2025-700287

特許第７５４８８５４号発明「多層配線基板及び多層配線基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７５４８８５４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３〕、〔２、４、５〕、６、７について訂正することを認める。 特許第７５４８８５４号の請求項２、４、５及び７に係る特許を維持する。 特許第７５４８８５４号の請求項１、３及び６に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７５４８８５４号（以下「本件特許」という。）の請求項１～７に係る特許についての出願は、令和３年３月２４日に出願され、令和６年９月２日にその特許権の設定登録がされ、令和６年９月１０日に特許掲載公報が発行された。 本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和７年 ３月１０日 ：特許異議申立人 渡辺 陽子（以下「申立 人」という。）による請求項１～７に係る特 許に対する特許異議の申立て 同年 ６月１３日付け：取消理由通知書 同年 ８月 ６日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ９月２２日 ：申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否 １ 請求の内容 令和７年８月６日の訂正請求の趣旨は、特許第７５４８８５４号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～７について訂正することを求めるものであり、その訂正（「以下「本件訂正」という。）の内容は次のとおりであると認める。なお、下線は訂正箇所を示す。 （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１を削除する。 （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２に「請求項１に記載の多層配線基板であって、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している。」とあるのを、「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層を貫通し、先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれていると共に、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している。」に訂正する。（請求項２の記載を引用する請求項５も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項４に「請求項１から３の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、前記第１のビアの基端面は凸状に湾曲し、前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径される形状を有する。」とあるのを、「先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれていると共に、前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている。」に訂正する。（請求項４の記載を引用する請求項５も同様に訂正する。） （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１から４の何れか１の請求項に記載の多層配線基板であって、前記第２のビアの基端面の面積は、前記第１のビアの基端面の面積より大きい。」とあるのを、「請求項２又は４に記載の多層配線基板であって、前記第２のビアの基端面の面積は、前記第１のビアの基端面の面積より大きく、前記スタックビアに含まれる複数のビアは、先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が交互に反対側に傾斜している。」に訂正する。 （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項６を削除する。 （７）訂正事項７ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項６に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記第１のビアを、その基端面が凸状に湾曲する形状になるように形成することと、前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されることと、を含む。」とあるのを、「第１の絶縁層に先細り形状の第１の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第１の貫通孔を導電体で満たして、先端面と、前記第１の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第１のビアを形成することと、前記第１のビアの形成の後に、前記第１のビアの基端面を覆う第２の絶縁層に、前記第１のビアの基端面に到達する先細り形状の第２の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第２の貫通孔を導電体で満たして、先端面と、前記第２の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第２のビアを形成することと、前記第１及び第２のビアを含むスタックビアを形成することと、を含む多層配線基板の製造方法であって、前記第１のビアを、その基端面が凸状に湾曲する形状になるように形成することと、前記第１のビアの基端面のうち中心からずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射して、前記第２の貫通孔を形成することと、前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されることと、を含む。」に訂正する。 （８）一群の請求項について 本件訂正前の請求項２～５は、請求項１を引用するものであって、訂正事項１により記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものであるから、請求項１～５は、一群の請求項である。 本件訂正前の請求項７は、請求項６を引用するものであって、訂正事項６により記載が訂正される請求項６に連動して訂正されるものであるから、請求項６及び７は一群の請求項である。 （９）別の訂正単位とする求め 訂正後の請求項２、４、５及び７については、当該請求項についての訂正が認められる場合には、一群の請求項の他の請求項とは別途訂正することを求めている。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１について 訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的 訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項２について、請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めるとともに、「先細り形状の複数のビア」について、「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層を貫通し」と「内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える」との限定を付加し、また、特許請求の範囲の記載上、明瞭ではなかった「ビアの基端面」を、「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」と正して、その本来の意を明らかにするものである。 よって、訂正事項２は、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （ア）訂正事項２の「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層を貫通し、先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビア」は、本件特許明細書の【００２６】の「コア基板１１の表裏の両面（第１面１１Ｆ及び第２面１１Ｓ）の導電層１２の上に、層間絶縁層２１としてのプリプレグと、銅箔２６と、が積層される。そして、その積層体が、加熱プレスされ、コア基板１１の表裏の両面上に層間絶縁層２１が形成される。」、【００２７】の「コア基板１１の表裏の両側の銅箔２６上からレーザー光が照射されることで、銅箔２６及び層間絶縁層２１を貫通するビアホール２５Ｈが穿孔される。・・・ビアホール２５Ｈは、コア基板１１側に先細りする形状に形成される。」、【００２８】のレーザー、この反射したレーザー光によってビアホール２５Ｈの内面が偏レーザーされ、ビアホール２５Ｈが非軸対称形状に形成される。・・・このビアホール２５Ｈの中心軸は、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜する。」、【００２９】の「また、この電解めっき処理により、電解めっきでビアホール２５Ｈ内が満たされてビア２５（第２ビア２５Ｂ）が形成され、第２ビア２５Ｂが第１ビア２５Ａに積み重なることでスタックビア３０が形成される。第２ビア２５Ｂは、第１ビア２５Ａの基端面２５Ｋに向かって先細り形状に形成されると共に、第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊが、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜するように形成される（図８（Ｂ）参照）。」、【００３１】の「そして、残された電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔２６により、層間絶縁層２１上に導電層２２が形成される」との記載、【００３２】～【００３５】及び【００３７】の上記と同様の記載並びに図２、３等に基づくものであるから、訂正事項２は、新規事項の追加に該当しない。 （イ）訂正事項２の「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」について、詳しくは次のとおりである。 本件特許明細書の【００２８】の「このビアホール２５Ｈの中心軸は、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜する。」及び【００２９】の「電解めっきでビアホール２５Ｈ内が満たされてビア２５（第２ビア２５Ｂ）が形成され、・・・第２ビア２５Ｂの中心軸Ｊが、第１ビア２５Ａの中心軸Ｊに対して傾斜するように形成される」との記載によれば、ビアホール２５Ｈの中心軸が第１ビア２５Ａの中心軸に対して傾斜していることにより、このビアホール２５Ｈを電解めっきで満たして形成した第２ビア２５Ｂの中心軸も第１ビア２５Ａの中心軸に対して傾斜するのであるから、第２ビア２５Ｂの中心軸は、ビアホール２５Ｈの中心軸に略一致すると解される。第２ビア２５Ｂの上記中心軸は、「先細り形状」（【００２９】）の「先端面２５Ｓと基端面２５Ｋの中心Ｓ，Ｋ同士を通る軸」（【００１６】）であり、同様に、ビアホール２５Ｈの上記中心軸は、「先細りする形状」（【００２７】）の先端面と開口端面それぞれの中心を通る軸であると解され、第２ビア２５Ｂとビアホール２５Ｈは先端面及びその中心が同じであるから、第２ビア２５Ｂの基端面及びその中心は、ビアホール２５Ｈの開口端面及びその中心に略一致している。そのため、第２ビア２５Ｂの基端面は、平面視においてビアホール２５Ｈの開口端面に一致する領域、すなわち、ビアホール２５Ｈの真上の範囲に配される領域であると解釈するのが合理的であり、図３等の記載とも整合する。これは、他のビアについても当てはまる。 よって、訂正事項２の「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」は、本件特許明細書等に記載した事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。 （ウ）訂正事項２は、前記アのとおり、訂正前の請求項２について引用関係を解消するとともに、特許請求の範囲を減縮し、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （４）訂正事項４について ア 訂正の目的 訂正事項４は、特許請求の範囲の請求項４について、引用請求項を一部削除した上で、請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めるとともに、「先細り形状の複数のビア」について、「内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える」との限定を付加し、「第２のビア」について、「非軸対称形状になっている」との限定を付加し、また、特許請求の範囲の記載上、明瞭ではなかった「ビアの基端面」を、「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」と正して、その本来の意を明らかにするものである。 よって、訂正事項４は、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項４の「先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビア」は、訂正事項２について前記（２）イ（ア）及び（イ）に示したのと同様、本件特許明細書【００２７】～【００２９】、【００３３】～【００３５】、図２及び３等に基づくものである。また、訂正事項４の「第２のビアは・・・、非軸対称形状になっている」は、本件特許明細書の【００１６】の「また、スタックビア３０において、ビア２５の凸状に湾曲した基端面２５Ｋに重ねられる上側のビア２５は、非軸対称形状になっていると共に、」等の記載に基づくものである。 よって、訂正事項４は、新規事項の追加に該当しない。 また、訂正事項４は、訂正前の請求項４について引用関係を解消するとともに、特許請求の範囲を減縮し、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （５）訂正事項５について ア 訂正の目的 訂正事項５は、特許請求の範囲の請求項５について、引用請求項を一部削除するとともに、「複数のビア」について、「先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が交互に反対側に傾斜している」との限定を付加するものである。 よって、訂正事項５は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項５の「前記スタックビアに含まれる複数のビアは、先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が交互に反対側に傾斜している」は、本件特許明細書の【００１９】の「同じ向きのビア群において第１ビア２５Ａに上側から積み重なる複数のビア２５は、非軸対称形状になっていると共に、それら複数のビア２５の中心軸が多層配線基板１０の厚み方向に対して交互に反対側に傾斜するように積み重なっている。」、図２及び３等の記載に基づくものであるから、訂正事項５は、新規事項の追加に該当しない。 また、訂正事項５は、特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （６）訂正事項６について 訂正事項６は、特許請求の範囲の請求項６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 （７）訂正事項７について ア 訂正の目的 訂正事項７は、特許請求の範囲の請求項７について、請求項間の引用関係を解消して、独立形式請求項へ改めるとともに、特許請求の範囲の記載上、明瞭ではなかった「ビアの基端面」を、「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」と正して、その本来の意を明らかにするものである。 よって、訂正事項７は、明瞭でない記載の釈明及び他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。 イ 新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 訂正事項７の「先端面と、前記第１の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第１のビア」及び「先端面と、前記第２の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第２のビア」は、訂正事項２について前記（２）イ（ア）及び（イ）に示したように、本件特許明細書【００２７】～【００２９】、【００３３】～【００３５】、図３等に基づくものであるから、訂正事項７は、新規事項の追加に該当しない。 また、訂正事項７は、訂正前の請求項７について引用関係を解消するとともに、明瞭でない記載の釈明をするものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 ３ 独立特許要件 本件においては、訂正前の全ての請求項１～７について特許異議申立てがされているので、訂正事項１～６について、独立特許要件は課されない。 ４ 申立人の訂正要件違反の主張について （１）主張の概要 申立人は、意見書において、本件訂正が訂正要件に違反するとして、以下を主張する。 ア 「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」とする訂正は、ビアホールの真上の範囲、凹状又は凸状の湾曲面の範囲、水平方向延伸部分を含む範囲等のいずれを指すのか不明であったものから「ビアホールの真上の範囲」を選択するものであり、新たな技術的事項を導入するものであるとともに、実質上特許請求の範囲を変更するものである。（意見書１１～１５頁） イ 「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」とする訂正は、本件特許明細書等にそのような記載はないから、新たな技術的事項を導入するものである。（意見書１５頁） ウ 「レーザー加工面」とする訂正は、本件特許明細書等に直接的な記載はないから、新たな技術的事項を導入するものである。（意見書１５～１６頁） （２）主張についての検討 ア 前記（１）アの主張について、前記２（２）イ（イ）のとおり、「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」は、本件特許明細書等に記載した事項から導出されるものであるから、「ビアホールの真上の範囲に配される基端面」とする訂正は、新規事項の追加には該当せず、また、当該訂正は、前記２（２）アのとおり、特許請求の範囲の記載上、明瞭ではなかった訂正前の「ビアの基端面」を、本来の意を明らかにするものであるから、実質上特許請求の範囲を変更するものでもない。仮に、「基端面」を、凹状又は凸状の湾曲面の範囲又は水平方向延伸部分を含む範囲であると解釈した場合、（平面視の）形状がビアホールの開口端面とは異なり得るために、「基端面」の中心が必ずしもビアホールの開口端面の中心に略一致せず、その結果、ビアの中心軸が、ビアホールの中心軸と同様に傾斜するとは限らないから、該解釈は採り得ない。 したがって、前記（１）アの主張は、理由がない。 イ 前記（１）イの主張について、導電体のことを導体ともいうとの技術常識に照らせば、「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」の「導体層」が、本件特許明細書等の「導電層」（【００２０】等）のことであることは明らかである。また、前記２（２）イ（ア）のとおり、「導電層１２の上に、層間絶縁層２１としてのプリプレグと、銅箔２６と、が積層される。そして、その積層体が、加熱プレスされ、コア基板１１の表裏の両面上に層間絶縁層２１が形成される。」（【００２６】）、「残された電解めっき膜２２Ｄ、無電解めっき膜及び銅箔２６により、層間絶縁層２１上に導電層２２が形成される」（【００３１】）等の記載によれば、導電層１２と導電層２２の間の層間絶縁層２１が、プリプレグから形成される単一層であることも自明である。 したがって、前記（１）イの主張も、理由がない。 ウ 前記（１）ウの主張について、「そして、この反射したレーザー光によってビアホール２５Ｈの内面が偏って除去され、」（【００２８】）等の記載によれば、ビアホールの内側面が、レーザー光によって加工されたものであることは明らかである。 したがって、前記（１）ウの主張は、理由がない。 ５ 訂正の適否のまとめ 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、また、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 よって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３〕、〔２、４、５〕、６、７について訂正することを認める。 第３ 本件発明 前記第２のとおり、本件訂正は認められるので、本件特許の請求項２、４、５及び７に係る発明（以下「本件発明２」等といい、これらをまとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１～７の記載は次のとおりである。 「【請求項１】 （削除） 【請求項２】 導体層同士の間に配される単一層の絶縁層を貫通し、先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、 前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれていると共に、 前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している。 【請求項３】 （削除） 【請求項４】 先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、 前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれていると共に、 前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている。 【請求項５】 請求項２又は４に記載の多層配線基板であって、 前記第２のビアの基端面の面積は、前記第１のビアの基端面の面積より大きく、 前記スタックビアに含まれる複数のビアは、先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が交互に反対側に傾斜している。 【請求項６】 （削除） 【請求項７】 第１の絶縁層に先細り形状の第１の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第１の貫通孔を導電体で満たして、先端面と、前記第１の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第１のビアを形成することと、 前記第１のビアの形成の後に、前記第１のビアの基端面を覆う第２の絶縁層に、前記第１のビアの基端面に到達する先細り形状の第２の貫通孔をレーザー光にて穿孔しかつ前記第２の貫通孔を導電体で満たして、先端面と、前記第２の貫通孔の真上の範囲に配される基端面とを備える第２のビアを形成することと、 前記第１及び第２のビアを含むスタックビアを形成することと、を含む多層配線基板の製造方法であって、 前記第１のビアを、その基端面が凸状に湾曲する形状になるように形成することと、 前記第１のビアの基端面のうち中心からずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射して、前記第２の貫通孔を形成することと、 前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されることと、を含む。」 第４ 特許異議申立書に記載された申立理由及び取消理由通知書に記載した取消理由 １ 特許異議申立書に記載された申立理由の概要 特許異議申立書に記載された申立理由の概要及び証拠方法は、次のとおりである。なお、以下では、甲第１号証～甲第７号証を、「甲１」等という。 （１）申立理由１（甲１に基づく新規性、進歩性） 請求項１～５に係る発明は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 請求項１～７に係る発明は、甲１に記載された発明に基づいて、特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （２）申立理由２（甲２に基づく新規性、進歩性） 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲２に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、５、６に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、５、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （３）申立理由３（甲３に基づく新規性、進歩性） 請求項１～４に係る発明は、甲３に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～４に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 請求項１～７に係る発明は、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （４）申立理由４（甲４に基づく新規性、進歩性） 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲４に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、５、６に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、５、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （５）申立理由５（甲５に基づく新規性、進歩性） 請求項１～５に係る発明は、甲５に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～５に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） 請求項１～５に係る発明は、甲５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（同法第１１３条第２号） （６）申立理由６（記載要件） ア 申立理由６－１（サポート要件） 請求項１～７に係る発明は、以下の点で発明の詳細な説明に記載したものでないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法第１１３条第４号） （ア）請求項１に係る発明は、「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」としか特定されておらず、「ずれ」及び「凹状又は凸状」の曲率が、それぞれ極めて小さい場合、又は極めて大きい場合に課題を解決し得ないから、請求項１に係る発明は、課題を解決し得ない態様を包含する。請求項２～７に係る発明についても同様である。 請求項１～７に係る発明の「湾曲」についても同様である。 請求項２～５に係る発明の「傾斜」についても同様である。 請求項４、５に係る発明の「拡径」についても同様である。 請求項５に係る発明の「面積」についても同様である。 請求項７に係る発明の「反射」についても同様である。 （イ）請求項１～７に係る発明は、「凹状」の場合に課題を解決し得ないから、課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。 （ウ）請求項１～７に係る発明は、「第１のビア」及び「第２のビア」の２層のみの関係を特定するだけであり、課題を解決し得ない態様を包含する。 イ 申立理由６－２（明確性要件） 請求項１～７に係る発明は、以下の点で明確でないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法第１１３条第４号） （ア）請求項１に係る発明の「前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」の「ずれ」の程度が不明確であり、従来の製造時に生じるズレとどのように異なるのか区別することができない。請求項２～７に係る発明についても同様である。 請求項１～７に係る発明の「湾曲」についても同様である。 請求項２～５に係る発明の「傾斜」についても同様である。 請求項４、５に係る発明の「拡径」についても同様である。 請求項５に係る発明の「面積」の大小についても同様である。 請求項７に係る発明の「反射」についても同様である。 （イ）請求項１～７に係る発明は、「基端面」が本件特許の図に記載されるような鍔部を含む面なのか含まない面なのかが不明確であり、「基端面の中心」が断面の中心なのか面積の中心なのかも不明確である。 （ウ）請求項４、５に係る発明の「中心軸から離れる側に拡径される形状」の「離れる側」の意味が不明確である。 （エ）請求項１～５に係る発明の「前記第１のビア」が何を指すのか不明確である。 ウ 申立理由６－３（実施可能要件） 本件特許の発明の詳細な説明は、以下の点で請求項１～７に係る発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、本件特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（同法第１１３条第４号） （ア）請求項１に係る発明は、「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾由し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」と特定しているが、当該構成により、なぜ多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化を抑制することができるのか、当業者が実施できる程度に説明されていない。請求項２～７に係る発明についても同様である。 （イ）請求項１に係る発明は、「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」と特定しているが、発明の詳細な説明には、１つの実施例及び評価もなく、「凹状又は凸状」の曲率、ずれの寸法、レーザーの反射角等の寸法が、当業者が実施できる程度に記載されておらず、従来の、製造時に生じるずれや、凹状又は凸状とどのように異なるのか、発明の詳細な説明に当業者が実施できる程度に記載されていない。請求項２～７に係る発明についても同様である。 請求項２～５に係る発明の「傾斜」についても同様である。 請求項４、５に係る発明の「拡径」についても同様である。 請求項５に係る発明の「面積」の大小についても同様である。 請求項７に係る発明の「反射」についても同様である。 （ウ）請求項１に係る発明は、「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し」と特定しているが、「凹状」の場合には「凸状」の場合と著しく態様が異なり、発明の詳細な説明には当業者が実施できる程度に記載されているといえない。請求項２～７に係る発明についても同様である。 （７）証拠方法 甲１：Hiroshi Kudo他、「A Characterized Redistribution Layer Architecture for Advanced Packaging Technologies」、2016 IEEE 66th Electronic Components and Technology Conference、２０１６年 甲２：特開２０１４－７５５１５号公報 甲３：特開２００３－２５８４３０号公報 甲４：再公表特許２０１１／０８９７９５号 甲５：特開２０１３－１７２０７３号公報 甲６：特開２００７－１４２３９９号公報 甲７：特開２０２０－１６１７３０号公報 ２ 取消理由通知書に記載した取消理由の概要 （１）取消理由１（明確性） 請求項１～７に係る発明は、以下の点で明確でないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 請求項１に係る発明の「基端面の中心」について、「基端面」の範囲が明確でなく、その結果、「基端面」の「中心」が明確でない。請求項２～７に係る発明の「基端面の中心」、「基端面のうち中心からずれた位置」の「中心」についても同様である。 （２）取消理由２（甲１に基づく新規性、進歩性） 請求項１～３に係る発明は、甲１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～３に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 請求項１～５に係る発明は、甲１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （３）取消理由３（甲２に基づく新規性、進歩性） 請求項１、２、５に係る発明は、甲２に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、５に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 請求項１、２、５に係る発明は、甲２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （４）取消理由４（甲３に基づく新規性、進歩性） 請求項１、２に係る発明は、甲３に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 請求項１～５に係る発明は、甲３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （５）取消理由５（甲４に基づく新規性、進歩性） 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲４に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２、５、６に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 請求項１、２、５、６に係る発明は、甲４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２、５、６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 第５ 甲各号証の記載 １ 甲１ （１）甲１の記載事項 甲１には次の記載がある。なお、訳は、申立人が提出したものを参考に当審で作成したものであり、下線及び図中の破線は、当審で付与したものである（以下、同じ。）。 ア 「I. INTRODUCTION Current redistribution layer (RDL) architectures based on a semi-additive or damascene process are expected to be applicable to advanced packaging technologies such as 2.5D IC interposer and wafer level packaging (WLP).」 （訳： I．はじめに セミアディティブまたはダマシンプロセスによって形成された近年の再分配層（ＲＤＬ）構造は、２．５Ｄインターポーザやウェーハレベルパッケージ（ＷＬＰ）のような高度なパッケージング技術への適用が期待されている。） イ 「III. BUILDUP FLOW OF CHARACTERIZED RDL ARCHITECTURE The buildup flow of the enhanced RDL architecture is illustrated in Fig. 2. A Cu wire was basically fabricated using SAP (Fig. 2 (a)). The fabricated wire was covered with a double layer as described above and then spin-coated with a photo-sensitive organic dielectric (Fig. 2 (b)). After via opening of the organic dielectric by photolithography (Fig. 2 (c)), the double layer was selectively etched using plasma reactive ion etching (Fig. 2 (d)). A second level Cu wire was then fabricated by SAP in the same manner as the first level one (Fig. 2 (e)). Repetition of steps (a) to (e) resulted in the building of a single-sided nine-level RDL embedded with fully stacked vias (Fig. 3). This successful buildup was mainly due to the controlled compressive stress of the second dielectric. The fully stacked vias have a fine pitch of 40 μm and can accommodate advanced high-bandwidth I/O interfaces.」 （訳： III．特徴的なＲＤＬ構造の形成工程 強化型ＲＤＬ構造の形成工程を図２に示す。基本的にはＳＡＰを用いてＣｕ配線を作製している（図２（ａ））。作製した配線を上記のように二重層で覆い、感光性有機誘電体をスピンコートした（図２（ｂ））。フォトリソグラフィーで有機誘電体にビア開口を形成した後（図２（ｃ））、プラズマ反応性イオンエッチングで二重層を選択的にエッチングした（図２（ｄ））。 続いて、ＳＡＰにより第１層と同様の方法で第２層のＣｕ配線を作製した（図２（ｅ））。（ａ）から（ｅ）のステップを繰り返すことで、多層スタックビアが埋め込まれた片面９レベルのＲＤＬを構築した（図３）。このビルドアップを可能にしたポイントは、主に第２誘電体を圧縮応力に制御したことによる。多層スタックビアは４０μｍの微細ピッチで、高度な高帯域幅１／Ｏインターフェースに対応できる。） ウ 「VII. CONCLUSION We have developed an enhanced redistribution layer (RDL) architecture in which the Cu wires are directly covered with a double layer consisting of two types of dielectrics. The first dielectric suppresses surface diffusion of electrically activated Cu and prevents Cu from migrating into the organic dielectric between the Cu wires. The former effect increases electro-migration resistance while the latter stabilizes the dielectric strength. The second dielectric, which has a high elastic modulus and a low coefficient of thermal expansion, increases the thermal stability of the fully stacked vias, which are vulnerable to thermal stressing. In addition, the controlled compressive stress of the second dielectric prevents substrate warpage, enabling the construction of a single-sided nine-level RDL embedded with fully stacked vias. The overall result greatly increased flexibility of the wiring layout.」 （訳： VII．結論 我々は、Ｃｕ配線を２種類の誘電体からなる二重層で直接被覆する強化型再配分層（ＲＤＬ）構造を開発した。第１誘電体は、電気的に活性化されたＣｕの表面拡散を抑制し、Ｃｕ配線間の有機誘電体へのＣｕのマイグレーションを防止する。前者の効果はエレクトロマイグレーション耐性を高め、後者は誘電体強度を安定させる。高い弾性率と低い熱膨張係数を持つ第２誘電体は、熱応力に弱い完全積層ビアの熱安定性を高める。さらに、第２誘電体の圧縮応力を制御することにより、基板の反りを防止し、多層スタックビアを埋め込んだ片面９層のＲＤＬを構築することが可能となる。その結果、配線レイアウトの柔軟性が大幅に向上する。） エ 「 ［図：0001432075000001.jpg］ 」 （訳： （ａ）第１Ｃｕ配線をＳＡＰで形成 （ｂ）Ｃｕ配線を誘電体で被覆 （ｃ）フォトリソグラフィーでビア開口を形成 （ｄ）第１、第２誘電体をプラズマ反応性イオンエッチング （ｅ）第２Ｃｕ配線をＳＡＰで形成 図２．強化型ＲＤＬ構造の形成工程。） オ 「 ［図：0001432075000002.jpg］ 」 （訳： 図３．多層スタックビア（４０μｍピッチ）を組み込んだ片面９層構成のＲＤＬ。） （２）甲１発明 前記（１）エの図２（ｂ）によれば、前記（１）イの「二重層」とは、第１誘電体（First dielectric）と第２誘電体（Second dielectric）の二重層のことであることは明らかである。 前記（１）オの図３は、「多層スタックビア（４０μｍピッチ）を組み込んだ片面９層構成のＲＤＬ」の側断面図と解され、前記（１）の下線部の記載を踏まえ、左端の多層スタックビアの破線で囲んだＬ３（Ｌ３－Ｌ２間）のＣｕ配線（以下「Ｃｕ（Ｌ３）配線」という。）とＬ４（Ｌ４－Ｌ３間）のＣｕ配線（以下「Ｃｕ（Ｌ４）配線」という。）に着目すると、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲１発明］ （ａ）ＳＡＰを用いてＣｕ配線を作製し、（ｂ）作製した配線を第１誘電体と第２誘電体の二重層で覆い、感光性有機誘電体をスピンコートし、（ｃ）フォトリソグラフィーで有機誘電体にビア開口を形成し、（ｄ）プラズマ反応性イオンエッチングで二重層をエッチングし、（ｅ）ＳＡＰにより第１層と同様の方法でＣｕ配線を作製し、（ａ）から（ｅ）のステップを繰り返すことで構築した、多層スタックビアが埋め込まれた片面９レベルの再分配層（ＲＤＬ）であって、（前記（１）ア、（１）イ） 多層スタックビアはＣｕ（Ｌ３）配線とＣｕ（Ｌ４）配線を含み、（図３） Ｃｕ（Ｌ３）配線はＬ３側端面からＬ２側端面に向かって細くなっており、Ｃｕ（Ｌ４）配線はＬ４側端面からＬ３側端面に向かって細くなっており、（図３） Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面及びＣｕ（Ｌ４）配線のＬ４側端面は、凸状に膨らんでおり、（図３） Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面は、Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面に重なっており、（図３） Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面の中心は、Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３端面の中心から右側にずれている（図３） ＲＤＬ。 ２ 甲２ （１）甲２の記載事項 甲２には次の記載がある。 「【００１１】 （第１実施形態） 以下、第１実施形態を図１～図１０に従って説明する。 （第１実施形態に係る配線基板の製造方法） 図１に示すように、配線基板１では、配線層と絶縁層とが交互に多数積層され、絶縁層に設けられビアによって配線層同士が電気的に接続されている。本例の配線基板１では、７層の配線層２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈと７層の絶縁層３１～３７とが交互に積層され、絶縁層３１～３７にそれぞれ設けられたビア４１～４７によって配線層２０Ａ～２０Ｈが電気的に接続されている。 【００１２】 詳述すると、最外層（ここでは、最下層）の絶縁層３１の下面に最下層の配線層２０Ａが積層され、上記絶縁層３１の上面に積層された絶縁層３２の下面３２Ａに配線層２０Ｂが積層されている。これら配線層２０Ａと配線層２０Ｂとは、絶縁層３１に設けられた貫通孔ＶＨ１に充填されたビア４１によって電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂに配線層２０Ｃが形成され、絶縁層３２に設けられた貫通孔ＶＨ２に充填されたビア４２によって配線層２０Ｂと配線層２０Ｃとが電気的に接続されている。絶縁層３２の上面３２Ｂ上に積層された絶縁層３３の上面に配線層２０Ｄが積層され、絶縁層３３に設けられた貫通孔ＶＨ３に充填されたビア４３によって配線層２０Ｃと配線層２０Ｄとが電気的に接続されている。絶縁層３４の上面に配線層２０Ｅが積層され、絶縁層３４に設けられた貫通孔ＶＨ４に充填されたビア４４によって配線層２０Ｄと配線層２０Ｅとが電気的に接続されている。絶縁層３５の上面に配線層２０Ｆが積層され、絶縁層３５に設けられた貫通孔ＶＨ５に充填されたビア４５によって配線層２０Ｅと配線層２０Ｆとが電気的に接続されている。絶縁層３６の上面に配線層２０Ｇが積層され、絶縁層３６に設けられた貫通孔ＶＨ６に充填されたビア４６によって配線層２０Ｆと配線層２０Ｇとが電気的に接続されている。最外層（ここでは、最上層）の絶縁層３７の上面に最上層の配線層２０Ｈが積層され、絶縁層３７に設けられた貫通孔ＶＨ７に充填されたビア４７によって配線層２０Ｇと配線層２０Ｈとが電気的に接続されている。」 「【００３８】 また、これら絶縁層３４，３５，３６，３７に設けられた貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７は、図１（ａ）において上側（配線層２０Ｈ側）から下側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ上に形成されている。具体的には、貫通孔ＶＨ４～ＶＨ７は、下側の開口端の開口径が上側の開口端の開口径よりも小径となる円錐台形状に形成されている。これら貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７の底部（下部）には、配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇの下面（当審注：「上面」の誤記と認める。）に形成された凹部２０Ｙがそれぞれ露出されている。これら配線層２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇの凹部２０Ｙは、上記配線層２０Ｃの凹部２０Ｙと同様に、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７と連通するとともに、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ７の底部よりも大径に形成されている。 【００３９】 そして、配線層２０Ｃよりも上側に形成されたビア４４，４５，４６，４７は、対応する貫通孔ＶＨ４，ＶＨ５，ＶＨ６，ＶＨ６（当審注：「ＶＨ７」の誤記と認める。）及び凹部２０Ｙを充填するように形成されている。このため、ビア４４～４７の底部Ｂ２（凹部２０Ｙに充填された部分のビア４４～４７）がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、それら底部Ｂ２の周縁部の下面が対応する絶縁層３４～３７の下面と接触する。」 「【００６７】 続いて、図４（ａ）に示す工程では、ＣＯ２レーザやＵＶ－ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法により、金属箔６６に開口部６６Ｘ（第１開口部）を形成するとともに、その開口部６６Ｘに連通し絶縁層３３を厚さ方向に貫通して下層の配線層２０Ｃの上面ＲＢ（第１面）を露出する貫通孔ＶＨ３（第１貫通孔）を形成する（第５工程）。このとき、金属箔６６（銅箔）よりも絶縁層３３の方がレーザ加工されやすい特性やレーザの熱による影響により、図４（ａ）に示すように、絶縁層３３に形成された貫通孔ＶＨ３が金属箔６６の開口部６６Ｘから外側に食い込むように形成される。すなわち、貫通孔ＶＨ３の上部において、金属箔６６の鍔部６６Ａが貫通孔ＶＨ３の内側にリング状に突出する構造、いわゆるオーバーハング構造が形成される。また、レーザ加工法により貫通孔ＶＨ３を形成すると、図４（ｂ）に示すように、レーザにより切断されたガラスクロス３８の端部が貫通孔ＶＨ３の側壁から突出する。 【００６８】 次いで、図４（ｃ）に示す工程では、図４（ａ）に示した構造体に対してレーザ加工の後処理を施す。具体的には、上述したオーバーハング構造（鍔部６６Ａ）を除去するように、且つ、配線層２０Ｃの上面ＲＢに凹部２０Ｙ（第１凹部）を形成するように、図４（ａ）に示した構造体に対してエッチング処理を施す（第６工程）。本例では、金属箔６６の開口部６６Ｘの開口径が貫通孔ＶＨ３の上側の開口端よりも大径となるように、且つ凹部２０Ｙの開口径が貫通孔ＶＨ３の下側の開口端よりも大径となるようにエッチング処理が行われる。例えば、金属箔６６の上面６６Ｂに除去すべき領域の金属箔６６のみを露出するレジスト層（図示略）を形成し、そのレジスト層をエッチングマスクとして金属箔６６及び配線層２０Ｃをエッチングする。このとき、配線層２０Ｃが金属箔６６よりも厚く形成されている。このため、本工程におけるエッチング量を増やした場合であっても、エッチングにより配線層２０Ｃが貫通されるのが抑制される。したがって、本工程では、エッチング量を増やして上記オーバーハング構造（鍔部６６Ａ）を好適に除去することができる。本工程のエッチング処理は、例えばウェットエッチングにより行うことができる。このようなウェットエッチングを配線層２０Ｃに対して施した場合には、エッチングが配線層２０Ｃの面内方向に進行するサイドエッチ現象により、配線層２０Ｃの凹部２０Ｙを貫通孔ＶＨ３の底部から外側に食い込むように形成することができる。」 「【００７７】 次に、図７（ａ）に示した構造体の上下両面に形成された絶縁層３６，３２及び金属箔７０，６３に対して、図４（ａ）の工程と同様の製造工程を実施する（第９工程）。詳述すると、レーザ加工法により、金属箔６３に開口部６３Ｘ（第２開口部）を形成するとともに、その開口部６３Ｘに連通し絶縁層３２を厚さ方向に貫通して上層の配線層２０Ｃの下面ＲＡ（第２面）を露出する貫通孔ＶＨ２（第２貫通孔）を形成する。また、レーザ加工法により、金属箔７０に開口部７０Ｘ（第３開口部）を形成し、その開口部７０Ｘに連通し絶縁層３６を厚さ方向に貫通して下層の配線層２０Ｆ（最外層の第４配線層）の上面を露出する貫通孔ＶＨ６（第３貫通孔）を形成する。このとき、貫通孔ＶＨ２の下部において金属箔６３の鍔部６３Ｃが貫通孔ＶＨ２の内側に突出され、貫通孔ＶＨ６の上部において金属箔７０の鍔部７０Ａが貫通孔ＶＨ６の内側に突出される。」 「【００８１】 続いて、図８（ｂ）に示した構造体の上下両面に対して、図３（ｅ）～図６（ａ）に示した工程と同様の製造工程を実施する。これにより、図９（ａ）に示すように、絶縁層３６の上面３６Ｂ上に絶縁層３７と配線層２０Ｈを順に積層し、絶縁層３２の下面３２Ａ上に絶縁層３１と配線層２０Ａを順に積層する。」 「【図１】 ［図：0001432075000003.jpg］ 」 「【図４】 ［図：0001432075000004.jpg］ 」 「【図７】 ［図：0001432075000005.jpg］ 」 「【図８】 ［図：0001432075000006.jpg］ 」 「【図９】 ［図：0001432075000007.jpg］ 」 （２）甲２発明 前記（１）の【００８１】によれば、貫通孔ＶＨ７は、図４（ａ）に示す工程と同様に、レーザ加工法により形成される（【００６７】）と解される。 前記（１）の下線部及び第１実施形態の配線基板を示す概略断面図を示す図１（ａ）右上のビア４６とビア４７に着目すると、甲２には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲２発明］ 配線基板１であって、（【００１１】） 配線基板１では、７層の配線層２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｅ，２０Ｆ，２０Ｇ，２０Ｈと７層の絶縁層３１～３７とが交互に積層され、（【００１１】） 絶縁層３６の上面に配線層２０Ｇが積層され、絶縁層３６に設けられた、レーザ加工法により形成された貫通孔ＶＨ６に充填されたビア４６によって配線層２０Ｆと配線層２０Ｇとが電気的に接続され、最外層（ここでは、最上層）の絶縁層３７の上面に最上層の配線層２０Ｈが積層され、絶縁層３７に設けられた、レーザ加工法により形成された貫通孔ＶＨ７に充填されたビア４７によって配線層２０Ｇと配線層２０Ｈとが電気的に接続され、（【００１２】、【００６７】、【００７７】、【００８１】） 絶縁層３６，３７に設けられた貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７は、上側（配線層２０Ｈ側）から下側（配線層２０Ｃ側）に向かうに連れて径が小さくなるテーパ状に形成され、（【００３８】） 貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７の底部（下部）には、配線層２０Ｆ，２０Ｇの上面に形成された凹部２０Ｙがそれぞれ露出されており、配線層２０Ｆ，２０Ｇの凹部２０Ｙは、対応する貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７と連通するとともに、対応する貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７の底部よりも大径に形成されており、（【００３８】） ビア４６，４７は、対応する貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７及び凹部２０Ｙを充填するように形成されており、ビア４６，４７の底部Ｂ２（凹部２０Ｙに充填された部分のビア４６，４７）がいわゆる釘や雄ネジの頭のような形状となり、（【００３９】） ビア４６，４７は、積み重なっており、（図１（ａ）） 配線層２０Ｇの上面の凹部２０Ｙに接するビア４７の底部Ｂ２の下面の中心は、配線層２０Ｇの上面の中心に対して右側にずれている（図１（ａ）、【００３９】） 配線基板１。 ３ 甲３ （１）甲３の記載事項 甲３には、次の記載がある。 「【００２１】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の配線基板１０１について、図１に部分断面図を示す。また、図２に主面側第２絶縁層１２４に覆われたフィルドビア導体１２３近傍の部分拡大断面図を、図３に主面側第３絶縁層１２７に覆われたフィルドビア導体１２６近傍の部分拡大断面図を示す。 【００２２】この配線基板１０１は、図１中に破線で示すＩＣチップＩＣが搭載される基板主面１０２と、図示しないマザーボードに接続される基板裏面１０３とを有する略矩形の略板形状である。配線基板１０１は、その中心にガラス－エポキシ樹脂からなる厚さ約８００μｍのコア基板１１１を備える。このコア基板１１１のコア主面１１２上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第１絶縁層１２１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの主面側第２絶縁層１２４が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの主面側第３絶縁層（主面側ソルダーレジスト層）１２７が積層されている。また同様に、コア基板１１１のコア裏面１１３上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第１絶縁層１４１が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約３５μｍの裏面側第２絶縁層１４４が積層され、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約２５μｍの裏面側第３絶縁層（裏面側ソルダーレジスト層）１４７が積層されている。」 「【００２５】主面側第１絶縁層１２１には、図１及び図２に示すように、これを貫通する開口径約６５μｍの多数のビアホール１２２が所定の位置に形成され、その内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビア導体１２３は、ビアホール１２２内に形成された略円錐台状の円錐台部１２３Ｐと、その上に形成された直径約１２５μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤状の円盤部１２３Ｑとを有する。さらに、円盤部１２３Ｑの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２３Ｒを有する。つまり、このフィルドビア導体１２３は、表面が凸状に膨らんだ膨出部１２３Ｒを有する形状とされている。また、フィルドビア導体１２３の表面全面は、主面側第２絶縁層１２４との密着性を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。これらのフィルドビア導体１２３には、その表面全体が主面側第２絶縁層１２４で覆われたもの（図２参照）と、その表面に後述するフィルドビア導体１２６が接続されたものとがある。表面全体が主面側第２絶縁層１２４で覆われたフィルドビア導体１２３について見ると、その膨出部１２３Ｒ上に積層された主面側第２絶縁層１２４の厚さは、約１５．５μｍと十分に厚くなっている。 【００２６】また、図１及び図３に示すように、主面側第２絶縁層１２４にも、これを貫通する開口径約６５μｍの多数のビアホール１２５が所定の位置に形成され、その内部及びその上には、Ｃｕからなるフィルドビア導体１２６がそれぞれ形成されている。具体的には、このフィルドビア導体１２６も、ビアホール１２５内に形成された略円錐台状の円錐台部１２６Ｐと、その上に形成された直径約１２５μｍ、厚さ約１４．５μｍの円盤状の円盤部１２６Ｑと、その中央上に凸状に膨らみ、底面の直径が約５５μｍ、高さが約５μｍの膨出部１２６Ｒとを有する。つまり、このフィルドビア導体１２６も、表面が凸状に膨らんだ膨出部１２６Ｒを有する形状とされている。また、フィルドビア導体１２６の表面全面は、主面側第３絶縁層１２７との密着性を向上させるため、表面粗さＲａ＝約０．５μｍの粗化面とされている。これらのフィルドビア導体１２６には、その表面全体が主面側第３絶縁層１２７で覆われたもの（図３参照）と、その表面に後述する主面側Ｎｉメッキ層１２９が被着したものとがある。表面全体が主面側第３絶縁層１２７で覆われたフィルドビア導体１２６について見ると、その膨出部１２６Ｒ上に積層された主面側第３絶縁層１２７の厚さは、約５．５μｍと十分に厚くなっている」 「【００３１】コア基板１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、Ｃｕからなる厚さ約３５μｍの主面側第１導体層１６１が形成されている。この主面側第１導体層１６１は、電源電位とされる電源プレーン層であり、略ベタ状に形成されている。主面側第１導体層１６１は、コア基板１１１のスルーホール導体１１６の一部及び主面側第１絶縁層１２１のフィルドビア導体１２３の一部と接続している。また、主面側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第２導体層１６３が形成されている。この主面側第２導体層１６３は、配線等を有する所定パターンの配線層である。主面側第２導体層１６３は、主面側第１絶縁層１２１のフィルドビア導体１２３及び主面側第２絶縁層１２４のフィルドビア導体１２６と接続している。また、主面側第２絶縁層１２４と主面側第３絶縁層１２７との層間には、Ｃｕからなる厚さ約１４．５μｍの主面側第３導体層１６５が形成されている。この主面側第３導体層１６５は、配線等を一部に有する所定パターンの導体層である。主面側第３導体層１６５は、主面側第２絶縁層１２４のフィルドビア導体１２６等と接続している。」 「【００４２】次に、第１絶縁層形成工程において、コア主面１１２及び主面側第１導体層１６１上に、公知のフォトリソグラフィ法により、ビアホール１２２を所定の位置に有する主面側第１絶縁層１２１を形成する。また同様にして、コア裏面１１３及び裏面側第１導体層１７１上に、ビアホール１４２を所定の位置に有する裏面側第１絶縁層１４１を形成する。」 「【００４６】次に、第２絶縁層形成工程において、図６に示すように、Ｃｕメッキにより、主面側第１絶縁層１２１及び主面側第２導体層１６３上に、公知の真空ラミネート及びフォトリソグラフィ法により、ビアホール１２５を所定の位置に有する主面側第２絶縁層１２４を形成する。また同様にして、裏面側第１絶縁層１４１及び裏面側第２導体層１７３上に、ビアホール１４５を所定の位置に有する裏面側第２絶縁層１４４を形成する。具体的には、真空ラミネートにより、主面側第１絶縁層１２１及び主面側第２導体層１６３上に未硬化の主面側第２絶縁層を積層すると共に、裏面側第１絶縁層１４１及び裏面側第２導体層１７３上に未硬化の裏面側第２絶縁層を積層する。その際、搬送ローラや真空シールローラが、基板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体１２３，１４３の頂部にもそれぞれ接触するが、膨出部１２３Ｒ等の高さが５μｍ以下に抑えられているので、膨出部１２３Ｒ等は潰れず、表面粗さの低下が防止される。その後、公知のフォトリソグラフィ法により、ビアホール１２５を有する所定パターンの主面側第２絶縁層１２４と、ビアホール１４５を有する所定パターンの裏面側第３絶縁層１４４を形成する。」 「【図１】 ［図：0001432075000008.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001432075000009.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001432075000010.jpg］ 」 （２）甲３発明 前記（１）の下線部及び配線基板１０１の部分断面図を示す図１に着目すると、甲３には、次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲３発明］ 配線基板１０１であって、（【００２２】） 配線基板１０１は、コア基板１１１を備え、このコア基板１１１のコア主面１１２上には、主面側第１絶縁層１２１が積層され、その上には、主面側第２絶縁層１２４が積層され、さらにその上には、主面側第３絶縁層（主面側ソルダーレジスト層）１２７が積層されており、（【００２２】） コア基板１１１と主面側第１絶縁層１２１との層間には、主面側第１導体層１６１が形成されており、この主面側第１導体層１６１は、電源プレーン層であり、主面側第１絶縁層１２１と主面側第２絶縁層１２４との層間には、主面側第２導体層１６３が形成されており、この主面側第２導体層１６３は、配線等を有する所定パターンの配線層であり、主面側第２絶縁層１２４と主面側第３絶縁層１２７との層間には、主面側第３導体層１６５が形成されており、この主面側第３導体層１６５は、配線等を一部に有する所定パターンの導体層であり、（【００３１】） 主面側第１絶縁層１２１には、フィルドビア導体１２３がそれぞれ形成されており、各々のフィルドビア導体１２３は、フォトリソグラフィ法によるビアホール１２２内に形成された略円錐台状の円錐台部１２３Ｐと、その上に形成された円盤状の円盤部１２３Ｑとを有し、さらに、円盤部１２３Ｑの中央上には、凸状に膨らんだ膨出部１２３Ｒを有し、（【００２５】、【００４２】） 主面側第２絶縁層１２４にも、フィルドビア導体１２６がそれぞれ形成されており、このフィルドビア導体１２６も、フォトリソグラフィ法によるビアホール１２５内に形成された略円錐台状の円錐台部１２６Ｐと、その上に形成された円盤状の円盤部１２６Ｑと、その中央上に凸状に膨らんだ膨出部１２６Ｒとを有し、（【００２６】、【００４６】） フィルドビア導体１２３とフィルドビア導体１２６は、積み重なっており、（図１） フィルドビア導体１２６の円錐台部１２６Ｐの下面が、フィルドビア導体１２３の円盤部１２３Ｑの膨出部１２３Ｒの表面に重なっている（図１） 配線基板１０１。 ４ 甲４ （１）甲４の記載事項 甲４には次の記載がある。 「【００２０】 本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００は、図１に示すように、第１基板１０と、第２基板２０と、第３基板３０と、絶縁層４０ａ、５０ａと、配線層４１、５１と、フィルド導体４２、５２（第４導体）と、を備える。第１基板１０、第２基板２０、及び第３基板３０は、コア部に相当する。コア部よりも上層の絶縁層４０ａ及び５０ａ等は、ビルドアップ部に相当する。」 「【００２５】 第３基板３０は、第３絶縁層３０ａと、配線層３１、３２と、第３フィルド導体３３（第３導体）と、を有する。第３絶縁層３０ａには、第３絶縁層３０ａを貫通する第３孔３３ａが形成されている。第３フィルド導体３３は、第３孔３３ａにめっきが充填されて構成される。第３フィルド導体３３の第１面側にはランド３３１が接続され、第３フィルド導体３３の第２面側にはランド３３２が接続される。ランド３３１は配線層３１に含まれ、ランド３３２は配線層３２に含まれる。」 「【００３２】 第１絶縁層１０ａの第１面側には絶縁層４０ａが積層され、第３絶縁層３０ａの第２面側には絶縁層５０ａが積層される。絶縁層４０ａ、５０ａは、層間絶縁層に相当する。絶縁層４０ａには、絶縁層４０ａを貫通する孔４２ａが形成されている。また、絶縁層５０ａには、絶縁層５０ａを貫通する孔５２ａが形成されている。絶縁層４０ａはフィルド導体４２を有し、絶縁層５０ａは、フィルド導体５２を有する。フィルド導体４２は、孔４２ａにめっきが充填されて構成され、フィルド導体５２は、孔５２ａにめっきが充填されて構成される。絶縁層４０ａの第１面に配線層４１が形成され、絶縁層５０ａの第２面に配線層５１が形成される。 【００３３】 配線層４１及び５１は、例えば銅箔及び銅のめっきからなる。また、絶縁層４０ａ及び５０ａの材料としては、例えばガラス繊維又はアラミド繊維等の基材に、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ－ＰＰＥ樹脂）等の樹脂を含浸させたものを用いることができる。 【００３４】 フィルド導体４２及び５２は、例えば銅のめっきからなる。フィルド導体４２の形状は、例えば第２面側から第１面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。フィルド導体５２の形状は、例えば第１面側から第２面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。 【００３５】 フィルド導体４２、第１フィルド導体１３、第２フィルド導体２１、第３フィルド導体３３、及びフィルド導体５２は、軸Ｌ１上及び軸Ｌ２上を第１面側から第２面側に向かって順に積層される。隣接するフィルド導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。軸Ｌ１上にはフィルドスタックＳ１が形成され、軸Ｌ２上にはフィルドスタックＳ２が形成される。フィルドスタックＳ１及びＳ２の各々は、全層のフィルド導体が同軸上に配置された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、配線パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。なお、フルスタック構造は必須の構造ではない（後述の図１７参照）。」 「【００４８】 めっきによりフィルド導体を形成する場合、フィルド導体の表面に窪みが生じ易い。そこで、本実施形態では、そうした窪みが形成された場合について説明する。すなわち、図３に示すように、第１フィルド導体１３の第１面側端面（ランド１３１の表面）の中央部には窪み１３１ｂが形成され、第１フィルド導体１３の第２面側端面（ランド１３２の表面）の中央部には窪み１３２ｂが形成される。第３フィルド導体３３の第１面側端面（ランド３３１の表面）の中央部には窪み３３１ｂが形成され、第３フィルド導体３３の第２面側端面（ランド３３２の表面）の中央部には窪み３３２ｂが形成される。こうした窪み１３２ｂ等は、ボイド発生の原因となり易い。しかしながら、配線板１００のコア部における第２フィルド導体２１は、流動性の高い導電性ペーストからなる。そして、第２フィルド導体２１の導電性ペーストが、窪み１３２ｂ及び３３１ｂに入り込んでいる。このため、導電性ペーストで窪み１３２ｂ及び３３１ｂが平坦化され、ボイドの発生が抑制される。」 「【００５８】 続けて、図８Ｂに示すように、レーザにより、両面銅張積層板１０００に孔１００３を形成する。孔１００３は、両面銅張積層板１０００を貫通する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。 【００５９】 続けて、図８Ｃに示すように、銅のパネルめっき（スルーホールめっき及び全面めっき）により、孔１００３にめっき１００４を充填する。図示は省略するが、前述の窪み１３１ｂ、１３２ｂ、３３１ｂ、３３２ｂが形成される場合には、このタイミングで、めっき１００４の表面（特に孔１００３の中央部）に形成される。第１基板１０及び第３基板３０のいずれを製造する場合でも、ここまでの製造工程は同じである。ここで、絶縁層１０００ａは、第１絶縁層１０ａ又は第３絶縁層３０ａに相当する。孔１００３に充填されためっき１００４は、第１フィルド導体１３又は第３フィルド導体３３に相当する。」 「【００６５】 図１２Ａに示すように、例えばレーザにより、絶縁層４０ａに孔４２ａを形成し、絶縁層５０ａに孔５２ａを形成する。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチをする。 【００６６】 続けて、図１２Ｂに示すように、例えば銅のパネルめっき（例えば化学銅めっき及び電気銅めっき）により、孔４２ａにめっき３００３を充填し、孔５２ａにめっき３００４を充填する。これにより、フィルド導体４２及び５２が形成される。フィルド導体４２及び５２は、第１フィルド導体１３、第２フィルド導体２１、及び第３フィルド導体３３と同軸（軸Ｌ１及び軸Ｌ２）上に配置される。」 「【００８１】 フィルド導体の縦断面の形状も任意である。例えば図２１に示すように、第１フィルド導体１３及び第３フィルド導体３３の形状をテーパ円柱（円錐台）にしてもよい。また、第２フィルド導体２１の形状を円柱にしてもよい。さらに、図２２に示すように、第１フィルド導体１３及び第３フィルド導体３３の形状を鼓形にしてもよい。また、第２フィルド導体２１の形状を鼓形にしてもよい。孔の形状を鼓形にすると、開口部の径が孔の中間部の径よりも大きくなるため、めっきのフィルド性が向上する。その結果、表面の平坦性が高まる。」 「【図１】 ［図：0001432075000011.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001432075000012.jpg］ 」 「【図８Ｂ】 ［図：0001432075000013.jpg］ 」 「【図８Ｃ】 ［図：0001432075000014.jpg］ 」 「【図１２Ａ】 ［図：0001432075000015.jpg］ 」 「【図１２Ｂ】 ［図：0001432075000016.jpg］ 」 「【図２１】 ［図：0001432075000017.jpg］ 」 （２）甲４発明 前記（１）の【００２５】には「第３フィルド導体３３は、第３孔３３ａにめっきが充填されて構成される」とあり、【００５９】には「孔１００３に充填されためっき１００４は、第１フィルド導体１３又は第３フィルド導体３３に相当する。」とあるから、「第３孔３３ａ」は「孔１００３」と同じものであり、「レーザにより」「形成」（【００５８】）されると認められる。 前記（１）の下線部及びフィルド導体の縦断面の形状の第１の別例を示す図２１に着目すると、甲４には、次の発明（以下「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲４発明］ 配線板１００であって、（【００２０】） 第１基板１０と、第２基板２０と、第３基板３０と、絶縁層４０ａ、５０ａと、配線層４１、５１と、フィルド導体４２、５２（第４導体）と、を備え、（【００２０】） 第３基板３０は、第３絶縁層３０ａと、配線層３１、３２と、第３フィルド導体３３（第３導体）と、を有し、第３絶縁層３０ａには、第３絶縁層３０ａを貫通する第３孔３３ａがレーザにより形成されており、第３フィルド導体３３は、第３孔３３ａにめっきが充填されて構成され、（【００２５】、【００５８】） 第３フィルド導体３３の形状は、第１面側から第２面側に向かって広がるテーパ円柱（円錐台）であり、（【００２５】、【００３５】、【００８１】、図２１） 第３絶縁層３０ａの第２面側には絶縁層５０ａが積層され、絶縁層５０ａには、絶縁層５０ａを貫通する孔５２ａがレーザにより形成されており、絶縁層５０ａは、フィルド導体５２を有し、フィルド導体５２は、孔５２ａにめっきが充填されて構成され、（【００３２】、【００６５】） フィルド導体５２の形状は、第１面側から第２面側に向かって広がるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）であり、（【００３４】） 第３フィルド導体３３、及びフィルド導体５２は、軸Ｌ上を第１面側から第２面側に向かって順に積層され、隣接するフィルド導体同士は密着（接触）し、互いに導通し、軸Ｌ上にはフィルドスタックＳが形成され、（【００３５】） 第３フィルド導体３３の第２面側端面の中央部には窪み３３２ｂが形成され、（【００４８】） フィルド導体５２の第１面側端面の中心は、第３フィルド導体３３の第２面側端面の中心に対してずれており、（図２１） フィルド導体５２の第２面側端面の面積は、第３フィルド導体３３の第２面側端面の面積より大きい（図２１） 配線板１００。 ５ 甲５ （１）甲５の記載事項 甲５には次の記載がある。 「【０００９】 ［第１実施形態］ 本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が図６の断面図を参照して説明される。 図６はプリント配線板（パッケージ基板）１０を示す。」 「【００２３】 プリント配線板１０の製造方法が図１～図６を参照して説明される。（以下、略）」 「【００２７】 （４）次に、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａ，５０Ｂにそれぞれビア導体用の開口５１Ａ，５１Ｂが形成される（図１（Ｄ））。 【００２８】 （５）層間樹脂絶縁層５０Ａ，５０Ｂの表面とビア導体用の開口５１Ａ，５１Ｂの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される（図１（Ｅ））。 【００２９】 （６）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が設けられる（図２（Ａ））。 【００３０】 （７）めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される（図２（Ｂ））。 【００３１】 （８）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜がエッチングで除去されることで、複数の導体回路を有する導体層５８Ａ，５８Ｂ及びビア導体６０Ａ，６０Ｂが形成される（図２（Ｃ））。上側のビルドアップ層と下側のビルドアップ層が完成する。層間樹脂絶縁層５０Ａが最上の層間樹脂絶縁層であり、導体層５８Ａが最上の導体層である。層間樹脂絶縁層５０Ｂが最下の層間樹脂絶縁層であり、導体層５８Ｂが最下の導体層である。」 「【００４６】 ［第４実施形態］ 第１実施形態から第３実施形態のプリント配線板のビルドアップ層は１層である。それに対し、図１５，図１６に示されるように第４実施形態のプリント配線板のビルドアップ層は２層である。第４実施形態のＢＧＡパッドやＢＧＡバンプは第１実施形態から第３実施形態のプリント配線板と同様である。 【００４７】 上側のビルドアップ層はコア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ａ上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａと上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａ上の上側の導体層１５８Ａと上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａを貫通し上側の導体層とコア基板の第１導体層やスルーホール導体とを接続する上側のビア導体１６０Ａと上側の導体層と上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａ上に形成されている最上の層間樹脂絶縁層５０Ａと最上の層間樹脂絶縁層５０Ａ上の最上の導体層５８Ａと最上の層間樹脂絶縁層５０Ａを貫通し最上の導体層と上側の導体層や上側のビア導体とを接続する最上のビア導体６０Ａを有する。 【００４８】 下側のビルドアップ層はコア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｂ上に形成されている下層の層間樹脂絶縁層１５０Ｂと下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂ上の下側の導体層１５８Ｂと下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し下側の導体層とコア基板の第２導体層やスルーホール導体とを接続する下側のビア導体１６０Ｂと下側の導体層と下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂ上に形成されている最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂと最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂ上の最下の導体層５８Ｂと最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し最下の導体層と下側の導体層や下側のビア導体とを接続する最下のビア導体６０Ｂを有する。」 「【図１】 ［図：0001432075000018.jpg］ 」 「【図２】 ［図：0001432075000019.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001432075000020.jpg］ 」 「【図１５】 ［図：0001432075000021.jpg］ 」 「【図１６】 ［図：0001432075000022.jpg］ 」 （当審注：図１６中の符号「５０」（「５０Ａ」及び「５０Ｂ」。以下同じ。）、「５８」、「６０」、「１５０」、「１５８」及び「１６０」は、正しくは、図１５中の符号と同様「１５０」、「１５８」、「１６０」、「５０」、「５８」及び「６０」であると認める。） （２）甲５発明 第４実施形態（【００４６】～【００４８】）は、「プリント配線板のビルドアップ層」を「２層」（【００４６】）にしたものであるところ、「導体層１５８Ｂ」、「ビア導体１６０Ｂ」、「導体層５８Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」は、「プリント配線板のビルドアップ層」が「１層」の第１実施形態における「導体層」「５８Ｂ」、「ビア導体」「６０Ｂ」と同様の方法（【００２７】～【００３１】）により形成されるものと解される。 図１５及び１６から、「ビア導体１６０Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」は、「コア基板３０」に向かって細くなる形状であることが見て取れる。以下では、「ビア導体１６０Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」それぞれの細くなっている側の端面を「先端面」といい、該先端面に対向する端面、すなわち「導体層１５８Ｂ」及び「導体層５８Ｂ」それぞれの表面のうち「ビア導体用の開口」（【００２７】）の真上の範囲を「基端面」という。 図１５及び１６から、「ビア導体６０Ｂ」の先端面の中心は、「ビア導体１６０Ｂ」の基端面の中心に対してずれていることが見て取れる。 以上を踏まえ、前記（１）の下線部に着目すると、甲５には、次の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。 ［甲５発明］ プリント配線板であって、（【００４６】） 下側のビルドアップ層は、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｂ上に形成されている下層の層間樹脂絶縁層１５０Ｂと、下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂ上の下側の導体層１５８Ｂと、下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂを貫通し下側の導体層とコア基板の第２導体層やスルーホール導体とを接続する下側のビア導体１６０Ｂと、下側の導体層と下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂ上に形成されている最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂと、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂ上の最下の導体層５８Ｂと、最下の層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通し最下の導体層と下側の導体層や下側のビア導体とを接続する最下のビア導体６０Ｂを有し、（【００４８】） 複数の導体回路を有する導体層１５８Ｂ、５８Ｂ及びビア導体１６０Ｂ、６０Ｂは、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層１５０Ｂ、５０Ｂにそれぞれビア導体用の開口が形成され、層間樹脂絶縁層１５０Ｂ、５０Ｂの表面とビア導体用の開口の内壁に無電解めっき膜が形成され、無電解めっき膜上に、電解めっき膜が形成されることで形成され、（【００２７】、【００２８】、【００３１】、【００４８】） ビア導体１６０Ｂ、６０Ｂは、基端面から先端面に向かって細くなる形状であり、（図１５、１６） ビア導体６０Ｂの先端面の中心は、ビア導体１６０Ｂの基端面の中心に対してずれている（図１５、１６） プリント配線板。 ６ 甲６ 甲６には次の記載がある。 「【００９２】 図７は、本発明の好ましい一実施形態によるペーストバンプを用いた印刷回路基板の全層ＩＶＨ構造を示す写真であり、図８は、本発明の好ましい他の実施形態によるペーストバンプを用いた印刷回路基板の全層ＩＶＨ構造を示す写真であり、図９は本発明の好ましい一実施形態によるペーストバンプを用いた印刷回路基板のディンプルカバレージ（ｄｉｍｐｌｅ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を示す写真である。図７ないし図９を参照すると、メッキ層１８、ペーストバンプ３２が示されている。」 「【図７】 ［図：0001432075000023.jpg］ 」 ７ 甲７ 甲７には次の記載がある。 「【００１０】 すなわち、図３Ａ～３Ｂに拡大図が示されるように、ビア導体７（くびれ付きビア導体７ａとくびれの無いビア導体７ｂの両方を含む）の上の導体層１１、１２の上面（コア層１０と反対側の表面）にはリセス（第１リセス４１６、又は第２リセス３１６）が形成される。この第１又は第２のリセス４１６、３１６が形成される理由は後述されるが、第１リセス４１６及び第２リセス３１６で、その形状が異なっている。第１リセスは図２Ａに示される第１積層構造を有する第１導体層１１、すなわち第１又は第２の外側導体層４１、４２に多く、第２リセス３１６は図２Ｂに示される第２積層構造を有する第２導体層１２、すなわち内層導体層５０ａ、５０ｂなどに多い。なお、図９にくびれ付きビア導体７ａとくびれの無いビア導体７ｂの断面写真が示されている。図９から明らかなように、ビア導体と一体に形成される導体層が厚い場合にくびれが形成されやすく、導体層が薄い場合には、くびれが形成され難い。」 「【図９】 ［図：0001432075000024.jpg］ 」 第６ 取消理由通知書に記載した取消理由について １ 取消理由１（明確性）について 本件発明は、「基端面」について、「前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面」（請求項２、４）、「前記第１の貫通孔の真上の範囲に配される基端面」及び「前記第２の貫通孔の真上の範囲に配される基端面」（請求項７）と特定している。そのため、本件発明における「基端面」の範囲は明確であり、その結果、「基端面の中心」（請求項２、４、５、７）及び「基端面のうち中心からずれた位置」（請求項７）の「中心」も、また明確である。 よって、本件発明は、不明確ではないから、取消理由１は理由がない。 ２ 取消理由２（甲１に基づく新規性、進歩性）について （１）本件発明２について ア 対比 本件発明２と甲１発明とを対比する。 （ア）「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層を貫通し、先細り形状をなして内側面がレーザー加工面になっているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える」「ビア」について 甲１発明の「Ｃｕ配線」は、本件発明２の「導体層」に相当する。 甲１発明の「第１誘電体と第２誘電体の二重層」及びそこに「スピンコート」される「感光性有機誘電体」は、いずれも絶縁性を有すると解されるから、本件発明２の「絶縁層」に相当する。これら３層の「誘電体」（以下「甲１誘電体層」という。）は、「Ｃｕ配線」を「覆」うとともに、その上に「Ｃｕ配線」が「作製」されており、該「Ｃｕ配線」と「Ｃｕ配線」の間に存在するものであるから、本件発明２の「絶縁層」と甲１誘電体層は、「導体層同士の間に配される」点で一致する。他方、甲１誘電体層は、３層の誘電体からなるから「単一層」ではない。 甲１発明では、「（ｃ）」の「有機誘電体」への「ビア開口」の「形成」、及び「（ｄ）」の「二重層」の「エッチング」により、甲１誘電体層にビアホール（図２参照。以下「甲１ビアホール」という。）が形成されていると解されるから、甲１ビアホールは、本件発明２の「ビアホール」に相当する。甲１ビアホールの形状は、甲１ビアホールに対して「ＳＡＰにより作製したＣｕ配線」の「Ｃｕ（Ｌ３）配線」及び「Ｃｕ（Ｌ４）配線」が、いずれも一方の「端面に向かって細くなって」いる形状をしていることからも明らかなように、「ビア開口」から端面に向かって細くなっているといえるから、本件発明２の「ビアホール」と甲１ビアホールは、「先細り形状をなして」いる点で一致する。他方、甲１ビアホールは、「有機誘電体」を「フォトリソグラフィー」によりエッチングし、「二重層」を「プラズマ反応性イオンエッチング」で「エッチング」して形成したものであるため、その「内側面がレーザー加工面」であるとはいえない。 甲１発明の「Ｃｕ配線」は、前記のとおり甲１ビアホールに「ＳＡＰにより作製した」ものであり、甲１ビアホールに導体である「Ｃｕ」が充填されて形成されたものと解されるから、本件発明２の「ビアホールに導体が充電されて形成され」た「ビア」に相当する。また、「Ｃｕ配線」のうち、細くなっている側の端面は、本件発明２の「ビア」の「先端面」に相当し、もう一方の、甲１ビアホールの「ビア開口」の真上の範囲の端面は、本件発明２の「ビア」の「前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面」に相当するから、本件発明２の「ビア」と甲１発明の「Ｃｕ配線」は、「先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える」点で一致する。また、甲１ビアホールは、エッチングによって、甲１誘電体層の「有機誘電体」と「第１誘電体と第２誘電体の二重層」を貫通しており、「Ｃｕ配線」も、当然甲１誘電体層を貫通するから、本件発明２の「ビア」と甲１発明の「Ｃｕ配線」は、「絶縁層を貫通」する点で一致する。 以上によれば、本件発明２と甲１発明とは、「ビア」が「導体層同士の間に配される絶縁層を貫通し、先細り形状なすビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える」ものである点で一致する。他方、甲１発明は、ビアが貫通する絶縁層が「単一層」ではなく、ビアホールが「レーザー加工面」になっていない点で、本件発明２と相違する。 （イ）「複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板」について 甲１発明の「多層スタックビア」は、本件発明２の「スタックビア」に相当する。 甲１発明の「再分配層（ＲＤＬ）」は、「基板の反りを防止し、多層スタックビアを埋め込んだ片面９層のＲＤＬを構築することが可能となる」（前記第５の１（１）ウ）との記載からも明らかなように基板の構造であり、「９レベル」の「Ｃｕ配線」を有するものであるから、本件発明２の「多層配線基板」に相当する。 よって、本件発明２と甲１発明は、「複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板」である点で一致する。 （ウ）「前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し」について 甲１発明の「Ｃｕ（Ｌ４）配線」は、「Ｌ４側端面からＬ３側端面に向かって細くなって」いるから、「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面」は、「Ｃｕ（Ｌ４）配線」の先端面ということができ、該「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面」は「Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面に重なって」いることを踏まえると、「Ｃｕ（Ｌ４）配線」及び「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面」は、それぞれ本件発明２の「第２のビア」及び「第２のビアの先端面」に相当する。また、前記「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面」が「重なって」いる「Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面」は、「Ｃｕ（Ｌ３）配線」が「Ｌ２側端面に向かって細くな」る基端側といえることを踏まえれば、「Ｃｕ（Ｌ３）配線」及び「Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面」（甲１ビアホールの「ビア開口」の真上の範囲の端面）は、それぞれ本件発明２の「第１のビア」及び「第１のビアの基端面」に相当する。そして、「Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面」は「凸状に膨らんで」いるから、本件発明２と甲１発明とは、「前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し」ている点で一致する。 （エ）「前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」について 甲１発明は、「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面の中心は、Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３端面の中心から右側にずれて」いるから、本件発明２と甲１発明は、「前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」点で一致する。 （オ）「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」について 前記（エ）のとおり、甲１発明の「Ｃｕ（Ｌ３）配線」及び「Ｃｕ（Ｌ３）配線のＬ３側端面」は、それぞれ本件発明２の「第１のビア」及び「第１のビアの基端面」に相当し、甲１発明の「Ｃｕ（Ｌ４）配線」及び「Ｃｕ（Ｌ４）配線のＬ３側端面」は、それぞれ本件発明２の「第２のビア」及び「第２のビアの先端面」に相当する。また、甲１発明の「Ｃｕ（Ｌ３）配線」の「Ｌ２側端面」は、本件発明２の「第１のビアの先端面」に、甲１発明の「Ｃｕ（Ｌ４）配線」の「Ｌ４側端面」（甲１ビアホールの「ビア開口」の真上の範囲の端面）は、本件発明２の「第２ビア」の「基端面」にそれぞれ相当する。 他方、甲１発明は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」に相当する構成は特定されていない。それ以前に、「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」に関する特定すらない。また、甲１の図３（第５の１（１）オ）等から、「Ｃｕ（Ｌ３）配線」の「Ｌ２側端面」の中心と「Ｌ３側端面」の中心とを通る線に対して、「Ｃｕ（Ｌ４）配線」の「Ｌ３側端面」の中心と「Ｌ４側端面」の中心とを通る線が傾斜していることが、外形的に明らかでもない。 したがって、甲１発明は、本件発明２の上記事項に相当する構成を有しない。 （カ）一致点、相違点 前記（ア）～（オ）によれば、本件発明２と甲１発明とは、次の点で一致し、相違する。 ［一致点］ 「 導体層同士の間に配される絶縁層を貫通し、先細り形状をなしているビアホールに導体が充填されて形成され、先端面と、前記ビアホールの真上の範囲に配される基端面とを備える複数のビアが積み重なってなるスタックビアを有する多層配線基板であって、 前記スタックビアに含まれる第１と第２のビアのうち前記第２のビアの先端面が重なる前記第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾曲し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている。」 ［相違点］ （相違点１）ビアが貫通する「絶縁層」が、本件発明２は「単一層」であるのに対し、甲１発明は３つの誘電体からなり、「単一層」ではない点。 （相違点２）ビアホールの「内側面」が、本件発明２は「レーザー加工面」になっているのに対し、甲１発明はエッチングで加工されており、「レーザー加工面」ではない点。 （相違点３）本件発明２は、「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」のに対し、甲１発明は、そのような構成を有しない点。 イ 判断 事案に鑑み、相違点３について検討する。 相違点３は、本件発明２である多層配線基板の構成に係るものであって、また、甲１発明が、相違点３に係る構成を実質的に有していると認める証拠もないから、相違点３は実質的な相違点である。 次に、相違点３に係る構成の容易想到性に関し、相違点３に係る構成は、甲１～７のいずれの証拠にも記載も示唆もされていない。これについて、甲６及び甲７は、技術常識を示すための証拠であるが、甲６の図７（前記第５の６）、甲７の図９（前記第５の７）は、相違点３に係る構成を外形的に明示しているとはいえないし、甲６及び甲７は「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」についての記載もない。そのため、甲１発明に甲１～７の記載事項を如何に組み合わせても、相違点３に係る構成には至らない。そのほか、相違点３に係る構成が技術常識であると認める証拠はない。よって、相違点３に係る構成は、当業者といえども甲１発明及び甲１～７の記載事項に基づいて容易に想到し得たものではない。 したがって、その余の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明４について 本件発明４は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」（相違点３）と同じ発明特定事項を有しないが、かわりに「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」との発明特定事項を有するものである。これに対し、甲１発明は、この発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、甲１の図から見て取ることもできない。よって、本件発明４と甲１発明とは、甲１発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。 相違点について検討するに、上記発明特定事項は、本件発明４の「多層配線基板」の構成を具体的に特定するものであるから、この相違点は、実質的な相違点である。また、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、また、該構成が技術常識であるとも認められないから、相違点に係る該構成は、甲１発明及び甲１～７に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものでもない。 よって、本件発明４は、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明５について 本件発明５は、本件発明２又は４と同一の構成を有し、さらに限定を付したものであるから、本件発明５に係る発明も、甲１に記載された発明ではなく、また、甲１に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）本件発明７について 本件発明７は、「多層配線基板の製造方法」であって、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」又は本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」と同じ発明特定事項を有しないが、かわりに「前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されること」との発明特定事項を有する。この発明特定事項は、本件特許明細書【００２８】等によれば、「第２の貫通孔」の中心軸が「第１のビア」の「中心軸」に対して傾斜することを暗に特定するものと解される。これに対し、甲１発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されていない。さらに、甲１発明は、前記（１）ア（オ）のとおり、「Ｃｕ（Ｌ４）配線」（第２のビア）の中心軸が「Ｃｕ（Ｌ３）配線」（第１のビア）の中心軸に対して傾斜するものではないから、上記発明特定事項に相当する構成を示唆するものでもない。よって、本件発明７と甲１発明とは、甲１発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。 相違点について、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、また、該構成が技術常識であるとも認められないから、相違点に係る当該構成は、甲１発明及び甲１～甲７に記載された事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものでもない。 よって、本件発明７は、甲１に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （５）取消理由２についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由２は、理由がない。 ３ 取消理由３（甲２に基づく新規性、進歩性）について （１）本件発明２について ア 事案に鑑み、「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との発明特定事項について、以下、検討する。 イ 甲２発明の「ビア４６」及び「ビア４７」は、本件発明２の「第１のビア」及び「第２のビア」にそれぞれ相当し、「ビア４６，４７の底部Ｂ２」の下面は、本件発明２の「先端面」に相当し、「配線層２０Ｇ」及び「配線層２０Ｈ」の「上面」（「貫通孔ＶＨ６，ＶＨ７」の真上の範囲）は、本件発明２の「基端面」に相当する。 他方、甲２発明は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」に相当する構成は特定されておらず、「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」についての特定もない。また、甲２の図面からは、「ビア４６」の「底部Ｂ２」の下面の中心と、「配線層２０Ｇ」の「上面」の中心とを通る線に対して、「ビア４７」のそれぞれの面の中心を通る線が傾斜していることが、外形的に明らかでもない。 よって、甲２発明は、本件発明２の前記アの発明特定事項に相当する構成を有しておらず、少なくともこの点で本件発明２と甲２発明とは相違する。 ウ 前記イの相違点は実質的な相違点であるから、本件発明２は、甲２発明と同一ではない。 また、該相違点に係る構成、すなわち、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との構成は、前記２（１）イのとおり、甲１～７のいずれにも記載も示唆もされておらず、技術常識でもない。よって、本件発明２は、甲２発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 エ 以上のとおり、本件発明２は、甲２に記載された発明ではなく、また、甲２に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明４、５について 本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」との発明特定事項（前記２（２））について、甲２発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、甲２の図面から見て取ることもできない。よって、本件発明４と甲２発明とは、甲２発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。そして、前記２（２）のとおり、この相違点は、実質的な相違点であり、また、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、該構成が技術常識であるとも認められないから、本件発明４は、甲２に記載された発明ではなく、また、甲２に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明５は、前記２（３）のとおり、本件発明２又は４と同一の構成を備えているから、本件発明５も、甲２に記載された発明ではなく、また、甲２に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）取消理由３についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由３は、理由がない。 ４ 取消理由４（甲３に基づく新規性、進歩性）について （１）本件発明２について ア 事案に鑑み、「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との発明特定事項について、以下、検討する。 イ 甲３発明の「フィルドビア導体１２３」及び「フィルドビア導体１２６」は、本件発明２の「第１のビア」及び「第２のビア」にそれぞれ相当し、「円錐台部１２３Ｐ」及び「円錐台部１２６Ｐ」それぞれの下面は、本件発明２の「先端面」に相当し、「円盤部１２３Ｑ」の上面（「ビアホール１２２」の真上の範囲）、「円盤部１２６Ｑ」の上面（「ビアホール１２５」の真上の範囲）は、それぞれ本件発明２の「基端面」に相当する。 他方、甲３発明は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」に相当する構成は特定されておらず、「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」についての特定もない。また、甲３の図面からは、「フィルドビア導体１２３」の「円錐台部１２３Ｐ」の下面の中心と「円盤部１２３Ｑ」の上面の中心とを通る線に対して、「フィルドビア導体１２６」のそれぞれの面の中心を通る線が傾斜していることが、外形的に明らかでもない。 よって、甲３発明は、本件発明２の前記アの発明特定事項に相当する構成を有しておらず、少なくともこの点において、本件発明２と甲３発明とは相違する。 ウ 前記イの相違点は、実質的な相違点であるから、本件発明２は、甲３発明と同一ではない。 また、該相違点に係る構成、すなわち、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との構成は、前記２（１）イのとおり、甲１～７のいずれにも記載も示唆もされておらず、技術常識でもない。よって、本件発明２は、甲３発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 エ 以上のとおり、本件発明２は、甲３に記載された発明ではなく、また、甲３に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明４、５、７について 本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」との発明特定事項（前記２（２））について、甲３発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、甲３の図面から見て取ることもできない。よって、本件発明４と甲３発明とは、甲３発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。そして、前記２（２）のとおり、この相違点は、実質的な相違点であり、また、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、該構成が技術常識であるとも認められないから、本件発明４は、甲３に記載された発明ではなく、また、甲３に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明５は、前記２（３）のとおり、本件発明２又は４と同一の構成を備えているから、本件発明５も、甲３に記載された発明ではなく、また、甲３に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明７の「前記第１のビアの基端面に照射されるレーザー光が、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に反射して前記第２の貫通孔が非軸対称形状に形成されること」との発明特定事項（前記２（４））について、甲３発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、該構成を示唆するものでもない。そして、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、また、該構成が技術常識であるとも認められないから、本件発明７は、甲３に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）取消理由４についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由４は、理由がない。 ５ 取消理由５（甲４に基づく新規性、進歩性）について （１）本件発明２について ア 事案に鑑み、「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との発明特定事項について、以下、検討する。 イ 甲４発明の「第３フィルド導体３３」及び「フィルド導体５２」は、本件発明２の「第１のビア」及び「第２のビア」にそれぞれ相当し、「第３フィルド導体３３」及び「フィルド導体５２」それぞれの「第１面側端面」は、本件発明２の「先端面」に相当し、「第３フィルド導体３３」の「第２面側端面」（「第３孔３３ａ」の真上の範囲）及び「フィルド導体５２」の「第２面側端面」（「孔５２ａ」の真上の範囲）は、それぞれ本件発明２の「基端面」に相当する。 他方、甲４発明は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」に相当する構成は特定されておらず、「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」についての特定もない。また、甲４の図面からは、「第３フィルド導体３３」の「第１面側端面」の中心と「第２面側端面」のうち「第３孔３３ａ」の真上の範囲の中心とを通る線に対して、「フィルド導体５２」のそれぞれの面の中心を通る線が傾斜していることが、外形的に明らかでもない。 よって、甲４発明は、本件発明２の前記アの発明特定事項に相当する構成を有しておらず、少なくともこの点で本件発明２と甲４発明とは相違する。 ウ 前記イの相違点は、実質的な相違点であるから、本件発明２は、甲４発明と同一ではない。 また、該相違点に係る構成、すなわち、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との構成は、前記２（１）イのとおり、甲１～７のいずれにも記載も示唆もされておらず、技術常識でもない。よって、本件発明２は、甲４発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 エ 以上のとおり、本件発明２は、甲４に記載された発明ではなく、また、甲４に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明４、５について 本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」との発明特定事項（前記２（２））について、甲４発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、甲４の図面から見て取ることもできない。よって、本件発明４と甲４発明とは、甲４発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。そして、前記２（２）のとおり、この相違点は、実質的な相違点であり、また、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、該構成が技術常識であるとも認められないから、本件発明４は、甲４に記載された発明ではなく、また、甲４に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明５は、前記２（３）のとおり、本件発明２又は４と同一の構成を備えているから、本件発明５も、甲４に記載された発明ではなく、また、甲４に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）取消理由５についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由５は、理由がない。 ６ 取消理由通知書に記載した取消理由についてのまとめ 前記１～５のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由は、いずれも理由がないから、当該取消理由で本件特許を取り消すことはできない。 第７ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について 取消理由通知書に記載した取消理由１は、特許異議申立書に記載された申立理由６－２の一部に対応し、同取消理由２～５は、同申立理由１～４にそれぞれ対応する。 以下では、取消理由通知において採用しなかった申立理由５、申立理由６－１、申立理由６－２（残りの部分）及び申立理由６－３についての判断を示す。 １ 申立理由５（甲５に基づく新規性、進歩性）について （１）本件発明２について ア 事案に鑑み、「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との発明特定事項について、以下、検討する。 イ 甲５発明の「ビア導体１６０Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」は、本件発明２の「第１のビア」及び「第２のビア」にそれぞれ相当し、「ビア導体１６０Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」それぞれの「先端面」は、本件発明２の「先端面」に相当し、「ビア導体１６０Ｂ」及び「ビア導体６０Ｂ」それぞれの「基端面」は、本件発明２の「基端面」に相当する。 他方、甲５発明は、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」に相当する構成は特定されておらず、「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」についての特定もない。また、甲５の図面からは、「ビア導体１６０Ｂ」の「先端面」の中心と「基端面」の中心とを通る線に対して、「ビア導体６０Ｂ」のそれぞれの面の中心を通る線が傾斜していることが、外形的に明らかでもない。 よって、甲５発明は、本件発明２の前記アの発明特定事項に相当する構成を有しておらず、少なくともこの点で本件発明２と甲５発明とは相違する。 ウ 前記イの相違点は、実質的な相違点であるから、本件発明２は、甲５発明と同一ではない。 また、当該相違点に係る構成、すなわち、本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」との構成は、前記第６の２（１）イのとおり、甲１～７のいずれにも記載も示唆もされておらず、技術常識でもない。 よって、本件発明２は、甲５発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）本件発明４、５について 本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」との発明特定事項（前記第６の２（２））について、甲５発明は、上記発明特定事項に相当する構成は特定されておらず、また、甲５の図面から見て取ることもできない。よって、本件発明４と甲５発明とは、甲５発明が上記発明特定事項に相当する構成を有しない点で少なくとも相違する。そして、前記第６の２（２）のとおり、この相違点は、実質的な相違点であり、また、上記発明特定事項に相当する構成は、甲１～７のいずれにも記載も示唆もなく、該構成が技術常識であるとも認められないから、本件発明４は、甲５に記載された発明ではなく、また、甲５に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 本件発明５は、前記第６の２（３）のとおり、本件発明２又は４と同一の構成を備えているから、本件発明５も、甲５に記載された発明ではなく、また、甲５に記載された発明及び甲１～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）申立理由５についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由５は、理由がない。 ２ 申立理由６－１（サポート要件）について （１）本件発明が解決しようとする課題及び解決手段 本件特許の発明の詳細の説明の記載によれば、本件発明は、「スタックビアとその周りの絶縁層との間で熱変形による応力が大きくな」ることに起因する「多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化」を「抑制する」（【０００４】）ことを解決しようとする課題とすると解される。 上記課題に対し、発明の詳細な説明の【００４１】等の記載によれば、スタックビアの第２のビアの先端面が重ねられる第１のビアの基端面が湾曲し、第２のビアの先端面の中心が第１のビアの基端面の中心に対してずれたものにするとの手段により、スタックビアの複数のビアの熱変形量を一方向に加算され難くするとの作用効果を奏し、これによって上記課題が解決できることが理解できる。 上記手段に加えて、第１のビアと第２のビアの中心軸同士が互いに傾斜したものにするとの手段は、上記熱変形量をより一方向に加算され難くするとの作用効果を奏し（【００４１】）、また、第２のビアを第１のビアの中心軸から離れる側に拡径される形状非軸対称形状にする（【００１８】）との手段も、同様に該熱変形量をより一方向に加算され難くするとの作用効果をもたらすと推認されるから、これらの手段も上記課題の解決に資するものと理解できる。 そして、以上のことは、仕組みとして首肯できるものであり、上記作用効果の大小こそ生じ得るものの、上記ずれ、湾曲、傾斜及び拡径の程度、湾曲の形状（凸状か凹状か）、さらにはスタックビアの層数の如何によらず、上記手段は課題を解決し得ると認められる。 （２）検討 本件発明は、課題解決手段である、スタックビアの第２のビアの先端面が重ねられる第１のビアの基端面が湾曲し、第２のビアの先端面の中心が第１のビアの基端面の中心に対してずれたものとする構成又はこれに対応する構成を有する。さらに、本件発明はいずれも、前記第６の２（２）～（４）のとおり、第１のビアの中心軸に対して第２のビアの中心軸が傾斜している構成と第２のビアを第１のビアの中心軸から離れる側に拡径される形状非軸対称形状にする構成のいずれか、又はこれに対応する構成を有する。 よって、本件発明は、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえる。 （３）申立人の主張について 申立人は、（ア）「ずれ」及び「凹状又は凸状」の曲率等が、それぞれ極めて小さい場合、又は極めて大きい場合に課題を解決し得ない、（イ）「凹状」の場合に課題を解決し得ない、（ウ）「第１のビア」及び「第２のビア」の２層のみの関係を特定するだけであり、課題を解決し得ない旨主張する（前記第４の１（６）ア）。 しかしながら、前記（１）及び（２）に示したとおりである。なお、本件発明における「ずれ」や「湾曲」等が、スタックビアの本来の機能を果たさなくなるような極めて大きいものを含まないことは当然であり、また、本件発明５の「面積」は、課題解決に直接的に関係するものではない。 したがって、申立人の主張は採用できない。 （４）申立理由６－１についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由６－１は、理由がない。 ３ 申立理由６－２（明確性要件）について （１）申立人は、本件発明は、「前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」の「ずれ」の程度が不明確であり、従来の製造時に生じるズレとどのように異なるのか区別することができないとして、本件発明は明確でない旨主張する（前記第４の１（６）イ（ア））。 しかしながら、本件発明が、上記「ずれ」の程度に依らず課題が解決できることは、前記２（１）のとおりであり、仮に、従来の製造時にずれが生じるとしても、本件発明の「ずれ」が製造時のずれと区別可能かどうかは、本件発明の「ずれ」の明確性を左右しない。 同様のことは、本件発明の「湾曲」、「傾斜」、「拡径」、「面積」及び「反射」についてもいえる。 （２）申立人は、本件発明の「基端面」が鍔部を含む面なのか含まない面なのかが不明確であり、「基端面の中心」が断面の中心なのか面積の中心なのかも不明確である旨主張する（前記第４の１（６）イ（イ））。 しかしながら、本件発明の「基端面」は、「貫通孔の真上の範囲に配される基端面」と特定されており、申立人がいう上記鍔部を含まないことは明らかであり、その範囲が明確であることは、前記第６の１のとおりである。また、本件発明の「基端面の中心」について、技術常識を踏まえれば、基端面の面積の中心と解するのが妥当であるから、不明確とはいえない。 （３）申立人は、請求項４の「中心軸から離れる側に拡径される形状」の「離れる側」の意味が不明確である旨主張する（前記第４の１（６）イ（ウ））。 本件発明４は、「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」と特定され、該「拡径」は「第２のビア」の「径」が大きくなることであるから、上記事項における「中心軸から離れる側」とは、「第２のビア」の「径」の方向、すなわち多層配線基板における水平方向において、「第２のビア」の中心軸を基準として「第１のビア」の「中心軸」から離れる側（要するに「第１のビア」の「中心軸」とは反対側）を意味すると解釈される。そして、本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて」とは、「第２のビア」が、その中心軸を基準とした「径」が「第１のビア」の「中心軸から離れる側」の方が大きくなっている構成を特定したものと解され、これは、「第２のビア」が「非軸対称形状になっている」こととも、本件特許の図３等の記載とも整合する。 よって、本件発明４の「中心軸から離れる側に拡径される」との事項は、不明確であるとはいえない。 （４）申立人は、本件発明の「前記第１のビア」が何を指すのか不明確である旨主張するが（前記第４の１（６）イ（エ））、「第１と第２のビア」のうちの「第１」の「ビア」を指すことは明白である。 （５）以上のとおり、本件発明は、申立人の主張する点で不明確であるといえるものではないから、申立理由６－２は、理由がない。 ４ 申立理由６－３（実施可能要件）について （１）申立人は、本件発明の「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾由し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」との構成により、なぜ多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化を抑制することができるのか、当業者が実施できる程度に説明されていない旨主張する（前記第４の１（６）ウ（ア））。 しかしながら、前記２（１）のとおり、本件特許の発明の詳細な説明には、本件発明が、上記構成によってスタックビアの複数のビアの熱変形量を一方向に加算され難くするとの作用効果を奏することで、多層配線基板のスタックビアの近傍の劣化を抑制することができることが、当業者が理解できるように記載されており、上記構成の作り方も記載されている（【００２１】～【００４０】等）。 よって、本件特許の発明の詳細な説明は、本件発明の「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾由し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」との構成を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。 （２）申立人は、発明の詳細な説明には、１つの実施例及び評価もなく、「凹状又は凸状」の曲率、ずれの寸法、レーザーの反射角等の寸法が、当業者が実施できる程度に記載されておらず、従来の、製造時に生じるずれや、凹状又は凸状とどのように異なるのか、発明の詳細な説明に当業者が実施できる程度に記載されていない旨主張する。 しかしながら、前記２（１）のとおり、本件発明は、「湾曲」の曲率や「ずれ」の寸法等が特定のものでなければならないものではないし、また、仮に、製造時に生じるずれや、凹状又は凸状が存在するとしたとしても、本件発明の「湾曲」や「ずれ」が、製造時に生じるものと必ず異なる寸法等のものでなければならない理由もない。そして、前記（１）のとおり、本件特許の発明の詳細な説明は、本件発明の「第１のビアの基端面が凹状又は凸状に湾由し、前記第２のビアの先端面の中心が前記第１のビアの基端面の中心に対してずれている」との構成を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものである。これは、本件発明の「傾斜」、「拡径」、「面積」及び「反射」についてもいえる。 （３）申立人は、「第１のビアの基端面」の「湾曲」が「凹状」の場合について、発明の詳細な説明に当業者が実施できる程度に記載されていない旨主張する。 しかしながら、本件特許の発明の詳細な説明の【００２８】及び図７には、凸状に湾曲した基端面の中心から一側方にずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射すると、一側方側に反射され易くなる結果、ビアホールの中心軸が傾斜することがされており、これが基端面が凹状に湾曲している場合にも当てはまることは自明である。そのため、発明の詳細な説明の記載に接した当業者であれば、「第１のビアの基端面」の「湾曲」が「凹状」の場合も、「第２のビアの先端面の中心」を「第１のビアの基端面の中心に対してずれ」たものとし、「第２のビア」の「中心軸」を「第１のビア」の「中心軸」に対して「傾斜」したものにできることが理解できるから、上記主張は採用できない。 （４）以上のとおり、本件特許の発明の詳細な説明は、申立人の主張する点で本件発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないとはいえないから、申立理由６－３は、理由がない。 第８ 申立人の意見書による主張について １ 明確性要件違反について （１）申立人が意見書において新たに主張する明確性要件違反は、概略次のとおりである。 ア 訂正発明２等の「ビアホールの真上の範囲」は、どの範囲を指すのか不明確である。（意見書１６頁） イ 訂正発明２の「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」は、どの構成を指しているのか不明確である。（意見書１７～１８頁） ウ 訂正発明２等の「レーザー加工面」は、明細書に直接的に記載する箇所は見出せず不明確である。（意見書１８頁） エ 訂正発明５の「交互に反対側に傾斜」は、どの方向が反対方向なのかが不明確である。（意見書１８頁） オ 訂正発明７の「中心からずれた位置」は、「ずれた位置」の程度を特定していない結果、発明の課題を解決し得ないものを包含する。（意見書１８～１９頁） （２）前記（１）の主張について検討する。 本件発明の「ビアホールの真上の範囲」は、「多層配線基板」に開けられる「ビアホール」の開口端の「真上」の範囲、より詳しくは「多層配線基板」に対する垂線方向で確定される範囲を意味すると解され、これに反するような記載は本件特許明細書等にないから、本件発明の「ビアホールの真上の範囲」は、不明確ではない。 本件発明２の「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」について、「導体層同士」とは、隣接する２つの「導体層」（発明の詳細な説明における「導電層」）のことであると当然に解されるから、上記事項は、隣接する２つの「導体層」の間の「絶縁層」が「単一」の「層」として形成されたものであることを特定したものと明確に把握できる。 本件発明２の「レーザー加工面」は、「レーザー加工」（【００２２】）された「面」を意味するものと明確に解される。また、申立人は、レーザー加工を施した面であれば、物の発明として形状的な特徴、例えば傾斜の具体的な角度、加工面の状態などを表すことが可能で実際的であるとも主張するが、その根拠は示されておらず、技術常識ともいえないから、当該主張は採用できない。 本件発明５の「交互に反対側に傾斜」は、「ビア」の「中心軸」についての記載であることを踏まえれば、該「中心軸」が「多層配線基板」を真上から見た平面図上において交互に反対側の方向に傾斜していることを特定したものと解され、これは、【００４１】の「複数のビア２５の熱変形量を、一方向に加算され難くする」等の記載とも整合するから、不明確とはいえない。 本件発明７の「中心からずれた位置」についての主張は、訂正により生じた理由ではなく、適切な取消理由を構成することが一見して明らかでもなく、実質的に新たな理由を主張するものであるから、採用しない。 以上のとおりであるから、申立人の前記（１）の主張は採用できない。 ２ サポート要件違反について （１）申立人が意見書において新たに主張するサポート要件違反は、概略次のとおりである。 ア 発明の詳細な説明によれば、基端面が、ビアホールと関係しない凹状又は凸状湾曲部、又は凹状又は凸状湾曲部と延伸部分を含む面を意味すると解されるから、訂正発明２等の「ビアホールの真上の範囲」は、発明の詳細な説明に記載したものでない。（意見書１９頁） イ 訂正発明２の「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」は、特許時明細書等にそのような記載はない。（意見書１９～２０頁） ウ 訂正発明２等の「レーザー加工面」は、発明の詳細な説明に説明がない。（意見書２０頁） （２）前記（１）の主張について検討する。 本件発明の「ビアホールの真上の範囲」、「レーザー加工面」及び本件発明２の「導体層同士の間に配される単一層の絶縁層」との事項が、発明の詳細な説明に記載されたものであることは、第２の２（２）イのとおりである。 よって、申立人の前記（１）の主張は採用できない。 ３ 実施可能要件違反について （１）申立人が意見書において新たに主張する実施可能要件違反は、概略次のとおりである。 訂正発明２は、基端面が「ビアホールの真上」であると特定しているが、この場合、基端面の中心近傍では反射レーザー光は傾斜しないし、湾曲面の曲率が小さいとほとんど傾斜しないが、発明の詳細な説明には、湾曲面の曲率及び照射位置をずらす程度が記載されておらず、その結果、どの程度中心軸が傾斜し又は交互に傾斜し、非軸対称形状になるのか、当業者が実施できる程度に記載されていない。（意見書２０頁） （２）前記（１）の主張について検討する。 発明の詳細な説明の【００２８】及び図７には、湾曲した基端面の中心から一側方にずれた位置を焦点にしてレーザー光を照射すると、一側方側に反射され易くなる結果、ビアホールが非軸対称形状に形成され、その中心軸が傾斜する原理が記載されている。そして、申立人も認めるように、レーザー光の反射の傾斜は、レーザー光が照射される位置の基端面の曲率に依存することは明らかであるから、所望の傾斜の中心軸や非軸対称形状となるように、基端面の曲率を調整したりレーザー光を照射する基端面の位置を調整したりすればよいことは、発明の詳細な説明に接した当業者であれば理解でき、「基端面」が「ビアホールの真上の範囲に配される」ものであることによって上記調整に過度の試行錯誤を要するとはいえない。 よって、申立人の前記（１）の主張は採用できない。 ４ 新規性又は進歩性欠如について （１）申立人は、意見書２２～３６頁において、訂正発明２は、甲１～４の各々より新規性を有さず、訂正発明４、５は、甲１、３の各々より新規性を有さず、訂正発明２、４、５は、甲１～４の各々より進歩性を有しない旨主張し、その理由として概略次の点を主張する。 ア 訂正発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」構成は、甲１、６、７に記載されており、訂正発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」構成は、甲１～４に記載されている。 イ 訂正発明２、４の「ビアホール」が「レーザー加工面」であることは、物としての相違点を構成せず、また、レーザー加工面になっているビアホールは、従来周知である。 （２）前記（１）の主張について検討する。 本件発明２の「前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸に対して、前記第２のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸が、傾斜している」構成が、甲１、６、７に記載されているといえないことは、前記第６の２（１）で説示したとおりである。甲１、６、７には、そもそも「ビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸」について記載したものではなく、甲１、６、７に示された必ずしも鮮明とはいえない写真から前記構成が理解できるとするのは、本件発明を知得したためといわざるを得ず、採用できない。 本件発明４の「前記第２のビアは、前記第１のビアの形状に対し、前記第１のビアの先端面の中心と基端面の中心とを通る中心軸から離れる側に拡径されて、非軸対称形状になっている」構成が、甲１～７のいずれにも記載されているといえないことは、前記第６の２～５の各（２）及び前記第７の１（２）において説示したとおりである。申立人は、上記構成は明示されていなくても甲１のように普通に発生するものである旨主張するが、上記構成は甲１に示されておらず、また、上記構成が普通に発生することを示す証拠もない。 したがって、前記（１）イの本件発明２、４の「ビアホール」が「レーザー加工面」である点について検討するまでもなく、本件発明２、４及び５は、甲１～甲４に記載された発明に対して新規性及び進歩性を有するから、申立人の前記（１）の主張は採用できない。なお、本件発明５の甲３による新規性欠如、本件発明４の甲２、甲４による進歩性欠如の主張は、訂正により生じた理由ではなく、適切な取消理由を構成することが一見して明らかでもなく、実質的に新たな理由を主張するものであるから、採用しない。 第９ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、請求項２、４、５及び７に係る特許を取り消すことはできない。 また、請求項１、３及び６に係る特許は、前記第２のとおり、訂正により削除された。これにより、申立人による特許異議の申立てについて、請求項１、３及び６に係る申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。