2023-700870

特許第７２３３２５２号発明「窒化ケイ素エッチング液組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２３３２５２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～７〕について訂正することを認める。 特許第７２３３２５２号の請求項１～４、７に係る特許を維持する。

理 由 第１ 手続の経緯 特許第７２３３２５２号の請求項１～７に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願は、平成３１年３月７日を出願日とする出願であって、令和５年２月２４日にその特許権の設定登録がされ、同年３月６日に特許掲載公報が発行された。本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。 令和 ５年 ８月２４日 ： 特許異議申立人石井健治（以下、「申立人」という。）による請求項１～４、７に係る特許に対する特許異議の申立て 令和 ５年１１月２９日付け： 取消理由通知書 令和 ６年 １月２５日 ： 特許権者による意見書及び訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正請求を「本件訂正請求」という。また、本件訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）の提出 令和 ６年 ２月２６日 ： 申立人による意見書の提出 第２ 訂正の適否についての判断 １ 訂正の内容 本件訂正の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。 （１）訂正事項１ 請求項１に係る「３Ｄ不揮発性メモリセルを製造するための窒化ケイ素エッチング液組成物であって、」を、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための窒化ケイ素エッチング液組成物であって、」に訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２～７も同様に訂正する。） ２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について （１）訂正の目的 訂正事項１による訂正は、令和５年１１月２９日付け取消理由通知書の「第２ 取消理由１（明確性）について」で通知した、「エッチングする工程に用いられるエッチング液組成物は、エッチング対象の材料とエッチング対象ではない他の材料とが混在する場合や、エッチング対象の材料のみが存在する場合など、そのエッチング条件に応じた最適な組成や濃度が存在し、たとえ、目的とするエッチング対象の材料が同じであっても、そのエッチング条件に適したエッチング液組成物の組成や濃度が異なることもまた、本件特許の出願前における技術常識である。そうすると、「請求項１の「３Ｄ不揮発性メモリセルを製造するための」は、エッチング条件に適したエッチング液組成物の組成や濃度を特定する記載ではないから、「窒化ケイ素エッチング液組成物」という物の如何なる特徴（構成）を特定する表現なのか不明であり、明確とはいえない。」との取消理由を解消するために、「窒化ケイ素エッチング液組成物」において、「３Ｄ不揮発性メモリセルを製造するための」を「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」と訂正することにより、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造のうち、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするのに適したエッチング液組成物であることを特定するものであるから、特許請求の範囲の記載を明瞭にしようとするものである。 よって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。 （２）新規事項の有無 訂正事項１による訂正は、本件特許に係る願書に添付された明細書（以下、「本件明細書」という。）の【０００４】の「３ＤＮＡＮＤフラッシュメモリの製造方法の一例としては、（１）二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）と窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）が交互に積層された基板において、（２）ドライエッチングによりホールを形成し、（３）該ホール中に絶縁膜（ＳｉＯ２）で覆われたゲート電極（ｐ－Ｓｉ電極）を埋め込み、（４）ドライエッチングにより積層膜に溝（間隔）を形成し、（５）基板表面にイオン注入を行って不純物領域を形成し、（６）ウェットエッチングによりＳｉ３Ｎ４をエッチングし、（７）露出した基板およびＳｉＯ２表面にバリアメタルとしてＴｉＮ、電極としてＷを製膜し、（８）混酸によってＴｉＮおよびＷを一括でエッチングする工程を経る。」との記載と、本件特許に係る願書に添付した図面（以下、「本件図面」という。）の図３から、エッチング対象となる基板が、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層されて構成されていることが見て取れること、に基づくものである。 よって、訂正事項１に係る訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではないから、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 （３）特許請求の範囲の拡張・変更の存否 上記（１）のとおり、訂正事項１による訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 よって、訂正事項１による訂正は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。 ３ 小括 以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項、第６項の規定に適合する。 したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１－７〕について訂正することを認める。 第３ 訂正後の本件発明 本件訂正後の請求項１～７に係る発明（以下、順に「本件発明１」～「本件発明７」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。 「【請求項１】 ３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための窒化ケイ素エッチング液組成物であって、 リン酸と１種または２種以上のシランカップリング剤と水とを含み、 アンモニウムイオンを含まず、 シランカップリング剤が、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、トリメトキシ［３－（メチルアミノ）プロピル］シラン、［３－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シラン、Ｎ－［２－（Ｎ－ビニルベンジルアミノ）エチル］－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－［８－（トリメトキシシリル）オクチル］エタン－１，２－ジアミン、Ｎ－［３－（トリメトキシシリル）プロピル］－１－ブタンアミン、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、３－［（１,３－ジメチルブチリデン)アミノ］プロピルトリエトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリメトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシランおよびＮ，Ｎ－ビス［（ジフェニルホスフィノ）メチル］－３－（トリエトキシシリル）プロピルアミンからなる群から選択される、前記エッチング液組成物。 【請求項２】 リン酸を６０～９５重量％、シランカップリング剤を０．０１～１０重量％含む、請求項１に記載のエッチング液組成物。 【請求項３】 １種または２種以上の水溶性極性有機溶媒をさらに含む、請求項１または２に記載のエッチング液組成物。 【請求項４】 水溶性極性有機溶媒が、メタノール、エタノールおよびアセトンからなる群から選択される、請求項３に記載のエッチング液組成物。 【請求項５】 無機ケイ酸塩をさらに含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のエッチング液組成物。 【請求項６】 無機ケイ酸塩が、ケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムである、請求項５に記載のエッチング液組成物。 【請求項７】 ３Ｄ不揮発性メモリセルを製造する方法であって、 請求項１～６のいずれか一項に記載のエッチング液組成物を用いて、窒化ケイ素をエッチングすることを含む、前記方法。」 第４ 取消理由の概要 本件訂正前の請求項１～４、７に係る特許に対して、当審が令和５年１１月２９日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。 １ 取消理由１（明確性）について 本件訂正前の請求項１～４、７は、特許請求の範囲の記載が明確でないから、本件訂正前の請求項１～４、７に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 取消理由２（新規性）について 本件訂正前の請求項１～２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１～２に係る特許は、同法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 ３ 取消理由３（進歩性）について 本件訂正前の請求項１～２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１～２に係る特許は、同法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 ＜証拠方法＞ 甲第１号証：特開２０１８－１８２３１２号公報 第５ 当審の判断 １ 取消理由１（明確性）について （１）３Ｄ不揮発性メモリセルの製造においては、複数のエッチングを含む多種多様な製造工程を経ることが本件特許の出願前における技術常識であるところ、本件訂正後の請求項１に記載の「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための窒化ケイ素エッチング液組成物」は、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」エッチング条件に適した組成や濃度を有する「窒化ケイ素エッチング液組成物」であるといえ、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造における、他のエッチングを含む製造工程に用いる「窒化ケイ素エッチング液組成物」とは異なるものであり、明確である。 また、本件訂正後の請求項１を引用する本件訂正後の請求項２～４、７についても同様である。 よって、本件訂正後の請求項１～４、７に係る発明は明確である。 （２）申立人の主張について 申立人は、令和６年２月２６日に提出した意見書の第２ページ下から第５行～第３ページ第３行、同ページ第７～９行において、「訂正事項１は、被申立人も自認しているように、窒化ケイ素エッチング液組成物の用途としての特定が不十分であったものをさらに特定したもの過ぎない。そして、このような特定は、取消理由通知で指摘されている「エッチング条件に適したエッチング液組成物の組成や濃度を特定する記載」ではないから、「窒化ケイ素エッチング組成物」という物の特徴（構成）を特定したものとは到底言えない。言い換えれば、本件特許においては、用途を特定したことで物の特徴（構成）を特定したことにはならない。」、及び、「以上の理由から、訂正後の請求項１に係る発明、及び請求項１を引用する請求項２～４、７に係る発明は依然として明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」旨主張している。 また、上記意見書の第３ページ第１０行～第２２行において、訂正事項１は、窒化ケイ素エッチング液組成物の用途としての特定をさらに特定したものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものにも該当し、訂正の目的が、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであったとしても、同時に特許請求の範囲の減縮を目的とするものにも該当する場合、独立特許要件が課されることを付言する旨主張している。 しかしながら、上記（１）、及び、上記第２の２（１）のとおりであるから、申立人の主張は採用できない。 ２ 取消理由２（新規性）、及び、取消理由３（進歩性）について （１）甲第１号証に記載された発明 ア 甲第１号証には次の記載がある（下線部は当審による。）。 「【０００１】 本発明は、シリコン窒化膜エッチング用組成物に関する。より詳細には、本発明は、ウェットエッチングによってシリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができるエッチング用組成物に関する。」 「【００５６】 表１に示す組成でエッチング用組成物を調製した後、この組成物の、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）及びシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ）に対するエッチング速度（Ｅ／Ｒ）を測定した。表１において、シラン１はシリコンオルトホスフェート、シラン２は３－アミノプロピルトリエトキシシラン、シラン３はヘキサメチルジシラザンである。」 「【００５８】 【表１】 ［図：0001411336000001.jpg］ 」 イ 甲第１号証に記載された事項 （ア）前記アの【０００１】によれば、甲第１号証は、シリコン窒化膜エッチング用組成物に関するものである。 （イ）前記アの【００５６】によれば、同【００５８】の【表１】は、【表１】に示す組成でエッチング用組成物を調製後、各エッチング用組成物の、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）及びシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ）に対するエッチング速度（Ｅ／Ｒ）を測定した結果を示すものであり、【表１】において、シラン２は３－アミノプロピルトリエトキシシランである。 （ウ）前記アの【００５８】の【表１】によれば、「比較例３」の組成は、８５重量％のリン酸、１重量％のシラン２、及び、残部の水からなる、エッチング用組成物である。 また、同【００５６】によれば、シラン２は、３－アミノプロピルトリエトキシシランであるから、「比較例３」は、８５重量％のリン酸、１重量％の３－アミノプロピルトリエトキシシランと、残部の水からなる、エッチング用組成物である。 そして、同【００５８】の【表１】によれば、「実施例１」、「実施例２」、及び、「比較例３」について、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）及びシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ）に対するエッチング速度（Ｅ／Ｒ）は、それぞれ、７３．４７（Å／ｍｉｎ）、７１．２６（Å／ｍｉｎ）、及び、７１．２０（Å／ｍｉｎ）であり、「比較例３」のエッチング用組成物は、「実施例１」及び「実施例２」のシリコン窒化膜エッチング用組成物と同程度のエッチング速度を有し、シリコン窒化膜をエッチングすることができるエッチング用組成物であるといえるから、シリコン窒化膜エッチング用組成物である。 ウ 甲第１号証に記載された発明 前記イの記載事項から、甲第１号証には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 「シリコン窒化膜エッチング用組成物であって、 ８５重量％のリン酸、１重量％の３－アミノプロピルトリエトキシシラン、残部の水からなる、 シリコン窒化膜エッチング用組成物。」 （２）本件発明１について ア 対比 （ア）本件発明１と甲１発明とを対比する。 甲１発明の「リン酸」は、本件発明１の「リン酸」に相当する。また、甲１発明の「水」は、本件発明１の「水」に相当する。 （イ）甲１発明の「３－アミノプロピルトリエトキシシラン」は、本件発明１の「１種または２種以上のシランカップリング剤」であり、「シランカップリング剤が、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、トリメトキシ［３－（メチルアミノ）プロピル］シラン、［３－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シラン、Ｎ－［２－（Ｎ－ビニルベンジルアミノ）エチル］－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－［８－（トリメトキシシリル）オクチル］エタン－１，２－ジアミン、Ｎ－［３－（トリメトキシシリル）プロピル］－１－ブタンアミン、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、３－［（１,３－ジメチルブチリデン)アミノ］プロピルトリエトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリメトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシランおよびＮ，Ｎ－ビス［（ジフェニルホスフィノ）メチル］－３－（トリエトキシシリル）プロピルアミンからなる群から選択される」うちの「３－アミノプロピルトリエトキシシラン」に相当する。 （ウ）甲１発明の「シリコン窒化膜エッチング用組成物」は、窒化ケイ素をエッチングする液体のエッチング用組成物であるといえるから、本件発明１の「窒化ケイ素エッチング液組成物」に相当する。 （エ）甲１発明の「シリコン窒化膜エッチング用組成物」は、「８５重量％のリン酸と、１重量％の３－アミノプロピルトリエトキシシランと、残部の水からなる」ものであり、「アンモニウムイオン」等の他の成分を含むものではないといえるから、本件発明１の「窒化ケイ素エッチング液組成物であって、」「アンモニウムイオンを含ま」ないものに相当する。 （オ）以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の一致点及び相違点を有する。 ＜一致点＞ 「窒化ケイ素エッチング液組成物であって、 リン酸と１種または２種以上のシランカップリング剤と水とを含み、 アンモニウムイオンを含まず、 シランカップリング剤が、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、トリメトキシ［３－（メチルアミノ）プロピル］シラン、［３－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリメトキシ［３－（フェニルアミノ）プロピル］シラン、Ｎ－［２－（Ｎ－ビニルベンジルアミノ）エチル］－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－［８－（トリメトキシシリル）オクチル］エタン－１，２－ジアミン、Ｎ－［３－（トリメトキシシリル）プロピル］－１－ブタンアミン、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、３－［（１,３－ジメチルブチリデン)アミノ］プロピルトリエトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリメトキシシラン、（３－メルカプトプロピル）トリエトキシシランおよびＮ，Ｎ－ビス［（ジフェニルホスフィノ）メチル］－３－（トリエトキシシリル）プロピルアミンからなる群から選択される、前記エッチング液組成物。」 ＜相違点＞ 本件発明１は、「窒化ケイ素エッチング液組成物」の用途について、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」であるのに対し、甲１発明は、そのような特定を有しない点。 イ 相違点についての判断 甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」は、上記（１）イ（ウ）のとおり、「比較例３」のエッチング用組成物である。 そして、上記（１）イのとおり、上記【表１】には、上記【表１】に示す組成でエッチング用組成物を調製した後、この組成物の、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）及びシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ）に対するエッチング速度（Ｅ／Ｒ）を測定した結果が記載されているが、上記【表１】に示す組成の「比較例３」のエッチング用組成物、すなわち、甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」を、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」ものとして用いることは、甲第１号証には記載も示唆もされていない。 また、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングすることが、本件特許の出願日前における周知技術であるとしても、甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」は、「比較例３」のエッチング用組成物、すなわち、上記【表１】の「実施例１」及び「実施例２」の効果を実証するために用いた比較用のエッチング用組成物であるから、甲１発明において、上記周知技術を採用する動機付けは存在しない。 よって、上記相違点は、実質的なものであり、本件発明１は、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）本件発明２～４、７について 本件発明２～４、７は、上記相違点に係る本件発明１の構成を有しているから、上記（２）イで検討したのと同様の理由により、甲１発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （４）申立人の主張について 申立人は、令和６年２月２６日に提出した意見書の第５ページ第２行～第７ページ第１行において、甲第１号証には、「シリコン窒化膜エッチング用組成物を、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするために用いること」が示唆されており、シリコン窒化膜エッチング用組成物を３Ｄ不揮発性メモリセルの製造に用いることは、甲第１号証の記載の他、甲第３号証に記載されているとおり周知の事項であるから、本件発明１は甲１発明と同一であり、新規性を有さないこと、及び、本件発明１の課題は甲第３号証の記載から自明であり、本件発明１は、甲１発明及び甲第３号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、進歩性を有さないものである旨主張している。 しかしながら、上記（２）イのとおりであるから、申立人の主張は採用できない。 第６ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立人は、証拠として甲第１号証～甲第５号証を提出し、以下の理由により、請求項１～４、７に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。 （１）申立理由１（進歩性） 本件訂正前の請求項１～４、７は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証～甲第５号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１～４、７に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 （２）申立理由２（サポート要件） 本件訂正前の請求項１～４、７は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件訂正前の請求項１～４、７に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 ２ 申立理由１（進歩性）について （１）甲第２号証～甲第５号証の記載事項 ア 甲第２号証（韓国公開特許第１０－２０１７－０００９２４０号公報）の記載事項 甲第２号証の【００３５】には、以下が記載されている。（なお、日本語の記載として、特許異議申立書に添付された甲第２号証の翻訳文を援用した。） 「【００３５】 ［図：0001411336000002.jpg］ 」 イ 甲第３号証（特表２０２０－５０３６６４号公報）の記載事項 甲第３号証には、以下が記載されている。 「【００２３】 したがって、本発明は、酸化膜に対して窒化膜の選択的除去が要求される半導体製造工程、例えば、フラッシュメモリ素子の素子分離工程、３Ｄフラッシュメモリ素子のパイプチャネル（ｐｉｐｅｃｈａｎｎｅｌ）形成工程、相変化メモリのダイオード形成工程などといった様々な工程に広く適用され、プロセス効率を向上させることができる。」 「【０２７０】 ［調製例：エッチング用組成物の調製］ ＜実施例１＞ 第１無機酸としてリン酸（８５％水溶液）を９９重量％、第１添加剤としてジメチルジメトキシシラン１重量％を混合して、エッチング用組成物を調製した。」 ウ 甲第４号証（特開２０１６－９２３９２号公報）の記載事項 甲第４号証には、以下が記載されている。 「【請求項２０】 前記窒化膜エッチング組成物は、シラン化合物、フッ酸およびフッ化アンモニウムを含まないことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。」 エ 甲第５号証（特開２０１８－２０７１０８号公報）の記載事項 甲第５号証には、以下が記載されている。 「【請求項１】 マイクロ電子デバイスから、酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的に除去するのに適したエッチング溶液であって、 水と、 リン酸と、 ヒドロキシル基含有溶媒とを含むエッチング溶液。 【請求項２】 前記ヒドロキシル基含有溶媒が、アルカンジオール又はポリオール、グリコール、アルコキシアルコール、飽和脂肪族一価アルコール、不飽和非芳香族一価アルコール、及び環構造を含有するアルコールからなる群より選択される、請求項１に記載のエッチング溶液。」 「【請求項６】 前記ヒドロキシル基含有溶媒が飽和脂肪族一価アルコールであり、メタノール、エタノール、ｎ－プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、２－ペンタノール、ｔ－ペンチルアルコール、及び１－ヘキサノールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。」 （２）本件発明１について ア 対比 本件発明１と甲１発明とを対比すると、本件発明１と甲１発明は、上記第５の２（２）ア（オ）で述べた、一致点及び相違点を有する。 イ 相違点についての判断 上記第５の２（２）イのとおり、甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」を、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」として用いることは、甲第１号証には記載も示唆もされておらず、さらに、甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」は、上記【表１】の「実施例１」及び「実施例２」の効果を実証するために用いた比較用のエッチング用組成物であるから、甲第２号証～甲第５号証の記載事項を踏まえても、甲１発明の「窒化ケイ素エッチング液組成物」を、「３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とが交互に複数積層された基板の窒化ケイ素をエッチングするための」として用いる動機付けは存在しない。 したがって、本件発明１は、甲１発明、及び、甲第２号証～甲第５号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 （３）申立人の主張について 申立人は、特許異議申立書の第１４ページ第１行～第１６ページ第１３行において、本件発明１は、「アンモニウムイオンを含まず、」との構成要件１Ｃを備えるものであるのに対し、甲第１号証では、文言上そのような特定がなされていない点で、本件発明１と相違するが、甲第１号証の比較例３のように、アンモニウムイオンを含まないエッチング組成物は既に知られたものであり、さらに、エッチング液組成物を調整するにあたり、アンモニウムイオンを含まないように処方することは、文言上特定されていなくとも、甲第１号証に記載されているに等しく、甲第２号証～甲第４号証の記載からも明らかであるから、本件発明１は、甲第１号証～甲第４号証に記載された発明に基いて、当業者が適宜なし得たことである旨主張している。 しかし、本件発明１と甲１発明との相違点、及び、その相違点の判断については、上記（２）ア、及び、上記（２）イのとおりである。 よって、申立人の主張は採用できない。 ３ 申立理由２（サポート要件）について （１）申立人は、令和６年２月２６日に提出した意見書の第７ページ第２行～第８ページ第７行、及び、特許異議申立書の第１８ページ下から第６行～第１９ページ第１７行において、本件明細書の【００４１】の表１に示されている実施例１～１４のエッチング液組成物と、比較例１～２のエッチング組成物は、何れもアンモニウムイオンを含まないものであり、アンモニウムイオンの有無について検討したものではないから、「アンモニウムイオンを含まない」という構成を以って、Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２エッチング選択比が大きくなり、ＳｉＯ２のリグロース（酸化膜成長）を抑制することができ、ＳｉＯ２膜のパターン倒壊を抑制できるか分からず、本件特許は、当業者が本件特許の課題を解決できると認識できる範囲のものでるとはいえず、特許法第３６条第６項第１号に規定されたサポート要件を満たしていない旨主張している。 （２）本件明細書の【０００８】には、発明が解決しようとする課題として、「そこで、本発明者らは、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、ＳｉＯ２に対する実用的なエッチング選択比をもってＳｉ３Ｎ４を選択的にエッチングした上で、ＳｉＯ２のリグロースを抑制することができ、なおかつＳｉＯ２膜のパターン倒壊を抑制し得る窒化ケイ素エッチング液組成物を提供することを課題として検討を進めた。」と記載されており、さらに、本件明細書の【０００９】には、「上記課題を解決すべく鋭意研究する中で、本発明者らは、リン酸と１種または２種以上のシランカップリング剤と水とを含み、アンモニウムイオンを含まない、窒化ケイ素エッチング液組成物が、３Ｄ不揮発性メモリセルの製造において、ＳｉＯ２に対する実用的なエッチング選択比をもってＳｉ３Ｎ４を選択的にエッチングした上で、ＳｉＯ２のリグロースを抑制することができ、なおかつＳｉＯ２膜のパターン倒壊を抑制し得ることを見出し、また、該エッチング液組成物が無機ケイ酸塩をさらに含む場合、ＳｉＯ２に対するＳｉ３Ｎ４のエッチング選択比をより向上させることができることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成するに至った。」（下線部は当審による。）と記載されており、本件特許は、アンモニウムイオンを含まない窒化ケイ素エッチング液組成物を用いて、本願の課題である、ＳｉＯ２に対する実用的なエッチング選択比をもってＳｉ３Ｎ４を選択的にエッチングした上で、ＳｉＯ２のリグロースを抑制することができ、なおかつＳｉＯ２膜のパターン倒壊を抑制し得ることを解決するものである。 ここで、本件明細書の【０００５】によれば、エッチング液組成物中のアンモニウムイオンは、Ｓｉ（ＯＨ）ｘと結合して、水溶性の化合物を形成することで、ＳｉＯ２のリグロースを抑制するものであり、本件特許は、ＳｉＯ２のリグロースを抑制するために必要なアンモニウムイオンを含まないエッチング液組成物であっても、本願の課題を解決することができる発明であり、「アンモニウムイオン」を含まない窒化ケイ素エッチング液組成物を前提とするものであるから、本件特許の課題を解決できると認識するために、アンモニウムイオンを含む窒化ケイ素エッチング液組成物を比較検討することは要しないものである。 よって、申立人の主張は採用できない。 第７ むすび 以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１～４、７を取り消すことはできない。 また、他に本件発明１～４、７を取り消すべき理由を発見しない。 よって、結論のとおり、決定する。