2024-700159

特許第７３３７４６２号発明「エポキシ樹脂組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３３７４６２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１－５〕について訂正することを認める。 特許第７３３７４６２号の請求項１～５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３３７４６２号（以下「本件特許」という。）に係る特願２０２０－１０２７６５号は、令和２年６月１５日に特許出願したものであって、令和５年８月２５日にその特許権の設定登録（請求項の数５）がされ、同年９月４日に特許掲載公報が発行され、その後、令和６年２月２１日に特許異議申立人斎藤明子（以下「申立人」という。）により、請求項１～５に係る特許について特許異議の申立てがされたものである。 以後の主な手続の経緯は次のとおりである。 令和６年５月１６日付け 取消理由通知書 同年７月１２日提出 訂正請求書及び意見書（特許権者） 同年同月３０日提出 手続補正書（方式） 同年８月 ８日付け 訂正請求があった旨の通知書 （申立人からの意見書の提出なし） 第２ 訂正の適否 １ 訂正の内容 令和６年７月１２日提出の訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）は、当該訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、一群の請求項〔１－５〕について訂正することを求めるものであって、その内容は以下のとおりである。 なお、上記手続補正（方式）に添付された訂正特許請求の範囲は、訂正請求書に添付された特許請求の範囲の訂正部分に下線を付したものである。以下の下線部は訂正箇所である。 ＜訂正事項＞ 特許請求の範囲の請求項１に「（Ａ）エポキシ樹脂」と記載されているのを、「（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂」に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２～５も同様に訂正する）。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 本件訂正は、願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）の【００１４】、【００５２】に記載された「シリコーン変性エポキシ樹脂」との記載、及び、実施例８、９、１２において、「（Ａ４）エポキシ樹脂：シリコーン変性エポキシ樹脂」が、エポキシ樹脂の成分の一部として用いられていることに基づいて、訂正前の請求項１の「（Ａ）エポキシ樹脂」を、「（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂」と限定するものである。 したがって、本件訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、新規事項を追加するものでもない。 ３ 訂正についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１－５〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり、本件訂正が認められることから、本件特許の請求項１～５に係る発明は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲に記載されたとおりのもの（以下、請求項の番号に従い、「本件発明１」などという。）であり、請求項１～５の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 加熱硬化した成型品により半導体素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物であって、 下記（Ａ）～（Ｄ）成分： （Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）イソシアネート基を有さないポリエステルポリオール （Ｄ）無機充填材 を含み、前記（Ｃ）成分の数平均分子量が１，５００～１０，０００の範囲内であり、（Ｃ）成分が、芳香族環を含むものであり、（Ｃ）成分の７５℃における粘度が１，０００～２０，０００ｍＰａ．ｓである、半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 【請求項２】 （Ｂ）成分がアミン系硬化剤、フェノール硬化剤、酸無水物系硬化剤のいずれか１種類である、請求項１に記載の半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 【請求項３】 （Ｃ）成分の水酸基価が１０～１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇである、請求項１または２に記載の半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 【請求項４】 （Ｃ）成分が（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、１～４０質量部である、請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。 【請求項５】 請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を備える半導体装置。」 第４ 特許異議申立書に記載された申立理由及び取消理由通知書に記載した取消理由 １ 申立理由の概要 申立人は、証拠方法として甲第１、２号証（以下「甲１」、「甲２」という。）を提出し、特許異議申立書において、概要、以下の申立理由を主張する。 （１）申立理由１（甲１に基づく拡大先願） 請求項１～５に係る発明は、本件特許の出願の日前の特許出願であって、本件特許の出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた甲１の特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の出願の発明者が本件特許の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し取り消すべきものである。 （２）申立理由２（甲２に基づく拡大先願） 請求項１～５に係る発明は、本件特許の出願の日前の特許出願であって、本件特許の出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた甲２の特許出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の出願の発明者が本件特許の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し取り消すべきものである。 （３）証拠方法 甲１：特願２０１９－１６２０４９号（特開２０２１－３８３５６号公報） 甲２：特願２０２０－９３１４６号（特開２０２１－１８７９２３号公報） ２ 取消理由の概要 請求項１～５に係る特許に対して、取消理由通知書において通知した取消理由は、申立理由１及び２と同じ内容の取消理由１及び２である。 第５ 当審の判断 １ 取消理由１及び申立理由１（甲１に基づく拡大先願）について （１）甲１に記載された発明 甲１には、低熱膨張性を達成することのできる熱硬化性樹脂組成物を提供するという課題を解決するための発明として、特許請求の範囲には、請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物、当該熱硬化性樹脂組成物からなる半導体封止材、及び当該半導体封止材を含む半導体装置が記載されている（特許請求の範囲、【０００６】）。 また、上記の請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物に対応する「実施例１」（【０１２０】）として、〔合成例１〕において合成したポリエステル樹脂Ａ（【０１１７】）を含む、熱硬化性樹脂組成物であるエポキシ樹脂組成物が記載されている。〔合成例１〕において、用いられた「ＴｉＰＴ」は、【００４４】に記載された「テトライソプロピルチタネート」の略語であると認められる。 そして、上記の請求項１に記載の熱硬化性樹脂組成物に対応する「実施例１」の記載（【０１１７】、【０１２０】）に着目すると、甲１には、以下の「甲１発明」が記載されていると認められる。 ＜甲１発明＞ 「以下の組成からなる、半導体封止材用の熱硬化性樹脂組成物であるエポキシ樹脂組成物。 オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃）１００質量部 フェノールノボラック樹脂（硬化剤。軟化点８０℃） ５２質量部 溶融シリカ粒子 ５４６質量部 トリフェニルホスフィン（硬化促進剤） １質量部 合成例１で得られた両末端ＯＨ基ポリエステル樹脂 ３０質量部 〔合成例１〕 反応装置に、ビスフェノールＡ型グリコールエーテル（商標；ＤＩＣ株式会社製、『ハイプロックス ＭＤＢ－５６１』）を７７９．１質量部と、イソフタル酸を１３２．９質量部と、セバシン酸を４０．４質量部仕込み、昇温と撹拌を開始した。 次いで、内温を２３０℃に上昇した後、ＴｉＰＴ（テトライソプロピルチタネート）を０．１０質量部仕込み、２３０℃で２４時間反応させポリエステル樹脂を合成した。 得られたポリエステル樹脂の水酸基価は３６．９ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量は３，０４０、ガラス転移温度は－１４℃であった。」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 甲１発明の「オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃）」と本件発明１の「（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂」とは、「エポキシ樹脂」である限りにおいて一致する。 甲１発明の「フェノールノボラック樹脂（硬化剤。軟化点８０℃）」、「溶融シリカ粒子」、は、それぞれ本件発明１の「（Ｂ）硬化剤」、「（Ｄ）無機充填剤」に相当する。 甲１発明の「半導体封止材用の熱硬化性樹脂組成物であるエポキシ樹脂組成物」は、甲１の実施例１等に記載されるように、当該熱硬化性樹脂組成物を加熱硬化させて封止するものであることは、当業者において明らかであり、その加熱硬化させたものは、ある一定の形状を有するものであるから、「加熱硬化した成形品により」封止するといえる。したがって、甲１発明の「半導体封止材用の熱硬化性樹脂組成物であるエポキシ樹脂組成物」は、本件発明１の「加熱硬化した成型品により半導体素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物」に相当する。 甲１発明の「合成例１で得られた両末端ＯＨ基ポリエステル樹脂」は、両末端にＯＨ基を有するポリエステル樹脂であるから「ポリエステルポリオール」であり、芳香族環を含む「ビスフェノールＡ型グリコールエーテル」と「イソフタル酸」を構成成分とし、イソシアネート基を有しないものであり、かつ、「数平均分子量３０４０」である。したがって、甲１発明の「合成例１で得られた両末端ＯＨ基ポリエステル樹脂」は、本件発明１の「（Ｃ）イソシアネート基を有さないポリエステルポリオール」であって、「前記（Ｃ）成分の数平均分子量が１，５００～１０，０００の範囲内であり、（Ｃ）成分が、芳香族環を含むもの」であるものに相当する。 そうすると、両発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「加熱硬化した成型品により半導体素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物であって、 下記（Ａ）～（Ｄ）成分： （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）イソシアネート基を有さないポリエステルポリオール （Ｄ）無機充填材 を含み、前記（Ｃ）成分の数平均分子量が１，５００～１０，０００の範囲内であり、（Ｃ）成分が、芳香族環を含むものである、 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。」 ＜相違点１＞ （Ａ）成分のエポキシ樹脂に関し、本件発明１においては「シリコーン変性エポキシ樹脂を含む」ことが特定されているのに対し、甲１発明においては、「オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（軟化点５５℃）」である点 ＜相違点２＞ （Ｃ）成分に関し、本件発明１においては「７５℃における粘度が１，０００～２０，０００ｍＰａ．ｓ」であることが特定されているのに対し、甲１発明においては粘度が特定されていない点 イ 判断 相違点１について検討する。 甲１には、熱硬化性樹脂（Ａ）について、以下の記載がある。 「【００１０】 前記熱硬化性樹脂（Ａ）としては、エポキシ樹脂、ベンゾオキサジン構造含有樹脂、マレイミド樹脂、ビニルベンジル化合物、アクリル化合物、スチレンとマレイン酸無水物の共重合物等が挙げられ、少なくともエポキシ樹脂を含むことが好ましい。 【００１１】 前記エポキシ樹脂としては、１種又は２種以上を用いることができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂、ジグリシジルオキシナフタレン化合物（１，６－ジグリシジルオキシナフタレン、２，７－ジグリシジルオキシナフタレン等）、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン－フェノール付加反応型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール－フェノール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール－クレゾール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、１，１－ビス（２，７－ジグリシジルオキシ－１－ナフチル）アルカン等のナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、これら各種のエポキシ樹脂にリン原子を導入したリン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。」 上記記載によれば、甲１には、エポキシ樹脂として様々な例示がされているものの、「シリコーン変性エポキシ樹脂」を用いることは記載も示唆もされていない。 そして、半導体封止材用のエポキシ樹脂組成物において、「シリコーン変性エポキシ樹脂」を用いることが周知慣用の技術であるとする根拠は見いだせない。 したがって、相違点２について検討するまでもなく、相違点１は、実質的な相違点であるから、本件発明１と甲１発明とは同一ではない。 （３）本件発明２～４について ア 本件発明２～４は、本件発明１の構成を全て含み更に限定したものであり、本件発明５は、本件発明１～４のいずれかに係るエポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を備える半導体装置である。 そうすると、上記（２）と同様の理由により、本件発明２～５と甲１発明との間には、実質的な相違点である相違点１が存在するから、本件発明２～５と甲１発明とは同一ではない。 （４）小括 以上によれば、本件発明１～５は、甲１に記載された発明と同一ではないから、取消理由１及び申立理由１は理由がない。 ２ 取消理由２及び申立理由２（甲２に基づく拡大先願）ついて （１）甲２に記載された発明 甲２には、高い接合強度を有し且つ反りの発生が抑制された硬化物を得ることが可能な樹脂組成物、当該樹脂組成物を用いた樹脂シート及び半導体チップパッケージを提供することを課題とする発明として、請求項１に記載の樹脂組成物、当該樹脂組成物の硬化物により形成された硬化物層を含む回路基板上に搭載された半導体チップを含む半導体チップパッケージが記載されている（特許請求の範囲、【０００５】）。 また、上記樹脂組成物は、特に半導体を封止するための樹脂組成物（半導体封止用の樹脂組成物）として好適に使用できることが記載されている（【００８３】）。 そして、上記の請求項１に記載の樹脂組成物に対応する「実施例１」の記載（【０１３８】、【０１４０】）に着目すると、甲２には、以下の「甲２発明」が記載されていると認められる。 ＜甲２発明＞ 「以下の組成からなる、半導体封止用の樹脂組成物。 脂環式エポキシ樹脂 ６．６部 （ダイセル社製「ＣＥＬ２０２１Ｐ」、エポキシ当量136g/eq.） ナフタレン型エポキシ樹脂 ８部 （ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２Ｄ」、エポキシ当量142g/eq.） アミン硬化剤 ０．５部 （日本化薬社製「カヤハードＡ－Ａ」） シリカＡ ８０部 硬化促進剤 ０．４部 （四国化成社製「２ＭＡ－ＯＫ」） 合成例１で合成した芳香族構造を有するポリエステルポリオール樹脂Ａ ２．５部 〔合成例１〕 反応装置に、ビスフェノールＡ型グリコールエーテル（ハイブロックスＭＤＢ－５６１、ＤＩＣ社製）を７７９．１質量部と、イソフタル酸を１３２．９質量部と、セバシン酸を４０．４質量部仕込み、昇温と撹拌を開始した。 次いで、内温を２３０℃に上昇した後、テトライソプロピルチタネートを０．１０質量部仕込み、２３０℃で２４時間反応させ芳香族構造を有するポリエステルポリオール樹脂Ａを合成した。得られた芳香族構造を有するポリエステルポリオール樹脂Ａは、両末端にＯＨ基を有し、その水酸基価は３６．９ｍｇＫＯＨ／ｇ、数平均分子量は３０４０、ガラス転移温度は－１４℃、７５℃における粘度は９Ｐａ・ｓであった。」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲２発明とを対比する。 甲２発明の「脂環式エポキシ樹脂（ダイセル社製「ＣＥＬ２０２１Ｐ」、エポキシ当量136g/eq.）」及び「ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４０３２Ｄ」、エポキシ当量142g/eq.）」と、本件発明１の「（Ａ）シリコーン変性エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂」とは、「エポキシ樹脂」である限りにおいて一致する。 甲２発明の「アミン硬化剤（日本化薬社製「カヤハードＡ－Ａ」）」、「シリカＡ」は、それぞれ件発明１の「（Ｂ）硬化剤」、「（Ｄ）無機充填剤」に相当する。 甲２発明の「半導体封止用の樹脂組成物」は、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物であり、また、甲２の【００８０】等に記載されるように、当該樹脂組成物を加熱硬化させて封止するものであることは当業者において明らかであり、その加熱硬化させたものは、ある一定の形状を有するものであるから、「加熱硬化した成型品により」封止するといえる。したがって、甲２発明の「半導体封止材用の熱硬化性樹脂組成物」は、本件発明１の「加熱硬化した成型品により半導体素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物」に相当する。 甲２発明の「合成例１で合成した芳香族構造を有するポリエステルポリオール樹脂Ａ」は、芳香族環を含む「ビスフェノールＡ型グリコールエーテル」と「イソフタル酸」を構成成分とし、イソシアネート基を有しないものであるから、本件発明１の「（Ｃ）イソシアネート基を有さないポリエステルポリオール」であって、「（Ｃ）成分が、芳香族環を含むもの」に相当する。 甲２発明の「合成例１で合成した芳香族構造を有するポリエステルポリオール樹脂Ａ」の「数平均分子量は３０４０」及び「７５℃における粘度は９Ｐａ・ｓ」は、それぞれ本件発明１の「前記（Ｃ）成分の数平均分子量が１，５００～１０，０００の範囲内」及び「（Ｃ）成分の７５℃における粘度が１，０００～２０，０００ｍＰａ．ｓ」に相当する そうすると、本件発明１と甲２発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「加熱硬化した成型品により半導体素子を封止するためのエポキシ樹脂組成物であって、 下記（Ａ）～（Ｄ）成分： （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）イソシアネート基を有さないポリエステルポリオール （Ｄ）無機充填材 を含み、前記（Ｃ）成分の数平均分子量が１，５００～１０，０００の範囲内であり、（Ｃ）成分が、芳香族環を含むものであり、（Ｃ）成分の７５℃における粘度が１，０００～２０，０００ｍＰａ．ｓである、半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。」 ＜相違点１’＞ （Ａ）成分のエポキシ樹脂に関し、本件発明１においては「シリコーン変性エポキシ樹脂を含む」ことが特定されているのに対し、甲２発明においては「脂環式エポキシ樹脂」及び「ナフタレン型エポキシ樹脂」である点 イ 判断 相違点１’について検討する。 甲２には、エポキシ樹脂について、以下の記載がある。 「【００１２】 ＜（Ａ）エポキシ樹脂＞ 樹脂組成物は、（Ａ）成分として、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。（Ａ）エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサン型エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ－ブチル－カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等の縮合環骨格を含有するエポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、（Ａ）エポキシ樹脂としては、本発明の効果を顕著に得る観点から、縮合環骨格を含有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。」 上記記載によれば、甲２には、エポキシ樹脂として様々な例示がされているものの、「シリコーン変性エポキシ樹脂」を用いることは記載も示唆もされていない。 そして、半導体封止材用のエポキシ樹脂組成物において、「シリコーン変性エポキシ樹脂」を用いることが周知慣用に技術であるとする根拠は見いだせない。 したがって、相違点１’は、実質的な相違点であるから、本件発明１と甲２発明とは同一ではない。 （３）本件発明２～５について 本件発明２～４は、本件発明１の構成を全て含み更に限定したものであり、本件発明５は、本件発明１～４のいずれかに係るエポキシ樹脂組成物で封止された半導体素子を備える半導体装置である。 そうすると、上記（２）と同様の理由により、本件発明２～５と甲２発明との間には、実質的な相違点である相違点１が存在するから、本件発明２～５と甲１発明とは同一ではない。 （４）小括 以上によれば、本件発明１～５は、甲２に記載された発明と同一ではないから、取消理由２及び申立理由２は理由がない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、請求項１～５に係る特許は、特許異議申立書に記載された申立理由及び取消理由通知書に記載した取消理由によっては、取り消すことはできない。 また、その他の請求項１～５に係る特許を取り消すべき理由は見いだせない。 よって、結論のとおり決定する。