2024-700606

特許第７４１３０８８号発明「保持装置および半導体製造装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４１３０８８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、６について訂正することを認める。 特許第７４１３０８８号の請求項４～６に係る特許を維持する。 特許第７４１３０８８号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４１３０８８号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、令和２年３月６日の出願であって、令和６年１月４日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１５日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和６年 ６月２５日 ：特許異議申立人 金澤 毅（以下、「申立人」という。）による請求項１、４～６に係る特許に対する特許異議の申立て 同年 ９月１８日付け：取消理由通知 同年１１月２２日 ：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 なお、令和６年１２月４日付けで申立人に対して訂正請求があった旨の通知をし、期間を指定して意見を提出する機会を与えたが、申立人から応答はなかった。 第２ 本件訂正の適否についての判断 １ 本件訂正の内容 令和６年１１月２２日にされた訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）による訂正の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「請求項１の保持装置において、前記ベース部材は、前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備えること、を特徴とする保持装置。」と記載されているのを独立形式に改め、 「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持するセラミックス部材と、 第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を有し、 前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持装置において、 前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、 前記セラミックス部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、 を備え、 前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられており、 前記ベース部材は、 前記断面にて、 複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、 前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備えること、 を特徴とする保持装置。」に訂正する（請求項２の記載を引用する請求項３～５のそれぞれも同様に訂正する。）。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１乃至３のいずれか１つの保持装置において、前記ベース部材は、前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向の最も外側に設けられる前記冷媒流路に対して前記第２の方向の外側に設けられる外側断熱層を備えること、を特徴とする保持装置。」と記載されているのを、「請求項２または請求項３のいずれか１つの保持装置において、前記ベース部材は、前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向の最も外側に設けられる前記冷媒流路に対して前記第２の方向の外側に設けられる外側断熱層を備えること、を特徴とする保持装置。」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５も同様に訂正する。）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項６に「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持するセラミックス部材と、第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を備え、前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持部材と、前記セラミックス部材に保持される前記対象物に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部と、を有する半導体製造装置において、前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、前記セラミックス部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、を備え、前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられること、を特徴とする半導体製造装置。」と記載されているのを、 「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持するセラミックス部材と、第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を備え、前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持部材と、 前記セラミックス部材に保持される前記対象物に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部と、 を有する半導体製造装置において、 前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、 前記セラミックス部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、 を備え、 前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられており、 前記ベース部材は、 前記断面にて、 複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、 前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備えること、 を特徴とする半導体製造装置。」に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正前の請求項１については特許異議の申立てがされているので、訂正事項１による訂正には、独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２による訂正は、訂正前の請求項２が訂正前の請求項１を引用する記載であったところ、請求項間の引用関係を解消し、独立形式に改めるものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正事項２による訂正は、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであるから、独立特許要件は課されない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３による訂正は、訂正前の請求項４が請求項１～３の記載を引用する記載であったところ、訂正事項１で削除された請求項１を引用しないものとするものであるから、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 また、訂正前の請求項４については特許異議の申立てがされているので、訂正事項３による訂正には、独立特許要件は課されない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項６の「ベース部材」について、「前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備える」との事項を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 そして、訂正事項４による訂正は、本件明細書等の【００５７】、【００５８】の「本実施形態では、ベース部材４２は、図４や図５に示す断面にて、第２の断熱層６５として、流路間断熱層９１と外側断熱層９２を備えている。」、「流路間断熱層９１は、ベース部材４２の径方向に隣り合う冷媒流路６３の間に設けられている。このようにして、第２の断熱層６５として、隣り合う冷媒流路６３の間に設けられる流路間断熱層９１が設けられている。」との記載に基づくものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項４による訂正は、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 さらに、訂正前の請求項６については特許異議の申立てがされているので、訂正事項４による訂正には、独立特許要件は課されない。 （５）一群の請求項 訂正前の請求項１～５について、請求項２～５は、訂正の請求の対象である請求項１を直接又は間接的に引用する関係にあるから、本件訂正後の請求項１～５は、一群の請求項である。 ３ まとめ 本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に規定する事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、６について訂正を認める。 第３ 本件発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～６の特許に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明６」といい、まとめて、「本件発明」ともいう。）は、その特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持するセラミックス部材と、 第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を有し、 前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持装置において、 前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、 前記セラミックス部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、 を備え、 前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられており、 前記ベース部材は、 前記断面にて、 複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、 前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備えること、 を特徴とする保持装置。 【請求項３】 請求項２の保持装置において、 前記流路間断熱層の少なくとも１つは、前記第１の方向について、前記冷媒流路の高さの１／３～２／３の位置まで設けられること、 を特徴とする保持装置。 【請求項４】 請求項２または請求項３のいずれか１つの保持装置において、 前記ベース部材は、 前記断面にて、 複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、 前記第２の断熱層として、前記第２の方向の最も外側に設けられる前記冷媒流路に対して前記第２の方向の外側に設けられる外側断熱層を備えること、 を特徴とする保持装置。 【請求項５】 請求項４の保持装置において、 前記外側断熱層は、前記第１の方向について、前記冷媒流路の高さの１／２よりも高い位置まで設けられること、 を特徴とする保持装置。 【請求項６】 第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持するセラミックス部材と、第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を備え、前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持部材と、 前記セラミックス部材に保持される前記対象物に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部と、 を有する半導体製造装置において、 前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、 前記セラミックス部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、 を備え、 前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられており、 前記ベース部材は、 前記断面にて、 複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、 前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層を備えること、 を特徴とする半導体製造装置。」 第４ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証を提出し、以下の理由により、本件請求項１、４～６に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 申立理由１（拡大先願） 本件発明１、４～６は、本件特許出願の日前の特許出願であって、本件特許出願後に出願公開された特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、その発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 ［証拠方法］ 甲第１号証：特願２０１９－１７３８７号（特開２０２０－１２６９００号公報） 第５ 取消理由の概要 当審において、令和６年９月１８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 取消理由１（拡大先願） 本件発明１、４～６は、本件特許出願の日前の特許出願であって、本件特許出願後に出願公開された特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、その発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 第６ 申立理由１（拡大先願）、取消理由１（拡大先願）について １ 先願明細書等の記載、先願発明 （１）先願明細書等の記載 甲第１号証（特開２０２０－１２６９００号公報）に係る特許出願である特願２０１９－１７３８７号（以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）には次の記載がある（下線は当審で付した。以下同じ。）。 ア 「【００１０】 ［基板処理装置］ 図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。基板処理装置１は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型の基板処理装置である。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等に適用され得る。 【００１１】 基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の円筒型の処理容器１０を有し、処理容器１０の内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。処理容器１０は接地されている。 【００１２】 処理容器１０の内部には、ウエハＷを載置する円板状の載置台１００が設けられている。載置台１００は、静電チャック２５及び基台２６を有する。静電チャック２５は、基台２６の上に配置される。基台２６は、例えば、アルミニウム又はチタン合金からなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。 【００１３】 静電チャック２５の中央部は、導電膜からなる吸着電極２５ｃを誘電膜２５ａの間に挟み込むことによって構成される。吸着電極２５ｃには直流電源２９がスイッチ２８を介して電気的に接続されている。静電チャック２５は、直流電源２９から吸着電極２５ｃに印加された電圧により発生した静電吸着力により静電チャック２５にウエハＷを保持する。 ・・・ 【００１９】 載置台１００に対向する、処理容器１０の天井部にはシャワーヘッド４０が配設されている。これにより、第１の高周波電源２１からの高周波電力が載置台１００とシャワーヘッド４０との間に印加される。 【００２０】 かかる構成により載置台１００は下部電極としても機能し、シャワーヘッド４０は接地電位の上部電極としても機能する。なお、第１の高周波電源２１は、整合器２１ａを介してシャワーヘッド４０に接続されていてもよい。 ・・・ 【００２２】 第１の流路１０１は、ウエハ載置面に対して円周方向に延在する渦巻状又は同心円状の流路である。第１の流路１０１は、静電チャック２５のウエハ載置面に対して全体的に設けられ、その最外周の流路は、ウエハＷの最外周よりも外側に形成されている。これにより、ウエハＷの温度の制御性を高め、ウエハＷの温度分布の面内均一性を図ることができる。 【００２３】 第１の流路１０１の下部には、第１の断熱層１１１が配置される。第１の断熱層１１１の下部には、第２の流路１０２が配置される。第２の流路１０２の下部には、第２の断熱層１１２が配置される。第２の流路１０２は、ウエハ載置面に対して円周方向に延在する渦巻状又は同心円状の流路である。第２の流路１０２は、第１の流路１０１と同じ形状を有してもよいし、異なる形状を有してもよい。第２の流路１０２は、静電チャック２５のウエハ載置面に対して全体的に設けられ、その最外周の流路は、ウエハＷの最外周よりも外側に形成されている。これにより、基台２６の第１の断熱層１１１よりも下部の基台２６の温度の制御性を高めることができる。 ・・・ 【００２６】 天井部のシャワーヘッド４０は、下面の電極板４５と、電極板４５を着脱可能に支持する電極支持体４１とを有する。電極板４５は、多数のガス通気孔４６を有する。電極支持体４１の内部にはバッファ室４４が設けられ、バッファ室４４に繋がるガス導入口４２はガス供給配管４３と接続され、ガス供給配管４３は処理ガス供給部４７と接続される。 ・・・ 【００２９】 処理容器１０の周囲には、環状又は同心円状に延びる磁石４８が配置され、基板処理装置１の処理容器１０内では、磁石４８によって一方向に向かう水平磁界が形成される。また、載置台１００とシャワーヘッド４０との間に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、載置台１００の表面近傍において処理ガスから高密度のプラズマが生成される。 【００３０】 基板処理装置１では、基板処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象のウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。チラーユニット２００から供給される第１の温度及び第２の温度の熱媒体を第１の流路１０１及び第２の流路１０２にそれぞれ供給する。そして、処理ガス供給部４７より処理ガスを所定の流量および流量比で処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内の圧力を所定値にする。さらに、第１の高周波電源２１及び第２の高周波電源２２により高周波電力を載置台１００に供給し、直流電源２９より電圧を吸着電極２５ｃに印加し、ウエハＷを静電チャック２５上に吸着する。また、伝熱ガスをウエハＷの裏面に供給する。そして、シャワーヘッド４０により吐出された処理ガスがプラズマ化し、プラズマ中のラジカルやイオンによってウエハＷの表面に所定のプラズマ処理が行われる。 【００３１】 [載置台] 次に、一実施形態に係る載置台１００の構成の詳細について、図２を参照しながら説明する。図２は、図１の載置台１００の主に基台２６を拡大して示した断面模式図である。本図では、載置台１００の構成のうち主に基台２６の内部及び基台２６の底面に配置されたＯリング３０１、３０２を示し、静電チャック２５、エッジリング２７及びウエハＷは省略している。なお、載置台１００は、静電チャック２５を有しなくてもよい。静電チャック２５を有しない場合、基台２６の上部がウエハＷの載置面となる。 【００３２】 基台２６は、第１の温度の熱媒体を流す第１の流路１０１と、第１の流路１０１の下部に配置される第１の断熱層１１１とを有する。さらに、基台２６は、第１の断熱層１１１の下部に配置され、第２の温度の熱媒体を流す第２の流路１０２と、第２の流路１０２の下部に配置される第２の断熱層１１２とを有する。基台２６の底面であって第２の断熱層１１２の下部には、基台２６の底面に接触する部材（筒状保持部材１２、ガス供給ライン３１のジョイント部３２）との間にＯリング３０１、３０２が配置される。 【００３３】 第１の流路１０１は、第１の温度の熱媒体を循環させ、ウエハを冷却する。第１の流路１０１に流す熱媒体はフロリナート等の液体、液体窒素又は所定の気体であり得る。第１の温度は、－１００°以下の温度（以下、「極低温」ともいう。）に制御される。これにより、載置台１００のウエハ載置面を局所的に極低温領域の温度で冷却する。 【００３４】 第１の流路１０１には、熱交換率を良くするために、熱媒体と接触する表面積が大きくなるフィン構造を有することが好ましい。図２の例では、第１の流路１０１に数本の柱を有するフィン構造１０１ａが設けられている。フィン構造１０１ａの複数本の柱は、第１の流路１０１の上から下向きに、柱の高さを段違いにして形成されている。これにより、熱交換率を良くして、第１の流路１０１の上部に載置されたウエハＷを極低温に冷却することができる。 ・・・ 【００３６】 第１の断熱層１１１は、第１の流路１０１の下部及び側部にて第１の流路１０１を囲むように形成された第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂを有する。図１に示すように、第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂは、金属配管１３０により排気装置１８に接続され、排気装置１８によって真空引きされ、真空状態に制御される。これにより、真空断熱効果によって第１の流路１０１を流れる熱媒体の熱を断熱し、第１の断熱層１１１の下部に伝えないようにすることができる。 【００３７】 ただし、これに限られず、第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂは、大気圧よりも低い圧力に制御してもよい。これによっても断熱効果を得ることができる。所定の断熱効果を得られる場合には、第１の断熱層１１１は、第１の中空空間１１１ａを第１の流路１０１の下部に有し、第１の中空空間１１１ｂを側部に設けなくてもよい。 ・・・ 【００４４】 第２の断熱層１１２は、第２の流路１０２の下部及び側部にて第２の流路１０２を囲むように形成された第２の中空空間１１２ａ、１１２ｂを有する。図１に示すように、第２の中空空間１１２ａ、１１２ｂは、金属配管１３１により排気装置１８に接続され、排気装置１８によって真空引きされ、真空状態に制御される。これにより、真空断熱効果によって第１の流路１０１を流れる熱媒体の熱を更に断熱し、第２の断熱層１１２の下部に伝えないようにすることができる。 ・・・ 【００４９】 これに対して、かかる構成の載置台１００では、第１の流路１０１に例えば－１００℃以下の極低温である第１の温度の熱媒体を循環させることでウエハＷの冷却効率を上げることができる。一方、第１の温度がＯリング３０１、３０２のガラス転移温度よりも低くても、載置台１００は、第１の流路１０１の下部に設けられた第１の断熱層１１１及び第２の流路１０２の下部に設けられた第２の断熱層１１２により真空断熱を行うことができる。加えて、載置台１００は、第１の断熱層１１１の下部に設けられた第２の流路１０２に例えば常温等、ガラス転移点よりも高い第２の温度の熱媒体を流すことによって基台２６の熱を吸熱することができる。」 イ 「【図１】 ［図：0001423509000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001423509000002.jpg］ 」 （２）先願発明 ア 先願の当初明細書等の図１から、静電チャック２５は、ウエハＷを戴置する側と反対側の下面で基台２６と接して配置されていることが見て取れる。 また、同図１から、基台２６は、Ｏリング３０１、３０２が配置される底面側と反対側の上面で静電チャック２５と接して配置されていることが見て取れる。 イ 同図２について、同【００３４】には、「図２の例では、第１の流路１０１に数本の柱を有するフィン構造１０１ａが設けられている。フィン構造１０１ａの複数本の柱は、第１の流路１０１の上から下向きに、柱の高さを段違いにして形成されている。これにより、熱交換率を良くして、第１の流路１０１の上部に載置されたウエハＷを極低温に冷却することができる。」との記載がある。また、同図２では、フィン構造１０１ａの柱の高さは図の左から図の右向きに段違いで形成されていることが見て取れる。 そうすると、同図２における図の左、図の右はそれぞれ、先願明細書において「上」、「下」に対応する。 ウ 同【００３６】には、「第１の断熱層１１１は、第１の流路１０１の下部及び側部にて第１の流路１０１を囲むように形成された第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂを有する」との記載がある。 また、同図２では、第１の流路１０１の図の右側に第１の中空空間１１１ａが見て取れ、及び、第１の流路１０１の図の上部及び図の下部に第１の中空空間１１１ｂが形成されていることが見て取れることからすると、同図２における図の上部及び下部はそれぞれ、先願明細書に記載の「側部」に対応する。 エ 同【００３６】、【００４４】の記載、上記イ、ウを踏まえると、同図２から、第１の中間空間１１１ａは第１の流路１０１の下部に形成され、第１の中空空間１１１ｂは第１の流路１０１の側部に形成され、第２の中間空間１１２ａは第２の流路１０２の下部に形成され、第２の中空空間１１２ｂは第２の流路１０２の側部に形成されていることが見て取れる。 オ 同【００３６】、【００４４】の記載、上記イを踏まえると、同図２から、第１の中空空間１１１ｂは、第１の中空空間１１１ａに接続されて第１の中空空間１１１ａから上方向に延びること、第２の中空空間１１２ｂは、第２の中空空間１１２ａに接続されて第２の中空空間１１２ａから上方向に延びることが見て取れる。 カ 同【００２２】、【００２３】、【００３６】、【００４４】の記載を踏まえると、同図２から、最外周の第１の流路１０１より外周側の側部に第１の中空空間１１１ｂが設けられていること、最外周の第２の流路１０２のより外周側の側部に第２の中空空間１１２ｂが形成されていることが見て取れる。 キ 同【００３６】、【００４４】の記載、上記ウを踏まえると、同図２から、第１の流路１０１の側部の方向に、第１の流路１０１は間隔を空けて設けられていること、第２の流路１０２の側部の方向に、第２の流路１０２は間隔を空けて設けられていることが見て取れる。 ク 上記（１）及び上記ア～キより、先願の当初明細書等には次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる（当審注：括弧内は根拠となる当初明細書等の段落番号等である。）。 「処理容器１０の内部に設けられ、ウエハＷを載置する円板状の載置台１００であって、（【００１２】） 処理容器１０は基板処理装置１が有するものであり、処理容器１０の内部は、プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室となっており、（【００１１】） 静電チャック２５及び基台２６を有し、静電チャック２５は、基台２６の上に配置され、ウエハＷを戴置する側と反対側の下面で基台２６と接し（【００１２】、上記ア） 静電チャック２５の中央部は、導電膜からなる吸着電極２５ｃを誘電膜２５ａの間に挟み込むことによって構成され、静電チャック２５は、吸着電極２５ｃに印加された電圧により発生した静電吸着力により静電チャック２５にウエハＷを保持し、（【００１３】） 載置台１００に対向する、処理容器１０の天井部にはシャワーヘッド４０が配設されており、ここで、シャワーヘッド４０は、下面の電極板４５と、電極板４５を着脱可能に支持する電極支持体４１とを有しており、高周波電力が載置台１００とシャワーヘッド４０との間に印加され、（【００１９】、【００２６】） かかる構成により載置台１００は下部電極としても機能し、シャワーヘッド４０は接地電位の上部電極としても機能し、（【００２０】） 載置台１００とシャワーヘッド４０との間に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成されることにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、これによりプラズマが生成されて、ウエハＷの表面に所定のプラズマ処理が行われ、（【００２９】、【００３０】） 基台２６は、第１の温度の熱媒体を流す第１の流路１０１と、第１の流路１０１の下部に配置される第１の断熱層１１１と、第１の断熱層１１１の下部に配置され、第２の温度の熱媒体を流す第２の流路１０２と、第２の流路１０２の下部に配置される第２の断熱層１１２とを有し、（【００３２】） 基台２６の底面にＯリング３０１、３０２が配置され、（【００３２】） 基台２６は、Ｏリング３０１、３０２が配置される底面側と反対側の上面で静電チャック２５と接し、（上記ア） 第１の温度は－１００°以下の温度に制御され、これにより、載置台１００のウエハ載置面を局所的に極低温領域の温度で冷却し、（【００３３】） 第２の流路１０２に例えば常温等、ガラス転移点よりも高い第２の温度の熱媒体を流すことによって基台２６の熱を吸熱することができ、（【００４９】） 第１の流路１０１は、静電チャック２５のウエハ載置面に対して全体的に設けられ、（【００２２】） 第１の断熱層１１１は、第１の流路１０１を囲むように形成された第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂを有し、（【００３６】） 第２の断熱層１１２は、第２の流路１０２を囲むように形成された第２の中空空間１１２ａ、１１２ｂを有し、（【００４４】） 基台２６の内部及び基台２６の底面に配置されたＯリング３０１、３０２を示し、静電チャック２５、エッジリング２７及びウエハＷは省略した載置台１００の基台２６の断面において、（【００３１】） 第１の中間空間１１１ａは第１の流路１０１の下部に形成され、第１の中空空間１１１ｂは第１の流路１０１の側部に形成され、第２の中間空間１１２ａは第２の流路１０２の下部に形成され、第２の中空空間１１２ｂは第２の流路１０２の側部に形成されており、（上記エ） 第１の中空空間１１１ｂは、第１の中空空間１１１ａに接続されて第１の中空空間１１１ａから上方向に延びており、第２の中空空間１１２ｂは、第２の中空空間１１２ａに接続されて第２の中空空間１１２ａから上方向に延びており、（上記オ） 最外周の第１の流路１０１のより外周側の側部に第１の中空空間１１１ｂが設けられており、最外周の第２の流路１０２のより外周側の側部に第２の中空空間１１２ｂが形成されており、（上記カ） 第１の流路１０１の側部の方向に、第１の流路１０１は間隔を空けて設けられており、第２の流路１０２の側部の方向に、第２の流路１０２は間隔を空けて設けられている、（上記キ） 載置台１００。」 ２ 周知技術 （１）合議体が職権で提示する国際公開第２０１５／１３７２７０号公報（以下「周知文献１」という。）には、次の記載がある。 「[0004] この静電チャック装置は、ウエハが載置される略円板状の誘電体板と、この誘電体板の内部に埋設された静電吸着用電極とを備えたものである。この誘電体板と、この誘電体板上に載置されるウエハとの間に直流電圧を印加することで、クーロン力あるいは微少な漏れ電流による静電吸着力を発生させる。そしてこの静電吸着力によりウエハを誘電体板上に固定している。 この静電チャック装置に用いられる誘電体板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び酸化イットリウム等のセラミックスが一般に用いられている。」 （２）周知文献１に記載された周知技術 周知文献１の上記[0004]の記載において、「静電チャック装置に用いられる誘電体板として」「セラミックスが一般に用いられている」ことは、静電チャックに用いられる誘電体としてセラミックス部材を用いることは周知であることといえる。 そうすると、周知文献１に記載されているように、「静電チャックに用いる誘電体の材料としてセラミックス部材を用いること」は本件特許出願前の周知技術である。 ３ 本件発明６について （１）対比 本件発明６と先願発明とを対比する。 ア 本件発明６の「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面にて対象物を保持するセラミックス部材」と先願発明における「静電チャック２５」とを対比する。 先願発明において、「静電チャック２５」は、「ウエハＷを載置する側と反対側の下面で基台２６と接し」、「吸着電極２５ｃに印加された電圧により発生した静電吸着力により発生した静電吸着力により静電チャック２５にウエハＷを保持し」、「ウエハ載置面」を備えるものであるから、ウエハ載置面と、ウエハ載置面と反対側の下面と、を備え、ウエハ載置面にてウエハを保持する部材であるといえる。また、先願発明の「ウエハＷ」は、静電チャック２５が保持する対象物といえる。 そうすると、先願発明の「静電チャック２５」は本件発明６の「セラミックス部材」に対応し、先願発明における「ウエハ載置面」、「ウエハ載置面と反対側の下面」、「対象物」は、それぞれ本件発明６の「第１の面」、「前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面」、「対象物」に相当する。 また、先願発明の「静電チャック２５」は、その「中央部」が「導電膜からなる吸着電極２５ｃを誘電膜２５ａの間に挟み込むことによって構成され」ているから、静電チャック２５は誘電膜の部材で構成されているといえる。 したがって、先願発明の「静電チャック２５」と本件発明６の「セラミックス部材」とは、前者が「誘電膜」の部材で構成されているのに対し、後者は、「セラミックス」の部材で構成されている点で相違し、「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持する部材」である点で共通する。 イ 本件発明６の「第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材」と先願発明における「基台２６」とを対比する。 先願発明において、「基台２６」は、「Ｏリング３０１、３０２が配置される底面側と反対側の上面で静電チャック２５と接」するものであるから、「基台２６」は、静電チャック２５が配置される側の面（上面）と、上面と反対側の面（下面）と、を備えるものであるといえる。 先願発明の「基台２６」、「静電チャック２５が配置される側の面（上面）」、「上面と反対側の面（下面）」は、それぞれ、本件発明６の「ベース部材」、「第３の面」、「前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面」に相当する。 したがって、本件発明６と先願発明とは、「第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材」を有する点で一致する。 ウ 先願発明では、「静電チャック２５は、基台２６の上に配置され、ウエハＷを載置する側と反対側の下面で基台２６と接し」、「基台２６は、第１の温度の熱媒体を流す第１の流路１０１」を有し、「第１の温度は－１００°以下の温度に制御され、これにより、載置台１００のウエハ載置面を局所的に極低音領域の温度で冷却し」、「第１の流路１０１は、静電チャック２５のウエハ載置面に対して全体的に設けられ」ているものであるから、「静電チャック２５」の「ウエハＷを載置する側と反対側の下面（「ウエハ載置面」と反対側の下面）」（第２の面）と、「基台２６」の「静電チャック２５が配置される側の面（上面）」(第３の面)とは、接しており、基台２６に流れる熱媒体の温度制御を利用して、「載置台１００のウエハ載置面」、すなわち「静電チャック２５のウエハ載置面」を冷却しているといえる。 そうすると、先願発明では、「静電チャック２５」の「ウエハＷを載置する側と反対側の下面（「ウエハ載置面」と反対側の下面）」（第２の面）と、「基台２６」の「静電チャック２５が配置される側の面（上面）」(第３の面)とが、熱的に接続されているといえる。 したがって、本件発明６と先願発明とは、「前記セラミックス部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている」点で一致する。 エ 先願発明の「載置台１００」は、「静電チャック２５及び基台２６を有し」、ここで、「静電チャック２５」は「ウエハＷを保持」するものであるから、本件発明６の「保持部材」に相当する。 オ 先願発明の「シャワーヘッド４０」は、「下面の電極板４５と、電極板４５を着脱可能に支持する電極支持体４１とを有しており」、「載置台１００とシャワーヘッド４０との間に印加された高周波電力によって鉛直方向のＲＦ電界が形成されることにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、これによりプラズマが生成されてウエハＷの表面に所定のプラズマ処理が行われ」るものであるから、ウエハに対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部といえる。 さらに、上記ア～イの検討を踏まえると、先願発明の「ウエハＷ」は静電チャック２５に保持されるものといえるから、先願発明の「シャワーヘッド４０」は、本件発明６の「部材に保持される前記対象物に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部」に相当する。 カ 先願発明の「載置台１００」は、「プラズマエッチングやプラズマＣＶＤ等のプラズマ処理が行われる処理室」である「処理容器１０の内部に設けられる」ものであり、また、「プラズマ処理」は「ウエハＷの表面」に行われるものである。 さらに、先願発明では、「処理容器１０は基板処理装置１が有するもの」であることからすると、基板処理装置１は半導体であるウエハをプラズマ処理する半導体製造装置といえる。 してみると、先願発明の「基板処理装置１」は、本件発明６の「半導体製造装置」に相当する。 キ 先願発明の「基台２６」は、「第１の温度の熱媒体を流す第１の流路１０１」と「第２の温度の熱媒体を流す第２の流路１０２」と「を有」するものである。 ここで、「第１の温度」は、「－１００°以下の温度に制御され、これにより、載置台１００のウエハ載置面を局所的に極低温領域の温度で冷却」するものであるから、第１の流路１０１に流す第１の温度の熱媒体は冷媒といえる。 また、「第２の温度」は、「例えば常温等、ガラス転移点よりも高い」ものであって、「第２の流路１０２に」「第２の温度の熱媒体を流すことによって基台２６の熱を吸熱することができ」るものであるから、第２の流路１０２に流す第２の温度の熱媒体は、吸熱すなわち冷却を行うものであり冷媒といえる。 そうすると、先願発明の「基台２６」が備える「第１の流路１０１」及び「第２の流路１０２」は、本件発明６の「ベース部材」が備える「冷媒を流すための冷媒流路」に相当する。 ク 先願発明の「基台２６の内部及び基台２６の底面に配置されたＯリング３０１、３０２を示し、静電チャック２５、エッジリング２７及びウエハＷは省略した載置台１００の基台２６の断面」について、「基台２６の内部」とは、上記イの検討を参酌すると、基台２６の、静電チャック２５が配置される側の面（上面）と、底面である、上面と反対側の面（下面）との間であるから、上記断面は、基台２６の上面と下面の方向に沿って基台２６を切り取った少なくとも１つの断面といえる。 ここで、先願発明の「静電チャック２５」は、「基台２６の上に配置され」るものであることからすると、静電チャック２５と基台２６とが配列される方向は、本件発明６の第１の方向に相当するといえるから、先願発明の上記断面は、上記アで示した相違する点を除き、本件発明６の「前記部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面」と共通する。 ケ（ア）先願発明では、「第１の中空空間１１１ａ、１１１ｂ」は、「第１の断熱層１１１」が「有し」ており、「第２の中空空間１１２ａ、１１２ｂ」は、「第２の断熱層１１２」が「有し」ているから、第１の中空空間１１１ａ、第１の中空空間１１１ｂ、第２の中空空間１１２ａ、第２の中空空間１１２ｂはそれぞれ断熱層といえる。 （イ）先願発明において、「第１の中間空間１１１ａは第１の流路１０１の下部に形成され」、「第２の中間空間１１２ａは第２の流路１０２の下部に形成され」ている。ここで、上記（ア）、イ、キ、クの検討を参酌すると、第１の中間空間１１１ａ及び第２の中間空間１１２ａは、「前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層」に相当する。 （ウ）先願発明において、「基台２６」の「第１の中空空間１１１ｂは第１の流路１０１の側部に形成され」ているものであって、「最外周の第１の流路１０１のより外周側の側部に」「設けられて」いるものである。また、「基台２６」の「第２の中空空間１１２ｂは第２の流路１０２の側部に形成され」ているものであって、「最外周の第２の流路１０２のより外周側の側部に」「設けられて」いるものである。ここで、「より外周側」の方向は、上記カの検討を参酌すると、静電チャック２５と基台２６とが配列される方向（第１の方向）と直交する方向といえる。 したがって、上記（ア）、キ、クを踏まえると、先願発明の「第１の中間空間１１１ｂ」及び「第２の中間空間１１２ｂ」は、本件発明６の「前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層」に相当する。 （エ）先願発明の「第１の中空空間１１１ｂ」は、「第１の中空空間１１１ａに接続されて第１の中空空間１１１ａから上方向に延びてい」るものであり、また、「第２の中空空間１１２ｂ」は、「第２の中空空間１１２ａに接続されて第２の中空空間１１２ａから上方向に延びて」いるものであり、ここで、上記（ア）、クの検討を参酌すると、先願発明の「第１の中空空間１１１ｂ」及び「第２の中空空間１１２ｂ」と本件発明６の「第２の断熱層」とは、「前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられる」点で共通する。 コ 上記ア～ケの検討によれば、本件発明６と先願発明とは、以下の一致点、相違点１～２を有する。 ［一致点］ 「第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備え、前記第１の面上にて対象物を保持する部材と、第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備えるベース部材と、を備え、前記部材の前記第２の面と、前記ベース部材の前記第３の面とが、熱的に接続されている保持部材と、 前記部材に保持される前記対象物に対してプラズマ処理を行うためのプラズマを生成する電極部と、 を有する半導体製造装置において、 前記ベース部材は、冷媒を流すための冷媒流路を備え、 前記部材と前記ベース部材とが配列される第１の方向に沿って前記ベース部材を切り取った少なくとも１つの断面にて、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向の前記第４の面側に設けられる第１の断熱層と、 前記冷媒流路に対して前記第１の方向に直交する第２の方向側に設けられる第２の断熱層と、 を備え、 前記第２の断熱層は、前記第１の断熱層に接続しており、前記第１の断熱層から前記第１の方向の前記第３の面側に向かって設けられており、 を特徴とする半導体製造装置。」 ［相違点１］ 対象物を保持する部材について、本件発明６では、「セラミックス」部材であるのに対し、先願発明では、「ウエハＷを保持」する「静電チャック２５」は「誘電膜」によって構成されている点。 ［相違点２］ 本件発明６のベース部材は、「前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層」の構成を備えるのに対し、先願発明の「基台２６」はそのような構成を有しない点。 （２）相違点についての判断 ア 事案に鑑み、相違点２について先に検討する。 先願発明の「基台２６」は、「前記断面にて、複数の前記冷媒流路が、前記第２の方向に間隔を空けて設けられており、前記第２の断熱層として、前記第２の方向に隣り合う前記冷媒流路の間に設けられる流路間断熱層」を有するものではないから、本件発明６は先願発明と同一ではない。 また、先願発明の「基台２６」を、相違点２に係る本件発明６の構成とすることは、具体化手段における微差とはいえないから、本件発明６は先願発明と実質的に同一でもない。 イ 小括 以上から、相違点１について検討するまでもなく、本件発明６は先願発明と同一ではない。 ４ 本件発明４、５について 本件発明４、５は、上記相違点２に係る本件発明６の構成と同一の構成を有しているから、本件発明６と同様の理由により、先願発明と同一ではない。 ５ まとめ 以上のとおりであるから、請求項４～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものではない。 したがって、取消理由１及び申立理由１は、いずれも理由がない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項４～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項４～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項１は、本件訂正により、削除されたため、本件特許の請求項１に対して申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。