2023-700798

特許第７２２６７８９号発明「発光装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。

結 論 特許第７２２６７８９号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２０〕について訂正することを認める。 特許第７２２６７８９号の請求項１、２、５～１０、１３～２０に係る特許を維持する。 特許第７２２６７８９号の請求項３、４、１１、１２に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。

理 由 第１ 手続の経緯 １ 本件特許についての手続の経緯 特許第７２２６７８９号（請求項の数１２。以下「本件特許」という。）の出願日、特許権の設定登録日及び特許掲載公報の発行日は、次のとおりである。 出願日 令和元年５月１０日 特許権の設定登録日 令和５年２月１３日 特許掲載公報の発行日 同月２１日 ２ 本件特許異議の申立てについての手続の経緯 令和５年 ８月 ２日 ：特許異議申立書の提出 （特許異議申立人：足立 幸子 全請求項１～１２に対して） 同年１０月 ６日付け：取消理由通知書 同年１２月 ７日 ：訂正請求書及び意見書の提出（特許権者） 同月２８日 ：手続補正書（方式）の提出（特許権者） 令和６年 ３月 ７日 ：意見書の提出（特許異議申立人） 同年 ５月３０日付け：取消理由通知書（決定の予告） 同年 ７月２３日 ：訂正請求書及び意見書の提出（特許権者） 同年 ８月 ９日付け：通知書（訂正請求があった旨の通知） 令和６年８月９日付けの通知書において、特許異議申立人に対して期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許異議申立人は応答しなかった。 第２ 本件訂正について １ 請求の趣旨 (１) 先にした訂正の請求について 令和５年１２月７日に提出された訂正請求書による訂正の請求（先にした訂正の請求）は、令和６年７月２３日に提出された訂正請求書による訂正の請求がされたため、取り下げられたものとみなされる（特許法１２０条の５第７項）。 以下、令和６年７月２３日に提出された訂正請求書を、「本件訂正請求書」といい、本件訂正請求書による訂正を「本件訂正」という。 (２) 本件訂正の請求の趣旨 本件訂正に係る請求の趣旨は、本件特許の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１～２０について訂正することを求めるものである。 ２ 本件訂正前の特許請求の範囲の記載 本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１～１２の記載（登録時における特許請求の範囲の記載）は、次のとおりである。 「【請求項１】 発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有する、発光装置。 【請求項２】 前記近赤外光は、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、 前記ピークの半値幅は、１５０ｎｍ以上である、請求項１に記載の発光装置。 【請求項３】 前記近赤外発光蛍光体は、４価のＣｒを含む無機結晶を含有し、前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する、請求項１または２に記載の発光装置。 【請求項４】 前記無機結晶は、Ｍ（１）２Ｍ（２）Ｍ（３）Ｏ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素、Ｍ（３）はＳｉおよび／またはＧｅである元素）にＣｒが添加されている、請求項３に記載の発光装置。 【請求項５】 前記無機結晶は、Ｓｉを含有し、 前記Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、請求項３または４に記載の発光装置。 【請求項６】 前記蛍光体は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲のメジアン平均粒径を有する粉末である、請求項１～５のいずれかに記載の発光装置。 【請求項７】 前記蛍光体は、２０以下の一次粒子の平均アスペクト比を有する粉末である、請求項１～６のいずれかに記載の発光装置。 【請求項８】 前記発光光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、レーザダイオード（ＬＤ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）、および、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）からなる群から少なくとも１つ選択される、請求項１～７のいずれかに記載の発光装置。 【請求項９】 前記発光光源は、ＬＥＤまたはレーザダイオードである、請求項８に記載の発光装置。 【請求項１０】 前記赤色蛍光体が、αサイアロン：Ｅｕ、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕからなる群から少なくとも１つ選択される蛍光体である、請求項１～９のいずれかに記載の発光装置。 【請求項１１】 前記近赤外発光蛍光体は、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される、請求項１に記載の発光装置。 【請求項１２】 前記近赤外発光蛍光体は、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される、請求項１１に記載の発光装置。」 ３ 本件訂正後の特許請求の範囲の記載 本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１～２０の記載は、次のとおりである。下線は訂正箇所である。 「【請求項１】 発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有し、 前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている、発光装置。 【請求項２】 前記近赤外光は、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、 前記ピークの半値幅は、１５０ｎｍ以上である、請求項１に記載の発光装置。 【請求項３】 （削除） 【請求項４】 （削除） 【請求項５】 前記無機結晶は、Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、請求項１に記載の発光装置。 【請求項６】 前記蛍光体は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲のメジアン平均粒径を有する粉末である、請求項１、２、５のいずれかに記載の発光装置。 【請求項７】 前記蛍光体は、２０以下の一次粒子の平均アスペクト比を有する粉末である、請求項１、２、５、６のいずれかに記載の発光装置。 【請求項８】 前記発光光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、レーザダイオード（ＬＤ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）、および、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）からなる群から少なくとも１つ選択される、請求項１、２、５～７のいずれかに記載の発光装置。 【請求項９】 前記発光光源は、ＬＥＤまたはレーザダイオードである、請求項８に記載の発光装置。 【請求項１０】 前記赤色蛍光体が、αサイアロン：Ｅｕ、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕからなる群から少なくとも１つ選択される蛍光体である、請求項１、２、５～９のいずれかに記載の発光装置。 【請求項１１】 （削除） 【請求項１２】 （削除） 【請求項１３】 発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有し、 前記無機結晶は、Ｍ（１）２Ｍ（２）ＧｅＯ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）にＣｒが添加されている、発光装置。 【請求項１４】 前記近赤外光は、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、 前記ピークの半値幅は、１５０ｎｍ以上である、請求項１３に記載の発光装置。 【請求項１５】 前記蛍光体は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲のメジアン平均粒径を有する粉末である、請求項１３または１４に記載の発光装置。 【請求項１６】 前記蛍光体は、２０以下の一次粒子の平均アスペクト比を有する粉末である、請求項１３～１５のいずれかに記載の発光装置。 【請求項１７】 前記発光光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、レーザダイオード（ＬＤ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）、および、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）からなる群から少なくとも１つ選択される、請求項１３～１６のいずれかに記載の発光装置。 【請求項１８】 前記発光光源は、ＬＥＤまたはレーザダイオードである、請求項１７に記載の発光装置。 【請求項１９】 前記赤色蛍光体が、αサイアロン：Ｅｕ、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕからなる群から少なくとも１つ選択される蛍光体である、請求項１３～１８のいずれかに記載の発光装置。 【請求項２０】 発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有し、 前記近赤外発光蛍光体は、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される、発光装置。」 ４ 本件訂正の内容 本件訂正は、一群の請求項〔１～２０〕について訂正するものであるところ、本件訂正の内容を訂正される記載のある請求項ごとに整理すると、以下の(１)から(１８)に示す訂正事項１～訂正事項１８からなる。 (１) 訂正事項１（請求項１の記載に係る訂正） ア 訂正事項１－１ 特許請求の範囲の請求項１における 「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」 との記載を、 「４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」 に訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２、５～１０も同様に訂正する。） イ 訂正事項１－２ 特許請求の範囲の請求項１における 「近赤外発光蛍光体とを含有する、発光装置。」 との記載を、 「近赤外発光蛍光体とを含有し、 前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている、発光装置。」 に訂正する。 （請求項１の記載を引用する請求項２、５～１０も同様に訂正する。） (２) 訂正事項２（請求項３の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項３を削除する。 (３) 訂正事項３（請求項４の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項４を削除する。 (４) 訂正事項４（請求項５の記載に係る訂正） ア 訂正事項４－１ 特許請求の範囲の請求項５における 「前記無機結晶は、Ｓｉを含有し、 前記Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、」 との記載を、 「前記無機結晶は、Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、」 に訂正する。 （請求項５の記載を引用する請求項６～１０も同様に訂正する。） イ 訂正事項４－２ 特許請求の範囲の請求項５における 「請求項３または４に記載の発光装置。」 との記載を、 「請求項１に記載の発光装置。」 に訂正する。 （請求項５の記載を引用する請求項６～１０も同様に訂正する。） (５) 訂正事項５（請求項６の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項６における 「請求項１～５のいずれかに記載の発光装置。」 との記載を、 「請求項１、２、５のいずれかに記載の発光装置。」 に訂正する。 （請求項６の記載を引用する請求項７～１０も同様に訂正する。） (６) 訂正事項６（請求項７の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項７における 「請求項１～６のいずれかに記載の発光装置。」 との記載を、 「請求項１、２、５、６のいずれかに記載の発光装置。」 に訂正する。 （請求項７の記載を引用する請求項８～１０も同様に訂正する。） (７) 訂正事項７（請求項８の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項８における 「請求項１～７のいずれかに記載の発光装置。」 との記載を、 「請求項１、２、５～７のいずれかに記載の発光装置。」 に訂正する。 （請求項８の記載を引用する請求項９～１０も同様に訂正する。） なお、訂正請求書の６（２）キにおいて、「特許請求の範囲の請求項７に」とあるのは、「特許請求の範囲の請求項８に」の明らかな誤記であると認める。 (８) 訂正事項８（請求項１０の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項１０における 「請求項１～９のいずれかに記載の発光装置。」 との記載を、 「請求項１、２、５～９のいずれかに記載の発光装置。」 に訂正する。 (９) 訂正事項９（請求項１１の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項１１を削除する (１０) 訂正事項１０（請求項１２の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項１２を削除する。 (１１) 訂正事項１１（新請求項１３（訂正前の請求項３）の記載に係る訂正） ア 訂正事項１１－１ 前記訂正事項２による請求項３の削除を前提としつつ、訂正前の請求項３のうち請求項１を引用するものについて次のとおりの独立形式に改め、新たに請求項１３とする。 「発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有する、発光装置。」 イ 訂正事項１１－２ 訂正事項１１－１を前提とし、さらに、「含有する、発光装置。」との記載を、次の記載に訂正する。 「含有し、 前記無機結晶は、Ｍ（１）２Ｍ（２）ＧｅＯ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）にＣｒが添加されている、発光装置。」 (１２) 訂正事項１２（新請求項１４（訂正前の請求項２）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項２は請求項１を引用するところ、前記訂正事項２及び前記訂正事項１１を前提としつつ、訂正前の請求項２を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１４とする。 「前記近赤外光は、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、 前記ピークの半値幅は、１５０ｎｍ以上である、請求項１３に記載の発光装置。」 (１３) 訂正事項１３（新請求項１５（訂正前の請求項６）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項２、３を引用する訂正前の請求項６は、間接的に請求項１を引用するところ、前記訂正事項２、前記訂正事項１１及び前記訂正事項１２を前提としつつ、訂正前の請求項６を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１５とする。 「前記蛍光体は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲のメジアン平均粒径を有する粉末である、請求項１３または１４に記載の発光装置。」 (１４) 訂正事項１４（新請求項１６（訂正前の請求項７）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項２、３、６を引用する訂正前の請求項７は、間接的に請求項１を引用するところ、前記訂正事項２及び前記訂正事項１１から前記訂正事項１３までを前提としつつ、訂正前の請求項７を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１６とする。 「前記蛍光体は、２０以下の一次粒子の平均アスペクト比を有する粉末である、請求項１３～１５のいずれかに記載の発光装置。」 (１５) 訂正事項１５（新請求項１７（訂正前の請求項８）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項２、３、６、７を引用する訂正前の請求項８は、間接的に請求項１を引用するところ、前記訂正事項２及び前記訂正事項１１から前記訂正事項１４までを前提としつつ、訂正前の請求項８を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１７とする。 「前記発光光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ：ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）、レーザダイオード（ＬＤ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）、および、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）からなる群から少なくとも１つ選択される、請求項１３～１６のいずれかに記載の発光装置。」 (１６) 訂正事項１６（新請求項１８（訂正前の請求項９）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項８を引用する訂正前の請求項９は、間接的に請求項１を引用するところ、前記訂正事項２、前記訂正事項１１及び前記訂正事項１５を前提としつつ、訂正前の請求項９を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１８とする。 「前記発光光源は、ＬＥＤまたはレーザダイオードである、請求項１７に記載の発光装置。」 なお、訂正請求書の６（２）タにおいて、「訂正前の請求項３」とあるのは、「訂正前の請求項８」の明らかな誤記であると認める。 (１７) 訂正事項１７（新請求項１９（訂正前の請求項１０）の記載に係る訂正） 訂正前の請求項２、３、６～９を引用する訂正前の請求項１０は、間接的に請求項１を引用するところ、前記訂正事項２及び前記訂正事項１１から前記訂正事項１６までを前提としつつ、訂正前の請求項１０を請求項１を引用しないものに改めて次のとおりの記載とし、新たに請求項１９とする。 「前記赤色蛍光体が、αサイアロン：Ｅｕ、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、および、（Ｃａ，Ｓｒ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕからなる群から少なくとも１つ選択される蛍光体である、請求項１３～１８のいずれかに記載の発光装置。」 (１８) 訂正事項１８（新請求項２０（訂正前の請求項１１）の記載に係る訂正） 特許請求の範囲の請求項１１における 「前記近赤外発光蛍光体は、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される、請求項１に記載の発光装置。」 との記載を独立形式に改めた上で、「Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、」という記載を選択肢から削除して、次のとおりの記載とし、新たに請求項２０とする。 「発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有し、 前記近赤外発光蛍光体は、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される、発光装置。」 ５ 本件訂正の適否についての当合議体の判断 (１) 訂正の目的 ア 訂正事項１ (ア) 訂正事項１－１の訂正は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「蛍光体」が「含有する」「近赤外発光蛍光体」について、 「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」 としていたものを 「４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」 として、「近赤外発光蛍光体」を限定するものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする。 (イ) 訂正事項１－２の訂正は、前記訂正事項１－１を前提として、「近赤外発光蛍光体」が「含有する」「無機結晶」について、 「前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている、」 として、「無機結晶」を限定するものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする。 (ウ) したがって、訂正事項１－１及び訂正事項１－２からなる訂正事項１の訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 イ 訂正事項２、３、９、１０ 訂正事項２、３、９、１０の訂正は、それぞれ請求項３、４、１１、１２を削除するものであるから、いずれも特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 ウ 訂正事項４ (ア) 訂正事項４－１の訂正は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項５の「無機結晶」について、 「前記無機結晶は、Ｓｉを含有し、 前記Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、」 としていたものを 「前記無機結晶は、Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、」 とするものである。 ここで、請求項５が引用する請求項１は、前記訂正事項１－２により、「前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている」と訂正されており、無機結晶がＳｉを含有することは明らかであるにも関わらず、請求項５において、「前記無機結晶は、Ｓｉを含有し」としたままであると、無機結晶がＳｉを含有することを重ねて規定したことになってしまう。 この点において、訂正事項４－１の訂正は、請求項１の記載との関係で不合理を生じているために不明瞭となっている請求項５の記載を正すものであり、特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 (イ) 訂正事項４－２の訂正は、訂正事項２及び訂正事項３により請求項３及び請求項４を削除することに伴い、請求項５と削除された請求項との引用関係を解消しつつ、削除された請求項３の構成を全て含む訂正後の請求項１の記載を引用するものに変更することにより引用請求項数を削減するものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 (ウ) したがって、訂正事項４－１及び訂正事項４－２からなる訂正事項４の訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 エ 訂正事項５～８ 訂正事項５～８の訂正は、以下の(ア)～(エ)に示すとおり、いずれも多数項を引用している請求項において、訂正事項２及び訂正事項３により請求項３及び請求項４を削除することに伴い、削除された請求項との引用関係を解消して引用請求項数を削減するものであるから、いずれも特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。 (ア) 訂正事項５ 請求項６の引用請求項を請求項１～５のいずれかから請求項１、２、５のいずれかに訂正する。 (イ) 訂正事項６ 請求項７の引用請求項を請求項１～６のいずれかから請求項１、２、５、６のいずれかに訂正する。 (ウ) 訂正事項７ 請求項８の引用請求項を請求項１～７のいずれかから請求項１、２、５～７のいずれかに訂正する。 (エ) 訂正事項８ 請求項１０の引用請求項を請求項１～９のいずれかから請求項１、２、５～９のいずれかに訂正する。 オ 訂正事項１１ (ア) 訂正事項１１－１の訂正は、訂正前の請求項１の記載を間接的に引用する訂正前の請求項３について独立形式に改め新たな請求項１３とするものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。 (イ) 訂正事項１１－２の訂正は、訂正事項１１－１の訂正をした上で、さらに「前記無機結晶は、Ｍ（１）２Ｍ（２）ＧｅＯ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）にＣｒが添加されている［こと］」を限定するものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 カ 訂正事項１２～１７ 訂正事項１２～１７の訂正は、次の(ア)～(カ)に示すとおり、新請求項１３の記載を直接又は間接的に引用するものとして訂正するものであるところ、これらの訂正事項は、訂正事項１１を前提として、訂正前の請求項３を引用することにより訂正前の請求項１の記載を間接的に引用するものとなっていた訂正前の請求項の記載を、請求項１の記載を引用しないものとするものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものに該当する。 (ア) 訂正事項１２ 訂正前の請求項２の記載を新たな請求項１４の記載として、請求項１４が請求項１３の記載を引用するものとする。 (イ) 訂正事項１３ 訂正前の請求項６の記載を新たな請求項１５の記載として、請求項１５が請求項１３又は請求項１４の記載を引用するものとする。 (ウ) 訂正事項１４ 訂正前の請求項７の記載を新たな請求項１６の記載として、請求項１６が請求項１３～請求項１５のいずれかの記載を引用するものとする。 (エ) 訂正事項１５ 訂正前の請求項８の記載を新たな請求項１７の記載として、請求項１７が請求項１３～請求項１６のいずれかの記載を引用するものとする。 (オ) 訂正事項１６ 訂正前の請求項９の記載を新たな請求項１８の記載として、請求項１８が請求項１７の記載を引用するものとする。 (カ) 訂正事項１７ 訂正前の請求項１０の記載を新たな請求項１９の記載として、請求項１９が請求項１３～請求項１８のいずれかの記載を引用するものとする。 キ 訂正事項１８ 訂正事項１８の訂正は、訂正前の請求項１１を削除する訂正事項９を前提として、訂正前の請求項１の記載を引用する請求項１１について独立形式に改めた上で、「Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、」という記載を選択肢から削除して、新たな請求項２０とするものであるから、特許法１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」及び同１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。 (２) 新規事項の追加、特許請求の範囲の実質的拡張・変更 訂正事項１～１８の訂正は、特許法１２０条の５第２項ただし書２号に掲げる「誤記又は誤訳の訂正」を目的とするものに該当しないから、これらの訂正における新規事項の追加の有無を判断する際の基準となる明細書等は、特許権の設定の登録がされた時点での願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面である。 ア 訂正事項１ (ア) 訂正事項１－１について、以下に示す明細書の段落【００１９】及び【００４２】の記載を踏まえると、「蛍光体」が「含有する」「近赤外発光蛍光体」について、「４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」とする訂正は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件特許明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしたものであると認められる。 「【００１９】 本発明の近赤外発光蛍光体７は、主に赤色光、好ましくは、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲を有する光で励起されて、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、その半値幅が１５０ｎｍ以上の光の成分を発光する材料であれば、その種類を特に規定しないが、好ましくは、４価のＣｒを含む無機結晶であり、４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する蛍光体を用いると、発光強度が高いので好ましい。」 「【００４２】 赤色蛍光体は、発光光源が発する３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光によって励起され、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光（赤色光）を発する。これにより、赤色蛍光体からの赤色光は、近赤外発光蛍光体を励起し、近赤外光、例えば、１０５０ｎｍ以上１３５０ｎｍ以下の波長範囲にピークを有し、その半値幅は１５０ｎｍ以上である光を発する。」 (イ) 訂正事項１－２について、以下に示す明細書の段落【００２０】の記載を踏まえると、「近赤外発光蛍光体」が「含有する」「無機結晶」について、「前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている、」とする訂正は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであると認められる。 「【００２０】 本発明の近赤外発光蛍光体７の無機結晶は、好ましくは、Ｍ（１）２Ｍ（２）Ｍ（３）Ｏ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａの金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択される金属元素、Ｍ（３）はＳｉおよび／またはＧｅである元素）にＣｒが添加されている。これにより、特に発光強度が高いので好ましい。このような蛍光体としては、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋などを挙げることができる。ここで、「：Ｃｒ４＋」とは、それぞれの母体材料に４価のＣｒが添加されていることを意図する。」 (ウ) 前記(ア)及び(イ)の検討結果を踏まえると、訂正事項１の訂正は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項１の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 イ 訂正事項２、３、９、１０ 訂正事項２、３、９、１０の訂正は、それぞれ請求項３、４、１１、１２を削除するものであるから、いずれも本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項２、３、９、１０の訂正は、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 ウ 訂正事項４ (ア) 訂正事項４－１について、以下に示す明細書の段落【００２３】及び【００７２】の記載を踏まえると、「無機結晶」について、 「前記無機結晶は、Ｓｉに対し１原子％以上６原子％以下のＣｒを含有する、」とする訂正は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであると認められる。 「【００２３】 なかでも、本発明の近赤外発光蛍光体７の無機結晶は、好ましくは、Ｓｉを含み、無機結晶中のＳｉ元素に対し１原子％以上６原子％のＣｒを含有する。これにより、特に近赤外域の発光強度が高いので、好ましい。Ｃｒが１０原子％を超えると、濃度消光が生じ外部量子効率が低下する恐れがある。」 「【００７２】 さらに、表２によれば、Ｃｒの添加量が多くなるにつれて、発光強度が高くなり、好ましくは、Ｃｒの添加量ｘが０．０１以上０．０６以下（Ｓｉに対して１原子％以上６原子％以下）において、発光強度が増大し得、より好ましくは、Ｃｒの添加量ｘが０．０３以上０．０５以下（Ｓｉに対して３原子％以上５原子％以下）において、発光強度がより増大し得ることが分かった。」 (イ) 訂正事項４－２の訂正は、多数項を引用している請求項において、引用請求項数を削減するものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであると認められる。 (ウ) 前記(ア)及び(イ)の検討結果を踏まえると、訂正事項４の訂正は、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項４の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 エ 訂正事項５～８ 訂正事項５～８の訂正は、多数項を引用している請求項において、引用請求項数を削減するものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項５～８の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 オ 訂正事項１１ 訂正事項１１の訂正は、訂正前の請求項１の記載を間接的に引用する請求項３について独立形式に改めた上で、さらに「Ｍ（３）」を「Ｇｅ」に限定するものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項１１の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 カ 訂正事項１２～１７ 訂正事項１２～１７の訂正は、いずれも訂正前の請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項２、６～１０の記載を、請求項１３の記載を直接又は間接的に引用する新たな請求項の記載とするものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項１２～１７の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 キ 訂正事項１８ 訂正事項１８の訂正は、訂正前の請求項１の記載を引用する請求項１１について独立形式に改めた上で、「Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｍｇ２ＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４：Ｃｒ４＋、」という記載を選択肢から削除するものであるから、本件特許明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条５項の規定に適合する。 また、訂正事項１８の訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法１２０条の５第９項において準用する同法１２６条６項の規定に適合する。 (３) 独立特許要件 訂正後の請求項１～２０は、前記のとおり、訂正前の請求項１～１２に対応するものであり、本件特許異議の申立てにおいては請求項１～１２について特許異議の申立てがされているから、特許法１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件は課されない。 (４) 本件訂正の適否についての当合議体の判断のまとめ 前記(１)～(３)において検討したとおり、訂正事項１～１８の訂正は、いずれも、特許法１２０条の５第２項ただし書１号、３号又は４号に掲げる事項を目的とするものであって同項の規定に適合し、かつ、同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合するから、本件訂正は適法なものである。 よって、前記結論のとおり、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～２０〕について訂正することを認める。 第３ 取消理由の概要 本件特許について、令和６年５月３０日に特許権者に通知した取消理由通知書（決定の予告）の取消理由（進歩性の欠如）の概要は、次のとおりである。なお、特許異議申立人が提出した各甲号証の文献を、単に「甲１」などという。 令和５年１２月６日に提出された訂正請求書に添付した特許請求の範囲の請求項１、２、４、５、７～１０に係る発明は、下記の文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、前記請求項に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものである。 記 ＜主たる文献＞ 甲１ ：国際公開第２０１９／０６３３０９号 甲１の１：特表２０２０－５２４３９２号公報 ＜その他の文献＞ 甲２ ：青島紳一郎、外２名、「可視波長可変レーザー」、光学、一般社団法人日本光学会、１９９６年９月、２５巻９号、５０５～５１１頁 甲３ ：田部勢津久（研究代表者）、「異常原子価３ｄ遷移金属を発光中心とする広帯域光増幅器用結晶化ガラス材料の開発」、科学研究費助成事業２０１４年度研究成果報告書、独立行政法人日本学術振興会 甲４ ：Cecile Jousseaume、外５名、「Structural and spectroscopic characterisation of Cr:Li2MgSiO4(γ0)」、Journal of Materials Chemistry、２００２年３月２８日、１２、１５２５～１５２９頁 甲５ ：特許第５３６０３７０号公報 甲６ ：Yixi Zhuang、外４名、「Temperature-dependent broadband near-infrared luminescence in silicate glass ceramics containing Li2MgSiO4:Cr4+ nanocrystals」、Journal of Materials Research、２０１０年９月、２５巻、９号、１８３３～１８３７頁 甲７ ：M.Yu Sharonov、他３名、「Cr4+ -doped Li2CaSiO4 crystal: growth and spectroscopic properties」、Optics Communications、２００４年、２３１巻、２７３～２８０頁 引用文献１：国際公開第２０１７／０５７４５４号 引用文献２：特開２０１８－４３９１２号公報 引用文献３：特開２０１３－４０２３６号公報 なお、甲１～甲７は、特許異議申立人が提出した文献であり、引用文献１～３は、職権調査により発見した文献である。 第４ 当合議体の判断 １ 本件訂正発明について 前記第２のとおり、本件訂正は認められたから、本件特許の請求項１、２、５～１０、１３～２０に係る発明（以下、請求項の番号に従い「本件訂正発明１」等という。）は、それぞれ、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１、２、５～１０、１３～２０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１、２、５～１０、１３～２０の記載は、前記第２の３に示したとおりである。 ２ 各文献の記載事項及び甲１発明の認定等 (１) 甲１の記載事項と甲１発明の認定 ア 甲１の記載事項 甲１（国際公開第２０１９／０６３３０９号）には、次の記載がある。 なお、甲１の日本語パテントファミリー文献である特表２０２０－５２４３９２号公報（甲１号証の１（以下「甲１ファミリー」という。））の対応する段落の記載を括弧内に日本語翻訳文として記載した。下線は合議体が付した。以下同様である。 (ア) ２頁９～１２行 「 Embodiments of the invention include devices such as PCLEDs that emit infrared, particularly near- infrared (NIR) radiation, for example via a NIR emitting luminescent material such as a phosphor. For economy of language, infrared radiation may be referred to herein as "light." NIR emitting PCLEDs may be used for any suitable purpose such as for example, NIR spectroscopy.」 （【０００６】 本発明の実施例は、赤外放射線、例えば、蛍光体のような、NIR放射発光材料を介して、特に近赤外（NIR）放射線を放射する、PCLEDのような装置を含む。記載の簡略化のため、赤外放射線は、「光」と称される。NIR放射PCLEDは、例えば、NIR分光法のような、いかなる好適な目的にも使用することができる。） (イ) ２頁１３～１９行、FIG. 1 「 Fig. 1 illustrates a NIR emitting device according to some embodiments. A light source 100, which may be an LED or any other suitable source, emits first light 104. A portion of the first light 104 is incident on a NIR phosphor 108. The NIR phosphor 108 absorbs the first light 104 and emits second light 112. A portion of the first light 104 is incident on a second phosphor 102. The second phosphor absorbs the first light 104 and emits third light 106. Third light 106 may be visible, though this is not required. The third light 106 is incident on the NIR phosphor 108. The NIR phosphor 108 absorbs all or a portion of the third light 106 and emits fourth light 110.」 （【０００７】 図1には、ある実施例によるNIR放射装置を示す。LEDまたは他の任意の好適なソースである光源100は、第1の光104を放射する。第1の光104の一部は、NIR蛍光体108に入射される。NIR蛍光体108は、第1の光104を吸収し、第2の光112を放射する。第1の光104の一部は、第2の蛍光体102に入射される。第2の蛍光体は、第1の光104を吸収し、第3の光106を放射する。第3の光106は、可視光であってもよいが、これは必ずしも必要ではない。第3の光106は、NIR蛍光体108に入射される。NIR蛍光体108は、第3の光106の全てまたは一部を吸収し、第4の光110を放射する。） 「 ［図：0001422384000001.jpg］ 」 (ウ) ２頁２３～２６行 「 In some embodiments, first light 104 is blue light. First light 104 may have a peak wavelength between, for example, 440 nm and 460 nm in some embodiments. In some embodiments, both second light 112 and the fourth light 110 are near- infrared and have different peak wavelengths. In some embodiments, the third light 106 is red.」 （【０００９】 ある実施例では、第1の光104は、青色光である。ある実施例では、第1の光104は、例えば、440nmと460nmの間にピーク波長を有してもよい。ある実施例では、第2の光112と第4の光110の両方が、近赤外光であり、異なるピーク波長を有してもよい。ある実施例では、第3の光106は、赤色である。） (エ) ２頁２７～３３行 「 Wavelength converting materials such as phosphors typically include a host lattice and at least one dopant species. The atoms of the dopant species function as light emitting centers. In some embodiments, NIR phosphor is at least one phosphor with at least Cr(III) (Cr3+) as the dopant species. The Cr(III) phosphor is excited by the first light 104 via 4A2→4T1 electron transitions. The third light 106 excites the Cr(III) phosphor via 4A2→4T2 electron transitions. The combined excitation lights lead to emission light by the Cr(III) phosphor via 4A2→4A2 (second light 112) and 2E→4A2 (fourth light 110) emission channels.」 （【００１０】 通常、蛍光体のような波長変換材料は、ホスト格子と、少なくとも一つのドーパント種とを有する。ドーパント種の原子は、発光中心として機能する。ある実施例では、NIR蛍光体は、ドーパント種として少なくともCr(III)（Cr3+）を有する、少なくとも一つの蛍光体である。Cr(III)蛍光体は、第1の光104により、4A2→4T1電子遷移を介して励起される。第3の光106は、4A2→4T2電子遷移を介してCr(III)蛍光体を励起する。組み合わされた励起光により、4A2→4A2（第2の光112）、および2E→4A2（第4の光110）放射チャネルを介して、Cr(III)蛍光体により光が放射される。） (オ) ３頁９～１１行 「 The device illustrated in Fig. 1 may have a very broad infrared emission range between 700 nm and 1200 nm, with only one type of pump light. The broad emission range may be useful for NIR spectroscopy applications.」 （【００１２】 図1に示す装置は、一種類の励起光のみで、700nmから1200nmの間の極めて広い赤外放射範囲を有してもよい。広い放射範囲は、NIR分光用途に有益であり得る。） (カ) ３頁１２～１６行 「 The NIR phosphor 108 may emit light having a peak wavelength of at least 700 nm in some embodiments and no more than 1100 nm in some embodiments. NIR phosphor 108 may have a distributed emission intensity within the 700 - 1100 nm range; for example, in some embodiments, NIR phosphor 108 may have a full width at half maximum of at least 1700 cm-1in some embodiments and no more than 3000 cm-1 in some embodiments.」 （【００１３】 NIR蛍光体108は、ある実施例では、少なくとも700nmのピーク波長を有する光を放射し、ある実施例では、1100nm以下のピーク波長を有する光を放射してもよい。NIR蛍光体108は、700－1100nmの範囲内に分布放射強度を有してもよい。例えば、ある実施例では、NIR蛍光体108は、少なくとも1700 cm-1の半値全幅を有し、ある実施例では、3000cm-1以下の半値全幅を有してもよい。） (キ) ３頁１７～２０行 「 NIR phosphor 108 may be excited, for example, by light in the visible spectral range, meaning that it absorbs visible light, and in response, emit NIR light. The band gap of the NIR phosphor 108 may be at least 4.8 eV in some embodiments and greater than 5 eV in some embodiments.」 （【００１４】 NIR蛍光体108は、例えば、可視スペクトル範囲の光により、励起されてもよい。これは、NIR蛍光体108が可視光を吸収して、応答として、NIR光を放射することを意味する。NIR蛍光体108のバンドギャップは、ある実施例では少なくとも4.8eVであり、ある実施例では5eVよりも大きい。） (ク) ３頁２１～３１行 「 In some embodiments, as described above NIR phosphor 108 includes trivalent cations such as Cr(III) (Cr(III) is the same as Cr3+) as emitting centers. In some embodiments, the host lattice of NIR phosphor 108 includes tetravalent cations that show effective ionic radii that are at least 10% smaller than the effective ionic radius of Cr(IV) (Cr(IV) is the same as Cr4+). The tetravalent cation may be Si4+ with an effective ionic radius for fourfold coordination that is 38% smaller than the effective ionic radius of Cr4+. The small tetravalent cation size may suppress the formation of unwanted Cr(IV), which may improve the stability of the NIR phosphor and may increase the luminescence conversion efficiency of the NIR phosphor at elevated temperatures. The NIR phosphor contains less than 10% Cr(IV) in some embodiments, less than 5% Cr(IV) in some embodiments, less than 1% Cr(IV) in some embodiments, and 0% Cr(IV) in some embodiments, relative to the total chromium content in the NIR phosphor.」 （【００１５】 ある実施例では、前述のNIR蛍光体108は、放射中心として、Cr(III)（Cr(III)は、Cr3+と同じである）のような、3価のカチオンを有する。ある実施例では、NIR蛍光体108のホスト格子は、4価のカチオンを有し、これは、Cr(IV)（Cr(IV)は、Cr4+と同じである）の有効イオン半径よりも少なくとも10%小さい有効イオン半径を示す。4価のカチオンは、Si4+であってもよい。これは、4配位の場合、Cr4+の有効イオン半径よりも38%小さい有効イオン半径を有する。小さな4価のカチオンサイズは、好ましくないCr(IV)の形成を抑制し、これにより、NIR蛍光体の安定性が向上し、高温でのNIR蛍光体の発光変換効率が向上する。NIR蛍光体は、NIR蛍光体中の全体のクロム量に対して、ある実施例では10%未満のCr(IV)を有し、ある実施例では5%未満のCr(IV)を有し、ある実施例では1%未満のCr(IV)を有し、ある実施例では0%のCr(IV)を有する。） (ケ) ４頁２６行～５頁２行 「 Any suitable second phosphor 102 may be used. In some embodiments, second phosphor 102 is an Eu2+ doped red emitting material such as BSSNE type phosphors of composition M2-xSi5- yAlyOyN8-y:Eux (M = Ba, Sr, Ca), such as, for example Ba0.2Ca0.06Sr1.64Si4.98Al0.0200.02N7.98:Eu0.1; CASN or SCASN type phosphors of composition M1-xSiAlN3:Eux (M = Sr, Ca) such as, for example Ca.985SiAlN3:Eu0.015; or M1-xLiAl3N4:Eux (M = Ba, Sr, Ca) such as, for example, (Ba0.5Ca0.5)0.095LiAl3N4:Eu0.005, which may crystallize in an ordered structure variant of the UCr4C4 structure type with Ba and Ca occupying specific lattice sites. Similar ordered variants are known for oxides like RbNaLi6Si208. In (Ba0.5Ca0.5)1-xLiAl3N4:Eux narrow band emission at -630 nm is obtained for Eu on Ba sites while NIR emission at wavelengths > 700 nm is obtained for Eu on Ca sites.」 （【００２１】 いかなる好適な第2の蛍光体102が使用されてもよい。ある実施例では、第2の蛍光体102は、Eu2+ドープされた赤色放射材料であり、例えば、Ba0.2Ca0.06Sr1.64Si4.98Al0.02O0.02N7.98：Eu0.1のような、組成M2-xSi5-yAlyOyN8-y：Eux（M＝Ba，Sr，Ca）；例えばCa.985SiAlN3：Eu0.015のような、組成がM1-xSiAlN3：Eux（M＝Sr，Ca）の、CASNもしくはSCASNタイプの蛍光体；または例えば(Ba0.5Ca0.5)0.995LiAl3N4：Eu0.005のような、M1-xLiAl3N4：Eux（M＝Ba，Sr，Ca）である。これらは、BaおよびCaが特定の格子サイトを占める、UCr4C4構造タイプの規則構造異形に結晶化してもよい。同様の規則化異形は、RbNaLi6Si2O8のような酸化物において、知られている。(Ba0.5Ca0.5)1-xLiAl3N4：Euxでは、～630nmにおいて、BaサイトのEuの狭小バンド放射が観測され、波長700nm超において、CaサイトのEuのNIR放射が観測される。） (コ) ５頁１９～２４行 「 The NIR phosphor 108 and the second phosphor 102 described above can be manufactured, for example, in powder form, in ceramic form, or in any other suitable form. The NIR phosphor 108 and the second phosphor 102 may be formed into one or more structures that are formed separately from and can be handled separately from the light source, such as a prefabricated glass or ceramic tile, or may be formed into a structure that is formed in situ with the light source, such as a conformal or other coating formed on or above the source.」 （【００２４】 前述のNIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、例えば、粉末形態、セラミックの形態、または他の任意の好適な形態で製造され得る。NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、1または2以上の構造に形成され、これらは、事前作製されたガラスまたはセラミックタイルのような光源から別個に形成され、別個に処理されてもよい。あるいは、光源上に形成された共形の、または他のコーティングのような、光源を用いてin-situで形成された構造に形成されてもよい。） (サ) ５頁２５～３０行 「 The NIR phosphor 108 and the second phosphor 102 may be mixed together in a single wavelength converting layer, or formed as separate wavelength converting layers. In a structure with separate wavelength converting layers, NIR phosphor 108 and the second phosphor 102 may be stacked such that the second phosphor 102 may be disposed between the NIR phosphor 108 and the light source, or the NIR phosphor 108 may be disposed between the second phosphor 102 and the light source.」 （【００２５】 NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、単一の波長変換層において相互に混合され、あるいは別個の波長変換層として形成されてもよい。分離波長変換層を有する構造では、NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、NIR蛍光体108と光源の間に第2の蛍光体102が設置されるように積層されてもよい。あるいは、NIR蛍光体108が、第2の蛍光体102と光源の間に設置されてもよい。） (シ) ５頁３１行～６頁４行 「 In some embodiments, the NIR phosphor 108 and the second phosphor 102 may be powders that are dispersed for example in a transparent matrix, a glass matrix, a ceramic matrix, or any other suitable material or structure. Phosphor dispersed in a matrix may be, for example, singulated or formed into a tile that is disposed over a light source. The glass matrix may be for example a low melting glass with a softening point below 1000°C, or any other suitable glass or other transparent material. The ceramic matrix material can be for example a fluoride salt such as CaF2 or any other suitable material.」 （【００２６】 ある実施例では、NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、例えば、透明マトリクス、ガラスマトリクス、セラミックマトリクス、または他の任意の好適な材料もしくは構造内に分散された粉末であってもよい。マトリクスに分散された蛍光体は、例えば、単体化され、または光源にわたって分散されたタイルに形成されてもよい。ガラスマトリクスは、例えば、軟化点が1000℃未満の低融点ガラスであり、あるいは他の任意の好適なガラスまたは他の透明材料であってもよい。セラミックマトリクス材料は、例えば、CaF2のようなフッ化物塩、または他の好適な材料であってもよい。） (ス) ６頁５～１３行 「 The NIR phosphor 108 and second phosphor 102 may be used in powder form, for example by mixing the powder phosphor with a transparent material such as silicone and dispensing or otherwise disposing it in a path of light. In powder form, the average particle size (for example, particle diameter) of the phosphors may be at least 1 μm in some embodiments, no more than 50 μm in some embodiments, at least 5 μm in some embodiments, and no more than 20 μm in some embodiments. Individual phosphor particles, or powder phosphor layers, may be coated with one or more materials such as a silicate, a phosphate, and/or one or more oxides in some embodiments, for example to improve absorption and luminescence properties and/or to increase the material's functional lifetime.」 （【００２７】 NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、例えば、粉末状の蛍光体をシリコーンのような透明材料と混合し、光源の光路にこれを分散または配置させることにより、粉末の形態で使用されてもよい。粉末形態では、蛍光体の平均粒子サイズ（例えば粒子直径）は、ある実施例では少なくとも1μmであり、ある実施例では50μm以下であり、ある実施例では少なくとも5μmであり、ある実施例では20μm以下である。ある実施例では、個々の蛍光体粒子または粉末蛍光体層は、ケイ酸塩、リン酸塩、および／または1もしくは2以上の酸化物のような、1または2以上の材料でコーティングされてもよく、例えば吸収および発光特性が改善され、および／または材料の機能寿命が増加する。） (セ) ６頁１４～１８行 「The NIR phosphor 108 and second phosphor 102 may be used, for example, in a light source including a light emitting diode (LED). Light emitted by the light emitting diode is absorbed by the phosphors according to embodiments of the invention and emitted at a different wavelength. Fig. 4 illustrates one example of a suitable light emitting diode, a III-nitride LED that emits blue light.」 （【００２８】 NIR蛍光体108および第2の蛍光体102は、例えば、発光ダイオード（LED）を含む光源に使用されてもよい。発光ダイオードにより放射される光は、本発明の実施例による蛍光体により吸収され、異なる波長の光が放射される。図4には、青色の光を放射する、好適な発光ダイオードであるIII-窒化物LEDの一例を示す。） (ソ) ６頁１９～２２行 「 Though in the example below the semiconductor light emitting device is a III-nitride LED that emits blue or UV light, semiconductor light emitting devices besides LEDs such as laser diodes and semiconductor light emitting devices made from other materials systems such as other III-V materials, III-phosphide, III-arsenide, II-VI materials, ZnO, or Si-based materials may be used.」 （【００２９】 以下の例では、半導体発光装置は、青色光またはUV光を放射するIII-窒化物LEDであるが、LEDに加えて、レーザダイオードのような半導体発光装置、および他のIII-V材料、III-リン化物材料、III-ヒ素化物、II-VI材料、ZnO、またはSi系材料のような、他の材料系で構成された半導体発光装置が使用されてもよい。） イ 甲１発明の認定 前記アにおいて摘記した事項を総合すると、甲１には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。なお、括弧内には、甲１ファミリーの該当段落の番号を示している。 [甲１発明] 「蛍光体のような、ＮＩＲ放射発光材料を介して、特に近赤外（ＮＩＲ）放射線を放射する装置であって、（【０００６】） 一種類の励起光のみで、７００ｎｍから１２００ｎｍの間の極めて広い赤外放射範囲を有するものであり、（【００１２】） 第１の光１０４を放射する、ＬＥＤまたは他の任意の好適なソースである光源１００と、 第１の光１０４の一部が入射されるＮＩＲ蛍光体１０８と、 第１の光１０４の一部が入射される第２の蛍光体１０２と、 を備えており、（【０００７】） ＮＩＲ蛍光体１０８は、第１の光１０４を吸収し、第２の光１１２を放射するものであり、 第２の蛍光体は、第１の光１０４を吸収し、第３の光１０６を放射するものであり、 第３の光１０６が、ＮＩＲ蛍光体１０８に入射されると、ＮＩＲ蛍光体１０８は、第３の光１０６の全てまたは一部を吸収し、第４の光１１０を放射するものであり、（【０００７】） 第１の光１０４は、青色光であり、例えば、４４０ｎｍと４６０ｎｍの間にピーク波長を有するものであり、 第２の光１１２と第４の光１１０の両方は、近赤外光であり、異なるピーク波長を有するものであり、 第３の光１０６は、赤色であり、（【０００９】） ＮＩＲ蛍光体１０８は、少なくとも７００ｎｍのピーク波長を有する光を放射し、少なくとも１７００ｃｍ－１の半値全幅を有するものであり、（【００１３】） ＮＩＲ蛍光体１０８のホスト格子は、４価のカチオンを有し、ＮＩＲ蛍光体は、ＮＩＲ蛍光体中の全体のクロム量に対して、１０％未満のＣｒ（ＩＶ）を有し、（【００１５】） 第２の蛍光体１０２は、Ｅｕ２＋ドープされた赤色放射材料であり、組成がＭ２－ｘＳｉ５－ｙＡｌｙＯｙＮ８－ｙ：Ｅｕｘ（Ｍ＝Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）や、Ｍ１－ｘＳｉＡｌＮ３：Ｅｕｘ（Ｍ＝Ｓｒ，Ｃａ）の蛍光体であり、（【００２１】） ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２は、例えば、粉末形態、セラミックの形態、または他の任意の好適な形態で製造され得るものであり、（【００２４】） ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２は、単一の波長変換層において相互に混合され、（【００２５】） ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２は、例えば、粉末状の蛍光体をシリコーンのような透明材料と混合し、光源の光路にこれを分散または配置させることにより、粉末の形態で使用されてもよく、粉末形態では、蛍光体の平均粒子サイズ（例えば粒子直径）は、少なくとも１μｍであり、５０μｍ以下であり、（【００２７】） ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む光源に使用されてもよく、（【００２８】） ＬＥＤに加えて、レーザダイオードが使用されてもよい、（【００２９】） 近赤外（ＮＩＲ）放射線を放射する装置。」 (２) 引用文献１～３の記載事項と技術常識１の認定 ア 引用文献１の記載事項 引用文献１の段落［0092］～［0093］には、次の記載がある。 「[0092] 蛍光体は粒子状のものを好ましく用いることができる。蛍光体の平均粒子径は、特に制限はないが、Ｄ５０が０．０５μｍ以上のものが好ましく、３μｍ以上のものがより好ましい。また、Ｄ５０が３０μｍ以下のものが好ましく、２０μｍ以下のものがより好ましい。 [0093] 本発明において平均粒子径とはメジアン径、すなわちＤ５０のことをいう。蛍光体層に含まれる蛍光体のＤ５０は、蛍光体層断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による測定画像を画像処理して粒径分布を求め、そこから得られる体積基準粒度分布において、小粒径側からの通過分積算５０％の粒子径をメジアン径Ｄ５０とする方法で測定する。粒子が球形である場合、粒子直径を粒径とする。粒子が球形でない場合、最も長い径の長さと最も短い径の長さの平均値を粒径とする。Ｄ５０が上記範囲であると、蛍光体シート中の蛍光体の分散性が良好で、安定な発光が得られる。」 イ 引用文献２の記載事項 引用文献２の段落【００４９】には、次の記載がある。 「【００４９】 蛍光体粒子の５０％粒子直径（以下、本明細書では５０％粒径と略す）Ｄ５０は、１～３０μｍが好ましい。蛍光体粒子の５０％粒径Ｄ５０が１μｍ未満であると、蛍光体粒子の比表面積が大きくなり、失活しやすくなるおそれがある。この５０％粒径Ｄ５０は、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは７μｍ以上である。一方、蛍光体粒子の５０％粒径Ｄ５０が３０μｍ超では、光変換部材中で分散性が悪くなり、光の変換効率が悪くなると共に、色度ムラが生じるおそれがある。そのため、５０％粒径Ｄ５０は、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１５μｍ以下である。なお、本明細書において、５０％粒径Ｄ５０は、レーザ回折式粒度分布測定により得られた粒度分布から、体積基準での積算％における５０％値として算出した値である。」 ウ 引用文献３の記載事項 引用文献の段落【００３６】には、次の記載がある。 「【００３６】 上記蛍光体の粒子径としては特に限定されないが、中央粒径（Ｄ５０）で通常０．１～１００μｍ範囲内であることが好ましく、より好ましくは１．０～５０μｍ、さらに好ましくは５．０～３０μｍである。上記Ｄ５０が小さすぎると、輝度が低下するだけではなく、基体蛍光体自体が凝集しやくなり、均一な被覆処理が困難になる。また、Ｄ５０が大きすぎると、樹脂における分散性が悪くなり、発光素子の特性に悪影響を与える恐れがある。」 エ 技術常識１の認定 前記ア～ウにおいて摘記した事項に例示されるように、次の技術事項は技術常識である（以下「技術常識１」という。）。 ［技術常識１］ 「蛍光体粒子の代表粒子径としてメジアン平均粒径Ｄ５０用い、安定した発光が得られるようにするために、メジアン平均粒径を数μｍから数十μｍの範囲の値にすること。」 (３) 甲５の記載事項と技術常識２の認定 ア 甲５の記載事項 甲５の段落【００７３】～【００７４】には、次の記載がある。 「【００７３】 ＜平均粒径＞ 蛍光体７の平均粒径は、０．１μｍ以上５０μｍ以下の範囲にあることが好ましい。平均粒径が０．１μｍより小さいと表面欠陥の影響が顕著となり、発光強度が低下するとともに、平均粒径が５０μｍより大きいと励起光の吸収が不十分となり、発光が低下するため、何れも好ましくない。尚、蛍光体７の粒度はレーザー回折・散乱法を用いて測定することができる。 【００７４】 蛍光体７は、α－サイアロン粉末を構成する一次粒子の平均アスペクト比を３以下とすることが好ましい。これにより、樹脂中への分散性が向上するばかりか、励起光を効率的に吸収し、十分に高い発光強度が得ることができる。 平均アスペクト比が３より大きいと、樹脂への混練が困難となり、樹脂と蛍光体粒子との界面に空隙が生じやすくなるとともに、粒子が交絡したり、励起光と平行に配列した蛍光体粒子の励起光の吸収が不十分となったりして、十分に高い発光強度が得られないため好ましくない。」 イ 技術常識２の認定 前記アにおいて摘記した事項に例示されるように、次の技術事項は技術常識であるといえる（以下「技術常識２」という。）。 ［技術常識２］ 「蛍光体粒子の樹脂中への分散性を良好なものとするために、蛍光体粒子の平均アスペクト比を３以下の小さい値にすること。」 (４) 甲２～甲４、甲６、甲７の記載事項 ア 甲２の記載事項 甲２の５０５頁右欄の１．２には、次の記載がある。 「１．２ Ｃｒ４＋ドープ結晶 Ｃｒ４＋：Ｍｇ２ＳｉＯ４（クロムフォルステライト），Ｃｒ４＋：Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２（Ｃｒ：ＹＡＧ），Ｃｒ４＋：Ｙ２ＳｉＯ５（Ｃｒ：ＹＳＯ）などがあり、１．２μｍ付近で発振する。５００ｎｍ付近に大きな吸収帯が存在するため，Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの基本波，その２倍波，クリプトンレーザー，チタンサファイアレーザーなど，種々のレーザーによる励起が行われている．これらのうち，最初にレーザー発振が報告されたのは，クロムフォルステライトレーザーであり，当初はＣｒ３＋による発振であると考えられていたが，現在では，Ｃｒ４＋による発振であることが知られている．」 イ 甲３の記載事項 甲３の研究成果の概要（和文）には、次の記載がある。 「研究成果の概要（和文） ：近赤外波長域に広帯域発光を示す光増幅器用３ｄ遷移金属イオン含有透明結晶化ガラスの開発を目指した．Ｃｒ４＋イオンを安定に固溶し得る結晶化ガラスを作製，熱処理前後の基礎光物性評価を行った．Ｚｎ２ＳｉＯ４，Ｍｇ２ＳｉＯ４，Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４結晶はｄ２電子配置＝４価の状態で安定に固溶する． 作製した試料の発光スペクトル，蛍光寿命，量子収率を評価した所，結晶化後はＣｒ４＋に基づく１．１～１．５μｍの波長領域に広帯域発光を示した．Ｍｇ２ＳｉＯ４試料のみ，Ｃｒ３＋イオンに基づく，０．９μｍ付近の発光を示した．他の２試料に比べ，Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４析出結晶化ガラス試料は長い蛍光寿命と高い量子効率を示した．」 ウ 甲４の記載事項 甲４の１５２５頁の左欄には、次の記載がある。 「Introduction Chromium(IV) ions in a tetrahedral environment, as found in single crystals of forsterite Mg2SiO4 and yttrium aluminium garnet Y3Al5O12(YAG), have found several applications in optics, for example, tunable laser action around 1.2-1.5 μm used in optical fiber communications, ultra-short laser pulse generation and passive Q-switching of neodymium activated laser operating at around 1 μm. In YAG and forsterite, chromium ions occur in the III and IV valence states, with CrIII in octahedral sites and CrIV distributed between the tetrahedral and octahedral sites. In YAG for instance, it has been suggested that tetrahedral CrIV, the active species, represents only a small percentage of the total chromium content. 」 （序章 フォルステライトＭｇ２ＳｉＯ４の単結晶やイットリウムアルミニウムガーネットＹ３Ａｌ５Ｏ１２（ＹＡＧ）に見られるような、四面体環境内のクロム（ＩＶ）イオンは、光学分野でいくつかの用途が発見されている。例えば、１．２～１．５μｍ付近の波長可変レーザー動作などであり、これらは、光ファイバー通信、超短レーザーパルス生成、及び、約１μｍで動作するネオジウム励起レーザーのパッシブＱスイッチングで使用される。ＹＡＧ及びフォルステライトでは、クロムイオンは、ＩＩＩ及びＩＶ価数状態で発生する。八面体サイトにＣｒＩＩＩがあり、四面体サイトと八面体サイトの間にＣｒＩＶが分布している。例えば、ＹＡＧでは、活性種である四面体ＣｒＩＶは、総クロム含有量のわずかなパーセントにすぎないことが示唆されている。） エ 甲６の記載事項 甲６の１８３３頁のAbstractの欄には、次の記載がある。 「Transparent glass ceramics containing Li2MgSiO4: Cr4+ nanocrystallites were prepared. Intense broadband near-infrared emission with full width at half-maximum larger than 200 nm and long fluorescence lifetime (τ > 100 μs) were observed. The temperature-dependent optical characteristics of the glass ceramics containing Li2MgSiO4: Cr4+ crystallites were compared to those of Li2MgSiO4: Cr4+ single crystals. The reason for extra-long near-infrared fluorescence lifetime was illuminated by the mixed effect between 3T2 and 1E levels. The crystal-filed-induced particular energy-level scheme makes the fluorescence lifetime of the glass ceramics containing Li2MgSiO4: Cr4+ crystallites one order longer than those of other Cr4+-doped glass ceramics.」 （Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋ナノ微結晶を含む透明なガラスセラミックを調整した。半値全幅が２００ｎｍを超える強力な広帯域近赤外放射と長い蛍光寿命（τ＞１００μｓ）が観察された。Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋微結晶を含むガラスセラミックの温度依存性光学特性を、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋単結晶の光学特性と比較した。近赤外蛍光寿命が非常に長い理由は、３Ｔ２レベルと１Ｅレベルの間の混合効果によって解明された。結晶場誘起の特定のエネルギーレベルスキームにより、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４：Ｃｒ４＋微結晶を含むガラスセラミックの蛍光寿命が、他のＣｒ４＋ドープガラスセラミックの蛍光寿命よりも１桁長くなる。） オ 甲７の記載事項 甲７の２７３頁のAbstractの欄には、次の記載がある。 「The growth and optical properties of Cr4+-doped Li2CaSiO4 single crystals are described. Absorption spectroscopy together with calculations of energy levels shows distortion of tetrahedral sites with Cr4+ doping. The symmetry of the local environment was assigned to D2d; ligand field parameters were determined for both undistorted and distorted tetrahedral sites. Emission spectra show broadband fluorescence from 1000 to 1500 nm. The fluorescence spectrum is structureless at room temperature and exhibits sharp lines at low temperature. The temperature dependence of nonradiative relaxation shows a quantum efficiency ～46%. From the experimental data and the best fit with the Struck and Fonger model, the following spectroscopic parameters were obtained: effective energies of odd- and even-parity phonons are hωodd = 158 and hωeven = 564 cm-1, respectively, Huang-Rhys parameter S=2.1, nonradiative constant Knr=1014 s-1, and the number of phonons bridging the energy gap is ～19. Long lifetime (41 μs at 300 K) and high quantum efficiency make this crystal a new promising tunable laser medium for the near-infrared region.」 （Ｃｒ４＋ドープＬｉ２ＣａＳｉＯ４単結晶の成長と光学特性について説明する。吸収分光法とエネルギー準位の計算により、Ｃｒ４＋ドーピングによる四面体サイトの歪みが示される。ローカル環境の対称性はＤ２ｄに割り当てられた。リガンド場のパラメーターは、歪んでいない四面体部位と歪んでいる四面体部位の両方について決定された。発光スペクトルは、１０００～１５００ｎｍの広帯域蛍光を示す。蛍光スペクトルは室温では構造がないが、低温では鋭い線を示す。無輻射緩和の温度依存性は量子効率～４６％を示す。実験データとStruckとFongerモデルの最適な適合から、次の分光パラメーターが得られた。奇数パリティフォノンと偶数パリティフォノンの有効エネルギーは、ｈωｏｄｄ＝１５８及びｈωｅｖｅｎ＝５６４ｃｍ－１、それぞれ、Hung-RhysパラメーターＳ＝２．１、非放射定数Ｋｎｒ＝１０１４ｓ－１、エネルギーギャップを埋めるフォノンの数は～１９である。この結晶は長い寿命（３００Ｋで４１μｓ）と高い量子効率により、近赤外領域の新しい有望な波長可変レーザー媒質となる。） ３ 本件訂正発明１について (１) 対比 本件訂正発明１と甲１発明を対比する。 ア 甲１発明の「第１の光１０４を放射する、ＬＥＤまたは他の任意の好適なソースである光源１００」は、本件訂正発明１の「発光光源」に相当し、甲１発明の「蛍光体」は、本件訂正発明１の「蛍光体」に相当する。 そうすると、甲１発明の「光源１００」を備える「蛍光体のような、ＮＩＲ放射発光材料を介して、特に近赤外（ＮＩＲ）放射線を放射する装置」は、本件訂正発明１の「発光光源と蛍光体とを備える発光装置」に相当する。 したがって、本件訂正発明１と甲１発明は、「発光光源と蛍光体とを備える発光装置」の発明である点において一致する。 イ 甲１発明の「光源１００」が「放射する」「第１の光１０４」は、「青色光であり、例えば、４４０ｎｍと４６０ｎｍの間にピーク波長を有するもの」であるから、本件訂正発明１の「発光光源」が発する「３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光」に相当する。 したがって、本件訂正発明１と甲１発明は、「前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発［する］」点において一致する。 ウ(ア) 甲１発明の「第１の光１０４の一部が入射される第２の蛍光体１０２」は、「第１の光１０４を吸収し、第３の光１０６を放射するものであり」、「第３の光１０６は、赤色」であるところ、赤色光の波長帯は概ね６２５～７８０ｎｍの範囲にあるから、甲１発明の「第１の光１０４の一部が入射され」、「第１の光１０４を吸収し、第３の光１０６（赤色）を放射する」「第２の蛍光体１０２」は、本件訂正発明１の「前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体」に相当する。 (イ) さらに甲１発明においては、「第３の光１０６（赤色）が、ＮＩＲ蛍光体１０８に入射されると、ＮＩＲ蛍光体１０８は、第３の光１０６（赤色）の全てまたは一部を吸収し、第４の光１１０を放射するものであり」、「第４の光１１０」は「近赤外光」であるから、甲１発明の「少なくとも７００ｎｍのピーク波長を有する光を放射」する「ＮＩＲ蛍光体１０８」は、本件訂正発明１の「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」に相当する。 (ウ) 甲１発明では、「ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２は、単一の波長変換層において相互に混合され」るものであるから、甲１発明の「蛍光体」は、「ＮＩＲ蛍光体１０８および第２の蛍光体１０２」を含有するものであるといえる。 (エ) 前記(ア)～(ウ)を踏まえると、本件訂正発明１と甲１発明は、次の点において一致する。 「前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有する」点。 (２) 一致点及び相違点の認定 前記(１)の対比の結果をまとめると、本件訂正発明１と甲１発明は、次の一致点Ａにおいて一致し、以下の相違点Ａにおいて相違する。 ア 一致点Ａ 「発光光源と蛍光体とを備える発光装置であって、 前記発光光源は、３００ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発し、 前記蛍光体は、前記発光光源によって励起されて６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを持つ光を発する赤色蛍光体と、前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体とを含有する、発光装置」である点。 イ 相違点Ａ 「蛍光体」が「含有する」、「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」について、 本件訂正発明１においては、 「４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に」「前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する」ものであり、 「前記無機結晶は、Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている」のに対して、 甲１発明においては、 「ＮＩＲ蛍光体１０８のホスト格子は、４価のカチオンを有し、ＮＩＲ蛍光体は、ＮＩＲ蛍光体中の全体のクロム量に対して、１０％未満のＣｒ（ＩＶ）を有［する］」ものの、Ｃｒ（ＩＶ）由来の発光により近赤外光を発する点について明示されておらず、ＮＩＲ蛍光体１０８の組成も具体的に明示されていない点。 (３) 判断 ア 前記２(４)のア～オに摘記したとおり、甲２～甲４、甲６、甲７の各文献には、４価のＣｒ（Ｃｒ４＋）がドープされた無機結晶であって４価のＣｒ由来の広帯域の近赤外光を発する、Ｚｎ２ＳｉＯ４、Ｍｇ２ＳｉＯ４、Ｌｉ２ＺｎＳｉＯ４、Ｌｉ２ＣａＳｉＯ４、Ｌｉ２ＭｇＳｉＯ４が記載されている。 イ しかしながら、前記相違点Ａに係る「Ｎａ２Ｍ（２）ＳｉＯ４結晶（ただし、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）又はＬｉ２ＳｒＳｉＯ４結晶にＣｒが添加されている」「無機結晶」であって、「４価のＣｒを含［み］」「前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する」ものは、甲２～甲４、甲６、甲７の各文献のほか、技術常識１、２の立証に用いた引用文献１～３及び甲５まで含めても、いずれの文献にも記載も示唆もされていない。 ウ そうすると、甲１発明に甲２～甲７、引用文献１～３の記載事項をいかに適用しても、前記相違点Ａに係る本件訂正発明１の構成とすることは当業者にとって容易に想到し得たことではない。 エ したがって、本件訂正発明１は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ４ 本件訂正発明２、５～１０について 本件訂正発明２、５～１０は、本件訂正発明１の全ての構成を含むから、前記３において説示した理由と同様の理由により、本件訂正発明２、５～１０は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ５ 本件訂正発明１３について (１) 一致点及び相違点の認定 前記３(１)の対比の結果を踏まえると、本件訂正発明１３と甲１発明は、前記一致点Ａにおいて一致し、以下の相違点Ｂにおいて相違する。 ＜相違点Ｂ＞ 「蛍光体」が「含有する」、「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」について、 本件訂正発明１３においては、 「４価のＣｒを含む無機結晶を含有すると共に」「前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する」ものであり、 「前記無機結晶は、Ｍ（１）２Ｍ（２）ＧｅＯ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）にＣｒが添加されている」のに対して、 甲１発明においては、 「ＮＩＲ蛍光体１０８のホスト格子は、４価のカチオンを有し、ＮＩＲ蛍光体は、ＮＩＲ蛍光体中の全体のクロム量に対して、１０％未満のＣｒ（ＩＶ）を有［する］」ものの、Ｃｒ（ＩＶ）由来の発光により近赤外光を発する点について明示されておらず、ＮＩＲ蛍光体１０８の組成も具体的に明示されていない点。 (２) 判断 ア 前記３(３)に示した、相違点Ａについての判断と同様に、前記相違点Ｂに係る「Ｍ（１）２Ｍ（２）ＧｅＯ４結晶（ただし、Ｍ（１）は、Ｌｉおよび／またはＮａである金属元素、Ｍ（２）は、Ｚｎ、Ｍｇ、ＣａおよびＳｒからなる群から少なくとも１つ選択された金属元素）にＣｒが添加されている」「無機結晶」であって、「４価のＣｒを含［み］」「前記４価のＣｒ由来の発光により近赤外光を発する」ものは、甲２～甲４、甲６、甲７のほか、技術常識１、２の立証に用いた引用文献１～３及び甲５まで含めても、いずれの文献にも記載も示唆もされていない。 イ そうすると、甲１発明に甲２～甲７、引用文献１～３の記載事項をいかに適用しても、前記相違点Ｂに係る本件訂正発明１３の構成とすることは当業者にとって容易に想到し得たことではない。 ウ したがって、本件訂正発明１３は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ６ 本件訂正発明１４～１９について 本件訂正発明１４～１９は、本件訂正発明１３の全ての構成を含むから、前記５において説示した理由と同様の理由により、本件訂正発明１４～１９は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 ７ 本件訂正発明２０について (１) 一致点及び相違点の認定 前記３(１)の対比の結果を踏まえると、本件訂正発明２０と甲１発明は、前記一致点Ａにおいて一致し、以下の相違点Ｃにおいて相違する。 ＜相違点Ｃ＞ 「蛍光体」が「含有する」、「前記６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲にピークを有する光によって励起されて近赤外光を発する近赤外発光蛍光体」について、 本件訂正発明２０においては、 「前記近赤外発光蛍光体は、Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される」のに対して、 甲１発明においては、 「ＮＩＲ蛍光体１０８のホスト格子は、４価のカチオンを有し、ＮＩＲ蛍光体は、ＮＩＲ蛍光体中の全体のクロム量に対して、１０％未満のＣｒ（ＩＶ）を有［する］」ものの、ＮＩＲ蛍光体１０８の組成は具体的に明示されていない点。 (２) 判断 ア 前記３(３)に示した、相違点Ａについての判断と同様に、前記相違点Ｃに係る「Ｌｉ２ＭｇＧｅＯ４：Ｃｒ４＋、および、Ｌｉ２ＺｎＧｅＯ４：Ｃｒ４＋からなる群から少なくとも１種選択される」「近赤外発光蛍光体」は、甲２～甲４、甲６、甲７のほか、技術常識１、２の立証に用いた引用文献１～３及び甲５まで含めても、いずれの文献にも記載も示唆もされていない。 イ そうすると、甲１発明に甲２～甲７、引用文献１～３の記載事項をいかに適用しても、前記相違点Ｃに係る本件訂正発明２０の構成とすることは当業者にとって容易に想到し得たことではない。 ウ したがって、本件訂正発明２０は、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 第５ 取消理由通知（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について １ 申立理由の概要 特許異議申立人は、次の(１)及び(２)に示す申立理由１、２を主張している。 (１) 申立理由１（新規性欠如） 請求項１、２、６、８、９及び１０に係る発明は、甲１に記載された発明であり、特許法２９条１項３号に該当するから、請求項１、２、６、８、９及び１０に係る特許は、特許法２９条１項の規定に違反してされたものであり、同法１１３条２号に該当し取り消すべきものである (２) 申立理由２（進歩性欠如） 請求項３～５、７、１１及び１２に係る発明は、甲１に記載された発明並びに周知技術（甲２参照）及び甲３～７の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項３～５、７、１１及び１２に係る特許は、特許法２９条２項の規定に違反してされたものであり、同法１１３条２号に該当し取り消すべきものである。 ２ 申立理由の検討 特許異議申立人の主張する申立理由１、２は、いずれも甲１を主たる引用文献として、新規性・進歩性が欠如するというものである。 しかしながら、前記第４の３～７において説示したとおり、本件訂正発明１、２、５～１０、１３～２０は、甲１号証を出発点とし、甲２～甲７の記載事項を踏まえて検討しても、当業者が容易に発明できたものではない。 したがって、申立理由１、２はいずれも理由がない。 第６ むすび 前記第４において検討したとおり、請求項１、２、５～１０、１３～２０に係る特許は、取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由により取り消すことはできない。 また、前記第５において検討したとおり、請求項１、２、５～１０、１３～２０に係る特許は、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっても、取り消すことができない。 そして、他に請求項１、２、５～１０、１３～２０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 請求項３、４、１１、１２に係る特許についての特許異議の申立てについては、これらの請求項３、４、１１、１２は本件訂正により削除され、当該申立てに係る特許が存在しないこととなったため、特許法１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定により却下すべきものである。 よって、結論のとおり決定する。