2023-701171

特許第７２６９４１６号発明「石英ガラスクロスの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２６９４１６号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔３～７、９〕について訂正することを認める。 特許第７２６９４１６号の請求項１～９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２６９４１６号（以下「本件特許」という。）の請求項１～９に係る特許についての出願は、令和４年６月２日に出願され、令和５年４月２５日にその特許権の設定登録（特許掲載公報令和５年５月８日発行）がされ、その後、その特許について、令和５年１１月７日に特許異議申立人河原田隆（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、令和６年２月２１日付けで取消理由が通知され、令和６年４月１５日に特許権者から意見書の提出及び訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）がされた。なお、本件訂正請求について、申立人から意見書は提出されなかった。 第２ 本件訂正請求について １．訂正の内容 本件訂正請求は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項３～７、９について訂正することを求めるものであり、その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。なお、下線は、訂正箇所に当審が付したものである。 （１）訂正事項 特許請求の範囲の請求項３の「加熱工程」を、 「加熱工程（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。）」に訂正する。（請求項３の記載を直接的又は間接的に引用する請求項４～７、９も同様に訂正する。） （２）一群の請求項について 訂正前の請求項４～７、９は、請求項３の記載を直接的又は間接的に引用するものであるから、本件訂正請求は、一群の請求項ごとにされたものである。 ２．訂正の適否 上記訂正事項は、「加熱工程」について「（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。）」とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 この「（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。）」とすることにより、新たな技術的事項が導入されるものではなく、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、上記訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３．訂正についてのまとめ 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、本件訂正後の請求項〔３～７、９〕について訂正を認める。 第３ 本件特許発明 本件特許の請求項１～９に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明９」といい、総称して「本件発明」ともいう。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む、４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 【請求項２】 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスをヒートクリーニングする工程を含む、４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 【請求項３】 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスをヒートクリーニングする工程と、 ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する加熱工程（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。） とを含む、４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項４】 気体が、空気及び不活性ガスから選ばれ、露点１５℃以下の気体である請求項１ ～３のいずれか１項記載の石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項５】 露点が０℃以下の乾燥気体を、炉内に導入する請求項１～３のいずれか１項記載の石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項６】 加熱前、昇温中、温度保持中及び降温中のいずれか１つ以上に、露点が０℃以下の乾燥気体を、炉内に導入する請求項５記載の石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項７】 降温中に、露点が０℃以下の乾燥気体を、炉内に導入する請求項６記載の石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項８】 ヒートクリーニングする工程後に、さらにシラン処理工程を含む、請求項１又は２記載の石英ガラスクロスの製造方法。 【請求項９】 加熱工程後に、さらにシラン処理工程を含む、請求項３記載の石英ガラスクロスの製造方法。」 第４ 取消理由通知に記載した取消理由について １．取消理由の概要 本件特許の請求項３～５、９に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 ＜引用刊行物＞ 甲第１号証：特開２０２１－１９５６８９号公報 甲第１３号証：特開２０２１－６３３２０号公報 以下、甲第１号証を「甲１」といい、その他も同様にいう。 ２．取消理由についての判断 （１）甲１に記載された発明 甲１（特に、請求項１及び７）には、ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロスに対して、ヒートクリーニング（【００５０】）を行った後の熱処理工程（【００５３】）について、次の「甲１発明」が記載されている。 「ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングを行った後、電気加熱炉に入れ、５００℃～１５００℃の温度で加熱処理し、前記加熱処理した石英ガラスクロスの表面をエッチング液でエッチング処理して、１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１０未満で引張強さがクロス重量（ｇ／ｍ２）当たり１．０Ｎ／２５ｍｍ以上のアニールド石英ガラスクロスとする、アニールド石英ガラスクロスの製造方法。」 （２）本件発明３について ア 本件発明３と甲１発明を対比する。 甲１発明の「ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロス」は、本件発明３の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」に相当し、甲１発明の「ヒートクリーニングを行」うことは、本件発明３の「ヒートクリーニングする工程」に相当する。 甲１発明の「電気加熱炉に入れ、５００℃～１５００℃の温度で加熱処理」することは、本件発明３の「加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する加熱工程（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。）」と、「加熱炉に入れて加熱する加熱工程」という限りで一致する。 甲１発明の「アニールド石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明３の「石英ガラスクロスの製造方法」に相当する。 そうすると、本件発明３と甲１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスをヒートクリーニングする工程と、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、加熱炉に入れて加熱する加熱工程とを含む、石英ガラスクロスの製造方法。 《相違点１》 「加熱炉に入れて加熱する加熱工程」に関し、本件発明３が、「真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する加熱工程（但し、ヒートクリーニングされた石英ガラスクロスを、５００～１，５００℃で加熱する工程を除く。）」であるのに対し、甲１発明は、「５００℃～１５００℃の温度で加熱処理」である点。 《相違点２》 本件発明３が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲１発明は、「１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１０未満」である石英ガラスクロスの製造方法である点。 イ 上記相違点１について検討する。 本件発明３の加熱工程は、真空又は露点１５℃以下の気体中であること、最高加熱温度が１００～６００℃であること、及び、１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となることを条件としている。 一方、甲１発明は、「加熱雰囲気としては、・・・真空中や減圧下でも特に限定されるものではないが、通常はコストなども考え、常圧の空気中で行う。」（甲１の【００５６】。ただし、「・・・」は記載の省略）としており、真空又は露点１５℃以下の気体中で加熱を行うことは意図しておらず、むしろ除外しているとも理解されるうえ、本件発明３における「最高加熱温度」や「加熱量（℃・ｈ）」といったパラメータについても一切着目していない。 そして、この点に関し、甲１３には、記載も示唆もされていない。 よって、本件発明３の相違点１に係る構成は、甲１発明及び甲１３に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものではない。 ウ そうすると、上記相違点２について検討するまでもなく、本件発明３は、甲１発明及び甲１３に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明４、５、９について 本件発明４、５、９は、本件発明３の発明特定事項を全て備えるものであるところ、上記（２）で述べたように、本件発明３は、甲１発明及び甲１３に記載された技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明４、５、９も、甲１発明及び甲１３に記載された技術的事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第５ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １．申立理由 申立人は、取消理由通知に記載した取消理由のほか、次の理由を申し立てている。 （１）新規性、進歩性に係る申立理由 ア 本件発明１～４、８、９に対する、甲１に基づく新規性 イ 本件発明１、２、４、５、８に対する、甲１に基づく進歩性（ただし、請求項４、５は本件発明１、２を引用するもの） ウ 本件発明１、２、４、５、８に対する、甲１１（特開２０１４－１２２４４６号公報）に基づく進歩性 エ 本件発明１、２、４、５、８に対する、甲７（特開２０１６－１０８１６２号公報）に基づく進歩性 （２）記載不備に係る申立理由 ア サポート要件 （ア）「真空」について （イ）「露点１５℃」について イ 明確性要件 （ア）「真空」について （イ）「誘電正接」について ウ 実施可能要件 露点の測定方法について ２．各申立理由についての判断 （１）甲１に基づく新規性、進歩性について まず、進歩性について検討する。 ア 甲１に記載された発明 甲１（特に、請求項１及び７、【００８９】）には、次の「甲１Ａ発明」が記載されている。 「ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロスを、４００℃で１０時間加熱処理することで繊維用収束剤を除去して、１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１１で引張強さが８０Ｎ／２５ｍｍであるアニールド石英ガラスクロスとする、アニールド石英ガラスクロスの製造方法。」 イ 本件発明１、４、５、８について （ア）本件発明１と甲１Ａ発明とを対比する。 甲１Ａ発明の「ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロス」は、本件発明１の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」に相当し、甲１Ａ発明の「加熱処理することで繊維用収束剤を除去」することは、本件発明１の「ヒートクリーニングする工程」に相当する。 甲１Ａ発明の「４００℃で１０時間加熱処理することで繊維用収束剤を除去」することは、本件発明１の「ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」と、「ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である」という限りで一致する。 甲１Ａ発明の「アニールド石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明１の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１Ａ発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点１Ａ》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明１が、石英ガラスクロスを「真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」であるのに対し、甲１Ａ発明は、石英ガラスクロスを「４００℃で１０時間加熱処理する」である点。 《相違点２Ａ》 本件発明１が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲１Ａ発明は、「１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１１」である石英ガラスクロスの製造方法である点。 （イ）上記相違点１Ａについて検討する。 甲１Ａには、ヒートクリーニングする工程について、「石英ガラスクロスを４００℃で１０時間加熱処理することで繊維用集束剤を除去した」（【００８９】）旨記載されているが、加熱処理の過程で、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱するとはされていない。 この点に関し、甲１３には、「非加熱処理シリカガラスクロスの加熱処理温度は、４５０℃～１６５０℃が好ましく、・・・このような加熱処理温度であれば、加熱処理体の誘電特性を好ましいものとすることができる。加熱方法としては、炉による加熱として電気加熱炉、マッフル炉、管状加熱炉等による加熱方法が挙げられるが、・・・酸水素火炎による方法ではＯＨの起因となるＨ２Ｏが生成するため、好ましくない。」（【００５０】）、「非加熱処理シリカガラスクロスの加熱処理は、不純物が混入するのを避けるため、不活性ガス雰囲気で行うことが好ましく、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム雰囲気で行うことができる。また、不活性ガス中の水分はできるだけ少ない方が好ましく、実質的に含まないことがより好ましい。場合により、乾燥空気を用いることもできる。」（【００５２】）と記載されており、加熱炉内に存在する水分ができるだけ少ない方が良く、乾燥空気下で加熱処理を行うこともできる事項が記載されていると認められる。 しかしながら、甲１３の上記加熱処理は、「基板に用いられるシリカガラスクロスを加熱するという平易な方法で、誘電正接を１０分の１以下にし、伝送損失を抑え」（【００２１】）ることを意図して行われるものであり、石英ガラスの収束剤を除去するヒートクリーニング工程においてまで、加熱炉内に存在する水分ができるだけ少ない方が良く、乾燥空気下で加熱処理を行うとはされていない。 そうすると、甲１及び甲１３を参照した当業者は、甲１Ａ発明のヒートクリーニング工程について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明１の石英ガラスクロスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを容易に想到し得ない。 よって、相違点２Ａを検討するまでもなく、本件発明１と、請求項１を引用する本件発明４、５、８は、甲１に基づく進歩性により取消すべきものではない。 ウ 本件発明２、４、５、８について （ア）本件発明２と甲１Ａ発明とを対比する。 甲１Ａ発明の「ＳｉＯ２の含有量が９９．５質量％以上の石英ガラスクロス」は、本件発明２の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」に相当し、甲１Ａ発明の「加熱処理することで繊維用収束剤を除去」することは、本件発明２の「ヒートクリーニングする工程」に相当する。 甲１Ａ発明の「４００℃で１０時間加熱処理することで繊維用収束剤を除去」することは、本件発明２の「上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」と、「ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である」という限りで一致する。 甲１Ａ発明の「アニールド石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明２の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明２と甲１Ａ発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点３Ａ》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明２が、石英ガラスクロスを「真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」であるのに対し、甲１Ａ発明は、石英ガラスクロスを「４００℃で１０時間加熱処理する」である点。 《相違点４Ａ》 本件発明２が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲１Ａ発明は、「１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１１」である石英ガラスクロスの製造方法である点。 （イ）上記相違点３Ａについて検討する。 上記（１）イ（イ）で検討したとおり、甲１及び甲１３を参照した当業者は、甲１Ａ発明のヒートクリーニング工程について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明２の石英ガラスクロスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを容易に想到し得ない。 よって、相違点４Ａを検討するまでもなく、本件発明２と、請求項２を引用する本件発明４、５、８は、甲１に基づく進歩性により取消すべきものではない。 エ 小括 本件発明１、２、４、５、８は、特許法第２９条第２項に違反しておらず、同法第１１３条第２号に該当しない。 また、新規性についても、本願発明１～４、８、９は、第４の２．（２）、（３）及び第５の２．（１）イ、ウのとおり、甲１発明又は甲１Ａ発明ではないから、特許法第２９条第１項第３号に違反しておらず、同法第１１３条第２号に該当しない。 （２）甲１１に基づく進歩性について ア 甲１１に記載された発明 甲１１の、特に実施例１に着目すると、次の「甲１１発明」が記載されているといえる。 「信越石英社製石英ガラスクロス２１１６タイプの生布を、線膨張係数が０．５×１０－６／℃である天然石英ガラスから作成した芯材に巻き取り、４００℃にて１０時間加熱処理を行なう、ヒートクリーニング処理を含む石英ガラスクロスの製造方法。」 イ 本件発明１、４、５、８について （ア）本件発明１と甲１１発明とを対比する。 甲１１発明の「信越石英社製石英ガラスクロス２１１６タイプの生布」は、本件発明１の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」と、「石英ガラスクロス」という限りで一致する。 甲１１発明の「４００℃にて１０時間加熱処理を行なう、ヒートクリーニング処理」は、本件発明１の「ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」と、「ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である」という限りで一致する。 甲１１発明の「石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明１の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点１１（１）》 本件発明１は「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」であるのに対し、甲１１発明は、石英ガラスクロスが含むＳｉＯ２の質量％について特定されていない点。 《相違点１１（２）》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明１が、「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」であるのに対し、甲１１発明は、石英ガラスクロスを「４００℃にて１０時間加熱処理を行なう」点。 《相違点１１（３）》 本件発明１が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲１１発明は、誘電正接について特定されていない点。 （イ）説明の都合上、上記相違点１１（２）から検討する。 上記（１）イ（イ）で述べたように、甲１１発明のヒートクリーニング処理について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明１の、石英ガラスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを想到し得ない。 よって、相違点１１（１）及び相違点１１（３）を検討するまでもなく、本件発明１と、請求項１を引用する本件発明４、５、８は、甲１１に基づく進歩性により取消すべきものではない。 ウ 本件発明２、４、５、８について （ア）本件発明２と甲１１発明とを対比する。 甲１１発明の「信越石英社製石英ガラスクロス２１１６タイプの生布」は、本件発明２の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」と、「石英ガラスクロス」という限りで一致する。 甲１１発明の「４００℃にて１０時間加熱処理を行なう、ヒートクリーニング処理」は、本件発明２の「上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」と、「ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である」という限りで一致する。 甲１１発明の「石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明２の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明２と甲１１発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点１１（４）》 本件発明２は「ＳｉＯ2を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」であるのに対し、甲１１発明は、石英ガラスクロスが含むＳｉＯ2の質量％について特定されていない点。 《相違点１１（５）》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明２が、「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」であるのに対し、甲１１発明は、石英ガラスクロスを「４００℃にて１０時間加熱処理を行なう」点。 《相違点１１（６）》 本件発明２が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲１１発明は、誘電正接について特定されていない点。 （イ）説明の都合上、上記相違点１１（５）から検討する。 上記（２）イ（イ）で述べたように、甲１１発明のヒートクリーニング処理について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明２の、石英ガラスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを想到し得ない。 よって、相違点１１（４）及び相違点１１（６）を検討するまでもなく、本件発明２と、請求項２を引用する本件発明４、５、８は、甲１１に基づく進歩性により取消すべきものではない。 エ 小括 本件発明１、２、４、５、８は、特許法第２９条第２項に違反しておらず、同法第１１３条第２号に該当しない。 （３）甲７に基づく進歩性について ア 甲７に記載された発明 甲７は、「シラン処理前に加熱分解処理いわゆるヒートクリーニング法によって集束剤を完全に除去すること」（【０００５】）に関し、特に実施例１に着目すると、次の「甲７発明」が記載されているといえる。 「石英ガラス繊維に石英ガラス収束剤を塗布して石英ガラスヤーンを作製し、得られた石英ガラスヤーンをエアージェット織機により石英ガラスクロスとし、この石英ガラスクロスを３５０℃の加熱炉の中で１０時間加熱してヒートクリーニングする処理を含む石英ガラスクロスの製造方法。」 イ 本件発明１、４、５、８について （ア）本件発明１と甲７発明とを対比する。 甲７発明の「石英ガラスクロス」は、本件発明１の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」と、「石英ガラスクロス」という限りで一致する。 甲７発明の「石英ガラスクロスを３５０℃の加熱炉の中で１０時間加熱してヒートクリーニングする処理」は、本件発明１の「ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」と、「ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である」という限りで一致する。 甲７発明の「石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明１の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲７発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ2を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点７（１）》 本件発明１は「ＳｉＯ2を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」であるのに対し、甲７発明は、石英ガラスクロスが含むＳｉＯ2の質量％について特定されていない点。 《相違点７（２）》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明１が、「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～６００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である（但し、石英ガラスクロスを４５０℃～１，６５０℃で加熱する方法を除く。）」であるのに対し、甲７発明は、「石英ガラスクロスを３５０℃の加熱炉の中で１０時間加熱してヒートクリーニングする」点。 《相違点７（３）》 本件発明１が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲７発明は、誘電正接について特定されていない点。 （イ）説明の都合上、上記相違点７（２）から検討する。 上記（１）イ（イ）で述べたように、甲７発明のヒートクリーニング処理について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明１の、石英ガラスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを想到し得ない。 よって、相違点７（１）及び相違点７（３）を検討するまでもなく、本件発明１と、請求項１を引用する本件発明４、５、８は、甲７に基づく進歩性により取消すべきものではない。 ウ 本件発明２、４、５、８について （ア）本件発明２と甲７発明とを対比する。 甲７発明の「石英ガラスクロス」は、本件発明２の「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」と、「石英ガラスクロス」という限りで一致する。 甲７発明の「石英ガラスクロスを３５０℃の加熱炉の中で１０時間加熱してヒートクリーニングする処理」は、本件発明２の「上記ヒートクリーニングする工程が、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」と、「ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱炉に入れて加熱する方法である」という限りで一致する。 甲７発明の「石英ガラスクロスの製造方法」は、本件発明２の「石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）」に相当する。 そうすると、本件発明２と甲７発明の一致点及び相違点は次のとおりである。 《一致点》 石英ガラスクロスを、ヒートクリーニングする工程を含む石英ガラスクロスの製造方法であって、 上記ヒートクリーニングする工程が、石英ガラスクロスを加熱する方法である、上記石英ガラスクロスの製造方法（但し、ＳｉＯ2を９５質量％以上含む石英ガラスクロスが、硝酸エステル化ガラスクロスである製造方法を除く。）。 《相違点７（４）》 本件発明２は「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロス」であるのに対し、甲７発明は、石英ガラスクロスが含むＳｉＯ２の質量％について特定されていない点。 《相違点７（５）》 「ヒートクリーニングする工程」に関し、本件発明２が、「ＳｉＯ２を９５質量％以上含む石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、真空又は露点１５℃以下の気体中で、最高加熱温度が１００～４００℃、かつ１００℃以上の加熱温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱する方法である」であるのに対し、甲７発明は、「石英ガラスクロスを３５０℃の加熱炉の中で１０時間加熱してヒートクリーニングする」点。 《相違点７（６）》 本件発明２が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であるのに対し、甲７発明は、誘電正接について特定されていない点。 （イ）説明の都合上、上記相違点７（５）から検討する。 上記（３）イ（イ）で述べたように、甲７発明のヒートクリーニング処理について、甲１３の加熱処理を採用する動機付けは見いだせず、本件発明２の、石英ガラスをヒートクリーニングする工程において、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で加熱することを想到し得ない。 よって、相違点７（４）及び相違点７（６）を検討するまでもなく、本件発明２と、請求項２を引用する本件発明４、５、８は、甲７に基づく進歩性により取消すべきものではない。 エ 小括 本件発明１、２、４、５、８は、特許法第２９条第２項に違反しておらず、同法第１１３条第２号に該当しない。 （４）サポート要件について ア 本件明細書を参照すると、本件発明の解決しようとする課題は、「誘電正接を低くすることができる石英ガラスクロスの加熱方法、加熱処理後に特別な後処理をすることなく、低誘電化石英ガラスクロスを製造できる、製造方法を提供すること」（【０００５】）である。 イ この課題の解決にあたり、発明の詳細な説明には、「石英ガラスは９５質量％以上がＳｉＯ２であり、表面のＳｉ－ＯＨ基は活性が強く、特に高温雰囲気では水分を水素結合で取り込み、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を開裂させることでさらにＳｉ－ＯＨ基が生じると考えられる（ＳｉＯ２＋Ｈ２Ｏ⇔Ｓｉ－ＯＨ）。ここで生じるＳｉ－ＯＨ基がガラスクロスの誘電正接を悪化させる。」、「ガラスクロスの量産においてガラスクロスを加熱する加熱炉はガス炉が一般的に用いられており、都市ガス等の燃焼を熱源としていることから、生成物として大量の二酸化炭素と水が生じる。結果として加熱機構に水分を発生させる加熱炉を用いることで上記反応をＳｉ－ＯＨ基が生成する方向に平衡が傾くことを見出した。」、「石英ガラスクロスを加熱炉に入れ、炉内を真空又は露点１５℃以下の気体中で、１００～６００℃、かつ１００～６００℃の温度温度（℃）×加熱時間（ｈ）で表される加熱量が４５０（℃・ｈ）以上となる条件で加熱することで、加熱炉内の水分量をさらに低下させ、さらに平衡反応を左へ傾けることができ、加熱のみで誘電正接を低下させることができ、この加熱工程を含むことで、４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である低誘電化石英ガラスクロスが得られることを知見し、本発明をなすに至った」（いずれも【０００６】）と記載されている。 上記記載から、炉内を真空又は露点１５℃以下の気体中とするのは、炉内に水分が存在するとＳｉ－ＯＨ基が生成する方向に平衡が傾いてしまうため、炉内の水分を少ない状態としてＳｉ－ＯＨ基が減少する方向に平衡が傾くようにするためであり、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で、かつ、本件発明の加熱条件で加熱することにより、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である低誘電化石英ガラスクロス」が得られるものと理解できる。 そして、本件発明には、「真空又は露点１５℃以下の気体中」で、かつ、所定の加熱条件で加熱することが特定されており、当業者は、本件発明が発明の課題が解決できることを認識し得るものといえる。 ウ 申立人は、甲１４（JIS Z8126-1:2021「真空技術-用語-第１部：一般用語」）を示して、「真空」とは「通常の大気圧より低い圧力（分子密度）の気体で満たされた空間の状態」をいい、例えば１Ｐａだけ小さいような大気圧未満であることも含むものであるから、本件発明は、低誘電正接化の課題を達成し得ない範囲を包含するものであり、サポート要件を満たさないと主張する（特許異議申立書８５～８６頁）。 しかし、本件発明が、加熱炉を「真空」とするのは、炉内の水分を少ない状態としてＳｉ－ＯＨ基が減少する方向に平衡が傾くようにするためであることからすれば、「真空」の状態は、炉内の水蒸気圧が大気圧下よりも低く、炉内の水分が少ない状態を意味し、その状態下で所定の加熱条件で加熱することにより、本件発明の課題を解決し得るといえるから、申立人の上記主張は採用できない。 エ また、申立人は、「露点１５℃以下」が普通に周りに存在する空気であり、これを使用する態様をも含むものは、本件発明の課題を解決できると認識できる範囲を超えるものであり、サポート要件を満たさないとも主張する（特許異議申立書８６～８７頁）。 しかし、本件発明の「露点１５℃以下の気体中」で加熱するとは、炉内に燃焼の生成物としての水（本件明細書の【０００６】）が生じても、炉内の露点を１５℃以下に維持することを意味するから、申立人がいう「普通に周りに存在する空気を使用する態様」を含むものではなく、申立人の上記主張も採用できない。 オ 以上を踏まえると、本件発明は、本件特許の発明の詳細な説明に記載したものであり、特許法第３６条第６項第１号に掲げる要件を満たすものである。 よって、本件発明は、同法第１１３条第４号に該当しない。 （５）明確性要件について ア 申立人は、本件明細書では、真空の要件について何ら具体的な特定がされておらず、どの程度を真空と定義するのか判然としないと主張する（特許異議申立書８７頁）。 しかし、「真空」とは、一般には、申立人が甲１４を示すように、「通常の大気圧より低い圧力（分子密度）の気体で満たされた空間の状態」を意味するところ、本件発明が「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下である石英ガラスクロスの製造方法」であることからすれば、当業者は、「真空」が、「４０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１５以下」とすることができる程度に、炉内の水蒸気圧が低いことを意味するものと理解できる。 よって、本件発明の「真空」の意味するものは明確であり、申立人の上記主張は採用できない。 イ また、申立人は、誘電正接は、測定時の温度と湿度に対しての依存性があることが技術常識（甲１５（「電気絶縁材料の比誘電率・誘電正接の湿度特性試験」、［online］、日置電機株式会社、［令和５年１１月１日検索］、インターネット＜https://www.hioki.co.jp/jp/products/introduction/detail/?dbid=442＞））であるところ、本件明細書では実施例においても測定時の温度と湿度が特定されていないため、どのような条件で測定した誘電正接によって特許発明の技術的範囲が定められているのかを当業者が理解することは困難であり、発明を明確に把握することができないと主張する（特許異議申立書８８頁）。 しかし、石英ガラスクロスの誘電正接（４０ＧＨｚ）は、本件明細書（【００５９】「ガラスクロスの１０ＧＨｚ及び４０ＧＨｚの誘電正接はエーイーティー社製空洞共振器（ＴＥ０１１モード）を用いて測定した。」）に記載されるように、一般に市販される測定装置により測定できるものであり、明記はされずとも、技術常識から測定装置の測定条件（温度、湿度等）は設定され得るものである。 実際、誘電正接の測定結果が示される、甲２の１（「ミリ波帯における誘電体基板の複素誘電率測定○１（当審注：丸内に数字の１）」、［online］、宇都宮大学古神研究室、２０１１マイクロウェーブ展、［令和５年１１月１日検索］、インターネット＜http://www.ee.utsunomiya-u.ac.jp/wp-content/ploads/2016/06/MWE2011_Meas.pdf＞）、甲１及び甲１３において、いずれも、測定装置の測定条件（温度、湿度等）は、特段、明記されていない。 したがって、本件発明の「誘電正接」の意味するものは明確であり、申立人の上記主張は採用できない。 ウ 以上を踏まえると、本件発明は明確であり、特許法第３６条第６項第２号に掲げる要件を満たすものである。 よって、本件発明は、同法第１１３条第４号に該当しない。 （６）実施可能要件について 申立人は、本件明細書の実施例では、「露点はオリオン社製露点モニターＭＧ－４０を用いて測定した」(【００５８】）ことが記載されており、実施例２及び１２においては露点が－７０℃であったことが記載されているが、この露点モニターＭＧ－４０の商品情報（甲１６(「露点モニターＭＧ」、［online］、オリオン機械株式会社、［令和５年１１月１日検索］、インターネット＜https://www.orionkikai.co.jp/product/kuatsu/equipment＞) によれば、露点の測定温度範囲は「－６０．０～＋４０．０℃」であり、－７０℃の露点は測定できないから、実施例２及び１２の説明記載は瑕疵があり、当業者はこれを実施することはできないと主張する（特許異議申立書８８頁）。 しかし、本件明細書記載の「オリオン社製露点モニターＭＧ－４０」で測定できない温度範囲である場合には、当業者は、その範囲を測定可能な装置を使用することができるから、本件明細書記載の測定装置の有効測定範囲が実施例の温度に達していないことをもって、測定できず実施できないとすることはできない。 したがって、申立人の上記主張は採用できない。 以上を踏まえると、本件特許の明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであり、特許法第３６条第４項第１号に掲げる要件を満たすものである。 よって、本件発明は、同法第１１３条第４号に該当しない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議の申立ての理由によっては、請求項１～９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。