2024-700982

特許第７４７０１８１号発明「接合体、セラミックス銅回路基板、接合体の製造方法、およびセラミックス銅回路基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４７０１８１号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４７０１８１号（以下「本件特許」という。）の請求項１～１５に係る特許についての出願は、２０２１年（令和３年）３月８日（優先権主張 令和２年３月１８日）を国際出願日とする出願であって、令和６年４月９日にその特許権の設定登録がされ、同年４月１７日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和６年１０月８日に特許異議申立人 寺澤 佳奈美（以下「申立人」という。）は特許異議申立書（以下では単に「申立書」という。）を提出して特許異議の申立てを行った。その後、令和６年１１月２０日に申立人は手続補正書を提出して申立書の補正を行った。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～１５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明１５」といい、これらを総称して「本件発明」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１～１５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 セラミックス基板と、 接合層を介して前記セラミックス基板に接合された銅板と、 を備えた接合体であって、 前記銅板は、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合された方向に垂直な表面を有し、 前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下であることを特徴とする接合体。 【請求項２】 前記個数割合は１％以下であることを特徴とする請求項１記載の接合体。 【請求項３】 前記３つの領域において、前記銅結晶粒の長径の平均値は、３０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項２のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項４】 前記３つの領域において、前記銅結晶粒の長径の平均値は、５０μｍ以上１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項５】 前記３つの領域において、長径が平均範囲内である前記銅結晶粒の個数割合は、８０％以上であり、 前記平均範囲は、前記３つの領域における前記銅結晶粒の長径の平均値の０．５倍以上２倍以下である、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項６】 前記セラミックス基板のうねり曲線の算術平均高さＷａが２μｍ以下、前記うねり曲線の最大断面高さＷｔが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項７】 前記接合層は、Ａｇ、ＣｕおよびＴｉを含有することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項８】 前記セラミックス基板は、窒化珪素基板または窒化アルミニウム基板のいずれか一方であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の接合体。 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項に記載の接合体を用いたことを特徴とするセラミックス銅回路基板。 【請求項１０】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の接合体の製造方法であって、 前記セラミックス基板と前記銅板との間に、前記接合層用のろう材を配置させる工程と、 接合温度が８００℃以下である接合工程と、 を備えたことを特徴とする接合体の製造方法。 【請求項１１】 前記接合温度は７００℃以下であることを特徴とする請求項１０記載の接合体の製造方法。 【請求項１２】 接合前の前記銅板の平均粒径をＡ（μｍ）、接合後の前記銅板の平均粒径をＢ（μｍ）としたとき、Ｂ／Ａ≦１０を満たすことを特徴とする請求項１０ないし請求項１１のいずれか１項に記載の接合体の製造方法。 【請求項１３】 １．１≦Ｂ／Ａ≦５を満たすことを特徴とする請求項１２記載の接合体の製造方法。 【請求項１４】 前記ろう材のＤＳＣ曲線において、最も大きな吸熱ピークが７００℃以下にあることを特徴とする請求項１０ないし請求項１３のいずれか１項に記載の接合体の製造方法。 【請求項１５】 請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の接合体の製造方法と、 接合された前記銅板に回路構造を付与する工程と、 を備えたセラミックス銅回路基板の製造方法。」 なお、本件発明１について、後の参照の便宜のために、以下のとおり分説し、「発明特定事項Ａ」のようにして参照する。 【請求項１】 Ａ セラミックス基板と、 Ｂ 接合層を介して前記セラミックス基板に接合された銅板と、 Ｃ を備えた接合体であって、 Ｄ 前記銅板は、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合された方向に垂直な表面を有し、 Ｅ 前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である Ｆ ことを特徴とする接合体。 第３ 申立ての理由の概要 申立書に記載された申立理由及び証拠方法は、次のとおりである。 １ 申立理由 理由１ 本件発明１～５、７～１５は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５、７～１５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（特許法第１１３条第２号） 理由２ 本件発明１～１５は、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであり、本件発明７及び８は、当業者が甲第１号証に記載された発明並びに甲第２号証及び甲第３号証に記載された周知技術に基いて容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（特許法第１１３条第２号） 理由３ 本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～５、７～９が発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第４号） 理由４ 本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１～１３、１５の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（特許法第１１３条第４号） ２ 証拠方法 甲第１号証 特開２００７－６６９９５号公報 甲第２号証 国際公開第２０１８／０２１４７２号 甲第３号証 国際公開第２０１８／１９９０６０号 以下、申立人が提出した「甲第１号証」～「甲第３号証」を、それぞれ「甲１」～「甲３」という。 第４ 理由１及び２についての判断 理由１（新規性）及び理由２（進歩性）の有無を判断するために、まず、以下の１において甲１発明の認定を行う。次いで、以下の２において本件発明１と甲１発明との対比を行い、以下の３において本件発明１と甲１発明との相違点について判断し、以下の４に小括する。 １ 甲１発明の認定 （１）甲１の記載 甲１には、次の事項が記載されている。なお、下線は、甲１発明の認定に使用する箇所を示すことを目的に、当審で付した。 「【請求項１】 セラミックス基板と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなり前記セラミックス基板の一面に接合された金属回路板と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなり前記セラミックス基板の他面に接合された金属放熱板とから構成されたセラミックス配線基板において、 前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、前記金属放熱板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さいことを特徴とするセラミックス配線基板。 【請求項２】 前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径と、前記金属放熱板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径の比が０．１～１．０であることを特徴とする請求項１記載のセラミックス配線基板。 【請求項３】 前記金属回路板の前記セラミックス基板との接合界面近傍における前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径より小さく、その比が０．１２～０．５０であることを特徴とする請求項１又は２記載のセラミックス配線基板。 【請求項４】 前記金属放熱板の前記セラミックス基板との接合界面近傍における前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、前記金属放熱板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径はより小さく、その比が０．１２～０．５０であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のセラミックス配線基板。 【請求項５】 前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、１００～４００μｍであることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のセラミックス配線基板。 【請求項６】 前記銅合金は、前記銅と、少なくともニッケル、亜鉛、ジルコニウム又はスズの何れかを含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のセラミックス配線基板。 【請求項７】 前記セラミックス基板は、窒化珪素からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載のセラミックス配線基板。 【請求項８】 銅又は銅を主成分とする銅合金からなる金属回路板と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなる金属放熱板とを、それぞれろう材を介してセラミックス基板の表裏に加熱接合する際に、 前記金属回路板及び前記金属放熱板を構成する前記銅又は前記銅合金の種類毎に予め設定された接合温度及び平均再結晶粒子径のデータに基づいて、前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径が、前記金属放熱板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さくなるように前記接合温度を設定する ことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。 【請求項９】 請求項１乃至７の何れかに記載のセラミックス配線基板と、前記セラミックス配線基板に搭載された半導体素子とからなることを特徴とする半導体モジュール。 【請求項１０】 前記セラミックス配線基板の前記金属放熱板に、前記銅又は前記銅合金からなる放熱ベース板を結合したことを特徴とする請求項９記載の半導体モジュール。」 「【０００１】 本発明は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の両面にそれぞれ接合された金属回路板及び金属放熱板とから構成されたセラミックス配線基板、その製造方法及びこのセラミックス配線基板を用いた半導体モジュールに関する。」 「【０００３】 …（略）…一方、活性金属ろう付け法とは、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）又はハフニウム（Ｈｆ）等の活性金属と低融点合金を作る銀（Ａｇ）、銅等の金属を混合又は合金としたろう材を用いて銅板やＡｌ板をセラミックス基板の一面又は両面にろう材相を介して不活性ガス又は真空雰囲気中で加熱圧着接合するものである。…（略）…」 「【０００９】 上記したように、第３の従来例によれば、ろう材の金属回路板の表面への流出、これに起因する電子部品と金属回路板との接続信頼性低下という問題を解決することはできる。しかし、上記した第１及び第２の従来例が解決した、熱衝撃等により生じる損傷に対する耐久性低下という課題を解決することはできない。 さらに、第３の従来例では、金属層及びその形成工程が必要であるため、その分コストアップにつながってしまう。 【００１０】 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、上述のような課題を解決することができるセラミックス配線基板、その製造方法及び半導体モジュールを提供することを目的とする。」 「【００１７】 以下、さらに詳しく本発明の実施の形態について説明する。まず、本発明の実施の形態で用いられるセラミックス基板の材質としては、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板が望ましい。この窒化珪素基板の詳細については、後述する。 次に、金属回路板及び金属放熱板は、いずれも銅又は銅を主成分とする銅合金からなるが、本発明の実施の形態では、上記金属回路板の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径と、上記金属放熱板の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径との比が制御されていることに特徴がある。この銅又は銅合金の平均再結晶粒子径の比は、金属回路板及び金属放熱板のそれぞれについて所望の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径を得ることにより制御される。金属回路板及び金属放熱板のそれぞれについて所望の銅又は銅合金の平均再結晶粒子径を得るためには、金属回路板又は金属放熱板としてセラミックス基板に接合する前の圧延された銅板又は銅合金板の銅又は銅合金の初期結晶粒子径と、金属回路板又は金属放熱板としてセラミックス基板に接合する際の接合温度と、加熱条件（温度の制御方法）とを適宜設定すれば良い。この制御手法の詳細については、後述する。」 「【００２０】 以上のことから、接合処理後のセラミックス基板に加えられる応力を低減する観点では、銅の降伏強度が小さく変形しやすいような状態にしておくことが肝要であり、さらに、冷熱サイクル性を向上させる観点では、温度変化による応力を銅の変形に分散させることにより、冷熱繰り返しで銅の加工硬化度を抑制して、セラミックス基板に加えられる応力値の増大を抑止することが肝要である。ここで、加工硬化度とは、金属組織中の欠陥に転位が集中して硬化（降伏応力が高くなる）が進む現象のことをいう。銅の降伏強度、加工硬化度は、用いる銅の結晶組織に大きく関与している。何れも素材の持つ軟化点以上の温度での熱処理を実施した場合には、再結晶成長が促進され再結晶粒子が増大して降伏強度は低下する。この際、同じ温度での熱処理では、素材として用いる銅の初期結晶粒子の大きさに影響を受ける。即ち、銅結晶粒子中に欠陥（転位、格子欠陥、固溶原子など）が存在する場合には、軟化点温度が高く、また熱処理に伴う再結晶粒子の成長挙動は抑制される。…（略）…」 「【００２３】 まず、金属回路板は、（ａ）半導体モジュール稼動時の冷熱サイクル等においてセラミックス基板に対して強い接合強度を維持する機能と、（ｂ）半導体モジュール組立時に半導体素子及びその他の電子部品が、鉛（Ｐｂ）－スズ（Ｓｎ）系あるいはスズ（Ｓｎ）－銀（Ａｇ）系、スズ（Ｓｎ）－銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）系などのはんだを介して接合された場合に強固な接合強度を有する機能と、（ｃ）各電子部品で発生した熱を効率的にセラミックス基板の厚さ方向に伝導できる機能と、が要求される。一方、金属放熱板は、（ａ）'半導体モジュール稼動時の冷熱サイクル等においてセラミックス基板に対して強い接合強度を維持する機能と、（ｃ）'各電子部品で発生した熱を効率的にセラミックス基板の厚さ方向に伝導できる機能と、が要求される。 【００２４】 金属回路板の機能（ａ）及び金属放熱板の機能（ａ）'は、いわゆる接合に介するろう材との濡れ性が高ければ高いほど良い。このろう材との濡れ性は、セラミックス基板との接合面積が広いほど高いことが要求される。この点、金属回路板には回路パターンが形成されるのに対し、金属放熱板は、ほぼその全面がセラミックス基板と接合される。従って、金属放熱板の機能（ａ）'は金属回路板の機能（ａ）と等しいか又はより高いことが望ましい。 一方、金属回路板の機能（ｃ）及び金属放熱板の機能（ｃ）'は、金属回路板の機能（ｃ）が金属放熱板の機能（ｃ）'より高い場合には、金属放熱板に熱が滞留することになり、ひいては半導体素子が熱破壊してしまう。従って、金属放熱板の機能（ｃ）'は金属回路板の機能（ｃ）と等しいか又はより高いことが望ましい。 【００２５】 次に、金属回路板の機能（ａ）～（ｃ）並びに金属放熱板の機能（ａ）'及び（ｃ）'と、銅の平均結晶粒子径との関係について考察する。まず、接合に介するろう材には、銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）－チタン（Ｔｉ）系の活性金属ろう材を用いることが多い。このろう材とセラミックス基板との濡れ性は、ろう材に含まれるＴｉ量、ろう材粒子径及びセラミックス基板の表面粗さが関与している。…（略）… 一方、上記したように、金属放熱板の機能（ａ）'は金属回路板の機能（ａ）と等しいか又はより高いことが望ましい。従って、金属回路板の機能（ａ）と金属放熱板の機能（ａ）'との観点からは、上記金属回路板の銅の平均再結晶粒子径は、上記金属放熱板の銅の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さいことが望ましい。また、金属回路板の機能（ａ）及び金属放熱板の機能（ａ）'の観点からは、上記第１及び第２の従来例からもわかるように、金属回路板及び金属放熱板は、銅の平均結晶粒子径が４００μｍ以上又は断面における銅の平均結晶粒子径が３００μｍ以上であることが望ましい。 【００２６】 次に、金属回路板の機能（ｂ）の観点からは、上記第３の従来例からもわかるように、金属回路板の平均結晶粒子径は、２００μｍ以下であることが望ましい。一方、金属回路板の機能（ｃ）及び金属放熱板の機能（ｃ）'の観点からは、銅結晶の粒子間に存在する結晶粒界が熱伝導において抵抗となることから、結晶粒界が少ない方が良い。上記したように、結晶粒界を少なくするには、銅の結晶粒子径をできるだけ大きくすれば良い。 【００２７】 以上の考察から、金属回路板の銅の平均再結晶粒子径は、金属放熱板の銅の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さく、金属回路板の銅の平均再結晶粒子径と、金属放熱板の銅の平均再結晶粒子径の比が０．１～１．０であることが望ましい。この場合、金属回路板の銅の平均再結晶粒子径は、用いる圧延された銅板素材の調質及びセラミックス基板との接合時の接合温度等にもよるが、１００～４００μｍであることが望ましい。 ここで、金属回路板及び金属放熱板の銅の平均再結晶粒子径のそれぞれの下限については、銅とろう材との濡れ性が良好であるという観点から規定される。一方、金属回路板の銅の平均再結晶粒子径の上限については、接合される半導体素子との関係、例えば、ソルダーレジストが不要となる、半導体素子が規定位置に留まる性質（セルフアライメント）が良好であるという観点から規定される。また、金属放熱板の銅の平均再結晶粒子径の上限については、金属放熱板の変形能を抑制して、冷熱サイクル時のセラミックス配線基板の反りの変形挙動を抑制して耐冷熱サイクル寿命を維持するという観点から規定される。」 「【００３１】 …（略）…銅の再結晶温度が２００～２５０℃であるので、銅の結晶粒子は、上記加熱接合により大きくなり、上記加熱接合前後において、金属回路板及び金属放熱板を構成する銅の状態は大きく異なっている。 従って、金属回路板及び金属放熱板のそれぞれについて所望の銅の平均再結晶粒子径を得るためには、金属回路板又は金属放熱板としてセラミックス基板に接合する前の圧延された銅板の銅の初期結晶粒子径と、上記加熱接合時の接合温度と、加熱条件（加熱温度の制御方法）とが重要な要素である。 まず、金属回路板又は金属放熱板としてセラミックス基板に接合する前の圧延された銅板素材の銅の初期結晶粒子径は、上記銅板素材の調質の影響を受ける。ここで、調質とは、焼き入れや焼き鈍しなどの熱的操作や圧延などの機械的操作を行うことにより、結晶粒子を微細にして材質を調整し、靱性などを向上させることをいう。銅板素材の場合、硬度等に応じて以下に示す調質を有するものがある。 【００３２】 調質記号 Ｆ 製造したまま、加工又は熱処理について特別の調整をしないもの。 Ｏ 完全に再結晶又は焼きなまししたもの。 １/４Ｈ 引張強さが１/８Ｈと１/２Ｈとの中間のもののように加工をしたもの。 １/２Ｈ 引張強さが１/４ＨとＨとの中間のもののように加工をしたもの。 ３/４Ｈ 引張強さが１/２ＨとＨとの中間のもののように加工をしたもの。 Ｈ 引張強さが３/４ＨとＥＨとの中間のもののように加工をしたもの。 ＥＨ 引張強さがＨとＳＨとの中間のもののように加工をしたもの。 ＳＨ 引張強さが最大になるように加工をしたもの。…（略）…」 「【００３４】 次に、セラミックス基板は、上記したように、実装信頼性及び冷熱サイクル特性の観点から、特に厚さ方向に対する高靭性を有し、かつ、高強度であって、放熱性の観点から高熱伝導性を備えた窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）基板が好ましく、本発明者らが先に提案した窒化珪素基板を一例として以下に示す。…（略）…」 「【００４２】 次に、上記構成のセラミックス配線基板の製造方法について説明する。 活性金属ろう付け法の金属回路板及び金属放熱板をそれぞれ構成する銅の初期結晶粒子径は、例えば、１０～１００μｍである。 ろう材の代表的なものには，銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）－チタン（Ｔｉ）系、銅（Ｃｕ）－スズ（Ｓｎ）－チタン（Ｔｉ）系、コバルト（Ｃｏ）－チタン（Ｔｉ）系、ニッケル（Ｎｉ）－チタン（Ｔｉ）系、アルミニウム合金系等がある。これらの中では、銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）－チタン（Ｔｉ）系のろう材が最も多く使われるが、これはいわゆる銀ろうにチタンを添加したものである。チタン量は、多量に添加すると、ろう材そのものが脆化するので、１～３質量％の範囲が一般的である。 【００４３】 まず、窒化珪素基板の上面にスクリーン印刷等により、ろう材ペーストを予め設計された回路パターン形状に沿って塗布し、所定の厚さのろう材層を形成する。…（略）… 【００４４】 一方、ろう材層のパターンと相似形の回路パターンの銅からなる金属回路板を別途用意する。この金属回路板の回路パターンを予め形成する方法としては、例えば、プレス加工、エッチング法、放電加工等がある。次に、ろう材層が金属回路板と窒化珪素基板との間に配置されるように部材同士を重ねる。また、窒化珪素基板の下面には、ろう材層を形成した後、銅からなる金属放熱板を載置し、それぞれ加圧状態で保持する。…（略）… 【００４５】 次に、金属回路板と金属放熱板を載置した窒化珪素基板を所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属回路板と金属放熱板を強固にろう材層を介して接合する。この場合、ろう材が窒化珪素基板と銅からなる金属回路板及び金属放熱板を十分に濡らし、また、回路パターンつぶれが発生しないようにするため、さらに両者の熱膨張係数の違いからくる残留応力による耐熱衝撃性の低下を防止するために、接合温度は、７００～８００℃、また、冷却速度は、保持温度から４００℃までの降温が２℃／ｍｉｎ以下であることが好ましい。…（略）… 【００４６】 （実施例） 以下、本発明の実施例について説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。 図１は、本発明の実施例に係るセラミックス配線基板１を適用した電力装置２の構成の一例を示す断面図である。セラミックス配線基板１は、窒化珪素基板からなるセラミックス基板１１の上面に図示せぬろう材を介して接合された金属回路板１２と、下面に図示せぬろう材を介して接合された金属放熱板１３とから構成されている。このセラミックス配線基板１の金属回路板１２の上面にＭＯＳＦＥＴ等からなる半導体素子１４が半田１５により接合されて半導体モジュール３が構成されている。」 「【００４８】 図３に加工度０％のＯ材（◆印）、加工度１０％の１／２Ｈ材（■印）、加工度２０％のＨ材（▲印）、銅（Ｃｕ）－ジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）系合金（×印）及び銅（Ｃｕ）－スズ（Ｓｎ）（０．１％）系合金（＊印）における熱処理温度と再結晶粒子径の関係の一例を示す。ここで、加工度とは、銅板素材又は銅合金板素材の最終板厚さに至る前段の厚さに対する厚さ変化率を示したものをいい、加工度が高いほど結晶粒子径は小さくなる。 図３からは、銅又銅合金の再結晶粒子径は、熱処理（接合）温度が高くなるに従って大きくなるが、銅板素材の調質種又は銅合金板素材の種類によって異なっていることが分かる。従って、例えば、銅の再結晶粒子径を１００～４００μｍに制御する場合、無酸素銅によるＯ材では約４００～９００℃の間で、１／２Ｈ材では約５００～９５０℃の間で、Ｈ材では約５００～１０５０℃の間でそれぞれ接合処理を行って制御することになる。 一方、図３には図示していない範囲があるが、銅（Ｃｕ）－ジルコニウム（Ｚｒ）（０．１５％）系合金（×印）及び銅（Ｃｕ）－スズ（Ｓｎ）（０．１％）系合金（＊印）における熱処理温度と再結晶粒子径の関係は、処理温度の全範囲に亘ってほぼ同じ傾向を示すため、これらの銅合金の再結晶粒子径を１００～４００μｍに制御するには、約７６０～１２００℃の間でそれぞれ接合処理を行って制御することになる。このように、金属板の再結晶粒子径は、銅又は銅合金の種類及び接合温度によって適宜を制御することができる。 【００４９】 次に、本発明の実施例に係るセラミックス配線基板の評価方法について説明する。 初期結晶粒子径及び再結晶粒子径としては、キーエンス社製の超深度レーザ顕微鏡を用いて、金属板の２×２ｍｍの視野において無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値を用いた。一方、金属回路板とセラミックス基板との接合界面のボイド率は、日立建機社製の超音波探査映像装置Ｍｉ－Ｓｃｏｐｅを用いて、上記接合界面の白黒の２５６階調の評価画像についてしきい値を９２として２値化処理を行い、反射法にて評価面積（黒色部）に対する白色部の割合を測定することにより得た。」 「【００５１】 次に、金属回路板及び金属放熱板の調質の種類、厚さ、接合温度をパラメータとしてセラミックス配線基板を製造した場合の実施例１～１６の製造条件及び製造結果を表１に示す。 【００５２】 【表１】 ［図：0001420353000001.jpg］ 【００５３】 以下、表１について説明する。まず、左から２番目及び３番目の列「金属回路板」及び「金属放熱板」における各数値は、金属回路板及び金属放熱板に用いる銅板素材及び銅合金板素材のそれぞれの調質の種類及び加工度を意味している。即ち、「０％」は加工度０％のＯ材、「５％」は加工度５％の１／４Ｈ材、「１０％」は加工度１０％の１／２Ｈ材、「２０％」は加工度２０％のＨ材を意味している。 次に、左から４番目及び５番目の列「金属回路板」及び「金属放熱板」における各数値は、金属回路板及び金属放熱板に用いる銅板素材及び銅合金板素材のそれぞれの厚さをミリメートル単位で表している。また、左から６番目及び７番目の列「金属回路板」及び「金属放熱板」における各数値は、金属回路板及び金属放熱板としてセラミックス基板に接合する前の圧延された銅板素材又は銅合金板素材の銅又は銅合金の初期結晶粒子径を上記した評価方法で測定し、マイクロメートル単位で表している。 【００５４】 次に、左から８番目の列「接合温度（℃）」における各数値は、金属回路板及び金属放熱板をセラミックス基板に接合する際の接合温度を摂氏で表している。また、左から９番目及び１０番目の列「金属回路板」及び「金属放熱板」における各数値は、セラミックス基板に金属回路板及び金属放熱板を熱処理して接合することにより金属回路板及び金属放熱板のそれぞれにおいて再結晶した銅又は銅合金の粒子径をマイクロメートル単位で表している。また、左から１１番目の列「金属回路板／金属放熱板」における各数値は、対応する「金属回路板」の平均再結晶粒子径と「金属放熱板」の平均再結晶粒子径との比を表している。さらに、最右列「Ｄａ／Ｄｂ」における各数値は、金属回路板とセラミックス基板との接合界面近傍における接合処理後の銅の再結晶粒子径Ｄａと金属回路板の接合処理後の銅の再結晶粒子径Ｄｂとの比を意味している。なお、表１には記載していないが、金属放熱板とセラミックス基板との接合界面近傍における接合処理後の銅の再結晶粒子径と金属放熱板の接合処理後の銅の再結晶粒子径との比についても、Ｄａ／Ｄｂと同様な傾向であった。」 「【００５９】 表１において、実施例１は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３５μｍであって、加工度５％の１／４Ｈ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２８０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．８０、Ｄａ／Ｄｂ；０．２４がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６０】 熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径が２８０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径が３５０μｍであり、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径との比が０．８０であるため、冷熱サイクルが３０００サイクルより多く、熱衝撃（ヒートショック）や冷熱サイクル等によって生じる損傷に対して十分な耐久性があり、信頼性が高く、しかも、電子部品と金属回路板との接続信頼性も高いセラミックス配線基板及び半導体モジュールを構成することができた。また、半導体モジュールを構成した際の熱抵抗が０．２℃／Ｗ以下となり、パワー半導体用の放熱基板とし十分に使用可能である値となった。さらに、金属回路板とセラミックス基板との接合界面のボイド率及び金属放熱板とセラミックス基板との接合界面のボイド率が何れも５％以内であるため、半導体素子の下面と金属回路板の上面との密着性・接合性を良好に保持することができるとともに、金属放熱板の下面と放熱ベースの上面との密着性・接合性を良好に保持することができる。 【００６１】 表１において、実施例２は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２５０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７１、Ｄａ／Ｄｂ；０．２０がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６２】 表１において、実施例３は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３０μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１８０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．５１、Ｄａ／Ｄｂ；０．１８がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６３】 表１において、実施例４は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３０μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１８０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；２５０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７２、Ｄａ／Ｄｂ；０．１８がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６４】 表１において、実施例５は、０．４ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、０．３ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２４５μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５８μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．６８、Ｄａ／Ｄｂ；０．２２がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６５】 表１において、実施例６は、１．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３１μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、０．８ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が４０μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２４８μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５２μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７０、Ｄａ／Ｄｂ；０．２３がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６６】 表１において、実施例７は、１．２ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、１．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２４２μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５５μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．６８、Ｄａ／Ｄｂ；０．２５がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６７】 表１において、実施例８は、１．４ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３３μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、１．２ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２５２μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３５２μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７１、Ｄａ／Ｄｂ；０．２７がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６８】 表１において、実施例９は、２．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、２．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が４０μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２５０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３６１μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．６９、Ｄａ／Ｄｂ；０．３がそれぞれ得られた。…（略）… 【００６９】 表１において、実施例１０は、３．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、３．０ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２５０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３４９μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７２、Ｄａ／Ｄｂ；０．２９がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７０】 表１において、実施例１１は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３１μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度５００℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１２０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；１６０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７５、Ｄａ／Ｄｂ；０．２２がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７１】 表１において、実施例１２は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３１μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が３９μｍであって、加工度０％のＯ材からなる金属放熱板を接合温度９００℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；３２０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；３９８μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．８０、Ｄａ／Ｄｂ；０．２４がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７２】 表１において、実施例１３は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１５μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１３μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１１０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；１３０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．８４、Ｄａ／Ｄｂ；０．４８がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７３】 表１において、実施例１４は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１５μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１３μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属放熱板を接合温度１０００℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；２１０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；２８０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７５、Ｄａ／Ｄｂ；０．３９がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７４】 表１において、実施例１５は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１１μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属放熱板を接合温度７６０℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１０５μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；１２４μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．８５、Ｄａ／Ｄｂ；０．４５がそれぞれ得られた。…（略）… 【００７５】 表１において、実施例１６は、０．６ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１１μｍであって、加工度２０％のＨ材からなる金属回路板と、０．５ｍｍの厚さを有し、初期結晶粒子径が１２μｍであって、加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属放熱板を接合温度１０００℃でセラミックス基板の両面に接合した。その結果、表１に示すように、熱処理後の金属回路板の再結晶粒子径；１９０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；２４０μｍ、金属回路板の再結晶粒子径と金属放熱板の再結晶粒子径の比；０．７９、Ｄａ／Ｄｂ；０．３６がそれぞれ得られた。…（略）…」 「【００８６】 ここで、図４に加工度１０％の１／２Ｈ材からなる金属回路板の表面において再結晶化した銅の再結晶粒子の光学顕微鏡観察写真の一例を示す。また、図５に加工度０％のＯ材からなる金属放熱板の表面において再結晶化した銅の再結晶粒子の光学顕微鏡観察写真の一例を示す。図４と図５を比較して分かるように、金属回路板の銅の再結晶粒子に比べて金属放熱板の銅の再結晶粒子の方がサイズが大きい。さらに、図６にセラミックス基板と銅板との接合界面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の一例を示す。図６からは、接合界面近傍に存在する銅の再結晶粒子よりも接合界面から離れた位置に存在する銅の再結晶粒子の方がサイズが大きいことが分かる。これは、上記したように、例えば、金属回路板及び金属放熱板とセラミックス基板との接合に活性金属ろう付け法を用いた場合、ろう材を構成する銀（Ａｇ）成分が銅（Ｃｕ）／銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）界面において、銅結晶に固溶しているため、この銀（Ａｇ）成分が銅の再結晶を遅らせ、金属回路板及び金属放熱板のセラミックス基板との接合界面近傍における銅の平均再結晶粒子径は、他の部分における銅の平均再結晶粒子径よりも小さくなるためである。」 「【図４】 ［図：0001420353000002.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 前記（１）によれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。なお、後の参照の便宜のため、甲１発明を以下のａ～ｇに分説し、「構成ａ」のようにして参照する。 「ａ セラミックス基板と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなり前記セラミックス基板の一面に接合された金属回路板と、銅又は銅を主成分とする銅合金からなり前記セラミックス基板の他面に接合された金属放熱板とから構成されたセラミックス配線基板であって、（【請求項１】） ｂ 前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、前記金属放熱板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径と等しいか又はそれより小さく、（【請求項１】） ｃ 前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、１００～４００μｍであり、（【請求項５】） ｄ 上記構成のセラミックス配線基板の製造方法については、（【００４２】） ｄ１ 窒化珪素基板の上面に、ろう材ペーストを予め設計された回路パターン形状に沿って塗布し、所定の厚さのろう材層を形成し、（【００４３】） ｄ２ ろう材層のパターンと相似形の回路パターンの銅からなる金属回路板を用意し、（【００４４】） ｄ３ ろう材層が金属回路板と窒化珪素基板との間に配置されるように部材同士を重ね、（【００４４】） ｄ４ 窒化珪素基板の下面には、ろう材層を形成した後、銅からなる金属放熱板を載置し、（【００４４】） ｄ５ 金属回路板と金属放熱板を載置した窒化珪素基板を所定温度と時間にわたって熱処理した後、冷却することにより、窒化珪素基板に金属回路板と金属放熱板をろう材層を介して接合する（【００４５】）ものであり、 ｅ 再結晶粒子径としては、金属板の２×２ｍｍの視野において無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値を用い、（【００４９】） ｆ セラミックス配線基板を製造した場合の実施例１１は、金属回路板の再結晶粒子径；１２０μｍ、金属放熱板の再結晶粒子径；１６０μｍ、がそれぞれ得られている、（【００５１】、【００７０】） ｇ セラミックス配線基板。」 ２ 本件発明１と甲１発明との対比 本件発明１と甲１発明とを対比する。 （１）発明特定事項Ａ「セラミックス基板と、」について 甲１発明の「セラミックス基板」（構成ａ）は、本件発明１の「セラミックス基板」に相当する。 （２）発明特定事項Ｂ「接合層を介して前記セラミックス基板に接合された銅板と、」について ア 本件発明の「銅板」は、本件特許の明細書の「銅板としては、純銅板や銅合金板を用いることができる。」（【００２７】）との記載によれば、銅（純銅）又は銅合金からなるものである。 また、本件特許の明細書の「接合体１の銅板に回路構造を付与することにより、セラミックス銅回路基板が製造される。回路構造の付与には、エッチング工程が有効である。・・・または、上述した接合体の製造において、回路構造に加工された銅板が、セラミックス基板に接合されても良い。この場合、接合体としてセラミックス銅回路基板が得られる。」（【００３０】）との記載によれば、本件発明１の「接合体」が備える「銅板」は、回路構造を付与する前の銅板を意味するだけでなく、回路構造に加工された銅板をも意味するものである。 イ 甲１発明の「金属回路板」は、「銅又は銅を主成分とする銅合金からな」る（構成ａ）ものである。 また、甲１発明において、「セラミックス配線基板の製造方法については」（構成ｄ）、「回路パターンの銅からなる金属回路板を用意し」（構成ｄ２）、「窒化珪素基板に金属回路板」「をろう材層を介して接合する」（構成ｄ５）から、「回路パターンの銅からなる金属回路板」が、「セラミックス基板」である「窒化珪素基板」に接合されて、「セラミックス配線基板」が得られている。 ウ 前記ア及びイによれば、甲１発明の「銅又は銅を主成分とする銅合金からな」る「金属回路板」は、本件発明１の「銅板」に相当する。また、甲１発明の「ろう材層」は、本件発明１の「接合層」に相当する。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「接合層を介して前記セラミックス基板に接合された銅板」を備える点で一致する。 （３）発明特定事項Ｃ「を備えた接合体であって、」、発明特定事項Ｆ「ことを特徴とする接合体。」について ア 前記（２）アのとおり、本件特許の明細書の「・・・または、上述した接合体の製造において、回路構造に加工された銅板が、セラミックス基板に接合されても良い。この場合、接合体としてセラミックス銅回路基板が得られる。」（【００３０】）との記載によれば、本件発明１の「接合体」は、セラミックス銅回路基板をも意味するものである。 イ 前記ア及び前記（２）イによれば、甲１発明の「セラミックス配線基板」は、本件発明１の「接合体」に相当する。 （４）発明特定事項Ｄ「前記銅板は、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合された方向に垂直な表面を有し、」について 甲１発明において、「窒化珪素基板に金属回路板」「をろう材層を介して接合する」（構成ｄ５）から、板状の「金属回路板」は、「セラミックス基板」である「窒化珪素基板」と「金属回路板」とが接合された方向に垂直な表面を有することは、明らかである。 そうすると、本件発明１と甲１発明とは、「前記銅板は、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合された方向に垂直な表面を有」する点で一致する。 （５）発明特定事項Ｅ「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」について 甲１発明には、「再結晶粒子径としては、金属板の２×２ｍｍの視野において無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値を用い」（構成ｅ）、「前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、１００～４００μｍ」（構成ｃ）であることが特定されているが、「金属回路板」の「表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下」であることは特定されていない。 （６）一致点及び相違点 前記（１）～（５）によれば、本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。 ＜一致点＞ 「 セラミックス基板と、 接合層を介して前記セラミックス基板に接合された銅板と、 を備えた接合体であって、 前記銅板は、前記セラミックス基板と前記銅板とが接合された方向に垂直な表面を有する 接合体。」 ＜相違点＞ 本件発明１は、「銅板」の「表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」のに対し、甲１発明は、「再結晶粒子径としては、金属板の２×２ｍｍの視野において無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値を用い」、「金属回路板の」「銅又は」「銅合金の平均再結晶粒子径は、１００～４００μｍ」である点。 ３ 本件発明１と甲１発明との相違点についての判断 前記２（６）で示した相違点について、以下、検討する。 （１）当該相違点は、接合体の構成に関わるものであるから、実質的な相違点である。 したがって、本件発明１は、甲１発明と同一ではない。 （２）甲１発明には、「再結晶粒子径としては、金属板の２×２ｍｍの視野において無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値を用い」（構成ｅ）、「前記金属回路板の前記銅又は前記銅合金の平均再結晶粒子径は、１００～４００μｍ」（構成ｃ）であることが特定されており、甲１には、金属回路板における銅の平均再結晶粒子径（再結晶粒子の長径の平均値）を所定の範囲とすることが記載されているが、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合を所定の範囲とすることについて、記載も示唆もない。 （３）加えて、接合層を介してセラミックス基板に接合された銅板の表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合を、０％以上５％以下とすることは、技術常識でもない。 （４）前記（２）及び（３）によれば、当該相違点は、当業者といえども、甲１発明から容易に想到し得たものとは認められない。 （５）申立人は、当該相違点について、以下のとおり主張する。 ア 「甲第１号証において、初期結晶粒子径及び再結晶粒子径は顕微鏡観観察によって無作為に選択した粒子２０個の最長径を測定した平均値であり（段落００４９）、甲１ａ発明において「金属回路板」の再結晶粒子径が「１２０μｍ」であり、「金属放熱板」の再結晶粒径が「１６０μｍ」であるから、いずれであっても再結晶粒子径が「４００μｍを超える」ものでなく、本件発明１における「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」の範囲内にあるといえる。」（申立書の２７頁） イ 「なお、甲第１号証の実施例１～１０，１２～１６，比較例１～３，６～８，１０を甲１ａ発明として捉えても同様である。」（申立書の２７頁） 以下、当該主張について検討する。 甲１において、実施例及び比較例の再結晶粒子径の値は、粒子２０個の最長径を測定した平均値（長径の平均値）を示すものであって、長径が４００μｍを超える粒子の個数割合を示すものではない。 そして、結晶粒子径の平均値と結晶粒子径が所定値以上である結晶粒子の個数割合との間に一対一の相関関係は存在しないことが技術常識であるところ、例えば、結晶粒子径の平均値が「１２０μｍ」である場合、結晶粒子径が「４００μｍ」以上である結晶粒子の個数割合は、当該技術常識をふまえれば、不明であって、「０％以上５％以下である」とは必ずしもいえない。 請求人は、「再結晶粒子径が「４００μｍを超える」ものでなく、本件発明１における「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」の範囲内にあるといえる。」と主張しているが、再結晶粒子径は粒子径の平均値であって粒子径の上限値ではないところ、「再結晶粒子径が「４００μｍを超える」ものでな」いことが、なぜ「「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」の範囲内にあるといえる。」との結論の根拠となるのかが何ら説明されていない。よって、申立人の主張は、論理に飛躍があるうえ、前記技術常識にも反すると認められるため、当該主張は採用できない。 （６）本件発明１と甲１発明との相違点についての小括 前記（２）～（５）によれば、本件発明１と甲１発明との相違点は、甲１発明から容易に想到し得たものではない。 また、当該相違点は、その他の証拠及び技術常識によっても容易に想到し得たものではない。 ４ 理由１及び２についての小括 （１）前記３（１）によれば、本件発明１は、甲１発明であるとは認められない。 そして、本件発明２～５、７～１５は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項を備えるものである。 そうすると、本件発明２～５、７～１５と甲１発明とは、少なくとも前記２（６）に示した相違点を有するから、本件発明２～５、７～１５は、甲１発明であるとは認められない。 以上によれば、理由１には理由がない。 （２）前記３（６）によれば、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 そして、本件発明２～１５は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに別の発明特定事項を備えるものである。 そうすると、本件発明２～１５と甲１発明とは、少なくとも前記２（６）に示した相違点を有し、当該相違点については前記３のとおりであるから、本件発明２～１５も、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められず、また、本件発明７及び８も、甲１発明並びに甲２及び３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 以上によれば、理由２には理由がない。 第５ 理由３についての判断 理由３（サポート要件違反）の有無を判断する。 １ 本件発明１のサポート要件についての判断 以下、本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１が発明の詳細な説明に記載したものであるか否かについて検討する。 （１）本件発明１を特定する発明特定事項は、いずれも本件の発明の詳細な説明に記載されたものである。 （２）本件の発明の詳細な説明に記載された、「…（略）…例えば、セラミックス基板を大きくすると接合体の反り量が大きくなるといった課題が生じていた。その原因を追究したところ、その課題は、銅板の粒成長に起因することが分かった。本発明は、このような課題に対応するためのものである。本発明は、銅板の粒成長を抑制したセラミックス銅回路基板を提供するためのものである。」（【０００４】）、「長径が４００μｍを超える銅結晶粒は、熱処理に伴い粒成長した粗大粒である。接合層を介してセラミックス基板と銅板を接合する場合、銅板は８００℃程度の高温にさらされる。銅板は、高温化で粒成長する。表面と平行な方向に粒成長が生じ、粗大粒が形成されると、接合体に反りが生じ易くなる。本願発明の発明者らは、表面において単位面積５ｍｍ×５ｍｍに長径４００μｍを超える銅結晶粒が６％以上になると、反りが大きくなることを見出した。特に、接合体が大きくなると、反りが生じ易かった。実施形態にかかる接合体では、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数が抑えられているため、反りを低減できる。…（略）…」（【０００９】）、実施例１～８及び比較例１～３（特に【００４２】の表５）、「表から分かる通り、実施例にかかる接合体は、銅板の銅結晶粒が制御されていた。また、反り量、接合強度についても、良好な結果が得られた。…（略）…」（【００４３】）によれば、本件発明が解決しようとする課題は、「接合体の反り量が大きくなるといった課題」に対応する（【０００４】）ことであり、「その課題は、銅板の粒成長に起因することが分か」り（【０００４】）、「表面において単位面積５ｍｍ×５ｍｍに長径４００μｍを超える銅結晶粒が６％以上になると、反りが大きくなることを見出し」（【０００９】）、「実施形態にかかる接合体では、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数が抑えられているため、反りを低減できる」（【０００９】）ことから、本件発明１の発明特定事項Ｅ（「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」）により、接合体の反りを低減でき、当該課題を解決すると認識できる。（なお、下線は、強調のため、当審で付した。） （３）前記（１）及び（２）によれば、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。 ２ 本件発明２～５、７～９のサポート要件についての判断 本件発明２～５、７～９は、本件発明１の発明特定事項を全て備えているから、前記１（２）のとおり、本件発明２～５、７～９も本件発明が解決しようとする課題を解決すると認識できる。 また、請求項２～５、７～９で特定される発明特定事項は、いずれも発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、本件発明２～５、７～９は、発明の詳細な説明に記載したものであると認められる。 ３ 申立人の主張についての判断 申立人は、本件発明１のサポート要件について、以下のとおり主張する。 （１）「本件発明の解決課題は、銅板の粒成長を抑制することであり、実際、「銅板の粒成長を抑制したセラミックス銅回路基板を提供する」（段落０００４）と記載されている。」（申立書の３６頁） （２）「本件請求項１は、本件発明の達成すべき結果である、銅板における粗大粒子（長径４００μｍを超える銅結晶粒）の個数割合が少ないことを規定したものとなっている。本件発明の詳細な説明には、特定の製法が銅結晶粒の成長を抑制することが記載されているのみであり、本願出願時の技術常識に照らしても、請求項に係る発明の範囲にまで、発明の詳細に説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。」（申立書の３６頁） （３）「本件発明が、銅板の粒成長を抑制するものであり、そのための製法を特徴としようとするものであるように見受けられるところ、本件請求項１には発明の課題を解決するための手段が反映されているともいえない。」（申立書の３６～３７頁） 以下、当該主張について検討する。 繰り返しになるが、前記１（２）のとおり、本件発明の解決課題は「接合体の反り量が大きくなるといった課題」に対応することであり、本件発明１の発明特定事項Ｅ（「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」）により、前記課題を解決すると認識できる。 申立人は、前記（１）のように、本件発明が解決すべき課題を「銅板の粒成長を抑制すること」であると主張するが、これは本件発明が解決すべき課題ではない。 また、申立人は、前記（２）のように、発明特定事項Ｅが「本件発明の達成すべき結果」を特定したものであると主張するが、当該主張は申立人が課題を正解していないことに起因した誤解であり、発明特定事項Ｅは課題解決手段を特定するものである。 そして、申立人は、前記（３）のように、本件発明の課題解決手段は「銅板の粒成長を抑制する」「ための製法」であると主張するが、当該主張も申立人が課題を正解していないことに起因した誤解である。 以上によれば、前記（１）～（３）を根拠に、本件発明１は、サポート要件を充足するものとはいえないとする主張は、採用できない。 ４ 理由３についての小括 前記１～３によれば、本件の特許請求の範囲の記載は、本件発明１～５、７～９が発明の詳細な説明に記載したものと認められる。 以上によれば、理由３には理由がない。 第６ 理由４についての判断 理由４（実施可能要件違反）の有無を判断する。 １ 本件発明１の実施可能要件についての判断 以下、本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かについて検討する。 （１）本件発明１の発明特定事項Ａ～Ｄ、Ｆは、本件発明の構成要素を特定しており、本件の発明な詳細な説明には、これらの発明特定事項に対応する具体的な説明が具体例とともに記載されており、発明特定事項Ａ～Ｄ、Ｆの具現化のための明確かつ十分な記載があると認められる。 （２）本件発明１の発明特定事項Ｅ「前記表面に含まれる５ｍｍ×５ｍｍの３つの領域において、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下である」について、本件の発明な詳細な説明には、次の記載がある。 ア 「【００１０】 銅結晶粒７の長径の平均値は、３０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。 …（略）…また、長径の平均値が３００μｍを超えると、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の数が増える可能性が高くなる。このため、長径の平均値は、３０μｍ以上３００μｍ以下、さらには５０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましい。」 イ 「【００２１】 次に、接合温度が８００℃以下である接合工程を行う。接合温度とは、接合工程において一定時間保持された温度のうち、最高の温度を指す。接合温度が高いと、銅板を構成する銅結晶粒の粒成長が促進される。…（略）…接合温度が８００℃を超えると、銅板の粒成長が大きくなる。銅板の粒成長が大きいと、長径が４００μｍを超えた大きな銅結晶粒が生成され易くなる。 接合温度は、８００℃以下、さらには７００℃以下が好ましい。…（略）…」 ウ 「【００２７】 銅板としては、純銅板や銅合金板を用いることができる。…（略）…また、接合前の銅板において、銅結晶粒の長径の平均値は、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。長径の平均値が１０μｍ未満では、粒成長し易い微細な銅結晶粒が増える可能性がある。また、平均値が２００μｍを超えると、接合後に、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の数が増える可能性がある。このため、接合前の長径の平均値は、１０μｍ以上２００μｍ以下、さらには２０μｍ以上１５０μｍ以下が好ましい。…（略）…」 エ 前記ア～ウによれば、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、（接合後の銅板における）銅結晶粒の長径の平均値、接合温度、接合前の銅板における銅結晶粒の長径の平均値を調節することで、制御できることが理解できる。 オ そして、発明特定事項Ｅに対応する具体例（実施例１～８）が記載されている。 カ 前記エ及びオによれば、本件の発明な詳細な説明には、発明特定事項Ｅの具現化のための明確かつ十分な記載があると認められる。 （３）前記（１）及び（２）によれば、本件の発明な詳細な説明には、本件発明１の全ての発明特定事項を具現化するための明確かつ十分な記載があると認められるから、本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められる。 ２ 本件発明２～１３、１５の実施可能要件についての判断 本件発明２～１３、１５は、本件発明１の発明特定事項を全て備え、さらに請求項２～１３、１５で特定される発明特定事項を備えるものである。 本件発明１の発明特定事項については、前記１のとおりである。 そして、請求項２～１３、１５で特定される発明特定事項についても、本件の発明な詳細な説明には、明確かつ十分な記載があると認められる。 よって、本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明２～１３、１５の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められる。 ３ 申立人の主張についての判断 申立人は、本件発明１～９の実施可能要件について、以下のとおり主張する。 （１）「「長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下であることを特徴とする接合体」を実施するためには、少なくとも、活性金属を有し、且つ８００℃以下の加熱温度によって溶融する低融点であるろう材を使用する必要があると当業者であれば把握する。 これに対して、本件請求項１～６，８～９には、ろう材の成分、組成についてはなんら限定が無い。そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明及び本件出願時の技術常識を考慮したとしても、接合層の成分組成についての限定のなくあらゆる接合層を許容しつつ、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下であるような本件請求項１～６，８～９に係る接合体及びセラミックス銅回路基板をどのように作るかを当業者は理解できない。なお、本件請求項７には「Ａｇ、Ｃｕ及びＴｉを含有する」ことが特定されており本件明細書における「活性金属ろう材」が使用されたことは特定されると考えられるものの、その他成分、組成については不明でありろう材の融点は特定されず、やはり、請求項７に係る接合体をどのように作るかを当業者は理解できない。」（申立書の３７～３８頁） また、申立人は、本件発明１０～１３、１５の実施可能要件について、以下のとおり主張する。 （２）「本件請求項１０～１３，１５に係る接合体の製造方法及びセラミックス銅回路基板の製造方法においても、ろう材の成分、組成についてはなんら限定が無い。そうすると、本件明細書の発明の詳細な説明及び本件出願時の技術常識を考慮したとしても、ろう材の成分組成についての限定のない接合体の製造方法及びセラミックス銅回路基板の製造方法によって、「銅板の粒成長を抑制したセラミックス銅回路基板」（段落０００４)をどのように製造することができるのかを理解できず、当業者は請求項１０～１３，１５に記載の製造方法により物を生産できることを理解できない。この点、本件明細書の比較例１～３では、融点が「７６０℃」である「ろう材４」が使用されており、その接合温度を高める必要があったことが示されている（表３、表４)。このことは、接合温度を低下させ、銅の粒成長を抑制するためには、ろう材層の成分組成を調整し、融点を低下させることが必須であることを示しているに外ならず、このような限定無しに、長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下であるような接合体をどのように作ることができるのかを当業者は理解できない。」（申立書の３８頁） 以下、当該主張について検討する。 前記１（２）のとおり、発明特定事項Ｅを実施する（銅板の粒成長を抑制する）には、本件の発明な詳細な説明及び本件出願時の技術常識を考慮すれば、（接合後の銅板における）銅結晶粒の長径の平均値、接合温度、接合前の銅板における銅結晶粒の長径の平均値を調節することで、制御できることが、当業者であれば理解できる。 そして、当該理解によれば、発明特定事項Ｅを実施できるか否かは、接合温度のみに依存するわけではないので、発明特定事項Ｅを実施するためには、接合温度を特定する（所定以下、例えば、８００℃以下とする）ことが必須であるとは認められない。（例えば、接合温度が８００℃以下であっても、接合前の銅板における銅結晶粒の長径の平均値が大きいと、発明特定事項Ｅを実施できないことが想定され、接合温度が８００℃を超えても、接合前の銅板における銅結晶粒の長径の平均値が小さいと、発明特定事項Ｅを実施できることが想定される。）これは、本件の発明の詳細な説明における「接合温度が８００℃を超えると、銅板の粒成長が大きくなる。銅板の粒成長が大きいと、長径が４００μｍを超えた大きな銅結晶粒が生成され易くなる。」（【００２１】）との記載（接合温度が８００℃を超えると、長径が４００μｍを超えた大きな銅結晶粒が生成され易くなることが記載されているが、発明特定事項Ｅが実施できないとは記載されていない）とも整合する。 そうすると、前記（１）で主張するように、「「長径が４００μｍを超える銅結晶粒の個数割合は、０％以上５％以下であることを特徴とする接合体」を実施するためには、少なくとも、活性金属を有し、且つ８００℃以下の加熱温度によって溶融する低融点であるろう材を使用する必要があると当業者であれば把握する」（つまり、発明特定事項Ｅを実施するには、８００℃以下の接合温度とする必要があると当業者であれば理解する）とは認められないので、これを前提とする主張は採用できない。 また、前記（２）で主張するように、「接合温度を低下させ、銅の粒成長を抑制するためには、ろう材層の成分組成を調整し、融点を低下させることが必須である」とは認められないので、これに基づく主張は採用できない。 したがって、前記（１）及び（２）を根拠に、本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１～１３、１５の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえないとする主張は、採用できない。 ４ 理由４についての小括 前記１～３によれば、本件の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１～１３、１５の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものと認められる。 以上によれば、理由４には理由がない。 第７ むすび 前記第４～第６によれば、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。