2021-015640

第２ 本願発明

本願の請求項１～１７に係る発明は、令和３年１１月１５日提出の手続補正書により補正された請求項１～１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。

＜本願発明＞

「ディスプレイを製造する方法であって、

前記ディスプレイの基板の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層上に非導電性アンダーフィルを堆積すること、

前記非導電性アンダーフィル上に第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）を配置すること、

前記非導電性アンダーフィルを第１の温度で加熱して前記第１の発光ダイオードを前記薄膜トランジスタ層に付着すること、及び

前記非導電性アンダーフィルを第２の温度で加熱して前記第１の発光ダイオードのコンタクトを前記薄膜トランジスタ層に結合すること、

を備え、

前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高い、方法。」

第３ 原査定の拒絶の理由

原査定の拒絶の理由の概要は、次のとおりである。

１ この出願の請求項１に係る発明は、原出願の最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。

２ この出願の請求項１に係る発明は、原出願の最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の文献に記載された発明に基いて、原出願の最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

１ 国際公開第２０１４／２０４６９５号

第４ 引用文献の記載及び引用発明

１ 引用文献１

（１）引用文献１に記載された事項

国際公開第２０１４／２０４６９５号（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。以下同じ。また、日本語訳は、引用文献１の公表特許公報である「特表２０１６－５２２５８５号公報」を参酌した。）

ア 「[0043] Referring now to FIGS. 1A-1D schematic top and side-view illustrations are provided of an active matrix display panel 100 in accordance with embodiments of the invention. In such embodiments, the underlying TFT substrate 102 can be similar to those in a typical AMOLED backplane including working circuitry (e.g. Tl, T2). …（後略）….」

（日本語訳：ここで図１Ａ～図１Ｄを参照すると、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００の概略上面図及び概略側面図が提供される。このような実施形態においては、下地ＴＦＴ基板１０２は作動回路（例えばＴ１、Ｔ２）を含む典型的なＡＭＯＬＥＤバックプレーンのものと類似し得る。…（後略）…。）

イ 「[0057] Still referring to FIG. 2C, a close-up illustration is provided of an exemplary micro LED device 400. In the particular embodiment illustrated, the micro LED devices 400 include a micro p-n diode between a bottom contact 404 and top contact 402.…（後略）….」

（日本語訳：引き続き図２Ｃを参照すると、例示的なマイクロＬＥＤデバイス４００の拡大図が提供される。示される特定の実施形態では、マイクロＬＥＤデバイス４００は下部コンタクト４０４と上部コンタクト４０２との間にマイクロｐ－ｎダイオードを含む。…（後略）…。）

ウ 「[0059] Referring now to FIG. 2E the TFT substrate 102 is contacted with the array of micro LED devices 400. In the embodiment illustrated, contacting the TFT substrate 102 with the array of micro LED devices 400 includes contacting bonding layer 140 with a micro LED device bonding layer 410 for each respective micro LED device. …（後略）….」

（日本語訳：ここで図２Ｅを参照すると、ＴＦＴ基板１０２はマイクロＬＥＤデバイス４００のアレイと接触している。例示の実施形態において、ＴＦＴ基板１０２がマイクロＬＥＤデバイス４００のアレイと接触することは、接合層１４０が対応する各マイクロＬＥＤデバイスに対してマイクロＬＥＤデバイス接合層４１０と接触することを含む。…（後略）…。）

エ 「[0068] Referring now to FIGS. 5A-5C, different sequences are illustrated for transferring the micro LED devices to the reflective bank structures and forming the passivation layer over the reflective bank structures and around the micro LED devices. FIG. 5 A illustrates an embodiment in which the micro LED devices 400 are transferred to the reflective bank structures prior to forming the passivation layer. FIG. 5B illustrates an embodiment in which the passivation layer 210 is formed over the bank layer and reflective bank structures prior to transferring the micro LED devices. FIG. 5C illustrates a configuration that can be formed by either forming the passivation layer prior to transferring the micro LED devices, or by punching the micro LED devices through the passivation layer. As illustrated, the passivation layer 210 may be formed over the bank layer 126 and around the sidewalls of the micro LED devices 400 within the array of reflective bank structures 142. In an embodiment, where the micro LED devices 400 are vertical LED devices, the passivation layer 210 covers and spans the quantum well structure 416. The passivation layer 210 may also cover any portions of the reflective bank structure 142 in order to prevent possible shorting. …（中略）…. In some embodiments, a plasma etching process, e.g. O2, Ar, or CF4 plasma etch, can be used after forming the passivation layer 210 to etch back the passivation layer 210, ensuring the top surface of the micro LED devices 400, such as top conductive contacts 402, and the tie line 144 of the dam structure 147 are exposed to enable the top conductive electrode layers 318 to make electrical contact with the micro LED devices 400 and tie line 144, as described with regard to FIG. 9.…（後略）….」

（日本語訳：ここで図５Ａ～図５Ｃを参照すると、マイクロＬＥＤデバイスを反射バンク構造に転写するため、及び反射バンク構造上及びマイクロＬＥＤデバイス周囲にパッシベーション層を形成するための異なるシーケンスが示される。図５Ａは、マイクロＬＥＤデバイス４００がパッシベーション層を形成する前に反射バンク構造に転写される実施形態を示す。図５Ｂは、パッシベーション層２１０がマイクロＬＥＤデバイスを転写する前にバンク層及び反射バンク構造上に形成される実施形態を示す。図５Ｃは、パッシベーション層を、マイクロＬＥＤデバイスを転写する前に形成する、又はパッシベーション層を通してマイクロＬＥＤデバイスをパンチスルーする、のいずれかによって形成され得る構成を示す。示されるように、パッシベーション層２１０はバンク層１２６上及び反射バンク構造１４２のアレイ内のマイクロＬＥＤデバイス４００の側壁周囲に形成されてもよい。一実施形態においては、マイクロＬＥＤデバイス４００が垂直ＬＥＤデバイスである場合、パッシベーション層２１０は量子井戸構造４１６を被覆しかつ量子井戸構造４１６に広がる。パッシベーション層２１０は、また、起こり得る短絡を防止するために反射バンク構造１４２の任意の部分を被覆してもよい。…（中略）…。いくつかの実施形態では、図９に関して記載されるように、パッシベーション層２１０の形成後、パッシベーション層２１０をエッチバックし、上部導電性コンタクト４０２などのマイクロＬＥＤデバイス４００の頂面及びダム構造１４７のタイライン１４４を確実に露出させて、上部導電性電極層３１８がマイクロＬＥＤデバイス４００及びタイライン１４４と電気接触することを可能にするためにプラズマエッチングプロセス、例えばＯ２、Ａｒ又はＣＦ4プラズマエッチングが使用され得る。

…（後略）…。）

オ 「[0069] It is to be appreciated that the embodiments illustrated in FIGS. 5A-5C illustrate embodiments including a pair of micro LED devices 400 bonded within the reflective bank structure of FIG. IB, which includes a dam structure 147 including dam layer 127 and tie line 144. …（後略）….」

（日本語訳：図５Ａ～図５Ｃに示される実施形態はダム層１２７及びタイライン１４４を含むダム構造１４７を含む図１Ｂの反射バンク構造内に接合された一対のマイクロＬＥＤデバイス４００を含む実施形態を示すことは理解されよう。…（後略）…。）

カ 「[0071] As previously described, the structures illustrated in FIGS. 5A-5C can be formed in different sequences. In one embodiment, the passivation layer is applied and leveled after transferring the micro LED devices. In another embodiment, the passivation layer is applied and leveled prior to transferring the micro LED devices. Punch-through may be accomplished by physically driving the micro LED device 400 through the passivation layer 210 with the transfer head 302 until contacting the reflective bank structure 142 or optional bonding layer 140 on the receiving substrate 102. As illustrated, the micro LED device 400 may be punched-through the passivation layer 210 so that passivation layer 210 laterally surrounds the quantum well layer 416. The passivation layer 210 may also be thinner than the height of the micro LED device 400 so that electrical contact can be made with the top contact 402 of the micro LED device 400.」

（日本語訳：前述のように、図５Ａ～図５Ｃに示される構造は様々なシーケンスで形成され得る。一実施形態においては、パッシベーション層はマイクロＬＥＤデバイスを転写後に塗布及びレベリングされる。別の実施形態においては、パッシベーション層はマイクロＬＥＤデバイスを転写する前に塗布及びレベリングされる。パンチスルー（punch-through）は、パッシベーション層２１０を通して転写先基板１０２上の反射バンク構造１４２又は任意選択の接合層１４０上に接触するまで、マイクロＬＥＤデバイス４００を転写ヘッド３０２で物理的に移動させることにより実施してもよい。示されるように、マイクロＬＥＤデバイス４００は、パッシベーション層２１０が量子井戸層４１６の側方を取り囲むようにパッシベーション層２１０を通してパンチスルーしてもよい。パッシベーション層２１０は、また、マイクロＬＥＤデバイス４００の上部コンタクト４０２との電気接触が設けられ得るようにマイクロＬＥＤデバイス４００の高さよりも薄くてもよい。）

キ 「[0072] Punch-through may also be aided by the application of heat through the transfer head 302 or receiving substrate 100. In an embodiment where the passivation layer 210 is a UV curable, atmospheric e-beam curable, or thermally curable B-staged thermoset, the application of heat can melt or soften the B-staged thermoset passivation layer 210 to aid in the punch-through. Thus, the amount of applied pressure, heat, and amount of cross-linking in the B-staged thermoset can be controlled to achieve punch-though. Application of UV energy or atmospheric e-beam after punch-through can then be used to cure the thermoset passivation layer 210 where the thermoset passivation layer 210 is UV curable or atmospheric e-beam curable. In an embodiment where the passivation layer 210 is a thermally curable B-staged thermoset, continued application of heat after punch-through can then be used to cure the thermoset passivation layer 210. In an embodiment, where the passivation layer 210 is a thermoplastic material the thermoplastic passivation layer 210 is heated above the Tg, and more specifically, above the Tg and below the Tm of the thermoplastic material during punch-through. Thus, the amount of pressure and heat applied to the thermoplastic material can be controlled to achieve punch-though.」

（日本語訳：パンチスルーは、また、転写ヘッド３０２又は転写先基板１００を通じた熱の印加によって補助されてもよい。一実施形態では、パッシベーション層２１０がＵＶ硬化性、大気電子ビーム硬化性又は熱硬化性のＢステージ熱硬化性樹脂である場合、熱の印加によりＢステージ熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を溶解又は軟化し、パンチスルーを補助することができる。したがって、パンチスルーの実現のため、印加される圧力、熱の量及びＢステージ熱硬化性樹脂の架橋の量を制御することができる。熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０がＵＶ硬化性又は大気電子ビーム硬化性である場合、熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を硬化するためにパンチスルー後のＵＶエネルギー又は大気電子ビームの印加が使用され得る。パッシベーション層２１０が熱硬化性のＢステージ熱硬化性樹脂である実施形態では、熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を硬化させるためにパンチスルー後の熱の継続的な印加が使用され得る。パッシベーション層２１０が熱可塑性材料である実施形態においては、パンチスルー中に熱可塑性パッシベーション層２１０がＴｇを超えて、より具体的には、熱可塑性材料のＴｇ超及びＴｍ未満まで加熱される。したがって、パンチスルーを実施するために熱可塑性材料に印加される圧力及び熱の量が制御され得る。）

ク 「[0074] In an embodiment, the punch-through and release of the micro devices on the receiving substrate is performed in ten seconds or less, or more particularly one second or less. Where heat is applied, it is possible to rapidly reflow either of the optional bonding layer(s) 410, 140 to assist in bonding and to soften or initially melt the passivation layer 210, which can be a thermal, atmospheric e-beam, or UV curable B-staged thermoset, or a thermoplastic. Following the release of the array of micro devices from the array of transfer heads, the passivation layer 210 is hardened to secure the array of micro devices within the reflective bank structures. Where the passivation layer 210 is a thermoplastic, hardening is effected by allowing the thermoplastic material to cool. Where the passivation layer 210 is a B-staged thermoset, the passivation layer can be final cured through the application of UV energy, atmospheric e-beam, or heat for an order of minutes or hours to effect curing. In an embodiment, heat can be applied from below the receiving substrate 102 with heater and/or heat distribution plate. Heat can also be applied from above the receiving substrate 102. UV energy can also be applied from above or below the receiving substrate. In an embodiment, the receiving substrate is transferred to a curing chamber to effect curing following the release of the array of micro LED devices.」

（日本語訳：一実施形態においては、転写先基板上におけるマイクロデバイスのパンチスルー及びリリースは１０秒以下、又は特に１秒以下で実施される。熱が印加される場合、接合を補助するための任意選択の接合層（単数又は複数）４１０、１４０のいずれかを急速にリフローすることが可能であり、かつ熱、大気電子ビーム若しくはＵＶ硬化性Ｂステージ熱硬化性樹脂又は熱可塑性とされ得るパッシベーション層２１０を軟化させる又は初期融解することが可能である。転写ヘッドのアレイからマイクロデバイスのアレイをリリース後、パッシベーション層２１０は、マイクロデバイスのアレイを反射バンク構造内に固定するために硬化される。パッシベーション層２１０が熱可塑性である場合、硬化は熱可塑性材料を冷却させることによって実施される。パッシベーション層２１０がＢステージ熱硬化性樹脂である場合、パッシベーション層は硬化を実施するため分又は時間のオーダーの間ＵＶエネルギー、大気電子ビーム又は熱の印加により最終硬化され得る。一実施形態においては、熱は転写先基板１０２の下からヒータ及び／又は熱分配プレートによって印加され得る。熱は、また、転写先基板１０２の上から印加され得る。ＵＶエネルギーは、また、転写先基板の上又は下から印加され得る。一実施形態においては、転写先基板は、マイクロＬＥＤデバイスのアレイのリリース後、硬化を実施するために硬化チャンバに移送される。）

「図１Ａ

［図：0001395789000001.jpg］

」

「図２Ｂ、Ｃ

［図：0001395789000002.jpg］

」

「図５（Ｂ）

［図：0001395789000003.jpg］

」

「図５Ｃ

［図：0001395789000004.jpg］

」

「図９

［図：0001395789000005.jpg］

」

（２）上記（１）より、以下の技術的事項が認められる。

ア 上記（１）ア及びウより、図５Ｃは図１Ａの概略側面図であり、図５Ｃの構成を形成するシーケンスは、図１Ａのアクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００を形成する方法のシーケンスといえること。

イ 図１Ａ及び図５Ｃより、ＴＦＴ基板１０２上に、反射バンク構造１４２、接合層１４０、パッシベーション層２１０及びマイクロＬＥＤデバイス４００を備えるアクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００があること。

ウ 図２Ｃを参酌しつつ、図９より、上部電極層３１８は、パッシベーション層２１０上に形成され、上部コンタクト４０２と電気的に接続されること。

（３）引用発明

上記（１）及び（２）より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。なお、参考までに、引用発明の認定に用いた引用文献１の記載等に係る摘記箇所等を括弧内に付してある。

＜引用発明＞

「アクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００の形成方法であって、（上記（２）ア）

アクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００は、ＴＦＴ基板１０２上に、反射バンク構造１４２、接合層１４０、パッシベーション層２１０及びマイクロＬＥＤデバイス４００を備え、（上記（２）イ）

マイクロＬＥＤデバイス４００は、下部コンタクト４０４と上部コンタクト４０２とを有する垂直ＬＥＤデバイスであり、（上記（１）イ及びエ・図２Ｃ）

上部電極層３１８は、パッシベーション層２１０上に形成され、上部コンタクト４０２と電気的に接続され、（上記（２）ウ）

続きを表示（全15行）

ＴＦＴ基板１０２がマイクロＬＥＤデバイス４００のアレイと接触することは、接合層１４０が対応する各マイクロＬＥＤデバイスに対してマイクロＬＥＤデバイス接合層４１０と接触することを含み、（上記（１）ウ）

パッシベーション層２１０は、起こり得る短絡を防止するために反射バンク構造１４２の任意の部分を被覆し、（上記（１）エ）

マイクロＬＥＤデバイスを反射バンク構造に転写するため、及び反射バンク構造上及びマイクロＬＥＤデバイス周囲にパッシベーション層を形成するためのシーケンスにおいて、（上記（１）エ）

パッシベーション層を、マイクロＬＥＤデバイスを転写する前に形成し、（上記（１）エ）

パッシベーション層を通してマイクロＬＥＤデバイスをパンチスルーし、（上記（１）エ）

パンチスルーは、パッシベーション層２１０を通して転写先基板１０２上の任意選択の接合層１４０上に接触するまで、マイクロＬＥＤデバイス４００を転写ヘッド３０２で物理的に移動させることにより実施し、（上記（１）オ）

パンチスルーは、転写ヘッド３０２又は転写先基板１００を通じた熱の印加によって補助され、（上記（１）カ）

パッシベーション層２１０が熱硬化性のＢステージ熱硬化性樹脂であり、熱の印加によりＢステージ熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を溶解又は軟化し、パンチスルーを補助し、（上記（１）キ）

熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を硬化させるためにパンチスルー後の熱の継続的な印加が使用され、（上記（１）キ）

パッシベーション層２１０は、マイクロデバイスのアレイを反射バンク構造内に固定するために、熱の印加により最終硬化され得る、（上記（１）ク）

アクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００の形成方法。」

第５ 対比・判断

１（１）対比

ア 本願発明の「ディスプレイを製造する方法であって、」との特定事項について

引用発明は、「アクティブマトリクス型ディスプレイパネル１００の形成方法」であるから、上記特定事項を備える。

イ 本願発明の「前記ディスプレイの基板の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層上に非導電性アンダーフィルを堆積すること、」との特定事項について

引用発明の「ＴＦＴ基板１０２」は、本願発明の「ディスプレイの基板」に相当し、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層」を含むものといえる。

また、引用発明の「パッシベーション層」は、「熱硬化性樹脂」であって、「ＴＦＴ基板１０２上に」、「反射バンク構造上及びマイクロＬＥＤデバイス周囲」に形成され、「起こり得る短絡を防止する」機能を有するものであるから「非導電性」と理解でき、「ＴＦＴ基板１０２」上の「反射バンク構造上及びマイクロＬＥＤデバイス周囲」に形成されるものであり、「アンダーフィル」とは、一般に樹脂により形成されるものである。

そうすると、引用発明の「パッシベーション層」と本願発明の「アンダーフィル」とは、同様の構成を備える層と認められる。

よって、引用発明は、上記特定事項と「前記ディスプレイの基板の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層上に非導電性樹脂を堆積すること、」の点で一致する。

ウ 本願発明の「前記非導電性アンダーフィル上に第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）を配置すること、」との特定事項について

引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」は、上記特定事項の「第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）」に相当する。

よって、引用発明は、上記特定事項と「第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）を配置すること、」の点で一致する。

エ 本願発明の「前記非導電性アンダーフィルを第１の温度で加熱して前記第１の発光ダイオードを前記薄膜トランジスタ層に付着すること、」との特定事項について

引用発明は、「パッシベーション層を通してマイクロＬＥＤデバイスをパンチスルー」しており、当該「パンチスルー」により、「マイクロＬＥＤデバイス４００」は、「転写先基板１０２上の任意選択の接合層１４０上に接触するまで」、「物理的に移動させ」られている。また、当該「パッシベーション層」は、「Ｂステージ熱硬化性樹脂」であるところ、引用発明では、「熱の印加によりＢステージ熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を溶解又は軟化」して、「パンチスルーを補助し」ている。また、引用発明の「ＴＦＴ基板１０２がマイクロＬＥＤデバイス４００のアレイと接触することは、接合層１４０が対応する各マイクロＬＥＤデバイスに対してマイクロＬＥＤデバイス接合層４１０と接触することを含み」との特定を踏まえると、引用発明は、上記特定事項の「前記第１の発光ダイオードを前記薄膜トランジスタ層に付着すること」との特定を備えている。そして、引用発明における「Ｂステージ熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を溶解又は軟化」する「熱の印加」は、上記特定事項の「第１の温度で加熱」に相当するといえる。

よって、引用発明は、上記特定事項と「前記非導電性樹脂を第１の温度で加熱して前記第１の発光ダイオードを前記薄膜トランジスタ層に付着すること、」の点で一致する。

オ 本願発明の「前記非導電性アンダーフィルを第２の温度で加熱して前記第１の発光ダイオードのコンタクトを前記薄膜トランジスタ層に結合すること、」との特定事項について

引用発明では、「熱硬化性樹脂パッシベーション層２１０を硬化させるためにパンチスルー後の熱の継続的な印加が使用され」ており、当該「熱の継続的な印加」により、「パッシベーション層２１０」は、「マイクロデバイスのアレイを反射バンク構造内に固定するために」、「最終硬化」されている。また、引用発明の「ＴＦＴ基板１０２がマイクロＬＥＤデバイス４００のアレイと接触することは、接合層１４０が対応する各マイクロＬＥＤデバイスに対してマイクロＬＥＤデバイス接合層４１０と接触することを含み」、「パッシベーション層２１０は、マイクロデバイスのアレイを反射バンク構造内に固定するために、熱の印加により最終硬化され得る」との特定を踏まえると、引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス接合層４１０」は、本願発明の「第１の発光ダイオードのコンタクト」に相当し、引用発明は、上記特定事項の「第１の発光ダイオードのコンタクトを前記薄膜トランジスタ層に結合すること」を備えるといえる。

そうすると、引用発明は、上記特定事項と「前記非導電性樹脂を所定温度で加熱して前記第１の発光ダイオードのコンタクトを前記薄膜トランジスタ層に結合すること、」の点で一致する。

カ 本願発明の「前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高い、」との特定事項について

引用発明には、上記特定事項について、特定はない。

キ 以上より、本願発明と引用発明とは、以下の構成において一致し、以下の点で相違する。

＜一致点＞

「ディスプレイを製造する方法であって、

前記ディスプレイの基板の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）層上に非導電性樹脂を堆積すること、

前記非導電性樹脂を第１の温度で加熱して第１の発光ダイオードを前記薄膜トランジスタ層に付着すること、及び

前記非導電性樹脂を所定温度で加熱して前記第１の発光ダイオードのコンタクトを前記薄膜トランジスタ層に結合すること、

を備える、方法。」

＜相違点１＞

「非導電性樹脂」について、本願発明では、「アンダーフィル」であるのに対し、引用発明では、「パッシベーション層」である点。

＜相違点２＞

本願発明は、「前記非導電性アンダーフィル上に第１の発光ダイオード（ＬＥＤ）を配置する」と特定されるのに対し、引用発明は、そのように特定されていない点。

＜相違点３＞

「所定温度」について、本願発明は、「前記第２の温度は、前記第１の温度よりも高い」と特定されるのに対し、引用発明は、「熱の継続的な印加」であり、そのように特定されていない点。

（２）判断

ア 相違点１及び２について

（ア）引用発明の「パッシベーション層」を「アンダーフィル」で置き換えることができるとすれば、相違点１は、当業者が容易になし得たこといえるから、そのようにいえるかについて、以下に検討する。

（イ）本願発明の「アンダーフィル」は、本願の【００７７】に「抜き取りおよび配置のサイクルならびに相互接続の品質も支援する」、「良好な品質の信頼性のある結合インターフェースを確保する」、「事前に貼付されるアンダーフィルは、配置中に中間層およびμＬＥＤダイ、あるいは中間層またはμＬＥＤダイのコンタクトからＰＵＴを解放することを支援し得る」と記載のとおり、チップ（パッケージ）と配線基板との隙間に浸透（充填）して硬化され、接続信頼性を保持すると供に、電気特性（絶縁性等）を有する周知な樹脂部材であると理解できる。

（ウ）他方、引用発明の「パッシベーション層」は、「マイクロＬＥＤデバイス４００は、下部コンタクト４０４と上部コンタクト４０２とを有する垂直ＬＥＤデバイスであり」、「上部電極層３１８は、パッシベーション層２１０上に形成され、上部コンタクト４０２と電気的に接続され」との特定を踏まえると、「マイクロＬＥＤデバイス４００」の「上部コンタクト４０２」と「上部電極層３１８」とを電気的に接続するために配置されるものと理解できる。

ここで、当該「垂直ＬＥＤデバイス」は、引用文献１の【００５７】に「例示的」と記載のとおり、例示的なものであり、２つの電極を同じ側の面上に設ける構造のマイクロＬＥＤデバイス自体は、その例を挙げるまでもなく従来周知であるから、引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」を上記周知のＬＥＤで置き換えることに格別の困難性はないといえ、そのような置き換えを行えば、ＬＥＤデバイスはフリップチップ実装となり、その短絡防止の観点から、「パッシベーション層」を「アンダーフィル」で置き換えることになるのは当然のことといえる。

そうすると、引用発明において、「マイクロＬＥＤデバイス４００」を、２つの電極を同じ側の面上に設ける構造のもので置き換えること（同時に、パッシベーション層をアンダーフィルで置き換えること）は、当業者が容易になし得たことといえる。

（エ）そして、引用発明は、「パッシベーション層を通してマイクロＬＥＤデバイスをパンチスルー」しており、「パンチスルー」は、「パッシベーション層２１０を通して転写先基板１０２上の任意選択の接合層１４０上に接触するまで、マイクロＬＥＤデバイス４００を転写ヘッド３０２で物理的に移動させることにより実施し」ているから、引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」は、「パンチスルー」に先だって、「転写ヘッド３０２」により「接合層１４０」上に位置合わせ（配置）されるものと理解できる。

そうすると、上記相違点２に係る本願発明の構成は、上記（ウ）の置き換えに伴って、満たされるものといえる。

（オ）上記のとおりであるから、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易になし得たことである。

イ 相違点３について

引用発明では、「パッシベーション層２１０（Ｂステージ熱硬化性樹脂）」を「熱の印加により」「溶解又は軟化」して、「パンチスルーを補助し」、「パンチスルー後」に、「熱の継続的な印加」が使用されて、「パッシベーション層２１０（Ｂステージ熱硬化性樹脂）」は、「最終硬化」されている。

ここで、Ｂステージ熱硬化性樹脂について、熱を印加し軟化させて成形を行い、さらに熱を印加して最終的な硬化を行うことは、Ｂステージ熱硬化性樹脂の用法として技術常識であり、例えば、特開２００９－１０５３２０号公報の【００２１】～【００２３】及び図４、特開２００５－６０５８４号公報の【００４３】、特開２０１２－１５８６３１号公報の【００８２】及び特開２００３－１７４２００号公報の【００７８】に記載されているＢステージ熱硬化性樹脂の用法に照らせば、引用発明の「Ｂステージ熱硬化性樹脂」を硬化させるための「熱の継続的な印加」を、Ｂステージ熱硬化性樹脂を溶解又は軟化する「熱の印加」における温度より高い温度とすることは、当業者であれば容易になし得た事項といえる。

（３）小括

上記（１）及び（２）のとおりであるから、本願発明１は、引用発明、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易になし得たものである。

第６ むすび

上記のとおりであるから、本願発明は、引用発明、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

よって、結論のとおり審決する。