2022-701213

特許第７０８３９２３号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７０８３９２３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 特許第７０８３９２３号の請求項１、２、４、５に係る特許を維持する。 特許第７０８３９２３号の請求項３、６に係る特許についての特許異議の申立を却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７０８３９２３号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、２０２０年（令和２年）１月２３日（優先権主張 平成３１年１月２４日（以下、「本件特許出願の優先日」という。））を国際出願日とする出願であって、令和４年６月３日にその特許権の設定登録がされ、同年同月１３日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和４年１２月 ６日：特許異議申立人 関 豊美子（以下、「申立人」という。）による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て 令和５年 ３月 １日付け：取消理由通知 同年 ５月 １日：特許権者による意見書、訂正請求書の提出 同年 ６月１２日：申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和５年５月１日に提出された訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に「前記試料保持面に平行な方向にずれて位置していることを特徴とする静電チャック。」と記載されているのを、「前記試料保持面に平行な方向にずれて位置しており、前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されており、前記凹部は壁面を有し、該壁面に耐プラズマ性部材が位置していることを特徴とする静電チャック。」と訂正する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項３に記載の」と記載されているのを、「請求項１または２に記載の」と訂正する。 （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項３または４に記載の」と記載されているのを、「請求項１、２、４のいずれか１項に記載の」と訂正する。 なお、本件訂正は、一群の請求項〔１～６〕に対して請求されたものである。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１の「基体」について、「前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されており」との事項（訂正前の請求項３に特定された事項）を限定し、さらに、前記「凹部」について、「前記凹部は壁面を有し、該壁面に耐プラズマ性部材が位置している」との事項（訂正前の請求項６に特定された事項）を限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２、３について 訂正事項２、３による訂正は、請求項３、６を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項４ 訂正事項４による訂正は、訂正事項１による訂正により訂正前の請求項１に、訂正前の請求項３、６に特定された事項を限定するとともに、訂正事項２による訂正により、請求項３を削除したことに伴い、請求項４の引用請求項を請求項３から、請求項１または２にする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮又は同第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項５ 訂正事項４による訂正は、訂正事項１による訂正により訂正前の請求項１に、訂正前の請求項３、６に特定された事項を限定するとともに、訂正事項２による訂正により、請求項３を削除したことに伴い、請求項５の引用請求項を請求項３または４から、請求項１、２、４のいずれか１項にする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮又は同第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は同第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明６」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 一方の主面が試料保持面である板状の基体と、 該基体の内部に位置する静電吸着用の電極と、 前記基体の他方の主面に位置する接合材と、 該接合材により前記基体の他方の主面に接合された支持体と、 前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔と、 該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔と、 該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された多孔質部材と、を備えており、 前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大きく、 前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置しており、 前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されており、 前記凹部は壁面を有し、該壁面に耐プラズマ性部材が位置していることを特徴とする静電チャック。 【請求項２】 前記第２貫通孔の内部に位置し、前記多孔質部材を囲む筒状部材をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】（削除） 【請求項４】 前記多孔質部材は、前記基体よりも熱伝導率が高い接着材によって、前記凹部に固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。 【請求項５】 前記凹部と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置していることを特徴とする請求項１、２、４のいずれか１項に記載の静電チャック。 【請求項６】（削除）」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由 訂正前の請求項１～６に係る特許に対して、当審が令和５年３月１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。なお、申立人が提出した甲第１号証～甲第７号証を、以下、「甲１」～「甲７」という。 １ 取消理由１（進歩性） 本件請求項１～５に係る発明は、甲２に記載された発明、甲４、甲６に記載された事項、周知技術（甲４、甲５）及び慣用技術に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ２ 取消理由２（拡大先願） 本件請求項１、３、５に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に特許掲載公報の発行がされた甲３の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、本件請求項１、３、５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。 甲２：韓国公開特許第１０－２０１０－００４４６６２号公報 甲３：特許第６４８９２７７号公報 甲４：国際公開第２０１７／２１３７１４号 甲５：国際公開第２０１８／１５６５５６号 甲６：特開２００５－３３１８１号公報 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由 取消理由通知において採用しなかった、申立人が主張する特許異議申立理由は、以下のとおりである。 １ 甲１を主引用例とした申立理由 （１）申立理由１－１（新規性） 本件請求項１～３、５に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件請求項１～３、５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由１－２（進歩性） 本件請求項１～６に係る発明は、甲１に記載された発明、甲４及び甲６に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 甲１：特開２００９－１５８９１７号公報 ２ 甲２を主引用例とした申立理由 （１）申立理由２－１（新規性） 本件請求項１～３、５に係る発明は、甲２に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件請求項１～３、５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２－２（進歩性） 本件請求項６に係る発明は、甲２に記載された発明及び甲１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 なお、本件訂正により請求項３、６は削除されたから、以下では、本件発明３、６については判断しない。 第６ 甲２を主引用例とした申立理由２－１（新規性）、取消理由１（進歩性）について １ 甲号証の記載及び甲号証に記載された発明 （１）甲２（韓国公開特許第１０－２０１０－００４４６６２号公報） ア 甲２には、以下の記載がある。なお、甲２の記載は、当審の訳文で示す（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。 「[0003] 従来サセプタは、基板を支持する静電チャックと、静電チャックの下部に設けられる導電性ボディと、導電性ボディをプラズマ処理チャンバと相互絶縁する絶縁層の３層で備えられている。そしてサセプタアセンブリは３層を貫通してＨｅガス供給のための複数のポートが貫通形成される。 ・・・ [0006] このように流入した高周波とプラズマはサセプタを貫通して形成されたポートとその周辺でアーキング（異常放電）を起こす余地があった。 [0007] 特に、被処理基板のサイズが大面積化され、プラズマ処理密度の向上のためにプラズマ処理チャンバに印加される高周波値が高くなるにつれて、複数の層間界面とポート周辺でアークが発生する確率はさらに高くなる。 [0008] アーキングが発生するとプラズマに影響を与え、プラズマ処理工程に影響を及ぼし、アーキングが発生したポートを損傷させ、静電チャックに被処理基板が安定的に吸着できないなどの多くの問題を発生させる。 [0009] また、アーキングが発生するとサセプタを構成する絶縁層に損傷が発生し、絶縁層全体を交換しなければならなかった。 [0010] 本発明の目的は、サセプタをなす複数の層の界面等に高周波が流入し、Ｈｅガス供給部領域でアーキングが発生する余地を最小化できるサセプタアセンブリを提供することである。」 「[0023] 図１は、本発明によるサセプタアセンブリ（１０）の構成を概略的に示す概略図である。 [0024] 図示のように、本発明によるサセプタアセンブリ（１０）は、静電チャック（１１０）、ボディ（１３０）、絶縁層（１５０）の３層から構成されるサセプタ（１００）と、サセプタ（１００）上に設けられ、被処理基板の支持のためにサセプタ上を昇降するリフトピン（図示せず）を収容するリフトピン部（２００）と、直流電極（図示せず）を収容する直流電極部（３００）と、基板を冷却するＨｅガスを静電チャック（１１０）に供給するＨｅガス供給部（４００）とを含む。 [0025] サセプタ（１００）は、プラズマ処理プロセス中に基板を安定して支持する。静電チャック（１１０）はサセプタ（１００）の上部に設けられ、基板を吸着して固定するための静電気力を発生させる。静電チャック（１１０）はセラミックプレートとして設けることができ、静電チャック（１１０）の上部領域は誘電体として機能する。静電チャック（１１０）には、ガスシャワーヘッドで構成される上部電極（図示せず）と対をなしてプラズマを生成する下部電極（１１１）が設けられている。上部電極と下部電極は高周波源（図示せず）に電気的に接続され、プラズマ発生のための起電力をプラズマ処理室内に供給してプラズマを発生させる。プラズマが発生すると、基板はプラズマによって自己バイアスされ、静電チャック（１１０）は直流電極（３２０）によってバイアスされる。したがって、静電チャック（１１０）と被処理基板との間の電位差によって反対に極性化された電荷が被処理基板の裏面に蓄積され、蓄積された電荷は被処理基板が静電チャックに密着するようにする吸着力を提供する。 [0026] 静電チャック（１１０）には、処理後基板を冷却するためのＨｅガス流路（１１３）は、後述するＨｅガス供給部（４００）から供給されたＨｅガスが流動して基板を冷却させることができるように静電チャック（１１０）全領域にわたって均等に設けられる。Ｈｅガス流路（１１３）は、静電チャック（１１０）の中心領域と周辺領域とに分けて配置することができる。また、静電チャック（１１０）には基板を加熱するためのヒータを設けることができる。 [0027] ボディ（１３０）は静電チャック（１１０）の下部に設けられ、静電チャック（１１０）を支持する。ボディ（１３０）は導電性材料で設けられ、通常アルミニウム材料で設けられてもよい。ボディ（１３０）には、基板を冷却するための冷却水が流れる冷却流路（図示せず）が形成される。 [0028] ここで、ボディ（１３０）と静電チャック（１１０）とはボンディングによって相互結合することができる。 ・・・ [0032] 本発明に係るＨｅガス供給部（４００）は、Ｈｅガスが流動するＨｅガス供給ポート（４１０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ、Ｈｅガス流路（１１３）にＨｅガスを供給するＨｅガス供給バッフル（４２０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の境界領域に設けられ、ボディ（１３０）とＨｅガス供給ポート（４１０）とを相互絶縁する絶縁体（４３０）とを含む。Ｈｅガス供給ポート（４１０）はサセプタ（１００）を貫通して形成され、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給ポート（４１０）と接続される。ここで、Ｈｅガス供給部（４００）は、Ｈｅガスを供給するＨｅガス供給ポートとＨｅガスを排出するＨｅガス排出ポートとを備えている。 [0033] Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ、Ｈｅガス流路（１１３）にＨｅガスを供給する。Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、Ｈｅガスが流れる複数のガス供給孔（４２３）が形成された多孔質構造で設けられる。Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、ガス供給孔（４２３）の個数や直径等を介してＨｅガスをプラズマ処理室（図示せず）に供給する圧力を調整することができる。また、ガス供給孔（４２３）の直径を調整してプラズマ処理室（図示せず）内に発生したプラズマがＨｅガス供給ポート（４１０）に逆行することを防止し、プラズマが流入してもＨｅガス供給ポート（４１０）内にアーキングが発生できない量が流入するように調整する。 [0034] ここで、Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、ガス供給孔（４２３）が互いに平行に配置された直線状に設けられてもよく、相互ジグザグ状に設けられてもよい。また、Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、１つを用いてもよいし、複数個を互いに積層して設けてもよい。複数の相互に積層された場合、複数のＨｅガス供給バッフル（４２０）のガス供給孔（４２３）が直線上に設けられてもよいし、互いにずれて設けられてもよい。 [0035] また、複数のＨｅガス供給バッフル（４２０）の間に離間空間が存在してもよい。 [0036] 絶縁体（４３０）は、図２に示すように導電性材料からなるボディ（１３０）と、導電性を有するＨｅガスとを相互絶縁させる。絶縁体（４３０）は、図示のように下部境界面（ａ）から絶縁層（１５０）に所定長さ（ｌ）延長形成される。したがって、下部境界面ａに流入した高周波がＨｅガス供給ポート（４１０）に移動する経路が延びるので、高周波がＨｅガス供給ポート（４１０）に流入する量を最小化することができる。したがって、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の周辺でのアーキング発生を最小限に抑えることができる。 ・・・ [0050] また、Ｈｅガス排出口側に多孔性ガス供給バッフルを備え、プラズマ処理チャンバ内部のプラズマがＨｅガス供給ポートに逆行することを防止することができる。」 「図１ ［図：0001403666000001.jpg］ 図２ ［図：0001403666000002.jpg］ 」 イ 甲２に記載された発明 （ア）上記アの[0024]には、サセプタ（１００）は、静電チャック（１１０）、ボディ（１３０）、絶縁層（１５０）の３層から構成されることが記載されている。 （イ）同[0025]には、静電チャック（１１０）はセラミックプレートとして設けることができること、及び、静電チャック（１１０）は、直流電極（３２０）によってバイアスされることにより、静電チャック（１１０）と被処理基板との間の電位差によって反対に極性化された電荷が被処理基板の裏面に蓄積され、蓄積された電荷は被処理基板が静電チャックに密着するようにする吸着力を提供することが記載されている。 （ウ）同[0026]には、静電チャック（１１０）には、処理後基板を冷却するためのＨｅガス流路（１１３）は、Ｈｅガス供給部（４００）から供給されたＨｅガスが流動して基板を冷却させることができるように静電チャック（１１０）全領域にわたって均等に設けられることが記載されている。 （エ）同[0028]には、ボディ（１３０）と静電チャック（１１０）とはボンディングによって相互結合することができることが記載されている。 （オ）同[0032]には、Ｈｅガス供給部（４００）は、Ｈｅガスが流動するＨｅガス供給ポート（４１０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ、Ｈｅガス流路（１１３）にＨｅガスを供給するＨｅガス供給バッフル（４２０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の境界領域に設けられ、ボディ（１３０）とＨｅガス供給ポート（４１０）とを相互絶縁する絶縁体（４３０）とを含み、Ｈｅガス供給ポート（４１０）はサセプタ（１００）を貫通して形成され、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給ポート（４１０）と接続されることが記載されている。 ここで、上記アの図１及び図２から、Ｈｅガス供給ポート（４１０）は、サセプタ（１００）のうち、ボディ（１３０）及び絶縁層（１５０）を貫通していること、及び、Ｈｅガス供給ポート（４１０）は、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給路（１１３）に接続されることが見て取れるから、上記「Ｈｅガス供給ポート（４１０）はサセプタ（１００）を貫通して形成され」は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）はボディ（１３０）及び絶縁層（１５０）を貫通して形成され」の誤記であり、上記「静電チャック（１１０）のＨｅガス供給ポート（４１０）と接続される」は、「静電チャック（１１０）のＨｅガス供給路（１１３）と接続される」といえる。 （カ）同[0033]には、Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、Ｈｅガスが流れる複数のガス供給孔（４２３）が形成された多孔質構造で設けられることが記載されている。 （キ）上記アの図２から、直流電極（３２０）は、静電チャック（１１０）の内部に設けられること、Ｈｅガス供給ポート（４１０）のうち静電チャック（１１０）に臨む開口の幅は、Ｈｅガス流路（１１３）の幅よりも大きいこと、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の開口と直流電極（３２０）とは、静電チャック（１１０）の一方の主面に平行な方向にずれて位置していること、静電チャック（１１０）の他方の主面は凹部を有すること、当該凹部にＨｅガス供給バッフル（４２０）がはめ込まれていること、及び、静電チャック（１１０）の凹部と直流電極（３２０）とは、静電チャック（１１０）の一方の主面に平行な方向にずれて位置していることが見て取れる。 （ク）上記（ア）～（キ）によれば、甲２には、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 「静電チャック（１１０）、ボディ（１３０）、絶縁層（１５０）の３層から構成されるサセプタ（１００）であって、 静電チャック（１１０）はセラミックプレートとして設けることができ、 静電チャック（１１０）は、直流電極（３２０）によってバイアスされることにより、静電チャック（１１０）と被処理基板との間の電位差によって反対に極性化された電荷が被処理基板の裏面に蓄積され、蓄積された電荷は被処理基板が静電チャックに密着するようにする吸着力を提供し、 静電チャック（１１０）には、処理後基板を冷却するためのＨｅガス流路（１１３）は、Ｈｅガス供給部（４００）から供給されたＨｅガスが流動して基板を冷却させることができるように静電チャック（１１０）全領域にわたって均等に設けられ、 ボディ（１３０）と静電チャック（１１０）とはボンディングによって相互結合することができ、 Ｈｅガス供給部（４００）は、Ｈｅガスが流動するＨｅガス供給ポート（４１０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ、Ｈｅガス流路（１１３）にＨｅガスを供給するＨｅガス供給バッフル（４２０）と、Ｈｅガス供給ポート（４１０）の境界領域に設けられ、ボディ（１３０）とＨｅガス供給ポート（４１０）とを相互絶縁する絶縁体（４３０）とを含み、 Ｈｅガス供給ポート（４１０）はボディ（１３０）及び絶縁層（１５０）を貫通して形成され、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給路（１１３）と接続され、 Ｈｅガス供給バッフル（４２０）は、Ｈｅガスが流れる複数のガス供給孔（４２３）が形成された多孔質構造で設けられ、 直流電極（３２０）は、静電チャック（１１０）の内部に設けられ、 Ｈｅガス供給ポート（４１０）のうち静電チャック（１１０）に臨む開口の幅は、Ｈｅガス流路（１１３）の幅よりも大きく、 Ｈｅガス供給ポート（４１０）の開口と直流電極（３２０）とは、静電チャック（１１０）の一方の主面に平行な方向にずれて位置しており、 静電チャック（１１０）の他方の主面は第１の凹部を有し、第１の凹部にＨｅガス供給バッフル（４２０）がはめ込まれ、 静電チャック（１１０）の第１の凹部と直流電極（３２０）とは、静電チャック（１１０）の一方の主面に平行な方向にずれて位置しており、 絶縁体（４３０）の上面は第２の凹部を有し、第２の凹部にＨｅガス供給バッフル（４２０）がはめ込まれている、サセプタ（１００）。」 （２）甲４（国際公開第２０１７／２１３７１４号） 甲４には、以下の記載がある。なお、甲４の記載は、当審の訳文で示す。 「発明の属する技術分野 [0002] 本明細書は、半導体およびマイクロメカニカルプロセス用のワークを搬送する静電チャックに関し、特にチャックに設けられた内部多孔質貫通孔に関するものである。」 「背景 ・・・ [0006] ＨＡＲ（高アスペクト比）プラズマエッチングは、曲げのないプロファイルを達成するために著しく高いバイアス電力を使用する。誘電体エッチングのためのＨＡＲをサポートするために、電力は、２０ＫＷに増加させることができる。これは、ＥＳＣ（静電チャック）に大きな影響を与える。・・・」 「詳細な説明 ・・・ [0021] 図３は、図２のトッププレート208及びパック206を示すＥＳＣの部分断面側面図である。トッププレートは、シリコンウェハ等のワークピース202を搭載するように構成されている。ワークピースは、この例では、トッププレートに設けられた電極210によって発生する静電気力によって保持される。トッププレートは、例えば窒化アルミニウムなどのセラミックのような誘電体材料で形成され、例えば接着剤を用いてベースプレート220に取り付けられる。ベース又は冷却プレートは、トッププレートを支持するために、アルミニウムなどの任意の適切な材料で形成されてもよい。ベースプレートは、パック及びパックに取り付けられて運ばれるウェーハ202を支持するための冷却チャネル230、配線層、パイプ、チューブ、及び他の構造（図示せず）を含んでもよい。 ・・・ [0023] ガス孔213は、トッププレート208、ベースプレート220、断熱板222、グラウンドプレート224及び支持板226を貫通して延び、ガスを加圧供給するガスライン232に接続される。ガスは、タンク及びポンプなどの調整された冷却ガス源236又は他の種類の源によってガスラインに供給される。上述したように、冷却ガスは、ヘリウム、窒素、または高い熱伝導率を有する他の任意の適切な不活性ガスであってよい。ガス穴は、中央であれ周辺であれ、いずれも同じまたは類似の外観を有してよく、図示された穴はいずれかのタイプを表している。 [0024] 図４は、ベースプレート222または冷却プレートとトッププレート208のガス孔213を示す拡大部分断面側面図である。誘電体パック208は、接着剤252を用いて導電性冷却プレート220に接着されている。ベースプレートは、接着剤との間の上面に誘電体コーティングを有する。これにより、ベースプレートとトッププレートとの間のあらゆるアーク放電を低減することができる。パックは、プラズマ処理および他のプロセスの間、ウェーハのようなワークピース（図示せず）を支持する。いくつかの実施形態において、冷却プレートは、パックと冷却プレートとの間の電位を低下させるために直流電圧が印加されている。冷却プレートの中央部には、冷却プレートの下方から冷却ガスが冷却プレート内のガスチャネル240に供給される孔233を通って延びるガスライン232用の継手が設けられている。ガスチャネルは、チャネルを覆って取り付けられる固体カバー260によって覆われている。カバーは、所定の位置に電子ビーム溶接される冷却プレートと同様にアルミニウムであってもよい。チャネルは、冷却チャネル内の第1の多孔質プラグ242にガスを供給するカバー260を貫通する孔258に開口している。冷却チャネル内の多孔質プラグは、ガスをパック内の第2の多孔質プラグ246に導きます。バック内の多孔質プラグは、加圧されたガスを、パックの上部を貫通してウェーハ裏面に向かって中央孔250に結合させる。より多くの冷却ガス孔がある場合、チャネルは、対応する多孔質プラグにガスを通すために、カバーの対応する孔を有するそれらの孔に延びることができる。 ・・・ [0029] トッププレートの多孔質プラグは、ガスをガス孔213に導くためのテーパー形状を有している。トッププレートプラグ246の基部248は、冷却プレートのプラグ242の上部と比較して幅が狭いか、ほぼ同じ大きさである。トッププレートプラグの上部244は基部より狭く、ガスをガス孔213につながるトッププレートの上部を通る上部中央孔250に案内する。ガス孔は、ワークピースとトッププレートとの間の熱伝導を促進するために、ワークピースの背面側に近接して配置される。プラグ246は、段差の後により狭い直径を有する段差形状を有するものとして示されているが、プラグは、複数の段差、狭まる円錐形の直径、または組み合わせもしくは異なるテーパー効果を有することができる。 [0030] 図示のように、冷却プレート開口部減少プラグ242は、より大きなチャネル240の中に配置される。これらは共に円筒形として示されているが、所望のガス流及びガス流の方向と伝播に応じて、任意の所望の形状をとることができる。プラグは、チャネルの直径の約半分であり、トッププレートに最も近いチャネルの上面に対して配置される。プラグは、適切な接着剤でチャネルの壁に取り付けてもよい。プラグ242の上のチャネル240には、ガスが冷却プレートプラグからトッププレートプラグ246に流れることを可能にするための開口部254がある。この開口部は、図示のようにトッププレートプラグと同じ大きさであってもよいし、より小さくてもよい。 ・・・ [0032] 図５は、冷却プレート内の代替的な流れ及び空間制限開口部減少プラグを有するベースプレート222及びトッププレート208のガス孔213の拡大部分断面側面図である。冷却プレートの図4の底部多孔質プラグ242は、アルミナ、ＡｌＮまたはプラスチックなどの任意の誘電体インサートで置き換えることができる。プラグは、その中に少なくとも1つのチューブを有し、または冷却ガスは細孔を通って流れる。プラグはガス耐圧を低下させるが、ガス流の伝導を改善し、ガス安定化時間およびガス捨て時間を短くすることができる。 [0033] しかし、図５の例では、多孔質プラグ242は、アルミナまたは他の誘電体固体開ロ部減少プラグ262に置き換えられている。様々なセラミックを含む他の任意の誘電体非晶質、ポリマー、又は他の非多孔質材料が使用されてもよい。プラグは、冷却ガスの流れを可能にするための中央管264を有する。また、より高い総流量を可能にするために、中央管の側方に追加の垂直管266を有することもできる。管の大きさは、温度やプラズマ電圧の条件、およびガスの流量の違いに応じて選択することができる。高い電圧では、ガス絶縁破壊電圧を効果的に低減するために、より小さなチューブが必要となる場合がある。」 「図３ ［図：0001403666000003.jpg］ 図４ ［図：0001403666000004.jpg］ 」 （３）甲５（国際公開第２０１８／１５６５５６号） 甲５には、以下の記載がある。なお、甲５の記載は当審の訳文で示す。 「分野 [0002] 本開示は、基板処理システムにおける基板支持体のセラミック層に関する。」 「背景説明 ・・・ [0004] 基板処理システムは、半導体ウェハのような基板を処理するために使用され得る。基板上で実行され得る例示的なプロセスには、化学気相成長(CVD)、原子層堆積(ALD)、導体エッチング、誘電体エッチング、及び／又は他のエッチング、堆積、又は洗浄プロセスが含まれるが、これらに限定されるものではない。基板は、基板処理システムの処理室内の台座、静電チャック(ESC)等の基板支持体上に配置されてもよい。エッチング中、１つ以上の前駆体を含むガス混合物が処理チャンバに導入されてもよく、プラズマが化学反応を開始させるために使用されてもよい。」 「[0016] 図1は、ベースプレート14及びセラミック層18を含む例示的な基板支持体10の一部を示している。ボンド層22は、ベースプレート14とセラミック層18との間に形成されてもよい。セラミック層18とベースプレート14との間のボンド層22の周囲には、保護シール26が設けられていてもよい。セラミック層18上には、基板30が配置されている。 [0017] 1つ以上のチャネル34は、ヘリウムなどの熱伝達ガスをベースプレート14及びセラミック層18を通して基板30の裏側38に供給する。チャネル34は、ベースプレート14とセラミック層18との間に画定されたチャンバ42を含んでもよい。例えば、チャネル34の直径を最小にすることが望ましい場合があるが、製造公差及び制限により、チャネル34がチャンバ42を含むことになる場合がある。従って、チャンバ42内の空容積をさらに減少させるために、チャンバ42内にプラグ46が設けられてもよい。例えば、プラグ46は、多孔質セラミックから構成されてもよい。プラグ46は、上部部分50と、下部部分54と、上部部分50と下部部分54との間の隙間58とを含んでもよい。プラグ46は、二重多孔質プラグと呼ばれることがある。セラミック層18の底面60は、設置後に研磨されてもよい。セラミック層18の底面60は、セラミック層18内にプラグの上部分50を設置するのに続いて研削され、隙間58の幅を増大させることができる。例えば、ギャップ58は、約300pm（例えば、290と310pmの間）の幅を有していてもよい。プラグ46を提供することは、チャンバ42内及びベースプレート14とセラミック層18との間のアーク放電を低減させることができる。それにもかかわらず、電界が依然としてギャップ58内に存在し、アーク放電がギャップ58内で発生する可能性がある。 ・・・ [0019] ここで図2を参照すると、例示的な基板処理システム100が示されている。 例としてのみ、基板処理システム100は、RFプラズマ及び／又は他の適切な基板処理を用いたエッチングを実行するために使用されてもよい。基板処理システム100は、基板処理システム100の他の構成要素を包囲し、RFプラズマを含む処理チャンバ102を含む。基板処理チャンバ102は、上部電極104と、静電チャック(ESC)のような基板支持体106とを含む。動作中、基板108は、基板支持体106上に配置される。特定の基板処理システム100及びチャンバ102が例として示されているが、本開示の原理は、in-situでプラズマを生成する基板処理システム、遠隔プラズマ生成及び送達（例えば、プラズマ管、マイクロ波管を使用）を実施する基板処理システム等、他のタイプの基板処理システム及びチャンバに適用されてもよい。 ・・・ [0028] ここで図3を参照すると、本開示の原理による例示的な基板支持体200は、ベースプレート204及びセラミック層208を含む。ボンド層212は、ベースプレート204とセラミック層208の間に形成されてもよい。保護シール216は、セラミック層208とベースプレート204との間のボンド層212の周囲に設けられていてもよい。セラミック層208上に基板220が配置される。 [0029] 1つ以上のチャネル224は、ヘリウムなどの熱伝達ガスをベースプレート204及びセラミック層208を通して基板220の裏側228に供給する。 チャネル224は、ベースプレート204とセラミック層208との間に画定されたチャンバ232を含んでもよい。プラグ236は、チャンバ232内の空間を占有するために（すなわち、チャンバ232内の空の容積を減少させるために）提供される。例えば、プラグ236は、多孔質セラミックのような誘電体材料から構成されてもよい。例えばのみ、プラグ236は、約5.3の実効誘電率εΓ（例えば、4.6と6.0との間のεΓ)を有する多孔質材料から構成されてもよい。プラグ236は、チャンバ232の形状に相補的な形状を有していてもよい。例えば、プラグ236は、円筒形であってもよい。 [0030] プラグ236は、上部部分240、下部部分244、及び上部部分240と下部部分244との間のギャップ248を含む二重多孔性プラグに相当してもよい。上部分240は、セラミック層208から下方に延びてベースプレート204の中に入り、セラミック層208とベースプレート204の間の隙間252を横断する。例えば、プラグ236の下側部分244は、上側部分240を受け入れるように構成されたポケット256を含む。下部部分244の側壁260は、上部部分240の底端264を取り囲む。側壁260は、ベースプレート204の上面268の上方で隙間252の中に延びていてもよい。」 「図１ ［図：0001403666000005.jpg］ 」 「図３ ［図：0001403666000006.jpg］ 図４ ［図：0001403666000007.jpg］ 」 （４）甲６（特開２００５－３３１８１号公報） 甲６には、以下の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 本発明は、例えば基板を静電チャックに吸着保持させて、前記基板に対して真空処理を行う装置に関する。」 「【背景技術】 ・・・ 【０００３】 ところで前記載置台９１は支持部９３の上面に静電チャック層９４と、この静電チャック層９４の側方を囲むように設けられる導電性のリング体９５とを設ける構成とされている。前記静電チャック層９４は、例えばタングステンからなるシート状のチャック電極９４ａの表裏を誘電体例えばアルミナからなる絶縁層９４ｂにて挟んだ構成とされており、図示しない直流電源からチャック電極９４ａに直流電圧（チャック電圧）を印加し、これにより生じるクーロン力によってウエハＷを吸着保持できるようになっている。なお、図１７中９６は処理容器９内の雰囲気を外部に排出するための排気路である。 ・・・ 【０００６】 このようなことから、静電チャック層として焼結板を用いることが検討されており、特許文献１には具体的な構造が記載されている。ここで焼結タイプの静電チャック層を用いた載置台では、例えば図１８に示すように、例えばタングステンよりなる電極９７ａを絶縁層９７ｂにより被覆した構成の焼結板９７よりなる静電チャック層９７を、例えばアルミニウム等により構成された支持部９３にシリコン系の接着性樹脂よりなる接合層９８にて接合するように構成されている。」 「【発明が解決しようとする課題】 【００１１】 本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、静電チャック層と支持部とを接着する接合層の熱伝導率を高めることにより、基板が所定温度に安定するまでの時間を短縮することができる技術を提供することにある。また本発明の他の目的は、プラズマにより生じた活性種による前記接合層の劣化を抑えることのできる技術を提供することにある。」 「【図１７】 ［図：0001403666000008.jpg］ 【図１８】 ［図：0001403666000009.jpg］ 」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲２発明とを対比する。 ア 甲２発明の「静電チャック（１１０）」は、「セラミックプレートとして設けることができ」るものであるから、板状の基体であるといえる。 また、甲２発明の「静電チャック（１１０）」は、「直流電極（３２０）によってバイアスされることにより、静電チャック（１１０）と被処理基板との間の電位差によって反対に極性化された電荷が被処理基板の裏面に蓄積され、蓄積された電荷は被処理基板が静電チャックに密着するようにする吸着力を提供」するものであるから、「静電チャック（１１０）」の一方の主面は、被処理基板を保持する面であるといえる。 以上によれば、甲２発明の「被処理基板」は、本件発明１の「試料」に相当し、甲２発明の「静電チャック（１１０）」は、本件発明１の「一方の主面が試料保持面である板状の基体」に相当する。 イ 甲２発明の「直流電極（３２０）」は、「静電チャック（１１０）の内部に設けられ」、「静電チャック（１１０）」は、「直流電極（３２０）によってバイアスされることにより、静電チャック（１１０）と被処理基板との間の電位差によって反対に極性化された電荷が被処理基板の裏面に蓄積され、蓄積された電荷は被処理基板が静電チャックに密着するようにする吸着力を提供」するものであるから、「直流電極（３２０）」は、「静電チャック（１１０）」の内部に位置する吸着用の電極であるといえる。 そうすると、上記アの検討を参酌すれば、甲２発明の「直流電極（３２０）」は、本件発明１の「該基体の内部に位置する静電吸着用の電極」に相当する。 ウ 甲２発明において、「ボディ（１３０）と静電チャック（１１０）とはボンディングによって相互結合することができ」るものであるから、「静電チャック（１１０）」の他方の主面には、「ボディ（１３０）」がボンディング、すなわち、接合されているといえる。 そうすると、上記アの検討を参酌すれば、甲２発明の「ボディ（１３０）」が接合されている「静電チャック（１１０）」の他方の主面は、本件発明１の「基体の他方の主面」に相当し、甲２発明の「ボディ（１３０）」は、本件発明１の「前記基体の他方の主面に接合された支持体」に相当する。 エ 甲２発明において、「静電チャック（１１０）」には、「処理後基板を冷却するためのＨｅガス流路（１１３）は、Ｈｅガス供給部（４００）から供給されたＨｅガスが流動して基板を冷却させることができるように静電チャック（１１０）全領域にわたって均等に設けられ」ており、ここで、甲２の図２を参酌すると、「Ｈｅガス供給部（４００）」は、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側にあるから、「Ｈｅガス流路（１１３）」は、一方の主面から、他方の主面まで、静電チャック（１１０）を貫通しているといえる。 そうすると、上記アの検討を参酌すれば、甲２発明の「Ｈｅガス流路（１１３）」は、本件発明１の「前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔」に相当する。 オ 甲２発明の「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」は、「ボディ（１３０）及び絶縁層（１５０）を貫通して形成され、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給路（１１３）と接続され」るものであるから、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」は、貫通孔であり、「Ｈｅガス供給路（１１３）」に連続しているといえる。 また、甲２発明の「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」は、「Ｈｅガス供給部（４００）」に含まれるものであり、上記エで検討したとおり、「Ｈｅガス供給部（４００）」は、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側にあるから、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」も「静電チャック（１１０）」の他方の主面側にあるといえる。 以上から、甲２発明の「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」に連続し、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側から「ボディ（１３０）」を貫通しているといえる。 そうすると、上記ア及びエの検討を参酌すれば、甲２発明の「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」は、本件発明１の「該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔」に相当する。 カ 甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ、Ｈｅガス流路（１１３）にＨｅガスを供給する」ものであるから、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」の内部に位置しているといえる。 また、甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「ボディ（１３０）及び絶縁層（１５０）を貫通して形成され、静電チャック（１１０）のＨｅガス供給路（１１３）と接続され」るものであり、「ボディ（１３０）と、・・・相互結合することができる」ものであるから、上記ウの検討を参酌すれば、「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」が設けられている「Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側」は、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側であるといえ、また、「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側に固定されているといえる。 さらに、甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「Ｈｅガスが流れる複数のガス供給孔（４２３）が形成された多孔質構造で設けられ」るものであるから、多孔質部材であるといえる。 以上によれば、甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」の内部に位置し、「静電チャック（１１０）」の他方の主面側に固定された多孔質部材である。 そうすると、上記ウ及びオの検討を参酌すれば、甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）」の内部に位置し、「静電チャック（１１０）」の他方の主面に固定された多孔質部材であるといえるから、本件発明１の「該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された多孔質部材」に相当する。 キ 甲２発明の「静電チャック（１１０）の一方の主面」は、上記アの検討を参酌すれば、被処理基板を保持する面であるといえるから、甲２発明の「Ｈｅガス供給ポート（４１０）の開口と直流電極（３２０）とは、静電チャック（１１０）の一方の主面に平行な方向にずれて位置している」ことは、本件発明１の「前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置している」ことに相当する。 ク 甲２発明において、「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」は、「多孔質構造」であるところ、「静電チャック（１１０）の他方の主面は凹部を有し、凹部にＨｅガス供給バッフル（４２０）がはめ込まれ」ているから、本件発明１と甲２発明とは、「前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されている」点で一致する。 また、甲２発明の上記「凹部」が壁面を有していることは明らかであるから、本件発明１と甲２発明とは、「前記凹部は壁面を有し」ている点で一致する。 ケ 甲２発明の「静電チャック（１１０）、ボディ（１３０）、絶縁層（１５０）の３層から構成されるサセプタ（１００）」は、全体として静電チャックとして機能するものであるから、本件発明１の「静電チャック」に相当する。 コ 以上によれば、本件発明１と甲２発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「一方の主面が試料保持面である板状の基体と、 該基体の内部に位置する静電吸着用の電極と、 前記基体の他方の主面に接合された支持体と、 前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔と、 該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔と、 該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された多孔質部材と、を備えており、 前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置しており、 前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されており、 前記凹部は壁面を有している静電チャック。」 ＜相違点＞ 相違点１－１：本件発明１は、「接合材」が、「前記基体の他方の主面に位置」し、「該接合材により前記基体の他方の主面」に「支持体」が「接合され」ているのに対し、甲２発明は、「ボディ（１３０）と静電チャック（１１０）とはボンディングによって相互結合」しているものの、「接合材」により接合されているかどうか不明である点。 相違点１－２：本件発明１は、「前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大きく」なっているのに対し、甲２発明は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）のうち静電チャック（１１０）に臨む開口の幅は、Ｈｅガス流路（１１３）の幅よりも大きく」なっている点。 相違点１－３：本件発明１は、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」のに対し、甲２発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み、相違点１－３から検討する。 ア 甲２には、相違点１－３に係る本件発明１の構成、すなわち、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」ことについて、何ら記載も示唆もされていない。 また、甲２発明が、相違点１－３に係る本件発明１の構成を備えていることは、本件特許出願の優先日において技術常識であるともいえない。 したがって、相違点１－３は実質的な相違点であるから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明であるとはいえない。 イ 甲４～甲６のいずれにも、相違点１－３に係る本件発明１の構成は、記載も示唆もされていない。また、当該構成が、本件特許出願の優先日において周知技術又は慣用技術であるともいえない。 したがって、甲１発明において、相違点１－３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、本件発明１は、甲２に記載された発明、甲４、甲６に記載された事項、周知技術（甲４、甲５）及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明２、４、５について 本件発明２、４、５は、本件発明１を減縮した発明であり、いずれも相違点１－３に係る本件発明１の構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、甲２発明ではないし、また、甲２発明、甲４、甲６に記載された事項、周知技術（甲４、甲５）及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 小括 以上のとおり、本件発明１、２、４、５は、甲２発明ではないし、また、甲２発明、甲４、甲６に記載された事項、周知技術（甲４、甲５）及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件請求項１、２、４、５に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 したがって、申立理由２－１、取消理由１には理由がない。 第７ 取消理由２（拡大先願）について １ 甲号証の記載及び甲号証の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明 （１）甲３：特願２０１８－２０３７３４号（特許第６４８９２７７号公報、優先権主張：平成３０年３月１４日、出願日：平成３０年１０月３０日、特許公報発行日：平成３１年３月２７日） ア 甲３の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面には、以下の記載がある。 「【背景技術】 ・・・ 【０００５】 ここで、装置内で基板を処理する際、装置内のプラズマから金属製のベースプレートに向かう放電（アーク放電）が発生することがある。ベースプレートのガス導入路やセラミック誘電体基板の貫通孔は、放電の経路となりやすいことがある。・・・」 「【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、多孔質部が設けられた静電チャックにおいて、アーク放電に対する耐性と流れるガスの流量とを確保しつつ、多孔質部の機械的な強度（剛性）を向上させることができる静電チャックを提供することを目的とする。」 「【発明を実施するための形態】 【００３４】 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。 【００３５】 図１は、本実施形態に係る静電チャックを例示する模式的断面図である。 図１に表したように、本実施形態に係る静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、第１多孔質部９０と、を備える。 【００３６】 セラミック誘電体基板１１は、例えば焼結セラミックによる平板状の基材である。例えば、セラミック誘電体基板１１は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含む。例えば、セラミック誘電体基板１１は、高純度の酸化アルミニウムで形成される。セラミック誘電体基板１１における酸化アルミニウムの濃度は、例えば、９９原子パーセント（ａｔоｍｉｃ％）以上１００ａｔоｍｉｃ％以下である。高純度の酸化アルミニウムを用いることで、セラミック誘電体基板１１の耐プラズマ性を向上させることができる。セラミック誘電体基板１１は、吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂと、を有する。吸着の対象物Ｗは、例えばシリコンウェーハなどの半導体基板である。 【００３７】 セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられる。電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、の間に設けられる。電極１２は、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成されている。静電チャック１１０は、電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持する。 ・・・ 【００４１】 ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材である。セラミック誘電体基板１１は、図２（ａ）に表した接着部６０によってベースプレート５０の上に固定される。接着部６０は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものとすることができる。 ・・・ 【００４５】 セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有する。貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられる。すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通する。 ・・・ 【００４７】 ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を例えば貫通するように設けられる。ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通せず、他のガス導入路５３の途中から分岐してセラミック誘電体基板１１側まで設けられていてもよい。また、ガス導入路５３は、ベースプレート５０の複数箇所に設けられてもよい。 【００４８】 ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通する。すなわち、ガス導入路５３に流入したガス（ヘリウム（Ｈｅ）等）は、ガス導入路５３を通過した後に、貫通孔１５に流入する。 ・・・ 【００５０】 第１多孔質部９０は、例えば、Ｚ方向においてベースプレート５０と、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、の間であって、ガス導入路５３と対向する位置に設けることができる。例えば、第１多孔質部９０は、セラミック誘電体基板１１の貫通孔１５に設けられる。例えば、第１多孔質部９０は、貫通孔１５に挿入されている。 【００５１】 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式図である。図２（ａ）は、第１多孔質部９０の周辺を例示する。図２（ａ）は、図１に示す領域Ａの拡大図に相当する。図２（ｂ）は、第１多孔質部９０を例示する平面図である。 また、図２（ｃ）、（ｄ）は、他の実施形態に係る孔部１５ｃを例示するための模式断面図である。 なお、煩雑となるのを避けるために、図２（ａ）、（ｃ）、（ｄ）においてはドット１３（例えば、図１を参照）を省いて描いている。 【００５２】 この例では、貫通孔１５は、孔部１５ａと、孔部１５ｂ（第１孔部の一例に相当する）と、を有する。孔部１５ａの一端は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂに位置する。 【００５３】 また、セラミック誘電体基板１１は、Ｚ方向において第１主面１１ａと第１多孔質部９０との間に位置する孔部１５ｂを有することができる。孔部１５ｂは、孔部１５ａと連通し、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａまで延びる。 すなわち、孔部１５ｂの一端は、第１主面１１ａ（溝１４）に位置する。孔部１５ｂは、第１多孔質部９０と溝１４とを連結する連結孔である。孔部１５ｂの径（Ｘ方向に沿った長さ）は、孔部１５ａの径（Ｘ方向に沿った長さ）よりも小さい。径の小さい孔部１５ｂを設けることにより、セラミック誘電体基板１１と対象物Ｗとの間に形成される空間（例えば溝１４を含む第１主面１１ａ）のデザインの自由度を高めることができる。例えば、図２（ａ）のように、溝１４の幅（Ｘ方向に沿った長さ）を第１多孔質部９０の幅（Ｘ方向に沿った長さ）よりも短くすることができる。これにより、例えば、セラミック誘電体基板１１と対象物Ｗとの間に形成される空間における放電を抑制することができる。 ・・・ 【００６４】 より具体的には、第１多孔質部９０とセラミック誘電体基板１１とが一体化している状態においては、第１多孔質部９０の側面（緻密領域９３の側面９３ｓ）が、貫通孔１５の内壁１５ｗと接しており、第１多孔質部９０は、第１多孔質部９０が接する内壁１５ｗにより支持され、セラミック誘電体基板１１に対して固定されている。 ・・・ 【００６９】 なお、実施形態において、第１多孔質部９０は、セラミック誘電体基板１１と必ずしも一体化していなくてもよい。例えば、図１２に示すように、接着剤を用いて、第１多孔質部９０をセラミック誘電体基板に取り付けてもよい。 ・・・ 【０１４１】 図２（ａ）を再び参照して、静電チャック１１０の構造について説明を続ける。静電チャック１１０は、第２多孔質部７０をさらに有していてもよい。第２多孔質部７０は、Ｚ方向において第１多孔質部９０とガス導入路５３との間に設けることができる。例えば、第２多孔質部７０は、ベースプレート５０の、セラミック誘電体基板１１側に嵌め込まれる。図２（ａ）に表したように、例えば、ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられる。座ぐり部５３ａは、筒状に設けられる。座ぐり部５３ａの内径を適切に設計することで、第２多孔質部７０は、座ぐり部５３ａに嵌合される。 【０１４２】 第２多孔質部７０の上面７０Ｕは、ベースプレート５０の上面５０Ｕに露出している。第２多孔質部７０の上面７０Ｕは、第１多孔質部９０の下面９０Ｌと対向している。この例では、第２多孔質部７０の上面７０Ｕと第１多孔質部９０の下面９０Ｌとの間は、空間ＳＰとなっている。空間ＳＰは、第２多孔質部７０及び第１多孔質部９０の少なくともいずれかによって埋められていてもよい。すなわち、第２多孔質部７０と第１多孔質部９０とは接していてもよい。」 「【図１】 ［図：0001403666000010.jpg］ 【図２】 ［図：0001403666000011.jpg］ 」 「【図１２】 ［図：0001403666000012.jpg］ 」 イ 甲３の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明 （ア）上記アの【００３５】には、静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、第１多孔質部９０と、を備えることが記載されている。 （イ）同【００３７】には、セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられること、電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、の間に設けられ、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成されること、及び、静電チャック１１０は、電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持することが記載されている。 （ウ）同【００４１】には、ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材であること、セラミック誘電体基板１１は、接着部６０によってベースプレート５０の上に固定されること、及び、接着部６０は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものであることが記載されている。 （エ）同【００４５】には、セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有すること、及び、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられる、すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通することが記載されている。 （オ）同【００４７】には、ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられること、及び、ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通するように設けられることが記載されている。 （カ）同【００４８】には、ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通することが記載されている。 （キ）同【００５０】には、第１多孔質部９０は、Ｚ方向においてベースプレート５０と、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、の間であって、ガス導入路５３と対向する位置に設けることが記載されている。 （ク）同【００５２】には、貫通孔１５は、孔部１５ａと、孔部１５ｂと、を有すること、及び、孔部１５ａの一端は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂに位置することが記載されている。 （ケ）同【００５３】には、セラミック誘電体基板１１は、Ｚ方向において第１主面１１ａと第１多孔質部９０との間に位置する孔部１５ｂを有することができ、孔部１５ｂは、孔部１５ａと連通し、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａまで延び、すなわち、孔部１５ｂの一端は、第１主面１１ａ（溝１４）に位置すること、及び、孔部１５ｂは、第１多孔質部９０と溝１４とを連結する連結孔であり、孔部１５ｂの径（Ｘ方向に沿った長さ）は、孔部１５ａの径（Ｘ方向に沿った長さ）よりも小さいことが記載されている。 （コ）同【００６９】には、接着剤を用いて、第１多孔質部９０をセラミック誘電体基板に取り付けてもよいことが記載されている。 （サ）同【０１４１】には、静電チャック１１０は、第２多孔質部７０をさらに有していてもよい。第２多孔質部７０は、Ｚ方向において第１多孔質部９０とガス導入路５３との間に設けることができること、及び、ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられ、座ぐり部５３ａは、筒状に設けられ、座ぐり部５３ａの内径を適切に設計することで、第２多孔質部７０は、座ぐり部５３ａに嵌合されることが記載されている。 （シ）同【０１４２】には、第２多孔質部７０と第１多孔質部９０とは接していてもよいことが記載されている。 （ス）上記アの【図２】から、座ぐり部５３ａのセラミック誘電体基板１１に臨む開口と電極１２とは、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに平行にずれて位置していること、及び、孔部１５ａと電極１２とは、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに平行にずれて位置していることが見て取れる。 （セ）上記アの【図２】から、座ぐり部５３ａの幅は、貫通孔１５の幅よりも大きいことが見て取れる。 そして、上記（ケ）における、「孔部１５ｂは、第１多孔質部９０と溝１４とを連結する連結孔であり、孔部１５ｂの径（Ｘ方向に沿った長さ）は、孔部１５ａの径（Ｘ方向に沿った長さ）よりも小さい」との記載、及び、上記（サ）における、「座ぐり部５３ａは、筒状に設けられ、座ぐり部５３ａの内径を適切に設計する」との記載を参酌すれば、貫通孔１５及び座ぐり部５３ａの水平方向の断面は、いずれも円形であるといえるから、座ぐり部５３ａの径は、貫通孔１５の径よりも大きいといえる。 （ソ）上記（ア）～（セ）によれば、甲３の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面には、以下の発明（以下、「先願甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 「セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、第１多孔質部９０と、を備える静電チャック１１０であって、 セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられ、電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、の間に設けられ、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成され、 静電チャック１１０は、電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持し、 ベースプレート５０は、セラミック誘電体基板１１を支持する部材であり、セラミック誘電体基板１１は、接着部６０によってベースプレート５０の上に固定され、接着部６０は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものであり、 セラミック誘電体基板１１は、溝１４と接続された貫通孔１５を有し、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられ、すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通し、 ベースプレート５０には、ガス導入路５３が設けられ、ガス導入路５３は、ベースプレート５０を貫通するように設けられ、 ガス導入路５３は、貫通孔１５と連通し、 第１多孔質部９０は、Ｚ方向においてベースプレート５０と、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、の間であって、ガス導入路５３と対向する位置に設けられ、 貫通孔１５は、孔部１５ａと、孔部１５ｂと、を有し、孔部１５ａの一端は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂに位置し、 セラミック誘電体基板１１は、Ｚ方向において第１主面１１ａと第１多孔質部９０との間に位置する孔部１５ｂを有することができ、孔部１５ｂは、孔部１５ａと連通し、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａまで延び、すなわち、孔部１５ｂの一端は、第１主面１１ａ（溝１４）に位置し、孔部１５ｂは、第１多孔質部９０と溝１４とを連結する連結孔であり、孔部１５ｂの径（Ｘ方向に沿った長さ）は、孔部１５ａの径（Ｘ方向に沿った長さ）よりも小さく、 接着剤を用いて、第１多孔質部９０をセラミック誘電体基板に取り付けてもよく、 静電チャック１１０は、第２多孔質部７０をさらに有していてもよく、第２多孔質部７０は、Ｚ方向において第１多孔質部９０とガス導入路５３との間に設けられ、ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられ、座ぐり部５３ａは、筒状に設けられ、座ぐり部５３ａの内径を適切に設計することで、第２多孔質部７０は、座ぐり部５３ａに嵌合され、 第２多孔質部７０と第１多孔質部９０とは接していてもよく、 座ぐり部５３ａのセラミック誘電体基板１１に臨む開口と電極１２とは、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに平行にずれて位置し、 孔部１５ａと電極１２とは、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに平行にずれて位置し、 座ぐり部５３ａの径は、貫通孔１５の径よりも大きい、静電チャック１１０。」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と先願甲３発明とを対比する。 ア 先願甲３発明において、「セラミック誘電体基板１１には、電極１２が設けられ、電極１２は、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、第２主面１１ｂと、の間に設けられ、セラミック誘電体基板１１の中に挿入されるように形成され、静電チャック１１０は、電極１２に吸着保持用電圧８０を印加することによって、電極１２の第１主面１１ａ側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Ｗを吸着保持」するものであるから、「セラミック誘電体基板１１」は、板状であり、「セラミック誘電体基板１１」の「第１主面１１ａ」は、「対象物Ｗ」を保持する面であるといえ、また、「電極１２」は、「セラミック誘電体基板１１」の内部に位置する静電吸着用の電極であるといえる。 したがって、先願甲３発明の「第１主面１１ａ」、「対象物Ｗ」は、それぞれ、本件発明１の「一方の主面」、「試料」に相当し、先願甲３発明の「セラミック誘電体基板１１」は、本件発明１の「一方の主面が試料保持面である板状の基体」に相当する。 また、先願甲３発明の「電極１２」は、本件発明１の「該基体の内部に位置する静電吸着用の電極」に相当する。 イ 先願甲３発明の「ベースプレート５０」は、「セラミック誘電体基板１１を支持する部材」であり、「セラミック誘電体基板１１」は、「接着部６０によってベースプレート５０の上に固定され、接着部６０は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したもの」である。 ここで、先願甲３発明の「セラミック誘電体基板１１」は、「第１主面１１ａと、第２主面１１ｂ」とを有するものであり、また、上記アで検討したとおり、「セラミック誘電体基板１１」の「第１主面１１ａ」は、「対象物Ｗ」を保持する面であるから、「接着部６０」は、「セラミック誘電体基板１１」の「第２主面１１ｂ」に位置し、「シリコーン接着剤が硬化した」「接着部６０」により「セラミック誘電体基板１１」の「第２主面１１ｂ」に「ベースプレート５０」に接合されるといえる。 そうすると、上記アの検討を参酌すれば、先願甲３発明の「セラミック誘電体基板１１」の「第２主面１１ｂ」は、本件発明１の「基体の他方の主面」に相当し、先願甲３発明の「シリコーン接着剤が硬化した」「接着部６０」は、本件発明１の「前記基体の他方の主面に位置する接合材」に相当し、先願甲３発明の「ベースプレート５０」は、本件発明１の「該接合材により前記基体の他方の主面に接合された支持体」に相当する。 ウ 先願甲３発明の「セラミック誘電体基板１１」は、「溝１４と接続された貫通孔１５を有し」、「貫通孔１５」は、「第２主面１１ｂから第１主面１１ａにかけて設けられ、すなわち、貫通孔１５は、第２主面１１ｂから第１主面１１ａまでＺ方向に延び、セラミック誘電体基板１１を貫通」するものであるから、「貫通孔１５」は、「第１主面１１ａ」から「第２主面１１ｂ」まで「セラミック誘電体基板１１」を貫通するものである。 そうすると、上記ア及びイの検討を参酌すれば、先願甲３発明の「貫通孔１５」は、本件発明１の「前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔」に相当する。 エ 先願甲３発明の「ベースプレート５０」には、「ガス導入路５３が設けられ」、「ガス導入路５３」は、「ベースプレート５０を貫通するように設けられ」、「貫通孔１５と連通」するものであるから、「ガス導入路５３」は、「貫通孔１５」に連続し、「セラミック誘電体基板１１」の「第２主面１１ｂ」側から「ベースプレート５０」を貫通するものである。 そうすると、上記イ及びウの検討を参酌すれば、先願甲３発明の「ガス導入路５３」は、本件発明１の「該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔」に相当する。 オ 先願甲３発明において、「第１多孔質部９０」は、「Ｚ方向においてベースプレート５０と、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａと、の間であって、ガス導入路５３と対向する位置に設けられ」、「静電チャック１１０」は、「第２多孔質部７０をさらに有していてもよく」、「第２多孔質部７０」は、「Ｚ方向において第１多孔質部９０とガス導入路５３との間に設けられ、ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられ」、「座ぐり部５３ａ」は、「筒状に設けられ、座ぐり部５３ａの内径を適切に設計することで、第２多孔質部７０は、座ぐり部５３ａに嵌合され」、「第２多孔質部７０と第１多孔質部９０とは接していてもよ」いものであるから、「ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側」に設けられている、「座ぐり部５３ａ」は、「ガス導入路５３」の一部であるといえ、「接してい」る「第２多孔質部７０と第１多孔質部９０」とは、「ガス導入路５３」の内部に位置し、「セラミック誘電体基板１１」の「第２主面１１ｂ」に固定されているといえる。 そうすると、上記イ及びエの検討を参酌すれば、先願甲３発明の「第１多孔質部９０」及び「第２多孔質部７０」は、本件発明１の「該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された多孔質部材」に相当する。 カ 先願甲３発明において、「ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側には、座ぐり部５３ａが設けられ」ており、「座ぐり部５３ａの径は、貫通孔１５の径よりも大きい」ものであるところ、上記オで検討したとおり、「座ぐり部５３ａ」は、「ガス導入路５３」の一部であるといえるから、「座ぐり部５３ａ」を含む「ガス導入路５３」の「セラミック誘電体基板１１」に臨む開口の径は、「貫通孔１５の径よりも大きい」といえる。 そうすると、上記ア、ウ及びエの検討を参酌すれば、先願甲３発明の「ベースプレート５０のセラミック誘電体基板１１側」に「設けられ」ている「座ぐり部５３ａの径は、貫通孔１５の径よりも大きい」ことは、本件発明１の「前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大き」いことに相当する。 キ 上記ア、エ及びオの検討を参酌すると、先願甲３発明の「座ぐり部５３ａのセラミック誘電体基板１１に臨む開口と電極１２とは、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａに平行にずれて位置」することは、本件発明１の「前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置している」に相当する。 ク 先願甲３発明において、「貫通孔１５」は、「孔部１５ａと、孔部１５ｂと、を有し、孔部１５ａの一端は、セラミック誘電体基板１１の第２主面１１ｂに位置し」、 「セラミック誘電体基板１１」は、「Ｚ方向において第１主面１１ａと第１多孔質部９０との間に位置する孔部１５ｂを有することができ」、「孔部１５ｂ」は、「孔部１５ａと連通し、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａまで延び、すなわち、孔部１５ｂの一端は、第１主面１１ａ（溝１４）に位置し」、「孔部１５ｂ」は、「第１多孔質部９０と溝１４とを連結する連結孔であり、孔部１５ｂの径（Ｘ方向に沿った長さ）は、孔部１５ａの径（Ｘ方向に沿った長さ）よりも小さく」、「接着剤を用いて、第１多孔質部９０をセラミック誘電体基板に取り付けてもよ」いものであるから、「セラミック誘電体基板１１」が「第１主面１１ａ」に有している「孔部１５ｂ」は、凹部であるといえ、また、「第１多孔質部９０」は、「セラミック誘電体基板１１」が有する「孔部１５ｂ」に「接着剤」により固定されているといえる。 そうすると、上記ア、イ及びオの検討を参酌すれば、本件発明１と先願甲３発明とは、「前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されている」点で一致する。 また、先願甲３発明の上記「孔部１５ｂ」が壁面を有していることは明らかであるから、本件発明１と先願甲３発明とは、「前記凹部は壁面を有し」ている点で一致する。 ケ 以上によれば、本件発明１と先願甲３発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「一方の主面が試料保持面である板状の基体と、 該基体の内部に位置する静電吸着用の電極と、 前記基体の他方の主面に位置する接合材と、 該接合材により前記基体の他方の主面に接合された支持体と、 前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔と、 該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔と、 該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された多孔質部材と、を備えており、 前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大きく、 前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置しており、 前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記多孔質部材は、前記凹部に固定されており、 前記凹部は壁面を有している静電チャック。」 ＜相違点＞ 相違点２：本件発明１は、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」のに対し、先願甲３発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 甲３には、相違点２に係る本件発明１の構成、すなわち、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」点について、何ら記載も示唆もされていない。 また、先願甲３発明が、相違点２に係る本件発明１の構成を備えていることは、本件特許出願の優先日において技術常識であるともいえない。 したがって、相違点２は実質的な相違点であるから、本件発明１は、先願甲３発明と同一であるとはいえない。 ３ 本件発明５について 本件発明５は、本件発明１を減縮した発明であり、相違点２に係る本件発明１の構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、本件発明５は、先願甲３発明と同一ではない。 ４ 小括 以上のとおり、本件発明１、５は、先願甲３発明と同一ではないから、本件請求項１、５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものとはいえない。 したがって、取消理由２には理由がない。 第８ 甲１を主引用例とした申立理由１－１（新規性）、申立理由１－２（進歩性）について １ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明 （１）甲１（特開２００９－１５８９１７号公報） ア 甲１には、以下の記載がある。 「【０００８】 従来の静電チャックに伴う第１の問題は、基板とチャックとの間の領域に熱伝達ガスを導入する必要があることから、必然的に何らかの断絶がチャック表面に生じることである。例えば、図１に示されるように、典型的には静電チャック１０の表面を貫通して静電チャック１０の表面の裏側のガス流路まで延びる、何らかのタイプの管路（ｃｏｎｄｕｉｔ）５が形成される。しかしながら、このような管路を導入する１つの欠点は、基板裏面から金属製の冷却台２５にかけてプラズマアークが形成される可能性があることである。このようなプラズマアークは、基板及び静電チャックを損傷させる恐れがあるので望ましくない。 ・・・ 【００１０】 上述のプラズマアークの発生に関する第１の問題を解決するために、プラズマアークが発生する可能性を低下させる従来の方法は、管路の直径を小さくすること、又は誘電部材の厚さを増加させることを含む。また、プラズマアークの発生は、管路の中心から大きく離れた位置に電極を移動させることによって減少させることもできる。一方、管路が２つの金属表面を接続している場合には、それらの金属表面から放出される自由電子により、そのような構成ではプラズマアークが発生する可能性が事実上高くなる。これにより、基板に供給され得るＲＦ電力量が制限される。このような電力制限は、エッチングレートを制限し、したがってツールのスループットを制限することになる。 ・・・ 【００２４】 したがって、これらの製造上の制約を考えると、プラズマアークが発生する可能性及び裏面熱伝達ガスがイオン化される可能性を最小限に抑える基板保持用静電チャックが必要とされている。具体的には、電子が管路の壁と衝突する可能性を高め、それによって電子のエネルギー利得を最小限に抑える静電チャックが必要とされている。また、電界方向において電子が受ける実際の電圧降下を最小限に抑える静電チャックも必要とされている。」 ・・・ 【００３９】 静電チャック装置１１０を作動させるために、所望の電圧が電極１１５に印加され、それによって基板１３０が受面１２０に静電保持される。一般には、図６に示されるように、電極１１５から得られる電界軸１４７は、受面１２０とほぼ垂直となる。というのも、電極１１５は、基板１３０が受面１２０に静電保持される方向に働く静電力を生成するからである。 ・・・ 【００４５】 誘電部材２１７をレーザードリル形成することにより、他の技法で形成される通路よりも直径が小さい傾斜したレーザードリル形成通路２５０が作成される。・・・ ・・・ 【００４８】 本発明に係る静電チャック３１０の別の例示的な実施形態によれば、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、静電チャック３１０は、基板３３０を受ける受面３２０と、誘電部材３１７内に配置された電極３１５と、冷却台３２５とを備える。更に、図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、レーザードリル形成通路３５０に接続された管路３６０にプラグ３０３を挿入することができる。レーザードリル形成通路３５０は、図９Ａの実施形態では電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜しているが、図９Ｂの実施形態では電界軸３４７と並行である。 【００４９】 図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、プラグ３０３は、プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝（ｅｘｔｅｒｉｏｒ ｃｈａｎｎｅｌ）３０７を備える。図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、外部溝３０７は、プラグ３０３の上面３０８からプラグ３０３の底面３０９まで延びている。更に、外部溝３０７はそれぞれ、各溝３０７の上部と各溝３０７の底部が整列しないように配置されている。換言すれば、各外部溝３０７は、電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜している。外部溝３０７は、当技術分野で知られる様々な方法を用いてプラグ３０３の表面内に形成することができることが当業者には理解されるであろう。 【００５０】 図９Ａ及び図９Ｂに示されるように、プラグ３０３は、ほぼ円筒形であるが、本発明は、この具体的な実施形態に限定されるものではなく、プラグ３０３は、これ以外の様々な形状を含むことができる。プラグ３０３の形状は、管路３６０の形状とほぼ同一とすることも、プラグ３０３の外面３７２が管路３６０の表面に当接するように管路３６０の形状に対応させることもできる。 ・・・ 【００５３】 したがって、図８～図１０に示される例示的なプラグ３０３によれば、熱伝達ガスは、冷却台３２５から底部溝３１４に供給され、底部溝３１４内を通過して外部溝３０７へと移動する。その後、熱伝達ガスは、外部溝３０７内を通過して上部溝３１３へと移動する。熱伝達ガスは、上部溝３１３内を通過して中心３９０へと移動し、その後レーザードリル形成通路３５０内を通過して受面３２０と基板３３０との間の境界面へと移動する。 ・・・ 【００６１】 図１５Ａ及び図１５Ｂは、本発明の別の例示的な実施形態に係る静電チャック装置５１０を示している。図１５Ａ及び図１５Ｂに示されるように、静電チャック５１０は、基板５３０を受ける受面５２０と、誘電部材５１７内に配置された電極５１５と、冷却台５２５とを備える。更に、図１５Ａに示されるように、傾斜したレーザードリル形成通路５５０は、電界軸５４７から外れた軸に沿って傾斜している。 【００６２】 図１５Ａに示されるように、セラミックスリーブ５６５に複数の偏心プラグ５００が挿入されている。最上部の偏心プラグ５０１は、裏面ガスを流すための環状通路を提供するように中心に配置されている。更に、この通路を最小化することにより、電子が非電子放出面と衝突する可能性を高めることができる。最上部の偏心プラグ５０１の上部には、流体が流体通路５５０に流入するのを可能にするスペーサ５０３を設けることができる。図１５Ａ及び図１５Ｂに示される例示的な静電チャック装置５１０の設計は、偏心プラグによって自由電子の移動距離を最小限に抑え、それによって裏面ガスの途絶リスクを低減させることにより、裏面ガスを冷却台５２５から基板５３０の裏側に途切れなく流すことが可能となる。」 「【図９Ａ】 ［図：0001403666000013.jpg］ 【図９Ｂ】 ［図：0001403666000014.jpg］ 」 「【図１５Ａ】 ［図：0001403666000015.jpg］ 」 イ 甲１に記載された発明 （ア）上記アの【図９Ｂ】から、レーザードリル形成通路３５０は、誘電部材３１７を貫通していること、レーザードリル形成通路３５０に接続された管路３６０は、冷却台３２５を貫通していること、誘電部材３１７には、管路３６０の一部により凹部が形成されていること、管路３６０のうち、誘電部材３１７に臨む開口の幅は、レーザードリル形成通路３５０の幅よりも大きいこと、プラグ３０３は、誘電部材３１７の下面及び管路３６０の内面に固定されていること、管路３６０の開口と電極３１５とは、誘電部材３１７の一方の主面に平行な方向にずれて位置していることが見て取れる。 （イ）上記アの【００４８】～【００５０】の記載、及び、上記（ア）によれば、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「基板３３０を受ける受面３２０と、誘電部材３１７内に配置された電極３１５と、冷却台３２５とを備える、静電チャック３１０であって、 レーザードリル形成通路３５０は、誘電部材３１７を貫通しており、 レーザードリル形成通路３５０に接続された管路３６０は、冷却台３２５を貫通しており、 誘電部材３１７には、管路３６０の一部により凹部が形成されており、 管路３６０のうち、誘電部材３１７に臨む開口の幅は、レーザードリル形成通路３５０の幅よりも大きく、 管路３６０にプラグ３０３を挿入することができ、レーザードリル形成通路３５０は、電界軸３４７と並行であり、 プラグ３０３は、プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝３０７を備え、外部溝３０７は、プラグ３０３の上面３０８からプラグ３０３の底面３０９まで延びており、更に、各外部溝３０７は、電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜しており、 プラグ３０３は、ほぼ円筒形であり、誘電部材３１７の下面及び管路３６０の内面に固定されており、 管路３６０の開口と電極３１５とは、誘電部材３１７の一方の主面に平行な方向にずれて位置している、静電チャック３１０。」 ２ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 ア 甲１発明の「誘電部材３１７」の一方の主面は、「基板３３０を受ける受面３２０」であり、当該「受面３２０」は、基板を保持する面であるといえる。 したがって、甲１発明の「基板３３０」は、本件発明１の「試料」に相当し、甲１発明の「誘電部材３１７」は、本件発明１の「一方の主面が試料保持面である板状の基体」に相当する。 イ 甲１発明の「誘電部材３１７内に配置された電極３１５」は、「誘電部材３１７」の内部に位置するといえ、また、「静電チャック」の電極であるから、静電吸着用の電極であるといえる。 したがって、甲１発明の「誘電部材３１７内に配置された電極３１５」は、本件発明１の「該基体の内部に位置する静電吸着用の電極」に相当する。 ウ 甲１の【図９Ｂ】（上記１（１）ア）を参照すると、甲１発明の「誘電部材３１７」と「冷却台３２５」とは別部材であるところ、「冷却台３２５」は、「誘電部材３１７」の他方の主面に、何らかの手段で接合されているといえる。 したがって、甲１発明の「冷却台３２５」は、本件発明１の「前記基体の他方の主面に接合された支持体」に相当する。 エ 甲１発明において、「レーザードリル形成通路３５０」は、「誘電部材３１７を貫通して」いるから、「誘電部材３１７」の「基板３３０を受ける受面３２０」から他方の主面まで貫通するように形成されているといえる。 したがって、甲１発明の「レーザードリル形成通路３５０」は、本件発明１の「前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔」に相当する。 オ 甲１発明の「管路３６０」は、「冷却台３２５を貫通して」いるから、「誘電部材３１７」の他方の主面側から「冷却台３２５」を貫通しているといえる。 そして、「冷却台３２５を貫通して」いる「管路３６０」は、「レーザードリル形成通路３５０に接続され」ているから、「レーザードリル形成通路３５０」と連続しているといえる。 したがって、甲１発明の「冷却台３２５を貫通して」おり、「レーザードリル形成通路３５０に接続された管路３６０」は、本件発明１の「該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔」に相当する。 カ 甲１発明において、「プラグ３０３」は、「管路３６０」に「挿入することができ」、また、「誘電部材３１７の下面」に「固定されている」から、「管路３６０」の内部に位置し、「誘電部材３１７」の他方の主面に「固定されている」部材であるといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明とは、「該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された」「部材」である点で共通する。 キ 甲１の【００４５】（上記１（１）ア）には、「誘電部材２１７をレーザードリル形成することにより、他の技法で形成される通路よりも直径が小さい傾斜したレーザードリル形成通路２５０が作成される」と記載されているから、甲１発明の「レーザードリル形成通路３５０」は、円筒形であるといえる。 また、甲１発明の「プラグ３０３」は、「ほぼ円筒形であり」、「管路３６０の内面に固定されている」から、「管路３６０」も、円筒形であるといえる。 そして、甲１発明において、「管路３６０のうち、誘電部材３１７に臨む開口の幅は、レーザードリル形成通路３５０の幅よりも大きく」なっているから、「管路３６０のうち、誘電部材３１７に臨む開口」の開口径は、「レーザードリル形成通路３５０」の径よりも「大きく」なっているといえる。 したがって、甲１発明の「管路３６０のうち、誘電部材３１７に臨む開口の幅は、レーザードリル形成通路３５０の幅よりも大きく」は、本件発明１の「前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大きく」に相当する。 ク 上記ア、イ及びオの検討を参酌すると、甲１発明の「管路３６０の開口と電極３１５とは、誘電部材３１７の一方の主面に平行な方向にずれて位置している」ことは、本件発明１の「前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置している」ことに相当する。 ケ 甲１発明は、「誘電部材３１７には、管路３６０の一部により凹部が形成されて」いるから、「誘電部材３１７」は、他方の主面に「凹部」を有しているといえる。 また、甲１発明は、「管路３６０にプラグ３０３を挿入することができ」るものであるから、「プラグ３０３」は、「誘電部材３１７」に形成された「凹部」に固定されているといえる。 そして、上記カの検討を参酌すると、本件発明１と甲１発明とは、「前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し」、前記「部材は、前記凹部に固定されて」いる点で共通する。 また、甲１発明の上記「凹部」が壁面を有していることは明らかであるから、本件発明１と甲１発明とは、「前記凹部は壁面を有し」ている点で一致する。 コ 以上によれば、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「一方の主面が試料保持面である板状の基体と、 該基体の内部に位置する静電吸着用の電極と、 前記基体の他方の主面に接合された支持体と、 前記試料保持面から前記他方の主面まで前記基体を貫通する第１貫通孔と、 該第１貫通孔に連続し、前記他方の主面側から前記支持体を貫通する第２貫通孔と、 該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された部材と、を備えており、 前記第２貫通孔のうち前記基体に臨む開口の開口径は、前記第１貫通孔の径よりも大きく、 前記第２貫通孔の前記開口と前記電極とは、前記試料保持面に平行な方向にずれて位置しており、 前記基体は、前記他方の主面に凹部を有し、前記部材は、前記凹部に固定されており、 前記凹部は壁面を有している静電チャック。」 ＜相違点＞ 相違点３－１：本件発明１は、「接合材」が、「基体の他方の主面に位置」し、「該接合材により前記基体の他方の主面」に「支持体」が「接合され」ているのに対し、甲１発明は、「誘電部材３１７」と「冷却台３２５」とは、「接合材」により接合されているかどうか不明である点。 相違点３－２：「該第２貫通孔の内部に位置し、前記他方の主面に固定された」「部材」について、本件発明１は、「多孔質」であるのに対し、甲１発明は、「多孔質」かどうか不明である点。 相違点３－３：本件発明１は、「前記凹部は壁面を有し、該壁面に耐プラズマ性部材が位置している」のに対し、甲１発明は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 事案に鑑み相違点３－３から検討する。 ア 甲１には、相違点３－３に係る本件発明１の構成、すなわち、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」点について、何ら記載も示唆もされていない。 また、甲１発明が、相違点３－３に係る本件発明１の構成を備えていることは、本件特許出願の優先日において技術常識であるともいえない。 したがって、相違点３－３は実質的な相違点であるから、その他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明であるとはいえない。 イ 甲４、甲６のいずれにも、相違点３－３に係る本件発明１の構成は、記載も示唆もされていない。また、当該構成が、本件特許出願の優先日において周知技術又は慣用技術であるともいえない。 したがって、甲１発明において、相違点３－３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たこととはいえない。 したがって、本件発明１は、甲１発明、甲４及び甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 本件発明２、４、５について 本件発明２、４、５は、本件発明１を減縮した発明であり、いずれも相違点３－３に係る本件発明１の構成を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２、４、５は、甲１発明ではなく、また、甲１発明、甲４及び甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 小括 以上のとおり、本件発明１、２、４、５は、甲１発明ではなく、また、甲１発明、甲４及び甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件請求項１、２、４、５に係る特許は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してされたものとはいえない。 したがって、申立理由１－１、申立理由１－２には理由がない。 第９ 申立人の主張 （１）申立人は、意見書１ページ下から２行～３ページ１３行において、「前記凹部は壁面を有し、該壁面に耐プラズマ性部材が位置している」ことは公知であり、一例として、甲第７号証（以下、「甲７」という。）の図７には、基体（静電チャック部２０）が、その裏面側に凹部（静電チャック部凹部２３）を有していること、そして、その凹部（静電チャック部凹部２３）の壁面に耐プラズマ性部材（耐プラズマ性接着剤層９０）が位置していることが明確に表されているから、本件発明１は、公知発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、取消理由通知に記載された取消理由は、依然として解消していない旨主張している。 （２）甲７（再公表特許ＷＯ２０１６／１３２９０９号）の記載 ア 甲７には、以下の記載がある。 「【００４４】 静電チャック装置１によれば、貫通孔３０内、特にチャック部貫通孔３２から入ったプラズマの侵入を阻止するように、絶縁碍子内側端面７２と静電チャック部内側周囲面２６とが接触し、又は、絶縁碍子内側端面７２と静電チャック部内側周囲面２６との間の隙間に接着層８０が形成され、また、耐プラズマ性接着剤層９０は、静電チャック部外側周囲面２８と絶縁碍子外側端面７４との間に形成されている。このため、貫通孔３０から侵入したプラズマは、先ず、絶縁碍子内側端面７２と静電チャック部内側周囲面２６との間の狭い隙間で侵入を阻止され、次いで、静電チャック部外側周囲面２８と絶縁碍子外側端面７４との間に形成されている耐プラズマ性接着剤層９０で阻止される。よって、プラズマによる接着層５０の劣化を抑制することができるので、接着層５０の絶縁破壊を阻止することができかつ静電チャック部２０と冷却ベース部６０との間の熱伝達率をより均一に制御することができると共に、プラズマと冷却ベース部とが短絡することによる絶縁破壊を阻止することができる。」 「【００４７】 図７を参照して、本発明に係る第５実施形態の静電チャック装置３を説明する。 静電チャック装置３は、静電チャック部２０には、冷却ベース部６０側に静電チャック部凹部２３が形成され、静電チャック部内側周囲面２６及び静電チャック部外側周囲面２８は、静電チャック部凹部２３の底面とされていること以外は、静電チャック装置１と同じである。静電チャック部凹部２３の底面、静電チャック部内側周囲面２６及び静電チャック部外側周囲面２８は、いずれも、静電チャック部２０の冷却ベース部６０側にある。」 「【図７】 ［図：0001403666000016.jpg］ 」 イ 上記アによれば、甲７には、静電チャック装置３において、静電チャック部２０の冷却ベース部６０側に静電チャック部凹部２３が形成され、静電チャック部凹部２３の壁面に耐プラズマ性接着剤層９０が位置していること、及び、耐プラズマ性接着剤層９０は、貫通孔３０から侵入したプラズマを阻止するものであることが記載されているといえる。 （３）検討 ア 甲１を主引用例とした場合について 甲１の【００２４】（上記第８ １（１）ア）の記載によれば、甲１発明は、「プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝３０７」を、「電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜」させることにより、電子が外部溝（管路）の壁と衝突する可能性を高めることによって、プラズマアークが発生する可能性及び裏面熱伝達ガスがイオン化される可能性を最小限に抑えるものである。 そうすると、甲１発明は、「プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝３０７」を、「電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜」させることにより、「レーザードリル形成通路３５０」から侵入したプラズマを阻止しているといえる。 一方、上記（２）イによれば、甲７の静電チャック装置３は、静電チャック部２０の冷却ベース部６０側に静電チャック部凹部２３が形成され、静電チャック部凹部２３の壁面に耐プラズマ性接着剤層９０が位置しており、耐プラズマ性接着剤層９０は、貫通孔３０から侵入したプラズマを阻止するものである。 以上によれば、甲１発明の「プラグ３０３の外面に沿って延びる複数の外部溝３０７」を、「電界軸３４７から外れた軸に沿って傾斜」させることと、甲７の耐プラズマ性接着剤層９０とは、いずれも「レーザードリル形成通路３５０」及び貫通孔３０から侵入したプラズマを阻止するという同じ機能を有するものであるといえる。 そうすると、「レーザードリル形成通路３５０」から侵入したプラズマを阻止する機能を有する甲１発明において、さらに、同じ機能を有する甲７の耐プラズマ性接着剤層９０を適用する動機付けはない。 したがって、甲１発明において、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」との構成、すなわち、上記相違点３－３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たこととはいえない。 イ 甲２を主引用例とした場合について 甲２の[0050]（上記第６ １（１）ア）の記載によれば、甲２発明は、Ｈｅガス排出口側に多孔性ガス供給バッフルを備えることにより、プラズマ処理チャンバ内部のプラズマがＨｅガス供給ポートに逆行することを防止するものである。 そうすると、甲２発明は、「Ｈｅガス供給ポート（４１０）の排出口側に設けられ」た、「Ｈｅガスが流れる複数のガス供給孔（４２３）が形成された多孔質構造」の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」により、「Ｈｅガス供給路（１１３）」から侵入したプラズマを阻止しているといえる。 一方、上記（２）イによれば、甲７の静電チャック装置３は、静電チャック部２０の冷却ベース部６０側に静電チャック部凹部２３が形成され、静電チャック部凹部２３の壁面に耐プラズマ性接着剤層９０が位置しており、耐プラズマ性接着剤層９０は、貫通孔３０から侵入したプラズマを阻止するものである。 以上によれば、甲２発明の「Ｈｅガス供給バッフル（４２０）」と、甲７の耐プラズマ性接着剤層９０は、いずれも「Ｈｅガス供給路（１１３）」及び貫通孔３０から侵入したプラズマを阻止するという同じ機能を有するものであるといえる。 そうすると、「Ｈｅガス供給路（１１３）」から侵入したプラズマを阻止する機能を有する甲２発明において、さらに、同じ機能を有する甲７の耐プラズマ性接着剤層９０を適用する動機付けはない。 したがって、甲２発明において、「凹部」が「有し」ている「壁面に耐プラズマ性部材が位置している」との構成、すなわち、上記相違点１－３に係る本件発明１の構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たこととはいえない。 ウ 小括 以上のとおりであるから、申立人の上記主張は採用できない。 第１０ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、２、４、５に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件請求項１、２、４、５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 そして、請求項３、６は、訂正により、削除されたため、本件特許の請求項３、６に対して、申立人がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。