2023-700440

特許第７１６８７９５号発明「セラミック基板、複合基板及び回路基板並びにセラミック基板の製造方法、複合基板の製造方法、回路基板の製造方法及び複数の回路基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７１６８７９５号の請求項１ないし１６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７１６８７９５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～１６に係る特許についての出願は、２０２０年（令和２年）１１月１３日（優先権主張 ２０１９年（令和１年）１１月１５日）を国際出願日とする出願であって、令和４年１０月３１日にその特許権の設定登録（特許掲載公報発行日 令和４年１１月９日）がされた。 その後、令和５年４月２７日に特許異議申立人佐々木毅（以下、「特許異議申立人」という。）により本件の請求項１～１６に係る特許に対する特許異議の申立てがなされ、甲第１号証ないし甲第７号証が提出された。 第２ 本件特許発明 本件特許の請求項１～１６に係る特許発明（以下「本件特許発明１」～「本件特許発明１６」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１～１６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 なお、本件特許発明１、本件特許発明２の各構成には、１Ａ～１Ｄ、２Ａ～２Ｅの符号を当審で付した。以下、「構成１Ａ」～「構成１Ｄ」、「構成２Ａ」～「構成２Ｅ」という。 「【請求項１】（本件特許発明１） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｂ その一対の対角線により形成される交差点を前記セラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、前記一対の対角線により分けられる４つの領域のうち前記交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は前記交差点よりも前記板厚方向の一方側に位置し、他方は前記交差点よりも前記板厚方向の他方側に位置し、 １Ｃ 前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下であり、 １Ｄ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である １Ａ セラミック基板。 【請求項２】（本件特許発明２） ２Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 ２Ｂ その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、 ２Ｃ 前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲し、 ２Ｄ 前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下であり、 ２Ｅ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である ２Ａ セラミック基板。 【請求項３】（本件特許発明３） 前記中心から前記第１直線に沿う方向における前記セラミック基板の両端に亘る各位置の、前記第１切断面に平行な第１平行切断面は、それぞれの長さ方向の中央部分が前記板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、 前記各位置の前記第１平行切断面は、前記中心から前記第２直線に沿う方向における前記セラミック基板の両端に亘って、連続的に曲率が大きくなる、 請求項２に記載のセラミック基板。 【請求項４】（本件特許発明４） 前記中心から前記第２直線に沿う方向における前記セラミック基板の両端に亘る各位置の、前記第２切断面に平行な第２平行切断面は、それぞれの長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲し、 前記各位置の前記第２平行切断面は、前記中心から前記第１直線に沿う方向における前記セラミック基板の両端に亘って、連続的に曲率が小さくなる、 請求項２又は３に記載のセラミック基板。 【請求項５】（本件特許発明５） 前記板厚方向において、前記第１直線を対称線として線対称となる立体形状を有する、 請求項２～４のいずれか１項に記載のセラミック基板。 【請求項６】（本件特許発明６） 前記板厚方向において、前記第２直線を対称線として線対称となる立体形状を有する、 請求項２～５のいずれか１項に記載のセラミック基板。 【請求項７】（本件特許発明７） 窒化珪素又は窒化アルミニウムを含む、 請求項１～６のいずれか１項に記載のセラミック基板。 【請求項８】（本件特許発明８） 請求項１～７のいずれか１項に記載のセラミック基板と、 前記セラミック基板の表面側に固定されている第１金属層と、 前記セラミック基板における裏面側に固定されている第２金属層と、 を備える複合基板。 【請求項９】（本件特許発明９） 請求項１～７のいずれか１項に記載のセラミック基板と、 前記セラミック基板の一方の面側に形成されている回路パターンと、 前記セラミック基板における他方の面側に固定されている金属層と、 を備える回路基板。 【請求項１０】（本件特許発明１０） 請求項１～７のいずれか１項に記載のセラミック基板の製造方法であって、 セラミック粉末を含む帯状グリーンシートを切断して枚葉グリーンシートを得る帯状グリーンシートの切断工程と、 焼成室内に前記枚葉グリーンシートを配置して、前記焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで前記焼成室内を加熱した後に前記焼成室内を冷却し、前記枚葉グリーンシートを焼結させて前記セラミック基板を得る焼結工程と、 前記焼結工程の後に冷却した前記セラミック基板の全周縁を切断するセラミック基板の切断工程と、 を含み、 前記焼結工程では、前記焼成室内の冷却時に前記焼成室内の温度が９００℃以上１１００℃以下の温度で前記焼成室内の温度を急冷し、 前記セラミック基板の切断工程では、前記全周縁を少なくとも幅３ｍｍ切り落とす、 セラミック基板の製造方法。 【請求項１１】（本件特許発明１１） 前記セラミック粉末は、窒化珪素粉末又は窒化アルミニウム粉末を含む、 請求項１０に記載のセラミック基板の製造方法。 【請求項１２】（本件特許発明１２） 請求項１０又は１１に記載のセラミック基板の製造方法と、 前記セラミック基板の表面側に第１金属層を固定し、裏面側に第２金属層を固定する固定工程と、 を含む、 複合基板の製造方法。 【請求項１３】（本件特許発明１３） 請求項１２に記載の複合基板の製造方法と、 前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、少なくとも１つの回路パターンを形成するパターン形成工程と、 を含む、 回路基板の製造方法。 【請求項１４】（本件特許発明１４） 請求項１２に記載の複合基板の製造方法と、 前記第１金属層及び前記第２金属層のいずれか一方に、複数の回路パターンを形成するパターン形成工程と、 前記複数の回路パターンが形成された前記複合基板を、それぞれが１つの前記回路パターンを備える複数の回路基板に分割する分割工程と、 を含む、 複数の回路基板の製造方法。 【請求項１５】（本件特許発明１５） 前記焼成室内を冷却する工程は、 前記焼成室内が少なくとも１６００℃以上に加熱された状態から冷却する第１の冷却工程と、 前記焼成室内の温度が９００℃以上１１００℃以下の温度で前記焼成室内の温度を急冷する第２の冷却工程とを含み、 前記第２の冷却工程の時間は前記第１の冷却工程より短い、請求項１０に記載のセラミック基板の製造方法。 【請求項１６】（本件特許発明１６） 前記焼成室内を冷却する工程における冷却速度は、５００℃／時間以上６００℃／時間である、請求項１５に記載のセラミック基板の製造方法。」 第３ 特許異議の申立ての理由の概要 特許異議申立人が申し立てた理由は、概略以下のとおりである。 １ 理由１ 本件特許明細書の発明の詳細な説明は、請求項１～１６に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、請求項１～１６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 ２ 理由２ 請求項１～７に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～７に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 ３ 理由３ 請求項１～９に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項１０～１６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証ないし甲第４号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１０～１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 （なお、請求項１０～１６に係る発明に関して、異議申立書には、「本件特許発明１０は、甲１発明と、甲第３号証に記載された事項（以下、「甲３記載事項」という。）又は甲第４号証に記載された事項（以下、「甲４記載事項」という。）と、から当業者が容易に為し得たものである。」（５６頁２８～３０行）、「本件特許発明１１は、甲１発明と、甲３記載事項又は甲４記載事項と、に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５７頁４～５行）、「本件特許発明１２は、甲１発明及び甲４記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５７頁１７～１８行）、「本件特許発明１３は、甲１発明及び甲４記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５８頁１～２行）、「本件特許発明１４は、甲１発明及び甲４記載事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（５８頁１９～２０行）、「本件特許発明１５は、甲１発明と、甲３記載事項又は甲４記載事項と、から当業者が容易に為し得たものである。」（５９頁１５～１６行）、「本件特許発明１６は、甲１発明と、甲３記載事項又は甲４記載事項と、から当業者が容易に為し得たものである。」（５９頁２１～２２行）と記載されている。 しかし、請求項１０～１６に係る発明は、それぞれ、請求項１～７のいずれか１項、請求項１０、請求項１０又は１１、請求項１２、請求項１２、請求項１０、請求項１５を引用する発明であるから、請求項１０～１６に係る発明に対する特許異議の申立てには、甲第１号証ないし甲第４号証が引例として採用されたものと判断した。） ４ 理由４ 請求項１～９に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 請求項１０～１６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１０～１６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。 （なお、請求項１３、１４に係る発明に関して、異議申立書には、「本件特許発明１３は、甲２発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に為し得たものである。」（６５頁８～９行）、「本件特許発明１４は、甲２発明及び甲４記載事項から当業者が容易に為し得たものである。」（６５頁２５～２６行）と記載されている。 しかし、請求項１３、１４に係る発明は、それぞれ、請求項１２を引用する発明であるから、請求項１３、１４に係る発明に対する特許異議の申立てには、甲第２号証ないし甲第４号証が引例として採用されているものと判断した。） ５ 理由５ 請求項１～１６に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、同法第１１３条第４号に該当し取り消すべきものである。 甲第１号証：特開２００２－６８８４９号公報 甲第２号証：再公表特許ＷＯ２０１３／１４６７８９号 甲第３号証：特開２０１２－２５６７３１号公報 甲第４号証：特開２０１６－３４０３９号公報 甲第５号証：再公表特許ＷＯ２０１６／１２５６３５号 甲第６号証：特開平１１－３２２４３２号公報 甲第７号証：特許第７１２６０３５号公報 第４ 各甲号証について １ 甲第１号証に記載された発明 （１）【０００６】、【０００７】には、撓みが生じているセラミックスは、変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などには使用することができないこと、本発明は、面積が大きく且つ厚みが薄い場合であっても、外部からの極めて小さな外力で変化する撓みのないセラミックス燒結体を製造する方法を提供することを目的とすることが記載されている。 すなわち、甲第１号証に記載されたセラミックス燒結体は、面積が大きく且つ厚みが薄い場合であっても、外部からの極めて小さな外力で変化する撓みのないものであるから、変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などに使用されるものである。 （２）【００１８】、【００１９】より、セラミックスは。焼結体が少なくとも１０００℃に冷却させるまでは、２０℃／分以下の冷却速度で冷却させ、変形能を有すると考えられる１０００℃以上の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができ、厚みが１.０ｍｍ以下のセラミックス燒結体においては、冷却速度を２０℃／分以下とする温度範囲を１２００℃以上にすることが可能である。 すなわち、甲第１号証に記載されたセラミックス燒結体は、変形能を有すると考えられる１０００℃以上（厚みが１.０ｍｍ以下の場合は１２００℃以上）の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができるものである。 （３）【００３０】、【００３１】、【表２】～【表６】より、以下の焼結の条件、寸法（８×８ｃｍと１０×１０ｃｍである場合を除く。）、冷却速度である場合に、セラミックス燒結体は撓みの発生がないものである。 ア 焼結条件が１６５０℃で５ｈｒとした焼結体○１（○１の実際の表記は、○の中に１である。以下、○２～○５についても同様。）では、 ア－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１０００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 ア－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 イ 焼結条件が１８５０℃で５ｈｒとした焼結体○２では、 イ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 イ－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 ウ 焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした焼結体○３－１では、 ウ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 エ 焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした後に１８００℃で１０ａｔｍで１ｈｒとした焼結体○３－２では、 エ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 エ－２ 寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合。 オ 焼結条件が２２５０℃で１０ｈｒとした焼結体○４では、 オ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合。 オ－２ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 カ 焼結条件が２２００℃で１０ｈｒとした焼結体○５では、 カ－１ 寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 （４）そうすると、甲第１号証には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。 なお、甲１発明の各構成には、１ａ～１ｄの符号を当審で付した。以下、 「構成１ａ」～「構成１ｄ」という。 （甲１発明） １ａ 変形しにくいことを前提とする電子部品用基板などに使用され、 １ｂ 変形能を有すると考えられる１０００℃以上（厚みが１.０ｍｍ以下の場合は１２００℃以上）の温度範囲で冷却速度を遅くし、燒結体内の温度分布を小さくすることで、撓みの発生を抑制することができ、 １ｃ 以下の（ア）～（カ）の焼結の条件、寸法、冷却速度である場合に、撓みの発生がない １ｄ セラミックス燒結体。 １ｃ－１（ア）焼結条件が１６５０℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１０００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 １ｃ－２（イ）焼結条件が１８５０℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 １ｃ－３（ウ）焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、 １ｃ－４（エ）焼結条件が１７００℃で５ｈｒとした後に１８００℃で１０ａｔｍで１ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１０×３０ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を５℃／分とした場合、 １ｃ－５（オ）焼結条件が２２５０℃で１０ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を１０℃／分とした場合、もしくは、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合、 １ｃ－６（カ）焼結条件が２２００℃で１０ｈｒとした焼結体では、寸法を１５×１５ｃｍとして１２００℃以上での冷却速度を２０℃／分とした場合。 ２ 甲第２号証に記載された発明 （１）【０００７】より、反り及びうねりが小さく十分な機械的強度及び熱伝導率を有する窒化珪素焼結体基板に関するものである。 （２）【００２７】より、窒化珪素焼結体基板は、グリーンシートの積層体を用いて製造されるものである。 （３）【００４０】より、グリーンシートの焼成は、徐熱域Ｐ０を有する昇温域と、第一の温度保持域Ｐ１及び第二の温度保持域Ｐ２を有する温度保持域と、冷却域とからなる温度プロファイルＰに従って行うものである。 （４）【００４１】より、徐熱域Ｐ０の温度Ｔ０を、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低い１４００～１６００℃の範囲内とし、徐熱域Ｐ０における加熱速度を３００℃／時間以下とし、加熱時間ｔ０を０．５～３０時間とするものである。 （５）【００４２】より、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１を１６００～２０００℃の範囲内とし、保持時間ｔ１を約１～３０時間とし、１６００～２０００℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域Ｐ１内で加熱温度Ｔ１が変化しても良いものである。 （６）【００４４】より、第一の温度保持域Ｐ１の後にある第二の温度保持域Ｐ２の温度Ｔ２は１４００～１７００℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低く、第二の温度保持域Ｐ２の保持時間ｔ２は０．５～４５時間とするものである。 （７）【００４９】より、第二の温度保持域Ｐ２の後にある冷却域Ｐ３の冷却速度は１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が最も好ましく、実用的には、５００～６００℃／時間が好ましいものである。 （８）【００５０】より、窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度である。 （９）【００５１】より、窒化珪素焼結体基板の反りは、窒化珪素焼結体基板の表面に対して、三次元レーザ計測器により３本の走査線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）に沿ってレーザ光を走査し、各走査線Ｌ１～Ｌ３について、窒化珪素焼結体基板の表面の走査方向両端を結ぶ直線を水平にし、直線から最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものである。 （１０）【００５６】より、窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍである。 （１１）そうすると、甲第２号証には、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。 なお、甲２発明の各構成には、２ａ～２ｋの符号を当審で付した。以下、 「構成２ａ」～「構成２ｋ」という。 ２ａ 反り及びうねりが小さく十分な機械的強度及び熱伝導率を有する窒化珪素焼結体基板に関するものであって、 ２ｂ グリーンシートの積層体を用いて製造され、 ２ｃ グリーンシートの焼成は、徐熱域Ｐ０を有する昇温域と、第一の温度保持域Ｐ１及び第二の温度保持域Ｐ２を有する温度保持域と、冷却域とからなる温度プロファイルＰに従って行い、 ２ｄ 徐熱域Ｐ０の温度Ｔ０を、第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低い１４００～１６００℃の範囲内とし、徐熱域Ｐ０における加熱速度を３００℃／時間以下とし、加熱時間ｔ０を０．５～３０時間とし、 ２ｅ 第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１を１６００～２０００℃の範囲内とし、保持時間ｔ１を約１～３０時間とし、１６００～２０００℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域Ｐ１内で加熱温度Ｔ１が変化しても良く、 ２ｆ 第一の温度保持域Ｐ１の後にある第二の温度保持域Ｐ２の温度Ｔ２は１４００～１７００℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域Ｐ１の温度Ｔ１より低く、第二の温度保持域Ｐ２の保持時間ｔ２は０．５～４５時間とし、 ２ｇ 第二の温度保持域Ｐ２の後にある冷却域Ｐ３の冷却速度は１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が最も好ましく、実用的には、５００～６００℃／時間が好ましく、 ２ｈ 窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度であり、 ２ｉ 窒化珪素焼結体基板の反りは、窒化珪素焼結体基板の表面に対して、三次元レーザ計測器により３本の走査線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）に沿ってレーザ光を走査し、各走査線Ｌ１～Ｌ３について、窒化珪素焼結体基板の表面の走査方向両端を結ぶ直線を水平にし、直線から最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものであり、 ２ｊ 窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍである ２ｋ 窒化珪素焼結体基板。 ３ 甲第３号証に記載された技術事項 （１）【００１５】より、多数個取り配線基板１は、セラミックからなり、平面視が正方形（矩形）の表面２および裏面３を有する複数の配線基板部５を縦横に隣接して併有する製品領域４と、上記と同じセラミックからなり、該製品領域４の周囲に位置し平面視が四角形枠状の表面２および裏面３を有する耳部６と、上記配線基板部５，５間の境界ｃｆおよび製品領域４と耳部６との境界ｃｆに沿って表面２で平面が格子状に形成された分割溝８と、を備えている。 （２）【００１６】より、個々の分割溝８は、製品領域４と耳部６との境界ｃｆと直角に交差して耳部６内に延在する一対の端部９を両端に有し、製品領域４と耳部６との境界ｃｆよりも該耳部６側に延在する端部９ごとの長さｓは、平面視および側面視において、０．５～５ｍｍの範囲とされている。 （３）上記（１）、（２）の記載から、甲第３号証には、 「セラミックからなり、平面視が正方形（矩形）の表面２および裏面３を有する複数の配線基板部５を縦横に隣接して併有する製品領域４と、 上記と同じセラミックからなり、該製品領域４の周囲に位置し平面視が四角形枠状の表面２および裏面３を有する耳部６と、 上記配線基板部５，５間の境界ｃｆおよび製品領域４と耳部６との境界ｃｆに沿って表面２で平面が格子状に形成された分割溝８と、を備え、 個々の分割溝８は、製品領域４と耳部６との境界ｃｆと直角に交差して耳部６内に延在する一対の端部９を両端に有し、製品領域４と耳部６との境界ｃｆよりも該耳部６側に延在する端部９ごとの長さｓは、平面視および側面視において、０．５～５ｍｍの範囲とされる 多数個取り配線基板１。」 とする技術事項（以下、「甲３技術事項」という。）が記載されている。 ４ 甲第４号証に記載された技術事項 （１）【００１９】より、セラミックス回路基板集合体１は、セラミックス回路基板２とダミー部３１、３２、３３、３４、３５とで構成され、セラミックス回路基板２とダミー部３１～３５を分割するための分割溝５が形成されている。 （２）【００４３】より、【図１】のダミー部３１におけるセラミックス基板の寸法は５ｍｍ×５ｍｍである。 そうすると、【図１】のダミー部３１を含む部分は、分割溝５により少なくとも５ｍｍの幅で分割されることが見て取れる。 （３）上記（１）、（２）の記載から、甲第４号証には、 「セラミックス回路基板２とダミー部３１、３２、３３、３４、３５とで構成され、セラミックス回路基板２とダミー部３１～３５を分割するための分割溝５が形成され、 ダミー部３１を含む部分は、分割溝５により少なくとも５ｍｍの幅で分割される セラミックス回路基板集合体１。」 とする技術事項（以下、「甲４技術事項」という。）が記載されている。 ５ 甲第５号証に記載された技術事項 （１）【００１１】より、窒化珪素回路基板は、長手方向の反り量ＳＬ１と短辺方向の反り量ＳＬ２が共に０．０１～１．０ｍｍの範囲内となり、対角線方向の反り量ＳＬ３は、０．１≦ＳＬ３≦１．５ｍｍの範囲内である。 （２）上記（１）の記載から、甲第５号証には、 「長手方向の反り量ＳＬ１と短辺方向の反り量ＳＬ２が共に０．０１～１．０ｍｍの範囲内となり、 対角線方向の反り量ＳＬ３は、０．１≦ＳＬ３≦１．５ｍｍの範囲内である 窒化珪素回路基板。」 とする技術事項（以下、「甲５技術事項」という。）が記載されている。 ６ 甲第６号証に記載された技術事項 （１）【０００１】、【００１８】より、窒化アルミニウムを主成分とする粉末成形体の焼結体は、反り量を３５μｍ／１０ｍｍ以下とするものである。 （２）上記（１）の記載から、甲第６号証には、 「反り量を３５μｍ／１０ｍｍ以下とする 窒化アルミニウムを主成分とする粉末成形体の焼結体。」 とする技術事項（以下、「甲６技術事項」という。）が記載されている。 ７ 甲第７号証に記載された技術事項 （１）【０００５】より、セラミック板は、優れた耐熱性を有し、積層された複数のセラミックグリーンシートの互いの位置がずれることを抑制できる板ばねとして好適に用いられるものである。 （２）【０００６】より、セラミック板は、凸状に湾曲している第１主面と、当該第１主面の反対側に凹状に湾曲している第２主面とを有し、反り量Ｗが１ｍｍ以上である。 （３）【００１２】より、セラミック板は、凸状又は凹状の湾曲面を有するセッターを用いることによって、反り量Ｗが１ｍｍ以上となる。 （４）上記（１）～（３）の記載から、甲第７号証には、 「優れた耐熱性を有し、積層された複数のセラミックグリーンシートの互いの位置がずれることを抑制できる板ばねとして好適に用いられ、 凸状に湾曲している第１主面と、当該第１主面の反対側に凹状に湾曲している第２主面とを有し、反り量Ｗが１ｍｍ以上であり、 凸状又は凹状の湾曲面を有するセッターを用いることによって、反り量Ｗが１ｍｍ以上となる セラミック板。」 とする技術事項（以下、「甲７技術事項」という。）が記載されている。 第５ 当審の判断 １ 特許法第３６条第４項第１号（理由１：実施可能要件違反）について （１）判断 本件特許明細書の【００２５】～【００３３】には、セラミック基板の構成について記載されており、当該記載は、本件特許発明１のセラミック基板の説明を含むものである。 また、本件特許明細書の【００３９】～【００７８】には、本実施形態のセラミック基板の製造方法が記載され、特に、スラリーの原料粉末の成分や割合（【００４４】～【００４７】）、セラミック基板の大きさや厚み（【００５７】）、焼結工程の前の堆積工程における重ねる枚数（【００６０】）、脱脂工程の温度と時間（【００６３】）、焼結工程における昇温域の温度と時間（【００６８】）、温度保持域の温度と時間（【００６９】）、冷却域の冷却速度（【００７１】）、急冷域の開始温度（【００７２】、【００７６】）、切断工程における切断幅（【００７４】、【００７７】）について具体的に記載されている。 そうすると、本件特許明細書の【００３９】～【００７８】に記載されたセラミック基板の製造方法により、本件特許明細書の【００２５】～【００３３】に記載されたセラミック基板、すなわち、本件特許発明１のセラミック基板が製造されるものであるから、発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものである。 さらに、請求項２～１６に係る発明についても同様である。 （２）特許異議申立人の主張について ア 特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、実施可能要件違反の具体的理由として、以下のような主張をしている。 「（ア）本件特許発明１について 本件特許明細書の段落００４２－００７７には、本件特許発明に係るセラミック基板の製造方法が記載されている。 しかし、これらの製造方法の説明には、セラミック基板において、「セラミックス基板の一対の対角線により形成される交差点をセラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、一対の対角線により分けられる４つの領域のうち交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は交差点よりも板厚方向の一方側に位置し、他方は交差点よりも板厚方向の他方側に位置する」形状を実現するための手段が何ら記載されていない。 （中略） してみれば、本件特許明細書は、当業者が本件特許発明１及びこれを引用する本件特許発明７－１６を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。 （イ）本件特許発明２－６について 本件特許発明２についても、本件特許発明１と同様に、本件特許明細書には、「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲」した基板を製造するための方法が、何ら記載されていない。 本件特許発明３－６についても同様に、本件特許発明３－６において特定された形状を基板に付与するための方法が、本件特許明細書には何ら記載されていない。 したがって、本件特許明細書は、当業者が本件特許発明２及びこれを引用する本件特許発明３－１６を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。」（１８頁２行～２２頁７行） イ 特許異議申立人の主張に対する検討 上記主張について検討する。 上記（１）で判断したように、本件特許明細書の【００３９】～【００７８】に記載されたセラミック基板の製造方法により、本件特許発明１のセラミック基板が製造されるものであって、すなわち、当該製造方法により、本件特許発明１の構成である「セラミックス基板の一対の対角線により形成される交差点をセラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、一対の対角線により分けられる４つの領域のうち交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は交差点よりも板厚方向の一方側に位置し、他方は交差点よりも板厚方向の他方側に位置する」形状を実現し、本件特許発明２の構成である「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲」した形状を実現するものであるから、特許異議申立人の主張を採用することはできない。 ２ 甲１発明を主引例とした場合の特許法第２９条第１項第３号、特許法第２９条第２項（理由２、３：新規性、進歩性）について （１）本件特許発明１について ア 甲１発明との対比 （ア）構成１Ａについて 構成１ａ、１ｄより、甲１発明の「セラミック焼結体」は、電子部品用基板に使用されるものであるから、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明１の「セラミック基板」に相当する。 また、構成１ｃ－１～１ｃ－６より、甲１発明のセラミック焼結体の寸法は、１５×１５ｃｍもしくは１０×３０ｃｍであるから、平面視では矩形状であるといえるので、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明１の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成１Ｂについて 本件特許発明１のセラミック基板は、「その一対の対角線により形成される交差点を前記セラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、前記一対の対角線により分けられる４つの領域のうち前記交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は前記交差点よりも前記板厚方向の一方側に位置し、他方は前記交差点よりも前記板厚方向の他方側に位置」することを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （ウ）構成１Ｃについて 本件特許発明１のセラミック基板は、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （エ）構成１Ｄについて 構成１ｃ－１～１ｃ－６より、甲１発明のセラミック焼結体の寸法は、１５×１５ｃｍもしくは１０×３０ｃｍであるから、セラミック焼結体を使用した電子部品用基板の対角線の長さは、それぞれ１５０ｍｍ以上である。 したがって、甲１発明は、構成１Ｄに相当する構成を有するものである。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明１と甲１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｄ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である １Ａ セラミック基板。 （相違点） （相違点１） 本件特許発明１のセラミック基板は、「その一対の対角線により形成される交差点を前記セラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、前記一対の対角線により分けられる４つの領域のうち前記交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は前記交差点よりも前記板厚方向の一方側に位置し、他方は前記交差点よりも前記板厚方向の他方側に位置」することを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 （相違点２） 本件特許発明１のセラミック基板は、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 ウ 検討 事案に鑑みて、上記相違点２について先に検討する。 甲１発明には、上記相違点２に係る構成について記載がないので、甲１発明により、上記相違点２に係る構成が導出できるかについて検討する。 甲１発明のセラミック焼結体は、構成１ｃ－１～１ｃ－６より、焼結条件が１６５０℃、１８５０℃、１７００℃、１７００℃の後に１８００℃、２２５０℃、２２００℃のいずれかであって、構成１ｂのように、１０００℃以上（厚みが１.０ｍｍ以下の場合は１２００℃以上）の温度範囲で冷却速度を遅くしたものである。 また、当該構成１ｂの記載から見て、１０００℃以上もしくは１２００℃以上における冷却速度は、当該温度以下の冷却速度より遅いことから、１０００℃もしくは１２００℃を境として、冷却速度を更に大きくするものといえる。 更に、１０００℃以上もしくは１２００℃以上における冷却速度は、構成１ｃ－１～１ｃ－６より、２０℃／分、１０℃／分、５℃／分（すなわち、１２００℃／時間、６００℃／時間、３００℃／時間）である。 それに対して、本件特許発明１のセラミック基板は、本件特許明細書の【００７０】～【００７２】の記載から見て、昇温域及び温度保持域により焼成室内の温度が少なくとも１６００℃以上になるまで焼成室内を加熱し、焼成室内を冷却する温度域である冷却域の冷却速度は、１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が更に好ましく、実用的な冷却速度は、５００℃～６００℃／時間が好ましいとされ、更に冷却速度を大きくする温度領域である急冷域は、焼成室内の温度が９００℃以上１２００℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるものである。また、本件特許明細書の【００７４】より、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの少なくとも３ｍｍの幅の部分を切断するものである。 そこで、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法と、甲１発明のセラミック焼結体を製造する方法とを対比する。 温度保持域での焼成室内の温度に関して、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では少なくとも１６００℃以上であるのに対し、甲１発明では、１６５０℃、１８５０℃、１７００℃、１７００℃の後に１８００℃、２２５０℃、２２００℃のいずれかであるから、当該温度は共通するものである。 冷却域の冷却速度に関して、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、１００℃／時間以上が好ましく、３００℃／時間以上がより好ましく、５００℃／時間以上が更に好ましく、実用的な冷却速度は、５００℃～６００℃／時間が好ましいとされているのに対し、甲１発明では、１２００℃／時間、６００℃／時間、３００℃／時間のいずれかであるから、冷却速度は共通するものである。 急冷域は、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼成室内の温度が９００℃以上１２００℃以下のいずれかの温度になった場合に開始されるのに対し、甲１発明では、１０００℃もしくは１２００℃で開始されるから急冷域の開始温度は共通するものである。 そうすると、温度保持域における温度、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度については、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法と甲１発明とでは、共通するものである。 しかし、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法では、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの少なくとも３ｍｍの幅の部分を切断するのに対し、甲１発明は、そのような切断工程を有しないものである。 そして、本件特許明細書の【００７７】には、〔外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義〕として、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなり、反り量のばらつきが小さくなるが、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅を少なくとも３ｍｍとすることが好ましいことが開示され、【図４Ｂ】から、外周縁切断幅が３ｍｍ以上であれば反り量が６μｍ／ｍｍ以下であるが、外周縁切断幅が０ｍｍであると反り量が６μｍ／ｍｍを超える場合もあることが見て取れる。 すなわち、本件特許発明１では、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるセラミック基板が製造されるためには、外周部分切断工程により外周部分のうちの少なくとも３ｍｍの幅の部分を切断することが必要であるといえる。 それに対し、甲第１号証には、温度保持域における温度、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度については、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法と共通するものの、外周部分切断工程については何ら記載も示唆もされておらず、切断幅をどの程度にするかについての示唆もない。 したがって、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明１のように「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるとはいえない。 そうすると、本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、少なくとも相違点２を有するので、本件特許発明１は甲第１号証に記載された発明ではない。 また、甲１発明において、本件特許発明１のセラミック基板を製造する方法のように、外周部分切断工程を有し、切断幅を少なくとも３ｍｍにしようとすることの動機付けがなく、甲第２号証にも、外周部分切断工程に関する記載も示唆もない。 したがって、相違点１について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明でない。 また、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 エ 特許異議申立人の主張について （ア）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、特許異議申立書において、相違点１、２に関する以下のような主張をしている。 「仮に、昇温域が相違点１ｂ、１ｃに係る基板の形状に関係し得たとしても、甲１発明において、甲２発明のように、約１２時間で室温から１６００℃～２０００℃の範囲内の温度まで段階的に昇温させることは、当業者が容易に為し得たことである。」（５３頁４～７行） （イ）特許異議申立人の主張に対する検討 上記主張について検討する。 昇温域に関して甲第２号証に示唆されているとしても、甲第２号証には、外周部分切断工程に関する記載も示唆もない以上、上記ウで検討したように、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 （２）本件特許発明２について ア 甲１発明との対比 （ア）構成２Ａについて 構成１ａ、１ｄより、甲１発明の「セラミック焼結体」は、電子部品用基板に使用されるものであるから、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明２の「セラミック基板」に相当する。 また、構成１ｃ－１～１ｃ－６より、甲１発明のセラミック焼結体の寸法は、１５×１５ｃｍもしくは１０×３０ｃｍであるから、平面視では矩形状であるといえるので、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明２の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成２Ｂ、２Ｃについて 本件特許発明２のセラミック基板は、「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲」していることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （ウ）構成２Ｄについて 本件特許発明２のセラミック基板は、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （エ）構成２Ｅについて 構成１ｃ－１～１ｃ－６より、甲１発明のセラミック焼結体の寸法は、１５×１５ｃｍもしくは１０×３０ｃｍであるから、セラミック焼結体を使用した電子部品用基板の対角線の長さは、それぞれ１５０ｍｍ以上である。 したがって、甲１発明は、構成２Ｅに相当する構成を有するものである。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明２と甲１発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） ２Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 ２Ｅ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である ２Ａ セラミック基板。 （相違点） （相違点３） 本件特許発明２のセラミック基板は、「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲していることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 （相違点４） 本件特許発明２のセラミック基板は、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であることを特定するのに対し、甲１発明は、そのような特定を有していない点。 ウ 検討 事案に鑑みて、上記相違点４について先に検討する。 甲１発明には、上記相違点４に係る構成について記載がないので、甲１発明により、上記相違点４に係る構成が導出できるかについて検討する。 上記（１）ウの検討と同様に、本件特許発明２のセラミック基板を製造する方法と、甲１発明のセラミック焼結体を製造する方法とを対比すると、温度保持域における温度、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度については、本件特許発明２のセラミック基板を製造する方法と甲１発明とでは、共通するものである。 しかし、本件特許発明２のセラミック基板を製造する方法では、焼結工程の後、外周部分切断工程により外周部分のうちの少なくとも３ｍｍの幅の部分を切断するのに対し、甲１発明は、そのような切断工程を有しないものである。 そして、本件特許明細書の【００７７】には、〔外周部分切断工程Ｓ３を行うことの技術的意義〕として、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなり、反り量のばらつきが小さくなるが、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅を少なくとも３ｍｍとすることが好ましいことが開示され、【図４Ｂ】から、外周縁切断幅が３ｍｍ以上であれば反り量が６μｍ／ｍｍ以下であるが、外周縁切断幅が０ｍｍであると反り量が６μｍ／ｍｍを超える場合もあることが見て取れる。 すなわち、本件特許発明２では、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるセラミック基板が製造されるためには、外周部分切断工程により外周部分のうちの少なくとも３ｍｍの幅の部分を切断することが必要であるといえる。 それに対し、甲第１号証には、温度保持域における温度、冷却域における冷却速度、急冷域の開始温度については、本件特許発明２のセラミック基板を製造する方法と共通するものの、外周部分切断工程については何ら記載も示唆もされておらず、切断幅をどの程度にするかについての示唆もない。 したがって、甲１発明のセラミック焼結体を使用した電子部品用基板は、本件特許発明２のように「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるとはいえない。 そうすると、本件特許発明２と甲１発明とを対比すると、少なくとも相違点４を有するので、本件特許発明２は甲第１号証に記載された発明ではない。 また、甲１発明において、本件特許発明２のセラミック基板を製造する方法のように、外周部分切断工程を有し、切断幅を少なくとも３ｍｍにしようとすることの動機付けがなく、甲第２号証にも、外周部分切断工程に関する記載も示唆もない。 したがって、相違点３について検討するまでもなく、請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明でない。 また、請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件特許発明３～１６について 本件特許発明３～１６は、本件特許発明１もしくは２を直接若しくは間接に引用する発明であるから、少なくとも上記（１）イの相違点１、２もしくは（２）イの相違点３、４を有するものである。 したがって、本件特許発明１もしくは２についての判断と同様の理由により、本件特許発明３～７は、甲第１号証に記載された発明でない。 また、本件特許発明３～９は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 さらに、甲３技術事項には、製品領域と耳部との境界に沿って形成された分割溝を備えることが記載され、甲４技術事項には、セラミックス回路基板とダミー部を分割するための分割溝が形成されることが記載されているものの、甲３技術事項の耳部は製品領域以外の部分であり、甲４技術事項のダミー部はセラミックス回路基板以外の部分であるから、分割溝による切断幅は、不要な部分を切断する幅としているものといえる。 そうすると、甲３技術事項、甲４技術事項は、切断幅が大きいほど、反り量が小さくなり、反り量のばらつきが小さくなるが、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅を少なくとも３ｍｍとすることを考慮したものでなく、甲３技術事項、甲４技術事項を甲１発明に適用する動機がない。 したがって、本件特許発明１０～１６は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証ないし甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ３ 甲２発明を主引例とした場合の特許法第２９条第２項（理由４：進歩性）について （１）本件特許発明１について ア 甲２発明との対比 （ア）構成１Ａについて 甲２発明の「窒化珪素焼結体基板」は、本件特許発明１の「セラミック基板」に相当する。 また、構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、平面視では矩形状であるといえるので、甲２発明の窒化珪素焼結体基板は、本件特許発明１の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成１Ｂについて 本件特許発明１のセラミック基板は、「その一対の対角線により形成される交差点を前記セラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、前記一対の対角線により分けられる４つの領域のうち前記交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は前記交差点よりも前記板厚方向の一方側に位置し、他方は前記交差点よりも前記板厚方向の他方側に位置」することを特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （ウ）構成１Ｃについて 構成２ｈより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の反りは２．５μｍ／ｍｍ以内に低減されており、好ましくは２．０μｍ／ｍｍ以内であり、より好ましくは１．５μｍ／ｍｍ以内であり、できるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は０．１μｍ／ｍｍ程度である。 構成２ｉより、窒化珪素焼結体基板の反りは、最も上方に離隔した点Ｅの高さＧと、最も下方に離隔した点Ｆの高さＨとを求め、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）を各走査線Ｌ１～Ｌ３（走査線Ｌ１及びＬ３は窒化珪素焼結体基板の各側端から１０ｍｍだけ内側の線に沿っており、走査線Ｌ２は窒化珪素焼結体基板の中心線に沿っている。）の長さＩで割り、走査線Ｌ１～Ｌ３ごとに得られた（Ｇ＋Ｈ）／Ｉの値を平均し、反りとするものである。 ここで、点Ｅと点Ｆとの垂直方向距離（Ｇ＋Ｈ）は、本件特許発明１の「前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量」に相当する。 また、各走査線の長さＩは、窒化珪素焼結体基板の辺の長さに等しく、構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板のサイズは、１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、その対角線の長さは、√２Ｉである。 そうすると、甲２発明において、「前記セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値」は、（Ｇ＋Ｈ）／Ｉを更に、√２で除した値であるから、最大でも、２．５／√２＝１．７７μｍ／ｍｍとなる。 そうすると、セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値は、本件特許発明１が、「２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるのに対し、甲２発明は、最大でも１．７７μｍ／ｍｍである点で相違する。 （エ）構成１Ｄについて 構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、窒化珪素焼結体基板の対角線の長さは、それぞれ１５０ｍｍ以上である。 したがって、甲２発明は、構成１Ｄに相当する構成を有するものである。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明１と甲２発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） １Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 １Ｄ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である １Ａ セラミック基板。 （相違点５） 本件特許発明１のセラミック基板は、「その一対の対角線により形成される交差点を前記セラミック基板の板厚方向の基準とした場合に、前記一対の対角線により分けられる４つの領域のうち前記交差点を挟んで対向する一対の第１領域及び一対の第２領域の一方は前記交差点よりも前記板厚方向の一方側に位置し、他方は前記交差点よりも前記板厚方向の他方側に位置」することを特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点。 （相違点６） セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値は、本件特許発明１が、「２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるのに対し、甲２発明は、最大でも１．７７μｍ／ｍｍである点。 ウ 検討 事案に鑑みて、上記相違点６について先に検討する。 セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値について、甲２発明は最大でも１．７７μｍ／ｍｍであり、構成２ｈより、甲２発明は、小さければ小さいほど好ましいものである。 そして、１．７７μｍ／ｍｍより小さければ小さいほど好ましい甲２発明において、本件特許発明１のように、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下にしようとする動機がない。 したがって、相違点５について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （２）本件特許発明２について ア 甲２発明との対比 （ア）構成２Ａについて 甲２発明の「窒化珪素焼結体基板」は、本件特許発明２の「セラミック基板」に相当する。 また、構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、平面視では矩形状であるといえるので、甲２発明の窒化珪素焼結体基板は、本件特許発明２の「平面視にて矩形状のセラミック基板」に相当する。 （イ）構成２Ｂ、２Ｃについて 本件特許発明２のセラミック基板は、「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲」していることを特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点で相違する。 （ウ）構成２Ｄについて 上記（１）ア（ウ）と同様に、セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値は、本件特許発明２が、「２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるのに対し、甲２発明は、最大でも１．７７μｍ／ｍｍである点で相違する。 （エ）構成２Ｅについて 構成２ｊより、甲２発明の窒化珪素焼結体基板の好ましいサイズは１２０ｍｍ×１２０ｍｍであり、より好ましいサイズは１４０ｍｍ×１４０ｍｍであるから、窒化珪素焼結体基板の対角線の長さは、それぞれ１５０ｍｍ以上である。 したがって、甲２発明は、構成２Ｅに相当する構成を有するものである。 イ 一致点・相違点 以上より、本件特許発明２と甲２発明との一致点・相違点は、以下のとおりである。 （一致点） ２Ａ 平面視にて矩形状のセラミック基板であって、 ２Ｅ 前記対角線の長さが１５０ｍｍ以上である ２Ａ セラミック基板。 （相違点） （相違点７） 本件特許発明２のセラミック基板は、「その平面視にてその中心を通りかつ四辺のうちの任意の一辺に平行な第１直線により切断される第１切断面は、その長さ方向の中央部分が板厚方向の一方側に向けて凸状に湾曲し、前記中心を通りかつ前記第１直線と直交する第２直線により切断される第２切断面は、その長さ方向の中央部分が前記板厚方向の他方側に向けて凸状に湾曲」していることを特定するのに対し、甲２発明は、そのような特定を有していない点。 （相違点８） セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値は、本件特許発明２が、「２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるのに対し、甲２発明は、最大でも１．７７μｍ／ｍｍである点。 ウ 検討 事案に鑑みて、上記相違点８について先に検討する。 セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の板厚方向の最大凸量を除した値について、甲２発明は最大でも１．７７μｍ／ｍｍであり、構成２ｈより、甲２発明は、小さければ小さいほど好ましいものである。 そして、１．７７μｍ／ｍｍより小さければ小さいほど好ましい甲２発明において、本件特許発明２のように、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下にしようとする動機がない。 したがって、相違点７について検討するまでもなく、請求項２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （３）本件特許発明３～１６について 本件特許発明３～１６は、本件特許発明１もしくは２を直接若しくは間接に引用する発明であるから、少なくとも上記（１）イの相違点５、６もしくは（２）イの相違点７、８を有するものである。 したがって、本件特許発明１もしくは２についての判断と同様の理由により、本件特許発明３～９は、甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 また、甲３技術事項、甲４技術事項を勘案しても、１．７７μｍ／ｍｍより小さければ小さいほど好ましい甲２発明において、本件特許発明１、２のように、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下にしようとする動機を見いだすことはできない。 したがって、本件特許発明１０～１６は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 ４ 特許法第３６条第６項第１号（理由５：サポート要件違反）について （１）特許異議申立人の主張 特許異議申立人は、サポート要件違反の具体的理由として、以下のような主張をしている。 「本件特許明細書では、その段落００２９において「以上より、本実施形態のセラミック基板４０では、最大凸量は約６００μｍであり、対角線の長さが約２５２．５ｍｍであるから、その反り量は、２μｍ／ｍｍ～６μｍ／ｍｍ以下を満たす約２．３７μｍ／ｍｍとなる。」との一例が記載されているにすぎない。 出願時の技術常識に照らしても、本件特許発明１、２の範囲まで、本件特許明細書に記載された一例を拡張ないし一般化できるとはいえない。 このため、本件特許発明１、２及びこれらを引用する本件特許発明３－１６は、本件特許明細書に記載されたものではない。」（６７頁４～１３行） （２）判断 確かに、本件特許明細書の【００２９】には、その一例が記載されているにすぎない。 しかし、本件特許明細書の【００５７】、【００７６】、【００７７】には、 「セラミック基板４０の表面における対角線の長さが１５０ｍｍ以上であることが好ましく、２００ｍｍ以上であることがより好ましく、２３６ｍｍ以上であることが特に好ましい。上限には特に制限はないが、例えば２５４ｍｍ以下とすることができる。」 「図３Ｃのグラフから分かるように、急冷開始温度が４００℃～１１００℃の場合と４００℃の場合、反り量のばらつきを考慮しても、セラミック基板４０の反り量は反り量の最大許容値未満（この場合は２μｍ／ｍｍ～６μｍ／ｍｍ未満）となる。また、急冷開始温度の極端な引き下げ（例えば４００℃以下）をすると、焼成時間の延長による生産性の低下に繋がる。 そこで、本実施形態では、反り量と、焼成時間の短縮化とのバランスを考慮し、急冷開始温度が９００℃～１１００℃が適切な範囲であるとしている。 なお、焼成時間の短縮化を考慮しなければ、急冷開始温度を６５０℃未満としてもよい。」 「本願の発明者らは、急冷開始温度が６５０℃の場合を一例として、外周部分の切断幅を、０ｍｍ（切断無し）、３ｍｍ、６ｍｍ及び９ｍｍに設定した場合のセラミック基板４０の反り量を測定する試験を行った。図４Ｂは、その結果のグラフ、すなわち、外周部分切断工程Ｓ３における、外周部分の切断幅と、反り量との関係を示すグラフである。図４Ｂのグラフから分かるように、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量が小さくなることが分かる。また、外周部分の切断幅が大きいほど、反り量のばらつきが小さくなることが分かる。この理由は、セラミック基板４０における外周部分に近い部分ほど、冷却時の影響により圧縮応力又は引張応力がかかった状態であるため、このような部分を切断することでセラミック基板４０がこれらの応力から解放されると考えられる。そして、図４Ｂのグラフの結果を考慮すると、外周部分を切断する必要がある。ただし、セラミック基板４０の切断された外周部分は廃棄される、すなわち、切断幅が大きいほど廃棄量が増えることから、外周部分の切断幅は狭い方が好ましい。 そこで、本実施形態では、外周部分の切断幅を少なくとも３ｍｍとすることが好ましい。」 と記載されている。 当該発明の詳細な説明の記載から、対角線の長さが１５０ｍｍ以上であるセラミック基板において、急冷開始温度を９００℃～１１００℃とし、外周部分の切断幅を少なくとも３ｍｍとすることにより、セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値が、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下となるセラミック基板が製造されるものといえる。 そうすると、発明の詳細な説明に記載されたセラミック基板を製造する方法により、本件特許発明１、２のような、「対角線の長さが１５０ｍｍ以上」であり、「セラミック基板の対角線の長さで前記セラミック基板の前記板厚方向の最大凸量を除した値は、２μｍ／ｍｍ以上６μｍ／ｍｍ以下」であるセラミック基板を製造できないとはいえない。 したがって、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。 本件特許発明３～１６についても同様である。 第６ むすび したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～１６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～１６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。