が好適である。焼成温度が５００℃より低いと炭化が不十分であり好ましくない。 （２）加熱処理 次に、不活性ガス雰囲気中で、７００～１５００℃の焼成温度で数時間保持して焼成する。特には１２００℃の温度で焼成を行うことが好適である。焼成温度が１５００℃より高いと、粉状物に窒素成分が残存せず、触媒活性が不十分となる。 （３）賦活処理 次に、焼成した粉状物を賦活処理する。賦活処理は、不活性ガス雰囲気中で、例えば８５０℃まで昇温し、水蒸気を吹き込んで数時間保持して水蒸気賦活を行う。賦活処理は水蒸気賦活に限らず、炭酸ガス、アルカリ、アンモニアを含むガス中でも行うことができる。賦活処理温度は、７００℃～１０００℃程度が好適である。賦活処理により粉状物の表面積、特に触媒反応に有効なメソ孔体積が格段に増大し、触媒活性が増大する。 【００２８】 上記のように、焼成を複数段階に分けて行うこと、また緩やかな昇温速度で昇温して焼成することによって、非結晶性構造と結晶性構造とが入り組んだタンパク質高次構造の急激な分解が避けられ、柔軟な焼成体が得られる。 ７００℃、９００℃、１２００℃の各温度で加熱処理を行い、８５０℃にて水蒸気賦活処理を行ったシルク活性炭のX線回折測定では、いずれもアモルファスカーボンであることが確認され、カーボンブラックに類似している。それぞれの抵抗率は順に３．２×１０-2Ωｍ、１．４×１０-3Ωｍ、５．１×１０-4Ωｍであった。また、成分分析の結果として、該活性炭は炭素以外に窒素、酸素を含むことが確認され、加熱処理温度を上げるとＮ／Ｃ比（アトミック比）が減少する。水蒸気賦活処理によりＢＥＴ比表面積は２桁程度増大し、また、加熱処理温度が高く水蒸気賦活処理が長いほどメソ孔体積が増加する。 図１は、シルク由来活性炭のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）スペクトルと対応する炭素窒素グラファイト構造例を示したものであり、（ａ）７００℃加熱処理、（ｂ）９００℃加熱処理、（ｃ）１２００℃加熱処理、（ｄ）活性炭（ＲＰ－２０）および（ｅ）ファーネスブラック（ＶｕｌｃａｎＸＣ－７２）を示したものである。図１は、本発明にかかわるＸＰＳスペクトルを比較している。縦軸はスペクトル強度、横軸が結合エネルギー値を示しており、右図の炭素窒素構造において存在する窒素原子の結合エネルギーにより異なったスペクトルが得られる。図１よりＮ１ｓの存在を確認したところ、１２００℃の加熱においてピリジン型窒素種（３９８．６ｅＶ）、ピロール型窒素種（４００．５ｅＶ）、酸化型窒素種（４０２～４０５ｅＶ）が、９００℃加熱処理では残存しているが、１２００℃加熱処理で消滅したのに対して、グラファイト型窒素種（４０１．３ｅＶ）の安定性が確認された。 残存する窒素成分量は特に限定されるものではないが、Ｎ／Ｃ比が０．００４～０．０７の場合で十分な触媒活性を有することが確認されている。」 （山甲８ｃ）図１として、以下の図面が記載されている。 「 ［図：0001437382000014.jpg］ 」 ｂ 記載事項の整理 上記ａの記載事項を整理すると以下のとおりである。 （ａ）（山甲８ａ）の「シルク由来の窒素を含有し、粉状に成型されたシルク由来活性炭」は、窒素元素が含まれている炭素材料である。 （ｂ）（山甲８ａ）の「炭素系電極触媒中のＮ／Ｃ（アトミック比）が０．００４～０．０７」であるということは、「炭素系電極触媒」は上記（ａ）で述べた炭素材料であり、そして、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．００４～０．０７ということであるから、ｍｏｌ％に換算すると０．４～７．０ｍｏｌ％ということになる。 （ｃ）（山甲８ｂ）によれば、炭素系電極触媒となる１２００℃で加熱処理したシルク由来活性炭に対して「ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）スペクトル」を求めたところ、「ピリジン型窒素種（３９８．６ｅＶ）、ピロール型窒素種（４００．５ｅＶ）、酸化型窒素種（４０２～４０５ｅＶ）が」「１２００℃加熱処理で消滅したのに対して、グラファイト型窒素種（４０１．３ｅＶ）の安定性が確認された」ことが記載されており、ここで、「ピリジン型窒素種」はＮ１型窒素原子、「ピロール型窒素種」はＮ２型窒素原子、「酸化型窒素種」はＮ４型窒素原子、「グラファイト型窒素種」がＮ３型窒素原子であるから、１２００℃で加熱処理したシルク由来活性炭すなわち窒素元素が含まれている炭素材料において、Ｎ１型窒素原子、Ｎ２型窒素原子及びＮ４型窒素原子は消滅し、Ｎ３型窒素原子のみが安定的に存在していることが記載されていることになる。 そうすると、Ｎ１型窒素原子、Ｎ２型窒素原子及びＮ４型窒素原子は消滅し、Ｎ３型窒素原子のみが安定的に存在しているのだから、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）は１００ｍｏｌ％ということであり、Ｎ１型窒素原子及びＮ２型窒素原子はともに０ｍｏｌ％で（Ｎ1＋Ｎ2）＝０であるから、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝は０と計算される。 （ｄ）上記（ｂ）によれば、炭素材料の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．４～７．０ｍｏｌ％であるところ、（山甲８ｂ）に「加熱処理温度を上げるとＮ／Ｃ比（アトミック比）が減少する」と記載されており、加熱温度を上げて窒素が減少する（抜け出る）という現象においては、材料の内部に存在する窒素よりも材料の表面にある窒素より抜け出る（減少する）ものであるから、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．４～７．０ｍｏｌ％より小さい範囲にあるといえる。 ｃ 山甲８に記載されている発明 上記ｂを踏まえると、山甲３には、以下の発明が記載されていると認められる。 「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．４～７．０ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１００ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全元素に対する窒素元素の割合（ｍｏｌ％）をＮとし、炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が０ｍｏｌ％であり、 Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．４～７．０ｍｏｌ％より小さい範囲である、 窒素元素が含まれている炭素材料。」（以下「山甲８発明」という。） ２ 周知技術（比表面積）を示す甲号証 （１）関甲４について 関甲４には、以下の事項が記載されている。 （関甲４ａ）「その容量は電極表面積とおおまかな比例関係にあるため，高表面積の活性炭が電極材に用いられる。電気二重層キャパシタは高寿命・高出力密度を有するがエネルギー密度が小さいため，さらなる高容量化が求められている。しかし，活性炭の細孔構造最適化や高表面積化による高容量化はすでに限界に近づきつつある。最近，窒素を含む炭素がその比表面積から予想される以上の高容量を示すことが報告された5)-9)。特にメラミンの炭素化物は，窒素ガス吸着法によるBET比表面積が約100m2・ｇ-1程度であるにもかかわらず，希硫酸電解波中において約200F・g-1の容量を示す5)。これは，約2000m2・g-1のBET比表面積を有する一般的な活性炭が同条件にて示す容量に匹敵しており，大変興味深い結果である。」（６１頁左欄６～１７行） （関甲４ｂ）Table１、Table3、Fig.9として以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000015.jpg］ ［図：0001437382000016.jpg］ ［図：0001437382000017.jpg］ 」 （関甲４ｃ）「Fig.9にN1sXPSスペクトルの波形分離から算出した各化学状態の窒素の濃度，ならびに容量とPANIの熱処理温度との相関を示す。800℃以上の熱処理により，四級型窒素の量が増加する一方，ピリジン型およびピロール型窒素の量は減少し，それに伴い容量も著しく減少した。」（６５頁左欄５～９行） （２）関甲１２（山甲１１）について 山甲１１は関甲１２と同じ文献であることから、以下、山甲１１及び関甲１２を「関甲１２」と記載することとする。そして、その関甲１２には、以下の事項が記載されている。 （関甲１２ａ）「【０００６】 本発明者は、前記諸問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。 すなわち本発明は、炭素六角網面を基本骨格とした炭素材料からなる酵素電池正極用炭素触媒であって、構成元素としてヘテロ元素を含み、ヘテロ元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされ、且つ酸素還元活性を有する酵素電池正極用炭素触媒に関する。」 「【００１３】 又、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積(ＢＥＴN2)が、５０～１２００ｍ２／ｇであることを特徴とする上記酵素電池正極用炭素触媒に関する。」 （関甲１２ｂ） 「【００２９】 本発明における酵素電池正極用炭素触媒は、比表面積が大きく、電子伝導性が高いほど好ましい。酸素還元反応は触媒の表面で起こるため、比表面積が大きいほど、酸素とプロトン、電子との反応場が多くなり、触媒活性の向上に繋がるため好ましい。また、電子伝導性が高いほど、電極中における酸素還元反応に必要な電子を前記反応場に供給できるため、電流の増加に繋がりやすく、好ましい。また、触媒表面のヘテロ原子、特に窒素量が多いほど表面の活性点の数が多くなりやすいため好ましく、更にＮが後述のＮ１型窒素原子を主とした末端窒素であるとより好ましい。」 「【００３７】 本発明における酵素電池正極用炭素触媒は、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、５０～１２００ｍ2／ｇであることが好ましい。ＢＥＴ比表面積が上記の範囲にあると、反応が起こる反応場を多くできるため好ましい。より好ましくは１００～１０００ｍ2／ｇである。」 （３）関甲１３について 関甲１３には、以下の事項が記載されている。 （関甲１３ａ）「【０００７】 本発明者は、前記課題を解決すべく検討を重ねた結果、本発明に至った。 すなわち本発明は、炭素六角網面を基本骨格とした炭素材料からなる、還元性有機物を燃料とする燃料電池アノード用触媒インキ材料であって、前記炭素材料は、構成元素としてヘテロ元素及び／又は卑金属元素を含み、前記ヘテロ元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされていることを特徴とする、還元性有機物を燃料とするバイオ燃料電池アノード用触媒インキ材料に関する。」 （関甲１３ｂ）「【００１５】 本発明におけるバイオ燃料電池アノード用触媒インキ材料は、比表面積が大きく、電子伝導性が高いほど好ましい。アノードで起こる反応は材料表面で起こるため、比表面積が大きいほど、還元性有機物燃料、電子との反応場が多くなり、反応活性の向上に繋がるため好ましい。また、電子伝導性が高いほど、電極中における反応に必要な電子を前記反応場に供給できるため、電流の増加に繋がりやすく、好ましい。」 （関甲１３ｃ）「【００１７】 本発明におけるバイオ燃料電池アノード用触媒インキ材料は、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ２／ｇであることが好ましく、より好ましくは１０～１０００ｍ２／ｇである。ＢＥＴ比表面積が上記の範囲にあると、反応が起こる反応場を多くできるため好ましい。」 （４）関甲１６について 関甲１６には、以下の事項が記載されている。 （関甲１６ａ）「【０１１０】 （炭素触媒） 炭素触媒は、１種または２種以上の、炭素材料と、窒素元素および卑金属元素を含有する化合物とを混合し、熱処理を行い作製された炭素触媒であって、従来公知のものを使用できる。炭素触媒に用いられる炭素材料は、無機材料由来の炭素粒子および／または有機材料を熱処理して得られる炭素粒子であれば特に限定されない。一般的に、炭素触媒の活性点としては、炭素粒子表面に卑金属-Ｎ４構造（卑金属元素を中心に４個の窒素元素が平面上に並んだ構造）に含まれる卑金属元素や、炭素粒子表面のエッジ部に導入された窒素元素近傍の炭素元素などが挙げられる。そのため、炭素触媒が、上記活性点を構成する窒素元素や卑金属元素を含有することは、酸素還元活性を有する上で重要である。更に、炭素触媒は、ＢＥＴ比表面積が２０～２０００ｍ2／ｇが好ましく、４０～１０００ｍ2／ｇがより好ましく、６０～６００ｍ2／ｇがさらに好ましい。」 （関甲１６ｂ）「【０１１２】 前記無機材料由来の炭素粒子としては、グラフェンナノプレートレット、カーボンブラック、カーボンナノチューブなどを用いると、大きい比表面積と高い電子伝導性を有する炭素触媒を得られやすく好ましい。」 （５）関甲１７について 関甲１７には、以下の事項が記載されている。 （関甲１７ａ）「【請求項２】 電極中に、ヘテロ元素及び／又は卑金属元素がドープされた炭素材料を含むことを特徴とする請求項１記載の微生物燃料電池デバイス」。 （関甲１７ｂ）「【００３４】 用いるカーボンブラックの比表面積は、値が大きいほど、カーボンブラック粒子どうしの接触点が増えるため、電極の内部抵抗を下げるのに有利となるが、カーボンブラックの分散性が低くなるため、具体的には、窒素の吸着量から求められる比表面積（ＢＥＴ）で、１０ｍ2／ｇ以上、３０００ｍ2／ｇ以下、好ましくは２０ｍ2／ｇ以上、１５００ｍ2／ｇ以下のものを使用することが望ましい。」 （関甲１７ｃ）「【００４２】 ヘテロ元素及び／又は卑金属元素がドープされた炭素材料は、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ2／ｇであることが好ましく、より好ましくは１０～１０００ｍ2／ｇである。」 （６）山甲９について 山甲９には、以下の事項が記載されている。 （山甲９ａ）「【請求項１】 細孔を有する炭素材であって、前記炭素材は、 イ）炭素を９５～９９ｗｔ％含み、且つ炭素以外の元素として、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＢの少なくとも１つ以上の元素を１～５ｗｔ％含み、 ロ）０．２５～０．４５ｎｍの細孔径を有する細孔の容積が、全細孔容積の３０容積％以上、 ハ）比表面積が１５ｍ2／ｇ以下、 であることを特徴とする、二次電池用炭素材。 （ただし、β-ナフトール樹脂からなる二次電池用炭素材を除く。）」 （山甲９ｂ）「【００１７】 本発明の二次電池用炭素材において、前記炭素以外の元素は、後述する炭素前駆体における、樹脂（モノマー）中の元素、樹脂反応や不融化処理時の触媒、硬化処理時の硬化剤や硬化促進剤、炭化処理時の炭化促進剤に含まれる元素により調整することができる。」 「【００２１】 本発明の二次電池用炭素材の製造方法としては、前記炭素前駆体、場合によっては、これに硬化剤や硬化促進剤など加え（これを架橋処理しても良い。）、通常の黒鉛化処理温度（例えば、２８００℃以上）よりも低い温度で焼成処理することにより製造できる。更に具体例として、フェノール樹脂を用いる例として、第一の熱処理として４００～８００℃で行い、第一の熱処理がなされた炭素前駆体を所定の粒子径まで粉砕する。その後、第二の熱処理として、上記で粉砕した炭素前駆体を８００℃～１４００℃で炭化処理することにより、炭素材を得ることができる。第一の熱処理及び第二の熱処理を行う時間としては特に限定されないが、通常、最終熱処理温度まで１～５０時間かけて昇温し、必要に応じて最終熱処理温度で１～３０時間保持する。 また、第一の熱処理及び第二の熱処理を行う雰囲気は、特に限定されず、大気中、不活性ガス雰囲気中、及び、真空中など、いずれの条件でも行うことができ、また、これらを２種以上組み合わせた熱処理条件でも良い。」 （山甲９ｃ）「【００２４】 また、本発明の二次電池用炭素材の比表面積は、１５ｍ2／ｇ以下である。また、下限値としては１ｍ2／ｇであることが好ましい。比表面積が１５ｍ2より大きいと、電解液との反応が大きくなり、不可逆な容量が多くなり充放電効率が低下する傾向となる。逆に比表面積が１ｍ2／ｇより小さいと炭素材中の細孔容積が小さくなり、容量が低下する傾向となる。 上記比表面積の測定法としては、窒素ガス吸着法用い、ＢＥＴ３点法でもとめられる」。 （山甲９ｄ）表１として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000018.jpg］ 」 ３ 取消理由において提示したその余の甲号証 （１）山甲１について 山甲１には、以下の事項が記載されている。 （山甲１ａ）「窒素ドープされたマルチウォールカーボンナノチューブの側壁における窒素(N)の官能性の熱的安定性を1000℃から2000℃の間で調べた。ドープチューブの構造安定性とバルクおよび個々のチューブレベルにおける電気伝導性の関連を検討した。育成後未処理のチューブを1000℃で熱処理すると、個々のナノチューブの電気抵抗が、54Ωから0.5Ωへと劇的に低下することを観測した。これは窒素の低いドープレベル（例えば0.78原子%のN)に帰結される。」 （山甲１ｂ）Fig.2(a)として、以下の図面が記載されている。 「 ［図：0001437382000019.jpg］ 」 (a)ＮドープＭＷＮＴsの密度1.23gcm-3における熱処理温度の関数としての体積抵抗率の変化。グラフ中の挿入図は、サンプルホルダーを示す。 （山甲１ｃ）Table1として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000020.jpg］ 」 （２）山甲５について 山甲５には、以下の事項が記載されている。 （山甲５ａ）「［請求項１］ 制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、 炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。」 （山甲５ｂ）「［0079］［ＸＰＳ分析］ 次に、図４Ａに得られた窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＸＰＳ分析のワイドスキャン分析の結果を示した。図４Ａに示されるように、窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）の全てのＸＰＳスペクトルについて、結合エネルギーが２８５ｅＶ付近にＣ１ｓピークが、３９８ｅＶ付近にＮ１ｓピークが、５３１ｅＶ付近にＯ１ｓピークが観測されることが確認できた。窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）はいずれも炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を含む材料であることが確認できた。ただし、窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＣ１ｓピークは鋭く大きいものの、Ｎ１ｓピークおよびＯ１ｓピークは窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）の順に小さくなっていることがわかった。そこで、各粉末の炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）の総量を１００原子％としたときの各元素の割合を下記の表１に示した。 ［0080］［表１］ ［図：0001437382000021.jpg］ （３）山甲６について 山甲６には、以下の事項が記載されている。 （山甲６ａ）「【請求項１】 炭素原子からなる炭素骨格を備える炭素材料に、窒素原子が導入された窒素含有炭素材料であって、 前記炭素骨格中の炭素原子の一部が窒素原子で置換された窒素含有炭素材料。」 （山甲６ｂ）「【００６４】 また、実施例１～７に係る窒素含有単層カーボンナノチューブについて、ＸＰＳ分析により炭素骨格中に導入された窒素原子の化学状態を確認した。結果を下記表２及び図３に示す。 【００６５】 【表２】 ［図：0001437382000022.jpg］ 」 （山甲６ｃ）「【００６９】 （体積抵抗率） 処理前の単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴｓ）、フッ素化処理後の単層カーボンナノチューブ（Ｆ-ＳＷＣＮＴｓ）及び実施例４～７に係る窒素含有単層カーボンナノチューブについて、それぞれの体積抵抗率を、抵抗率計（ロレスタＧＰ ＭＣＰＴ６００、(株)三菱アナリテック製）を用いて、４端子４探針法により測定した（温度２５℃、湿度３５％）。尚、測定するための試料は、直径１６ｍｍ、厚さ１００μｍのサイズとした。測定の結果を下記表３に示す。 【００７０】 【表３】 ［図：0001437382000023.jpg］ 」 ４ 取消理由において提示しなかった甲号証 （１）関甲３について 関甲３は、「Oi Lun Li et al.,「Synthesis of graphitic-N and amino-N in nitrogen-doped carbon via a solution plasma process and exploration of their synergic effect for advanced oxygen reduction reaction」（溶液プラズマプロセスを用いた窒素ドープカーボンにおけるグラファイト-Nとアミノ-Nの合成と酸化還元反応の進展に対する合成効果の研究）,Journal of Materials Chemistry A,２０１７年,５, pp.2073-2082」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲３ａ）Table1及び3として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000024.jpg］ ［図：0001437382000025.jpg］ 」 （２）関甲５について 関甲５は、「岡山玲子、他、「活性炭表面上の窒素が銅(II)イオンの吸着に及ぼす影響」、炭素、２０１０年、[No.242]、pp.45-50」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲５ａ）Table2及び3として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000026.jpg］ ［図：0001437382000027.jpg］ 」 （３）関甲６について 関甲６は、「Leszek Wachowski et al.,「Speciation of functional groups formed on the surface of ammoxidised carbonaceous materials by XPS method」（ＸＰＳによるアンモ酸化された炭素質材料の表面に形成された官能基の化学種同定）,Applied Surface Science 253,２００７年, pp.4456-4461」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲６ａ）Table1及び2として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000028.jpg］ ［図：0001437382000029.jpg］ 」 （４）関甲７について 関甲７は、「Wei Xia et al.,「Surface characterization of oxygen-functionalized multi-walled carbon nanotubes by high-resolution X-ray photoelectron spectroscopy and temperature-programmed desorption」（高分析Ｘ線光電子分光法による酸素官能化された多層カーボンナノチューブの表面特性）, Applied Surface Science 254, ２００７年, pp.247-250」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲７ａ）Table1として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000030.jpg］ 」 （５）関甲８について 関甲８は、「Xiaobai Wang et al.,「Magnetic N-Enriched Fe3C/Graphitic Carbon instead of Pt as an Electrocatalyst for the Oxygen Reduction Reaction」（酸化還元反応に対する電極触媒としてのＰｔに代わる磁気を帯びた窒素リッチＦｅ３Ｃ／グラファイトカーボン）, Chemistry: A European Journal ２０１６年, 22, pp.4863-4869 及びSupporting Information」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲８ａ）Supporting InformationのTable.S1として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000031.jpg］ 」 （６）関甲９について 関甲９は、「Hisao Kiuchi et al.,「Characterization of nitrogen species incorporated into graphite using low energy nitrogen ion sputtering」(低エネルギー窒素イオンスパッタリングによる窒素導入グラファイトの特性), Physical Chemistry Chemical Physics,２０１６年,18,pp.458-465」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲９ａ）Fig.1として、以下の図面が記載されている。 「 ［図：0001437382000032.jpg］ 」 （７）関甲１０について 関甲１０は、「Hao Liu et al.,「Structural and morphological control of aligned nitrogen-doped carbon nanotubes」（整列した窒素ドープカーボンナノチューブの構造的及び形態的な制御）,CARBON 48, ２０１０年, pp.1498-1507」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１０ａ）Table1として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000033.jpg］ 」 （８）関甲１１について 関甲１１は、「R.Arrigo et al.,「Dynamic surface rearrangement and thermal stability of nitrogen functional groups on carbon nanotubes」（カーボンナノチューブにおける窒素官能基の動的表面の再配列と熱的安定性）, Chemical Communications, ２００８年, pp.4891-4893」であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１１ａ）Fig.3として、以下の図が記載されている。 「 ［図：0001437382000034.jpg］ 」 （９）関甲１４について 関甲１４は、特開２０１６－１９２３９９号公報であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１４ａ）「【００８０】 ［製造例１：非白金系炭素系触媒（Ｘ１）］ グラフェンナノプレートレット（ＸＧｓｃｉｅｎｃｅ社製、ｘＧｎＰ-Ｃ-７５０）とコバルトフタロシアニン（東京化成社製）を、質量比１／１で秤量し、粒子複合化装置メカノフュージョン（ホソカワミクロン社製）にて乾式混合し、混合物を得た。上記混合物を、アルミナ製るつぼに充填し、電気炉にて窒素雰囲気下、８００℃で２時間熱処理を行い、非白金炭素系触媒（Ｘ1）を得た。親水度は１．８であった。」 「【００８２】 ［製造例３：非白金系炭素系触媒（Ｘ３）］ 鉄フタロシアニン（山陽色素社製）とケッチェンブラック（ライオン社製、ＥＣ-６００ＪＤ）を、質量比１／１で秤量し、乳鉢にて乾式混合を行い前駆体とした。上記前駆体粉末を、アルミナ製るつぼに充填し、電気炉にて窒素雰囲気下、７００℃で２時間熱処理を行い、得られた炭化物を乳鉢にて粉砕し非白金系炭素系触媒（Ｘ３）を得た。親水度は３．７であった。」 （１０）関甲１５について 関甲１５は、特開２０１７－１８８３５７号公報であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１５ａ）「【０１１８】 ＜非白金系炭素触媒＞ [製造例１] ＧｎＰ-Ｃ-７５０と鉄フタロシアニンを、質量比１／０．５（グラフェンナノプレートレット／鉄フタロシアニン）となるようにそれぞれ秤量し、粒子複合化装置メカノフュージョン（ホソカワミクロン社製）にて乾式混合を行い、混合物を得た。上記混合物を、アルミナ製るつぼに充填し、電気炉にて窒素雰囲気下、８００℃で２時間熱処理を行い、非白金系炭素触媒（ＣＡＣ）を得た。」 （１１）関甲１８について 関甲１８は、国際公開第２００７／０２３９６４号であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１８ａ）「[0001] 本発明は、酸素を電極反応物質とする酸素還元用電極に関する。 [0002] 酸素還元用電極は、電気化学デバイスの酸素還元極 (空気極）に用いられる。電気化学デバイスとしては、例えば、亜鉛一空気電池、アルミニウム一空気電池、マグネ シゥム一空気電池、糖一空気電池等の空気電池;酸素水素燃料電池、ダイレクトメタノール燃料電池等の燃料電池；酵素センサー、酸素センサー等の電気化学センサ一が挙げられる。」 （１２）関甲１９について 関甲１９は、国際公開第２０１５／１５１４４０号であり、以下の事項が記載されている。 （関甲１９ａ）「[0003] キャパシタの電極は、活物質、結着剤及び導電助剤を含む電極合剤を集電体に塗工・乾燥することで得られる。 [0004] 例えば、活物質として活性炭を、結着剤としてポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）を、導電助剤としてカーボンブラックを分散媒に分散させた電極合剤のスラリーをアルミ箔やステンレス集電体上に塗工・乾燥することで得られる（特許文献１、２）。」 （１３）山甲２について 山甲２は、特開２００４－３３０１８１号公報であり、以下の事項が記載されている。 （山甲２ａ）「【００６３】 ＜炭化物表面の元素組成＞ 表１は、例１～５で得られた窒素含有活性炭化物及び例６～８で生成した炭化物の表面の元素組成を、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy:Ｘ線励起光電子分光法）測定によって定量した結果である。いずれの炭素材料においても、検出された元素は炭素、酸素及び窒素のみで、金属等の元素はいっさい含まれていなかった。なお、元素組成は、原子数百分率で表している。また、シェイクアップ炭素の比率は、炭素C1s電子のスペクトル全体に対する２９１．８±０．５ｅＶにピークをもつスペクトルの割合として求めたもので、全炭素中でのシェイクアップ炭素の存在比率と見なせるものである（以下、同様。）。 【００６４】 【表１】 ［図：0001437382000035.jpg］ 」 （山甲２ｂ）「【００６８】 ＜窒素の結合状態＞ ＸＰＳスペクトルの解析から、表面近傍にある窒素原子にはN1s電子の結合エネルギーが異なる３種の窒素原子Ｎ１～Ｎ３が含まれていることがわかった。表２は、ＸＰＳスペクトルの解析から得られた、表面近傍におけるＮ１～Ｎ３の原子数百分率で表した存在率（mol％）である。 【００６９】 【表２】 ［図：0001437382000036.jpg］ 」 （１４）山甲４について 山甲４は、特開２０１７－２２２５３８号公報であり、以下の事項が記載されている。 （山甲４ａ）「【００３４】 ［実施例２］ 表４に示す溶媒を入れた２００ｍｌビーカーに、グラファイト電極２本を浸漬して、電極に振動を与えながら、表４に示す条件にてパルス状に火花放電を発生させ、Ｎ-ドープグラフェンを合成し、ＸＰＳにて分析した。ＸＰＳチャートを図３及び図４に示す。図３左側は、アセトニトリルを溶媒として用いたＮｏ．８サンプルについてのＣ１ｓスペクトルであり、図３右側は同じＮｏ．８サンプルのＮ１ｓスペクトルである。図４左側はアンモニアを溶媒として用いたＮｏ．９サンプルについてのＣ１ｓスペクトルであり、図４右側は同じＮｏ．９サンプルについてのＮ１ｓスペクトルである。図３左側及び図４側のスペクトルにおいて、分離されたスペクトルの実線はＣ－Ｎ結合、破線はＣ＝Ｃ結合を示す。図３右側及び図４右側のスペクトルにおいて、分離されたスペクトルの実線はＣ－Ｎ結合である。Ｎの結合様式は化１で示すとおりである。」 「【００３７】 【表６】 ［図：0001437382000037.jpg］ 【００３９】 【表７】 ［図：0001437382000038.jpg］ 」 （１５）山甲７について 山甲７は、国際公開第２０１４／１３２８５３号であり、以下の事項が記載されている。 （山甲７ａ）「[0020] ＜炭素化工程＞ 次に、合成した塩（約２ｇ）を、１００ｍＬ／分のＡｒ気流下のチューブ炉にて、１０℃／分で昇温し、１０００℃にて２時間保持することにより、炭素材料（実施例１～１２、比較例１～７）を得た。」 「[0025]（表１） ［図：0001437382000039.jpg］ 」 （１６）山甲１０について 山甲１０は、「Chenzhen Zhang,et al.,「Synthesis of amino-functionalized graphene as metal-free catalyst and exploration of the roles of various nitrogen states in oxygen reduction reaction」（無金属触媒としてのアミノ修飾グラフェンの合成と各種窒素状態の酸素還元反応における役割の探求）Nano Energy,２０１３年,2,pp.88-97及びSupplementary Information」であり、以下の事項が記載されている。 （山甲１０ａ）Supplementary InformationのTable S1.及びTable S2.として、以下の表が記載されている。 「 ［図：0001437382000040.jpg］ 」 （１７）山甲１２について 山甲１２は、下記の第７の１（２）で記載するように、いわゆる拡大先願としての特願２０２０－６７２２１号の公開公報である特開２０２１－３９９３５号公報であり、以下の事項が記載されている。 （山甲１２ａ）「【図３】本発明の一実施形態によって製造されたＮＧＦ（nitrogen-doped graphite felt；窒素ドープされたグラファイトフェルト）の製造過程を簡略に示した図である。」 （山甲１２ｂ）「【００６９】 図４の（ｂ）に示されているように、ＺＩＦ-８粒子が炭化された後にも多面体形状を示し、平均粒子径は９０ｎｍ未満であることが分かり、図４の（ｃ）に示されているように、前記炭化されたＺＩＦ-８粒子に平均気孔径２ｎｍ以下のマイクロ気孔が形成されたことが分かる。」 図４として以下の図面が記載されている。 「【図４】 ［図：0001437382000041.jpg］ 」 （山甲１２ｃ）「【００７８】 試験例２：ＸＰＳ分析 前記実施例１～実施例５で製造されたＮＧＦに対してＸＰＳ分析を行い、その結果を図6に図示した。 【００７９】 図６に示されているように、炭化温度の増加に伴い、ＮＧＦの全窒素含量（原子％）は減少する傾向を示し、具体的には、全窒素含量のＮＧＦ-６００～ＮＧＦ-１０００の順に、それぞれ１６．７％、９．８％、７．１％、３．１％および２．３％を示したが、全窒素含量のうち、ピリジン系窒素（Pyridinic N）の原子％はＮＧＦ-７００で５０．１４％と、最も高く示されたことが分かる。具体的には、炭化温度が６００℃から７００℃に増加するに伴い、ピロール系窒素（Pyrrolic N）がピリジン系窒素に転換されてピロール系窒素の含量が急激に減少し、ピリジン系窒素の含量が急激に増加した。しかし、炭化温度８００℃以上ではピリジン系窒素が４価窒素（Quaternary N）に転換されて、ピリジン系窒素の含量がまた減少し、４価窒素の含量が増加し、酸化された窒素（Oxidized N）およびピロール系窒素の含量も増加したことが分かる。 【００８０】 試験例３：ＢＥＴ分析 前記実施例１～実施例５で製造されたＮＧＦに対してＢＥＴ比表面積分析を行い、その結果を図７に図示した。」 （山甲１２ｄ）図６及び図７として、以下の図面が記載されている。 「【図６】 ［図：0001437382000042.jpg］ 【図７】 ［図：0001437382000043.jpg］ 」 （１８）山甲１３について 山甲１３は、特開２０１０－３０８４４号公報であり、以下の事項が記載されている。 （山甲１３ａ）「【００９１】 Ｎ１ｓスペクトルの強度から、ＭＣＮ中の窒素原子の相当量が、炭素原子と結合していることが分かる。さらに、図１６～図１７から算出される窒素原子量が、ＣＨＮ分析から得られる値に一致することを確認した。このことからも、窒素原子は、炭素原子と結合し、特に、ＭＣＮの外側のＣＮ層中に均一に分散していることが示唆される。」 （１９）山甲１４について 山甲１４は、「片岡泰弘、「Ｘ線回折法を使用した金属材料の硬さ評価について」、あいち産業科学技術総合センターニュース ２０１４年、No.144,p4」であり、以下の事項が記載されている。 「Ｘ線回折法では、多結晶金属材料にＸ線を照射することによって図１に示すようなＸ線回折スペクトルを得ることができます。図中のＸ２－Ｘ１は、Ｘ線回折ピークの半分の強度値における両端を結んだ幅を表し、これを半値幅(半価幅)と呼びます。」（４頁左欄１７～２２行） （２０）山甲１５について 山甲１５は、「「ＸＲＤによる炭素材料の格子定数及び結晶子の大きさ測定[JIS R7651:2007]」島津アプリケーションニュース、No.X243A、２０１１年」であり、炭素材料のピークプロファイルとして以下のグラフが記載されている。 「 ［図：0001437382000044.jpg］ 」 （２１）山甲１６について 山甲１６は、「大森雅志、「粉末Ｘ線回折法 基礎講座 第２回 質の高いデータを取得するための装置構成の選択」、リガクジャーナル51(2),２０２０年、pp.18-25」であり、以下の事項が記載されている。 「 ［図：0001437382000045.jpg］ 」 第６ 取消理由の判断 １ 取消理由１（明確性）について （１）（Ｎ／Ｃ）について 訂正により、本件発明４～１６において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」が「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した」ものに特定されたことから、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」は一義的に定まるものとなった。 （２）半値幅について ア 特許権者は、令和７年１２月１２日提出の意見書（以下「特許権者意見書」という。）において、 「本件明細書の【００７９】には、「＜炭素六角網面の基本骨格＞Ｘ線回折装置（リガク社製 Ｓｍａｒｔｌａｂ）を用いて、ＣｕＫα線をＸ線源として測定し、２θ＝２４．０～２７．０°付近に現れる黒鉛骨格由来の（００２）面のピーク半値幅を求めた。」と記載されている。上述のように、本件発明５では、Ｘ線回折装置としてリガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂを用いて半値幅を求めている。リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂのマニュアルには標準的な測定条件が添付されており、当該標準的な測定条件には、Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ～５０ｋＶ、サンプリング間隔：０．０２°、走査速度：２～４°／ｍｉｎと記載されている。本件特許権者は、当該標準的な測定条件を考慮し、Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ、Ｘ線発生電流：３０ｍＡ、サンプリング間隔：０．０２°、走査速度：３°／ｍｉｎの条件で半値幅を求めている。このように、本件明細書の【００７９】には、ピーク半値幅の測定に用いたＸ線回折装置が開示されており、また、当該Ｘ線回折装置のマニュアルには標準的な測定条件が添付されており、本件特許権者は、当該標準的な測定条件に基づいて半値幅の測定を行っていることから、本件発明５は明確であると思料する。」（３頁１９行～４頁８行）と説明している。 特許権者が主張するように、本件明細書の【００７９】には「（リガク社製 Ｓｍａｒｔｌａｂ）を用いて、ＣｕＫα線をＸ線源として測定」することが記載されており、「リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂ」の上記「標準的な測定条件」によってＸ線回折図を得たうえで、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°に位置するピークの半値幅の角度を求めたものであるから、「ピークの半値幅」の角度の数値が一義的に定まるものといえる。 イ 申立人山内の主張について （ア）申立人山内は、令和８年１月２１日提出の意見書（以下「山内意見書」という。）で、「規定の最大出力より弱い出力により測定を行ったものと考えられますので、装置マニュアルを参照できたとしても、当業者が同じ出力条件で測定を行うのは不可能です。」、「特許権者は装置マニュアルに標準的な測定条件として走査速度：２～４°／ｍｉｎと記載されていると指摘しておりますが、そこから特許権者が使用した走査速度：３°／ｍｉｎを確定することはできません。」、「長手制限スリットに１０ｍｍ、５ｍｍ、２ｍｍがあることが記載されておりますが、特許権者の説明ではどのスリットを使用したのか確定することはできません。」、「Ｘ線回折装置の装置マニュアルは、通常、装置を購入した顧客のみに提供されるものであり、マニュアルの記載内容は、全ての当業者に対し公開された情報であるとはいえません。」等の主張（２頁４行～最下行）をしている。 （イ）申立人山内の主張に対する当審の判断 Ｘ線回折の測定において広く用いられている「リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂ」の上記「標準的な測定条件」によってＸ線回折図が得られている以上、測定を行うことが不可能ともいえず、また、「リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂ」の上記「標準的な測定条件」によって行ったことに対し、「リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂ」のＸ線装置に関与するあらゆる設定を開示しなければ「半値幅」の角度が定まらないとはいえず、そして、「リガク社製Ｓｍａｒｔｌａｂ」のマニュアルが守秘義務の対象となるものでもない。 よって、申立人山内の主張はいずれも当を得たものではない。 （３）まとめ したがって、本件発明４～１６に係る特許は、取消理由１（明確性）によって取り消すことはできない。 ２ 取消理由２（サポート要件）について （１）課題について 上記（本ａ）で摘記した【発明が解決しようとする課題】である【０００７】には「本発明は前記問題点に鑑み、導電性に優れる炭素材料を提供することを目的とする。」と記載されており、ここにおける「問題点」とは、同（本ａ）で摘記した【０００５】に記載されている「一方、窒素ドープについては、触媒活性に関する報告（特許文献４）はあるものの、導電性に着目した研究は不足しており、炭素材料中の窒素の含有量や結合状態と導電性との関係性はいまだ明らかとなっていない。」ことであるから、窒素ドープした炭素材料において、窒素の含有量や結合状態と導電性との関係性を明らかにしたうえで、導電性に優れた窒素ドープした炭素材料を提供することを課題としているといえる。 また、同（本ａ）で摘記した【０００３】には、「また、導電性のカーボン材料としては、グラファイトやカーボンナノチューブ等の高導電性カーボンも検討されてきた。これら高導電性カーボンの体積抵抗率は、１０－２Ω・ｃｍ未満と優れた導電性を有しており、従来に比べ導電性の課題を改善できることが報告されている（特許文献１、２）。」との記載があること、（本ｃ）で摘記した【００３１】では窒素ドープするカーボンとして多数のカーボンが用いられていること、さらには、例えば、上記山甲１の（山甲１ｂ）のFig.2に示される窒素ドープされたマルチウォールカーボンナノチューブの体積抵抗率の値と、山甲６の（山甲６ｃ）の表３に示される窒素含有単層ナノチューブの体積抵抗率とを参照するに、両者は全く異なる値を示していること、等からも理解できるように、炭素材料の種類、構造によって炭素材料自体の導電性も異なり、窒素ドープした炭素材料における「導電性に優れる」とは、窒素ドープする種々の炭素材料自体の導電性に応じて判断されるものであるから、課題として「導電性に優れ」ていることを体積抵抗率の数値として一概に設定できるものではないといえる。 （２）本件発明の記載 上記第３の１で記載したとおり、本件発明５～１６は、いずれも本件発明４で特定されている「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％（以下「事項１」という。）であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上（以下「事項２」という。）であり、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ（以下「事項３」という。）であることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」を必須の発明特定事項とするものである。 （３）本件明細書の記載 ア 機序について 上記事項１について、上記（本ｂ）で摘記した【００１８】に「Ｎ／Ｃが０．０１ｍｏｌ％以上であると、キャリア密度が向上するため、導電性が改善する。Ｎ／Ｃが２０ｍｏｌ％以下であると、炭素材料の結晶性が高いため、キャリア移動度が良好である。」と記載され、 また、上記事項２について、【００２２】に「Ｎ３型窒素原子は非共有電子対を炭素との結合に使用するため、炭素材料への電子供与により炭素材料のキャリア密度を向上することができる。一方、Ｎ１型窒素原子およびＮ２型窒素原子は非共有電子対を有しているため、炭素材料への電子供与効果は著しく小さい。また、Ｎ４型窒素原子は酸素等の異種元素と結合しているため、炭素材料への電子供与効果は小さい。したがって、Ｎ３型窒素原子量の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％であると、その他の窒素原子による結晶性の低下や電子伝導の阻害を抑制できる。」と記載され、 そして、上記事項３について、【００２６】に「ＢＥＴＮ２が１００ｍ２／ｇ以下であると、重量および体積当たりの粒子数が少ないため、粒子間の接触抵抗が低減され、良好な導電性が得られる。ＢＥＴＮ２が０．０１ｍ２／ｇ以上であると、窒素ドープ反応が容易に進行する。」と記載されている。 イ 実施例について （ア）事項１（Ｎ／Ｃ）及び事項２（表面Ｎ３）について 上記（本ｄ）で摘記した表５～８に記載されている実施例１～１７（順に表５における炭素材料１～１７）、実施例１８～２０（順に表６における炭素材料２３～２５）、実施例２１及び２２（表７における炭素材料２８及び３０）、並びに実施例２３（表８における炭素材料３２）における、各表の「ＣＨＮ Ｎ／Ｃ ｍｏｌ％」及び「ＸＰＳ 表面Ｎ３ ｍｏｌ％」を参照すると、全て「０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「１０ｍｏｌ％以上」の範囲にあることから、実施例１～２３は、上記事項１及び２を満たすものである。 （イ）事項３（（ＢＥＴＮ２）について ａ 事項３について、各表の「ガス吸着 比表面積 ｍ２／ｇ」を参照すると、実施例１～１７、２８及び３２については、「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」の範囲にあり、これらの「粉体抵抗 体積抵抗率 ｍΩ・ｃｍ」の値は１．２～４．８ｍΩ・ｃｍ（１０-３Ω・ｃｍ）である。 ｂ 一方、実施例２３～２５及び３０については、「ガス吸着 比表面積 ｍ２／ｇ」の値は、順に２２０ｍ２／ｇ、２６０ｍ２／ｇ、２８０ｍ２／ｇ、及び４００ｍ２／ｇであり、「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」の範囲の上限を超えるものであり、これらの「粉体抵抗 体積抵抗率 ｍΩ・ｃｍ」の値は、順に１６ｍΩ・ｃｍ、１９ｍΩ・ｃｍ、１８ｍΩ・ｃｍ、及び３５ｍΩ・ｃｍであることが記載されている。 ｃ ここで、上記ａ及びｂで記載した「粉体抵抗 体積抵抗率 ｍΩ・ｃｍ」の値は、上記（ア）によれば上記事項１及び２を満たしたうえでの値であり、そして、上記ａ及びｂを踏まえると、「ガス吸着 比表面積 ｍ２／ｇ」の値が「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」の範囲にあると、低い体積抵抗率の値を示し、そして、「ガス吸着 比表面積 ｍ２／ｇ」が「１００ｍ２／ｇ」の上限を超えて２２０ｍ２／ｇ、２６０ｍ２／ｇ、２８０ｍ２／ｇ、及び４００ｍ２／ｇと大きくなるに従い、体積抵抗率も１６ｍΩ・ｃｍ、１９ｍΩ・ｃｍ、１８ｍΩ・ｃｍ、及び３５ｍΩ・ｃｍと大きくなる傾向があることからも、窒素ドープした上記事項１及び２を満たす炭素材料において、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」と特定することは、体積抵抗率の値が低いこと、すなわち「導電性に優れ」ていることを特定しているといえる。 そうすると、事項３の「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」であることは、窒素ドープした炭素材料が「導電性に優れる」ことにおいて重要なことであるといえる。 （ウ）事項１～３のまとめ したがって、上記実施例からは、導電性に優れた窒素ドープした炭素材料を得るためには、事項１である「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び事項２である「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、事項３の「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」であることが肝要であるといえる。 （４）小括 以上のことから、本件発明の課題は、上記（１）で記載したとおり、導電性に優れた窒素ドープした炭素材料を得ることであり、そのための解決手段は、上記（３）アでの機序についての記載、及び同イでの実施例の記載から、「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」であることといえることから、上記（２）で記載した本件発明４で特定される炭素材料は、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものといえる。 また、上記（２）で述べたとおり、本件発明５～１６はいずれも、本件発明４で特定されている事項を必須の発明特定事項とするものであるから、本件発明４と同様に、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものといえる。 （５）申立人山内の主張について ア 申立人山内は、山内意見書で、 「本件明細書の段落［０００７］には、「本発明は前記問題点に鑑み、導電性に優れる炭素材料を提供することを目的とする。」、段落［００５１］には、「本発明によれば、導電性に優れる窒素ドープ炭素材料を提供することができる。」と記載しています。ここで「導電性に優れる窒素ドープ炭素材料」を取消理由通知書の認定に従い、「体積抵抗率が２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下である導電性に優れる炭素材料」として判断しますと、実施例２３の炭素材料３２は、訂正前の本件発明１～５の発明特定事項を全て充足し、従って、訂正後の本件発明４、５、８～１０の発明特定事項を全て充足するにもかかわらず、体積抵抗率は４．８×１０-３Ω・ｃｍと、「２．０×１０-３Ω・ｃｍ以下」の条件を満たさず、窒素をドープされていない炭素材料である比較例１（炭素材料１８) や比較例８（炭素材料２９）の炭素材料より大きな体積抵抗率を示しています。」（３頁２１～３１行）との主張をしている。 イ 申立人山内の主張に対する当審の判断 上記（１）で述べたように、炭素材料の種類、構造によって炭素材料自体の導電性も異なるものであり、窒素ドープした炭素材料における「導電性に優れる」とは、窒素ドープする種々の炭素材料自体の導電性に応じて判断されるものであるから、課題として「導電性に優れ」ていることを体積抵抗率の数値として一概に設定できるものではないことは、特許権者意見書における「本件発明のような窒素がドープされた炭素材料の体積抵抗率は、一般的に炭素材料自体にも依存する。本件発明では、炭素材料に窒素をドープすることで炭素材料の導電性を改善することを目的として」いるとの主張と軌を一にするものであり、申立人山内は、特許権者の上記主張について別段の主張はしていないことから、申立人山内の上記アの主張は、上記（１）で述べたことを覆すには至らない。 （６）まとめ よって、本件発明４～１６は、本件発明の課題が解決できることを当業者が認識できるものといえ、発明の詳細な説明に記載したものであるから、本件発明４～１６に係る特許を、取消理由２によって取り消すことはできない。 ３ 取消理由３（新規性）・取消理由４（進歩性）について （１）本件発明４について ア 関甲１を主引例とした場合 （ア）対比 本件発明４と関甲１発明とを対比する。 ａ 関甲１発明は、窒素が含まれている、すなわち窒素がドープされている炭素材料であり、（関甲１ａ）には「炭素ネットワーク中に取り込まれた窒素」と記載され、また、炭素原子と窒素原子とは原子半径の大きさに格別の差異があるものではなく、窒素が炭素にドープされる際には炭素骨格内の炭素の位置に窒素が置換されるように入ることを踏まえると、関甲１発明の「窒素元素が含まれている炭素材料」は、本件発明４の「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料」に相当する。 ｂ 関甲１発明の「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が１ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が８６ｍｏｌ％であ」ることは、本件発明４で特定される「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たすものである。 ｃ 関甲１発明の炭素材料は、例えば、（関甲１ｄ）に燃料電池のカソードに用いることが記載されており、「バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの」又は「酵素電池正極用に用いられるもの」に限定されているものではないから、本件発明４において、これらの用途を除いたことが、甲１発明との相違点になるわけではない。 そうすると、関甲１発明の「炭素材料」は、本件発明１の「炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」に相当する。 ｄ ａ～ｃを踏まえると、本件発明４と関甲１発明とは、 （一致点） 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上である炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点１） 本件発明４では、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇである」のに対し、甲１発明では、比表面積が２７７ｍ２／ｇであり、「窒素を吸着種とした」「（ＢＥＴＮ２）」が「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」ではない点。 （イ）相違点１の判断 ａ 比表面積の求め方として、窒素を吸着種としてＢＥＴ比表面積を求めるのが通常の方法である（以下「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を単に「比表面積」という場合がある。）ことを措くと、上記相違点は、甲１発明では、比表面積が２７７ｍ２／ｇであり、本件発明４の「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」を満たしていないことといえる。 ｂ 周知技術（比表面積）の検討 （ａ）関甲４について 関甲１発明の炭素材料は、例えば、導電性が必要とされる燃料電池のカソードに用いられるものであるから、炭素材料における周知技術を検討するに当たっては、例えば、導電性等の性質が共通するものであるかも考慮しなければならない。そして、（関甲４ｂ）のＴａｂｌｅ１に「ＰＡＮＩ」（ポリアニリン）ＢＥＴ比表面積が「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」を満たすものが記載されていたとしても、上記（関甲４ａ）の「その容量は電極表面積とおおまかな比例関係にあるため，高表面積の活性炭が電極材に用いられる。電気二重層キャパシタは高寿命・高出力密度を有するがエネルギー密度が小さいため，さらなる高容量化が求められている。しかし，活性炭の細孔構造最適化や高表面積化による高容量化はすでに限界に近づきつつある。最近，窒素を含む炭素がその比表面積から予想される以上の高容量を示すことが報告された5)-9)。特にメラミンの炭素化物は，窒素ガス吸着法によるBET比表面積が約100m2・ｇ-1程度であるにもかかわらず，希硫酸電解波中において約200F・g-1の容量を示す5)。」との記載を踏まえると、電気化学容量を高めるためにはBET比表面積が約100m2・ｇ-1を超えるような高表面積の炭素材料を用いることが前提であることを示しているから、関甲４は「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料」（以下「窒素ドープ炭素材料」という場合がある。）において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものではない。 （ｂ）関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７について 関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている比表面積の範囲が、順に、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積(ＢＥＴN2)が、５０～１２００ｍ２／ｇ」「より好ましくは１００～１０００ｍ2／ｇ」、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ２／ｇ」「より好ましくは１０～１０００ｍ２／ｇ」、「ＢＥＴ比表面積が２０～２０００ｍ2／ｇ」「６０～６００ｍ2／ｇがさらに好ましい」、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ2／ｇ」「より好ましくは１０～１０００ｍ2／ｇ」と記載され、それらの下限付近で、数字上は本件発明の「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」と一部重複することが示されている。 しかしながら、関甲１２では、（関甲１２ｂ）に「本発明における酵素電池正極用炭素触媒は、比表面積が大きく、電子伝導性が高いほど好ましい。酸素還元反応は触媒の表面で起こるため、比表面積が大きいほど、酸素とプロトン、電子との反応場が多くなり、触媒活性の向上に繋がるため好ましい。」との記載、 関甲１３では、（関甲１３ｂ）に「本発明におけるバイオ燃料電池アノード用触媒インキ材料は、比表面積が大きく、電子伝導性が高いほど好ましい。アノードで起こる反応は材料表面で起こるため、比表面積が大きいほど、還元性有機物燃料、電子との反応場が多くなり、反応活性の向上に繋がるため好ましい。」との記載、 関甲１６では、（関甲１６ｂ）に「大きい比表面積と高い電子伝導性を有する炭素触媒を得られやすく好ましい。」との記載、 関甲１７では、（関甲１７ｂ）に「用いるカーボンブラックの比表面積は、値が大きいほど、カーボンブラック粒子どうしの接触点が増えるため、電極の内部抵抗を下げるのに有利となる」との記載があり、 いずれにおいても、比表面積が大きい方が好ましいことの技術的意義が記載されていることから、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている上記比表面積の範囲において、当該技術的意義に反し、あえて範囲の下限付近を採用して、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものであると認定することはできない。 加えて、これら関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている炭素材料は、本件発明の「（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」によって、除かれた用途に対応するものともいえる。 （ｃ）山甲９について 山甲９は、そもそも、（山甲９ａ）に「炭素以外の元素として、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＢの少なくとも１つ以上の元素」、（山甲９ｂ）に「炭素以外の元素は、後述する炭素前駆体における、樹脂（モノマー）中の元素、樹脂反応や不融化処理時の触媒、硬化処理時の硬化剤や硬化促進剤、炭化処理時の炭化促進剤に含まれる元素により調整する」（山甲９ｄ）の表１に「異元素含有率」と記載されていることからして、「窒素」をドープしたものを前提にしたものではない。 また、（山甲９ｃ）に、「本発明の二次電池用炭素材の比表面積は、１５ｍ2／ｇ以下である。また、下限値としては１ｍ2／ｇであることが好ましい。比表面積が１５ｍ2より大きいと、電解液との反応が大きくなり、不可逆な容量が多くなり充放電効率が低下する傾向となる。逆に比表面積が１ｍ2／ｇより小さいと炭素材中の細孔容積が小さくなり、容量が低下する傾向となる。」という記載はあるものの、当該記載についても、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものとはいえない。 （ｄ）まとめ したがって、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７、及び山甲９には、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものはなく、ましてや、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９の記載から、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることが周知技術と認定することはできない。 ｃ 本件発明の技術的思想 （ａ）一方、本件発明４は、上記２（３）アでも記載したが、本件明細書の（本ｂ）に記載されているとおり、「Ｎ／Ｃが０．０１ｍｏｌ％以上であると、キャリア密度が向上するため、導電性が改善する。Ｎ／Ｃが２０ｍｏｌ％以下であると、炭素材料の結晶性が高いため、キャリア移動度が良好である。」（【００１８】）、「Ｎ３型窒素原子は非共有電子対を炭素との結合に使用するため、炭素材料への電子供与により炭素材料のキャリア密度を向上することができる。一方、Ｎ１型窒素原子およびＮ２型窒素原子は非共有電子対を有しているため、炭素材料への電子供与効果は著しく小さい。また、Ｎ４型窒素原子は酸素等の異種元素と結合しているため、炭素材料への電子供与効果は小さい。したがって、Ｎ３型窒素原子量の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％であると、その他の窒素原子による結晶性の低下や電子伝導の阻害を抑制できる。」（【００２２】）、「ＢＥＴＮ２が１００ｍ２／ｇ以下であると、重量および体積当たりの粒子数が少ないため、粒子間の接触抵抗が低減され、良好な導電性が得られる。ＢＥＴＮ２が０．０１ｍ２／ｇ以上であると、窒素ドープ反応が容易に進行する。」（【００２６】）との技術的意義を有するものである。 そして、上記（本ｄ）で摘記した表５～８に記載されている実施例１～２３を参照するに、窒素ドープした炭素材料において、「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることにより、導電性が向上することが裏付けられている。 すなわち、本件発明４は、（本ａ）の【０００３】に記載されている「一方、窒素ドープについては、触媒活性に関する報告（特許文献４）はあるものの、導電性に着目した研究は不足しており、炭素材料中の窒素の含有量や結合状態と導電性との関係性はいまだ明らかとなっていない。」との状況において、窒素ドープした炭素材料の導電性が「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」に関与することを見いだし、これらの値を順に「０．０１～２０ｍｏｌ％」、「１０ｍｏｌ％以上」及び「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることにより優れた導電性を得られることを発明したものである。 （ｂ）この点、申立人関が提示した甲号証、申立人山内の提示した甲号証には、窒素ドープした炭素材料の導電性が、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」に関与することを示したものはなく、そもそも、窒素ドープした炭素材料の導電性に着目してその値（体積抵抗率）を示したものは上記山甲１及び山甲６しかなく、それらの体積抵抗率の値は、最低の値を参照しても、（山甲１ｂ）のFig.2に示される1500℃で熱処理したものにおいて0.04Ω・ｃｍ（４０ｍΩ・ｃｍ）程度で、（山甲６ｃ）の表３の実施例６として1.9±0.6Ω・ｃｍ（1900±600ｍΩ・ｃｍ）であり、本件発明４に対応する実施例において最大である４．８ｍΩ・ｃｍ（実施例２３（炭素材料３２））よりもかなり大きいものである。 （ｃ）そうすると、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７、及び山甲９以外の甲号証を鑑みても、窒素ドープした炭素材料において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を調整して導電性を向上させるという技術的思想を開示したものはないのであるから、窒素ドープした炭素材料において、「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることもなく、それにより導電性を向上させるという効果も否定できるものではない。 ｄ 小括 したがって、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９には、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものはないのであるから、上記相違点１に係る本件発明４の構成は、当業者が容易になし得たこととはいえない。 加えて、そもそも、申立人関が提示した甲号証、申立人山内の提示した甲号証には、窒素ドープした炭素材料において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を調整して、導電性を向上させるという技術的思想を開示したものはないのであるから、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９以外の甲号証の記載を参照しても、窒素ドープ炭素材料において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」及び「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」が本件発明４の値を満たしたうえで、導電性を向上させるために「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を調整して「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることにはならない。 （ウ）申立人山内の主張 ａ 申立人山内は、意見書で、概略、以下の主張をしている。 「「関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７、山甲９を根拠とする周知技術の認定は不当である」との特許権者の主張は根拠を欠き、少なくとも関甲４及び山甲９は、電極を構成する炭素材料において、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇである」ものとすることは周知技術であることを示しているものと思料します。」（６頁５～９行） ｂ 申立人山内の主張に対する当審の判断 上記（イ）ｂ（ａ）及び（ｃ）で述べたように、関甲４及び山甲９には、電極を構成する炭素材料において、数字上「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」を満たし得るものが記載されていたとしても、関甲４及び山甲９は、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものとはいえないことから、「導電性」を向上させるという動機を持たないものであり、仮に別の動機により、関甲１発明に「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」を組み合わせたとしても、本件発明の窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるという効果は否定できない。 （エ）総括 よって、本件発明４は、関甲１発明、並びに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項、さらには、申立人関又は申立人山内が提出した甲号証を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 イ 関甲２、山甲３、山甲８を主引例とした場合 （ア）対比 本件発明４と、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明とを対比する。 ａ 関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明は、いずれも「窒素元素が含まれている炭素材料」であるから、上記ア（ア）ａで述べたとおり、本件発明４の「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料」に相当する。 ｂ 関甲２発明の「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．９ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１９ｍｏｌ％であ」ること、山甲３発明の「「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．３８ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が４１．５ｍｏｌ％であ」ること、山甲８発明の「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．４～７．０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１００ｍｏｌ％であ」ることは、いずれも各々の数値が本件発明４の（Ｎ／Ｃ）及び（表面Ｎ３）の数値範囲を満たすことから、本件発明４の「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であること」に相当する。 ｃ 関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明の炭素材料は、いずれも、電極に用いられるものであるが、それらが「バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの」又は「酵素電池正極用に用いられるもの」に限定されているものではないから、本件発明４において、これらの用途を除いたことが、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明との相違点になるわけではない。 そうすると、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明の「炭素材料」は、本件発明１の「炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」に相当する。 ｄ ａ～ｃを踏まえると、本件発明４と、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明とは、 （一致点） 「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上である炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 （相違点２） 本件発明４では、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇである」のに対し、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明では、比表面積が不明である点。 （イ）相違点の判断 上記相違点２は、相違点１と同じである。そして、ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）について上記ア（イ）ｃ（ａ）で述べたような技術的意義を有するものであるところ、関甲２、山甲３及び山甲８は、いずれも、比表面積について着目するものではないし、ましてや、上記２（３）イ（イ）ｃで述べたように、「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」という比較的低い範囲の比表面積に着目するものではない。さらに、上記ア（イ）ｂ及びｄで述べたのと同様の観点で、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項を、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明に適用できるとはいえないから、関甲２発明、山甲３発明及び山甲８発明を上記相違点２に係る本件発明４の構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 さらに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９以外の甲号証の記載を参照しても、上記ア（イ）ｃ（ｂ）及び（ｃ）並びにｄで述べたように、上記相違点２に係る本件発明４の構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件発明４は、関甲２発明、山甲３発明、又は山甲８発明、並びに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項、さらには、申立人関又は申立人山内が提出した甲号証を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （エ）申立人山内の主張 ａ 申立人山内は、意見書において、主引例として認定した関甲１発明、関甲２発明、山甲３発明、及び山甲８発明以外にも、「山甲９を主引例とする場合」についても主張しており、その主張はおおむね以下のとおりである。 「ここで、山甲９における炭素材料の製造方法を見ると、段落［００２１］には、下記の製造方法が記載されています。 「本発明の二次電池用炭素材の製造方法としては、前記炭素前駆体、場合によっては、これに硬化剤や硬化促進剤など加え（これを架橋処理しても良い。）、通常の黒鉛化処理温度（例えば、２８００℃以上）よりも低い温度で焼成処理することにより製造できる。更に具体例として、フェノール樹脂を用いる例として、第一の熱処理として４００～８００℃で行い、第一の熱処理がなされた炭素前駆体を所定の粒子径まで粉砕する。その後、第二の熱処理として、上記で粉砕した炭素前駆体を８００℃～１４００℃で炭化処理することにより、炭素材を得ることができる。第一の熱処理及び第二の熱処理を行う時間としては特に限定されないが、通常、最終熱処理温度まで１～５０時間かけて昇温し、必要に応じて最終熱処理温度で１～３０時間保持する。」 上記の製造条件において、炭素前駆体の炭化温度として１４００℃近くの温度を選択した場合にはグラファイト化がすすみ、「Ｘ線光電子分光法(XPS)によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３) が１０mol％以上である」との条件を充足した蓋然性が高いものと思料されます。」（８頁２５～９頁４行） 「以上より、訂正後の本件発明４は、山甲９に記載の発明に基づいて、あるいは、山甲９と、山甲８あるいは関甲１が示す周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであると思料されます。」（９頁１３～１５行） ｂ 申立人山内の主張に対する当審の判断 まず、上記ア（イ）ｂ（ｃ）で記載したとおり、山甲９は、（山甲９ａ）に「炭素以外の元素として、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ及びＢの少なくとも１つ以上の元素」、（山甲９ｂ）に「炭素以外の元素は、後述する炭素前駆体における、樹脂（モノマー）中の元素、樹脂反応や不融化処理時の触媒、硬化処理時の硬化剤や硬化促進剤、炭化処理時の炭化促進剤に含まれる元素により調整する」、（山甲９ｄ）の表１に「異元素含有率」と記載されていることからして、特に「窒素」をドープしたものを前提にしたものではない。 また、上記山甲９の【００２１】の熱処理の記載から、炭素材料にドープした窒素のうち、表面に存在するＮ１型、Ｎ２型、Ｎ３型、Ｎ４型の窒素において、Ｎ３型の窒素が増えることを示す根拠がない。仮に、上記製造方法によって、炭素材料にドープした窒素のうち、表面に存在するＮ１型、Ｎ２型、Ｎ３型、Ｎ４型の窒素において「Ｎ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３) が１０mol％以上」となるのであれば、Ｘ線光電子分光法(XPS)によって測定すれば明らかとなるところ、そのような測定も行っていないことから、上記「蓋然性が高い」との主張を採用することはできない。 そして、山甲８及び関甲１には、窒素をドープした炭素材料において、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上として導電性を向上させることが記載されていないのであるから、導電性の観点で山甲８及び関甲１に記載の事項を山甲９に適用することはできず、「山甲９と、山甲８あるいは関甲１が示す周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたもの」とすることはできない。 （２）本件発明５～１６について 本発発明５～１６は、いずれも本件発明４で特定されている「窒素元素が炭素骨格内の炭素元素の少なくとも一部を置換するようにドープされている炭素材料であって、ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％であり、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上であり、窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇであることを特徴とする炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）。」を必須の発明特定事項とするものであるから、本件発明４と同様に、関甲１発明、関甲２発明、山甲３発明、又は山甲８発明、並びに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項、さらには、申立人関又は申立人山内が提出した甲号証を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）まとめ 本件発明４～１６は、関甲１発明、関甲２発明、山甲３発明、又は山甲８発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、そして、関甲１発明、関甲２発明、山甲３発明、又は山甲８発明、並びに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項、さらには、申立人関又は申立人山内が提出した甲号証を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、本件発明４～１６に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものではないから、取消理由３（新規性）及び取消理由（進歩性）によって取り消すことはできない。 第７ 取消理由通知において採用しなかった異議申立理由について １ 上記第４で記載した取消理由通知で採用しなかった異議申立理由（以下「申立理由」という。）を整理すると、おおむね以下のとおりである。 （１）申立理由１（新規性・進歩性） 取消理由通知では、上記第４で記載したとおり、関甲１、関甲２、山甲３又は山甲８を主引用例とすると共に、申立人関又は申立人山内の提示した甲号証のうち、その技術的意義いかんに関わらず「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」を満たすであろう比表面積が記載されているものをすべて、窒素をドープした炭素材料のＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）を「０．０１～１００ｍ２／ｇ」とすることは周知技術であることを示すものとして通知したものである。 一方、関申立書では、関甲１及び関甲２以外にも、関甲３～１７を主引例として、山内申立書では、山甲３及び山甲８以外にも、山甲１、山甲２、山甲４～山甲７、山甲９、山甲１０を主引用例として、訂正前の請求項１～７に係る発明に対して、新規性欠如又は進歩性欠如を主張している。 （２）申立理由２（拡大先願） 山内申立書では、山甲１２として特願２０２０－６７２２１号（出願日：令和２年４月３日、公開日：令和３年３月１１日）の公開公報である特開２０２１－３９９３５号公報を提示し、訂正前の請求項１及び４に係る発明は、該特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であることを主張している。 （３）申立理由３（明確性） 申立人関は、上記第４で記載した取消理由（明確性）以外の理由として、訂正前の請求項１～３の特定事項（パラメータ）を満たす炭素材料の体積抵抗が大きいことから、訂正前の請求項１～３の特定事項の技術的意義が明確でないことを主張している。 （４）申立理由４（サポート要件） 関申立書において主張しているサポート要件違反、山内申立書において主張しているサポート要件違反のうち、上記第４で記載した取消理由（サポート要件）の内容に含まれていないものとしては、以下の内容のものが挙げられる。 ア 訂正前の請求項１～５の特定事項を満たす実施例の炭素材料の体積抵抗が、比較例よりも高いものがあることから、訂正前の請求項１～５の特定事項を満たす炭素材料が導電性に優れるとはいえず、本件発明の課題を解決するものではない。 イ 実施例において記載されている（Ｎ／Ｃ）、ピークの半値幅の値に対して、訂正前の請求項１で特定される（Ｎ／Ｃ）の範囲、請求項５で特定されるピークの半値幅の範囲が広いことから、訂正前の請求項１及び５の全て範囲おいて、本件発明の課題を解決するものではない。 （５）申立理由５（実施可能要件） 申立人関は、炭素材料が訂正前の請求項１～５の特定事項を満たすとしても、導電性に優れる炭素材料が得られるとは限らないことから、本件明細書の発明の詳細な説明には、どのような製造条件を選択して、どのような物性を備える炭素材料を選択すれば、導電性に優れる炭素材料を製造できるのかについて記載されていないことを主張している。 ２ 申立理由に対する判断 （１）申立理由１（新規性・進歩性）について ア 関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０を主引用例とした場合 （ア）関甲３～１７、山甲１、山甲２、山甲４～山甲７、山甲９、及び山甲１０のうち、取消理由で比表面積が記載されている点で提示した関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９以外の甲号証、すなわち関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０については、本件発明４～１６の必須発明特定事項である「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」であることが記載されていないのであるから、本件発明４～１６と、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０に記載された発明とを対比すると、少なくとも当該事項が実質的な相違点（以下「相違点３」という。）となる。 （イ）相違点３の判断 上記相違点３は、相違点１と同じである。そして、ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）について上記第６の３（１）ア（イ）ｃ（ａ）で述べたような技術的意義を有するものであるところ、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０は、いずれも、比表面積について着目するものではないし、ましてや、上記第６の２（３）イ（イ）ｃで述べたように、「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」という比較的低い範囲の比表面積に着目するものではない。さらに、上記第６の３（１）ア（イ）ｂ及びｄで述べたのと同様の観点で、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９に記載された事項を、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７又は山甲１０に記載された発明に適用できるとはいえないから、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７又は山甲１０に記載された発明を上記相違点３に係る本件発明４の構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。さらに、関甲４、関甲１２、関甲１３、関甲１６、関甲１７及び山甲９以外の甲号証の記載を参照しても、上記第６の３（１）ア（イ）ｃ（ｂ）及び（ｃ）並びにｄで述べたように、上記相違点３に係る本件発明４の構成を有するものとすることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 （ウ）小括 よって、本件発明４は、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０に記載された発明ではなく、そして、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 さらに、本発発明５～１６は、いずれも本件発明４で特定されている事項を必須の発明特定事項とするものであるから、本件発明４と同様に、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０に記載された発明ではなく、そして、関甲３、関甲５～関甲１１、関甲１４、関甲１５、山甲４～山甲７及び山甲１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７を主引用例とした場合 （ア）関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７については、上記第６の３（１）ア（イ）ｂ（ｂ）で述べたように、順に、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積(ＢＥＴN2)が、５０～１２００ｍ２／ｇ」「より好ましくは１００～１０００ｍ2／ｇ」、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ２／ｇ」「より好ましくは１０～１０００ｍ２／ｇ」、「ＢＥＴ比表面積が２０～２０００ｍ2／ｇ」「６０～６００ｍ2／ｇがさらに好ましい」、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴN2）が、１～１５００ｍ2／ｇ」「より好ましくは１０～１０００ｍ2／ｇ」と記載され、それらの下限付近で、数字上は本件発明の「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」と一部重複することが示されているものの、いずれにおいても、比表面積が大きい方が好ましいことの技術的意義が記載されていることから、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている上記比表面積の範囲において、当該技術的意義に反し、あえて範囲の下限付近を採用することはないから、窒素ドープ炭素材料において、導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを開示したものとはいえないものである。 さらに、これら関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている炭素材料は、本件発明の「（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」によって、除かれた用途に対応するものともいえる。 （イ）ａ 一方、申立人関は、関申立書において、以下のとおり、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている製造方法を、本件明細書に記載されている本件発明の炭素材料を製造する方法とすることは当業者が容易になし得たことであるから、その容易になし得た製造方法によって製造された炭素材料は本件発明の炭素材料と同じであるとの理屈を展開している。 関甲１２について、「例えば甲１２発明の実施例１において、窒素源として鉄フタロシアニンに代えてコバルトフタロシアニンを用い、炭素源／窒素源質量比として１００／５０（１／０．５）に代えて１００／４３（７０／３０）を用いたうえで、加熱条件として８００℃で２時間に代えて１０００℃で１時間を用いれば、その製造方法は本件特許発明の実施例２２と一致し、該製造方法で得られる炭素材料は、本件特許発明１の上記Ｃを備えるものとなる。よって、上記Ａ１２、Ｂ１２およびＤ１２１に加えて上記Ｃを備えた以下の発明は、甲１２発明及び技術常識に基づいて当業者が容易になし得るものである。」（１８４頁１２～１９行）と、 関甲１３について、「よって、所望の窒素ドープ量を得ること等を目的として、甲１３発明の実施例Ａ７の炭素源/窒素源質量比１００／１０に代えて１００／１１を用いることは当業者が容易になし得ることである。加熱条件については、甲第１３号証の【００５５】【００５６】に、加熱温度は５００～１１００℃ が好ましく、７００～１０００℃がより好ましいことや、ある程度高温で熱処理することで、活性点の構造が安定化し、実用的な電池運転条件に耐え得る表面となることが多いこと、および、加熱時間は通常は１時間から５時間であることが好ましいと記載されている。よって、活性点の構造安化等の目的で、甲１３発明の実施Ａ７の加熱末条件８００℃で２時間に代えて１０００℃で１時間を用いることは当業者が容易になし得ることである。以上より、本件特許発明の実施例２３の製造方法は、甲１３発明の実施例Ａ７の製造方法から当業者が容易になし得る範囲のものである。そして、甲１３発明の実施例Ａ７の製造方法から当業者が容易になし得る本件特許発明の実施例２３の製造方法で得られる炭素材料３２は、本件特許発明のＡ～ＤおよびF～Ｊを備えている。」（１８９頁１４～２９行）と、 関甲１６及び１７について、「(4)甲１６発明の製造６の製造方法と、本件特許発明の実施１８、１９、２０の製造方法との相違点は、以下の点のみである。・窒素源が前者は鉄フタロシアニンであるのに対して後者はコバルトフタロシアニンである点 ・炭素源／窒素源質量比が前者は１／０．５であるのに対して後者が８０／２０又は９０／１０である点 ・加熱条件が前者は８００℃で２時間であるのに対して後者が１０００℃ (実施例１８)で１時間である点 (5)甲１７発明の製造Ａ１の製浩方法と本件特許発明の実施例２２の製造方法との相違点は、以下の点のみである。・窒素源が前者は鉄フタロシアニンであるのに対して後者はコバルトフタロシアニンである点 ・炭素源／窒素源質量比が前者は１／０．５であるのに対して後者が７０／３０である点 ・加熱条件が前者は８００℃で２時間であるのに対して後者が１０００℃で１時間である点 (6)しかしながら、上記甲１２発明及び甲１３発明について検討したとおり、甲１４発明～ 甲１７発明の製造法と、本件特許発明の製造方法との上記相違点はいずれも、当業が容易になし得る範囲のものに過ぎない。よって、本件特許発明の製造方法は、甲１４発明～甲１７発明の製造方法から当業者が容易になし得る範囲のものである。そして、甲１４発明～甲１７発明の製造方法から当業者が容易になし得る本件特許発明の製造方法で得られる炭素材料は、本件特許発明のＡ～Ｊ」を備えている。」（１９１頁７～２９行、(4)(5)(6)は丸囲いの数字である。）と主張している。 ｂ しかしながら、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載されている製造方法を、何らの動機付けもないのに、本件明細書に記載されている本件発明の炭素材料を製造する方法とすることは、本件明細書を見てのいわゆる後知恵であり、また、仮に本件明細書に記載されている本件発明の炭素材料を製造する方法とすることが容易としても、その容易になし得た製造方法によって製造された炭素材料が、本件発明の特定事項を満たすことは、本件明細書を見なければ判断できないのであるから、そのような判断も本件明細書を見ての後知恵である。 したがって、申立人山内の主張を踏まえて、本件発明４～１６は、関甲１２、関甲１３、関甲１６又は関甲１７に記載された発明とも、関甲１２、関甲１３、関甲１６又は関甲１７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは判断することはできない。 （ウ）さらに、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７には、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」と一部重複する範囲が記載されているものの、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７には、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」の範囲とすることにより、窒素ドープされた炭素材料の導電性を向上させるという効果については何ら記載されていないことから、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」という範囲において、いわゆる選択発明としての進歩性があることも否定できない。 （エ）小括 よって、本件発明４～１６は、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載された発明ではなく、そして、関甲１２、関甲１３、関甲１６及び関甲１７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 関甲４を主引用例とした場合 （ア）関甲４は、タイトルが「炭素化ポリアニリンの電気化学容量」であり、炭素化ポリアニリンの「電気化学容量」についての論文である。そして、（関甲４ｂ）のFig.9には、N1sXPSスペクトルの波形分離から算出した各化学状態の窒素の原子濃度及び電気化学容量と熱処理温度との関係を示すグラフが記載されており、窒素の化学状態として「Quaternary N」（Ｎ３型窒素原子）についても記載されている。 しかしながら、（関甲４ｃ）には「Fig.9にN1sXPSスペクトルの波形分離から算出した各化学状態の窒素の濃度，ならびに容量とPANIの熱処理温度との相関を示す。800℃以上の熱処理により，四級型窒素の量が増加する一方，ピリジン型およびピロール型窒素の量は減少し，それに伴い容量も著しく減少した。」（「四級型窒素」はＮ３型窒素原子）と記載されており、容量を減少させることは関甲４に記載されている技術に反することであるから、関甲４に接した当業者は、Ｎ３型窒素原子の量を増加させる方向である「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」とすることを指向するとはいえない。 （イ）また、関甲４は、数字上「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」と一部重複する比表面積の値が記載されているといえるが、（関甲４ａ）の「その容量は電極表面積とおおまかな比例関係にあるため，高表面積の活性炭が電極材に用いられる。電気二重層キャパシタは高寿命・高出力密度を有するがエネルギー密度が小さいため，さらなる高容量化が求められている。しかし，活性炭の細孔構造最適化や高表面積化による高容量化はすでに限界に近づきつつある。最近，窒素を含む炭素がその比表面積から予想される以上の高容量を示すことが報告された5)-9)。特にメラミンの炭素化物は，窒素ガス吸着法によるBET比表面積が約100m2・ｇ-1程度であるにもかかわらず，希硫酸電解波中において約200F・g-1の容量を示す5)。」との記載を踏まえると、電気化学容量の高容量化に着目したものであり、導電性については着目されていない。そうすると、上記第６の３（１）ア（イ）ｃ（ａ）及び（ｂ）で述べたとおり、本件発明のように導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを何ら開示したものとはいえない。 （ウ）そして、関甲４は、窒素ドープした炭素材料において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を調整して導電性を向上させるという技術的思想を開示したものはないから、窒素ドープした炭素材料において、「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることもなく、それにより導電性を向上させるという効果も否定できるものではない。 （エ）小括 よって、本件発明４～１６は、関甲４に記載された発明ではなく、そして、関甲４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ 山甲９を主引用例とした場合 （ア）まず、上記第６の３（１）イ（エ）ｂで記載したように、申立人山内の意見書での主張によって、山甲９を主引用例とした場合について、本件発明４～１６の新規性及び進歩性を否定できるものではない。 （イ）また、山甲９において、数字上「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１～１００ｍ２／ｇ」と一部重複する比表面積の値が記載されているといえるが、（山甲９ｃ）の「本発明の二次電池用炭素材の比表面積は、１５ｍ2／ｇ以下である。また、下限値としては１ｍ2／ｇであることが好ましい。比表面積が１５ｍ2より大きいと、電解液との反応が大きくなり、不可逆な容量が多くなり充放電効率が低下する傾向となる。逆に比表面積が１ｍ2／ｇより小さいと炭素材中の細孔容積が小さくなり、容量が低下する傾向となる。」との記載を踏まえると、電気化学容量に着目したものであり、導電性について着目されていない。そうすると、上記第６の３（１）ア（イ）ｃ（ａ）及び（ｂ）で述べたとおり、本件発明のように導電性を向上させるために比表面積を「０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることを何ら開示したものとはいえない。 （ウ）そして、山甲９は、窒素ドープした炭素材料において、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）」及び「ＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）」を調整して導電性を向上させるという技術的思想を開示したものはないから、窒素ドープした炭素材料において、「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」及び「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」を満たしたうえで、「窒素を吸着種としたＢＥＴ比表面積（ＢＥＴＮ２）が、０．０１ ～１００ｍ２／ｇ」とすることもなく、それにより導電性を向上させるという効果も否定できるものではない。 （ウ）小括 よって、本件発明４～１６は、関甲９に記載された発明ではなく、そして、関甲４及び関甲９に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 エ まとめ 以上のとおり、本件発明４～１６は、関甲３～１７、山甲１、山甲２、山甲４～山甲７、山甲９及び山甲１０に記載された発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に該当せず、そして、関甲３～１７、山甲１、山甲２、山甲４～山甲７、山甲９及び山甲１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 したがって、本件発明４～１６に係る特許は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定に違反してされたものではないから、取消理由３（新規性）及び取消理由（進歩性）によって取り消すことはできない。 （２）申立理由２（拡大先願）について ア 山甲１２においては、「ＮＧＦ（nitrogen-doped graphite felt；窒素ドープされたグラファイトフェルト）」における窒素含有量を「ＸＰＳ」のみで測定しており、ＸＰＳで分析できる深さは、通常、表面から数ｎｍ程度と非常に浅いものである。ここで、ＮＧＦの大きさの例として、（山甲１２ｂ）には「平均粒子径は９０ｎｍ未満」と記載され、また、図４を参照すると、５０ｎｍのスケールバーが記載され、これを参照すると、粒子は２００ｎｍを超えるものともいえる。 そうすると、（山甲１２ｃ）に「ＮＧＦの全窒素含量（原子％）」、（山甲１２ｄ）の図６に「総窒素含量（at.％）」と記載されているものの、これらの値は、ＮＧＦの「表面」部分の窒素の量であり、ＮＧＦ「中」の窒素の量を測定したものとはいえないから、本件発明の「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）」の値は不明であり、この数値が「０．０１～２０ｍｏｌ％」であることは実質的な相違点となる。 イ したがって、本件発明４～１６と山甲１２に記載された発明とは、少なくとも「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した、炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」の点で相違することから、本件発明４～１６は、山甲１２としての特願２０２０－６７２２１号（出願日：令和２年４月３日、公開日：令和３年３月１１日（特開２０２１－３９９３５号公報）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一とはいえない。 よって、本件発明４～１６に係る特許を、申立理由２（拡大先願）によって取り消すことはできない。 （３）申立理由３（明確性）について ア 訂正前の請求項１～３は上記第２の１で述べたとおり削除されたが、訂正前の請求項１～３についての特定事項（パラメータ）である「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％以下」、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％」との事項は、本件発明４～１６におけるいずれかの発明特定事項となっているものである。 イ（ア）そこで検討するに、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」については、訂正により「ＣＨＮ元素分析装置を用いて測定した」ことが限定されたことから、上記パラメータはすべて数値的に一義的に解されるものであるから、不明確とはいえない。 また、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における全窒素に対するＮ３型窒素原子の割合（表面Ｎ３）が１０ｍｏｌ％以上」、「炭素材料表面における全窒素に対するＮ１型窒素原子の割合とＮ２型窒素原子の割合との合計（ｍｏｌ％）を（Ｎ1＋Ｎ2）としたときの、｛Ｎ×（Ｎ1＋Ｎ2）÷１００｝で示される表面末端窒素の割合が１ｍｏｌ％以下」、「Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定した、炭素材料表面における炭素元素に対する窒素元素の割合（表面Ｎ／Ｃ）が０．２～１．３ｍｏｌ％」についても、数値的に一義的に解されるものであるから、不明確とはいえない。 （イ）さらに、技術的意義についても一応検討するに、上記特定事項の技術的意義については、本件明細書の（本ｂ）に記載されているから、申立人関の主張は当を得たものではない。 ウ よって、本件発明４～１６に係る特許を、申立理由３（明確性）によって取り消すことはできない。 （４）申立理由４（サポート要件）について アの主張について 申立人は、実施例の炭素材料の体積抵抗が、比較例よりも高いものがあることから、本件発明の炭素材料が導電性に優れるとはいえず、本件発明の課題を解決するものではないことを主張しているが、本件発明は、上記本件明細書の（本ａ）に「窒素ドープについては、触媒活性に関する報告（特許文献４）はあるものの、導電性に着目した研究は不足しており、炭素材料中の窒素の含有量や結合状態と導電性との関係性はいまだ明らかとなっていない。」ことを受け、窒素ドープした炭素材料の導電性を上げることを課題としているものである。 そして、上記第６の２（１）で述べたよう、窒素ドープする対象の炭素材料の種類、構造によって体積抵抗率も変わるところ、それらの体積抵抗率の異なる炭素材料それぞれに対して体積抵抗率が小さくなれば、本件発明の課題を解決することになるのであるから、実施例の炭素材料の体積抵抗率が比較例よりも高いものがあることをもってして、即座に本件発明の課題を解決していないとの結論にはいたらない。例えば、比較例１（炭素材料１８）は、体積抵抗率が２．１ｍΩ・ｃｍと低い値を示しているが、これはそもそも窒素がドープされていない炭素材料であるから、本件発明の比較の対象とならないものである。 イの主張について （Ｎ／Ｃ）の値、ピークの半値幅の値については、それぞれ、（本ｂ）の【００１８】の「Ｎ／Ｃが０．０１ｍｏｌ％以上であると、キャリア密度が向上するため、導電性が改善する。Ｎ／Ｃが２０ｍｏｌ％以下であると、炭素材料の結晶性が高いため、キャリア移動度が良好である。」、【００２９】の「上記ピークの半値幅（半値全幅）が８°以下である場合には、炭素材料の結晶性が高く、電子伝導性が高く、好ましい。」との機序の記載をみると、「炭素材料中の炭素元素に対する窒素元素の割合（Ｎ／Ｃ）が０．０１～２０ｍｏｌ％」の範囲、「ＣｕＫα線をＸ線源として得られるＸ線回折図において、回折角（２θ）が２４．０～２７．０°の位置にピークを有し、該ピークの半値幅が８°以下」の範囲において導電性が優れているといえる。 ウ 小括 よって、申立人の主張はいずれも当を得たものではないから、本件発明４～１６に係る特許を、申立理由３（サポート要件）によって取り消すことはできない。 （５）申立理由５（実施可能要件）について 本件発明の窒素ドープ炭素材料の製造方法については、（本ｄ）で摘記した実施例に、 「【００７２】 ＜窒素ドープ炭素材料＞ ［実施例１］ 炭素源である球状天然黒鉛（日本黒鉛工業社製 ＣＧＢ―５０、平均粒径５０μｍ）８０部と、窒素源であるコバルトフタロシアニン（東京化成工業社製）２０部とを自転公転ミキサーで乾式混合して混合物を得た。上記混合物をアルミナ製るつぼに充填し、窒素雰囲気下、１０００℃で１時間熱処理を行い、窒素ドープ炭素材料（１）を得た。 【００７３】 ［実施例２］ 炭素源である球状天然黒鉛（日本黒鉛工業社製 ＣＧＢ―５０、平均粒径５０μｍ）８０部と、窒素源である鉄フタロシアニン（山陽色素社製）２０部と、溶媒であるエタノール３００部をビーズミルで湿式混合し、大気下７０℃のオーブンで乾燥させて混合物を得た。上記混合物をアルミナ製るつぼに充填し、窒素雰囲気下、１０００℃で１時間熱処理を行い、窒素ドープ炭素材料（２）を得た。 【００７４】 ［実施例３～２３、比較例１～１０］ 表１～４に示す原料、条件を用いて、原料を乾式混合した場合は実施例１と同様にして、原料を湿式混合した場合は実施例２と同様にして、窒素ドープ炭素材料（３）～（３３）を作製した。」 と記載されていることから、当業者が、発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明の窒素ドープ炭素材料を製造し、使用することができる程度に、発明の詳細な説明が明確かつ十分に記載されているといえる。 よって、本件発明４～１６に係る特許を、申立理由４（実施可能要件）によって取り消すことはできない。 第８ 申立人山内のその余の主張 １ 申立人山内は、山内意見書において、山内申立書において主張していなかった新たな理由として、以下のとおり、新規事項の追加である旨の主張をしている。 「本件発明に記載された「（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」との記載・・・上記の除くクレームは、本件の審査段階で、進歩性に係る拒絶理由を回避するために付け加えられたものです。・・・本件における除くクレームは、「請求項に係る発明が引用発明と重なるために新規性等（第２９条第１項第３号、第２９条の２又は第３９）が否定されるおそれがある場合に、その重なりのみを除く補正」には該当しません。」（１１頁１２～２６行） ２ 当審の判断 上記申立人山内の主張は、訂正によって生じたものとはいえないから、時期を逸した主張といえるものの一応検討する。 「除くクレーム」については、知財高裁大合議判決（平成１８年（行ケ）第１０５６３号の判事事項を踏まえて判断されるべきであり、「炭素材料（但し、バイオ燃料電池アノード用に用いられるもの、及び、酵素電池正極用に用いられるものを除く）」とは、「バイオ燃料電池アノード用に用いられる炭素材料」及び「酵素電池正極用に用いられる炭素材料」を本件発明の「炭素材料」から除外することを特定しているにすぎず、当該特定事項が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しているとはいえない。 第９ むすび 以上のとおり、本件発明４～１６に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由、並びに申立人関の特許異議申立書に記載された申立理由、及び申立人山内の特許異議申立書に記載された申立理由によっては、取り消すことはできない。さらに、他に本件発明４～１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、請求項１～３に係る特許は、訂正により削除された。これにより、申立人関及び申立人山内による特許異議の申立てについて、請求項１～３に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。