2023-700897

特許第７２３７４３５号発明「洗浄剤組成物、基板の洗浄方法及び支持体又は基板の洗浄方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２３７４３５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 特許第７２３７４３５号の請求項２～６に係る特許を維持する。 特許第７２３７４３５号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２３７４３５号の請求項１～６に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）５月２０日（優先権主張 令和１年５月２２日）を国際出願日とする出願であって、令和５年３月３日にその特許権の設定登録がされ、令和５年３月１３日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ８月３１日 ： 特許異議申立人東條直人（以下「申立人東條」という。）による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年 ９月１１日 ： 特許異議申立人椎名一男（以下「申立人椎名」という。）による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年１２月１１日付け： 取消理由通知書 令和 ６年 ２月１３日 ： 特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和 ６年 ３月２１日 ： 申立人椎名による意見書の提出 令和 ６年 ５月２９日付け： 取消理由通知書（決定の予告） 令和 ６年 ７月３０日 ： 特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）の提出 令和 ６年 ８月２１日付け： 手続補正指令書（方式） 令和 ６年 ９月２４日 ： 特許権者による手続補正書（方式）の提出 当審は、特許法第１２０条の５第５項の規定に基づき、期間を指定して、申立人東條及び申立人椎名に意見書を提出する機会を与えたが、その指定期間内に、申立人東條及び申立人椎名から意見書は提出されなかった。 なお、令和６年２月１３日にされた訂正の請求は、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 特許権者は、特許請求の範囲の請求項１～６を、以下の事項により特定されるとおりに訂正することを請求する（下線は訂正箇所を示すため当審が付した。）。 １ 訂正の内容 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項２に、 「前記有機溶媒が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルスルホキシド、酢酸ブチル及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする、請求項１に記載の洗浄剤組成物。」と記載されているのを、「基板上に存在する充填剤を含まずかつシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、前記洗浄剤組成物は、（Ａ）有機溶媒：７５～９９質量部と、（Ｂ）水：０～５質量部と、（Ｃ）アンモニウム塩：１～２０質量部とを含有し（但し、（Ａ）+（Ｂ）+（Ｃ）＝１００質量部である。）、前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し、前記アンモニウム塩が、フッ化物イオンを含有するアンモニウム塩を含み、前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれることを特徴とする、洗浄剤組成物。」に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３～６も同様に訂正する）。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３に「前記アンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩を含むことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の洗浄剤組成物。」と記載されているのを、「前記アンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩を含むことを特徴とする、請求項２に記載の洗浄剤組成物。」に訂正する（請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４～６も同様に訂正する）。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「前記有機溶媒の含有量は７５質量部以上９９質量部未満であり、前記水の含有量は０質量部を超え５質量部以下であり、前記アンモニウム塩の含有量は１～２０質量部であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物。」と記載されているのを、「前記有機溶媒の含有量は７５質量部以上９９質量部未満であり、前記水の含有量は０質量部を超え５質量部以下であり、前記アンモニウム塩の含有量は１～２０質量部であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の洗浄剤組成物。」に訂正する（請求項４の記載を引用する請求項５、６も同様に訂正する）。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「支持体と、該支持体上に形成された仮接着層と、該仮接着層に回路面を有する表面が対向するように積層された基板とを備える基板積層体から、前記支持体を剥離し、前記基板上に残存している前記仮接着層を、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、基板の洗浄方法。」と記載されているのを、「支持体と、該支持体上に形成された仮接着層と、該仮接着層に回路面を有する表面が対向するように積層された基板とを備える基板積層体から、前記支持体を剥離し、前記基板上に残存している前記仮接着層を、請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、基板の洗浄方法。」に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６に「支持体又は基板上に仮接着層を形成し、該仮接着層の一部を、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、支持体又は基板の洗浄方法。」と記載されているのを、「支持体又は基板上に仮接着層を形成し、該仮接着層の一部を、請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、支持体又は基板の洗浄方法。」に訂正する。 なお、本件訂正は、一群の請求項１～６について請求されている。 ２ 訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の有無、独立特許要件 （１）訂正事項１ ア 訂正の目的について 訂正事項１は、訂正前の請求項２が訂正前の請求項１を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。 また、訂正事項１のうち、請求項１の「シリコーン化合物を含有する仮接着材」との記載を、「充填剤を含まずかつシリコーン化合物を含有する仮接着材」とすることは、仮接着材について更に限定するものであり、訂正事項１のうち、有機溶媒について、「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジメチルスルホキシド、酢酸ブチル及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む」との記載を、「ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」とすることは、有機溶媒の範囲について更に限定するものであるから、これらの訂正は特許請求の範囲を減縮しようとするものである。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項１は、訂正前の請求項２が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めるための訂正であるとともに、特許請求の範囲の減縮しようとする訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項１のうち、請求項間の引用関係を解消し、請求項１を引用しないものとし、独立形式請求項へ改めることは、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「願書に添付した明細書等」という。）に記載した事項の範囲内の訂正である。 訂正事項１のうち、仮接着材について、「充填剤を含まず」と更に限定することは、願書に添付した明細書の段落【００３１】、【００３８】～【００３９】、【００７３】、【００８９】～【００９１】に基づくものである。 訂正事項１のうち、有機溶媒について、「ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」とすることは、願書に添付した明細書の段落【００２０】に記載されている。 よって、訂正事項１は、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （２）訂正事項２ ア 訂正の目的について 訂正事項２は、訂正前の請求項１の記載を削除するものである。 よって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項２は、訂正前の請求項１の記載を削除するのみであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項２は、訂正前の請求項１の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （３）訂正事項３ ア 訂正の目的について 訂正事項３は、訂正前の請求項３が、請求項１又は２の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２で請求項１が削除されて請求項１を引用できなくなったことに伴い、請求項間の引用関係を解消する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」又は同第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。また、訂正事項３は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１項に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項３は、引用する請求項の数を減少させるものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項３は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項３に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （４）訂正事項４ ア 訂正の目的について 訂正事項４は、訂正前の請求項４が、請求項１～３の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２で請求項１が削除されて請求項１を引用できなくなったことに伴い、請求項間の引用関係を解消する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」又は同第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。また、訂正事項４は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１項に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項４は、引用する請求項の数を減少させるものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項４は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項４に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （５）訂正事項５ ア 訂正の目的について 訂正事項５は、訂正前の請求項５が、請求項１～４の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２で請求項１が削除されて請求項１を引用できなくなったことに伴い、請求項間の引用関係を解消する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」又は同第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。また、訂正事項５は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１項に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項５は、引用する請求項の数を減少させるものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項５は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項５に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 （６）訂正事項６ ア 訂正の目的について 訂正事項６は、訂正前の請求項６が、請求項１～４の記載を引用する記載であるところ、訂正事項２で請求項１が削除されて請求項１を引用できなくなったことに伴い、請求項間の引用関係を解消する訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」又は同第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。また、訂正事項６は、引用する請求項の数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１項に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。 イ 実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないこと 訂正事項６は、引用する請求項の数を減少させるものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 ウ 願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であること 訂正事項６は、訂正前の請求項１の記載を削除するものであるから、願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。 エ 特許出願の際に独立して特許を受けることができること 本件においては、訂正前の全ての請求項について特許異議の申立てがされているので、訂正事項６に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。 ３ 小括 上記のとおり、訂正事項１～訂正事項６に係る本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 第３ 本件訂正後の本件発明 本件訂正後の請求項１～６に係る発明（以下、それぞれ順に「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、下記のとおりのものである。 「【請求項１】（削除） 【請求項２】 基板上に存在する充填剤を含まずかつシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、 前記洗浄剤組成物は、 （Ａ）有機溶媒：７５～９９質量部と、 （Ｂ）水：０～５質量部と、 （Ｃ）アンモニウム塩：１～２０質量部と を含有し（但し、（Ａ）+（Ｂ）+（Ｃ）＝１００質量部である。）、 前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し、 前記アンモニウム塩が、フッ化物イオンを含有するアンモニウム塩を含み、 前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれることを特徴とする、洗浄剤組成物。 【請求項３】 前記アンモニウム塩が、テトラアルキルアンモニウム塩を含むことを特徴とする、請求項２に記載の洗浄剤組成物。 【請求項４】 前記有機溶媒の含有量は７５質量部以上９９質量部未満であり、前記水の含有量は０質量部を超え５質量部以下であり、前記アンモニウム塩の含有量は１～２０質量部であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の洗浄剤組成物。 【請求項５】 支持体と、該支持体上に形成された仮接着層と、該仮接着層に回路面を有する表面が対向するように積層された基板とを備える基板積層体から、前記支持体を剥離し、前記基板上に残存している前記仮接着層を、請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、基板の洗浄方法。 【請求項６】 支持体又は基板上に仮接着層を形成し、該仮接着層の一部を、請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含むことを特徴とする、支持体又は基板の洗浄方法。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１、３～６に係る特許に対して、当審が令和６年５月２９日付けで特許権者に通知した取消理由（以下「取消理由（決定の予告）」という。）の要旨は、次のとおりである。 取消理由１（進歩性）請求項１、３～６に係る発明は、本件特許出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記１、２の引用例に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである。 記（引用文献等については引用文献等一覧参照） ＜引用文献等一覧＞ １．引用例１：特開２０１５－７２１７号公報（本件特許公報の段落【０００６】に記載された【特許文献１】） ２．引用例２：特開２００４－９６９号公報（申立人椎名提出の甲第１号証） 第５ 当審の判断 １ 引用例の記載等について （１）引用例１の記載、引用発明 ア 引用例１には、以下の事項が記載されている。（下線は、合議体が付加した。以下、同じ。） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板表面の洗浄に用いられる洗浄剤組成物であって、 （Ａ）第四級アンモニウム塩：０．１～２．０質量％ （Ｂ）水：０．１～４．０質量％ （Ｃ）有機溶媒：９４．０～９９．８質量％ を含有してなるものであることを特徴とする基板の洗浄剤組成物。」 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、基板の洗浄組成物に関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、各種基板の微細化や高集積化が進んでおり、例えば半導体実装においては、３次元実装することにより、より一層の高密度、大容量化を実現している。３次元半導体実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、さらにこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）によって結線しながら多層積層していく半導体作製技術である。 【０００３】 これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を裏面研削によって薄型化し、さらに裏面にＴＳＶを含む電極等を形成する電極形成工程が必要である。 【０００４】 薄型化する際に、半導体回路を形成した基板をシリコン、ガラス等の支持基板に接着剤を介して接合することによって裏面研削工程、裏面電極形成工程等の加工に耐えうるシステムが提案されているが、該工程後に支持基板を簡便に剥離することが必要であり、支持基板剥離後、半導体回路を形成した基板表面に残存した接着剤を除去した後、最後に薄膜半導体基板表面の洗浄を行なう必要がある。 【０００５】 加工工程においては１５０℃以上の高温になることがあり、接着剤も耐熱性が求められる為シリコーン系接着剤が用いられるが、基板表面洗浄時に、接着剤を溶解する有機溶剤のみの洗浄では基板表面の水接触角が１００度以上となり、充分に接着剤を除去することが困難であり、後の製造工程において封止材の接着不良等の不具合が発生することが予想された。 【０００６】 その為、基板表面を腐食することなく残存した接着剤を短時間で充分に除去できる洗浄剤組成物が望まれているが、シリコーン成分に汚染された基板表面を短時間で充分に洗浄できる洗浄剤組成物は見出されていなかった（特許文献１）。」 イ 上記アから、引用例１には、以下の技術的事項が記載されているといえる。 半導体回路を形成した基板を支持基板にシリコーン系接着剤を介して接合し、加工工程後に、支持基板を剥離し、その後、半導体回路を形成した基板表面に残存したシリコーン系接着剤を除去した後、基板表面の洗浄を行なうこと（【０００４】）。 ウ 上記ア、イによれば、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１（１）」という。）が、記載されている。 「半導体回路を形成した基板を支持基板にシリコーン系接着剤を介して接合し、加工工程後に、支持基板を剥離し、その後、半導体回路を形成した基板表面に残存したシリコーン系接着剤を除去した後に、基板表面の洗浄に用いられる洗浄剤組成物であって、 （Ａ）第四級アンモニウム塩：０．１～２．０質量％ （Ｂ）水：０．１～４．０質量％ （Ｃ）有機溶媒：９４．０～９９．８質量％ を含有し、 基板表面を腐食することなく残存したシリコーン系接着剤を短時間で充分に除去できる、基板の洗浄剤組成物。」 エ また、上記ア、イによれば、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１（２）」という。）が、記載されている。 「半導体回路を形成した基板を支持基板にシリコーン系接着剤を介して接合し、加工工程後に、支持基板を剥離し、その後、半導体回路を形成した基板表面に残存したシリコーン系接着剤を除去した後、 （Ａ）第四級アンモニウム塩：０．１～２．０質量％ （Ｂ）水：０．１～４．０質量％ （Ｃ）有機溶媒：９４．０～９９．８質量％ を含有し、基板表面を腐食することなく残存したシリコーン系接着剤を短時間で充分に除去できる基板の洗浄剤組成物により、基板表面の洗浄を行なう、基板の洗浄方法。」 （２）引用例２の記載、引用例２に記載された技術的事項 ア 引用例２には、以下の事項が記載されている。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、マイクロエレクトロニクス製造において製品の再加工、回収，欠陥修理を行うために、電子コンポーネントの表面から、硬化シリコンポリマ付着物を除去する方法に関する。本発明は、特に、回収された半導体組立体部品の再利用および再使用のために、セラミックス，金属，硬化エポキシ樹脂，ポリイミドの表面から、硬化Ｓｙｌｇａｒｄ（Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐ．の登録商標）および関連するエラストメリックシリコーンを除去する新規かつ極めて有効な方法に関する。 【０００２】 本発明は、電子モジュール組立体において一般的に用いられる、硬化エラストメリックシリコーン接着材、特にＳｙｌｇａｒｄおよび関連するシリコーンポリマを除去する新規な方法を開示する。シリコーンポリマは、マイクロエレクトロニクス製造プロセスにおいて、シール材および接着材として、広く用いられている。例えば、ノンハーメチック・セラミックモジュール組立体における１つの主要な応用は、機械的ダメージ，湿度侵入，環境腐食に対する半導体デバイスの保護を与えるために、セラミックチップキャリアに保護金属キャップをＳｙｌｇａｒｄシールバンドで取り付けることを含んでいる。 ・・・ 【０００５】 Ｓｙｌｇａｒｄ製剤は、プライマレス有機シロキサンをベースとする２成分系であり、パートＡとして、ビニル基を有する（ＣＨ２＝ＣＨ－）シロキサン、代表的には、ビニル終端ポリ（ジメチルシロキサン）と、パートＢとして、ジヒドロ－ジメチルシロキサンとを、硬化触媒と、シリカおよび石英のような無機充てん剤と共に含んでいる。接着材組成物は、２種の成分を特定の比で混合することによって準備され、混合物は、コンポーネント接着部分に設ける前に、捕促した気泡を除去するために、脱気される。 ・・・ 【０００７】 化学式（Ｉ）は、反応成分としてのＳｙｌｇａｒｄと、硬化反応とを表している。前駆物質間の橋かけ反応が、熱加速され、特殊な応力吸収特性を有するフレキシブル／エラストメリック・マトリックスの硬化疎水性ポリマを生成する。エラストメリック・シリコーンのこれらの特性は、湿気侵入からの保護、および熱サイクルと他の信頼性応力試験を受けるときに、高応力状態下で異なる熱膨張係数（ＴＣＥ）を有する種々の材料間の接着材接合の保持を与えるのに特に有用である。 【０００８】 【化１】 ［図：0001423433000001.jpg］ 【０００９】 熱伝導および電気伝導性のシリコーンは、アルミナ，シリカ，窒化アルミニウムのような伝導充てん剤と、必要なときには電気伝導のための金属粉末またはカーボンブラックとを混合することにより得られる。代表的には、接着材は、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２／石英が充てんされた、ポリジメチルシロキサン／ジメチルビニル終端グリシドオキシプロピルトリメトキシシラン成分およびジメチルメチルハイドロジェンシロキサン成分と、硬化触媒とを含んでいる。チップをリードフレームに接着するためのメチルシリコーン樹脂およびフルオロシリコーン樹脂のような電気伝導アルキルシリコーンは、金属粉末、または金属被覆された無機あるいは有機ポリマ粒子を含むことができる。 【００１０】 電子組立製品においてＳｙｌｇａｒｄのような橋かけエラストメリックシリコーンを用いる際の主な問題は、硬化したポリマ材料を除去し、モジュール組立体の再加工，欠陥コンポーネントの修理，組立体部品の再利用およびリサイクルのために、残留物のない表面を得ることの困難性であった。硬化したシリコーンを除去する種々の既知の方法の中で、被覆の大部分を機械的にかき落とし、加圧スプレーを用いて媒質噴射および水洗浄を行うことは、労働強化につながり、表面損傷および不完全除去のさらなる問題を生じる。不完全な除去は、有機溶剤による追加の洗浄作業を必ず必要とし、洗浄作業ではまた、シリコーンのない表面が得られない。さらに他の問題は、上記方法は、平坦な面の残留物のみの除去に限られることである。」 「【００４０】 本発明は、一般的に、マイクロエレクトロニク組立てプロセスにおいて、再加工についての効果的およびより実行可能なオプションを与えるために、電子モジュールのセラミックおよび金属表面から、Ｓｙｌｇａｒｄ接着材および関連する硬化シリコーンポリマ付着物を除去する改善された方法に関する。これらのプロセスは、診断試験，製品欠陥の修理，高価な保護キャップおよび高密度セラミック電子モジュールの回収を含み、これにより製品コストの低減および廃棄物の最小化を与える。これらのプロセスは、また、製品の信頼できる機能的性能を保証する。本発明は、特に、シングルチップ・モジュール（ＳＣＭ）およびマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）を含むセラミック電子モジュールから、および機械的損傷，湿気侵入，環境への暴露による腐食に対する保護のために、基板に金属キャップを取り付けるために用いられるノンハーメチック電子パッケージのシールバンド領域から、硬化Ｓｙｌｇａｒｄ残留物を除去することに関する。」 「【００５８】 図９は、気密封止されていないはんだ接合１３で取り付けられたシングルチップ１２を有するセラミックチップキャリアまたは基板１１を有する典型的なシングルチップ・モジュール（ＳＣＭ）１０を示す。熱放散または冷却のために、チップ１２の裏面に、サーマル・コンパウンド１５が設けられる。金属キャップ１６は、サーマル・コンパウンド１５に接触し、デバイス保護のために用いられ、周辺部のシリコーンポリマ接着材シールバンド１７によって、基板１１に接合される。 【００５９】 図１０は、３１で示される、典型的なマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）を示す。このモジュールでは、セラミックチップキャリア基板３２が、はんだ接合３４によって、複数のチップ３３に接続されており、はんだ接合は、エポキシ気密封止材３５によって覆われていない。サーマルペーストまたはコンパウンド３６は、冷却または熱放散のために、シリコンチップ３３の裏面に設けられている。保護キャップ３７は、シリコーンポリマ接着材３８によって、チップキャリア３２に取り付けられて示されている。 【００６０】 以下の例は、図１１および図１２に従うシリコーン接着材除去プロセスを実施する方法を表している。 【００６１】 図１１は、ＳＣＭまたはＭＣＭモジュール組立体から取りはずされた後に、保護金属キャップまたはハット、およびセラミックチップキャリア上の硬化したＳｙｌｇａｒｄ付着残留物を除去する第１の例を説明する。疎水非プロトン性溶剤、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）中にテトラブチルフッ化アンモニウム（ＴＢＡＦ）を含む溶液を、ステンレス鋼ビーカ内で１リットルの溶剤に１２ｇのＴＢＡＦ水和物（ＴＢＡＦ３Ｈ２Ｏ）を溶解することによって準備し、溶液を、例えば棒磁石を用いて撹拌しながら、約４５℃～約６０℃、代表的には約５０℃～５５℃の温度に加熱する。 【００６２】 取りはずされた金属キャップおよび／またはセラミックチップキャリア（付着サーマル・コンパウンドはすでに除去されており、シールドバンド領域にＳｙｌｇａｒｄ付着物のみを有している）を、絶えず撹拌される溶液に、１５分～３５分浸漬する。この間、シリコーン残留物は、本質的に溶解し、コンポーネントの表面のいくつかの領域に、Ｓｙｌｇａｒｄ組成物の無機充てん剤成分の痕跡を残して、ほとんど除去される。次に部品を、工程１において溶液を作るために用いた溶剤と同じ溶剤を好ましくは含む第２の浴に工程２で移す。その溶液は、また、絶えず撹拌されて、約４０℃～５５℃の温度に予熱される。」 イ 上記アから、引用例２には、次の技術的事項が記載されているといえる。 （ア）「セラミックチップキャリア上の硬化したＳｙｌｇａｒｄ付着残留物を除去」の第１の例は、「シングルチップ・モジュール（ＳＣＭ）またはマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）モジュール組立体から、金属キャップおよび／またはセラミックチップキャリアを取りはずした後に、保護金属キャップまたはハット、およびセラミックチップキャリア上の硬化したＳｙｌｇａｒｄ付着残留物を除去」するものであり、当該例において、「疎水非プロトン性溶剤、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）中にテトラブチルフッ化アンモニウム（ＴＢＡＦ）を含む溶液を、ステンレス鋼ビーカ内で１リットルの溶剤に１２ｇのＴＢＡＦ水和物（ＴＢＡＦ３Ｈ２Ｏ）を溶解することによって準備」すること（段落【００６０】～【００６２】）。 （イ）Ｓｙｌｇａｒｄ製剤は、プライマレス有機シロキサンをベースとし、無機充てん剤を含む、橋かけエラストメリックシリコーン接着材であること（段落【０００２】、【０００５】、【０００７】、【０００８】、【００１０】）。 ウ 上記イによれば、引用例２には、以下の技術的事項（以下「引用例２技術的事項（１）」という。）が記載されている。 「セラミックチップキャリア上の無機充てん剤を含むシリコーン接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）１リットルに１２ｇのＴＢＡＦ水和物（ＴＢＡＦ３Ｈ２Ｏ）を溶解することによって用意した、洗浄剤組成物。」 エ また、上記イによれば、引用例２には、以下の技術的事項（以下「引用例２技術的事項（２）」という。）が記載されている。 「セラミックチップキャリア上に保護金属キャップがシリコーン接着材によって接合されてなるシングルチップ・モジュール（ＳＣＭ）またはマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）から、金属キャップおよび／またはセラミックチップキャリアを取りはずした後に、セラミックチップキャリア上の無機充てん剤を含むシリコーン接着材を、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）１リットルに１２ｇのＴＢＡＦ水和物（ＴＢＡＦ３Ｈ２Ｏ）を溶解することによって用意した洗浄剤組成物により洗浄して除去する工程を含む、セラミックチップキャリアの洗浄方法。」 ２ 本件発明３について （１）対比 本件発明３と引用発明１（１）とを対比する。 ア 引用発明１（１）の「洗浄剤組成物」は、「半導体回路を形成した基板を支持基板にシリコーン系接着剤を介して接合し、加工工程後に、支持基板を剥離し、その後、半導体回路を形成した基板表面に残存したシリコーン系接着剤を除去した後に、基板表面の洗浄に用いられる洗浄剤組成物」であって、「基板表面を腐食することなく残存したシリコーン系接着剤を短時間で充分に除去できる、基板の洗浄剤組成物」であるところ、引用発明１（１）において、「シリコーン系接着剤」は、「充分に除去できる」ものである（すなわち、最終的に残存するものではない）といえるから、シリコーン系の仮接着剤であるといえる。 したがって、引用発明１（１）の「シリコーン系接着剤」は、本件発明３の「シリコーン化合物を含有する仮接着材」に相当する。 よって、本件発明３と引用発明１（１）とは、「基板上に存在するシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物」である点で共通する。 イ 引用発明１（１）の「（Ｃ）有機溶媒」、「（Ｂ）水」、「（Ａ）第四級アンモニウム塩」は、それぞれ本件発明３の「（Ａ）有機溶媒」、「（Ｂ）水」、「（Ｃ）アンモニウム塩」に相当する。 ＜一致点＞ 「基板上に存在するシリコーン化合物を含有する仮接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、 前記洗浄剤組成物は、 （Ａ）有機溶媒と、 （Ｂ）水と、 （Ｃ）アンモニウム塩と を含有する、洗浄剤組成物。」 ＜相違点１＞ 「仮接着材」について、本件発明３は、「充填剤を含ま」ないのに対し、引用発明１（１）の「シリコーン系接着剤」は、その点について不明である点。 ＜相違点２＞ 本件発明３は、「（Ａ）有機溶媒：７５～９９質量部と、（Ｂ）水：０～５質量部と、（Ｃ）アンモニウム塩：１～２０質量部とを含有し（但し、（Ａ）+（Ｂ）+（Ｃ）＝１００質量部である。）」のに対し、引用発明１（１）は、「（Ａ）第四級アンモニウム塩：０．１～２．０質量％（Ｂ）水：０．１～４．０質量％（Ｃ）有機溶媒：９４．０～９９．８質量％を含有」するものである点。 ＜相違点３＞ 「有機溶媒」について、本件発明３では、「前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し」、「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」のに対し、引用発明１（１）では、「有機溶媒」について、そのような特定はなされていない点。 ＜相違点４＞ 「アンモニウム塩」について、本件発明３では、「フッ化物イオンを含有するアンモニウム塩を含」むのに対し、引用発明１（１）では、「第四級アンモニウム塩」について、そのような特定はなされていない点。 （２）判断 ア 相違点３について 事案に鑑み、まず、相違点３について検討する。 上記１（２）ウのとおり、引用例２には、「セラミックチップキャリア上の無機充てん剤を含むシリコーン接着材を除去するために用いられる洗浄剤組成物であって、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）１リットルに１２ｇのＴＢＡＦ水和物（ＴＢＡＦ３Ｈ２Ｏ）を溶解することによって用意した洗浄剤組成物。」との引用例２技術的事項（１）が記載されており、「プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）またはプロピレングリコールメチルエーテルプロピオナート（Ｍｅｔｈｏｔａｔｅ）」が、有機溶媒であることは明らかであるところ、引用例２には、洗浄剤組成物が含有する有機溶媒が、「前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し」、「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」ことは記載も示唆もされていない。 したがって、引用発明１（１）において、引用例２に記載された技術的事項に基づいて、「有機溶媒」として、「ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」ものを採用することは、当業者が容易になし得たとはいえない。 よって、引用発明１（１）において、引用例２に記載された技術的事項に基づいて、相違点３に係る本件発明３の構成を採用することは当業者が容易になし得たとはいえない。 イ 本件発明３についてのまとめ したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明３は、引用発明１（１）及び引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ３ 本件発明４について 本件発明４は、請求項２又は３の記載を引用するものであるところ、本件訂正前の請求項２に係る特許に対しては、取消理由（決定の予告）は通知されていないので、以下においては、請求項３の記載を引用する本件発明４～６について検討する。 請求項３の記載を引用する本件発明４～６は、本件発明３について、上記２において検討したのと同様の理由により、引用発明１（１）及び引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ４ 本件発明５、６について （１） 本件発明５、６は、請求項２又は３の記載を直接的又は間接的に引用するものであるところ、本件訂正前の請求項２に係る特許に対しては、取消理由（決定の予告）は通知されていないので、以下においては、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する本件発明５、６について検討する。 （２）本件発明５について 本件発明５と引用発明１（２）とを対比すると、両者は少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点５＞ 「有機溶媒」について、本件発明５が引用する「請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物」では、「前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し」、「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」のに対し、引用発明１（２）では、「有機溶媒」について、そのような特定はなされていない点。 相違点５について検討すると、相違点５は上記２（１）の相違点３と同様な相違点であるから、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する本件発明５は、本件発明３について、上記２（２）において検討したのと同様の理由により、引用発明１（２）及び引用例２に記載された技術的事項（引用例２技術的事項（２））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 （３）本件発明６について 本件発明６と引用発明１（２）とを対比すると、両者は少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点６＞ 「有機溶媒」について、本件発明６が引用する「請求項２～４のいずれか１項に記載の洗浄剤組成物」では、「前記有機溶媒は、水酸基を有する有機溶媒を含有せず、前記有機溶媒１００質量部中に、ヘテロ原子を有する有機溶媒を５０質量部以上含有し」、「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」のに対し、引用発明１（２）では、「有機溶媒」について、そのような特定はなされていない点。 相違点６について検討すると、相違点６は上記２（１）の相違点３と同様な相違点であるから、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する本件発明６は、本件発明３について、上記２（２）において検討したのと同様の理由により、引用発明１（２）及び引用例２に記載された技術的事項（引用例２技術的事項（２））に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 ５ 小括 以上のとおり、本件発明３～６は、引用発明１（１）又は引用発明１（２）及び引用例２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 第６ 取消理由通知書（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立人東條による申立理由 （１）申立人東條は、証拠として、甲第１号証～甲第８号証を提出すると共に、申立人東條提出の特許異議申立書５０～６４ページ等において、請求項１、３～６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当するか、又は甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３～６に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定の規定に違反してなされたものであり、特許を受けることができないものである旨を主張し、また、請求項１～６に係る発明は、甲第６号証及び甲第７号証に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、特許を受けることができない旨を主張する。 記 １．甲第１号証：米国特許出願公開第２０１７／０１５８８８８号明細書 ２．甲第６号証：国際公開第２０２０／０８００６０号（特願２０１８－１９５４３１号に基づく優先権を主張する国際出願（ＰＣＴ／ＪＰ２０１９／０３７９９３号）の国際公開：国際公開：２０２０年４月２３日、国際出願日：２０１９年９月２６日、優先日：２０１８年１０月１６日） ３．甲第７号証：国際出願（ＰＣＴ／ＪＰ２０１９／０３７９９３号）について、特願２０１８－１９５４３１（出願日：２０１８年１０月１６日）に基づくことを証明する優先権証明書 なお、上記第２のとおり、本件訂正前の請求項１は本件訂正により削除され、訂正することを認めるから、以下では、本件発明１については、判断しない。 （２）ア 甲第１号証には、本件発明３が引用する請求項２に記載された「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」との構成について、記載も示唆もされていない。 したがって、本件発明３～６は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当するとはいえず、又は、甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないから、請求項３～６に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定の規定に違反してなされたものではない。 イ 甲第６号証及び甲第７号証には、本件発明２の「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」との構成について、記載も示唆もされていない。 したがって、本件発明２～６は、甲第６号証及び甲第７号証に記載された発明と同一であり、しかも、本件出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一であるともいえないので、請求項２～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものではない。 ウ よって、申立人東條の上記主張は、採用することができない。 ２ 申立人椎名による申立理由 （１）申立人椎名は、証拠として、下記の甲第１号証及び甲第２号証を提出すると共に、申立人椎名提出の特許異議申立書９～３６ページ等において、請求項１～４、６に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当するものであり、また、請求項１、３～６に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当するものであり、また、請求項５に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定の規定に違反してなされたものであり、特許を受けることができないものである旨を主張する。 記 １．甲第１号証：特開２００４－９６９号公報 ２．甲第２号証：米国特許出願公開第２０１８／０２６５８１９号明細書 （２）甲第１号証及び甲第２号証には、本件発明２の「前記ヘテロ原子を有する有機溶媒が、ジメチルスルホキシド及びシクロペンタノンからなる群から選ばれる」との構成について、記載も示唆もされていない。 したがって、本件発明２～６は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当するとはいえず、又は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないから、請求項２～６に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定の規定に違反してなされたものではない。 よって、申立人椎名の上記主張は、採用することができない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項２～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項２～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、本件訂正前の請求項１は、上記のとおり削除された。これにより、本件特許の請求項１に係る特許についての特許異議の申立ては、その対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。