2016-011053

特願２０１３－５３０８３８「波長変換型発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月　５日国際公開、ＷＯ２０１２／０４２４５２、平成２５年１０月１７日国内公表、特表２０１３－５３９２２９〕について、次のとおり審決する。

【結　論】 本件審判の請求は、成り立たない。

【理　由】 第１　手続の経緯 本願は、２０１１年９月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年９月２９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年４月３日に特許請求の範囲が補正され、平成２７年４月８日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１４日に明細書及び特許請求の範囲が補正され、平成２８年３月２３日付けで拒絶査定がされ、これに対して、同年７月２２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に特許請求の範囲が補正されたものである。 第２　補正却下の決定 ［補正却下の決定の結論］ 平成２８年７月２２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 ［理由］ １　本件補正の内容 本件補正は、特許請求の範囲の請求項１７を 「第１のピーク波長を有する第１の光を放射することが可能な半導体発光デバイス； 前記第１の光を吸収して第２のピーク波長を有する第２の光を放射することが可能な半導体波長変換素子であり： 前記第２のピーク波長は赤色であり、 該半導体波長変換素子は、少なくとも１つのエピタキシャル成長された半導体層を含み、 該半導体波長変換素子は、前記半導体発光デバイスによって放射された光の経路内に配置され；且つ 該半導体波長変換素子は、半導体波長変換材料の少なくとも２つの第１領域と、該少なくとも２つの第１領域間に配置された、半導体波長変換材料を有しない少なくとも１つの第２領域とを含むようにパターニングされている 半導体波長変換素子；及び 前記少なくとも１つの第２領域内に配置された波長変換素子であり、前記第１の光を吸収して第３のピーク波長を有する第３の光を放射することが可能な波長変換素子； を有する構造体。」 に補正することを含むものであって、「半導体波長変換素子」に関し、「少なくとも１つのエピタキシャル成長された半導体層を含み、」と限定するものであり、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１７に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。 ２　引用例 原査定の拒絶理由に引用された国際公開第２００９／１３１６２７号（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（日本語訳及び下線は、当審による。）。 ア　「[0002] This invention relates to semiconductor light emitting devices and methods of fabricating semiconductor light emitting devices, and more particularly to semiconductor light emitting devices including wavelength conversion materials and methods of forming the same.」 （【０００２】　本発明は、半導体発光素子および半導体発光素子を作成する方法に関し、詳細には、波長変換材料を含む半導体発光素子およびこれを形成する方法に関する。） イ　「[0081] Figures 4A and 4B illustrate further embodiments in which phosphor- containing regions are spaced apart laterally across a surface of an LED structure 100, rather than vertically. For example, as shown in Figure 4A, a plurality of first and second discrete phosphor-containing regions 150, 160 are provided on an LED structure 100, for example using the techniques described herein. The discrete phosphor-containing regions 150, 160 can include different types of phosphors and/or phosphors having different doping levels that are configured to emit different colors of light when stimulated by light within their respective excitation regions. [0082] The first discrete phosphor-containing regions 150 can be configured to emit longer wavelength light, such as red light, in response to blue or UV light emitted by the LED structure 100, while the second discrete phosphor-containing regions 160 can be configured to emit shorter wavelength light, such as green/yellow light, in response to blue or UV light emitted by the LED structure 100. [0083] As illustrated in Figures 4A and 4B, the first and second discrete phosphor-containing regions 150, 160 can be disposed on a surface 100A of the LED structure 100 in an alternating manner.However, in some embodiments, two discrete phosphor-containing regions of the same type can be disposed adjacent one another and may abut or be spaced apart from one another as shown in Figure 4A.」 （【００８１】　図４Ａおよび図４Ｂは、蛍光体含有領域が垂直ではなくＬＥＤ構造１００の表面を横切って水平に間隔を開けて配置されている他の諸実施形態を示している。たとえば、図４Ａに示されている通り、たとえば、本明細書に記載されている技法を使用して、ＬＥＤ構造１００上に複数の第１および第２の個別蛍光体含有領域１５０、１６０が設けられている。個別蛍光体含有領域１５０、１６０は、それぞれの励起領域内の光によって刺激されたときに種々の色の光を放出するように構成された、種々のタイプの蛍光体、または種々のドーピング・レベルを有する蛍光体、あるいはその両方を含むことができる。 【００８２】　第１の個別蛍光体含有領域１５０は、ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して、赤色光などのより長い波長の光を放出するように構成することができ、第２の個別蛍光体含有領域１６０は、ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して、緑色／黄色光などのより短い波長の光を放出するように構成することができる。 【００８３】 図４Ａおよび図４Ｂに示されている通り、第１および第２の個別蛍光体含有領域１５０、１６０は、交互にＬＥＤ構造１００の表面１００Ａ上に配置することができる。しかし、いくつかの諸実施形態では、同じタイプの２つの個別蛍光体含有領域は、相互に隣接して配置することができ、相互に境を接するか、または図４Ａに示されているように相互に間隔を空けて配置することができる。） ウ　図４Ａは、以下のものである。 上記によれば、引用例には、 「ＬＥＤ構造１００上に複数の第１および第２の個別蛍光体含有領域１５０、１６０が設けられている、波長変換材料を含む半導体発光素子であって、 個別蛍光体含有領域１５０、１６０は、それぞれの励起領域内の光によって刺激されたときに種々の色の光を放出するように構成された、種々のタイプの蛍光体、または種々のドーピング・レベルを有する蛍光体、あるいはその両方を含むことができ、 第１の個別蛍光体含有領域１５０は、ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して、赤色光などのより長い波長の光を放出するように構成され、 第２の個別蛍光体含有領域１６０は、ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して、緑色／黄色光などのより短い波長の光を放出するように構成され、 第１および第２の個別蛍光体含有領域１５０、１６０は、相互に間隔を空けて交互にＬＥＤ構造１００の表面１００Ａ上に配置されている 半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 ３　対比 本願補正発明と引用発明を対比する。 （１）引用発明の「ＬＥＤ構造１００」は、「青色光または紫外光」を「放出」するものであるから、本願補正発明の「第１のピーク波長を有する第１の光を放射することが可能な半導体発光デバイス」に相当する。 （２）引用発明の「第１の個別蛍光体含有領域１５０」は、「ＬＥＤ構造１００上に…設けられ」、「ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して」、「赤色光…を放出するように構成され」ているから、本願補正発明の「半導体波長変換素子」と、「前記第１の光を吸収して第２のピーク波長を有する第２の光を放射することが可能な波長変換素子であり：前記第２のピーク波長は赤色であり、前記半導体発光デバイスによって放射された光の経路内に配置されている、波長変換素子」の点で一致する。 （３）引用発明において、「第１および第２の個別蛍光体含有領域１５０、１６０は、相互に間隔を空けて交互にＬＥＤ構造１００の表面１００Ａ上に配置されている」から、引用発明の「第１の個別蛍光体含有領域１５０」は、（第１の個別蛍光体含有領域１５０の）波長変換材料が設けられている領域の間に（第１の個別蛍光体含有領域１５０の）波長変換材料を有しない領域を含むようにパターニングされているものと認められるところであり、本願補正発明の「半導体波長変換素子」と、「該波長変換素子は、波長変換材料の少なくとも２つの第１領域と、該少なくとも２つの第１領域間に配置された、波長変換材料を有しない少なくとも１つの第２領域とを含むようにパターニングされている」点で一致する。 （４）引用発明の「第２の個別蛍光体含有領域１６０」は、「ＬＥＤ構造１００によって放出された青色光または紫外光に応答して、緑色／黄色光などのより短い波長の光を放出するように構成」され、また、「（第１の個別蛍光体含有領域１５０と）交互にＬＥＤ構造１００の表面１００Ａ上に配置されている」ものであるから、本願補正発明の「前記少なくとも１つの第２領域内に配置された波長変換素子であり、前記第１の光を吸収して第３のピーク波長を有する第３の光を放射することが可能な波長変換素子」に相当する。 （５）引用発明の「半導体発光素子」は、本願補正発明でいう「構造体」といえる。 （６）以上より、両者は、 「第１のピーク波長を有する第１の光を放射することが可能な半導体発光デバイス； 前記第１の光を吸収して第２のピーク波長を有する第２の光を放射することが可能な波長変換素子であり： 前記第２のピーク波長は赤色であり、 該波長変換素子は、前記半導体発光デバイスによって放射された光の経路内に配置され；且つ 該波長変換素子は、波長変換材料の少なくとも２つの第１領域と、該少なくとも２つの第１領域間に配置された、波長変換材料を有しない少なくとも１つの第２領域とを含むようにパターニングされている 波長変換素子；及び 前記少なくとも１つの第２領域内に配置された波長変換素子であり、前記第１の光を吸収して第３のピーク波長を有する第３の光を放射することが可能な波長変換素子； を有する構造体。」の点で一致する。 （７）一方、両者は、次の点で相違する。 本願補正発明では、「第２の光を放射することが可能な波長変換素子」が「少なくとも１つのエピタキシャル成長された半導体層を含」む「半導体波長変換素子」とされているのに対し、 引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」がこのようなものとはされていない点。 ４　判断 上記相違点について検討する。 （１）引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」の組成や形成方法は、当業者が引用発明を実施する際に，公知のものから適宜選択し得るものであるところ、「青色光または紫外光に応答して」、「赤色光を放出するように構成され」ている「波長変換素子」として、「エピタキシャル成長された半導体層を含」む「半導体波長変換素子」は、例えば、特開２００３－７８１６５号公報（以下「公知文献１」という。）に記載されているように、本願の優先日時点で公知である。 公知文献１には、以下の記載がある。 「【請求項５】 シリコン基板と、該シリコン基板表面からエピタキシャル成長した炭化ケイ素結晶からなる中間層と、該中間層表面からエピタキシャル成長した１３族元素窒化物発光ダイオード層と、該１３族元素窒化物発光ダイオード層表面からエピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶蛍光体層とを備え、該酸化亜鉛結晶蛍光体層として、青色蛍光体層、緑色蛍光体層及び赤色蛍光体層のうちの少なくとも緑色蛍光体層及び赤色蛍光体層を、該１３族元素窒化物発光ダイオード層の表面の異なる領域に別々に備えることを特徴とする発光素子。 【請求項６】 上記１３族元素窒化物発光ダイオード層は紫外線を中心波長とする光を放出できる請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の発光素子。 【請求項７】 上記１３族元素窒化物発光ダイオード層は青色を中心波長とする光を放出できる請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の発光素子。」 上記「エピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶蛍光体層」は、「エピタキシャル成長された半導体層を含」む「半導体波長変換素子」に相当し、「『エピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶』の『赤色蛍光体層』」が、紫外線又は青色の光により励起されて、赤色を発光することが理解できる。 （２）してみると、引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」として、公知文献１に記載された「『エピタキシャル成長した酸化亜鉛結晶』の『赤色蛍光体層』」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。 （３）よって、引用発明において、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者が上記公知文献１の記載に基づいて容易になし得たことである。 ５　小括 したがって、本願補正発明は、当業者が引用発明及び公知文献１の記載に基づいて容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。 よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 第３　本願発明について １　本願発明 本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２７年１０月１４日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載される事項によって特定されるものであるところ、請求項１７に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。 「第１のピーク波長を有する第１の光を放射することが可能な半導体発光デバイス； 前記第１の光を吸収して第２のピーク波長を有する第２の光を放射することが可能な半導体波長変換素子であり： 前記第２のピーク波長は赤色であり、 該半導体波長変換素子は、前記半導体発光デバイスによって放射された光の経路内に配置され；且つ 該半導体波長変換素子は、半導体波長変換材料の少なくとも２つの第１領域と、該少なくとも２つの第１領域間に配置された、半導体波長変換材料を有しない少なくとも１つの第２領域とを含むようにパターニングされている 半導体波長変換素子；及び 前記少なくとも１つの第２領域内に配置された波長変換素子であり、前記第１の光を吸収して第３のピーク波長を有する第３の光を放射することが可能な波長変換素子； を有する構造体。」 ２　引用例 引用例及び引用発明は、上記第２［理由］２のとおりである。 ３　対比 本願発明と引用発明を対比するに、本願発明は、本願補正発明から、「該半導体波長変換素子は、少なくとも１つのエピタキシャル成長された半導体層を含み」との事項を省いものであるから、上記第２［理由］３での検討より、両者は、次の点で一致し、また、相違するものと認められる。 すなわち、両者は、 「第１のピーク波長を有する第１の光を放射することが可能な半導体発光デバイス； 前記第１の光を吸収して第２のピーク波長を有する第２の光を放射することが可能な波長変換素子であり： 前記第２のピーク波長は赤色であり、 該波長変換素子は、前記半導体発光デバイスによって放射された光の経路内に配置され；且つ 該波長変換素子は、波長変換材料の少なくとも２つの第１領域と、該少なくとも２つの第１領域間に配置された、波長変換材料を有しない少なくとも１つの第２領域とを含むようにパターニングされている 波長変換素子；及び 前記少なくとも１つの第２領域内に配置された波長変換素子であり、前記第１の光を吸収して第３のピーク波長を有する第３の光を放射することが可能な波長変換素子； を有する構造体。」の点で一致する。 一方、両者は、 本願発明では、「第２の光を放射することが可能な波長変換素子」が「半導体波長変換素子」とされているのに対し、 引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」が「半導体波長変換素子」とはされていない点で相違する。 ４　判断 上記相違点について検討する。 （１）引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」の組成や形成方法は、当業者が引用発明を実施する際に，公知のものから適宜選択し得るものであるところ、「青色光または紫外光に応答して」、「赤色光を放出するように構成され」ている「波長変換素子」として、「半導体波長変換素子」は、例えば、原査定の拒絶理由に引用された特開２００５－２８５８００号公報（以下「公知文献２」という。）に記載されているように、本願の優先日時点で公知である。 公知文献２には、以下の記載がある。 「【００３２】 蛍光体５は、粒径が１μｍ程度以上の従来から用いられている半導体粒子を用いることができるが、粒径がナノメーターサイズの半導体ナノ粒子を用いるのが良い。特に、平均粒子径が１０ｎｍ以下であることが好ましい。粒子径１０ｎｍ以下の半導体ナノ粒子は、ナノ粒子のサイズを変えることで、赤（長波長）から青（短波長）まで様々な発光を示し、バンドギャップより高エネルギーであれば、励起波長に制限がなく、発光寿命が希土類より１０万倍短く、吸収、発光のサイクルを素早く繰り返すので、非常に高い輝度を実現でき、有機色素よりもずっと劣化が少ない（劣化するまでに蛍光として出てくる光子の数は、色素の１０万倍程度とされている）という特徴を有しているため、優れた発光効率を実現でき、かつ長寿命の発光装置を実現できるという特徴を示す。 【００３３】 …… 【００３４】 発光素子３から発せられる励起光の中心波長が４５０ｎｍ以下、特に３８０～４２０ｎｍであることが、高い光出力を得る点で好ましい。また、発光素子３は、半導体材料からなる発光層を備えることが高い外部量子効率の点で好ましい。このような半導体材料としてＺｎＳｅや窒化物半導体（ＧａＮなど）など種々の半導体を挙げることができるが、発光波長が上記波長範囲であれば、特に半導体材料の種類は限定されない。これらの半導体材料を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタシャル成長法などの結晶成長法により、発光素子基板上に半導体材料からなる発光層を有する積層構造を形成したものである。」 上記「半導体ナノ粒子」は、「半導体波長変換素子」に相当し、４５０ｎｍ以下の光により励起されて、赤色を発光することが理解できる。 （２）してみると、引用発明において、「第１の個別蛍光体含有領域１５０」として、上記「赤色を発光する半導体ナノ粒子」を採用することは、当業者が公知文献２の記載に基づいて容易になし得たことである。 （３）よって、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を採用することは、当業者が公知文献２の記載に基づいて容易になし得たことである。 ５　むすび したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び公知文献２の記載に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 よって、結論のとおり審決する。