2024-700882

特許第７４４９９８１号発明「金属セラミック基材を製造するための方法及び炉」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４４９９８１号の請求項１～１０に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４４９９８１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１０に係る特許についての出願は、令和 ４年 ６月 ９日（パリ条約による優先権主張 ２０２１年 ６月２９日（ＥＰ）欧州特許庁）の出願（特願２０２２－９３５７２号。以下「本願」という。）であって、令和 ６年 ３月 ６日にその特許権の設定登録がなされ、同年 ３月１４日にその特許掲載公報が発行されたものである。 その後、令和 ６年 ９月１３日に、請求項１～１０（全請求項）に係る特許に対し、特許異議申立人である安藤 宏（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされた。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～１０に係る発明は、本願の願書に添付した特許請求の範囲の請求項１～１０に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（以下、請求項１～１０に係る発明を、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１０」といい、これらを総称して「本件発明」という。また、本願の願書に添付した明細書を「本件明細書」という。）。 「【請求項１】 金属セラミック基材を製造するための方法であって、 ａ）積層体を準備するステップであって、前記積層体が、 ａ１）セラミック体と、 ａ２）金属箔と、 ａ３）前記セラミック体及び前記金属箔と接触したはんだ材料であって、前記はんだ材料が、 （ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料と を含有する、積層体を準備するステップと、 ｂ）前記積層体を加熱するステップであって、前記積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する、前記積層体を加熱するステップと を含み、 銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であり、 前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであり、 前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される、方法。 【請求項２】 前記セラミック体のセラミックが、窒化アルミニウムセラミック、窒化ケイ素セラミック、及び酸化アルミニウムセラミックからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 【請求項３】 前記金属箔の前記金属が、銅であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項４】 少なくとも７００℃の融点を有する前記金属が、銅であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項５】 ７００℃未満の融点を有する前記金属が、錫、ビスマス、インジウム、ガリウム、亜鉛、アンチモン、及びマグネシウムからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項６】 前記活性金属が、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナジウム、及びセリウムからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項７】 非酸化性雰囲気が、前記加熱ゾーン内に存在することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項８】 窒素雰囲気が、前記加熱ゾーン内に存在することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項９】 前記積層体がピーク温度－５０℃に少なくとも相当する温度に曝される持続期間を指すピーク温度加熱持続期間が、３０分以下であり、前記ピーク温度は、積層体において測定される最大温度であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。 【請求項１０】 前記積層体が、１００℃の温度から開始して、ピーク温度に到達するために必要とする期間を示す昇温持続期間が、６０分以下であり、前記ピーク温度は、積層体において測定される最大温度であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。」 第３ 特許異議の申立ての理由の概要 申立人は、証拠方法として、後記する甲第１号証～甲第１４号証を提出し、以下の申立理由１～５により、本件特許の請求項１～１０に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（明確性要件） 本件発明１～１０については、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合するものではないから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ２ 申立理由２（サポート要件） 本件発明１～１０については、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合するものではないから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ３ 申立理由３（実施可能要件） 本件発明１～１０については、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号の規定に適合するものではないから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 ４ 申立理由４（新規性、進歩性） （１）本件発明１～７は、甲第１号証に記載された発明である。 （２）本件発明１～７は、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件発明８は、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）本件発明９は、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５）本件発明１０は、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５、７、９、１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 以上のとおり、これらの発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ５ 申立理由５（新規性、進歩性） （１）本件発明１～７は、甲第１２号証に記載された発明である。 （２）本件発明１～７は、甲第１２号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （３）本件発明８は、甲第１２号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （４）本件発明９は、甲第１２号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 （５）本件発明１０は、甲第１２号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～５、７、９、１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 以上のとおり、これらの発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、また、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 ６ 証拠方法 甲第１号証：特表２０２０－５２７４６１号公報 甲第２号証：特開平３－２９０３７８号公報 甲第３号証：国際公開第２０１８／１９９０６０号 甲第４号証：特開平７－１８７８３９号公報 甲第５号証：特開２００４－１１５３１０号公報 甲第６号証：特開２００３－５５０５８号公報 甲第７号証：特開平５－３２４６３号公報 甲第８号証：特開２００２－２７４９６４号公報 甲第９号証：特開平１１－１５７９５２号公報 甲第１０号証：特開平１０－２４５２６７号公報 甲第１１号証：特開平２－１９６０７４号公報 甲第１２号証：特開２００３－２８３０６４号公報 甲第１３号証：日本金属学会編、「改訂２版 金属データブック」、丸善株式会社、昭和５９年 １月３０日、ｐ．１０、１１、２４、２５ 甲第１４号証：田中俊一郎、「活性金属法によるセラミックスの接合」、溶接技術、１９８９年９月号、ｐ．８４～８９ 第４ 当審における判断 以下に述べるように、特許異議申立書に記載した申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 １ 申立理由１（明確性要件） （１）「加熱ゾーンを通過する」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４８ページ第２６行～第４９ページ第１９行において、概略以下のように主張する。 本件特許発明１では、積層体を加熱するステップにおいて「加熱ゾーンを通過する」ことが発明特定事項とされている。 本技術分野における当業者の技術常識を踏まえれば、加熱によりセラミック体と金属箔との間の接合を形成する場合に、積層体を非加熱の領域から加熱された領域に積層体を搬送することは必須であるから、「加熱ゾーンを通過する」ことも必須である。 そうすると、「加熱ゾーンを通過する」ことは、例えば、本件明細書において比較例で用いられるバッチ炉も含まれることになる。 したがって、その技術的意味や技術的範囲が明細書を考慮しても明確でない、「加熱ゾーンを通過する」との記載は第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確である。この点、請求項１を引用する請求項２～１０も同様である。 イ（ア）以下、検討すると、「通過」という用語の意味は、「ある場所を通り過ぎること」である（デジタル大辞泉）。例えば、「通過駅」とは、「列車が停車しないで、通り過ぎて行く駅」を意味するものである（精選版 日本国語大辞典）。 そうすると、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」の意味は、積層体が加熱のための加熱ゾーンに停止することなく、加熱ゾーンを通り過ぎることであると理解できる。 （イ）この点、本件明細書には、以下の記載がある。なお、下線は強調のために当合議体が付与した（以降同様）。 ａ 「好ましい実施形態によれば、このために、積層体と加熱ゾーンとの相対的運動が起こり、ここで、積層体及び加熱ゾーンは、最初に、互いへ向かう相対的運動を実行し、通過後に、互いから離れる相対的運動を実行する。」（段落【００４３】） ｂ 「積層体が加熱ゾーンを通過する場合、加熱ゾーン内の温度、及び積層体が加熱ゾーンを通過する速度は、理想的には、積層体の構造及び寸法に一致することができ、このため、セラミック体と金属箔との間の一体的接合の形成のために必要なエネルギー入力のみが起こる。」（段落【００４６】） ｃ 「好ましい実施形態によれば、積層体は、連続炉において加熱され、ここで、積層体は、加熱中に、連続炉の加熱ゾーンを通過する。」（段落【００４９】） ｄ 「比較例は、実施例１と類似して実施されたが、積層体は、連続炉の代わりに、バッチ炉において加熱された。このために、積層体は、バッチ炉内に置かれ、加熱された。」（段落【００７２】） 上記ａ～ｃの記載によれば、好ましい実施形態では、積層体は、加熱中に、連続炉の加熱ゾーンを通過するものであり、その際、積層体及び加熱ゾーンは、最初に、互いへ向かう相対的運動を実行し、通過後に、互いから離れる相対的運動を実行するものである。そして、積層体が加熱ゾーンを通過する際、積層体は速度を有しているから、加熱ゾーンの中で停止しないと解される。 また、上記ｄの記載によれば、積層体を、連続炉の代わりに、バッチ炉において加熱する態様は比較例とされており、バッチ炉において加熱する態様は、「加熱ゾーンを通過する」態様ではないと理解できる。 そうすると、本件明細書の記載を参酌しても、上記（ア）と同様、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」の意味は、積層体が加熱のための加熱ゾーンに停止することなく、加熱ゾーンを通り過ぎることであると理解できる。 ウ 以上によれば、「加熱ゾーンを通過する」の用語の意味は、それ自体明確であり、本件明細書の記載を参酌しても、矛盾を生じるものでもないから、この点について、本件特許の請求項１～１０の記載は明確である よって、申立人の上記主張は採用できない。 （２）「ピーク温度加熱持続期間」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４９ページ第２０行～第５０ページ第１行において、概略以下のように主張する。 本件特許発明９では、「少なくともピーク温度－５０℃に相当する温度に曝される持続期間を指すピーク温度加熱持続期間」が発明特定事項とされている。また、本件特許明細書【００５６】には、「ピーク温度加熱持続期間とは、好ましくは、積層体が、加熱中に、ピーク温度－５０℃に少なくとも相当する温度に曝される期間」の記載があり、この中の「加熱」について、昇温することを意味するのか、室温よりも高温とすることを意味するのか不明である。 イ 以下、検討すると、本件特許の請求項９の記載における、「ピーク温度加熱持続期間」は、「少なくともピーク温度－５０℃に相当する温度に曝される持続期間を指す」から、「ピーク温度加熱持続期間」が、「少なくともピーク温度－５０℃に相当する温度」である限り、昇温時のみならず降温時も含むことは明らかである。 ウ 以上によれば、本件特許の請求項９の記載は明確である。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （３）申立理由１（明確性要件）のまとめ 以上のとおり、本件発明１～１０について、特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が明確である。 したがって、申立理由１（明確性要件）によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 ２ 申立理由２（サポート要件） （１）ア 本件発明が解決しようとする課題は、「増加した熱及び電流伝導率を有する金属セラミック基材が、少なくとも７００℃の融点を有する金属と、７００℃未満の融点を有する金属と、活性金属とを含有するはんだ材料を使用して得られ得る方法を提供すること」であると認められる（段落【０００７】）。 イ 一方、本件明細書の発明の詳細な説明には、以下の事項が記載されている。 （ア）「銀の移行に関連する問題を回避するために、銀を含まないはんだを、金属箔をセラミック体に結合するために使用することが有利であり得る。これらのはんだは、例えば、高融点金属（特に、銅）、低融点金属（ビスマス、インジウム、又は錫など）、及び活性金属（チタンなど）をベースにする。このような技法は、例えば、独国特許出願公開第１０２０１７１１４８９３（Ａ１）号に提案されている。」（段落【０００４】） （イ）「パワーエレクトロニクスの分野における着実に増加する要求に起因して、少なくとも７００℃の融点を有する金属と、７００℃未満の融点を有する金属と、活性金属とを含有するはんだ材料を使用して製造された金属セラミック基材の熱及び電流伝導率を更に改善する必要性の増大もある。」（段落【０００５】） （ウ）「金属セラミック基材の熱及び電流伝導率を増加させるための以前の手法は、金属層とセラミック層との間の結合層の組成を変化させることに注目してきた。しかしながら、結合層の組成が変更されないままである場合、これは、いくつかの理由から、有利であり得る。したがって、例えば、結合層の所与の組成は、理想的には、熱及び電流伝導率以外の技術的要件を満たすことができる、又は生成するのに容易であることができる、又は更には、より費用効果があることができる。したがって、好適な方法の方策によって、結合層の所与の組成で、金属セラミック基材の熱及び電流伝導率を改善することが有利である。」（段落【０００６】） （エ）「好ましい実施形態によれば、少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、より好ましくは５５～９０重量パーセント、特に好ましくは６５～９０重量パーセント、非常に特に好ましくは７０～９０重量パーセントである。更に好ましい実施形態によれば、７００℃未満の融点を有する金属の割合は、はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、より好ましくは５～４０重量パーセント、特に好ましくは５～３０重量パーセント、非常に特に好ましくは５～２５重量パーセントである。更に別の好ましい実施形態によれば、活性金属の割合は、はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセント、より好ましくは１～１５重量パーセント、特に好ましくは１～１２重量パーセント、非常に特に好ましくは１～１０重量パーセントである。 はんだ材料は、好ましくは、銀を含まない、又は低銀である。したがって、銀の比は、はんだ材料の総金属重量に対して、好ましくは３．０重量パーセント未満、特に好ましくは１．０重量パーセント未満、非常に特に好ましくは０．２重量パーセント未満である。銀の非存在又は少量の銀のみの存在は、完成した金属セラミック基材内の結合層の縁部における銀の移行が回避され得る又は低減され得ることを意味する。驚くべきことに、本発明による方法はまた、このような低減された銀含有量で、金属セラミック基材の電流及び熱伝導率を改善することができることが見出された。これは、はんだのベースとしての銀の置き換えに起因して、このような金属セラミック基材が、実際には、他の材料特性を有する独立した結合クラスをもたらし、これが、部分的に、他のはんだ構成要素及び修正された接合条件に関する適応を必要とすることがあることにおいて、驚くべきことである。」（段落【００２０】、【００２１】） （オ）「驚くべきことに、積層体が、加熱のための加熱ゾーンを通過するときに、改善された熱及び電流伝導率を有する金属セラミック基材が得られ得ることが見出された。」（段落【００４５】） （カ）「理論に拘束されないが、これは、エネルギー入力の目標制御が加熱ゾーンの通過によって達成され得るということに起因し得る。積層体が加熱ゾーンを通過する場合、加熱ゾーン内の温度、及び積層体が加熱ゾーンを通過する速度は、理想的には、積層体の構造及び寸法に一致することができ、このため、セラミック体と金属箔との間の一体的接合の形成のために必要なエネルギー入力のみが起こる。これは、過度のエネルギー入力がたびたび、金属箔内への少なくとも７００℃の融点を有する金属及び７００℃未満の融点を有する金属の増加した拡散につながり、これが最終的に、完成した金属セラミック基材における電流及び熱伝導率の減少を生じさせ得ることを防止する。更に、温度及び加熱ゾーン内に含まれたガス（例えば、不活性ガス）の均一な分配が、加熱ゾーンの通過の際に、確実にされる。結果として、複数の金属セラミック基材が本発明による方法を使用して製造されたときに、（例えば、バッチ炉を使用する）従来の方法と比較して、製造された金属セラミック基材の品質のより低いばらつきが発生する。これに関して、加熱ゾーンの通過による積層体の加熱は、（例えば、バッチ炉における）静的な加熱よりも有利であることが証明された。」（段落【００４６】） （キ）「実施例では、金属セラミック基材が、様々な条件下で製造された。それぞれの場合において、セラミック体と、金属箔と、セラミック体及び金属箔と接触したはんだ材料とを含有する積層体が、準備され、次いで、加熱された。はんだ材料は、銅、錫、及びチタンを金属として含有する標準的なペーストであった。次いで、電流及び熱伝導率が、定性的に評価された。同等の結果（ｃｏｍｐａｒａｂｌｅ ｒｅｓｕｌｔｓ）がまた、他の材料の組み合わせで達成され得る。」（段落【００６７】） （ク）「実施例１ 金属セラミック基材の製造のために、最初に、３１．６７重量パーセントのＳｎＣｕ０．７粉末、７．２４重量パーセントの水素化チタン、及び、Ｔｅｘａｎｏｌを含有する９．５０重量パーセントの有機賦形剤が、３５Ｈｚで２０分間、スタンドミキサーにおいて混合された。次いで、５１．５９重量パーセントの銅粉末が、徐々に（ｉｎ ｉｎｃｒｅｍｅｎｔｓ）添加された。このようにして生成された混合物は、均質なペーストが得られるまで高速で撹拌された。 このようにして生成されたペーストを使用して、セラミック体は、セラミック体の対向する表面上で、銅箔に両側上で接合された。このために、（Ｔｏｓｉｂａ Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手可能な）寸法１７７．８×１３９．７×０．３２ｍｍを有し、同一の前面及び後面特性（ｆｒｏｎｔ ａｎｄ ｒｅａｒ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を有するセラミック体が、それぞれの場合において使用された。ペーストは、寸法１３７×１７５ｍｍ２の領域内のこのようなセラミック体の後側上に、１６５メッシュスクリーンによってスクリーン印刷され、１２５℃で１５分間予備乾燥を受けた。予備乾燥後のペーストの厚さは、３５±５μｍであった。次いで、このようにして生成された配置（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）は、反転され、ペーストは、同様に、セラミック体の前側上に印刷され、予備乾燥を受けた。次いで、ペーストが両側上に提供されたセラミックには、両側上で、９９．９９％の純度及び１７４×１３７×０．３ｍｍの寸法を有する無酸素高導電性銅から作製された銅箔が提供されて、銅箔－予備乾燥済みペースト－セラミック－予備乾燥済みペースト－銅箔の構造を有する積層体が得られた。 次いで、積層体は、連続炉において加熱された。このために、最初に、グラファイト箔が適用された炭化ケイ素板が、連続炉のコンベヤチェーン上に置かれた。積層体は、グラファイト箔上に置かれ、次いで、該積層体は、更なるグラファイト箔で覆われ、該積層体には、更なる炭化ケイ素板（重量＝６００ｇ）で重みがかけられた。その後、構造体は、コンベヤチェーン上で連続炉の加熱ゾーンを通過して運搬された。（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ Ｍｅｓｓｅｌｅｍｅｎｔｅ Ｈｅｔｔｓｔｅｄｔ ＧｍｂＨ社製のタイプＫ熱電対で、積層体において測定された）ピーク温度は、９３５℃であった。次いで、このようにして得られた金属セラミック基材は、室温に冷却されて、金属セラミック基材が得られ、金属セラミック基材は、両側上で結合層により銅層に結合されたセラミック層を含有した。」（段落【００６８】～【００７０】） （ケ）「実施例２ 実施例２は、実施例１に類似して実施されたが、（Ｔｅｍｐａｒａｔｕｒ Ｍｅｓｓｅｌｅｍｅｎｔｅ Ｈｅｔｔｓｔｅｄｔ ＧｍｂＨ社製のタイプＫ熱電対を使用して、積層体において測定された）ピーク温度は、９１０℃であった。」（段落【００７１】） （コ）「比較例 比較例は、実施例１と類似して実施されたが、積層体は、連続炉の代わりに、バッチ炉において加熱された。このために、積層体は、バッチ炉内に置かれ、加熱された。（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ Ｍｅｓｓｅｌｅｍｅｎｔｅ Ｈｅｔｔｓｔｅｄｔ ＧｍｂＨ社製のタイプＫ熱電対で、積層体において測定された）ピーク温度は、９１０℃であった。」（段落【００７２】） （サ）「次いで、実施例において得られた金属セラミック基材の熱及び電流伝導率は、以下のように評価された。 【表１】 ［図：0001422451000001.jpg］ 金属セラミック基材の伝導率は、本発明による方法が使用されたときに、著明に改善され得ることが見出された。理論に拘束されないが、これは、加熱ゾーンの一時的な通過のみに起因して、従来の方法とは対照的に、本発明による方法は、正確な目標エネルギー入力を可能し、該エネルギー入力は、一方では、一体的接合の形成を確実にするのに十分に高いが、他方では、はんだ材料から金属箔内への金属の深い浸透を防止することに起因し得る。したがって、７００℃未満の融点を有する金属（実施例において、錫）が、本発明による方法では、従来の方法による場合よりも金属箔内に深く浸透しないことを示すことが可能であった。実施例１及び実施例２において得られた金属セラミック基材について、深さ方向分析（ｄｅｐｔｈ ｐｒｏｆｉｌｅ ａｎａｌｙｓｉｓ）は、銅箔内への錫の拡散が、比較例の金属セラミック基材と比較して、３０％超で低減されたことを示した。したがって、実施例１及び実施例２において、完成した金属セラミック基材の伝導率は、より少なく損なわれている。」（段落【００７３】～【００７５】） ウ そして、上記イの発明の詳細な説明の記載によれば、 はんだ材料を、 （ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料であって、 銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であり、 前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであるはんだ材料とし（上記イ（ア）、（イ）、（エ）、（ク）、（ケ））、 セラミック体と、金属箔と、セラミック体及び金属箔と接触したはんだ材料とを含有する積層体を、準備し（上記イ（キ））、 前記積層体を加熱するステップであって、前記積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する、前記積層体を加熱するステップを含むことで（上記イ（オ）、（カ）、（ク）、（コ））、 前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成され、本件発明の課題が解決できることが認識できる（上記イ（ウ）、（カ）、（サ））。 エ そうすると、上記ウの事項の全てを発明特定事項として備える本件発明１は、本件明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であって、本件発明の課題を解決できることが認識できる。 （２）「はんだ材料」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４４ページ第１８行～第４６ページ第１４行において、概略以下のように主張する。 対象セラミックスに応じて、特定のはんだ材料の系でしかはんだ材料として成立し得ないことは技術常識であり、本件特許明細書では「銅、錫、及びチタンを金属として含有する標準的なペースト」からなる「はんだ材料」として、「３１．６７重量パーセントのＳｎＣｕ０．７粉末、７．２４重量パーセントの水素化チタン、及び、Ｔｅｘａｎｏｌを含有する９．５０重量パーセントの有機賦形剤が、３５Ｈｚで２０分間、スタンドミキサーにおいて混合された。次いで、５１．５９重量パーセントの銅粉末が、徐々に（ｉｎ ｉｎｃｒｅｍｅｎｔｓ）添加された。このようにして生成された混合物」から生成されたペーストの一例でのみ、本件特許発明の課題を解決できたことは当業者には理解される。しかしながら、対象セラミックの入手先がメーカだけ単に開示されただけであって、対象セラミックの限定もなく、あらゆる「（ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属」、「（ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属」、「（ｉｉｉ）活性金属」の組み合わせにおいても、本件特許発明の課題を解決できるとは、当業者には到底理解不可能である。仮に本件特許明細書における考察が正しいとしても、当業者が理解できることは少なくとも「（ｉｉ）７００℃末満の融点を有する金属」が錫（Ｓｎ）であり、「（ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属」が銅（Ｃｕ）であるから、銅薄膜への拡散が低減されたと理解する。なおこの場合、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）と組み合わせ可能なはんだ材料の活性金属は、必然的に制限され、積層体及び半導体材料のあらゆる組み合わせにおいても、本件特許発明によって上記課題が解決できるとは理解不可能である。 したがって、本件特許発明１の範囲には課題を解決できない範囲が含まれるのであり、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載、技術常識により、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえない。 また、本件特許明細書では具体的なセラミック体が不明であり、請求項２であっても同様に、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえない。 請求項１を引用する本件特許発明１～１０についても同様である。 イ 以下、検討すると、上記（１）で述べたとおり、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。また、本件特許の請求項１の記載を引用する本件発明２～１０についても同様である。 なお、「セラミックスの接合」（甲第１４号証）の観点からみると、本件発明１～１０は、実際に「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される」場合に特定された発明であるから、このような「一体的接合」が形成されない適用不可能なセラミック体とはんだ材料との組み合わせは含まれない。 ウ 以上によれば、本件特許の請求項１～１０の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （３）「加熱ゾーンを通過する」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４６ページ第１５行～第４７ページ下から第５行において、概略以下のように主張する。 請求項１に記載される「積層体が加熱ゾーンを通過する」ことは、字句どおりに解釈すれば、積層体を加熱雰囲気（加熱ゾーン）である連続炉内へ導入してその後回収するプロセスであっても、バッチ炉内へ導入してその後回収するプロセスであっても、いずれの態様も含まれる。 この点、本件特許明細書に記載される銅箔内への錫の拡散を抑制するためには、本件特許発明の課題を解決できたことを示す実施例１及び２に記載されるように「連続炉において加熱され」ることにより「加熱ゾーンの一時的な通過」を実現することが少なくとも必須の要件であると当業者は理解する。一方、他の条件を揃えたうえでバッチ炉を用いた比較例では、本件特許発明の課題を解決できていない。実施例以外の本件特許明細書にある記載から、あるいは技術常識を考慮したとしても「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過」しさえすれば、本件特許発明の課題を解決することができると当業者が理解することは不可能である。 そうすると、本件特許発明においては、「連続炉において加熱され」ることにより「加熱ゾーンの一時的な通過」を実現された場合にはじめて、本件特許発明の課題が解決できたと当業者は理解する。 したがって、本件特許発明１の範囲には課題を解決できない範囲が含まれるのであり、本件特許発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載、技術常識により、当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえない。 請求項１を引用する本件特許発明１～１０についても同様である。 イ 以下、検討すると、上記１（１）で述べたとおり、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」の意味は、積層体が加熱のための加熱ゾーンに停止することなく、加熱ゾーンを通り過ぎることであると理解できるから、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」ことに、積層体をバッチ炉内へ導入してその後回収するプロセスは含まれない。 よって、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」ことに、積層体をバッチ炉内へ導入してその後回収するプロセスが含まれることを前提とする、申立人の上記主張は採用できない。 そして、上記（１）で述べたとおり、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。また、本件特許の請求項１の記載を引用する本件発明２～１０についても同様である。 ウ 以上によれば、本件特許の請求項１～１０の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである。 （４）「加熱持続期間」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４７ページ下から第４行～第４８ページ第５行において、「本件特許発明９では「加熱持続期間」を発明特定事項としているが、本件特許明細書の実施例では、加熱に関して、ピーク温度のみが記載されており、当該加熱持続期間について何らの言及もされておらず、本件特許発明９によって課題を解決できたと認識することは不可能である。」と主張する。 イ 以下、検討すると、上記（１）で述べたとおり、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 一方、本件発明９は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、申立人の上記アの主張にかかわらず、本件発明９についても同様に、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 ウ 以上によれば、本件特許の請求項９の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （５）「昇温持続期間」について ア 申立人は、特許異議申立書の第４８ページ第６～１５行において、「本件特許発明１０では「昇温持続期間」を発明特定事項としているが、本件特許明細書の実施例では、加熱に関して、ピーク温度のみが記載されており、実施例では当該昇温持続期間について何らの言及もされておらず、本件特許発明１０によって課題を解決できたと認識することは不可能である。」と主張する。 イ 以下、検討すると、上記（１）で述べたとおり、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 一方、本件発明１０は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるから、申立人の上記アの主張にかかわらず、本件発明１０についても同様に、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。 ウ 以上によれば、本件特許の請求項１０の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （６）申立理由２（サポート要件）のまとめ 以上のとおり、本件発明１～１０について、特許請求の範囲の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものである。 したがって、申立理由２（サポート要件）によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 ３ 申立理由３（実施可能要件） （１）ア 申立人は、特許異議申立書の第５０ページ第２行～第５１ページ第１９行において、概略以下のように主張する。 例えば本件特許発明１において、活性金属がチタンである場合、本件特許明細書の記載によれば、「少なくとも７００℃の融点を有する金属」と、「７００℃未満の融点を有する金属」との組み合わせとして「銅、ニッケル、タングステン、及びモリブデン」と、「錫、ビスマス、インジウム、ガリウム、亜鉛、アンチモン、及びマグネシウムからなる群」との中から任意に組み合わせ可能であると解されるが、このような組み合わせの中から実現可能な組み合わせは、甲第１４号証によれば、本件特許明細書の実施例と実証された唯一の例と同様に、銅・錫・チタンの組み合わせのみである。これ以外の任意の金属元素の組み合わせによってはんだ材料を用意する時点で、当業者にとって過度の試行錯誤を要するのであり、本件特許発明１の生産方法を使用することは実施できない。 したがって、本件特許発明１は実施不可能な範囲を含むものであるから、本件特許発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない。 請求項１を引用する本件特許発明２～１０についても同様である。 イ 以下検討すると、「セラミックスの接合」（甲第１４号証）の観点からみると、本件発明１～１０は、実際に「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される」場合に特定された発明であるから、そもそも、このような「一体的接合」が形成されない実施不可能な範囲を含むものではない。 また、申立人が述べるとおり、「甲第１４号証によれば、はんだ材料に利用可能な金属元素の組み合わせは制限されることが技術常識である」から、当業者であれば、甲第１４号証等の技術常識を踏まえ、実現可能な組み合わせを過度の試行錯誤を要することなく選択し、本件発明１～１０を実施することができると認められる。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 （２）申立理由３（実施可能要件）のまとめ 以上のとおり、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明１～１０について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。 したがって、申立理由３（実施可能要件）によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 ４ 申立理由４（新規性、進歩性） （１）甲第１号証に記載された発明 本願の優先日前に公知となった甲第１号証には、「活性ハンダ付けのためのハンダ付け材料、及び活性ハンダ付け方法」（発明の名称）に関する記載があり、その請求項１、９、１１の記載を前提に、段落【００１４】、【００２６】の記載に着目すると、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１発明＞ 金属箔（３）をキャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）に接着する方法であって、 実質的に、 －６４重量％の銅、３４重量％のマンガン、及び２重量％のチタン、 －６４重量％の銅、３４重量％のインジウム、及び２重量％のチタン、 －７５重量％の銅、２３重量％の錫、及び２重量％のチタン、 －６９重量％の銅、１３重量％の錫、１６重量％のインジウム、及び２重量％のチタン、 －６６重量％の銅、１６重量％の錫、１６重量％のマンガン、及び２重量％のチタン、 －６６重量％の銅、１６重量％のインジウム、１６重量％のマンガン、及び２重量％のチタン、または、 －６９重量％の銅、１２重量％の錫、７重量％のマンガン、１０重量％のインジウム、及び２重量％のチタンであり、 別途０．５重量％未満の不可避の不純物を有し、 かつ実質的に銀を含まない、ハンダ付け材料（１）が使用され、 接着は、１０００℃未満のハンダ付け温度で実施される、方法。 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （ア）甲１発明における「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」、「金属箔（３）」及び「ハンダ付け材料（１）」は、それぞれ、本件発明１における、「セラミック体」、「金属箔」及び「はんだ材料」に相当する。 （イ）甲１発明の「ハンダ付け材料（１）」は、金属箔（３）をキャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）に接着するために用いられるものであるから、二者を接着する前に、「ハンダ付け材料（１）」が二者と接触し、また、「ハンダ付け材料（１）」を含む三者は、積層体の状態にあると認められる。 そうすると、甲１発明は、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体を準備するステップ（以下「甲１の積層体を準備するステップ」という。）を含むものであり、当該「甲１の積層体を準備するステップ」は、本件発明１おける、「ａ）積層体を準備するステップであって、前記積層体が、ａ１）セラミック体と、ａ２）金属箔と、ａ３）前記セラミック体及び前記金属箔と接触したはんだ材料」「とを含有する、積層体を準備するステップ」に相当する。 （ウ）甲１発明は、「甲１の積層体を準備するステップ」の後、１０００℃未満のハンダ付け温度で接着を実施するものであるが、本件発明１も、積層体を準備するステップの後、「積層体を加熱するステップ」を有し、「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成され」、その結果、「金属セラミック基材」が製造されるのであるから、甲１発明における「金属箔（３）をキャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）に接着する方法であって、」「甲１の積層体を準備するステップ」を含み、「接着は、１０００℃未満のハンダ付け温度で実施される、方法。」は、本件発明１における「金属セラミック基材を製造するための方法であって、」「ａ）積層体を準備するステップ」と、「ｂ）前記積層体を加熱するステップと」「を含み、」「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される、方法。」に相当する。 （エ）甲１発明における、「ハンダ付け材料（１）」の選択肢の中で、 「実質的に、」 「－７５重量％の銅、２３重量％の錫、及び２重量％のチタン、」「であり、 別途０．５重量％未満の不可避の不純物を有し、 かつ実質的に銀を含まない、ハンダ付け材料（１）」に着目すると、銅及び錫の融解点は、甲第１３号証を参照すると、それぞれ、約１３５６［Ｋ］（＝１０８３［℃］）、約５０５［Ｋ］（＝２３２［℃］）である。また、チタンは、本件発明１における、活性金属に含まれる元素である（本件明細書の段落【００１９】）。 そうすると、甲１発明における「ハンダ付け材料（１）」が、 「実質的に、」 「－７５重量％の銅、２３重量％の錫、及び２重量％のチタン、」「であり、 別途０．５重量％未満の不可避の不純物を有し、 かつ実質的に銀を含まない、ハンダ付け材料（１）」であることは、 本件発明１における「はんだ材料」が、 「（ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料」であるとの条件を満たすものである。 （オ）甲第１号証には、「「実質的に銀を含まない」とは、詳細にはハンダ付け材料が、不純物の範囲の銀含有量、すなわちハンダ付け材料の０．５重量％未満、好ましくは０．１重量％未満、特に好ましくは０．０５重量％未満の銀含有量を有することを意味する。」（段落【００１２】）と記載されているから、甲１発明における、「ハンダ付け材料（１）」が、「実質的に銀を含まない」ことは、本件発明１における「はんだ材料」が、「銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であ」ることに相当する。 （カ）甲１発明における「ハンダ付け材料（１）」の化学組成が、 「実質的に、」 「－７５重量％の銅、２３重量％の錫、及び２重量％のチタン、」「であり、 別途０．５重量％未満の不可避の不純物を有し、 かつ実質的に銀を含まない、ハンダ付け材料（１）」であることは、 本件発明１における「はんだ材料」が、 「前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであ」るとの条件を満たすものである。 （キ）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、 「金属セラミック基材を製造するための方法であって、 ａ）積層体を準備するステップであって、前記積層体が、 ａ１）セラミック体と、 ａ２）金属箔と、 ａ３）前記セラミック体及び前記金属箔と接触したはんだ材料であって、前記はんだ材料が、 （ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料と を含有する、積層体を準備するステップと、 ｂ）前記積層体を加熱するステップと を含み、 銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であり、 前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであり、 前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される、方法。」である点で一致するとともに、以下の点において相違する。 ＜相違点１＞ 本件発明１は、「積層体を加熱するステップ」が、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」ステップであるのに対し、甲１発明は、「接着は、１０００℃未満のハンダ付け温度で実施される」ものの、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体が、「加熱のための加熱ゾーンを通過する」のか不明である点。 イ 判断 （ア）相違点１について ａ 相違点１が実質的な相違点であるかについて （ａ）甲第１号証には、接着時の加熱において、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体が、加熱のための加熱ゾーンを通過することが記載されていないから、甲１発明の接着時の加熱において、当該積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過するかは不明である。また、技術常識を考慮しても、甲１発明の接着時の加熱において、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体が、加熱のための加熱ゾーンを通過するかは不明である。 よって、相違点１は、実質的な相違点である。 （ｂ）申立人は、特許異議申立書の第３４ページ第１８～２６行において、「甲第１号証には加熱ゾーンを通過するかどうかの加熱方式に関する明示的な記載はない。しかしながら、甲第１号証の例えば段落【００３１】には、「接着は、例えば銅箔などの金属箔と、例えば窒化アルミニウムセラミックなどのセラミック基板との間で、約６５０～１０００℃の温度で、ハンダ付け材料１を使用して形成される」と記載されている。このことから、甲１発明において、このような状況を実現するためには、加熱のための非加熱の領域から加熱された領域に積層体を搬送することは必須であるから、「加熱ゾーンを通過する」こともまた、必至である。したがって、上記一応の相違点は実質的な相違点とはいえない。」と主張する。 しかしながら、「搬送」とは、「運び送ること」を意味するに過ぎず、「通過すること」を含む概念ではないから、加熱された領域に積層体を搬送することが必須であるとしても、「加熱ゾーンを通過する」ことが必至であるとはいえない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 ｂ 相違点１の容易想到性について （ａ）甲第２～５号証には、以下の事項が記載されている。 ・甲第２号証の記載事項 「［実施例］ 第１表に示すように、セラミックス基板として９９．５％、９６％及び９２％アルミナ焼結体とサファイア（アルミナ単結晶）を準備すると共に、接合される銅板として厚さ０．３ｍｍのタフピッチ銅板（酸素濃度２８０ｐｐｍ）と、比較材としての無酸素銅板（酸素濃度８ｐｐｍ）とを予め用意した。 接合に使用される炉は、コンベア式の連続炉であり、昇温速度ならびに降温速度各々１０、２０、５０及び１００℃／分と変化させて試験を行った。」（第４ページ右上欄第１７行～左下欄第６行） ・甲第３号証の記載事項 「実施例 ［００３１］実施例１ 厚み０．３２ｍｍの窒化ケイ素基板に、Ａｇ粉末（福田金属箔粉工業社製「ＡｇＣ－ＢＯ」）８８質量部及びＣｕ粉末（福田金属箔粉工業社製「ＳＲＣ－Ｃｕ－２０」）１２質量部の合計１００質量部に対して、ＴｉＨ２粉末（大阪チタニウムテクノロジーズ社製「ＴＳＨ－３５０」）を２．５質量部、Ｓｎ粉末（三津和薬品化学社製「すず粉末（－３２５ｍｅｓｈ）」）を４質量部混合したろう材ペーストを塗布量８ｍｇ／ｃｍ２となるようにロールコーターで塗布した。その後、窒化ケイ素基板の一方の面に回路形成用銅板を、他方の面に放熱板形成用銅板（いずれも厚み０．８ｍｍの無酸素銅板）を重ね、窒素雰囲気下のローラー搬送式連続加熱炉（開口部寸法Ｗ５００ｍｍ×Ｈ７０ｍｍ、炉長３ｍ）へ投入した。搬送速度は１０ｃｍ／分とし、表１に示す接合条件となるようにヒーターの設定温度を調整して窒化ケイ素基板と銅板を接合した。接合した銅板にエッチングレジストを印刷し、塩化第二銅溶液でエッチングして回路パターンを形成した。さらにフッ化アンモニウム／過酸化水素溶液でろう材層、窒化物層を除去した。」 ・甲第４号証の記載事項 「【００２４】次に、上記ろう材ペーストの塗布層上に、厚さ０．３ｍｍのリン脱酸銅板を配置し、これを窒素雰囲気中にて７００℃×１０分の条件下で、連続炉（トンネル炉）を用いて熱処理し、窒化アルミニウム基板と銅板とを接合させて、目的とする窒化アルミニウム－銅接合基板を得た。この接合基板を後述する特性評価に供した。」 ・甲第５号証の記載事項 「【００２８】 ［実施例１］ 図１に示すように、アルミナからなる敷板１０上に、４５ｍｍ×６７ｍｍ×０．６３５ｍｍの大きさの９６％アルミナからなるセラミックス基板１２を載せ、その上面に４０ｍｍ×５０ｍｍ×０．２ｍｍの大きさの２Ｎｉ－１２Ｍｎ－Ｃｕ合金からなるマンガニン板１４を直接配置し、窒素ガスを流したベルト式トンネル炉に入れて、最高温度９７５℃で１０分間加熱した後、冷却して金属－セラミックス接合体を得た。このようにして得られた金属－セラミックス接合体についてピール強度を測定したところ、ピール強度は５ｋｇ／ｃｍ以上であり、電子部材として十分に強固な接合が得られたことがわかった。また、マンガニン板の変質はなく、精密抵抗体として使用可能な電子部品を作製することができた。」 （ｂ）上記（ａ）に摘記したとおり、金属－セラミック接合体の技術分野において、接合を連続炉で行うことは周知技術であると認められる（その一方で、接合をバッチ炉で行うことも周知技術である（甲第７号証の段落【００１３】～【００１５】、甲第１１号証の実施例１等を参照）。）から、甲１発明において、接着を連続炉で行うこと、すなわち、接着の際に、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体が、「加熱のための加熱ゾーンを通過する」ことについて、一応の動機付けがあるといえる。 しかしながら、本件発明１は、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」ことにより、セラミック体と金属箔との間の一体的接合の形成のために必要なエネルギー入力のみが起き、これが最終的に、完成した金属セラミック基材における電流及び熱伝導率の減少を生じさせ得ることを防止し、結果として、複数の金属セラミック基材が本発明による方法を使用して製造されたときに、（例えば、バッチ炉を使用する）従来の方法と比較して、製造された金属セラミック基材の品質のより低いばらつきが発生する（本件明細書の段落【００４６】）という、当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。 そして、このような効果は、積層体を連続炉において加熱した実施例１、２と、バッチ炉において加熱した比較例との比較により裏付けられるものである（本件明細書の段落【００６７】～【００７５】、表１）。 以上のとおり、接合をバッチ炉で行うことも周知技術であること、また、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」本件発明１が、バッチ炉を使用する従来の方法と比較して、当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏することを考慮すれば、甲１発明の接着時の加熱において、「キャリア層（２）、詳細にはセラミックを含むキャリア層（２）」及び「金属箔（３）」と接触した「ハンダ付け材料（１）」を含有する積層体が、「加熱のための加熱ゾーンを通過する」ようにすることは、当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。 （ｃ）申立人は、特許異議申立書の第３４ページ第２７～２９行において、「仮に「加熱ゾーンを通過する」ことが実質的な相違点であるとしても、ろう接法において積層体を加熱する際に加熱ゾーンを通過するようにすることは、当業者が適宜選択すべき設計的事項に過ぎない。」と主張する。 しかしながら、申立人は具体的な根拠を何ら示していないから。申立人の上記主張は採用できない。 また、申立人は、特許異議申立書の第３４ページ第３０～３４行において、「本件特許発明において「加熱ゾーンを通過する」ことが、仮に連続炉を用いることを意味するのであっても、例えば、ろう接法においてコンベア式の連続加熱炉を用いることは甲第２号証のＰ．４左下欄４～５行目、甲第３号証の段落【００３１】、甲第４号証の段落【００２４】及び甲第５号証の段落【００２８】に開示された周知技術である。」と主張する。 しかしながら、上記（ｂ）で述べたとおりであるから、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 小括 以上のとおり、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。また、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件発明２～７について 本件発明２～７は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（２）で述べたとおり、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件発明２～７についても同様に、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）本件発明８について ア 甲第６号証には、以下の事項が記載されている。 「つぎに、セラミック体の銅回路形成面に５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．３ｍｍの無酸素銅板（酸素量１０ｐｐｍ）を、また放熱銅板形成面に５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．１５ｍｍの無酸素銅板（酸素量１０ｐｐｍ）を接触配置してから、表１、表２に示される酸素濃度の窒素雰囲気下で、接合温度、接合時間、酸素濃度、昇温速度、降温速度、接合圧力を表１、表２のように変化させ接合を行った。そして、銅回路形成面には所定形状の回路パターンを、放熱銅板形成面に放熱板パターンを形成させるように、レジストインクをスクリーン印刷してから銅板と接合層のエッチングを行い、無電解Ｎｉ－Ｐメッキ（厚み３μｍ）を行って回路基板を作製した。」（段落【００２４】） 「【表１】 ［図：0001422451000002.jpg］ 」（段落【００２６】） イ 一方、本件発明８は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（２）で述べたとおり、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、上記甲第６号証の記載を考慮しても、本件発明８についても同様に、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、第１号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （５）本件発明９について ア（ア）甲第２号証には、上記（２）イ（ア）ｂ（ａ）に摘記した事項が記載されている。 （イ）甲第６号証には、上記（４）アに摘記した事項が記載されている。 （ウ）また、甲第７～１１号証には、以下の事項が記載されている。 ａ 甲第７号証の記載事項 「ろう接は５×１０－５ｔｏｒｒの真空中、圧力０．７５ＭＰａ、加熱および冷却速度２０℃／ｍｉｎ、保持温度９２３Ｋ～１１７３Ｋ、保持時間１０分間の条件で行った。このようにろう接した接合体を図１に示す治具で剪断強度を測定し、その結果を図２に示した。（段落【００１５】） ｂ 甲第８号証の記載事項 「本発明においては、昇温開始から７５０℃までの昇温速度と、７５０℃から室温等の取り出し温度までの冷却速度も重要であり、いずれも３００℃／時間以上とする。昇温速度が３００℃／時間未満の速度であると、ろう材が酸化されてしまい、接合が不十分となる。冷却速度が３００℃／時間未満であると、特に６００℃以上の温度範囲ではろう材層中のＡｇやＳｎ等の成分が銅板側へ拡散し、回路基板の信頼性が低下する。また、６００℃よりも低温域において冷却速度が遅いことは生産性の向上につながらない。（段落【００１６】） ｃ 甲第９号証の記載事項 「次いで、真空度０．１Ｔｏｒｒ以下の真空下、６００℃以上の昇温を最大出力で行い（昇温速度は約２０℃／分）、表１の条件で赤外線加熱をした後、６００℃までを自然放冷（降温速度は約２０℃／分）し、その後は２℃／分の速度で冷却して回路基板を製造した。（段落【００２５】） ｄ 甲第１０号証の記載事項 「次いで、一方の面には６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．３ｍｍの銅板を、また他方の面には６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．１５ｍｍの銅板をそれぞれ接触配置してから、真空度１×１０－５Ｔｏｒｒ以下の真空下、温度７００℃からの速度を１５℃／分として８２０℃まで昇温し、その温度で３０分保持した後、２℃／分の降温速度で冷却して接合体を製造した。（段落【００２４】） ｅ 甲第１１号証の記載事項 「〔実施例１〕 金属部材として厚さ０．３ｍｍの無酸素銅板を２０ｍｍ角に切出したものを用意した。ろう材はシート状に厚さ５０μｍに圧延された活性金属ろう（ＧＴＥプロダクツコーポレーションのＷＥＳＧＯディビジョンにより製造された「クジル」）で銅２７．５重量％、チタン２．０重量％、残部が銀からなる組成のものを前述のフィレット部の幅が０～約２．０ｍｍになるようにそれぞれ所定のサイズに切断して使用した。セラミックス部材として、市販の９６％アルミナからなり厚さ０．６３５ｍｍ、大きさ４６×３２ｍｍのアルミナ基板を準備した。 次いで、銅板を活性金属ろうを介してアルミナ基板の両面に配置した後、熱処理炉で接合した。 接合に用いた炉は、油拡散ポンプを持った抵抗加熱式眞空加熱処理炉で、加熱、温度保持、冷却は１×１０－４Ｔｏｒｒの真空中で行なった。 炉の温度条件は２０℃／分で昇温し、８２５℃で１０分間保持後、２０℃／分で降温し、炉内が外気温度と同等の温度になったところで接合体を取り出した。」（第３ページ右下欄第１行～第４ページ左上欄第１行） イ 一方、本件発明９は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（２）で述べたとおり、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、上記甲第２、６～１１号証の記載を考慮しても、本件発明９についても同様に、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、第１号証に記載された発明及び甲第２～１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （６）本件発明１０について ア（ア）甲第２号証には、上記（２）イ（ア）ｂ（ａ）に摘記した事項が記載されている。 （イ）甲第７、９、１１号証には、上記（５）ア（ウ）に摘記した事項が記載されている。 イ 一方、本件発明１０は、本件特許の請求項１の記載を引用するものであり、本件発明１の発明特定事項を全て備えるものであるが、上記（２）で述べたとおり、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、上記甲第２、７、９、１１号証の記載を考慮しても、本件発明１０についても同様に、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、第１号証に記載された発明及び第２～５、７、９、１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （７）申立理由４（新規性、進歩性）のまとめ 以上のとおり、本件発明１～７は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。本件発明１～７は、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明８は、甲第１号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明９は、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明１０は、甲第１号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１号証に記載された発明及び甲第２～５、７、９、１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 したがって、申立理由４（新規性、進歩性）によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 ５ 申立理由５（新規性、進歩性） （１）甲第１２号証に記載された発明 本願の優先日前に公知となった甲第１２号証には、「セラミック回路基板及びその製造方法」（発明の名称）に関する記載があり、その請求項３の記載を前提に、特に、実施例３に着目すると、次の発明（以下「甲１２発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１２発明＞ セラミック基板上に、厚さ０．４０ｍｍのＣｕを主成分とした金属回路板及び放熱板を、全質量１００質量％に対して、１８．０質量％Ｓｎ、３．０質量％Ｔｉ、及び残部Ｃｕ（７９．０質量％）からなり、Ａｇを含有しない金属組成となるろう材層を介して配置した後、１０７０℃×３５分の活性ろう付けによって接合しその後、接合された金属回路板をパターン形成して所定の金属回路を形成し、次いで、該金属回路のパターン間に露出した上記ろう材及びセラミック基板の基材との反応によって形成された導電性の反応層を除去するセラミック回路基板の製造方法。 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１２発明とを対比する。 （ア）甲１２発明における「セラミック基板」及び「ろう材」は、それぞれ、本件発明１における、「セラミック体」及び「はんだ材料」に相当する。 また、本件発明１の「金属箔」は、「好ましくは０．０１～１０ｍｍの範囲」「の厚さを有する」（本件明細書の段落【００１４】）から、甲１２発明における「厚さ０．４０ｍｍのＣｕを主成分とした金属回路板及び放熱板」は、本件発明１における「金属箔」に相当する。 （イ）甲１２発明のセラミック回路基板の製造方法では、セラミック基板上に、厚さ０．４０ｍｍのＣｕを主成分とした金属回路板及び放熱板を、ろう材層を介して配置した後、活性ろう付けによって接合されるから、ろう材と、セラミック基板並びに金属回路板及び放熱板が接触し、また、ろう材層を介して、セラミック基板と金属回路板及び放熱板が、積層体の状態にあると認められる。 そうすると、甲１２発明は、「セラミック基板」及び「金属回路板及び放熱板」と接触した「ろう材」を含有する積層体を準備するステップ（以下「甲１２の積層体を準備するステップ」という。）を含むものであり、当該「甲１２の積層体を準備するステップ」は、本件発明１おける、「ａ）積層体を準備するステップであって、前記積層体が、ａ１）セラミック体と、ａ２）金属箔と、ａ３）前記セラミック体及び前記金属箔と接触したはんだ材料」「とを含有する、積層体を準備するステップ」に相当する。 （ウ）甲１２発明は、「甲１２の積層体を準備するステップ」の後、「１０７０℃×３５分の活性ろう付けによって」、「セラミック基板」と「金属回路板及び放熱板」とが、「接合」するものであるが、本件発明１も、積層体を準備するステップの後、「積層体を加熱するステップ」を有し、「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成され」、その結果、「金属セラミック基材」が製造されるのであるから、甲１２発明における「甲１２の積層体を準備するステップ」を含み、「１０７０℃×３５分の活性ろう付けによって接合」することを含む、「セラミック回路基板の製造方法。」は、本件発明１における「金属セラミック基材を製造するための方法であって、」「ａ）積層体を準備するステップ」と、「ｂ）前記積層体を加熱するステップと」「を含み、」「前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される、方法。」に相当する。 （エ）甲１２発明の「ろう材」は、「全質量１００質量％に対して、１８．０質量％Ｓｎ、３．０質量％Ｔｉ、及び残部Ｃｕ（７９．０質量％）からなり、Ａｇを含有しない金属組成」を有するものであるが、Ｃｕ及びＳｎの融解点は、甲第１３号証を参照すると、それぞれ、約１３５６［Ｋ］（＝１０８３［℃］）、約５０５［Ｋ］（＝２３２［℃］）である。また、Ｔｉは、本件発明１における、活性金属に含まれる元素である（本件明細書の段落【００１９】）。 そうすると、甲１２発明における「ろう材」が、「全質量１００質量％に対して、１８．０質量％Ｓｎ、３．０質量％Ｔｉ、及び残部Ｃｕ（７９．０質量％）からなり、Ａｇを含有しない金属組成」であることは、 本件発明１における「はんだ材料」が、 「（ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料」であるとの条件を満たすものである。 （オ）甲１２発明における「ろう材」が、「Ａｇを含有しない」ことは、本件発明１における「はんだ材料」が、「銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であ」ることに相当する。 （カ）甲１２発明における「ろう材」の化学組成が、「全質量１００質量％に対して、１８．０質量％Ｓｎ、３．０質量％Ｔｉ、及び残部Ｃｕ（７９．０質量％）からなり、Ａｇを含有しない金属組成」であることは、通常、質量％と重量％とが同じ値であることを踏まえると、 本件発明１における「はんだ材料」が、 「前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであ」るとの条件を満たすものである。 （キ）以上によれば、本件発明１と甲１２発明とは、 「金属セラミック基材を製造するための方法であって、 ａ）積層体を準備するステップであって、前記積層体が、 ａ１）セラミック体と、 ａ２）金属箔と、 ａ３）前記セラミック体及び前記金属箔と接触したはんだ材料であって、前記はんだ材料が、 （ｉ）少なくとも７００℃の融点を有する金属と、 （ｉｉ）７００℃未満の融点を有する金属と、 （ｉｉｉ）活性金属とを含む、はんだ材料と を含有する、積層体を準備するステップと、 ｂ）前記積層体を加熱するステップと を含み、 銀の割合が、前記はんだ材料の総金属重量に対して、３．０重量パーセント未満であり、 前記少なくとも７００℃の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５０～９０重量パーセント、前記７００℃未満の融点を有する金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、５～４５重量パーセント、前記活性金属の割合は、前記はんだ材料の総金属重量に対して、１～２０重量パーセントであり、 前記積層体を加熱するステップで加熱が起こり、前記はんだ材料による前記セラミック体と前記金属箔との間の一体的接合が形成される、方法。」である点で一致するとともに、以下の点において相違する。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「積層体を加熱するステップ」が、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」ステップであるのに対し、甲１２発明は、「１０７０℃×３５分の活性ろう付けによって接合」されるものの、「セラミック基板」及び「金属回路板及び放熱板」と接触した「ろう材」を含有する積層体が、「加熱のための加熱ゾーンを通過する」のか不明である点。 イ 判断 （ア）相違点２について ａ 相違点２が実質的な相違点であるかについて （ａ）甲第１２号証には、活性ろう付け時の加熱において、「セラミック基板」及び「金属回路板及び放熱板」と接触した「ろう材」を含有する積層体が、加熱のための加熱ゾーンを通過することが記載されていないから、甲１２発明の活性ろう付け時の加熱において、当該積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過するかは不明である。また、技術常識を考慮しても、甲１２発明の活性ろう付け時の加熱において、「セラミック基板」及び「金属回路板及び放熱板」と接触した「ろう材」を含有する積層体が、加熱のための加熱ゾーンを通過するかは不明である。 よって、相違点２は、実質的な相違点である。 （ｂ）申立人は、特許異議申立書の第４０ページ下から第５行～第４１ページ第７行において、「甲第１２号証には加熱ゾーンを通過するかどうかの加熱方式に関する明示的な記載はないものの、甲第１２号証の例えば段落【００１６】において「上記セラミック基板と上記金属回路板及び放熱板との接合は、ペース卜ろう材を使用する場合、このペーストろう材をセラミック基板の両面又は片面に印刷、乾燥後、真空下で上記セラミック基板の両面に各々金属回路板、放熱板を配置し、或いは、片面のみにペーストろう材が印刷されているときは、ペーストろう材が印刷された面に金属回路板を配置し、その状態で加熱することにより行うことができる。」ことが記載されている。このことから、このような状況を実現するためには加熱のための非加熱の領域から加熱された領域に積層体を搬送することは必須であるから、「加熱ゾーンを通過する」ことは必至である。したがって、上記一応の相違点は実質的な相違点とはいえない。」と主張する。 しかしながら、「搬送」とは、「運び送ること」を意味するに過ぎず、「通過すること」を含む概念ではないから、加熱された領域に積層体を搬送することが必須であるとしても、「加熱ゾーンを通過する」ことが必至であるとはいえない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 ｂ 相違点２の容易想到性について 相違点２は、実質的に相違点１と同じであるから、上記４（２）イ（ア）ｂで述べた理由と同様に、接合をバッチ炉で行うことも周知技術であること、また、「積層体が加熱のための加熱ゾーンを通過する」本件発明１が、バッチ炉を使用する従来の方法と比較して、当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏することを考慮すれば、甲１２発明の活性ろう付け時の加熱において、「セラミック基板」及び「金属回路板及び放熱板」と接触した「ろう材」を含有する積層体が、「加熱のための加熱ゾーンを通過する」ようにすることは、当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。 （３）本件発明２～１０について 上記４（３）～（６）で述べた理由と同様の理由により、本件発明２～７は、甲第１２号証に記載された発明であるとはいえない。本件発明２～７は、甲第１２号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～５号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明８は、甲第１２号証に記載された発明に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～６号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明９は、甲第１２号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。本件発明１０は、甲第１２号証に記載された発明及び甲第７号証に記載された事項に基いて、あるいは、甲第１２号証に記載された発明及び甲第２～５、７、９、１１号証に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４）申立理由５（新規性、進歩性）のまとめ したがって、申立理由５（新規性、進歩性）によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、特許異議申立書に記載した申立ての理由によっては、本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。