2023-019686

特願２０２１－ ３３４８０「金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ３年 ７月 １日出願公開、特開２０２１－１００１３８〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、平成２６年６月１８日を国際出願日とする特願２０１６－５７０３４９号の一部を、平成３１年４月２日に新たな特許出願（特願２０１９－０７０８２８号）とし、その一部をさらに、令和３年３月３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和３年 ３月３１日 ：手続補正書の提出 令和４年 ５月２０日付け：拒絶理由通知書 令和４年 ８月２３日 ：意見書、手続補正書の提出 令和４年１２月２３日付け：拒絶理由通知書 令和５年 ３月２４日 ：意見書の提出 令和５年 ７月１４日付け：拒絶査定（原査定） 令和５年１１月２１日 ：審判請求書の提出 令和６年 ８月１４日付け：拒絶理由通知書（最後） 令和６年１２月 ５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和７年 ２月 ５日付け：拒絶理由通知書 令和７年 ７月１０日 ：意見書、手続補正書の提出 第２ 本願発明 本願の請求項１～４に係る発明は、令和７年７月１０日提出の手続補正書の請求項１～４に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１の記載は次のとおりである。（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。） 「 【請求項１】 基板上にフォトレジスト層を塗布するステップと、 前記基板の領域を囲む前記フォトレジスト層において、前記領域を覆わないように前記フォトレジスト層をパターン化することによってオーバーハングを形成するステップと、 前記オーバーハングを覆うコーティングを破断させることなくリフトオフを提供するように、前記フォトレジスト層を外すステップと、 を含み、前記オーバーハングを形成するステップは、前記フォトレジスト層の上部が前記フォトレジスト層の底部よりも遅く現像されるように、前記上部を化学的に改質するステップを含み、 前記領域はフィルター領域であり、 前記コーティングは多層積層コーティングである、方法。」 第３ 当審における拒絶の理由 令和７年２月５日付けで、当審において通知した拒絶の理由は、「この出願の請求項１～６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。 第４ 当審の判断 １ 引用文献、引用発明等 （１） 引用文献６、引用発明 ア 引用文献６の記載 当審における拒絶の理由で「引用文献６」として引用した特開２０１２－１６９４８９号公報には次の記載がある。（下線は引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【０１０２】 図１２は、本発明にかかる実施形態１において、赤外カットフィルタ３００を形成する製造方法を示す図である。 【０１０３】 ここで、図１２は、赤外カットフィルタ３００する各工程を順次示している。 【０１０４】 本実施形態においては、図１２に示すように、（ａ１）～（ａ３）の各工程を経て、ガラスウエハ３０１Ｗに赤外カットフィルタ層３１１を形成する。つまり、リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する。 【０１０５】 具体的には、まず、図１２（ａ１）に示すように、フォトレジストパターンＰＲを設ける。 【０１０６】 ここでは、ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、フォトレジストパターンＰＲを形成する。 【０１０７】 たとえば、ガラスウエハ３０１Ｗの上面に感光性樹脂膜（図示無し）を成膜後、フォトリソグラフィ技術によって、その感光性樹脂膜（図示無し）をパターン加工することで、フォトレジストパターンＰＲを形成する。 【０１０８】 本実施形態では、ガラスウエハ３０１Ｗに近い側が狭い幅であって、ガラスウエハ３０１Ｗから離れるに伴って幅が広がった断面形状になるように、フォトレジストパターンＰＲを形成する。つまり、断面が逆テーパー形状になるように、フォトレジストパターンＰＲを形成する。 【０１０９】 たとえば、下記の条件になるように、フォトレジストパターンＰＲを形成する。 ［フォトレジストパターンＰＲの条件］ ・厚み：６．５～１１μｍ（赤外カットフィルタ層３１１として、３０～６０層を積層して形成する誘電体多層膜よりも厚くする必要がある。誘電体多層膜の各層は、１／４λの厚みが必要なので、平均すると、厚みが１５０ｎｍである（６００ｎｍ／４）。よって、誘電体多層膜は、厚みが、４．５～９μｍであり、フォトレジストパターンＰＲについては、これよりも、２μ程度厚くすることが好適である。） ・傾斜角度：８７～８９° ・材料：リフトオフ用レジスト ・各フォトレジストパターンＰＲの間の距離：５０～８００μｍ（ダイシング後の残り幅が接着強度で必要なため。ダイシング前は、ダイシングストリート幅３０～１００μｍ＋（ｍｉｎ５０～３００×２）となる） 【０１１０】 つぎに、図１２（ａ２）に示すように、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する。 【０１１１】 ここでは、フォトレジストパターンＰＲが形成されたガラスウエハ３０１Ｗの上面を被覆するように、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する。これにより、ガラスウエハ３０１Ｗの上面と共に、フォトレジストパターンＰＲの上面に、赤外カットフィルタ層３１１が成膜される。 【０１１２】 具体的には、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することで、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する。 【０１１３】 たとえば、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５等などの材料を用いて、高屈折率層を形成する。そして、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２などの材料を用いて、低屈折率層を形成する。そして、高屈折率層と低屈折率層とについて、たとえば、３０～６０の層を積層することで、赤外カットフィルタ層３１１を形成する。たとえば、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着、イオンプレーティング法、スパッタ法などの物理的成膜法で高屈折率層と低屈折率層を成膜する。 【０１１４】 つぎに、図１２（ａ３）に示すように、フォトレジストパターンＰＲを除去する。 【０１１５】 ここでは、上記のように、赤外カットフィルタ層３１１が上面に成膜されたフォトレジストパターンＰＲを除去する。これにより、ガラスウエハ３０１Ｗの上面に、赤外カットフィルタ層３１１が所望のパターンで形成される。すなわち、図３に示したように、ガラス基板３０１がセンサ素子１００に貼り付けられたときに、ガラス基板３０１が対面する面のうち、画素領域ＰＡに対応する部分と周辺領域ＳＡの一部とを被覆するように、赤外カットフィルタ層３１１が形成される。 【０１１６】 図１３は、本発明にかかる実施形態１において、赤外カットフィルタ層３１１が形成されたガラスウエハの上面を示す図である。つまり、図１３は、ダイシング前における赤外カットフィルタ３００の上面を示している。図１３では、赤外カットフィルタ層３１１が形成された部分を黒色で示しており、赤外カットフィルタ層３１１を形成しない部分を白色で示している。 【０１１７】 図１３に示すように、ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、複数の固体撮像装置を設ける領域ＣＡのそれぞれに、赤外カットフィルタ層３１１が設けられる。複数の赤外カットフィルタ層３１１のそれぞれは、間にギャップを介在するように形成される。 ・・・（中略）・・・ 【０１５７】 ＜３．実施形態３＞ （１）製造方法など 図１６は、本発明にかかる実施形態３において、赤外カットフィルタ３００を形成する製造方法を示す図である。図１６は、図１２と同様に、断面を示している。 【０１５８】 図１６に示すように、本実施形態では、赤外カットフィルタ３００を形成する製造方法が、実施形態１と異なる。この点、および、これに関連する点を除き、本実施形態は、実施形態１と同様である。このため、重複する部分については、適宜、記載を省略する。 【０１５９】 本実施形態においては、図１６に示すように、（ａ１）～（ａ３）の各工程を経て、ガラスウエハ３０１Ｗに赤外カットフィルタ層３１１を形成する。本実施形態においても、リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する。 【０１６０】 赤外カットフィルタ３００の形成においては、まず、図１６（ａ１）に示すように、フォトレジストパターンＰＲを設ける。 【０１６１】 ここでは、ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、フォトレジストパターンＰＲを形成する。 【０１６２】 本実施形態においては、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって、フォトレジストパターンＰＲを設ける。 【０１６３】 たとえば、第１フォトレジストパターンＰＲ１が第２フォトレジストパターンＰＲ２よりも、０．５～５μｍ程度、狭い幅になるように形成することが好適である。また、第１フォトレジストパターンＰＲ１については、赤外カットフィルタ層３１１として成膜する、３０～６０層の誘電体多層膜よりも、厚い方が好適である。誘電体多層膜の各層は、１／４λの厚みが必要なので、平均すると、厚みが１５０ｎｍである（６００ｎｍ／４）。よって、誘電体多層膜は、厚みが、４．５～９μｍである。このため、第１フォトレジストパターンＰＲ１と第２フォトレジストパターンＰＲ２とを合わせた厚みが、この厚みよりも、２μｍ程度、厚くすることが好適である。 【０１６４】 つぎに、図１６（ａ２）に示すように、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する。 【０１６５】 ここでは、実施形態１の場合と同様に、フォトレジストパターンＰＲが形成されたガラスウエハ３０１Ｗの上面を被覆するように、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する。これにより、ガラスウエハ３０１Ｗの上面と共に、フォトレジストパターンＰＲの上面に、赤外カットフィルタ層３１１が成膜される。 【０１６６】 つぎに、図１６（ａ３）に示すように、フォトレジストパターンＰＲを除去する。 【０１６７】 ここでは、上記のように、赤外カットフィルタ層３１１が上面に成膜されたフォトレジストパターンＰＲを除去する。これにより、ガラスウエハ３０１Ｗの上面に、赤外カットフィルタ層３１１が所望のパターンで形成される。」 「【図１２】 ［図：0001431533000001.jpg］ 【図１３】 ［図：0001431533000002.jpg］ 」 「【図１６】 ［図：0001431533000003.jpg］ 」 イ 引用発明６Ａ （ア）ａ 実施形態１ 上記アの段落０１０２、０１０４、０１０６、０１０８の記載によると、引用文献６には、赤外カットフィルタを形成する製造方法の実施形態１として、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、フォトレジストパターンＰＲを形成する」との工程を経て、リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する方法、が記載されているといえる。 ｂ 実施形態３ 同様に、上記アの段落０１５７、０１５９、０１６１、０１６２の記載によると、引用文献６には、赤外カットフィルタを形成する製造方法の実施形態３として、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって、フォトレジストパターンＰＲを形成する」との工程を経て、リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する方法が記載されているといえる。 ｃ 小括 上記ａ、ｂによると、引用文献６には、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって、フォトレジストパターンＰＲを形成する」工程を含む「リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する方法」が記載されているといえる。 （イ） 上記アの段落０１１１、０１１２、０１６５の記載によると、引用文献６の「リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する方法」は、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面と共に、フォトレジストパターンＰＲの上面に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することで、赤外カットフィルタ層３１１を成膜する」工程を経るといえる。 （ウ） 上記アの段落０１１５、０１６７の記載によると、引用文献６の「リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する方法」は、「赤外カットフィルタ層３１１が上面に成膜されたフォトレジストパターンＰＲを除去する」工程を経るといえる。 （エ） 上記（ア）～（ウ）によると、引用文献６には、次の発明（以下「引用発明６Ａ」という。）が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号を示す。） 「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって、フォトレジストパターンＰＲを形成し（上記（ア）ｃ）、 ガラスウエハ３０１Ｗの上面と共に、フォトレジストパターンＰＲの上面に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することで、赤外カットフィルタ層３１１を成膜し（上記（イ））、 赤外カットフィルタ層３１１が上面に成膜されたフォトレジストパターンＰＲを除去する（上記（ウ））ことで、 リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する（上記（ア）ｃ） 方法。」 （２） 引用文献５、及び公知技術 ア 引用文献５の記載 当審における拒絶の理由で「引用文献５」として引用した特開２００７－３０５２７６号公報には次の記載がある。（下線は引用箇所を示すために当審において付加した。） 「【背景技術】 【０００２】 従来から、金属配線等の微細パターンを形成する方法としてリフトオフ法が広く使われている。リフトオフ法においては、非特許文献１に示すように有機溶媒浸漬法が広く利用されている。 【０００３】 図５は、従来の有機溶媒浸漬法による微細パターン形成方法を示す断面図である。 【０００４】 まず、図５（ａ）に示すように、基板１０１上にフォトレジスト層１０２をスピンコート法等により成膜し、光ビーム４をフォトレジスト層１０２に照射する。 【０００５】 この後、図５（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１０２に対して、クロロベンゼン等の有機溶媒を接触させ、表面のみを難溶性に改質し、難溶性の変性層１０３及び非変性層１０４を形成する。 【０００６】 この後、図５（ｃ）に示すように、有機溶剤等の現像液を用いて現像を行うことで、変性層１０３と非変性層１０４との溶解性の違いから、オーバーハング構造のホールパターン１０５を形成する。 【０００７】 このようなパターンに対して、金属等のパターン形成層１０６を堆積させると、図５（ｄ）に示すように、フォトレジストの変性層１０３上に堆積したパターン形成層１０６ａ及び基板１０１上に堆積したパターン形成層１０６ｂが得られる。 【０００８】 また、ホールパターン１０５はオーバーハング構造を有しているためにパターン形成層１０６は、フォトレジストの変性層１０３上にパターン形成層１０６ａと、基板１０１上にパターン形成層１０６ｂとに分離して形成される。 【０００９】 最終的に、図５（ｅ）に示すように、フォトレジストの変性層１０３及び非変性層１０４を一般にストリッパーと呼ばれる有機溶剤等により溶解させることで、変性層１０３上に堆積したパターン形成層１０６ａも除去され（リフトオフ）、基板１０１上に堆積したパターン形成層１０６ｂのみが基板１０１上に残留しパターンが形成される。 【００１０】 上述したように、パターン形成層１０６ｂは、パターン形成層１０６ａとは分離して形成されているため、リフトオフを行った後にパターンのエッジ部分にバリ等が形成されにくくなる。 【００１１】 このように、従来、リフトオフ法に適したオーバーハング構造を得るために、有機溶媒浸漬法を用いたパターン形成が行われている。」 「【図５】 ［図：0001431533000004.jpg］ 」 イ 公知技術 上記アによると、引用文献５には、従来技術として、リフトオフ法において広く利用されている有機溶媒浸漬法として、次の技術（以下「公知技術」という。）が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号等を示す。） 「基板１０１上にフォトレジスト層１０２をスピンコート法等により成膜し、光ビーム４をフォトレジスト層１０２に照射する（段落０００４）ステップと、 フォトレジスト層１０２に対して、クロロベンゼン等の有機溶媒を接触させ、表面のみを難溶性に改質し、難溶性の変性層１０３及び非変性層１０４を形成する（段落０００５）ステップと、 有機溶剤等の現像液を用いて現像を行うことで、変性層１０３と非変性層１０４との溶解性の違いから、オーバーハング構造のホールパターン１０５を形成する（段落０００６）ステップと、により、 フォトレジストの変性層１０３及び非変性層１０４を一般にストリッパーと呼ばれる有機溶剤等により溶解させることで、変性層１０３上に堆積したパターン形成層１０６ａも除去（リフトオフ）（段落０００９）するための、オーバーハング構造のホールパターン１０５を形成すること。」 ２ 対比・判断 （１） 本願発明と引用発明６Ａを対比する。 ア 引用発明６Ａの「ガラスウエハ３０１Ｗの上面」における「赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域」は、本願発明の「フィルター領域」である「前記基板の領域」に相当し、引用発明６Ａの「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域」は、「前記基板の領域を囲む」といえる。 そして、引用発明６ＡのフォトレジストパターンＰＲは、「断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって」形成されるから、オーバーハングが形成されるといえる。 そうすると、引用発明６Ａの「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって、フォトレジストパターンＰＲを形成」する工程は、本願発明の「前記基板の領域を囲む前記フォトレジスト層において、前記領域を覆わないように前記フォトレジスト層をパターン化することによってオーバーハングを形成するステップ」に相当する。 イ 引用発明６Ａは、「リフトオフ法によって、赤外カットフィルタ層３１１を形成する」方法である。 ここで、本願明細書の段落００２３には、「図９Ａおよび９Ｂを参照して、コーティング９０３が基板９１０およびパターン化フォトレジスト層９４０上で連続していると、その後に行われるフォトレジスト層９４０およびその上のコーティング９０３部分のリフトオフにおいて、コーティング９０３が、パターン化フォトレジスト層９４０の底縁で破断し、コーティング９０３から成る光学フィルターのエッジ、特に、光学フィルターの金属層のエッジが環境に露出する。露出エッジは、高湿度・高温露出等の環境攻撃の影響を受けやすく、図９Ｃの銀含有光学フィルター９００に示すように、腐食につながる。」と記載されている。 そして、引用文献６の図１２、図１６には、赤外線カットフィルタ層３１１が、ガラスウェハ３０１Ｗ及びフォトレジストパターンＰＲ上で連続していないことが示されているから、引用発明６Ａにおいても、フォトレジストパターンＰＲを除去する際に、赤外線カットフィルタ層３１１は破断することがない。 そうすると、引用発明６Ａの「赤外カットフィルタ層３１１が上面に成膜されたフォトレジストパターンＰＲを除去する」工程は、本願発明の「前記オーバーハングを覆うコーティングを破断させることなくリフトオフを提供するように、前記フォトレジスト層を外すステップ」に相当する。 ウ 引用発明６Ａにおいて、赤外カットフィルタ層３１１は、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面と共に、フォトレジストパターンＰＲの上面に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成することで」成膜されるから、引用発明６Ａは、「前記コーティングは多層積層コーティングである」といえる点で、本願発明と一致する。 エ 以上を踏まえると、本願発明、引用発明６Ａとは次の点で一致し、相違する。 （ア） 一致点 「基板の領域を囲むフォトレジスト層において、前記領域を覆わないように前記フォトレジスト層をパターン化することによってオーバーハングを形成するステップと、 前記オーバーハングを覆うコーティングを破断させることなくリフトオフを提供するように、前記フォトレジスト層を外すステップと、 を含み、 前記領域はフィルター領域であり、 前記コーティングは多層積層コーティングである、方法。」 （イ） 相違点 本願発明が「基板上にフォトレジスト層を塗布するステップ」を含み、「前記オーバーハングを形成するステップは、前記フォトレジスト層の上部が前記フォトレジスト層の底部よりも遅く現像されるように、前記上部を化学的に改質するステップ」を含む点を特定しているのに対し、引用発明６Ａがこれらの点を特定していない点。 （２） 相違点の判断 引用発明６Ａの、リフトオフ法において、その上面に成膜された赤外カットフィルタ層３１１とともに除去される、「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって」形成される「フォトレジストパターンＰＲ」は、オーバーハング構造のホールパターンが形成され、その上に堆積したパターン形成層を除去（リフトオフ）するためのフォトレジスト層といえる。 そうすると、引用発明６Ａの「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって」形成される「フォトレジストパターンＰＲ」の形成方法として、「リフトオフ法におけるパターン形成方法」という共通する技術に関する公知技術を採用する動機付けは存在するから、引用発明６Ａに公知技術を採用し、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得るといえる。 ３ 請求人の主張 （１） 請求人は、令和７年７月１０日提出の意見書４ページ５～３９行で、上記相違点である認定５について、「引用発明６Ａの課題は、製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化の実現が可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供することにあります。 ・・・（中略）・・・ さらに、引用文献５には、上記有機溶媒浸漬法では、リフトオフ法に適したパターンを得るためには工程が多くなる問題があったこと、一般的に、フォトレジストにおいては光酸発生剤（ＰＡＧ）等が必要とされ、露光光源の波長に応じたフォトレジストの開発が必要であったこと、上記のような従来の微細加工法においては、感光部がパターンとなるため、光ビームの集光スポット以下のサイズでパターンを形成することが難しいこと、例えばＤｅｅｐＵＶレーザ（波長：２５７ｎｍ）を光源とし、ＮＡ０．９の集光レンズを用いる場合、得られる円形パターンの直径は最小でも１５０ｎｍ程度であり、より微細なパターンを形成するために、電子線による露光等の開発が進められているが、電子線源は真空チャンバーを必要とするほか、露光における線速が遅く、開発コストやプロセスコストが肥大化してしまうという問題点があったこと、が記載されております（段落［００１３］～［００１５］）。 こうした引用文献５の記載に触れた当業者であれば、引用文献５に記載された有機溶媒浸漬法を引用発明６Ａに適用すると、製造効率が低下し、コストが上昇し、小型化が困難になることは容易に理解できます。したがって、引用文献５に記載された上記公知技術を引用発明６Ａに適用すると、引用発明６Ａの課題を解決することができなくなります。よって、引用文献５に記載された公知技術を引用発明６Ａに適用する阻害要因が存在します。」（下線は意見書のとおり。）と主張する。 （２） しかしながら、主引用発明に関連する技術分野の技術手段の適用を試みることは、当業者の通常の創作能力の発揮であるから、上記２（２）のとおり、引用発明６Ａの「ガラスウエハ３０１Ｗの上面において、赤外カットフィルタ層３１１を形成する領域以外の領域の上方に位置するように、断面が逆テーパー形状になるように、又は、第１フォトレジストパターンＰＲ１と、この第１フォトレジストパターンＰＲ１よりも幅が広い第２フォトレジストパターンＰＲ２とを順次積層させることによって」形成される「フォトレジストパターンＰＲ」の形成方法として、「リフトオフ法におけるパターン形成方法」という共通する技術に関する、広く利用されている従来技術である、公知技術を採用する動機付けは存在する。 （３） 引用文献６に記載された課題について ア 引用文献６には発明が解決しようとする課題、課題を解決するための手段、及び発明の効果について次の記載がある。 「【発明の概要】 【発明が解決しようとする課題】 【０００８】 ・・・中略・・・ 【００１４】 このように、多層膜からなる赤外カットフィルタ層が設けられたガラス基板を用いた場合には、装置の製造が容易でなく、製造効率の向上が困難な場合がある。また、装置の信頼性が低下する場合がある。その他、装置のコストダウンや、装置の小型化が困難な場合がある。 【００１５】 したがって、本発明は、製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化の実現が可能な、固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器を提供する。 【課題を解決するための手段】 【００１６】 本発明の固体撮像装置は、透明基板にフィルタ層が形成されている光学フィルタと、前記光学フィルタに対面するように配置されており、前記フィルタ層を介して入射する光を受光する画素が半導体基板の画素領域に複数配列されている固体撮像素子と、前記光学フィルタと前記固体撮像素子との間に設けられており、前記光学フィルタと前記固体撮像素子とを貼り合わせている接着層とを有し、前記フィルタ層は、高屈折率の誘電体層と低屈折率の誘電体層とが交互に複数積層された誘電体多層膜であって、前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部とを被覆するように形成されており、前記接着層は、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の周辺部分において、前記透明基板にて前記フィルタ層で被覆されていない部分と、前記フィルタ層の周辺部分とに、少なくとも接するように設けられている。 【００１７】（省略） 【００１８】 本発明では、透明基板において固体撮像素子に対面する側の面のうち、画素領域に対応する部分と、画素領域の周辺に位置する領域の一部とに誘電体多層膜を被覆させることで、フィルタ層を形成する。そして、透明基板にて半導体基板に対面する面の周辺部分であってフィルタ層で被覆されていない部分と、前記フィルタ層の周辺部分とに少なくとも接するように、接着層を設けることで、光学フィルタと固体撮像素子とを貼り合わせる。 【発明の効果】 【００１９】 本発明によれば、製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化の実現が可能な、半導体装置、および、その製造方法、電子機器を提供することができる。」 イ 上記記載によると、引用文献６における製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化の実現という課題は、「前記フィルタ層は、・・・前記透明基板において前記固体撮像素子に対面する側の面のうち、前記画素領域に対応する部分と、前記画素領域の周辺に位置する領域の一部とを被覆するように形成されており、前記接着層は、前記固体撮像素子と前記光学フィルタとが対面する面の周辺部分において、前記透明基板にて前記フィルタ層で被覆されていない部分と、前記フィルタ層の周辺部分とに、少なくとも接するように設けられている」こと、つまり、「フォトレジストパターンＰＲ」の形成方法とは別の構成によって解決するものであるから、公知技術の「フォトレジストパターンＰＲ」の形成方法を採用することを阻害する要因にはならない。 したがって、請求人の主張は採用できない。 第５ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。