2024-015245

特願２０２１－５１１２６４「接合体及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和 ２年１０月 ８日国際公開、ＷＯ２０２０／２０２９７０〕について、次のとおり審決する。

結 論 本件審判の請求は、成り立たない。

理 由 第１ 手続の経緯 本願は、２０２０年（令和２年）３月２日（優先権主張 平成３１年３月２９日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 令和６年２月１４日付け：拒絶理由通知書 令和６年３月１５日 ：意見書、手続補正書の提出 令和６年６月１８日付け：拒絶査定 令和６年９月２４日 ：審判請求書、手続補正書の提出 第２ 令和６年９月２４日にされた手続補正についての補正の却下の決定 ［補正の却下の決定の結論］ 令和６年９月２４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １ 本件補正について（補正の内容） （１） 本件補正後の特許請求の範囲の記載 本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、本件補正後の請求項７の記載は、次のとおりである。（下線部は、手続補正書の記載のとおりである。） 「 【請求項７】 Ｃｕを含む金属粉と、固体還元剤とを含む接合層用組成物を導電体の表面上に塗布して塗膜とし、該塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成し、次いで、 半導体素子を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記導電体と該半導体素子との間に介在させて積層体を得、然る後に、 前記積層体を加圧しながら加熱することによって、前記乾燥塗膜が前記半導体素子の周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子の底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部を形成するとともに前記金属粉を焼結させることで、前記導電体と前記半導体素子とを接合する、接合体の製造方法。」 （２） 本件補正前の特許請求の範囲の記載 本件補正前の、令和６年３月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項７の記載は次のとおりである。 「 【請求項７】 Ｃｕを含む金属粉と、固体還元剤とを含む接合層用組成物を導電体の表面上に塗布して塗膜とし、該塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成し、次いで、 半導体素子を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記導電体と該半導体素子との間に介在させて積層体を得、然る後に、 前記積層体を加圧しながら加熱して、前記金属粉を焼結させることで、前記導電体と前記半導体素子とを接合する、接合体の製造方法。」 ２ 補正の適否 本件補正は、本件補正前の請求項７に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記積層体を加圧しながら加熱」することについて、これにより「前記乾燥塗膜が前記半導体素子の周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子の底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部を形成する」との限定を付加するものであって、本件補正前の請求項７に記載された発明と本件補正後の請求項７に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 そこで、本件補正後の請求項７に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 （１） 本件補正発明 本件補正発明は、上記１（１）に記載のとおりのものである。 （２） 引用文献２の記載、及び引用発明 ア 引用文献２の記載 原査定の拒絶の理由で、引用文献２として引用された特開２０１８－１１１８７２号公報には、次の記載がある。（下線は、引用箇所を示すために当審において付加した。以下同様。） 「【０００１】 本発明は、被着体（例えば、半導体パッケージ、および半導体チップ等の部品）と他の被着体（例えば、基板、および電極等の部品）とを接合するために用いる金属接合用材料、及び当該金属接合用材料を用いて被着体と他の被着体とを接合して形成される接合層を有する接合構造体に関する。」 「【００７７】 また、本発明で用いる有機溶媒（Ｓ）は、必要に応じてアミン系溶媒（Ｓ５）を適宜混合して構成することもできる。」 「【００９２】 （３－５）アミン系溶媒（Ｓ５） 「アミン系溶媒」は、金属微粒子（Ｐ１）に対して還元性を有するため、金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、被着体と他の被着体のいずれか、もしくは、それぞれに塗布し、加熱処理による焼結を行う過程（焼結過程）で、金属微粒子（Ｐ１）の焼結を好適に促進させることができる。 【００９３】 アミン系溶媒（Ｓ５）としては、脂肪族第一アミン、脂肪族第二アミン、脂肪族第三アミン、脂肪族不飽和アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、およびアルカノールアミンが好ましく用いられ、その具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリ－ｎ－プロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、トリ－ｎ－ブチルアミン、ｔ－プロピルアミン、ｔ－ブチルアミン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、テトラメチルプロピレンジアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン、モノ－ｎ－オクチルアミン、モノ－２エチルヘキシルアミン、ジ－ｎ－オクチルアミン、ジ－２エチルヘキシルアミン、トリ－ｎ－オクチルアミン、トリ－２エチルヘキシルアミン、トリイソブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリイソオクチルアミン、トリイソノニルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルココナットアミン、ジメチルオクチルアミン、ジメチルデシルアミン、ジメチルラウリルアミン、ジメチルミリスチルアミン、ジメチルパルミチルアミン、ジメチルステアリルアミン、ジメチルベヘニルアミン、ジラウリルモノメチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、メタノールアミン、ジメタノールアミン、トリメタノールアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ブタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ－ｎ－ブチルエタノールアミン、Ｎ－ｎ－ブチルジエタノールアミン、および２－（２－アミノエトキシ）エタノールなどが挙げられる。」 「【０１０６】 （１）金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を用いて製造する方法 本発明の第１の実施形態に係る金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を用いて、本発明に係る接合構造体を製造する方法の一例について、以下で述べる。 【０１０７】 本発明に係る接合構造体を製造する方法は、本発明の第１の実施形態に係る金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、被着体と他の被着体との間に配置する第１工程と、当該配置された金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を所定の条件で乾燥を行い、加熱接合材料（Ｍ）を形成する第２工程と、当該加熱接合材料を加熱処理などにより焼結させる第３工程と、を備える。 【０１０８】 （１－１）第１工程 第１工程は、本発明の第１の実施形態に係る金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、被着体と他の被着体のいずれか、もしくは、それぞれに塗布するなどにより、当該被着体と他の被着体との間に配置する工程である。 ここで「被着体」としては、例えば、半導体パッケージ、および半導体チップ等の部品が挙げられ、「他の被着体」としては、例えば、基板、および電極等の部品が挙げられる。 【０１０９】 本発明の第１の実施形態に係る金属微粒子（Ｐ）の分散溶液は、金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される。 なお、本発明において金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させる方法は、特に限定されないが、公知の混合機、および捏和機などを用いることができる。 ・・・（中略）・・・ 【０１１９】 （１－３）第３工程 第３工程は、第２工程で予備乾燥などの乾燥を行い形成された加熱接合材料（Ｍ）に対して、加熱接合材料（Ｍ）を加熱処理などにより焼結させる工程である。 【０１２０】 第３工程で行われる加熱処理などによる焼結条件は、例えば、ヒーターを内蔵したプレス板で被処理体を挟持して、真空引き（減圧）し、１９０～４００℃の加熱温度（焼結温度）で１０～１２０分間程度保持することが好ましい。 なお、第３工程で行われる加熱処理などによる焼結条件は、加圧しながら行われてもよい。 【０１２１】 例えば、上記第１工程で、特定の平均一次粒径を有する銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）と、２価以上のアルコールを含む有機溶媒（Ｓ）とを含有する分散溶液を用いた場合には、第３工程において以下のように、銅微粒子（Ｐ１）の焼結が促進される。 【０１２２】 第３工程で行われる加熱処理などにより、銅微粒子（Ｐ１）の表面が２価以上のアルコールで還元され、活性化された銅微粒子（Ｐ１）同士の焼結が促進される。この一方で、２価以上のアルコールを含む有機溶媒（Ｓ）は、好適に分解、蒸発（気化）が進行する。」 「【実施例】 【０１３１】 以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、これらの実施例のみに限定されるものではない。 本実施例及び比較例において行った試験方法は、以下のとおりである。 ・・・（中略）・・・ 【０１４８】 （金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の塗布・焼結工程） 上記のようにして得られた、ペースト状の金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、シリコン板（１３ｍｍ角、厚さ１ｍｍ）の上に、９ｍｍ角、厚さ１００μｍのメタルマスクを用いて、印刷法による塗布を行った。 なお、最終的に１．５ｇ以上の接合層（焼結体）が回収できるよう、３００枚程度のシリコン板（１３ｍｍ角、厚さ１ｍｍ）に対して、それぞれ同様に印刷法による塗布を行った。 【０１４９】 その後、窒素ガス雰囲気下、１１０℃の乾燥温度で１０～６０分間程度保持して予備乾燥し、金属濃度を８５％に調整した。 【０１５０】 次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、他のシリコン板（１３ｍｍ角、厚さ１ｍｍ）を載せ、窒素ガス雰囲気中、１０ＭＰａの加圧下で、３００℃の温度で２０分間、加圧加熱処理による焼結を行い、室温まで炉冷し、シリコン板と他のシリコン板との間に接合層（焼結体）が形成された実施例１の接合構造体を製造した。」 イ 引用発明 （ア） 段落０００１の記載によると、引用文献２は、「被着体（例えば、半導体パッケージ、および半導体チップ等の部品）と他の被着体（例えば、基板、および電極等の部品）とを接合するために用いる金属接合用材料、及び当該金属接合用材料を用いて被着体と他の被着体とを接合して形成される接合層を有する接合構造体」に関する文献であって、その段落０１４８～０１５０の記載によると、引用文献２には、次の方法が記載されているといえる。（括弧内は引用元の段落番号を示す。） 「ペースト状の金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、シリコン板の上に塗布し（段落０１４８）、 その後、予備乾燥し（段落０１４９）、 次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、他のシリコン板を載せ、加圧加熱処理による焼結を行い、シリコン板と他のシリコン板との間に接合層（焼結体）が形成される、 接合構造体の製造方法（段落０１５０）。」 （イ） 上記（ア）の方法における「シリコン板」及び「他のシリコン板」は、接合層を有する接合構造体に対して、一方が「被着体」、他方が「他の被着体」といえる。 そして、段落０００１、０１０８には、「被着体」及び「他の被着体」として「半導体チップ」、「電極」が例示されていることを踏まえると、上記（ア）の方法は次の方法を含む。 「ペースト状の金属微粒子（Ｐ）の分散溶液を、電極の上に塗布し、 その後、予備乾燥し、 次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、半導体チップを載せ、加圧加熱処理による焼結を行い、電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される、 接合構造体の製造方法。」 （ウ） 段落０１０９の記載によると、「金属微粒子（Ｐ）の分散溶液は、金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される」ものであって、段落０１２１の記載によると、分散溶液の金属微粒子（Ｐ）は銅微粒子（Ｐ１）を含むものである。 （エ） 以上を踏まえると、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。 「ペースト状の、銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される分散溶液を、電極上に塗布し、 その後、予備乾燥し、 次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、半導体チップを載せ、加圧加熱処理による焼結を行い、電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される、 接合構造体の製造方法。」 （３） 公知技術 ア 文献Ａの記載 本願の国際調査報告に、一般的技術水準を示す文献として示された特開２０１７－７１８２６号公報（以下「文献Ａ」という。）には次の記載がある。 「【００８７】 なお、這い上がり量ｔｆとは、図６（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、半導体素子１２の裏面電極と多孔質状金属層１３が接する界面（１２１、１３２）を基準面とした場合に、半導体素子１２の側面１２３に沿って、基準面から厚み方向に、多孔質状金属層１３または多孔質状金属層前駆体が流動したときの高さ、である。」 「【００９２】 このような円弧状の曲面を有する面取り部１２５の面取り高さＨおよび面取り幅Ｗは、半径Ｒとなる。したがって、半径Ｒは、１２．５～４５μｍであることが好ましい。半径Ｒが上記範囲を満足することにより、面取り部の形成加工が容易である他、加圧を伴う接続プロセスにおいて、多孔質状金属層前駆体が半導体素子１２の側面１２３を這い上がってきた場合であっても、多孔質状金属層が電極１２７に接触することを防止でき、且つ、這い上がった多孔質状金属層と電極１２７との間で適度な放電距離を確保できる。」 「【実施例】 【０１０１】 以下、本発明を、実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 【０１０２】 本実施例、比較例で使用した（１）材料、（２）焼結装置、及び（３）評価方法を以下に記載する。 【０１０３】 （１）材料 （Ａ）半導体素子 ・半導体素子（Ａ－１） 半導体素子（Ａ－１）のサイズは７ｍｍ×７ｍｍで、厚みは１５０μｍである。また、多孔質状金属層に対向させる側の面はＴｉ－Ｎｉ－Ａｕ合金でメタライズされている。 ・半導体素子（Ａ－２） 半導体素子（Ａ－２）のサイズは７ｍｍ×７ｍｍで、厚みは１５０μｍである。また、多孔質状金属層に対向させる側の面はＴｉ－Ｎｉ－Ｃｕ合金でメタライズされている。 【０１０４】 （Ｂ）多孔質状金属層前駆体 ・多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１） 平均一次粒子径２０ｎｍの銅微粒子が、ジエチレングリコール中に７０質量％の濃度で分散している銅微粒子分散材（１）を使用した。なお、該銅微粒子分散材（１）には、高分子分散剤としてポリビニルピロリドンが２質量％配合されている。 ・多孔質状金属層前駆体（Ｂ－２） 平均一次粒子径２０ｎｍの銅微粒子と平均一次粒子径５μｍの銅微粒子とが体積比７：３の割合で混合された銅微粒子が、ジエチレングリコール中に７０質量％の濃度で分散している銅微粒子分散材（２）を使用した。なお、該銅微粒子分散材（２）には、高分子分散剤としてポリビニルピロリドンが２質量％配合されている。 ・多孔質状金属層前駆体（Ｂ－３） 平均一次粒子径２０ｎｍの銀微粒子が、オクタンジオール中に９０質量％の濃度で分散している銀微粒子分散材（３）を使用した。なお、該銀微粒子分散材（３）には、高分子分散剤としてポリエチレングリコールが２質量％配合されている。 【０１０５】 （Ｃ）導体部材 ・ＤＢＣ基板（Ｃ－１） 東芝マテリアル株式会社製のＤＢＣ基板（Ｃｕ／窒素珪素／Ｃｕ）を使用した。該ＤＢＣ基板において、Ｃｕ板の厚み：０．３ｍｍ／セラミック板の厚み：０．３２ｍｍ／Ｃｕ板の厚み：０．３ｍｍである。 【０１０６】 （２）焼結装置 図３に示す焼結装置を使用した。該装置を用いて多孔質状金属層前駆体を以下の操作により焼結して多孔質状金属層を形成した。 図３（ａ）に示す、レイアップ用のプレス板４２を用意して、ワーク４１をそのプレス板４２上にレイアップし、真空プレス機４３の下熱盤４４上にセットする。その後、図３（ｂ）に示すように、チャンバー４５を閉じてチャンバー４５内を真空状態にする。そして、図３（ｃ）に示すように、加圧シリンダー４６により圧力を加えた状態で、ワーク４１を上熱盤４７と下熱盤４４とで挟持して、加熱する。 上記加熱、焼成により、多孔質状金属層前駆体が焼結されて多孔質状金属層が形成される。 【０１０７】 （３）測定および評価 ・面取り部Ｒの測定 作製したサンプルを樹脂埋めし、断面研磨した後、クロスセクションポリッシャ（日本電子株式会社製）により形成した断面について、走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope、加速電圧２０．０ｋＶ、倍率５０００倍、ＷＤ１２．１ｍｍ）を用いて画像を作成した。得られた画像から、画像処理ソフト（三谷商事株式会社製 ＷｉｎＲＯＯＦ）を用いて、半導体素子側面の面取り部Ｒを計測した。 【０１０８】 ・耐チッピング性（歩留まり） 得られたサンプルについて、光学顕微鏡を用いて、チッピングの有無を確認した。チッピングが確認されたサンプルを不良品として、歩留まり（良品率（％））を算出した。本実施例では、歩留まりが９６％以上を良好とした。 【０１０９】 ・耐圧試験 任意に抽出したサンプルを１０個について（ｎ＝１０）、ケースレーインスツルメンツ社製のカーブトレーサー２６００－ＰＣＴ－４Ｂを用いて、逆電圧１２００Ｖをかけた際のリーク電流特性を測定した。リーク電流が１００μＡ以下のサンプルを合格（クリア）とし、合格したサンプルの個数（クリア数）をカウントした。本実施例では、クリア数が９個以上を良好とした。 【０１１０】 以下、本発明の実施例および比較例について説明する。 ［実施例１］ （多孔質状金属層前駆体の形成） 半導体素子（Ａ－１）に係る６ｉｎｃｈのウエハ裏面電極上に、開口径６ｉｎｃｈ、厚さ０．１ｍｍの印刷マスクを使用して、金属微粒子分散材（１）スキージで印刷供給し、恒温槽内に配置した。その後、恒温槽内を窒素置換して酸素濃度１％の窒素雰囲気とし、常温から１５０℃へ昇温して、１５０℃で６０分乾燥し、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）を形成した。 【０１１１】 （半導体素子のダイシング） 次に、乾燥後の多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）上に、ダイシングフレームと共にダイシングテープを一括貼付し、ダイシング装置（株式会社ディスコ製 ＤＡＤ６３４０）を用いて、７．０ｍｍ角に個片化した。なお、ダイシング条件としては、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＦ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．０４０～０．０５０ｍｍ）を用い、回転数４０，０００ｒｐｍ、送り速度１０．０ｍｍ／ｓｅｃ、送りピッチ７．０ｍｍとし、さらに、ハイト量はダイシングテープに１０μｍブレードが入るように設定して行った。 【０１１２】 （多孔質状金属層の形成） 個片化された多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）付き半導体素子（Ａ－１）を、ダイスピッカー（キヤノンマシナリー株式会社製ＣＡＰ-３００ＩＩ型式）でピックアップし、該多孔質状金属層前駆体を下にして、準備したＤＢＣ基板上（Ｃ－１）に該半導体素子をマウントした。その後、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）と半導体素子（Ａ－１）とが配置されたＤＢＣ基板（Ｃ－１）を、上記焼結装置を使用して加熱・焼結した。 【０１１３】 具体的には、上記半導体素子上に、３０μｍの離型材（ＰＴＦＥシート）を配置し、減圧雰囲気下（真空度３０００Ｐａ以下）で、上熱盤で上記半導体素子の上側から圧力１０ＭＰａで加圧しながら、同時に１０℃／分の昇温速度で加熱を開始し、３００℃まで昇温後、３００℃で２０分間保持した。その後、冷却して除荷した。 【０１１４】 上記焼結により、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）から多孔質状金属層を形成すると共に、該多孔質状金属層を介して半導体素子（Ａ－１）をＤＢＣ基板（Ｃ－１）に接合し、接続構造体を得た。 【０１１５】 ［実施例２］ （多孔質状金属層前駆体の形成） 準備したＤＢＣ基板（Ｃ－１）へ、開口径６．９８ｍｍ角、厚さ０．１ｍｍの印刷マスクを使用して、金属微粒子分散材からなる多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）をスキージで印刷供給し、１５０℃に設定した恒温槽で６０分乾燥した。 【０１１６】 （多孔質状金属層の形成） 次に、乾燥後の多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）上に、予め７．０ｍｍ角に個片化された半導体素子（Ａ－１）をマウントした。その後、実施例１と同様の方法で、接続構造体を得た。 【０１１７】 ［実施例３］ 多孔質状金属層前駆体の形成において、開口径７．０２ｍｍ角の印刷マスクを用いた以外は、実施例２と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１１８】 ［実施例４］ 半導体素子のダイシングにおいて、ダイシング条件を下記のように設定した以外は、実施例３と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１１９】 実施例４のダイシング工程は２段階で行われた。第１のダイシング工程は、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＦ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．０４０～０．０５０ｍｍ）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、送り速度１０．０ｍｍ／ｓｅｃ、送りピッチ７．０ｍｍとし、さらに、ハイト量はチップ厚の１／２にブレードが入るように設定して行った。また、第２のダイシング工程は、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＢ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．０２０～０．０２５ｍｍ）を用いて、回転数４０，０００ｒｐｍ、送り速度１０．０ｍｍ／ｓｅｃ、送りピッチ７．０ｍｍとし、さらに、ハイト量はダイシングテープに１０μｍブレードが入るように設定して行った。 【０１２０】 ［実施例５］ 半導体素子のダイシングにおいて、第１のダイシング工程は、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＬ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．１００～０．１１０ｍｍ）を用いて、第２のダイシング工程は、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＦ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．０４０～０．０５０ｍｍ）を用いた以外は、実施例４と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１２１】 ［実施例６］ 半導体素子のダイシングにおいて、第２のダイシング工程は、ブレード型番ＮＢＣ－ＺＨ １０５Ｆ－ＳＥ－２７ＨＥＦＡ（株式会社ディスコ製、カーフ幅０．０１５～０．０２０ｍｍ）を用いた以外は、実施例５と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１２２】 ［実施例７］ 多孔質状金属層前駆体の形成において、１５０℃に設定した恒温槽で１５分乾燥とした以外は、実施例４と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１２３】 ［実施例８］ 多孔質状金属層前駆体の形成において、１５０℃に設定した恒温槽で１５分乾燥とした以外は、実施例５と同様の方法で接続構造体を得た。 【０１２４】 ［実施例９］ 多孔質状金属層前駆体の形成において、１５０℃に設定した恒温槽で１５分乾燥とした以外は、実施例６と同様の方法で接続構造体を得た。」 「【０１３４】 上記実施例１～１３および比較例１～５で得られた接続構造体について、上述の方法にて測定および評価した結果を、表１および２に示す。 【０１３５】 【表１】 ［図：0001427708000001.jpg］ 【０１３６】 【表２】 ［図：0001427708000002.jpg］ 【０１３７】 表１に示されるように、本発明の実施例１～１３に係る接続構造体は、特に、多孔質状金属層の幅Ｌｍが、所定の関係（Ｌｃ－ｔｍ ≦ Ｌｍ ≦ Ｌｃ＋ｔｍ）を満足するため、歩留まりが良く、耐圧特性に優れることが確認された。」 「【図６】 ［図：0001427708000003.jpg］ 」 イ 公知技術 （ア） 文献Ａの段落０１３５の表１には、「半導体素子／多孔質金属層に対する多孔質状金属の這い上がり高さＬｆ」が、０．００ｍｍである実施例２、及び、Ｌｆが０．０３ｍｍ又は０．０９ｍｍである実施例３～９が記載されている。 ここで、文献Ａには、表１及び表２のみに「Ｌｆ」と記載されているところ、その技術内容を踏まえれば、段落００８７の「這い上がり量ｔｆ」と対応するものと認める。 そして、文献Ａの段落００８７の「なお、這い上がり量ｔｆとは、図６（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、半導体素子１２の裏面電極と多孔質状金属層１３が接する界面（１２１、１３２）を基準面とした場合に、半導体素子１２の側面１２３に沿って、基準面から厚み方向に、多孔質状金属層１３または多孔質状金属層前駆体が流動したときの高さ、である。」との記載、並びに、図６（Ａ）及び（Ｂ）によると、実施例３～９の「多孔質状金属の這い上がり」部分は、「半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部」といえる。 また、文献Ａの段落００９２の記載によると「多孔質状金属の這い上がり」は、「加圧を伴う接続プロセス」に起因するといえる。 （イ） 上記アの段落０１０１～０１２４の記載によると、上記実施例２～９は、「準備したＤＢＣ基板（Ｃ－１）へ、金属微粒子分散材からなる多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）を印刷供給し、乾燥し（段落０１１５）、 次に、乾燥後の多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）上に、半導体素子（Ａ－１）をマウントし（段落０１１６）、その後、上熱盤で上記半導体素子の上側から加圧しながら、同時に加熱を開始し、加熱・焼結し（段落０１１２、０１１３）、 上記焼結により、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）から多孔質状金属層を形成すると共に、該多孔質状金属層を介して半導体素子（Ａ－１）をＤＢＣ基板（Ｃ－１）に接合して、接続構造体を得る（段落０１１４）方法。」に係る実施例といえる。 そして、文献Ａの段落０１０５の記載によると、上記実施例２～９の「ＤＢＣ基板（Ｃ－１）」は、「東芝マテリアル株式会社製のＤＢＣ基板（Ｃｕ／窒素珪素／Ｃｕ）」であって、その上面は、半導体素子と多孔質状金属層で接続される「電極」として機能するものといえる。 また、文献Ａの段落０１０４の「平均一次粒子径２０ｎｍの銅微粒子が、ジエチレングリコール中に７０質量％の濃度で分散している銅微粒子分散材（１）を使用した。なお、該銅微粒子分散材（１）には、高分子分散剤としてポリビニルピロリドンが２質量％配合されている。」との記載によると、上記実施例２～９の「多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）」は、「銅微粒子を含む金属微粒子を、有機溶媒（ジエチレングリコール）に分散させて形成される分散溶液」といえる。 （ウ） 以上を踏まえると、以下の事項は、優先権が発生した日の時点での公知の技術（以下「公知技術」という。）といえる。 「準備した、その上面が「電極」として機能するＤＢＣ基板（Ｃ－１）へ、銅微粒子を含む金属微粒子を、有機溶媒に分散させて形成される分散溶液からなる多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）を印刷供給し、乾燥し、 次に、乾燥後の多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）上に、半導体素子（Ａ－１）をマウントし、その後、上熱盤で上記半導体素子の上側から加圧しながら、同時に加熱を開始し、加熱・焼結し、 上記焼結により、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）から多孔質状金属層を形成すると共に、該多孔質状金属層を介して半導体素子（Ａ－１）をＤＢＣ基板（Ｃ－１）に接合して、接続構造体を得る方法において、 加圧を伴う接続プロセスにより、半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部が形成されることを含むこと。」 （４） 対比 ア 引用発明の「接合構造体」は、「電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される」ことにより製造されるものであって、「接合体」といえるから、引用発明は、「接合体の製造方法」といえる点で本件補正発明と共通する。 イ（ア） 引用発明の「銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）」は、「Ｃｕを含む金属粉」といえる。 （イ） 引用発明の「分散溶液」は、加圧加熱処理による焼結によって、電極と半導体チップを接合する接合層（焼結体）を形成するものである。 そうすると、引用発明の「ペースト状の、銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される分散溶液」は、「Ｃｕを含む金属粉を含む」点で本件補正発明の「接合層用組成物」と共通する。 （ウ） 引用発明の「電極」は、「導電体」といえる。 （エ） そして、引用発明において分散溶液は電極の表面に塗布され、また、その際に、塗布した分散溶液は塗膜となることは明らかであるから、「ペースト状の、銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される分散溶液を、電極上に塗布」する引用発明は、「Ｃｕを含む金属粉を含む接合層用組成物を導電体の表面上に塗布して塗膜と」する点で本件補正発明と共通する。 ウ 引用発明の「その後、予備乾燥」する工程は、本件補正発明の「該塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成」する工程に相当する。 エ 引用発明の「次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、半導体チップを載せ、加圧加熱処理による焼結を行い、電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される」工程は、本件補正発明の「半導体素子を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記導電体と該半導体素子との間に介在させて積層体を得、然る後に、前記積層体を加圧しながら加熱することによって」、「前記金属粉を焼結させることで、前記導電体と前記半導体素子とを接合する」工程と対応する。 オ 一致点・相違点 以上を踏まえると、本件補正発明と引用発明とは次の点で一致し、相違する。 （ア） 一致点 「Ｃｕを含む金属粉を含む接合層用組成物を導電体の表面上に塗布して塗膜とし、該塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成し、次いで、 半導体素子を前記乾燥塗膜上に積層して、前記乾燥塗膜を前記導電体と該半導体素子との間に介在させて積層体を得、然る後に、 前記積層体を加圧しながら加熱することによって、前記金属粉を焼結させることで、前記導電体と前記半導体素子とを接合する、接合体の製造方法。」 （イ） 相違点１ 本件補正発明の「接合層用組成物」が、「固体還元剤」を含むのに対して、引用発明の「ペースト状の、銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）を有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される分散溶液」が、「固体還元剤」を含むと特定されていない点。 （ウ） 相違点２ 本件補正発明の「前記導電体と前記半導体素子とを接合する」工程が、前記積層体を加圧しながら加熱することによって、「前記乾燥塗膜が前記半導体素子の周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子の底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部を形成するとともに」前記金属粉を焼結させることで、前記導電体と前記半導体素子とを接合するのに対し、引用発明の「加圧加熱処理による焼結を行い、電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される」工程が、延出部についての特定がない点。 （５） 相違点の判断 ア 相違点１について 引用文献２の段落００７７には、有機溶媒（Ｓ）を、必要に応じてアミン系溶媒（Ｓ５）を適宜混合して構成することが示唆され、同段落００９２、００９３には、還元性を有するアミン系溶媒（Ｓ５）として、トリイソプロパノールアミンが例示されている。 ここで、本願明細書の段落００４２には、「接合層用組成物に含まれる固体還元剤は、室温（２５℃）において固体であり、該組成物の焼成による金属粒子どうしの焼結を促進させて、高い接合強度を発現させるために用いられる。この目的のために、固体還元剤は少なくとも１個のアミノ基及び複数の水酸基を有する化学構造のものであることが有利である。「室温（２５℃）において固体」とは、固体還元剤の融点が２５℃超であることを指す。」と記載されているから、その融点が２５℃超である「トリイソプロパノールアミン」は、「固体」といえる。 そうすると、引用文献２の段落００７７、００９２、００９３の示唆に基づいて、引用発明の分散溶液について、その有機溶媒（Ｓ）に、トリイソプロパノールアミンを混合して、相違点１に係る本件補正発明の構成とすることはその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に想到し得ることである。 イ 相違点２について 上記（３）イ（ウ）の公知技術の「接続構造体」は、「焼結により、多孔質状金属層前駆体（Ｂ－１）から多孔質状金属層を形成すると共に、該多孔質状金属層を介して半導体素子（Ａ－１）をＤＢＣ基板（Ｃ－１）に接合」したものであるから、引用発明の「接合構造体」に相当し、また、公知技術における「乾燥」する工程は、加圧しながら、加熱する工程に先立つ「予備乾燥」する工程といえることを踏まえると、公知技術の「接続構造体」も、「銅微粒子（Ｐ１）を含む金属微粒子（Ｐ）を、有機溶媒（Ｓ）に分散させて形成される分散溶液を、電極上に塗布し、 その後、予備乾燥し、 次いで、予備乾燥した金属微粒子（Ｐ）の分散溶液の上に、半導体チップを載せ、加圧加熱処理による焼結を行い、電極と半導体チップとの間に接合層（焼結体）が形成される」点で、引用発明と共通する製造方法で製造されるといえる。 そして、公知技術によれば、「加圧を伴う接続プロセスにより、半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部が形成されること」は、当業者が適宜選択し得ることであるから、引用発明において、「半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての周縁から側方に延出し、且つ前記半導体素子（Ａ－１）の側面に沿っての底部の周縁又は周縁近傍から立ち上がっている延出部」を形成して、相違点２に係る本件補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得ることである。 （６） 小括 以上のとおり、本件補正発明は、引用発明及び公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 ３ 本件補正についてのむすび 以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 第３ 本願発明について １ 本願発明 令和６年９月２４日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１～７に係る発明は、令和６年３月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１～７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項７に記載された事項により特定される、上記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 ２ 原査定の拒絶の理由 原査定の拒絶の理由は、本願発明は、引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものを含む。 ３ 引用文献２に記載された発明 原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２及びその記載事項は、上記第２［理由］２（２）アに記載したとおりであり、引用文献２に記載された発明は、上記第２［理由］２（２）イ（エ）の「引用発明」のとおりである。 ４ 対比・判断 本願発明は、上記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、上記第２［理由］２（４）オ（ウ）の相違点２に係る限定事項を削除したものであるから、上記第２の２（４）と同様に対比すると、本願発明と引用発明とは上記第２の２（４）オ（ア）の点で一致し、上記第２の２（４）オ（イ）の点（相違点１）で相違する。 そして、上記第２の２（５）アのとおり、引用発明の分散溶液について、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、引用文献２の示唆に基づいて当業者が容易に想到し得ることであるから、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 第４ むすび 以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 よって、結論のとおり審決する。