2024-700102

特許第７３２２２６６号発明「プリプレグ用シリカガラスクロス」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７３２２２６６号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２〕、３について訂正することを認める。 特許第７３２２２６６号の請求項３に係る特許を維持する。 特許第７３２２２６６号の請求項１～２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７３２２２６６号の請求項１～３に係る特許についての出願（特願２０２２－１８２０１４号）は、令和元年１０月１６日に出願した特願２０１９－１８９３６４号の一部を令和４年１１月１４日に新たな特許出願としたものであって、令和５年７月２８日にその特許権の設定登録がされ、令和５年８月７日に特許掲載公報が発行された。 本件の特許異議の申立てに係る手続の経緯の概要は、次のとおりである。 令和６年 ２月 ７日 ：特許異議申立人河原田隆（以下「申立人」という。）による請求項１～３に係る特許に対する本件特許異議の申立て 令和６年 ６月 ６日付け：取消理由通知書 令和６年 ８月 ５日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 令和６年 ９月２０日 ：申立人による意見書の提出 令和６年１２月２４日付け：取消理由通知書（決定の予告） 令和７年 ２月２８日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（以下、この訂正請求書による訂正の請求を「本件訂正請求」といい、訂正自体を「本件訂正」という。） 令和７年 ４月１１日 ：申立人による意見書の提出 令和６年８月５日に提出された訂正請求書による訂正の請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 本件訂正の適否 １ 本件訂正の内容 本件訂正請求の趣旨は、「特許第７３２２２６６号の特許請求の範囲を、本件請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～３について訂正することを求める。」ものであり、本件訂正の内容は、訂正箇所に下線を付して示すと、次のとおりである。 （１）訂正事項１ 請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 請求項２を削除する。 （３）訂正事項３ ア 訂正事項３－１ 本件訂正前の請求項３に記載された 「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、」を、 「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、 前記プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスが、ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであり、」に訂正する。 イ 訂正事項３－２ 本件訂正前の請求項３に記載された 「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントからなる非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程と、」を、 「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程と、」に訂正する。 ウ 訂正事項３－３ 本件訂正前の請求項３に記載された 「前記非加熱処理シリカガラスクロスを４５０℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含み、」を、 「前記非加熱処理シリカガラスクロスを５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含み、」に訂正する。 エ 訂正事項３－４ 本件訂正前の請求項３に記載された 「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．７以下とする」を、 「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」に訂正する。 ２ 一群の請求項について 本件訂正前の請求項１～２は、請求項２が、本件訂正前の請求項１の記載を引用する関係にあるから、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものであり、訂正前の請求項１～２は、一群の請求項である。 また、本件訂正前の請求項３は、いずれの請求項を引用する関係にはなく、またいずれの請求項からも引用される関係にはないから、訂正事項３は、他のいずれの請求項とも一群の請求項を構成しない。 そうすると、本件訂正請求は、一群の請求項〔１～２〕、３について請求されたものである。 ３ 訂正の目的、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の適否について （１）訂正事項１及び２について 訂正事項１は請求項１を、訂正事項２は請求項２を、それぞれ削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項１及び２は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項１及び２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （２）訂正事項３ ア 訂正事項３－１について 訂正事項３－１は、本件訂正前の請求項３の「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロス」を「ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであ」るものに限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項３－１は、本件特許の明細書の【００１５】の記載に基づくものであるから、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件特許明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項３－１は、発明のカテゴリーや対象を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 イ 訂正事項３－２について 訂正事項３－２は、本件訂正前の請求項３の「非加熱処理シリカガラスクロス」を、「ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織し」てなるものであるものに限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項３－２は、本件特許の明細書の【００５３】の記載に基づくものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項３－２は、発明のカテゴリーや対象を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 ウ 訂正事項３－３について 訂正事項３－３は、本件訂正前の請求項３の「加熱処理シリカガラスクロスを得る工程」の温度範囲を、「４５０℃～１６５０℃」から「５００℃～１６５０℃」に限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項３－３は、本件特許の明細書の【００５０】の記載に基づくものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項３－３は、発明のカテゴリーや対象を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 エ 訂正事項３－４について 訂正事項３－４は、本件訂正前の請求項３の「ｔａｎδ１／ｔａｎδ２」の値を、「０．７以下」から「０．４７以下」に限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 訂正事項３－４は、本件特許の明細書の【００６６】及び【００７２】の【表１】に示される実施例２に基づくものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 また、訂正事項３－４は、発明のカテゴリーや対象を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 ４ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２〕、３について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正が認められたから、本件特許の請求項３に係る発明（以下「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 「【請求項３】 プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、 前記プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスが、ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであり、 ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程と、 前記非加熱処理シリカガラスクロスを５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含み、 前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数９ＧＨｚ以上で０．００１５以下とし、 前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とすることを特徴とするプリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法。」 第４ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について １ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～３に係る特許に対して、当審が取消理由通知（決定の予告）にて特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 （１）取消理由２（進歩性） 本件特許の請求項１～３に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）取消理由３（明確性要件） 本件の請求項１～２に係る特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 請求項１の記載には、「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロス」の製造段階での状態についての規定が含まれており、当該製造段階を経て現実に存在している具体的な物の、現実の状態を把握することによっては、当該発明特定事項を有するのか否かについて、たとえ当業者といえども判別することはできない。そうすると、現実に存在している具体的な物が、請求項に係る発明の範囲に入るか否かを当業者が理解することができず、本件特許の請求項１及びこれを引用する請求項２の記載は、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確である。 ＜引用文献等一覧＞ 甲６：特開２００９－２６３８２４号公報（申立人の提示した甲第６号証） 甲１１：特開２００４－３５３１３２号公報（周知技術を示す文献、申立人の提示した甲第１１号証） 引用文献１：特開２００４－９９３７６号公報（周知技術を示す文献、当審が引用した文献） 引用文献２：特開２００４－９９３７７号公報（同上） 引用文献３：特開２００８－１９６１０１号公報（同上） ２ 取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由についての当審の判断（１）引用文献の記載事項、引用発明 ア 甲６ （ア）甲６の記載 甲６には次の記載がある。下線は当審で付した。 「【請求項１】 平均フィラメント径が３μｍ以上９μｍ以下の石英ガラスフィラメントを１５本以上４９本以下の本数に束ねてストランドとし、該ストランドを撚り数４０ｔ／ｍ以下の撚り掛けをするか又は撚り掛け処理を施さずに構成される石英ガラス糸を、タテ糸およびヨコ糸の織り密度がそれぞれ１０本／ｃｍ以上９５本／ｃｍ以下で織布されてなるガラスクロスであって、該ガラスクロスの表面はシランカップリング剤により被覆され且つ該ガラスクロスの両耳部はほつれ防止加工が施されてなり、タテ糸およびヨコ糸を合わせた総フィラメント数が８０，０００本／ｍ２以上２８０，０００本／ｍ２以下であることを特徴とする石英ガラスクロス。」 「【発明の詳細な説明】 【技術分野】 【０００１】 本発明は、石英ガラス繊維を用いた石英ガラスクロスに関し更に詳細には多層プリント配線基板、特に周波数が１ＧＨｚ以上の高周波回路を形成する多層プリント配線基板に用いられる薄物石英ガラスクロスに関する。 【背景技術】 【０００２】 近年、ミリ波レーダー等に使用されるＩＣ回路にはＧＨｚ領域の高い周波数の利用が検討されており一部実用化が進んでいる。このような回路に使用されるプリント配線基板には比誘電率や誘電正接の向上が要求されるが、これらの誘電特性は基板中に補強剤として使用されているガラスクロス基材の物性が大きな影響を与え、石英ガラスを素材として用いた場合非常に優れた特性が得られる。また同時に多層化が進んでおりこれに用いられるガラスクロスには肉薄化が要求されている。薄物石英ガラスクロスの製造方法としては、例えば、特許文献１は厚さが２７μｍの石英ガラスクロスを製造する方法を開示している。」 「【００１９】 前記石英ガラスフィラメントの製造に用いられる石英ガラス素材は、不純物の少ない高純度なものを用いることが好ましく、石英ガラス素材中の不純物の濃度が、アルカリ金属であるＮａ、Ｋ、Ｌｉの総和が１０ｐｐｍ以下、Ｂが１ｐｐｍ以下、Ｐが１ｐｐｍ以下、Ｕが０．１ｐｐｂ以下であることがより好ましい。この時、金属不純物濃度はサイズ剤を除去した後、原子吸光法により測定を行った。」 「【００３４】 上記シランカップリング剤の濃度は通常０．１重量％～５重量％の間の希薄水溶液で使用されるが、特に０．１重量％～１重量％の間で使用するのが効果的である。本発明によるクロスを用いることで、上記シランカップリング剤が均一に付着しガラスクロス表面に対して、より均一な保護作用をもたらし取扱がし易くなるばかりでなく、プリプレグを製作する際に用いられる樹脂に対しても均一でムラのない塗布が可能となる。」 「【００３７】 本発明によれば、１ＭＨｚおよび１ＧＨｚの比誘電率がそれぞれ３．９以下および４．０以下であり、誘電正接がそれぞれ１×１０－４以下および２×１０－４以下であり、高周波プリント配線基板用として十分な性能を持つ石英ガラスクロスを得ることができる。」 「【００４１】 （実施例２） 実施例１と同様に石英ガラス素材を加熱延伸することにより平均フィラメント径φ５μｍ、フィラメント本数４９本の石英ガラスストランドを得た。この時ストランドには２％濃度の、澱粉に油剤エマルジョンを加えたものが１次サイズ剤として付与された。このストランドを同様に１．５％濃度の、澱粉に油剤エマルジョンを加えた２次サイズ剤を付与しながら撚糸機により撚り数１０ｔ／ｍで撚り掛けをした後、この糸の周りに５．５ｔｅｘの水溶性ポリビニルアルコール繊維を３００ｔ／ｍでカバリングしたものを用意した。 この石英ガラスのカバリング糸を用い、タテ糸２５本／ｃｍ、ヨコ糸２５本／ｃｍの織り密度をもつガラスクロスを、手織り織機を用い幅２５０ｍｍ長さ４００ｍｍの大きさに平織りで製織し、総フィラメント本数２４５，０００本／ｍ２の製織クロスを得た。 【００４２】 次に７０℃のお湯に製織クロスを含浸し２０分超音波をかけながらカバリング糸の溶解除去及び開繊処理を施した後、５０℃のオーブンに入れ乾燥した。乾燥後、５００℃、５時間大気炉中で熱処理を行い完全にカバリング糸を除去した。このクロスの目付けは１３．０ｇ／ｍ２であった。石英ガラスクロスを観察したところ目付けが小さいにも拘わらず疎密が比較的均一であり、波状のうねりを示す滑らかなクロスを得ることができた。この時のストランド扁平率は６となった。この時のクロスの厚さは２１μｍであった。 更に本ガラスクロスをガンマアミノプロピルトリメトキシシランの０．５％水溶液に浸した後、乾燥し、両耳部の端より幅１５ｍｍにエチレン―酢酸ビニル共重合体を用いローラーで糊付けを行なった。これにより耳部より糸のほつれがないクロスを得る事が可能となった。」 （イ）甲６に記載の発明 上記（ア）より、甲６には、特に【００４１】～【００４２】の実施例２より、以下の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されていると認める。 「高周波プリント配線基板用石英ガラスクロスの製造方法であって、 石英ガラス素材を加熱延伸したものを用い、フィラメント本数４９本の石英ガラスストランドを撚糸機により撚り掛けをした後、平織りで製織してなる製織クロスを準備する工程と、 前記製織クロスを５００℃で５時間熱処理を行う工程を含み、 前記熱処理を行った製織クロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数１ＭＨｚ及び１ＧＨｚでそれぞれ１×１０－４及び２×１０－４とする、 高周波プリント配線基板用石英ガラスクロスの製造方法。」 イ 周知技術について （ア）甲１１ 甲１１の【００２０】【表２】のサンプル１～８について、以下の事項が記載されている。 「サンプル１～８の周波数１ＭＨｚにおける誘電正接（以下「ｔａｎδ１ＭＨｚ」という。）と周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接（以下「ｔａｎδ１０ＧＨｚ」という。）の比ｔａｎδ１ＭＨｚ／ｔａｎδ１０ＧＨｚは、０．９又は０．５であること。 （イ）引用文献１ 引用文献１の【００２８】【表３】の実施例１、実施例２及び実施例３について、以下の事項が記載されている。 「実施例１、実施例２及び実施例３のｔａｎδ１ＭＨｚ／ｔａｎδ１０ＧＨｚは０．５であること。」 （ウ）引用文献２ 引用文献２の【００３５】【表３】の実施例１及び実施例２について、以下の事項が記載されている。 「実施例１及び実施例２のｔａｎδ１ＭＨｚ／ｔａｎδ１０ＧＨｚは０．５であること。」 （エ）引用文献３ 引用文献３の【００２０】【表２】、【００２９】【表５】のサンプル１～１０について、以下の事項が記載されている。 「サンプル１～９のｔａｎδ１ＭＨｚ／ｔａｎδ１０ＧＨｚは０．９又は０．５であること。」 （オ）周知技術 上記（ア）のサンプル１及びサンプル２に関する【００１８】及び【００１９】の記載、上記（イ）の実施例１、実施例２及び実施例３に関する【００２２】～【００２７】の記載、上記（ウ）の実施例１及び実施例２に関する【００２９】～【００３４】の記載、さらに上記（エ）のサンプル１及びサンプル２に関する【００１８】～【００１９】の記載と、サンプル９及びサンプル１０に関する【００２７】～【００２８】の記載より、上記（ア）～（エ）のものは、それぞれ石英ガラスクロスの製造方法及び繊維の構成が別異のものであるが、以下の事項は概ね周知の技術（以下「周知技術」という。）ということができる。 「高周波プリント配線基板用石英ガラスクロスにおいて、ｔａｎδ１ＭＨｚ／ｔａｎδ１０ＧＨｚは０．５～０．９程度であること。」 （２）取消理由２（進歩性）について ア 対比 本件発明と甲６発明を対比する。 甲６発明の「高周波プリント配線基板用石英ガラスクロスの製造方法」は「５００℃で５時間熱処理を行」う工程を有しているから、本件発明の「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法」との関係において、「加熱処理シリカガラスクロスの製造方法」である限りにおいてひとまず一致する。 石英ガラスがＳｉＯ２から構成されることは技術常識であり、また甲６の【００１９】の「前記石英ガラスフィラメントの製造に用いられる石英ガラス素材は、不純物の少ない高純度なものを用いることが好ましく」という記載を踏まえると、甲６発明の「石英ガラス素材を加熱延伸したものを用い」は、本件発明の「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントからなる」に相当する。 甲６発明の「フィラメント本数４９本の石英ガラスストランドを撚糸機により撚り掛けをした後、平織りで製織してなる製織クロスを準備する工程」は、本件発明の「ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであるであり」、及び「ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程」に相当する。 甲６発明の「熱処理を行った製織クロス」は、本件発明の「加熱処理シリカガラスクロス」に相当する。 甲６発明の「製織クロスを５００℃で５時間熱処理を行う工程を含み」は、甲６発明の「５００℃」という温度が本件発明の「５００℃～１６５０℃」という温度範囲に含まれており、甲６発明の「５時間」という時間が本件発明の「１分～７２時間」という時間範囲に含まれていることから、本件発明の「前記非加熱処理シリカガラスクロスを４５０℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含み」に相当する。 以上より、本件発明と甲６発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 ＜一致点＞ 「加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、 前記加熱処理シリカガラスクロスが、ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであり、 ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程と、 前記非加熱処理シリカガラスクロスを５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含む、加熱処理シリカガラスクロスの製造方法。」 ＜相違点１＞ 「加熱処理シリカガラスクロス」について、本件発明では、「プリプレグ用」であるのに対して、甲６発明では、「高周波プリント配線基板用」である点。 ＜相違点２＞ 本件発明では、「前記プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数９ＧＨｚで０．００１０以下とし、」ており、また、「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」のに対し、甲６発明では、「前記高周波プリント配線基板用石英ガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数１ＭＨｚ及び１ＧＨｚでそれぞれ１×１０－４及び２×１０－４とし、」ており、また、本件発明のようなｔａｎδ１／ｔａｎδ２の特定はしていない点。 イ 判断 事案に鑑み＜相違点２＞から検討する。 ＜相違点２＞について 本件発明において、「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」と規定することについて検討すると、上記＜一致点＞のところでも整理したとおり、本件発明と甲６発明とは、「前記加熱処理シリカガラスクロスが、ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであ」ること、「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程」を含むこと、「前記非加熱処理シリカガラスクロスを５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含む」ことが共通しており、その製造方法には一定の共通点がみられる。しかし、甲６の【００４１】には、「このストランドを同様に１．５％濃度の、澱粉に油剤エマルジョンを加えた２次サイズ剤を付与しながら撚糸機により撚り数１０ｔ／ｍで撚り掛けをした後、この糸の周りに５．５ｔｅｘの水溶性ポリビニルアルコール繊維を３００ｔ／ｍでカバリングしたものを用意した。」と記載され、【００４２】には、「次に７０℃のお湯に製織クロスを含浸し２０分超音波をかけながらカバリング糸の溶解除去及び開繊処理を施した後、５０℃のオーブンに入れ乾燥した。乾燥後、５００℃、５時間大気炉中で熱処理を行い完全にカバリング糸を除去した。」と記載されており、一方で、本件発明では、「ガラスヤーン」のカバリング、及び加熱処理によるカバリング糸の除去は行っていない。そうすると、本件発明と甲６発明とに上記のような共通点が存在しているとしても、甲６発明の「高周波プリント配線基板用石英ガラスクロス」において、熱処理後の周波数９ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδ１の熱処理前の周波数９ＧＨｚでの誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２が、本件発明１の数値範囲と同程度となっている蓋然性が高いとまではいえない。 加えて、上記（１）イ（オ）で示した周知技術を参酌したとしても「ｔａｎδ１／ｔａｎδ２」を０．４７以下とすることは、当業者が容易に想到し得たことではない。 ウ 小括 よって、本件発明は、他の相違点について検討するまでもなく、甲６発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）取消理由３（明確性）について 本件訂正により、請求項１及び請求項２は削除されたことより、取消理由３（明確性）については解消した。 （４）取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由についての当審の判断のまとめ よって、本件発明３は、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由によって取り消すことはできない。 第５ 取消理由通知（決定の予告）に採用しなかった特許異議申立書に記載の申立理由について １ 取消理由通知（決定の予告）で採用しなかった申立理由の概要について 取消理由通知（決定の予告）で採用しなかった特許異議申立理由の概要は次のとおりである。 （１）申立理由１（明確性要件） 本件特許は、特許請求の範囲の請求項１～３の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 「誘電正接」について、測定時の温度と湿度が特定されていないため、どのような温度及び湿度条件で測定された値によって請求項１～３に係る発明の技術的範囲が定めされているのか不明である。 請求項１の「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」について、当該記載の根拠とされる【００６６】の記載と整合していない。 （２）申立理由２（サポート要件） 本件特許は、特許請求の範囲の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 請求項１及び３の「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメント」という組成要件について、請求項１及び３において、他に規定される物性要件を満たし得るものであることを、発明の詳細な説明に記載や示唆又は本願出願時の技術常識から当業者が認識することができず、サポート要件に適合しない。 請求項３に係る発明は、出願人が令和５年５月１日の提出した意見書で示した、本発明の範囲外とされる「参考例」を含むものであり、請求項３の記載はサポート要件に適合しない。 請求項１及び３では誘電正接ｔａｎδ２について特定していないが、誘電正接ｔａｎδ２が取り得るあらゆる範囲のものまで本件発明を拡張ないし一般化することはできない。 （３）申立理由３（実施可能要件） 本件特許は、明細書の記載が以下の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 実施例４と実施例５の、加熱温度、加熱時間、ｔａｎδ１の値及びｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値を比較すると、実施例４の条件でｔａｎδ１の値及びｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値が下限に達していると認められ、実施例４の条件でのｔａｎδ１の値未満及びｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値未満の数値範囲を含む請求項１～３に係る発明は、明らかに実施できない範囲を含むものである。 ｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値が所定の数値範囲となるためには、ｔａｎδ２の値が影響することが明らかであるところ、ｔａｎδ２については規定しておらず、ｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値を所定の数値範囲とすることはできない。 請求項３に係る発明の、加熱処理時間「１分～７２時間」は、ｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値を所定の数値範囲とすることができない数値範囲を含むものである。 （４）申立理由４（新規事項） 本件特許は、令和５年５月１日付け手続補正書でした補正が、以下の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 請求項１の「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」について、当該記載の根拠とされる【００６６】には記載されていない。 （５）申立理由５－１（甲７を引用例とする新規性） 本件特許の請求項１及び３に係る発明は、甲７に記載の発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （６）申立理由５－２（甲７を主引用例とする進歩性） 本件特許の請求項１及び３に係る発明は、甲７及び甲１０に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （７）申立理由６－１（甲１１を引用例とする新規性） 本件特許の請求項１に係る発明は、甲１１に記載の発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 （８）申立理由７－１（甲６を主引用例とする進歩性） 本件特許の請求項１及び２に係る発明は、甲６及び甲１３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （９）申立理由７－２（甲６を引用例とする新規性） 本件特許の請求項３に係る発明は、甲６に記載の発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ＜引用文献等一覧＞ 甲７：実願平５－４３４７０号（実開平７－１０６９４号）のＣＤ－ＲＯＭ（申立人の提示した甲第７号証） 甲１０：特開平５－１７０４８３号公報（同甲第１０号証） 甲１１：特開２００４－３５３１３２号公報（上記甲１１） 甲１３：特開平７－１５７９７２号公報（申立人の提示した甲第１３号証） ２ 取消理由通知（決定の予告）で採用しなかった申立理由についての当審の判断 （１）甲７及び甲１０の記載並びに引用発明 ア 甲７ 甲７の【００１１】～【００１２】、【００１６】～【００１９】より、以下の発明（以下「甲７発明」という。」）が記載されていると認める。 「加熱処理高珪酸ガラス繊維クロスの製造方法であって、 前記加熱処理高珪酸ガラス繊維クロスが、ＳｉＯ２９６％以上を含有する高珪酸ガラス繊維の織布からなり、 ７００℃で４８時間加熱する、加熱処理高珪酸ガラス繊維クロスの製造方法。」 イ 甲１０ 甲１０の【請求項１】、【請求項７】、【００１２】、【００２１】より、以下の事項が記載されていると認める。 「加熱によってシラノール基量を低減し、これにより誘電正接を低下すること。」 （２）申立理由１（明確性要件）について 請求項に係る発明が明確に把握されるためには、請求項に係る発明の範囲が明確であること、すなわち、ある具体的な物や方法が請求項に係る発明の範囲に入るか否かを当業者が理解できるように記載されていることが必要である。 ここで、本件特許の請求項３の 「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、 前記プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスが、ガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織してなるものであり、 ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメントを束ねたガラスストランドに対して撚りを掛けたガラスヤーンを製織して非加熱処理シリカガラスクロスを準備する工程と、 前記非加熱処理シリカガラスクロスを５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含み、 前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数９ＧＨｚ以上で０．００１５以下とし、 前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とすることを特徴とするプリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法。」という記載は、プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの製造方法を規定するものとして明確であり、ある具体的な方法が請求項に係る発明の範囲に入るか否かを当業者が理解できるものである。 申立人は、「誘電正接」について、測定時の温度と湿度が特定されていない旨主張するが、申立人の示す甲４から把握できる「誘電正接は、測定時の温度と湿度に対しての依存性がある」とは、低温から２００℃を越える使用環境について考慮したものであるところ、本件特許の【０００２】の記載より、本件発明が極低温や高温を含む使用環境を想定しているとはいえない。すなわち、本件発明において、当業者が通常想定し得る温度と湿度で測定した「誘電正接」で把握し得るものである。 また申立人は、「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」について、【００６６】の記載と整合していない旨主張するが、ｔａｎδ１及びｔａｎδ２の実測値の有効数字等を考慮すれば、整合していないとまではいえない。 よって、申立理由１は理由がない。 （３）申立理由２（サポート要件）について 特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。以下検討する。 本件特許の【００１０】の記載から、本件特許に係る発明が解決しようとする課題は「誘電正接が低く、伝送損失が小さい基板（「基板」とは、プリプレグ、プリント配線板、又はこれらの積層板等を含む概念である）を作製することのできるシリカガラスクロス、前記シリカガラスクロスを用いたプリプレグ、及びプリント配線板を提供すること」である。 そして、請求項３では、プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロスの材料としての構成、加熱処理条件、加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１及び加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の非加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を規定しており、本件特許の【００６１】～【００７４】に示される実施例を参照することにより、請求項３に記載が、発明の詳細な説明の記載により、上記発明が解決しようとする課題を解決できると認識できる範囲のものであると判断できる。 申立人は、請求項１及び３の「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれるガラスフィラメント」という組成要件について、他に規定される物性要件を満たし得るものであることを、発明の詳細な説明の記載や示唆又は本願出願時の技術常識から当業者が認識することができない旨主張しているが、請求項３において、上記組成要件と、他に規定される物性要件とをともに規定することによって、発明が解決しようとする課題を解決できると認識できるものである。 また、本件訂正によって訂正された請求項３には、出願人が令和５年５月１日の提出した意見書で示した、「参考例」は含まれない。 さらに申立人は、請求項３では誘電正接ｔａｎδ２について特定していない旨主張するが、加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１及び加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の非加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を規定すれば、誘電正接ｔａｎδ２を導出することができるものである。 よって、申立理由２は理由がない。 （４）申立理由３（実施可能要件）について 物の発明について実施可能要件を満たすためには、明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が、その記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、当該発明に係る物を作り、使用をすることができる程度のものでなければならない。以下検討する。 本件発明が、本件特許の請求項３に記載のとおりのものであるところ、【００６１】～【００７４】には、実施例が示され、本件発明の発明特定事項を有する実施例２～５が【００１０】の記載から把握できる本件特許に係る発明が解決しようとする課題を解決するものとして記載されている。 これらの記載を参照することにより、当業者が、その記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明を実施できるものである。 申立人は、実施例４と実施例５からして請求項３に係る発明は、明らかに実施できない範囲を含むものであると主張するが、規定する全ての範囲について実施できることを求めるものではないことは明らかである。 また、申立人は、請求項３では誘電正接ｔａｎδ２について特定していない旨主張するが、加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１及び加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の非加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を規定すれば、誘電正接ｔａｎδ２を導出することができるものである。 さらに申立人は、請求項３に係る発明の、加熱処理時間「１分～７２時間」は、ｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値を所定の数値範囲とすることができない数値範囲を含むものであると主張するが、加熱処理時間「１分～７２時間」の全ての範囲でｔａｎδ１／ｔａｎδ２の値が所定の数値範囲となることが説明されていることを求めるものではないことは明らかである。 よって、申立理由３は理由がない。 （５）申立理由４（新規事項）について 「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１の前記非加熱処理シリカガラスクロスの周波数９ＧＨｚ以上での誘電正接ｔａｎδ２に対する比ｔａｎδ１／ｔａｎδ２を０．４７以下とする」について、【００６６】の記載との整合性については、ｔａｎδ１及びｔａｎδ２の実測値の有効数字等を考慮すれば、整合していないとまではいえない。 よって、申立理由４は理由がない。 （６）申立理由５－１、５－２（甲７を引用例とする新規性、進歩性）について ア 対比 本件発明と甲７発明とを対比する。 甲７発明の「加熱処理高珪酸ガラス繊維クロス」は、本件発明の「プリプレグ用加熱処理シリカガラスクロス」と、甲７発明では７００℃で４８時間加熱することより、「加熱処理シリカガラスクロス」である限りにおいて一致する。 甲７発明の「ＳｉＯ２９６％以上を含有する」ことは、本件発明の「ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれる」ことに相当する。 また、甲７発明の「７００℃で４８時間加熱する」ことは、本件発明の「５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理」することに相当する。 したがって、本件発明と甲７発明とは、 「加熱処理シリカガラスクロスの製造方法であって、 ＳｉＯ２組成量が９６．０～１００．０質量％含まれ、５００℃～１６５０℃の温度で、１分～７２時間加熱処理して加熱処理シリカガラスクロスを得る工程を含む、加熱処理シリカガラスクロスの製造方法。」 で一致し、少なくとも以下の点で相違する。 ＜相違点３＞ 本件発明が「前記加熱処理シリカガラスクロスの誘電正接ｔａｎδ１を、周波数９ＧＨｚ以上で０．００１５以下」とするのに対し、甲７発明は、当該規定を有しない。 イ 判断 上記＜相違点３＞について検討する。 ＜相違点３＞は実質的な相違点である。 また、甲７発明における、加熱処理高珪酸ガラス繊維クロスは、甲７の【０００１】の「本考案は内燃機関排気ガス用配管などに用いる保温カバーに関する。」と記載されており、高周波に晒されることを想定したものではないことは明らかである。そうすると、誘電正接について考慮すること及び特定の数値範囲とすることは、甲１０の記載を参酌しても、当業者が容易に想到したことではない。 ウ 小括 よって、本件発明は、他の相違点について検討するまでもなく、甲７発明ではない。 また、本件発明は、他の相違点について検討するまでもなく、甲７発明及び甲１０に記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）申立理由６（甲１１を引用例とする新規性）について 本件訂正により、請求項１は削除された。 （８）申立理由７－１、７－２（甲６を引用例とする進歩性、新規性）について 本件訂正により、請求項１及び請求項２は削除された。 また、本件発明と甲６発明を対比すると第４の２（２）アで示した＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違するが、第４の２（２）イのとおり＜相違点２＞は実質的な相違点である。したがって、本件発明は甲６発明でない。 （９）取消理由通知（決定の予告）で採用しなかった申立理由についての当審の判断のまとめ よって、本件発明３は、取消理由通知（決定の予告）に採用しなかった申立理由によって取り消すことはできない。 第６ むすび 以上のとおり、請求項３に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に請求項３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 また、本件特許の請求項１～２は、本件訂正により削除されたため、請求項１～２に係る特許についての本件特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。