2026-700094

特許第７７１９３７０号発明「金属材料、金属材料の製造方法、半導体処理装置のパッシベーション方法、半導体デバイスの製造方法、および、充填済み容器の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７１９３７０号の請求項１～９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 本件の特許第７７１９３７０号（以下「本件特許」という。）の請求項１～９に係る特許についての出願（特願２０２１－５６９７４８号。以下「本願」という。）は、２０２０年（令和 ２年）１１月１９日（優先権主張 令和 ２年 １月 ６日）を国際出願日とする出願であって、令和 ７年 ７月２９日にその特許権の設定登録がされ、同年 ８月 ６日に特許掲載公報が発行されたものである。 本件は、その後、令和 ８年 ２月 ２日に、その請求項１～９（全請求項）に係る特許について、特許異議申立人である小宮山 侑生（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９に係る発明は、本願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、以下において、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９に係る発明を「本件発明１」～「本件発明９」といい、総称して「本件発明」という。また、本願の願書に添付した明細書及び図面を「本件明細書等」という。 「【請求項１】 金属基材と、 前記金属基材の表面に設けられ、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜と、を備え、 前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表され、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である、半導体デバイスの製造過程用の金属材料。 【請求項２】 前記金属基材が、ステンレス鋼、マンガン鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルおよびニッケル合金からなる群から選ばれるいずれか一つ以上から構成される、請求項１に記載の半導体デバイスの製造過程用の金属材料。 【請求項３】 前記金属基材が、配管、保存容器またはチャンバーであり、 前記皮膜が、前記金属基材の内面に設けられている、請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造過程用の金属材料。 【請求項４】 金属基材の表面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記金属基材の表面に形成し、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される、半導体デバイスの製造過程用の金属材料の製造方法。 【請求項５】 前記ガス中のＭｏＦ６の濃度が５体積％以上１００体積％以下である、請求項４に記載の半導体デバイスの製造過程用の金属材料の製造方法。 【請求項６】 金属材料から構成されるチャンバーと、前記チャンバーに接続された配管とを備える半導体処理装置のパッシベーション方法であって、 前記チャンバーおよび前記配管の内面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記チャンバーの内面に形成し、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される、半導体処理装置のパッシベーション方法。 【請求項７】 前記配管が金属材料から構成され、 前記配管の内面にも前記皮膜が形成される、請求項６に記載の半導体処理装置のパッシベーション方法。 【請求項８】 請求項６または７に記載の半導体処理装置のパッシベーション方法を行う工程と、 前記半導体処理装置に、ＭｏＦ６を含むガスを流通させる工程と、を備える、半導体デバイスの製造方法。 【請求項９】 金属材料から構成される、半導体デバイスの製造過程用保存容器の内面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記保存容器の内面に形成する工程と、 前記保存容器に、ＭｏＦ６を含むガスを充填する工程と、を備え、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される、充填済み容器の製造方法。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠方法として下記６の甲第１号証（以下「甲１」という。）を提出し、以下の理由により、本件特許の請求項１～９に係る特許は取り消されるべきものであることを主張している。 １ 申立理由１（新規性） 本件発明１～９は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。したがって、本件発明１～９に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１～９は、甲１に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって、本件発明１～９に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ３ 申立理由３（実施可能要件） 本件発明１～９について、本件明細書等の発明の詳細な説明は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえないから、請求項１～９に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ４ 申立理由４（サポート要件） 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものとはいえないから、請求項１～９に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ５ 申立理由５（明確性要件） 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９の記載は、特許を受けようとする発明が明確であるとはいえないから、請求項１～９に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ６ 証拠方法 甲１：特表２０１９－５０２２５３号公報 第４ 当合議体の判断 当合議体は、以下に示すとおり、上記第３の申立理由１～５によっては、本件特許の請求項１～９に係る特許を取り消すことはできないと判断する。 １ 申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）について （１）甲１に記載された事項 本願の優先日前に公知となった甲１には、以下の記載がある（なお、下線は当合議体が付したものである。また、「・・・」は記載の省略を表す。以下同様。）。 ア 「【請求項１】 フッ素化反応物質を用いて基板から層を除去する方法であって、（ａ）前記フッ素化反応物質の蒸気を、基板が中に配置された反応器中に導入するステップであって、前記基板がその上に層を有するステップと、（ｂ）前記基板から前記層の少なくとも一部をエッチングするステップとを含み、前記フッ素化反応物質が、式ＭＦｘ（式中、ｘは２～６（両端の値を含む）の範囲であり、Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、およびＷからなる群から選択される元素である）で表される、方法。 【請求項２】 前記フッ素化反応物質が、ＶＦ５、ＮｂＦ５、ＭｏＦ６、ＷＦ６、ＮｂＦ５（ＳＥｔ）、およびＮｂＦ４（ＳＥｔ）２からなる群から選択される請求項２に記載の方法。 ・・・」 イ 「【０００２】 式ＭＦｘ(付加物)ｎ（式中ｘは２～６（両端の値を含む）の範囲であり；ｎは０～５（両端の値を含む）の範囲であり；ＭはＰ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、およびＷからなる群から選択される元素であり、付加物は、ＴＨＦ、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、グリム、ジグリム、トリグリム、ポリグリム（ｐｏｌｙｇｌｙｍｅ）、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、またはメチルシアニドから選択される中性有機分子である）で表されるフッ素化反応物質を用いて基板から層を除去する熱的方法が開示される。本発明のフッ素化反応物質によって、プラズマを用いずに層のドライエッチングが行われる。 【背景技術】 【０００３】 金属および高ｋ材料などのＣＭＯＳゲートスタック中の新しい材料の導入に伴って、エッチングは新しい課題に対処する必要がある。いくつかの課題としては、シリコンのくぼみの形成を回避して低表面粗さを得るためのプロセス選択性、ゲートエッチング異方性、エッチング速度の原子層または多原子層スケールでの制御、残留物がないこと、およびプロセス後の反応器壁の洗浄が挙げられる。」 ウ 「【００４２】 フッ素化反応物質の蒸気は、層を上に有する基板を収容する反応器中に導入される。約０Ｔｏｒｒ～約５００Ｔｏｒｒの範囲の全圧を反応器中で得るために、フッ素化反応物質の蒸気を約０．１ｓｃｃｍ～約１ｓｌｍの範囲の流量で反応器に導入することができる。蒸気はＮ２、Ａｒ、またはＫｒなどのキャリアガスによって希釈することができる。たとえば、２００ｍｍのウエハサイズの場合、フッ素化反応物質の蒸気は、約０．１ｓｃｃｍ～約２００ｓｃｃｍ（両端の値を含む）の範囲の流量でチャンバーに導入することができる。あるいは、４５０ｍｍのウエハサイズの場合、フッ素化反応物質の蒸気は、約１００ｓｃｃｍ～約６００ｓｃｃｍ（両端の値を含む）の範囲の流量でチャンバーに導入することができる。当業者であれば、流量が工具ごとに変動することを理解されよう。代案の１つでは、フッ素化反応物質の蒸気は、チャンバー中に連続的に導入することができる。別の代案の１つでは、フッ素化反応物質の蒸気は、チャンバー中に逐次導入され、すなわち、パージの順序によって交互にパルスによって導入される（これは場合により原子層エッチングと呼ばれる）。 【００４３】 フッ素化反応物質は、配管および／または流量計などの従来手段によって蒸気の形態で反応器中に導入される。反応物質の蒸気の形態は、従来の気化ステップ、たとえば直接気化、蒸留、直接液体注入により反応物質を気化させることによって、バブリングによって、またはＸｕらの国際公開第２００９／０８７６０９号パンフレットに開示されるものなどの昇華器の使用によって導入することができる。反応物質は、反応器中に導入する前に気化が行われる蒸発器に液体状態で供給することができる。あるいは、反応物質は、反応物質を収容する容器中にキャリアガスを通すことによって、またはキャリアガスを反応物質中にバブリングすることによって、気化させることができる。キャリアガスとしてはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２、およびそれらの混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。キャリアガスのバブリングによって、反応物質中に存在する溶存酸素を除去することもできる。キャリアガスおよび反応物質は、次に反応器中に蒸気として導入される。 【００４４】 必要であれば、本開示のフッ素化反応物質の容器は、反応物質がその液相で存在できる、および／または十分な蒸気圧を有することができる温度まで加熱することができる。容器は、たとえば、約０℃～約１５０℃（両端の値を含む）の範囲内の温度に維持することができる。当業者であれば、気化する反応物質の量を制御するために周知に方法で容器の温度を調節できることを理解されよう。」 エ 「【００４６】 図１は、フッ素化反応物質送出装置１の一実施形態の側面図である。図1中、本開示のフッ素化反応物質１１は、入口導管３および出口導管４の２つの導管を有する容器２中に収容される。反応物質の技術分野の当業者であれば、容器２、入口導管３、および出口導管４は、高温および高圧でさえも気体の形態のフッ素化反応物質１１が漏れるのを防止できるように製造されることを理解されよう。 【００４７】 送出装置１は、反応器（図示せず）、またはガスキャビネットなどの送出装置と反応器との間の別の構成要素に、バルブ６および７によって流体的に接続される。好ましくは、容器２、入口導管３、バルブ６、出口導管４、およびバルブ７は、３１６Ｌ ＥＰまたは３０４ステンレス鋼でできている。しかし、当業者であれば、別の非反応性材料を本明細書の教示において使用することもでき、任意の腐食性フッ素化反応物質１１では、たとえばＨａｙｎｅｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｉｎｃ．より商標のＨａｓｔｅｌｌｏｙ（登録商標）またはＨｕｎｔｉｎｇｔｏｎ Ａｌｌｏｙｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎより商標のＩｎｃｏｎｅｌ（登録商標）で販売されるニッケル系合金などのより耐食性の材料の使用が必要となりうることを理解されるであろう。あるいは、フッ素化反応物質１１、および特にフッ素化反応物質１１を収容する貯蔵容器に対して露出する部品は、限定するものではないが、ニッケル、ダイヤモンド状炭素、過フッ素化炭素、アルミナ、炭化ケイ素、および炭窒化物、金属炭化物など、ならびにそれらの多層などのフッ化物耐性のコーティングで被覆することができる。 【００４８】 図１中、入口導管３の末端８は、フッ素化反応物質１１の表面より上に位置し、一方、出口導管４の末端９はフッ素化反応物質１１の表面より下に位置する。この実施形態では、フッ素化反応物質１１は、好ましくは液体の形態である。限定するものではないが窒素、アルゴン、ヘリウム、およびそれらの混合物などの不活性ガスを入口導管３中に導入することができる。不活性ガスは送出装置２を加圧し、それによって液体フッ素化反応物質１１が出口導管４を通って反応器（図示せず）まで押し出される。反応器は、酸化物膜を上に有する基板に蒸気を送出するために、ヘリウム、アルゴン、窒素、またはそれらの混合物などのキャリアガスを使用して、または使用せずに液体フッ素化反応物質１１を蒸気に変換する蒸発器を含むことができる。 【００４９】 図２は、フッ素化反応物質送出装置１の第２の実施形態の側面図である。図２中、入口導管３の末端８はフッ素化反応物質１１の表面より下に位置し、一方、出口導管４の末端９はフッ素化反応物質１１の表面より上に位置する。図２は、フッ素化反応物質１１の温度を上昇させることができる任意選択の加熱要素１４も含む。この実施形態では、フッ素化反応物質１１は固体または液体の形態であってよい。限定するものではないが窒素、アルゴン、ヘリウム、およびそれらの混合物などの不活性ガスが入口導管３中に導入される。不活性ガスはフッ素化反応物質１１を通過して気泡となり、不活性ガスと気化したフッ素化反応物質１１との混合部を出口導管４および反応器まで運ぶ。 【００５０】 図１および２は、バルブ６および７を含む。当業者であれば、それぞれ導管３および４を通って流れるように、バルブ６および７を開放位置または閉鎖位置に配置できることを理解されよう。フッ素化反応物質１１が蒸気の形態である場合、または十分な蒸気圧が固相／液相の上に存在する場合は、図１および２中の送出装置１、または存在する任意の固体または液体の表面より上に末端が位置する１つの導管を有するより単純な送出装置のいずれかを使用することができる。この場合、図１中のバルブ６または図２中のバルブ７を単純に開放することによって、導管３または４から、フッ素化反応物質１１が蒸気の形態で送出される。送出装置１は、たとえば任意選択の加熱要素１４を使用することによって、蒸気の形態で送出されるフッ素化反応物質１１の十分な蒸気圧を得るために適切な温度に維持することができる。 【００５１】 図１および２はフッ素化反応物質送出装置１の２つの実施形態を開示しているが、当業者であれば、本明細書の開示から逸脱せずに、入口導管３および出口導管４の両方が、フッ素化反応物質１１の表面の上または下に位置することもできることを理解されよう。・・・対照的に、液体のＶＦ５およびＭｏＦ６の蒸気は、真空を用いて生成し、液体フッ素化反応物質１１の表面の上に１つの出口導管４を配置した。」 オ 「【００５９】 反応器は、限定するものではないが、炉、平行板型反応器、コールドウォール型反応器、ホットウォール型反応器、シングルウエハ反応器、マルチウエハ反応器（すなわち、炉）、または別の種類の堆積システムなどの、反応物質が酸化物層と反応して揮発性のフッ素化種を形成するのに適切な条件下で堆積方法が行われる装置中の任意の筐体またはチャンバーであってよい。 【００６０】 いずれのフッ素化反応物質がチャンバー材料と反応して、短期または長期の使用でその性能を低下させるかどうかを調べるために、材料適合性試験が重要である。チャンバー、バルブなどの部品中に含まれる重要な材料は、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＴＦＥ、ならびのその他の金属およびポリマーを含む。時には、これらの材料は、より高い温度および圧力に曝露され、それによって劣化が促進されることがある。計測方法としては、目視検査、重量測定、ＳＥＭにおけるナノメートルスケールの変化の測定、引張強度、硬度などを挙げることができる。以下の実施例に示されるように、ＮｂＦ５は、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２などの典型的なチャンバー材料のエッチングを引き起こさなかった。これは驚くべきことであり、その理由は、背景技術で議論したように、ＮｂＣｌ５は反応器のシリカ側壁と反応することが知られているからである（Ｓｕｒｆａｃｅ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２６０，２０１４，ｐｐ．１２６-１３２）。 【００６１】 反応器中の温度および圧力は、熱エッチングに適切な条件で維持される。言い換えると、フッ素化反応物質の蒸気をチャンバー中に導入した後、チャンバー中の条件は、層の少なくとも一部がエッチングされるような条件となる。「層の少なくとも一部がエッチングされる」とは、層の一部または全てがフッ素化反応物質と反応して揮発性フッ素化種を形成することを意味することを、当業者は理解されよう。たとえば、反応器中の圧力は、エッチングパラメータにより必要であれば、約１Ｐａ～約１０５Ｐａの間、より好ましくは約２５Ｐａ～約１０３Ｐａの間に維持することができる。同様に、反応器中の温度は、約５０℃～約５００℃の間、好ましくは約１００℃～約４００℃の間に維持することができる。「層の少なくとも一部がエッチングされる」とは、層の一部または全てが除去されることを意味することを、当業者は理解されよう。 【００６２】 反応器の温度は、基板ホルダーの温度の制御、または反応器壁の温度の制御のいずれかによって制御することができる。基板の加熱に使用される装置は当技術分野において周知である。反応器壁は、十分なエッチング速度および所望の選択性でエッチングするのに十分な温度まで加熱される。反応器壁を加熱することができる非限定的で例示的な温度範囲としては約１００℃～約５００℃が挙げられる。熱処理が行われる場合、エッチング温度は約１００℃～約５００℃の範囲であってよい。」 カ 「【００７２】 図４は、実施例１～６の試験のために使用される装置の概略図である。この装置は、ウエハステージ１０１を含む反応器４００を含む。反応器４００の壁は１２０℃まで加熱した。ウエハステージ１０１は、以下の実施例で指定される温度まで加熱した。ポンプ１０８に接続されるロードロックチャンバー１０２によって、ウエハがウエハステージ１０１まで移される。反応器４００の上にはシャワーヘッド１０３が配置され、ＲＦ発生器１０６によってプラズマを発生させることができる。しかし、実施例１～６ではプラズマを使用しなかった。反応器４００の内容物は乾燥ポンプ１０５によって除去される。 【００７３】 送出装置２００からライン２０１を介してフッ素化反応物質が反応器４００に導入される。当業者であれば、送出装置２００が図１～３の装置のいずれかまたはそれらの変形形態であってよいことを理解されよう。必要であれば、フッ素化反応物質を蒸気の形態に維持するために、ライン２０１を加熱することができる。ライン３０１を介して、Ａｒなどの不活性ガス３００を送出装置２００に送出することができる。不活性ガス３００はライン３０２を介して反応器４００に送出することもできる。 【００７４】 ライン２０１、３０１、および３０２は多数の圧力計、チェックバルブ、バルブ、および圧力調整器を含むことができ、圧力調節またはバイパス流のためのさらなるラインは図面を簡略化するために含まれていないことは、当業者は理解されよう。」 キ 「【００９１】 実施例４：ＭｏＦ６による酸化物層および窒化物層のエッチングの試験 Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＮ、ＴａＮ、およびＳｉＮの基板を、図４の熱反応器４００中にロードロックチャンバー１０２を介して導入し、１５０℃、２００℃、３００℃、３５０℃、４００℃、または４２５℃に加熱したウエハステージ１０１の上に配置した。 【００９２】 反応器４００の圧力は５～６Ｔｏｒｒに維持した。室温の容器２００中にＭｏＦ６を入れた。ＭｏＦ６の蒸気を、キャリアガスは使用せずに、反応器４００中に連続的に導入した。 【００９３】 図７は、ＭｏＦ６導入時間および温度の関数としての異なる酸化物層の厚さを示している。酸化物層およびＳｉＮは、１５０℃において全ＭｏＦ６の導入から１０秒後、２０秒後、および３０秒後；２００℃において１秒後、３秒後、１０秒後、および３０秒後；３００℃において１秒後、３秒後、１０秒後、２０秒後、および３０秒後；３５０℃において１秒後、３秒後、５秒後、１０秒後、２０秒後、および３０秒後；ならびに４００℃において１秒後、２秒後、１０秒後、および３０秒後に、偏光解析装置によって測定した。ＴｉＮおよびＴａＮをＳＥＭによって測定した。表４は、ＭｏＦ６導入時間および温度の関数としての膜エッチング速度（Å／秒）のまとめを示している。 【００９４】 【表４】 ［図：0001437414000001.jpg］ 」 ク 「【図４】 ［図：0001437414000002.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 ア 上記（１）ア、イによれば、甲１は、ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するための技術であって、フッ素化反応物質の蒸気を用いて基板から層をエッチング除去する方法について記載されたものである。また、甲１には、該フッ素化反応物質として、ＭｏＦ６が用いられることも記載されている（【請求項２】）。 イ 上記（１）カ、クによれば、甲１には、反応器４００、送出装置２００、ライン２０１を備えた装置に関し、反応器４００の壁が１２０℃まで加熱されること、送出装置２００、ライン２０１を介してフッ素化反応物質が反応器４００に導入されることが記載されている（【００７２】～【００７３】、図４）。 ウ 上記（１）キ、クによれば、甲１には、実施例４として、室温の容器２００中にＭｏＦ６を入れ、ＭｏＦ６の蒸気を、キャリアガスは使用せずに反応器４００中に連続的に導入することが記載されている（【００９１】～【００９２】、図４）。 エ 上記イ、ウについて、「送出装置２００」及び「容器２００」が同一のものを指すことは明らかである。 オ 以上によれば、甲１には、実施例４に着目すると、以下の発明が記載されていると認められる。 「室温の容器２００中にＭｏＦ６を入れ、該容器２００からライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を壁が１２０℃まで加熱された反応器４００中に連続的に導入することにより、反応器４００、容器２００、ライン２０１を備えた装置を用いて、ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するための基板から層をエッチング除去する方法。」（以下「甲１発明１」という。） カ また、上記オの方法における反応器４００に着目すると、甲１には以下の発明も記載されていると認められる。 「甲１発明１に用いられた反応器４００。」（以下「甲１発明２」という。） キ さらに、上記オの方法における容器２００に着目すると、ＭｏＦ６を室温の容器２００中に入れることで、ＭｏＦ６の入った容器２００を製造していると解することができるから、甲１には以下の発明も記載されていると認められる。 「甲１発明１に用いられる容器２００を製造する方法であって、ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するためのＭｏＦ６を室温の容器２００中に入れ、ＭｏＦ６の入った容器２００を製造する方法。」（以下「甲１発明３」という。） （３）本件発明６について ア 対比 本件発明６と甲１発明１とを対比する。 （ア）甲１発明１の「反応器４００」及び「ライン２０１」は、それぞれ、本件発明６の「チャンバー」及び「配管」に相当する。また、甲１発明１の「反応器４００、容器２００、ライン２０１を備えた装置」は、「ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するため」の装置を構成するものであるから、本件発明６の「半導体処理装置」に相当する。 （イ）甲１発明１は、ライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を反応器４００中に連続的に導入するものであり、「ライン２０１」が「反応器４００」に接続されていることは明らかであるから、本件発明６の「チャンバーに接続された配管」に相当する発明特定事項を備えるものである。 （ウ）甲１発明１の「反応器４００、容器２００、ライン２０１を備えた装置を用いてＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するための基板から層をエッチング除去する方法」は、「半導体処理装置」を用いた「方法」である限りにおいて、本件発明６の「半導体処理装置のパッシベーション方法」と共通する。 （エ）そうすると、本件発明６と甲１発明１とは、 「チャンバーと、前記チャンバーに接続された配管とを備える半導体処理装置を用いた方法。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点６－１＞ 本件発明６は、チャンバーが「金属材料から構成され」、「前記チャンバーおよび前記配管の内面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記チャンバーの内面に形成し、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される」ものであるのに対して、甲１発明１は、反応器４００が「金属材料から構成される」かが不明であり、「ライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を壁が１２０℃まで加熱された反応器４００中に連続的に導入することにより」、上記のような「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」を反応器４００の「内面に形成」しているかが不明である点。 ＜相違点６－２＞ 本件発明６は、「半導体処理装置のパッシベーション方法」であるのに対して、甲１発明１は、「反応器４００、容器２００、ライン２０１を備えた装置を用いて、ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するための基板から層をエッチング除去する方法」である点。 イ 相違点についての判断 事案に鑑み、相違点６－１について検討する。 （ア）まず、相違点６－１が実質的なものであるかについて検討する。 甲１には、反応器４００の材質を「金属材料から構成」した上で、「ライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を壁が１２０℃まで加熱された反応器４００中に連続的に導入することにより」、本件発明６のような所定の「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」を反応器４００の「内面に形成」することについては何らの記載もされていない。 この点、甲１には、上記（１）オに示すように、「いずれのフッ素化反応物質がチャンバー材料と反応して、短期または長期の使用でその性能を低下させるかどうかを調べるために、材料適合性試験が重要である。チャンバー、バルブなどの部品中に含まれる重要な材料は、ステンレス鋼、アルミニウム、ニッケル、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＴＦＥ、ならびのその他の金属およびポリマーを含む。」（【００６０】）という記載がある。したがって、甲１には、甲１発明１の反応器４００の材質として、ステンレス鋼やアルミニウム、ニッケルといった金属材料を選択し得ることは示されているといえるが、ＰＣＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＴＦＥといったポリマーで構成され得ることも併せて示されているといえ、甲１発明１の反応器４００の材質が「金属材料から構成される」もののみに限定されると解することはできない。 そして、該反応器が上述のポリマーで構成されたものであれば、本願優先権主張の日当時の技術常識を考慮しても、ＭｏＦ６の蒸気により、本件発明６のように、反応器４００の内面に「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」が形成されるとは考えにくいものである。 したがって、相違点６－１は実質的なものである。 （イ）次に、上記相違点６－１の容易想到性について検討する。 甲１には、反応器４００の材質としてステンレス鋼等の金属材料が用いられ得ることは記載されている（【００６０】）ものの、反応器４００の材質をステンレス鋼等の金属材料から構成した上で、ライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を壁が１２０℃まで加熱された反応器４００中に連続的に導入することにより、該反応器４００の内壁に本件発明６のような所定の含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を形成することについては何らの記載もされておらず、本願優先日当時の技術常識を考慮しても、甲１発明１において、相違点６－１に係る発明特定事項を備えさせることが動機付けられるとはいえない。 以上によれば、甲１発明１において、相違点６－１に係る発明特定事項を備えさせることは、当業者において容易になし得たものであるということはできない。 （ウ）申立人は、特許異議申立書において、甲１の【００４２】、【００６１】、実施例４には、エッチングを行わない期間に反応装置の表面は、０～６７ｋＰａの圧力、５０℃以上１５０℃未満の温度でＭｏＦ６に暴露されていたことが理解でき、請求項３や【００６０】には、チャンバー、 バルブなどの部品中に含まれる重要な材料はステンレス鋼であることが記載されているから、反応装置の内面や基板を構成するステンレス鋼の表面には、本件発明６と同様な厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下の皮膜が形成されたと考えられることを主張する（第１５頁第１２～２１行）。 しかし、上記（ア）に示したとおり、甲１発明１における反応器４００の材質は、ステンレス鋼等の「金属材料から構成される」もののみに限定されるものではないから、反応器４００の内面に本件発明６のような所定の含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜が形成されるかどうかは不明であるため、申立人の上記主張は、その前提において誤りを含んでおり、採用することができない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、相違点６－２について検討するまでもなく、本件発明６は、甲１に記載された発明とはいえないし、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本件発明７～８について 本件特許の請求項７～８は、請求項６の記載を直接または間接的に引用するものであるから、本件発明７～８は、本件発明６の発明特定事項をすべて備えたものである。 そして、上記（３）のとおり、本件発明６が甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、同様に、本件発明７～８も、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本件発明４について ア 対比 （ア）本件発明４と甲１発明１とを対比すると、本件発明４の「金属材料」は、「金属基材」と所定の「皮膜」から構成されるものと認められるところ、甲１発明１の「反応器４００」は、何らかの材料で構成されていることは明らかであるから、本件発明４の「金属材料」を構成する「基材」に相当する。 （イ）そうすると、本件発明４と甲１発明１とは、少なくとも、以下の点で相違する。 ＜相違点４－１＞ 本件発明４は、基材が「金属」から構成され、「金属基材の表面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記金属基材の表面に形成し、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される」ものであるのに対して、甲１発明１は、反応器４００が「金属」から構成されるかが不明であり、「ライン２０１を介してＭｏＦ６の蒸気を壁が１２０℃まで加熱された反応器４００中に連続的に導入することにより」、上記のような「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」を反応器４００の「内面に形成」しているかが不明である点。 イ 相違点についての判断 相違点４－１について検討するに、該相違点４－１は、相違点６－１と同様なものである。そして、上記（３）イに示したとおり、相違点６－１は実質的なものであり、甲１発明１において、相違点６－１に係る発明特定事項を備えさせることが、当業者において容易になし得たものであるとはいえないから、同様に、相違点４－１は実質的なものであり、甲１発明１において、相違点４－１に係る発明特定事項を備えさせることが、当業者において容易になし得たものであるとはいえない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、本件発明４は、甲１に記載された発明とはいえないし、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （６）本件発明５について 本件特許の請求項５は、請求項４の記載を直接引用するものであるから、本件発明５は、本件発明４の発明特定事項をすべて備えたものである。 そして、上記（５）のとおり、本件発明４が甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、同様に、本件発明５も、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （７）本件発明１について ア 対比 （ア）本件発明１と甲１発明２とを対比すると、本件発明１の「金属材料」は、「金属基材」と所定の「皮膜」から構成されるものと認められるところ、甲１発明２の「反応器４００」は、何らかの材料で構成されていることは明らかであるから、本件発明１の「金属材料」を構成する「基材」に相当する。 （イ）そうすると、本件発明１と甲１発明２とは、少なくとも、以下の点で相違する。 ＜相違点１－１＞ 本件発明１は、基材が「金属」から構成され、「金属基材の表面に」「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」が「設けられ」、「前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表され、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である」のに対して、甲１発明２は、反応器４００が「金属」から構成されるかが不明であり、反応器４００「の表面に」上記のような「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」が「設けられ」ているかが不明である点。 イ 相違点についての判断 相違点１－１について検討するに、該相違点１－１は、相違点６－１と同様なものである。そして、上記（３）イに示したとおり、相違点６－１は実質的なものであり、甲１発明１において、相違点６－１に係る発明特定事項を備えさせることが、当業者において容易になし得たものであるとはいえないから、同様に、相違点１－１は実質的なものであり、甲１発明２において、相違点１－１に係る発明特定事項を備えさせることが、当業者において容易になし得たものであるとはいえない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえないし、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （８）本件発明２～３について 本件特許の請求項２～３は、請求項１の記載を直接または間接的に引用するものであるから、本件発明２～３は、本件発明１の発明特定事項をすべて備えたものである。 そして、上記（７）のとおり、本件発明１が甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、同様に、本件発明２～３も、甲１に記載された発明ではなく、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （９）本件発明９について ア 対比 本件発明９と甲１発明３とを対比する。 （ア）甲１発明３の「容器２００」は、「ＣＭＯＳ等の半導体デバイスを製造するためのＭｏＦ６」を入れるものであり、反応器４００へ供給されるまで、該ＭｏＦ６を「保存」するものであることは明らかであるから、本件発明９の「半導体デバイスの製造過程用」「保存容器」に相当する。 （イ）甲１発明３の「ＭｏＦ６を室温の容器２００中に入れ」ることは、ＭｏＦ６を容器に充填していることに他ならない。そして、「ＭｏＦ６」は、その沸点が約３４℃であり、常温においてもきわめて気化しやすい化合物であるから、該「ＭｏＦ６」は、室温の容器内において少なくとも一部がガスとして存在することは明らかである。したがって、甲１発明３の「ＭｏＦ６を室温の容器２００中に入れ」ることは、本件発明９の「保存容器に、ＭｏＦ６を含むガスを充填する」ことに相当する。 また、甲１発明３におけるＭｏＦ６が入れられた後の「容器２００」は、本件発明９の「充填済み容器」に相当する。 （ウ）そうすると、本件発明９と甲１発明３とは、 「半導体デバイスの製造過程用保存容器に、ＭｏＦ６を含むガスを充填する工程を備えた、充填済み容器の製造方法。」 である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点９－１＞ 本件発明９は、半導体デバイスの製造過程用保存容器が「金属材料から構成され」、「半導体デバイスの製造過程用保存容器の内面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を前記保存容器の内面に形成する工程」を備えるものであり、「前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であり、前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される」ものであるのに対し、甲１発明３は、容器２００が「金属材料から構成される」かが不明であり、上記のような「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」を容器２００の「内面に形成する工程」を備えていない点。 イ 相違点についての判断 相違点９－１について検討するに、甲１には、「ＭｏＦ６を室温の容器２００中に入れ」る工程とは別の「含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜」を容器２００の「内面に形成する工程」について、何らの記載もなされていないから、相違点９－１は実質的なものであるし、甲１発明３において、そのような工程を付加することが、甲１の記載及び本願優先日当時の技術常識から動機付けられるともいえず、当業者において容易になし得たものであるということはできない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、本件発明９は、甲１に記載された発明とはいえないし、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 （１０）申立理由１（新規性）、申立理由２（進歩性）についてのまとめ 以上のとおり、本件発明１～９は、甲１に記載された発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号に該当しないものである。また、本件発明１～９は、甲１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとはいえない。 したがって、申立理由１、２によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 申立理由３（実施可能要件） （１）本件明細書等の記載 本件明細書等には、以下の記載がある。 ア 「【０００８】 本発明者らが鋭意検討した結果、ＭｏＦ６が保存容器、配管、チャンバーなどの金属と反応することにより、ＭｏＦ６の純度が低下するとともに、低次のＭｏＦｘ（ｘは３、４または５）が生成すること、および、ＭｏＦｘの融点が高いことから、ガス中においてパーティクルが形成されることを見出した。このＭｏＦｘのパーティクルが、成膜中に取り込まれると成膜不良を起こし、また、半導体ウェハの表面に付着すると半導体デバイスの不良を起こすことになる。 【０００９】 そこで、金属材料を構成する金属基材の表面に対して、事前にＭｏＦ６を用いて前処理を行い、ＭｏＯｘＦｙ（フッ化モリブデンまたは酸フッ化モリブデン）の皮膜を形成することにより、ＭｏＦ６と金属との反応を抑制し、パーティクルの発生と、さらにはＭｏＦ６の純度の低下を防止する方法を見出した。 【００１０】 本開示の金属材料は、金属基材と、上記金属基材の表面に設けられ、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜と、を備え、上記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される。 【００１１】 本開示の金属材料においては、上記金属基材が、ステンレス鋼、マンガン鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケルおよびニッケル合金からなる群から選ばれるいずれか一つ以上から構成されることが好ましい。 【００１２】 本開示の金属材料においては、上記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。 【００１３】 本開示の金属材料においては、上記金属基材が、配管、保存容器またはチャンバーであり、上記皮膜が、上記金属基材の内面に設けられていることが好ましい。 【００１４】 本開示の金属材料の製造方法では、金属基材の表面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を上記金属基材の表面に形成する。」 イ 「【００３２】 皮膜に含まれる含フッ素モリブデン化合物は、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表される。上記含フッ素モリブデン化合物は、ｘが０の場合はフッ化モリブデンであり、ｘが０以外の場合は酸フッ化モリブデンである。 【００３３】 含フッ素モリブデン化合物の組成は、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により確認することができる。例えば、ＭｇＫα線（１２５３．６ｅＶ）またはＡｌＫα線（１４８６．６ｅＶ）などの軟Ｘ線を試料に照射し、試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを計測することで、試料表面を構成する元素の種類、存在量、化学結合状態に関する知見を得ることができる。 【００３４】 皮膜の厚さは、１ｎｍ以上であることが好ましく、５ｎｍ以上であることがより好ましい。一方、皮膜の厚さは、２０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。 【００３５】 皮膜の厚さは、ＸＰＳとアルゴンイオンビームによるエッチングとを組み合わせた深さ分析により測定することができる。」 ウ 「【００３７】 ［金属材料の製造方法］ 本開示の金属材料の製造方法では、金属基材の表面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を上記金属基材の表面に形成する。 【００３８】 本開示の金属材料の製造方法においては、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を金属基材の表面に形成することで、ＭｏＦ６と金属との反応が抑制される。その結果、パーティクルの発生と、さらにはＭｏＦ６の純度の低下を防止することができる。 【００３９】 まず、金属基材として、例えば、配管、保存容器、チャンバーなどを準備する。この場合、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜が金属基材の内面に形成される。 【００４０】 金属基材を構成する材料としては、［金属材料］で説明した金属を使用することができる。金属基材は、ステンレス鋼から構成されることが好ましい。」 エ 「【００４４】 ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の温度を高くすることにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を速やかに形成することができる。しかし、温度が高すぎると、金属基材が腐食して、パーティクルが発生するおそれがある。そのため、ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の温度は、３００℃以下であることが好ましく、２００℃以下であることがより好ましく、１５０℃以下であることがさらに好ましい。一方、ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の温度は、例えば、０℃以上であり、２０℃以上であることが好ましく、４０℃以上であることがさらに好ましい。 【００４５】 金属基材の表面を暴露するガスは、ＭｏＦ６を１００体積％含むガスであってもよいし、ＭｏＦ６を窒素、アルゴンなどの不活性ガスなどで希釈したガスであってもよい。 【００４６】 金属基材の表面を暴露するガス中のＭｏＦ６の濃度は特に限定されないが、ＭｏＦ６の濃度が高いほど、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を速やかに形成することができる。また、ＭｏＦ６の濃度が高いほど、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を安定して強固に形成することができる。そのため、上記ガス中のＭｏＦ６の濃度は、１００体積％であることが好ましい。 【００４７】 一方、ＭｏＦ６の濃度が低すぎると、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜が形成される速度が遅くなり、皮膜が形成されるまでの時間が長くなるため、効率的に皮膜を形成することが難しくなる。そのため、上記ガス中のＭｏＦ６の濃度は、５体積％以上であることが好ましい。 【００４８】 ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の圧力は特に限定されないが、例えば、１０ｋＰａ以上、１ＭＰａ以下の範囲で適宜設定することができる。なお、大気圧であってもよい。 【００４９】 ＭｏＦ６を含むガスに暴露する時間は特に限定されないが、例えば、１分間以上７２時間以下の範囲で適宜設定することができる。」 オ 「【００７３】 ［実施例１］ 実施例１では、樹脂（ＰＦＡ）で構成されたチャンバー１０および配管２０～２２を使用し、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）で構成された保存容器３０を使用した。保存容器３０に対して、以下の条件で前処理を行った。 【００７４】 ＜保存容器の前処理＞ １．保存容器３０を４０℃に加温し、不活性ガス（Ｎ２／Ｈｅ）を用いて容器内を置換した後、保存容器３０を真空引きした。 【００７５】 ２．保存容器３０内に、１００体積％ＭｏＦ６ガスを５０ｋＰａ導入して、２４時間保持した。 【００７６】 ３．保存容器３０内のＭｏＦ６ガスを真空排気した。 【００７７】 上記と同じ条件で表面処理したテストピース（ＳＵＳ３０４を２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した金属片）に対してＸＰＳ分析を行ったところ、表面にモリブデンとフッ素が検出され、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜がテストピースの表面に形成されていることが確認された。また、アルゴンイオンビームを用いたエッチングを行い、ＸＰＳの深さ分析を行った結果、皮膜の厚さは約８５ｎｍであった。」 カ 「【００８６】 ［実施例２］ 実施例２では、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）で構成されたチャンバー１０、配管２０～２２および保存容器３０を使用した。保存容器３０に対して、実施例１と同じ条件で前処理を行った。さらに、チャンバー１０および配管２０に対して、以下の条件で前処理を行った。その後、 【００８７】 ＜チャンバーおよび配管の前処理＞ １．チャンバー１０および配管２０を１５０℃に加温し、不活性ガス（Ｎ２／Ｈｅ）を用いてチャンバー１０および配管２０内を置換した後、真空引きした。 【００８８】 ２．チャンバー１０および配管２０内に、ＭｏＦ６ガスを５０ｋＰａ導入して、２４時間保持した。 【００８９】 ３．チャンバー１０および配管２０内のＭｏＦ６ガスを真空排気した。 【００８９】 上記と同じ条件で表面処理したテストピース（ＳＵＳ３０４を２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した金属片）に対してＸＰＳ分析を行ったところ、表面にモリブデンとフッ素が検出され、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜がテストピースの表面に形成されていることが確認された。また、アルゴンイオンビームを用いたエッチングを行い、ＸＰＳの深さ分析を行った結果、皮膜の厚さは約１０ｎｍであった。」 キ 「【００９４】 表１に、前処理の条件および評価結果を示す。 【００９５】 【表１】 ［図：0001437414000003.jpg］ 【００９６】 実施例１および比較例１より、ステンレス鋼から構成される保存容器３０に対して、ＭｏＦ６を用いた前処理を行うことにより、パーティクルの発生が抑えられる。 【００９７】 実施例２および比較例２より、ステンレス鋼から構成されるチャンバー１０および配管２０に対しても、ＭｏＦ６を用いた前処理を行うことにより、パーティクルの発生が抑えられる。 【００９８】 比較例３においては、４００℃でのＭｏＦ６による前処理により、ステンレス鋼が腐食してしまい、パーティクルが発生した。」 （２）実施可能要件についての判断 ア 上記第２のとおり、本件発明１は、 「金属基材と、 前記金属基材の表面に設けられ、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜と、を備え、 前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表され、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である、半導体デバイスの製造過程用の金属材料」である。 イ 一方、上記（１）ア～ウによれば、本件明細書等の発明の詳細な説明には、金属基材の表面を、３００℃以下の温度で、ＭｏＦ６を含むガスに暴露することにより、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を上記金属基材の表面に形成できることが記載されている。 また、上記（１）エによれば、本件明細書等の発明の詳細な説明には、ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の温度が高すぎると、金属基材が腐食してパーティクルが発生するおそれがあること、ＭｏＦ６の濃度が高いほど、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜を安定して強固に形成することができることが記載され、ＭｏＦ６を含むガスに暴露する際の圧力や時間についても適切な範囲が記載されている。 ウ さらに、上記（１）オ～キに示された実施例１、２をみるに、本件明細書等の発明の詳細な説明には、４０℃または１５０℃に加温したステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）をＭｏＦ６ガスに暴露して２４時間保持することで、８５ｎｍまたは１０ｎｍの皮膜が形成されることが記載されている。 エ これらを勘案するに、上記ウに示した実施例１、２における処理条件を基準として、上記イの記載に基づいて、原料、分解反応時間及び重合反応時間を適宜に変更し、本件発明１において特定された皮膜を有する金属材料を作ることは、当業者において過度の試行錯誤を要するものとまではいえない。 また、そのように作られた金属材料は、上記（１）キに示されるとおり、パーティクルの発生が抑えられており、半導体デバイスの製造過程用の金属材料として使用できるものであることも明らかである。 オ 申立人は、特許異議申立書において、本件明細書等の発明の詳細な説明には、皮膜の組成について、所定条件で表面処理した「テストピース（ＳＵＳ３０４を２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した金属片）に対してＸＰＳ分析を行ったところ、表面にモリブデンとフッ素が検出され、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜がテストピースの表面に形成されていることが確認された。」と記載されているにとどまり、該記載からは皮膜がモリブデンとフッ素を含むものであることしか把握できず、どのようにして一般式ＭｏＯｘＦｙで表される皮膜を形成することができるのか当業者は理解できないことを主張する（第１７頁（４－２）ア（ア））。 しかし、上記ＸＰＳ分析により、形成された皮膜がモリブデンとフッ素が含まれた含フッ素モリブデン化合物を有していることは明らかであるし、金属材料表面に残留し得る酸素や水、酸化膜等によって皮膜中に酸素が取り込まれることも十分に考えられるから、該皮膜が、酸素を含み得る一般式ＭｏＯｘＦｙで表される組成の化合物を含むものとなることは、当業者であれば理解できるものである。 したがって、申立人の上記主張は採用しない。 カ また、申立人は、特許異議申立書において、本件明細書等の発明の詳細な説明には、厚さが約８５ｎｍ及び約１０ｎｍの皮膜が形成されることは記載されているが、本件発明において特定された「厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である」皮膜については記載がないこと、及び、金属材料としてステンレス鋼しか記載されておらず、ステンレス鋼以外の金属材料についても、ステンレス鋼と同じ前処理条件で厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である皮膜が形成されるか否かについても説明されていないことを主張する（第１７～１８頁（４－２）ア（イ））。 しかし、形成される皮膜の厚みが、ＭｏＦ６を含むガスに暴露する温度や圧力、時間等の条件により変わるものであることは当業者であれば明らかであり、これらの条件を上記ウ、エに示される範囲において適宜設定し、所望の厚さの皮膜を得ようとすることは、当業者に過度の試行錯誤を強いるものではない。また、金属材料についても、本件明細書等における「金属基材を構成する材料としては、例えば、ステンレス鋼、マンガン鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、ニッケル合金などの金属が挙げられる」（【００２６】）の記載を参照して適宜に選択すれば良いのであって、金属材料の種類に応じて上記の条件を適宜設定し、所望の厚さの皮膜を得ようとすることも、同様に、当業者に過度の試行錯誤を強いるものではない。 したがって、申立人の上記主張は採用しない。 キ 以上のとおりであるから、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１を実施できる程度に明確かつ十分なものであるといえる。同様に、本件明細書等の発明の詳細な説明の記載は、本件発明２～９を実施できる程度に明確かつ十分なものである。 （３）申立理由３（実施可能要件）についてのまとめ 以上のとおり、本件明細書等の発明の詳細な説明は、本件発明１～９について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。したがって、申立理由３によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 申立理由４（サポート要件） （１）上記第２のとおり、本件発明１は、 「金属基材と、 前記金属基材の表面に設けられ、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜と、を備え、 前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表され、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である、半導体デバイスの製造過程用の金属材料」である。 （２）一方、本件明細書等の発明の詳細な説明、特に、【０００６】～【０００９】の記載をみるに、本件発明１において解決すべき課題（以下、単に「課題」という。）は、半導体デバイスの製造過程で使用するのに適したパーティクルの少ないＭｏＦ６を供給することと認められる。 （３）ア 上記２（１）アに示した、本件明細書等の発明の詳細な説明の【０００８】、【０００９】の記載をみるに、上記パーティクルを減少させるためには、金属基材の表面に対して、事前にＭｏＦ６を用いて前処理を行い、ＭｏＯｘＦｙ（フッ化モリブデンまたは酸フッ化モリブデン）の皮膜を形成することにより、ＭｏＦ６と金属との反応を抑制することが肝要であることが把握される。 イ また、上記２（１）オ～キをみるに、本件明細書等の発明の詳細な説明には、実施例１、２として、４０℃または１５０℃に加温したステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）をＭｏＦ６ガスに暴露して２４時間保持することで、８５ｎｍまたは１０ｎｍの皮膜が形成されたステンレス鋼を用いることにより、パーティクルの発生が抑制されることが記載されている。 ウ 上記ア、イに基づき、上記２（１）イ【００３４】の記載等も参酌すれば、ＭｏＯｘＦｙ（フッ化モリブデンまたは酸フッ化モリブデン）の皮膜を所定の厚みで形成することにより、上記（２）の課題を解決できることが明らかといえる。 （４）申立人は、特許異議申立書において、本件明細書等の発明の詳細な説明には、ＭｏＯｘＦｙで表される皮膜が記載されていないことを主張する（第１７頁（４－２）ア（ア））。 しかし、上記２（２）オに説示したとおり、モリブデンとフッ素が含まれた含フッ素モリブデン化合物を有する皮膜が形成されることは、本件明細書等の発明の詳細な説明に記載されているし、金属材料表面に残留し得る酸素や水、酸化膜等によって皮膜中に酸素が取り込まれることも十分に考えられるから、該皮膜が、酸素を含み得る一般式ＭｏＯｘＦｙで表される組成の化合物を含むものとなることは、当業者であれば理解できるものである。 （５）また、申立人は、特許異議申立書において、本件明細書等の発明の詳細な説明には、厚さが約８５ｎｍ及び約１０ｎｍの皮膜が形成されることは記載されているが、本件発明において特定された「厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である」皮膜については記載がないこと、及び、ステンレス鋼以外の金属材料について記載がないことを主張する（第１７～１８頁（４－２）ア（イ））。 しかし、金属材料表面とＭｏＦ６ガスとの接触をある程度遮断できる程度の厚さの皮膜であれば、パーティクルの発生をある程度抑制できることは明らかであるから、本件発明１において特定される「厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である」皮膜により、上記（２）の課題を解決できると解される。また、上記厚さの所定の皮膜が形成できるものであるならば、ステンレス鋼以外の金属材料であっても、上記（２）の課題を解決できることも明らかである。 （６）そうすると、本件発明１は、発明の詳細な説明において、上記（２）の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものとはいえない。この点は、本件発明２～９についても同様である。 （７）申立理由４（サポート要件）についてのまとめ 以上のとおり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものといえ、特許法第３６条第６項第１号に適合するものであるから、申立理由４によっては、同請求項に係る特許を取り消すことはできない。 ４ 申立理由５（明確性要件） （１）上記第２のとおり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１には、「金属基材と、 前記金属基材の表面に設けられ、含フッ素モリブデン化合物を含む皮膜と、を備え、 前記含フッ素モリブデン化合物が、一般式ＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）で表され、前記皮膜の厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下である、半導体デバイスの製造過程用の金属材料」と記載されており、該記載により、本件発明１が、金属基材表面に、厚さが１ｎｍ以上２０μｍ以下のＭｏＯｘＦｙ（ｘは０～２の数、ｙは２～５の数）なる化合物の皮膜が形成された半導体デバイスの製造過程用の金属材料であることが明確に特定されており、特許を受けようとする発明は明確である。請求項２～９の記載についても、同様である。 （２）申立人は、特許異議申立書において、請求項１の、「ＭｏＯｘＦｙ」なる皮膜の組成、「１ｎｍ以上２０μｍ以下である」皮膜の厚さ、「金属材料」についての記載が明確ではないことを主張する（第１７～１８頁（４－２）ア（ア）、（イ））が、上記（１）のとおり、請求項１の記載自体はそもそも明確であり、申立人の該主張には理由がない。 （３）そうすると、本件特許の特許請求の範囲の請求項１の記載は、特許を受けようとする発明が明確である。また、請求項２～９の記載も同様である。 （４）申立理由５（明確性要件）についてのまとめ 以上のとおり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１～９の記載は明確であり、特許法第３６条第６項第２号に適合するものであるから、申立理由５によって、同請求項に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、申立人による特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。