2023-701039

特許第７２５０５３０号発明「研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、および半導体基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２５０５３０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。 特許第７２５０５３０号の請求項１ないし３、５ないし１１に係る特許を維持する。 特許７２５０５３０号の請求項４に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２５０５３０号の請求項１～１１に係る特許についての出願は、平成３１年１月１６日（優先権主張 平成３０年３月１５日、平成３０年８月７日）に出願され、令和５年３月２４日にその特許権の設定登録がされ、同年４月３日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ９月２８日 ：特許異議申立人田村奈緒美（以下「申立人」という。）による特許異議の申立て 令和 ５年１２月２０日付け ：取消理由通知書 令和 ６年 ２月２１日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出（以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。） 令和６年３月８日付けで、本件訂正請求について、申立人に、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、申立人からは何らの応答もない。 第２ 訂正の適否について １ 訂正の内容 本件訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は訂正箇所を示すために当審で付した。） （１）訂正事項１ 訂正事項１は、以下の訂正事項１－１及び１－２からなる。 ア 訂正事項１－１ 特許請求の範囲の請求項１に「不純物がドープされた多結晶シリコンおよび不純物がドープされた非晶質シリコンの少なくとも一方を含む研磨対象物」と記載されているのを、「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物」に訂正する。（請求項１の記載を直接的及び間接的に引用する請求項２～１１も同様に訂正する。） イ 訂正事項１－２ 特許請求の範囲の請求項１に「ｐＨが８以上である、研磨用組成物。」と記載されているのを、「ｐＨが８以上であり、前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下であり、ただし、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含まず、かつヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない、研磨用組成物。」に訂正する。（請求項１の記載を直接的及び間接的に引用する請求項２～１１も同様に訂正する。） （２）訂正事項２ 特許請求の範囲の請求項４を削除する。（請求項４の記載を直接的及び間接的に引用する請求項５～１１も同様に訂正する。） （３）訂正事項３ 特許請求の範囲の請求項５に「請求項１～４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」と記載されているのを、「請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」に訂正する。（請求項５の記載を直接的及び間接的に引用する請求項６～１１も同様に訂正する。） （４）訂正事項４ 特許請求の範囲の請求項６に「請求項１～５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」と記載されているのを、「請求項１～３、５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」に訂正する。（請求項６の記載を直接的及び間接的に引用する請求項７～１１も同様に訂正する。） （５）訂正事項５ 特許請求の範囲の請求項７に「請求項１～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」と記載されているのを、「請求項１～３、５～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」に訂正する。（請求項７の記載を直接的及び間接的に引用する請求項８～１１も同様に訂正する。） （６）訂正事項６ 特許請求の範囲の請求項９に「請求項１～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」と記載されているのを、「請求項１～３、５～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物。」に訂正する。 （７）訂正事項７ 訂正事項７は、以下の訂正事項７－１及び７－２からなる。 ア 訂正事項７－１ 特許請求の範囲の請求項１０に「請求項１～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、」と記載されているのを、「請求項１～３、５～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、」に訂正する。（請求項１０の記載を直接的に引用する請求項１１も同様に訂正する。） イ 訂正事項７－２ 特許請求の範囲の請求項１０に「不純物がドープされた多結晶シリコンおよび不純物がドープされた非晶質シリコンの少なくとも一方を含む研磨対象物」と記載されているのを、「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物」に訂正する。（請求項１０の記載を直接的に引用する請求項１１も同様に訂正する。） （８）訂正事項８ 特許請求の範囲の請求項１１に「不純物がドープされた多結晶シリコンおよび不純物がドープされた非晶質シリコンの少なくとも一方を含む半導体基板」と記載されているのを、「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む半導体基板」に訂正する。 ２ 訂正の適否 訂正事項１～８の、訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について、以下検討する。 （１）訂正事項１について ア 訂正事項１－１について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項１－１は、本件訂正前の請求項１に択一的に記載された「不純物がドープされた多結晶シリコン」及び「不純物がドープされた非晶質シリコン」から、「不純物がドープされた非晶質シリコン」を削除して、択一的記載の要素を削除するものである。 よって、訂正事項１－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項１－１は、上記（ア）のとおり、択一的記載の要素を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、また、特許請求の範囲を拡張・変更するものでもない。 イ 訂正事項１－２について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項１－２は、本件訂正前の請求項１に「砥粒」の平均二次粒子径に関して何ら記載されていなかったところ、「砥粒」について「平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下」であることを限定して、発明を特定する事項を直列的に付加するとともに、さらに、本件訂正前の請求項１に、「研磨用組成物」に含まれる構成要素に関して、「砥粒」、「分散媒」及び「アルカリ化合物」以外に何ら記載されておらず、「研磨用組成物」は「砥粒」、「分散媒」及び「アルカリ化合物」以外の構成要素を任意に含み得たところ、「研磨用組成物」から「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである」及び「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガム」を除いて、任意に含み得た構成要素の一部を除くものである。 よって、訂正事項１－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無について 本件明細書等の特許請求の範囲の請求項４には「前記砥粒の平均二次粒子径は５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である」と記載され、本件明細書等の段落００２７には「砥粒の平均二次粒子径は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく」と記載されているから、「砥粒」について、上記の数値範囲に含まれる「平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下」とすることは、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 また、上記（ア）のとおり、「研磨用組成物」から「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである」及び「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガム」を除くことは、任意に含み得た構成要素の一部を除くものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。 以上のとおりであるから、訂正事項１－２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものである。 （ウ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 上記（ア）によれば、訂正事項１－２は、発明を特定する事項を直列的に付加するとともに、任意に含み得た構成要素の一部を除くものであるから、特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。 ウ 小括 上記ア及びイによれば、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２について 訂正事項２は、請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （３）訂正事項３について 訂正事項３は、訂正事項２により請求項４を削除したことに伴い、訂正前の請求項５の引用請求項から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （４）訂正事項４について 訂正事項４は、訂正事項２により請求項４を削除したことに伴い、訂正前の請求項６の引用請求項から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （５）訂正事項５について 訂正事項５は、訂正事項２により請求項４を削除したことに伴い、訂正前の請求項７の引用請求項から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （６）訂正事項６について 訂正事項６は、訂正事項２により請求項４を削除したことに伴い、訂正前の請求項９の引用請求項から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （７）訂正事項７について ア 訂正事項７－１について 訂正事項７－１は、訂正事項２により請求項４を削除したことに伴い、訂正前の請求項１０の引用請求項から請求項４を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 訂正事項７－２について （ア）訂正の目的の適否について 訂正事項７－２は、本件訂正前の請求項１０に択一的に記載された「不純物がドープされた多結晶シリコン」及び「不純物がドープされた非晶質シリコン」から、「不純物がドープされた非晶質シリコン」を削除して、択一的記載の要素を削除するものであるから、訂正事項７－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。 （イ）新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 訂正事項７－２は、上記（ア）のとおり、択一的記載の要素を削除するものであるから、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではなく、また、特許請求の範囲を拡張・変更するものでもない。 ウ 小括 上記ア及びイによれば、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に規定する「特許請求の範囲の減縮」及び「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （８）訂正事項８について 訂正事項８は、本件訂正前の請求項１１に択一的に記載された「不純物がドープされた多結晶シリコン」及び「不純物がドープされた非晶質シリコン」から、「不純物がドープされた非晶質シリコン」を削除して、択一的記載の要素を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （９）一群の請求項についての説明 訂正前の請求項１～１１について、請求項２～１１は、請求項１を直接的又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１～１１に対応する訂正後の請求項〔１～１１〕は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。 ３ 訂正の適否についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件訂正の請求は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び同条第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。 第３ 本件発明 上記第２のとおり本件訂正請求は認められるから、本件特許の請求項１～１１に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明１１」という。）は、それぞれ、訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。 「【請求項１】不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、 砥粒と、 分散媒と、 アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物と、 を含み、ｐＨが８以上であり、 前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下であり、 ただし、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含まず、かつ ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない、研磨用組成物。 【請求項２】 前記砥粒はコロイダルシリカである、請求項１に記載の研磨用組成物。 【請求項３】 前記砥粒の平均一次粒子径は２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。 【請求項４】 （削除） 【請求項５】 前記砥粒の含有量は、研磨用組成物の総質量に対して０．１質量％以上２０質量％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項６】 前記アルカリ化合物は、水酸化カリウム、無機酸のカリウム塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のカリウム塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアから選択される少なくとも１種である、請求項１～３、５のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項７】 研磨促進剤をさらに含む、請求項１～３、５～６のいずれか１項に記載の研磨用組成物。 【請求項８】 前記研磨促進剤は、アミノ基を有する化合物である、請求項７に記載の研磨用組成物。 【請求項９】 前記砥粒、前記分散媒、および前記アルカリ化合物を混合する工程を含む、請求項１～３、５～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物の製造方法。 【請求項１０】 請求項１～３、５～８のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨する工程を含む、研磨方法。 【請求項１１】 不純物がドープされた多結晶シリコンを含む半導体基板を、請求項１０に記載の研磨方法により研磨する工程を有する、半導体基板の製造方法。」 第４ 取消理由 当審において令和５年１２月２０日付けで通知した取消理由（以下「取消理由」という。）の概要は、以下のとおりである。なお、令和５年９月２８日付けでされた特許異議の申立ての理由は、取消理由ですべて採用された。 １ 取消理由１（新規性）本件訂正前の請求項１～１１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証に記載された発明であり、また、本件訂正前の請求項１～７、９～１１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第２号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 取消理由２（進歩性）本件訂正前の請求項１～１１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであり、また、本件訂正前の請求項１～７、９～１１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 取消理由３（サポート要件）本件明細書等の発明の詳細な説明に実施例として記載された、不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物を、本件訂正前の請求項１に記載された「不純物がドープされた非晶質シリコン」「を含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物」にまで拡張ないし一般化することはできない点で、本件訂正前の請求項１に係る発明と、同項の記載を引用する本件訂正前の請求項２～１１に係る発明は、本件明細書等の発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件訂正前の請求項１～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ４ 申立人が提出した証拠は下記のとおり 甲第１号証：特表２０１１－５２３２０７号公報（以下、「甲１」という。） 甲第２号証：特表２０１３－５４１１９４号公報（以下、「甲２」という。） 甲第３号証：特開平０１－２９５４１６号公報（以下、「甲３」という。） 甲第４号証：特開２００９－８７９６７号公報（以下、「甲４」という。） 甲第５号証：特開２０１３－２３２６２８号公報（以下、「甲５」という。） 甲第６号証：特開２０１４－６９２６０号公報（以下、「甲６」という。） 甲第７号証：特開２００９－２３１４８６号公報（以下、「甲７」という。） 第５ 取消理由についての当審の判断 １ 取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）について （１） 甲１、２、４及び５の記載について ア 甲１の記載、甲１発明 （ア）甲１には、次の記載がある。（なお、下線は当審が付与した。以下、同じ。） 「【請求項１７】 基板の化学機械研磨方法であって、 （ｉ）基板を、研磨パッドおよび、 （ａ）湿式法シリカ、 （ｂ）Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれた、０．０１質量％～０．５質量％の安定剤化合物、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールである、 （ｃ）０．００２質量％～０．２質量％のカリウム塩、 （ｄ）０．００２質量％～０．２質量％の第２級アミン化合物、 （ｅ）水、を含む化学機械研磨組成物であって、９～１２のｐＨを有している研磨組成物に接触させること、 （ｉｉ）この研磨要素を該基板に対して動かすこと、ならびに （ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を研摩して該基板を研磨すること、を含んでなる方法。 【請求項１８】 前記湿式法シリカが、縮合重合シリカまたは塩基安定化コロイド状シリカである、請求項１７記載の方法。 【請求項１９】 前記研磨組成物が、０．０５質量％～２質量％のシリカを含む、請求項１７記載の方法。 ・・・（中略）・・・ 【請求項２２】 前記第２級アミン化合物がピペラジンである、請求項１７記載の方法。 ・・・（中略）・・・ 【請求項２４】 前記カリウム塩が、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、または炭酸水素カリウムと炭酸カリウムの混合物である、請求項１７記載の方法。 ・・・（中略）・・・ 【請求項２７】 前記基板が、シリコンを含み、そして該シリコンの一部を研摩して該基板を研磨する、請求項１７記載の方法。 【請求項２８】 前記シリコンがｐ＋ドープしたシリコンである、請求項２７記載の方法。」 「【発明が解決しようとする課題】 ・・・（中略）・・・ 【０００４】 ・・・（中略）・・・しかしながら、慣用のシリコン研磨組成物は、高濃度ではコロイド不安定性を示し、希釈時に研磨粒子の再分散において困難を引き起こす。従って、当技術分野においては、シリコンウエハ用の改善された研磨組成物への重大な必要性が依然として存在している。」 「【発明を実施するための形態】 【０００８】 本発明は、化学機械研摩組成物および、基板の化学機械研摩方法を提供する。 【０００９】 第１の態様では、この研摩組成物は、（ａ）湿式法シリカ、（ｂ）Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれた、０．０１質量％～０．５質量％の安定剤化合物（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールである）、（ｃ）０．００２質量％～０．２質量％のカリウム塩、（ｄ）０．００２質量％～０．２質量％の第２級アミン化合物、および（ｅ）水、を含む化学機械研磨組成物（ここでこの研磨組成物は９～１２のｐＨを有している）、を含んでいる、から本質的になっている、または、からなっている。 ・・・（中略）・・・ 【００１１】 湿式法シリカの好適な例としては、縮合重合したシリカおよび塩基安定化コロイド状シリカが挙げられる。縮合重合シリカ粒子は、典型的にはＳｉ（ＯＨ）４を縮合することによって調製され、実質的に球状の粒子を形成する。前駆体Ｓｉ（ＯＨ）４は、例えば、高純度アルコキシシランの加水分解によって、またはケイ酸塩水溶液の酸性化によって得ることができる。このような縮合重合シリカ粒子は、米国特許第5,230,833号明細書に従って調製することができ、または種々の商業的に入手可能な製品、例えば、Fuso PL-1、PL-1H、PL-1SL、PL-2、PL-2L、PL-3、PL-3H、PL-3L、PL-5、PL-6L、PL-7、PL-7H、PL-1OH、およびPL-20製品、ならびにDuPont、Bayer、Applied Research、Silbond、Clariantなどから入手可能な他の同様の製品のいずれかとして得ることができる。 ・・・（中略）・・・ 【００１３】 湿式法シリカ研摩粒子は、典型的には４ｎｍ～２００ｎｍの平均粒度（例えば、平均粒子直径）を有している。好ましくは、この湿式法シリカ研摩粒子は、２０ｎｍ～１００ｎｍ（例えば、４０ｎｍ～７５ｎｍ）の平均粒度を有している。この点について、粒度は、これらの粒子を囲い込む最小の球体の直径を表している。 【００１４】 この研磨組成物は、典型的には０．０５質量％以上（例えば，０．１質量％以上、または０．５質量％以上）の湿式法シリカを含んでいる。好ましくは、この研磨組成物は、典型的には２質量％以下（例えば，１．５質量％以下、または１質量％以下）の湿式法シリカを含んでいる。より好ましくは、この研磨組成物は、０．１質量％～２質量％（例えば，０．５質量％～１．５質量％）の湿式法シリカ（これ以降、「シリカ」と記す）を含んでいる。 ・・・（中略）・・・ 【００１６】 この研磨組成物は、安定剤化合物、すなわち、１種もしくは２種以上の安定剤化合物を含んでいる。この安定剤化合物は、研磨組成物中での、シリカ粒子のコロイド状安定性を向上させると信じられる。この安定剤化合物は、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－ 、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれ、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールである。Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールは、更に１つもしくは２つ以上のヒドロキシル基で置換されていてもよい。・・・（中略）・・・。アニオンＸ－は、いずれかの好適なアニオンであることができる。・・・（中略）・・・ 【００１８】 この研磨組成物は、カリウム塩、すなわち、１種もしくは２種以上のカリウム塩を含んでいる。このカリウム塩は、いずれかの好適なカリウム塩であることができる。好ましくは、カリウム塩は、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、または炭酸水素カリウムおよび炭酸カリウムの混合物である。 ・・・（中略）・・・ 【００２０】 この研磨組成物は、第２級アミン化合物、すなわち１種もしくは２種以上の第２級アミン化合物を含んでいる。好ましくは、この第２級アミン化合物はピペラジンである。ピペラジンは、塩（例えば、酸付加塩）の形態で存在することができ、そしてそのモノ－もしくはジ－酸付加塩として存在することができることが理解されるであろう。ピペラジンは、固体六水和物化合物としても存在する。 ・・・（中略）・・・ 【００２２】 この研磨組成物は、９～１２のｐＨ（例えば、９～１１、または９～１０、または１０～１１、または１０～１１、または１１～１２）を有している。この研磨組成物は、所望により、ｐＨ調節剤、例えば水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、硝酸、硫酸、またはリン酸を含んでいる。この研磨組成物は、所望により、ｐＨ緩衝系、例えば炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムを含む緩衝系を含んでいる。多くのこのようなｐＨ緩衝系が、当技術分野ではよく知られている。この研磨組成物がｐＨ調節剤および／または緩衝系を含む場合には、この研磨組成物は、ｐＨをここで説明する範囲に維持するのに十分な量のｐＨ調節剤および／または緩衝系を含むであろう。 ・・・（中略）・・・ 【００２９】 この研磨組成物は、いずれかの好適な技術によって調製することができ、それらの多くは当業者に知られている。・・・（中略）・・・ 【００３１】 例えば、安定剤化合物、第２級アミン化合物、カリウム塩、および所望によるキレート化剤は、安定剤化合物、第２級アミン化合物、カリウム塩、および所望によるキレート化剤を、いずれかの順序で、または更には同時に、水に添加することによって、水中に溶解することができる。次いで、シリカを加えて、そして研磨組成物中にシリカを分散させることができるいずれかの方法によって分散させることができる。この研磨組成物は、１種もしくは２種以上の成分、例えば第２級アミン化合物を、使用の少し前に（例えば、使用の１分間以内に、または使用の１時間以内に、または使用の７日間以内に）加えることで、使用の前に調製することができる。ｐＨは、いずれかの好適な時点で調整することができ、そして好ましくはシリカを研磨組成物に加える前に調整される。また、この研磨組成物は、研磨操作の間に、基板の表面でこれらの成分を混合することによって調製することもできる。 ・・（中略）・・・ 【００３４】 本発明の研磨組成物は、いずれかの基板を研磨するのに用いることができるが、この研磨組成物は、ケイ素を含む基板、例えば電子工業で用いられるシリコンウエハの研磨において特に有用である。この点について、このシリコンは、ドープされていないシリコンであることができ、またはそれはホウ素もしくはアルミニウムでドープされたｐ型シリコンであることができる。更に、このシリコンは多結晶シリコンであることができる。本発明の研磨組成物およびそれを用いた方法は、ダイアモンド鋸切断および粗研摩によってシリコン単結晶から生成されたシリコンウエハの最終研摩用に、ならびにシリコンウエハのエッジ研磨用に、そして研摩によるシリコンウエハの再生における使用のために好適である。」 「【００４１】 例１ この例は、本発明の研磨組成物によって達成される、シリコンについて観察される除去速度への、安定剤化合物、第２アミン化合物、およびカリウム塩の濃度の影響を示している。 ・・（中略）・・・ 【００４４】 【表１】 ［図：0001414189000001.jpg］ 【００４５】 表１中に示した結果から明らかなように、炭酸水素カリウムを全く含まない研磨組成物１Ｌ～１Ｏは、全てが炭酸水素カリウムを含んでいる研磨組成物１Ａ～１Ｋおよび１Ｐよりも、少なくとも約６％～３１％低いシリコン除去速度を示した。０．１８７５質量％のピペラジン、０．３１２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウムおよび０．１２５質量％の炭酸水素カリウムを含んだ研磨組成物１Ｊは、０．０６２５質量％のピペラジン、０．３１２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウムおよび０．１２５質量％の炭酸水素カリウムを含む研磨組成物１Ｄよりも、約８％低いシリコン除去速度を示した。それぞれ０．１８７５質量％および０．４３７５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウムを含み、そしてピペラジンまたは炭酸水素カリウムを含まない研磨組成物１Ｌおよび１Ｏは、それぞれ０．１８７５質量％および０．４３７５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウムを含み、そしてピペラジンおよび炭酸水素カリウムをそれぞれ０．２５質量％含んだ研磨組成物１Ｅおよび１Ｈによって示されたシリコン除去速度よりも、それぞれ約１３％および３３％低いシリコン除去速度を示した。 ・・・（中略）・・・ 【００５７】 ４インチ（（１０２ｃｍ）シリコンウエハを構成する同様の基板を、２種の異なる研磨組成物（研磨組成物３Ａおよび３Ｂ）で研磨した。全ての研磨組成物は、水中に、６２５ｐｐｍのピペラジン、４６９ｐｐｍの炭酸水素化カリウム、および１５６ｐｐｍのエチレンジアミン四酢酸を含んでおり、ｐＨ１１であった。研磨組成物４Ａは、更に０．９３７質量％の塩基安定化コロイド状シリカ（Nalco TX-13112）を含んでいた。研磨組成物４Ｂは、更に０．９３７質量％の縮合重合シリカ（Fuso PL-2）を含んでおり、そして１２のｐＨを有していた。」 （イ）上記（ア）によれば、甲１には、以下の技術事項が記載されている。 ａ 段落０００９には「この研摩組成物は、（ａ）湿式法シリカ」「を含んでいる」と記載され、段落００１３には「湿式法シリカ研摩粒子」と記載されている。よって、段落０００９に記載された「湿式法シリカ」は湿式法シリカ研摩粒子であるといえる。 ｂ 上記（ア）の段落０００９、段落００１１、段落００１４、段落００１８、段落００２０、段落００２２及び段落００３４、並びに、上記ａによれば、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲１発明＞ 「（ａ）湿式法シリカ研摩粒子、（ｂ）Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれた、０．０１質量％～０．５質量％の安定剤化合物（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである）、（ｃ）０．００２質量％～０．２質量％のカリウム塩、（ｄ）０．００２質量％～０．２質量％の第２級アミン化合物、および（ｅ）水、を含むとともに、 ｐＨ調節剤として水酸化カリウムを含み、 ｐＨ緩衝系として炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウムを含み、 ９～１２のｐＨを有し、 ケイ素を含む基板、電子工業で用いられるシリコンウエハの研磨において有用である、化学機械研磨組成物であって、 湿式法シリカ研摩粒子は、縮合重合シリカ粒子であるFuso PL-2であり、 化学機械研磨組成物が含む湿式法シリカ研磨粒子の量は、０．１質量％～２質量％であり、 カリウム塩は、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、または炭酸水素カリウムおよび炭酸カリウムの混合物であり、 第２級アミン化合物はピペラジンであり、 シリコンは、ホウ素もしくはアルミニウムでドープされたｐ型シリコンであり、多結晶シリコンである、 化学機械研摩組成物。」 イ 甲２の記載、甲２発明 （ア）甲２には、次の記載がある。 「【発明が解決しようとする課題】 【０００４】 このように、高い除去速度、低い粒子欠陥性及び低い曇り性を示す、改良されたケミカルメカニカル研磨組成物が当該技術分野において必要とされている。」 「【００１０】 ある実施形態において、ケミカルメカニカル研磨組成物は（ａ）シリカ、（ｂ）１種以上の有機カルボン酸又はその塩、（ｃ）ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド、（ｄ）１種以上の塩基、（ｅ）場合により、１種以上の界面活性剤及び／又はポリマー、（ｆ）場合により、１種以上の還元剤、（ｇ）場合により、１種以上の殺生物剤及び（ｈ）水を含み、から本質的になり、又は、からなり、ここで、有機カルボン酸はジカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシ酸、アミノ－カルボキシ置換ピラジン化合物及びアミノ－カルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれ、そして研磨組成物はアルカリｐＨである。 【００１１】 本発明の研磨組成物は、望ましくは、本発明の方法により基材を研磨したときに、高い除去速度を示す。例えば、本発明の実施形態によりシリコンウエハを研磨するときに、研磨組成物は、望ましくは、５００Å／分以上、好ましくは７００Å／分以上、そしてより好ましくは１０００Å／分以上の除去速度を示す。 ・・・（中略）・・・ 【００２０】 研磨組成物は任意の適切な量のシリカを含むことができる。濃縮された研磨組成物は２０ｗｔ％以下のシリカ、例えば、１５ｗｔ％以下、１０ｗｔ％以下、８ｗｔ％以下、９ｗｔ％以下、８ｗｔ％以下、７ｗｔ％以下、６ｗｔ％以下、５ｗｔ％以下、４ｗｔ％以下、３ｗｔ％以下又は２ｗｔ％以下のシリカを含むことができる。希釈の後に、研磨組成物は、０．００１ｗｔ％以上のシリカ、例えば、０．０１ｗｔ％以上、０．１ｗｔ％以上、０．５ｗｔ％以上又は１ｗｔ％以上のシリカを含むことができる。このように、研磨組成物はシリカに関して記載した任意の２つの終端により規定される量でシリカを含むことができる。例えば、研磨組成物は０．００１ｗｔ％～２０ｗｔ％のシリカ、又は、０．００１ｗｔ％～１５ｗｔ％、０．００１ｗｔ％～１０ｗｔ％、０．００１ｗｔ％～８ｗｔ％、０．００１ｗｔ％～６ｗｔ％、０．００１ｗｔ％～５ｗｔ％のシリカ、０．００１ｗｔ％～２ｗｔ％、又は、０．０５ｗｔ％～２ｗｔ％のシリカを含むことができる。好ましい実施形態において、研磨組成物は、使用時点で、０．２ｗｔ％～０．６ｗｔ％のシリカを含む。 ・・・（中略）・・・ 【００２２】 本発明の研磨組成物はポリサッカリドとの組み合わせで速度向上剤を含む。驚くべきことに、ポリサッカリド、及び、場合により、ポリマー又は界面活性剤との組み合わせでの速度向上剤は高速除去性、低い粒子欠陥及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供することができる。 【００２３】 速度向上剤は、望ましくは、１種以上の有機カルボン酸である。ある実施形態において、研磨組成物は（ｉ）ジカルボン酸、（ｉｉ）アミノ酸、（ｉｉｉ）ヒドロキシ酸、（ｉｖ）カルボキシ置換ピラジン化合物及び（ｖ）カルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれる１種以上の有機カルボン酸、その塩及び／又はその水和物を含む。いかなる特定の理論にも固執するつもりはないが、カルボン酸は、超配位化合物（例えば、五配位又は六配位ケイ素化合物）を形成することにより研磨粒子（例えば、シリカ）又は基材（例えば、シリコン）を活性化するものと考えられる。 ・・・（中略）・・・ 【００２８】 適切なジカルボン酸の非限定的な例としては、マロン酸、メチルマロン酸、ジメチルマロン酸、ブチルマロン酸、マレイン酸、メソシュウ酸ナトリウム一水和物（sodium mesooxalate monohydrate）、酒石酸、リンゴ酸、シュウ酸及びそれらの混合物が挙げられる。 ・・・（中略）・・・ 【００４９】 研磨組成物は少なくとも１種の塩基を含む。塩基は任意の適切な塩基であってよい。ある実施形態では、研磨組成物は、無機塩基、例えば、アルカリ金属塩（例えば、カリウム塩）である少なくとも１種の塩基を含む。通常、１種以上の塩基はアルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属重炭酸塩及びホウ酸塩からなる群より選ばれる。当該技術分野で知られているように、適切なアルカリ金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム及びフランシウムが挙げられる。 ・・・（中略）・・・ 【００５２】 研磨組成物は研磨組成物のｐＨがアルカリ性になるように、任意の適切な量の塩基を含むことができる。特に、研磨組成物のｐＨは７よりも大きい。好ましい実施形態では、研磨用組成物のｐＨは、８～１２（例えば、８～１０、８～１１、９～１０、９～１１又は９～１２）であり、より好ましくはｐＨは９～１１（例えば、９～１０又は９．５）である。 ・・・（中略）・・・ 【００７７】 研磨組成物は水を含む。水を用いて、研磨又は平坦化される適切な基材の表面に研磨組成物の他の成分を適用するのを容易にする。好ましくは、水は脱イオン水である。研磨組成物は任意の適切な技術により調製することができ、その多くは当業者に知られている。研磨組成物はバッチ又は連続プロセスで調製することができる。一般的には、研磨組成物は任意の順序でその成分を混合することにより調製できる。本明細書で使用する際に、用語「成分」は個々の要素（例えば、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、任意成分の界面活性剤及び／又はポリマー、水など）ならびに２つ以上の要素（例えば、シリカ、有機カルボン酸、ポリサッカリド、任意成分の界面活性剤及び／又はポリマー、水など）の任意の組み合わせを包含する。 ・・・（中略）・・・ 【００８２】 本発明の研磨組成物を使用していかなる基材も研磨することができるが、研磨組成物は、シリコンを含む基材、例えば、エレクトロニクス産業で使用されるシリコンウエハの研磨に特に有用である。この点で、シリコンは非ドープシリコンであっても、又は、ホウ素又はアルミニウムをドープしたp型シリコンであってもよい。さらに、シリコンは多結晶シリコンとすることができる。本発明の研磨組成物及びその使用方法はダイヤモンドソーイング及び粗研削することによりシリコン単結晶から製造されたままのシリコンウエハを最終研磨するのに適しており、また、シリコンウエハのエッジ研磨のために、研磨によるシリコンウエハの再利用に使用するために適している。 ・・・（中略）・・・ 【００８９】 特記のない限り、例１～１８での研磨条件は以下のとおりであった：３７．９ｋＰａの下方への力で、７４ｒｐｍのテーブルの速度で、そして１５０～２００ｍＬ／分の研磨組成物の流速で、２０．３ｃｍのｐ型にドープされたシリコンウエハとPlanar４７２ポリッシャーを用いた。研磨組成物のｐＨは水酸化カリウムで調整した。すべての研磨組成物は濃厚物として調製した。研磨のために、２９部の水に対して１部の濃厚物の質量比を用いて濃厚物を希釈した。 【００９０】 例全体をとおして以下の略語を使用する。除去速度（ＲＲ）、分子量（Ｍｗ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、メチルヒドロキシエチルセルロース（ＭｅＨＥＣ）、マロン酸（ＭＡ）、酒石酸（ＴＡ）、没食子酸（ＧＡ）、キサンタンガム（ＸＧ）、カラギーナン（Ｃ）、乳酸（ＬＡ）、ピペコリン酸（ＰＡ）、グリシン（Ｇｌｙ）、アスパラギン酸（Ａｓｐ）、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール－５－カルボン酸（ＡＴＣＡ）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、アミノエチルピペラジン（ＡＥＰ）、ジメチロールプロピオン酸（ＤＭＰＡ）、ピペラジン（Ｐ）、BORCHI（商標）ゲル（ＢＧ）及びCOGNIS DSX（商標）3000（DSX 3000）。 ・・・（中略）・・・ 【００９２】 研磨組成物１Ａ～１Ｆと特定される６つの異なる研磨組成物により、Fujimi Corporationから市販されているSURFIN（商標） 000パッドを用いて同一条件下でシリコン基材を研磨した。研磨組成物１Ａ～１Ｆの各々は、（ａ）使用時点で０．２ｗｔ％のFuso PL2シリカ粒子、（ｂ）表１に示す濃度の有機カルボン酸、ＴＡ又はＭＡ、（ｃ）表１に示す濃度のポリサッカリド、ＨＥＣ（Ｍｗ＝８０，０００ｇ／モル）又はＸＧ、（ｄ）表１に示すとおりのｐＨを有する各研磨組成物を提供するのに十分な水酸化カリウム、及び、（ｅ）水を含んだ。さらに、研磨組成物１Ｆは界面活性剤、すなわち、SURFYNOL（商標）104を含んだ。」 （イ）上記（ア）の段落００１０、段落００２０、段落００２３、段落００４９、段落００５２、段落００８２及び段落００９２によれば、甲２には、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。 ＜甲２発明＞ 「（ａ）シリカ、（ｂ）１種以上の有機カルボン酸又はその塩、（ｃ）ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド、（ｄ）１種以上の塩基、及び（ｅ）水を含み、有機カルボン酸はジカルボン酸、アミノ酸、ヒドロキシ酸、アミノ－カルボキシ置換ピラジン化合物及びアミノ－カルボキシ置換トリアゾール化合物からなる群より選ばれ、ｐＨが８～１２であり、ホウ素又はアルミニウムをドープしたp型の多結晶シリコンを含む基材の研磨に特に有用である、ケミカルメカニカル研磨組成物であって、 シリカは研磨粒子であり、 シリカとしてFuso PL2シリカ粒子を用い、 ケミカルメカニカル研磨組成物が含むシリカの量は０．２ｗｔ％～０．６ｗｔ％であり、 塩基は、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、及びアルカリ金属重炭酸塩からなる群より選ばれ、アルカリ金属はカリウムである、 ケミカルメカニカル研磨組成物。」 ウ 甲４の記載 本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲４には、以下の記載がある。 「【００２３】 （ａ）特定シリカ粒子としては、市販品も用いることができ、例えば、扶桑化学社製コロイダルシリカで、商品名：ＰＬ－２（一次粒子径：２５ｎｍ，二次粒子径：５０ｎｍ）、ＰＬ－２Ｈ（一次粒子径：２５ｎｍ，二次粒子径：６０ｎｍ）、ＰＬ－３Ｌ（一次粒子径：３５ｎｍ，二次粒子径：５０ｎｍ）、ＰＬ－３（一次粒子径：３５ｎｍ，二次粒子径：７０ｎｍ）、ＰＬ－３Ｈ（一次粒子径：３５ｎｍ，二次粒子径：８０ｎｍ）などが、本発明に規定される（ａ）特定シリカ粒子の粒径を有し、これらを本発明に適用できる。・・・（略）・・・」 エ 甲５の記載 本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された甲５には、以下の記載がある。 「【００８５】 （参考例１） コロイダルシリカの水分散液に、コロイダルシリカに対して５質量部となるようにポリビニルピロリドンを添加し、３０分以上攪拌して参考例１の砥粒組成物を調製した。また、コロイダルシリカは一次平均粒径２５ｎｍ、二次平均粒径５０ｎｍである扶桑化学製のＰＬ２を用いた。また、ポリビニルピロリドンは日本触媒製のポリビニルピロリドンＫ３０、質量平均分子量４００００のものを用いた。」 （２）甲１発明を主引用発明とした新規性及び進歩性についての検討 ア 本件発明１について （ア）対比 ａ 甲１発明の「ケイ素を含む基板、電子工業で用いられるシリコンウエハの研磨において有用である、化学機械研磨組成物であって」、「シリコンは、ホウ素もしくはアルミニウムでドープされたｐ型シリコンであり、多結晶シリコンである、化学機械研摩組成物」は、本件発明１の「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物」に相当する。 ｂ 甲１発明の「湿式法シリカ研摩粒子」は、本件発明１の「砥粒」に相当する。 ｃ 甲１発明の「水」は、本件発明１の「分散媒」に相当する。 ｄ 甲１発明の「（ｃ）０．００２質量％～０．２質量％のカリウム塩」「を含むとともに」、「水酸化カリウムを含み」、「炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウム」を含み、「カリウム塩は、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、または炭酸水素カリウムおよび炭酸カリウムの混合物で」あることは、アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物を含む点で、本件発明１の「アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物」を含むことに相当する。 ｅ 甲１発明の「９～１２のｐＨを有」することは、本件発明１の「ｐＨが８以上である」ことに相当する。 ｆ 甲１発明の「化学機械研磨組成物」は、「湿式法シリカ研摩粒子」、「水」、「カリウム塩」、「水酸化カリウム」並びに「炭酸ナトリウムおよび炭酸水素ナトリウム」を含む点で、本件発明１の「研磨用組成物」と一致する。 ｇ 本件発明１は「前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下で」あるのに対し、甲１発明は、「湿式法シリカ研磨粒子は、縮合重合シリカ粒子であるFuso PL-2であり、」上記（１）ウの甲４の記載及び同エの甲５の記載によれば、その平均二次粒子径は５０ｎｍであるから、そのような構成を有さない点で相違する。 ｈ 本件発明１は「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含ま」ないのに対し、甲１発明は「（ｂ）Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれた、０．０１質量％～０．５質量％の安定剤化合物（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである）」を含む点で相違する。 ｉ 本件発明１は「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない」のに対し、甲１発明はそのような特定がされていない点で相違する。 ｊ 上記ａ～ｉより、本件発明１と甲１発明とは、以下の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、 砥粒と、 分散媒と、 アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物と、 を含み、ｐＨが８以上である、 研磨用組成物。」 ＜相違点１＞ 本件発明１は「前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下で」あるのに対し、甲１発明はそのような構成を有さない点。 ＜相違点２＞ 本件発明１は「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含ま」ないのに対し、甲１発明は「（ｂ）Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれた、０．０１質量％～０．５質量％の安定剤化合物（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである）」を含む点。 ＜相違点３＞ 本件発明１は「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない」のに対し、甲１発明はヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムを含むか否か特定されていない点。 （イ）相違点についての判断 事案に鑑み、相違点２から検討する。 ａ 相違点２に係る本件発明１の構成は、甲１発明が含む成分を含まないことであるから、相違点２は、実質的なものである。 ｂ また、上記（１）ア（ア）によれば、甲１の段落０００４には、「慣用のシリコン研磨組成物は、高濃度ではコロイド不安定性を示し、希釈時に研磨粒子の再分散において困難を引き起こす。」と記載され、研磨組成物のコロイド不安定性は、甲１における課題であるといえる。 ｃ さらに、上記（１）ア（ア）によれば、甲１の段落００１６には、「この研磨組成物は、安定剤化合物」「を含んでいる。この安定剤化合物は、研磨組成物中での、シリカ粒子のコロイド状安定性を向上させると信じられる。この安定剤化合物は、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩からなる群から選ばれ、ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールである。Ｃ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールは、更に１つもしくは２つ以上のヒドロキシル基で置換されていてもよい。」「アニオンＸ－は、いずれかの好適なアニオンであることができる。」と記載され、甲１発明において「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである」を含むことは、「研磨組成物中での、シリカ粒子のコロイド状安定性を向上させる」ためであるといえる。 ｄ 上記ｂ及びｃによれば、研磨組成物中での、シリカ粒子のコロイド不安定性を抑制することは、甲１発明が解決すべき課題であるといえ、甲１発明から「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである」を除くことは、上記課題に反することになり、阻害要因を有する。 ｅ したがって、甲１発明を、相違点２に係る本件発明１の構成を備えたものとすることは、他の甲号証の記載にかかわらず、当業者が容易になし得たことではない。 （ウ）本件発明１についてのまとめ 上記（イ）によれば、相違点１及び３について判断するまでもなく、本件発明１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。そのことは、他の甲号証の記載によっても左右されない。 イ 本件発明２～３、５～１１について 本件特許の請求項２～３、５～１１は請求項１を引用するものであり、本件発明２～３、５～１１は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記アに示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２～３、５～１１は、甲１発明ではなく、また、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。そのことは、他の甲号証の記載によっても左右されない。 （３）甲２発明を主引用発明とした新規性及び進歩性についての検討 ア 本件発明１について （ア）対比 ａ 甲２発明の「ホウ素又はアルミニウムをドープしたp型の多結晶シリコンを含む基材の研磨に特に有用である、ケミカルメカニカル研磨組成物」は、不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物である点で、本件発明１の「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物」に相当する。 ｂ 甲２発明の「シリカ」は、研磨粒子であるから、本件発明１の「砥粒」に相当する。 ｃ 甲２発明の「水」は、本件発明１の「分散媒」に相当する。 ｄ 甲２発明の「１種以上の塩基」を含むこと、及び「塩基は、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、及びアルカリ金属重炭酸塩からなる群より選ばれる」ことは、アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物を含む点で、本件発明１の「アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物」を含むことに相当する。 ｅ 甲２発明の「ｐＨが８～１２で」あることは、本件発明１の「ｐＨが８以上である」ことに相当する。 ｆ 甲２発明の「ケミカルメカニカル研磨組成物」は、「シリカ」、「水」、「塩基」を含む点で、本件発明１の「研磨用組成物」と一致する。 ｇ 本件発明１は「前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下で」あるのに対し、甲２発明は、「シリカとしてFuso PL2シリカ粒子を用い、」上記（１）ウの甲４の記載及び同エの甲５の記載によれば、その平均二次粒子径は５０ｎｍであるから、そのような構成を有さない点で相違する。 ｈ 本件発明１が「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含ま」ないのに対し、甲２発明は、そのような特定がされていない点で相違する。 ｉ 本件発明１が「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない」のに対し、甲２発明は、「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド」を含む点で相違する。 ｊ 上記ａ～ｉより、本件発明１と甲２発明とは、次の点で一致し、相違する。 ＜一致点＞ 「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物であって、 砥粒と、 分散媒と、 アルカリ金属の水酸化物、無機酸のアルカリ金属塩、無機酸のアンモニウム塩、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、およびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種のアルカリ化合物と、 を含み、ｐＨが８以上である、 研磨用組成物。」 ＜相違点４＞ 本件発明１は「前記砥粒の平均二次粒子径は２００ｎｍ超５００ｎｍ以下で」あるのに対し、甲２発明は、そのような構成を有さない点。 ＜相違点５＞ 本件発明１が「Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｐ＋Ｘ－、Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｓ＋Ｘ－、イミダゾリウム塩、およびピリジニウム塩、ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４のそれぞれは独立してＣ１～Ｃ６アルキル、Ｃ７～Ｃ１２アリールアルキル、またはＣ６～Ｃ１０アリールであり、Ｘ－はアニオンである、をいずれも含ま」ないのに対し、甲２発明は、そのような特定がされていない点。 ＜相違点６＞ 本件発明１が「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン、およびキサンタンガムをいずれも含まない」のに対し、甲２発明は、「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド」を含む点。 （イ）相違点についての判断 事案に鑑み、相違点６から検討する。 ａ 相違点６に係る本件発明１の構成は、甲２発明が含む成分を含まないことであるから、相違点は、実質的なものである。 ｂ また、上記（１）イ（ア）によれば、甲２の段落０００４には、「高い除去速度、低い粒子欠陥性及び低い曇り性を示す、改良されたケミカルメカニカル研磨組成物が当該技術分野において必要とされている。」と記載され、高い除去速度、低い粒子欠陥性及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供することは、甲２における課題であるといえる。 ｃ さらに、上記（１）イ（ア）によれば、甲２の段落００２２には、「本発明の研磨組成物はポリサッカリドとの組み合わせで速度向上剤を含む。」「ポリサッカリド」「は高速除去性、低い粒子欠陥及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供することができる。」と記載され、甲２発明において「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド」を含むことは、「高速除去性、低い粒子欠陥及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供する」ためであるといえる。 ｄ 上記ｂ及びｃによれば、高速除去性、低い粒子欠陥及び低い曇り性を示すケミカルメカニカル研磨組成物を提供することは、甲２発明が解決すべき課題であるといえ、甲２発明から「ヒドロキシアルキルセルロース、カラギーナン及びキサンタンガムからなる群より選ばれる１種以上のポリサッカリド」を除くことは、上記課題に反することになり、阻害要因を有する。 ｅ したがって、甲２発明を相違点６に係る本件発明１の構成を備えたものとすることは、他の甲号証の記載にかかわらず、当業者が容易になし得たことではない。 （ウ）本件発明１についてのまとめ 上記（イ）によれば、相違点４及び５について判断するまでもなく、本件発明１は、甲２発明ではなく、また、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。そのことは、他の甲号証の記載によっても左右されない。 イ 本件発明２～３、５～７、９～１１について 本件特許の請求項２～３、５～７、９～１１は請求項１を引用するものであり、本件発明２～３、５～７、９～１１は、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を追加して限定したものであるから、上記アに示した本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２～３、５～７、９～１１は、甲２発明ではなく、また、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。そのことは、他の甲号証の記載によっても左右されない。 （４）取消理由１（新規性）及び取消理由２（進歩性）についてのまとめ 以上のとおりであるから、本件特許の請求項１～３、５～１１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものではなく、また、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでもない。 ２ 取消理由３（サポート要件）について 本件訂正により、本件発明１は、「不純物がドープされた非晶質シリコン」「を含む研磨対象物を研磨するために用いられる」ものを含まず、「不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる」ものとなった。 したがって、本件明細書等の発明の詳細な説明に実施例として記載された、不純物がドープされた多結晶シリコンを含む研磨対象物を研磨するために用いられる研磨用組成物を、本件発明１の範囲にまで拡張ないし一般化することはできないという取消理由は解消した。 よって、本件特許の請求項１に係る特許と、同項を引用する請求項２、３、５～１１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定するサポート要件を満たさない特許出願に対してされたものであるということはできない。 第８ むすび 以上のとおりであるから、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。 そして、当審において通知した取消理由によっては、特許７２５０５３０号の請求項１～３、５～１１に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に特許７２５０５３０号の請求項１～３、５～１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 さらに、本件訂正前の請求項４は、上記のとおり削除されたから、申立人による請求項４に係る特許異議の申立てはその対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する特許法第１３５条の規定により却下する。 よって、結論のとおり決定する。