2024-700604

特許第７４０４６６５号発明「フリップチップパッケージ、フリップチップパッケージ基板およびフリップチップパッケージの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７４０４６６５号の明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３、４〕、２について訂正することを認める。 特許第７４０４６６５号の請求項１～４に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７４０４６６５号の請求項１～４に係る特許（以下、「本件特許」ともいう。）についての出願は、令和元年６月７日の出願であって、令和５年１２月１８日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２６日に特許掲載公報が発行された。 その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和６年 ６月２５日：特許異議申立人 藤江 桂子（以下、「申立人」という。）による請求項１～４に係る特許に対する特許異議の申立て 令和６年 ８月２８日付け：取消理由通知 同年１０月 ９日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年１１月１９日 ：申立人による意見書の提出 同年１２月２５日付け：訂正拒絶理由通知 令和７年 １月２９日 ：特許権者による意見書及び手続補正書の提出 同年 ３月 ５日付け：取消理由通知（決定の予告） 同年 ４月２１日 ：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出 同年 ６月１０日 ：申立人による意見書の提出 なお、令和６年１０月９日に特許権者によりされた訂正の請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 令和７年４月２１日にされた訂正請求（以下、「本件訂正請求」といい、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）による訂正の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため合議体が付与した。）。 （１）訂正事項１ 請求項１に 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージにおいて、 第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられており、 半導体チップのうち少なくとも２つは、第一の配線基板と第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されており、 第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さく、 第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えており、 第一の配線基板と第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる ことを特徴とするフリップチップパッケージ。」と記載されているのを、 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージにおいて、 第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられており、 半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されており、 前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さく、 前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えており、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる ことを特徴とするフリップチップパッケージ。」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項３、４も同様に訂正する。）。 （２）訂正事項２ 請求項３に 「請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最上部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 支持基板から多層配線積層体を剥離し、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定する工程と、 前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。」と記載されているのを、 「請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 前記フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 前記接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最上部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 前記支持基板から前記多層配線積層体を剥離し、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。」に訂正する。 （３）訂正事項３ 請求項４に 「請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最下部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 支持基板上に形成された多層配線積層体を、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定した後、支持基板を剥離する工程と、 前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。」と記載されているのを、 「請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 前記フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 前記接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最下部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 前記支持基板上に形成された多層配線積層体を、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定した後、前記支持基板を剥離する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。」に訂正する。 （４）訂正事項４ 請求項２に 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であって、 多層配線積層体からなる、第一の配線基板と第二の配線基板を備えており、 第一の配線基板は、一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えており、 第二の配線基板は、一方の面のみに接続パッドを備え、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う、前記パッドを上面にして第一の配線基板上に備えられており、 第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であり、 第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている ことを特徴とするフリップチップパッケージ基板。」と記載されているのを、 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であって、 多層配線積層体からなる、第一の配線基板と第二の配線基板を備えており、 前記第一の配線基板は、一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えており、 前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、 前記第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であり、 前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される ことを特徴とするフリップチップパッケージ基板。」に訂正する。 （５）訂正事項５ 明細書の【００５１】に「１１・・・（第二の配線基板と接続する）パッド」と記載されているのを、「１１・・・（半導体チップと接続する）パッド」に訂正する。 ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否 （１）訂正事項１ 訂正事項１による訂正は、訂正前の請求項１において、「前記」が記載されていなかった構成について「前記」を付し、対応関係を明瞭にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （２）訂正事項２ ア 訂正前の請求項３には、「前記第二の配線基板を製造する工程」について、「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程」が記載されていたが、この工程は、「前記第二の配線基板を製造する工程」には該当しないから、訂正前の請求項３の記載は不明確であったところ、訂正事項２による訂正は、「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、」を削除し、請求項３の記載を明瞭にするものである。 また、訂正事項２による訂正は、訂正前の請求項３において、「前記」が記載されている箇所と記載されていない箇所があり、対応関係が不明瞭な箇所があったため、「前記」が記載されていなかった構成について「前記」を付し、対応関係を明瞭にするものである。 したがって、訂正事項２による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 申立人の主張について 申立人は、令和６年１１月１９日提出の意見書５ページ５～１０行において、訂正事項２は、訂正前の請求項３における「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、」を削除しようとしているが、特許請求の範囲を拡張しているから、訂正の目的（（１）特許請求の範囲の減縮、（２）誤記又は誤訳の訂正、（３）明瞭でない記載の釈明、（４）請求項間の引用関係の解消）に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものである旨主張している。 しかし、上記アで検討したとおり、訂正事項２による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、申立人の上記主張は採用できない。 （３）訂正事項３ ア 訂正前の請求項４には、「前記第二の配線基板を製造する工程」について、「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程」が記載されていたが、この工程は、「前記第二の配線基板を製造する工程」には該当しないから、訂正前の請求項４の記載は不明確であったところ、訂正事項３による訂正は、「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、」を削除し、請求項４の記載を明瞭にするものである。 また、訂正事項３による訂正は、訂正前の請求項４において、「前記」が記載されている箇所と記載されていない箇所があり、対応関係が不明瞭な箇所があったため、「前記」が記載されていなかった構成について「前記」を付し、対応関係を明瞭にするものである。 したがって、訂正事項３による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 申立人の主張について 申立人は、令和６年１１月１９日提出の意見書５ページ下から７行～２行において、訂正事項３は、訂正前の請求項４における「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、」を削除しようとしているが、特許請求の範囲を拡張しているから、訂正の目的（（１）特許請求の範囲の減縮、（２）誤記又は誤訳の訂正、（３）明瞭でない記載の釈明、（４）請求項間の引用関係の解消）に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものである旨主張している。 しかし、上記アで検討したとおり、訂正事項３による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、申立人の上記主張は採用できない。 （４）訂正事項４ ア（ア）訂正事項４による訂正は、訂正前の請求項２において、「パッド」にのみ「前記」が記載され、他の構成には「前記」が記載されていないため対応関係が不明瞭であり、さらに、「前記パッド」は、「プリント配線基板との接続を行うパッド」、「半導体チップとの接続を行うパッド」、「接続パッド」のいずれのパッドを指すのか不明確であったのを、「前記」が記載されていなかった構成について「前記」を付し、対応関係を明瞭にするとともに、「一方の面のみに接続パッドを備え、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う、前記パッドを上面にして」との記載を、「一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、」と訂正し、「前記パッド」が、「半導体チップとの接続を行う接続パッド」であることを明確にするものであり、このことは、本件明細書等の【００１１】及び【００２８】の記載に基づくものであるといえる。 （イ）また、訂正事項４による訂正は、「第二の配線基板」について、「前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面」に備えられていることを限定したものであり、このことは、本件明細書等の【００２７】、【００２８】、【００３６】、【００３７】及び【図１】、【図２】（ｄ）、（ｅ）の記載に基づくものであるといえる。 （ウ）さらに、訂正前の請求項２に係る発明は、「フリップパッケージ基板」の発明であるものの、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」という「フリップパッケージ基板」以外の構成を含んでいるため不明確であったところ、訂正事項４による訂正は、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」との記載を「第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」と訂正し、フリップパッケージ基板以外の構成を含まないことを明確にするものである。 （エ）したがって、訂正事項４による訂正は、特許請求の範囲の減縮、及び、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 イ 申立人の主張 （ア）半導体チップとの接続関係について（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。） ａ 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の６ページ７行～７ページ４行において、訂正事項４における「前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、」との特定の「前記半導体チップ」における「前記」は、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」を指すものと解されるが、当該「２つの半導体チップ」における「半導体チップ」には「前記」が付されていないから、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」とは異なる半導体チップを指すものと解され（訂正請求により必要な箇所には「前記」が付されたが、「２つの半導体チップ」には「前記」が付されていない。）、第一の配線基板に「半導体チップ」が接続され、第二の配線基板に当該「半導体チップ」とは異なる他の「２つの半導体チップ」が接続されていることとなり、「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」とがどのような関係にあるのか不明確であるため、訂正事項４は、「特許請求の範囲の減縮」、「誤記又は誤訳の訂正」、「明瞭でない記載の釈明」、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」のいずれを目的とするものに該当しないし、また、「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」が異なることは、本件明細書等に記載されていないから、訂正事項４は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてする訂正ではない旨主張している。 ｂ 申立人が主張するとおり、訂正事項４における「前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、」との事項の「前記半導体チップ」における「前記」は、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」を指すものと解され、また、上記「２つの半導体チップ」の「半導体チップ」には、「前記」が付されていない。 そして、訂正後の請求項２には、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」の関係が記載されていない。 そこで、本件明細書等の記載を参照するに、本件明細書等には、以下の記載がある。 「【００２５】 ＜フリップチップパッケージ基板＞ 本発明のフリップチップパッケージ基板は、図１に例示した様な、２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージ４０に使用するフリップチップパッケージ基板３０（図２（ｄ）および図３（ｄ）参照）である。 【００２６】 本発明のフリップチップパッケージ基板３０は、多層配線積層体からなる、第一の配線基板３と第二の配線基板５を備えている。 【００２７】 第一の配線基板３は、一方の面に、狭ピッチな微細配線では無いマザーボードの様なプリント配線基板との接続を行うパッド４を備え、もう一方の面に、狭ピッチなパッドを備えた半導体チップ６、７との接続を行うパッド１１を備えている。 【００２８】 第二の配線基板５は、少なくとも２つの半導体チップ６、７との接続を行うパッド１７を備えた面を上面にして第一の配線基板３上に備えられている。 【００２９】 第二の配線基板５により、少なくとも２つ半導体チップ６、７間が接続可能となることが特徴である。」 「【図１】 ［図：0001429987000001.jpg］ 【図２】 ［図：0001429987000002.jpg］ 」 ｃ 上記ｂの本件明細書等の記載によれば、第一の配線基板３は、半導体チップ６、７との接続を行うパッド１１を備え、第二の配線基板５は、少なくとも２つの半導体チップ６、７との接続を行うパッド１７を備えるものであるから、第一の配線基板３が備えるパッド１１、及び、第二の配線基板５が備えるパッド１７には、いずれも２つの半導体チップ６、７が接続されるものであるといえる。 ここで、訂正事項４には、「前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え」と特定されているから、「２つの半導体チップ」は、第二の配線基板の接続パッドと接続されるものである。 そうすると、訂正事項４において、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と、第二の配線基板の接続パッドと接続される「２つの半導体チップ」とは、同じ「半導体チップ」であるといえる。 したがって、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」との関係は明確である。 （イ）「面に」について ａ 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の７ページ６行～１４行において、訂正事項４による訂正は、「第二の配線基板は、・・・第一の配線基板上に備えられており」を「前記第二の配線基板は、・・・前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、」と特定し、第一の配線基板の「基板上に」から「基板の・・・面に」に変更しようとしているが、第二の配線基板が第一の配線基板の「上に」あるという限定を削除するものであり、例えば、甲第２号証（特開２０１４－１４００２２号公報）のように、第二の配線基板が第一の配線基板の面内に埋め込まれて載っている態様をも包含することとなり、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものではなく、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものである旨主張している。 ｂ（ａ）しかし、訂正前の請求項２の「基板上に」は、「基板の面に」と「基板の上方に」との両方の意味を含んでおり、訂正事項４による訂正は、「基板上に」を「基板の面に」と限定するものである。 （ｂ）また、訂正事項４の「前記第二の配線基板」は、「前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられて」いるものであるから、「第一の配線基板」の「前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面」と、「第一配線基板」の「第二の配線基板」を備えている面とは、同じ面である。 一方、甲第２号証の【００２５】には、「有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置され」と記載されており、同【図３】を参酌すると、有機ブリッジは、基板３０２の凹部の底面に備えられるものであって、基板３０２のダイ３１８、３１９との接続を行う接点３０６を備えている面には備えられていない。 したがって、訂正事項４は、第二の配線基板が第一の配線基板の面内に埋め込まれて載っている態様を包含するものではない。 （ウ）「接続される」について ａ 申立人は、令和６年１１月１９日提出の意見書の６ページ下から９行～最下行において、訂正事項４は、訂正前の請求項２における「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」を「第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」と変更しようとしているが、その意味は変わっておらず、訂正の目的（（１）特許請求の範囲の減縮、（２）誤記又は誤訳の訂正、（３）明瞭でない記載の釈明、（４）請求項間の引用関係の解消） に該当せず、仮に、当該訂正事項４により「第二の配線基板により半導体チップ間が接続される可能性がある」という意味に変更しようとしているのであれば、明らかに発明特定事項を実質的に削除しようとするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものである旨主張している。 ｂ しかし、上記ア（ウ）、（エ）で検討したとおり、訂正前の請求項２に係る発明は、「フリップパッケージ基板」の発明であるものの、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」という「フリップパッケージ基板」以外の構成を含んでいるため不明確であったところ、訂正事項４による訂正は、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」との記載を「第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」と訂正し、フリップパッケージ基板以外の構成を含まないことを明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 （エ）以上から、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 （５）訂正事項５ 訂正事項５による訂正は、本件明細書等の【００５１】に記載された符号１１の説明の「（第二の配線基板と接続する）パッド」との記載を「（半導体チップと接続する）パッド」とし、本件明細書等の【００２０】、【００２２】及び【図１】の記載との整合させるための記載であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、３、４〕、２について訂正することを認める。 第３ 訂正後の請求項１～４に係る発明 本件訂正請求により訂正された請求項１～４に係る発明（以下、「本件発明１」～「本件発明４」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～４に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 ２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージにおいて、 第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられており、 半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されており、 前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さく、 前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えており、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる ことを特徴とするフリップチップパッケージ。 【請求項２】 ２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であって、 多層配線積層体からなる、第一の配線基板と第二の配線基板を備えており、 前記第一の配線基板は、一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えており、 前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、 前記第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であり、 前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される ことを特徴とするフリップチップパッケージ基板。 【請求項３】 請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 前記フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 前記接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最上部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 前記支持基板から前記多層配線積層体を剥離し、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。 【請求項４】 請求項１に記載のフリップチップパッケージの製造方法であって、 前記第二の配線基板を製造する工程と、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板とを接続することでフリップチップパッケージ基板を製造する工程と、 前記フリップチップパッケージ基板に接続用突起を形成する工程と、 前記接続用突起を形成したフリップチップパッケージ基板に半導体チップを実装する工程と、を備えており、 前記第二の配線基板を製造する工程は、 支持基板上に剥離層を形成した後、ビルドアップ工法により、最下部にパッドが配置される様に多層配線積層体を形成する工程と、 前記支持基板上に形成された多層配線積層体を、前記第一の配線基板の所定の位置に配置し固定した後、前記支持基板を剥離する工程と、 を備えていることを特徴とするフリップチップパッケージの製造方法。」 第４ 申立理由の概要 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第４号証（以下、「甲１」～「甲４」という。）を提出し、以下の理由により、請求項１～４に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 １ 申立理由１（新規性） 請求項１、２に係る発明は、甲１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１、２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ２ 申立理由２－１（進歩性） 請求項１～４に係る発明は、甲１に記載された発明及び周知技術（甲２～甲４）に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ３ 申立理由２－２（進歩性） 請求項１～４に係る発明は、甲２に記載された発明及び周知技術（甲１、甲３、甲４）に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ４ 申立理由３（サポート要件） 請求項１～４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１～４に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ５ 申立理由４（明確性要件） 請求項１～４に係る発明は、特許請求の範囲の記載が明確でないから、請求項１～４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ［証拠方法］ 甲１：国際公開第２０１７／１３８１２１号 甲２：特開２０１４－１４００２２号公報 甲３：特開２００４－１４６６０２号公報 甲４：国際公開第２０１８／０４７８６１号 第５ 取消理由の概要 １ 当審において、令和６年８月２８日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。 （１）取消理由１（明確性要件） 請求項１～４に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 ア 本件発明２は、「フリップチップパッケージ基板」の発明であるものの、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」という、「フリップチップパッケージ基板」以外の構成を有しているから明確でない（以下、「取消理由１－１」という。）。 なお、申立人は、特許異議申立書６５ページ２～５行において同旨の主張をしている。 イ 本件発明３、４は、「前記第二の配線基板を製造する工程は、・・・前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、を備えている」ものであるが、「半導体チップ」と「第二の配線基板」とは別の構成であり、「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程」は、「前記第二の配線基板を製造する工程」には該当しないから、本件発明３、４は明確でない（以下、「取消理由１－２」という。）。 なお、申立人は、特許異議申立書６５ページ７～１４行において同旨の主張をしている。 ウ（ア）本件発明１には、「第二の配線基板」の一箇所にのみ「前記」が付されているものの、他の構成には「前記」は付されていないから、対応関係が不明瞭である。 また、本件発明３、４についても、「前記」が付されている箇所と付されていない箇所があり、同様に対応関係が不明瞭である（以下、「取消理由１－３」という。）。 なお、申立人は、特許異議申立書６５ページ１６～２５行において同旨の主張をしている。 （イ）本件発明２には、「パッド」にのみ「前記」が付されているものの、他の構成には「前記」は付されていないから、対応関係が不明瞭である。 なお、申立人は、特許異議申立書６５ページ１６～１７行において同旨の主張をしている。 また、本件発明２に特定されている「前記パッド」は、「プリント配線基板との接続を行うパッド」、「半導体チップとの接続を行うパッド」、「接続パッド」のいずれの「パッド」を指すのか不明瞭である（以下、「取消理由１－４」という。）。 ２ 当審において、令和７年３月５日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。 （１）取消理由２（明確性要件） 請求項２に係る特許は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 記 ア 本件発明２は、「フリップチップパッケージ基板」の発明であるものの、「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」という、「フリップチップパッケージ基板」以外の構成を有しているから明確でない。 なお、この取消理由は、上記１（１）アの取消理由１－１と同じ内容であるから、以下、まとめて「取消理由１－１」という。） イ 本件発明２には、「パッド」にのみ「前記」が付されているものの、他の構成には「前記」は付されていないから、対応関係が不明瞭である。 また、本件発明２に特定されている「前記パッド」は、「プリント配線基板との接続を行うパッド」、「半導体チップとの接続を行うパッド」、「接続パッド」のいずれの「パッド」を指すのか不明瞭である。 なお、この取消理由は、上記１（１）ウ（イ）の取消理由１－４と同じ内容であるから、以下、まとめて「取消理由１－４」という。） 第６ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明等 １ 甲１（国際公開第２０１７／１３８１２１号） （１）甲１には、以下の記載がある。 「［技術分野］ ［0001］ 本発明は、半導体装置に関し、例えば、半導体チップなどの複数の半導体部品が配線部材を介して互いに電気的に接続された半導体装置に適用して有効な技術に関する。」 「［0025］ 図１に示す半導体装置ＰＫＧ１および半導体装置ＰＫＧｈ１（図２８参照）のそれぞれは、パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０および半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０（図２８ではインタポーザ４０ｈ）と、を有している。インタポーザ（ブリッジチップ）４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材である。 ・・・ ［0038］ ここで、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する方法として、図２８に示す半導体装置ＰＫＧｈ１のように、配線基板１０上にインタポーザ４０ｈを搭載し、インタポーザ４０ｈ上に半導体部品２０と半導体部品３０とを搭載する方法が考えられる。半導体装置ＰＫＧｈ１の場合、半導体部品２０および半導体部品３０の全体がインタポーザ４０ｈに搭載されている。言い換えれば、半導体装置ＰＫＧｈ１が有する半導体部品２０および半導体部品３０のそれぞれは、インタポーザ４０ｈを介して配線基板１０と電気的に接続されている。 ［0039］ このため、半導体装置ＰＫＧｈ１の場合、シリアル通信方式で信号ＳＧ１が伝送される信号伝送経路Ｌｓｇ１の一部分は、インタポーザ４０ｈを通過する。インタポーザ４０ｈは、パラレル通信方式で信号ＳＧ２が伝送される信号伝送経路Ｌｓｇ２が形成される配線部材である。このため、インタポーザ４０ｈでは、配線基板１０と比較して断面積が小さい微細な配線が高密度で配置されている。言い換えれば、インタポーザ４０ｈの配線設計において適用される設計ルールは、配線基板１０の配線設計において適用される設計ルールと比較して、配線の厚さ、配線幅、および隣り合う配線間距離の設計基準値が小さい。例えば、図２８に示す例では、信号伝送経路Ｌｓｇ１の一部を構成する半導体部品２０の端子ＰＤ１に接続されるバンプ電極ＢＰｈ１の体積は、図１に示すバンプ電極（導電性部材）ＢＰ１の体積より小さく、バンプ電極（導電性部材）ＢＰ２やバンプ電極（導電性部材）ＢＰ３と同程度の体積である。 ・・・ ［0068］ 図２や図４に示す例では、半導体部品２０および半導体部品３０は、例えばシリコンなどの半導体材料から成る半導体基板、半導体基板の主面に形成された複数の半導体素子、半導体基板の主面上に積層された配線層、および配線層を介して複数の半導体素子と電気的に接続されている複数の端子を備える半導体チップである。・・・ ・・・ ［0078］ 図４に示す例では、互いに対向するように配置されている半導体部品２０の端子２１と配線基板１０のボンディングパッド１６とは、バンプ電極５１を介して電気的に接続されている。また、互いに対向するように配置されている半導体部品の端子３１と配線基板１０のボンディングパッド１６とは、バンプ電極５２を介して電気的に接続されている。このように互いに対向した端子間を、バンプ電極を介して電気的に接続する方法をフリップチップ接続方式と呼ぶ。 ［0079］ また、図４に示すように、半導体部品２０とインタポーザ４０、および半導体部品３０とインタポーザ４０のそれぞれは、複数のバンプ電極（導電性部材）５３を介して電気的に接続されている。複数のバンプ電極５３のそれぞれは、インタポーザ４０と、半導体部品２０または半導体部品３０を電気的に接続する導電性部材であって、インタポーザ４０と半導体部品２０の間、およびインタポーザ４０と半導体部品３０の間に、それぞれ配置されている。複数のバンプ電極５３には、図１に示す端子ＰＤ２に接続されるバンプ電極ＢＰ２が含まれる。また、複数のバンプ電極５３には、図１に示す端子ＰＤ３に接続されるバンプ電極ＢＰ３が含まれる。また、複数のバンプ電極５３には、図１に示す端子ＰＤ５に接続されるバンプ電極ＢＰ５が含まれる。また、バンプ電極５３は、半田ボール、あるいは柱状に形成された金属部材である。 ［0080］ 本実施の形態では、半導体部品２０とインタポーザ４０、および半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続さている。すなわち、図５に示すように、互いに対向するように配置されている半導体部品２０の端子２２とインタポーザ４０のボンディングパッド（端子、中継基板端子）４１とは、バンプ電極５３を介して電気的に接続されている。また、図６に示すように、互いに対向するように配置されている半導体部品の端子３２とインタポーザ４０のボンディングパッド（端子、中継基板端子）４２とは、バンプ電極５３を介して電気的に接続されている。なお、インタポーザ４０が有する複数のボンディングパッド（端子、中継基板端子）のうち、図５に示すように半導体部品２０と厚さ方向に重なる位置に配置されるものをボンディングパッド４１と呼び、図６に示すように、半導体部品３０と厚さ方向に重なる位置に配置されるものをボンディングパッド４２と呼ぶ。 ［0081］ また、図５に示すボンディングパッド４１と図６に示すボンディングパッド４２とは、インタポーザ４０が有する配線４３を介して互いに電気的に接続されている。つまり、図４に示す半導体部品２０と半導体部品３０は、インタポーザ４０の配線４３を介して電気的に接続されている。 ［0082］ また、本実施の形態では、厚さ方向（すなわち、配線基板１０の上面１０ｔに直交するＺ方向）において、インタポーザ４０は、半導体部品２０と配線基板１０との間に位置する部分、および半導体部品３０と配線基板１０との間に位置する部分を有している。また、図５に示すように、インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されている。このように、半導体部品２０、３０と配線基板１０との間にインタポーザ４０の一部分が配置されている場合、バンプ電極５３の高さ（図４に示すＺ方向の長さ）は、バンプ電極５１およびバンプ電極５２の高さ（図４に示すＺ方向の長さ）より小さい。例えば、バンプ電極５１およびバンプ電極５２のそれぞれの高さ（厚さ）は、１００μｍ程度である。一方、複数のバンプ電極５３のそれぞれの高さ（厚さ）は、３０μｍ程度である。 ・・・ ［0092］ 図４に示す配線基板１０は、積層された複数の配線層を備える、所謂、多層配線基板である。図４に示す例では、配線基板１０は上面１０ｔ側から順に、配線層Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７、および配線層Ｌ８の合計８層の配線層を備える。複数の配線層のそれぞれは、配線１３などの導体パターンを有し、隣り合う導体パターンは、絶縁層１４により覆われている。ただし、配線基板１０が備える配線層の数は、図４に示す例に限定されず、例えば、８層よりも少なくても良いし、８層よりも多くても良い。 ・・・ ［0094］ また、配線基板１０は、各配線層の間に設けられ、積層された配線層を厚さ方向に接続する層間導電路であるビア配線１５ＶＷ、およびコア層１４ｃを厚さ方向に貫通する導電路であるスルーホール配線１５ＴＷを有する。変形例として上記したようにコアレス基板を用いる場合には、スルーホール配線１５ＴＷは有していなくても良い。また、配線基板１０の上面１０ｔには、複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６が形成されている。 ・・・ ［0096］ また、配線基板１０の下面１０ｂには、複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２が形成されている。複数のランド１２のそれぞれには、半田ボール１１が接続されており、図１に示す実装基板ＭＢ１と半導体装置ＰＫＧ１とは、図４に示す半田ボール１１を介して電気的に接続される。すなわち、複数の半田ボール１１は、半導体装置ＰＫＧ１の外部接続端子として機能する。 ・・・ ［0118］ ＜インタポーザ＞ 図４に示すように、インタポーザ４０は、半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１（図５参照）および半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２（図６参照）が配置された上面（面、中継端子配置面）４０ｔ、上面４０ｔとは反対側の下面（面、裏面）４０ｂ、および上面４０ｔと下面４０ｂの間に配置された側面４０ｓ（図５および図６参照）を有する。また、インタポーザ４０は、図２および図８に示すように平面視において四角形の外形形状を成す。 ［0119］ 図５および図６に示すように、インタポーザ４０は、主面４４ｔを有する半導体基板（基材）４４と、主面４４ｔと上面４０ｔとの間に配置された複数の配線層とを有する。図５および図６に示す例では、インタポーザ４０は上面４０ｔ側から順に、配線層Ｍ１、Ｍ２、および配線層Ｍ３の合計３層の配線層を備える。ただし、インタポーザ４０が備える配線層の数は、図５に示す例に限定されず、例えば、３層よりも少なくても良いし、３層より多くても良い。 ［0120］ 複数の配線層のそれぞれは、配線４３などの複数の導体パターンを有し、導体パターンのそれぞれは、複数の配線間、および隣り合う配線層間を絶縁する絶縁層４５により覆われている。絶縁層４５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ）などの半導体材料の酸化物から成る、無機絶縁層である。また、複数の配線層のうち、最上層（上面４０ｔに最も近い層）に設けられた配線層Ｍ１には、複数のボンディングパッド４１（図５参照）および複数のボンディングパッド４２（図６参照）が配置されている。配線層Ｍ１は、絶縁層４５上に設けられ、保護絶縁膜であるパッシベーション膜４６に覆われている。」 「 ［図：0001429987000003.jpg］ ［図：0001429987000004.jpg］ ［図：0001429987000005.jpg］ ［図：0001429987000006.jpg］ ［図：0001429987000007.jpg］ 」 （２）甲１に記載された発明 ア 上記（１）の［0025］には、「半導体装置ＰＫＧ１および半導体装置ＰＫＧｈ１（図２８参照）のそれぞれは、パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０および半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０（図２８ではインタポーザ４０ｈ）と、を有している。インタポーザ（ブリッジチップ）４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材である」と記載されているから、半導体装置ＰＫＧ１は、パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０及び半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０と、を有しているものであり、また、インタポーザ４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材である。 また、パッケージ基板である配線基板１０は、半導体部品２０及び半導体部品３０を搭載する半導体装置ＰＫＧ１に使用するものであるといえる。 イ 上記（１）の［0038］には、「配線基板１０上にインタポーザ４０ｈを搭載し、インタポーザ４０ｈ上に半導体部品２０と半導体部品３０とを搭載する」と記載されているから、配線基板１０上にインタポーザ４０ｈが搭載され、インタポーザ４０ｈ上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載されているといえる。 ウ 上記（１）の［0039］には、「インタポーザ４０ｈの配線設計において適用される設計ルールは、配線基板１０の配線設計において適用される設計ルールと比較して、配線の厚さ、配線幅、および隣り合う配線間距離の設計基準値が小さい」と記載されている。 なお、上記「インタポーザ４０ｈ」は、上記アの［0025］の「インタポーザ４０（図２８ではインタポーザ４０ｈ）」との記載から、「インタポーザ４０」と同じものであるといえるから、以下、「インタポーザ４０」と記載する。 エ 上記（１）の［0068］には、「半導体部品２０および半導体部品３０は、・・・半導体チップである」と記載されている。 オ 上記（１）の［0078］には、「図４に示す例では、互いに対向するように配置されている半導体部品２０の端子２１と配線基板１０のボンディングパッド１６とは、バンプ電極５１を介して電気的に接続されている。また、互いに対向するように配置されている半導体部品の端子３１と配線基板１０のボンディングパッド１６とは、バンプ電極５２を介して電気的に接続されている。このように互いに対向した端子間を、バンプ電極を介して電気的に接続する方法をフリップチップ接続方式と呼ぶ」と記載され、同［図４］から、半導体部品３０の端子３１が見て取れるから、半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続されているといえる。 また、配線基板１０には、半導体部品２０及び半導体部品３０がフリップチップ接続方式により電気的に接続されるものであるといえる。 カ 上記（１）の［0079］には、「また、図４に示すように、半導体部品２０とインタポーザ４０、および半導体部品３０とインタポーザ４０のそれぞれは、複数のバンプ電極（導電性部材）５３を介して電気的に接続されている。」と記載されている。 キ 上記（１）の［0080］には、「半導体部品２０とインタポーザ４０、および半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続さている」と記載されている。 ク 上記（１）の［0082］には、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されている。このように、半導体部品２０、３０と配線基板１０との間にインタポーザ４０の一部分が配置されている場合、バンプ電極５３の高さ（図４に示すＺ方向の長さ）は、バンプ電極５１およびバンプ電極５２の高さ（図４に示すＺ方向の長さ）より小さい。例えば、バンプ電極５１およびバンプ電極５２のそれぞれの高さ（厚さ）は、１００μｍ程度である。一方、複数のバンプ電極５３のそれぞれの高さ（厚さ）は、３０μｍ程度である」と記載されているから、インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置され、バンプ電極５３の高さは、バンプ電極５１及びバンプ電極５２の高さより小さく、バンプ電極５１及びバンプ電極５２のそれぞれの高さ（厚さ）は、１００μｍ程度である一方、複数のバンプ電極５３のそれぞれの高さ（厚さ）は、３０μｍ程度であるといえる。 ケ 上記（１）の［0092］には、「配線基板１０は、積層された複数の配線層を備える、所謂、多層配線基板である」と記載されている。 コ 上記（１）の［0094］には、「配線基板１０の上面１０ｔには、複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６が形成されている」と記載されている。 サ 上記（１）の［0096］には、「配線基板１０の下面１０ｂには、複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２が形成されている。複数のランド１２のそれぞれには、半田ボール１１が接続されており、図１に示す実装基板ＭＢ１と半導体装置ＰＫＧ１とは、図４に示す半田ボール１１を介して電気的に接続される。」と記載されているから、配線基板１０は、下面１０ｂに、半田ボール１１を介して実装基板ＭＢ１と電気的に接続される複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２が形成されているといえる。 シ 上記（１）の［0118］には、「図４に示すように、インタポーザ４０は、半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１（図５参照）および半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２（図６参照）が配置された上面（面、中継端子配置面）４０ｔ、上面４０ｔとは反対側の下面（面、裏面）４０ｂ、および上面４０ｔと下面４０ｂの間に配置された側面４０ｓ（図５および図６参照）を有する」と記載されており、［図４］から、インタポーザ４０の上面４０ｔとは反対側の下面（面、裏面）４０ｂ、及び上面４０ｔと下面４０ｂの間に配置された側面４０ｓには、ボンディングパッドは見て取れない。 そうすると、インタポーザ４０は、上面４０ｔのみに、半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１及び半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２を備えているといえる。 ス 上記（１）の［0119］には、「インタポーザ４０は、主面４４ｔを有する半導体基板（基材）４４と、主面４４ｔと上面４０ｔとの間に配置された複数の配線層とを有する」と記載され、［0120］には、「複数の配線層のそれぞれは、配線４３などの複数の導体パターンを有し、導体パターンのそれぞれは、複数の配線間、および隣り合う配線層間を絶縁する絶縁層４５により覆われている」と記載されているから、インタポーザ４０は、複数の配線層を有し、複数の配線層のそれぞれは、配線４３などの導体パターンを有し、導体パターンのそれぞれは、複数の配線間及び隣り合う配線間を絶縁する絶縁層４５により覆われているといえる。 セ 以上によれば、甲１には、以下の発明が記載されているといえる（なお、括弧内は、根拠となる項番である。）。 「パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０及び半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０と、を有している半導体装置ＰＫＧ１であって、（上記ア） インタポーザ４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材であり、（上記ア） 配線基板１０上にインタポーザ４０が搭載され、インタポーザ４０上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載され、（上記イ） インタポーザ４０の配線設計において適用される設計ルールは、配線基板１０の配線設計において適用される設計ルールと比較して、配線の厚さ、配線幅、及び隣り合う配線間距離の設計基準値が小さく、（上記ウ） 半導体部品２０及び半導体部品３０は、半導体チップであり、（上記エ） 半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、（上記オ） 半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０のそれぞれは、複数のバンプ電極５３を介して電気的に接続され、（上記カ） 半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続され、（上記キ） インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されており、バンプ電極５３の高さは、バンプ電極５１及びバンプ電極５２の高さより小さく、バンプ電極５１及びバンプ電極５２のそれぞれの高さ（厚さ）は、１００μｍ程度である一方、複数のバンプ電極５３のそれぞれの高さ（厚さ）は、３０μｍ程度であり、（上記ク） インタポーザ４０は、上面４０ｔのみに、半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１及び半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２を備え、（上記シ） インタポーザ４０は、複数の配線層を有し、複数の配線層のそれぞれは、配線４３などの導体パターンを有し、導体パターンのそれぞれは、複数の配線間及び隣り合う配線間を絶縁する絶縁層４５により覆われている（上記ス） 半導体装置ＰＫＧ１。」（以下、「甲１発明１」という。） 「半導体部品２０及び半導体部品３０を搭載する半導体装置ＰＫＧ１に使用する、パッケージ基板である配線基板１０であって、（上記ア） 半導体部品２０及び半導体部品３０は、半導体チップであり、（上記エ） 配線基板１０には、半導体部品２０及び半導体部品３０がフリップチップ接続方式により電気的に接続されるものであり（上記オ） 配線基板１０は、積層された複数の配線層を備える、いわゆる、多層配線基板であり、（上記ケ） 配線基板１０の上面１０ｔには、複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６が形成され、（上記コ） 配線基板１０は、下面１０ｂに、半田ボール１１を介して実装基板ＭＢ１と電気的に接続される複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２が形成されている（上記サ） 配線基板１０。」（以下、「甲１発明２」という。） （３）申立人の主張について ア 申立人は、特許異議申立書の２６ページ１～７行において、甲１には、「ｂ．配線基板１０の半導体部品２０、３０を搭載する側の面に」、「インタポーザ４０が備えられており、」との構成を有する甲１発明１が記載されている旨主張している。 イ しかし、上記（２）イで検討したとおり、甲１（上記（１））の［0038］の記載から、配線基板１０上にインタポーザ４０が搭載され、インタポーザ４０上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載されているものであり、上記（２）クで検討したとおり、甲１（上記（１））の［0082］の記載から、インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されているものである。 そうすると、甲１においては、配線基板１０の半導体部品２０と半導体部品３０とを搭載する側に、インタポーザ４０が備えられているものであり、配線基板１０の半導体部品２０と半導体部品３０とを搭載する側の面に、インタポーザ４０が備えられているものではない。 したがって、甲１には、「ｂ．配線基板１０の半導体部品２０、３０を搭載する側の面に」、「インタポーザ４０が備えられており、」との構成が記載されているとはいえない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 ２ 甲２（特開２０１４－１４００２２号公報） （１）甲２には、以下の記載がある。 「【技術分野】 【０００１】 実施形態は、集積回路（ＩＣ）ダイ、マルチチップパッケージおよびこれらに関連する方法に関する。より詳細には、実施形態は、高密度接続構造を有するダイを相互接続するために、有機パッケージ基板の有機ブリッジを使用することに関する。」 「【０００９】 図１は、ある実施形態に係る、一般的なマイクロエレクトロニクスの工程を示した図である。図に示すように、参照番号１００で示される工程は、基板製造工程１０２、ブリッジ製造工程１０４およびこれらのアセンブリ工程１０８から構成されており、これらの工程により、マルチチップパッケージ１１０のようなマイクロエレクトロニクスパッケージ／デバイスが製造される。 【００１０】 点線で示されているダイ製造工程１０６は、ダイを、アセンブリ工程１０８で基板上およびブリッジで組み立てることができ、または、後で別個の工程で組み立てることができることを意味している。ダイ製造工程１０６は、最終製品に組み込まれる所望のダイを製造できる任意の工程であってよい。本開示では重要でないことから、ダイ製造工程１０６について詳細に説明はしない。 ・・・ 【００１８】 有機ブリッジ２１４は、ロケーション２２０に配置された接続構造２１６、および、ロケーション２２２に配置された接続構造２１８を有する。接続構造２１６および接続構造２１８は、複数の接点、例えば、２０８で示されるような接点を含んでよい。接続構造２１６および２１８内の様々な接点が、導電経路によって接続される。図２には、導電経路の例が、２１０として示されている。様々な接点間の接続は、有機ブリッジ２１４によって接続されるダイに適切なようになっている。点線で示されているロケーション２２０および２２１は、有機ブリッジ２１４によって接続されたダイが配置される予定の場所である。 ・・・ 【００２１】 図３は、ある実施形態に係る、基板内に配置された有機ブリッジ２０２の断面図である。参照番号３００で示されているアセンブリは、基板３０２および有機ブリッジ３０４を備えてもよい。基板３０２は、図１の基板製造工程１０２で形成された基板のような、パッケージ基板３０２であってもよく、エポキシのような有機ポリマーで形成されてもよい。 【００２２】 基板３０２は、ダイ３１８および３１９を基板３０２に接続する、接点３０６を有する。接点３０６およびこれに連結された導電経路（図示せず）は、基板３０２の適切な設計規則に従ってもよい。一実施形態において、基板３０２の設計規則では、組み込み有機ブリッジ３０４の設計規則よりも大きな寸法（例えば、接点３０６の寸法）を可能とする。一例では、基板３０２は、約４０μｍの配線幅および約４０μｍの配線間隔の設計規則を使用して形成される。同様に、積層される層が存在する場合には、これらの層の厚みを、有機ブリッジ３０４を形成するのに使用される層の厚みよりも、大きくすることができる。 【００２３】 基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有する。基板３０２の誘電体層およびその他の層の厚み、ならびに、有機ブリッジ３０４の厚みに応じて、凹部を、最も外側の層または複数の外側の層にまで延在させる。このような凹部を、例えば、レーザスクライビングによって、基板３０２内に形成することができる。 【００２４】 有機ブリッジ３０４は、エポキシのような有機ポリマーで形成されてもよい。有機ブリッジ３０４の有機ポリマーは、基板３０２の有機ポリマーと同じであってもよいし、異なっていてもよい。有機ブリッジ３０４の様々な層の一部が、様々なパターンで示されているが、これは、図面上で周りの要素と区別して見えるようにするためである。 【００２５】 有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着される。有機ポリマーは、色素結合フィルム、エポキシ、または、有機ブリッジ３０４を基板３０２に十分接着できるその他の種類の有機ポリマーであってもよい。図３では、有機ブリッジ３０４を基板３０２へ接合する様子が、参照番号３０８で示されている。基板３０２および有機ブリッジ３０４は共に、有機ポリマーを含むので、欠け、クラックおよび剥離のような２つの異種の材料の界面で活性するような問題を最小にするような態様で、層３０８は、有機ブリッジ３０４を基板３０２に接合できる。 【００２６】 有機ブリッジ３０４は、図３では、層３１０、３１２、３１４および３１６として表されている。層３１０は、有機ブリッジ３０４の金属層であり、ブリッジ３０４の一部分とみなしてもよい。層３１４は、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層である。誘電体層３１２は、エポキシのような有機ポリマーであり、交互に配置された（interleaved）複数の誘電体層３１２を表している。層３１６は、パッド層であり、例えば、接続構造２０４を有機ブリッジ３０４の一部として形成可能な場所である。一実施形態では、有機ブリッジ３０４の設計規則は、約３μｍの配線幅および約３μｍの配線間隔を含む。別の実施形態では、有機ブリッジ３０４の設計規則は、一部の領域または一部の層では、約３μｍ未満の配線幅および配線間隔を使用し、ブリッジの別の領域および層ではこれよりも大きな配線幅および配線間隔を使用する（例えば、約１０μｍの配線幅および約１０μｍの配線間隔）。 ・・・ 【００２８】 一実施形態では、有機ブリッジ３０４は、基板３０２を有さず、約１５μｍの厚みを有する。別の実施形態では、有機ブリッジ３０４は、基板３０２を有さず、約２０μｍ未満の厚みを有する。別の実施形態では、有機ブリッジ３０４は、基板３０２を有さず、約３０μｍ未満の厚みを有する。有機ブリッジ３０４は基板３０２を有さないので、有機ブリッジ３０４が配置される凹部の外形に一致する傾向がある。このような実施形態では、基板３０２がないこと、および、有機ブリッジ３０４が薄いことにより、基板３０２の表面層の半田マスクキャビティに有機ブリッジ３０４を組み込むことが可能になり、超ファインピッチダイを直接、熱圧着ボンディングにより接続することが可能となる。」 「【図１】 ［図：0001429987000008.jpg］ 」 「【図３】 ［図：0001429987000009.jpg］ 」 （２）甲２に記載された発明 ア 上記（１）における【００２１】には、「参照番号３００で示されているアセンブリは、基板３０２および有機ブリッジ３０４を備えてもよい」と記載されているから、アセンブリ３００は、基板３０２及び有機ブリッジ３０４を備えるといえる。 イ 上記（１）の【００２２】には、「基板３０２は、ダイ３１８および３１９を基板３０２に接続する、接点３０６を有する。接点３０６およびこれに連結された導電経路（図示せず）は、基板３０２の適切な設計規則に従ってもよい」と記載されているから、基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有しており、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続されているといえる。 ウ 上記（１）の【００２２】には、「基板３０２は、約４０μｍの配線幅および約４０μｍの配線間隔の設計規則を使用して形成される」と記載され、同【００２６】には、「有機ブリッジ３０４の設計規則は、約３μｍの配線幅および約３μｍの配線間隔を含む」と記載されているから、基板３０２は、約４０μｍの配線幅及び約４０μｍの配線間隔であり、有機ブリッジ３０４の設計規則は、約３μｍの配線幅及び約３μｍの配線間隔であるといえる。 エ 上記（１）の【００２３】には、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有する」と記載され、同【００２５】には、「有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着される」と記載されているから、基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着されるものである。 オ 上記（１）の【００２６】には、「有機ブリッジ３０４は、図３では、層３１０、３１２、３１４および３１６として表されている。層３１０は、有機ブリッジ３０４の金属層であり、ブリッジ３０４の一部分とみなしてもよい。層３１４は、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層である。誘電体層３１２は、エポキシのような有機ポリマーであり、交互に配置された（interleaved）複数の誘電体層３１２を表している。層３１６は、パッド層であり」と記載されているから、有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなるといえる。 カ 上記（１）の【０００９】には、「基板製造工程１０２、ブリッジ製造工程１０４およびこれらのアセンブリ工程１０８から構成されており、これらの工程により、マルチチップパッケージ１１０のようなマイクロエレクトロニクスパッケージ／デバイスが製造される」と記載され、同【００１０】には、「ダイ製造工程１０６は、ダイを、アセンブリ工程１０８で基板上およびブリッジで組み立てることができ、または、後で別個の工程で組み立てることができることを意味している」と記載されているから、マルチチップパッケージ１１０は、基板、ブリッジ及びダイを備えているといえる。 ここで、上記基板、ブリッジは、上記アにおける基板３０２、有機ブリッジ３０４にそれぞれ対応するから、以下、基板３０２、有機ブリッジ３０４と記載し、上記ダイは、上記イにおけるダイ３１８及びダイ３１９に対応するから、以下、ダイ３１８及びダイ３１９と記載する。 キ 上記（１）の【００１８】には、「様々な接点間の接続は、有機ブリッジ２１４によって接続されるダイに適切なようになっている。点線で示されているロケーション２２０および２２１は、有機ブリッジ２１４によって接続されたダイが配置される予定の場所である」と記載されているから、ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ２１４によって接続されるといえる。 ここで、上記有機ブリッジ２１４は、上記アの有機ブリッジ３０４に対応するから、以下、有機ブリッジ３０４と記載する。 ク 上記（１）の【００２８】には、「一実施形態では、有機ブリッジ３０４は、基板３０２を有さず、約１５μｍの厚みを有する」と記載されている。 ケ 以上によれば、甲２には、以下の発明が記載されているといえる。（なお、括弧内は、根拠となる項番である。） 「基板３０２、有機ブリッジ３０４及びダイ３１８及びダイ３１９を備えるマルチチップパッケージ１１０であって、（上記カ） 基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続され、（上記イ） 基板３０２は、約４０μｍの配線幅及び約４０μｍの配線間隔であり、有機ブリッジ３０４の設計規則は、約３μｍの配線幅及び約３μｍの配線間隔であり、（上記ウ） 基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され、（上記エ） 有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり、（上記オ） ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される（上記キ） マルチチップパッケージ１１０。」（以下、「甲２発明１」という。） 「基板３０２及び有機ブリッジ３０４を備えるアセンブリ３００であって、（上記ア） 基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続されるものであり、（上記イ） 基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され、（上記エ） 有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり、（上記オ） ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される、（上記キ） 有機ブリッジ３０４は、約１５μｍの厚みを有する（上記ク） アセンブリ３００。」（以下、「甲２発明２」という。） （３）申立人の主張について ア 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の１１ページ１３～２１行において、甲２には、「ｋ．有機ブリッジ３０４は」、「基板３０２のダイ３１８、３１９との接続を行う接点３０６を備えている面に備えられており、」との構成を有する甲２発明２が記載されている旨主張している。 イ しかし、上記（２）イで検討したとおり、甲２（上記（１））の【００２２】の記載から、基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有しており、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続されるものであり、上記（２）エで検討したとおり、甲２（上記（１））の【００２３】、【００２５】の記載から、基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着されるものであり、上記（２）オで検討したとおり、甲２（上記（１））の【００２６】の記載から、有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなるものであるから、基板３０２、ダイ３１８及びダイ３１９、基板３０２の接点３０６、有機ブリッジ３０４、有機ブリッジ３０４のパッド層３１６、基板３０２の凹部のそれぞれの位置関係を勘案すると、有機ブリッジ３０４は、有機ブリッジ３０４のパッド層３１６を上面にして、基板３０２の凹部内に配置されているといえる。 そうすると、甲２において、有機ブリッジ３０４は、パッド層３１６を上面にして、基板３０２の凹部の底面に設けられるものであり、基板３０２のダイ３１８及びダイ３１９との接続を行う接点３０６を備えている面に備えられるものではない。 したがって、甲２には、「基板３０２のダイ３１８、３１９との接続を行う接点３０６を備えている面に備えられており、」との構成が記載されているとはいえない。 よって、申立人の上記主張は採用できない。 ３ 甲３（特開２００４－１４６６０２号公報） 甲３には、以下の記載がある。 「【０００１】 【発明の属する技術分野】 本発明は、電気信号と光信号との伝送を可能として情報信号の高速、高容量伝送化を図ることを可能とする光・電気配線混載ハイブリット回路基板及びその製造方法、並びに光・電気配線混載ハイブリット回路モジュール及びその製造方法に関する。」 「【０００６】 【発明が解決しようとする課題】 ハイブリッド型回路基板は、例えば電気配線部を構成する適宜の配線パターンが形成された一般的なプリント配線基板の主面上に、光配線部を構成する光導波路が形成されて構成される。また、ハイブリッド型基板は、微細化、高密度化が図られて比較的高精度に形成される場合に、例えばシリコン基板や石英基板或いはガラス基板を用いてその主面上に配線パターンを有する薄膜多層配線層を形成しかつこの薄膜多層配線層上に光配線部を構成する光導波路が形成される。 ・・・ 【００１０】 ところで、プリント基板は、比較的廉価であるとともにビアを介して配線層形成面と実装面との間の電気的接続の対応が可能であるといった特徴を有しているが、一般に配線パターン等の精度が数１０ｕｍ～数１００ｕｍ程度である。ハイブリッド型回路基板においては、光学素子と光導波路との高精度のカップリングを考慮した場合に、その位置合せに数ｕｍ程度の精度が要求されるとともに、配線パターンの高精度化、微細化も要求される。ハイブリッド型回路基板においては、今後さらなる半導体チップの入出力パッドの微細化が進み、また半導体チップ間の高バンド幅に伴うバス配線数の増加による狭ピッチ化等に伴ってプリント基板の採用が困難であるといった問題があった。」 「【００２２】 回路モジュール１には、微細配線回路部４の第２の主面４ｂ上に、光配線回路部５とともに情報信号等の送信側半導体チップ７Ａや情報信号等の受信側半導体チップ７Ｂ（以下、代表して説明する場合には、半導体チップ７と総称する。）が実装されている。回路モジュール１には、光配線回路部５の第２の主面５ｂ上に、発光素子８Ａと受光素子８Ｂ（以下、代表して説明する場合には、光学素子８と総称する。）が実装されている。 ・・・ 【００３１】 微細配線回路部４は、第２の主面４ｂの中央領域４ｂ１が光配線回路部５の実装領域とされるとともに、この中央領域４ｂ１の両側領域４ｂ２、４ｂ３がそれぞれ半導体チップ７の実装領域とされる。微細配線回路部４には、中央領域４ｂ１に、光配線回路部５、換言すれば光学素子８を電気的に接続する第１の接続端子１６が形成されるとともに、両側領域４ｂ２、４ｂ３に小型化や微小化或いは多ピン化が図られた半導体チップ７を電気的に接続する複数の第２の接続端子１７が形成されている。第１の接続端子１６と第２の接続端子１７には、上述したベース基板部３の各接続端子と同様に端子形成処理が施される。 ・・・ 【００４２】 回路モジュール１においては、上述したように微細配線回路部４が半導体プロセスを用いてベース基板部３と別工程によって製作される。微細配線回路部４の製造工程には、図５に示すように剥離層１３が形成されたダミー基板１２が供給され、このダミー基板１２上に微細電気配線層１４が形成される。ダミー基板１２には、絶縁性、耐熱性或いは耐薬品性を有しかつ高精度の平坦面を形成可能なシリコン基板やガラス基板が用いられる。 【００４３】 剥離層１３は、ダミー基板１２の第１の主面１２ａ上に成膜形成され、後述するように成膜形成された微細配線回路部４をダミー基板１２から剥離する作用を奏する。剥離層１３は、後述する微細配線回路部４のプロセス温度以上の加熱処理を行うことにより剥離性が生じる樹脂材や、酸性溶液或いはアルカリ溶液により溶解する金属等により成膜され、微細電気配線層１４の形成プロセスに対して耐性を有しかつ剥離作用が奏されればよい。剥離層１３は、例えばスパッタ法によりダミー基板１２の第１の主面１２ａ上に均一な厚みで銅やアルミニウムの金属薄膜層を形成し、この金属薄膜層の表面に例えばスピンコート法によりポリイミド樹脂等の樹脂層を成膜形成してなる。 【００４４】 微細配線回路部４の製造工程は、剥離層１３上に、半導体プロセスにより例えば絶縁樹脂層と微細配線層とからなる単位配線層を多層化して、図６に示すように微細電気配線層１４を形成する。絶縁樹脂層には、例えば低誘電率で低Ｔａｎδ特性、すなわち高周波特性や耐熱性或いは耐薬品性を有する絶縁性誘電材料、例えばベンゾシクロブテン、ポリイミド樹脂、ポリノルボルネン、液晶ポリマ、エポキシ系樹脂或いはアクリル系樹脂が用いられ、スピンコート法等の適宜の成膜法によって成膜形成される。 ・・・ 【００５０】 微細配線回路部４の製造工程においては、ダミー基板１２に対して、第２の主面４ｂ側を第１層として多層の単位配線層からなる微細電気配線層１４が形成される。微細配線回路部４の製造工程においては、第１層の単位配線層に上述した光配線回路部５を接続するための第１の接続端子１６や半導体チップ７の実装用の第１の接続端子１７が形成される。微細配線回路部４の製造工程においては、ダミー基板１２上において最上層となる第１の主面４ａを構成する単位配線層に接続端子１８が適宜形成されており、この接続端子１８に対してベース基板部３との電気的接続を行うための端子形成処理が施される。 ・・・ 【００５５】 微細配線回路部４の製造工程においては、図１１矢印で示すように第１中間体２６を反転して最上層の接着層１５を実装面として、この第１中間体２６をベース基板部３の第２の主面３ｂ上に実装する。微細配線回路部４の製造工程においては、この場合接続バンプ２４、換言すれば各接続端子１８がベース基板部３の第２の主面３ｂ側に相対して形成された各第２の接続端子１１ｂとそれぞれ位置決めされて接合される。微細配線回路部４の製造工程においては、第１中間体２６を組み合わせたベース基板部３に例えばリフロー半田処理が施されることによって、図１２に示すようにベース基板部３に対して第１中間体２６がしっかりと接合固定されて第２中間体２７を製作する。微細配線回路部４の製造工程においては、この場合に接着層１５を硬化させる温度条件での加熱を行った後に接続バンプ２４を溶融する温度条件での加熱が行われる。 【００５６】 微細配線回路部４の製造工程においては、第２中間体２７について所定の冷却を行った後に、図１３に示すように微細配線回路部４をベース基板部３に残して剥離層１３を介してダミー基板１２を剥離する処理が施される。微細配線回路部４の製造工程においては、例えば剥離層１３の樹脂材に剥離性が生じる温度以上の加熱処理や、酸性溶液或いはアルカリ溶液に浸漬する処理を施すことによってダミー基板１２の剥離が行われる。」 「【図１】 ［図：0001429987000010.jpg］ 」 「【図１０】 ［図：0001429987000011.jpg］ 【図１１】 ［図：0001429987000012.jpg］ 【図１２】 ［図：0001429987000013.jpg］ 【図１３】 ［図：0001429987000014.jpg］ 」 ４ 甲４（国際公開第２０１８／０４７８６１号） 甲４には、以下の記載がある。 「［0013］ 例えば、現在のハイバンドメモリ（ＨＢＭ）の仕様に対応するためには、インターポーザ３では配線幅を２μｍ以上６μｍ以下にする必要がある。特性インピーダンスを５０Ωに合わせるためには、配線幅が２μｍ、配線高さが２μｍの場合、配線間の絶縁膜厚は２．５μｍとなる。配線も含めた１層の厚さは４．５μｍとなり、この厚さで５層のインターポーザ３を製作する場合、インターポーザ３は、総厚２５μｍ程度と極薄のインターポーザとなる。つまり、インターポーザ３の総厚を１０μｍ程度にするためには、上記４．５μｍ厚の層を２層積層すればよい。ただし、電気特性の損失を抑える必要がある場合、電気抵抗を低くするために、配線厚を厚くする必要があり、その場合インピーダンスを調整するために絶縁層も厚くする必要が生じる。層数が５層であってもインターポーザ３の総厚が１００μｍ程度になる場合もある。さらに、半導体チップ４等のデバイスチップのピン数増加や電源ラインやグランド層を組み合わせることにより、インターポーザ３の積層数を増やす必要が生じ、インターポーザ３の総厚が３００μｍ程度になる場合もある。 ［0014］ なお、インターポーザ３の総厚が３００μｍを超える場合には、可撓性が低くなり、反りが発生する場合がある。また、インターポーザ３の総厚が１０μｍに満たない場合には、耐久性が低くなり、インターポーザ３が破損する場合がある。 このような薄いインターポーザ３とＦＣＢＧＡ用配線基板１との接合を、平坦性を確保した上で行うためには、図２に示すようにインターポーザ３の一部となる微細な配線層３ａを、後で配線層３ａとキャリア基板５とに分離するための剥離層６を形成したキャリア基板５の上に形成する。なお、図２（ｂ）は図２（ａ）の半田バンプ２４を含む一部分を拡大したものである。また、図２（ｂ）に示すように、剥離層６と接続パッド１４との間には、例えば、接着層７や銅箔１１が形成されていてもよい。 ［0015］ そして、このキャリア基板５に形成されたままの配線層３ａを、図３に示すように、別に製造したＦＣＢＧＡ用配線基板１にフリップチップ実装する。そして、ＦＣＢＧＡ用配線基板１と配線層３ａとの間をアンダーフィル２等の樹脂により固めた後、キャリア基板５等を配線層３ａから剥離し、配線層３ａに形成された半導体チップ４との接合用の接続パッド１４を露出させる。これによって、本発明の一実施形態に係る配線基板１００が形成される。なお、図３では、図２（ｂ）に示した接着層７や銅箔１１の記載を省略している。」 「［図１］ ［図：0001429987000015.jpg］ 」 「［図３］ ［図：0001429987000016.jpg］ 」 第７ 取消理由１（明確性要件）、取消理由２（明確性要件）、申立理由４（明確性要件）について １ 取消理由１－１（明確性要件）について 訂正事項４による訂正により、訂正前の請求項２の「第二の配線基板により半導体チップ間が接続されている」は「第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」に訂正され、「フリップチップパッケージ基板」以外の構成を有しているものではなくなったから、取消理由１－１は解消した。 ２ 取消理由１－２（明確性要件）について 訂正事項２及び３による訂正によって、訂正前の請求項３及び４の「前記半導体チップに、前記半導体チップと第一の配線基板および第二の配線基板とを電気的に接続する接続突起を形成する工程と、」は削除されたから、取消理由１－２は解消した。 ３ 取消理由１－３（明確性要件）について 訂正事項１～３による訂正によって、訂正後の請求項１、３、４には「前記」が付され、対応関係が明確になったから、取消理由１－３は解消した。 ４ 取消理由１－４（明確性要件）について 訂正事項４による訂正によって、訂正後の請求項２には「前記」が付され、対応関係が明確になり、また、訂正前の請求項２の「前記パッド」は、「前記接続パッド」に訂正され、当該「前記接続パッド」は、「第二の配線基板」が「備え」る「少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッド」であることが明確になったから、取消理由１－４は解消した。 ５ 申立人の主張 （１）ア 申立人は、特許異議申立書の６４ページ下から６行～最下行において、請求項１に係る発明は、「半導体チップは、第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」と特定しているが、２つの対向距離が共に「１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であってかつ両者が異なるという意味か、２つの対向距離の差異が「１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲」なのか不明確である。訂正前の請求項１を引用する請求項３、４に係る発明についても同様である旨主張している。 イ しかし、本件訂正請求により訂正された明細書又は本件特許の願書に添付した図面（以下、「本件訂正明細書等」という。）の【００３７】の「次に、図２（ｅ）に示すように、半導体チップ６及び７を第一の配線基板３及び第二の配線基板５に接続する。この様にして、本発明のフリップチップパッケージ４０を作製することができる。 接続は接続用突起８、９によって行われる。このとき、半導体チップ６、７から第一の配線基板３までの対向距離（半導体チップ６、７と第一の配線基板３との向き合った面間の距離）１８と、同じく半導体チップ６及び７から第二の配線基板５までの対向距離（半導体チップ６、７と第二の配線基板５との向き合った面間の距離）１９は、第二の配線基板５の厚さの分だけ異なる。そのため接続用突起８と、接続用突起９は、第二の配線基板５の厚さ（およそ１０μｍ以上１００μｍ以下）の分だけ異なる高さとする。接続用突起８、９の形成方法については後述する。」との記載によれば、本件発明１の「半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」は、２つの対向距離の差異が「１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲」であるといえるから、本件発明１は明確であり、請求項１の記載を引用する本件発明３、４も同様である。 （２）「接続パッド」について ア 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の８ページ７行～最下行において、本件発明２は、第一の配線基板に「半導体チップ」が接続され、第二の配線基板に当該「半導体チップ」とは異なる他の「２つの半導体チップ」が接続されていることとなり、「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」とがどのような接続関係にあるのか不明確である旨主張している。 イ しかし、本件明細書等の【００２５】～【００２９】、【図１】、【図２】は、本件訂正請求によって訂正されていないから、上記第２ ２（４）イ（ア）ｂ、ｃで検討したのと同様に、本件発明２において、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と、第二の配線基板の接続パッドと接続される「２つの半導体チップ」とは、同じ「半導体チップ」であるといえる。 したがって、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」との関係は明確である。 （３）「半導体チップ間」の接続について ア 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の９ページ２行～１３行において、本件発明２は、「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」と特定しているが、他の必要な個所には「前記」を付す訂正がなされたのに対し、「半導体チップ」には「前記」を付す訂正がなされていないことから、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」、「２つの半導体チップ」とは異なる半導体チップである、又は異なる半導体チップである態様を含みうると解され、第二の配線基板には、「半導体チップ」及び「２つの半導体チップ」がどのように接続されているのか不明確であり、また、「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、第二の配線基板上のみに２つの半導体チップが搭載されており、これらの２つの半導体チップが第二の配線基板により接続されていることを意味する、又はそのように接続されている態様を含みうる記載となっており、発明の範囲が不明確である旨主張している。 イ しかし、上記（２）イで検討したとおり、本件発明２において、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と、第二の配線基板の接続パッドと接続される「２つの半導体チップ」とは、同じ「半導体チップ」である。 また、本件発明２において、「第二の配線基板」は、「少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え」るものであるから、「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」とは、「第二の配線基板」により、「第一の配線基板」及び「第二の配線基板」に接続される「少なくとも２つの半導体チップ」間が接続されるものであるといえる。 したがって、本件発明２の「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、明確である。 （４）「接続される」について ア 申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の９ページ１５行～下から３行において、本件発明２は、「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」と特定しているが、半導体チップ間が「接続される」とは、例えば第二の配線基板が有する回路により「電気的に接続される」ことなのか、２つの半導体チップを接着するために介在する層により「物理的に接続される」ことなのか不明確である旨主張している。 イ しかし、本件訂正明細書等の【００２２】の「第一の半導体チップ６と第二の半導体チップ７は、第二の配線基板５に形成されたパッド１７とビア１６と配線１０によって相互に電気的に接続されている。」との記載によれば、本件発明２の「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、「半導体チップ間」が、「第二の配線基板」が有するパッドとビアと配線によって電気的に接続されることを意味するものといえるから、本件発明２は明確である。 （５）以上から、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 ６ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１～４は、特許請求の範囲の記載が明確である。 よって、取消理由１（明確性要件）、取消理由２（明確性要件）、申立理由４（明確性要件）には理由がない。 第８ 申立理由１（新規性）、申立理由２－１（進歩性）について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲１発明１とを対比する。 ア 甲１発明１は、「パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０及び半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０と、を有している半導体装置ＰＫＧ１」であり、「半導体部品２０及び半導体部品３０」は、「半導体チップ」であり、また、「半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続されており、半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続されている」ものであるから、「半導体装置ＰＫＧ１」は、「半導体部品２０及び半導体部品３０」を搭載するフリップチップパッケージであるといえる。 したがって、甲１発明１の「半導体チップ」である「半導体部品２０及び半導体部品３０」、「半導体装置ＰＫＧ１」は、本件発明１「半導体チップ」、「フリップチップパッケージ」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明１とは、「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージ」である点で一致する。 イ 甲１発明１は、「配線基板１０上にインタポーザ４０が搭載され、インタポーザ４０上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載され」、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置され」、「半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続され」ているから、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側に、「インタポーザ４０」が備えられており、「インタポーザ４０」は、「配線基板１０」よりも面積が小さいといえる。 また、甲１発明１において、「インタポーザ４０」は、「配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材」であるから、配線基板であるといえる。 そうすると、甲１発明１の「配線基板１０」、「インタポーザ４０」は、本件発明１の「第一の配線基板」、「第二の配線基板」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明１とは、「第一の配線基板の半導体チップを搭載する側」に、「前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられて」いる点で共通する。 ウ 甲１発明１は、「配線基板１０上にインタポーザ４０が搭載され、インタポーザ４０上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載されており」、「半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続され」ているから、「半導体部品２０と半導体部品３０」は、「配線基板１０」と「インタポーザ４０」の両方に跨がって電気的に接続されているといえる。 また、甲１発明１において、「インタポーザ４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材」であるから、「インタポーザ４０」に形成された「配線経路」によって相互に「電気的に接続」されているといえる。 そうすると、本件発明１と甲１発明１とは、「半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されて」いる点で一致する。 エ 甲１発明１において、「インタポーザ４０の配線設計において適用される設計ルールは、配線基板１０の配線設計において適用される設計ルールと比較して、配線の厚さ、配線幅、及び隣り合う配線間距離の設計基準値が小さ」いから、「インタポーザ４０」に形成された少なくとも一部の、配線と配線幅のピッチは、「配線基板１０」に形成された配線幅とピッチより小さいといえる。 したがって、本件発明１と甲１発明１とは、「前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さ」い点で一致する。 オ 甲１発明１の「インタポーザ４０」は、「複数の配線層を有し、複数の配線層のそれぞれは、配線４３などの導体パターンを有し、導体パターンのそれぞれは、複数の配線間及び隣り合う配線間を絶縁する絶縁層４５により覆われている」から、絶縁層４５と配線４３の積層体であるといえる。 そうすると、甲１発明１の「配線４３」、「絶縁層４３」は、本件発明１の「絶縁層」、「配線層」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明１とは、「前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であ」る点で一致する。 また、甲１発明１の「インタポーザ４０」は、「上面４０ｔのみに、半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１及び半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２を備え」ており、他にパッドを備えていないから、「上面４０ｔ」のみに「半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１及び半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２」を備えているといえる。 そうすると、甲１発明１の「上面４０ｔ」、「半導体部品２０に接続される複数のボンディングパッド４１及び半導体部品３０に接続される複数のボンディングパッド４２」は、本件発明１の「一方の面」、「接続パッド」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲１発明１とは、「前記第二の配線基板」は、「一方の面のみに接続パッドを備えて」いる点で一致する。 カ 甲１発明１において、「半導体部品２０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品３０と配線基板１０とはフリップチップ接続方式により電気的に接続され、半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０は、それぞれフリップチップ接続方式により電気的に接続され」るから、「半導体部品２０」及び「半導体部品３０」は、「配線基板１０」と「インタポーザ４０」の両方に跨がって「電気的に接続され」るといえる。 また、甲１発明１において、「半導体部品２０とインタポーザ４０、及び半導体部品３０とインタポーザ４０のそれぞれは、複数のバンプ電極５３を介して電気的に接続され」、「バンプ電極５３の高さは、バンプ電極５１及びバンプ電極５２の高さより小さく、バンプ電極５１及びバンプ電極５２のそれぞれの高さ（厚さ）は、１００μｍ程度である一方、複数のバンプ電極５３のそれぞれの高さ（厚さ）は、３０μｍ程度」であるから、「半導体部品２０」及び「半導体部品３０」は、「配線基板１０」との対向距離と、「インタポーザ４０」との対向距離が、１００μｍ－３０μｍ＝７０μｍ程度で異なるといえ、当該７０μｍは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲に含まれる。 そうすると、本件発明１と甲１発明１とは、「前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」点で一致する。 キ 以上によれば、本件発明１と甲１発明１との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージにおいて、 第一の配線基板の半導体チップを搭載する側に、前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられており、 半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されており、 前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さく、 前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えており、 前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる ことを特徴とするフリップチップパッケージ。」 ＜相違点＞ 相違点１－１：本件発明１は、「第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面」に、「第二の配線基板が備えられて」いるのに対し、甲１発明１は、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側に、「インタポーザ４０」が備えられているものの、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されており」、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側の面に、「インタポーザ４０」が備えられていない点。 （２）相違点１－１についての判断 ア 新規性について 上記（１）キの相違点１－１のとおり、甲１発明１は、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側に、「インタポーザ４０」が備えられているものの、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されており」、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側の面に、「インタポーザ４０」が備えられていないから、相違点１－１は、実質的な相違点である。 したがって、本件発明１は、甲１発明１ではない。 イ 進歩性について （ア）甲２発明１において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続され」、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され、有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり、ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される」ものであるから、「基板３０２」、「ダイ３１８及びダイ３１９」、「基板３０２の接点３０６」、「有機ブリッジ３０４」、「有機ブリッジ３０４」の「パッド層３１６」、「基板３０２の凹部」の位置関係を勘案すると、「基板３０２」の「ダイ３１８及びダイ３１９」を搭載する側の面に、「有機ブリッジ３０４」が備えられているといえる。 そうすると、甲２発明１は、相違点１－１に係る本件発明１の構成を備えているといえる。 しかし、甲２発明１において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し」、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続されている」から、「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」との対向距離と、「有機ブリッジ３０４」との対向距離が同じであるといえる。 そうすると、甲２発明１は、本件発明１の「半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」との構成を備えていない。 したがって、甲１発明１に甲２発明１を適用しても、本件発明１の構成は得られない。 （イ）また、甲３、甲４のいずれにも、「マルチチップパッケージ１１０」において、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側の面に、「インタポーザ４０」を備えることは、記載も示唆もされていない。 したがって、甲１発明１に、甲３、甲４に記載された事項を適用しても、相違点１－１に係る本件発明１の構成は得られない。 （ウ）よって、本件発明１は、甲１発明１、甲２発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 （３）小括 以上から、本件発明１は、甲１発明１ではなく、また、甲１発明１、甲２発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 ２ 本件発明３、４について 本件発明３、４は、本件発明１の全ての構成を有する方法の発明であるから、本件発明１と同様の理由により、甲１に記載された発明、甲２発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものでもない。 ３ 本件発明２について （１）対比 本件発明２と甲１発明２とを対比する。 ア 甲１発明２の「配線基板１０」は、「半導体部品２０及び半導体部品３０を搭載する半導体装置ＰＫＧ１に使用する、パッケージ基板」であり、「半導体部品２０及び半導体部品３０」は、「半導体チップ」であり、また、「配線基板１０には、半導体部品２０及び半導体部品３０がフリップチップ接続方式により電気的に接続されるもの」であるから、「配線基板１０」は、「半導体部品２０及び半導体部品３０」を搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であるといえる。 したがって、甲１発明２の「半導体部品２０及び半導体部品３０」、「半導体装置ＰＫＧ１」、「配線基板１０」は、本件発明２の「半導体チップ」、「フリップチップパッケージ」、「フリップチップパッケージ基板」にそれぞれ相当し、本件発明２と甲１発明２とは、「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板」である点で一致する。 イ 甲１発明２の「配線基板１０」は、「積層された複数の配線層を備える、いわゆる、多層配線基板」であるから、多層配線積層体であるといえる。 また、甲１発明２において、「配線基板１０の上面１０ｔには、複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６が形成され、配線基板１０は、下面１０ｂに、半田ボール１１を介して実装基板ＭＢ１と電気的に接続される複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２が形成されている」から、「下面１０ｂ」に、「実装基板ＭＢ１」との接続を行う「複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２」を備え、「上面１０ｔ」に、「半導体部品」との接続を行う「複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６」を備えているといえる。 そうすると、甲１発明２の「配線基板１０」、「下面１０ｂ」、「実装基板ＭＢ１」、「複数のランド（外部端子、半田ボール接続用パッド）１２」、「上面１０ｔ」、「複数のボンディングパッド（基板端子、半導体部品接続用端子）１６」は、本件発明２の「多層配線積層体からなる・・・第一の配線基板」、「一方の面」、「プリント配線基板」、「プリント配線基板との接続を行うパッド」、「もう一方の面」、「半導体チップとの接続を行うパッド」にそれぞれ相当し、本件発明２と甲１発明２とは、「多層配線積層体からなる」、「第一の配線基板」「を備えており」、「前記第一の配線基板は、一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えて」いる点で共通する。 ウ 以上によれば、本件発明２と甲１発明２との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であって、 多層配線積層体からなる、第一の配線基板を備えており、 前記第一の配線基板は、一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えている ことを特徴とするフリップチップパッケージ基板。」 ＜相違点＞ 相違点１－２：本件発明２は、「多層配線積層体からなる」、「第二の配線基板を備えて」いるのに対し、甲１発明２は、そのような構成を備えていない点。 相違点１－３：本件発明２は、「前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、前記第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であり、前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」のに対し、甲１発明２は、そのような構成を備えていない点。 （２）相違点についての判断 相違点１－２及び相違点１－３は、いずれも「第二の配線基板」に関するものであるから一緒に検討する。 ア 新規性について 甲１発明２は、相違点１－２及び相違点１－３に係る本件発明２の構成である「第二の配線基板」に相当する構成を備えていない。 したがって、相違点１－２及び相違点１－３は、実質的な相違点である。 イ 進歩性について 甲１発明２は、「半導体部品２０及び半導体部品３０を搭載する半導体装置ＰＫＧ１に使用する、パッケージ基板である配線基板１０」であるところ、「配線基板１０」に「半導体部品２０及び半導体部品３０を搭載」した「半導体装置ＰＫＧ１」は、甲１発明１であって、その構成は、「パッケージ基板である配線基板１０と、配線基板１０の上面１０ｔ上に搭載される半導体部品２０及び半導体部品３０と、半導体部品２０と半導体部品３０との間を電気的に接続する配線部材であるインタポーザ４０と、を有し」、「インタポーザ４０は、配線基板１０を介さずに、半導体部品２０と半導体部品３０とを電気的に接続する複数の配線経路を備えた配線部材であり」、配線基板１０上にインタポーザ４０が搭載され、インタポーザ４０上に半導体部品２０と半導体部品３０とが搭載され」る構成を含むものである。 そして、上記１（１）イで検討したとおり、甲１発明１の「インタポーザ４０」は、本件発明１の「第二の配線基板」に相当するものであるから、本件発明２の「第二の配線基板」に対応するといえる。 しかし、甲１発明１において、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されて」おり、「インタポーザ４０」は、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」との接続を行うパッドを備えている面に備えられているものではない。 また、甲２～甲４のいずれにも、「インタポーザ４０」を、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」との接続を行うパッドを備えている面に備えることは、記載も示唆もされていない。 そうすると、甲１発明２に甲２～甲４に記載された事項を適用しても、相違点１－２及び相違点１－３に係る本件発明２の構成のうち、「前記第二の配線基板」は、「前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており」との構成は得られない。 したがって、相違点１－２及び相違点１－３に係る本件発明２の構成のその他の構成について判断するまでもなく、本件発明２は、甲１発明２及び甲２～甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 （３）小括 以上から、本件発明２は、甲１発明２ではなく、また、甲１発明２及び甲２～甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。 第９ 申立理由２－２（進歩性）について １ 本件発明１について （１）対比 本件発明１と甲２発明１とを対比する。 ア 甲２の【０００１】には、「集積回路（ＩＣ）ダイ」と記載されており、当該「集積回路（ＩＣ）」が半導体チップであることは技術常識であるから、甲２発明１の「ダイ３１８及びダイ３１９」は、いずれも半導体チップであるといえる。 そうすると、甲２発明１の「ダイ３１８」、「ダイ３１９」は、本件発明１の「半導体チップ」に相当する。 イ 甲２発明１の「マルチチップパッケージ１１０」は、「一方の面に、基板３０２、有機ブリッジ３０４及びダイ３１８及びダイ３１９を備え」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続され」るものであるから、「ダイ３１８及びダイ３１９」を搭載するフリップチップパッケージであるといえる。 そうすると、本件発明１と甲２発明１とは、「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージ」である点で一致する。 ウ 甲２発明１の「基板３０２」は、「一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し」ているから配線基板であるといえる。 また、甲２発明１の「有機ブリッジ３０４」は、「金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなる」ものであるから、配線基板であるといえる。 さらに、甲２発明１の「基板３０２」は、「有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着されるものであ」るから、「基板３０２」の面積は、「有機ブリッジ３０４」の面積より小さいといえる。 そして、甲２発明１において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続され」、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着されるものであり」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続されている」ことから、「基板３０２」の「ダイ３１８及びダイ３１９」を搭載する側の面に、「有機ブリッジ３０４」が備えられているといえる。 そうすると、甲２発明１の「基板３０２」、「有機ブリッジ３０４」は、本件発明１の「第一の配線基板」、「第二の配線基板」にそれぞれ相当し、甲２発明１と本件発明１とは、「第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられて」いる点で一致する。 エ 甲２発明１において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続され」、「有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続されている」ことから、「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」と「有機ブリッジ３０４」の両方に跨がって電気的に接続されているとともに、「有機ブリッジ３０４」に形成された「金属配線層３１４」によって相互に電気的に接続されているといえる。 そうすると、甲２発明１の「有機ブリッジ３０４」に形成された「金属配線層３１４」は、本件発明１の「前記第二の配線基板に形成された配線」に相当し、本件発明１と甲２発明１とは、「半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されて」いる点で一致する。 オ 甲２発明１において、「基板３０２は、約４０μｍの配線幅及び約４０μｍの配線間隔であり、有機ブリッジ３０４の設計規則は、約３μｍの配線幅及び約３μｍの配線間隔であ」るから、「有機ブリッジ３０４」に形成された配線の「配線幅」と「配線間隔」は、「基板３０２」に形成された配線の「配線幅」と「配線間隔」より小さいといえる。 そうすると、甲２発明１の「有機ブリッジ３０４」に形成された配線の「配線幅」と「配線間隔」、「基板３０２」に形成された配線の「配線幅」と「配線間隔」は、本件発明１の「前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチ」、「前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチ」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲２発明１とは、「前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さ」い点で一致する。 カ 甲２発明１において、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され、有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からな」るものであるから、「有機ブリッジ３０４」は、「誘電体層３１２」と「金属配線層３１４」の積層体であって、一方の面のみに「パッド層３１６」を備えているといえる。 そうすると、甲２発明１の「誘電体層３１２」、「金属配線層３１４」、「パッド層３１６」は、本件発明１の「絶縁層」、「配線層」、「接続パッド」にそれぞれ相当し、本件発明１と甲２発明１とは、「前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えて」いる点で一致する。 キ 上記エで検討したとおり、甲２発明１において、「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」と「有機ブリッジ３０４」の両方に跨がって電気的に接続されているものである。 また、甲２発明１において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し」、「基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続されている」から、「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」との対向距離と、「有機ブリッジ３０４」との対向距離が同じであるといえる。 そうすると、甲２発明１において、「基板３０２」と「有機ブリッジ３０４」の両方に跨がって電気的に接続されている「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」との対向距離と、「有機ブリッジ３０４」との対向距離が同じであり、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なるとはいえない。 ク 以上から、本件発明１と甲２発明１との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージにおいて、 第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面に、前記第一の配線基板よりも面積の小さい第二の配線基板が備えられており、 半導体チップのうち少なくとも２つは、前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続されているとともに、前記第二の配線基板に形成された配線によって相互に電気的に接続されており、 前記第二の配線基板に形成された少なくとも一部の、配線の線幅とピッチは、前記第一の配線基板に形成された配線の線幅とピッチより小さく、 前記第二の配線基板は、絶縁層と配線層の積層体であって、一方の面のみに接続パッドを備えている ことを特徴とするフリップチップパッケージ。」 ＜相違点＞ 相違点２－１：「前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップ」について、本件発明１は、「前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」のに対し、甲２発明１は、「基板３０２」と「有機ブリッジ３０４」の両方に跨がって電気的に接続されている「ダイ３１８及びダイ３１９」は、「基板３０２」との対向距離と、「有機ブリッジ３０４」との対向距離が同じであり、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なるものではない点。 （２）相違点２－１についての判断 ア 上記第８ １（１）カで検討したとおり、本件発明１と甲１発明１とは、「前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」点で一致するから、甲１発明１は、相違点２－１に係る本件発明１の構成を備えているといえる。 しかし、上記第８ １（１）キで検討したとおり、本件発明１と甲１発明１とは、本件発明１は、「第一の配線基板の半導体チップを搭載する側の面」に、「第二の配線基板が備えられて」いるのに対し、甲１発明１は、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側に、「インタポーザ４０」が備えられているものの、「インタポーザ４０の下面４０ｂと配線基板１０の上面１０ｔとの間には隙間が空いており、隙間には、樹脂体５５が配置されており」、「配線基板１０」の「半導体部品２０と半導体部品３０」とを搭載する側の面に、「インタポーザ４０」が備えられていない点で相違する。 そうすると、甲２発明１に甲１発明１の構成を適用しても、本件発明１の構成は得られない。 イ また、相違点２－１に係る本件発明１の構成は、「前記第一の配線基板と前記第二の配線基板の両方に跨って電気的に接続される半導体チップ」が前提となる構成であるところ、甲３、甲４には、当該前提となる構成は記載も示唆もされていない。 したがって、甲２発明１に甲３、甲４に記載された事項を適用しても、相違点２－１に係る本件発明１の構成は得られない。 ウ よって、本件発明１は、甲２発明１、甲１発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 （３）小括 以上から、本件発明１は、甲２発明１、甲１発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ２ 本件発明３、４について 本件発明３、４は、本件発明１の全ての構成を有する方法の発明であるから、本件発明１と同様の理由により、甲２に記載された発明、甲１発明１及び甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 ３ 本件発明２について （１）対比 本件発明２と甲２発明２とを対比する。 ア 上記１（１）アの検討を参酌すると、甲２発明２の「ダイ３１８」、「ダイ３１９」は、本件発明２の「半導体チップ」に相当する。 また、上記１（１）イの検討を参酌すると、甲２発明２の「基板３０２及び有機ブリッジ３０４を備えるアセンブリ３００」は、２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するものであるといえる そうすると、本件発明２と甲２発明２は、「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板」である点で一致する。 イ 甲２発明２の「基板３０２」は、「一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する、接点３０６及びこれに連結された導電経路を有し」ているから多層配線積層体であるといえる。 また、甲２発明２の「有機ブリッジ３０４」は、「一方の面に、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなる」ものであるから、多層配線積層体であるといえる。 そうすると、甲２発明２の「基板３０２」、「有機ブリッジ３０４」は、本件発明２の「第一の配線基板」、「第二の配線基板」にそれぞれ相当し、本件発明２と甲２発明２とは、「多層配線積層体からなる、第一の配線基板と第二の配線基板を備えて」いる点で一致する。 ウ 甲２発明２において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有し」ているから、甲２発明２の「ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６」は、本件発明２の「半導体チップとの接続を行うパッド」に相当し、本件発明２と甲２発明２とは、「前記第一の配線基板」は、「もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えて」いる点で共通する。 エ 甲２発明２において、「有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり」、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される」ものであるから、「有機ブリッジ３０４」の「パッド層３１６」は、「ダイ３１８及びダイ３１９」との接続を行うものであるといえる。 そうすると、甲２発明２の「有機ブリッジ３０４」は、一方の面のみに、「ダイ３１８及びダイ３１９」との接続を行う「パッド層３１」を備えているといえる。 したがって、甲２発明２の「パッド層３１」は、本件発明２の「接続パッド」に相当し、本件発明２と甲２発明２とは、「前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え」ている点で共通する。 オ 甲２発明２において、「基板３０２は、一方の面に、ダイ３１８及びダイ３１９を基板３０２に接続する接点３０６、及びこれに連結された導電経路を有し、ダイ３１８及びダイ３１９は、基板３０２の接点３０６に接続されるものであり、有機ブリッジ３０４は、金属層３１０、交互に配置された複数の誘電体層３１２、誘電体層３１２に埋め込まれた金属配線層３１４、パッド層３１６からなり、基板３０２は、有機ブリッジ３０４を受容する凹部を有し、有機ブリッジ３０４は、基板３０２の凹部内に配置されて、有機ポリマーを使用して、有機ブリッジ３０４が凹部に接着され、ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される」ものであるから、「基板３０２」、「ダイ３１８及びダイ３１９」、「基板３０２の接点３０６」、「有機ブリッジ３０４」、「有機ブリッジ３０４」の「パッド層３１６」、「基板３０２の凹部」の位置関係を勘案すると、「有機ブリッジ３０４」は、「有機ブリッジ３０４」の「パッド層３１６」を上面にして、「基板３０２の凹部内に配置されて」いるといえる。 そうすると、「有機ブリッジ３０４」は、「パッド層３１６」を上面にして、「基板３０２の凹部」の底面に設けられており、「基板３０２」の「ダイ３１８及びダイ３１９」との接続を行う「接点３０６」を備えている面に備えられるものではない。 カ 甲２発明２において、「有機ブリッジ３０４は、約１５μｍの厚みを有する」ものであり、当該「約１５μｍ」は、「１０μm以上１００μｍ以下」の範囲に含まれる。 そうすると、本件発明２と甲２発明２とは、「前記第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であ」る点で一致する。 キ 甲２発明２において、「ダイ３１８及びダイ３１９は、有機ブリッジ３０４によって接続される」ものであるから、「有機ブリッジ３０４」により「ダイ３１８及びダイ３１９」間が接続されるといえる。 そうすると、本件発明２と甲２発明２とは、「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」点で一致する。 ク 以上によれば、本件発明２と甲２発明２との一致点と相違点は以下のとおりとなる。 ＜一致点＞ 「２つ以上の半導体チップを搭載するフリップチップパッケージに使用するフリップチップパッケージ基板であって、 多層配線積層体からなる、第一の配線基板と第二の配線基板を備えており、 前記第一の配線基板は、もう一方の面に、半導体チップとの接続を行うパッドを備えており、 前記第二の配線基板は、一方の面のみに、少なくとも２つの半導体チップとの接続を行う接続パッドを備え、 前記第二の配線基板の厚さが１０μm以上１００μｍ以下であり、 前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される フリップチップパッケージ基板。」 ＜相違点＞ 相違点２－２：本件発明２は、「第一の配線基板」が、「一方の面に、プリント配線基板との接続を行うパッドを備え」ているのに対し、甲２発明２は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。 相違点２－３：について、本件発明２は、「第二の配線基板」が、「前記接続パッドを上面にして、前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられて」いるのに対し、甲２発明２は、「有機ブリッジ３０４」が、「パッド層３１６」を上面にして、「基板３０２の凹部」の底面に設けられており、「基板３０２」の「ダイ３１８及びダイ３１９」との接続を行う「接点３０６」を備えている面に備えられるものではない点。 （２）相違点についての判断 ア 事案に鑑み、相違点２－３から検討する。 甲１、甲３、甲４のいずれにも、「有機ブリッジ３０４」を、「基板３０２」の「ダイ３１８及びダイ３１９」との接続を行う「接点３０６」を備えている面に備えられるようにすることは、記載も示唆もされていない。 そうすると、甲２発明２に甲１、甲３、甲４に記載された事項を適用しても、相違点２－３に係る本件発明２の構成は得られない。 したがって、甲２発明２において、相違点２－３に係る本件発明２の構成とすることは、当業者が容易に想到し得るものとはいえない。 イ よって、相違点２－２について判断するまでもなく、本件発明２は、甲２発明２及び甲１、甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）小括 以上から、本件発明２は、甲２発明２及び甲１、甲３、甲４に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。 第１０ 申立理由３（サポート要件）について １（１）申立人は、特許異議申立書の６３ページ３行～１９行において、本件発明１の「半導体チップは、第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」は、 解釈ａ．半導体チップと第一の配線基板との対向距離Ａが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、半導体チップと第二の配線基板との対向距離Ｂが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であって、かつ対向距離ＡとＢとが異なる数値である、という意味であるとも、 解釈ｂ．半導体チップと第一の配線基板との対向距離Ａと、半導体チップと第二の配線基板との対向距離Ｂの差異が１０μｍ以上１００μｍ以下である、という意味であるとも、解釈されるのに対し、発明の詳細な説明の【００３７】には、「接続用突起８と、接続用突起９は、第二の配線基板５の厚さ（およそ１０μｍ以上１００μｍ以下）の分だけ異なる高さとする。」（上記解釈ｂ）としか記載されておらず、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものでなく、請求項１の記載を引用する本件発明３、４についても同様である旨主張している。 （２）しかし、上記第７ ５（１）イで検討したとおり、発明の詳細な説明の【００３７】の記載によれば、本件発明１の「半導体チップは、前記第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」は、２つの対向距離の差異が「１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲」であるといえるから、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものであり、請求項１の記載を引用する本件発明３、４も同様である。 ２（１）申立人は、特許異議申立書の６３ページ２０行～６４ページ下から８行において、本件発明１、２の目的は、高コストとなる複雑な工程を使用せずに、２つ以上の半導体チップを搭載可能とする狭ピッチな微細配線に対応可能なフリップチップパッケージおよびフリップチップパッケージ基板を提供することであり（本件訂正明細書等【０００８】）、ここでいう「高コストとなる複雑な工程」とは、フリップチップパッケージ基板のブリッジを埋め込む部分に凹部を、フリップチップパッケージ基板の上面とブリッジの上面を面一に形成して、その面に形成した配線による結線を可能にしておくことである（本件訂正明細書等【０００６】）ところ、 ア 本件発明１は「半導体チップは、第一の配線基板との対向距離と、前記第二の配線基板との対向距離が１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲で異なる」と特定しているが、半導体チップと第一の配線基板との対向距離Ａと半導体チップと第二の配線基板との対向距離Ｂとの大小関係が特定されておらず、半導体チップと第一の配線基板との対向距離Ａよりも、半導体チップと第二の配線基板との対向距離Ｂの方が大きい態様を包含しており、この態様を実現するには、第一の配線基板に凹部を形成し、凹部に第二の配線基板を埋め込む必要があるため、本件発明１は、「高コストとなる複雑な工程を使用せず」という目的を達成しえない態様を包含しており、 イ また、本件発明２は「第二の配線基板の厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下であり」と特定しているが、第一の配線基板と第二の配線基板との位置関係が特定されておらず、第一の配線基板に凹部を形成し、凹部に第二の配線基板を埋め込まれている態様を包含しているため、本件発明２は、「高コストとなる複雑な工程を使用せず」（【０００８】）という目的を達成しえない態様を包含しており、当然のことながら、発明の詳細な説明には、第一の配線基板に凹部を形成し、凹部に第二の配線基板を埋め込まれている実施形態が開示されておらず、本件発明１、２は、本件の課題を解決できることを当業者が認識できる範囲を超えているといえるから、出願時の技術常識に照らしても、本件発明１、２の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないし、請求項１の記載を引用する本件発明３、４についても同様である旨主張している。 （２）上記（１）アの主張について 本件訂正明細書等の「【００３７】 次に、図２（ｅ）に示すように、半導体チップ６及び７を第一の配線基板３及び第二の配線基板５に接続する。この様にして、本発明のフリップチップパッケージ４０を作製することができる。 接続は接続用突起８、９によって行われる。このとき、半導体チップ６、７から第一の配線基板３までの対向距離（半導体チップ６、７と第一の配線基板３との向き合った面間の距離）１８と、同じく半導体チップ６及び７から第二の配線基板５までの対向距離（半導体チップ６、７と第二の配線基板５との向き合った面間の距離）１９は、第二の配線基板５の厚さの分だけ異なる。そのため接続用突起８と、接続用突起９は、第二の配線基板５の厚さ（およそ１０μｍ以上１００μｍ以下）の分だけ異なる高さとする。接続用突起８、９の形成方法については後述する。」及び【図２】（ｅ）の 「 ［図：0001429987000017.jpg］ 」の記載によれば、本件発明１において、「半導体チップ」と「第一の配線基板」との対向距離１８（対向距離Ａ）よりも、「半導体チップ」と「第二の配線基板」との対向距離１９（対向距離Ｂ）の方が小さいものであるから、本件発明１は、半導体チップと第一の配線基板との対向距離Ａよりも、半導体チップと第二の配線基板との対向距離Ｂの方が大きい態様を包含するものではない。 したがって、申立人の上記（１）アの主張は前提において誤っている。 （３）上記（１）イの主張について 本件発明２において、「第二の配線基板」は、「前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられて」いるものであるから、「第一の配線基板」の「前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面」と、「第一配線基板」の「第二の配線基板」を備えている面とは、同じ面である。 そうすると、申立人が主張する「第一の配線基板に凹部を形成し、凹部に第二の配線基板を埋め込まれている態様」は、第二の配線基板が、第一の配線基板に形成された凹部の底面に備えられるものであって、第二の配線基板の半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられるものではない。 したがって、本件発明２は、「第一の配線基板」に凹部を形成し、凹部に「第二の配線基板」を埋め込まれている態様を包含するものではない。 よって、申立人の上記（１）イの主張は前提において誤っている。 ３ 「面に」について （１）申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の１０ページ５行～１２行において、上記第２ ２（４）イ（イ）ａに記載した主張を参照しつつ、本件発明２は、「前記第二の配線基板は、・・・前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、」と特定し、第二の配線基板が第一の配線基板の面に備えられていることを特定しているが、発明の詳細な説明等には、第二の配線基板が第一の配線基板の面上に備えられているものしか記載されておらず、本件発明２は、発明の課題を達成しえない態様を包含している旨主張している。 （２）しかし、本件発明２の「前記第二の配線基板は、・・・前記第一の配線基板の前記半導体チップとの接続を行うパッドを備えている面に備えられており、」との事項は、本件訂正明細書等の【００２７】、【００２８】、【００３６】～【００３７】及び【図１】、【図２】（ｄ）、（ｅ）に記載されているといえる。 そして、申立人が主張する「第二の配線基板が第一の配線基板の面上に備えられている」は、第二の配線基板が第一の配線基板の面の上方に備えられているものを含んでいるが、そのようなものは、本件訂正明細書等には記載されていない。 したがって、申立人の上記主張は前提において誤っている。 ４ 「接続パッド」について （１）申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書の１０ページ１４行～１８行において、上記第７ ５（２）アに記載した主張を参照しつつ、本件発明２は、「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」が異なる半導体チップである態様を含みうるが、発明の詳細な説明等にそのような態様は記載されておらず、本件発明２は発明の課題を解決しえない態様を包含している旨主張している。 （２）しかし、上記第７ ５（２）イで検討したとおり、本件発明２において、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と、第二の配線基板の接続パッドと接続される「２つの半導体チップ」とは、同じ「半導体チップ」であるから、本件発明２は、「半導体チップ」と「２つの半導体チップ」が異なる半導体チップである態様を含み得るものではない。 したがって、申立人の上記主張は前提において誤っている。 ５ 「半導体チップ間」の接続について （１）申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書１０ページ２０行～最下行において、本件発明２における「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、第二の配線基板上のみに複数の半導体チップが搭載され、これらの複数の半導体チップが第二の配線基板により接続されている態様を包含しているが、発明の詳細な説明等には、半導体チップが第一の配線基板と第二の配線基板の両方に跨って接続されている態様しか記載されておらず、本件発明２は発明の課題を解決しえない態様を包含している旨主張している。 （２）しかし、上記第７ ５（２）イで検討したとおり、本件発明２において、第一の配線基板のパッドと接続される「半導体チップ」と、第二の配線基板の接続パッドと接続される「２つの半導体チップ」とは、同じ「半導体チップ」であるから、本件発明２は、「第二の配線基板」上のみに「複数の半導体チップ」が搭載され、これらの「複数の半導体チップ」が「第二の配線基板」により接続されている態様を包含するものではない。 したがって、申立人の上記主張は前提において誤っている。 ６ 「接続される」について （１）申立人は、令和７年６月１０日提出の意見書１１ページ２行～８行において、本件発明２における「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、２つの半導体チップを接着するために介在する層により「物理的に接続される」態様を包含しているが、請求項１や発明の詳細な説明等には、第二の配線基板が有する回路により「電気的に接続される」態様しか記載されておらず、本件発明２は発明の課題を解決しえない態様を包含している旨主張している。 （２）しかし、上記第７ ５（４）イで検討したとおり、本件発明２の「前記第二の配線基板により半導体チップ間が接続される」は、「半導体チップ間」が、「第二の配線基板」が有するパッドとビアと配線によって電気的に接続されることを意味するものといえるから、本件発明２は、「２つの半導体チップ」を接着するために介在する層により「物理的に接続される」態様を包含するものではない。 したがって、申立人の上記主張は前提において誤っている。 ７ 以上から、申立人の上記主張はいずれも採用できない。 ８ 小括 以上のとおりであるから、本件発明１～４は、発明の詳細な説明に記載されたものである。 よって、申立理由３（サポート要件）には理由がない。 第１１ むすび 以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１～４に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に請求項１～４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。