2023-701280

特許第７２８７９００号発明「熱伝導及び電気絶縁のための装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２８７９００号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１８～４０〕について訂正することを認める。 特許第７２８７９００号の請求項１８～３４、３７～３９に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許７２８７９００号の請求項１～４０に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、２０１８年（平成３０年）４月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理 ２０１７年４月１３日 米国）を国際出願日とする出願であって、令和５年５月２９日にその特許権の設定登録がされ、同年６月６日に特許掲載公報が発行され、その後、同年１２月５日に、特許異議申立人 小澤麻理（以下「申立人」という。）により本件特許のうちの請求項１８～３４、３７～３９に係る特許についての特許異議の申立てがされ、当審が令和６年２月１４日付けで取消理由を通知したところ、特許権者は、同年５月２０日に意見書を提出するとともに訂正の請求を行い、同年８月１日に訂正請求書を対象とする手続補正書（方式）を提出し、当審は、同年８月７日付けで申立人に期間を指定して特許法第１２０条の５第５項に基づく通知をしたところ、申立人は、指定期間内に意見書の提出をしなかったものである。 第２ 訂正の請求について １ 訂正の内容 特許権者が令和６年５月２０日に提出し、同年８月１日提出の手続補正書（方式）により補正された訂正請求書（以下「訂正請求書」という。）による訂正（以下「本件訂正」という。）の請求は、「特許第７２８７９００号の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１８～４０について訂正することを求める。」ことを訂正の趣旨とするものであり、本件訂正の内容は以下のとおりである。（訂正箇所を示すため、当審が下線を付した。） （１）訂正事項１ 特許請求の範囲の請求項１８に「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含む酸素ドープＡｌＮ層」と記載されているものを、「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含み、かつ、水素で更にドープされた酸素ドープＡｌＮ層」に訂正する。（請求項１８の記載を引用する請求項１９～２５、３３～４０も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項２６に「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含む窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」と記載されているものを、「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」に訂正する。（請求項２６の記載を引用する請求項２７～４０も同様に訂正する。） ２ 訂正の適否 （１）訂正事項１について ア 訂正の目的について 訂正事項１による訂正は、酸素ドープＡｌＮ層について、「水素で更にドープされた」ことを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の追加の有無について 本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）には、以下の記載がある。（下線は、強調のため当審が付した。） 「【００１４】（中略） 一実施形態では、第１の誘電体層が酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、アルミニウムオキシヒドロナイトライド（ＡｌＨＯＮ）、アルミニウムオキシカルボナイトライド（ＡｌＣＯＮ）、ＳｉＧｅＯＮ、ＧａＯＮ、ＳｉＯＮ、およびＧｅＯＮからなる群から選択される材料を含む。」 「【００３５】 いくつかの実施形態では、堆積された誘電体層が多くの他の化合物の中でも、水素、炭素などのドーピング元素の添加によってさらに強化され、とりわけ、アルミニウムオキシヒドロナイトライド（ＡｌＨＯＮ）またはアルミニウムオキシカルボナイトライド（ＡｌＣＯＮ）をもたらすことができる。」 「【００３７】 本明細書で使用されるように、酸窒化物、窒素ドープ酸化物、または酸素ドープ窒化物堆積誘電体層は、金属酸窒化物と呼ばれる。実施例および開示された実施形態は特定の金属酸窒化物、ＡｌＯＮを参照して記載されているが、他の金属酸窒化物組成物が使用されてもよい。これは、水素または炭素などの追加のドーパント、および追加の金属／半金属の使用を含むことができる。」 そうすると、訂正事項１による訂正は、本件明細書等の記載に基づくものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 したがって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張、変更の存否について 訂正事項１による訂正は、上記アのとおり、酸素ドープＡｌＮ層について、「水素で更にドープされた」ことを限定するものであって、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 したがって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項に適合する。 エ 独立特許要件について （ア）独立特許要件の課されない請求項及び課される請求項 上記第１で述べたように、本件特許異議の申立ては、本件特許のうち請求項１８～３４、３７～３９に係る特許に対してなされているので、訂正事項１により訂正される請求項１８～２５、３３～４０のうち、請求項１８～２５、３３、３４、３７～３９については、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定される独立特許要件は課されない。 一方、訂正事項１により訂正される上記請求項のうち、請求項３５、３６、４０に係る特許に対しては本件特許異議の申立ての対象となっていない。そして、訂正事項１による訂正は、上記アで述べたように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるところ、請求項３５、３６、４０は、請求項１８を直接又は間接的に引用するものであるから、請求項１８と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正がされたといえる。 したがって、請求項３５、３６、４０については、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定される独立特許要件が課される。 （イ）独立特許要件についての判断 下記第７の１（１）アで述べるように、本件訂正後の請求項１８に係る発明には新規性又は進歩性欠如との取消理由がないから、請求項１８に係る発明の特定事項を包含する本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る発明は、新規性又は進歩性欠如との理由により特許を受けることができないものではないことが明らかである。また、本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る特許については、その他の特許を受けることができない理由もない。 したがって、本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるといえる。 （ウ）小括 よって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に適合する。 （２）訂正事項２について ア 訂正の目的の適否について 訂正事項２による訂正は、窒素ドープＡｌ２Ｏ３層について、「水素で更にドープされた」ことを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 イ 新規事項の有無について 本件明細書等には、以下の記載がある。（下線は、強調のため当審が付した。） 「【００１４】（中略） 一実施形態では、第１の誘電体層が酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）、アルミニウムオキシヒドロナイトライド（ＡｌＨＯＮ）、アルミニウムオキシカルボナイトライド（ＡｌＣＯＮ）、ＳｉＧｅＯＮ、ＧａＯＮ、ＳｉＯＮ、およびＧｅＯＮからなる群から選択される材料を含む。」 「【００３５】 いくつかの実施形態では、堆積された誘電体層が多くの他の化合物の中でも、水素、炭素などのドーピング元素の添加によってさらに強化され、とりわけ、アルミニウムオキシヒドロナイトライド（ＡｌＨＯＮ）またはアルミニウムオキシカルボナイトライド（ＡｌＣＯＮ）をもたらすことができる。」 「【００３７】 本明細書で使用されるように、酸窒化物、窒素ドープ酸化物、または酸素ドープ窒化物堆積誘電体層は、金属酸窒化物と呼ばれる。実施例および開示された実施形態は特定の金属酸窒化物、ＡｌＯＮを参照して記載されているが、他の金属酸窒化物組成物が使用されてもよい。これは、水素または炭素などの追加のドーパント、および追加の金属／半金属の使用を含むことができる。」 そうすると、訂正事項２による訂正は、本件明細書等の記載に基づくものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。 したがって、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項に適合する。 ウ 特許請求の範囲の拡張、変更の存否について 訂正事項２による訂正は、上記アのとおり、窒素ドープＡｌ２Ｏ３層について、「水素で更にドープされた」ことを限定するものであって、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 したがって、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項に適合する。 エ 独立特許要件について （ア）独立特許要件の課されない請求項及び課される請求項 上記第１で述べたように、本件特許異議の申立ては、本件特許のうち請求項１８～３４、３７～３９に係る特許に対してなされているので、訂正事項２により訂正される請求項２６～４０のうち、請求項２６～３４、３７～３９については、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定される独立特許要件は課されない。 一方、訂正事項２により訂正される上記請求項のうち、請求項３５、３６、４０に係る特許に対しては本件特許異議の申立ての対象となっていない。そして、訂正事項２による訂正は、上記アで述べたように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるところ、請求項３５、３６、４０は、請求項２６を直接又は間接的に引用するものであるから、請求項２６と同様に特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正がされたといえる。 したがって、請求項３５、３６、４０については、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に規定される独立特許要件が課される。 （イ）独立特許要件についての判断 下記第７の１（２）ア及び同（３）アで述べるように、本件訂正後の請求項２６に係る発明には新規性又は進歩性欠如との取消理由がないから、請求項２６に係る発明の特定事項を包含する本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る発明は、新規性又は進歩性欠如との理由により特許を受けることができないものではないことが明らかである。また、本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る特許については、その他の特許を受けることができない理由もない。 したがって、本件訂正後の請求項３５、３６、４０に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるといえる。 （ウ）小括 よって、訂正事項２による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項に適合する。 ３ まとめ 以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、同法同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定、並びに、同法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものである。 したがって、本件特許の特許請求の範囲を、本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１８～４０〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 本件訂正の請求により訂正された請求項１８～４０の特許に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１８」～「本件発明４０」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１８～４０に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 「【請求項１８】 第１の面および第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含み、かつ、水素で更にドープされた酸素ドープＡｌＮ層と、を含む絶縁金属基板（ＩＭＳ）。 【請求項１９】 前記ＡｌＮ層は、前記基板のテクスチャード表面の上に配置される、請求項１８に記載のＩＭＳ。 【請求項２０】 前記ＡｌＮ層は、複数の凹部を含む、請求項１８または請求項１９に記載のＩＭＳ。 【請求項２１】 前記基板と前記ＡｌＮ層との間に金属層をさらに含む、請求項１８～請求項２０のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項２２】 前記ＡｌＮ層は、前記基板の端部および／または第２の面を覆う、請求項１８～請求項２１のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項２３】 前記基板の第２の面の上に第２のＡｌＮ層をさらに含む、請求項１８～請求項２２のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項２４】 前記ＡｌＮ層が、５０ｎｍ～５００μｍの範囲の厚さを有する、請求項１８～請求項２３のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項２５】 前記ＡｌＮ層は、１Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率および５０ｖ／μｍを超える電気スタンドオフ電圧を有する、請求項１８～請求項２４のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項２６】 第１の面および第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層と、を含む絶縁金属基板（ＩＭＳ）。 【請求項２７】 前記Ａｌ２Ｏ３層は、前記基板のテクスチャード表面の上に配置される、請求項２６に記載のＩＭＳ。 【請求項２８】 前記Ａｌ２Ｏ３層は、複数の凹部を含む、請求項２６または請求項２７に記載のＩＭＳ。 【請求項２９】 前記Ａｌ２Ｏ３層は、前記基板の端部および／または第２の面を覆う、請求項２６～請求項２８のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３０】 前記基板の第２の面の上に第２のＡｌ２Ｏ３層をさらに含む、請求項２６～請求項２９のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３１】 前記Ａｌ２Ｏ３層が、５０ｎｍ～５００μｍの範囲の厚さを有する、請求項２６～請求項３０のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３２】 前記Ａｌ２Ｏ３層は、１Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率および５０ｖ／μｍを超える電気スタンドオフ電圧を有する、請求項２６～請求項３１のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３３】 前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される材料を含む、請求項１８～請求項３２のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３４】 前記基板は、二次元形状または三次元形状である、請求項１８～請求項３３のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３５】 前記基板がフィン状構造を含む、請求項１８～請求項３４のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３６】 前記基板は、プレストレスされている、請求項１８～請求項３５のいずれか１項に記載のＩＭＳ。 【請求項３７】 請求項１～請求項３６のいずれか１項に記載のＩＭＳ上に更に金属層を備えるＩＭＳボード。 【請求項３８】 請求項３７に記載のＩＭＳボード上に配置された電子デバイスまたは音響デバイスを備える、ＩＭＳシステム。 【請求項３９】 前記電子デバイスが、発光ダイオード（ＬＥＤ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、およびトランジスタのうちの１つを備える、請求項３８に記載のＩＭＳシステム。 【請求項４０】 前記音響デバイスは、圧電トランスデューサを備える、請求項３８に記載のＩＭＳシステム。」 第４ 特許異議申立書に記載された申立理由について 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第６号証（以下、それぞれ「甲１」～「甲６」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１８～３４、３７～３９に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（新規性） 本件特許の請求項２６、３３、３４に係る発明は、甲５に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３に該当し、特許を受けることができない。（以下「申立理由１」という。） ２ 申立理由２（進歩性） 本件特許の請求項１８、２１～２６、２９～３４、３７～３９に係る発明は、甲１～甲６に記載された発明に基づいて、その発明の技術分野に属する通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。（以下、甲１、甲５及び甲６を主引例とする進歩性の申立理由を、それぞれ「申立理由２（１）」、「申立理由２（２）」及び「申立理由２（３）」という。） ３ 申立理由３（サポート要件） 本件特許の請求項２６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない。（以下「申立理由３」という。） ４ 申立理由４（明確性） 本件特許の請求項１９、２０、２７、２８に係る発明は、明確でないから、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない。（以下「申立理由４」という。） ５ 申立理由５（実施可能要件） 本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件特許の請求項１９、２０、２６～２８に係る発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない。（以下「申立理由５」という。） ［証拠方法］ 甲１：塩野晃宏、外７名、「反応性スパッタ法によるＡｌＮ薄膜の作製とＬＤ用サブマウントへの応用」、社団法人電子情報通信学会、信学技報 CPM2006-118（2016-11）、３１－３５頁、２００６年１１月 甲２：吉田能英、「表面分析－ＸＰＳ：Ｘ線光電子分光－」、日本画像学会、日本画像学会誌 第５０巻 第５号、４６３－４６９頁、２０１１年９月 甲３：特開２００６－３３９６１１号公報 甲４：特開２０１４－１７９４１５号公報 甲５：特開２００３－１１８０２８号公報 甲６：特開２００３－１００６３６号公報 第５ 取消理由通知に記載した取消理由について 訂正前の請求項１８～３４、３７～３９に係る特許に対して、当審が令和６年２月１４日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １ 取消理由１（新規性） 本件特許の請求項１８、２４、２５、３３、３４、３７、３８に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、上記請求項１８、２４、２５、３３、３４、３７、３８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（以下「取消理由１（１）」という。） 本件特許の請求項２６、２９～３４に係る発明は、甲５に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、上記請求項２６、２９～３４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。（以下「取消理由１（２）」という。） ２ 取消理由２（進歩性） 本件特許の請求項１９、２０に係る発明は、甲１に記載された発明に基づいて、同請求項２１～２５、３３、３４、３７～３９に係る発明は、甲１に記載された発明及び甲３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１９～２５、３３、３４、３７～３９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（以下「取消理由２（１）」という。） 本件特許の請求項２７～３４に係る発明は、甲５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項２７～３４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。（以下「取消理由２（２）」という。） ３ 取消理由３（サポート要件） 本件特許の請求項２６～３４、３７～３９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されていないから、本件特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号の規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。（以下「取消理由３」という。） 第６ 甲号証の記載と甲号証に記載された発明等 １ 甲１の記載と甲１発明 （１）甲１の記載 甲１には以下の記載がある。（下線は当審で付した。以下同様。） ア 「あらまし 熱伝導率に優れたＬＤ用サブマウント基板の材料として、ＡｌＮ／Ｃｕ構造を応用することを提案し、ＲＦ反応性スパッタ法による作製を試みた。その結果、抵抗率１０１０Ω・ｃｍ以上の値を有するＡｌＮ薄膜を窒素流量比２５％以上で形成できることが分かった。また、ＲＦ電力５００Ｗ（２．５Ｗ／ｃｍ２）で作製した試料が最も絶縁特性に優れることを見出した。しかしながら、膜中には多くの導通領域が存在し、絶縁特性を劣化させていることが分かった。この導通領域は、フォトリソグラフィで用いるアルカリ性の現像液（ＴＭＡＨ）による膜の溶解に起因することが分かり、絶縁特性の向上にはＡｌＮ薄膜が溶解しない現像液を用いることが重要であることが明らかとなった。」（３１頁「あらまし」の項） イ 「このような状況下において、ＬＤを搭載するためのサブマウントへの注目が集まっている。サブマウントとは光デバイス用パッケージ内部の小型回路基板であり、ＬＤを直接実装する基板として使用されている。サブマウント用基板には、ＬＤから発生する熱を逃すために放熱特性の優れた材料が用いられている。従って、ＬＤの発熱問題を解決する上でサブマウントの放熱特性が非常に重要となる[2][3]。 現在、主に使われているサブマウント基板材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。これは高熱伝導性や高絶縁耐圧、低誘電率などの電気的特性を兼ね備えた高性能な材料である。しかし、前述したようなＬＤの高出力化に伴い、更に高い熱伝導率を持つ材料が求められている。そこで、本研究では、熱伝導率がＡｌＮより高くかつ低コストである銅（Ｃｕ）基板上に、絶縁膜であるＡｌＮ薄膜をＲＦマグネトロンスパッタリング法で堆積させたＡｌＮ／Ｃｕ構造基板を提案した。このＡｌＮ／Ｃｕ構造サブマウント基板が実現されれば、これまでの約１．５倍の優れた放熱特性が期待でき、将来のＬＤの高出力化に対応できると考えられる。」（３１頁右欄下から３行目～３２頁左欄１５行） ウ 「なお作製条件として、放電ガスとしてＡｒ、反応ガスとしてＮ２を用い、全ガス流量を１０ｓｃｃｍ、反応圧力を０．５Ｐａ、基板設定温度を３００℃で一定として、窒素流量比：Ｎ２／（Ｎ２＋Ａｒ）を０～８０％、ＲＦ電力を２５０～９００Ｗ（１．４～４．９Ｗ／ｃｍ２）と変化させＡｌＮ薄膜を堆積した。なお、膜厚はスパッタ時間の制御によりすべての試料で０．５μｍとした。基板にはＣｕ及びＳｉ（００１）とガラスを用いた。また、ＡｌＮ薄膜堆積前にプレスパッタをＲＦ電力８５０Ｗ（４．７Ｗ／ｃｍ２）で１０分間行った。」（３２頁右欄１５～２２行） エ 「Ｓｉ基板上に作製した試料の組成分析をＸＰＳにより行った。図５に評価結果を示す。なお、膜中の組成を得るためにエッチングを３００秒行った。 ［図：0001420306000001.jpg］ 図５ 窒素流量比１０，３０％で作成した試料のＸＰＳスペクトル この結果よりＡｌ薄膜であると考えられる窒素流量比１０％の試料では、膜中にあまり窒素の混入が見られないが、窒素流量比３０％の試料では、膜中に多くの窒素が混入しており、ＡｌＮ薄膜が形成されていることがわかる。また、それぞれの試料において酸素が検出されたが、これは製膜中におけるスパッタ装置内の残留酸素が原因と考えられる。」（３３頁右欄４～１２行） オ 「Ｃｕ基板上に作製した試料の膜厚方向の抵抗値を測定するために、図７のような抵抗値測定パターンをフォトリソグラフィにより作製した。電極材料としてはスパッタ堆積したＴｉ／Ａｕ積層膜を用い、３インチ基板内に３６個の電極パターンを作製した。表Ｉに測定結果を示す。なお、表中の歩留まりとは、抵抗 率１０１０Ω・ｃｍ以上が得られた電極数の全体に占める割合と定義した。」（３３頁右欄２３～２９行） カ 「 ［図：0001420306000002.jpg］ 」（３４頁左欄） （２）甲１発明 ア 上記（１）エの図５のＸＰＳスペクトルは、Ｓｉ基板上に作製した試料（ＡｌＮ薄膜）についての組成分析の結果であり、同エに「それぞれの試料において酸素が検出されたが、これは製膜中におけるスパッタ装置内の残留酸素が原因と考えられる。」と記載されているから、その原因からみて、Ｃｕ基板上にＡｌＮ薄膜を作製した場合にも、組成分析により酸素が検出されるものといえる。 イ 上記（１）の記載及び上記アによれば、甲１には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。（括弧内は、根拠となる記載箇所を示す。） 「銅（Ｃｕ）基板上に、絶縁膜であるＡｌＮ薄膜を堆積させたＡｌＮ／Ｃｕ構造基板であって、（上記（１）イ） ＡｌＮ薄膜は、 膜厚が０．５μｍであり、（同ウ） ＸＰＳによる組成分析で酸素が検出される、（上記ア） ＡｌＮ／Ｃｕ構造基板。」 ２ 甲２の記載 甲２には以下の記載がある。 「ＸＰＳにおける検出限界については、平均的には0.1atomic％程度と言われている。が、相対感度係数の値が原子軌道によって異なり、一番大きいものと一番小さいもので２桁程度違っているので、0.001％以下でも検出できた元素もある。」（４６６頁左欄３１～３４行） ３ 甲５の記載と甲５発明 （１）甲５の記載 甲５には、以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は基材にコーティングする成膜装置およびコーティングされた基材（包装材、建築資材、機械、装置、記録媒体、玩具、スポーツ用品、医用材料、農業資材、生活雑貨）に関する。特にコーティングする薄膜に関する。」 「【００１４】 【課題を解決するための手段】本発明は、基材表面にＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層を形成（コーティング）することを特徴とする。ＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層の膜厚は、２５ｎｍ～５００ｎｍの範囲とする。」 「【００１６】なお、本明細書中において、基材とは、特に限定されず、プラスチック、ガラス、金属、セラミックス、紙、ゴム、木材等、いかなる組成の基材でもよい。また、基材の形状および基材の形状（注：原文のまま）も特に限定されず、平面を有するもの、曲面を有するもの、可曲性を有するもの、フィルム状のものであってもよい。また、包装材料や包装容器として用いるのであれば、フィルム状のプラスチック、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのプラスチックフィルムが好ましい。 【００１７】本明細書で開示する発明の構成は、フィルムの片面または両面にＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層が形成されていることを特徴とするフィルムである。 【００１８】上記フィルムにおいて、ＡｌＮＸＯＹで示される層は透光性が高く、フレキシブルでありＤＬＣに比べクラックが発生にくく、柔らかいフィルムに形成できる。例えば、ポリエチレンからなる食品包装用のごく薄い透明なフィルムにＡｌＮＸＯＹで示される層を形成して用いることができる。酸素や水分により劣化しやすい油脂を含む食品を包装物とする場合、酸素や水分のバリア性が向上するため、品質保証期間をのばすことができる。 【００１９】上記フィルムにおいて、ＡｌＮＸＯＹで示される層に含まれる窒素は、２．５atm％～４７．５atm％含み、酸素は、２．５atm％～４７．５atm％含むことを特徴としている。 【００２０】また、上記フィルムにおいて、クラックが生じてＡｌＮＸＯＹで示される層の一部が剥がれてしまうことを防ぐために、さらに有機物からなる薄膜を形成してもよい。また、ＡｌＮＸＯＹで示される層からなる単層を２層以上設けて、さらに該２層の間に有機物からなる薄膜（以下、応力緩和膜と呼ぶ）を設けてもよい。ＡｌＮＸＯＹで示される層と応力緩和膜の積層によって、よりフレキシブルになり、曲げられたときのクラックを防ぐことができる。」 「【００５２】（実施の形態２）図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、本発明の有機材料からなるフィルムの一例を簡略に示した図である。 【００５３】また、一方の面にＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層を有する有機フィルムも本発明の一つであり、図２（Ａ）では、ＡｌＮＸＯＹ膜２０２の単層が一方の面に設けられた有機フィルム２０１を示す図である。 【００５４】また、双方の面にＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層を有する有機フィルムも本発明の一つであり、図２（Ｂ）では、単層のＡｌＮＸＯＹ膜２０４ａ、２０４ｂが双方の面に設けられた有機フィルム２０３を示す図である。 【００５５】ここでの有機フィルムとは、具体的にはポリマーフィルムの単層または積層を指している。本発明に用いられる有機フィルムとしては、ポリビニルアルコール系フィルム、エチレンビニルアルコール系フィルム、セルロース系フィルム、ポリカーボネート系フィルムなどが挙げられる。 【００５６】有機フィルムの一方の面または双方の面にＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層を設けることによって、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の混入を効果的に防ぐ機能を備えたフィルムとすることができる。加えて、ＡｌＮＸＯＹで示される層、またはＡｌＸＮＹで示される層の単層またはこれらの積層は、発熱を拡散させる効果とともに、有機フィルムの変形や変質を保護する効果を有する。 【００５７】ここで、膜厚１００ｎｍにおけるＡｌＮＸＯＹ膜（Ｘ＜Ｙ）の透過率を図５に示す。ＡｌＮＸＯＹ膜は、図５に示したように、可視光領域で透過率８０％～９０％と透光性が非常に高い。 【００５８】本発明において、ＡｌＮＸＯＹ膜は、スパッタ法を用い、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜する。アルゴンガスで代表される希ガスを用いた場合、膜中に希ガスを含む。ＡｌＮＸＯＹ膜（Ｘ＜Ｙ）は、膜中に窒素を数atm％以上、好ましくは２．５atm％～４７．５atm％含む範囲であればよく、酸素を好ましくは２．５atm％～４７．５atm％含む範囲であればよく、スパッタ条件（基板温度、導入ガスおよびその流量、成膜圧力など）を適宜調節することによって窒素濃度や酸素濃度を調節することができる。なお、シリコン基板上に形成して得られたＡｌＮＸＯＹ膜のＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Analysis）での分析データに基づく組成を図６に示す。また、アルミニウム（Ａｌ）ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。」 「【００６９】図２（Ｃ）は、本発明のカバー材の一例を簡略に示した図である。ここでは、凹部を有しているカバー材２０５を示したが特に形状は限定されない。また、一方の面にＡｌＮＸＯＹ膜を形成した例を示したが、双方の面にＡｌＮＸＯＹ膜を形成してもよい。」 「【図２】 ［図：0001420306000003.jpg］ 」 「【図６】 ［図：0001420306000004.jpg］ 」 （２）甲５発明 ア 甲５に記載された「フィルム」という用語は、甲５において、上記（１）の【００５３】の「一方の面にＡｌＮＸＯＹで示される層・・・（中略）を有する有機フィルム」の記載のように、ＡｌＮＸＯＹ層を含めた「フィルム」を意味する場合と、同【００５５】の「有機フィルムとは、具体的にはポリマーフィルムの単層または積層を指している。」の記載のように「フィルム」自体を意味する場合とが混在しており、両者を区別するため、以降「フィルム」自体を意味する場合の「フィルム」を、同【００１６】の記載を勘案して、「フィルム状」の「基材」という。 イ 上記（１）の【図６】によれば、成膜されたＡｌＮＸＯＹ膜（Ｘ＜Ｙ）の組成は、Ａｌが約３７atomic％、Ｏが約６０atomic％、Ｎが約３atomic％であることが看取できる。 ウ 上記（１）の記載並びに上記ア及びイによれば、甲５には、次の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。（括弧内は、根拠となる記載箇所を示す。） 「フィルム状の基材の一方の面又は双方の面にＡｌＮＸＯＹ膜が設けられた有機フィルムであって、（上記（１）の【００５３】、【００５４】、【図２】（Ａ）（Ｂ）、上記ア） フィルム状の基材は、ポリマーフィルムであり、（上記（１）の【００５５】、上記ア） ＡｌＮＸＯＹ膜は、 膜厚１００ｎｍであり、（同【００５７】） 組成は、Ａｌが約３７atomic％、Ｏが約６０atomic％、Ｎが約３atomic％である（上記イ） 有機フィルム。」 ４ 甲６の記載と甲６発明 （１）甲６の記載 甲６には、以下の記載がある。 「【０１８０】以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ２０１、ｐチャネル型ＴＦＴ２０２、ｎチャネル型ＴＦＴ２０３を有する駆動回路２０６と、ｎチャネル型ＴＦＴからなる画素ＴＦＴ２０４、保持容量２０５とを有する画素部２０７を同一基板上に形成することができる。（図６）本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。」 「【０２０７】［実施例４］本実施例では、有機発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Device）を備えた発光表示装置を作製する例を図９に示す。」 「【０２１６】また、図１０にＯＬＥＤ８１０を形成した段階でのアクティブマトリクス基板の断面図の一例を示す。図１０中において図９と同一の箇所は同じ符号を用いた。」 「【０２２４】また、ＴＦＴの活性層とＯＬＥＤとの間に設ける絶縁膜８０７、８０８の他の材料としては、ＡｌＮＸＯＹで示される層を用いてもよい。スパッタ法を用い、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ターゲットを用い、アルゴンガスと窒素ガスと酸素ガスを混合した雰囲気下にて成膜して得られるアルミニウムを含む窒化酸化物層（ＡｌＮＸＯＹで示される層）は、窒素を２．５atm％～４７．５atm％含む膜であり、水分や酸素をブロッキングすることができる効果に加え、熱伝導性が高く放熱効果を有し、さらには透光性が非常に高いという特徴を有している。加えて、アルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物がＴＦＴの活性層に入り込むのを防ぐことができる。」 「【０２３２】また、画素電極を陰極とし、ＥＬ層と陽極を積層して図９とは逆方向に発光する構成としてもよい。図１１にその一例を示す。なお、上面図は同一であるので省略する。 【０２３３】図１１に示した断面構造について以下に説明する。基板１０００としては、ガラス基板や石英基板の他にも、半導体基板または金属基板も使用することができる。基板１０００上に絶縁膜１０１０が設けられ、絶縁膜１０１０の上方には画素部１００２、ゲート側駆動回路１００３が形成されており、画素部１００２は電流制御用ＴＦＴ１０１１とそのドレインに電気的に接続された画素電極１０１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路１００３はｎチャネル型ＴＦＴ１０１３とｐチャネル型ＴＦＴ１０１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。」 「【図９】（Ｂ） ［図：0001420306000005.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001420306000006.jpg］ 」 「【図１１】 ［図：0001420306000007.jpg］ 」 （２）甲６発明 ア 上記（１）の記載より、甲６にはアクティブマトリクス基板（【０１８０】）について記載されているところ、【図１１】に断面構造が記載されたアクティブマトリクス基板は、【図１０】のアクティブマトリクス基板と同様に、絶縁膜１０１０の上方に、【０２２４】に記載された「ＴＦＴの活性層とＯＬＥＤとの間に設ける絶縁膜８０７、８０８」と同様の絶縁膜が形成されているといえる。 イ 【図１１】を参照すると、基板１０００には、絶縁膜１０１０が設けられた上面と、上面の反対側の下面を有することが見て取れる。 ウ 以上によれば、甲６には、【図１１】のアクティブマトリクス基板について、次の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されているといえる。 「上面と下面を有し、金属基板を使用することができる基板１０００と、基板１０００の上面に設けられた絶縁膜１０１０と、絶縁膜１０１０の上方のＴＦＴの活性層とＯＬＥＤとの間に設けられ、窒素を２．５atm％～４７．５atm％含むＡｌＮＸＯＹで示される層を含む、アクティブマトリクス基板。」 第７ 取消理由及び特許異議申立理由についての当審の判断 １ 新規性、進歩性について （１）甲１を主引例とする取消理由１（１）、取消理由２（１）及び申立理由２（１）について ア 本件発明１８について （ア）対比 本件発明１８と上記第６の１（２）の甲１発明とを対比する。 ａ 甲１発明の「銅（Ｃｕ）基板」及び「ＡｌＮ薄膜」は、それぞれ本件発明１８の「基板」及び「ＡｌＮ層」に対応する。 そして、甲１発明の「銅（Ｃｕ）基板」は、「ＡｌＮ薄膜」を堆積する面と、その反対側の面とを有することが明らかであり、これら２つの面は、それぞれ本件発明１８の「基板」の「第１の面」及び「第２の面」に相当する。そうすると、甲１発明の「銅（Ｃｕ）基板」は、本件発明１８の「第１の面および第２の面を有する基板」に相当する。 ｂ 本件発明１８の「酸素ドープＡｌＮ層」について、本件明細書（【００３２】）には、「堆積誘電体層が低酸素濃度を含む場合、堆積誘電体層は、酸素ドープ窒化アルミニウムと呼ぶことができる。」と記載されている。そうすると、甲１発明の「絶縁膜であるＡｌＮ薄膜」は、「ＸＰＳによる組成分析で酸素が検出される」、すなわち「低酸素濃度を含む」誘電体薄膜（層）である点で、本件発明１８と同様の「酸素ドープＡｌＮ層」といえる。 ここで、上記ａによれば、甲１発明の「ＡｌＮ薄膜」は、銅（Ｃｕ）基板の第１の面上に堆積させたものである。 さらに、甲１発明の「ＡｌＮ薄膜」で「ＸＰＳによる組成分析で酸素が検出される」ことは、ＸＰＳにおける検出限界については、平均的には０．１原子％程度であるという技術常識（必要なら甲２（上記第１の２）を参照。）に照らせば、甲１発明の「ＸＰＳによる組成分析で酸素が検出される」「ＡｌＮ薄膜」は、０．１原子％程度の酸素を含むといえる。 そうすると、本件発明１８の「酸素ドープＡｌＮ層」と甲１発明の「ＡｌＮ薄膜」とは、「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含」む「酸素ドープＡｌＮ層」である点で共通する。 ｃ 甲１発明の「ＡｌＮ／Ｃｕ構造基板」は、「ＡｌＮ薄膜」が「絶縁膜」であるから、本件発明１８の「絶縁金属基板（ＩＭＳ）」に相当する。 ｄ 以上によれば、本件発明１８と甲１発明とは、以下の一致点及び相違点１を有する。 ［一致点］ 第１の面および第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含む酸素ドープＡｌＮ層と、を含む絶縁金属基板（ＩＭＳ）。 ［相違点１］ 本件発明１８では、酸素ドープＡｌＮ層は、水素で更にドープされているのに対し、甲１発明では、ＡｌＮ薄膜が水素で更にドープされていることが特定されていない点。 （イ）判断 ａ 本件発明１８と甲１発明とは、相違点１を有するから、本件発明１８は甲１発明ではない。 ｂ さらに、相違点１に係る本件発明１８の構成は、甲２～甲６のいずれにも記載されていないから、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到することができたものではない。 そして、本件発明１８は、相違点１に係る構成により、本件明細書等の【００７４】に記載された「ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化する」との作用効果を奏するものである。 したがって、本件発明１８は、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明１９～２５、３３、３４、３７～３９について 請求項１９～２５、３３、３４、３７～３９は、直接又は間接的に請求項１８を引用しているから、本件発明１９～２５、３３、３４、３７～３９は、本件発明１８と甲１発明との相違点１に係る構成を備えている。 したがって、本件発明１９～２５、３３、３４、３７～３９に係る発明は、上記ア（イ）で検討した理由と同様の理由により、甲１発明ではなく、甲１発明及び甲２～甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （２）甲５を主引例とする取消理由１（２）、取消理由２（２）、申立理由１及び申立理由２（２）について ア 請求項２６について （ア）対比 本件発明２６と上記第６の３（２）ウの甲５発明とを対比する。 ａ 甲５発明の「フィルム状の基材」及び「ＡｌＮＸＯＹ膜」は、それぞれ本件発明２６の「基板」及び「Ａｌ２Ｏ３層」に対応する。 そして、甲５発明の「フィルム状の基材」は、「ＡｌＮＸＯＹ膜」を設ける「一方の面」と、その反対側の他方の面とを有し、これら２つの面は、それぞれ本件発明の「基板」の「第１の面」及び「第２の面」に相当する。そうすると、甲５発明の「フィルム状の基材」は、本件発明２６の「第１の面および第２の面を有する基板」に相当する。 ｂ 本件発明２６の「窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」について、本件明細書（【００３２】）には、「堆積された誘電体層が高酸素濃度を含む場合、堆積された誘電体層は、窒素ドープＡｌ２Ｏ３と呼ばれる。」と記載されている。そうすると、甲５発明の「ＡｌＮＸＯＹ膜」は、「Ａｌが約３７atomic％、Ｏが約６０atomic％、Ｎが約３atomic％である」組成、すなわち「高酸素濃度を含む」誘電体薄膜（層）である点で、本件発明２６と同様の「窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」といえる。 ここで、上記ａによれば、甲５発明の「ＡｌＮＸＯＹ膜」は、フィルム状の基材の第１の面上に設けられたものである。 さらに、甲５発明の「ＡｌＮＸＯＹ膜」の組成で「Ｎが約３atomic％」であることは、本件発明２６の「０．０００１～１５ａｔ％の窒素」に相当する。 そうすると、本件発明２６の「窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」と甲５発明の「ＡｌＮＸＯＹ膜」とは、本件発明２６の「上記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含」む「窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」である点で共通する。 ｃ 本件発明２６の「絶縁金属基板（ＩＭＳ）」は、請求項２６を引用する請求項３３に「前記基板が、金属、金属合金、複合材料、およびポリマーからなる群から選択される材料を含む、請求項１８～請求項３２のいずれか１項に記載のＩＭＳ。」と記載され、本件明細書【００２９】にも「基板３は、・・・（中略）・・・ポリマーを含むこともできる。」と記載されているから、基板が「ポリマー」である場合も、本件発明２６の「絶縁金属基板」に含まれる。 そうすると、甲５発明の「有機フィルム」は、「フィルム状の基材は、ポリマーフィルム」であり、絶縁膜である「ＡｌＮＸＯＹ膜」が設けられているから、本件発明２６の「絶縁金属基板（ＩＭＳ）」に相当する。 ｄ 以上によれば、本件発明２６と甲５発明とは、以下の一致点及び相違点２を有する。 ［一致点］ 第１の面および第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の酸素を含む酸素ドープＡｌＮ層と、を含む絶縁金属基板（ＩＭＳ）。 ［相違点２］ 本件発明２６では、酸素ドープＡｌＮ層は、水素で更にドープされているのに対し、甲５発明では、ＡｌＮ薄膜が水素で更にドープされていることが特定されていない点。 （イ）判断 ａ 本件発明２６と甲５発明とは、相違点２を有するから、本件発明２６は甲５発明ではない。 ｂ さらに、相違点２に係る本件発明２６の構成は、甲１～甲４、甲６のいずれにも記載されていないから、甲５発明及び甲１～甲４、甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到することができたものではない。 そして、本件発明２６は、相違点２に係る構成により、本件明細書等の【００７４】に記載された「ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化する」との作用効果を奏するものである。 したがって、本件発明２６は、甲５発明及び甲１～甲４、甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明２７～３４、３７～３９について 請求項２７～３４、３７～３９は、直接又は間接的に請求項２６を引用しているから、本件発明２７～３４、３７～３９は、本件発明２６と甲５発明との相違点２に係る構成を備えている。 したがって、本件発明２７～３４、３７～３９に係る発明は、上記ア（イ）で検討した理由と同様の理由により、甲５発明ではなく、甲５発明及び甲１～甲４、甲６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 （３）甲６を主引例とする申立理由２（３）について ア 請求項２６について （ア）対比 本件発明２６と上記第６の４（２）ウの甲６発明とを対比する。 ａ 甲６発明の「上面及び下面を有」する「基板１０００」は、本件発明２６の「第１の面および第２の面を有する基板」に相当する。 ｂ 本件発明２６の「前記基板の第１の面上に設けられた０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」と甲６発明の「絶縁膜１０１０の上方のＴＦＴの活性層とＯＬＥＤとの間に設けられ、窒素を２．５atm％～４７．５atm％含むＡｌＮＸＯＹで示される層」とを対比すると、甲６発明のＡｌＮＸＯＹで示される層は、基板１０００の上面に設けられた絶縁膜１０１０の上方に設けられたものであることから、両者は、「前記基板の第１の面」の上方「に設けられた」Ａｌ、Ｎ及びＯからなる層である点で共通する。 ｃ 本件発明２６の「絶縁金属基板（ＩＭＳ）」と甲６発明の「アクティブマトリクス基板」とは、「基板」である点で共通する。 ｄ 以上によれば、本件発明２６と甲６発明とは、以下の一致点及び相違点３～５を有する。 ［一致点］ 「第１の面および第２の面を有する基板と、前記基板の第１の面の上方に設けられたドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層と、を含む基板。」 ［相違点３］ 本件発明２６の窒素ドープＡｌ２Ｏ３層は、基板の第１の面上に設けられているのに対し、甲６発明のＡｌＮＸＯＹで示される層は、基板１０００の上面に設けられた絶縁膜１０１０の上方に設けられている点。 ［相違点４］ Ａｌ、Ｎ及びＯからなる層について、本件発明２６の窒素ドープＡｌ２Ｏ３層は、０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされたものであるのに対し、甲６発明のＡｌＮＸＯＹで示される層は、窒素を２．５atm％～４７．５atm％含むものの、水素で更にドープされたものではない点。 ［相違点５］ 本件発明２６は絶縁金属基板（ＩＭＳ）であるのに対し、甲６発明はアクティブマトリクス基板である点。 （イ）判断 事案に鑑み、まず相違点４について検討すると、相違点４に係る本件発明２６の構成は、甲１～甲５のいずれにも記載されていないから、甲６発明及び甲１～甲５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到することができたものではない。 そして、本件発明２６は、相違点４に係る構成により、本件明細書等の【００７４】に記載された「ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化する」との作用効果を奏するものである。 したがって、本件発明２６は、相違点３及び５について検討するまでもなく、甲６発明及び甲１～甲５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 イ 本件発明２７～３４、３７～３９について 請求項２７～３４、３７～３９は、直接又は間接的に請求項２６を引用しているから、本件発明２７～３４、３７～３９は、本件発明２６と甲６発明との相違点４に係る構成を備えている。 したがって、本件発明２７～３４、３７～３９に係る発明は、上記ア（イ）で検討した理由と同様の理由により、甲６発明及び甲１～甲５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ２ サポート要件（取消理由３及び申立理由３）について （１）取消理由３及び申立理由３の概要 ア 取消理由３の概要 当審で通知した取消理由３は、本件明細書等の記載からみて、本件訂正前の本件発明２６は、「アルミナ層は低い熱性能（１～３０Ｗ／ｍＫ）を有する」（【０００７】）こと、「アルミナの完全に緻密化された堆積誘電体層は、ほとんど不可能」であり、「ピンホールが生成されること」で「多孔性を有」することが「低い絶縁耐力（電気絶縁）に関する問題をもたらす」（【０００８】）という「ＩＭＳのための堆積誘電体層としての」「アルミナの問題」（【００３１】）を解決しようとする発明であるといえるが、当業者であっても、本件発明２６により上記「アルミナの問題」を解決することができると認識することはできないから、本件発明２６～３４、３７～３９は、発明の詳細な説明に記載したものでないというものである。 イ 申立理由３（特許異議申立書６５頁最終行～６８頁４行）の概要 申立理由３は、「本件特許の請求項２６に記載されている「０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含む窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」を備えるＩＭＳは、本件特許における発明の課題を解決できないといえる」（同６７頁１７～１９行）から、「本件特許の請求項２６の記載は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されていないため、本件特許の請求項２６が発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求することになっており、本件特許の請求項２６の記載は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない」（同６７頁２３～２７行）というものである。 （２）判断 取消理由３及び申立理由３をあわせて検討する。 本件明細書の【００７４】に「ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化するために、追加のドーパント水素を使用して堆積されてもよい。」と記載されているとおり、本件発明２６は、「０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」という構成を有することにより、ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化するとの作用効果を奏するものである。 したがって、本件発明２６は、上記「アルミナの問題」を解決するための構成が特定されているから、請求項２６の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合する。また、請求項２６を引用する請求項２７～３４、３７～３９の記載についても、同様に特許法第３６条第６項第１号に適合する。 よって、本件訂正により、取消理由３および申立理由３は解消した。 ３ 明確性（申立理由４）について （１）申立理由４の概要 ア 請求項１９、２７について（特許異議申立書６８頁６～２４行） 本件訂正前の請求項１９、２７についての申立理由４は、「本件特許の請求項１９に係る発明においてＡｌＮ層が配置される「基板のテクスチャード表面」、および、本件特許の請求項２７に係る発明においてＡｌ２Ｏ３層が配置される「基板のテクスチャード表面」のそれぞれについて、本件特許明細書および図面には何ら記載がなく、「テクスチャード表面」とはどのような表面であるかが明確にされていない」（同６８頁１１～１５行）から、「本件特許の請求項１９に係る発明、および、本件特許の請求項２７に係る発明のいずれもが、明確ではなく、本件特許の請求項１９，２７の記載は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない」（同６８頁１９～２１行）というものである。 イ 請求項２０、２８について（同６８頁２５行～６９頁１７行） 本件訂正前の請求項２０、２８についての申立理由４は、「本件特許の請求項２０に係る発明においてＡｌＮ層が含む「複数の凹部」、および、本件特許の請求項２８に係る発明においてＡｌ２Ｏ３層が含む「複数の凹部」のそれぞれについて、例えば、形状、大きさ、深さなどの凹部に関する記載は、本件特許の明細書および図面には全くなく、どのような「凹部」であるかが明確にされていない」（同６９頁４～８行）から、「本件特許の請求項２０に係る発明、および、本件特許の請求項２８に係る発明のいずれもが、明確ではなく、本件特許の請求項２０，２８の記載は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていない」（同６９頁１１～１４行）というものである。 （２）判断 ア 請求項１９、２７について 本件明細書の【００５１】の「図８Ｂに示すように、ＩＭＳ ８００Ｂは、より良好な熱抽出のためにテクスチャ加工された表面３７を有するコア金属基板３上に堆積誘電体層７を含む。図示のように、堆積誘電体層７は、テクスチャ加工された表面上に配置される。」との記載によれば、請求項１９、２７に記載された「基板のテクスチャード表面」は、基板のテクスチャ加工された表面のことであることが明確である。 イ 請求項２０、２８について 請求項２０、２８に記載された「複数の凹部」について、「凹」とは、「物の表面が部分的にくぼんでいること。くぼみ。」（広辞苑第５版）を意味するから、前記「複数の凹部」は、請求項２０の酸素ドープＡｌＮ層又は請求項２８の窒素ドープＡｌ２Ｏ３層の表面に複数の部分的なくぼみを意味するものであり、それぞれの形状、大きさ、深さが特定されていなくても明確である。 また、以下の【図６Ａ】とともに、本件明細書の【００４７】には、「図６Ａに示すように、ＩＭＳ ６００Ａは、基板３上にエッチングされた部分３１を有する堆積誘電体層７を含む。」と記載されている。 「【図６Ａ】 ［図：0001420306000008.jpg］ 」 これらの記載によれば、「複数の凹部」は、堆積誘電体層（請求項２０の酸素ドープＡｌＮ層又は請求項２８の窒素ドープＡｌ２Ｏ３層）に形成された「エッチングされた部分」、すなわち、部分的なくぼみということができるから、この点からも、請求項２０、２８に記載された「複数の凹部」の記載は、明確であるといえる。 ウ 小括 上記ア、イのとおり、本件発明１９、２０、２７、２８は明確であるから、申立理由４は理由がない。 ４ 実施可能要件（申立理由５）について （１）申立理由５の概要 ア 請求項１９、２７について（異議申立書６９頁１９行～７０頁１９行） 本件訂正前の請求項１９、２７についての申立理由５は、「「（４－３）特許法第３６条第６項第２号に基づく理由について」の「（ア）本件特許の請求項１９、２７について」で述べたように、本件特許の明細書には、「テクスチャード表面」の記載はなく、・・・（中略）・・・「テクスチャード表面」がどのような表面であって、「テクスチャード加工」がどのような加工であるか、が全く示されていない」（同６９頁２５行～同７０頁６行）から、「本件特許の発明の詳細な説明では、当業者が、明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と出願時の技術常識とに基づいて、本件特許の請求項１９，２７のそれぞれに係る発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかを理解できないため、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない」（同７０頁１２～１６行）というものである。 イ 請求項２０、２８について（同７０頁２０行～同７１頁１４行） 本件訂正前の請求項２０、２８についての申立理由５は、「「（４－３）特許法第３６条第６項第２号に基づく理由について」の「（イ）本件特許の請求項２０、２８について」で述べたように、本件特許の明細書および図面には、「凹部」について、例えば、形状、大きさ、深さなどの凹部に関する情報が全く記載されていない」（同７０頁２６行～同７１頁１行）から、「本件特許の発明の詳細な説明では、当業者が、明細書及び図面に記載された発明の実施についての説明と出願時の技術常識とに基づいて、本件特許の請求項２０，２８それぞれに係る発明を実施しようとした場合に、どのように実施するかを理解できないため、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない」（同７１頁７～１１行）というものである。 ウ 請求項２６について（同７１頁１５行～同７２頁２行） 本件訂正前の請求項２６についての申立理由５は、「「（４－３）特許法第３６条第６項第１号に基づく理由について」の「（ア）本件特許の請求項２６について」で述べたように、「０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含む窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」を備える絶縁金属基板の特性について、本件特許の明細書には、何ら開示もされていないし、示唆もされていない。したがって、発明の詳細な説明において、本件特許発明２６をどのように使用できるかについて、具体的に記載されていないため、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない」（同７１頁１９～２５行）というものである。 （２）判断 ア 請求項１９、２７について 上記３（２）アで述べたとおり、請求項１９、２７の「テクスチャード表面」は、基板のテクスチャ加工された表面のことであることが明確であり、例えば、本件明細書の【００５１】に「より良好な熱抽出のためにテクスチャ加工された表面３７」と記載されているように、基板の表面に、例えば良好な熱抽出のための加工を施すことは、当業者であれば、発明の詳細な説明に記載なくても実施が可能であるといえる。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１９、２７の絶縁金属基板（ＩＭＳ）を製造することができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 イ 請求項２０、２８について 上記３（２）イで述べたとおり、請求項２０、２８の「凹部」は、請求項２０の酸素ドープＡｌＮ層又は請求項２８の窒素ドープＡｌ２Ｏ３層をエッチングすることで形成することが可能であり、「凹部」の形状、大きさ、深さは、実施に当たり当業者が適宜に設定し得る事項である。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明２０、２８の絶縁金属基板（ＩＭＳ）を製造することができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 ウ 請求項２６について 上記２（２）で述べたとおり、本件発明２６は、「０．０００１～１５ａｔ％の窒素を含み、かつ、水素で更にドープされた窒素ドープＡｌ２Ｏ３層」という構成を有することにより、ＡｌＯＮが堆積された誘電体層の電気絶縁を強化するとの作用効果を奏するものである。 また、本件明細書の【００２９】に「絶縁金属基板（ＩＭＳ）は、個々の電気装置、音響装置、および多部品システムのための支持体（またはマウント）として機能することができる。」と記載されているように、本件発明２６は、個々の電気装置、音響装置、および多部品システムのための支持体（またはマウント）として使用されるものといえる。 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明２６の絶縁金属基板（ＩＭＳ）を使用することができる程度に明確かつ十分に記載されたものである。 エ 小括 したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明１９、２０、２６～２８を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるから、申立理由５は、理由がない。 第８ むすび 以上のとおりであるから、特許第７２８７９００号の請求項１８～３４、３７～３９についての特許は、取消理由通知に記載した取消理由、及び、特許異議申立書に記載された申立理由に記載した申立理由によっては取り消すことはできない。 また、他に特許第７２８７９００号の請求項１８～３４、３７～３９についての特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。