2025-700036

特許第７５０８４７６号発明「堆積マスク並びに堆積マスクを製造及び使用する方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５０８４７６号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３、８〕、２、４、５、６、７、〔９～１３〕について訂正することを認める。 特許第７５０８４７６号の請求項１～１３に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５０８４７６号（請求項の数１３。以下、「本件特許」という。）は、２０２０年（令和２年）２月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理：２０１９年３月１５日（ＵＳ）米国）を国際出願日とする特許出願（特願２０２１－５５５５９４号）に係るものであって、令和６年６月２１日に設定登録されたものである（特許掲載公報の発行日は、令和６年７月１日である。）。 その後、令和６年１２月２６日に、本件特許の請求項１～１３に係る特許に対して、特許異議申立人である鈴木多香子（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされた。 本件特許異議の申立てにおける手続の経緯は、以下のとおりである。 令和６年１２月２６日提出 特許異議申立書（以下、「申立書」という。） 令和７年 ４月２５日付け 取消理由通知書 ７月２９日提出 意見書、訂正請求書 ８月１９日提出 手続補正書（訂正請求書の補正） ８月２９日付け 通知書（訂正請求があった旨の通知） １０月 ２日提出 意見書（申立人） 第２ 訂正の請求について １ 請求の趣旨及び請求の理由（訂正の内容） 令和７年７月２９日提出の訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求は、本件特許の明細書及び特許請求の範囲を上記訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～１３について訂正することを求めるものであり、その内容は、以下のとおりである。下線は、訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、」 と記載されているのを、 「前記基板の前記中央部分を除去した後で、前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去した後の、」 に訂正する（請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項３、８も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に 「前記マスク層を引張応力により堆積する、請求項１に記載の方法。」 と記載されているのを、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 前記マスク層は引張応力を伴って堆積される、方法。」 に訂正する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に 「前記第２の保護層上にスペーサ層を堆積することと； 前記スペーサ層をスペーサ要素にパターン化することと をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、請求項１に記載の方法。」 と記載されているのを、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 該方法が、 前記第２の保護層上にスペーサ層を堆積することと； 前記スペーサ層をスペーサ要素にパターン化することと をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、方法。」 に訂正する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項５に 「前記マスク層上且つ前記基板開口部中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記基板の前記周辺部分に接触している、請求項１に記載の方法。」 と記載されているのを、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 該方法が、 前記マスク層上且つ前記基板開口部中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記基板の前記周辺部分に接触している、方法。」 に訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項６に 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記基板上に前記マスク層を堆積することが： 前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと； 前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含む、方法。」 と記載されているのを、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積することと； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記第１の保護層上に前記マスク層を堆積することが： 前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと； 前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含み、 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することが： 前記基板開口部において、前記第１の保護層、前記第１の導電性マスク層及び前記絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部にわたって前記第１の保護層の露出部分を除去することと を含む、方法。」 に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項７に 「前記マスク層を通る前記マスク開口部をパターン化することが： 前記第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部を介して、前記第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化することと を含み、少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの交点は前記マスク開口部を形成する、請求項６に記載の方法。」 と記載されているのを、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記基板上に前記マスク層を堆積することが： 前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと； 前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含み、 前記マスク層を通る前記マスク開口部をパターン化することが： 前記第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部を介して、前記第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化することと を含み、少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの交点は前記マスク開口部を形成する、方法。」 に訂正する。 （７）訂正事項７ ア 明細書の段落【００１９】に 「マスク層１０４は、引張応力で形成することができ、これは、マスク層１０４で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる。」 と記載されているのを、 「マスク層１０４は、引張応力を伴って形成することができ、これは、マスク層１０４で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる。」 に訂正する。 イ 明細書の段落【００３４】に 「第１の導電性マスク層２０４、絶縁体マスク層２０６、及び第２の導電性マスク層２０８のそれぞれは、マスク層２０４、２０６、２０８で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる引張応力で形成することができる。」 と記載されているのを、 「第１の導電性マスク層２０４、絶縁体マスク層２０６、及び第２の導電性マスク層２０８のそれぞれは、マスク層２０４、２０６、２０８で形成された堆積マスクの構造的完全性を助けることができる引張応力を伴って形成することができる。」 に訂正する。 ウ 明細書の段落【００６２】に 「上記の方法のさらなる例では、マスク層は引張応力で堆積することができる。」 と記載されているのを、 「上記の方法のさらなる例では、マスク層は引張応力を伴って堆積することができる。」 に訂正する。 （８）一群の請求項について 訂正前の請求項１～５、８について、請求項２～５、８は、請求項１を直接又は間接的に引用するものであり、上記の訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～５、８は、一群の請求項である。そして、本件訂正は、その一群の請求項ごとに請求がされたものである。 訂正前の請求項６～７について、請求項７は、請求項６を引用するものであり、上記の訂正事項５によって記載が訂正される請求項６に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項６～７は、一群の請求項である。そして、本件訂正は、その一群の請求項ごとに請求がされたものである。 訂正事項７に係る訂正は、願書に添付した明細書を訂正するものであるが、いずれも一群の請求項である、訂正前の請求項１～５、８、請求項６～７、請求項９～１３に関係する訂正である。そして、本件訂正は、明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項の全てについて行われている。 （９）別の訂正単位とする求めについて 特許権者は、訂正後の請求項２、４、５についての訂正が認められる場合には、これらの請求項については、一群の請求項の他の請求項とは別途訂正することを求めている。 また、特許権者は、訂正後の請求項７についての訂正が認められる場合には、この請求項については、一群の請求項の他の請求項とは別途訂正することを求めている。 ２ 訂正の適否についての当審における判断 （１）訂正事項１について ア 訂正事項１に係る訂正は、訂正前の請求項１に対して、「前記基板の前記中央部分を除去した後で、」との記載を追加するとともに、訂正前の請求項１における「一部」との記載を「露出部分」とするものである。 イ この訂正は、訂正前の請求項１における「第１の保護層」及び「第２の保護層」の「除去」される「一部」について、「露出部分」に限定するとともに、その「除去」されるタイミングについて、「前記基板の前記中央部分を除去した後」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 ウ 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「訂正前明細書等」という。）には、以下の記載がある。 「図１～図５は、いくつかの実施例による堆積マスクを形成するための処理フローを示している。図１は、基板１００上での層の形成を示している。」（【００１７】） 「図２は、基板１００を通る基板開口部を画定するための基板１００の中央部分の除去を示している。」（【００２３】） 「図３は、スペーサ層１０８のスペーサ要素へのパターン化を示している。」（【００２４】） 「図４は、第２の保護層１０６、マスク層１０４、及び第１の保護層１０２をパターン化して、層１０２、１０４、１０６を通るマスク開口部を形成することを示している。」（【００２５】） 「図５は、第１の保護層１０２及び第２の保護層１０６の露出部分の除去を示している。」（【００２６】） 訂正前明細書等の上記記載によれば、訂正前明細書等には、第１の保護層及び第２の保護層の露出部分を除去すること、また、第１の保護層及び第２の保護層の露出部分の除去が、基板の中央部分の除去の後に行われることが記載されていると認められるから、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について ア 訂正事項２に係る訂正は、訂正前の請求項１を引用する請求項２について、引用形式の記載から独立形式の記載に改める訂正を含むものである。 この訂正は、請求項の記載について、訂正前の引用形式の記載を独立形式の記載に改めるものであるから、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。そして、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ（ア）訂正事項２に係る訂正は、訂正前の請求項２における「前記マスク層を引張応力により堆積する」との記載を、「前記マスク層は引張応力を伴って堆積される」とする訂正を含むものである。 （イ）ａ この訂正は、本件特許に係る外国語特許出願に係る国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面（以下、「原文」という。）の記載に基づいて、誤訳を訂正するものであるから、誤訳の訂正を目的とするものに該当する。 ｂ また、この訂正は、訂正前においては明瞭ではなかった「前記マスク層を引張応力により堆積する」との記載（取消理由通知書の第４の１（１）を参照）が、「前記マスク層は引張応力を伴って堆積される」ことを意味するものであることを明瞭にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 （ウ）ａ 原文の請求項３には、「3. The method of claim 1, wherein the mask layer is deposited with a tensile stress.」との記載があるから、この訂正は、原文に記載した事項の範囲内においてするものである。 ｂ また、訂正前明細書等には、「マスク層１０４の引張応力は、基板１００を通る基板開口部を横切って延在するマスク層１０４の剛性を維持することができる。」（【００２８】）との記載があり、当該記載によれば、マスク層は引張応力を備えており、その引張応力によって、基板開口部を横切って延在するマスク層の剛性を維持できることが理解できる。 そうすると、訂正前明細書等には、マスク層が引張応力を備えた（伴った）状態で堆積されることも記載されていると認められるから、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 （エ）そして、この訂正は、上記（イ）ｂのとおり、訂正前においては明瞭ではなかった記載を明瞭にするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３、４、６について 訂正事項３に係る訂正は、訂正前の請求項１を引用する請求項４について、引用形式の記載から独立形式の記載に改めるものである。 訂正事項４に係る訂正は、訂正前の請求項１を引用する請求項５について、引用形式の記載から独立形式の記載に改めるものである。 訂正事項６に係る訂正は、訂正前の請求項６を引用する請求項７について、引用形式の記載から独立形式の記載に改めるものである。 これらの訂正は、請求項の記載について、訂正前の引用形式の記載を独立形式の記載に改めるものであるから、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。そして、これらの訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項５について ア（ア）訂正事項５に係る訂正は、訂正前の請求項６における「基板上にマスク層を堆積することと；」との記載を、「基板上に第１の保護層を堆積することと； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積することと；」とする訂正を含むものである。 （イ）この訂正は、訂正前の請求項６における「基板上にマスク層を堆積すること」について、「基板上に」、まず、「第１の保護層を堆積」し、次に、その「第１の保護層上にマスク層を堆積」し、さらに、その「マスク層上に第２の保護層を堆積する」ものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 （ウ）訂正前明細書等には、以下の記載がある。 「第１の保護層１０２が基板１００上に堆積される。」（【００１８】） 「マスク層１０４は、第１の保護層１０２上に堆積される。」（【００１９】） 「第２の保護層１０６は、マスク層１０４上に堆積される。」（【００２０】） 訂正前明細書等の上記記載によれば、訂正前明細書等には、基板上に第１の保護層が堆積され、第１の保護層上にマスク層が堆積され、マスク層上に第２の保護層が堆積されることが記載されていると認められるから、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ（ア）訂正事項５に係る訂正は、訂正前の請求項６における「前記基板上に前記マスク層を堆積することが：」との記載を、「前記第１の保護層上に前記マスク層を堆積することが：」とする訂正を含むものである。 この訂正は、訂正前の請求項６においては、「基板上に」「マスク層を堆積する」としていたものを、上記ア（ア）の訂正に伴って、「第１の保護層上に」「マスク層を堆積する」とするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、この訂正は、上記ア（ウ）を踏まえると、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （イ）訂正事項５に係る訂正は、訂正前の請求項６における「前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと；」との記載を、「前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積することと；」とする訂正を含むものである。 この訂正は、訂正前の請求項６においては、「基板上に第１の導電性マスク層を堆積する」としていたものを、上記ア（ア）の訂正に伴って、「第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積する」とするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。 また、訂正前明細書等には、以下の記載がある。 「第１の保護層２０２は、第１の保護層１０２について前述したように、基板２００上に堆積される。」（【００３３】） 「第１の導電性マスク層２０４は、第１の保護層２０２上に堆積される。絶縁体マスク層２０６は、第１の導電性マスク層２０４上に堆積される。第２の導電性マスク層２０８は、絶縁体マスク層２０６上に堆積される。」（【００３４】） 「第２の保護層２１０は、第２の保護層１０６について前述したように、第２の導電性マスク層２０８上に堆積される。」（【００３６】） 訂正前明細書等の上記記載によれば、訂正前明細書等には、第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積することが記載されていると認められるから、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ウ（ア）訂正事項５に係る訂正は、訂正前の請求項６に対して、「前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することが： 前記基板開口部において、前記第１の保護層、前記第１の導電性マスク層及び前記絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部にわたって前記第１の保護層の露出部分を除去することとを含む、」との記載を追加する訂正を含むものである。 （イ）この訂正は、訂正前の請求項６における「マスク層を通るマスク開口部をパターン化すること」について、「前記基板開口部において、前記第１の保護層、前記第１の導電性マスク層及び前記絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化すること」と、「前記基板開口部にわたって前記第１の保護層の露出部分を除去すること」とを含むものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 （ウ）訂正前明細書等には、以下の記載がある。 「図１６Ａ及び図１６Ｂは、第１の保護層２０２、第１の導電性マスク層２０４、及び絶縁体マスク層２０６のパターン化を示している。図１６Ａ及び図１６Ｂのパターン化は、第１の保護層２０２、第１の導電性マスク層２０４、及び絶縁体マスク層２０６を通る断面Ａ－Ａに平行な（且つ断面Ｂ－Ｂに垂直な）方向トレンチを形成する。」（【００４０】） 「図１７Ａ及び図１７Ｂは、裏側処理中に、ＲＩＥなどの乾式異方性エッチングプロセスを使用することによるなど、第１の保護層２０２の露出部分の除去を示している。」（【００４１】） 訂正前明細書等の上記記載によれば、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１７Ａ及び図１７Ｂも考慮すると、訂正前明細書等には、基板開口部において、第１の保護層、第１の導電性マスク層及び絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化すること、基板開口部にわたって第１の保護層の露出部分を除去することが記載されていると認められるから、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項７について 訂正事項７に係る訂正は、上記（２）の訂正事項２による訂正に合わせて、願書に添付した明細書の記載を整合させるものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。また、この訂正は、訂正前明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）独立特許要件について 本件においては、訂正前の全ての請求項１～１３について特許異議の申立てがされているので、請求項１～１３に係る訂正事項１～７について、特許法１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法１２６条７項の独立特許要件は課されない。 ３ まとめ 上記２のとおり、各訂正事項に係る訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号、２号、３号又は４号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項に適合するものである。 また、訂正後の請求項２、４、５、７に係る訂正事項２、３、４、６は、上記２のとおり、いずれも認められるものであるところ、特許権者による別の訂正単位とする求めを踏まえ、結論のとおり、訂正後の請求項〔１、３、８〕、２、４、５、６、７、〔９～１３〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 前記第２で述べたとおり、本件訂正は認められるので、本件特許の請求項１～１３に係る発明は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下、それぞれ「本件発明１」等という。また、本件訂正後の明細書を「本件明細書」という。）。下線は、訂正箇所を示す。 【請求項１】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記基板の前記中央部分を除去した後で、前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有する、 方法。 【請求項２】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 前記マスク層は引張応力を伴って堆積される、方法。 【請求項３】 前記第１の保護層及び前記第２の保護層が、それぞれ独立して銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はタングステン（Ｗ）を含む、請求項１に記載の方法。 【請求項４】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 該方法が、 前記第２の保護層上にスペーサ層を堆積することと； 前記スペーサ層をスペーサ要素にパターン化することと をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、方法。 【請求項５】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層 、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有し、 該方法が、 前記マスク層上且つ前記基板開口部中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記基板の前記周辺部分に接触している、方法。 【請求項６】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積することと； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記第１の保護層上に前記マスク層を堆積することが： 前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと； 前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含み、 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することが： 前記基板開口部において、前記第１の保護層、前記第１の導電性マスク層及び前記絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部にわたって前記第１の保護層の露出部分を除去することと を含む、方法。 【請求項７】 堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記基板上に前記マスク層を堆積することが： 前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積することと； 前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含み、 前記マスク層を通る前記マスク開口部をパターン化することが： 前記第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化することと； 前記基板開口部を介して、前記第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化することと を含み、少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの交点は前記マスク開口部を形成する、方法。 【請求項８】 前記マスク層及び前記基板にキャリアフレームを取り付けることをさらに含み、前記キャリアフレームの外側フレームは、前記基板の前記周辺部分に外接する、請求項１に記載の方法。 【請求項９】 堆積マスクを含む半導体処理構造体であって、 前記堆積マスクが、 環状基板であって、前記環状基板を通る基板開口部を有する前記環状基板と； 前記環状基板上の、前記基板開口部を横切って延在しているマスク層であって、前記マスク層を通り、前記基板開口部内に位置合わせされているマスク開口部を有する前記マスク層と を含み、 前記マスク層が： 前記環状基板上の第１の導電性マスク層であって、第１のトレンチが前記第１の導電性マスク層を通っている、前記第１の導電性マスク層と； 前記第１の導電性マスク層上の絶縁体マスク層と； 前記絶縁体マスク層上の第２の導電性マスク層であって、第２のトレンチが前記第２の導電性マスク層を通っている、前記第２の導電性マスク層と を含み；少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせが、前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと第２のトレンチの交点は、前記マスク開口部を形成しており、 前記第１の導電性マスク層が、半導体処理構造体の横方向に外側の部分に接触領域を含む、半導体処理構造体。 【請求項１０】 前記堆積マスクが、環状基板の反対側の前記第２の導電性マスク層上にスペーサ要素をさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定されており、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている、請求項９に記載の半導体処理構造体。 【請求項１１】 前記堆積マスクが、前記第１の導電性マスク層上且つ前記基板開口部内に支持マトリックスをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定されており、前記支持マトリックスが、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記環状基板に接触している、 請求項９に記載の半導体処理構造体。 【請求項１２】 前記堆積マスクに取り付けられているキャリアフレームをさらに含み、前記キャリアフレームの外側フレームは、前記環状基板に外接している、請求項９に記載の半導体処理構造体。 【請求項１３】 前記キャリアフレームが、前記第１の導電性マスク層の前記接触領域との電気的接続を確立する接点をさらに含む、請求項１２に記載の半導体処理構造体。 第４ 特許異議の申立ての理由及び取消理由の概要 １ 特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由 本件特許の請求項１～１３に係る特許は、下記（１）～（５）のとおり、特許法１１３条２号及び４号に該当する（証拠方法は下記（６）を参照。以下、甲第１号証等を単に「甲１」等という。）。 （１）申立理由１（新規性） 本件訂正前の請求項６に係る発明は、甲１に記載された発明であり、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項６に係る特許は、同法１１３条２号に該当する。 （２）申立理由２（進歩性） 本件訂正前の請求項１～１３に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許の請求項１～１３に係る特許は、同法１１３条２号に該当する。 （３）申立理由３（サポート要件） 本件訂正前の請求項２、６、７及び９～１３に係る発明については、特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号に適合するものではないから、本件特許の請求項２、６、７及び９～１３に係る特許は、同法１１３条４号に該当する。 （４）申立理由４（明確性要件） 本件訂正前の請求項１～１３に係る発明については、特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項２号に適合するものではないから、本件特許の請求項１～１３に係る特許は、同法１１３条４号に該当する。 （５）申立理由５（実施可能要件） 本件訂正前の請求項２に係る発明については、発明の詳細な説明の記載が特許法３６条４項１号に適合するものではないから、本件特許の請求項２に係る特許は、同法１１３条４号に該当する。 （６）証拠方法 ・甲１ 中国特許出願公開第１０８６６６４４８号明細書 ・甲２ 特開２００２－４７５６０号公報 ・甲３ 特開２００９－１０８３６２号公報 ・甲４ 特開２００２－１７５８７８号公報 ・甲５ 特開２００５－２３５５６８号公報 ・甲６ 特開２０１４－５８７２２号公報 ２ 取消理由通知書に記載した取消理由 （１）取消理由１（明確性要件） 上記１の申立理由４（明確性要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの）と同旨 （２）取消理由２（サポート要件） 上記１の申立理由３（サポート要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの）と同旨 （３）取消理由３（実施可能要件） 上記１の申立理由５（実施可能要件）と同旨 （４）取消理由４（進歩性） 上記１の申立理由２（進歩性）（うち、本件訂正前の請求項１、３、６、８に係る発明に対するもの）と同旨 第５ 当審における判断 以下に述べるように、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～１３に係る特許を取り消すことはできない。 １ 取消理由１（明確性要件）、申立理由４（明確性要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの） （１）取消理由通知書について 取消理由通知書では、本件訂正前の請求項２には、「マスク層を引張応力により堆積する」との記載があるが、本件訂正前の明細書の記載を考慮しても、技術的にみてどのようなことを意味しているのか明らかではないから、本件訂正前の請求項２に係る発明は、明確であるとはいえない旨、指摘した。 これに対して、前記第２のとおり、本件訂正により、本件訂正前の請求項２における「前記マスク層を引張応力により堆積する」との記載は、「前記マスク層は引張応力を伴って堆積される」と訂正され、その意味は明確となったから、本件発明２について、上記の点に関する明確性要件違反は解消した。 （２）まとめ したがって、取消理由１（明確性要件）、申立理由４（明確性要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの）によっては、本件特許の請求項２に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 取消理由２（サポート要件）、申立理由３（サポート要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの）、取消理由３（実施可能要件）、申立理由５（実施可能要件） （１）取消理由通知書について 取消理由通知書では、上記１（１）と同様の理由により、本件発明２は、実質的に本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものとはいえず、また、本件発明２について、発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない旨、指摘した。 これに対して、前記第２のとおり、本件訂正により、本件訂正前の請求項２における「前記マスク層を引張応力により堆積する」との記載は、「前記マスク層は引張応力を伴って堆積される」と訂正され、その意味は明確となったから、本件発明２について、上記の点に関するサポート要件違反、実施可能要件違反は解消した。 （２）まとめ したがって、取消理由２（サポート要件）、申立理由３（サポート要件）（うち、「マスク層を引張応力により堆積する」ことに関するもの）、取消理由３（実施可能要件）、申立理由５（実施可能要件）によっては、本件特許の請求項２に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 申立理由４（明確性要件）（上記１以外のもの） （１）請求項１～１３について 請求項１～１３の記載は、前記第３のとおりのものであるところ、請求項１～１３の記載に不明確なところはなく、いずれもその意味は明確であるから、本件発明１～１３は、いずれも明確である。 （２）申立人の主張について ア 申立人は、請求項１、６における「基板開口部」が、１つなのか、複数なのか、１つ又は複数のいずれでもよいのか、不明であるから、本件発明１～８は明確であるとはいえないと主張する（申立書７１～７２頁）。 しかしながら、本件発明１～８は、「基板開口部」の数を問わない発明であり、「基板開口部」の数にかかわらず、本件発明１～８が明確であることは、上記（１）のとおりである。 よって、申立人の主張は採用できない。 イ 申立人は、請求項９における「堆積マスクを含む半導体処理構造体」とは、半導体処理によって製造された堆積マスクであるのか、半導体処理に用いられる堆積マスクであるのか、両方を意味するのか、明確ではないから、本件発明９～１３は明確であるとはいえないと主張する（申立書７４～７５頁）。 しかしながら、請求項９における「堆積マスクを含む半導体処理構造体」は、堆積マスクを含む半導体処理のための構造体を意味するものであり、本件明細書の記載（【００４７】～【００５５】、図２１）を考慮すると、例えば、堆積マスクを含む基板キャリア装置を意味するものであると理解できる。 よって、申立人の主張は採用できない。 （３）まとめ したがって、申立理由４（明確性要件）（上記１以外のもの）によっては、本件特許の請求項１～１３に係る特許を取り消すことはできない。 ４ 申立理由３（サポート要件）（上記２以外のもの） （１）本件発明１～１３について ア 本件明細書の記載（【０００３】、【０００４】、【００２８】）によれば、本件発明１～１３が解決しようとする課題は、取り扱ったり輸送したりすることができる堆積マスクを提供することであると認められる。 イ 本件明細書の記載及び図面（【０００３】、【０００４】、【００２８】、図１９、２０）によれば、上記アの課題は、堆積マスクにおいて、マスク層を機械的に支持するために、マスク層を基板の基板開口部を横切って延在させるとの手段によって、解決できることが理解できる。 ウ また、本件明細書及び図面には、上記イのほかに、請求項１～１３における各発明特定事項についても記載されている（【００１１】～【００１３】、【００１７】～【００５５】、図１～２１）。 エ 以上のとおり、本件明細書の記載を総合すれば、上記イの手段及びウで指摘した発明特定事項を備えた本件発明１～１３は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであって、当業者が出願時の技術常識に照らして発明の詳細な説明の記載により上記アの課題を解決できると認識できる範囲のものということができる。 したがって、本件発明１～１３については、特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するものである。 （２）申立人の主張について 申立人は、本件発明が解決すべき課題は、基板上に堆積するパターン寸法が小さくなると、堆積マスクの開口部は、狭い幅と大きな深さという大きなアスペクト比を有することになり、堆積材料が堆積マスク上に堆積し、開口部の角にピンチオフを引き起こし、堆積材料が基板に到達することを妨げることであり、当該課題を解決するためには、堆積マスクの開口部は、小さいアスペクト比を有することが必要であるにもかかわらず、請求項６、７、９～１３には、上記の課題を解決するための手段が反映されていないと主張する（申立書７０～７１頁）。 しかしながら、申立人の主張にかかわらず、本件発明１～１３が解決しようとする課題の一つとして、上記（１）アのとおりの課題を認定することができるところ、当該課題は、上記（１）イの手段によって解決できるものである。 よって、申立人の主張は採用できない。 （３）まとめ したがって、申立理由３（サポート要件）（上記２以外のもの）によっては、本件特許の請求項６、７、９～１３に係る特許を取り消すことはできない。 ５ 申立理由１（新規性）、取消理由４（進歩性）、申立理由２（進歩性） （１）甲１に記載された発明 ア 甲１の記載（請求項１０、１４、第１実施形態（［００７０］～［０１２５］、図１、３～１０））によれば、特に、第１実施形態（［００７１］、［００７８］、［００８８］、［００９１］、［００９２］（請求項１４も参照）、［００９４］、［０１０３］、［０１１２］、［０１１８］、図１、３～１０）に着目すると、甲１には、以下の発明が記載されていると認められる。なお、甲１の訳文として、申立人が提出したものを用いた。 「マスクプレートの製造方法であって、 基板１００が提供され、前記基板１００は、第１表面１２０と第２表面１３０とを備え、 前記第１表面１２０上に犠牲層１５０を形成し、前記犠牲層１５０をパターニングし、前記犠牲層１５０内に複数のトレンチ（溝）１５１を形成し、 前記犠牲層１５０上にマスク材料層２５０が形成され、前記マスク材料層２５０も前記トレンチ（溝）１５１を埋め、ここで、前記マスク材料層２５０の材料は、窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよく、 前記マスク材料層２５０上に保護フィルム１６５を形成し、前記保護フィルム１６５をパターニングし、後記パターン領域Ｉに対応する前記保護フィルム１６５を除去し、後記マスキング領域ＩＩに対応する前記保護フィルム１６５を保護層１６０として保持し、 前記マスク材料層２５０は、パターン領域Ｉ及び前記パターン領域Ｉに隣接するマスキング領域ＩＩを形成するようにパターニングされ、前記パターン領域Ｉには、前記マスク材料層２５０を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０が形成され、パターニング後の残りのマスク材料層２５０は、マスクパターン層２００として機能し、前記トレンチ（溝）１５１内に配置された前記マスクパターン層２００が環状突出部２３０を構成し、 前記基板１００の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成し、 前記基板１００をマスクとして前記パターン領域Ｉの前記犠牲層１５０を除去し、残りの前記犠牲層１５０内に前記パターン領域Ｉを露出する複数の開口部１８０を形成し、各開口部１８０は前記パターン領域Ｉに対応し、前記環状突出部２３０は前記開口部１８０の側壁に隣接する、 マスクプレートの製造方法。」 イ また、甲１の記載（請求項１１、１５、第６実施形態（［０１８６］～［０２０１］、図２、２５～２９））によれば、特に、第１実施形態を前提として（［０１２７］、［０１４６］、［０１６６］、［０１７７］、［０１８７］）、さらに金属膜を形成させた第６実施形態（［０１８９］～［０１９２］、［０１９４］～［０１９６］、［０１９８］、［０１９９］、図２、２５～２９）に着目すると、甲１には、上記アの第１実施形態に基づく発明を前提として、さらに金属膜を形成させた第６実施形態に基づく、以下の発明が記載されていると認められる。なお、下線部は、上記アの第１実施形態に基づく発明からの変更箇所を示す。 「マスクプレートの製造方法であって、 基板１００（７００）が提供され、前記基板１００（７００）は、第１表面１２０と第２表面１３０とを備え、 前記第１表面１２０上に犠牲層１５０（７５０）を形成し、前記犠牲層１５０（７５０）をパターニングし、前記犠牲層１５０（７５０）内に複数のトレンチ（溝）１５１を形成し、 前記犠牲層１５０（７５０）の上部、前記トレンチ（溝）１５１の側壁及び底部に第１金属膜８２５を形成し、 前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し、前記マスク材料層２５０（８５０）も前記トレンチ（溝）１５１を充填し、前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成し、ここで、前記マスク材料層２５０（８５０）の材料は、窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよく、前記第１金属膜８２５の材質及び前記第２金属膜８３５の材質は、いずれも、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｎ、Ｗ及びＡｌのうちの１つ以上であってもよく、 前記第２金属膜８３５上に保護フィルム１６５（保護膜８６５）を形成し、前記保護フィルム１６５（保護膜８６５）をパターニングし、後記パターン領域Ｉに対応する前記保護フィルム１６５（保護膜８６５）を除去し、後記マスキング領域ＩＩに対応する前記保護フィルム１６５（保護膜８６５）を保護層１６０（８６０）として保持し、 前記第２金属膜８３５をエッチングして、後記貫通孔２１０（８１０）に対応する領域のマスク材料層２５０（８５０）を露出させ、 前記マスク材料層２５０（８５０）は、パターン領域Ｉ及び前記パターン領域Ｉに隣接するマスキング領域ＩＩを形成するようにパターニングされ、前記パターン領域Ｉには、前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され、パターニング後の残りのマスク材料層２５０（８５０）は、マスクパターン層２００（８００）として機能し、前記トレンチ（溝）１５１内に配置された前記マスクパターン層２００（８００）が環状突出部２３０（８３０）を構成し、 前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ、エッチング後の残りの第１金属膜８２５及び前記残りの第２金属膜８３５を金属層８２０として機能させ、 前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成し、 前記基板１００（７００）をマスクとして前記パターン領域Ｉの前記犠牲層１５０（７５０）を除去し、残りの前記犠牲層１５０（７５０）内に前記パターン領域Ｉを露出する複数の開口部１８０を形成し、 各開口部１８０は前記パターン領域Ｉに対応し、前記環状突出部２３０（８３０）は前記開口部１８０の側壁に隣接する、 マスクプレートの製造方法。」（以下、「甲１発明」という。） （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明における「マスクプレート」は、甲１の記載（［０００３］、［０００５］、［００２０］）によれば、蒸着プロセスに用いられるものであるから、本件発明１における「堆積マスク」に相当する。 そうすると、甲１発明における「マスクプレートの製造方法」は、本件発明１における「堆積マスクを形成するための方法」に相当する。 （イ）甲１発明における「基板１００（７００）」、「マスク材料層２５０（８５０）」は、それぞれ、本件発明１における「基板」、「マスク層」に相当する。 （ウ）甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、いずれも、マスクプレートにおける「金属層８２０として機能させ」るために形成するものであるところ、金属層は、甲１の記載（［００６０］、［００６１］、［０１８８］）によれば、マスクパターン層の機械的強度を向上させたり、マスクパターン層が洗浄液によって腐食されることを防止したりするものであるから、一種の保護の作用を有するものと解される。 そうすると、甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、それぞれ、本件発明１における「第１の保護層」、「第２の保護層」に相当する。 （エ）甲１の「本発明は、蒸着、フォトリソグラフィ及びエッチングなどの半導体プロセスを採用してマスクプレートを製造し」（［００２０］）との記載によれば、甲１発明における「第１金属膜８２５」の形成、「マスク材料層２５０（８５０）」の形成、「第２金属膜８３５」の形成は、いずれも、蒸着によって行われるものと解される。 そうすると、上記（イ）、（ウ）を踏まえると、甲１発明において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に」、犠牲層１５０（７５０）を介して、「第１金属膜８２５を形成し」、「前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成」することは、本件発明１において、「基板上に第１の保護層を堆積すること」、「前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること」、「前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること」に相当する。 （オ）甲１発明においては、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」ていること、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」ていること、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ていることから、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成されるといえる。 そうすると、甲１発明において、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」ていること、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」ていること、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ていることは、本件発明１において、「前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること」に相当する。 （カ）甲１発明においては、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成し」ていることから、甲１の図１、２、１０、２９（図示を容易にするために１つの第１開口部のみを図示（［００３１］））も考慮すると、基板１００（７００）の中央部分をエッチングし、周辺部分を残すことで、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を形成しているといえる。 そうすると、甲１発明において、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成」することは、本件発明１において、「前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること」に相当する。 （キ）そして、上記（オ）、（カ）を踏まえ、甲１の図１、２、１０、２９も考慮すると、甲１発明においては、基板１００（７００）の中央部分をエッチングし、周辺部分を残すことで、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を形成した時点で、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成された（上記（オ）参照）マスクパターン層２００（８００）が、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０（上記（カ）参照）を横切って延在した状態にあるといえるから、このような状態は、本件発明１において、「前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで、前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し」ていることに相当する。 （ク）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し； を含む、 方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１－１ 本件発明１では、「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有する」のに対して、甲１発明では、上記のような比を有するかどうか不明である点。 ・相違点１－２ 本件発明１では、「前記基板の前記中央部分を除去した後で、前記第１の保護層及び前記第２の保護層の露出部分を除去する」のに対して、甲１発明では、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成し」、さらに、「前記基板１００（７００）をマスクとして前記パターン領域Ｉの前記犠牲層１５０（７５０）を除去し、残りの前記犠牲層１５０（７５０）内に前記パターン領域Ｉを露出する複数の開口部１８０を形成」するものの、その後、第１金属膜８２５及び第２金属膜８３５「の露出部分を除去する」ものではない点。 イ 相違点１－２の検討 事案に鑑み、相違点１－２について検討する。 （ア）まず、相違点１－２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ 本件発明１における「第１の保護層」「の露出部分」について、本件明細書の記載（【００２３】～【００２６】、【００２９】～【００３１】、図１～１０）を考慮すると、第１の保護層のうち、基板の中央部分を除去することにより形成された基板開口部において露出した部分を意味するものと認められる。 また、同様に、本件発明１における「第２の保護層の露出部分」について、例えば、第２の保護層上にスペーサ層が形成される場合には、第２の保護層のうち、スペーサ層の所定の領域を除去することにより形成された部分（スペーサ層の開口部）において露出した部分を意味するものと認められる。 ｂ これに対して、甲１発明は、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成するものの、その後、「金属層８２０として機能させ」る「エッチング後の残りの第１金属膜８２５」（本件発明１における「第１の保護層」「の露出部分」に相当する。）を除去するものではなく、また、「金属層８２０として機能させ」る「残りの第２金属膜８３５」（本件発明１における「第２の保護層の露出部分」に相当する。）を除去するものではない。 ｃ 以上によれば、相違点１－２は実質的な相違点である。 したがって、相違点１－１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点１－２の容易想到性について検討する。 ａ 上記ア（ウ）のとおり、甲１発明における「第１金属膜８２５」及び「第２金属膜８３５」は、いずれも、マスクプレートにおける「金属層８２０として機能させ」るために形成するものであるところ、金属層は、マスクパターン層の機械的強度を向上させたり、マスクパターン層が洗浄液によって腐食されることを防止したりするものである。 そうすると、甲１発明においては、「エッチング後の残りの第１金属膜８２５」及び「残りの第２金属膜８３５」は、いずれも、マスクプレートにおける「金属層８２０として機能させ」るために残存させるべきものであるから、甲１発明において、「エッチング後の残りの第１金属膜８２５」及び「残りの第２金属膜８３５」を除去する動機付けがあるとはいえず、むしろ阻害されているといえる。また、このことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ この点、申立人は、甲１発明においては、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、第１金属膜８２５は、貫通孔２１０（８１０）の底部に露出する露出部分を全てエッチングにより除去し、第２金属膜８３５は、第２開口部１７０に露出する露出部分の一部をエッチングにより除去しているとの認識を前提として、甲２の記載（第１の開口窓と第２の開口窓との形成順序は、当業者が適宜決定できる設計事項である旨の記載）に基づいて、甲１発明において、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成した後に、貫通孔２１０（８１０）を形成する、すなわち、第１金属膜８２５及び第２金属膜８３５の露出部分を除去することは、当業者であれば容易に想到することであると主張する（意見書４～１２頁）。 しかしながら、甲１には、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成した後に、貫通孔２１０（８１０）を形成することについては何ら記載されていないから、仮に、甲２に申立人が主張するような事項が記載されているとしても、そうであるからといって、甲１発明において、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成した後に、貫通孔２１０（８１０）を形成することが動機付けられるとはいえない。 仮に、甲２の記載に基づいて、甲１発明において、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成した後に、貫通孔２１０（８１０）を形成することができたとしても、この場合、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成した時点では、貫通孔２１０（８１０）は形成されていないから、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成されたマスクパターン層２００（８００）が、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を横切って延在した状態にあるといえず、本件発明１における「前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで、前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し」との発明特定事項を満たさないものとなり（上記ア（キ）を参照。）、新たな相違点となってしまう。 よって、申立人の主張は採用できない。 ｃ 以上によれば、甲１発明において、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成した後に、「エッチング後の残りの第１金属膜８２５」及び「残りの第２金属膜８３５」を除去することは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点１－１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件発明３、８について 本件発明３、８は、本件発明１を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（２）で述べたとおり、本件発明１が、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件発明３、８についても同様に、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本件発明２について ア 対比 本件発明２と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明においては、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、また、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ているところ、第２金属膜８３５及び第１金属膜８２５の一部を除去しているといえるから、これらのことは、本件発明２における「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること」に相当する。 （イ）その余の点は、上記（２）アと同様であるから、本件発明２と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含む、 方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点２－１ 本件発明２では、「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有」するのに対して、甲１発明では、上記のような比を有するかどうか不明である点。 ・相違点２－２ 本件発明２では、「マスク層は引張応力を伴って堆積される」のに対して、甲１発明では、マスク材料層２５０（８５０）が「引張応力を伴って堆積される」かどうか不明である点。 イ 相違点２－２の検討 事案に鑑み、相違点２－２について検討する。 （ア）まず、相違点２－２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 甲１には、マスク材料層２５０（８５０）が引張応力を伴って堆積されることについては、何ら記載されていない。また、堆積マスクの分野における技術常識を考慮しても、甲１発明における「マスク材料層２５０（８５０）」が引張応力を伴って形成されているとは認められない。 以上によれば、相違点２－２は実質的な相違点である。 したがって、相違点２－１について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点２－２の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、マスク材料層２５０（８５０）が引張応力を伴って堆積されることについては何ら記載されていないから、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）を引張応力を伴って堆積されるようにする動機付けがあるとはいえない。また、このことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ この点、申立人は、訂正請求書において引用された参考例の記載（単結晶Ｓｉの上に形成した窒化シリコン膜に引張応力が生じる旨の記載）を前提として、甲１には、基板１００（７００）としてシリコン基板を採用できること、マスク材料層２５０（８５０）として窒化シリコンを採用できることが記載されており、これらの材料は、本件明細書に記載された材料と同じであるから、甲１発明においても、（基板１００（７００）としてシリコン基板を採用し、マスク材料層２５０（８５０）として窒化シリコンを採用すれば、）マスク材料層２５０（８５０）は引張応力を伴って堆積されることになると主張する（意見書１６、１８頁）。 しかしながら、仮に、申立人の主張を前提とするとしても、甲１発明は、基板１００（７００）がシリコン基板に特定されたものではなく、マスク材料層２５０（８５０）が窒化シリコンに特定されたものではないから、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）が、必ず、引張応力を伴って堆積されるかどうかは不明である。 そして、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）を引張応力を伴って堆積されるようにする動機付けがあるとはいえないことは、上記ａのとおりである。 よって、申立人の主張は採用できない。 ｃ 以上によれば、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）を引張応力を伴って堆積されるようにすることは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点２－１について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明２は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本件発明４について ア 対比 本件発明４と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明においては、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、また、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ているところ、第２金属膜８３５及び第１金属膜８２５の一部を除去しているといえるから、これらのことは、本件発明４における「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること」に相当する。 （イ）甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」と、本件発明４における「スペーサ層」とは、いずれも、「所定機能層」である限りで共通する。そして、上記（２）ア（ウ）を踏まえると、甲１発明において、「前記第２金属膜８３５上に保護フィルム１６５（保護膜８６５）を形成」することと、本件発明４において、「前記第２の保護層上にスペーサ層を堆積すること」とは、いずれも、「前記第２の保護層上に所定機能層を堆積すること」である限りで共通する。 （ウ）甲１発明における「保護層１６０（８６０）」と、本件発明４における「スペーサ要素」とは、いずれも、「所定機能要素」である限りで共通する。そして、上記（イ）を踏まえると、甲１発明において、「前記保護フィルム１６５（保護膜８６５）をパターニングし」、「マスキング領域ＩＩに対応する前記保護フィルム１６５（保護膜８６５）を保護層１６０（８６０）として保持」することと、本件発明４において、「前記スペーサ層をスペーサ要素にパターン化すること」とは、いずれも、「前記所定機能層を所定機能要素にパターン化すること」である限りで共通する。 （エ）その余の点は、上記（２）アと同様であるから、本件発明４と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含み、 該方法が、 前記第２の保護層上に所定機能層を堆積することと； 前記所定機能層を所定機能要素にパターン化することと をさらに含む、 方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点４－１ 本件発明４では、「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有」するのに対して、甲１発明では、上記のような比を有するかどうか不明である点。 ・相違点４－２ 本件発明４では、所定機能層が「スペーサ層」、所定機能要素が「スペーサ要素」であるのに対して、甲１発明では、所定機能層が「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、所定機能要素が「保護層１６０（８６０）」である点。 ・相違点４－３ 本件発明４では、「前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」のに対して、甲１発明では、貫通孔２１０（８１０）の「グループ間にスクライブライン領域が画定され、前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」かどうか不明である点。 イ 相違点４－２、４－３の検討 事案に鑑み、相違点４－２、４－３をまとめて検討する。 （ア）まず、相違点４－２、４－３が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ 甲１には、マスクプレートにおいて、スペーサ層やスペーサ要素を設けることについては、何ら記載されていない。 また、甲１には、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」ること、「前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」ことについても、何ら記載されていない。 ｂ この点、申立人は、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」は、マスクパターン層の表面と蒸着される表面との間の距離を保つ機能を備えているから、本件発明４における「スペーサ層」、「スペーサ要素」に相当すると主張する（申立書４５頁）。 また、申立人は、本件発明４における「スクライブライン領域」は、マスク開口部のグループ間に画定されており、マスク開口部が形成されていない領域であるから、甲１発明における「マスキング領域ＩＩ」は、本件発明４における「スクライブライン領域」に相当するとの認識を前提として、甲１発明において、「保護層１６０（８６０）」が「マスキング領域ＩＩ」に対応して形成されていることは、本件発明１において、「前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」ことに相当すると主張する（申立書４５～４６頁）。 しかしながら、甲１には、スペーサ層やスペーサ要素を設けることについては、何ら記載されていないことは、上記ａのとおりである。また、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」が、実際に、マスクパターン層の表面と蒸着される表面との間の距離を保つ機能を備えているかどうかは不明であるから、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」が、本件発明４における「スペーサ層」、「スペーサ要素」に相当するといえるかどうかは不明である。 仮に、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」が、本件発明４における「スペーサ層」、「スペーサ要素」に相当するとしても、甲１発明における「マスキング領域ＩＩ」が、貫通孔２１０（８１０）が形成されていない領域であるからといって、実際に、「スクライブライン領域」であるかどうかは不明である。 よって、申立人の主張はいずれにしろ採用できない。 ｃ 以上によれば、相違点４－２、４－３は、いずれも、実質的な相違点であるか、あるいは、少なくとも、相違点４－３は実質的な相違点である。 したがって、相違点４－１について検討するまでもなく、本件発明４は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点４－２、４－３の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、マスクプレートにおいて、スペーサ層やスペーサ要素を設けることについては何ら記載されていないから、甲１発明において、スペーサ層やスペーサ要素を設ける動機付けがあるとはいえない。 また、仮に、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」が、本件発明４における「スペーサ層」、「スペーサ要素」に相当するとしても、甲１には、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」ること、「前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」ことについても何ら記載されていないから、甲１発明において、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」るものとし、「前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」ものとする動機付けがあるとはいえない。 そして、これらのことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ 以上によれば、甲１発明において、スペーサ層やスペーサ要素を設けることは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 仮に、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」、「保護層１６０（８６０）」が、本件発明４における「スペーサ層」、「スペーサ要素」に相当するとしても、甲１発明において、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」るものとし、「前記スペーサ要素は、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っている」ものとすることは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点４－１について検討するまでもなく、本件発明４は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明４は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （６）本件発明５について ア 対比 本件発明５と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明においては、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、また、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ているところ、第２金属膜８３５及び第１金属膜８２５の一部を除去しているといえるから、これらのことは、本件発明５における「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること」に相当する。 （エ）その余の点は、上記（２）アと同様であるから、本件発明５と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積すること； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること； 前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通るマスク開口部をパターン化すること； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること、ここで前記マスク層、前記第１の保護層及び前記第２の保護層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し；並びに 前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去すること； を含む、 方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点５－１ 本件発明５では、「前記第１の保護層及び前記第２の保護層の一部を除去した後の、前記マスク層を通る前記マスク開口部が、１：１以下である、前記マスク開口部それぞれの幅に対する前記マスク開口部それぞれの深さの比を有」するのに対して、甲１発明では、上記のような比を有するかどうか不明である点。 ・相違点５－２ 本件発明５では、「前記マスク層上且つ前記基板開口部中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記マスク開口部のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記基板の前記周辺部分に接触している」のに対して、甲１発明では、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成することをさらに含み、前記」貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され、前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記」基板１００（７００）「の前記周辺部分に接触している」かどうか不明である点。 イ 相違点５－２の検討 事案に鑑み、相違点５－２について検討する。 （ア）まず、相違点５－２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ 甲１には、マスクプレートにおいて、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成する」ことについては、何ら記載されていない。 また、甲１には、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」ること、「前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記」基板１００（７００）「の前記周辺部分に接触している」ことについても、何ら記載されていない。 ｂ（ａ）この点、申立人は、本件発明５において、複数の基板開口部を形成する場合、本件発明５における「基板開口部中」は、複数の基板開口部を一つの基板開口部とみなしたときの内部と解することができるとの認識を前提として、甲１発明における「マスキング領域ＩＩ」は、本件発明５における「基板開口部中」に含まれるものであり、甲１発明における「基板１００（７００）」の「マスキング領域ＩＩ」に対応した部分は、本件発明５における「支持マトリックス」に相当すると主張する（申立書４６～４７頁）。 しかしながら、甲１には、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成すること」については何ら記載されていないことは、上記ａのとおりである。また、甲１発明における「基板１００（７００）」の「マスキング領域ＩＩ」に対応した部分が、実際に、「支持マトリックス」としての機能を備えているかどうかは不明であるから、甲１発明における「基板１００（７００）」の「マスキング領域ＩＩ」に対応した部分が、本件発明５における「支持マトリックス」に相当するといえるかどうかは不明である。 （ｂ）また、申立人は、本件発明５における「スクライブライン領域」は、マスク開口部のグループ間に画定されており、マスク開口部が形成されていない領域であるから、甲１発明における「マスキング領域ＩＩ」は、本件発明５における「スクライブライン領域」に相当するとの認識を前提として、甲１発明における「基板１００（７００）」の「マスキング領域ＩＩ」に対応した部分は、本件発明５における「スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿って」いることになり、また、「基板１００（７００）」の周辺に接触していると主張する（申立書４７～４８頁）。 しかしながら、甲１発明における「マスキング領域ＩＩ」が、貫通孔２１０（８１０）が形成されていない領域であるからといって、実際に、「スクライブライン領域」であるかどうかは不明である。そして、甲１発明における「基板１００（７００）」の「マスキング領域ＩＩ」に対応した部分が、本件発明５における「支持マトリックス」に相当するといえるかどうかは不明であることは、上記（ａ）のとおりである。 （ｃ）よって、申立人の主張はいずれにしろ採用できない。 ｃ 以上によれば、相違点５－２は実質的な相違点である。 したがって、相違点５－１について検討するまでもなく、本件発明５は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点５－２の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、マスクプレートにおいて、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成する」ことについては何ら記載されていないから、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成する」動機付けがあるとはいえない。 また、甲１には、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」ること、「前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記」基板１００（７００）「の前記周辺部分に接触している」ことについても、何ら記載されていないから、甲１発明において、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」るものとし、「前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記」基板１００（７００）「の前記周辺部分に接触している」ものとする動機付けがあるとはいえない。 そして、これらのことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ 以上によれば、甲１発明において、マスク材料層２５０（８５０）「上且つ前記」第１開口部１１０「中に支持マトリックスを形成する」とともに、貫通孔２１０（８１０）「のグループ間にスクライブライン領域が画定され」るものとし、「前記支持マトリックスは、前記スクライブライン領域の少なくともいくつかに沿っており、前記」基板１００（７００）「の前記周辺部分に接触している」ものとすることは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点５－１について検討するまでもなく、本件発明５は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明５は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （７）本件発明６について ア 対比 本件発明６と甲１発明とを対比する。 （ア）上記（２）ア（ア）と同様に、甲１発明における「マスクプレート」、「マスクプレートの製造方法」は、それぞれ、本件発明６における「堆積マスク」、「堆積マスクを形成するための方法」に相当する。 （イ）上記（２）ア（イ）と同様に、甲１発明における「基板１００（７００）」は、本件発明６における「基板」に相当する。 （ウ）甲１発明における「犠牲層１５０（７５０）」は、甲１の記載（［００７９］）によれば、基板をエッチングする工程中にマスクパターン層を保護するものであるから、一種の保護の作用を有するものと解される。 そうすると、甲１発明における「犠牲層１５０（７５０）」は、本件発明６における「第１の保護層」に相当する。 また、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」は、「保護層１６０（８６０）として保持」するために形成するものであるところ、保護層は、甲１の記載（［０１０４］）によれば、第１開口部によって露出された犠牲層を除去するときやマスクプレートの使用中に、マスキング領域ＩＩのマスクパターン層を保護するものであるから、一種の保護の作用を有するものと解される。 そうすると、甲１発明における「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」は、本件発明６における「第２の保護層」に相当する。 （エ）甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、金属膜であるから、導電性を有していることは明らかであり、また、甲１の図２、２９も考慮すると、いずれも、マスクパターン層２００（８００）と一体となって、マスクパターン層の一部として機能するものといえる。 そうすると、甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、それぞれ、本件発明６における「第１の導電性マスク層」、「第２の導電性マスク層」に相当する。 また、甲１発明における第１金属膜８２５上に形成される「マスク材料層２５０（８５０）」と、本件発明６における第１の導電性マスク層上に堆積される「絶縁体マスク層」とは、いずれも、「マスク層」である限りで共通する。 （オ）上記（２）ア（エ）と同様に、甲１発明における「犠牲層１５０（７５０）」の形成、「第１金属膜８２５」の形成、「マスク材料層２５０（８５０）」の形成、「第２金属膜８３５」の形成、「保護フィルム１６５（保護膜８６５）」の形成は、いずれも、蒸着によって行われるものと解される。 そうすると、上記（イ）～（エ）を踏まえると、甲１発明において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に犠牲層１５０（７５０）を形成し」、「前記犠牲層１５０（７５０）の上部」「に第１金属膜８２５を形成し」、「前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成し」、「前記第２金属膜８３５上に保護フィルム１６５（保護膜８６５）を形成」することは、本件発明６において、「基板上に第１の保護層を堆積すること」、「前記第１の保護層上にマスク層を堆積すること」、「前記マスク層上に第２の保護層を堆積すること」に相当する。 そして、甲１発明において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に犠牲層１５０（７５０）を形成し」、「前記犠牲層１５０（７５０）の上部」「に第１金属膜８２５を形成し」、「前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成し」、「前記第２金属膜８３５上に保護フィルム１６５（保護膜８６５）を形成」することと、本件発明６において、「前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積すること」、「前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積すること」、「前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積すること」とは、いずれも、「前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積すること」、「前記第１の導電性マスク層上に」「マスク層を堆積すること」、「前記」「マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積すること」の限りで共通する。 （カ）上記（２）ア（オ）と同様に、甲１発明において、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」ていること、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」ていること、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ていることは、本件発明６において、「前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化すること」に相当する。 （キ）上記（２）ア（カ）と同様に、甲１発明において、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成」することは、本件発明６において、「前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること」に相当する。 （ク）上記（２）ア（キ）と同様に、甲１発明において、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成されたマスクパターン層２００（８００）が、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を横切って延在した状態にあることは、本件発明６において、「前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し」ていることに相当する。 （ケ）以上によれば、本件発明６と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上に第１の保護層を堆積することと； 前記第１の保護層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の保護層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記第１の保護層上に前記マスク層を堆積することが： 前記第１の保護層上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含む、方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点６－１ 第１の導電性マスク層上に堆積されるマスク層の材質が、本件発明６では、「絶縁体」であるのに対して、甲１発明では、「窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよ」いものである点。 ・相違点６－２ マスク層を通るマスク開口部をパターン化することが、本件発明６では、「前記基板開口部において、前記第１の保護層、前記第１の導電性マスク層及び前記絶縁体マスク層を通るトレンチをパターン化すること」と、「前記基板開口部にわたって前記第１の保護層の露出部分を除去すること」とを含むのに対して、甲１発明では、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」るものである点。 イ 相違点６－１、６－２の検討 事案に鑑み、相違点６－１、６－２をまとめて検討する。 （ア）まず、相違点６－１、６－２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ 甲１発明における第１金属膜８２５上に形成される「マスク材料層２５０（８５０）」の「材料」は、「窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよ」いものであり、「絶縁体」に限られるものではない。 ｂ（ａ）甲１発明は、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」るものであり、その後、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成するものである。 （ｂ）上記（ａ）のとおり、甲１発明は、基板１００（７００）内に第１開口部１１０が形成されていない状態で、貫通孔２１０（８１０）を形成するものであるから、（本件発明６のように、）基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０において、貫通孔２１０（８１０）を形成するものではない。 （ｃ）また、甲１発明は、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する貫通孔２１０（８１０）を形成するものではあるものの、（本件発明６のように、）犠牲層１５０（７５０）も含めて、第１金属膜８２５、マスク材料層２５０（８５０）（それぞれ、本件発明６における「第１の保護層」、「第１の導電性マスク層」、「（絶縁体）マスク層」に相当する。）を貫通する貫通孔２１０（８１０）を形成するものではなく、また、そもそも、犠牲層１５０（７５０）、第１金属膜８２５、マスク材料層２５０（８５０）を通るトレンチ（溝）を形成するものでもない。 ｃ 以上によれば、相違点６－１、６－２は、いずれも、実質的な相違点である。 したがって、本件発明６は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点６－２の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０において、犠牲層１５０（７５０）、第１金属膜８２５、マスク材料層２５０（８５０）を通るトレンチを形成することについては、何ら記載されていないから、甲１発明において、そのようにする動機付けがあるとはいえない。また、このことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ 以上によれば、甲１発明において、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０において、犠牲層１５０（７５０）、第１金属膜８２５、マスク材料層２５０（８５０）を通るトレンチを形成することは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点６－１について検討するまでもなく、本件発明６は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明６は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （８）本件発明７について ア 対比 本件発明７と甲１発明とを対比する。 （ア）上記（２）ア（ア）と同様に、甲１発明における「マスクプレート」、「マスクプレートの製造方法」は、それぞれ、本件発明７における「堆積マスク」、「堆積マスクを形成するための方法」に相当する。 （イ）上記（２）ア（イ）と同様に、甲１発明における「基板１００（７００）」は、本件発明７における「基板」に相当する。 （ウ）甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、金属膜であるから、導電性を有していることは明らかであり、また、甲１の図２、２９も考慮すると、いずれも、マスクパターン層２００（８００）と一体となって、マスクパターン層の一部として機能するものといえる。 そうすると、甲１発明における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、それぞれ、本件発明７における「第１の導電性マスク層」、「第２の導電性マスク層」に相当する。 また、甲１発明における第１金属膜８２５上に形成される「マスク材料層２５０（８５０）」と、本件発明７における第１の導電性マスク層上に堆積される「絶縁体マスク層」とは、いずれも、「マスク層」である限りで共通する。 （エ）上記（２）ア（エ）と同様に、甲１発明における「第１金属膜８２５」の形成、「マスク材料層２５０（８５０）」の形成、「第２金属膜８３５」の形成は、いずれも、蒸着によって行われるものと解される。 そうすると、上記（イ）、（ウ）を踏まえると、甲１発明において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に」、犠牲層１５０（７５０）を介して、「第１金属膜８２５を形成し」、「前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成」することは、本件発明７において、「基板上にマスク層を堆積すること」に相当する。 そして、甲１発明において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に」、犠牲層１５０（７５０）を介して、「第１金属膜８２５を形成し」、「前記第１金属膜８２５上にマスク材料層２５０（８５０）を形成し」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に第２金属膜８３５を形成」することと、本件発明７において、「前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積すること」、「前記第１の導電性マスク層上に絶縁体マスク層を堆積すること」、「前記絶縁体マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積すること」とは、いずれも、「前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積すること」、「前記第１の導電性マスク層上に」「マスク層を堆積すること」、「前記」「マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積すること」の限りで共通する。 （オ）上記（２）ア（オ）と同様に、甲１発明において、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」ていること、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」ていること、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」ていることは、本件発明７において、「前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化すること」に相当する。 （カ）上記（２）ア（カ）と同様に、甲１発明において、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する複数の第１開口部１１０を前記基板１００（７００）内に形成し、前記パターン領域Ｉに対応する前記第１開口部１１０の各々を形成」することは、本件発明７において、「前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定すること」に相当する。 （キ）上記（２）ア（キ）と同様に、甲１発明において、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成されたマスクパターン層２００（８００）が、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を横切って延在した状態にあることは、本件発明７において、「前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し」ていることに相当する。 （ク）以上によれば、本件発明７と甲１発明とは、 「堆積マスクを形成するための方法であって： 基板上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層を通るマスク開口部をパターン化することと； 前記基板の中央部分を除去して、前記基板の周辺部分を通る基板開口部を画定することと を含み、前記マスク層を通る前記マスク開口部を備えたマスク層は、前記基板開口部を横切って延在し、 前記基板上に前記マスク層を堆積することが： 前記基板上に第１の導電性マスク層を堆積することと； 前記第１の導電性マスク層上にマスク層を堆積することと； 前記マスク層上に第２の導電性マスク層を堆積することと を含む、方法。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点７－１ 第１の導電性マスク層上に堆積されるマスク層の材質が、本件発明７では、「絶縁体」であるのに対して、甲１発明では、「窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよ」いものである点。 ・相違点７－２ マスク層を通るマスク開口部をパターン化することが、本件発明７では、「前記第２の導電性マスク層を通る第１のトレンチをパターン化すること」と、「前記基板開口部を介して、前記第１の導電性マスク層を通る第２のトレンチをパターン化すること」とを含み、「少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせは前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチの交点は前記マスク開口部を形成する」のに対して、甲１発明では、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」るものである点。 イ 相違点７－１、７－２の検討 事案に鑑み、相違点７－１、７－２をまとめて検討する。 （ア）まず、相違点７－１、７－２が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ 甲１発明における第１金属膜８２５上に形成される「マスク材料層２５０（８５０）」の「材料」は、「窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよ」いものであり、「絶縁体」に限られるものではない。 ｂ（ａ）甲１発明は、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」るものであり、その後、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成するものである。 （ｂ）上記（ａ）のとおり、甲１発明は、基板１００（７００）内に第１開口部１１０が形成されていない状態で、貫通孔２１０（８１０）を形成するものであるから、（本件発明７のように、）基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０を介して、貫通孔２１０（８１０）を形成するものではなく、また、基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０を介して、第１金属膜８２５（本件発明７における「第１の導電性マスク層」に相当する。）を通るトレンチ（溝）を形成するものではない。 （ｃ）また、本件発明７における第１のトレンチと第２のトレンチの「交点」について、トレンチ（溝）どうしの「交点」である以上、第１のトレンチと第２のトレンチは互いに所定の角度で交差しているものと認められる。 これに対して、甲１発明は、上記（ａ）のとおり、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を順に除去して、貫通孔２１０（８１０）を形成するものであるから、（本件発明７のように、）第２金属膜８３５（本件発明７における「第２の導電性マスク層」に相当する。）を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチが互いに所定の角度で交差して交点を形成するものではなく、また、その交点が貫通孔を形成するものでもない。 ｃ 以上によれば、相違点７－１、７－２は、いずれも、実質的な相違点である。 したがって、本件発明７は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点７－２の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０を介して、第１金属膜８２５を通るトレンチを形成すること、また、第２金属膜８３５を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチの交点が貫通孔を形成することについては、何ら記載されていないから、甲１発明において、そのようにする動機付けがあるとはいえない。また、このことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ この点、申立人は、甲３には、開孔形状が角部を含む微細な貫通孔を精度良く形成することを目的として、蒸着マスクの金属板の第１面に形成した第１の溝と、第２面に形成した第２の溝とが直交するように形成し、第１の溝と第２の溝が交差する部分において貫通孔を形成することが記載されているから、蒸着用マスクプレートにおける貫通孔の精度を向上させることを意図した甲１発明において、甲３に記載された手段を適用することは、当業者であれば、容易に想到できることであると主張する（申立書５２～５６頁）。 しかしながら、上記（ア）ｂ（ａ）のとおり、甲１発明は、基板１００（７００）内に第１開口部１１０が形成されていない状態で、貫通孔２１０（８１０）を形成するものであるから、基板１００（７００）側から第１金属膜８２５を通るトレンチ（溝）を形成することができないため、甲１発明において、甲３に記載された事項を適用することが、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 （なお、これを実現するには、甲１発明において、まず、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成し、その後、貫通孔２１０（８１０）を形成することとし、その上で、さらに、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、甲３に記載された手段を適用することになるが、このようなことは、いわゆる「容易の容易」であって、当業者が容易に想到することができたとはいえない。） よって、申立人の主張は採用できない。 ｃ 以上によれば、甲１発明において、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、基板１００（７００）内に形成された第１開口部１１０を介して、第１金属膜８２５を通るトレンチを形成すること、また、第２金属膜８３５を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチの交点が貫通孔を形成することは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点７－１について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明７は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （９）本件発明９について ア 対比 本件発明９と甲１発明により製造されたマスクプレート（以下、「甲１発明２」という。）とを対比する。 （ア）上記（２）ア（ア）と同様に、甲１発明２における「マスクプレート」は、本件発明９における「堆積マスク」に相当する。 （イ）上記（２）ア（イ）と同様に、甲１発明２における「基板１００（７００）」と、本件発明９における「環状基板」とは、いずれも、「基板」である限りで共通する。 （ウ）上記（８）ア（ウ）と同様に、甲１発明２における「第１金属膜８２５」、「第２金属膜８３５」は、それぞれ、本件発明９における「第１の導電性マスク層」、「第２の導電性マスク層」に相当する。 また、甲１発明２における第１金属膜８２５上に形成される「マスク材料層２５０（８５０）」と、本件発明９における第１の導電性マスク層上の「絶縁体マスク層」とは、いずれも、「マスク層」である限りで共通する。 （エ）上記（イ）、（ウ）を踏まえると、甲１発明２において、「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に」犠牲層１５０（７５０）を介して形成した「第１金属膜８２５」、「前記第１金属膜８２５上に」「形成し」た「マスク材料層２５０（８５０）」、「前記マスク材料層２５０（８５０）上に」「形成」した「第２金属膜８３５」と、本件発明９における「環状基板上の」「マスク層」とは、いずれも、「基板上の」「マスク層」である限りで共通する。 そして、甲１発明２における「基板１００（７００）」の「第１表面１２０上に」犠牲層１５０（７５０）を介して形成した「第１金属膜８２５」は、本件発明９における「環状基板上の第１の導電性マスク層」とは、いずれも、「基板上の第１の導電性マスク層」である限りで共通する。 また、甲１発明２における「前記第１金属膜８２５上に」「形成し」た「マスク材料層２５０（８５０）」と、本件発明９における「前記第１の導電性マスク層上の絶縁体マスク層」とは、いずれも、「前記第１の導電性マスク層上の」「マスク層」である限りで共通する。 また、甲１発明２における「前記マスク材料層２５０（８５０）上に」「形成」した「第２金属膜８３５」と、本件発明９における「前記絶縁体マスク層上の第２の導電性マスク層」とは、いずれも、「前記」「マスク層上の第２の導電性マスク層」である限りで共通する。 （オ）上記（２）ア（オ）と同様に、甲１発明２において、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」て、最終的に形成された「貫通孔２１０（８１０）」は、本件発明９における「マスク層を通」る「マスク開口部」に相当する。 （カ）上記（２）ア（カ）と同様に、甲１発明２において、「前記基板１００（７００）の第２表面１３０をエッチングして、」「前記基板１００（７００）内に形成し」た、「前記基板１００（７００）を貫通して前記パターン領域Ｉを露出する」、「前記パターン領域Ｉに対応する」「複数の第１開口部１１０」と、本件発明９における「環状基板を通る基板開口部」とは、上記（イ）を踏まえると、いずれも、「基板を通る基板開口部」である限りで共通する。 （キ）甲１発明２において、「貫通孔２１０（８１０）」が「前記パターン領域Ｉに」「形成され」ていること、「前記基板１００（７００）内に形成し」た「第１開口部１１０」が「前記パターン領域Ｉに対応する」ことは、上記（オ）、（カ）を踏まえると、本件発明９において、「マスク開口部」が「基板開口部内に位置合わせされている」ことに相当する。 （ク）上記（２）ア（キ）と同様に、甲１発明２において、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成されたマスクパターン層２００（８００）が、基板１００（７００）を貫通する複数の第１開口部１１０を横切って延在した状態にあることは、本件発明９において、「マスク層」が「前記基板開口部を横切って延在している」ことに相当する。 （ケ）上記（ア）を踏まえると、甲１発明における「マスクプレート」と、本件発明９における「堆積マスクを含む半導体処理構造体」とは、いずれも、「堆積マスクを含む」「構造体」である限りで共通する。 （コ）以上によれば、本件発明９と甲１発明２とは、 「堆積マスクを含む構造体であって、 前記堆積マスクが、 基板であって、前記基板を通る基板開口部を有する前記基板と； 前記基板上の、前記基板開口部を横切って延在しているマスク層であって、前記マスク層を通り、前記基板開口部内に位置合わせされているマスク開口部を有する前記マスク層と を含み、 前記マスク層が： 前記基板上の第１の導電性マスク層と； 前記第１の導電性マスク層上のマスク層と； 前記マスク層上の第２の導電性マスク層と を含む、構造体。」 の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点９－１ 堆積マスクを含む構造体が、本件発明９では、「堆積マスクを含む半導体処理構造体」であるのに対して、甲１発明２では、「マスクプレート」である点。 ・相違点９－２ 基板が、本件発明９では、「環状」基板であるのに対して、甲１発明２では、「環状」基板であるかどうか不明である点。 ・相違点９－３ マスク層を通るマスク開口部について、本件発明９では、第１の導電性マスク層に「第１のトレンチが」「通って」おり、第２の導電性マスク層に「第２のトレンチが」「通って」おり、「少なくとも前記第１のトレンチ、前記第２のトレンチ、又はそれらの組み合わせが、前記絶縁体マスク層を通り、前記第１のトレンチと第２のトレンチの交点は、前記マスク開口部を形成して」いるのに対して、甲１発明２では、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」たものである点。 ・相違点９－４ 第１の導電性マスク層上のマスク層の材質が、本件発明９では、「絶縁体」であるのに対して、甲１発明２では、「窒化シリコン、酸化シリコン、窒素酸化シリコン、窒化シリコン炭素、多結晶シリコン又はアルミニウムであってもよ」いものである点。 ・相違点９－５ 本件発明９では、「前記第１の導電性マスク層が、半導体処理構造体の横方向に外側の部分に接触領域を含む」のに対して、甲１発明２では、第１金属膜８２５が上記のような「接触領域を含む」かどうか不明である点。 イ 相違点９－３の検討 事案に鑑み、相違点９－３について検討する。 （ア）まず、相違点９－３が実質的な相違点であるか否かについて検討する。 ａ（ａ）甲１発明２は、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、「前記第２金属膜８３５をエッチングして」「マスク材料層２５０（８５０）を露出させ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）は」「パターニングされ」、「前記マスク材料層２５０（８５０）を貫通する少なくとも１つの貫通孔２１０（８１０）が形成され」、「前記貫通孔２１０（８１０）の底部の第１金属膜８２５をエッチングし、前記犠牲層１５０（７５０）を露出させ」るものであり、その後、基板１００（７００）内に第１開口部１１０を形成し、さらに、犠牲層１５０（７５０）内に開口部１８０を形成するものである。 （ｂ）本件発明９における第１のトレンチと第２のトレンチの「交点」について、トレンチ（溝）どうしの「交点」である以上、第１のトレンチと第２のトレンチは互いに所定の角度で交差しているものと認められる。 これに対して、甲１発明２は、上記（ａ）のとおり、第２金属膜８３５、マスク材料層２５０（８５０）、第１金属膜８２５を順に除去して、貫通孔２１０（８１０）を形成するものであるから、（本件発明９のように、）第２金属膜８３５（本件発明９における「第２の導電性マスク層」に相当する。）を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチが互いに所定の角度で交差して交点を形成するものではなく、また、その交点が貫通孔を形成するものでもない。 ｂ 以上によれば、相違点９－３は実質的な相違点である。 したがって、相違点９－１、９－２、９－４、９－５について検討するまでもなく、本件発明９は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 （イ）次に、相違点９－３の容易想到性について検討する。 ａ 甲１には、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、第２金属膜８３５を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチの交点が貫通孔を形成することについては、何ら記載されていないから、甲１発明２において、そのようにする動機付けがあるとはいえない。また、このことは、甲２～６の記載を考慮しても変わるものではない。 ｂ この点、申立人は、上記（８）イ（イ）ｂと同様に主張するが（申立書６１～６２頁）、上記（８）イ（イ）ｂで述べたのと同様の理由により、申立人の主張は採用できない。 ｃ 以上によれば、甲１発明２において、貫通孔２１０（８１０）を形成する際に、第２金属膜８３５を通るトレンチと第１金属膜８２５を通るトレンチの交点が貫通孔を形成するようにすることは、当業者が容易に想到することができたとはいえない。 したがって、相違点９－１、９－２、９－４、９－５について検討するまでもなく、本件発明９は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明９は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （１０）本件発明１０～１３について 本件発明１０～１３は、本件発明９を直接又は間接的に引用するものであり、本件発明９の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（９）で述べたとおり、本件発明９が、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件発明１０～１３についても同様に、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （１１）まとめ 以上のとおり、本件発明６は、甲１に記載された発明であるとはいえない。 また、本件発明１～１３は、甲１に記載された発明及び甲２～６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 したがって、申立理由１（新規性）、取消理由４（進歩性）、申立理由２（進歩性）によっては、本件特許の請求項１～１３に係る特許を取り消すことはできない。 第６ むすび 以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～１３に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。