2025-700665

特許第７６０６４５９号発明「多結晶シリコンロッドおよびその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７６０６４５９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕、〔４、５〕について訂正することを認める。 特許第７６０６４５９号の請求項２～５に係る特許を維持する。 特許第７６０６４５９号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７６０６４５９号の請求項１～５に係る特許（以下、それぞれ「本件特許１」などといい、まとめて「本件特許」という。）についての出願（以下、「本件特許出願」という。）は、２０２０年（令和２年）８月２０日（優先権主張 令和１年８月２３日）を国際出願日とする出願であって、令和６年１２月１７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２５日に特許掲載公報が発行された。 その後、令和７年６月２５日に特許異議申立人中川賢治（以下、「申立人」という。）により本件特許１～５に対する特許異議の申立てがされ、同年９月２５日付けで取消理由が通知され、同年１１月２８日に特許権者により意見書及び訂正請求書の提出がされ、令和８年１月１４日に特許権者により訂正請求書に対する手続補正書（方式）が提出され、同年２月１８日に申立人により意見書が提出された。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和８年１月１４日提出の手続補正書（方式）により補正された、令和７年１１月２８日提出の訂正請求書における訂正の請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１～３〕、〔４、５〕を訂正の単位として訂正することを求めるものであり、その内容（訂正事項）は、次のとおりである（訂正箇所に下線を付した。）。 (１) 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 (２) 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に 「前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である、請求項１に記載の多結晶シリコンロッド。」と記載されているのを、 「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッドであって、上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で２５ｐｐｔｗ以下であり、前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である多結晶シリコンロッド。」に訂正する（請求項２の記載を引用する請求項３も同様に訂正する。）。 (３) 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に 「請求項１又は２に記載の多結晶シリコンロッド」と記載されているのを、 「請求項２に記載の多結晶シリコンロッド」に訂正する。 (４) 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に 「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、可動式のクリーンブースを用いて、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」と記載されているのを、 「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５も同様に訂正する。）。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断 (１) 訂正事項１について 訂正事項１は、請求項１を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、願書に添付された明細書、特許請求の範囲、又は図面（以下、それぞれ「本件明細書」などといい、まとめて「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (２) 訂正事項２について 訂正事項２は、本件訂正前の請求項２が請求項１を引用しているところ、その引用関係を解消して、独立形式請求項にすると共に、請求項２の「前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である」との記載に整合するように、「鉄及びニッケルの総金属濃度」を「元素換算で４０ｐｐｔｗ以下」から「元素換算で２５ｐｐｔｗ以下」にするものであるから、訂正事項２は、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」、及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (３) 訂正事項３について 訂正事項３は、本件訂正前の請求項３における選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (４) 訂正事項４について 訂正事項４は、本件訂正前の請求項４の記載において、どの期間に「可動式のクリーンブースを用いて」いるのかが明確でなかったものを、語順を入れ替えて、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて」いることを明確にするものであるから、「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号、及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項、及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～３〕、〔４、５〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載（本件発明） 前記第２のとおり、本件訂正請求は適法にされたものであるから、本件訂正後の請求項２～５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２」などといい、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項２～５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項２】 シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッドであって、上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で２５ｐｐｔｗ以下であり、前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である多結晶シリコンロッド。 【請求項３】 前記領域におけるクロムの濃度が元素換算で１０ｐｐｔｗ以下、である、請求項２に記載の多結晶シリコンロッド。 【請求項４】 シリコンの棒状体からなる芯線に通電するための電極を設けた底板と、該底板を覆うドーム型のカバーとを有する反応器を使用し、前記電極に前記芯線を接続して通電しながら、前記反応器内に多結晶シリコン析出用原料ガスを供給し、前記芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長させる多結晶シリコンロッドの製造方法であって、 前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くことを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 【請求項５】 前記クリーンブースが、水平気流対向方式で清浄化された空気を反応器に供給する構造を有し、前記反応器を、前記クリーンブース内に収納して、前記シリコン芯線が置かれる雰囲気の清浄度を達成することを特徴とする請求項４に記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。」 第４ 特許異議の申立てについて １ 申立ての理由の概要 申立人が主張する特許異議の申立ての理由は、概略、以下のとおりである。 (１) 申立理由１（進歩性欠如） 設定登録時の請求項１～３に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、以下の甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、設定登録時の請求項４、５に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、以下の甲第１号証～甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件特許１～５は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 (２) 申立理由２（実施可能要件違反） 設定登録時の請求項１に記載の発明は、「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッドであって、上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で４０ｐｐｔｗ以下であることを特徴とする、多結晶シリコンロッド」というものである。 しかし、本件明細書の実施例１及び２には、「鉄が５ｐｐｔｗ、ニッケルが２ｐｐｔｗ、クロムが１ｐｐｔｗ、銅が１ｐｐｔｗ以下、亜鉛が１ｐｐｔｗ以下の多結晶シリコンロッドを、ブレードを用いて８ｍｍ□の細棒に切り出すことにより」得た「シリコン芯線」のみが記載されており、その他のシリコン芯線を用いた結果についてはまったく開示していない。 多結晶シリコンロッドは、反応時の周囲雰囲気だけでなく、使用されたシリコン芯線の純度によっても金属汚染度が敏感に変化すると見られることを考慮すると、当業者が、特定シリコン芯線を用いた実施例のみに基づいて、設定登録時の請求項１に記載の発明に含まれる全ての種類のシリコン芯線に対して、前記総金属濃度が制限された多結晶シリコンロッドを容易に実施することができるものではない。当該請求項１を引用する請求項２及び３も同様である。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明には、当業者が設定登録時の請求項１～３に記載の発明を容易に実施できる程度に記載されているといえない。 よって、本件特許１～３は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 (３) 申立理由３（サポート要件違反）について 設定登録時の請求項１に記載の発明は、「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッドであって、上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で４０ｐｐｔｗ以下であることを特徴とする、多結晶シリコンロッド」というものである。 しかし、本件明細書の発明の詳細な説明には、特定のシリコン芯線を用いて製造された多結晶シリコンロッドのみを開示しているだけであり、出願時の技術常識に照らしてみても、実施例１に記載された特定のシリコン芯線を用いた方法を、設定登録時の請求項１に記載のあらゆる種類のシリコン芯線を用いた多結晶シリコンロッドの製造方法に拡張ないし一般化することはできない。 したがって、設定登録時の請求項１に記載の発明及びこれを引用する請求項２～３に記載の発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。 よって、本件特許１～３は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 (４) 証拠方法一覧 甲第１号証 国際公開第２０１７／２２１９５２号 甲第２号証 特開２００８－１４５０５２号公報 甲第３号証 特開平１１－８３１０４号公報 甲第４号証 特開２０１５－３０６２８号公報 甲第５号証 特表２０１６－５３６２４９号公報 甲第６号証 特開２０１７－８１８０３号公報 参考資料１ 特開２０２０－４５２５７号公報 参考資料２ 「月刊「クリーンテクノロジー」別冊号 早わかりＱ＆Ａ クリーンルームの設計・施工マニュアル【改訂版】」、平成２７年１２月７日発行、日本工業出版株式会社、第９ページ 参考資料３ 特開２０１４－３１３０９号公報 ２ 取消理由通知に記載した取消理由について 当審が特許権者に通知した、令和７年９月２５日付けの取消理由は、概略、以下のとおりである。 (１) 取消理由１（新規性欠如） 設定登録時の請求項１、３に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、以下の引用文献１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件特許１、３は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 (２) 取消理由２（明確性要件違反） 設定登録時の請求項４の「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、可動式のクリーンブースを用いて、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」との記載は、「可動式のクリーンブースを用いて」との記載が、どの記載に掛かっているのかが明確でなく、(i)「芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間」の全てにおいて、「可動式のクリーンブースを用いて」、「前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」ことを示しているのか、(ii)「芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間」の全てにおいて、「前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」ところ、「該芯線の上部より前記カバーで底板を覆う」間だけ、「可動式のクリーンブースを用いて」いることを示しているのか、(iii)「可動式のクリーンブースを用いて、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆う」間だけ、「前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」こと示しているのか、あるいは、これら以外のことを示しているのかが明確でない。 したがって、設定登録時の請求項４の記載、及びこれを引用する請求項５の記載は明確でない。 よって、本件特許４、５は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 (３) 刊行物一覧 引用文献１ 国際公開第２０１７／２２１９５２号 引用文献２ "Ｓｉ基板に対するＣｕおよびＮｉ拡散量の調査"、DISCO Technical Review、2018年11月、［online］、株式会社ディスコ、［取得日2025年8月28日］、取得先<URL：https://www.disco.co.jp/jp/solution/technical_review/doc/TR18-02_Si%E5%9F%BA%E6%9D%BF%E3%81%AB%E5%AF%BE%E3%81%99%E3%82%8BCu%E3%81%8A%E3%82%88%E3%81%B3Ni%E6%8B%A1%E6%95%A3%E9%87%8F%E3%81%AE%E8%AA%BF%E6%9F%BB_20181107.pdf> なお、引用文献１は、前記１(４)の甲第１号証であるので、以下、引用文献１を「甲第１号証」で示す。 ３ 甲号証、参考文献、及び引用文献の記載について (１) 甲第１号証（引用文献１）の記載 甲第１号証には、「多結晶シリコンロッド及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある（下線は当審が付した。以下、同様である。）。 「[請求項3] シリコン析出反応炉内に多結晶シリコン種棒を組立てた後、前記種棒を１０００℃以上シリコンの融点未満の温度に通電加熱し、前記通電加熱した温度で前記反応炉にトリクロロシランガスと水素ガスを主成分とする原料ガスを供給して前記種棒表面にシリコンを析出成長させる、シーメンス法による多結晶シリコンロッドの製造方法において、 前記種棒を１０００℃以上シリコンの融点未満の温度に加熱した後、前記反応炉に四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスを、炉壁温度を３０℃以上に維持した状態で１０分間以上、供給して前記種棒の表面を前記反応炉内でエッチングし、続いて前記加熱温度で前記トリクロロシランガスと水素ガスを主成分とする原料ガスを供給することを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 [請求項4] 前記製造された多結晶シリコンロッドのバルク鉄（Ｆｅ）濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクニッケル（Ｎｉ）濃度が０．００７ｐｐｂｗ以下、バルククロム（Ｃｒ）濃度が０．００５ｐｐｂｗ以下である請求項３記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。」 「[0002] シリコン半導体の製造においては、高純度の多結晶シリコンを単結晶化してこの単結晶シリコンが基盤材料とされているが、半導体製品の高性能化、高密度化に伴い、原料となる多結晶シリコンについても、極限まで不純物を低減することが望まれている。高純度の多結晶シリコンを製造するためには、溶融凝固法のような汚染源となるるつぼ等を用いず、反応炉内で高純度の多結晶シリコンを種棒として、通電加熱してその種棒表面にシリコンが析出される、シーメンス法が主流となっている。このシーメンス法の特徴としては、沸点が常温付近にあり、蒸留精製が容易なトリクロロシランが高純度の中間原料として使用され、このトリクロロシランを還元析出させることで、通常１０ｍｍ角以下の細い多結晶シリコン種棒（以下、単に「種棒」ということもある。）表面にシリコンが析出成長されて直径１００ｍｍ以上の高純度の多結晶シリコンロッドが製造されている。成長中は、反応炉内に供給される原料ガスの純度などが制御され、徹底して汚染源が排除されているが、この種棒を析出反応炉にて組立てる際には反応炉内部が大気に開放されるため、大気中に含まれる物質の汚染の影響を受けやすい。この汚染を防止する対策として、組立て作業がクリーンブース内で行われたり、組立てた後に反応炉内の空気が不活性ガスなどで置換されている。しかし反応炉が一旦大気開放されると、ある程度の汚染源が残留してしまうことは避けられず、結果として製造された多結晶シリコンロッドの種棒界面付近のロッド芯部の純度は、ロッド表面部の純度より低下する結果となる。一方、シリコン析出に使用される反応炉材質は一般的にステンレス鋼で構成される場合が多く、ステンレス鋼の表面に生成した不動態被膜に含まれるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属化合物が多結晶シリコン成長中に付着すると考えられている。」 「[0032] 〔多結晶シリコンロッドの製造方法〕 本実施形態の多結晶シリコンロッドを製造する一例を次に説明する。この製造方法では、図１に示すように、多結晶シリコン種棒の組立て工程１０と、この種棒を通電加熱する工程１１と、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスを供給する工程１２と、トリクロロシラン（ＴＣＳ）ガスと水素ガスを主成分とする原料ガスを供給する工程１３とを経て多結晶シリコンロッド１４を得る。」 「[0036] 本実施形態の特徴ある構成は、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスを供給する工程１２にある。この工程１２では、工程１１の加熱温度と炉内圧力を維持し、炉壁温度を３０℃以上に維持した状態で水素ガス雰囲気にて１０分間以上、四塩化ケイ素ガス（ＳＴＣ）と水素ガスの混合ガスを反応炉内に供給する。四塩化ケイ素ガスは種棒表面層をエッチングするガスであり、水素ガスはキャリアガスである。」 「実施例 [0045] 次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。 [0046] ＜実施例１＞ バルクのリン（Ｐ）濃度が０．０２０ｐｐｂａであるシリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングし、純水による洗浄で表面を清浄化した。反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立てた。その後反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して約１１００℃に昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出した。その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（２５体積％ＳＴＣ）に切り替えて１０分間反応炉内に供給した。この際、反応炉の炉壁温度を３０℃、炉内圧力を０．０６ＭＰａに維持した。その後、ＳＴＣガスと水素ガスの混合ガスをＴＣＳガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給した。種棒の表面上にシリコンが析出成長し直径約１１５ｍｍの多結晶シリコンロッドが得られた。 [0047] ＜実施例２＞ 実施例１と同じ処理を行った種棒を用いて実施例１と同様に鳥居型に種棒を組立て、反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出した。その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（５０体積％ＳＴＣ）に切り替えて３０分間反応炉内に供給した。この際、反応炉の炉壁温度を８０℃、炉内圧力を０．０７ＭＰａＧに維持した。その後、ＳＴＣガスと水素ガスの混合ガスをＴＣＳガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給した。種棒の表面上にシリコンが析出成長し直径約１１７ｍｍの多結晶シリコンロッドが得られた。 [0048] ＜実施例３＞ 実施例１と同じ処理を行った種棒を用いて実施例１と同様に鳥居型に種棒を組立て、反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出した。その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（６５体積％ＳＴＣ）に切り替えて２０分間反応炉内に供給した。この際、反応炉の炉壁温度を８０℃、炉内圧力を０．０８ＭＰａＧに維持した。その後、ＳＴＣガスと水素ガスの混合ガスをＴＣＳガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給した。種棒の表面上にシリコンが析出成長し直径約１２２ｍｍの多結晶シリコンロッドが得られた。 ・・・ [0051] ＜比較試験及び評価＞ 実施例１～３と比較例１、２で得られた５種類の多結晶シリコンロッドを円柱状にそれぞれ切り出して試料とした。円柱状に切り出した試料から、(a)種棒を含むロッド芯部、(b)ロッド表面から５ｍｍのロッド表面部、(c)ロッド表面から４０ｍｍのロッド中間部のそれぞれから直径１２ｍｍの棒を２本切り出し、これらの棒を個別にＦＺ法によって結晶化し、ＳＥＭＩ ＭＦ１３８９に則って、ＰＬ（Photoluminescence）法でリン濃度を測定した。上記とは別に実施例１～３と比較例１、２で得られた多結晶シリコンロッドから試料をそれぞれ切り出し、試料に含まれるバルクの金属不純物の濃度をＩＣＰ－ＭＳを用いて測定した。具体的には、ロッドから３個の試料を採取して、試料毎に鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）の各濃度を測定し、その平均値を求めた。２本のリン濃度の平均値と、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）の各濃度をの平均値を表１に示す。 [0052] [表1] ［図：0001437384000001.jpg］ ・・・ [0055] これに対して、実施例１～３では、種棒表面にシリコンを析出する前に四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスを、ＳＴＣガスの濃度を２５～６５体積％、反応炉の炉壁温度を３０℃以上にして１０分間以上供給したため、エッチングが十分に行われて、上記比（Ｐ２／Ｐ１）が１．６４～１．８０であり、ロッド内部（芯部）からロッド表面部まで全体として均質な多結晶シリコンロッドが得られることを確認した。また上記シリコンロッドのバルクＦｅ濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクＮｉ濃度０．００７ｐｐｂｗ以下、バルクＣｒ濃度０．００５ｐｐｂｗ以下であり、含有するＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒを低減したシリコンロッドを得られることを確認した。」 (２) 甲第２号証の記載 甲第２号証には、「循環風路形成装置」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【請求項１】 クリーンブース内部を区画する内側間仕切部材と、前記クリーンブースの天井面又は側面に設けた清浄空気供給装置と、前記内側間仕切部材の下端と床面との間に設けた間隙と、クリーンブースの外側には、クリーンブースを覆うように設けた外側間仕切用ブースと、前記外側間仕切用ブースには、外側の低清浄度域より区画する外側間仕切部材を設け、前記清浄空気供給装置によってクリーンブース内部に吹き出した清浄空気は、前記内側間仕切部材と前記外側間仕切部材との間に形成されたレターン経路を通って循環することを特徴とする循環風路形成装置。」 「【請求項６】 外側間仕切用ブースの支柱下端に可動装置を設けた請求項１～５いずれかに記載の循環風路形成装置。」 「【０００１】 本考案は精密機械分野等において発塵を嫌う作業工程等に使用されるクリーンブースに係るものである。」 「【００５６】 （実施の形態４） 図４に示すように、外側間仕切用ブース６の隅角部に配設された支柱７の下端にキャスター１４を取りつけた構成となっている。 【００５７】 上記構成により、さまざまな場所にあるクリーンブース１に対して、高性能フィルタ２の負荷低減が必要な際に、簡易に設置および移動ができる。」 「【図４】 ［図：0001437384000002.jpg］ 」 (３) 甲第３号証の記載 甲第３号証には、「低温クリーンブース」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【請求項１】 ブース域を決めるフレームと、該ブースの内外を仕切る可動性のある仕切り部材とを備え、前記ブース域の天井部に、空調ユニットとフィルターユニットとを備えてなる低温クリーンブースにおいて、 前記仕切り部材を二重以上の部材で構成し、その二重以上の仕切り部材が互いに接触しないように、当該仕切り部材下部に、仕切り部材が開閉できる程度に可動性のある錘手段を備えたことを特徴とする低温クリーンブース。」 「【請求項５】 請求項１，２，３および４記載のもののいずれかにおいて、ブース域を決めるフレームの下部に車輪を取り付けたことを特徴とする低温クリーンブース。」 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、低温クリーンブースに係り、例えば、食品加工場等で局所的に１０～２０℃の低温条件で、かつ、クリーン度が要求される場所に利用するのに好適な簡易型の低温クリーンブースに関するものである。」 「【０００７】なお付記すると、上記従来技術のもつ課題を解決するために、本発明の低温クリーンブースは、ブース域を決めるフレームとブース内外を仕切る二重以上の仕切り材にて構成し、最外表面部の仕切り材の温度が下がらないようにして仕切り材外表面の結露を防止するとともに、フレーム下部に車輪を設けることにより、空調ユニット、フィルタユニットを含むブース全体を移動できるように構成している。また、クリーン度の確保においては空調ユニットから外気を導入できるように構成し、ブース内を常に正圧（陽圧）に保ち、外部から埃等が入り込まないように工夫している。さらに、ブース内での作業のため人の出入りが必要となるが、仕切り材を可動として出入り可能としている。」 「【００１６】本実施形態の低温クリーンブースは、フレーム１の下部に車輪２を設けるとともに、空調ユニット１０、フィルタユニット８等を全て天井部に配設しているので、ブース全体を容易に移動することができる。また、ブース内外の仕切りは安価なビニール等で構成できるため、安価に製造できるものである。なお、ここで図示はしないが、カーテンは、三重、四重と重ねてさらに効果を高めてもよいことは言うまでもない。」 「【図２】 ［図：0001437384000003.jpg］ 」 (４) 甲第４号証の記載 甲第４号証には、「多結晶シリコンロッドの製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【請求項１】 ＣＶＤ法によりシリコン芯線にシリコンを析出させて多結晶シリコンロッドを製造する方法であって、 前記シリコン芯線を洗浄後に１本毎に袋詰めし、 該袋詰めの状態で前記シリコン芯線をハンドリングし、 反応炉内にセットする際に前記シリコン芯線を袋から取り出して電極に取り付ける、ことを特徴とする多結晶シリコンロッドの製造方法。 【請求項２】 前記洗浄後の前記シリコン芯線を前記袋を密封して袋詰めする、請求項１に記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。 【請求項３】 前記袋の材質はポリエチレン製である、請求項１または２に記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。 【請求項４】 前記袋の外面に前記シリコン芯線の履歴管理用の識別ラベルを添付する、請求項１～３の何れか１項に記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。 【請求項５】 前記電極へのシリコン芯線の取り付け作業を、前記袋の外面のみに触れ、前記シリコン芯線に直接触れることなく行う、請求項１～４の何れか１項に記載の多結晶シリコンロッドの製造方法。」 「【０００１】 本発明は多結晶シリコンロッドの製造方法に関し、より詳細には、シリコンを析出させるためのシリコン芯線の汚染や破損を防止する技術に関する。」 「【００１０】 半導体デバイス製造用単結晶シリコン基板の製造に用いる多結晶シリコンのように、高純度の多結晶シリコンを製造する場合には、多結晶シリコン棒の育成に用いる際のシリコン芯線の内部および表面の清浄度が極めて高いものである必要がある。このため、機械加工されたシリコン芯線は、最終段階でエッチングや洗浄が行われ、表面の汚れや傷が除去される。さらに、使用直前まで汚染されないように保管され、運搬時等のハンドリングに際しても清浄度を維持することが必要となる。」 (５) 甲第５号証の記載 甲第５号証には、「多結晶シリコンの製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【請求項１】 少なくとも１つの支持体上に多結晶シリコンを堆積させて少なくとも１つの多結晶シリコンロッドを得ること、またはシリコン粒子上に多結晶シリコンを堆積させて多結晶シリコン細粒を得ることを含み、 個々の堆積はクラス１～１００，０００のクリーンルーム内の反応器中で行われ、 ろ過空気はクリーンルーム中へ導入され、前記空気は、最初に１μｍ以上の粒子を分離する少なくとも１つのフィルターに通過させた後、１μｍ未満の粒子を分離する浮遊粒子フィルターに通過させることによりろ過される、多結晶シリコンの製造方法。」 「【００４６】 堆積については、このことは、その中で多結晶シリコンが堆積する反応器は全て、クリーンルーム内にあることを意味し、細粒の製造のためのシーメンス法による堆積および、流動床法による堆積の両方に適用される。これは、シリコンロッドまたは細粒を反応器から取り出した場合であっても、最初から清浄な低粒子空気にしか触れないという利点を有する。」 (６) 甲第６号証の記載 甲第６号証には、「多結晶シリコン反応炉」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【請求項１】 炉底を構成する基台と、 該基台上に着脱可能に取り付けられているベルジャとを備える多結晶シリコン反応炉であって、 前記基台の外周部に設けられた受け部と、 前記ベルジャの下端開口縁部に設けられたフランジ部とが、 締結部により固定されており、 前記基台には、前記受け部よりも半径方向外側位置に、上下方向に延びるガイド棒が設けられ、 前記ベルジャには、前記フランジ部よりも半径方向外側位置に、前記ガイド棒が挿通可能な貫通孔を有する開孔板が設けられ、 前記基台の平面視の中心から前記ガイド棒の中心軸までの距離と、前記ベルジャの平面視の中心から前記貫通孔の中心軸までの距離とが同距離に設けられていることを特徴とする多結晶シリコン反応炉。」 「【００１８】 以下、本発明に係る多結晶シリコン反応炉の実施形態について説明する。 図１は、本発明が適用される多結晶シリコン反応炉を模式的に表した全体図である。この多結晶シリコン反応炉１００は、炉底を構成する基台１と、この基台１上に着脱可能に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ２とを備え、基台１とベルジャ２とで囲まれた炉内に設けられた複数のシリコン芯棒３１を通電加熱することにより、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒３１の表面に多結晶シリコンを生成する。」 「【図１】 ［図：0001437384000004.jpg］ 」 (７) 参考資料１の記載 参考資料１には、「多結晶シリコンロッドの製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【０００６】 本発明者らは、シーメンス法による高純度の多結晶シリコンロッド（以下、単にロッドということもある。）中の金属不純物の分布を注意深く調査した結果、Ｆｅ，Ｎｉなどの金属不純物は、シリコン種棒（以下、単に種棒ということもある。）表面から外方拡散し、ロッドの低温部分やロッドの欠陥部分に濃縮される傾向があることを突き止めた。この傾向は、反応炉を開放して行う種棒の組立作業中に反応炉内に金属不純物が持ち込まれることと、反応中の１０００℃を超えるロッド温度においては、Ｆｅ，Ｎｉなどの金属不純物は拡散速度が十分に速く、ロッド内全域に拡散し得ることに関係すると考えられる。更に、拡散速度が遅くなるロッドの低温部分は金属不純物が滞留して濃度が比較的高くなるとともに、ある種の欠陥は金属不純物のトラップとして働くものとして説明される。そこで、本発明者らは、「連結部材」又はロッドにあえて金属不純物のトラップを形成して金属不純物を捕集した後、このトラップ部をロッドから切り離すことを検討した。ここで、「連結部材」とは、二本のシリコン種棒が接続されるシリコン製部材をいう。」 (８) 参考資料２の記載 参考資料２には、次の記載がある。 「 ［図：0001437384000005.jpg］ 」 (９) 参考資料３の記載 参考資料３には、「多結晶シリコンチャンクおよびその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。 「【００８６】 本発明の両方法について、またこの２つの方法の記述された実施形態について、クラッシャーが確実に、クラス１００００以下のクリーンルーム内に設置されることが、好ましい。 【００８７】 このユニットは、クラス１００（ＵＳ ＦＥＤ ＳＴＤ（アメリカ連邦規格）２０９Ｅ；ＩＳＯ １４６４４－１に取って代わられたものによる。）もしくはより良好なクリーンルーム内に設置されることが好ましい。 【００８８】 クラス１００（ＩＳＯ ５）では、１リットル当り存在する直径０．５μｍを超える粒子が、３．５個以下でなければならない。」 (１０) 引用文献２の記載 引用文献２には、「Ｓｉ基板に対するＣｕおよびＮｉ拡散量の調査」（タイトル）に関して、次の記載がある。 「 ［図：0001437384000006.jpg］ Ｆｉｇ．１ Ｓｉに対する拡散係数と温度依存〔1〕」 ４ 当審の判断 事案に鑑み、取消理由１（新規性欠如）、申立理由１（進歩性欠如）、取消理由２（明確性要件違反）、申立理由２（実施可能要件違反）、申立理由３（サポート要件違反）の順に検討する。 なお、本件訂正により請求項１は削除され、本件特許１に対する特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなったため、ここでの検討の対象としない。 (１) 取消理由１（新規性欠如）、申立理由１（進歩性欠如）について ア 甲第１号証に記載された発明 (ア) 前記３(１)によれば、甲第１号証には、シリコン析出反応炉内に多結晶シリコン種棒を組立てた後、前記種棒を１０００℃以上シリコンの融点未満の温度に通電加熱し、前記通電加熱した温度で前記反応炉にトリクロロシランガスと水素ガスを主成分とする原料ガスを供給して前記種棒表面にシリコンを析出成長させる、シーメンス法による多結晶シリコンロッドの製造方法において、前記種棒を１０００℃以上シリコンの融点未満の温度に加熱した後、前記反応炉に四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスを、炉壁温度を３０℃以上に維持した状態で１０分間以上、供給して前記種棒の表面を前記反応炉内でエッチングし、続いて前記加熱温度で前記トリクロロシランガスと水素ガスを主成分とする原料ガスを供給する多結晶シリコンロッドの製造方法（[請求項3]）、及び、前記製造された多結晶シリコンロッドのバルク鉄（Ｆｅ）濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクニッケル（Ｎｉ）濃度が０．００７ｐｐｂｗ以下、バルククロム（Ｃｒ）濃度が０．００５ｐｐｂｗ以下であること（[請求項4]）が記載されている。 また、甲第１号証には、トリクロロシランをＴＣＳ、四塩化ケイ素をＳＴＣと示した（[0032]、[0036]）上で、前記多結晶シリコンロッドの製造方法の具体例である実施例１として、バルクのリン（Ｐ）濃度が０．０２０ｐｐｂａであるシリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングし、純水による洗浄で表面を清浄化し、反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立て、その後反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して約１１００℃に昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出し、その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（２５体積％ＳＴＣ）に切り替えて１０分間反応炉内に供給し、反応炉の炉壁温度を３０℃、炉内圧力を０．０６ＭＰａに維持し、その後、ＳＴＣガスと水素ガスの混合ガスをＴＣＳガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給し、種棒の表面上にシリコンが析出成長し直径約１１５ｍｍの多結晶シリコンロッドが得られたこと（[0046]）、得られた多結晶シリコンロッドから試料をそれぞれ切り出し、試料に含まれるバルクの鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）の各濃度をＩＣＰ－ＭＳを用いて測定したこと（[0051]）、及び、シリコンロッドのバルクＦｅ濃度が０．０１ｐｐｂｗ、バルクＮｉ濃度０．００７ｐｐｂｗ、バルクＣｒ濃度０．００５ｐｐｂｗであること（[0052][表1]）が記載されている。 (イ) 前記(ア)の記載事項を実施例１の「多結晶シリコンロッド」、及び「多結晶シリコンロッドの製造方法」に注目して整理すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「多結晶シリコンロッド」に係る発明を「甲１発明１」といい、「多結晶シリコンロッドの製造方法」に係る発明を「甲１発明２」という。）が記載されているといえる。 ＜甲１発明１＞ 「バルクのリン濃度が０．０２０ｐｐｂａであるシリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングし、純水による洗浄で表面を清浄化し、反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立て、その後反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して約１１００℃に昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出し、その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（２５体積％四塩化ケイ素）に切り替えて１０分間反応炉内に供給し、反応炉の炉壁温度を３０℃、炉内圧力を０．０６ＭＰａに維持し、その後、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスをトリクロロシランガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給し、種棒の表面上にシリコンが析出成長して得られた、直径約１１５ｍｍの多結晶シリコンロッドであって、 得られた多結晶シリコンロッドから試料を切り出し、試料に含まれるバルクの鉄、ニッケル、及びクロムの各濃度をＩＣＰ－ＭＳを用いて測定したときに、バルク鉄濃度が０．０１ｐｐｂｗ、バルクニッケル濃度０．００７ｐｐｂｗ、バルククロム濃度０．００５ｐｐｂｗである、多結晶シリコンロッド。」 ＜甲１発明２＞ 「バルクのリン濃度が０．０２０ｐｐｂａであるシリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングし、純水による洗浄で表面を清浄化し、反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立て、その後反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して約１１００℃に昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出し、その後、水素ガスを、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガス（２５体積％四塩化ケイ素）に切り替えて１０分間反応炉内に供給し、反応炉の炉壁温度を３０℃、炉内圧力を０．０６ＭＰａに維持し、その後、四塩化ケイ素ガスと水素ガスの混合ガスをトリクロロシランガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給し、種棒の表面上にシリコンが析出成長して、直径約１１５ｍｍの多結晶シリコンロッドを得る、多結晶シリコンロッドの製造方法。」 イ 取消理由１（新規性欠如）について 取消理由１は、設定登録時の請求項１に係る発明、及び請求項１を引用する請求項３に係る発明についてされたところ、本件訂正によって、請求項１が削除され、さらに、請求項３の引用請求項から請求項１が削除されたため、取消理由１は理由がなくなった。 ウ 申立理由１（進歩性欠如）について (ア) 本件発明２について ａ 対比 甲１発明１の「シリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒」は、本件発明２の「シリコンの棒状体からなる芯線」に相当する。そして、この対応関係を踏まえると、甲１発明１の「種棒の表面上にシリコンが析出成長して得られた」、「多結晶シリコンロッド」は、本件発明２の「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッド」に相当する。 したがって、本件発明２と甲１発明１とは、「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッド」の点で一致して、以下の点で相違している。 （相違点１） 本件発明２は、「上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で２５ｐｐｔｗ以下であり、前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である」のに対して、甲１発明１は、「得られた多結晶シリコンロッドから試料を切り出し、試料に含まれるバルクの鉄、ニッケル、及びクロムの各濃度をＩＣＰ－ＭＳを用いて測定したときに、バルク鉄濃度が０．０１ｐｐｂｗ、バルクニッケル濃度０．００７ｐｐｂｗ」である点。 ｂ 判断 (ａ) 甲１発明１では、約１１００℃、約１２０時間で多結晶シリコンの析出成長を行っているところ、当該温度における鉄やニッケルの拡散係数は、前記３(１０)の「Ｓｉに対する拡散係数と温度依存」の関係図によれば、１０-5～１０-6程度であり、鉄やニッケルの拡散速度は十分に速いし、多結晶シリコンの析出成長を約１２０時間行っていることから、多結晶シリコンロッドにおける鉄やニッケルは、多結晶シリコンロッド全体に拡散しているといえる。 したがって、甲１発明１において、種棒と該種棒の表面に析出成長した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域（以下、「界面領域」という。）の鉄濃度やニッケル濃度は、バルク鉄濃度（０．０１ｐｐｂｗ）やバルクニッケル濃度（０．００７ｐｐｂｗ）と同程度であるといえ、界面領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度は０．０１７ｐｐｂｗ（１７ｐｐｔｗ）程度、鉄濃度は０．０１ｐｐｂｗ（１０ｐｐｔｗ）程度、ニッケル濃度は０．００７ｐｐｂｗ（７ｐｐｔｗ）程度であるといえる。 そうしてみると、甲１発明１は、本件発明２の「上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で２５ｐｐｔｗ以下であり、前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下」であることを満たしているといえるが、「ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である」ことを満たしているといえない。 また、甲第１号証には、「多結晶シリコンロッドのバルク鉄（Ｆｅ）濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクニッケル（Ｎｉ）濃度が０．００７ｐｐｂｗ以下、バルククロム（Ｃｒ）濃度が０．００５ｐｐｂｗ以下である」（前記３(１)の[請求項４]）、また、「上記シリコンロッドのバルクＦｅ濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクＮｉ濃度０．００７ｐｐｂｗ以下、バルクＣｒ濃度０．００５ｐｐｂｗ以下であり」（前記３(１)の[0055]）と記載されており、「バルクニッケル（Ｎｉ）濃度」が「０．００７ｐｐｂｗ以下」であることが示されている。 しかしながら、甲第１号証に記載された「バルクニッケル（Ｎｉ）濃度」の具体的な値は、実施例１～３の「０．００７ｐｐｂｗ」のみであり（前記３(１)の[0045]～[0055]、特に[0052][表1]参照）、甲第１号証には、０．００７ｐｐｂｗ未満の具体的な値が示されておらず、さらに、「バルクニッケル（Ｎｉ）濃度」を０．００７ｐｐｂｗ未満とするための具体的な方法も記載されていない。 そうしてみると、甲第１号証の「バルクニッケル（Ｎｉ）濃度が０．００７ｐｐｂｗ以下」との記載から、甲第１号証に「ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である」ことが実質的に記載されているということはできない。 したがって、相違点１は実質的なものである。 (ｂ) 次に、甲１発明１において、相違点１に係る本件発明１の構成とすることの容易想到性を検討すると、多結晶シリコンロッドの界面領域におけるニッケルの濃度を５ｐｐｔｗ以下とすることは、甲第１号証～甲第６号証、参考資料１～参考資料３、及び引用文献２のいずれにも記載されていないし、このことが周知技術であるともいえない。 したがって、甲１発明１において、界面領域における「ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下」とすること、すなわち、相違点１に係る本件発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることであるといえない。 以上のとおりであるから、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。 (イ) 本件発明３について 本件発明３は、本件発明２の発明特定事項をすべて含みさらに限定が付されたものであるから、前記(ア)の本件発明２についての検討と同様の理由により、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。 (ウ) 本件発明４について ａ 対比 本件発明４と甲１発明２の対応関係は次のとおりである。 (ａ) 甲１発明２の「多結晶シリコンロッドの製造方法」は、本件発明４の「多結晶シリコンロッドの製造方法」に相当する。 (ｂ) 甲１発明２の「シリコンロッドから断面形状が約８ｍｍ角にかつ長さ約２０００ｍｍに切り出した種棒」は、本件発明４の「シリコンの棒状体からなる芯線」に相当する。 (ｃ) 甲１発明２の「反応炉」、「反応炉の内底部」、「一対の電極」は、それぞれ、本件発明４の「反応器」、「底板」、「電極」に相当する。 (ｄ) 甲１発明２の「反応炉」は、「反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立て、その後反応炉内を不活性ガスにて置換し」ていることから、「内底部」を覆う部材を有していることは明らかであり、当該覆う部材は、本件発明４の「カバー」に相当する。 (ｅ) 甲１発明２の「トリクロロシランガスと水素ガスの原料ガス」、「種棒の表面上にシリコンが析出成長」することは、「多結晶シリコンロッド」を製造することを踏まえると、本件発明４の「多結晶シリコン析出用原料ガス」、「前記芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長させる」ことに相当する。 (ｆ) 前記(ｂ)～(ｅ)の対応関係を踏まえると、甲１発明２の「反応炉の内底部に配設された一対の電極に種棒をそれぞれ立設し、これらの種棒の上端部間を連結部材で繋いで鳥居型に組立て、その後反応炉内を不活性ガスにて置換し、種棒をヒーターで予熱した後に通電して約１１００℃に昇温した後、水素ガスを１０分間流し、不活性ガスを追い出し」、「反応炉の炉壁温度を３０℃、炉内圧力を０．０６ＭＰａに維持し」、「トリクロロシランガスと水素ガスの原料ガスに切り替えて約１２０時間反応炉内に供給し、種棒の表面上にシリコンが析出成長」することは、本件発明４の「シリコンの棒状体からなる芯線に通電するための電極を設けた底板と、該底板を覆う」「カバーとを有する反応器を使用し、前記電極に前記芯線を接続して通電しながら、前記反応器内に多結晶シリコン析出用原料ガスを供給し、前記芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長させる」ことに相当する。 以上の対応関係を踏まえると、本件発明４と甲１発明２とは、 「シリコンの棒状体からなる芯線に通電するための電極を設けた底板と、該底板を覆うカバーとを有する反応器を使用し、前記電極に前記芯線を接続して通電しながら、前記反応器内に多結晶シリコン析出用原料ガスを供給し、前記芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長させる多結晶シリコンロッドの製造方法」の点で一致し、以下の点で相違している。 （相違点２） 本件発明４の「カバー」は、「ドーム型」であるのに対して、甲１発明２は、その点が明らかでない点。 （相違点３） 本件発明４は、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」のに対して、甲１発明２は、その点が明らかでない点。 ｂ 判断 事案に鑑み、相違点３を検討する。 甲第１号証には、「組立て作業がクリーンブース内で行われた」こと（前記３(１)の[0002]）、甲第２号証には、「下端にキャスター１４を取りつけた」「外側間仕切用ブース６」（前記３(２)の【００５６】、【図４】）、甲第３号証には、「フレーム１の下部に車輪２を設け」た「低温クリーンブース」（前記３(３)の【００１６】、【図２】）、甲第４号証には、「多結晶シリコン棒の育成に用いる際のシリコン芯線の内部および表面の清浄度が極めて高いものである必要がある」ため、「シリコン芯線を洗浄後に１本毎に袋詰めし、該袋詰めの状態で前記シリコン芯線をハンドリング」すること（前記３(４)の【請求項１】、【００１０】）、甲第５号証には、「少なくとも１つの支持体上に多結晶シリコンを堆積させて少なくとも１つの多結晶シリコンロッドを得る」ときに、「個々の堆積はクラス１～１００，０００のクリーンルーム内の反応器中で行われ」ること（前記３(５)の【請求項１】）、及び甲第６号証には、「炉底を構成する基台１と、この基台１上に着脱可能に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ２とを備え」た「多結晶シリコン反応炉１００」（前記３(６)の【００１８】、【図１】）が記載されている。 しかしながら、甲第１号証～甲第６号証のいずれにも、多結晶シリコンロッドの製造方法において、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」ことは記載されていないし、このことは、参考資料１～参考資料３、及び引用文献２にも記載されておらず、また周知技術であるともいえない。 したがって、甲１発明２において、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置く」こと、すなわち、相違点３に係る本件発明４の構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることであるといえない。 以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明４は、甲第１号証～甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。 (エ) 本件発明５について 本件発明５は、本件発明４の発明特定事項をすべて含みさらに限定が付されたものであるから、前記(ウ)の本件発明４についての検討と同様の理由により、本件発明５は、甲第１号証～甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。 (オ) 前記(ア)～(エ)のとおりであるから、本件特許２～５は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。 エ 申立人の主張について 申立人は、令和８年２月１８日提出の意見書において、甲第１号証の[請求項４]に「多結晶シリコンロッドのバルク鉄（Ｆｅ）濃度が０．０４ｐｐｂｗ以下、バルクニッケル（Ｎｉ）濃度が０．００７ｐｐｂｗ以下、バルククロム（Ｃｒ）濃度が０．００５ｐｐｂｗ以下である」と記載されていることを論拠にして、本件発明２、３は、甲第１号証に記載された発明である旨を主張している（意見書の３（２）、（３）参照）。 しかしながら、前記ウ(ア)ｂ(ａ)で検討したとおり、甲第１号証には、多結晶シリコンロッドの界面領域でのニッケルの濃度が５ｐｐｔｗ以下であることが実質的に記載されているということはできないから、申立人の主張は採用できない。 オ 取消理由１（新規性欠如）、申立理由１（進歩性欠如）についての結論 以上のとおりであるから、取消理由１、及び申立理由１に理由はない。 (２) 取消理由２（明確性要件違反）について ア 明確性要件の判断手法 特許請求の範囲の記載が明確性要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載だけでなく、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、また、当業者の出願当時における技術常識を基礎として、特許請求の範囲の記載が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるか否かという観点から判断されるべきである。 以下、この観点に立って検討する。 イ 明確性要件に対す判断 (ア) まず、取消理由２で指摘した点を検討すると、本件訂正により、設定登録時の請求項４の「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、可動式のクリーンブースを用いて、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」との記載は、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」に訂正され、「芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間」の全てにおいて、「可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」を示していることが明確になった。 したがって、本件請求項４の前記記載が、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確であるといえない。 (イ) そして、本件請求項４、５のその余の記載をみても、第三者の利益が不当に害されるほどに不明確な記載は見当たらないから、本件請求項４、５の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定された要件に適合する。 ウ 申立人の主張について 申立人は、令和８年２月１８日提出の意見書において、本件発明４は、工程間のシリコン芯線の搬送時に「可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」が明確に特定していないため、不明確である旨を主張している（意見書の３（４）参照）。 しかしながら、本件請求項４には、「前記芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」と記載され、「芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間」の全て、すなわち、工程間のシリコン芯線の搬送時を含めた全てにおいて、「可動式のクリーンブースを用いて、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くこと」を示している。 したがって、申立人の前記主張は採用できない。 エ 取消理由２（明確性要件違反）についての結論 以上のとおりであるから、取消理由２に理由はない。 (３) 申立理由２（実施可能要件違反）について ア 実施可能要件の判断手法 物の発明について実施可能要件を充足するためには、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を製造し、使用することができる程度の記載があることを要する。 以下、この観点に立って検討する。 イ 実施可能要件に対する判断 (ア) 本件明細書の発明の詳細な説明（以下、「本件発明の詳細な説明」という。）には、実施例１として、「鉄が５ｐｐｔｗ、ニッケルが２ｐｐｔｗ、クロムが１ｐｐｔｗ、銅が１ｐｐｔｗ以下、亜鉛が１ｐｐｔｗ以下の多結晶シリコンロッドを、ブレードを用いて８ｍｍ□の細棒に切り出すことによりシリコン芯線を得」て、「上記シリコン芯線をフッ化水素酸と硝酸との混合溶液からなる洗浄液を収容した洗浄槽に浸漬し洗浄を行」い、「その後、ダウンフロー方式のクリーンブース内で水洗リンス、風乾による乾燥、及び、シリコン芯線の溶接を行い、コの字型のシリコン芯線を得」たこと（【００５１】）、「溶接後、運搬中の汚染を防ぐために、シリコン芯線は、前述シリコン洗浄工程内のクリーンブース内で密閉容器に詰めた上で、反応器への運搬を行った」こと（【００５２】）、「反応器においては、前記図４に示すクリーンブース(水平気流対向方式)を、底板２を囲むようにセットし、クリーンブース９内でシリコン芯線４を密閉容器より取り出し、高純度化処理した黒鉛電極１にセットした」こと（【００５３】）、「上記クリーンブース内がＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ６の清浄度に調整されていたこと」（【００５４】）、「クリーンブース上部より反応器のカバー３を降下させ、底板２に取り付け、その後、クリーンブース９を撤去した」こと（【００５５】）、「次いで、反応器内をガス置換した後、原料ガスであるトリクロロシラン及び水素を供給して９５０℃にてシリコンの析出を実施し、直径約１２０ｍｍの多結晶シリコンロッドを得た」こと（【００５６】）が記載されている。また、実施例２として、「実施例１において、クリーンブースを図４に示す移動式クリーンブース(水平気流対向方式)とし、クリーンブースを移動させながら各工程を実施した以外は同様にして、多結晶シリコンロッドを得た」こと（【００５９】）、「その間、クリーンブース内は、ＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ６の清浄度に調整されていたこと」（【００５９】）、「上記方法により得られた多結晶シリコンロッド」の「シリコン界面領域の重金属濃度を測定し」て、Ｆｅ濃度が１８ｐｐｔｗ、Ｃｒ濃度が１ｐｐｔｗ、Ｎｉ濃度が１ｐｐｔｗ、Ｃｕ濃度が１ｐｐｔｗ、Ｚｎ濃度が１ｐｐｔｗであったこと（【００６０】、【００６３】【表１】）が記載されている。 そして、実施例２で得られた「多結晶シリコンロッド」は、本件発明２、３の「多結晶シリコンロッド」といえるから、実施例２には、本件発明２、３の「多結晶シリコンロッド」を製造するための具体例が記載されているといえる。 (イ) また、本件発明の詳細な説明には、「上記シリコン芯線が重金属を含む外気と接触すると、それがたとえ極めて短い時間の接触であっても、上記シリコン芯線表面はすぐに汚染されるという知見を得た」こと（【０００４】）、「シリコン芯線の表面を清浄化してから、上記シリコン芯線を電極に接続し、上記シリコン芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、上記シリコン芯線近傍の雰囲気を特定の条件に調整し、それを維持することにより、シリコン芯線の汚染に起因する重金属濃度が十分に低減され、清浄度の高い多結晶シリコンロッドを得ることに成功し」たこと（【０００８】）、「代表的な製造方法を例示すれば、シリコン芯線に通電するための電極を設けた底板と、該底板を覆うドーム型のカバーとを有する反応器を使用し、前記電極に前記芯線を接続して通電しながら、前記反応器内に多結晶シリコン析出用原料ガスを供給し、前記芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長させる方法であって、前記シリコン芯線の表面を清浄化してから、該シリコン芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くことを特徴とする方法が挙げられる」こと（【００２６】）、「シリコン芯線内部の金属濃度は、シリコン芯線表面の重金属濃度に影響を及ぼし、さらには得られる多結晶シリコンロッド全体としての純度にも影響するため、低いほど好ましい。具体的には、鉄濃度が２０ｐｐｔｗ以下、好ましくは１０ｐｐｔｗ以下、更に好ましくは、５ｐｐｔｗ以下であり、ニッケル濃度が１０ｐｐｔｗ以下、好ましくは２ｐｐｔｗ以下であり、また、クロム濃度が１０ｐｐｔｗ以下、好ましくは５ｐｐｔｗ以下、銅濃度は５ｐｐｔｗ以下、亜鉛濃度は、５ｐｐｔｗ以下であることが更に好ましい」こと（【００２７】）、「本発明の製造方法における最大の特徴は、前記シリコン芯線の表面を清浄化してから、該芯線を電極に接続し、該芯線の上部より前記カバーで底板を覆うまでの間、前記シリコン芯線をＩＳＯ１４６４４－１により定義されるＣｌａｓｓ４～６の清浄度に調整された雰囲気下に置くことである。こうすることによって、シリコン芯線表面の重金属濃度を清浄化処理直後の低い状態で維持したまま、そのシリコン芯線表面に多結晶シリコンを析出させることができ、得られる多結晶シリコンロッドの純度をより向上させることができる」こと（【００３０】）、及び「清浄度をＣｌａｓｓ４～６とした意味は、清浄度が不十分であると、シリコン芯線４の表面が汚染され、得られる多結晶シリコンロッドのバルク汚染を十分に低減できず、一方、清浄度が高すぎると、高い清浄度を達成するためのコストが膨大になるためである」こと（【００３１】）が記載されている。 (ウ) 以上によれば、前記(ア)の実施例２の「多結晶シリコンロッド」の製造方法を参考にしつつ、前記(イ)のシリコン芯線近傍の雰囲気の清浄度に関する記載や、シリコン芯線の金属濃度に関する記載を参酌することで、当業者において、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明２、３の「多結晶シリコンロッド」を製造できるといえる。 (エ) また、本件発明の詳細な説明には、背景技術として、「半導体あるいは太陽光発電用ウェハーの原料として使用する多結晶シリコンは、通常、ジーメンス法を用いて製造される」こと（【０００２】）が記載されていることからして、当業者において、本件発明２、３の「多結晶シリコンロッド」が「半導体あるいは太陽光発電用ウェハーの原料」として使用できることも理解できる。 (オ) したがって、前記アの判断手法を本件に当てはめると、本件発明の詳細な説明の記載は、本件発明２、３について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているといえるから、特許法第３６条第４項第１号に規定された要件に適合する。 ウ 申立人の主張について 前記１(２)における申立人の主張は、要するに、特定金属濃度のシリコン芯線を用いた実施例のみに基づいて、実施例以外のシリコン芯線を含む本件発明２、３の多結晶シリコンロッドを当業者が容易に実施できない、ということである。 しかしながら、前記イで検討したとおり、本件発明の詳細な説明の記載に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、実施例以外のシリコン芯線を含む本件発明２、３の多結晶シリコンロッドを当業者が実施できるといえるから、申立人の上記主張は採用できない。 エ 申立理由２（実施可能要件違反）についての結論 以上のとおりであるから、申立理由２に理由はない。 (４) 申立理由３（サポート要件違反）について ア サポート要件の判断手法 特許請求の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を対比し、特許請求の範囲で特定された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。 以下、この観点に立って検討する。 イ 本件発明の課題について 本件発明の詳細な説明の記載からして、本件発明の課題は、シリコン芯線表面に多結晶シリコンを気相成長させて得る多結晶シリコンロッドであって、上記多結晶シリコン内部の重金属濃度が十分に低減された多結晶シリコンロッド及びその製造方法を提供することであるといえる（【０００７】）。 ウ 本件発明の詳細な説明に記載された課題を解決するための手段について (ア) 本件発明の詳細な説明には、「本発明の多結晶シリコンロッドは、図２（ａ）の概略図に示すように、ジーメンス法で製造した長尺の多結晶シリコンロッドであって、図２（ｂ）に示されるＸ－Ｘ’断面のように、シリコン芯線４を中心に多結晶シリコン５が析出してなるものである」こと（【００１４】）、「上記多結晶シリコンロッドにおいて、シリコン芯線４と該シリコン芯線の表面に析出した多結晶シリコン５とが互いに接している境界面であるシリコン界面６が存在する。すなわち、シリコン界面６を挟んで、シリコン芯線４と多結晶シリコン５とが接触している。本発明では、シリコン界面６を挟んで全厚４ｍｍの領域を、シリコン界面領域と呼ぶ」こと（【００１６】）、「本発明の多結晶シリコンロッドにおける最大の特徴は、上記シリコン界面領域における鉄及びニッケル総金属濃度が元素換算で４０ｐｐｔｗ以下、特に、３０ｐｐｔｗ以下、更には、１５ｐｐｔｗ以下であることが好ましい。また、各元素別には、鉄濃度が２０ｐｐｔｗ以下、特に、１０ｐｐｔｗ以下、ニッケル濃度が１０ｐｐｔｗ以下、特に５ｐｐｔｗ以下であることが好ましい」こと（【００１７】）、「上記鉄、ニッケルは、外気との接触時によるシリコン芯線の汚染物質として代表的なものであり、また、シリコンの析出温度において拡散し易い重金属であることからシリコンロッド全体にわたって汚染を拡大する虞のある重金属であり、本発明においては、これらの金属濃度により、シリコン芯線に起因する多結晶シリコンロッドの清浄度を特定するものである」こと（【００１８】）、「シリコン芯線界面から２ｍｍの領域（全厚４ｍｍ）における重金属濃度を測定すれば、多結晶シリコンロッドのバルク汚染（重金属汚染）に対するシリコン芯線表面の重金属汚染の影響を的確に評価できること」（【００２０】）、及び「本発明の多結晶シリコンロッドは、前記シリコン界面領域における重金属による汚染量が極めて低く抑えられたものであり、かかるシリコン界面領域における鉄及びニッケルの濃度を元素換算で４０ｐｐｔｗ以下という驚異的なレベルにまで低減したものである。そして、これにより、従来の多結晶シリコンロッドに比べて、ロッド全体としての純度をも高くすることが可能となり、より高品質なシリコン結晶が求められる用途への使用に対して有用である」こと（【００１２】）が記載されている。 (イ) 前記(ア)の記載によれば、当業者において、シリコン芯線４を中心に多結晶シリコン５が析出してなる多結晶シリコンロッドであって、シリコン芯線４と該シリコン芯線の表面に析出した多結晶シリコン５とが互いに接しているシリコン界面６を挟んで全厚４ｍｍのシリコン界面領域における鉄及びニッケル総金属濃度が元素換算で４０ｐｐｔｗ以下、鉄濃度が２０ｐｐｔｗ以下、ニッケル濃度が１０ｐｐｔｗ以下である多結晶シリコンロッドが、従来の多結晶シリコンロッドに比べて、ロッド全体としての純度も高く、より高品質なシリコン結晶が求められる用途に使用できることを理解でき、本件発明の課題を解決できると認識できる。 エ 本件特許請求の範囲の記載と本件発明の詳細な説明の記載との対比 本件発明２は、前記第３のとおり、「シリコンの棒状体からなる芯線を有する多結晶シリコンロッドであって、上記芯線と該芯線の表面に析出した多結晶シリコンとの界面から２ｍｍの領域における、鉄及びニッケルの総金属濃度が元素換算で２５ｐｐｔｗ以下であり、前記領域における鉄の濃度が元素換算で２０ｐｐｔｗ以下、ニッケルの濃度が元素換算で５ｐｐｔｗ以下である多結晶シリコンロッド」であるところ、本件発明２の「多結晶シリコンロッド」は、前記ウ(イ)で検討した多結晶シリコンロッドから、鉄及びニッケル総金属濃度やニッケル濃度をさらに減少させ、純度を高めたものである。 そうしてみると、本件発明２は、前記ウ(イ)で検討した多結晶シリコンロッドと同様に、当業者において、本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものといえる。 請求項２の記載を引用する本件発明３についても同様である。 したがって、前記アの判断手法を本件に当てはめると、特許請求の範囲の請求項２、３の記載の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定された要件に適合する。 オ 申立人の主張について 前記１(３)における申立人の主張は、要するに、実施例１に記載された特定金属濃度のシリコン芯線を用いた方法を、本件発明２、３のあらゆる種類のシリコン芯線を用いた多結晶シリコンロッドの製造方法に拡張又は一般化することはできない、ということである。 しかしながら、本件発明２、３は、「多結晶シリコンロッド」の発明であって、製造方法の発明でないから、申立人の上記主張は採用できない。 カ 申立理由３（サポート要件違反）についての結論 以上のとおりであるから、申立理由３に理由はない。 第４ むすび 以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された申立ての理由によっては、本件特許２～５を取り消すことはできない。 また、他に本件特許２～５を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、請求項１は、前記第２のとおり、本件訂正により削除された。これにより、本件特許１に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。