2024-700645

特許第７４１１４３１号発明「静電チャック、基板固定装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４１１４３１号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４１１４３１号（以下、「本件特許」という。）の請求項１～８に係る特許についての出願は、令和２年１月３１日に出願され、令和５年１２月２７日にその特許権の設定登録がされ、令和６年１月１１日に特許掲載公報が発行され、その後、令和６年７月１０日に、請求項１～８に係る特許について、特許異議申立人 齊藤 恵美子（以下、「申立人」という。）により、甲第１～３号証を証拠方法として特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～８に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」～「本件発明８」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、特許請求の範囲の請求項１～８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】 ベースプレート上に搭載される静電チャックであって、 誘電体である基体と、 前記基体に内蔵された静電電極と、 前記基体に内蔵された複数の発熱体と、 前記基体に内蔵され、各々の前記発熱体に直列に接続された電流制御素子と、 前記基体に内蔵され、各々の前記電流制御素子を制御する制御回路と、を有する静電チャック。 【請求項２】 前記制御回路に制御されて前記電流制御素子が導通し、前記電流制御素子に接続された前記発熱体に電流が流れる請求項１に記載の静電チャック。 【請求項３】 前記基体には、独立に温度制御可能な複数の領域が画定され、 各々の前記領域には、前記発熱体が１つ配置されている請求項１又は２に記載の静電チャック。 【請求項４】 前記電流制御素子は、トランジスタである請求項１乃至３の何れか一項に記載の静電チャック。 【請求項５】 前記電流制御素子は、高耐熱トランジスタである請求項４に記載の静電チャック。 【請求項６】 外部と電気的に接続される前記制御回路は１つである請求項１乃至５の何れか一項に記載の静電チャック。 【請求項７】 前記基体は、前記発熱体と異なる層に、外部から電圧を印加することで発熱する他の発熱体を内蔵している請求項１乃至６の何れか一項に記載の静電チャック。 【請求項８】 ベースプレートと、 前記ベースプレートの一方の面に搭載された請求項１乃至７の何れか一項に記載の静電チャックと、を有し、 前記ベースプレートには貫通孔が形成され、 前記貫通孔に、前記発熱体と前記電流制御素子の直列回路の両端に接続される一対の電源線、及び前記制御回路に接続される信号線が配置されている基板固定装置。」 第３ 申立理由の概要 申立人は、主たる証拠として次の甲第１号証、従たる証拠として次の甲第２号証～甲第３号証を提出し、請求項１～８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１～８に係る特許を取り消すべきものである旨を主張する。 ＜証拠一覧＞ １ 主たる証拠 甲第１号証：国際公開第２０１９／１０８３６５号 ２ 従たる証拠 甲第２号証：特開２０１７－１６３１５７号公報 甲第３号証：特表２０１４－５２８１６８号公報 以下、上記「甲第１号証」～「甲第３号証」を、それぞれ「甲１」～「甲３」という。 第４ 甲号証の記載 １ 甲１の記載と甲１に記載された発明 （１）甲１の記載 甲１には、次の記載がある。（下線は当審で付した。以下同じ。） なお、当審対訳は、国際出願である甲１の翻訳文による国内移行の出願の公表公報（特表２０２１－５０４９６０号公報）を参考にした。 「[0004] Substrate processing systems may be used to perform etching and/or other treatment of substrates such as semiconductor wafers. A substrate may be arranged on a pedestal in a processing chamber of the substrate processing system. For example, during etching in a plasma etcher, a gas mixture including one or more precursors is introduced into the processing chamber and plasma is struck to etch the substrate.」 （「［０００４］基板処理システムは、半導体ウエハなどの基板のエッチングおよび／または他の処理を実施するために使用され得る。基板は、基板処理システムの処理チャンバ内の台座に配置することができる。例えば、プラズマエッチャでのエッチング中、１つまたは複数の前駆体を含むガス混合物が処理チャンバに導入され、プラズマが打たれて基板をエッチングする。」） 「[0005] The pedestal in the processing chamber may comprise an electrostatic chuck (ESC) to hold substrates in place during etching. The ESC can require heating apparatus and other circuitry mounted in the pedestal to control operation of the ESC. The circuitry may be provided in a printed circuit board assembly (PCBA). A PCBA can be relatively complex, with as many as 250 to 300 components on a single printed circuit board in the PCBA. Those components could include, for example, a field programmable gate array (FPGA), a central processing unit (CPU), and/or various kinds of measurement circuitry, such as a voltage divider circuit. A PCBA also may include multiple layers, each with circuitry mounted thereon. Some of the layers may be primarily grounding layers; others may be power layers; others still may be signaling layers, providing various types of signaling to control operation of the ESC.」 （「［０００５］処理チャンバ内の台座は、エッチング中に基板をあらかじめ定められた位置に保持するための静電チャック（ＥＳＣ）を備えることができる。ＥＳＣは、ＥＳＣの動作を制御するために、台座に搭載された加熱装置および他の回路を必要とし得る。回路は、プリント回路基板アセンブリ（ＰＣＢＡ）に設けられてもよい。ＰＣＢＡは比較的複雑であり、ＰＣＢＡ内の単一のプリント回路基板上には２５０から３００もの構成要素がある。これらの構成要素は、例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、中央処理装置（ＣＰＵ）、および／または分圧回路などの様々な種類の測定回路を含むことができる。ＰＣＢＡはまた、各々に回路が搭載される複数の層を含み得る。一部の層は主に接地層であってもよく、他の層は電源層であってもよく、さらに他の層は信号層であってもよく、ＥＳＣの動作を制御する様々なタイプの信号を提供する。」） 「[0011] According to one feature, a substrate processing system includes a substrate processing chamber, a pedestal arranged in the substrate processing chamber, and an electrostatic chuck (ESC) arranged on the pedestal. The ESC contains a PCBA made up of a plurality of printed circuit board layers to mount circuitry that controls operation of the ESC. One or more of the printed circuit board layers includes a heater layer having one or more metal traces, which may be copper, to cover some or all of a surface of the heater layer sufficiently to provide heat to one or more of the remaining printed circuit board layers, to maintain the circuitry within a predetermined temperature range. The heat may be conducted directly among the various other printed circuit board layers, or may be conducted through vias in various ones of the printed circuit board layers.」 （「［００１１］１つの特徴によれば、基板処理システムは、基板処理チャンバと、基板処理チャンバ内に配置された台座と、台座上に配置された静電チャック（ＥＳＣ）とを含む。ＥＳＣは、ＥＳＣの動作を制御する回路を搭載する複数のプリント回路基板層で構成されるＰＣＢＡを含む。プリント回路基板層の１つまたは複数は、１つまたは複数の金属トレースを有するヒータ層を含む。この金属トレースは、銅であってもよく、１つまたは複数の残りのプリント回路基板層に熱を供給して回路をあらかじめ定められた温度範囲内に維持するよう十分にヒータ層の表面の一部またはすべてをカバーする。熱は、様々な他のプリント回路基板層の間で直接伝導されてもよいし、またはプリント回路基板層の様々な層に形成されるビアを通して伝導されてもよい。」） 「[0013] In one feature, a single metal trace is provided on the layer, as a single heating element with a single controller. In another feature, multiple metal traces are provided on the layer, as multiple heating elements in parallel with a single controller). In another feature, one or more metal traces connect circuitry on that layer, as multiple heating elements with multiple controllers.」 （「［００１３］１つの特徴において、単一の金属トレースが、単一のコントローラを有する単一の加熱素子として、前記層に設けられる。別の特徴において、複数の金属トレースが、単一のコントローラと並列の複数の加熱素子として、前記層に設けられる）。別の特徴において、１つまたは複数の金属トレースが、複数のコントローラを有する複数の加熱素子として、その層上の回路を接続する。」） 「[0026] FIG. 1 shows a substrate processing chamber 100 which includes a pedestal 110, on which an electrostatic chuck (ESC) 115 may be mounted. A wafer or substrate 120 is positioned on the ESC 115. At the top of the chamber 100, a conduit 130 passes plasma to showerhead 135, which distributes the plasma in the chamber 100. In FIG. 1, conduit 130 and showerhead 135 are provided merely as examples of plasma distribution apparatus. The precise distribution structure does not matter.」 （「［００２６］図１は、台座１１０を含む基板処理チャンバ１００を示しており、台座１１０上に静電チャック（ＥＳＣ）１１５を搭載することができる。ウエハまたは基板１２０は、ＥＳＣ１１５上に位置決めされる。チャンバ１００の頂部において、導管１３０がプラズマをシャワーヘッド１３５に送り、シャワーヘッド１３５はプラズマをチャンバ１００内に分配する。図１では、導管１３０およびシャワーヘッド１３５は、プラズマ分配装置の単なる例として提供されている。正確な分配構造は、重要ではない。」） 「[0027] FIG. 2 shows a cutaway version of ESC 115, with halves 115A, 115B. Various structures, including a heater (whether a coil heater or a pixelated heater, for example) is contained within ESC 115. In one aspect, toward the bottom of ESC 115, a PCBA 200 may be provided. A few layers of PCBA 200 are shown for illustrative purposes. In one aspect, as will be discussed in more detail herein, PCBA 200 has a complicated structure, with multiple layers. Different layers may have different circuitry or other items disposed on one or both sides. Some of the layers may be connected to each other through vias in the layers.」 （「［００２７］図２は、ＥＳＣ１１５の切断図であり、各半分を１１５Ａ、１１５Ｂで示す。ヒータ（例えば、コイルヒータまたはピクセル化されたヒータ）を含む様々な構造が、ＥＳＣ１１５内に含まれている。一態様では、ＰＣＢＡ２００をＥＳＣ１１５の底部寄りに設けてもよい。例示のため、ＰＣＢＡ２００のいくつかの層が図示されている。一態様では、本明細書でより詳細に後述するように、ＰＣＢＡ２００は、複数の層を備えた複雑な構造を有する。これらの層は、層ごとに異なる回路または他のアイテムを、層の片側または両側に有することができる。一部の層は、層内に形成されるビアを通して互いに接続されてもよい。」） 「[0030] Looking more closely at configuration and/or function of the different layers, in one aspect, in FIG. 4, top and bottom layers 200A and 200P may constitute signal layers, including soldering pads, or footprints, to which various components are soldered. Layers 200B and 2000 may be ground layers. Layers 200C, 200D and layers 200M, 200N may be signal layers. Layers 200E and 200L may be further ground layers. Layers 200F and 200K may be heater layers. Layer 200G may be a further grounding layer. Layers 200H-200J may be power transmission layers.」 （「［００３０］異なる層の構成および／または機能をより詳しく見ると、一態様では、図４において、頂部層２００Ａおよび底部層２００Ｐが、様々な構成要素がはんだ付けされるはんだ付けパッド、またはフットプリントを含む信号層を構成し得る。層２００Ｂおよび２００Ｏは、接地層とすることができる。層２００Ｃ、２００Ｄおよび層２００Ｍ、２００Ｎは、信号層とすることができる。層２００Ｅおよび２００Ｌは、さらなる接地層とすることができる。層２００Ｆおよび２００Ｋは、ヒータ層とすることができる。層２００Ｇは、さらなる接地層とすることができる。層２００Ｈ～２００Ｊは、送電層とすることができる。」） 「[0035] Heater layer 200F includes metal trace layers, as will be discussed below with respect to FIG. 5. In one aspect, these metal trace layers are copper. In another aspect, heater layer 200F contains these metal trace layers, separately from, for example, ground layers 200B and 200O because ground layers 200B, 2000 have to provide a ground reference for signals on top and bottom layers 200A, 200P.」 （「［００３５］ヒータ層２００Ｆは、図５に関して以下で説明されるように、金属トレース層を含む。一態様では、これらの金属トレース層は、銅である。別の態様では、接地層２００Ｂ、２００Ｏが頂部層２００Ａおよび底部層２００Ｐ上の信号に接地基準を提供する必要があるため、ヒータ層２００Ｆは、これらの金属トレース層を、例えば、接地層２００Ｂおよび２００Ｏとは別に含む。」） 「[0038] FIG. 5 shows heater layer 200F with metal trace 300 (which may be copper). In FIG. 5, there are several arrows pointing at trace 300, but in one aspect, as shown in FIG. 5, there is a single trace 300. FIG. 5 shows trace 300 extending through various places on heater layer 200F where circuitry may be provided. In one aspect, trace 300 moves in, out, and among pins such as pins 320, on which a daughterboard (not shown) may be mounted, or to which integrated circuit devices (ICs) may be soldered. The trace 300 covers a large amount of territory on printed circuit board layer 200F, so that heat generated by applying a current through the trace 300, is distributed throughout the surface of heater layer 200F. This type of distribution would be one way to have heat distributed throughout others of the layers 200A-200P, with or without the vias 250 discussed earlier.」 （「［００３８］図５は、（銅であり得る）金属トレース３００を有するヒータ層２００Ｆを示す。図５では複数の矢印がトレース３００を指しているが、一態様では、図５に示すように、トレース３００は１つである。図５は、回路を設けることができるヒータ層２００Ｆ上の様々な場所を通って延びるトレース３００を示す。一態様では、トレース３００は、ピン（ピン３２０など）の内側、外側、および間を通っている。これらのピンには、ドータボード（図示せず）を搭載するか、または集積回路デバイス（ＩＣ）をはんだ付けすることができる。トレース３００はプリント回路基板層２００Ｆ上の大部分の領域をカバーするので、電流をトレース３００に流すことによって生成された熱は、ヒータ層２００Ｆの表面全体に分配される。この分配方式は、前述のビア２５０の有無にかかわらず、層２００Ａ～２００Ｐの他の層全体に熱を分配させる１つの方法である。」） 「[0039] While FIG. 5 shows a single metal (copper) trace 300, according to different aspects, there may be multiple such traces 300 provided, in different regions of heater layer 200F. The different traces 300 may be controlled separately, in ways that will be appreciated by ordinarily skilled artisans. Controlling different traces 300 at different times, or to different degrees, can accomplish more efficient temperature control within PCBA 200, by selectively heating different regions by different amounts, or at different times.」 （「［００３９］図５に示される金属（銅）トレース３００は１つであるが、異なる態様によれば、複数のそのようなトレース３００をヒータ層２００Ｆの異なる領域に設けてもよい。異なるトレース３００は、当業者によって認識される方法で、別々に制御されてもよい。異なるトレース３００を異なる時間に、または異なる程度に制御することにより、異なる領域が異なる量で、または異なる時間に選択的に加熱され、ＰＣＢＡ２００内のより効率的な温度制御を達成することができる。」） 「[0040] FIG. 6 shows heater layer 200K with metal trace 300 (which may be copper). In FIG. 6, there are several arrows pointing at trace 300, but in one aspect, as shown in FIG. 6, there is a single trace 300. FIG. 6 shows trace 300 extending through various places on heater layer 200K where circuitry may be provided. In one aspect, trace 300 moves in, out, and among pins such as pins 320, on which a daughterboard (not shown) may be mounted, or to which integrated circuit devices (ICs) may be soldered. The trace 300 covers a large amount of territory on printed circuit board layer 200K, so that heat generated by applying a current through the trace 300, is distributed throughout the surface of heater layer 200K. This type of distribution would be one way to have heat distributed throughout others of the layers 200A-200P, with or without the vias 250 discussed earlier.」 （「［００４０］図６は、（銅であり得る）金属トレース３００を有するヒータ層２００Ｋを示す。図６では複数の矢印がトレース３００を指しているが、一態様では、図６に示すように、トレース３００は１つである。図６は、回路を設けることができるヒータ層２００Ｋ上の様々な場所を通って延びるトレース３００を示す。一態様では、トレース３００は、ピン（ピン３２０など）の内側、外側、および間を通っている。これらのピンには、ドータボード（図示せず）を搭載するか、または集積回路デバイス（ＩＣ）をはんだ付けすることができる。トレース３００はプリント回路基板層２００Ｋ上の大部分の領域をカバーするので、電流をトレース３００に流すことによって生成された熱は、ヒータ層２００Ｋの表面全体に分配される。この分配方式は、前述のビア２５０の有無にかかわらず、層２００Ａ～２００Ｐの他の層全体に熱を分配させる１つの方法である。」） 「[0041] While FIG. 6 shows a single metal (copper) trace 300, according to different aspects, there may be multiple such traces 300 provided, in different regions of heater layer 200F. The different traces 300 may be controlled separately, in ways that will be appreciated by ordinarily skilled artisans. Controlling different traces 300 at different times, or to different degrees, can accomplish more efficient temperature control within PCBA 200, by selectively heating different regions by different amounts, or at different times. FIG. 5 and FIG. 6 show similar traces 300. In FIG. 6, there are additional traces 310.」 （「［００４１］図６に示される金属（銅）トレース３００は１つであるが、異なる態様によれば、複数のそのようなトレース３００をヒータ層２００Ｆの異なる領域に設けてもよい。異なるトレース３００は、当業者によって認識される方法で、別々に制御されてもよい。異なるトレース３００を異なる時間に、または異なる程度に制御することにより、異なる領域が異なる量で、または異なる時間に選択的に加熱され、ＰＣＢＡ２００内のより効率的な温度制御を達成することができる。図５および図６は、同様のトレース３００を示す。図６には、追加のトレース３１０が存在する。」） 「[0050] Sixth, as referred to earlier, by having multiple traces 300 in different parts of the one or more heater layers 200F, 200K, it will be possible to control heating of different regions of the PCBA 200 independently, yielding greater efficiency in operation. Relatedly, by having the traces 300 cover large portions of the surface of heater layer 200F, 200K, the heating effect, whether within a region or throughout the heater layer 200F, 200K will be more uniform. Particularly for relatively large PCBAs (for example, 10” in diameter), having discrete resistors instead of metal traces can result in heating in isolated zones of the PCBA rather than in contiguous regions.」 （「［００５０］第６に、前述のように、１つまたは複数のヒータ層２００Ｆ、２００Ｋの異なる部分に複数のトレース３００を有することによって、ＰＣＢＡ２００の異なる領域の加熱を独立して制御することが可能となり、動作効率が一層高くなる。関連して、トレース３００がヒータ層２００Ｆ、２００Ｋの表面の大部分をカバーすることによって、１つの領域内においてもヒータ層２００Ｆ、２００Ｋ全体においても、より均一な加熱効果が得られる。特に比較的大きなＰＣＢＡ（例えば、直径が１０インチ（254mm））の場合、金属トレースの代わりに個別の抵抗器を有することで、ＰＣＢＡの隣接する領域ではなく離れたゾーンを加熱することができる。」） 「[0054] In some implementations, a controller is part of a system, which may be part of the above-described examples. Such systems can comprise semiconductor processing equipment, including a processing tool or tools, chamber or chambers, a platform or platforms for processing, and/or specific processing components (a wafer pedestal, a gas flow system, etc.). These systems may be integrated with electronics for controlling their operation before, during, and after processing of a semiconductor wafer or substrate. The electronics may be referred to as the“controller,” which may control various components or subparts of the system or systems. The controller, depending on the processing requirements and/or the type of system, may be programmed to control any of the processes disclosed herein, including the delivery of processing gases, temperature settings (e.g., heating and/or cooling), pressure settings, vacuum settings, power settings, radio frequency (RF) generator settings, RF matching circuit settings, frequency settings, flow rate settings, fluid delivery settings, positional and operation settings, wafer transfers into and out of a tool and other transfer tools and/or load locks connected to or interfaced with a specific system.」 （「［００５４］いくつかの実施態様では、コントローラは、システムの一部であり、そのようなシステムは上述した例の一部であってもよい。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、１つまたは複数の処理用プラットフォーム、および／または特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システムなど）を含む半導体処理装置を備えることができる。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。そのような電子機器は「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示されているプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ツールに対するウエハの搬入と搬出、ならびに、特定のシステムに接続または連動する他の搬送ツールおよび／またはロードロックに対するウエハの搬入と搬出が含まれる。」） 「[0055] Broadly speaking, the controller may be defined as electronics having various integrated circuits, logic, memory, and/or software that receive instructions, issue instructions, control operation, enable cleaning operations, enable endpoint measurements, and the like. The integrated circuits may include chips in the form of firmware that store program instructions, digital signal processors (DSPs), chips defined as application specific integrated circuits (ASICs), and/or one or more microprocessors, or microcontrollers that execute program instructions (e.g., software). Program instructions may be instructions communicated to the controller in the form of various individual settings (or program files), defining operational parameters for carrying out a particular process on or for a semiconductor wafer or to a system. The operational parameters may, in some embodiments, be part of a recipe defined by process engineers to accomplish one or more processing steps during the fabrication of one or more layers, materials, metals, oxides, silicon, silicon dioxide, surfaces, circuits, and/or dies of a wafer.」 （「［００５５］広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、クリーニング動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されたチップ、および／または、１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実行するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。」） 「[0056] The controller, in some implementations, may be a part of or coupled to a computer that is integrated with the system, coupled to the system, otherwise networked to the system, or a combination thereof. For example, the controller may be in the“cloud” or all or a part of a fab host computer system, which can allow for remote access of the wafer processing. The computer may enable remote access to the system to monitor current progress of fabrication operations, examine a history of past fabrication operations, examine trends or performance metrics from a plurality of fabrication operations, to change parameters of current processing, to set processing steps to follow a current processing, or to start a new process. In some examples, a remote computer (e.g. a server) can provide process recipes to a system over a network, which may include a local network or the Internet. The remote computer may include a user interface that enables entry or programming of parameters and/or settings, which are then communicated to the system from the remote computer. In some examples, the controller receives instructions in the form of data, which specify parameters for each of the processing steps to be performed during one or more operations. It should be understood that the parameters may be specific to the type of process to be performed and the type of tool that the controller is configured to interface with or control. Thus as described above, the controller may be distributed, such as by comprising one or more discrete controllers that are networked together and working towards a common purpose, such as the processes and controls described herein. An example of a distributed controller for such purposes would be one or more integrated circuits on a chamber in communication with one or more integrated circuits located remotely (such as at the platform level or as part of a remote computer) that combine to control a process on the chamber.」 （「［００５６］コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合されるか、システムに結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムのすべてもしくは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作動作の現在の進捗状況を監視し、過去の製作動作の履歴を検討し、複数の製作動作から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供することができる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の動作中に実施される各処理ステップのためのパラメータを特定するものである。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラが連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され共通の目的（本明細書に記載のプロセスおよび制御など）に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを備えることによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路であって、（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）遠隔配置されておりチャンバにおけるプロセスを制御するよう組み合わせられる１つまたは複数の集積回路と通信するものが挙げられるであろう。」） FIG.1、FIG.2、FIG.4～FIG.6は、次のとおりのものである。 「 ［図：0001416515000001.jpg］ 」（FIG.1） 「 ［図：0001416515000002.jpg］ 」（FIG.2） 「 ［図：0001416515000003.jpg］ 」（FIG.4） 「 ［図：0001416515000004.jpg］ 」（FIG.5） 「 ［図：0001416515000005.jpg］ 」（FIG.6） （２）甲１に記載された発明 ア 上記（１）から、甲１には、次の技術的事項が記載されているといえる。 （ア）段落００１１、００２６によれば、静電チャック（ＥＳＣ）１１５は、台座１１０上に配置される。 （イ）段落００２６によれば、静電チャック（ＥＳＣ）１１５は、ウェハまたは基板１２０をその上に位置決めする。 （ウ）段落０００５、００１１、００２７、００３０、００３８、００４０によれば、静電チャック（ＥＳＣ）１１５は、静電チャック（ＥＳＣ）１１５の動作を制御する回路を搭載する複数のプリント回路基板層で構成されるプリント回路基板アセンブリ（ＰＣＢＡ）２００を含み、プリント回路基板層の１つまたは複数は、１つまたは複数の金属トレース３００を有するヒータ層２００Ｆ（２００Ｋ）を含む。 （エ）段落００３９、００４１によれば、複数の金属トレース３００がヒータ層２００Ｆ（２００Ｋ）の異なる領域に設けられる。 （オ）段落００１３、００３９、００４１によれば、複数の金属トレース３００が、単一のコントローラと並列の複数の加熱素子として、ヒータ層２００Ｆ（２００Ｋ）に設けられる。 （カ）段落００３８、００４０によれば、金属トレース３００に電流を流すことによって熱が生成される。 イ 上記アから、甲１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「台座１１０上に配置される静電チャック１１５であって、 ウェハまたは基板１２０をその上に位置決めし、 静電チャック１１５の動作を制御する回路を搭載する複数のプリント回路基板層で構成されるプリント回路基板アセンブリ２００を含み、プリント回路基板層は、複数の金属トレース３００を有するヒータ層２００Ｆを含み、 複数の金属トレース３００がヒータ層２００Ｆの異なる領域に設けられ、 複数の金属トレース３００が、単一のコントローラと並列の複数の加熱素子として、ヒータ層２００Ｆに設けられ、 金属トレース３００に電流を流すことによって熱が生成される、 静電チャック１１５。」 ２ 甲２に記載された技術的事項 甲２の段落０１８１、０１９６～０２００、図１９、図２１には、「温度調整用ベース部１２０１と、静電チャック部１２１１と、抵抗体Ｒ１～Ｒ９からなる９個のサブヒータ１０１２と、を備える静電チャック装置１００１であって、サブヒータ１０１２を制御する回路では、ＤＣ電源とサブヒータ１０１２との間と、サブヒータ１０１２とアースとの間との両方に配したスイッチング素子１４１１、１４３１、１４５１、１４１２、１４３２、１４５２に制御回路が接続され、スイッチングの状態に応じて１個の抵抗体のみをオンにする、静電チャック装置１００１。」が記載されている。 ３ 甲３に記載された技術的事項 甲３の段落００２０～００２３、図１～４には、「電気絶縁層１０３と、ＥＳＣ（静電クランプ）電極１０２と、ヒータ素子としてダイオード２５０を有し、電力供給ライン２０１の１本と電力戻りライン２０２の１本とに接続される複数の平面ヒータゾーン１０１と、ペアをなす電力供給ライン２０１及び電力戻りライン２０２を電力供給部に接続して、ペアをなす電力ラインに接続された平面ヒータゾーン１０１のみを通電する電気スイッチ構成と、を備える基板サポートアセンブリ。」が記載されている。 第５ 当審の判断 １ 特許法第２９条第２項について （１）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明を対比する。 （ア）本件発明１と甲１発明とは、「静電チャック」である点で共通する。 （イ）甲１発明の「台座１１０」は、本件発明１の「ベースプレート」に相当し、甲１発明の「静電チャック１１５」は「台座１１０上に配置される」ものであるから、本件発明１と甲１発明とは、「静電チャック」が「ベースプレート上に搭載される」点で一致する。 （ウ）甲１発明の「静電チャック１１５」は、「ウェハまたは基板１２０をその上に位置決め」するものであるから、「ウェハまたは基板１２０」の載置面を提供する基体として用いられていることは明らかである。したがって、甲１発明である「静電チャック１１５」自体が本件発明１の「基体」に相当し、本件発明１と甲１発明とは、「基体」を有する点で一致する。 （エ）甲１発明の「金属トレース３００」は、「加熱素子」であり、甲１発明の「ヒータ層２００Ｆ」は、「静電チャック１１５」に含まれる「プリント回路基板アセンブリ２００」を構成する「プリント回路基板層」であるから、甲１発明の「ヒータ層２００Ｆの異なる領域に設けられ」た「複数の金属トレース３００」は、本件発明１の「前記基体に内蔵された複数の発熱体」に相当する。したがって、本件発明１と甲１発明とは、「前記基体に内蔵された複数の発熱体」を有する点で一致する。 （オ）以上によれば、本件発明１と甲１発明とは、次の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「ベースプレート上に搭載される静電チャックであって、 基体と、 前記基体に内蔵された複数の発熱体と、を有する静電チャック。」 ＜相違点１＞ 「基体」について、本件発明１は、「誘電体である」のに対し、甲１発明は、「静電チャック１１５」について、本件発明１のような特定はなされていない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は、「前記基体に内蔵された静電電極」を有するのに対し、甲１発明は、「ウェハまたは基板１２０をその上に位置決め」する「静電チャック１１５」であるものの、本件発明１のような特定はなされていない点。 ＜相違点３＞ 本件発明１は、「前記基体に内蔵され、各々の前記発熱体に直列に接続された電流制御素子と、前記基体に内蔵され、各々の前記電流制御素子を制御する制御回路」を有するのに対し、甲１発明は、「金属トレース３００に電流を流すことによって熱が生成され」、また、「複数の金属トレース３００が、単一のコントローラと並列の複数の加熱素子として、ヒータ層２００Ｆに設けられ」るものの、甲１には、「各々の前記発熱体に直列に接続された電流制御素子」や「各々の前記電流制御素子を制御する制御回路」に相当するものが明記されておらず、さらには甲１発明の「静電チャック１１５」内に内蔵されることも明記されていない点。 イ 判断 事案に鑑み、相違点３について検討する。 上記第４の２、３のとおり、甲２、甲３には、少なくとも、相違点３に係る本件発明１の「前記基体に内蔵され、各々の前記発熱体に直列に接続された電流制御素子と、前記基体に内蔵され、各々の前記電流制御素子を制御する制御回路」の構成は記載されていない。 よって、甲１発明及び甲２、甲３に記載された技術的事項に基づき、相違点３に係る本件発明１の「前記基体に内蔵され、各々の前記発熱体に直列に接続された電流制御素子と、前記基体に内蔵され、各々の前記電流制御素子を制御する制御回路」の構成を導くことはできない。 したがって、相違点１、２について判断するまでもなく、本件発明１は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ウ 申立人の主張について （ア）申立人は、特許異議申立書の「３ 申立ての理由」の「（４）ウ（ア）」において、次のとおり主張する（３８頁６行～９行を参照。）。 「したがって、甲１発明のコントローラに甲２発明のスイッチング素子１４１１，１４１２及び制御回路の構成を適用して、「各々の発熱体に直列に接続された電流制御素子と、基体に内蔵され、各々の電流制御素子を制御する制御回路」とすることは、当業者にとって容易である。」 （イ）しかしながら、上記第４の２のとおり、甲２には、「スイッチング素子１４１１、１４３１、１４５１、１４１２、１４３２、１４５２」に「接続され」る「制御回路」が「静電チャック装置１００１」に内蔵されることは、記載されていない。 （ウ）よって、申立人の上記の主張を採用することはできない。 エ まとめ よって、本件発明１は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （２）本件発明２～８について 本件発明２～７は、それぞれ、本件発明１に対して、さらに発明特定事項を追加した発明であり、本件発明８は、請求項１～７のいずれか１項に記載の静電チャックを引用する発明である。 よって、上記（１）で示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２～８は、甲１発明及び甲２、甲３に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第６ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１～８に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件特許の請求項１～８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。