2023-701141

特許第７２７４８１６号発明「金スパッタリングターゲットとその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２７４８１６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 特許第７２７４８１６号の請求項１～３に係る特許を維持する。 特許第７２７４８１６号の請求項４、５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２７４８１６号の請求項１～５に係る特許（以下、それぞれ「本件特許１」などといい、まとめて「本件特許」という。）についての出願は、平成２９年１２月６日に出願され、令和５年５月９日にその特許権の設定登録がされ、同月１７日に特許掲載公報が発行された。 その後、本件特許１～５に対して、令和５年１０月２６日に特許異議申立人山崎浩一郎（当審注：「崎」は「たつさき」である。）（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、令和６年１月２４日付けで取消理由が通知され、同年３月２５日に特許権者により意見書及び訂正請求書の提出がされ、同年４月３０日に特許権者により訂正請求書に対する手続補正書の提出がされ、同年６月１４日に申立人により意見書の提出がされた。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和６年４月３０日付けの手続補正書により補正された、同年３月２５日付けの訂正請求書における訂正の請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、特許法第１２０条の５第４項の規定に従い、一群の請求項を構成する請求項〔１～５〕を訂正の単位として訂正することを求めるものであり、その内容（訂正事項）は、次のとおりである（訂正箇所に下線を付した。）。 (１) 訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１に 「金および不可避不純物からなると共に、金純度が９９．９９９％以上であり、スパッタ面を有するプレート状又は円筒状の金スパッタリングターゲットであって、」 と記載されているのを、 「金および不可避不純物からなると共に、金純度が９９．９９９％以上であり、スパッタ面を有するプレート状の金スパッタリングターゲットであって、」 に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 (２) 訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項１に 「平均結晶粒径が３０μｍ以上２００μｍ以下であり、」 と記載されているのを、 「平均結晶粒径が３０μｍ以上１００μｍ以下であり、」 に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 (３) 訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項１に 「また、前記ビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）との平均値である。 円筒状のスパッタリングターゲットにおける前記ビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）は、前記スパッタ面における円筒軸に平行な任意の第１の直線上におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）と、前記第１の直線から９０°回転させた第２の直線上におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）と、前記円筒軸に対して直交する断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）との平均値である。」 と記載されているのを、 「また、前記ビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）との平均値である。」 に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 (４) 訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項１に 「更に、前記平均結晶粒径の平均値（ＡＤｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）との平均値である。 円筒状のスパッタリングターゲットにおける前記平均結晶粒径の平均値（ＡＤｔａｖ）は、前記スパッタ面における円筒軸に平行な任意の第１の直線上における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）と、前記第１の直線から９０°回転させた第２の直線上における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）と、前記円筒軸に対して直交する断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）との平均値である。」 と記載されているのを、 「更に、前記平均結晶粒径の平均値（ＡＤｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）との平均値である。」 に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項２、３も同様に訂正する。）。 (５) 訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 (６) 訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項５を削除する。 ２ 訂正要件（訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について）の判断 (１) 訂正事項１、３、４について 訂正事項１、３、４は、択一的に記載された発明特定事項の一部を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件特許の願書に添付された明細書又は特許請求の範囲（以下、それぞれを「本件特許明細書」などといい、まとめて「本件特許明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (２) 訂正事項２について 訂正事項２は、本件特許明細書の【００２１】の記載に基づき、請求項１における金スパッタリングターゲットの平均結晶粒径の上限値を限定するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 (３) 訂正事項５、６について 訂正事項５、６は、訂正前の請求項４、５を削除するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～５〕について訂正することを認める。 第３ 本件特許請求の範囲の記載（本件発明） 前記第２のとおり、本件訂正請求は適法にされたものであるから、本件特許請求の範囲の記載は、次のとおりである。そして、請求項１～３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」という。）は、その記載事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 金および不可避不純物からなると共に、金純度が９９．９９９％以上であり、スパッタ面を有するプレート状の金スパッタリングターゲットであって、 ビッカース硬さの平均値が２０以上４０未満であり、 平均結晶粒径が３０μｍ以上１００μｍ以下であり、 スパッタされる表面に金の｛１１０｝面が優先配向しており、 前記表面をＸ線回折し、金の各結晶面の回折強度比から下記の式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求めたとき、金の｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きい、金スパッタリングターゲット。 【数１】 ［図：0001416467000001.jpg］ 式（１）において、Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＸ線回折における（ｈｋｌ）面の回折強度比、ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＪＣＰＤＳカードにおける（ｈｋｌ）面の回折強度比、Σ（Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＸ線回折における全結晶面の回折強度比の和、Σ（ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＪＣＰＤＳカードにおける全結晶面の回折強度比の和である。 また、前記ビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）との平均値である。 更に、前記平均結晶粒径の平均値（ＡＤｔａｖ）は、プレート状のスパッタリングターゲットにおいては、前記スパッタ面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）と、前記スパッタ面に対して直交する第１の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）と、前記スパッタ面と前記第１の断面に対して直角な第２の断面における平均結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）との平均値である。 【請求項２】 前記スパッタリングターゲット全体としての前記ビッカース硬さのばらつきが±２０％以内である、請求項１に記載の金スパッタリングターゲット。 【請求項３】 前記スパッタリングターゲット全体としての前記平均結晶粒径のばらつきが±２０％以内である、請求項１または請求項２に記載の金スパッタリングターゲット。 【請求項４】（削除） 【請求項５】（削除）」 第４ 特許異議の申立てについて １ 特許異議の申立ての理由の概要 特許異議申立書に記載された特許異議の申立ての理由は、概略、次のとおりである。 (１) 申立理由１（サポート要件違反） 設定登録時の請求項１～５に係る発明の課題は、発明の詳細な説明の記載によれば、高純度のＡｕ膜の膜厚分布の均一性を高めることを可能とした金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することである。 これに対して、発明の詳細な説明の実施例に記載された金スパッタリングターゲットは、上記課題を解決できると認識できるものの、発明の詳細な説明の記載や技術常識を考慮しても、設定登録時の請求項１に係る発明のうち、(i)「ビッカース硬さの平均値」が「２０以上２５．５未満」及び「３２．２超４０未満」の場合、(ii)「平均結晶粒径」が「３６．７μｍ超２００μｍ以下」の場合、及び、(iii)「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」が「１．５２超」の場合には、膜厚分布の均一性が高い高純度Ａｕ膜が得られることを当業者が認識できないから、設定登録時の請求項１に係る発明は、上記課題を解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものである。 また、金の優先配向が｛１１０｝であることは技術常識であるところ、発明の詳細な説明における比較例２、４、６の金スパッタリングターゲットの配向指数Ｎが１未満となることが不自然であるから、配向指数Ｎの上限値を特定しない設定登録時の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えるものである。 したがって、設定登録時の請求項１に係る発明、及び、当該請求項１の記載を引用する請求項２～５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものでなく、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 (２) 申立理由２（実施可能要件違反） 発明の詳細な説明には、鍛造工程の回数と、「ビッカース硬さの平均値」、「平均結晶粒子径」又は「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」との関係についての明示的な記載がないし、また、「ビッカース硬さの平均値」が２５．５未満、「平均結晶粒径」が３６．７μｍ超、あるいは、「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」が１．５２超の金スパッタリングターゲットの具体例がないため、設定登録時の請求項１に係る発明のうち、(i)「ビッカース硬さの平均値」が「２０以上２５．５未満」の金スパッタリングターゲット、(ii)「平均結晶粒径」が「３６．７μｍ超２００μｍ以下」の金スパッタリングターゲット、及び、(iii)「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」が「１．５２超」の金スパッタリングターゲットを作るためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤が必要である。 また、「ビッカース硬さ」、「平均結晶粒径」、「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」は連動して変動するものであるから、これらの全てを特定範囲とすることは、当業者であっても困難である。 したがって、発明の詳細な説明は、当業者が、設定登録時の請求項１～５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでなく、本件特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由の概要 当審が特許権者に通知した、令和６年１月２４日付けの取消理由は、概略、次のとおりである。 (１) 取消理由（サポート要件） 設定登録時の請求項１～５に係る発明の課題は、「高純度のＡｕ膜の膜厚分布の均一性を高めることを可能とした金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること」（【００１０】）であるところ、発明の詳細な説明には、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径が１５μｍ以上２００μｍ以下である場合に、スパッタ成膜されたＡｕ膜の膜厚分布の均一性が高まることや、２００μｍを超えると、スパッタリング時における粒子の飛翔性が低下し、膜厚分布の均一性が損なわれるおそれがあることについての機序が説明されていないし、また、実施例及び比較例の結果をみても、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径ＡＤｔａｖと、得られたＡｕ膜の膜厚分布の均一性や抵抗値の均一性に相関関係は見出せないから、設定登録時の請求項１に係る発明の「平均結晶粒径が３０μｍ以上２００μｍ以下であ」るとの特定事項のうち、実施例を超える範囲（３６．７μｍ超～２００μｍの範囲）については、上記課題を解決できるとは、当業者が認識することができない。 したがって、設定登録時の請求項１に係る発明は、当業者において、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に照らして、上記課題を解決できると認識できる範囲のものであるといえない。 また、設定登録時の請求項２～５に係る発についても事情は同じである。 以上のとおり、設定登録時の請求項１～５に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明といえないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ３ 本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載 本件特許明細書には、次の記載がある（下線は当審が付した。）。 (１) 「【背景技術】 【０００２】 金（Ａｕ）スパッタリングターゲットを用いて成膜されたＡｕ膜は、Ａｕ自体の優れた化学的安定性と電気特性のために様々な分野で用いられている。例えば、水晶振動子デバイスにおいては、水晶チップの両面に形成する励振電極等としてＡｕスパッタ膜が用いられている。水晶振動子デバイスでは、Ａｕ膜の膜厚により振動周波数を調整すること等から、スパッタリング時に均一な膜厚分布でＡｕ膜を成膜することが可能なＡｕスパッタリングターゲットが求められている。 ・・・ 【０００４】 Ａｕ膜の成膜に用いられるＡｕスパッタリングターゲットにおいても、プレート状ターゲットに限らず、円筒状ターゲットの使用が検討されている。しかしながら、従来のＡｕスパッタリングターゲットでは、プレート状ターゲットおよび円筒状ターゲットのいずれにおいても、水晶振動子デバイス等の電極として用いられるＡｕ膜に求められる膜厚分布の均一性を満足させることが難しい。特に、円筒状のＡｕスパッタリングターゲットは、円筒形状加工に由来してＡｕ膜の膜厚分布の均一性を高めることが難しい。 ・・・ 【０００６】 水晶振動子デバイスは、上述したように水晶チップ（ブランク）の両面にＡｕ膜を電極として形成することにより構成される。水晶チップは、外形をエッチングにより整えて角を丸くする、またはプレスで抜いた場合に機械的に角を丸くし、重心が中央にくるようにして周波数を安定化させている。水晶チップの表面が粗いと周波数特性に悪影響を与えるので、平滑性が高いことが望まれる。水晶チップに形成される電極にも、平滑性が高いこと、すなわち膜厚バラツキが小さいことが望まれる。電極は厚さを有する立体構造であるため、水晶チップが小型化されると膜厚バラツキが立体形状に与える影響がより大きくなる。従って、水晶振動子デバイス等の小型化に伴って、電極に適用されるＡｕ膜の膜厚バラツキをより小さくすることが求められている。 【０００７】 また、時計用として使用される周波数が３２ｋＨｚの水晶振動子では、Ａｕ膜の質量のバラツキが周波数特性に及ぼす影響が大きい。周波数が３２ｋＨｚの水晶振動子には、フォーク型や音叉型と呼ばれる形状が適用されている。音叉型水晶振動子は小型化に適するものの、Ａｕ膜の質量バラツキが周波数特性に影響を及ぼすことから、Ａｕ膜の膜厚バラツキに基づく質量バラツキを低減することが強く求められている。音叉型水晶振動子は周波数の調整が難しいことから、種々の工夫がなされてきた。例えば、Ａｕ膜の形成に関しては、蒸着法からスパッタリング法に移行している。Ａｕ膜をスパッタリング法で形成した後、レーザビームでＡｕ膜の一部を除去して質量を調整したり、Ａｕ膜をスパッタリング法で形成する際に、質量調整用の錘を形成すること等が行われている。 【０００８】 このような状況下において、Ａｕ膜の膜厚バラツキに基づく質量バラツキを低減することが可能になれば、周波数の調整に要する手間を大幅に削減することができる。特に、水晶振動子が小型化するほど、膜厚バラツキの影響が大きくなるため、質量がばらつきやすくなる。このような点からも、Ａｕスパッタ膜の膜厚バラツキを小さくすることが求められている。さらに、Ａｕ膜の使用用途によっては、より高純度のＡｕ膜が求められることがある。例えば、Ａｕの純度が９９．９９９％以上というようなＡｕ膜をスパッタリング法により形成する場合、Ａｕの純度が９９．９９９％以上のスパッタリングターゲットが用いられるが、そのような場合にＡｕ膜の膜厚バラツキが生じやすくなる。このような点から、より高純度のＡｕスパッタリングターゲットを用いた場合において、Ａｕスパッタ膜の膜厚バラツキを小さくすることが求められている。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【００１０】 本発明は、高純度のＡｕ膜の膜厚分布の均一性を高めることを可能にした金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。」 (２) 「【課題を解決するための手段】 【００１１】 本発明の金スパッタリングターゲットは、９９．９９９％以上の金純度を有する金スパッタリングターゲットであって、ビッカース硬さの平均値が２０以上４０未満であり、平均結晶粒径が１５μｍ以上２００μｍ以下であり、スパッタされる表面に金の｛１１０｝面が優先配向していることを特徴としている。」 (３) 「【発明を実施するための形態】 【００１４】 以下、本発明を実施するための形態について説明する。実施形態のスパッタリングターゲットは、金（Ａｕ）および不可避不純物からなる。スパッタリングターゲットにおけるＡｕの純度は、９９．９９９％以上に設定される。・・・ 【００１５】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットの形状は、特に限定されるものではなく、プレートおよび円筒のいずれであってもよい。プレート状スパッタリングターゲットの代表的な形状としては、例えば円板や矩形板のような多角形板等が挙げられる。・・・ 【００１６】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットは、２０以上４０未満のビッカース硬さを有することが好ましい。このようなビッカース硬さを有するＡｕ純度が９９．９９９％以上のＡｕスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜を行うことによって、膜厚分布の均一性に優れる高純度のＡｕ膜を成膜することができる。すなわち、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さが４０ＨＶ以上であるということは、Ａｕ純度が９９．９９９％以上のＡｕスパッタリングターゲット内に製造時に生じた歪が残存していることを意味する。このような場合、スパッタリング時にターゲットからの粒子の飛翔が不均一になり、膜厚分布の均一性が損なわれることになる。Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは３５ＨＶ以下がより好ましく、３０ＨＶ以下がさらに好ましい。一方、ビッカース硬さが２０ＨＶ未満のＡｕスパッタリングターゲットは、それ自体の製造が困難であることに加えて、結晶の粒成長の発生に伴う結晶配向が崩れ始めると思われ、これにより膜厚分布の均一性が損なわれる。Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは２３ＨＶ以上がより好ましく、２６ＨＶ以上がさらに好ましい。 【００１７】 Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは、以下のようにして測定するものとする。プレート状スパッタリングターゲットの場合、測定箇所はスパッタ面（スパッタされる面）の任意の直線上の１０ｍｍおきの３か所と、スパッタ面に対して直交する第１の断面の厚さ方向に３分割した領域から各１か所の計３か所（実施例では厚さ５ｍｍの試料に対して厚さ方向の直線上に１．５ｍｍおきに計３か所）と、スパッタ面と第１の断面に対して直角な第２の断面の厚さ方向に３分割した領域から各１か所の計３か所（実施例では厚さ５ｍｍの試料に対して厚さ方向の直線上に１．５ｍｍおきに計３か所）の計９か所とする。これら各測定箇所のビッカース硬さを、２００ｇｆの試験力（押し付け荷重）で測定する。スパッタ面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）、第１の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）、および第２の断面におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）を、それぞれ算出する。これらスパッタ面、第１の断面、および第２の断面の各平均値（ＨＶａｖ１、ＨＶａｖ２、ＨＶａｖ３）を平均し、その値をプレート状のＡｕスパッタリングターゲットの全体としてのビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）とする。 ・・・ 【００２１】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径は１５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。このような平均結晶粒径を有するＡｕスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜を行うことによって、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性をさらに高めることができる。すなわち、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径が１５μｍ未満であると、スパッタリング時にターゲットからの粒子の飛翔が不均一になり、膜厚分布の均一性が損なわれるおそれがある。Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径は２５μｍ以上がより好ましく、３０μｍ以上がさらに好ましく、３３μｍ以上がさらに好ましい。一方、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径が２００μｍを超えると、スパッタリング時における粒子の飛翔性が低下し、膜厚分布の均一性が損なわれるおそれがある。Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径は１５０μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましい。 ・・・ 【００２３】 このようにして、スパッタ面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）、第１の断面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）、および第２の断面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）を、それぞれ算出する。これらスパッタ面、第１の断面、および第２の断面の結晶粒径の各平均値（ＡＤａｖ１、ＡＤａｖ２、ＡＤａｖ３）をさらに平均し、その値をプレート状のＡｕスパッタリングターゲットの全体としての平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ）とする。 ・・・ 【００２７】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットにおいて、スパッタ面にはＡｕの｛１１０｝面が優先配向していることが好ましい。Ａｕは面心立方格子構造を有し、それを構成する結晶面のうち、｛１１０｝面は他の結晶面よりスパッタされやすい。そのような｛１１０｝面をスパッタ面に優先配向させることによって、スパッタリング時における粒子の飛翔方向が安定するため、膜厚分布の均一性をさらに向上させることができる。ここで、スパッタ面が｛１１０｝面に優先配向している状態とは、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面をＸ線回折し、Ａｕの各結晶面の回折強度比から下記のウィルソンの式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求め、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きい場合を示すものとする。Ａｕの｛１１０｝面の配向指数Ｎは１．３以上であることがより好ましい。 【００２８】 【数１】 ［図：0001416467000002.jpg］ 式（１）において、Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＸ線回折における（ｈｋｌ）面の回折強度比、ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ ｆｏｒ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）カードにおける（ｈｋｌ）面の回折強度比、Σ（Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＸ線回折における全結晶面の回折強度比の和、Σ（ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＪＣＰＤＳカードにおける全結晶面の回折強度比の和である。 【００２９】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットは、上述した２０以上４０未満のビッカース硬さと１５μｍ以上２００μｍ以下の平均結晶粒径とＡｕの｛１１０｝面が優先配向したスパッタ面の組み合わせに基づいて、Ａｕ純度が９９．９９９％以上の高純度のＡｕスパッタ膜の膜厚分布の均一性を格段に向上させることを可能にしたものである。すなわち、上述したビッカース硬さと平均結晶粒径とＡｕの優先配向面の個々の効果が相乗的に作用することによって、Ａｕ純度が９９．９９９％以上のＡｕスパッタリングターゲットからスパッタリング時にＡｕ粒子が飛翔する際の飛翔性およびその均一性、さらにＡｕ粒子の飛翔方向の安定性が向上する。これらによって、例えば小型化が進められている水晶振動子デバイスのような電子デバイスの電極等に高純度のＡｕスパッタ膜を適用する際に、膜厚バラツキおよびそれに基づく質量バラツキが小さく、膜厚分布および質量分布の均一性に優れる高純度のＡｕ膜を提供することが可能になる。」 (４) 「【００３０】 上述した実施形態のＡｕスパッタリングターゲットの製造方法は、特に限定されるものではない。実施形態のＡｕスパッタリングターゲットの製造方法は、例えば、９９．９９９％以上の金純度を有する金インゴットを用意する工程と、金インゴットを加工して所望の板状または円筒状の金ビレットを形成する第１の加工工程と、金ビレットを加圧下で板厚を減少させつつ加工して所望のプレート状または円筒状のターゲット素材を形成する第２の加工工程と、ターゲット素材を熱処理する熱処理工程とを具備することが好ましい。 【００３１】 実施形態のＡｕスパッタリングターゲットの製造方法について詳述する。例えば、プレート状のＡｕスパッタリングターゲットの場合には、Ａｕ原料の鋳造、切削、鍛造、および熱処理を組み合わせた製造方法により作製することができる。また、プレート状のＡｕスパッタリングターゲットの場合、Ａｕ原料の鍛造に代えて、圧延を適用してもよい。円筒状のＡｕスパッタリングターゲットの場合には、Ａｕ原料の鋳造、切削、パイプ加工、および熱処理を組み合わせた製造方法により作製することができる。パイプ加工としては、ラフロ法のような押出加工、引き抜き加工、鍛造加工等が挙げられる。これら各加工工程における加工率や熱処理温度を制御することによって、上述したビッカース硬さ、平均結晶粒径、優先結晶面等を得ることができる。 【００３２】 Ａｕ原料の鋳造工程は、真空雰囲気または不活性雰囲気中にて黒鉛るつぼまたはセラミックスるつぼ内で溶解するか、あるいは大気溶解炉を用いて溶湯表面に不活性ガスを吹き付けながら、または炭素系固体シール材で溶湯表面を覆いながら黒鉛るつぼまたはセラミックスるつぼ内で溶解し、黒鉛または鋳鉄製の鋳型内に鋳造することにより実施することが好ましい。Ａｕ原料の鋳造工程は、ＡｕインゴットのＡｕ純度が９９．９９９％以上（５Ｎ以上）となるように調整する。なお、ＡｕインゴットのＡｕ純度の上限値は、特に限定されるものではなく、Ａｕスパッタ膜に求められる純度に応じて設定されるものであるが、Ａｕインゴットの製造工程やＡｕスパッタリングターゲットの製造コスト等を考慮すると９９．９９９９％以下とすることが一般的である。 【００３３】 次いで、鋳造したＡｕインゴットを所望の板状または円筒状の金ビレットに加工する（第１の加工工程）。プレート状のＡｕスパッタリングターゲットを作製する場合には、例えば板状に成形したＡｕインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去することによって、板状の金ビレットを作製する。円筒状のＡｕスパッタリングターゲットを作製する場合には、円柱状に成形したＡｕインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去すると共に、内部をくり抜き加工することによって、円筒状の金ビレットを作製する。 【００３４】 次に、金ビレットを所望のプレート状または円筒状のターゲット素材に加工する（第２の加工工程）。プレート状のＡｕスパッタリングターゲットを作製する場合には、板状のＡｕインゴットを所望のプレート形状に鍛造する。Ａｕインゴットの鍛造工程は、２００～８００℃の範囲の熱間で実施することが好ましく、さらに加工率（断面減少率または厚さ減少率）が５０％以上９０％以下となるように実施することが好ましい。鍛造工程は複数回実施してもよく、その途中で熱処理を実施してもよい。鍛造工程を複数回実施する場合、加工率は全体としての加工率が５０％以上９０％以下となるように調整する。 【００３５】 鍛造加工の加工率を５０％以上とすることによって、鋳造組織を壊して均一な再結晶組織が得られやすくなると共に、その後の熱処理工程における硬さや結晶粒径の制御性や均一性を高めることができる。Ａｕ鍛造材に必要に応じて冷間で圧延処理を施してもよい。圧延処理の加工率は鍛造時の加工率にもよるが、５０％以上９０％以下であることが好ましい。さらに、Ａｕビレットの加工工程には、鍛造工程に代えて圧延工程を適用してもよい。Ａｕビレットの圧延工程は、鍛造工程と同様に、２００～８００℃の範囲の熱間で実施することが好ましく、また加工率（断面減少率または厚さ減少率）が５０～９０％の範囲となるように実施することが好ましい。 ・・・ 【００３９】 次に、鍛造工程や圧延工程で作製したプレート状のターゲット素材、およびパイプ加工で作製したパイプ状のターゲット素材を、例えば大気中または不活性ガス雰囲気中にて２００℃以上５００℃以下の温度で熱処理することによって、ターゲット素材の金属組織を再結晶させる。このような熱処理によって、２０以上４０未満のビッカース硬さを有するＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、１５μｍ以上２００μｍ以下の平均結晶粒径を有するＡｕスパッタリングターゲットや、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させたＡｕスパッタリングターゲットを得ることかできる。熱処理工程は、複数回実施してもよい。熱処理工程後には、必要に応じて切削加工等によりスパッタリングターゲットの形状を整える工程を実施してもよい。 【００４０】 熱処理温度が２００℃未満であると、加工時に生じた内部歪を十分に除去することができず、ビッカース硬さが４０以上になるおそれがある。また、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させることができないおそれがある。一方、熱処理温度が５００℃を超えると、再結晶組織が成長しすぎて、平均結晶粒径が２００μｍを超えたり、スパッタ面が｛１１０｝面以外の結晶面に優先配向するおそれがある。熱処理温度による保持時間（熱処理時間）は、例えば１０分以上１２０分以下とすることが好ましい。熱処理時間が短すぎると、歪の除去が不十分であったり、金属組織を十分に再結晶化させることができないおそれがある。一方、熱処理時間が長すぎると、ビッカース硬さが低下しすぎたり、平均結晶粒径が大きくなりすぎるおそれがある。 【００４１】 上述したように、Ａｕインゴットをプレート状や円筒状に加工する工程の加工率と再結晶化熱処理工程の温度を制御することによって、ビッカース硬さが２０以上４０未満で、かつビッカース硬さのばらつきが小さいＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。さらに、平均結晶粒径が１５μｍ以上２００μｍ以下で、平均結晶粒径のばらつきが小さいＡｕスパッタリングターゲット、またスパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させたＡｕスパッタリングターゲットを得ることができる。このようなＡｕスパッタリングターゲットを用いてＡｕ膜を成膜することによって、例えば水晶振動子デバイス等の電極に求められる膜厚分布の均一性を満足させた高純度のＡｕ膜を得ることができる。実施形態のＡｕスパッタリングターゲットは、水晶振動子デバイスの電極膜（Ａｕ膜）に限らず、各種電子部品に適用されるＡｕ膜の成膜に用いることができる。」 (５) 「【実施例】 【００４２】 次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。 【００４３】 （実施例１） まず、Ａｕ塊を黒鉛るつぼに挿入して溶解した。Ａｕ溶湯を黒鉛鋳型に鋳造してＡｕ板状のインゴットを作製した。Ａｕインゴットの表面を研削除去することによって、幅が１９０ｍｍ、長さが２７０ｍｍ、厚さが５０ｍｍのＡｕビレット（純度９９．９９９％）を作製した。次いで、Ａｕビレットを８００℃の温度で熱間鍛造し、幅が７０ｍｍ、長さが２００ｍｍ、厚さが４５ｍｍのＡｕターゲット素材とした。鍛造時の加工率は三軸方向共に８０％とした。鍛造後のＡｕターゲット素材を５００℃の温度で３０分間熱処理した。熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工して、直径が１５２．４ｍｍ、厚さが５ｍｍの円板状のＡｕスパッタリングターゲットを作製した。Ａｕスパッタリングターゲットは、各部の特性測定と膜厚特性の測定のために２個作製した。以下の実施例および比較例においても同様である。 【００４４】 得られたＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さを、前述したプレート状スパッタリングターゲットの測定方法にしたがって測定した（装置名：ｍｉｔｓｕｔｏｙｏ ＨＭ１２３）。前述した各測定箇所のビッカース硬さを、２００ｇｆの試験力（押し付け荷重）で測定した結果、スパッタ面のビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）は２５．６、第１の断面のビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ２）は３３．２、第２の断面のビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）は３３．１、これら各値の平均値（ターゲット全体としてのビッカース硬さ（ＨＶｔａｖ））は３０．６であった。ターゲット全体としてのビッカース硬さ（ＨＶｔａｖ）に対する各部のビッカース硬さ（ＨＶａｖ１、ＨＶａｖ２、ＨＶａｖ３）の比は、ＨＶａｖ１／ＨＶｔａｖが０．８４、ＨＶａｖ２／ＨＶｔａｖが１．０８、ＨＶａｖ３／ＨＶｔａｖが１．０８であった。 【００４５】 さらに、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径を、前述したプレート状スパッタリングターゲットの測定方法にしたがって測定した。その結果、ターゲット全体としての平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ）は３２．２μｍであった。また、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面をＸ線回折し、前述した方法にしたがって優先配向している結晶面を評価した。その結果、スパッタ面にはＡｕの｛１１０｝面が優先配向していることが確認された。前述した方法にしたがって｛１１０｝面の配向指数Ｎを求めたところ、｛１１０｝面の配向指数Ｎは１．５２であった。このようなＡｕスパッタリングターゲットを後述する成膜工程に供して特性を評価した。 【００４６】 （実施例２～７、比較例１～２） 実施例１と同様にして作製したＡｕビレットに対して、実施例１と同様に表１に示す加工率を適用した鍛造加工を施してＡｕターゲット素材を作製した。次いで、鍛造後のＡｕターゲット素材に表１に示す条件で熱処理を施した。この後、熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工することによって、実施例１と同一形状のＡｕスパッタリングターゲットを作製した。これらＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さ、平均結晶粒径、スパッタ面の優先配向面、および｛１１０｝面の配向指数Ｎを、実施例１と同様にして測定および評価した。それらの測定結果を表２に示す。このようなＡｕスパッタリングターゲットを後述する成膜工程に供して特性を評価した。なお、比較例１のＡｕスパッタリングターゲットでは、結晶粒界を明瞭に識別することができなかったため、平均結晶粒径を測定することはできなかった（表１中には「－」と表記）。 【００４７】 【表１】 ［図：0001416467000003.jpg］ 【００４８】 【表２】 ［図：0001416467000004.jpg］ 【００４９】 上述した実施例１～７および比較例１～２による各Ａｕスパッタリングターゲットを枚様式スパッタリング装置（装置名：ＡＮＥＬＶＡ ＳＰＦ５３０Ｈ）に取り付け、装置内を１×１０－３Ｐａ以下まで真空排気した後、Ａｒガス圧：０．４Ｐａ、投入電力：ＤＣ１００Ｗ、ターゲット－基板間距離：４０ｍｍ、スパッタ時間：５分の条件でスパッタを行い、６インチＳｉ基板（ウエハ）上にＡｕ膜を成膜した。得られたＡｕ膜の膜厚分布を以下のようにして評価した。Ａｕ膜を成膜した基板を蛍光Ｘ線膜厚計に取り付け、測定時間：６０秒、繰り返し測定回数：１０回、測定開始点：基板端部、測定点間隔：５ｍｍの条件で、Ａｕ膜の膜厚を測定した。膜厚の測定軸は４軸、すなわち基板の中心を通る縦および横の２軸と、それから４５度回転させた状態での基板の中心を通る縦および横の２軸とした。測定後、各測定点の１０点平均膜厚を算出し、４軸の同測定位置における測定値の標準偏差を算出し、全測定位置の標準偏差の平均値を算出した。この値を膜厚の標準偏差σとして表３に示す。次に、Ａｕ膜の抵抗値を四端子法により測定し、膜厚と同様に抵抗値の標準偏差σを求めた。その結果を表３にＡｕ膜の抵抗値の標準偏差σとして示す。 【００５０】 【表３】 ［図：0001416467000005.jpg］ 【００５１】 表２および表３から明らかなように、実施例１～７の各Ａｕスパッタリングターゲットにおいては、ビッカース硬さが２０以上４０未満の範囲であり、また各部のビッカース硬さのばらつきも小さいことが分かる。平均結晶粒径は１５～２００μｍの範囲であり、さらにスパッタ面には｛１１０｝面が優先配向しており、｛１１０｝面の配向指数Ｎは１より大きいことが分かる。このようなビッカース硬さ、平均結晶粒径、およびスパッタ面の優先配向面が組み合わされたＡｕスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜したＡｕ膜は、膜厚分布の均一性に優れ、また抵抗値の均一性も優れていることが分かる。 【００５２】 （実施例８～１２） 実施例１と同様にして作製したＡｕビレットに対して、実施例１と同様に表４に示す加工率を適用した鍛造加工を施してＡｕターゲット素材を作製した。次いで、鍛造後のＡｕターゲット素材に表４に示す条件で熱処理を施した。この後、熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工することによって、実施例１と同一形状のＡｕスパッタリングターゲットを作製した。 【００５３】 【表４】 ［図：0001416467000006.jpg］ 【００５４】 得られたＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さを、実施例１と同様にして測定した。さらに、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径を、前述したプレート状スパッタリングターゲットの測定方法にしたがって測定した。測定結果として、スパッタ面、第１の断面、および第２の断面のそれぞれの平均結晶粒径（ＡＤａｖ１、ＡＤａｖ２、ＡＤａｖ３）、これら各値の平均値（ターゲット全体としての平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ））、およびターゲット全体としての平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ）に対する各部の平均結晶粒径（ＡＤａｖ１、ＡＤａｖ２、ＡＤａｖ３）の比を、表５に示す。さらに、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面をＸ線回折し、前述した方法にしたがって優先配向している結晶面を評価した。前述した方法にしたがって｛１１０｝面の配向指数Ｎを求めた。それら結果を表５に示す。このようなＡｕスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして成膜工程を実施し、Ａｕ膜の膜厚の標準偏差σと抵抗値の標準偏差σを求めた。それらの結果を表６に示す。 【００５５】 【表５】 ［図：0001416467000007.jpg］ 【００５６】 【表６】 ［図：0001416467000008.jpg］ 【００５７】 （実施例１３～２１、比較例３～４） まず、Ａｕ塊を黒鉛るつぼに挿入して溶解した。Ａｕ溶湯を黒鉛鋳型に鋳造してＡｕインゴットを作製した。Ａｕインゴットの表面を研削除去することによって、幅が２００ｍｍ、長さが３００ｍｍ、厚さが４５ｍｍのＡｕビレット（純度９９．９９９％）を作製した。次いで、Ａｕビレットを８００℃の温度で熱間圧延し、幅が７０ｍｍ、長さが２００ｍｍ、厚さが４５ｍｍのＡｕターゲット素材とした。圧延時の加工率は厚さの減少率として８０％とした。圧延後のＡｕターゲット素材を表７に示す条件で熱処理した。熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工して、直径が１５２．４ｍｍ、厚さが５ｍｍの円板状のＡｕスパッタリングターゲットを作製した。 【００５８】 【表７】 ［図：0001416467000009.jpg］ 【００５９】 得られたＡｕスパッタリングターゲットについて、ターゲット全体としてのビッカース硬さの平均値（ＨＶｔａｖ）、およびターゲット全体としての平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ）を、実施例１と同様にして測定した。さらに、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面に優先配向している結晶面を実施例１と同様にして評価すると共に、｛１１０｝面の配向指数Ｎを実施例１と同様にして求めた。それら結果を表８に示す。このようなＡｕスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様にして成膜工程を実施し、Ａｕ膜の膜厚の標準偏差σと抵抗値の標準偏差σを求めた。それらの結果を表９に示す。 【００６０】 【表８】 ［図：0001416467000010.jpg］ 【００６１】 【表９】 ［図：0001416467000011.jpg］ 」 ４ 当審の判断 事案に鑑み、申立理由１及び取消理由についてはまとめて検討する。 (１) 申立理由１及び取消理由（サポート要件違反）について ア サポート要件の判断手法 特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に記載された要件（サポート要件）に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載を対比し、特許請求の範囲で特定された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきである。 以下、この観点に立って検討する。 イ 本件発明の課題について 前記３(１)に摘記した【０００２】～【００１０】の記載を「金スパッタリングターゲット」に対する課題に注目して改めて整理すると、本件発明の課題は、高純度のＡｕ膜の膜厚分布の均一性を高めることを可能にした金スパッタリングターゲットを提供することといえる。 ウ 発明の詳細な説明の記載について (ア) 実施例に係る具体例に目を向けると、発明の詳細な説明の【実施例】（前記３(５)参照）には、実施例１～２１のＡｕスパッタリングターゲットとして、Ａｕ純度が９９．９９９％であり、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが２５．５～３２．２の範囲であり、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３１．２～３６．７μｍの範囲であり、優先結晶面が｛１１０｝であり、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１．０３～１．５２の範囲である円板状のＡｕスパッタリングターゲットが記載されている。 そして、実施例１～２１のＡｕスパッタリングターゲットを用いてスパッタリング成膜した際のＡｕ膜の膜厚分布及び抵抗値の均一性は、比較例１～４のＡｕスパッタリングターゲットを用いた場合に比べて優れていることが確認されているから、実施例１～２１のＡｕスパッタリングターゲットは、当業者において、本件発明の課題を解決できると認識できる。 (イ) 次に、発明の詳細な説明の【発明を実施するための形態】の記載（前記３(３)参照）を見てみると、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは、２０以上４０未満が好ましいこと（【００１６】）、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径は、３０μｍ以上１００μｍ以下が好ましいこと（【００２１】）、及び、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面は、｛１１０｝面が優先配向していることが好ましいこと（【００２７】）が記載されているから、これらの記載された好ましい範囲内においても、前記(ア)で検討した具体例と同様に、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性を向上できると認識できるかについて検討する。 (ウ) まず、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面が、｛１１０｝面が優先配向している点について検討すると、発明の詳細な説明の【００２７】（前記３(３)参照）には、Ａｕは面心立方格子構造を有し、それを構成する結晶面のうち、｛１１０｝面は他の結晶面よりスパッタされやすいため、｛１１０｝面をスパッタ面に優先配向させることによって、スパッタリング時における粒子の飛翔方向が安定し、膜厚分布の均一性が向上することが記載されている。 また、本件特許の審査段階において、令和２年８月１９日に刊行物等提出書に添付して提出された「韓剛、村田英夫、“半導体ＬＳＩ用スパッタリングターゲット”、まてりあ、２０００年、第３９巻、第８号、第６２３～６２７頁」には、「単結晶のターゲットでスパッタする場合，ｆｃｃ結晶構造を有するターゲットでは［１１０］に，ｂｃｃ結晶構造を有するターゲットでは［１１１］方向に優先放出することが，古くからＷｅｈｎｅｒらにより報告され(20)(21)，また最近の実験(22)-(24)や計算機シミュレージョン(25)でも明らかとなっている．」（第６２７頁左欄第１～７行）と記載されていることから、ｆｃｃ結晶構造を有するターゲットが［１１０］方向に優先放出されることは、本件特許出願時の技術常識といえる。 以上を踏まえると、Ａｕスパッタリングターゲットにおいて、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させることで、スパッタリング時における［１１０］方向に優先放出される粒子の飛翔方向を安定化させることが理解できるから、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面が、｛１１０｝面が優先配向していることで、前記(ア)で検討した実施例と同様に、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性を向上できることを理解できる。 そして、発明の詳細な説明の【００２７】、【００２８】（前記３(３)参照）には、スパッタ面が｛１１０｝面に優先配向している状態が、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面をＸ線回折し、Ａｕの各結晶面の回折強度比から下記のウィルソンの式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求め、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きい場合を示し、式（１）が、 ［図：0001416467000012.jpg］ であり、式（１）において、Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＸ線回折における（ｈｋｌ）面の回折強度比、ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ）はＪＣＰＤＳカードにおける（ｈｋｌ）面の回折強度比、Σ（Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＸ線回折における全結晶面の回折強度比の和、Σ（ＪＣＰＤＳ・Ｉ／Ｉ（ｈｋｌ））はＪＣＰＤＳカードにおける全結晶面の回折強度比の和であることも記載されているから、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面において、Ａｕスパッタリングターゲットのスパッタ面をＸ線回折し、Ａｕの各結晶面の回折強度比から上述のウィルソンの式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求め、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きくすることで、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させることと同様に、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性を向上できることを理解できる。 (エ) 次に、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さが２０以上４０未満である点について検討すると、発明の詳細な説明の【００１６】（前記３(３)参照）には、ビッカース硬さが４０以上であると、Ａｕ純度が９９．９９９％以上のＡｕスパッタリングターゲット内に製造時に生じた歪が残存するため、スパッタリング時にターゲットからの粒子の飛翔が不均一になり、膜厚分布の均一性が損なわれることが記載され、さらに、【００１７】（前記３(３)参照）には、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは、スパッタ面（スパッタされる面）の任意の直線上のビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ１）、スパッタ面に対して直交する第１の断面の厚さ方向のビッカース硬さの各平均値（ＨＶａｖ２）、及び、スパッタ面と第１の断面に対して直角な第２の断面の厚さ方向におけるビッカース硬さの平均値（ＨＶａｖ３）をさらに平均した平均値（ＨＶｔａｖ）として求めることが記載されている。 そして、これらの記載によれば、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さは、上記平均値ＨＶｔａｖを示すものであり、この平均値ＨＶｔａｖが小さくなると、ターゲット内に残存する歪みが小さくなり、当該歪みに起因するターゲットからの粒子飛翔の不均一性が改善できることも理解できる。 加えて、前記(ア)に示した実施例及び比較例のＡｕスパッタリングターゲットのうち、前記(ウ)での検討を踏まえて、｛１１０｝面が優先配向しているターゲット（実施例１～２１及び比較例１）に注目して、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖと、得られたＡｕ膜の膜厚分布の均一性（標準偏差σ）との関係を見てみると、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖを小さくすることで、得られたＡｕ膜の膜厚分布の均一性（標準偏差σ）が向上するとの相関関係が見て取れる。 以上の事項を併せ考えれば、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが２０以上４０未満の範囲内であれば、前記(ア)で検討した具体例と同程度に、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性を向上できることを理解できる。 (オ) 最後に、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径が３０μｍ以上１００μｍ以下である点について検討すると、発明の詳細な説明の【００２３】（前記３(３)参照）には、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径は、スパッタ面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ１）、第１の断面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ２）、及び、第２の断面における結晶粒径の平均値（ＡＤａｖ３）をさらに平均した平均結晶粒径（ＡＤｔａｖ）として求めることが記載されているから、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径は、平均結晶粒径ＡＤｔａｖを示すものである。 また、金属材料において、一般的に、ビッカース硬さと平均結晶粒径との間には相関関係があり、平均結晶粒径が小さいほどビッカース硬さが高くなり、平均結晶粒径が大きいほどビッカース硬さが低くなる傾向があることは、本件特許出願時の技術常識であるといえ、Ａｕスパッタリングターゲットについても、同様な傾向があるといえる。 そうしてみると、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３０μｍ付近まで小さくなると、それに対応して、ビッカース硬さは高くなり、一方、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが１００μｍ付近まで大きくなると、それに対応して、ビッカース硬さは小さくなるといえる。そして、前記(ア)に記載したとおり、実施例においては、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３１．２～３６．７μｍの範囲で、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが２５．５～３２．２の範囲となっていることから、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３６．７μｍを超えて１００μｍに至る範囲では、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖは２５．５よりも低い値であるといえ、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが低いということは、前記(エ)で述べたとおり、ターゲット内に残存する歪みが小さくなり、ターゲットからの粒子飛翔性がより均一になることになるから、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３６．７μｍを超えて１００μｍに至る範囲においても、Ａｕ膜の膜厚分布の均一性が向上するといえる。 なお、このことは、特許権者により令和６年３月２５日に意見書に添付して提出された乙第１号証（加藤哲也作成、実験成績証明書、２０２４年３月１５日）を参照するに、Ａｕスパッタリングターゲットの平均結晶粒径が３６．７μｍを超える４８．９μｍ、８８．３μｍ、１０３．３μｍにおいて、ビッカース硬さＨＶｔａｖが２５．５よりも低い２２．５、２２．１、２１．１（いずれも２０以上）であり、膜厚標準偏差σも小さく（膜厚分布の均一性が良好）となっており、上記判断と合致している。 (カ) そうすると、前記(ア)の具体例に加えて、前記(イ)～(オ)での検討を併せ考えれば、金純度が９９．９９９％以上であるプレート状の金スパッタリングターゲットにおいて、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが２０以上４０未満であり、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３０μｍ以上１００μｍ以下であり、スパッタされる表面に金の｛１１０｝面が優先配向しており、前記表面をＸ線回折し、金の各結晶面の回折強度比から上述の式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求めたとき、金の｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きいことにより、当業者において、本件発明の課題を解決できると認識できる。 エ 特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との対比、検討 本件特許請求の範囲の請求項１～３の記載は、前記第３に示したとおりであるところ、本件発明１の「金スパッタリングターゲット」は、前記ウ(カ)で検討した金スパッタリングターゲットであるから、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載及び技術常識に照らして、当業者において、前記イに示した本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明といえる。 また、本件発明１に係る請求項１の記載を引用する本件発明２、３についても事情は同じである。 したがって、前記アの判断手法を本件に当てはめると、本件特許請求の範囲の記載は、サポート要件を満足する。 オ 申立人の主張について (ア) 申立理由１における指摘事項について 申立理由１における申立人の指摘事項は、前記１(１)のとおりであるところ、当該指摘事項では、(i)設定登録時の請求項１に係る発明の「ビッカース硬さの平均値」、「平均結晶粒径」、「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」の各数値範囲が、実施例を超える範囲では、本件発明の課題を解決できることを当業者が認識できない旨、及び、(ii)比較例２、４、６の金スパッタリングターゲットの配向指数Ｎが１未満となることが不自然であるために、設定登録時の請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載されたものでない旨を主張している。 しかしながら、前記ウ及びエで検討したとおり、本件発明１の「ビッカース硬さの平均値」、「平均結晶粒径」、「金の｛１１０｝面の配向係数Ｎ」の各数値範囲は、当業者において、本件発明の課題を解決できることを認識できる範囲といえるし、また、比較例における記載不備は、サポート要件の判断に影響を与えるものでないから、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 (イ) 意見書における主張について 申立人は、令和６年６月１４日提出の意見書において、(i)特許権者の主張する作用機序は、特許権者が推測するメカニズムによるものであって、実施例や比較例から理解できないこと、(ii)実験成績証明書におけるＡｕスパッタリングターゲットは、本件特許明細書に具体的に記載されたものでなく、開示範囲を超えるものであること、及び、(iii)実験成績証明書から、膜厚の標準偏差がＡｕスパッタリングターゲットの結晶粒径に依存していることは理解できるが、ビッカース硬さや配向指数が膜厚均一性に相乗的に作用していることまでは読み取れないことを主張している。 まず、上記(i)の主張について検討すると、前記ウで検討したとおり、特許権者の主張する作用機序は、技術常識等を考慮すれば、実施例や比較例から理解できるものである。 また、上記(ii)及び(iii)の主張について検討すると、実験成績証明書の結果に関わらず、本件発明１～３がサポート要件を満足することは、前記ウ及びエで検討したとおりである。 したがって、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 カ 申立理由１及び取消理由についてのまとめ 以上のとおりであるから、申立理由１及び取消理由に理由はない。 (２) 申立理由２（実施可能要件違反）について ア 実施可能要件の判断手法 物の発明について、特許法第３６条第４項第１号に記載された要件（実施可能要件）を充足するためには、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を製造し、使用することができる程度の記載があることを要する。 以下、この観点に立って検討する。 イ 発明の詳細な説明の記載 (ア) 発明の詳細な説明の【発明を実施するための形態】には、「Ａｕスパッタリングターゲット」を製造することに関して、次の事項が記載されている（前記３(４)参照）。 ａ Ａｕスパッタリングターゲットの製造方法は、９９．９９９％以上の金純度を有する金インゴットを用意する工程と、金インゴットを加工して所望の板状の金ビレットを形成する第１の加工工程と、金ビレットを加圧下で板厚を減少させつつ加工して所望の第２の加工工程と、ターゲット素材を熱処理する熱処理工程とを具備すること（【００３０】）。 ｂ 金インゴットを用意する工程では、ＡｕインゴットのＡｕ純度が９９．９９９％以上（５Ｎ以上）となるように調整すること（【００３２】）。 ｃ 板状の金ビレットを形成する第１の加工工程では、板状に成形したＡｕインゴットの外周面の表面欠陥を研削除去することによって、板状の金ビレットを作製すること（【００３３】）。 ｄ 板状の金ビレットを形成する第２の加工工程では、板状の金ビレットを所望のプレート形状に鍛造すること、２００～８００℃の範囲の熱間で実施すること、加工率（断面減少率または厚さ減少率）が５０％以上９０％以下となるように実施すること、鍛造工程は複数回実施してもよいこと、加工率を５０％以上とすることによって、鋳造組織を壊して均一な再結晶組織が得られやすくなると共に、その後の熱処理工程における硬さや結晶粒径の制御性や均一性を高めることができること、及び、鍛造工程に代えて圧延工程を適用してもよいこと（【００３４】、【００３５】）。 ｅ ターゲット素材を熱処理する熱処理工程では、大気中又は不活性ガス雰囲気中にて２００℃以上５００℃以下の温度、１０分以上１２０分以下の保持時間（熱処理時間）で熱処理することによって、ターゲット素材の金属組織を再結晶させ、ビッカース硬さを２０以上４０未満、平均結晶粒径を１５μｍ以上２００μｍ以下、及び、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させること、熱処理温度が２００℃未満であると、加工時に生じた内部歪を十分に除去することができず、ビッカース硬さが４０以上になるおそれがあり、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させることができないおそれがあること、熱処理温度が５００℃を超えると、再結晶組織が成長しすぎて、平均結晶粒径が２００μｍを超えたり、スパッタ面が｛１１０｝面以外の結晶面に優先配向するおそれがあること、熱処理時間が短すぎると、歪の除去が不十分であったり、金属組織を十分に再結晶化させることができないおそれがあること、及び、熱処理時間が長すぎると、ビッカース硬さが低下しすぎたり、平均結晶粒径が大きくなりすぎるおそれがあること（【００３９】、【００４０】）。 (イ) さらに、発明の詳細な説明の【実施例】には、前記(ア)の記載事項に則した、次の具体的な製造方法により、前記(１)ウ(ア)に示した「Ａｕスパッタリングターゲット」を得たことが記載されている。 ａ Ａｕ溶湯を黒鉛鋳型に鋳造してＡｕ板状のインゴットを作製し、Ａｕインゴットの表面を研削除去することでＡｕビレット（純度９９．９９９％）を作製し、次いで、Ａｕビレットを８００℃の温度、加工率８０％で熱間鍛造してＡｕターゲット素材とし、鍛造後のＡｕターゲット素材を３００～５００℃の温度で２０～１２０分間熱処理して、熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工して円板状のＡｕスパッタリングターゲットを作製したこと（実施例１～１２） ｂ Ａｕ溶湯を黒鉛鋳型に鋳造してＡｕインゴットを作製し、Ａｕインゴットの表面を研削除去することでＡｕビレット（純度９９．９９９％）を作製し、次いで、Ａｕビレットを８００℃の温度、加工率８０％で熱間圧延してＡｕターゲット素材とし、圧延後のＡｕターゲット素材を３００～５００℃の温度で２０～１２０分間熱処理して、熱処理後のＡｕターゲット素材を研削加工して円板状のＡｕスパッタリングターゲットを作製したこと（実施例１３～２１）。 ウ 実施可能要件の充足性の判断 (ア) 前記イ(イ)によれば、Ａｕ純度が９９．９９９％であり、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが２５．５～３２．２の範囲であり、平均結晶粒径ＡＤｔａｖが３１．２～３６．７μｍの範囲であり、スパッタ表面の優先結晶面が｛１１０｝であり、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１．０３～１．５２の範囲である、実施例１～２１の円板状のＡｕスパッタリングターゲットの具体的な製造方法が記載されている。 (イ) 次に、本件発明１のＡｕスパッタリングターゲットにおいて、ビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖ、平均結晶粒径ＡＤｔａｖ、｛１１０｝面の配向指数Ｎが、前記(ア)の具体例から外れる範囲のＡｕスパッタリングターゲットが製造できることについて検討する。 (ウ) まず、前記イ(ア)ｅによれば、発明の詳細な説明には、ターゲット素材を熱処理する熱処理工程では、大気中又は不活性ガス雰囲気中にて２００℃以上５００℃以下の温度、１０分以上１２０分以下の保持時間（熱処理時間）で熱処理することが記載され、さらに、熱処理温度が低すぎたり、熱処理時間が短すぎたりすると、加工時に生じた内部歪を十分に除去することができず、ビッカース硬さが高くなりすぎたり、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向させることができないおそれがあること、また、熱処理温度が高すぎると、再結晶組織が成長しすぎて、平均結晶粒径が大きくなりすぎることが記載されている。 また、前記イ(イ)に示した実施例１～２１において、熱処理工程の熱処理温度と得られたＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値との関係を見てみると、熱処理温度を高くすることでＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値ＨＶｔａｖが小さくなるとの相関関係が見て取れる。 さらに、Ａｕスパッタリングターゲットにおいて、平均結晶粒径が小さいほどビッカース硬さが高くなり、平均結晶粒径が大きいほどビッカース硬さが低くなることは、本件特許出願時の技術常識である。 そして、前記(１)ウ(ウ)で検討したとおり、Ａｕの各結晶面の回折強度比から上述のウィルソンの式（１）から各結晶面の配向指数Ｎを求め、｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きくすることは、単に、スパッタ面が｛１１０｝面に優先配向している状態を示しているにすぎない。 以上を踏まえると、ターゲット素材を熱処理する熱処理工程における熱処理温度及び熱処理時間を調整して、ビッカース硬さ、平均結晶粒径、及び、スパッタ面が｛１１０｝面に優先配向すること、すなわち、｛１１０｝面の配向指数Ｎを調整することは、当業者が通常行い得る事項にすぎない。 (エ) 次に、前記イ(ア)ｄによれば、発明の詳細な説明には、板状の金ビレットを形成する第２の加工工程では、板状の金ビレットを２００～８００℃の範囲の熱間で、加工率が５０％以上９０％以下で、所望のプレート状に鍛造又は圧延加工することが記載され、加工工程は複数回で実施してもよいこと、加工率を５０％以上とすることによって、鋳造組織を壊して均一な再結晶組織が得られやすくなると共に、その後の熱処理工程における硬さや結晶粒径の制御性や均一性を高めることができることが記載されている。 ここで、発明の詳細な説明には、加工工程の熱間温度、加工率、あるいは、加工回数と、得られたＡｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さ、平均結晶粒径、及び、スパッタ面の優先配向との関係は明示されていないが、当該加工工程後の熱処理工程により、加工時に生じた内部歪を除去して、ビッカース硬さを低く、結晶粒径を大きくすると共に、スパッタ面を｛１１０｝面に優先配向とすることを踏まえると、加工工程による過度の歪導入は回避すべきであるから、このような点を考慮して、加工工程時の熱間温度、加工率、加工回数を選択することも、当業者であれば当然に理解できるものである。 (オ) そうしてみると、前記(ア)の具体的に記載された製造方法における製造条件を参酌しつつ、前記(ウ)、(エ)での検討を踏まえれば、当業者において、過度の試行錯誤を要することなく、Ａｕスパッタリングターゲットのビッカース硬さの平均値を２０以上４０以下、平均結晶粒径を３０μｍ以上１００μｍ以下であり、スパッタ面が金の｛１１０｝面に優先配向しており、金の各結晶面の回折強度比から求めた各結晶面の配向指数Ｎにおいて、金の｛１１０｝面の配向指数Ｎが１より大きく、かつ全ての結晶面の配向指数Ｎのうち最も大きくなるように調整できることを理解できる。 (カ) したがって、前記アの判断手法を本件に当てはめると、発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を満足する。 エ 申立人の主張について 申立理由２における申立人の指摘事項は、前記１(２)のとおりであるところ、当該指摘事項では、(i)発明の詳細な説明には、鍛造工程の回数とビッカース硬さ等の特性との関係についての明示的な記載なく、ビッカース硬さの平均値が２５．５未満、平均結晶粒径が３６．７μｍ超、あるいは、金の｛１１０｝面の配向係数Ｎが１．５２超の金スパッタリングターゲットの具体例がないことを論拠に、設定登録時の請求項１に係る発明のうち、実施例を超える範囲は、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤が必要である旨、及び、(ii)ビッカース硬さ、平均結晶粒径、及び、金の｛１１０｝面の配向係数Ｎの数値は連動して変動するものであるから、これらの全てを特定範囲とすることは、当業者であっても困難である旨を主張している。 しかしながら、前記ウで検討したとおり、発明の詳細な説明の記載や技術常識を参酌すれば、当業者において、過度の試行錯誤を要することなく、本件発明１のＡｕスパッタリングターゲットを製造することができるから、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 オ 取消理由２についてのまとめ 以上のとおりであるから、取消理由２に理由はない。 第５ むすび 以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議の申立ての理由によっては、本件特許１～３を取り消すことはできない。また、他に本件特許１～３を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、請求項４、５は、前記第２のとおり、訂正により削除された。これにより、これらの請求項に係る本件特許４、５に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。