2023-700887

特許第７２３０４３２号発明「接合体、及び、絶縁回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２３０４３２号の請求項１～６に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２３０４３２号の請求項１～６に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、平成３０年１０月３０日（優先権主張 平成２９年１１月２日）の出願であって、令和５年２月２０日にその特許権の設定登録がされ、同年３月１日に特許掲載公報が発行され、その後、同年８月３０日に、請求項１～６に係る特許について、特許異議申立人 松岡 孝代（以下、「申立人」という。）により、甲第１～３号証を証拠方法として特許異議の申立てがなされたものである。 第２ 本件発明 本件特許の請求項１～６に係る発明は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１～６に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、請求項１～６に係る発明を、それぞれ「本件発明１」～「本件発明６」といい、まとめて「本件発明」ということがある。）。 「【請求項１】 Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材と、銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体であって、 前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成された接合層においては、前記セラミックス部材側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、 前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする接合体。 【請求項２】 前記活性金属化合物層は、活性金属の窒化物、又は、活性金属の酸化物のいずれかを含有することを特徴とする請求項１に記載の接合体。 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の接合体を備えた絶縁回路基板であって、 前記セラミックス部材からなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成された前記銅部材からなる回路層と、を備えていることを特徴とする絶縁回路基板。 【請求項４】 前記セラミックス基板の前記回路層とは反対側の面に、金属層が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の絶縁回路基板。 【請求項５】 前記金属層は銅又は銅合金からなることを特徴とする請求項４に記載の絶縁回路基板。 【請求項６】 前記金属層はアルミニウム又はアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項４に記載の絶縁回路基板。」 第３ 特許異議申立理由の概要 １ 特許法第２９条第１項、第２項所定の規定違反（新規性、進歩性欠如）について （１） 本件発明１及び２は甲第１号証に記載された発明であるから、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第２９条第１項所定の規定に違反してされたものである。 （２） 本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明３～６は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項所定の規定に違反してされたものである（特許異議申立書１５ページ２４行～１９ページ２１行）。 ２ 特許法第３６条第４項第１号所定の規定違反（実施可能要件違反）について 本件特許明細書には、「活性金属化合物層」を結晶質とするための具体的な条件は何ら記載されていない。 ここで、本件特許明細書の段落【００３７】～【００４０】（下記第４の２（２）ア（ア））には、本件発明に係る「接合体」の望ましい製造条件が記載されているが、同段落【００７８】の【表１】及び段落【００７９】の【表２】（下記第４の２（２）ア（イ））に記載された比較例の製造条件は、前記好ましい製造条件を満たしているのに、前記比較例における「活性金属化合物層」は非晶質であるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載からは、「活性金属化合物層」を「結晶質」とするための条件が不明であり、前記条件が本願出願時の技術常識であるともいえない。 このため、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本件発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、実施可能要件を満たさないので、本件発明１～６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号所定の規定を満たさない出願に対してされたものである（特許異議申立書１９ページ２２行～２１ページ１１行）。 ３ 証拠方法 甲第１号証：特開平１１－９２２５４号公報 甲第２号証：Chihiro Iwamoto et al., "Interface Nanostructure of Brazed Silicon Nitride", １９９８年, Journal of the American Ceramic Society, Vol. 81, No. 2, p.363-368 甲第３号証：特開２００９－１７７０８４号公報 第４ 特許異議申立理由についての当審の判断 １ 特許法第２９条第１項、第２項所定の規定違反（新規性、進歩性欠如）について （１） 甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明 ア 甲第１号証には、以下の（ア）～（カ）の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。また、「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。 （ア） 「【特許請求の範囲】 【請求項１】 窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置された、活性金属を含むろう材層とを具備するろう付け用構造体において、 前記窒化ケイ素焼結体とろう材層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記ろう材層の外周部より先行して存在することを特徴とするろう付け用構造体。 ・・・ 【請求項４】 窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置され、活性金属を含むメタライズ層とを具備するメタライズ構造体において、 前記窒化ケイ素焼結体とメタライズ層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記メタライズ層の外周部より先行して存在することを特徴とするメタライズ構造体。」 （イ） 「【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ケイ素焼結体を基材とし、この窒化ケイ素焼結体上に活性金属を含むろう材層もしくはメタライズ層を接合配置した、ろう付け用構造体およびメタライズ構造体に関する。 【０００２】 【従来の技術】窒化ケイ素焼結体などに代表されるセラミックス焼結体は、金属などの従来材料にない各種特性を有することから、各種部品材料として応用展開されている。例えば、窒化ケイ素焼結体の耐熱性、耐磨耗性、軽量・高強度などの特性を利用して、構造・機械部品などへの適用が進められている。ただし、窒化ケイ素焼結体を含むセラミックス材料は本質的に脆いという欠点を有しており、このような欠点を補うためには金属材料と接合一体化して使用することが一般的である。 【０００３】上記したような窒化ケイ素焼結体と金属材料との接合には、例えばＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金のような活性金属を含むろう材（活性金属ろう材）が用いられており、このような活性金属ろう材層を予め窒化ケイ素焼結体上に形成することが行われている。活性金属ろう材層は、各金属箔の積層体、合金箔、合金粉末などを窒化ケイ素焼結体上に配置した後、活性金属ろう材の融点以上の温度で熱処理することにより形成される。 【０００４】一方、窒化ケイ素焼結体の高電気絶縁性、高熱伝導性、高強度などの特性を利用して、電子部品への適用も進められている。この場合、配線層や回路網の形成などを目的として、窒化ケイ素焼結体（基板）表面にＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金のような活性金属を含む金属層（メタライズ層）を形成することが行われている。このようなメタライズ層の形成は、ろう材層の形成と同様にして実施されている。また、配線層などに銅板のような金属板を用いる場合には、活性金属を含む金属は構造用材料と同様にろう材層として使用される。」 （ウ） 「【００１７】図１は、本発明のろう付け用構造体およびメタライズ構造体の一実施形態としての窒化ケイ素／金属層の接合構造体の概略構造を模式的に示す断面図である。同図に示す窒化ケイ素／金属層の接合構造体１は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体２の表面に金属層３を接合配置した構造を有している。 ・・・ 【００２０】窒化ケイ素焼結体２上には、活性金属を含む金属層（以下、活性金属含有金属層と記す）３が活性金属ろう材層やメタライズ層として形成されている。活性金属含有金属層３には、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｔａなどの活性金属を添加した金属層形成材料が用いられる。この金属層形成材料のベースとなる金属材料としては、Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｃｕなどが挙げられる。 【００２１】上記したような活性金属は、金属層形成材料中に１～１０重量％程度の範囲で含有させることが好ましい。・・・ 【００２２】これらのうち、特に活性金属としてＴｉを含むＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金が好ましく用いられる。・・・ 【００２３】上述したような活性金属含有金属層３は、まず金属層の主形成材料および活性金属を含む合金箔、合金粉末、あるいは各金属箔の積層体などを窒化ケイ素焼結体２上に所望形状に配置した後、用いた活性金属含有金属材料の融点以上の温度で熱処理することにより形成される。このような熱処理おいて、活性金属含有金属材料は溶融され、窒化ケイ素焼結体２の表面を拡散する（濡れ広がる）。 【００２４】活性金属含有金属材料の濡れの進行に伴って、活性金属の拡散および窒化ケイ素焼結体２との反応が起こり、窒化ケイ素焼結体２と活性金属含有金属層３との界面には、窒化ケイ素焼結体２の構成元素と活性金属とを含む化合物層４が反応層として生成する。この際、活性金属含有金属層３が拡散する方向（濡れ広がる方向：図２中矢印で示す）に対して、反応層としての化合物層４が活性金属含有金属層３の外周部より先行するような条件下で熱処理を実施する。 ・・・ 【００３０】次に、反応層としての化合物層４について詳細に述べる。例えば、活性金属としてＴｉを用いた場合、図２に示すように、窒化ケイ素焼結体２側には窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とする第１の反応層５が生成し、活性金属含有金属層３側にはチタンシリサイド（例えばＴｉ５Ｓｉ３）を主成分とする第２の反応層６が生成する。このように、窒化ケイ素焼結体２と活性金属含有金属層３との界面には、窒化ケイ素焼結体２の構成元素であるＳｉおよびＮと活性金属との反応に基づいて、２層構造の化合物層４が得られる。 ・・・ 【００４０】この実施形態の窒化ケイ素／金属層の接合構造体１をろう付け用構造体として用いる場合には、活性金属ろう材層としての活性金属含有金属層３の窒化ケイ素焼結体２に対する接合強度を再現性よく向上させることができるため、活性金属ろう材層の信頼性のみならず、その後のろう接工程で作製する接合体の強度および信頼性を大幅に高めることが可能となる。また、窒化ケイ素／金属層の接合構造体１をメタライズ構造体として用いる場合には、配線層や回路網としてのメタライズ層の信頼性を大幅に高めることが可能となる。」 （エ） 「【００４１】 【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について述べる。 【００４２】実施例１、２ まず、窒化ケイ素焼結体上に６７．７重量％Ａｇ－２７．４重量％Ｃｕ－４．９重量％ Ｔｉ組成の合金を配置し、１０－３Ｐａ以下の真空下で加熱溶融した。加熱温度はこの合金の融点、すなわち１１８３Ｋ以上とした。観察のための試料は、それぞれ濡れはじめから６０秒後（実施例１）と９００秒後（実施例２）に冷却した。 ・・・ 【００４５】図５に実施例１による試料の３重点近傍の断面観察結果（ＴＥＭ写真）を模式的に示す。また、図６に実施例２による試料の３重点近傍の断面観察結果（ＴＥＭ写真）を模式的に示す。図５および図６に示すように、各試料共に反応生成物層（化合物層）が３重点、すなわち活性金属含有金属層の外周部より先行して存在していることが分かる。このような状態を実現することよって、金属層の接合強度、さらにはろう接後の接合強度を高めることができる。 【００４６】さらに、図５および図６において、いずれの試料もＳｉ３Ｎ４焼結体と金属層との界面には２層構造の反応層が生成していることが分かる。元素分析および質量分析から上層はＴｉ５Ｓｉ３であり、下層はＴｉＮであることが確認された。ＴｉＮ層はＴｉＮナノ微粒子からなるものであった。ただし、熱処理時間を短くした実施例１ではＴｉＮ層がＴｉ５Ｓｉ３層より先行しているのに対して、熱処理時間を長く設定した実施例２では逆にＴｉ５Ｓｉ３層がＴｉＮ層より先行していることが分かる。」 （オ） 「【図２】 ［図：0001405845000001.jpg］ 」 （カ） 「【図５】 ［図：0001405845000002.jpg］ 」 イ 前記ア（ア）の記載（請求項１）によれば、甲第１号証には、窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置された、活性金属を含むろう材層とを具備する「ろう付け用構造体」において、前記窒化ケイ素焼結体とろう材層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記ろう材層の外周部より先行して存在する、「ろう付け用構造体」が記載されている。 また、前記ア（ウ）、（オ）の記載によれば、前記「ろう付け用構造体」は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体２の表面に金属層３を接合配置した構造を有しているものであり（段落【００１７】）、前記金属層３は、活性金属を含む金属層、すなわち活性金属含有金属層３として形成されるものであり、前記活性金属含有金属層３には、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｔａなどの活性金属を添加した金属層形成材料が用いられ、この金属層形成材料のベースとなる金属材料としては、Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｃｕなどが挙げられるものであり（段落【００２０】）、前記活性金属含有金属層３は、まず金属層の主形成材料及び活性金属を含む合金箔、合金粉末、あるいは各金属箔の積層体などを窒化ケイ素焼結体２上に所望形状に配置した後、用いた活性金属含有金属材料の融点以上の温度で熱処理することにより形成され、このような熱処理において、活性金属含有金属材料は溶融され、窒化ケイ素焼結体２の表面を拡散し、濡れ広がり、活性金属含有金属材料の濡れの進行に伴って、活性金属の拡散及び窒化ケイ素焼結体２との反応が起こり、窒化ケイ素焼結体２と活性金属含有金属層３との界面には、窒化ケイ素焼結体２の構成元素と活性金属とを含む化合物層４が反応層として生成するものであり（段落【００２３】～【００２４】）、前記反応層としての化合物層４には、活性金属としてＴｉを用いた場合、窒化ケイ素焼結体２側に窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とする第１の反応層５が生成し、活性金属含有金属層３側にチタンシリサイド（例えばＴｉ５Ｓｉ３）を主成分とする第２の反応層６が生成して、２層構造の化合物層４が得られるものであり（段落【００３０】）、活性金属ろう材層としての活性金属含有金属層３の窒化ケイ素焼結体２に対する接合強度を再現性よく向上させることができるため、活性金属ろう材層の信頼性のみならず、その後のろう接工程で作製する接合体の強度及び信頼性を大幅に高めることが可能となるものである（段落【００４０】）。 更に、前記ア（エ）、（カ）の記載によれば、前記「ろう付け用構造体」は、まず、窒化ケイ素焼結体上に６７．７重量％Ａｇ－２７．４重量％Ｃｕ－４．９重量％Ｔｉ組成の合金を配置し、１０－３Ｐａ以下の真空下で加熱溶融し、加熱温度はこの合金の融点、すなわち１１８３Ｋ以上とし、観察のための試料を、それぞれ濡れはじめから６０秒後と９００秒後に冷却して製造されたものであり（段落【００４２】）、いずれの試料も、Ｓｉ３Ｎ４焼結体と金属層との界面には２層構造の反応層が生成しており、元素分析及び質量分析から上層はＴｉ５Ｓｉ３であり、下層はＴｉＮであることが確認され、ＴｉＮ層はＴｉＮナノ微粒子である（段落【００４６】）。 ウ 前記イによれば、甲第１号証には、以下の発明が記載されているといえる。 「窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置された、活性金属を含むろう材層とを具備するろう付け用構造体において、前記窒化ケイ素焼結体とろう材層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記ろう材層の外周部より先行して存在する、ろう付け用構造体であって、 前記ろう付け用構造体は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体の表面に金属層を接合配置した構造を有しているものであり、前記金属層は、活性金属を含む金属層、すなわち活性金属含有金属層として形成されるものであり、前記活性金属含有金属層には、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｔａなどの活性金属を添加した金属層形成材料が用いられ、この金属層形成材料のベースとなる金属材料としては、Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｃｕなどが挙げられるものであり、 前記活性金属含有金属層は、まず金属層の主形成材料及び活性金属を含む合金箔、合金粉末、あるいは各金属箔の積層体などを窒化ケイ素焼結体上に所望形状に配置した後、用いた活性金属含有金属材料の融点以上の温度で熱処理することにより形成され、このような熱処理において、活性金属含有金属材料は溶融され、窒化ケイ素焼結体の表面を拡散し、濡れ広がり、活性金属含有金属材料の濡れの進行に伴って、活性金属の拡散及び窒化ケイ素焼結体との反応が起こり、窒化ケイ素焼結体と活性金属含有金属層との界面には、窒化ケイ素焼結体の構成元素と活性金属とを含む化合物層が反応層として生成するものであり、 前記反応層としての化合物層には、活性金属としてＴｉを用いた場合、窒化ケイ素焼結体側に窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とする第１の反応層が生成し、活性金属含有金属層側にチタンシリサイド（例えばＴｉ５Ｓｉ３）を主成分とする第２の反応層が生成して、２層構造の化合物層が得られるものであり、 活性金属ろう材層としての活性金属含有金属層の窒化ケイ素焼結体に対する接合強度を再現性よく向上させることができるため、活性金属ろう材層の信頼性のみならず、その後のろう接工程で作製する接合体の強度及び信頼性を大幅に高めることが可能となるものであり、 前記ろう付け用構造体は、まず、窒化ケイ素焼結体上に６７．７重量％Ａｇ－２７．４重量％Ｃｕ－４．９重量％Ｔｉ組成の合金を配置し、１０－３Ｐａ以下の真空下で加熱溶融し、加熱温度はこの合金の融点、すなわち１１８３Ｋ以上とし、観察のための試料を、それぞれ濡れはじめから６０秒後と９００秒後に冷却して製造されたものであり、いずれの試料も、Ｓｉ３Ｎ４焼結体と金属層との界面には２層構造の反応層が生成しており、元素分析及び質量分析から上層はＴｉ５Ｓｉ３であり、下層はＴｉＮであることが確認され、ＴｉＮ層はＴｉＮナノ微粒子である、ろう付け用構造体。」（以下、「甲１発明１」という。） エ また、前記ア（ア）の記載（請求項４）によれば、甲第１号証には、窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置され、活性金属を含むメタライズ層とを具備する「メタライズ構造体」において、前記窒化ケイ素焼結体とメタライズ層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記メタライズ層の外周部より先行して存在する「メタライズ構造体」が記載されており、前記ア（ウ）の記載によれば、前記「メタライズ構造体」は、配線層や回路網としてのメタライズ層の信頼性を大幅に高めることが可能となるものであり（段落【００４０】）、このことと、前記イによれば、甲第１号証には、以下の発明が記載されているといえる。 「窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置され、活性金属を含むメタライズ層とを具備するメタライズ構造体において、前記窒化ケイ素焼結体とメタライズ層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記メタライズ層の外周部より先行して存在する、メタライズ構造体であって、 前記メタライズ構造体は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体の表面に金属層を接合配置した構造を有しているものであり、前記金属層は、活性金属を含む金属層、すなわち活性金属含有金属層として形成されるものであり、前記活性金属含有金属層には、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｖ、Ｔａなどの活性金属を添加した金属層形成材料が用いられ、この金属層形成材料のベースとなる金属材料としては、Ａｇ－Ｃｕ合金、Ｃｕなどが挙げられるものであり、 前記活性金属含有金属層は、まず金属層の主形成材料及び活性金属を含む合金箔、合金粉末、あるいは各金属箔の積層体などを窒化ケイ素焼結体上に所望形状に配置した後、用いた活性金属含有金属材料の融点以上の温度で熱処理することにより形成され、このような熱処理において、活性金属含有金属材料は溶融され、窒化ケイ素焼結体の表面を拡散し、濡れ広がり、活性金属含有金属材料の濡れの進行に伴って、活性金属の拡散及び窒化ケイ素焼結体との反応が起こり、窒化ケイ素焼結体と活性金属含有金属層との界面には、窒化ケイ素焼結体の構成元素と活性金属とを含む化合物層が反応層として生成するものであり、 前記反応層としての化合物層には、窒化ケイ素焼結体側に窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とする第１の反応層が生成し、活性金属含有金属層側にチタンシリサイド（例えばＴｉ５Ｓｉ３）を主成分とする第２の反応層が生成して、２層構造の化合物層が得られるものであり、 前記メタライズ構造体は、配線層や回路網としてのメタライズ層の信頼性を大幅に高めることが可能となるものであり、まず、窒化ケイ素焼結体上に６７．７重量％Ａｇ－２７．４重量％Ｃｕ－４．９重量％Ｔｉ組成の合金を配置し、１０－３Ｐａ以下の真空下で加熱溶融し、加熱温度はこの合金の融点、すなわち１１８３Ｋ以上とし、観察のための試料を、それぞれ濡れはじめから６０秒後と９００秒後に冷却して製造されたものであり、いずれの試料も、Ｓｉ３Ｎ４焼結体と金属層との界面には２層構造の反応層が生成しており、元素分析及び質量分析から上層はＴｉ５Ｓｉ３であり、下層はＴｉＮであることが確認され、ＴｉＮ層はＴｉＮナノ微粒子である、メタライズ構造体。」（以下、「甲１発明２」という。） なお、甲第２号証及び甲第３号証の摘記は省略する。 （２） 特許法第２９条第１項所定の規定違反（新規性欠如）について ア 甲１発明１について （ア） 本件発明１と甲１発明１とを対比すると、甲１発明１における「窒化ケイ素焼結体」は、本件発明１における「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材」に相当する。 （イ） ここで、甲１発明１における「活性金属を含むろう材層」及び「反応層」が、それぞれ、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」及び「接合層」に相当するといえるか否かについて検討する。 本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」について、本件特許明細書には以下の記載がある。 「【０００２】 ＬＥＤやパワーモジュール等の半導体装置においては、導電材料からなる回路層の上に半導体素子が接合された構造とされている。 風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子においては、発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、例えばＳｉ ３Ｎ４（窒化ケイ素）などからなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。なお、絶縁回路基板としては、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して金属層を形成したものも提供されている。 【０００３】 例えば、特許文献１には、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、銅板を接合することにより回路層及び金属層を形成した回路基板が提案されている。この回路基板においては、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されている（いわゆる活性金属ろう付け法）。この活性金属ろう付け法では、活性金属であるＴｉが含有されたろう材を用いているため、溶融したろう材とセラミックス基板との濡れ性が向上し、セラミックス基板と銅板とが良好に接合されることになる。 ・・・ 【発明が解決しようとする課題】 【０００７】 ところで、上述の絶縁回路基板の回路層においては、端子材が超音波接合されることがある。ここで、セラミックス部材側に形成される活性金属酸化物層が非晶質であった場合には、超音波を負荷させた際に、非晶質の活性金属酸化物層を起点としてクラックが発生し、回路層が剥離してしまうおそれがあった。 【０００８】 この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、超音波接合を行った場合であっても、セラミックス部材と銅部材との剥離を抑制することが可能な接合体、及び、絶縁回路基板を提供することを目的とする。 【課題を解決するための手段】 【００１１】 本発明の接合体は、Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材と、銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体であって、前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成された接合層においては、前記セラミックス部材側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする。 この構成の接合体によれば、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされているので、接合界面に適度な厚さの活性金属化合物層が存在し、冷熱サイクルを負荷した際に割れが生じることを抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れている。」 前記記載によれば、大電力制御用のパワー半導体素子においては、発熱量が多いことから、これを搭載する基板として、例えばＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）などからなるセラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられており（段落【０００２】）、従来技術として、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、銅板を接合することにより回路層及び金属層を形成した回路基板が提案されており、この回路基板においては、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されており（いわゆる活性金属ろう付け法）、この活性金属ろう付け法では、活性金属であるＴｉが含有されたろう材を用いているため、溶融したろう材とセラミックス基板との濡れ性が向上し、セラミックス基板と銅板とが良好に接合されることになるものである（段落【０００３】）。 ところが、前記絶縁回路基板の回路層においては、端子材が超音波接合されることがあり、「セラミックス部材」側に形成される活性金属酸化物層が非晶質であった場合には、超音波を負荷させた際に、非晶質の活性金属酸化物層を起点としてクラックが発生し、回路層が剥離してしまうおそれがあったことから（段落【０００７】）、本件発明は、超音波接合を行った場合であっても、「セラミックス部材」と「銅部材」との剥離を抑制することが可能な「接合体」、及び、「絶縁回路基板」を提供することを目的として（段落【０００８】）、「接合体」を、「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材と、銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体であって、前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成された接合層において」、「前記セラミックス部材側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされ」た「接合体」としたものである（段落【００１１】）。 このことからみれば、本件発明は、「セラミックス部材」の一方の面及び他方の面に、Ａｇ－Ｃｕ－Ｔｉ系ろう材、すなわち活性金属を含むろう材を介在させて「銅部材」を配置し、加熱処理を行うことにより「銅部材」が接合された（いわゆる活性金属ろう付け法）「接合体」において、超音波接合を行った場合であっても、「セラミックス部材」と「銅部材」との剥離を抑制することを目的としたものといえるから、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」は、「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材」に、活性金属を含むろう材により（いわゆる活性金属ろう付け法により）接合される「銅部材」をいうものと解するのが妥当である。 一方、甲１発明１における「活性金属を含むろう材層」は、ろう材なのであるから、活性金属を含有むろう材により（いわゆる活性金属ろう付け法により）接合される「銅部材」、すなわち本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」に相当するものとはいえない。 また、甲１発明１においては、「窒化ケイ素焼結体の構成元素と活性金属とを含む化合物層が反応層として生成するものであり、前記反応層としての化合物層には、窒化ケイ素焼結体側に窒化チタン（ＴｉＮ）を主成分とする第１の反応層が生成し、活性金属含有金属層側にチタンシリサイド（例えばＴｉ５Ｓｉ３）を主成分とする第２の反応層が生成して、２層構造の化合物層が得られる」ものであるが、前記「反応層」は、「活性金属を含むろう材層」と「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材」との間に形成されるものであって、前記「活性金属を含むろう材層」が本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」に相当するものとはいえないことは前記のとおりであるから、前記「反応層」は、そもそも「前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成」される「接合層」とはいえないので、前記「反応層」は、本件発明１における「接合層」に相当するものとはいえない。 したがって、甲１発明１における「活性金属を含むろう材層」及び「反応層」は、それぞれ、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」及び「接合層」に相当するとはいえない。 （ウ） また、甲１発明１における「ろう付け用構造体」は、「窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置された、活性金属を含むろう材層とを具備する」ものであるから、「接合体」といえる点で、本件発明１と共通する。 （エ） 前記（ア）～（ウ）によれば、本件発明１と甲１発明１とは、 「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材の接合体。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１：本件発明１は、「接合体」が、「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材と、銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体」であって、「接合層」が、「前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成され」るのに対して、甲１発明１は、「窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置された、活性金属を含むろう材層とを具備するろう付け用構造体において、前記窒化ケイ素焼結体とろう材層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記ろう材層の外周部より先行して存在する」ものである点。 ・相違点２：本件発明１は、前記「接合層において」、「前記セラミックス部材側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされている」のに対して、甲１発明１は、そのような「接合層」を有しない点。 （オ） そして、前記（エ）の相違点１及び２はいずれも実質的な相違点といえるから、本件発明１が甲１発明１であるとはいえない。 更に、本件発明２について検討しても事情は同じである。 イ 甲１発明２について （ア） 本件発明１と甲１発明２とを対比すると、前記ア（ア）及び（ウ）に記載したのと同様の理由により、甲１発明２における「窒化ケイ素焼結体」は、本件発明１における「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材」に相当し、甲１発明２における「メタライズ構造体」は、「接合体」といえる点で、本件発明１と共通する。 一方、甲１発明２における「活性金属を含むメタライズ層」は、活性金属を含有むろう材により（いわゆる活性金属ろう付け法により）接合されるものとはいえないから、前記ア（イ）に記載したのと同様の理由により、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」に相当するものとはいえないし、このため、甲１発明２における「反応層」も、本件発明１における「接合層」に相当するものとはいえない。 （イ） 前記（ア）によれば、本件発明１と甲１発明２とは、「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材の接合体。」の点で一致し、以下の点で相違する。 ・相違点１’：本件発明１は、「接合体」が「Ｓｉ系セラミックスからなるセラミックス部材と、銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体」であって、「接合層」が、「前記セラミックス部材と前記銅部材との間に形成され」るものであるのに対して、甲１発明２は、「窒化ケイ素焼結体と、前記窒化ケイ素焼結体の表面に接合配置され、活性金属を含むメタライズ層とを具備するメタライズ構造体において、前記窒化ケイ素焼結体とメタライズ層との界面に、前記窒化ケイ素焼結体の構成元素と前記活性金属とを含む化合物層が生成していると共に、前記化合物層が前記メタライズ層の外周部より先行して存在する」ものである点。 ・相違点２’：本件発明１は、前記「接合層において」、「前記セラミックス部材側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされている」のに対して、甲１発明２は、そのような「接合層」を有しない点。 （ウ） そして、前記（イ）の相違点１’及び２’はいずれも実質的な相違点といえるから、本件発明１が甲１発明２であるとはいえない。 更に、本件発明２について検討しても事情は同じである。 ウ 小括 したがって、本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。 （３） 特許法第２９条第２項所定の規定違反（進歩性欠如）について ア 甲１発明１について （ア） 始めに、前記（２）ア（エ）の相違点１の容易想到性について検討すると、甲第１号証の前記（１）ア（イ）の記載によれば、甲１発明１に係る「接合体」は、窒化ケイ素焼結体を基材とし、この窒化ケイ素焼結体上に活性金属を含むろう材層を接合配置したものであり（段落【０００１】）、従来、窒化ケイ素焼結体を含むセラミックス材料は金属材料と接合一体化して使用することが一般的であるが（段落【０００２】）、そのような窒化ケイ素焼結体と金属材料との接合には、例えばＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金のような活性金属を含むろう材（活性金属ろう材）が用いられており、このような活性金属ろう材層を予め窒化ケイ素焼結体上に形成することが行われているものであり（段落【０００３】）、また、窒化ケイ素焼結体を電子部品へ適用する場合には、配線層や回路網の形成などを目的として、窒化ケイ素焼結体（基板）表面にＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ合金のような活性金属を含む金属層（メタライズ層）を形成することが行われており、配線層などに銅板のような金属板を用いる場合には、活性金属を含む金属は構造用材料と同様にろう材層として使用されるものである（段落【０００４】）。 （イ） 前記（ア）によれば、甲１発明１に係る「接合体」は、電子部品へ適用する場合に、活性金属を含む金属をろう材層として使用して、配線層などに用いる銅板を接合一体化して使用することを前提としたものといえ、このことは、甲１発明１が、「その後のろう接工程で作製する接合体の強度及び信頼性を大幅に高めることが可能となるものであ」ることからも裏付けられるものである（前記（１）ア（ウ）段落【００４０】）。 そして、前記（２）ア（イ）の検討を参酌すると、前記配線層などに用いる銅板は、本件発明１における「銅又は銅合金からなる銅部材」に相当するといえるから、甲１発明１は、「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板を「その後のろう接工程で作製する接合体」とすることを前提としたものといえる。 更に、その場合、前記「活性金属を含むろう材層」により「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板との間に「接合層」が「形成され」ることが推認されるから、甲１発明１を、「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板を「その後のろう接工程で作製する接合体」とし、「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板との間に「接合層」を「形成」すること、すなわち、前記相違点１に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることは、甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易になし得ることといえる。 （ウ） そこで、そこから進んで、前記（２）ア（エ）の相違点２の容易想到性について検討すると、技術常識からみれば、甲１発明１を「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板を「その後のろう接工程で作製する接合体」とする際には、「窒化ケイ素焼結体」、前記配線層などに用いる銅板及び「活性金属を含むろう材層」を、当該「活性金属を含むろう材層」が溶融する温度まで加熱することで、これらの間で更なる反応が生じて、「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板の間に「接合層」が「形成」されて接合されるものといえる。 ところが、前記更なる反応後に、「接合層」の「窒化ケイ素焼結体」側に、「活性金属を含む化合物からなる」「活性金属化合物層が形成され」るか否かは明らかでないし、仮に、前記更なる反応後に前記「活性金属化合物層」が形成されるとしても、形成された前記「活性金属化合物層」が、「結晶質の活性金属化合物層」であって、「厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内と」なるということはできない。 また、摘記を省略した甲第２号証及び甲第３号証にも、このことは記載も示唆もされていないし、ほかに、このことを裏付ける証拠もないから、甲１発明１を「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板を「その後のろう接工程で作製する接合体」としても、「窒化ケイ素焼結体」と前記配線層などに用いる銅板との間に「形成」された「接合層において」、「窒化ケイ素焼結体」側に、活性金属を含む化合物からなる結晶質の「活性金属化合物層」を「形成」し、「前記活性金属化合物層の厚さ」を「１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内と」する構成には至らない。 （エ） 前記（ウ）によれば、甲１発明１を、前記「接合層において」、「窒化ケイ素焼結体」側に、「活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされている」ものとすること、すなわち、前記相違点２に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることは、当業者が容易になし得ることではないから、本件発明１は、甲１発明１及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、又は、甲１発明１及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明２～６について検討しても事情は同じである。 イ 甲１発明２について （ア） 始めに、前記（２）イ（イ）の相違点１’の容易想到性について検討すると、甲１発明２における「活性金属を含むメタライズ層」は、それ自体、「配線層や回路網」とされるものであるから、甲１発明２は、そもそも配線層などに用いる銅板を一体接合して使用することを前提としたものとはいえないので、甲１発明２を、「窒化ケイ素焼結体」と、「銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体」とする動機付けは存在しない。 そうすると、甲１発明２を、「窒化ケイ素焼結体」と、「銅又は銅合金からなる銅部材とが接合されてなる接合体」であって、「接合層」が、前記「窒化ケイ素焼結体」と「前記銅部材との間に形成され」るものとして、前記相違点１’に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることは、当業者が容易になし得ることではない。 （イ） また、仮に、そうすることを当業者が容易に想到し得るとしても、前記ア（ウ）に記載したのと同様の理由により、甲１発明２を、前記「接合層において」、「窒化ケイ素焼結体」側に、「活性金属を含む化合物からなる結晶質の活性金属化合物層が形成されており、前記活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされている」ものとして、前記（２）イ（イ）の相違点２’に係る本件発明１の発明特定事項を有するものとすることは、当業者が容易になし得ることではないから、本件発明１は、甲１発明２及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、又は、甲１発明２及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 更に、本件発明２～６について検討しても事情は同じである。 ウ 小括 したがって、本件発明１～６は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、又は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。 （４） 申立人の主張について ア 特許法第２９条第１項、第２項所定の規定違反（新規性、進歩性欠如）についての申立人の主張の概要は、以下のとおりである。 甲第１号証に記載された発明において、「ＴｉＮ層」がＴｉＮナノ微粒子からなるということは、「ＴｉＮ層」が多結晶質であることを示しているから、甲第１号証には、「活性金属化合物層」が「結晶質」であることが実質的に記載されている。 また、甲第２号証には、Ｓｉ３Ｎ４とＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ材の接合界面において、ＴｉＮナノ粒子を含むＴｉＮ相が形成されること、接合界面で格子整合が存在することが記載されており、Ｓｉ３Ｎ４とＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ材の接合界面に薄い「結晶質」のＴｉＮ相が形成されることは技術常識であるから、甲第１号証には、「活性金属化合物層」が「結晶質」であることが実質的に記載されている。 更に、甲第１号証に記載された発明が「銅部材」を備えていない点で本件発明１と相違するとしても、そうすることは当業者が容易になし得ることであるから、本件発明１は甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明から容易想到である（特許異議申立書１６ページ１８行～１８ページ９行）。 イ ところが、甲第１号証に記載された発明の「ＴｉＮ層」がＴｉＮナノ微粒子からなるということは、前記「ＴｉＮ層」が多結晶質であることを示しており、甲第２号証に、Ｓｉ３Ｎ４とＡｇ－Ｃｕ－Ｔｉ材の接合界面において、ＴｉＮナノ粒子を含むＴｉＮ相が形成されること、及び接合界面で格子整合が存在することが記載されており、更に、甲第１号証に記載された発明において「銅部材」を備えることは当業者が容易になし得ることであるとしても、本件発明１及び２が甲第１号証に記載された発明とはいえないこと、及び、本件発明１～６は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、又は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないことに変わりはないから、申立人の前記主張は採用できない。 （５） まとめ よって、本件発明１及び２に係る特許が、特許法第２９条第１項所定の規定に違反してされたものとはいえないし、本件発明１～６に係る特許が、特許法第２９条第２項所定の規定に違反してされたものともいえないから、前記第３の１（１）及び（２）の特許異議の申立て理由はいずれも理由がない。 ２ 特許法第３６条第４項第１号所定の規定違反（実施可能要件違反）について （１） 実施可能要件違反の判断手法 明細書の発明の詳細な説明の記載が、実施可能要件に適合するか否かは、明細書の発明の詳細な説明に、当業者が、明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その発明を実施することができる程度に発明の構成等の記載があるか否かという観点から判断すべきものである。 そして、物の発明における実施とは、その物の生産、使用等をする行為をいうから（特許法第２条第３項第１号）、例えば、明細書等にその物を生産することができる具体的な記載があるか、そのような記載がなくても、出願時の技術常識に基づいて当業者がその物を生産することができるのであれば、実施可能要件を満たすということができる。 （２） 実施可能要件についての判断 ア 本件特許明細書には、更に以下の（ア）～（イ）の記載がある。 （ア） 「【００３３】 まず、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図４において上面）に、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４、チタン材２５、及び回路層１２となる銅板２２を順に積層するとともに、セラミックス基板１１の他方の面（図４において下面）に、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４、チタン材２５、及び金属層１３となる銅板２３を順に積層する（積層工程Ｓ０１）。 【００３４】 本実施形態では、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４として、Ｐを３ｍａｓｓ％以上１０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、かつ、低融点元素であるＳｎを７ｍａｓｓ％以上５０ｍａｓｓ％以下の範囲で含み、さらに、Ｎｉを２ｍａｓｓ％以上１５ｍａｓｓ％以下の範囲で含むＣｕ－Ｐ－Ｓｎ－Ｎｉろう材を用いている。 ここで、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下の範囲とされている。 【００３５】 また、本実施形態では、活性金属元素であるＴｉを含むチタン材２５の厚さは、０．０５μｍ以上２μｍ以下の範囲内とされている。なお、チタン材２５は、厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下の場合には蒸着やスパッタによって成膜することが好ましく、厚さが１．０μｍ以上の場合には箔材を用いることが好ましい。 【００３６】 次に、セラミックス基板１１、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４、チタン材２５、銅板２２及び銅板２３を、積層方向に加圧（圧力１～３５ｋｇｆ／ｃｍ２（０．１ＭＰａ～３．５ＭＰａ））した状態で、真空加熱炉内に装入して加熱して接合する（接合工程Ｓ０２）。 本実施形態では、真空加熱炉内の圧力は１０－６Ｐａ以上１０－３Ｐａ以下の範囲内としている。 また、加熱温度は７７０℃以上９８０℃以下の範囲内、加熱温度での保持時間を５分以上１５０分以下の範囲内に設定している。さらに、６００℃から７３０℃までの昇温速度を５℃／ｍｉｎ以上２０℃／ｍｉｎ以下の範囲内に設定している。 【００３７】 ここで、活性金属元素であるＴｉを含むチタン材２５の厚さが０．０５μｍ未満の場合には、セラミックス基板１１と銅板２２，２３との接合が不十分となるおそれがある。一方、チタン材２５の厚さが２μｍを超える場合には、セラミックス基板１１の分解が促進され、超音波接合時にクラックが生じるおそれがある。・・・ 【００３８】 Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４の厚さが１０μｍ未満の場合には、セラミックス基板１１と銅板２２，２３との接合が不十分となるおそれがある。一方、Ｃｕ－Ｐ系ろう材２４の厚さが５０μｍを超える場合には、セラミックス基板１１の分解が促進され、超音波接合時にクラックが生じるおそれがある。・・・ 【００３９】 接合工程Ｓ０２における加熱温度が７７０℃未満の場合には、セラミックス基板１１と銅板２２，２３との接合が不十分となるおそれがある。一方、接合工程Ｓ０２における加熱温度が９８０℃を超える場合には、セラミックス基板１１の熱劣化によってマイクロクラックが発生し、超音波接合時にセラミックス基板１１に割れが生じるおそれがある。・・・ 【００４０】 接合工程Ｓ０２における加熱温度での保持時間が５分未満の場合には、セラミックス基板１１と銅板２２，２３との接合が不十分となるおそれがある。一方、接合工程Ｓ０２における加熱温度での保持時間が１５０分を超える場合には、セラミックス基板１１の分解が促進され、超音波接合時にクラックが生じるおそれがある。・・・ 【００４１】 接合工程Ｓ０２における６００℃から７３０℃までの昇温速度が５℃／ｍｉｎ未満の場合には、セラミックス基板１１の分解が促進され、超音波接合時にクラックが生じるおそれがある。一方、接合工程Ｓ０２における６００℃から７３０℃までの昇温速度が２０℃／ｍｉｎを超える場合には、熱衝撃によってセラミックス基板１１にマイクロクラックが発生し、超音波接合時にセラミックス基板１１に割れが生じるおそれがある。・・・」 （イ） 「【００７３】 ＜実施例１＞ 表１記載の材質からなるセラミックス基板（２６ｍｍ×２６ｍｍ×０．３２ｍｍ厚）の一方の面に、表１記載のろう材及び活性金属材を用いて、無酸素銅からなる銅板（６ｍｍ×６ｍｍ×０．３ｍｍ厚）を順に積層し、積層体を形成する。 そして、積層体を表２に示す荷重で加圧した状態で真空加熱炉に投入し、加熱することによってセラミックス基板の一方の面に銅板を接合した。加熱温度及び時間は表２記載の通りとした。 【００７４】 以上のようにして、本発明例、比較例の接合体を得た。得られた接合体について、「活性金属化合物層の材質及び結晶性」、「超音波接合性」について評価した。 ・・・ 【００７８】 【表１】 ［図：0001405845000003.jpg］ 【００７９】 【表２】 ［図：0001405845000004.jpg］ 【００８０】 活性金属化合物層が非晶質である比較例においては、超音波接合後に銅板とセラミックス基板の接合界面での剥離は認められなかったが、超音波探傷装置で検査した結果、剥離が確認された。 【００８１】 これに対して、活性金属化合物層が結晶質とされた本発明例１－９においては、超音波接合後に銅板とセラミックス基板の接合界面での剥離は認められず、超音波探傷装置で検査した結果、剥離も確認されなかった。 また、図９を参照すると、本発明例１においては、セラミックス基板の界面部分に結晶質の活性金属化合物層（ルチル型のＴｉ－Ｏ層）が形成されていることが確認される。さらに、図１０を参照すると、本発明例１においては、比較例１に比べて、セラミックス基板の界面部分における活性金属濃度（Ｔｉ濃度）が高くなっていることが確認される。 【００８２】 以上のことから、本発明例によれば、超音波接合を行った場合であっても、セラミックス部材と銅部材との剥離を抑制することが可能な接合体、及び、絶縁回路基板を提供できることが確認された。 【００８３】 ＜実施例２＞ 表３記載の材質からなるセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．３２ｍｍ厚）の両面に、表３記載のろう材及び活性金属材を用いて、無酸素銅からなる銅板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×０．８ｍｍ厚）を順に積層し、積層体を形成する。 そして、積層体を表４に示す荷重で加圧した状態で真空加熱炉に投入し、加熱することによってセラミックス基板の両面にそれぞれ銅板を接合した。加熱温度及び時間は表４記載の通りとした。 【００８４】 以上のようにして、本発明例の接合体を得た。得られた接合体について、「活性金属化合物層の材質及び結晶性」、活性金属化合物層の厚さ」、「冷熱サイクル信頼性」について評価した。なお、「活性金属化合物層の材質及び結晶性」については、実施例１と同様に評価した。 【００８５】 （活性金属化合物層の厚さ） 透過型電子顕微鏡（ＦＥＩ社製Ｔｉｔａｎ ＣｈｅｍｉＳＴＥＭ、加速電圧２００ｋＶ）を用いて倍率８００００倍で測定し、エネルギー分散型Ｘ線分析法（サーモサイエンティフィック社製ＮＳＳ７）により、Ｎ、Ｏ及び活性金属元素の元素マッピングを取得した。活性金属元素とＮまたはＯが同一領域に存在する場合に活性金属化合物層が有ると判断した。 ５視野で観察を行い、活性金属元素とＮまたはＯが同一領域に存在する範囲の面積を測定した幅で割ったものの平均値を「活性金属化合物層の厚さ」とした。 ・・・ 【００８７】 【表３】 ［図：0001405845000005.jpg］ 【００８８】 【表４】 ［図：0001405845000006.jpg］ 【００８９】 活性金属化合物層の厚さが１．５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の範囲内とされた本発明例１１－２２においては、セラミックス割れが発生した冷熱サイクルが８００回以上であり、冷熱サイクル信頼性に優れていることが確認された。・・・」 イ そして、前記ア（ア）の記載からみれば、当業者は、本件発明１の発明特定事項を満たす「接合体」を製造する際の、ろう材の材質、厚さ、チタン材の厚さ、加圧圧力、真空加熱炉内の圧力、加熱温度といった製造条件を理解できる。 また、前記ア（イ）の実施例２（段落【００８３】～【００８９】）における本発明例１１～２２は、本件発明１の発明特定事項を全て満たすし、その製造方法も具体的に記載されているのであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、本件発明１に係る「接合体」を生産することができる具体的な記載があるといえるのであり、このことを前記（１）の判断手法に当てはめれば、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、実施可能要件を満たすといえる。 更に、本件発明２～６について検討しても事情は同じである。 （３） 申立人の主張について 以下、前記第３の２の申立人の主張について検討すると、前記（２）イに記載したのと同様の理由により、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「活性金属化合物層」を「結晶質」とするための具体的な条件が記載されているといえる。 また、本件特許明細書の段落【００３６】（前記（２）ア（ア））の記載によれば、本件発明に係る「接合体」の製造方法においては、６００℃から７３０℃までの昇温速度を５℃／ｍｉｎ以上２０℃／ｍｉｎ以下の範囲内に設定しているのであり、前記段落【００７９】【表２】（前記（２）ア（イ））に記載された本発明例１～９の昇温速度が、５℃／ｍｉｎ（本発明例２、５）～２０℃／ｍｉｎ（本発明例６）の範囲にあることからみれば、前記【表２】の昇温速度は、前記段落【００３６】でいう６００℃から７３０℃までの昇温速度と解するのが妥当である。 そして、前記【表２】の比較例における昇温速度は３℃／ｍｉｎであるから、前記段落【００３６】に記載された範囲（５℃／ｍｉｎ以上２０℃／ｍｉｎ以下）を満たさない。 してみれば、前記比較例２は、本件特許明細書に記載された製造条件を満たしているとはいえないのであり、前記昇温速度について検討していない前記第３の２の主張は、前提において誤っている。 そして、前記（２）イに記載したのと同様の理由により、「活性金属化合物層」を「結晶質」とするための具体的な記載があるといえるから、前記第３の２の申立人の主張も採用できない。 （４） 小括 したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号所定の規定に適合するから、前記第３の２の特許異議の申立て理由は理由がない。 第５ むすび 以上のとおりであるから、申立人の特許異議申立書に記載した特許異議の申立て理由によっては、本件発明１～６に係る特許を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１～６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり決定する。