2021-015638

２ 本願発明

本願の請求項１～３１に係る発明は、令和 ３年１１月１５日の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～３１に記載された事項により特定されるものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。

「【請求項１】

複数のピクセルを含み、各ピクセルは複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルは所与の波長の光を提供するように構成されたディスプレイ素子を製造する方法であって、

ピックアップツール（ＰＵＴ）を使用して、第１の配置サイクルを実行することであって、

未テストの複数の第１のＬＥＤダイをピックアップすることであって、各第１のＬＥＤダイは、前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第１のＬＥＤ発光器を備える、前記ピックアップすることと、

続きを表示（全11行）

前記複数の第１のＬＥＤダイをディスプレイ基板上の前記ディスプレイ素子の前記複数のピクセルに対応する位置に配置することと、を含む前記第１の配置サイクルを実行すること、

前記ディスプレイ基板上の複数の第１のＬＥＤ発光器をテストして、非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の１つ以上の位置を決定すること、

前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第２のＬＥＤ発光器をそれぞれ含むテスト済の複数の第２のＬＥＤダイから、前記テストの結果に基づいて１つ以上の第２のＬＥＤダイを選択すること、

選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイを、当該第２のＬＥＤダイのピックアップ及び前記ディスプレイ基板上への配置が可能なように構成すること、並びに

前記ピックアップツールを使用して、第２の配置サイクルを実行することであって、

前記選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイをピックアップすることと、

前記選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイを、前記ディスプレイ基板上の非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の決定された位置に配置することと、を含む前記第２の配置サイクルを実行すること、を備える方法。」

３ 原査定の拒絶の理由

拒絶査定（以下「原査定」という。）の理由である、令和２年９月２９日付け拒絶理由通知の理由１は、次の内容を含むものである。

理由１

この出願の請求項１に係る発明は、本願の最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。

引用文献１．国際公開第２０１４／２０４６９６号

引用文献３．特開昭６１－１１１５６１号公報（周知技術を示す文献）

４ 引用文献の記載及び引用発明、引用文献に記載された技術的事項

（１）原査定の拒絶の理由で引用された本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、国際公開第２０１４／２０４６９４号（２０１４年（平成２６年）１２月２４日公開。原査定の「引用文献１」。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。（なお、下線及び括弧内の日本語訳は当審が付したものである。）

ア

「[0001] The present invention relates to micro LED devices. More particularly embodiments of the present invention relate to methods and structures for integrating micro LED devices onto a substrate with tunable color emission spectrum.」

（日本語訳：

本発明は、マイクロＬＥＤデバイスに関する。より詳細には、本発明の実施形態は、調整可能な色の発光スペクトルを有するように、基板上にマイクロＬＤＥデバイスを統合するための、方法及び構造体に関する。）

「BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

[0008] FIG.1A is a schematic top view illustration of an active matrix display panel in accordance with an embodiment of the invention.」

（日本語訳：

図面の簡単な説明

[０００８］ 図１Ａは、本発明の一実施形態によるアクティブマトリクス型表示パネルの概略的な上面図である。」

「[0051] Embodiments of the present invention describe a display in which a display substrate includes an array of pixels, with each pixel including multiple subpixels, and each subpixel within a pixel is designed for a different color emission spectrum. The display includes an array of micro LED device pairs, with a pair of micro LED devices being mounted within each subpixel. An array of wavelength conversion layers comprising phosphor particles are formed over the array of micro LED device pairs. In an embodiment, the wavelength conversion layer includes a polymer or glass matrix and a dispersion of phosphor particles (e.g. quantum dots that exhibit luminescence due to their size, and particles that exhibit luminescence due to their composition) within the matrix. In this manner, the light emission can be accurately tuned to specific colors in the color spectrum, with improved color gamut. In addition, the incorporation of micro LED devices in accordance with embodiments of the invention can be used to combine the performance, efficiency, and reliability of wafer-based LED devices with the high yield, low cost, mixed materials of thin film electronics, for both lighting and display applications.Exemplary micro LED devices which may be utilized with some embodiments of the invention are described in U.S. Patent No. 8,426,227, U.S. Publication No. 2013/0126081, U.S. Patent Application No. 13/458,932, U.S. Patent Application No. 13/711,554, and U.S. Patent Application No. 13/749,647 all of which are incorporated herein by reference. The micro LED devices are highly efficient at light emission and consume very little power (e.g., 250 mW for a 10 inch diagonal display) compared to 5-10 watts for a 10 inch diagonal LCD or OLED display, enabling reduction of power consumption of an exemplary display panel incorporating the micro LED devices and wavelength conversion layers. 」

（日本語訳：

［００５１］ 本発明の実施形態は、ディスプレイ基板がピクセルのアレイを含み、各ピクセルが、複数のサブピクセルを含み、ピクセル内部の各サブピクセルが、異なる色の発光スペクトル用に設計されている、ディスプレイを説明する。このディスプレイは、マイクロＬＥＤデバイスの対のアレイを含み、各サブピクセルの内部に、一対のマイクロＬＥＤデバイスが実装されている。蛍光体粒子を備える波長変換層のアレイが、マイクロＬＥＤデバイスの対のアレイの上に形成される。一実施形態では、この波長変換層は、ポリマーマトリクス又はガラスマトリクスと、そのマトリクス内部の蛍光体粒子（例えば、そのサイズに起因するルミネセンスを呈する量子ドット、及び、その組成に起因するルミネセンスを呈する粒子）の分散とを含む。この方式で、改善された色域を有する、色スペクトル内の特定の色に、発光を正確に調整することができる。更には、本発明の実施形態に係わるマイクロＬＥＤデバイスの組み込みを使用することにより、照明用途及びディスプレイ用途の双方に関して、ウェハベースのＬＥＤデバイスの性能、効率、及び信頼性と、薄膜電子装置の高収率、低コスト、混合材料とを、組み合わせることができる。本発明の一部の実施形態で利用することが可能な、例示的なマイクロＬＥＤデバイスが、米国特許第８，４２６，２２７号、米国公開第２０１３／０１２６０８１号、米国特許出願第１３／４５８，９３２号、同第１３／７１１，５５４号、及び同第１３／７４９，６４７号で説明され、それらの全てが参照により本明細書に組み込まれる。マイクロＬＥＤデバイスは、発光の効率が高く、消費する電力が、対角線１０インチのＬＣＤ又はＯＬＥＤディスプレイに関しては５－１０ワットであることに比較して、極めて小さく（例えば、対角線１０インチのディスプレイに関しては２５０ｍＷ）、このマイクロＬＥＤデバイス及び波長変換層を組み込む例示的なディスプレイパネルの、電力消費の低減を可能にする。）

「[0055] In another aspect, embodiments of the invention describe a redundancy scheme in which a plurality of bonding sites are available for bonding a plurality of micro LED devices within each subpixel, for example, within each bank opening for a subpixel. In an embodiment, the redundancy scheme includes bonding layers (e.g. indium posts) at a pair of bonding sites (or more) within a bank opening, with each bonding layer designed to receive a separate micro LED device. In an embodiment, the redundancy scheme can also include a repair bonding site within the bank opening that is large enough to receive a micro LED device. The repair bonding site may also optionally include a bonding layer. In this manner, in an embodiment, each bank opening may correspond to a single emission color of a subpixel, and receives a plurality of micro LED devices of the emission color. If one of the micro LED devices of a pair of micro LED devices mounted within a subpixel is defective, then the other micro LED device compensates for the defective micro LED device. In addition, the repair bonding site may be used to bond an additional micro LED device if desired. In one embodiment, a redundancy and repair configuration is integrated into a backplane structure which can improve emission uniformity across the display panel without having to alter the underlying thin film transistor (TFT) architecture already incorporated in conventional active matrix organic light emitting diode (AMOLED) displays. Thus, embodiments of the invention may be compatible with conventional TFT backplane technology of AMOLED displays where the micro LED devices replace the organic emission layers of AMOLED display technology.」

（日本語訳：

［００５５］ 別の態様では、本発明の実施形態は、各サブピクセル内部、例えば、サブピクセルに関する各バンク開口部の内部で、複数のマイクロＬＥＤデバイスを接合するために、複数の接合部位が利用可能である、冗長スキームを説明する。一実施形態では、この冗長スキームは、バンク開口部の内部の一対の（又は、それ以上の）接合部位に、接合層（例えば、インジウム柱）を含み、各接合層は、別個のマイクロＬＥＤデバイスを受容するように設計される。一実施形態では、この冗長スキームはまた、マイクロＬＥＤデバイスを受容するために十分に大きい、バンク開口部の内部の修復接合部位も含み得る。この修復接合部位もまた、任意選択的に、接合層を含み得る。この方式で、一実施形態では、各バンク開口部は、サブピクセルの単一の発光色に対応し得るものであり、その発光色の複数のマイクロＬＥＤデバイスを受容する。サブピクセルの内部に実装された一対のマイクロＬＥＤデバイスのうちの、一方のマイクロＬＥＤデバイスに欠陥がある場合には、他方のマイクロＬＥＤデバイスが、その欠陥マイクロＬＥＤデバイスを補う。更には、必要に応じて、修復接合部位を使用することにより、更なるマイクロＬＥＤデバイスを接合することもできる。一実施形態では、冗長性及び修復構成は、バックプレーン構造体内に統合され、このことにより、従来のアクティブマトリクス型有機発光ダイオード（ＡＭＯＬＥＤ）ディスプレイ内に既に組み込まれている、下層の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アーキテクチャを変更することを必要とせずに、ディスプレイパネル全域にわたる発光の均一性を改善することができる。それゆえ、本発明の実施形態は、ＡＭＯＬＥＤディスプレイの従来のＴＦＴバックプレーン技術に対応し得るものであり、マイクロＬＥＤデバイスが、ＡＭＯＬＥＤディスプレイ技術の有機発光層に置き換わる。）

「[0058] Referring now to FIGS. 1A-1D schematic top and side-view illustrations are provided of an active matrix display panel in accordance with an embodiment of the invention. In such an embodiment, the underlying TFT substrate 102 can be similar to those in a typical AMOLED backplane including working circuitry (e.g. Tl, T2). Referring to FIG. 1A, panel 100 may generally include a pixel area 104 including pixels 106 and subpixels 108 arranged in a matrix, and working circuitry connected to each subpixel for driving and switching the subpixels. The non-pixel area generally includes a data driver circuit 109 connected to a data line of each subpixel to enable data signals (Vdata) to be transmitted to the subpixels, a scan driver circuit 112 connected to scan lines of the subpixels to enable scan signals (Vscan) to be transmitted to the subpixels, a power supply line 114 to transmit a power signal (Vdd) to the TFTs, and a ground ring 116 to transmit a ground signal (Vss) to the array of subpixels. As shown, the data driver circuit, scan driver circuit, power supply line, and ground ring are all connected to a flexible circuit board (FCB) 113 which includes a power source for supplying power to the power supply line 114 and a power source ground line electrically connected to the ground ring 116. In accordance with embodiments of the invention, each of the subpixels 108 may be individually addressed with the corresponding underlying TFT circuitry while a uniform ground signal is supplied to the top of the pixel area 104.」

（日本語訳：

［００５８］ ここで図１Ａ－図１Ｄを参照すると、本発明の一実施形態に係わる、アクティブマトリクス型ディスプレイパネルの概略上面図及び概略側面図が提供される。そのような実施形態では、下層のＴＦＴ基板１０２は、作動回路機構（例えば、Ｔ１、Ｔ２）を含む、典型的なＡＭＯＬＥＤバックプレーン内のものと同様とすることができる。図１Ａを参照すると、パネル１００は、マトリクスとして配置構成された、ピクセル１０６及びサブピクセル１０８と、それらのサブピクセルを駆動及び切り替えるための、各サブピクセルに接続された作動回路機構とを含む、ピクセル区域１０４を、一般的に含む。非ピクセル区域は、各サブピクセルのデータ線に接続されることにより、データ信号（Ｖｄａｔａ）をサブピクセルに送信することを可能にする、データ駆動回路１０９と、サブピクセルの走査線に接続されることにより、走査信号（Ｖｓｃａｎ）をサブピクセルに送信することを可能にする、走査駆動回路１１２と、電力信号（Ｖｄｄ）をＴＦＴに送信するための電力供給線１１４と、接地信号（Ｖｓｓ）をサブピクセルのアレイに送信するための接地リング１１６とを、一般的に含む。図示のように、データ駆動回路、走査駆動回路、電力供給線、及び接地リングは全て、フレキシブル回路基板（ＦＣＢ）１１３に接続されており、このフレキシブル回路基板１１３は、電力供給線１１４に電力を供給するための電源、及び接地リング１１６に電気的に接続された電源接地線を含む。本発明の実施形態によれば、サブピクセル１０８のそれぞれは、対応する下層のＴＦＴ回路機構で個別にアドレスすることができ、その一方で、均一な接地信号が、ピクセル区域１０４の上部に供給される。）

「［0070］FIG. 1C is a schematic side-view illustration of the active matrix display panel of FIG. 1A taken along lines X-X and Y-Y after the transfer of a pair of micro LED devices 400 in accordance with an embodiment of the invention. The micro LED devices 400 can be transferred and bonded to the substrate 102 as part of an array of micro LED devices 400 using a variety of techniques including a transfer bonding process, transfer using elastomeric stamps, or transfer and bonding using an electrostatic transfer head array, as described in any of U.S. Patent No. 8,333,860, U.S. Patent No 8,349,116, U.S. Patent No. 8,415,771, U.S. Patent No. 8,415,767, or U.S. Patent No. 8,415,768. In the following embodiments, description is made with regard to a specific vertical micro LED device 400 structures. It is to be appreciated, that the specific micro LED devices 400 illustrated is exemplary and that embodiments of the invention are not limited. For example, embodiments of the invention may also be practiced with LED devices that are not vertical LED devices. In the particular embodiment illustrated, the micro LED devices 400 include a micro p-n diode between a bottom contact 404 and top contact 402. In an embodiment, the micro p-n diode is several microns thick, such as 30 μｍ or less, or even 5μｍ or less, with the top and bottom contacts 404, 402 being 0.1 μｍ - 2 μｍ thick. The micro p-n diode may include a n-doped layer 409, a p-doped layer 405, and one or more quantum well layers 416 between the n-doped layer and p-doped layer. In the particular embodiment illustrated in FIG. 1C the n-doped layer 409 is illustrated as being above the p-doped layer 405. Alternatively, the p-doped layer 405 may be above the n-doped layer 409. The micro LED devices 400 may have straight or tapered sidewalls 406 (from top to bottom). The top and bottom contacts 402, 404 may include one or more layers and can be formed of a variety of electrically conducting materials including metals, conductive oxides, and conductive polymers. The top and bottom contacts 402, 404 may be transparent or semi-transparent to the visible wavelength spectrum (e.g. 380 nm - 750 nm) or opaque. The top and bottom contacts 402, 404 may optionally include a reflective layer, such as a silver layer. In an embodiment, a conformal dielectric barrier layer 407 may optionally be formed along the sidewalls 406 of the p-n diode to electrically passivate the quantum well 416, and optionally along the top or bottom surface of the micro p-n diode. The conformal dielectric barrier layer 407 may be thinner than the p-n diode so that it forms an outline of the topography of the p-n diode it is formed on. For example, the conformal dielectric barrier layer 407 may be approximately 50-600 angstroms thick aluminum oxide. A bonding layer 414 may be positioned between the micro LED device 400 and the reflective bank layer 142 to facilitate bonding of the bottom contact 404 of micro LED device 400 to the reflective bank layer 142, or other intervening layer. In an embodiment, bonding layer 414 includes a material such as indium, gold, silver, molybdenum, tin, aluminum, silicon, or an alloy or alloys thereof. Bonding layer 414 may be an alloy or intermetallic compound of a micro device bonding layer and a bonding layer 140.」

（日本語訳：

［００７０］ 図１Ｃは、本発明の一実施形態に係わる、一対のマイクロＬＥＤデバイス４００の転写の後の、図１Ａのアクティブマトリクス型ディスプレイパネルの、線Ｘ－Ｘ及び線Ｙ－Ｙに沿った概略側面図である。マイクロＬＥＤデバイス４００は、米国特許第８，３３３，８６０号、同第８，３４９，１１６号、同第８，４１５，７７１号、同第８，４１５，７６７号、又は同第８，４１５，７６８号のいずれかで説明されるように、転写接合プロセス、弾性スタンプを使用する転写、あるいは静電転写ヘッドアレイを使用する転写及び接合を含めた、様々な技術を使用して、マイクロＬＥＤデバイス４００のアレイの一部として、基板１０２に転写及び接合することができる。以下の実施形態では、特定の垂直型マイクロＬＥＤデバイス４００の構造体に関連して、説明がなされる。図示の特定のマイクロＬＥＤデバイス４００は例示的なものであり、本発明の実施形態が限定されるものではないことを理解されたい。例えば、本発明の実施形態はまた、垂直型ＬＥＤデバイスではないＬＥＤデバイスでも実践することができる。図示の特定の実施形態では、マイクロＬＥＤデバイス４００は、底部接点４０４と上部接点４０２との間に、マイクロｐ－ｎダイオードを含む。一実施形態では、このマイクロｐ－ｎダイオードは、３０μｍ以下、又は更に５μｍ以下などの、数マイクロメートルの厚さであり、上部接点４０２及び底部接点４０４は、厚さ０．１μｍ－２μｍである。このマイクロｐ－ｎダイオードは、ｎ型ドープ層４０９、ｐ型ドープ層４０５、及びｎ型ドープ層とｐ型ドープ層との間の１つ以上の量子井戸層４１６を含み得る。図１Ｃに示される特定の実施形態では、ｎ型ドープ層４０９は、ｐ型ドープ層４０５の上方に存在するように示されている。あるいは、ｐ型ドープ層４０５が、ｎ型ドープ層４０９の上方に存在する場合もある。マイクロＬＥＤデバイス４００は、（上部から底部への）直線状又はテーパ状の側壁４０６を有し得る。上部接点４０２及び底部接点４０４は、１つ以上の層を含み得るものであり、金属、導電性酸化物、及び導電性ポリマーを含めた、様々な導電材料で形成することができる。上部接点４０２及び底部接点４０４は、可視波長スペクトル（例えば、３８０ｎｍ－７５０ｎｍ）に対して透明若しくは半透明、又は不透明とすることができる。上部接点４０２及び底部接点４０４は、任意選択的に、銀層などの反射層を含み得る。一実施形態では、量子井戸４１６を電気的に不活性化するために、ｐ－ｎダイオードの側壁４０６に沿って、及び任意選択的に、マイクロｐ－ｎダイオードの上面若しくは底面に沿って、共形誘電バリア層４０７を、任意選択的に形成することができる。共形誘電バリア層４０７は、その共形誘電バリア層４０７が上に形成されるｐ－ｎダイオードの、トポグラフィの外形を形成するように、ｐ－ｎダイオードよりも薄いものとすることができる。例えば、共形誘電バリア層４０７は、厚さ約５０－６００オングストロームの酸化アルミニウムとすることができる。マイクロＬＥＤデバイス４００と反射バンク層１４２との間に、接合層４１４を位置決めすることにより、反射バンク層１４２又は他の介在層への、マイクロＬＥＤデバイス４００の底部接点４０４の接合を容易にすることができる。一実施形態では、接合層４１４は、インジウム、金、銀、モリブデン、スズ、アルミニウム、シリコン、又はそれらの合金などの材料を含む。接合層４１４は、マイクロデバイス接合層と接合層１４０との、合金又は金属間化合物とすることができる。）

「[0076] In practical application, it is not expected to always achieve 100% transfer success of the micro LED devices 400 from a carrier substrate to the display substrate 102, and with no defective, missing, or contaminated micro LED devices. In accordance with embodiments of the invention, micro LED devices may be of 1 to 100 μｍ in scale, for example, having a maximum width of approximately 20 μｍ, 10 μｍ, or 5μｍ. Such micro LED devices are fabricated so that they are poised for pick up from a carrier substrate and transfer to the display substrate, for example, using an array of electrostatic transfer heads. Defective micro LED devices may result from a variety of reasons, such as contamination, stress fractures, and shorting between conductive layers. Micro LED devices also may not be picked up during the transfer operation due to a variety of reasons, such as non-planarity of the carrier substrate, contamination (e.g. particulates), or irregular adhesion of the micro LED devices to the carrier substrate. After the micro LED device 400 transfer operations are completed, testing can be performed to detect defective, missing, or contaminated micro LED devices and determine if any repair operations need to be performed.」

（日本語訳：

［００７６］ 実際の適用例では、キャリア基板からディスプレイ基板１０２への、マイクロＬＥＤデバイス４００の１００％の転写の成功が常に達成され、かつ欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを有しないことは期待できない。本発明の実施形態によれば、マイクロＬＥＤデバイスは、１～１００μｍのスケールのものであり、例えば、約２０μｍ、１０μｍ、又は５μｍの最大幅を有し得る。そのようなマイクロＬＥＤデバイスは、例えば静電転写ヘッドアレイを使用する、キャリア基板からのピックアップ及びディスプレイ基板への転写に関して、準備が整っているように製造される。欠陥マイクロＬＥＤデバイスは、汚染、応力破損、及び導電層間の短絡などの、様々な原因から生じ得る。マイクロＬＥＤデバイスはまた、キャリア基板の非平面性、汚染（例えば、微粒子）、又はキャリア基板に対するマイクロＬＥＤデバイスの不規則な付着などの様々な理由により、転写操作の間にピックアップされない恐れもある。マイクロＬＥＤデバイス４００の転写操作が完了した後、欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを検出して、いずれかの修復操作を実行する必要があるか否かを判定するために、試験を実行することができる。）

「[0077] FIGS. 2C-2D illustrate exemplary applications of placing an additional micro LED device at the repair site after a defective, missing, or contaminated micro LED device is detected. For example, following the transfer and bonding of micro LED devices 400 shown in FIG. 2B the micro LED devices transferred to the display substrate can be inspected. If it is found that a micro LED device 400X is defective or contaminated, a repair micro LED device 400 can then be bonded at the repair site 401 as illustrated in FIG. 2C. Alternatively, it is found that a micro LED device was not transferred to an intended bonding site, a repair micro LED device 400 can then be bonded at the repair site 401 as illustrated in FIG. 2D.」

（日本語訳：

［００７７］ 図２Ｃ、図２Ｄは、欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスが検出された後に、修復部位に更なるマイクロＬＥＤデバイスを定置する、例示的な適用を示す。例えば、図２Ｂに示すマイクロＬＥＤデバイス４００の転写及び接合に続けて、ディスプレイ基板に転写されたそれらのマイクロＬＥＤデバイスを検査することができる。マイクロＬＥＤデバイス４００Ｘに欠陥があるか、又は汚染されていることが判明した場合には、図２Ｃに示されるように、修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合することができる。あるいは、意図された接合部位に、マイクロＬＥＤデバイスが転写されなかったことが判明すると、図２Ｄに示されるように、修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合することができる。）

イ

「［ＦＩＧ．１Ａ］

［図：0001398715000001.jpg］

［ＦＩＧ．２Ｂ］

［図：0001398715000002.jpg］

［ＦＩＧ．２Ｃ］

［図：0001398715000003.jpg］

」

ウ 引用発明

上記ア及びイから、引用文献１には、次の発明が記載されていると認められる。（以下「引用発明」という。なお、括弧内は認定の根拠とした段落番号などを参考までに示す。以下同じ。）

「マイクロＬＥＤデバイスに関し、調整可能な色の発光スペクトルを有するように、基板上にマイクロＬＥＤデバイスを統合する方法であって、（［０００１］）

パネル１００は、マトリクスとして配置構成された、ピクセル１０６及びサブピクセル１０８を含むアクティブマトリクス型ディスプレイパネルを有し、［００５８］

ディスプレイ基板がピクセルのアレイを含み、各ピクセルが、複数のサブピクセルを含み、ピクセル内部の各サブピクセルが、異なる色の発光スペクトル用に設計されており、（［００５１］）

各サブピクセル内部、例えば、サブピクセルに関する各バンク開口部の内部で、複数のマイクロＬＥＤデバイスを接合するために、複数の接合部位が利用可能であり、（［００５５］）

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バンク開口部の内部の修復接合部位も含み、（［００５５］）

各バンク開口部は、サブピクセルの単一の発光色に対応し得るものであり、その発光色の複数のマイクロＬＥＤデバイスを受容し、（［００５５］）

サブピクセルの内部に実装された一対のマイクロＬＥＤデバイスのうちの、一方のマイクロＬＥＤデバイスに欠陥がある場合には、他方のマイクロＬＥＤデバイスが、その欠陥マイクロＬＥＤデバイスを補い、必要に応じて、修復接合部位を使用することにより、更なるマイクロＬＥＤデバイスを接合することもできるものであって、（［００５５］）

マイクロＬＥＤデバイス４００は、底部接点４０４と上部接点４０２との間に、マイクロｐ－ｎダイオードを含み、このマイクロｐ－ｎダイオードは、ｎ型ドープ層４０９、ｐ型ドープ層４０５、及びｎ型ドープ層とｐ型ドープ層との間の１つ以上の量子井戸層４１６を含み、（［００７０］）

マイクロＬＥＤデバイスは、例えば静電転写ヘッドアレイを使用する、キャリア基板からのピックアップ及びディスプレイ基板への転写に関して、準備が整っているように製造され、（［００７６］）

マイクロＬＥＤデバイス４００は、静電転写ヘッドアレイを使用する転写を使用して、マイクロＬＥＤデバイス４００のアレイの一部として、基板１０２に転写及び接合され、［００７０］

キャリア基板からディスプレイ基板１０２への、マイクロＬＥＤデバイス４００の１００％の転写の成功が常に達成され、かつ欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを有しないことは期待できず、欠陥マイクロＬＥＤデバイスは、汚染、応力破損、及び導電層間の短絡などの、様々な原因から生じ、マイクロＬＥＤデバイスはまた、キャリア基板の非平面性、汚染（例えば、微粒子）、又はキャリア基板に対するマイクロＬＥＤデバイスの不規則な付着などの様々な理由により、転写操作の間にピックアップされない恐れもあり、マイクロＬＥＤデバイス４００の転写操作が完了した後、欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを検出して、いずれかの修復操作を実行する必要があるか否かを判定するために、試験を実行し、（［００７６］）

マイクロＬＥＤデバイス４００の転写及び接合に続けて、ディスプレイ基板に転写されたそれらのマイクロＬＥＤデバイスを検査することができ、マイクロＬＥＤデバイス４００Ｘに欠陥があるか、又は汚染されていることが判明した場合には、修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合する、［００７７］

方法。［０００１］」

（２）原査定の拒絶の理由で引用された本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開昭６１－１１１５６１号公報（１９８６年（昭和６１年）５月２９日公開。原査定の「引用文献３」。以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

ア 引用文献２の記載事項

「本発明は不良チップの救済が可能な大規模集積回路（ＬＳＩ）の構造に関する。」（第１頁右下欄第６，７行）

「（ii）ウエハ段階でチップ毎にチップ毎に試験し、不良チップの分布具合でウエハＩＣ用ベースウェハ１と置き換え用ウエハとに分ける。

置き換え用ウエハはスクライブして、良品チップのみを取り出して不良置き換え用チップ８とする。」（第３頁左上欄第９～１４行）

イ 引用文献２に記載された技術的事項について

上記アから、引用文献２には、次の技術的事項が記載されていると認められる。

「試験された良品チップを不良置き換え用チップとすること。」

（３）本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００４－３９９３８号公報（２００４年（平成１６年）２月５日公開。以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

イ 引用文献３に記載された技術的事項について

上記アから、引用文献３には、次の技術的事項が記載されていると認められる。

「画像表示装置の製造方法において、性能検査を行った発光素子が不良品であると判明した際に、新たな良品の樹脂チップ（リペアチップ）を実装すること。」

（４）本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００６－３１３８２５号公報（２００６年（平成１８年）１１月１６日公開。以下「引用文献４」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

イ 引用文献４に記載された技術的事項について

上記アから、引用文献４には、次の技術的事項が記載されていると認められる。

「複数の発光素子を配列実装した表示装置において、欠陥ＬＥＤに代わる正常な発光を行うＬＥＤを再実装する簡単なプロセスがない問題点を解決するために、発光しない発光素子の直上に発光可能な修復用発光素子を配置すること。」

（５）本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００３－３２４１５４号公報（２００３年（平成１５年）１１月１４日公開。以下「引用文献５」という。）には、図面とともに、次の記載がある。

イ 引用文献５に記載された技術的事項について

上記アから、引用文献５には、次の技術的事項が記載されていると認められる。

「半導体集積回路において、複数の半導体集積回路チップを１チップ化するためにチップサイズが大きくなり、特にウエハ状態で検査する際に、故障が発生した半導体集積回路装置は不良と判断され廃棄されるため、歩留りが低下するという問題を解決するために、ウエハ状態で検査し、故障が発生しておらず良品判定された半導体集積回路チップ２００を、故障３００が発生した機能ブロック１３０と置きかえること。」

６ 対比

本願発明と引用発明を対比する。

（１）本願発明の「複数のピクセルを含み、各ピクセルは複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルは所与の波長の光を提供するように構成されたディスプレイ素子を製造する方法であって」との特定事項について

ア 引用発明の「ピクセル１０６」及び「サブピクセル１０８」は、「マトリクスとして配置構成された」ことから、それぞれ複数のものであり、本願発明の「複数のピクセル」及び「複数のサブピクセル」に相当する。

イ 引用発明の「各ピクセルが、複数のサブピクセルを含」むことは、本願発明の「各ピクセルは複数のサブピクセルを含み」に相当する。

ウ 引用発明の「各バンク開口部は、サブピクセルの単一の発光色に対応し得るもの」であることは、本願発明の「各サブピクセルは所与の波長の光を提供するように構成」されることに相当する。

エ 引用発明の「アクティブマトリクス型ディスプレイパネル」及び「基板上にマイクロＬＥＤデバイスを統合する方法」は、それぞれ本願発明の「ディスプレイ素子」及び「ディスプレイ素子を製造する方法」に相当する。

オ 上記ア～エから、引用発明は、上記特定事項を満たす。

（２）本願発明の「ピックアップツール（ＰＵＴ）を使用して、第１の配置サイクルを実行することであって」との特定事項について

引用発明の「静電転写ヘッドアレイ」は、「マイクロＬＥＤデバイス」を「キャリア基板からのピックアップ及びディスプレイ基板への転写」をするものであるから、引用発明の「静電転写ヘッドアレイ」及び当該「静電転写ヘッドアレイ」による「キャリア基板からのピックアップ及びディスプレイ基板への転写」は、それぞれ本願発明の「ピックアップツール（ＰＵＴ）」及び「第１の配置サイクル」に相当する。

よって、引用発明は、上記特定事項を満たす。

（３）本願発明の「未テストの複数の第１のＬＥＤダイをピックアップすることであって、各第１のＬＥＤダイは、前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第１のＬＥＤ発光器を備える、前記ピックアップすること」との特定事項について

ア 引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」は、本願発明の「第１のＬＥＤダイ」に相当する。

イ 引用発明の「『マイクロＬＥＤデバイス４００』（本願発明の「第１のＬＥＤダイ」に相当。）において、『キャリア基板からピックアップ』されること」は、本願発明の「ピックアップすること」に相当する。

ウ 引用発明において、上記アの「マイクロＬＥＤデバイス４００」が含む「マイクロｐ－ｎダイオード」は「ｎ型ドープ層４０９、ｐ型ドープ層４０５、及びｎ型ドープ層とｐ型ドープ層との間の１つ以上の量子井戸層４１６を含」ことから、いわゆるＬＥＤ（発光ダイオード）を構成するものである。引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」に含まれる前記「マイクロｐ－ｎダイオード」は、本願発明の「第１のＬＥＤダイ」が備える「少なくとも１つの第１のＬＥＤ発光器」に相当する。

エ 引用発明において「マイクロＬＥＤデバイス４００」に対するテストに関する事項が特定されておらず、本願発明の「複数の第１のＬＥＤダイ」が「未テスト」であることを満たすか不明である。

オ 上記ア～エから、引用発明と本願発明は、「複数の第１のＬＥＤダイをピックアップすることであって、各第１のＬＥＤダイは、前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第１のＬＥＤ発光器を備える、前記ピックアップすること」で共通するが、引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」が「未テスト」であることが不明であることで相違する。

（４）本願発明の「前記複数の第１のＬＥＤダイをディスプレイ基板上の前記ディスプレイ素子の前記複数のピクセルに対応する位置に配置することと、を含む前記第１の配置サイクルを実行すること」との特定事項について

ア 引用発明の「ディスプレイ基板」は、本願発明の「ディスプレイ基板」に相当する。

イ 引用発明における「ディスプレイ基板がピクセルのアレイを含み、各ピクセルが、複数のサブピクセルを含み」、「各サブピクセル内部、例えば、サブピクセルに関する各バンク開口部の内部で、複数のマイクロＬＥＤデバイスを接合」することは、本願発明の「前記複数の第１のＬＥＤダイをディスプレイ基板上の前記ディスプレイ素子の前記複数のピクセルに対応する位置に配置すること」に相当する。その結果として、引用発明は、本願発明の「第１の配置サイクルを実行すること」を有するといえる。

ウ 上記ア及びイから、引用発明は、上記特定事項を満たす。

（５）本願発明の「前記ディスプレイ基板上の複数の第１のＬＥＤ発光器をテストして、非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の１つ以上の位置を決定すること」との特定事項について

ア 引用発明は「マイクロＬＥＤデバイス４００の転写操作が完了した後、欠陥、欠落、又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを検出して、いずれかの修復操作を実行する必要があるか否かを判定するために、試験を実行」することは、「マイクロＬＥＤデバイス４００」に含まれる「マイクロｐ－ｎダイオード」に対する「試験を実行」することを含むものである。

そうすると、引用発明は、本願発明の「前記ディスプレイ基板上の複数の第１のＬＥＤ発光器をテストして」いることを備える。

イ 引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」が「欠陥」、「又は汚染した」ことは、本願発明の「第１のＬＥＤ発光器」が「非機能性」であることに相当する。

ウ 引用発明は「マイクロＬＥＤデバイス４００に欠陥があるか、又は汚染されていることが判明した場合には、修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合する」ことから、引用発明は「欠陥があるか、又は汚染されている」「マイクロＬＥＤデバイス４００」と対応する「修復部位４０１」の位置を特定しているということができ、本願発明の「非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の１つ以上の位置を決定すること」を備える。

エ 上記ア～ウから、引用発明は、上記特定事項を満たす。

（６）本願発明の「前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第２のＬＥＤ発光器をそれぞれ含むテスト済の複数の第２のＬＥＤダイから、前記テストの結果に基づいて１つ以上の第２のＬＥＤダイを選択すること」との特定事項について

ア 引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス」は、本願発明の「第２のＬＥＤダイ」に相当する。

イ 引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス」は、「サブピクセルの単一の発光色に対応」する「バンク開口部」に含まれる「修復部位４０１」に接合されるものであるから、当該「修復マイクロＬＥＤデバイス」は「サブピクセル」を構成するものである。そうすると、引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス」は本願発明の「前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された」ものといえる。

ウ 引用発明の「修復部位４０１」に接合される「修復マイクロＬＥＤデバイス」は「欠陥があるか、又は汚染されている」「マイクロＬＥＤデバイス４００Ｘ」を修復するためのものであって、上記イで示したとおり「サブピクセル」を構成するものであるから、当該「サブピクセル」に配置された「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同じ構造を有するもの、すなわち「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同じ「マイクロｐ－ｎダイオード」を有しているものである。引用発明において「修復マイクロＬＥＤデバイス」の「マイクロｐ－ｎダイオード」は、本願発明の「第２のＬＥＤダイ」に含まれる「第２のＬＥＤ発光器」に相当する。

エ 引用発明において、「修復マイクロＬＥＤデバイス」は「マイクロＬＥＤデバイス４００に欠陥があるか、又は汚染されていることが判明した場合」に用いられるものであるところ、当該「欠陥があるか、又は汚染されていることが判明した場合」が複数あることは当然想定されるものであり、当該場合に用いられる「修復マイクロＬＥＤデバイス」が複数あることは明らかである。

オ 引用発明において「修復マイクロＬＥＤデバイス」が「テスト済み」であるか不明であり、本願発明と相違する。また、前記「テスト済み」であることが不明であることから、引用発明が本願発明の「前記テストの結果に基づいて１つ以上の第２のＬＥＤダイを選択すること」を満たしているか不明である。

カ 上記ア～オから、「複数の第２のＬＥＤダイ」について、引用発明と本願発明は「前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第２のＬＥＤ発光器をそれぞれ含む」ことで共通するが、本願発明の「テスト済」であって「前記テストの結果に基づいて」「選択すること」を引用発明が満たすか不明である。

（７）本願発明の「選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイを、当該第２のＬＥＤダイのピックアップ及び前記ディスプレイ基板上への配置が可能なように構成すること、並びに前記ピックアップツールを使用して、第２の配置サイクルを実行することであって」との特定事項について

ア 引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合する」ことは、本願発明の「第２の配置サイクルを実行すること」に相当する。

さらに、引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は「修復部位４０１に接合」するものであるから「修復部位４０１に接合」可能な構成を当然備えているところ、当該構成は、本願発明の「第２のＬＥＤダイを、」「前記ディスプレイ基板上への配置が可能なように構成すること」に相当する。

イ 引用発明は「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は、上記（６）ウで説示したとおり「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同じ構造を有するものであって、当該「マイクロＬＥＤデバイス４００」は上記（２）で説示したとおり「ピックアップ」されるものであるから、前記「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は、本願発明の「ピックアップ」「が可能なように構成すること」を備える。

ウ 引用発明は、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００を、修復部位４０１に接合する」ものではあるが、「前記ピックアップツールを使用」することは不明である。

エ 上記ア～ウから、本願発明の「第２の配置サイクルを実行すること」について、引用発明と本願発明とは「第２のＬＥＤダイを、当該第２のＬＥＤダイのピックアップ及び前記ディスプレイ基板上への配置が可能なように構成すること」で一致する。

一方で、引用発明は「選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイ」を用いること、及び、「第２の配置サイクル」において「前記ピックアップツールを使用」することが不明である点で相違する。

（８）本願発明の「前記選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイをピックアップすること」との特定事項について

引用発明は、上記（７）ウで示したとおり、本願発明の「第２のＬＥＤダイをピックアップ」について特定されておらず、上記特定事項を満たすか不明である。

（９）本願発明の「前記選択された１つ以上の第２のＬＥＤダイを、前記ディスプレイ基板上の非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の決定された位置に配置することと、を含む前記第２の配置サイクルを実行すること」との特定事項について

上記（５）ウ及び（６）ウでの対比を踏まえると、引用発明は「第２のＬＥＤダイを、前記ディスプレイ基板上の非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の決定された位置に配置することと、を含む前記第２の配置サイクルを実行すること」を備えるが、引用発明の「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」（本願発明の「第２のＬＥＤダイ」に相当。）が、本願発明の「前記選択された１つ以上の」ものであるのか不明であることで両発明は相違する。

（１０）一致点及び相違点の認定

上記（１）～（９）から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。

＜一致点＞

「複数のピクセルを含み、各ピクセルは複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルは所与の波長の光を提供するように構成されたディスプレイ素子を製造する方法であって、

ピックアップツール（ＰＵＴ）を使用して、第１の配置サイクルを実行することであって、

複数の第１のＬＥＤダイをピックアップすることであって、各第１のＬＥＤダイは、前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第１のＬＥＤ発光器を備える、前記ピックアップすることと、

前記複数の第１のＬＥＤダイをディスプレイ基板上の前記ディスプレイ素子の前記複数のピクセルに対応する位置に配置することと、を含む前記第１の配置サイクルを実行すること、

前記ディスプレイ基板上の複数の第１のＬＥＤ発光器をテストして、非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の１つ以上の位置を決定すること、

前記ディスプレイ素子の前記複数のサブピクセルのうちの１つを提供するように構成された少なくとも１つの第２のＬＥＤ発光器をそれぞれ含む複数の第２のＬＥＤダイを用いること、

第２のＬＥＤダイを、当該第２のＬＥＤダイのピックアップ及び前記ディスプレイ基板上への配置が可能なように構成すること、

第２の配置サイクルを実行することであって、

第２のＬＥＤダイを、前記ディスプレイ基板上の非機能性の複数の第１のＬＥＤ発光器の決定された位置に配置することと、を含む前記第２の配置サイクルを実行すること、を備える方法。」

＜相違点１＞

「複数の第１のＬＥＤダイ」について、本願発明は「未テスト」であるのに対して、引用発明は「テスト」の有無が不明である点。

＜相違点２＞

「第２のＬＥＤダイ」について、本願発明は、「テスト済の複数の第２のＬＥＤダイから、前記テストの結果に基づいて」「選択」したものであるのに対して、引用発明は「テスト」の有無が不明である点。

＜相違点３＞

「第２のＬＥＤダイ」について、本願発明は「前記ピックアップツールを使用して」、「ピックアップ」されるのに対して、引用発明はそのようなものか明らかではない点。

７ 判断

（１）相違点１について

引用発明において、「汚染、応力破損、及び導電層間の短絡などの、様々な原因から生じ」る「欠陥マイクロＬＥＤデバイス」や、「汚染したマイクロＬＥＤデバイス」について、「マイクロＬＥＤデバイス４００の転写操作が完了した後、欠陥」「又は汚染したマイクロＬＥＤデバイスを検出して、いずれかの修復操作を実行する必要があるか否かを判定するために、試験を実行」しているところ、「転写操作」より前において、「欠陥マイクロＬＥＤデバイス」や、「汚染したマイクロＬＥＤデバイス」を「検出」する「試験」は行われていないと認められる。

そうすると、引用発明の「マイクロＬＥＤデバイス４００」は、本願発明の「未テスト」のものに相当し、上記相違点１は実質的なものではない。

仮に、そうでないとしても、引用発明において、「転写操作」後に実行される「試験」に関して、「転写操作」前に行うことを省略し、転写前の「マイクロＬＥＤデバイス４００」を「未テスト」のものとすることは当業者が容易に想到しうるものである。

（２）相違点２について

引用文献３に記載された技術的事項（４（３）イ）において、「新たな良品の樹脂チップ（リペアチップ）」は試験によって「良品」と判断されたものであることは明らかである。また、引用文献４に記載された技術的事項（４（４）イ）において、「発光可能な修復用発光素子」は、試験によって「発光可能」であると判断されたものであることは明らかである。また、試験により良品と判定されたチップを不良チップの置き換えのチップとして用いることは、引用文献２及び５にも開示されたものである。（引用文献２及び５に記載された技術的事項（４（２）イ及び４（２）オ）参照。）

そうすると、引用文献２～５に記載された技術的事項から、半導体素子を用いた装置の製造方法において、不良品の半導体素子に代えて修復用半導体素子を用いる際に、当該修復用半導体素子として試験により良品と判断されたものを選択して用いることは周知技術であると認められる。

引用発明において、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」が不良品ならば修復が行えない問題が生じることは自明であり、上記周知技術に基づいて、前記「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」として試験を行って良品と判断されたものを選択して用い、上記相違点２に係る発明の構成をなすことは、当業者が容易に想到しうるものである。

（３）相違点３について

引用発明において、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は、「ピックアップ」されて「ディスプレイ基板」上に接合される「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同じ構造を有しているといえる。したがって、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同様に、本願発明の「ピックアップ」「が可能なように構成すること」を備え、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同様に「静電転写ヘッドアレイを使用する転写」により「ディスプレイ基板」上に接合されるものと認められ、上記相違点３は実質的なものではない。

仮に、そうでないとしても、引用発明において、「修復マイクロＬＥＤデバイス４００」は「マイクロＬＥＤデバイス４００」と同様に「静電転写ヘッドアレイを使用する転写」することは当業者が容易に想到しうるものである。

（４）本願発明の効果について

上記相違点１～３を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。

（５）請求人の主張について

審判請求書において請求人は、原査定の引用文献３（当審注：当審決の引用文献２）は「不良チップを、良品であることが確認されたチップと交換することは合理的であり、一般に行われている。しかしながら引用文献３は、単に不良チップの上に修理チップを接合することに関するものであり、本願発明のようにピックアップツールを用いて、第１及び第２の配置サイクルを実行することについては、何ら記載も示唆もない」ことから本願発明の構成が想到容易になることはない旨を主張している。

しかし、上記主張における「本願発明のようにピックアップツールを用いて、第１及び第２の配置サイクルを実行すること」は、引用発明に含まれるか、容易に想到しうる事項であるから、当該事項が原査定の引用文献３に記載されていないことは、進歩性の判断を左右するものではない。

そして、原査定において原査定の引用文献３は周知技術を示す文献として引用されているところ、上記７（２）で示したとおり当該周知技術の認定に問題は見られない。

よって、上記請求人による主張は採用できない。

（６）まとめ

よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。

８ むすび

以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。

よって、結論のとおり審決する。