2026-700183

特許第７７３１９６９号発明「成膜装置、成膜方法、酸化ガリウム膜および積層体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７７３１９６９号の請求項１～２８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 本件の特許第７７３１９６９号（以下「本件特許」という。）の請求項１～２８に係る特許についての出願（特願２０２３－５０５６２９号。以下「本願」という。）は、令和 ４年 ３月１０日（優先権主張：令和 ３年 ３月１２日）を国際出願日とする出願であって、令和 ７年 ８月２２日にその特許権の設定登録がされ、同年 ９月 １日に特許掲載公報が発行され、その後、令和 ８年 ３月 ２日に、その請求項１～２８（全請求項）に係る特許について、特許異議申立人である西郷 新（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。 第２ 本件特許発明 本件特許の特許請求の範囲の請求項１～２８に係る発明は、本願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～２８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。なお、以下において、本願の請求項１～２８に係る発明をそれぞれ「本件特許発明１」～「本件特許発明２８」といい、総称して、「本件特許発明」という。また、本願の願書に添付した明細書を「本件特許明細書」という。 「 【請求項１】 ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う成膜装置であって、 前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、 該ミスト化部で発生させた前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、 前記基板を載置する載置部を内部に備え、前記キャリアガスにより搬送された前記ミストが前記基板上に供給される成膜部と、 該成膜部から排気ガスを排気する排気部と、 を備え、 前記成膜部内の前記載置部の上方に、 前記基板上へ前記ミストを供給するノズルと、 該ノズルから供給された前記ミストを前記基板に沿って整流する天板と、 を更に備えるものであることを特徴とする成膜装置。 【請求項２】 前記ノズルと前記天板が、前記載置部の鉛直上方に設置されているものであることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 【請求項３】 前記天板が、前記ノズルの側面に接して設置されているものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の成膜装置。 【請求項４】 前記天板が、前記ノズルの開口面と同一平面内に設置されているものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項５】 前記天板の底面と、前記載置部の前記基板が載置される面とが平行になるように前記天板が設置されているものであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項６】 前記天板の底面と、前記載置部の前記基板が載置される面との高さ位置の差が０．１５ｃｍ以上６．０５ｃｍ以下となるように前記天板が設置されているものであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項７】 前記ノズルの開口面と、前記載置部に載置された前記基板との高さ位置の差が０．１ｃｍ以上６．０ｃｍ以下となるように前記ノズルが設置されているものであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項８】 前記天板の底面の面積をＢ［ｃｍ２］としたとき、Ｂ≧４０のものであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項９】 前記基板の面積をＡ［ｃｍ２］、前記天板の底面の面積をＢ［ｃｍ２］としたとき、Ｂ／Ａ≧０．５のものであることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項１０】 前記ノズルの下方で前記基板を移動させる移動機構を更に備えるものであることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項１１】 前記原料溶液がガリウムを含むものであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項１２】 前記原料溶液がハロゲンを含むものであることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の成膜装置。 【請求項１３】 ミスト化した原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う成膜方法であって、 前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト発生工程と、 前記ミストをキャリアガスにより成膜部に搬送するミスト搬送工程と、 前記成膜部内の載置部に載置した前記基板上に前記ミストを供給して熱処理し成膜を行いつつ排気ガスを排気する成膜工程と、 を含み、 前記成膜工程において、 前記基板上への前記ミストの供給を、前記載置部の上方に備えたノズルから、前記載置部の上方に備えた天板と前記基板の間に行うことで、前記基板上に該基板に沿って整流された前記ミストを供給することを特徴とする成膜方法。 【請求項１４】 前記ノズルと前記天板を、前記載置部の鉛直上方に設置することを特徴とする請求項１３に記載の成膜方法。 【請求項１５】 前記天板を、前記ノズルの側面に接して設置することを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の成膜方法。 【請求項１６】 前記天板を、前記ノズルの開口面と同一平面内に設置することを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項１７】 前記天板の底面と、前記載置部の前記基板が載置される面とが平行になるように前記天板を設置することを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項１８】 前記天板の底面と、前記載置部の前記基板が載置される面との高さ位置の差が０．１５ｃｍ以上６．０５ｃｍ以下となるように前記天板を設置することを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項１９】 前記ノズルの開口面と、前記載置部に載置された前記基板との高さ位置の差が０．１ｃｍ以上６．０ｃｍ以下となるように前記ノズルを設置することを特徴とする請求項１３から請求項１８のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２０】 前記天板の底面の面積をＢ［ｃｍ２］としたとき、Ｂ≧４０とすることを特徴とする請求項１３から請求項１９のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２１】 前記基板の面積をＡ［ｃｍ２］、前記天板の底面の面積をＢ［ｃｍ２］としたとき、Ｂ／Ａ≧０．５とすることを特徴とする請求項１３から請求項２０のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２２】 前記成膜工程において、前記ノズルの下方で前記基板を移動させることを特徴とする請求項１３から請求項２１のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２３】 前記原料溶液をガリウムを含むものとすることを特徴とする請求項１３から請求項２２のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２４】 前記原料溶液をハロゲンを含むものとすることを特徴とする請求項１３から請求項２３のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２５】 前記ノズルから供給する前記キャリアガスの流量をＱ［Ｌ／分］、前記排気ガスの流量をＥ［Ｌ／分］としたとき、Ｅ／Ｑを５以下とすることを特徴とする請求項１３から請求項２４のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２６】 前記基板を、成膜される面の面積が５０ｃｍ２以上のもの、または、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものとすることを特徴とする請求項１３から請求項２５のいずれか一項に記載の成膜方法。 【請求項２７】 コランダム構造を有する酸化ガリウム膜であって、 該酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであり、 前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする酸化ガリウム膜。 【請求項２８】 コランダム構造を有する酸化ガリウム膜と基板の積層体であって、 該積層体の前記酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであり、 前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布が±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする積層体。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、証拠方法として、甲第１号証～甲第３号証（以下「甲１」～「甲３」という。）を提出し（下記６参照。）、以下の理由により、本件特許の請求項１～２８に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（新規性） 本件特許発明１～８、１０、１３～２０、２２、２５は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 申立理由２（進歩性） （１）申立理由２－１ 本件特許発明１～２６は、甲１に記載された発明、及び甲２に記載された事項に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 （２）申立理由２－２ 本件特許発明２７～２８は、甲２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ３ 申立理由３（拡大先願） 本件特許発明２７～２８は、本願の優先日前の日本語特許出願であって、その優先日後に国際公開がされた甲３に係る日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許発明２７～２８の発明者が甲３に係る日本語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本願の出願の時において、その出願人が上記日本語特許出願の出願人と同一でもないので（特許法第１８４条の１３参照。）、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ４ 申立理由４（明確性要件） 本件特許発明２７～２８において、「面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であること」との記載があるが、数値の「幅」が３．１％以上であることを指すのか、あるいはプラスマイナスの各々の絶対値が３．１％以上を指すのか、文言上、その技術的範囲を一義的に定めることができない。 また、本件特許発明２７～２８において、「面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であること」との記載があるが、通常、分布は小さいことが求められる技術パラメータであるにもかかわらず、その範囲の下限を３．１％に設定する意図が不明であり、これが絶対値の範囲を指すのか、特定の偏差以上を排除しないという意味なのか不明確である。 したがって、本件特許の請求項２７～２８に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ５ 申立理由５（サポート要件）、申立理由６（実施可能要件） 本件特許の実施例は、基板面積が４インチであるものに限定されており、ミストＣＶＤ法において、膜厚の均一性を維持することは、基板面積の増大に伴って飛躍的に困難になることが技術常識である。 それにもかかわらず、本件特許発明２７～２８においては、発明特定事項に基板面積が特定されておらず、一律に±１１．７％以下の分布を達成できるかのように請求項を記載しているが、これを裏付ける技術的な説明や実施例が不足しているから、本件特許発明は発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて広範に権利を主張するものである。 したがって、本件特許の請求項２７～２８に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 また、本件特許の請求項２７～２８に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ６ 証拠方法 甲１：国際公開第２０２０／０２６８２３号 甲２：特開２０２０－２３９６号公報 甲３：国際公開第２０２１／０６５９４０号 第４ 当合議体の判断 以下に述べるとおり、当合議体は、上記第３のいずれの申立理由によっても、本件特許の請求項１～２８に係る特許を取り消すことができないと判断する。 １ 申立理由１（新規性）、及び申立理由２－１（進歩性）について （１）甲１に記載された発明 本件特許の出願前に公知となった甲１（発明の名称：ミスト発生装置、並びにミスト成膜方法、及びミスト成膜装置）の段落［００１１］、［００１２］、［００１４］、［００１７］、［００１８］、［００２０］、［００２３］、［００２４］、［００３７］及び［００５１］の記載を総合勘案し、特に第１の実施の形態における、ミスト発生部１４からミスト改質部２０、ミスト噴出部３０及びミスト回収部３２を経て乾燥処理に至る構成及び動作に着目すると、甲１には、次の発明が記載されているものと認められる。 「シート基板Ｐを支持してＸ方向に搬送する搬送ユニット５と、 成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液を貯留する溶液タンク１０と、 溶液から数μｍ～十数μｍ程度の粒径のミストを効率的に発生するミスト発生部１４と、 内部容器１４Ａの上部空間に開口部が配置されたパイプ１６と、パイプ１６を通るキャリアガスＣＧＳの流量を調整する流量調整弁１５と、 発生したミストの化学的又は物理的な状態を紫外線によって改質するミスト改質部２０と、 パイプ２４を介して供給される改質されたミストを含む気体であるキャリアガスＣＧＳをシート基板Ｐに向けて噴霧するミスト噴出部３０と、 シート基板Ｐに付着せずに浮遊したミストを含むキャリアガスＣＧＳを回収するミスト回収部３２と、 ミストを含むキャリアガスＣＧＳの外気への漏れ出しを抑制するために、ミスト噴出部３０、ミスト回収部３２、搬送ユニット５を覆うように設けられたチャンバー部４０と、 ミスト噴出部３０とミスト回収部３２の各底部とシート基板Ｐの間に設けられ、ミスト噴出部３０のスリット状のノズルからミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に向けて、ミストを含むキャリアガスＣＧＳを滑らかに流すための導風部材３１と、 を備え、 ミスト噴出部３０の底部のスリット状のノズルから下向きに噴霧されたミストは、下流側のミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に形成される負圧に向かって、シート基板Ｐの表面に沿って流れつつ、シート基板Ｐの表面に付着し、 導風部材３１は、ミストを含むキャリアガスＣＧＳの流れを乱さないように、シート基板Ｐの平坦な表面とほぼ平行な平面状に構成されており、 板状の導風部材３１は、ＸＹ面と平行な底面３１Ａと、Ｙ方向の両側の各々に－Ｚ方向に所定量だけ突出してＸ方向に延設された側板３１Ｂ、３１Ｃとを備え、 ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面が、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態となり、その液膜を蒸発させて乾燥することにより、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成する、 ミスト成膜装置。」（以下「甲１装置発明」という。） 「シート基板Ｐを支持してＸ方向に搬送する搬送ユニット５により、シート基板Ｐを＋Ｘ方向に移動させ、 内部容器１４Ａの上部空間に開口部が配置されたパイプ１６と、パイプ１６を通るキャリアガスＣＧＳの流量を調整する流量調整弁１５とによって、所定の流量でキャリアガスＣＧＳを供給し、 ミスト発生部１４内で成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液から発生したミストを、キャリアガスＣＧＳの流れに乗ってパイプ１７を通ってミスト改質部２０に送り、 ミスト改質部２０の流路部２０Ａを通って改質されたミストを含むキャリアガスＣＧＳを、パイプ２４を介してミスト噴出部３０の上部から供給し、 ミスト噴出部３０のシート基板Ｐと対向する底部に形成されたスリット状のノズルから所定の流量となってシート基板Ｐに噴霧し、 ミスト噴出部３０の底部のスリット状のノズルから下向きに噴霧されたミストを、下流側のミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に形成される負圧に向かって、シート基板Ｐの表面に沿って＋Ｘ方向に流れつつ、シート基板Ｐの表面に付着させ、 ミスト噴出部３０とミスト回収部３２の各底部とシート基板Ｐの間に設けられた導風部材３１により、ミスト噴出部３０のスリット状のノズルからミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に向けて、ミストを含むキャリアガスＣＧＳを滑らかに流し、 シート基板Ｐの表面を、ミスト噴出部３０から噴霧されてミスト回収部３２で回収されるミストを含むキャリアガスＣＧＳの層流に曝しながら＋Ｘ方向に移動させ、 ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面を、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態とし、 その液膜を蒸発させて乾燥し、 乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成する、 ミスト成膜方法。」（以下「甲１方法発明」という。） （２）本件特許発明１について ア 対比 （ア）甲１装置発明の「成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液」は、本件特許発明１の「原料溶液」に相当し、甲１装置発明の「シート基板Ｐ」は、本件特許発明１の「基板」に相当する。そして、甲１装置発明の「ミスト成膜装置」は、「成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液」から発生したミストを「シート基板Ｐ」に向けて噴霧し、当該ミストをシート基板Ｐの表面に付着させることにより成膜を行う「ミスト成膜装置」であるから、本件特許発明１の「ミスト化された原料溶液」により「基板上に成膜を行う成膜装置」に相当する。 （イ）甲１装置発明の「溶液から数μｍ～十数μｍ程度の粒径のミストを効率的に発生するミスト発生部１４」は、上記（ア）も踏まえると、本件特許発明１の「前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部」に相当する。 （ウ）a 甲１には、「内部容器１４Ａの上部空間に開口部が配置されたパイプ１６と、パイプ１６を通るキャリアガス（キャリア気体）ＣＧＳの流量を調整する流量調整弁１５とによって、所定の流量（又は圧力）でキャリアガスＣＧＳが供給される」（段落［００１２］）、「ミスト発生部１４内で発生したミストは、キャリアガスＣＧＳの流れに乗ってパイプ１７を通ってミスト改質部２０に送られる」（段落［００１４］）と記載されている。 ｂ そうすると、甲１装置発明の「流量調整弁１５」及び「パイプ１６」は、「ミスト発生部１４」で発生したミストを搬送するキャリアガスＣＧＳを供給するものであるから、本件特許発明１の「該ミスト化部で発生させた前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部」に相当する。 （エ）甲１装置発明の「シート基板Ｐを支持してＸ方向に搬送する搬送ユニット５」は、シート基板Ｐを支持するものであって、シート基板Ｐが載置される部分を有するものといえるから、上記（ア）も踏まえると、本件特許発明１の「前記基板を載置する載置部」に相当する。 （オ）甲１装置発明の「チャンバー部４０」は、「ミスト噴出部３０」、「ミスト回収部３２」及び「搬送ユニット５」を覆うように設けられたものであり、その内部において、ミストを含むキャリアガスＣＧＳが搬送ユニット５により支持されるシート基板Ｐに向けて噴霧されるから、上記（エ）も踏まえると、本件特許発明１の「前記基板を載置する載置部を内部に備え、前記キャリアガスにより搬送された前記ミストが前記基板上に供給される成膜部」に相当する。 （カ）甲１装置発明の「ミスト回収部３２」は、シート基板Ｐに付着せずに浮遊したミストを含むキャリアガスＣＧＳを回収するものであるから、本件特許発明１の「該成膜部から排気ガスを排気する排気部」に相当する。 （キ）甲１装置発明の「ミスト噴出部３０の底部のスリット状のノズル」は、シート基板Ｐに向けてミストを噴霧するものであるから、本件特許発明１の「前記基板上へ前記ミストを供給するノズル」に相当する。 （ク）以上によれば、本件特許発明１と甲１装置発明とは、 「ミスト化された原料溶液により基板上に成膜を行う成膜装置であって、 前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト化部と、 該ミスト化部で発生させた前記ミストを搬送するキャリアガスを供給するキャリアガス供給部と、 前記基板を載置する載置部を内部に備え、前記キャリアガスにより搬送された前記ミストが前記基板上に供給される成膜部と、 該成膜部から排気ガスを排気する排気部と、 を備え、 前記基板上へ前記ミストを供給するノズルと、 を更に備えるものである成膜装置。」である点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１－１＞ 本件特許発明１は、「ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う成膜装置」であるのに対し、甲１装置発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面が、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態となり、その液膜を蒸発させて乾燥することにより、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものであって、「ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う」ものではない点。 ＜相違点１－２＞ 本件特許発明１は、「前記成膜部内の前記載置部の上方に、前記基板上へ前記ミストを供給するノズルと、該ノズルから供給された前記ミストを前記基板に沿って整流する天板と、を更に備える」ものであるのに対し、甲１装置発明は、ミスト噴出部３０とミスト回収部３２の各底部とシート基板Ｐの間に設けられ、ミスト噴出部３０のスリット状のノズルからミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に向けて、ミストを含むキャリアガスＣＧＳを滑らかに流すための導風部材３１を備える点。 イ 相違点についての検討 事案に鑑み、まず相違点１－１について検討を行う。 （ア）ａ 本件特許明細書の段落【００７５】には、ミストが熱処理されて熱反応して成膜されることが記載されており、また、本件特許明細書の段落【００７８】～【００８１】の実施例１には、ヨウ化ガリウム水溶液から発生したミストを基板に供給し、当該ミストを熱反応させて酸化ガリウムの薄膜を形成したことが記載されている。そうすると、本件特許発明１の「ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う」とは、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行うことを意味するものと理解できる。 ｂ これに対し、甲１装置発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面が、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態となり、その液膜を蒸発させて乾燥することにより、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものである。 ｃ しかし、当該乾燥処理は、シート基板Ｐ上に付着した液膜中の溶媒を蒸発させることにより、シート基板Ｐの表面にナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するための処理であって、本件特許発明１のように、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行うためのものではない。 ｄ そうすると、甲１装置発明は、本件特許発明１のように、「ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う」ものであるとはいえないから、相違点１－１は実質的な相違点である。 （イ）次に上記相違点１－１の容易想到性について検討する。 ａ 甲１装置発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面が、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態となり、その液膜を蒸発させて乾燥することにより、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものであるが、甲１には、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行うことについて記載も示唆もない。 ｂ また、甲２には、原料溶液をミスト化して得られたミストをキャリアガスにより搬送し、加熱された基板上で熱反応させることにより酸化ガリウム膜を形成する成膜装置（段落【００５４】～【００６０】）が記載されているが、甲１装置発明とは、成膜の機序が異なるから、甲１装置発明において、甲２に記載された事項を適用して、甲１装置発明の成膜の機序を変更し、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行う構成を採用する動機付けがあるとはいえない。 ｃ したがって、甲１装置発明において、上記相違点１－１に係る特定事項を備えることの動機付けがあるとはいえない。 ｄ 以上によれば、甲１装置発明において、上記相違点１－１に係る特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ウ 小括 したがって、その余の点について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本件特許発明２～１２について ア 甲１装置発明との対比・判断 上記（２）アの検討結果を踏まえて、本件特許発明２～１２と甲１装置発明とを対比すると、本件特許発明２～１２は、いずれも本件特許発明１を直接又は間接的に引用するものであるから、両者は少なくとも、上記相違点１－１、１－２と同様の点で相違する。 そして、相違点１－１については、上記（２）イで検討したとおりであるから、甲１装置発明において、上記相違点１－１と同様の相違点に係る特定事項を備えようとする動機付けがあるとはいえない。 以上によれば、甲１装置発明において、上記相違点１－１と同様の相違点に係る特定事項を備えさせることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 イ 小括 したがって、その余の点について検討するまでもなく、本件特許発明２～１２は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）本件特許発明１３について ア 対比 （ア）甲１方法発明の「成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液」は、本件特許発明１３の「原料溶液」に相当し、甲１方法発明の「シート基板Ｐ」は、本件特許発明１３の「基板」に相当する。そして、甲１方法発明は、成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液から発生したミストをシート基板Ｐに噴霧し、シート基板Ｐの表面に付着させることにより成膜を行う「ミスト成膜方法」であるから、本件特許発明１３の「ミスト化した原料溶液」により「基板上に成膜を行う成膜方法」に相当する。 （イ）甲１方法発明の「ミスト発生部１４内で」「ミスト」を「発生」させることは、上記（ア）も踏まえると、本件特許発明１３の「前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト発生工程」に相当する。 （ウ）甲１方法発明の「内部容器１４Ａの上部空間に開口部が配置されたパイプ１６と、パイプ１６を通るキャリアガスＣＧＳの流量を調整する流量調整弁１５とによって、所定の流量でキャリアガスＣＧＳを供給」すること、及び「ミスト発生部１４内で成膜の材料物質となるナノ粒子を含む溶液から発生したミストを、キャリアガスＣＧＳの流れに乗ってパイプ１７を通ってミスト改質部２０に送り」、「ミスト改質部２０の流路部２０Ａを通って改質されたミストを含むキャリアガスＣＧＳを、パイプ２４を介してミスト噴出部３０の上部から供給」することは、ミストをキャリアガスＣＧＳによりミスト噴出部３０が配置された成膜部に搬送するものであるから、本件特許発明１３の「前記ミストをキャリアガスにより成膜部に搬送するミスト搬送工程」に相当する。 （エ）甲１方法発明の「シート基板Ｐを支持してＸ方向に搬送する搬送ユニット５」は、シート基板Ｐを支持するものであって、シート基板Ｐが載置される部分を有するものといえるから、上記（ア）も踏まえると、本件特許発明１３の「載置部」に相当する。 （オ）ａ 甲１方法発明の「ミスト噴出部３０のシート基板Ｐと対向する底部に形成されたスリット状のノズル」は、基板Ｐにミストを噴霧するものであるから、本件特許発明１３の「前記基板上」に「前記ミスト」を「供給」する「ノズル」に相当する。 ｂ 甲１方法発明の「ミスト回収部３２」は、シート基板Ｐに付着せずに浮遊したミストを含むキャリアガスＣＧＳを回収するものであるから、本件特許発明１３の「排気ガスを排気する」ための構成に相当する。 ｃ 甲１方法発明の「ミスト噴出部３０のシート基板Ｐと対向する底部に形成されたスリット状のノズルから所定の流量となってシート基板Ｐに噴霧し」、「ミスト噴出部３０のスリット状のノズルから下向きに噴霧されたミストを、下流側のミスト回収部３２の底部に形成された回収ポート部に形成される負圧に向かって、シート基板Ｐの表面に沿って＋Ｘ方向に流れつつ、シート基板Ｐの表面に付着させ」ることは、搬送ユニット５に支持されたシート基板Ｐ上にミストを供給して、シート基板Ｐ上に成膜を行いつつ、ミストを含むキャリアガスＣＧＳをミスト回収部３２により回収するものであるから、本件特許発明１３の「前記成膜部内の載置部に載置した前記基板上に前記ミストを供給して」「成膜を行いつつ排気ガスを排気する成膜工程」に相当する。 （カ）以上によれば、本件特許発明１３と甲１方法発明とは、 「ミスト化した原料溶液により基板上に成膜を行う成膜方法であって、 前記原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト発生工程と、 前記ミストをキャリアガスにより成膜部に搬送するミスト搬送工程と、 前記成膜部内の載置部に載置した前記基板上に前記ミストを供給して成膜を行いつつ排気ガスを排気する成膜工程と、 を含む成膜方法。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ＜相違点１－３＞ 本件特許発明１３は、「ミスト化した原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う成膜方法」であり、成膜工程において「前記基板上に前記ミストを供給して熱処理し成膜を行」うものであるのに対し、甲１方法発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面を、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態とし、その液膜を蒸発させて乾燥し、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものであって、「ミスト化した原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う」ものではない点。 ＜相違点１－４＞ 本件特許発明１３は、「前記成膜工程において、前記基板上への前記ミストの供給を、前記載置部の上方に備えたノズルから、前記載置部の上方に備えた天板と前記基板の間に行うことで、前記基板上に該基板に沿って整流された前記ミストを供給する」ものであるのに対し、甲１方法発明は、ミスト噴出部３０とミスト回収部３２の各底部とシート基板Ｐの間に設けられた導風部材３１により、ミスト噴出部３０のスリット状のノズルからミスト回収部３２の回収ポート部に向けて、ミストを含むキャリアガスＣＧＳを滑らかに流すものである点。 イ 相違点についての検討 事案に鑑み、まず相違点１－３について検討を行う。 （ア）ａ 本件特許明細書の段落【００７５】には、ミストが熱処理されて熱反応して成膜されることが記載されており、また、本件特許明細書の段落【００７８】～【００８１】の実施例１には、ヨウ化ガリウム水溶液から発生したミストを基板に供給し、当該ミストを熱反応させて酸化ガリウムの薄膜を形成したことが記載されている。そうすると、本件特許発明１３の「前記基板上に前記ミストを供給して熱処理し成膜を行」うとは、ミスト化した原料溶液を基板上に供給して熱処理し、熱反応させることにより基板上に成膜を行うことを意味するものと理解できる。 ｂ これに対し、甲１方法発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面を、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態とし、その液膜を蒸発させて乾燥し、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面にナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものである。 ｃ しかし、当該乾燥処理は、シート基板Ｐ上に付着した液膜中の溶媒を蒸発させることにより、シート基板Ｐの表面にナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するための処理であって、本件特許発明１３のように、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行うためのものではない。 ｄ そうすると、甲１方法発明は、本件特許発明１３のように、「ミスト化された原料溶液を熱処理して基板上に成膜を行う」ものであるとはいえないから、相違点１－３は実質的な相違点である。 （イ）次に上記相違点１－３の容易想到性について検討する。 ａ 甲１方法発明は、ミスト成膜された直後のシート基板Ｐの表面を、ミストの付着によって薄い液膜で覆われて湿った状態とし、その液膜を蒸発させて乾燥し、乾燥処理後のシート基板Ｐの表面に、ナノ粒子が密に堆積した薄膜を形成するものであるが、甲１には、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行うことについて記載も示唆もない。 ｂ また、甲２には、原料溶液をミスト化して得られたミストをキャリアガスにより搬送し、加熱された基板上で熱反応させることにより酸化ガリウム膜を形成する成膜方法（段落【００５４】～【００６０】）が記載されているが、甲１方法発明とは、成膜の機序が異なるから、甲１方法発明において、甲２に記載された事項を適用して、甲１方法発明の成膜の機序を変更し、ミスト化された原料溶液を熱処理して熱反応させることにより基板上に成膜を行う工程を採用する動機付けがあるとはいえない。 ｃ したがって、甲１方法発明において、上記相違点１－３に係る特定事項を備えることの動機付けがあるとはいえない。 ｄ 以上によれば、甲１方法発明において、上記相違点１－３に係る特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ウ 小括 したがって、その余の点について検討するまでもなく、本件特許発明１３は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （５）本件特許発明１４～２６について ア 甲１方法発明との対比・判断 上記（４）アの検討結果を踏まえて、本件特許発明１４～２６と甲１方法発明とを対比すると、本件特許発明１４～２６は、いずれも本件特許発明１３を直接又は間接的に引用するものであるから、両者は少なくとも、上記相違点１－３、１－４と同様の点で相違する。 そして、相違点１－３については、上記（４）イで検討したとおりであるから、甲１方法発明において、上記相違点１－３と同様の相違点に係る特定事項を備えようとする動機付けがあるとはいえない。 以上によれば、甲１方法発明において、上記相違点１－３と同様の相違点に係る特定事項を備えさせることは、当業者が容易になし得たこととはいえない。 イ 小括 したがって、その余の点について検討するまでもなく、本件特許発明１４～２６は、甲１に記載された発明であるとはいえず、また、甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （６）申立理由１及び申立理由２－１についてのまとめ 以上のとおり、本件特許発明１～８、１０、１３～２０、２２、２５は、甲１に記載された発明であるとはいえないから、特許法第２９条第１項第３号に該当するものとはいえず、申立理由１によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、本件特許発明１～２６は、甲１に記載された発明及び甲２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとはいえず、申立理由２－１によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 申立理由２－２（進歩性）について （１）甲２に記載された発明 本件特許の出願前に公知となった甲２（発明の名称：成膜装置及び成膜方法）の段落【００５４】～【００６０】の記載を総合勘案し、特に、実施例２に着目すると、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。 「直径８インチ（２００ｍｍ）のｃ面サファイア基板上に形成され、平均膜厚が５．４μｍ、標準偏差が０．２μｍである、 コランダム構造を有する酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜。」（以下「甲２発明」という。） （２）本件特許発明２７について ア 対比 （ア）甲２発明の「酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜」、「コランダム構造を有する酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜」は、それぞれ、本件特許発明２７の「酸化ガリウム膜」、「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜」に相当する。 （イ）甲２発明の「直径８インチ（２００ｍｍ）のｃ面サファイア基板上に形成された、コランダム構造を有する酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜」は、ｃ面サファイア基板と同等の大きさであることが明らかであるから、「該酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであ」ることに相当する。 （ウ）そうすると、本件特許発明２７と甲２発明とは、 「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜であって、 該酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものである酸化ガリウム膜。」 である点で一致し、次の点で相違する。 ＜相違点２＞ 「酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布」について、本件特許発明２７では、「±３．１％以上１１．７％以下である」ことが特定されているのに対し、甲２発明では、「±３．１％以上１１．７％以下」であるか不明である点。 イ 相違点についての検討 （ア）甲２には、酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜の面内分布について記載はないから、相違点２は、実質的な相違点である。 （イ）次に上記相違点２の容易想到性について検討する。 ａ 甲２には、甲２発明の目的として、「膜厚の面内均一性や成膜速度に優れミストＣＶＤ法が適用可能な成膜装置、及び、均一性や成膜速度に優れた成膜方法を提供すること」（段落【０００６】）という記載があるから、膜厚の面内分布を「±３．１％以上１１．７％以下」という具体的な数値範囲に定める動機付けはないため、甲２発明において、上記相違点２に係る特定事項を備えようとする動機付けがあるとはいえない。 ｂ この点に関し、申立人は、特許異議申立書の第３４頁～第３５頁において、甲２発明には、本件特許と同一の技術分野において、平均膜厚５．４μｍに対し標準偏差０．２μｍ（実施例２）という成膜結果が開示されており、当業者は、面内分布を評価するにあたり、平均膜厚と標準偏差から最大・最小をおおむね最大膜厚≒平均膜厚＋（係数×標準偏差）、最小膜厚≒平均膜厚－（係数×標準偏差）と見積もると言えるから、当業者の換算として面内分布［±％］≒（係数×標準偏差）／（平均膜厚）×１００が得られるため、甲２発明に開示された、平均膜厚＝５．４、標準偏差＝０．２のとき、面内分布［±％］≒（係数×０．２）／５．４×１００＝３．７０３７×係数（％）であって、係数＝１（１σ相当）なら±３．７０％、係数＝３（３σ相当）なら±１１．１１％であるので、相違点は、甲２発明の平均膜厚＝５．４、標準偏差＝０．２から当業者が通常想定する１σ～３σ相当の管理幅と実質的に整合し、当業者が容易に到達できる範囲内であると主張する。 ｃ しかしながら、甲２において、平均膜厚＝５．４、標準偏差＝０．２であることは記載されているものの、各測定点の膜厚値、最大膜厚及び最小膜厚は記載されていない。したがって、甲２の記載から、本件特許明細書の段落【００４５】に記載された式、すなわち、膜厚分布［±％］＝（最大膜厚－最小膜厚）／（平均膜厚）／２×１００により算出される膜厚の面内分布を直接求めることはできず、申立人の主張する換算値は、測定値の分布形状や係数の選択を前提とする推定にすぎないから、当業者が容易に到達できる範囲内であるとまではいえず、上記ｂの主張は採用しない。 ｄ また、申立人は、特許異議申立書の第３５頁において、サイズの大きい基板の面内分布が小さいことが望ましいことは当業者にとって自明であるので、「面内分布が閾値以下」という規定は、当業者が常に望んでいることを規定しているに過ぎず、その上限を１１．７％以下とすることには特段の技術的意義はなく、３．１％という下限にも特段の技術的意義もないと主張している。 ｅ しかしながら、仮に、サイズの大きい基板の面内分布が小さいことが望ましいとしても、そのことから直ちに、本件特許発明２７における「膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下」であるとの具体的な数値範囲が動機付けられるとはいえず、上記ｄの主張は採用しない。 ｆ したがって、甲２発明において、上記相違点２に係る特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえない。 ウ 小括 よって、本件特許発明２７は、甲２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本件特許発明２８について ア 対比 上記（２）アの検討に加えて、本件特許発明２８と甲２発明とを対比すると、以下のとおりである。 （ア）甲２発明の「ｃ面サファイア基板」は、本件特許発明２８の「基板」に相当し、甲２発明において、「ｃ面サファイア基板」、及び、「コランダム構造を有する酸化ガリウム（α－Ｇａ２Ｏ３）の薄膜」は、本件特許発明２８の「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜と基板の積層体」に相当する。 （イ）以上から、本件特許発明２８と甲２発明とは、相違点２と同様の点でのみ相違する。 イ 相違点についての検討 （ア）上記相違点２と同様の相違点については、上記（２）イで検討したとおりである。 （イ）申立人は、特許異議申立書の第３７頁において、本件特許発明２８と甲２発明との相違点の評価は、本件特許発明２７と甲２発明との相違点の評価と同じである旨を主張する。 しかしながら、上記（２）イで検討したとおりであるから、甲２発明において、相違点２と同様の相違点に係る発明特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たこととはいえないから、上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上のとおり、本件特許発明２８は、甲２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （４）申立理由２－２についてのまとめ 以上のとおり、本件特許発明２７～２８は、甲２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとはいえず、申立理由２－２によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 申立理由３（拡大先願）について （１）甲３に係る日本語国際出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明 本願の優先日前の日本語特許出願であって、その優先日後に国際公開がされた甲３に係る日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面（以下「先願明細書等」という。）には、「積層構造体および半導体装置」（発明の名称）に関する記載があり、その段落［００７３］と、段落［００７５］に記載の実施例１～２に着目すると、次の発明が記載されているものと認められる。 「サファイア基板の結晶成長面上にストライプ状のパターンを有するＥＬＯマスクを形成し、 ミストＣＶＤ法でもって、α－Ｇａ２Ｏ３からなる結晶成長層を形成し、 結晶成長層上に支持基板としてＳｉＣ基板を貼り付けて、 サファイア基板を、機械的剥離手段を用いて、剥離し、 ＥＬＯマスクを、ＣＭＰを用いて除去することで得られ、 面積において、１００ｃｍ２以上、膜厚分布において、５％以下である積層構造体。」 （以下「先願発明」という。） （２）本件特許発明２７について ア 対比 本件特許発明２７と先願発明とを対比する。 （ア）先願明細書等の段落［０００２］の記載によれば、α－Ｇａ２Ｏ３はコランダム構造を有するから、先願発明の「α－Ｇａ２Ｏ３からなる結晶成長層」は、本件特許発明２７の「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜」に相当する。 （イ）先願発明の「積層構造体」が「面積において、１００ｃｍ２以上」であることは、積層構造体中の１つの層に、「結晶成長層」が含まれることから、本件特許発明２７の「酸化ガリウム膜」の「面積が５０ｃｍ２以上」であることに相当する。 （ウ）以上から、本件特許発明２７と先願発明とは、「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜であって、該酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものである酸化ガリウム膜。」である点で一致するとともに、以下の点で相違する。 ＜相違点３＞ 本件特許発明２７の「酸化ガリウム膜」では、「膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下」であるのに対し、先願発明の「積層構造体」では、「膜厚分布において、５％以下である」点。 イ 相違点についての検討 （ア）本件特許発明２７の「酸化ガリウム膜」では、「膜厚の面内分布は±３．１％以上」と記載されているのに対して、先願発明の「積層構造体」では、膜厚分布の下限値が定められていない。そして、「５％以下」との記載は、膜厚分布が５％を超えないことを意味するにすぎず、膜厚分布が本件特許発明２７の「±３．１％以上」であることまでを特定するものではないから、先願発明の「積層構造体」の膜厚分布が本件特許発明２７の「膜厚の面内分布は±３．１％以上」であるとはいえない （イ）また、本件特許明細書の段落【００４５】には、「膜厚分布［±％］＝（最大膜厚－最小膜厚）／（平均膜厚）／２×１００」と記載されているが、先願明細書等の段落［００１３］には、「膜厚の分布」とは、「前記結晶膜の平均膜厚に対する最大膜厚と最小膜厚の差」と記載されており、２で割るか否かに関して、膜厚分布の算出方法は互いに異なっている。 （ウ）以上によれば、相違点３は、実質的な相違点である。 （エ）また、本件特許明細書の【００３５】、【００３７】、【００４５】の記載を参照すれば、上記相違点３に係る発明特定事項が課題解決のための具体的手段における微差であるともいえない。 （オ）よって、本件特許発明２７は、先願発明と実質同一であるとはいえない。 ウ 申立人の主張について 申立人は、特許異議申立書の第３６頁において、本件特許発明２７と先願発明とは構成要件が完全に一致し、相違点はない旨を主張する。 しかしながら、上記イのとおり、本件特許発明２７と先願発明とは相違しているから、上記主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおり、本件特許発明２７は、甲３に係る日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であるとはいえない。 （３）本件特許発明２８について ア 対比 上記（２）アの検討に加えて、本件特許発明２８と先願発明とを対比すると、以下のとおりである。 （ア）先願発明の「ＳｉＣ基板」は、本件特許発明２８の「基板」に相当し、先願発明の「積層構造体」は、「α－Ｇａ２Ｏ３からなる結晶成長層」と「基板」とを有しているから、本件特許発明２８の「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜と基板の積層体」に相当する。 （イ）以上から、本件特許発明２８と先願発明とは、相違点３と同様の点でのみ相違する。 イ 相違点についての検討 上記相違点３と同様の相違点については、上記（２）イで検討したとおりである。 ウ 申立人の主張について 申立人は、特許異議申立書の第３７頁において、本件特許発明２８と先願発明とは構成要件が完全に一致し、相違点はない旨を主張する。 しかしながら、上記イのとおり、本件特許発明２８と先願発明とは相違しているから、上記主張は採用できない。 エ 小括 以上のとおり、本件特許発明２８は、甲３に係る日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であるとはいえない。 （４）申立理由３についてのまとめ したがって、本件特許発明２７～２８は、甲３に係る日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であるとはいえないから、申立理由３（拡大先願）によっては、本件特許の請求項２７～２８に係る特許を取り消すことはできない。 ４ 申立理由４（明確性）について （１）本件特許の請求項２７～２８の記載は、上記第２のとおりのものであるところ、請求項２７～２８の記載に不明確なところはなく、その意味は明確であるから、本件特許発明２７～２８について、特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が明確である。 （２）ア 申立人は、特許異議申立書の第３８頁において、本件特許発明２７～２８において、「面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であること」との記載があるが、数値の「幅」が３．１％以上であることを指すのか、あるいはプラスマイナスの各々の絶対値が３．１％以上を指すのか、文言上、その技術的範囲を一義的に定めることができない。」と主張している。 イ しかしながら、本件特許明細書の段落【００４５】には、「膜厚分布［±％］＝（最大膜厚－最小膜厚）／（平均膜厚）／２×１００」と明確に定義されている。したがって、「前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする酸化ガリウム膜。」とは、当該式により算出される膜厚分布［±％］が３．１以上１１．７以下であることを意味するものと理解できるから、その技術的範囲を一義的に把握できるといえる。 （３）ア 申立人は、特許異議申立書の第３８頁において、本件特許発明２７～２８において、「面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であること」との記載があるが、通常、分布は小さいことが求められる技術パラメータであるにもかかわらず、その範囲の下限を３．１％に設定する意図が不明であり、これが絶対値の範囲を指すのか、特定の偏差以上を排除しないという意味なのか不明確であると主張している。 イ しかしながら、本件特許明細書の段落【００４５】には、「膜厚分布［±％］＝（最大膜厚－最小膜厚）／（平均膜厚）／２×１００」と明確に定義されている。したがって、「前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする酸化ガリウム膜。」とは、当該式により算出される膜厚分布［±％］が３．１以上１１．７以下であることを意味するものと理解できるから、当該記載は「絶対値の範囲」ではなく、「特定の偏差以上を排除しない」意味でもないことが明らかであり、その技術的範囲を一義的に把握できるといえる。 （４）したがって、本件特許の特許請求の範囲の記載は、本件特許発明２７～２８について、特許法第３６条第６項第２号に適合するものであるから、申立理由４によっては、同発明に係る特許を取り消すことはできない。 ５ 申立理由５（サポート要件）について （１）本件特許明細書によれば、本件特許発明２７が解決しようとする課題は、「膜厚の面内均一性が良好な大面積の膜」を提供すること（段落【００３６】）であり、本件特許発明２８が解決しようとする課題は、「基板上に、膜厚の面内均一性が良好な大面積の酸化ガリウム膜を有する積層体」を提供すること（段落【００３８】）であると認められる。 （２）本件特許明細書によれば、上記（１）に記載の課題は、「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜であって、該酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであり、前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布は±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする酸化ガリウム膜を提供する」こと（段落【００３５】）、「コランダム構造を有する酸化ガリウム膜と基板の積層体であって、該積層体の前記酸化ガリウム膜は、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであり、前記酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布が±３．１％以上１１．７％以下であることを特徴とする積層体を提供する」こと（段落【００３７】）によって解決することができるとされている。 （３）そして、本件特許発明２７、２８は、それぞれ、上記解決手段を備えているから、本件特許の特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 （４）申立人は、特許異議申立書の第３８～３９頁において、本件特許の実施例は、基板面積が４インチであるものに限定されており、ミストＣＶＤ法において、膜厚の均一性を維持することは、基板面積の増大に伴って飛躍的に困難になることが技術常識である。それにもかかわらず、本件特許発明２７～２８においては、発明特定事項に基板面積が特定されておらず、一律に±１１．７％以下の分布を達成できるかのように請求項を記載しているが、これを裏付ける技術的な説明や実施例が不足しているから、本件特許発明は発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて広範に権利を主張するものであると主張している。 （５）ア しかしながら、上記（２）に記載の解決手段によれば、酸化ガリウム膜が、面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上のものであり、酸化ガリウム膜の膜厚の面内分布が±３．１％以上１１．７％以下であれば、上記（１）に記載の課題を解決できることは明らかである。 イ そして、本件特許発明２７及び２８は、酸化ガリウム膜の面積及び膜厚の面内分布を発明特定事項として規定するものであるから、仮に基板面積の増大に伴って膜厚の均一性を維持できない酸化ガリウム膜が存在するとしても、膜厚の面内分布が±３．１％以上１１．７％以下を満たさない酸化ガリウム膜は、本件特許発明２７及び２８の範囲に含まれない。 ウ したがって、実施例が４インチ基板を用いたものに限られることをもって、本件特許発明２７及び２８が発明の詳細な説明に記載された範囲を超えるものとはいえない。 エ よって、当該主張は採用しない。 （６）したがって、本件特許発明２７～２８は、発明の詳細な説明に記載したものであり、特許請求の範囲の請求項２７～２８の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものであるから、同法第１１３条第４号には該当しないので、申立理由５によっては、同請求項に係る特許を取り消すことはできない。 ６ 申立理由６（実施可能要件）について （１）ア 本件特許明細書の段落【００４５】、【００５２】～【００７６】には、本件発明に係る膜厚の面内分布の算出方法、酸化ガリウム膜及び積層体を得るための成膜装置及び成膜方法が記載されている。 イ また、本件特許明細書の段落【００７８】～【００９５】には、実施例１～１３、及び、比較例１として、成膜条件を異ならせて、上記成膜装置及び成膜方法により酸化ガリウム膜を形成し、得られた膜について膜厚を測定し、膜厚分布を算出したことが記載されている。 （２）上記記載によれば、本件特許明細書には、本件特許発明２７に係る酸化ガリウム膜及び本件特許発明２８に係る積層体を得るための成膜装置、成膜方法、原料、成膜条件、基板面積の例、並びに膜厚分布の測定・算出方法が記載されており、当業者であれば、技術常識を考慮しつつ、上記（１）の記載等を参照して適宜条件を設定することによって、過度の試行錯誤を要することなく、本件特許発明２７に係る酸化ガリウム膜及び本件特許発明２８に係る積層体を製造することが可能であるといえる。 （３）申立人は、特許異議申立書の第３８～３９頁において、本件特許の実施例は、基板面積が４インチであるものに限定されており、ミストＣＶＤ法において、膜厚の均一性を維持することは、基板面積の増大に伴って飛躍的に困難になることが技術常識である。それにもかかわらず、本件特許発明２７～２８においては、発明特定事項に基板面積が特定されておらず、一律に±１１．７％以下の分布を達成できるかのように請求項を記載しているが、これを裏付ける技術的な説明や実施例が不足しているから、本件特許発明は発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて広範に権利を主張するものであると主張している。 （４）ア しかしながら、本件特許明細書の段落【００４４】には、「なお、膜の面積や直径が大きいほど大面積のものを得られるので上限は特に限定されないが、上限例としては、面積が７５０ｃｍ２、又は、直径が１２インチ（３００ｍｍ）とすることができる」と記載されている。 イ そうすると、本件特許発明２７及び２８における「面積が５０ｃｍ２以上、又は、直径が４インチ（１００ｍｍ）以上」との記載は、当該技術分野において通常想定される基板やウエハの大面積化を前提としたものとして理解されるのであって、工業的に想定し難い任意の巨大面積までをも含むものとして理解されるものではなく、技術常識に基づいて、自ずと基板面積の上限値が定まるものといえる。 ウ したがって、本件特許発明２７及び２８については、発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づき、当業者が、上記のような技術分野において通常想定される大面積の酸化ガリウム膜、又は、当該酸化ガリウム膜を有する積層体を実施することができると認められる。 エ よって、当該主張は採用しない。 （５）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件特許の請求項２７～２８に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであり、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たすものであるから、同法第１１３条第４号には該当しないので、申立理由６によっては、同請求項に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおり、申立人による特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～２８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～２８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。