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特許第７２６６４５４号発明「配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２６６４５４号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２６６４５４号の請求項１ないし９に係る特許についての出願は、平成３１年４月２５日に出願され、令和５年４月２０日にその特許権の設定登録がされ、令和５年４月２８日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和５年１０月２７日に特許異議申立人栗暢行（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがなされた。 第２ 本件発明 特許第７２６６４５４号の請求項１ないし９の特許に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明９」という。）は、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、 前記絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビアと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し、 前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成されることを特徴とする配線基板。 【請求項２】 前記第２導電体層は、前記第１導電体層よりも粒界密度が小さいことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 【請求項３】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し、 前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され、 前記絶縁層は、 絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層と、 を有し、 前記電極パッドは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に埋設され、 前記くびれは、前記第１絶縁層の絶縁性樹脂に接することを特徴とする配線基板。 【請求項４】 前記第１導電体層は、前記絶縁層の一面において露出する端面と前記絶縁層の一面とが同一平面上に位置するように、形成され、 前記絶縁層の一面には、前記配線基板と他の配線基板とを接着するための接着層が形成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載の配線基板。 【請求項５】 前記ビアは、前記絶縁層の上端面と面一の上端面を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 【請求項６】 他の配線基板と、 前記他の配線基板上に搭載された請求項１～５のいずれか一つに記載の配線基板と、 を有し、 前記電極パッドは、前記他の配線基板の電極パッドに接合されることを特徴とする積層型配線基板。 【請求項７】 ベース基板上にエッチストップ層及び第１導電体層を形成する工程と、 前記第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、 前記空隙において前記エッチストップ層が露出するまで前記第１導電体層をエッチングして、前記第１導電体層と前記第２導電体層とを有する電極パッドを形成する工程と、 前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程と、 前記エッチストップ層上に、少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 【請求項８】 前記絶縁層を貫通して前記電極パッドの前記第２導電体層を露出させるビアホールを形成する工程と、 前記絶縁層の前記ビアホールの位置に、前記第２導電体層に接続するビアを形成する工程と、 をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。 【請求項９】 前記エッチストップ層から前記ベース基板を剥離する工程と、 前記エッチストップ層を除去して、前記絶縁層の一面において前記電極パッドの前記第１導電体層の端面を露出させる工程と、 前記絶縁層の一面に、前記第１導電体層の端面を被覆するように接着層を形成する工程と、 をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。」 第３ 申立理由の概要 特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１号証ないし甲第１２号証を提出し、以下の申立理由１ないし５により、請求項１ないし９に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。 １ 申立理由１（新規性） 本件発明１、２、５は、甲第１号証に記載された発明である。 よって、本件請求項１、２、５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ２ 申立理由２（進歩性） 本件発明１、２、５は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明３、４、６ないし９は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ３ 申立理由３（新規性） 本件発明１、２、６ないし８は、甲第２号証に記載された発明である。 よって、本件請求項１、２、６ないし８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ４ 申立理由４（進歩性） 本件発明１、２、６ないし８は、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明３ないし５、９は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ５ 申立理由５（新規性） 本件発明１、２は、甲第３号証に記載された発明である。 よって、本件請求項１、２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ６ 申立理由６（進歩性） 本件発明１、２は、甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 また、本件発明３ないし９は、甲第３号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ７ 申立理由７（進歩性） 本件発明１ないし９は、甲第４号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。 ８ 申立理由８（サポート要件） 本件発明１ないし９は、発明の詳細な説明に記載したものではない。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ９ 申立理由９（明確性） 本件発明１ないし９は、明確でない。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 １０ 申立理由１０（実施可能要件） 本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１ないし９を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。 よって、本件請求項１ないし９に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。 ［証拠方法］ 甲第１号証：特開２００５－１３６３１６号公報 甲第２号証：特開２０１８－６１０１８号公報 甲第３号証：特開２００６－２２２２１７号公報 甲第４号証：特開２０１０－１９２５４７号公報 甲第５号証：「銅薄膜の室温再結晶における不均一ひずみの影響」 日本金属学会誌第６７巻第４号（２００３）第１６９～１７２ 頁、日本金属学会、２００３年発行 甲第６号証：特開２０１５－１６７１７９号公報 甲第７号証：特開２０１０－１３０００３号公報 甲第８号証：特開２０１６－１６２８５１号公報 甲第９号証：特開２０１８－２６４６４号公報 甲第１０号証：特開２０１３－１５００１３号公報 甲第１１号証：「銀ナノ粒子を下地としたセミアディティブ法による銅パタ ーン形成技術」第２８回マイクロエレクトロニクスシンポジ ウム（２０１８）第２８５～２８８頁、マイクロエレクトロ ニクスシンポジウム、２０１８年９月発行 甲第１２号証：「めっき膜の構造制御―結晶粒径の制御―」 日本金属学会誌第６６巻第４号（２００２）第３５０～３６ １頁、日本金属学会、２００２年発行 第４ 甲各号証の記載 １甲第１号証に記載された発明 甲第１号証（以下、「引用例１」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【０００３】 このように、樹脂付き金属箔上にセミアディティブ法により回路形成を行う場合、無電解銅めっきが過剰にエッチングされ、導体回路形状が損なわれる不具合が発生しやすい。特に無電解銅めっきの銅箔直上部分はエッチング速度が速くなりやすい傾向がある。以下このような現象をアンダーカットと呼ぶ。図1を用いてアンダーカットの定義を行う。ここで、符号１は電解銅、２は無電解銅、３は金属箔、４は樹脂を示す。図1において、導体回路は（a）のように矩形であることが電気特性の上からも導体回路の接着性の面からも望ましい。しかしながら実際に回路を形成する場合、（ｂ）のように無電解銅めっき部分を中心に凹みを生じることがある。この無電解銅めっき部分の凹みをアンダーカットと呼ぶ。ここでパターン電気銅めっき部分と無電解銅めっき部分の幅の差Ａをアンダーカット量と定義する。アンダーカットは銅箔の表面形状が平滑であると特に発生しやすい。ここでアンダーカットの発生要因は多岐にわたっており、一義的に定義するのが難しい。しかしながら発明者らは鋭意努力の末、アンダーカットの発生を防ぐため金属箔上のパラジウムの吸着量を調整することを見出した。本発明は、無電解銅めっきが過剰にエッチングされるアンダーカットの不具合を抑制し、尚且つ電気特性が良好なプリント配線板の製造方法を提供するものである。」 「【００３８】 以上のような樹脂組成物と表面が粗し処理されていない金属箔とは従来公知の方法により積層一体化され、図2（ａ）に示す積層板を得ることができる。 【００３９】 次に上記積層体に層間接続用の貫通スルーホール7を形成する（図2（ｂ））。 ・・・＜略＞・・・ 【００４１】 次に図2（ｃ）に示すように触媒核を付与した金属箔上及びスルーホール内部に薄付けの無電解めっき層８を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４２】 次に図2（ｄ）に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジスト９を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４３】 次に図2（ｅ）に示すように電気めっきにより回路パターン１０を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４４】 次に図2（ｆ）に示すようにアルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いてレジストの剥離を行い、パターン部以外の銅をエッチング除去する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４５】 以上示した方法により２層より成るコア基板が完成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４６】 次にコア基板の上に、図2（ｇ）に示す様に片面金属箔付樹脂をラミネートとする。 ・・・＜略＞・・・ 【００４７】 次いで図2（ｈ）に示す様に金属箔の上から層間樹脂絶縁層にＩＶＨ１３を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００５０】 次に図2（ｉ）に示すように触媒核を付与した金属箔上及びＩＶＨ内部に薄付けの無電解めっき層１４を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００５１】 次に図2（ｊ）に示すように無電解めっきを行った上にめっきレジスト１５を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００５２】 次に図2（ｋ）に示すように電気めっきにより回路パターン１６を形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００５４】 次にパターン部以外の銅を好ましくは１０～３００ｇ／Ｌの硫酸及び１０～２００ｇ／Ｌの過酸化水素を主成分とするエッチング液を用いて除去することで回路形成が終了する（図2（ｌ））。エッチング終了後、アンダーカットが片側５μｍ以内であることが好ましい。」 「【図１】（ｂ） ［図：0001407867000001.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001407867000002.jpg］ 」 上記記載から、引用例１には、次の発明が記載されていると認められる。 （１）引用例１に記載された物の発明（以下、「引用発明１」という。） 「樹脂組成物と金属箔を一体化した積層板の金属箔３上に形成した薄付けの無電解めっき層８、電気めっきにより形成した回路パターン１０、ＩＶＨ１３を形成した層間樹脂絶縁層、ＩＶＨ１３内部に形成した薄付けの無電解めっき層１４を有し、無電解銅めっき部分の凹みであるアンダーカットを片側５μｍ以内としたプリント配線板。」 （２）引用例１に記載された製造方法の発明（以下、「引用発明１’」という。） 「樹脂組成物と金属箔を一体化した積層板を得て、積層板の金属箔３上に薄付けの無電解めっき層８を形成し、その上にめっきレジスト９を形成し、電気めっきにより回路パターン１０を形成し、レジスト９の剥離を行い、パターン部以外の銅をエッチング除去し、片面金属箔付樹脂をラミネートし、層間樹脂絶縁層にＩＶＨ１３を形成し、ＩＶＨ１３内部に薄付けの無電解めっき層１４を形成し、無電解銅めっき部分の凹みであるアンダーカットを片側５μｍ以内とするプリント配線板の製造方法。」 ２甲第２号証に記載された発明 甲第２号証（以下、「引用例２」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００４５】 図６Ａ～図６Ｉは、図４の配線層１３の製造工程を説明するための図である。以下では、Ｃｕ電極層４１が高純度銅からなる場合を例にとって説明する。 まず、図６Ａを参照して、多層配線構造２１の上にパッシベーション膜２２が形成された半導体基板２０（図４も併せて参照）が準備される。パッシベーション膜２２および第３層間絶縁膜２５には、これらを貫通する第２ビア電極３４が形成されている。 【００４６】 次に、バリア電極層４０および銅シード層６０が、パッシベーション膜２２の表面の上にこの順に形成される。バリア電極層４０および銅シード層６０は、それぞれ、スパッタ法によって形成されてもよい。バリア電極層４０は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚さで形成されてもよい。 次に、図６Ｂを参照して、所定パターンを有するマスク６１が、銅シード層６０の上に形成される。マスク６１は、銅シード層６０においてＣｕ電極層４１を形成すべき領域を露出させる開口６１ａを選択的に有している。 【００４７】 次に、図６Ｃを参照して、Ｃｕ電極層４１が形成される。Ｃｕ電極層４１は、マスク６１の開口６１ａから露出する銅シード層６０の表面の上に形成される。Ｃｕ電極層４１は、電解銅めっき法によって形成されてもよい。Ｃｕ電極層４１は、マスク６１の開口６１ａの深さ方向途中部まで形成される。Ｃｕ電極層４１は、銅シード層６０と一体的に形成される。 【００４８】 次に、図６Ｄを参照して、ニッケル層５５およびパラジウム層５６が、Ｃｕ電極層４１の上面４１ａの上にこの順に形成される。ニッケル層５５およびパラジウム層５６は、それぞれ、マスク６１の開口６１ａから露出するＣｕ電極層４１の上面４１ａの上に形成される。ニッケル層５５およびパラジウム層５６は、それぞれ、無電解めっき法によって形成されてもよい。 【００４９】 次に、図６Ｅを参照して、マスク６１が除去される。 次に、図６Ｆを参照して、銅シード層６０の不要な部分が、除去される。銅シード層６０は、ウエットエッチングによって除去されてもよい。この工程では、銅シード層６０の厚さに応じた分だけＣｕ電極層４１の側面４１ｃも除去される。そのため、Ｃｕ電極層４１の側面４１ｃは、パッド電極層５２の側面よりも内方に位置するように形成される。 【００５０】 これにより、パッド電極層５２が形成される。パッド電極層５２は、Ｃｕ電極層４１の上面４１ａに機械的および電気的に接続された第１部分５３と、第１部分５３からバリア電極層４０の側方に張り出した第２部分５４とを含む。 次に、図６Ｇを参照して、バリア電極層４０の不要な部分が、除去される。バリア電極層４０は、ウエットエッチングによって除去されてもよい。この工程では、バリア電極層４０の厚さに応じた分だけ、Ｃｕ電極層４１の直下に位置するバリア電極層４０が除去される。そのため、バリア電極層４０の側面は、Ｃｕ電極層４１の側面４１ｃよりも内方に位置するように形成される。 【００５１】 次に、図６Ｈを参照して、Ｃｕ電極層４１において下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部が除去される。Ｃｕ電極層４１の角部は、ウエットエッチングによって除去されてもよい。 ウエットエッチング工程は、バリア電極層４０の主面が露出するまで行われる。これにより、Ｃｕ電極層４１における側面４１ｃの下面４１ｂ側の領域に、バリア電極層４０の縁部の上面を露出させる凹部４６が形成される。 【００５２】 次に、図６Ｉを参照して、半導体基板２０が加熱されて、パッド電極層５２にボンディングワイヤ５が接合される。ボンディングワイヤ５の接合工程は、より具体的には、ダイパッド２およびリード端子３を含むリードフレーム（図示せず）が準備され、リードフレームのダイパッド２に半導体チップ４が接合された後、実施される。 半導体基板２０は、たとえば２００℃程度まで加熱される。この工程では、半導体基板２０に加えてＣｕ電極層４１も加熱されるため、Ｃｕ電極層４１の外面に酸化銅を含む自然酸化膜が形成される。」 「【００６０】 樹脂膜７２は、封止樹脂６の樹脂材料とは異なる樹脂材料を含む。樹脂膜７２は、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。 樹脂膜７２は、Ｃｕ電極層４１の外面に加えて、パッド電極層５２の外面を被覆している。樹脂膜７２は、ボンディングワイヤ５が接続されたパッド電極層５２の上面を露出させるパッド開口７３を含む。樹脂膜７２は、Ｃｕ電極層４１の凹部４６を埋めている。」 「【００７４】 図１０は、図４に対応する部分の拡大図であり、本発明の第３実施形態に係る半導体装置８１の配線層１３およびその周辺の構造を示す図である。図１１は、図１０の領域XIの拡大図である。以下では、第１実施形態において述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。 第１実施形態では、ウエットエッチングによって、Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂと側面４１ｃとを接続する角部が除去されて、バリア電極層４０の主面を露出させる凹部４６を有するＣｕ電極層４１が形成される工程（図６Ｈを参照）について説明した。 【００７５】 これに対して、図１０および図１１を参照して、半導体装置８１では、Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部に加えて、バリア電極層４０の縁部も同時に除去されている。 バリア電極層４０の主面において、Ｃｕ電極層４１の凹部４６から露出する縁部は、バリア電極層４０の側方に向かって下り傾斜した傾斜面８２を含む。バリア電極層４０の傾斜面８２は、凹部４６の内面と連なるように形成されている。バリア電極層４０の傾斜面８２は、バリア電極層４０に対するＣｕ電極層４１の積層方向に、凹部４６の内面と対向している。」 「【図１０】 ［図：0001407867000003.jpg］ 」 「【図１１】 ［図：0001407867000004.jpg］ 」 上記記載から、引用例２には、次の発明が記載されていると認められる。 （１）引用例２に記載された物の発明（以下、「引用発明２」という。） 「多層配線構造２１の上に形成したパッシベーション膜２２、その上にスパッタ法によって形成したバリア電極層４０および銅シード層６０、その上に電解銅めっき法によって形成したＣｕ電極層４１を有し、Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部とバリア電極層４０の縁部を除去し、パッド電極層５２にボンディングワイヤ５を接合し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の外面とパッド電極層５２の外面を被覆し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の凹部４６を埋めた半導体装置８１の配線層１３。」 （２）引用例２に記載された製造方法の発明（以下、「引用発明２’」という。） 「多層配線構造２１の上にパッシベーション膜２２を形成し、その上にバリア電極層４０および銅シード層６０をスパッタ法によって形成し、その上に開口６１ａを選択的に有するマスク６１を形成し、マスク６１の開口６１ａから露出する銅シード層６０の表面の上にＣｕ電極層４１を電解銅めっき法によって形成し、マスク６１を除去し、銅シード層６０の不要な部分とバリア電極層４０の不要な部分をウエットエッチングによって除去し、Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部とバリア電極層４０の縁部をウエットエッチングによって同時に除去し、パッド電極層５２にボンディングワイヤ５を接合し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の外面とパッド電極層５２の外面を被覆し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の凹部４６を埋める半導体装置８１の配線層１３の製造方法。」 ３甲第３号証に記載された発明 甲第３号証（以下、「引用例３」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【０００３】 しかし、上記したアディティブ法では、図３（ａ）に示すように、基材２６の上の金属膜２１の上に形成したメッキ用レジストパターン２２において、金属膜２１に接触する底部に、下方に向かうに従って幅広となる裾引き部２３を生じる。そうすると、図３（ｂ）に示すように、金属膜２１の上におけるメッキ用レジストパターン２２が形成されていない部分に金属配線パターン２４を形成し、その後、図３（ｃ）に示すように、メッキ用レジストパターン２２を除去すると、金属配線パターン２４には、裾引き部２３に起因して、金属膜２１に接触する底部に、下方に向かうに従って幅狭となるサイドエッチング部２５を生じる。そのため、次いで、金属膜２１をエッチングにより除去すると、図３（ｄ）に示すように、そのサイドエッチング部２５に起因して、金属配線パターン２４の底部の金属膜２１が、金属配線パターン２４の内側に大きくえぐられるようにエッチングされる。このように、金属膜２１がサイドエッチングされると、基材２６と金属膜２１との接着力が大幅に低下し、その後の処理工程などで、サイドエッチング部２５に処理剤が浸入して、基材２６から金属膜２１および金属配線パターン２４が剥離するという不具合を生じる。特に、金属配線パターン２４をファインピッチで形成する場合には、そのような不具合が顕著となる。 【０００４】 本発明の目的は、めっきレジストの裾引き部に起因して、導体層にサイドエッチング部が生じても、ベース絶縁層から導体層が剥離することを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供することにある。」 「【０００８】 図１および図２は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態としての、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図である。以下、図１および図２を参照して、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態であるフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。 この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ベース絶縁層１を用意する。 ・・・＜略＞・・・ 【００１０】 次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、金属薄膜２を形成する。金属薄膜２を形成する金属は、例えば、クロム、ニッケル、銅などが好ましく用いられる。また、金属薄膜２の形成は、めっきや真空蒸着法などが用いられ、好ましくは、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層１の表面全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成する。 【００１１】 なお、金属薄膜２の厚みは、通常、１ｎｍ～６μｍ、好ましくは、５０ｎｍ～５μｍである。 次いで、この方法では、図１（ｃ）に示すように、金属薄膜２の上に、めっきレジスト３を導体パターン４の反転パターンで形成する。 めっきレジスト３は、特に制限されないが、例えば、ドライフィルムレジストを、金属薄膜２の全面に積層した後、露光および現像することにより、導体パターン４の反転パターンのレジストパターンとして形成する。なお、このようにして形成されるめっきレジスト３には、金属薄膜２に接触する底部において、下方に向かうに従って幅広となる断面略三角形状の裾引き部５を両側に生じる。 【００１２】 なお、めっきレジスト３の厚みは、通常、５～３０μｍ、好ましくは、１０～２０μｍである。各裾引き部５の最底部の幅Ｗ１は、通常、０．５μｍ以上、５μｍ以下である。 その後、この方法では、図１（ｄ）に示すように、めっきレジスト３から露出する金属薄膜２の上に、導体層６を導体パターン４で形成する。 導体層６の導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体層６の形成は、無電解めっき、電解めっきなどのめっきが用いられ、好ましくは、電解めっきが用いられる。より具体的には、金属薄膜２におけるめっきレジスト３が形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる導体層６を導体パターン４として形成する。電解銅めっきのめっき液としては、例えば、硫酸銅めっき液、ピロ燐酸銅めっき液などが用いられる。 【００１３】 なお、導体層６の厚みは、通常、５～２０μｍ、好ましくは、５～１５μｍであり、導体層６の幅は、通常、１０～５０μｍ、各導体層６の間隔は、通常、１５～５０μｍである。 次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト３を除去する。めっきレジスト３の除去は、例えば、エッチング液として水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ溶液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離が用いられる。 【００１４】 めっきレジスト３が除去されると、導体層６におけるめっきレジスト３の裾引き部５が形成されていた底部には、下方に向かうに従って幅狭となる断面略三角形状のサイドエッチング部７を両側に生じる。各サイドエッチング部７の最底部の幅Ｗ２は、通常、０．５μｍ以上、５μｍ以下である。 次いで、この方法では、図１（ｆ）に示すように、導体層６から露出する金属薄膜２を除去する。金属薄膜２の除去は、例えば、エッチング液として塩化第二鉄溶液などを用いる化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。 【００１５】 そして、この方法では、図１（ｇ）に示すように、導体層６の上面を含むベース絶縁層１の上における各導体層６の間に、ポジ型感光性樹脂８のワニスを塗布し、乾燥する。ポジ型感光性樹脂８としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリベンゾキサゾール樹脂などが用いられる。また、ポジ型感光性樹脂８は、ＩＣ実装における異方導電性フィルム（ＡＣＦ）の熱圧着を考慮すると、露光および現像し、加熱した後のガラス転移温度Ｔgが２００℃以上であるものが好適である。」 「【図１】 ［図：0001407867000005.jpg］ 」 上記記載から、引用例３には、次の発明が記載されていると認められる。 （１）引用例３に記載された物の発明（以下、「引用発明３」という。） 「ベース絶縁層１の上に、スパッタ蒸着法により形成した金属薄膜２、その上に電解めっきにより形成した導体層６を有し、導体層６におけるめっきレジスト３の裾引き部５が形成されていた底部に、下方に向かうに従って幅狭となる断面略三角形状のサイドエッチング部７を両側に生じさせ、ベース絶縁層１の上における各導体層６の間にポジ型感光性樹脂８のワニスを形成した配線回路基板。」 （２）引用例３に記載された製造方法の発明（以下、「引用発明３’」という。） 「ベース絶縁層１の上にスパッタ蒸着法により金属薄膜２を形成し、金属薄膜２の上にめっきレジスト３を導体パターン４の反転パターンで形成し、めっきレジスト３から露出する金属薄膜２の上に電解めっきにより導体層６を形成し、めっきレジスト３を除去し、導体層６におけるめっきレジスト３の裾引き部５が形成されていた底部に、下方に向かうに従って幅狭となる断面略三角形状のサイドエッチング部７を両側に生じさせ、導体層６から露出する金属薄膜２を化学エッチングにより除去し、ベース絶縁層１の上における各導体層６の間にポジ型感光性樹脂８のワニスを塗布し乾燥する配線回路基板の製造方法。」 ４甲第４号証に記載された発明 甲第４号証（以下、「引用例４」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００３５】 次に、多層配線基板１１の製造方法について説明する。 【００３６】 本実施形態では、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、多層配線基板１１（配線積層部４０）の導体層５１及び樹脂絶縁層４３～４６をビルドアップしていく方法を採用している。図５～図２０は、その製造方法を説明するための図である。 【００３７】 詳述すると、図５に示されるように、まず、支持基板７０の両面に、それぞれ積層金属シート体７２（即ち支持体層）を配置する。両積層金属シート体７２は、２枚の銅箔層７３，７４を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔層７３，７４を積層することで積層金属シート体７２が形成され ている。各銅箔層７３，７４において対向していない側の面は粗化面となっており、微細な凹凸が存在している。 【００３８】 続く端子形成工程では、積層金属シート体７２上にめっきレジスト（マスク）としてのドライフィルム７６（厚さ約１５μｍ）をラミネートする（図６参照）。次に、露光及び現像を行うことにより、ドライフィルム７６の所定箇所に開口７７（内径１００μｍ）を形成し、銅箔層７３の表面の一部を露出させる（図７，図８参照）。特に本実施形態においては、露光量を適正値よりも若干少なくしたり、現像時の圧力を適正値よりも若干上げたり、あるいは現像時間を適正値よりも若干長くしたりすることにより、支持体層接触側の開口縁にアンダーカット７７ａを意図的に生じさせている。アンダーカット７７ａの大きさ（切れ込み量）は２μｍ～３μｍ程度に設定される。 【００３９】 そして、開口７７から露出している銅箔層７３部分に、金めっき層３３、ニッケルめっき層３２及び銅めっき層３１をこの順序で積層することにより、端子パッド３０を形成する（図９～図１１参照）。より詳しくは、まず、電解金めっきを行い、図９に示すような所定厚さの金めっき層３３を形成する。本実施形態では、アンダーカット７７ａの生じている部分（即ち開口７７の大径部分）を埋める程度の電解金めっきを行う。次に、アンダーカット７７ａの生じていない部分（即ち開口７７の小径部分）を埋めるように電解ニッケルめっきを行い、金めっき層３３上に所定厚さのニッケルめっき層３２を形成する。さらに、電解銅めっきを行うことにより、ニッケルめっき層３２上に所定厚さの銅めっき層３１を形成し、端子パッド３０を完成させる（図１１参照）。その後、ドライフィルム７６を除去する（図１２参照）。 【００４０】 なお端子形成工程では、開口７７が位置合わせ用マーク５９の形成予定箇所にも設けられる。そして、当該箇所から露出している銅箔層７３部分に、金めっき層３３、ニッケルめっき層３２及び銅めっき層３１をこの順序で積層することにより、位置合わせ用マーク５９を形成する。従って、少なくともこの時点において、端子パッド３０及び位置合わせ用マーク５９は等しい構造を有したものとなる。また、端子パッド３０及び位置合わせ用マーク５９における金めっき層３３に張出部３３ａが形成される。 【００４１】 続く樹脂絶縁層形成工程では、前記両積層金属シート体７２の上にシート状の絶縁樹脂基材７５を積層し、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加圧加熱した後、硬化させることにより、端子パッド３０を被覆する第４層の樹脂絶縁層４６を形成する（図１４参照）。そして、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層４６の所定の位置にビア穴５６を形成し、次いで各ビア穴５６内のスミアを除去する従来周知のデスミア処理を行う。 【００４２】 続く導体形成工程では、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴５６内にビア導体５７を形成する（図１４，図１５参照）。このとき、樹脂絶縁層４６に形成されたビア導体５７の小径側端面５８が、端子パッド３０に接続される。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層４６上に導体層５１をパターン形成する。 ・・・＜略＞・・・ 【００４５】 続く支持体層除去工程では、まず、積層体８０を配線積層部４０と支持基板７０とに分離し、銅箔層７３を露出させる。具体的に言うと、積層金属シート体７２を２枚の銅箔層７３，７４の界面にて剥離して、配線積層部４０を支持基板７０から分離する（図１８，図１９参照）。 【００４６】 さらに、配線積層部４０（樹脂絶縁層４６）の主面４１上にある銅箔層７３に対してエッチングを行って、銅箔層７３を除去するとともに、端子パッド３０等の金層３３を主面４１から露出させる（図２，図３，図２０参照）。なお、本実施形態の多層配線基板１１では、端子パッド３０が金層３３に張出部３３ａを有している。このため、端子パッド３０と樹脂絶縁層４６との界面の断面形状が非直線的になり、かつ、従来構造に比べて長くなる。このため、銅を溶解するエッチング液が当該界面を介して配線積層部４０の内部に浸入しにくくなり、エッチング液の浸入による銅層３１のエッチアウトを防止することができる。」 「【図３】 ［図：0001407867000006.jpg］ 」 「【図２０】 ［図：0001407867000007.jpg］ 」 上記記載から、引用例４には、次の発明が記載されていると認められる。 引用例４に記載された物の発明（以下、「引用発明４」という。） 「支持基板７０の両面に配置した積層金属シート体７２、その銅箔層７３部分に、電解めっきにより形成した、金めっき層３３、ニッケルめっき層３２、銅めっき層３１をこの順序で積層した端子パッド３０、端子パッド３０を被覆する樹脂絶縁層４６、脂絶縁層４６の所定の位置に形成したビア穴５６及びビア導体５７を有し、端子パッド３０等の金層３３を主面４１から露出させた多層配線基板１１。」 引用例４に記載された製造方法の発明（以下、「引用発明４’」という。） 「支持基板７０の両面に積層金属シート体７２を配置し、その上にめっきレジストとしてのドライフィルム７６をラミネートし、ドライフィルム７６の所定箇所に開口７７を形成し、開口７７から露出している銅箔層７３部分に、電解めっきにより、金めっき層３３、ニッケルめっき層３２、銅めっき層３１をこの順序で積層して端子パッド３０を形成し、ドライフィルム７６を除去し、端子パッド３０を被覆する樹脂絶縁層４６を形成し、脂絶縁層４６の所定の位置にビア穴５６及びビア導体５７を形成し、積層体８０を配線積層部４０と支持基板７０とに分離し、銅箔層７３を露出させ、エッチングにより銅箔層７３を除去するとともに、端子パッド３０等の金層３３を主面４１から露出させる多層配線基板１１の製造方法。」 ５甲第５号証に記載された技術事項 甲第５号証（以下、「引用例５」という。）には、次の記載がある。（第１７０頁「３．実験結果」参照。下線は当審で付した。） 「Fig.1にメッキ銅薄膜の室温時効に伴う微細組織の変化をEBSPにより解析した結果を示す。」 「Fig.2に二種類のスパッタ薄膜の室温再結晶挙動をEBSPにより解析した結果を示す。」 「Fig.1(c) ［図：0001407867000008.jpg］ 」 「Fig.2(d) ［図：0001407867000009.jpg］ 」 上記記載から、引用例５には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「電解メッキ薄膜の粒界密度はスパッタ薄膜の粒界密度より概ね小さいこと。」 ６甲第６号証に記載された技術事項 甲第６号証（以下、「引用例６」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００７１】 次に、図７に示すように、第２導電層１１２の上にプラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮ膜などの第１無機絶縁層１１３およびＳｉＯ２膜などの第２無機絶縁層１１４を成膜する。」 上記記載から、引用例６には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「導電層を２層の無機絶縁層で被覆すること。」 ７甲第７号証に記載された技術事項 甲第７号証（以下、「引用例７」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００４９】 このような反りを防止するために一面に最外絶縁層１２０をさらに形成して反りに対する補強材としての役割を果たすようにする。ただし、この場合、表面に露出されなければならない一面の外部接続パッド１３０が最外絶縁層１２０によりカバーされるため、一面の外部接続パッド１３０は最外絶縁層１２０を貫通して多層印刷回路基板の一面に露出することになる。」 上記記載から、引用例７には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「外部接続パッドに、外部接続パッドが貫通する補強材としての絶縁層を形成すること。」 ８甲第８号証に記載された技術事項 甲第８号証（以下、「引用例８」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００３４】 ・・・＜略＞・・・ 樹脂絶縁層３０の第１表面ＳＦ１側に導体２１から形成される第１導体層２２が埋められる。第２金属箔１４ａは樹脂フィルムと重ねて接着されている。樹脂絶縁層３０の第２表面ＳＦ２側に第２金属箔１４ａが接着される。第２金属箔１４ａは、好ましくは、銅箔である。 【００３５】 樹脂絶縁層３０は、例えばシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成される。樹脂絶縁層３０は、さらに、ガラスクロス等の補強材を有してもよい。図３Ｆの樹脂絶縁層３０は無機粒子と補強材と樹脂で形成されている。また、樹脂絶縁層３０は、１層であってもよく、複数の絶縁層から形成されていてもよい。」 上記記載から、引用例８には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「導体層を補強材を含む複数の樹脂絶縁層で覆うこと。」 ９甲第９号証に記載された技術事項 甲第９号証（以下、「引用例９」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００５５】 ・・・＜略＞・・・ 電極２０２の表面と電極７２１の表面との少なくとも一方にＡｕ、Ｃｕ等の金属バンプを形成し、配線基板１００とコア基板７００の間にＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＮＣＦ（Non Conductive Film）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）、ＮＣＰ（Non Conductive Paste）などの接着性の部材を介して圧着して接続されることによって、電極２０２と電極７２１とが電気的に接続される。」 上記記載から、引用例９には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「配線基板の電極とコア基板の電極を接着性の部材を介して圧着して電気的に接続すること。」 １０甲第１０号証に記載された技術事項 甲第１０号証（以下、「引用例１０」という。）には、次の記載がある。（下線は当審で付した。） 「【００６６】 次に、図２（ｂ）に示すように、支持基板２１の表面にエッチングバリア層２２を、電解めっき法、無電解めっき法、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法又は印刷法等により形成する（ステップ２）。エッチングバリア層２２は、支持基板２１又は支持基板２１表面に形成された導電性の膜をエッチング除去する際に、第１配線層１４のサイドエッチング等のダメージを防ぐために設けられるものであり、支持基板２１又は支持基板２１表面に形成された導電性の膜をエッチング除去するエッチング液に対して耐性を有する材料を選択する。」 上記記載から、引用例１０には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「導電膜をエッチング除去する際に配線層のダメージを防ぐため、基板表面にエッチングバリア層を設けること。」 １１甲第１１号証に記載された技術事項 甲第１１号証（以下、「引用例１１」という。）には、次の記載がある。（第２８７頁「３．３配線の断面形状」参照。下線は当審で付した。） 「銀SAPで形成した銅配線は、断面形状が矩形に近い形状であるのに対し、ベンチマークの銅シードMSAPで形成した銅配線は、シード層をエッチングする際に銅配線も同時にエッチングされるため、断面形状が矩形ではなくなっていた。」 上記記載から、引用例１１には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「銅シードMSAPで形成した銅配線は断面形状が矩形ではないこと。」 １２甲第１２号証に記載された技術事項 甲第１２号証（以下、「引用例１２」という。）には、次の記載がある。（第３５３頁左欄第２０行～右欄第２行参照。下線は当審で付した。） 「結晶粒径はめっき膜の膜厚方向で変化するが、膜の同じ厚さ位置ではめっき浴の種類や電流密度に関係なくほぼ同じである。」 上記記載から、引用例１２には、次の技術事項が記載されていると認められる。 「結晶粒径はめっき膜の膜厚方向で変化すること。」 第５ 当審の判断 １ 申立理由１（新規性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明１とを対比すると、 ア 引用発明１の「層間樹脂絶縁層」は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明１の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明１の「アンダーカット」は、「層間樹脂絶縁層」に埋もれているので、本件発明１の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 ウ 引用発明１の「ＩＶＨ１３」は、「層間樹脂絶縁層」に形成されているので、ＩＶＨ内部に形成した「無電解めっき層１４」は、本件発明１の「絶縁層に埋設され」た「ビア」に相当する。 エ 引用発明１の「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」は、プリント配線板の配線であり、本件発明１のように電極パッドとして使用されるものではない。しかし、配線基板の電極パッドも配線の一部であることを踏まえれば、引用発明１の「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」と本件発明１の「電極パッド」は、「配線」であることで共通する。 オ 引用発明１のＩＶＨ内部に形成した「無電解めっき層１４」は、本件発明１のように電極パッドには接続されていない。 カ 引用発明１の「金属箔３」の端面は、電極パッドとして使用されるものではないので、本件発明１のように「層間樹脂絶縁層」の一面において露出していない。 キ 引用発明１のプリント配線板は、「無電解めっき層８」自体に凹み（アンダーカット）はあるものの、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に凹みはない。 ク 引用発明１の「プリント配線板」は、本件発明１の「配線基板」に相当する。 したがって、本件発明１と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された配線と、 前記絶縁層に埋設されたビアと、 を有する配線基板。 【相違点１Ａ】 本件発明１は、 「前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し」ているが、 引用発明１は、そもそも電極パッドを有していない点。 【相違点１Ｂ】 本件発明１は、「ビア」が「電極パッドに接続」しているが、 引用発明１は、電極パッドを有していないため、ＩＶＨ内部に形成した「無電解めっき層１４」が電極パッドに接続していない点。 【相違点１Ｃ】 本件発明１は、 「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成される」が、 引用発明１では、「無電解めっき層８」に凹み（アンダーカット）は形成されているものの、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に凹み（アンダーカット）は形成されていない点。 よって、上述のとおり相違点があるから、本件発明１は引用発明１ではない。 （２）本件発明２、５について 請求項２、５は請求項１を引用するものであり、本件発明２、５は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、５は、上記引用発明１ではない。 （３）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、５は、引用発明１ではない。 ２ 申立理由２（進歩性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明１との一致点及び相違点は、前記１（１）に記載したとおりである。 上記相違点１Ａ～１Ｃについて検討する。 （相違点１Ａ）引用例１には、「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、プリント配線基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点１Ｂ）引用発明１の「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」を電極パッドに転用する動機付けはないため、引用発明１のＩＶＨ内部に形成した「無電解めっき層１４」を電極パッドに接続する動機付けもない。 （相違点１Ｃ）引用例１の段落【０００３】に、「導体回路は（a）のように矩形であることが電気特性の上からも導体回路の接着性の面からも望ましい。」と記載されているとおり、導体回路に凹みを設けることは望ましくないため、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に、あえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明１は、引用発明１に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２、４ないし６について 請求項２、４ないし６は請求項１を引用するものであり、本件発明２、４ないし６は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、５は、引用発明１に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術、引用例４には、配線基板の電極パッドを他の配線基板に接合するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点１Ａ～１Ｃに係る構成を導き出すことはできない。よって、本件発明４、６は、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明３について 本件発明３と引用発明１とを対比すると、 ア 引用発明１の「層間樹脂絶縁層」は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明１の「アンダーカット」は、「層間樹脂絶縁層」に埋もれているので、本件発明３の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 ウ 引用発明１の「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」は、プリント配線板の配線であり、本件発明３のように電極パッドとして使用されるものではない。しかし、配線基板の電極パッドも配線の一部であることを踏まえれば、引用発明１の「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」と本件発明３の「電極パッド」は、「配線」であることで共通する。 エ 引用発明１の「金属箔」の端面は、電極パッドとして使用されるものではないので、本件発明３のように「層間樹脂絶縁層」の一面において露出していない。 オ 引用発明１のプリント配線板は、「無電解めっき層８」自体に凹み（アンダーカット）はあるものの、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に凹みはない。 カ 引用発明１の「層間樹脂絶縁層」は、１層のみから構成され、本件発明３のように「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」から構成されていない。 ク 引用発明１の「プリント配線板」は、本件発明１の「配線基板」に相当する。 したがって、本件発明３と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された配線 を有する配線基板。 【相違点２Ａ】 本件発明３は、 「前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し」、かつ 「前記電極パッドは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に埋設され」ているが、 引用発明１は、そもそも電極パッドを有していない点。 【相違点２Ｂ】 本件発明３は、 「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され」るが、 引用発明１では、「無電解めっき層８」に凹み（アンダーカット）は形成されているものの、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に凹み（アンダーカット）は形成されていない点。 【相違点２Ｃ】 本件発明３は、 「前記絶縁層は、 絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層と、 を有し」ているが、 引用発明１の「層間樹脂絶縁層」は、そのような２層構造を有していない点。 上記相違点２Ａ～２Ｃについて検討する。 （相違点２Ｃ）例えば、引用例８に記載されているとおり、導体層を補強材を含む複数の樹脂絶縁層で覆うことは周知技術である。 （相違点２Ａ）しかし、上記（１）で述べたとおり、引用例１には、「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、プリント配線基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点２Ｂ）また、上記（１）で述べたとおり、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に、あえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明３は、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明４、６について 請求項４、６は請求項３を引用するものであり、本件発明４、６は、本件発明３の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術、引用例４には、配線基板の電極パッドを他の配線基板に接合するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点２Ａ～２Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（３）に示した本件発明３についての判断と同様の理由により、本件発明４、６は、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明７について 本件発明７と引用発明１’とを対比すると、 ア 引用発明１’の「積層板」は、本件発明７の「ベース基板」に相当する。 イ 引用発明１’の「無電解めっき層８」は、本件発明７の「第１導電体層」に相当する。 ウ 引用発明１’の「めっきレジスト９」は、引用例１の図２ｄに示されているとおり、導体回路となるべき個所に対応する複数の開口を有しているので、本件発明７の「複数の開口を有するレジスト層」に相当する。 エ 引用発明１’の「回路パターン１０」は、本件発明７の「第２導電体層」に相当する。 オ 引用発明１’の「無電解めっき層８」と電気めっきにより形成した「回路パターン１０」は、めっき方法に差異があるため（無電解めっきと電解めっき）、両者の粒界密度が異なることは明らかである。したがって、引用発明１’の「回路パターン１０」は、「第１導電体層とは粒界密度が異なる」と認められる。 カ 引用例１の図２ｆに示されているとおり、レジストを剥離することによって、隣り合う「回路パターン１０」の間に空隙が形成されることは明らかである。したがって、引用発明１’の「レジスト９の剥離を行」う工程は、本件発明７の「レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程」に相当する。 キ 引用発明１’の「金属箔」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」は、プリント配線板の配線であり、本件発明７のように電極パッドとして使用されるものではない。 ク 引用発明１’のプリント配線板は、「無電解めっき層８」自体に凹み（アンダーカット）はあるものの、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に凹みはない。 ケ 引用発明１’の「層間樹脂絶縁層」は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明７の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 ク 引用発明１’の「プリント配線板の製造方法」は、本件発明７の「配線基板の製造方法」に相当する。 したがって、本件発明７と引用発明１’との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 ベース基板上に第１導電体層を形成する工程と、 前記第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、 前記空隙において前記第１導電体層をエッチングして、前記第１導電体層と前記第２導電体層を形成する工程と、 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層を形成する工程と、 を有する配線基板の製造方法。 【相違点３Ａ】 本件発明７は、「エッチストップ層」を有するのに対し、 引用発明１’は、エッチストップ層を有していない点。 【相違点３Ｂ】 本件発明７は、「電極パッド」を有するのに対し、 引用発明１’は、電極パッドを有していない点。 【相違点３Ｃ】 本件発明７は、「前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程」を有するのに対し、 引用発明１’は、「無電解めっき層８」自体に凹み（アンダーカット）はあるものの、そのような境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程を有していない点。 上記相違点３Ａ～３Ｃについて検討する。 （相違点３Ａ）例えば、引用例１０に記載されているとおり、導電膜をエッチング除去する際に、配線層のダメージを防ぐため、基板表面にエッチングバリア層を設けることは周知技術である。 （相違点３Ｂ）しかし、上記（１）で述べたとおり、引用例１には、「金属箔３」、「無電解めっき層８」、「回路パターン１０」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、プリント配線基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点３Ｃ）また、上記（１）で述べたとおり、「無電解めっき層８」と「回路パターン１０」との境界部分に、あえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明７は、引用発明１’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）本件発明８、９について 請求項８、９は請求項７を引用するものであり、本件発明８、９は、本件発明７の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点３Ａ～３Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（５）に示した本件発明７についての判断と同様の理由により、本件発明８、９は、引用発明１’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、５は、引用発明１に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明３、４、６は、引用発明１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明７ないし９は、引用発明１’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ３ 申立理由３（新規性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明２とを対比すると、 ア 引用発明２の「樹脂膜７２」は、絶縁膜として機能しているので、本件発明１の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明２の「配線層１３」は、「パッド電極層５２」を有することから、本件発明１の「電極パッド」に相当する。 ウ 引用発明２は、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の外面とパッド電極層５２の外面を被覆し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の凹部４６を埋めているので、引用発明２の「凹部４６」は、本件発明１の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 エ 引用発明２の「パッド電極層５２」は、「ボンディングワイヤ５」に接合されているが、本件発明１のようにビアには接続されていない。（「第２ビア電極３４」はビアではあるが、「樹脂膜７２」に埋設されていない点に留意されたい。） オ 引用発明２の「バリア電極層４０」は、本件発明１の「第１導電体層」に相当する。 カ 引用発明２の「バリア電極層４０」の端面は、本件発明１のように「樹脂膜７２」の一面において露出していない。 キ 引用発明２の「Ｃｕ電極層４１」は、本件発明１の「第２導電体層」に相当する。 ク 引用発明２の「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」は、製法に差異があるため（スパッタ法と電解銅めっき法）、両者の粒界密度が異なることは明らかである。したがって、引用発明２の「Ｃｕ電極層４１」は、「第１導電体層とは粒界密度が異なる」と認められる。 ケ 引用発明２の「凹部４６」は、「Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部とバリア電極層４０の縁部をウエットエッチングによって同時に除去」して形成しているので、引用例２の図１１に示されているとおり、「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」の外側面のうち両者の境界部分に対応する領域にくびれが形成されているものと認められる。 コ 引用発明２は「半導体装置８１の配線層１３」の発明であって、本件発明１のように「配線基板」の発明ではない。しかし、半導体装置も配線を有する部材の一種であるから、引用発明２の「半導体装置８１」と本件発明１の「配線基板」は「配線を有する部材」であることで共通する。 したがって、本件発明１と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し、 前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成される配線を有する部材。 【相違点４Ａ】 本件発明１は「前記絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビア」を有するのに対し、 引用発明２は、絶縁層に埋設された電極パッドに接続するビアを有していない点。 【相違点４Ｂ】 本件発明１は「第１導電体層」が「絶縁層の一面において端面が露出する」のに対し、 引用発明２の「バリア電極層４０」は、「樹脂膜７２」の一面において端面が露出していない点。 【相違点４Ｃ】 本件発明１は「配線基板」の発明であるのに対し、 引用発明２は「半導体装置」の発明である点。 よって、上述のとおり相違点があるから、本件発明１は引用発明２ではない。 （２）本件発明２、６について 請求項２、６は請求項１を引用するものであり、本件発明２、６は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、６は、上記引用発明２ではない。 （３）本件発明７について 本件発明７と引用発明２’とを対比すると、 ア 引用発明２’の「多層配線構造２１」は、本件発明７の「ベース基板」に相当する。 イ 引用発明２’の「パッシベーション膜２２」は、本件発明７の「エッチストップ層」に相当する。 ウ 引用発明２’の「バリア電極層４０」は、本件発明７の「第１導体層」に相当する。 エ 引用発明２’の「マスク６１」は、「配線層１３」に対応した複数の「開口６１ａ」を有しているので、本件発明７の「複数の開口を有するレジスト層」に相当する。 オ 引用発明２’の「Ｃｕ電極層４１」は、本件発明７の「第２導体層」に相当する。 カ 引用発明２’の「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」は、製法に差異があるため（スパッタ法と電解銅めっき法）、両者の粒界密度が異なることは明らかである。したがって、引用発明２’の「Ｃｕ電極層４１」は、「第１導電体層とは粒界密度が異なる」と認められる。 キ 引用発明２’の「Ｃｕ電極層４１」は、マスク６１の開口６１ａから露出する銅シード層６０の表面の上に形成されるので、「マスク６１」を剥離することによって、隣り合う「Ｃｕ電極層４１」の間に空隙が形成されることは明らかである。したがって、引用発明２’の「マスク６１を除去」する工程は、本件発明７の「レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程」に相当する。 ク 引用発明２’の「配線層１３」は、「パッド電極層５２」を有することから、本件発明７の「電極パッド」に相当する。また、引用発明２’の「配線層１３」は、「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」を有している。 ケ 引用発明２’の「凹部４６」は、本件発明７の「くびれ」に相当する。 コ 引用発明２’の「凹部４６」は、「Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部とバリア電極層４０の縁部をウエットエッチングによって同時に除去」して形成しているので、引用例２の図１１に示されているとおり、「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」の外側面のうち両者の境界部分に対応する領域にくびれが形成されているものと認められる。 サ 引用発明２’は、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の外面とパッド電極層５２の外面を被覆し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の凹部４６を埋めているので、引用発明２’の「樹脂膜７２」は、本件発明７の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層」に相当する。 シ 引用発明２’は「半導体装置８１の配線層１３の製造方法」の発明であって、本件発明７のように「配線基板の製造方法」の発明ではない。しかし、半導体装置も配線を有する部材の一種であるから、引用発明２’の「半導体装置８１」と本件発明７の「配線基板」は「配線を有する部材」であることで共通する。 したがって、本件発明７と引用発明２’との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 ベース基板上にエッチストップ層及び第１導電体層を形成する工程と、 前記第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、 前記空隙において前記エッチストップ層が露出するまで前記第１導電体層をエッチングして、前記第１導電体層と前記第２導電体層とを有する電極パッドを形成する工程と、 前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程と、 前記エッチストップ層上に、少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線を有する部材の製造方法。 【相違点５】 本件発明７は「配線基板」の発明であるのに対し、 引用発明２’は「半導体装置」の発明である点。 よって、上述のとおり相違点があるから、本件発明７は引用発明２’ではない。 （４）本件発明８について 請求項８は請求項７を引用するものであり、本件発明８は、本件発明７の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（３）に示した本件発明７についての判断と同様の理由により、本件発明８は、引用発明２’ではない。 （５）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、６は、引用発明２ではない。また、本件発明７、８は、引用発明２’ではない。 ４ 申立理由４（進歩性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明２との一致点及び相違点は、前記３（１）に記載したとおりである。 上記相違点４Ａ～４Ｃについて検討する。 （相違点４Ａ）引用発明２の「半導体装置」において、半導体チップとリード端子とを接続する「ボンディングワイヤ５」をビアに変更することはできない。 （相違点４Ｂ）また、引用発明２の「バリア電極層４０」は、「パッシベーション膜２２」の上に直接形成されているため、「パッシベーション膜２２」を剥がして使用することはできない。 したがって、「バリア電極層４０」を「樹脂膜７２」の一面において露出させることはできない。また、バリア電極層からパッシベーション膜を剥がして使用することは周知技術ではない。 （相違点４Ｃ）また、引用例２に記載された「半導体装置」の「配線層１３」は、ボンディングワイヤを接続するための電極であるから、これを「配線基板」として使用する動機付けはない。 よって、本件発明１は、引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２、４ないし６について 請求項２、４ないし６は請求項１を引用するものであり、本件発明２、４ないし６は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、６は、引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術、引用例４には、絶縁層とビアの上端面を同一面とするという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点４Ａ～４Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、本件発明４、５は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明３について 本件発明３と引用発明２とを対比すると、 ア 引用発明２の「樹脂膜７２」は、絶縁膜として機能しているので、本件発明３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明２の「配線層１３」は、「パッド電極層５２」を有することから、本件発明３の「電極パッド」に相当する。 ウ 引用発明２は、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の外面とパッド電極層５２の外面を被覆し、樹脂膜７２でＣｕ電極層４１の凹部４６を埋めているので、引用発明２の「凹部４６」は、本件発明３の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 エ 引用発明２の「バリア電極層４０」は、本件発明３の「第１導電体層」に相当する。 オ 引用発明２の「バリア電極層４０」の端面は、本件発明３のように「樹脂膜７２」の一面において露出していない。 カ 引用発明２の「Ｃｕ電極層４１」は、本件発明３の「第２導電体層」に相当する。 キ 引用発明２の「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」は、製法に差異があるため（スパッタ法と電解銅めっき法）、両者の粒界密度が異なることは明らかである。したがって、引用発明２の「Ｃｕ電極層４１」は、「第１導電体層とは粒界密度が異なる」と認められる。 ク 引用発明２の「凹部４６」は、「Ｃｕ電極層４１の下面４１ｂおよび側面４１ｃを接続する角部とバリア電極層４０の縁部をウエットエッチングによって同時に除去」して形成しているので、引用例２の図１１に示されているとおり、「バリア電極層４０」と「Ｃｕ電極層４１」の外側面のうち両者の境界部分に対応する領域にくびれが形成されているものと認められる。 ケ 引用発明２の「層間樹脂絶縁層」は、１層のみから構成され、本件発明３のように「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」から構成されていない。 コ 引用発明２は「半導体装置８１の配線層１３」の発明であって、本件発明３のように「配線基板」の発明ではない。しかし、半導体装置も配線を有する部材の一種であるから、引用発明２の「半導体装置８１」と本件発明３の「配線基板」は「配線を有する部材」であることで共通する。 したがって、本件発明３と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された電極パッドと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し、 前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され、 前記くびれは、絶縁層の絶縁性樹脂に接する配線を有する部材。 【相違点６Ａ】 本件発明３は「第１導電体層」が「絶縁層の一面において端面が露出する」のに対し、 引用発明２の「バリア電極層４０」は「樹脂膜７２」の一面において端面が露出していない点。 【相違点６Ｂ】 本件発明３では、「絶縁層」が「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」を有するのに対して、 引用発明２では、「樹脂膜７２」がそのような２層構造の絶縁層を有していない点。 【相違点６Ｃ】 本件発明３は「配線基板」の発明であるのに対し、 引用発明２は「半導体装置」の発明である点。 上記相違点６Ａ～６Ｃについて検討する。 （相違点６Ｂ）例えば、引用例８に記載されているとおり、導体層を補強材を含む複数の樹脂絶縁層で覆うことは周知技術である。 （相違点６Ａ）しかし、上記（１）で述べたとおり、「バリア電極層４０」は「パッシベーション膜２２」の上に直接形成されているため、「バリア電極層４０」を「樹脂膜７２」の一面において露出させることはできない。また、バリア電極層からパッシベーション膜を剥がして使用することは周知技術ではない。 （相違点６Ｃ）また、上記（１）で述べたとおり、引用例２に記載された「半導体装置」を「配線基板」として使用する動機付けはない。 よって、本件発明３は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明４、６について 請求項４、６は請求項３を引用するものであり、本件発明４、６は、本件発明３の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点６Ａ～６Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（３）に示した本件発明３についての判断と同様の理由により、本件発明４、６は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明７について 本件発明７と引用発明２’との一致点及び相違点は、前記３（３）に記載したとおりである。 上記相違点５について検討する。 （相違点５）上記（１）で述べたとおり、引用例２に記載された「半導体装置」を「配線基板」として使用する動機付けはない。 よって、本件発明７は、引用発明２’に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）本件発明８、９について 請求項８、９は請求項７を引用するものであり、本件発明８、９は、本件発明７の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（５）に示した本件発明７についての判断と同様の理由により、本件発明８は、引用発明２’に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点５に係る構成を導き出すことはできない。よって、本件発明９は、引用発明２’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２、６は、引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明３－５は、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明７、８は、引用発明２’に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明９は、引用発明２’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 申立理由５（新規性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明３とを対比すると、 ア 引用発明３の「ポジ型感光性樹脂８」からなる層は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明１の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明３の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「ポジ型感光性樹脂８」に埋もれているので、本件発明１の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 ウ 引用発明３の「金属薄膜２」と「導体層６」は、配線回路基板の配線であって、本件発明１のように電極パッドとして使用されるものではない。しかし、配線基板の電極パッドも配線の一部であることを踏まえれば、引用発明３の「金属薄膜２」と「導体層６」と本件発明１の「電極パッド」は、「配線」であることで共通する。 エ 引用発明３の「配線回路基板」はビアを有していないため、電極パッドに接続しているビアも有していない。 オ 引用発明３の「金属薄膜２」の端面は、電極パッドとして使用されるものではないので、本件発明１のように「ポジ型感光性樹脂８」の一面において露出していない。 カ 引用発明３の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる形状であり、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分に凹みは形成されていない。 キ 引用発明３の「配線回路基板」は、本件発明１の「配線基板」に相当する。 したがって、本件発明１と引用発明３との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された配線 を有する配線基板。 【相違点７Ａ】 本件発明１は、「絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビア」を有しているが、 引用発明３は、そもそもビアを有していない点。 【相違点７Ｂ】 本件発明１は、 「前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し」ているが、 引用発明３は、そもそも電極パッドを有していない点。 【相違点７Ｃ】 本件発明１は、 「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成される」が、 引用発明３では、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は有しているものの、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分に凹みは形成されていない点。 よって、上述のとおり相違点があるから、本件発明１は引用発明３ではない。 （２）本件発明２について 請求項２は請求項１を引用するものであり、本件発明２は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２は、上記引用発明３ではない。 （３）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２は、引用発明３ではない。 ６ 申立理由６（進歩性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明３との一致点及び相違点は、前記５（１）に記載したとおりである。 上記相違点７Ａ～７Ｃについて検討する。 （相違点７Ａ）配線基板において電極パッドに接続するビアを設けることは、例示するまでもなく周知技術である。 （相違点７Ｂ）しかし、引用例３には、「金属薄膜２」と「導体層６」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、配線回路基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点７Ｃ）また、引用発明３の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「メッキ用レジストパターン２２」の「下方に向かうに従って幅広となる裾引き部２３」によって生じたものであるから（段落【０００３】参照）、「メッキ用レジストパターン２２」の「裾引き部２３」の形状を変形し、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分にあえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明１は、引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２、４ないし６について 請求項２、４ないし６は請求項１を引用するものであり、本件発明２、４ないし６は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２は、引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術、引用例４には、絶縁層とビアの上端面を同一面とするという周知技術、配線基板の電極パッドを他の配線基板に接合するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点７Ａ～７Ｃに係る構成を導き出すことはできない。よって、本件発明４ないし６は、引用発明３及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明３について 本件発明３と引用発明３とを対比すると、 ア 引用発明３の「ポジ型感光性樹脂８」からなる層は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明３の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「ポジ型感光性樹脂８」に埋もれているので、本件発明３の「絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれ」に相当する。 ウ 引用発明３の「金属薄膜２」と「導体層６」は、配線回路基板の配線であって、本件発明３のように電極パッドとして使用されるものではない。しかし、配線基板の電極パッドも配線の一部であることを踏まえれば、引用発明３の「金属薄膜２」と「導体層６」と本件発明３の「電極パッド」は、「配線」であることで共通する。 エ 引用発明３の「金属薄膜２」の端面は、電極パッドとして使用されるものではないので、本件発明３のように「ポジ型感光性樹脂８」の一面において露出していない。 オ 引用発明３の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる形状であり、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分に凹みは形成されていない。 カ 引用発明３の「ポジ型感光性樹脂８」からなる層は、１層のみから構成され、本件発明３のように「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」から構成されていない。 キ 引用発明３の「配線回路基板」は、本件発明３の「配線基板」に相当する。 したがって、本件発明３と引用発明３との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設され、外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成された配線 を有する配線基板。 【相違点８Ａ】 本件発明３は、 「前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成され、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層と、 を有し」、かつ 「前記電極パッドは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に埋設され」ているが、 引用発明３は、そもそも電極パッドを有していない点。 【相違点８Ｂ】 本件発明３は、 「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され」るが、 引用発明３では、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は有しているものの、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分に凹みは形成されていない点。 【相違点８Ｃ】 本件発明３は、 「前記絶縁層は、 絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、 前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層と、 を有し」ているが、 引用発明３の「ポジ型感光性樹脂８」からなる層は、そのような２層構造を有していない点。 上記相違点８Ａ～８Ｃについて検討する。 （相違点８Ｃ）例えば、引用例８に記載されているとおり、導体層を補強材を含む複数の樹脂絶縁層で覆うことは周知技術である。 （相違点８Ａ）しかし、上記（１）で述べたとおり、引用例３には、「金属薄膜２」と「導体層６」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、配線回路基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点８Ｂ）また、上記（１）で述べたとおり、引用発明３の「メッキ用レジストパターン２２」の「裾引き部２３」の形状を変形し、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分にあえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明３は、引用発明３及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明４、６について 請求項４、６は請求項３を引用するものであり、本件発明４、６は、本件発明３の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術、引用例４には、配線基板の電極パッドを他の配線基板に接合するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点８Ａ～８Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（３）に示した本件発明３についての判断と同様の理由により、本件発明４、６は、引用発明３及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明７について 本件発明７と引用発明３’とを対比すると、 ア 引用発明３’の「ベース絶縁層１」は、本件発明７の「ベース基板」に相当する。 イ 引用発明３’の「金属薄膜２」は、本件発明７の「第１導電体層」に相当する。 ウ 引用発明３’の「めっきレジスト３」は、「導体パターン４」に対応する複数の開口を有しているので、本件発明７の「複数の開口を有するレジスト層」に相当する。 エ 引用発明３’の「導体層６」は、本件発明７の「第２導電体層」に相当する。 オ 引用発明３’のスパッタ蒸着法により形成した「金属薄膜２」と電解めっきにより形成した「導体層６」は、製法に差異があるため（スパッタ蒸着法と電解めっき法）、両者の粒界密度が異なることは明らかである。したがって、引用発明３’の「導体層６」は、「第１導電体層とは粒界密度が異なる」と認められる。 カ 引用例３の図１（ｅ）に示されているとおり、「めっきレジスト３」を除去することによって、隣り合う「導体パターン４」の間に空隙が形成されている。したがって、引用発明３’の「めっきレジスト３を除去」する工程は、本件発明７の「レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程」に相当する。 キ 引用発明３’の「金属薄膜２」と「導体層６」は、配線回路基板の配線であって、本件発明７のように電極パッドとして使用されるものではない。 ク 引用発明３’の「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる形状であり、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分に凹みは形成されていない。 ケ 引用発明３’の「ポジ型感光性樹脂８」からなる層は、絶縁層を形成するための樹脂から構成されているので、本件発明７の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 コ 引用発明３’の「配線回路基板の製造方法」は、本件発明７の「配線基板の製造方法」に相当する。 したがって、本件発明７と引用発明３’との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 ベース基板上に第１導電体層を形成する工程と、 前記第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に、前記第１導電体層とは粒界密度が異なる第２導電体層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、 前記空隙において前記第１導電体層をエッチングして、前記第１導電体層と前記第２導電体層を形成する工程と、 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層を形成する工程と、 を有する配線基板の製造方法。 【相違点９Ａ】 本件発明７は、「エッチストップ層」を有するのに対し、 引用発明３’は、エッチストップ層を有していない点。 【相違点９Ｂ】 本件発明７は、「電極パッド」を有するのに対し、 引用発明３’は、電極パッドを有していない点。 【相違点９Ｃ】 本件発明７は、「前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程」を有するのに対し、 引用発明３’では、「金属薄膜２」と「導体層６」の側面全体に沿って単調に幅狭となる「断面略三角形状のサイドエッチング部７」は有しているものの、そのような境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程を有していない点。 上記相違点９Ａ～９Ｃについて検討する。 （相違点９Ａ）例えば、引用例１０に記載されているとおり、導電膜をエッチング除去する際に配線層のダメージを防ぐため、基板表面にエッチングバリア層を設けることは周知技術である。 （相違点９Ｂ）しかし、上記（１）で述べたとおり、引用例３には、「金属薄膜２」と「導体層６」を電極パッドとして使用することを示唆する記載はなく、配線回路基板の技術常識を考慮しても、これらを電極パッドに転用する動機付けはない。 （相違点９Ｃ）また、上記（１）で述べたとおり、引用発明３’の「メッキ用レジストパターン２２」の「裾引き部２３」の形状を変形し、「金属薄膜２」と「導体層６」との境界部分にあえて凹みを設ける動機付けもない。 よって、本件発明７は、引用発明３’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）本件発明８、９について 請求項８、９は請求項７を引用するものであり、本件発明８、９は、本件発明７の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点９Ａ～９Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（５）に示した本件発明７についての判断と同様の理由により、本件発明８、９は、引用発明３’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）まとめ 以上のとおり、本件発明１、２は、引用発明３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明３ないし６は、引用発明３及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明７ないし９は、引用発明３’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ７ 申立理由７（進歩性）について （１）本件発明１について 本件発明１と引用発明４とを対比すると、 ア 引用発明４の「樹脂絶縁層４６」は、絶縁層を形成する樹脂から構成されるので、本件発明１の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明４の「端子パッド３０」は、樹脂絶縁層４６で被覆されているので、本件発明１の「絶縁層に埋設され」た「電極パッド」に相当する。 ウ 引用発明４の「ビア導体５７」は、樹脂絶縁層４６の中に形成され、かつ端子パッド３０に接続しているので、本件発明１の「絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビア」に相当する。 エ 引用発明４の「金めっき層３３」は、「主面４１から露出させる」ので、「絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層」に相当する。 オ 引用発明４の「ニッケルめっき層３２」は、「金めっき層３３」上に形成されているので、本件発明１の「第１導電体層上に形成され」た「第２導電体層」に相当する。 カ 引用発明４の「端子パッド３０」の外側面には、本件発明１のようなくびれは形成されておらず、「端子パッド３０」を構成する「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の境界部分に対応する領域にもくびれは形成されていない。 キ 引用発明４の「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」は、いずれも電解めっきにより形成されているため、両層の粒界密度が異なるとは言えない。 ク 引用発明４の「多層配線基板１１」は、本件発明１の「配線基板」に相当する。 したがって、本件発明１と引用発明４との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設された電極パッドと、 前記絶縁層に埋設され、前記電極パッドに接続するビアと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成された第２導電体層と、 を有する配線基板。 【相違点１０Ａ】 本件発明１では、「電極パッド」の「外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成され」、かつ「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成される」のに対し、 引用発明４では、「端子パッド３０」がくびれを有していない点。 【相違点１０Ｂ】 本件発明１では、「第１導電体層」と「第２導電体層」とで「粒界密度が異なる」のに対し、 引用発明４では、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度が異なるとは言えない点。 上記相違点１０Ａ～１０Ｂについて検討する。 （相違点１０Ａ）配線基板において、電極パッドを構成する複数の金属層の境界部分にくびれを設けることは、周知技術ではない。 また、引用例４に、「端子パッド３０が金層３３に張出部３３ａを有している。このため、端子パッド３０と樹脂絶縁層４６との界面の断面形状が非直線的になり、かつ、従来構造に比べて長くなる。このため、銅を溶解するエッチング液が当該界面を介して配線積層部４０の内部に浸入しにくくなり、エッチング液の浸入による銅層３１のエッチアウトを防止することができる。」と記載されているとおり（段落【００４６】参照）、引用発明４の「端子パッド３０」は、エッチング液が「張出部３３ａ」を超えて内部に浸入しないようにしているのだから、仮に、引用例２に開示されているとおり（段落【００７４】－【００７５】参照）、ウェットエッチングにより複数の金属層の境界部分にくびれを設けることが周知技術であったとしても、引用発明４の電極層に当該周知技術を採用する動機付けはない。 （相違点１０Ｂ）また、引用例４には、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度を異ならせることを示唆する記載はなく、両層のめっき方法をあえて異ならせる動機付けもない。 よって、本件発明１は、引用発明４及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２、４ないし６について 請求項２、４ないし６は請求項１を引用するものであり、本件発明２、４ないし６は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点１０Ａ～１０Ｂに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（１）に示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２、４ないし６は、引用発明４及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明３について 本件発明３と引用発明４とを対比すると、 ア 引用発明４の「樹脂絶縁層４６」は、絶縁層を形成する樹脂から構成されるので、本件発明３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」に相当する。 イ 引用発明４の「端子パッド３０」は、樹脂絶縁層４６で被覆されているので、本件発明３の「絶縁層に埋設され」た「電極パッド」に相当する。 ウ 引用発明４の「金めっき層３３」は、「主面４１から露出させる」ので、「絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層」に相当する。 エ 引用発明４の「ニッケルめっき層３２」は、「金めっき層３３」上に形成されているので、本件発明３の「第１導電体層上に形成され」た「第２導電体層」に相当する。 オ 引用発明４の「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」は、いずれも電解めっきにより形成されているため、両層の粒界密度が異なるとは言えない。 カ 引用発明４の「端子パッド３０」の外側面には、本件発明３のようなくびれは形成されておらず、「端子パッド３０」を構成する「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の境界部分に対応する領域にもくびれは形成されていない。 キ 引用発明４の「樹脂絶縁層４６」は、１層のみから構成され、本件発明３のように「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」から構成されていない。 ク 引用発明４の「多層配線基板１１」は、本件発明３の「配線基板」に相当する。 本件発明３と引用発明４との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層と、 前記絶縁層に埋設された電極パッドと、 を有し、 前記電極パッドは、 前記絶縁層の一面において端面が露出する第１導電体層と、 前記第１導電体層上に形成された第２導電体層と、 を有する配線基板。 【相違点１１Ａ】 本件発明３では、「電極パッド」の「外側面に前記絶縁層の絶縁性樹脂に接するくびれが形成され」、かつ「前記くびれは、前記外側面のうち前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分に対応する領域に形成され」るのに対し、 引用発明４では、「端子パッド３０」がくびれを有していない点。 【相違点１１Ｂ】 本件発明３では、「第１導電体層」と「第２導電体層」とで「粒界密度が異なる」のに対し、 引用発明４では、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度が異なるとは言えない点。 【相違点１１Ｃ】 本件発明３では、「絶縁層」が「絶縁性樹脂からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に積層され、絶縁性樹脂及び補強部材からなる第２絶縁層」を有するのに対して、 引用発明４では、「樹脂膜７２」がそのような２層構造の絶縁層を有していない点。 上記相違点１１Ａ～１１Ｃについて検討する。 （相違点１１Ｃ）例えば、引用例８に記載されているとおり、導体層を補強材を含む複数の樹脂絶縁層で覆うことは周知技術である。 （相違点１１Ａ）しかし、上記（１）で述べたとおり、配線基板において、電極パッドを構成する複数の金属層の境界部分にくびれを設けることは、周知技術ではない。 また、仮に、ウェットエッチングにより複数の金属層の境界部分にくびれを設けることが周知技術であったとしても、引用発明４の電極層に、当該周知技術を採用する動機付けはない。 （相違点１１Ｂ）また、上記（１）で述べたとおり、引用例４には、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度を異ならせることを示唆する記載はなく、両層のめっき方法をあえて互いに異ならせる動機付けもない。 よって、本件発明３は、引用発明４及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明４、６について 請求項４、６は請求項３を引用するものであり、本件発明４、６は、本件発明３の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点１１Ａ～１１Ｃに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（３）に示した本件発明３についての判断と同様の理由により、本件発明４、６は、引用発明４及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）本件発明７について 本件発明７と引用発明４’とを対比すると、 ア 引用発明４’の「支持基板７０」は、本件発明７の「ベース基板」に相当する。 イ 引用発明４’の「金めっき層３３」は、本件発明７の「第１導電体層」に相当する。 ウ 引用発明４’の「ドライフィルム７６」は、端子パッドに対応する複数の「開口７７」を有しているので、本件発明７の「複数の開口を有するレジスト層」に相当する。 エ 引用発明４’の「金めっき層３３」は、「ドライフィルム７６」をラミネートした後に形成されているため、本件発明７のように「金めっき層３３」の上に「ドライフィルム７６」を形成していない。 オ 引用発明４’の「ニッケルめっき層３２」は、本件発明７の「第２導電体層」に相当する。 カ 引用発明４’の「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」は、いずれも電解めっきにより形成されているため、両層の粒界密度が異なるとは言えない。 キ 引用発明４’の「電極パッド」は複数形成されているので、隣り合う「電極パッド」の間に空隙が形成されることは明らかである。 ク 引用発明４’の「金めっき層３３」は、予め分離した状体で形成されているため、本件発明７のようにドライフィルム７６を除去した後にエッチングしていない。 ケ 引用発明４’の「端子パッド３０」の外側面には、本件発明７のようなくびれは形成されておらず、「端子パッド３０」を構成する「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の境界部分に対応する領域にもくびれは形成されていない。 コ 引用発明４’の「樹脂絶縁層４６」は、本件発明７の「絶縁層」に相当する。 サ 引用発明４’の「端子パッド３０」は、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」とを有し、［樹脂絶縁層４６］で被覆されている。 シ 引用発明４’の「多層配線基板１１の製造方法」は、本件発明７の「配線基板の製造方法」に相当する。 したがって、本件発明７と引用発明４’との一致点及び相違点は、次のとおりである。 【一致点】 ベース基板上に第１導電体層を形成する工程と、 複数の開口を有するレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層の各開口において露出する前記第１導電体層上に第２導電体層を形成する工程と、 前記レジスト層を除去して、隣り合う前記第２導電体層の間に空隙を形成する工程と、 前記第１導電体層と前記第２導電体層とを有する電極パッドを形成する工程と、 少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、 を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 【相違点１２Ａ】 本件発明７は、「エッチストップ層」を有するのに対し、 引用発明４’は、エッチストップ層を有していない点。 【相違点１２Ｂ】 本件発明７は、「第１導電体層上に、複数の開口を有するレジスト層を形成」し、「第１導電体層をエッチングして」いるのに対し、 引用発明４’は「金めっき層３３」の上に複数の「開口７７」を有する「ドライフィルム７６」を形成しておらず、「金めっき層３３」をエッチングしていない点。 【相違点１２Ｃ】 本件発明７では、「第１導電体層」と「第２導電体層」とで「粒界密度が異なる」のに対し、 引用発明４’では、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度が異なるとは言えない点。 【相違点１２Ｄ】 本件発明７は、「前記第１導電体層のエッチングと並行して、前記空隙の幅方向に前記第１導電体層と前記第２導電体層との境界部分をエッチングして、前記電極パッドの外側面のうち、前記境界部分に対応する領域にくびれを形成する工程」を有するのに対し、 引用発明４’は、くびれを形成する工程を有していない点。 上記相違点１２Ａ～１２Ｄについて検討する。 （相違点１２Ａ）例えば、引用例１０に記載されているとおり、導電膜をエッチング除去する際に配線層のダメージを防ぐため、基板表面にエッチングバリア層を設けることは周知技術である。 （相違点１２Ｂ）また、シード層をレジスト形成前に設けること、レジスト形成後に設けることは、いずれも周知技術であり、どの段階でシード層を設けるかは当業者が適宜選択することである。 （相違点１２Ｃ）しかし、上記（１）で述べたとおり、配線基板において、電極パッドを構成する複数の金属層の境界部分にくびれを設けることは、周知技術ではない。 また、仮に、ウェットエッチングにより複数の金属層の境界部分にくびれを設けることが周知技術であったとしても、引用発明４’の電極層に、当該周知技術を採用する動機付けはない。 （相違点１２Ｄ）また、上記（１）で述べたとおり、引用例４には、「金めっき層３３」と「ニッケルめっき層３２」の粒界密度を異ならせることを示唆する記載はなく、両層のめっき方法をあえて互いに異ならせる動機付けもない。 よって、本件発明７は、引用発明４’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （６）本件発明８、９について 請求項８、９は請求項７を引用するものであり、本件発明８、９は、本件発明７の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものである。 また、引用例９には、一方の基板の電極と他方の基板の電極を接着性の部材を介して接続するという周知技術が記載されているものの、係る周知技術を踏まえても、上記相違点１２Ａ～１２Ｄに係る構成を導き出すことはできない。 よって、上記（５）に示した本件発明７についての判断と同様の理由により、本件発明８、９は、引用発明４’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （７）まとめ 以上のとおり、本件発明１ないし６は、引用発明４及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件発明７ないし９は、引用発明４’及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ８ 申立理由８（サポート要件）について （１）絶縁層の厚みについて 特許異議申立人は、本件発明は、絶縁層の厚みを特定していないため、発明の課題（絶縁層に対する電極パッドの固定強度を向上することができる配線基板、積層型配線基板、及び配線基板の製造方法を提供すること）を達成しえない態様までをも包含している旨を主張している。 しかし、本件特許明細書に、「絶縁層の絶縁性樹脂の厚さが十分に確保されない場合、絶縁性樹脂と電極パッドとの接触面積が小さくなり、絶縁層に対する電極パッドの固定強度が低下するという問題がある。」（段落【０００４】参照）、「電極パッド４０の外側面４０ｂに第１配線構造体１０の絶縁性樹脂に接するくびれ４０ａが形成される。これにより、第１配線構造体１０の絶縁性樹脂が電極パッド４０のくびれ４０ａに充填されて電極パッド４０と絶縁性樹脂との密着性が確保される。その結果、第１配線構造体１０に対する電極パッド４０の固定強度を向上することができる。」（段落【００４２】参照）と記載されていることから、本件発明は、電極パッドの外側面にくびれを形成することにより、絶縁性樹脂と電極パッドとの接触面積を増大させ、これにより両者の固定強度を向上させる発明であると解される。 しれみれば、絶縁層の厚みが特定されていなくても、くびれを形成すれば、その分だけ接触面積が増加することは明らかであるから、絶縁層の厚みは、本件発明における課題解決のための必須構成ではない。 よって、特許異議申立人のサポート要件についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９が発明の詳細な説明に記載したものではないとはいえない。 （２）「すくなくとも一部」について 特許異議申立人は、本件発明１、３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」、本件発明７の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層」は、ビア等の絶縁層自体以外の機能部材を備えているとも解されるため、発明の詳細な説明等に記載された事項を超えている旨を主張している。 しかし、上記（１）で述べたとおり、本件発明は、電極パッドの外側面にくびれを形成することにより、絶縁性樹脂と電極パッドとの接触面積を増大させ、これにより両者の固定強度を向上させる発明であるから、絶縁層がビア等の絶縁層以外の機能部材を備えていたとしても、くびれを形成すれば、その分だけ接触面積が増加することは明らかであるから、絶縁層以外の機能部材の有無は、本件発明における課題解決のための必須構成ではない。 また、発明の詳細な説明を参酌しても、絶縁層が絶縁性樹脂以外の機能部材を排除する旨の記載はない。 よって、特許異議申立人のサポート要件についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９が発明の詳細な説明に記載したものではないとはいえない。 ９ 申立理由９（明確性）について （１）「粒界密度」について 特許異議申立人は、本件発明１、３、７の「粒界密度」は定義が記載されていないため、発明の範囲が不明確である旨を主張している。 しかし、「粒界密度」なる技術用語は、多数の特許公報に記載されている用語であって、文言通り「粒界」の「密度」を意味すると解されているものであり、発明の詳細な説明にその定義が記載されていないからといって不明確であるとまでは言えない。 例えば、特開２００２－７６５５３号公報の段落【０００９】には、「無電解Niメッキ層のリン含有率が低いと、結晶粒度の小さい膜が成長するため、粒界密度が高くなり、メッキ表面と充填樹脂の密着性が低下する・・・この写真から、横方向10μm当り平均で0.3個所程度の割合でスパイク状の形状が観察された。これは粒界であると考えられる。」と記載されており、「粒界密度」はメッキ層の断面写真から測定できることが分かる。同様に、特開２００４－９１９１６号公報の段落【００１６】にも「粒界密度」の測定方法と概念について記載されている。 また、本件特許明細書には、「第２導電体層４２の粒界密度が第１導電体層４１の粒界密度よりも小さいため、くびれ４０ａは、第１導電体層４１と第２導電体層４２との境界部分４３に対して非対称な形状に形成される。」と記載されていることから（段落【００３０】参照）、第１導電体層と第２導電体層における「粒界密度」の差異は、くびれが「非対称な形状に形成される」程度の差異と解することができる。 そうすると、「粒界密度」の厳密な測定条件が定められていなくても、くびれが非対称な形状になるか否かにより「粒界密度」の異同は判別できると考える。 したがって、本件発明は、願書に添付した明細書の記載及び図面を考慮し、当業者の出願当時における技術的常識を基礎として、第三者に不測の不利益を及ぼすほどに不明確であるとは認められない。 よって、特許異議申立人の明確性についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９が明確ではないとはいえない。 （２）「すくなくとも一部」について 特許異議申立人は、本件発明１、３の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなる絶縁層」、本件発明７の「少なくとも一部が絶縁性樹脂からなり前記電極パッドを被覆する絶縁層」は、絶縁層自体に絶縁性樹脂以外の材料、添加物等が包含されているのか、絶縁層内、絶縁層間にビア、他の層等の絶縁層自体以外の機能部材が配置されているのか特定できないため、発明の範囲が不明確である旨を主張している。 しかし、上記８（２）で述べたとおり、絶縁層が絶縁性樹脂以外の材料や添加物、絶縁層以外の機能部材を含んでいたとしても、本件発明の課題は達成できるため、絶縁性樹脂以外に何を含んでいるかを特定していなくても、発明の範囲が不明確であるとまではいえない。 よって、特許異議申立人の明確性についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９が明確ではないとはいえない。 （３）「ビア」について 特許異議申立人は、本件発明１の「ビア」が単なる導体を意味するのか、それ以外のものを意味するのか特定できないため、発明の範囲が不明確である旨を主張している。 しかし、「ビア」なる技術用語は、上層と下層の配線を電気的に接続する導体を意味する用語として一般的に使われており、発明の詳細な説明にその意味が定義されていなくても、当業者はその意味を明確に理解することができる。 よって、特許異議申立人の明確性についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９が明確ではないとはいえない。 １０ 申立理由１０（実施可能要件）について 特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、電解めっき法とスパッタ法の条件等が記載されていないため、当業者が「粒界密度が異なる」導電体層を含む本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない旨を主張している。 しかし、結晶成長を伴う電解めっき法と、物理的に粒子を堆積させるスパッタ法とで、「粒界密度が異なる」ことは明らかであるから、発明の詳細な説明に各々の製造条件が記載されていなくても、実施可能要件を満たさないとまでは言えない。 よって、特許異議申立人の実施可能要件についての上記主張は採用できず、本件発明１ないし９は当業者が本件発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないとまでは言えない。 第６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし９に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１ないし９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。