2022-701206

特許第７０８２２５７号発明「半導体実装材料用フィラー及びその製造方法並びに半導体実装材料」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０８２２５７号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、〔６～８〕について訂正することを認める。 特許第７０８２２５７号の請求項１～８に係る特許を取り消す。

理 由 第１ 手続の経緯 １ 特許第７０８２２５７号の請求項１～８に係る特許についての出願は、２０２１年（令和３年）１２月８日（優先権主張 令和２年１２月１０日）を国際出願日とする出願であって、令和４年５月３０日にその特許権の設定登録がされ、同年６月７日に特許掲載公報が発行された。その後、その請求項１～８に係る特許について、同年１２月５日に特許異議申立人末成幹生（以下「申立人１」という。）、同年１２月７日に特許異議申立人星正美（以下「申立人２」という。）、及び特許異議申立人御代川友美（以下「申立人３」という。）により特許異議の申立てがされた。 ２ 当審は、令和５年３月１５日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年５月１８日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、申立人２は同年７月１０日に、また、申立人１及び申立人３は同年７月１２日に、それぞれ意見書を提出した。 ３ その後、当審は、令和５年８月２３日付けで取消理由（決定の予告）を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年１０月２７日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）に対して、申立人２と申立人３は、令和６年１月４日にそれぞれ意見書を提出した。 ４ 当審は、令和６年１月３１日付けで本件訂正請求についての訂正拒絶理由を通知し、それに対し特許権者は同年３月７日に意見書を提出した。 なお、特許法第１２０の５条第７項の規定により、令和５年５月１８日にされた訂正の請求は取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は訂正請求書の記載のとおり。） （１） 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に（ａ）「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液中に含まれる２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である金属酸化物を主成分とし、」とあるのを「前記粒子材料は、４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である金属酸化物を主成分とし、」とし、 （ｂ）「２０％以上含有する可燃性ガス」とあるのを「１００％含有する可燃性ガス」とし、 （ｃ）「半導体実装材料用フィラーの製造方法。」とあるのを「半導体実装材料用フィラーの製造方法（前記原料粒子材料が破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものを除く。）（前記原料粒子材料が煙霧シリカであるものを除く。）。」と記載する。 更に、特許請求の範囲の請求項１に（ｄ）「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料」とあるのを「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）」とし、 （ｅ）「溶融させることで前記粒子材料を形成する球状化工程を有する」とあるのを「溶融させることで第１粒子材料を形成する球状化工程と、 前記第１粒子材料に対してシラン化合物により表面処理を行い前記粒子材料を得る表面処理工程と、 を有する」と記載する（訂正後の請求項１）。 （２） 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３に「前記可燃性ガスは、前記炭素非含有ガスを１００％含有する」とあるのを「前記可燃性ガスは、アンモニアである」と記載する（訂正後の請求項３）。 （３） 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項４に「前記炭素非含有ガスは、アンモニア及び／又は水素である請求項１～３のうちの何れか１項に」とあるのを「前記炭素非含有ガスは、水素である請求項１又は２に」と記載する（訂正後の請求項４）。 （４） 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項６に（ａ）「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液中に含まれる２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である」とあるのを「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である」と記載する。 更に、特許請求の範囲の請求項６に（ｂ）「金属酸化物を主成分とする粒子材料」とあるのを「金属酸化物を主成分とし、シラン化合物により表面処理されている粒子材料」と記載し、 （ｃ）「半導体実装材料用フィラー。」とあるのを「半導体実装材料用フィラー（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を実質的に含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）。」と記載する（訂正後の請求項６）。 （５） 一群の請求項、及び独立特許要件について 訂正前の請求項１～５について、請求項２～５は、請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～５に対応する訂正後の請求項１～５は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 また、訂正前の請求項６～８について、請求項７、８は、請求項６を引用しているものであって、訂正事項４によって記載が訂正される請求項６に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項６～８に対応する訂正後の請求項６～８は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 そして、本件特許異議申立事件においては、訂正前の請求項１～８が特許異議申立の請求の対象とされているので、訂正前の請求項１～８に係る訂正事項１～４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ２ 訂正拒絶理由について （１） 訂正拒絶理由の要旨 令和６年１月３１日付けで、本件訂正請求について通知した訂正拒絶理由の要旨は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合しないから、訂正後の請求項〔１～５〕、〔６～８〕についての本件訂正請求は認められない、というものである。 ア 訂正後の請求項〔１～５〕について 訂正事項１（ｄ）のうち、訂正前の請求項１の「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料」について、「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）」との事項（以下「訂正事項Ａ」という。）を付加する訂正について、訂正事項Ａを付加することにより、訂正後の請求項１に係る発明は、「粒子材料」が「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子」を含まないものになった。 ここで、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には、本実施形態の粒子材料の結晶化度が３％以下であることが好ましく（段落００３０）、原料粒子材料が結晶破砕シリカであり、製造した球状化粒子の溶融度（全体を基準とした非晶質の割合）が９２．８～９６．９％である実施例１～６、８が記載されている。 しかしながら、本件明細書等には、粒子径が４５μｍ以上７５μｍ以下の範囲にある非晶質の粒子材料を除去する事項については何ら記載も示唆もされていない。 また、結晶質と非晶質とを含む粒子材料から、粒子径が所定の範囲の、非晶質の粒子材料のみを除去することは技術常識ともいえないから、訂正事項Ａを付加することが「本件明細書等の記載から自明な事項」ともいえない。 そうすると、訂正事項Ａを含む、訂正後の請求項〔１～５〕についての本件訂正請求は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものといえ、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正とはいえないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。 また、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項である訂正事項Ａを付加する、訂正後の請求項〔１～５〕についての本件訂正請求は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものといえるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合しない。 イ 訂正後の請求項〔６～８〕について 訂正事項４（ｃ）のうち、訂正前の請求項６の「半導体実装材料用フィラー」について、「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を実質的に含むものを除く）」との事項（以下「訂正事項Ｂ」という。）を付加する訂正についても、訂正事項Ａと同様に、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５、６項の規定に適合しないから、訂正事項Ｂを含む、訂正後の請求項〔６～８〕についての本件訂正請求は認められない。 （２） 特許権者の主張 上記訂正拒絶理由に対して、特許権者は、令和６年３月７日に提出した意見書（３ページ１１行～５ページ最下行）において次の主張をした。（下線は、意見書の記載のとおり。） 「当審の判断における訂正事項Ａの解釈としては、（あ）や（え）などの下線部分に記載された通り「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料」から「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子」のみを除くことを限定していると判断していると思われます。 訂正事項Ｂについても訂正事項Ａと同様の解釈によって「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子」のみを除くことを限定していると判断していると思われます。 しかながら、訂正事項Ａ及びＢは、その字句の通り「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料」から「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むもの」を除くことを限定しています。 つまり、訂正事項Ａ及びＢは、「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にあり」且つ「非晶質球状シリカ質粒子を含むもの」を除く限定です。 ここで、本願の請求項１や６における粒子材料は当審の認定の通り非晶質の粒子材料を主とする材料であり、「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある」粒子材料が存在するとすれば、それには必ず非晶質の粒子材料を含有するものとなります。 従って、訂正事項Ａ及びＢにおいて「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にあり」且つ「非晶質球状シリカ質粒子を含むもの」を除くという記載は、「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にあるすべての粒子材料」を除くものであることを意味します。 ・・・（中略）・・・ 更に、本願願書に添付した明細書の００２５段落に「本実施形態の粒子材料は、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下である。体積平均粒径の測定は、レーザー回折法により測定する。体積平均粒径の上限値は、４０μｍ、２０μｍ、１０μｍ、５μｍであることが好ましく、下限値は、０．１μｍ、０．３μｍ、０．５μｍ、２μｍであることが好ましい。これらの上限値と下限値とは任意に組み合わせることが可能である。」と記載されているように、粒子材料についてその粒径の範囲を制限しようとする思想が開示されています。 従って、結果的に本願の請求項１、６が規定する粒子材料について甲１－１１に記載の発明に基づき訂正事項Ａ、Ｂを導入してその粒度分布を制限することは新たな技術的事項を導入するものではなく、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正に該当します。」 （３） 当審の判断 特許権者の主張により、訂正事項Ａ及びＢは、「粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にあるすべての粒子材料」を除くものであることを意味することが明らかになった。 そして、上記訂正拒絶理由は、訂正事項Ａ及びＢについて、「粒子径が４５μｍ以上７５μｍ以下の範囲にある非晶質の粒子材料」のみを除くものであることを前提としているから、上記訂正拒絶理由は解消した。 ３ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１） 訂正事項１について ア 訂正事項１（ａ）について （ア） 訂正事項１（ａ）－１ ａ 訂正の目的 訂正前の請求項１の「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、・・・金属酸化物を主成分とし、」について、「前記粒子材料は、４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、・・・金属酸化物を主成分とし、」とする訂正事項（以下「訂正事項１（ａ）－１」という。）は、令和５年３月１５日付け取消理由通知書「第４の１（１）ア」で通知した「請求項１の「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、・・・金属酸化物を主成分とし、」との記載が、「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料を含む半導体実装材料用フィラーを製造する方法」における何を特定しているのか、すなわち、「原料粒子材料」であるのか、球状化工程で形成された「粒子材料」であるのか、あるいは、それ以外のものか明らかでない。」との取消理由を解消するための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 ｂ 新規事項の有無 訂正事項１（ａ）－１については、本件明細書等の段落００３１の「本実施形態の粒子材料は、以下の方法により測定される２０μｍ以上の着色異物の数が１０個／５０ｇ以下であり、８個／５０ｇ以下、６個／５０ｇ以下、４個／５０ｇ以下、２個／５０ｇ以下であることが好ましい。」、及び、段落００３２の「着色異物の数の測定は、分散媒としてのエタノール４００ｍＬ中に粒子材料５０ｇを分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った異物の数として測定する。」との記載に基づくものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 （イ） 訂正事項１（ａ）－２ ａ 訂正の目的 訂正前の請求項１の「２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物」について、「目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物」とする訂正事項（以下「訂正事項１（ａ）－２」という。）は、発明を特定するための事項を直列的に付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 ｂ 新規事項の有無 訂正事項１（ａ）－２についても、本件明細書等の上記段落００３２の記載に基づくものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 イ 訂正事項１（ｂ）について （ア） 訂正の目的 訂正前の請求項１の「炭素を含有しない可燃性の炭素非含有ガスを体積基準で２０％以上含有する可燃性ガスを燃焼して得られる火炎」について、「炭素を含有しない可燃性の炭素非含有ガスを体積基準で１００％含有する可燃性ガスを燃焼して得られる火炎」とする訂正事項（以下「訂正事項１（ｂ）」という。）は、２０％以上との炭素非含有ガスの含有量をさらに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の有無 訂正事項１（ｂ）については、訂正前の請求項３の「前記可燃性ガスは、前記炭素非含有ガスを１００％含有する請求項１又は２に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。」、及び、本件明細書等の段落００３５の「可燃性ガスは、水素やアンモニアなどの炭素非含有ガスを一部乃至全部として採用する。炭素非含有ガスは、可燃性ガスの全体の体積を基準として２０％以上含有し、４０％以上含有することが好ましく、６０％以上含有することがより好ましく、８０％以上含有することが更に好ましく、１００％を炭素非含有ガスとすることが特に好ましい。」との記載に基づくものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 ウ 訂正事項１（ｃ）について （ア） 訂正の目的 訂正前の請求項１の「半導体実装材料用フィラーの製造方法。」とあるのを「半導体実装材料用フィラーの製造方法（前記原料粒子材料が破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものを除く。）（前記原料粒子材料が煙霧シリカであるものを除く。）」とする訂正事項１（ｃ）は、発明を特定するための事項である「原料粒子材料」をさらに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の有無 訂正事項１（ｃ）については、本件明細書等の段落００３７の「原料粒子材料は、アトマイザ、粉砕機、造粒機などにより金属や金属酸化物を粒子化したものを採用できる。例えば、原料を加熱して溶融した後、アトマイザにより微粒子化することができる。そして原料粒子材料よりも大きな材料に対して粉砕操作を行うことで原料粒子材料を得ることができる。また、原料粒子材料よりも粒径が小さい材料については、造粒して目的の大きさにすることができる。なお、造粒する場合には結着剤として炭素を含有しないものを採用することが望ましい。例えば水中に分散させた分散液を噴霧乾燥することで結着剤無しで造粒することが可能である。」との記載に基づくものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 訂正事項１（ｄ）について （ア） 訂正の目的 訂正前の請求項１の「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料」とあるのを「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）」とする訂正事項１（ｄ）は、発明を特定するための事項である「粒子材料」をさらに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の有無 上記２（３）のとおり、訂正事項１（ｄ）のうち、「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）」点は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 また、訂正事項１（ｄ）のうち、「（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）」点は、本件明細書等に記載された粒子材料から特定のものを除くものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 したがって、訂正事項１（ｄ）は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 オ 訂正事項１（ｅ）について （ア） 訂正の目的 訂正前の請求項１の「溶融させることで前記粒子材料を形成する球状化工程を有する」とあるのを「溶融させることで第１粒子材料を形成する球状化工程と、 前記第１粒子材料に対してシラン化合物により表面処理を行い前記粒子材料を得る表面処理工程と、 を有する」する訂正事項１（ｅ）は、発明を特定するための事項を直列的に付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 （イ） 新規事項の追加 訂正事項１（ｅ）は、本件明細書等の段落００２７の「粒子材料は表面処理されていても良い。表面処理を行うことで粒子材料の表面の性質を好ましいものにすることができる。例えば、樹脂材料中に混合する場合には樹脂材料との親和性を向上するために疎水化（フェニル基、炭化水素基など）したり、樹脂との反応性をもつ官能基（ビニル基、エポキシ基、アクリル基、メタクリル基など）を導入したりすることができる。表面処理の量は特に限定しないが目的の性質が実現できるように表面処理することができる。また、表面処理剤がフィラー材料の表面の官能基（ＯＨ基など）と反応する物である場合にはフィラー材料の表面に存在する官能基の量に応じて表面処理剤の量を選択することができる（表面の官能基の全量、半量、倍量など）。」、及び段落００２８の「表面処理を行う表面処理剤はシラン化合物を採用することができる。シラン化合物としては、ＳｉＨ、ＳｉＯＨ、ＳｉＯＲ（Ｒは炭化水素基）を有するいわゆるシランカップリング剤と称されるものやヘキサメチレンジシラザンなどのシラザン類が例示でき、シラン化合物がもつＳｉに任意の官能基が結合されている物が例示できる。」との記載に基づくものであり、また、球状化工程において製造されるものを「粒子材料」から「第１粒子材料」とするのは、表面処理工程後の粒子材料と区別するためであるから、新たな技術的事項を追加するものではない。 したがって、訂正事項１（ｅ）は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 カ 訂正事項１についての特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記のとおり、訂正事項１は、明瞭でない記載の釈明、又は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （２） 訂正事項２について 訂正事項２は、訂正前の請求項３の「前記可燃性ガスは、前記炭素非含有ガスを１００％含有する」との記載における炭素非含有ガスを「アンモニア」であると限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項２は、本件明細書等の上記段落００３５の記載に基づくものであり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 加えて、訂正事項２は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （３） 訂正事項３について 訂正事項３は、訂正前の請求項４の「前記炭素非含有ガスは、アンモニア及び／又は水素である請求項１～３のうちの何れか１項に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。」との記載における、「アンモニア及び／又は水素」との択一的記載の要素を削除し、また、多数項を引用している請求項の引用請求項の数を削減するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 また、訂正事項３は、本件明細書等の上記段落００３５の記載に基づくものであり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 加えて、訂正事項３は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 （４） 訂正事項４について 訂正前の請求項６の「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液中に含まれる２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である」とあるのを「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である」とする訂正事項４（ａ）は、上記訂正事項１（ａ）－２と同様に、また、訂正前の請求項６の「金属酸化物を主成分とする粒子材料」とあるのを「金属酸化物を主成分とし、シラン化合物により表面処理されている粒子材料」とする訂正事項４（ｂ）は、上記訂正事項１（ｅ）と同様に、訂正前の請求項６の「半導体実装材料用フィラー。」とあるのを「半導体実装材料用フィラー（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を実質的に含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）。」とする訂正事項４（ｃ）は、上記訂正事項１（ｄ）と同様に、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、本件明細書等の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 そして、訂正事項４は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しないから、特許法第１２０の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ４ まとめ 上記のとおり、訂正事項１～４に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１、３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕、〔６～８〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正請求による訂正後の本件発明 本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１～８に係る発明（以下、順に「本件発明１」～「本件発明８」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）を含む半導体実装材料用フィラーを製造する方法であって、 前記粒子材料は、４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である金属酸化物を主成分とし、 前記金属酸化物に含まれる金属及び／又は前記金属酸化物を主成分とする原料粒子材料を、炭素を含有しない可燃性の炭素非含有ガスを体積基準で１００％含有する可燃性ガスを燃焼して得られる火炎中に投入して燃焼及び／又は溶融させることで第１粒子材料を形成する球状化工程と、 前記第１粒子材料に対してシラン化合物により表面処理を行い前記粒子材料を得る表面処理工程と、 を有する半導体実装材料用フィラーの製造方法（前記原料粒子材料が破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものを除く。）（前記原料粒子材料が煙霧シリカであるものを除く。）。 【請求項２】 前記原料粒子材料は、前記金属酸化物を有する請求項１に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。 【請求項３】 前記可燃性ガスは、アンモニアである請求項１又は２に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。 【請求項４】 前記炭素非含有ガスは、水素である請求項１又は２に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。 【請求項５】 前記金属酸化物はシリカである請求項１～４のうちの何れか１項に記載の半導体実装材料用フィラーの製造方法。 【請求項６】 ４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である金属酸化物を主成分とし、シラン化合物により表面処理されている粒子材料を有し、 樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する半導体実装材料用フィラー（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）。 【請求項７】 前記金属酸化物はシリカである請求項６に記載の半導体実装材料用フィラー。 【請求項８】 請求項６又は７に記載の半導体実装材料用フィラーと、 前記半導体実装材料用フィラーを分散する前記樹脂材料と、 を有する半導体実装材料。」 第４ 取消理由（決定の予告）の概要 本件訂正請求による訂正前の請求項１～８に係る特許に対して、当審が令和５年８月２３日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。（ただし、理由４（サポート要件）については、実質的に、令和５年３月１５日付け取消理由通知書「第４の２」で通知したものである。また、申立人１が提出した甲第１号証～甲第１２号証をそれぞれ「甲１－１」～「甲１－１２」と、申立人２が提出した甲第１号証～甲第１４号証をそれぞれ「甲２－１」～「甲２－１４」と、申立人３が提出した甲第１号証～甲第４号証をそれぞれ「甲３－１」～「甲３―４」という。） ＜引用文献等一覧＞ 甲１－２ 特開２０００－１９１３１７号公報 甲１－６ 特開２００５－３０６９２３号公報 甲１－８ 特開２００４－５９３４３号公報 甲１－９ 特開２００７－７０１５９号公報 甲１－１１ 特開２０１８－６５７２２号公報 甲２－５ 特開２０２２－４５６１９号公報 （特願２０２０－１５１３０３号） 甲２－２ 特開２０００－１９１３１６号公報 １ 理由１（新規性） 本件発明１、２、４～８は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲２－２に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、４～８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 理由２（進歩性） 本件発明１、２、４～８は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲１－１１、又は甲２－２に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、４～８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 理由３（拡大先願） 本件発明１～８は、本件特許出願の日前の特許出願であって、本件特許出願後に出願公開がされた甲２－５に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、請求項１～８に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 ４ 理由４（サポート要件） 本件特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 発明の詳細な説明には、「導電性粒子の量を低減する必要がある。」（段落０００９）という課題が記載され、「導電性粒子」は「炭素など」であり（段落００１１）、「炭素としては、煤やグラファイトなど」である（段落００２０）と記載されている。 しかしながら、煤（非晶質炭素）、グラファイト、エタノール、シリカの密度、及びエタノールの室温での粘度を踏まえると、「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置した」に「２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物」はすべて沈降するから、「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液中に含まれる２０μｍ以上の炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、」と特定される本件発明１、６において、導電性粒子の量が低減したかは明らかでない。 そうすると、本件発明１、６には、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、本件発明１、６は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなる。 したがって、本件発明１、６、及び請求項１、６を引用する本件発明２～５、７～８は発明の詳細な説明に記載された発明ではない。 第５ 当審の判断 上記理由３（拡大先願）について検討する。 １ 甲号証の記載、先願発明、周知技術 （１） 甲２－５の記載、及び先願発明 ア 甲２－５の記載 申立人２が甲第５号証として提出した特開２０２２－４５６１９号公報（以下「甲２－５」という。）に係る特願２０２０－１５１３０３号（以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書（以下「先願明細書」という。）には次の記載がある。（下線は引用箇所を示すために当審において付加した。以下同様。） 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、無機質球状化粒子製造装置、それを用いた無機質球状化粒子の製造方法、及び、それらによって得られる無機質球状化粒子に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 従来、無機質球状化粒子を製造する方法として、例えば、無機質原料粉末を火炎中に通過させて表面を溶融し、球状化する装置・方法が採用されている（例えば、特許文献１～３を参照）。 このような装置・方法で無機質球状化粒子を製造した場合、製品粒子となる無機質球状化粒子の粒径は原料粉末の粒径にほぼ依存し、概ね原料粉末に近い粒径の製品粒子が得られることが知られている。 ・・・（中略）・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 上記のように、無機質球状化粒子を製造するためのバーナには、一般的に、都市ガスやＬＰＧ等の気体燃料が用いられている。これは、気体燃料は燃焼性が良好であり、支燃性ガスに酸素ガスを用いると、高温の火炎を容易に形成できるためである。 しかしながら、都市ガスやＬＰＧ等の気体燃料は炭素源を含むため、このような炭素源を含む気体燃料を用いると、特に、不完全燃焼が生じた場合に、固体炭素である煤が発生し、不純物として無機質球状化粒子中に混入してしまうことから、製品品質が低下するという問題があった。 【０００８】 また、近年では、バーナへの酸素の吹込み方法を工夫することで、煤の発生を抑制することも提案されているが、燃料に炭素源が含まれていることから、原理的に、煤を完全に無くすことはできなかった。 【０００９】 本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、製造設備や工程を複雑化させることなく、無機質球状化粒子中に固体炭素が混入するのを抑制でき、製品品質に優れた無機質球状化粒子を歩留まりよく且つ安全に製造することが可能な無機質球状化粒子製造装置、それを用いた無機質球状化粒子の製造方法、及び、それらによって得られる無機質球状化粒子を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１０】 上記課題を解決するため、本発明は、以下の態様を包含する。 即ち、請求項１に係る発明は、火炎中に無機質原料粉末が吹き込まれることで該無機質原料粉末を溶融・球状化する球状化用バーナを備えた球状化炉を有してなる無機質球状化粒子製造装置であって、前記球状化炉は、前記球状化用バーナに供給する燃料として、炭素源を含まない可燃性ガスを含有する気体燃料を供給することを特徴とする無機質球状化粒子製造装置である。 ・・・（中略）・・・ 【００１９】 また、請求項９に係る発明は、請求項１～請求項８の何れかに記載の無機質球状化粒子製造装置であって、前記気体燃料に含有される、炭素源を含まない前記可燃性ガスが、アンモニアガス又は水素ガスの少なくとも何れかであることを特徴とする無機質球状化粒子製造装置である。 ・・・（中略）・・・ 【００８６】 上記のように、本実施形態の製造方法においては、球状化炉２で生成した無機質球状化粒子Ｐを、球状化炉２の後段側に順次設けられたサイクロン６及びバグフィルター７を用いて分級することで、複数の特定粒径分布を有する無機質球状化粒子Ｐを、それぞれ別個の製品粒子とすることができる。 ・・・（中略）・・・ 【実施例】 【００９２】 以下、実施例により、本発明に係る無機質球状化粒子製造装置、それを用いた無機質球状化粒子の製造方法、及び、それらによって得られる無機質球状化粒子についてさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 【００９３】 ＜実施例＞ ［製造条件］ 本実施例においては、図１～図３に示すような、本発明に係る無機質球状化粒子製造装置１を用いて実験を行った。 具体的には、原料供給器８３から原料供給管２２に供給する無機質原料粉末Ｍとして、平均粒度：３０μｍのシリカ粉末：２０ｋｇ／ｈを、酸素（キャリアガス）：７．５Ｎｍ３／ｈで搬送した。 また、気体燃料供給管２３に供給する気体燃料Ｇ１として、アンモニアガス（ＮＨ３）：３２Ｎｍ３／ｈを用いるとともに、支燃性ガス供給管２４に供給する支燃性ガスＧ２として、酸素：２４Ｎｍ３／ｈを用い、球状化部３の内部空間３Ａに向けて火炎を形成した。 そして、無機質原料粉末Ｍを火炎中に噴出させて加熱することにより、溶解・球状化させることにより、無機質球状化粒子Ｐのサンプルを得た。 【００９４】 ［評価方法］ 上記条件及び手順で得られた無機質球状化粒子Ｐについて、市販の測定装置を用い、従来公知に方法で、粒子中に含まれる炭素濃度を測定した。 【００９５】 ＜比較例＞ 比較例においては、上記実施例と同様の構成を有する製造装置を用いるとともに、バーナの気体燃料供給管に供給する気体燃料として、液化プロパンガス（ＬＰＧ）：５Ｎｍ３／ｈを用いた点以外は、実施例と同様の条件及び手順で無機質球状化粒子を製造し、同様の方法で評価した。 【００９６】 ＜評価結果＞ 上記評価試験の結果、本実施例で得られた無機質球状化粒子Ｐは、粒子中に含まれる炭素濃度が０．００１（ｗｔ％）以下であり、非常に低く抑制されていることが確認できた。 ここで、本実施例では、球状化用バーナ２１に供給する気体燃料Ｇ１として、炭素源を含まないＮＨ３を用いていることから、無機質球状化粒子Ｐ中に含まれる微量の炭素も燃料に由来するものではなく、系外からの不純物等に由来するものと考えられる。 【００９７】 一方、比較例の無機質球状化粒子は、粒子中に含まれる炭素濃度が０．０１８（ｗｔ％）であり、実施例に比べて非常に高濃度であることが確認された。 これは、本比較例においては、気体燃料としてＬＰＧを用いているため、燃焼による排ガス中に、気体燃料中に含まれる炭素源に由来する大量の煤等が含まれることから、この煤が粒子中に大量に入り込むか、あるいは、粒子表面に大量に付着したものと考えられる。 【００９８】 以上のような実施例の結果より、本発明に係る無機質球状化粒子製造装置を用いて無機質球状化粒子を製造することにより、粒子中に炭素が混入するのを抑制でき、製品品質に優れた無機質球状化粒子を製造できることが明らかとなった。」 イ 先願発明 上記アによると、先願明細書には次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているといえる。 「無機質球状化粒子の製造方法（段落０００１）であって、 原料供給器８３から原料供給管２２に供給する無機質原料粉末Ｍとして、平均粒度：３０μｍのシリカ粉末：２０ｋｇ／ｈを、酸素（キャリアガス）：７．５Ｎｍ３／ｈで搬送し、 気体燃料供給管２３に供給する気体燃料Ｇ１として、アンモニアガス（ＮＨ３）：３２Ｎｍ３／ｈを用いるとともに、支燃性ガス供給管２４に供給する支燃性ガスＧ２として、酸素：２４Ｎｍ３／ｈを用い、球状化部３の内部空間３Ａに向けて火炎を形成し、 無機質原料粉末Ｍを火炎中に噴出させて加熱することにより、溶解・球状化させ（段落００９３）、 生成した無機質球状化粒子を、球状化炉の後段側に順次設けられたサイクロン及びバグフィルターを用いて分級することで、複数の特定粒径分布を有する無機質球状化粒子を、それぞれ別個の製品粒子とすることができ（段落００８６）、 粒子中に炭素が混入するのを抑制でき、製品品質に優れた無機質球状化粒子を製造できる（段落００９８） 方法。」 （２） 甲１－２及び甲１－１１に記載された周知技術 ア 甲１－２の記載 甲１－２には次の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、溶融球状シリカの製造方法に関する。さらに詳しくは、諸性質の制御が容易で、生産性が大幅に向上した溶融球状シリカを破砕シリカから製造する方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、半導体封止用樹脂組成物のフィラーとして、シリカを主体とするフィラーが使用されている。そして、半導体の高集積度化に伴って、上記したフィラーをより高充填した半導体封止用樹脂組成物が求められている。 【０００３】そして近年、高充填化するためのフィラーとして、球状シリカを主体とするフィラーが研究・開発されている。上記した球状シリカを製造する方法のひとつとして、破砕シリカを溶融させて球状化させる方法が行われている。」 イ 甲１－１１の記載 甲１－１１には次の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、半導体封止材用球状シリカ質粉末、およびその製造方法に関するものである。 【背景技術】 【０００２】 近年、半導体封止材として用いる樹脂には、例えば球状シリカ質粉末をフィラーとして充填することで流動性の向上が図られている。このような球状シリカ質粉末の製造方法としては、シリカ質原料粉末を高温の火炎中に噴出させ、溶融させて微細球状シリカ質粉末を製造する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。」 ウ 甲１－２及び甲１－１１に記載された周知技術 上記甲１－２及び甲１－１１の記載によると、球状シリカのような「無機質球状化粒子を樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する半導体実装材料用フィラーとして用いること」は、周知技術といえる。 （３） 甲１－６及び甲１－８に記載された周知技術 ア 甲１－６の記載 甲１－６には次の記載がある。 「【０００１】 本発明は、無機質粉末、及びこれをゴム及び樹脂のいずれか一方に含有させてなる組成物に関する。詳しくは、無機質粉末の充填率が高くても流動性、成形性が良く、かつ成形時のバリが少ない半導体封止材料を得るために好適な無機質粉末及び組成物に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、電子機器の小型軽量化、高性能化の要求に対応して、半導体パッケージの小型化、薄型化、狭ピッチ化が益々加速している。また、その実装方法も配線基板などへの高密度実装に好適な表面実装が主流になりつつある。このように、半導体パッケージおよびその実装方法が進展する中、半導体封止材料にも高性能化、特に半田耐熱性、耐湿性、低熱膨張性、機械的特性、電気絶縁性などの機能向上が要求されている。これらの要求を満たすためエポキシ樹脂に無機質粉末、特に非晶質シリカ粉末を充填した樹脂組成物が一般に用いられており、半導体封止材料のほとんどがこの樹脂組成物によるものである。この半導体封止材料に充填される無機質粉末は、半田耐熱性、耐湿性、低熱膨張性、機械的強度向上の観点から、エポキシ樹脂に高充填させることが望ましい。 ・・・（中略）・・・ 【００２４】 本発明の無機質粉末は球状であることが好ましい。「球状」の程度としては、平均球形度が０．８５以上であることが好ましい。一般に無機質粉末の平均球形度を上げればゴム・樹脂組成物の転がり抵抗が少なくなり、溶融粘度が低下する傾向にある。本発明においては、平均球形度を０．９０以上とすることが特に好ましい。 ・・・（中略）・・・ 【００２９】 本発明の無機質粉末は、本発明で規定する特性を有していればどのような方法で製造されたものでもよい。その一例を示すと、高温火炎の形成とシリカ粉末原料の噴射とが可能な溶融炉と、溶融処理物の捕集系とからなる設備にて、シリカ粉末原料の粒度、原料供給量、炉内温度、炉内圧力、炉内風量条件等を調整して種々の粒度構成をもった非晶質シリカ粉末を製造し、それを更に分級、篩分け、混合して製造することができる。上記設備には多くの公知があり（例えば、特開平１１－０５７４５１号公報）、それを採用することができる。」 イ 甲１－８の記載 甲１－８には次の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、無機質粉末およびこれを充填した樹脂組成物に関する。詳しくは、無機質粉末の充填率が高くても成形性が良く、かつ成形時のバリが少ない半導体封止材料を得るために好適な無機質粉末および樹脂組成物に関する。 ・・・（中略）・・・ 【００２９】 本発明の無機質粉末は球状であることが好ましい。「球状」の程度としては、平均球形度が０．８５以上であることが好ましい。一般に無機質粉末の平均球形度を上げれば半導体封止材料中での転がり抵抗が少なくなり、溶融粘度が低下する傾向にあるが、特に粉末の平均球形度を０．９０以上とすることで、本発明の効果をより高めることができる。 ・・・（中略）・・・ 【００３４】 本発明の無機質粉末は、本発明で規定する特性を有していればどのような方法で製造されたものでも良いが、非晶質シリカの場合の製造方法の一例をあげると、次のとおりである。高温火炎の形成ないしは高温火炎の形成と共にシリカ粉末原料を高温火炎に噴射することのできる加熱溶融炉と、加熱溶融処理物の捕集系とからなる公知の設備にて、シリカ粉末原料の粒度、原料供給量、炉内温度、炉内圧力、炉内風量条件などを調整して加熱溶融後、捕集した非晶質シリカ粉末を分級、篩分け、混合して製造することができる。なお捕集系には重量沈降室、サイクロン、バグフィルター、電気集塵機等の公知の設備を採用することができる。」 ウ 甲１－６及び甲１－８に記載された周知技術 上記甲１－６及び甲１－８の記載によると、「半導体封止材料における球状粒子の球形度を０．８５以上とすること」は周知技術といえる。 （４） 甲１－１及び甲２－３に記載された周知技術 ア 甲１－１の記載 申立人１が甲第１号証として提出した国際公開第２０１９／１６７６１８号（以下「甲１－１」という）には次の記載がある。 「［００３６］ 本発明の溶融球状シリカ粉末は、樹脂との相溶性や反応性を高くする目的で、各種表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤としては各種シラン化合物やシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤、シリコーンオイル等が挙げられる。 ・・・（中略）・・・ ［００５１］ 表面処理は、用いるシラン化合物・シランカップリング剤に応じて公知の方法を適用すれば良く、乾式でも湿式でもよい。」 イ 甲２－３ 申立人２が甲第３号証として提出した特開２０１７－９５２９１号公報（以下「甲２－３」という。）には、次の記載がある。 「【００５８】 ３．樹脂組成物 前記シリカ粒子とマトリクス樹脂とを含む樹脂組成物も本発明の技術的範囲に包含される。本発明のシリカ粒子は、粗大な凝集物の割合が低減されているため、樹脂組成物に用いた場合にも均一性を高めやすくなり、添加効果、例えば充填密度を高めやすくなる。 前記樹脂組成物において、シリカ粒子は、さらにシランカップリング剤により表面処理されていてもよい。」 ウ 甲１－１及び甲２－３に記載された周知技術 上記甲１－１及び甲２－３の記載によると、「シリカ粒子をシランカップリング剤などのシラン化合物で表面処理すること」は、周知技術といえる。 （５） 甲２－２の記載 甲２－２には次の記載がある。 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ2／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカ。 【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、微細球状溶融シリカに関する。詳しくは、凝集性が小さい微細球状溶融シリカに関する。 【０００２】 【従来の技術】従来より、半導体封止用樹脂組成物のフィラーとして、シリカを主体とするフィラーが使用されており、そして、半導体の高集積度化により、上記したフィラーをより高充填した半導体封止用樹脂組成物が求められている。 ・・・（中略）・・・ 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】したがって、半導体封止用樹脂組成物に高充填化でき、高充填化しても成形不良をおこさない、凝集性が小さい微細シリカの開発が求められてきた。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題に鑑み、鋭意研究を行った結果、特定の性質を持つ微細溶融球状シリカにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ2／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカである。 ・・・（中略）・・・ 【０００９】実施例１ 添付図面の図１に示すような装置を用い、以下のような操作を行い微細溶融球状シリカを得た。中心管、円周管および外周管からなる３重管バーナーを設置した円筒状溶融炉（火炎反応装置）を用い、比表面積２００ｍ2／ｇの煙霧シリカ１（供給速度４.１ｋｇ／ｈ）を酸素２（流量４ｍ3／ｈ）と共に同伴させて円周管より導入し、水素３（流速８ｍ3／ｈ）を中心管および外周管より供給して、火炎反応装置５中で火炎を形成させて溶融し、溶融球状シリカを生成した。次いで、該溶融球状シリカを火炎処理を実施した気体中に維持したまま、流速２０ｍ／ｓでサイクロン６に導き、溶融球状シリカ８と、微細溶融球状シリカを含むガス７とに固気分離した。そして、得られた微細溶融球状シリカを含むガス８をバグフィルター９に通すことにより、微細溶融球状シリカを捕集した。得られた微細溶融球状シリカの性状を表１に示す。 【００１０】実施例２ 煙霧シリカの供給速度を２.０ｋｇ／ｈとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた微細溶融球状シリカの性状を表１に示す。 【００１１】実施例３ 煙霧シリカの供給速度を１.１ｋｇ／ｈとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。得られた微細溶融球状シリカの性状を表１に示す。 【００１２】比較例１～２ 金属シリコン粉末を火炎により酸化させて得られた球状シリカ市販品２種の性状を表１に示す。 【００１３】 【表１】 ［図：0001414141000001.jpg］ 【００１４】表１に示すように、本発明の微細溶融球状シリカは、非常に細かい平均粒径を有しているにもかかわらず、非常に優れた分散性（凝集性が小さい）を示す。同等の平均粒径と比表面積を有している比較例に示した球状シリカは、他の性質は本発明の微細溶融球状シリカと同等であるが、分散性が悪い（凝集性が大きい）。 【発明の効果】本発明の微細溶融球状シリカは、凝集性が小さいため、封止用樹脂に高充填することができ、かつ成形不良をおこさない。」 ２ 当審の判断 先願は、特許出願人大陽日酸株式会社により、萩原義之、斉藤岳志を発明者として、本件の優先権主張の日（令和２年１２月１０日）前の令和２年９月９日に特許出願され、その後、令和４年３月２２日に出願公開されたものである。 （１） 本件発明１～５について ア 対比 本件発明１と先願発明とを対比する。 （ア） 先願発明の「無機質球状化粒子」は「粒子材料」といえる。 （イ） 上記１（５）によると、甲２－２には、「半導体封止用樹脂組成物に高充填化でき、高充填化しても成形不良をおこさない、凝集性が小さい微細シリカ」（段落０００４）の開発との課題を、「比表面積２００ｍ2／ｇの煙霧シリカ１（供給速度４.１ｋｇ／ｈ）を酸素２（流量４ｍ3／ｈ）と共に同伴させて円周管より導入し、水素３（流速８ｍ3／ｈ）を中心管および外周管より供給して、火炎反応装置５中で火炎を形成させて溶融」（段落０００９）することによって、「粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ2／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカ。」（請求項１）を製造することにより解決する発明が記載されている。 そして、先願発明は、上記甲２－２に記載された発明が解決する課題を解決するものではなく、また無機質原料粉末Ｍとして煙霧シリカを用いるものではなく、製造方法が異なるから、先願発明の「無機質球状化粒子」が、甲２－２の請求項１に記載された「微細球状溶融シリカ」を含む蓋然性は低い。 したがって、先願発明の「無機質球状化粒子」は、「（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）」といえる点で、本件発明１の「粒子材料」と共通する。 （ウ） 先願発明のアンモニアガスは炭素非含有ガスであり、先願発明の溶解・球状化させる工程において炭素含有ガスを用いていない。 そうすると、先願発明の「原料供給器８３から原料供給管２２に供給する無機質原料粉末Ｍとして、平均粒度：３０μｍのシリカ粉末：２０ｋｇ／ｈを、酸素（キャリアガス）：７．５Ｎｍ３／ｈで搬送し、 気体燃料供給管２３に供給する気体燃料Ｇ１として、アンモニアガス（ＮＨ３）：３２Ｎｍ３／ｈを用いるとともに、支燃性ガス供給管２４に供給する支燃性ガスＧ２として、酸素：２４Ｎｍ３／ｈを用い、球状化部３の内部空間３Ａに向けて火炎を形成し、 無機質原料粉末Ｍを火炎中に噴出させて加熱することにより、溶解・球状化させる」工程は、本件発明１の「前記金属酸化物に含まれる金属及び／又は前記金属酸化物を主成分とする原料粒子材料を、炭素を含有しない可燃性の炭素非含有ガスを体積基準で１００％含有する可燃性ガスを燃焼して得られる火炎中に投入して燃焼及び／又は溶融させることで第１粒子材料を形成する球状化工程」に相当する。 （エ） 先願発明の、平均粒度：３０μｍのシリカ粉末である無機質原料粉末Ｍは、破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものではなく、また、煙霧シリカでもない。 したがって、先願発明は、「（前記原料粒子材料が破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものを除く。）（前記原料粒子材料が煙霧シリカであるものを除く。）」といえる点で、本件発明１と共通する。 （オ） 一致点・相違点 以上を踏まえると、本件発明１と先願発明とは次の点で一致し、相違する。 ａ 一致点 「粒子材料（粒径３μｍ以下の粒子が粒子全体の少なくとも７０重量％を占め、粒径４８μｍを超える粒子が実質的に存在せず、平均粒径が０.５～２.５μｍの範囲にあり、比表面積が５～３０ｍ２／ｇの範囲にあり、そして水媒体中レーザー回折散乱法により測定した凝集性が３００秒以下であることを特徴とする微細球状溶融シリカを除く）を製造する方法であって、 前記金属酸化物に含まれる金属及び／又は前記金属酸化物を主成分とする原料粒子材料を、炭素を含有しない可燃性の炭素非含有ガスを体積基準で１００％含有する可燃性ガスを燃焼して得られる火炎中に投入して燃焼及び／又は溶融させることで第１粒子材料を形成する球状化工程を有する粒子材料の製造方法（前記原料粒子材料が破砕シリカに煙霧シリカを添加し、混合したものを除く。）（前記原料粒子材料が煙霧シリカであるものを除く。）。」 ｂ 相違点Ａ 本件発明１が「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する粒子材料を含む半導体実装材料用フィラー」を製造する方法であり、粒子材料について「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）」と特定されているのに対し、先願発明の製造方法に係る「無機質球状化粒子」の用途が「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する」「半導体実装材料用フィラー」と特定されておらず、また「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）」点についても特定されていない点。（以下「相違点Ａ」という。） ｃ 相違点Ｂ 本件発明１の粒子材料が「４００ｍＬのエタノール中に５０ｇ分散させた分散液に対して、３８ｋＨｚ、３００Ｗの超音波を２０分間照射した後に２４時間静置したときの上澄み液を目開き２０μｍのナイロンメッシュスクリーンにて濾過し、スクリーン上に残った炭素を含有する着色異物が１０個以下であり、体積平均粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下、球形度が０．８５以上である金属酸化物を主成分と」する点が特定されているのに対し、先願発明の「無機質球状化粒子」にこのような特定がない点。（以下「相違点Ｂ」という。） ｄ 相違点Ｃ 本件発明１が、「前記第１粒子材料に対してシラン化合物により表面処理を行い前記粒子材料を得る表面処理工程」を有するのに対し、先願発明が表面処理工程を有していない点。（以下「相違点Ｃ」という。） イ 相違点の検討 （ア） 相違点Ａ ａ 上記１（２）のとおり、「無機質球状化粒子を樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する半導体実装材料用フィラーとして用いること」は、周知技術である。 そうすると、先願発明により製造される無機質球状化粒子を「樹脂材料中に分散して半導体実装材料を形成する半導体実装材料用フィラーとして用いること」は、周知技術の付加であって、新たな効果を奏するものではないから、課題解決のための具体化手段における微差といえる。 ｂ 先願発明は、平均粒度：３０μｍのシリカ粉末を無機質原料粉末Ｍとするものであって、先願明細書段落０００２の記載によると「概ね原料粉末に近い粒径の製品粒子が得られ」、また、「後段側に順次設けられたサイクロン及びバグフィルターを用いて分級することで、複数の特定粒径分布を有する無機質球状化粒子を、それぞれ別個の製品粒子とすることができる」から、粒径４５μｍ未満のものを取り出し、「（粒子径が４５［μｍ］以上７５［μｍ］以下の範囲にある非晶質球状シリカ質粒子を含むものを除く）」ことは、当業者が適宜なし得る微差に過ぎない。 したがって、相違点Ａに係る本件発明１の構成は、先願発明との実質的な相違ではない。 （イ） 相違点Ｂ ａ 球形度 上記１（３）のとおり、半導体封止材料における球状粒子の球形度を０．８５以上とすることは、周知技術であるから、球形度についての相違点Ｂに係る本件発明１の構成は、先願発明との実質的な相違ではない。 ｂ 着色異物の数 先願発明は、無機質原料粉末Ｍとしてのシリカ粉末を溶解・球形化させる際に炭素含有ガスを用いない。そして、「可燃性ガスを炭化水素ガスに変えて水素やアンモニアなどの炭素を含有しない可燃性のガス（炭素非含有ガス）を採用することで、不完全燃焼が発生しても炭素などの導電性粒子が生成しない」（本件明細書段落００１１）のであるから、先願発明により得られる無機質球状化粒子に含まれる「炭素を含有する着色異物」も本件発明１と同程度である蓋然性が高い。 そうすると、着色異物の数についての相違点Ｂに係る本件発明１の構成は、先願発明との実質的な相違ではない。 ｃ 体積平均粒径 平均粒度：３０μｍのシリカ粉末を無機質原料粉末Ｍとし、「概ね原料粉末に近い粒径の製品粒子が得られ」る先願発明において、製造される無機質球状化粒子の体積平均粒径は０．１μｍ以上４０μｍ以下となる蓋然性が高い。 また、先願発明は、「生成した無機質球状化粒子を、球状化炉の後段側に順次設けられたサイクロン及びバグフィルターを用いて分級することで、複数の特定粒径分布を有する無機質球状化粒子を、それぞれ別個の製品粒子とすることができ」るから、任意の体積平均粒径のものを製造し得る。 よって、体積平均粒径についての相違点Ｂに係る本件発明１の構成は、先願発明との実質的な相違ではない。 ｄ 小括 以上のとおり、相違点Ｂに係る本件発明１の構成は、先願発明との実質的な相違ではない。 （ウ） 相違点Ｃについて 上記１（４）のとおり、「シリカ粒子をシランカップリング剤などのシラン化合物で表面処理すること」は周知技術である。 そうすると、相違点Ｃに係る本件発明１の構成は、周知技術の付加であって、新たな効果を奏するものではないから、課題解決のための具体化手段における微差といえる。 ウ まとめ 以上のとおり、上記相違点Ａ～Ｃはいずれも実質的なものではないから、本件発明１と先願発明とは実質的に同一である。 エ 本件発明２～５について （ア） 先願発明の、無機質原料粉末Ｍとしてのシリカ粉末、「無機質球状化粒子」はいずれも金属酸化物であるシリカである。 したがって、本件発明１と同様に、本件発明２、５も、先願発明と実質的に同一である。 （イ） 先願発明において、可燃性ガスは１００％アンモニアガスである。 したがって、本件発明１と同様に、本件発明３も、先願発明と実質的に同一である。 （ウ） 甲２－５の段落００１９の記載によると、先願明細書には、先願発明の気体燃料Ｇ１をアンモニアガスに代えて水素とした発明も記載されているといえる。 したがって、本件発明１と同様に、本件発明４も、先願発明と実質的に同一である。 （２） 本件発明６～８について 上記（１）イ（ア）ａのとおり、先願明細書には、先願発明により製造される「無機質球状化粒子」の発明（以下「先願発明１」という。）、先願発明により製造される「無機質球状化粒子」を有する半導体実装材料の発明（以下「先願発明２」という。）も実質的に記載されているといえる。 そうすると、本件発明６、７は、先願発明１と実質的に同一であり、また、本件発明８は、先願発明２と実質的に同一である。 （３） 特許権者の主張 特許権者は、令和５年１０月２７日提出の意見書（４ページ１９～最下行）で、理由３（拡大先願）について次の主張を行った。 「イ 本件発明１及び６との比較 本件発明１及び６では、シラン化合物により表面処理を行う表面処理工程を相違点として有している点で先願とは異なる発明です。 本件発明１では、上述の（４）で説明しましたように、通常の表面処理よりも樹脂との密着性が高い表面処理が実現できていますので、この相違点は新たな効果を奏するものと言えます。 従いまして、本件発明１及び６と先願発明とは同一発明ではないことはもちろん、実質的に同一な発明でもありません。」 しかしながら、上記（１）イ（ウ）のとおり、「シリカ粒子をシランカップリング剤などのシラン化合物で表面処理すること」は周知技術であって、相違点Ｃに係る本件発明１の構成は、周知技術の付加であり、新たな効果を奏するものではなく、課題解決のための具体化手段における微差といえるから、特許権者の主張は採用できない。 第６ むすび 以上のとおり、本件発明１～８は、本件特許出願の日前の特許出願であって、本件特許出願後に出願公開がされた甲２－５に係る特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、請求項１～８に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 したがって、本件発明１～８に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 よって、結論のとおり決定する。